JP2003064486A - Etching apparatus with shower plate incorporated with porous ceramics - Google Patents
Etching apparatus with shower plate incorporated with porous ceramicsInfo
- Publication number
- JP2003064486A JP2003064486A JP2001094317A JP2001094317A JP2003064486A JP 2003064486 A JP2003064486 A JP 2003064486A JP 2001094317 A JP2001094317 A JP 2001094317A JP 2001094317 A JP2001094317 A JP 2001094317A JP 2003064486 A JP2003064486 A JP 2003064486A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- nozzle
- etched
- sprayed
- porous ceramics
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Nozzles (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば半導体ウ
ェハまたは液晶ガラスパネルの製造工程中のパターン形
成工程で用いるウェット・エッチング装置であり、エッ
チング液を散布するためのノズルである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wet etching apparatus used in a pattern forming process in a manufacturing process of, for example, a semiconductor wafer or a liquid crystal glass panel, and a nozzle for spraying an etching solution.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体ウェハまたは液晶ガラスパネルの
パターン形成工程では、ウェハまたはガラス基板の表面
に、スパッタ装置により、Al、Ti、Cu、Cr、M
o、Ni、Au等の薄膜を形成し、レジスト散布後マス
クを通してパターンを露光する。その後、薄膜の不用部
分を除去するためにエッチングが行われる。2. Description of the Related Art In a pattern forming process of a semiconductor wafer or a liquid crystal glass panel, Al, Ti, Cu, Cr, M is sputtered on the surface of a wafer or a glass substrate by a sputtering apparatus.
A thin film of o, Ni, Au or the like is formed, and after the resist is sprayed, the pattern is exposed through a mask. Then, etching is performed to remove unnecessary portions of the thin film.
【0003】このエッチングにおいて、酸またはアルカ
リの薬剤を被エッチング部材表面にスプレーノズルを1
個または数個用いて散布している。またスプレーノズル
に替わって細かい孔を多数開けたシャワーノズルを用い
る場合もある。しかしシャワーノズルの孔径の最小値は
限られる。また孔の数も無限に多数開けることはできな
い。In this etching, an acid or alkali chemical is sprayed on the surface of the member to be etched by a spray nozzle.
It is sprayed using one or several pieces. Further, instead of the spray nozzle, a shower nozzle having many small holes may be used. However, the minimum diameter of the shower nozzle is limited. Also, the number of holes cannot be infinitely large.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ノズル
を用いたスプレー方式では、ノズル直下に散布液が集中
し、周辺部に行き渡らず散布のムラが生じることが多
い。また均一性を高めるためにノズルから吐出されたエ
ッチング液の被エッチング部材上での拡散を図ろうとす
ると、吐出の流速を高速化しなければならず、結果とし
て被エッチング部材上での液の跳ね返りを制御すること
ができず、散布ムラを生じる原因にもなる。この散布ム
ラがエッチングの均一性を妨げる要因となっている。However, in the spray method using a nozzle, the spray liquid concentrates right under the nozzle, and the spray is often not spread to the peripheral portion, resulting in uneven spraying. Further, if it is attempted to diffuse the etching liquid discharged from the nozzle on the member to be etched in order to improve the uniformity, the flow velocity of the discharge must be increased, and as a result, the liquid splashes on the member to be etched. It cannot be controlled and may cause uneven spraying. This unevenness of dispersion is a factor that hinders the uniformity of etching.
【0005】散布の均一性向上のためにノズルを複数個
使用したり、ノズル形状を変えたり、またノズルを移動
させたり被エッチング部材を回転させたりしている。こ
のためノズルの製作に多大なコストがかかり、またノズ
ルからの吐出以外の動作を装置に求められるため、エッ
チング装置が複雑となり高価なものになっている。In order to improve the uniformity of spraying, a plurality of nozzles are used, the nozzle shape is changed, the nozzle is moved, and the member to be etched is rotated. For this reason, it requires a great deal of cost to manufacture the nozzle, and since the apparatus is required to perform operations other than the ejection from the nozzle, the etching apparatus becomes complicated and expensive.
【0006】複数個のノズルを用いたり、細かい孔を多
数もつシャワープレートを用いても理想的なエッチング
液散布の均一性を得るのは困難である。このためエッチ
ングの効率が低下し、製品の歩留まりを悪化させてい
る。Even if a plurality of nozzles are used or a shower plate having a large number of fine holes is used, it is difficult to obtain the ideal uniformity of the dispersion of the etching solution. For this reason, the etching efficiency is lowered, and the product yield is deteriorated.
