JP2002231655A - Apparatus for laser annealing - Google Patents
Apparatus for laser annealingInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体またはそれ
らの部品の製造または処理に適用される装置に係る。更
に詳しくは、レーザ光線を用いるものに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus used for manufacturing or processing semiconductors or parts thereof. More specifically, the present invention relates to a method using a laser beam.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体の製造過程において、基板の表面
の半導体を活性化または結晶化させるためにアニール処
理を施す。その処理のためにレーザ光線を用いたレーザ
アニール装置が用いられる。レーザアニール装置は、例
えば半導体の製造工程に組み込まれ、レーザ光線をアニ
ール処理を行いたい基板表面の所定の箇所に照射し、そ
の箇所に存在する半導体を活性化または結晶化させる装
置である。2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, an annealing process is performed to activate or crystallize a semiconductor on a surface of a substrate. A laser annealing apparatus using a laser beam is used for the processing. The laser annealing apparatus is an apparatus that is incorporated in, for example, a semiconductor manufacturing process, irradiates a laser beam to a predetermined portion of a substrate surface on which an annealing process is to be performed, and activates or crystallizes a semiconductor existing at the portion.
【０００３】従来のレーザアニール装置の概略構造を、
図面を参照して説明する。図２は、従来のレーザアニー
ル装置の概略側面図である。The general structure of a conventional laser annealing apparatus is as follows:
This will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a schematic side view of a conventional laser annealing apparatus.
【０００４】従来のレーザアニール装置２００は、定盤
２１０とレーザ光学系２２０と光学系支持構造２３０と
基板支持構造２４０とを備える。定盤２１０は、光学装
置全体を支持する装置であり、定盤２１０の上面はレー
ザ光学系２２０の基準面となる。レーザ光学系２２０
は、アニール処理に必要なレーザ光線を出力し、基板３
０にレーザ光線を照射する装置である。レーザ光学系支
持構造２３０は、レーザ光学系２２０を支持し所定のレ
ーザ光経路を確保維持する装置であり、定盤２１０に支
持される。基板支持構造２４０は、基板３０を支持する
構造物であり、定盤２１０に支持される。その基板支持
構造２４０は、基板３０の表面が基準面と平行になるよ
うに、基板を支持する。The conventional laser annealing apparatus 200 includes a surface plate 210, a laser optical system 220, an optical system support structure 230, and a substrate support structure 240. The surface plate 210 is a device that supports the entire optical device, and the upper surface of the surface plate 210 serves as a reference surface of the laser optical system 220. Laser optical system 220
Outputs the laser beam necessary for the annealing process,
This is a device that irradiates a laser beam to zero. The laser optical system support structure 230 is a device that supports the laser optical system 220 and secures and maintains a predetermined laser light path, and is supported by the surface plate 210. The substrate support structure 240 is a structure that supports the substrate 30, and is supported by the surface plate 210. The substrate support structure 240 supports the substrate such that the surface of the substrate 30 is parallel to the reference plane.
【０００５】レーザ光学系２２０は、レーザ発振器２２
１と４５度ミラー２２２と集光レンズ２２３とを備え
る。ここで、説明の便宜のため、レーザ光１０が通過す
る設計上の中心線をレーザ光軸２０と呼び、レーザ光１
０の進行方向前方を後と、その反対方向を前と呼ぶ。レ
ーザ発振器２２１は、レーザ光１０を発振し出力する機
器であり、レーザ光軸２０の出発端に位置する。一般に
レーザ発振器２２１は、その出力するレーザ光１０のレ
ーザ光軸２０が定盤２１の基準面に平行になるように、
光学系支持構造２３０に据え付けられる。４５度ミラー
２２２は、レーザ光２０のレーザ光軸３０の向きを９０
度傾けるための鏡であり、レーザ光軸３０上でレーザ発
振器２２１の後になるように、光学系支持構造２３０に
据え付けられる。その４５度ミラー２２２は、レーザ発
振器２２１から出た水平のレーザ光軸２０の向きを下向
きに変える。集光レンズ２２３は、レーザ光１０を集光
してレーザ光１０のビーム直径を小さな値（例えば、５
０ミクロン）にして基板３０の所定の箇所に照射させる
機器であり、レーザ光軸上２０で４５度ミラー２２２の
後になるように、光学系支持構造２３０に据え付けられ
る。The laser optical system 220 includes a laser oscillator 22
1 and 45 degree mirror 222 and condenser lens 223 are provided. Here, for convenience of explanation, the designed center line through which the laser light 10 passes is referred to as a laser optical axis 20 and the laser light 1
The front in the traveling direction of 0 is called rear, and the opposite direction is called front. The laser oscillator 221 is a device that oscillates and outputs the laser light 10 and is located at the start end of the laser optical axis 20. Generally, the laser oscillator 221 is arranged such that the laser optical axis 20 of the laser beam 10 output from the laser oscillator 221 is parallel to the reference plane of the surface plate 21.
It is installed on the optical system support structure 230. The 45-degree mirror 222 adjusts the direction of the laser optical axis 30 of the laser light 20 by 90 degrees.
It is a mirror for tilting the optical system, and is mounted on the optical system support structure 230 so as to be on the laser optical axis 30 after the laser oscillator 221. The 45-degree mirror 222 changes the direction of the horizontal laser optical axis 20 emitted from the laser oscillator 221 downward. The condenser lens 223 condenses the laser beam 10 and reduces the beam diameter of the laser beam 10 to a small value (for example, 5
This is a device for irradiating a predetermined portion of the substrate 30 with a diameter of 0 micron (0 μm), and is installed on the optical system support structure 230 so as to be behind the mirror 222 at 45 degrees on the laser optical axis 20.
【０００６】次に、従来のレーザアニール装置２００の
作用を、レーザ光軸２０に沿って説明する。レーザ光１
０が、レーザ発信器２２１により出力される。そのレー
ザ光軸２０は水平である。レーザ光１０が４５度ミラー
２２２に当たると、レーザ光軸２０の向きが４５度ミラ
ー２２２により９０度傾けられて、レーザ光軸２０が下
向きになる。レーザ光１０が、集光レンズ２２３により
集光され、レーザ光軸２０が基板３０の表面の直角に照
射される。基板３０の表面でのレーザ光１０のビーム直
径は小さな値になる。そのレーザ光１０が、基板３０に
ある半導体膜をアニールし、その半導体膜が活性化、ま
たは結晶化する。Next, the operation of the conventional laser annealing apparatus 200 will be described along the laser optical axis 20. Laser light 1
0 is output by the laser transmitter 221. The laser optical axis 20 is horizontal. When the laser beam 10 strikes the 45-degree mirror 222, the direction of the laser optical axis 20 is tilted 90 degrees by the 45-degree mirror 222, and the laser optical axis 20 is directed downward. The laser light 10 is condensed by the condenser lens 223, and the laser optical axis 20 is irradiated at a right angle on the surface of the substrate 30. The beam diameter of the laser beam 10 on the