【0007】半導体ウェハまたは液晶ガラスパネルのパ
ターン形成工程では、このようなエッチング工程が何度
も繰り返し行われるため、エッチング液の散布方法の根
本的な改善が求められている。In the pattern forming process of the semiconductor wafer or the liquid crystal glass panel, such an etching process is repeated many times, and therefore, a fundamental improvement in the method of spraying the etching liquid is required.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】従来のノズルによるエッ
チング液の散布方法を図1に示す。この場合散布の均一
性を向上させるためにはノズルを動かすしかない。また
被エッチング材の散布面積が大きい場合図2に示すよう
に、ノズルを複数個設ける場合もあるが、やはりノズル
の直下と周辺で不均一が生じる。FIG. 1 shows a conventional method of spraying an etching solution using a nozzle. In this case, the nozzle must be moved in order to improve the uniformity of spraying. When the material to be etched has a large spray area, a plurality of nozzles may be provided as shown in FIG. 2. However, nonuniformity occurs just below and around the nozzles.
【0009】本発明はノズルの代わりにポーラスセラミ
ックスを組み込んだシャワープレートを用いる。The present invention uses a shower plate incorporating porous ceramics instead of the nozzle.
【0010】本発明に用いるポーラスセラミックスはア
ルミナを主成分として、シリカ、チタニア、マグネシ
ア、イットリア、などを加えて板状に焼成する。その結
果ポーラスセラミックスには超微細な通気孔が無限数形
成される。この通気孔の大きさは直系10μmから50
μmと非常に微細である。そして単位面積当たりの通気
孔の開口率は30%から40%と非常に大きく、さらに
これらが散布対象全面に完全に均等に配置されるため被
エッチング部材に完全に均等な散布を行うことができ
る。The porous ceramics used in the present invention contains alumina as a main component, silica, titania, magnesia, yttria, and the like, and is fired into a plate shape. As a result, an infinite number of ultrafine air holes are formed in the porous ceramics. The size of this vent hole is 10μm to 50μm
It is very fine with μm. The opening ratio of the ventilation holes per unit area is as large as 30% to 40%, and since these are arranged evenly over the entire surface of the object to be sprayed, it is possible to perform even distribution on the members to be etched. .
【0011】ポーラスセラミックスに形成された微細孔
の合計面積は30から40%と大きく、直径が小さく散
布対象全面に配置されているため、個々の孔から吐出さ
れるエッチング液は被エッチング部材全面にわたって均
一に散布される。したがってエッチング液拡散のための
別途手段は一切必要としない。さらに散布液がポーラス
セラミックスを通過する流速も、拡散を目的としないの
で非常に低速で良く、また被エッチング部材とノズルの
間隔も非常に接近させるため、被エッチング部材からの
跳ね返りなどの制御できない要素も解消される。Since the total area of the fine holes formed in the porous ceramics is as large as 30 to 40% and the diameter is small and they are arranged on the entire surface to be sprayed, the etching liquid discharged from the individual holes is spread over the entire surface of the member to be etched. Spread evenly. Therefore, no additional means for diffusing the etchant is required. Furthermore, the flow velocity of the spray liquid passing through the porous ceramics is very low because it is not intended for diffusion, and since the distance between the member to be etched and the nozzle is also very close, there is an uncontrollable element such as bounce from the member to be etched. Is also resolved.
【0012】ポーラスセラミックスの通気孔の大きさ
は、成分の90%を占めるアルミナの粒子の大きさを選
択することで自在に決めることができる。したがって開
口率も伴って決定される。表1に粒子の大きさと開口率
の関係を示す。The size of the vent holes of the porous ceramics can be freely determined by selecting the size of the particles of alumina which occupy 90% of the components. Therefore, the aperture ratio is also determined. Table 1 shows the relationship between the particle size and the aperture ratio.
【0013】さらにポーラスセラミックスは1400度
以上の高温で焼成されるので、塵埃の発生は皆無であ
る。埃を極端に嫌う半導体や液晶基板の製造工程におい
て最適な素材といえる。加えて耐熱性に優れ、酸、アル
カリに対しても優れた耐性を持つ。機械的強度も強くし
たがって経年変化もない。Further, since the porous ceramics are fired at a high temperature of 1400 ° C. or higher, no dust is generated. It can be said to be the most suitable material in the manufacturing process of semiconductors and liquid crystal substrates that are extremely reluctant to dust. In addition, it has excellent heat resistance and excellent resistance to acids and alkalis. The mechanical strength is also strong and therefore does not change over time.
【0014】ウェハや、液晶基板に使用するガラスはそ
の用途によってさまざまなサイズが使用されている。ポ
ーラスセラミックスのシャワープレートはその形状を自
在に、簡単に加工することができるため散布対象物の形
状に合わせてシャワープレートを製作すれば良い。Various sizes of the glass used for the wafer and the liquid crystal substrate are used depending on the application. Since the shape of the porous ceramic shower plate can be freely and easily processed, the shower plate may be manufactured in accordance with the shape of the object to be sprayed.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態を図
面に基づいて詳しく説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【0016】図1はエッチング前の対象物の状態を示
す。対象物はウェハまたは液晶ガラス基板である。被エ
ッチング部材1の表面にスパッタ装置で薄膜2が構成さ
れている。その上に感光剤レジスト3が塗布されてい
る。これにマスク4を通して光線5によってマスク4に
描かれたパターンを感光剤レジスト3に写し取る。レジ
スト膜状に光線が当たった部分6と光線に当たっていな
い部分7とが形成される。FIG. 1 shows the state of the object before etching. The object is a wafer or a liquid crystal glass substrate. A thin film 2 is formed on the surface of the member to be etched 1 by a sputtering device. Photosensitive agent resist 3 is applied thereon. The pattern drawn on the mask 4 by the light beam 5 is transferred onto the photosensitive material resist 3 through the mask 4. A portion 6 where the light ray hits and a portion 7 where the light ray does not hit are formed on the resist film.
【0017】図2は従来のノズル9を使用したエッチン
グ方式である。被エッチング剤1は支持台8に搭載され
て、ノズル9よりエッチング液10を散布する。この場
合ノズル直下と周辺でエッチング液の散布ムラが生じ
る。FIG. 2 shows an etching method using a conventional nozzle 9. The etchant 1 is mounted on a support 8 and sprays an etchant 10 from a nozzle 9. In this case, uneven spraying of the etching liquid occurs just below and around the nozzle.
【0018】図3はノズルを複数個設けたエッチング装
置の概念図である。この場合も前記同様ノズル直下とそ
の周辺でのムラに加えて、複数のノズルから散布される
部分とそうでない部分などの散布ムラなど予測できない
要素も増える。FIG. 3 is a conceptual diagram of an etching apparatus having a plurality of nozzles. In this case as well, in addition to the unevenness immediately below the nozzle and its surroundings, unpredictable factors such as unevenness of the spraying of the portions sprayed from a plurality of nozzles and the portions not sprayed increase.
【0019】図4は、ノズルを複数個設けた場合の散布
液の状態を示す。ノズル9から散布されるエッチング液
10は、被エッチング部材1の全面に拡散させるために
高速で吐出される。これが被エッチング部材に当たって
跳ね返り液12を生じさせる。この跳ね返り液12の飛
散は予測することができず、散布ムラの原因になってい
る。FIG. 4 shows the state of the spray liquid when a plurality of nozzles are provided. The etching liquid 10 sprayed from the nozzle 9 is discharged at a high speed in order to diffuse it over the entire surface of the member 1 to be etched. This hits the member to be etched and causes the bounce liquid 12 to be generated. The scattering of the rebounding liquid 12 cannot be predicted, and is a cause of uneven spraying.
【0020】図5に本発明である、ポーラスセラミック
ス13を組み込んだシャワープレート16を使用したエ
ッチング装置の概念図である。被エッチング部材1がロ
ーラーコンベア14などでエッチング装置内に送られて
くると、シャワープレート16の内部室15に蓄えられ
たエッチング液10は、エッチング液を供給するパイプ
11を通して圧力を加えられ、圧力に応じた量がポーラ
スセラミックス13の微細孔を通して被エッチング部材
1の上に散布される。このときのエッチング液10の流
速は極端に遅く、各孔ともその速度と量において均一で
ある。したがって被エッチング部剤1に均一にエッチン
グ液10が散布され製品の歩留まりが向上する。FIG. 5 is a conceptual diagram of an etching apparatus using a shower plate 16 incorporating the porous ceramics 13 according to the present invention. When the member 1 to be etched is sent into the etching apparatus by the roller conveyor 14 or the like, the etching liquid 10 stored in the internal chamber 15 of the shower plate 16 is pressurized through the pipe 11 for supplying the etching liquid, and the pressure is increased. According to the above, the amount is dispersed through the fine holes of the porous ceramics 13 onto the member to be etched 1. At this time, the flow rate of the etching solution 10 is extremely slow, and the speed and amount of each hole are uniform. Therefore, the etching liquid 10 is uniformly sprayed on the material to be etched 1 and the product yield is improved.
【0021】図6は本発明による、被エッチング部材1
である液晶ガラス基板のエッチング工程の一例を示す。
工程にはさまざまなオプションがあるが、ここに示すの
はその代表例である。被エッチング部材1はコンベアロ
ーラー14上をエッチングの位置まで搬送されてくる。
ここで本発明のポーラスセラミックス13を組み込んだ
シャワープレート16よりエッチング液10が、被エッ
チング部材1である液晶ガラス基板上にコーティングさ
れている感光剤レジスト3に低流速で均一に散布され
る。その結果最適なエッチングが行われ、次工程の水
洗、乾燥へと続く。この一連の工程を繰り返す。FIG. 6 shows a member to be etched 1 according to the present invention.
An example of the etching process of the liquid crystal glass substrate will be described.
There are various options for the process, but the one shown here is a typical example. The member to be etched 1 is conveyed on the conveyor roller 14 to the etching position.
Here, the etching solution 10 is uniformly sprayed at a low flow rate from the shower plate 16 incorporating the porous ceramics 13 of the present invention to the photosensitizer resist 3 coated on the liquid crystal glass substrate which is the member to be etched 1. As a result, optimum etching is performed, followed by the next step of washing with water and drying. This series of steps is repeated.
【図1】エッチング前の被エッチング部材の構成をしめ
す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a member to be etched before etching.
【図2】1本のノズルでのエッチング剤散布の概念図で
ある。FIG. 2 is a conceptual diagram of spraying an etching agent with one nozzle.
【図3】複数本のノズルでのエッチング液散布の概念図
である。FIG. 3 is a conceptual diagram of spraying an etching liquid with a plurality of nozzles.
【図4】複数本のノズルでのエッチング液散布のとき生
じる跳ね返り液の状態を示す概念図である。FIG. 4 is a conceptual diagram showing a state of a repelling liquid generated when the etching liquid is sprayed by a plurality of nozzles.
【図5】ポーラスセラミックスを用いたエッチング液散
布ノズルの概念図である。FIG. 5 is a conceptual diagram of an etching solution spraying nozzle using porous ceramics.
【図6】液晶ガラス基板のエッチング工程を示す。FIG. 6 shows an etching process of a liquid crystal glass substrate.
【表1】ポーラスセラミックスの主成分アルミナの粒子
の大きさと開口率の関係を示す表である。Table 1 is a table showing the relationship between the particle size of the main component alumina of porous ceramics and the aperture ratio.
1 被エッチング部材 2 薄膜 3 感光剤レジスト 4 マスク 5 露光光線 6 露光光線が当たった部分 7 露光光線が当たっていない部分 8 支持台 9 散布ノズル 10 エッチング液 11 エッチング液供給パイプ 12 跳ね返り液 13 ポーラスセラミックス 14 コンベアローラー 15 内部室 16 シャワープレート 1 Etching member 2 thin film 3 Photosensitive resist 4 mask 5 exposure rays 6 The part exposed to the exposure light 7 Area not exposed to exposure light 8 support 9 spray nozzles 10 Etching liquid 11 Etching liquid supply pipe 12 Bounce liquid 13 Porous ceramics 14 Conveyor roller 15 Interior room 16 shower plate
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成14年8月8日(2002.8.8)[Submission date] August 8, 2002 (2002.8.8)
【手続補正1】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】全文[Correction target item name] Full text
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【書類名】 明細書[Document name] Statement
【発明の名称】ポーラスセラミックスを組み込んだシャ
ワープレートを持つエッチング装置Title: Etching apparatus having a shower plate incorporating porous ceramics
【特許請求の範囲】[Claims]
【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば半導体ウ
ェハまたは液晶ガラスパネルの製造工程中のパターン形
成工程で用いるウェット・エッチング装置であり、エッ
チング液を散布するためのノズルである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wet etching apparatus used in a pattern forming process in a manufacturing process of, for example, a semiconductor wafer or a liquid crystal glass panel, and a nozzle for spraying an etching solution.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体ウェハまたは液晶ガラスパネルの
パターン形成工程では、ウェハまたはガラス基板の表面
に、スパッタ装置により、Al、Ti、Cu、Cr、M
o、Ni、Au等の薄膜を形成し、レジスト散布後マス
クを通してパターンを露光する。その後、薄膜の不用部
分を除去するためにエッチングが行われる。2. Description of the Related Art In a pattern forming process of a semiconductor wafer or a liquid crystal glass panel, Al, Ti, Cu, Cr, M is sputtered on the surface of a wafer or a glass substrate by a sputtering apparatus.
A thin film of o, Ni, Au or the like is formed, and after the resist is sprayed, the pattern is exposed through a mask. Then, etching is performed to remove unnecessary portions of the thin film.
【0003】このエッチングにおいて、酸またはアルカ
リの薬剤を被エッチング部材表面にスプレーノズルを1
個または数個用いて散布している。またスプレーノズル
に替わって細かい孔を多数開けたシャワーノズルを用い
る場合もある。しかしシャワーノズルの孔径の最小値は
限られる。また孔の数も無限に多数開けることはできな
い。In this etching, an acid or alkali chemical is sprayed on the surface of the member to be etched by a spray nozzle.
It is sprayed using one or several pieces. Further, instead of the spray nozzle, a shower nozzle having many small holes may be used. However, the minimum diameter of the shower nozzle is limited. Also, the number of holes cannot be infinitely large.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ノズル
を用いたスプレー方式では、ノズル直下に散布液が集中
し、周辺部に行き渡らず散布のムラが生じることが多
い。また均一性を高めるためにノズルから吐出されたエ
ッチング液の被エッチング部材上での拡散を図ろうとす
ると、吐出の流速を高速化しなければならず、結果とし
て被エッチング部材上での液の跳ね返りを制御すること
ができず、散布ムラを生じる原因にもなる。この散布ム
ラがエッチングの均一性を妨げる要因となっている。However, in the spray method using a nozzle, the spray liquid concentrates right under the nozzle, and the spray is often not spread to the peripheral portion, resulting in uneven spraying. Further, if it is attempted to diffuse the etching liquid discharged from the nozzle on the member to be etched in order to improve the uniformity, the flow velocity of the discharge must be increased, and as a result, the liquid splashes on the member to be etched. It cannot be controlled and may cause uneven spraying. This unevenness of dispersion is a factor that hinders the uniformity of etching.
【0005】散布の均一性向上のためにノズルを複数個
使用したり、ノズル形状を変えたり、またノズルを移動
させたり被エッチング部材を回転させたりしている。こ
のためノズルの製作に多大なコストがかかり、またノズ
ルからの吐出以外の動作を装置に求められるため、エッ
チング装置が複雑となり高価なものになっている。In order to improve the uniformity of spraying, a plurality of nozzles are used, the nozzle shape is changed, the nozzle is moved, and the member to be etched is rotated. For this reason, it requires a great deal of cost to manufacture the nozzle, and since the apparatus is required to perform operations other than the ejection from the nozzle, the etching apparatus becomes complicated and expensive.
【0006】複数個のノズルを用いたり、細かい孔を多
数もつシャワープレートを用いても理想的なエッチング
液散布の均一性を得るのは困難である。このためエッチ
ングの効率が低下し、製品の歩留まりを悪化させてい
る。Even if a plurality of nozzles are used or a shower plate having a large number of fine holes is used, it is difficult to obtain the ideal uniformity of the dispersion of the etching solution. For this reason, the etching efficiency is lowered, and the product yield is deteriorated.
【0007】半導体ウェハまたは液晶ガラスパネルのパ
ターン形成工程では、このようなエッチング工程が何度
も繰り返し行われるため、エッチング液の散布方法の根
本的な改善が求められている。In the pattern forming process of the semiconductor wafer or the liquid crystal glass panel, such an etching process is repeated many times, and therefore, a fundamental improvement in the method of spraying the etching liquid is required.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】従来のノズルによるエッ
チング液の散布方法を図1に示す。この場合散布の均一
性を向上させるためにはノズルを動かすしかない。また
被エッチング材の散布面積が大きい場合図2に示すよう
に、ノズルを複数個設ける場合もあるが、やはりノズル
の直下と周辺で不均一が生じる。FIG. 1 shows a conventional method of spraying an etching solution using a nozzle. In this case, the nozzle must be moved in order to improve the uniformity of spraying. When the material to be etched has a large spray area, a plurality of nozzles may be provided as shown in FIG. 2. However, nonuniformity occurs just below and around the nozzles.
【0009】本発明はノズルの代わりにポーラスセラミ
ックスを組み込んだシャワープレートを用いる。The present invention uses a shower plate incorporating porous ceramics instead of the nozzle.
【0010】本発明に用いるポーラスセラミックスはア
ルミナを主成分として、シリカ、チタニア、マグネシ
ア、イットリア、などを加えて板状に焼成する。その結
果ポーラスセラミックスには超微細な通気孔が無限数形
成される。この通気孔の大きさは直系10μmから50
μmと非常に微細である。そして単位面積当たりの通気
孔の開口率は30%から40%と非常に大きく、さらに
これらが散布対象全面に完全に均等に配置されるため被
エッチング部材に完全に均等な散布を行うことができ
る。The porous ceramics used in the present invention contains alumina as a main component, silica, titania, magnesia, yttria, and the like, and is fired into a plate shape. As a result, an infinite number of ultrafine air holes are formed in the porous ceramics. The size of this vent hole is 10μm to 50μm
It is very fine with μm. The opening ratio of the ventilation holes per unit area is as large as 30% to 40%, and these are arranged evenly over the entire surface of the object to be sprayed, so that the members to be etched can be evenly sprayed. .
【0011】ポーラスセラミックスに形成された微細孔
の合計面積は30から40%と大きく、直径が小さく散
布対象全面に配置されているため、個々の孔から吐出さ
れるエッチング液は被エッチング部材全面にわたって均
一に散布される。したがってエッチング液拡散のための
別途手段は一切必要としない。さらに散布液がポーラス
セラミックスを通過する流速も、拡散を目的としないの
で非常に低速で良く、また被エッチング部材とノズルの
間隔も非常に接近させるため、被エッチング部材からの
跳ね返りなどの制御できない要素も解消される。Since the total area of the fine holes formed in the porous ceramics is as large as 30 to 40% and the diameter is small and they are arranged on the entire surface to be sprayed, the etching liquid discharged from the individual holes is spread over the entire surface of the member to be etched. Spread evenly. Therefore, no additional means for diffusing the etchant is required. Furthermore, the flow velocity of the spray liquid passing through the porous ceramics is very low because it is not intended for diffusion, and since the distance between the member to be etched and the nozzle is also very close, there is an uncontrollable element such as bounce from the member to be etched. Is also resolved.
【0012】ポーラスセラミックスの通気孔の大きさ
は、成分の90%を占めるアルミナの粒子の大きさを選
択することで自在に決めることができる。したがって開
口率も伴って決定される。The size of the vent holes of the porous ceramics can be freely determined by selecting the size of the particles of alumina which occupy 90% of the components. Therefore, the aperture ratio is also determined.
【0013】さらにポーラスセラミックスは1400度
以上の高温で焼成されるので、塵埃の発生は皆無であ
る。埃を極端に嫌う半導体や液晶基板の製造工程におい
て最適な素材といえる。加えて耐熱性に優れ、酸、アル
カリに対しても優れた耐性を持つ。機械的強度も強くし
たがって経年変化もない。Further, since the porous ceramics are fired at a high temperature of 1400 ° C. or higher, no dust is generated. It can be said to be the most suitable material in the manufacturing process of semiconductors and liquid crystal substrates that are extremely reluctant to dust. In addition, it has excellent heat resistance and excellent resistance to acids and alkalis. The mechanical strength is also strong and therefore does not change over time.
【0014】ウェハや、液晶基板に使用するガラスはそ
の用途によってさまざまなサイズが使用されている。ポ
ーラスセラミックスのシャワープレートはその形状を自
在に、簡単に加工することができるため散布対象物の形
状に合わせてシャワープレートを製作すれば良い。Various sizes of the glass used for the wafer and the liquid crystal substrate are used depending on the application. Since the shape of the porous ceramic shower plate can be freely and easily processed, the shower plate may be manufactured in accordance with the shape of the object to be sprayed.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態を図
面に基づいて詳しく説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【0016】図1はエッチング前の対象物の状態を示
す。対象物はウェハまたは液晶ガラス基板である。被エ
ッチング部材1の表面にスパッタ装置で薄膜2が構成さ
れている。その上に感光剤レジスト3が塗布されてい
る。これにマスク4を通して光線5によってマスク4に
描かれたパターンを感光剤レジスト3に写し取る。レジ
スト膜状に光線が当たった部分6と光線に当たっていな
い部分7とが形成される。FIG. 1 shows the state of the object before etching. The object is a wafer or a liquid crystal glass substrate. A thin film 2 is formed on the surface of the member to be etched 1 by a sputtering device. Photosensitive agent resist 3 is applied thereon. The pattern drawn on the mask 4 by the light beam 5 is transferred onto the photosensitive material resist 3 through the mask 4. A portion 6 where the light ray hits and a portion 7 where the light ray does not hit are formed on the resist film.
【0017】図2は従来のノズル9を使用したエッチン
グ方式である。被エッチング剤1は支持台8に搭載され
て、ノズル9よりエッチング液10を散布する。この場
合ノズル直下と周辺でエッチング液の散布ムラが生じ
る。FIG. 2 shows an etching method using a conventional nozzle 9. The etchant 1 is mounted on a support 8 and sprays an etchant 10 from a nozzle 9. In this case, uneven spraying of the etching liquid occurs just below and around the nozzle.
【0018】図3はノズルを複数個設けたエッチング装
置の概念図である。この場合も前記同様ノズル直下とそ
の周辺でのムラに加えて、複数のノズルから散布される
部分とそうでない部分などの散布ムラなど予測できない
要素も増える。FIG. 3 is a conceptual diagram of an etching apparatus having a plurality of nozzles. In this case as well, in addition to the unevenness immediately below the nozzle and its surroundings, unpredictable factors such as unevenness of the spraying of the portions sprayed from a plurality of nozzles and the portions not sprayed increase.
【0019】図4は、ノズルを複数個設けた場合の散布
液の状態を示す。ノズル9から散布されるエッチング液
10は、被エッチング部材1の全面に拡散させるために
高速で吐出される。これが被エッチング部材に当たって
跳ね返り液12を生じさせる。この跳ね返り液12の飛
散は予測することができず、散布ムラの原因になってい
る。FIG. 4 shows the state of the spray liquid when a plurality of nozzles are provided. The etching liquid 10 sprayed from the nozzle 9 is discharged at a high speed in order to diffuse it over the entire surface of the member 1 to be etched. This hits the member to be etched and causes the bounce liquid 12 to be generated. The scattering of the rebounding liquid 12 cannot be predicted, and is a cause of uneven spraying.
【0020】図5に本発明である、ポーラスセラミック
ス13を組み込んだシャワープレート16を使用したエ
ッチング装置の概念図である。被エッチング部材1がロ
ーラーコンベア14などでエッチング装置内に送られて
くると、シャワープレート16の内部室15に蓄えられ
たエッチング液10は、エッチング液を供給するパイプ
11を通して圧力を加えられ、圧力に応じた量がポーラ
スセラミックス13の微細孔を通して被エッチング部材
1の上に散布される。このときのエッチング液10の流
速は極端に遅く、各孔ともその速度と量において均一で
ある。したがって被エッチング部剤1に均一にエッチン
グ液10が散布され製品の歩留まりが向上する。FIG. 5 is a conceptual diagram of an etching apparatus using a shower plate 16 incorporating the porous ceramics 13 according to the present invention. When the member 1 to be etched is sent into the etching apparatus by the roller conveyor 14 or the like, the etching liquid 10 stored in the internal chamber 15 of the shower plate 16 is pressurized through the pipe 11 for supplying the etching liquid, and the pressure is increased. According to the above, the amount is dispersed through the fine holes of the porous ceramics 13 onto the member to be etched 1. At this time, the flow rate of the etching solution 10 is extremely slow, and the speed and amount of each hole are uniform. Therefore, the etching liquid 10 is uniformly sprayed on the material to be etched 1 and the product yield is improved.
【0021】図6は本発明による、被エッチング部材1
である液晶ガラス基板のエッチング工程の一例を示す。
工程にはさまざまなオプションがあるが、ここに示すの
はその代表例である。被エッチング部材1はコンベアロ
ーラー14上をエッチングの位置まで搬送されてくる。
ここで本発明のポーラスセラミックス13を組み込んだ
シャワープレート16よりエッチング液10が、被エッ
チング部材1である液晶ガラス基板上にコーティングさ
れている感光剤レジスト3に低流速で均一に散布され
る。その結果最適なエッチングが行われ、次工程の水
洗、乾燥へと続く。この一連の工程を繰り返す。FIG. 6 shows a member to be etched 1 according to the present invention.
An example of the etching process of the liquid crystal glass substrate will be described.
There are various options for the process, but the one shown here is a typical example. The member to be etched 1 is conveyed on the conveyor roller 14 to the etching position.
Here, the etching solution 10 is uniformly sprayed at a low flow rate from the shower plate 16 incorporating the porous ceramics 13 of the present invention to the photosensitizer resist 3 coated on the liquid crystal glass substrate which is the member to be etched 1. As a result, optimum etching is performed, followed by the next step of washing with water and drying. This series of steps is repeated.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】エッチング前の被エッチング部材の構成をしめ
す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a member to be etched before etching.
【図2】1本のノズルでのエッチング剤散布の概念図で
ある。FIG. 2 is a conceptual diagram of spraying an etching agent with one nozzle.
【図3】複数本のノズルでのエッチング液散布の概念図
である。FIG. 3 is a conceptual diagram of spraying an etching liquid with a plurality of nozzles.
【図4】複数本のノズルでのエッチング液散布のとき生
じる跳ね返り液の状態を示す概念図である。FIG. 4 is a conceptual diagram showing a state of a repelling liquid generated when the etching liquid is sprayed by a plurality of nozzles.
【図5】ポーラスセラミックスを用いたエッチング液散
布ノズルの概念図である。FIG. 5 is a conceptual diagram of an etching solution spraying nozzle using porous ceramics.
【図6】液晶ガラス基板のエッチング工程を示す。FIG. 6 shows an etching process of a liquid crystal glass substrate.
【符号の説明】 1 被エッチング部材 2 薄膜 3 感光剤レジスト 4 マスク 5 露光光線 6 露光光線が当たった部分 7 露光光線が当たっていない部分 8 支持台 9 散布ノズル 10 エッチング液 11 エッチング液供給パイプ 12 跳ね返り液 13 ポーラスセラミックス 14 コンベアローラー 15 内部室 16 シャワープレート[Explanation of symbols] 1 Etching member 2 thin film 3 Photosensitive resist 4 mask 5 exposure rays 6 The part exposed to the exposure light 7 Area not exposed to exposure light 8 support 9 spray nozzles 10 Etching liquid 11 Etching liquid supply pipe 12 Bounce liquid 13 Porous ceramics 14 Conveyor roller 15 Interior room 16 shower plate
【手続補正1】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】全図[Correction target item name] All drawings
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図1】 [Figure 1]
【図2】 [Fig. 2]
【図3】 [Figure 3]
【図4】 [Figure 4]
【図5】 [Figure 5]
【図6】 [Figure 6]
Claims (4)
込んだ、薬剤散布のためのノズルであって、散布対象物
にたいして全面に、且つ、均一に散布できることを特徴
とする、主に半導体ウェハまたは液晶基板のパターン形
成における工程のひとつであるエッチング工程に適用可
能な薬剤の散布方法。1. A nozzle for spraying a drug, which incorporates porous ceramics having fine pores, and is characterized in that it can be sprayed uniformly over the entire surface of an object to be sprayed, mainly a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate. A method of spraying chemicals applicable to an etching step, which is one of the steps in pattern formation.
に自在に成形可能であり、また、加工によっても形状を
自在に変えることのできるセラミックスを材質とするノ
ズル。2. A nozzle made of ceramics, the shape of which can be freely formed into the same shape as the shape of the object to be sprayed, and the shape of which can be freely changed by processing.
めに、1400度以上の高温で焼成されたポーラスセラ
ミックス製のノズル。3. A nozzle made of porous ceramics, which is fired at a high temperature of 1400 ° C. or higher in order to eliminate dust from the nozzle when spraying a chemical.
均一に散布するために気孔率を30〜40%としたポー
ラスセラミックス製のノズル。4. The entire surface of the object to be sprayed when the drug is sprayed, and
Porous ceramic nozzle with a porosity of 30-40% for uniform spraying.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001094317A JP2003064486A (en) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | Etching apparatus with shower plate incorporated with porous ceramics |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001094317A JP2003064486A (en) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | Etching apparatus with shower plate incorporated with porous ceramics |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003064486A true JP2003064486A (en) | 2003-03-05 |
Family
ID=18948533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001094317A Pending JP2003064486A (en) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | Etching apparatus with shower plate incorporated with porous ceramics |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003064486A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100835745B1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-06-09 | 최찬규 | Method for slimming glass |
CN102921572A (en) * | 2011-08-09 | 2013-02-13 | 塔工程有限公司 | Nozzle for dispensing liquid crystal |
CN112840438A (en) * | 2018-10-05 | 2021-05-25 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
2001
- 2001-02-20 JP JP2001094317A patent/JP2003064486A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100835745B1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-06-09 | 최찬규 | Method for slimming glass |
CN102921572A (en) * | 2011-08-09 | 2013-02-13 | 塔工程有限公司 | Nozzle for dispensing liquid crystal |
CN112840438A (en) * | 2018-10-05 | 2021-05-25 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6709699B2 (en) | Film-forming method, film-forming apparatus and liquid film drying apparatus | |
CN100478786C (en) | Washing apparatus, coating and developing apparatus and washing method | |
JP2002289513A (en) | Heater for applied film, method and device for processing resist film and method for forming resist pattern | |
TW201932640A (en) | Apparatus and method for fabricating a semiconductor device | |
US20110117283A1 (en) | Spray coating system | |
JP2003064486A (en) | Etching apparatus with shower plate incorporated with porous ceramics | |
KR20040075727A (en) | Developing apparatus and developing method | |
JP2002110512A (en) | Film formation method and device thereof | |
JPH0423429A (en) | Device and method for plasma processing of semiconductor device | |
JPH09171953A (en) | Heater and heating method for substrate, semiconductor integrated circuit device, photomask and liquid crystal display | |
US20070221618A1 (en) | Etching method | |
JP2002009065A (en) | Plasma cvd device | |
JPH0547652A (en) | Substrate heater | |
JPH06182283A (en) | Liquid chemical nozzle | |
US6706647B1 (en) | Method of and apparatus for manufacturing semiconductors | |
CN110350110A (en) | Drying device and drying means | |
JP2895671B2 (en) | Coating method and coating device | |
JP2003051499A (en) | Method and device for thin film formation | |
KR101778684B1 (en) | Reactor having active catalytic particles | |
KR100874611B1 (en) | The meathod of multi layer coatings | |
JP4183121B2 (en) | Development processing method and development processing apparatus | |
JP2008060303A (en) | Heat treatment device | |
JPH05234871A (en) | Photoresist coater | |
JP2002353109A (en) | Charged particle beam exposure system, exposing method and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2005009749A (en) | Heating device |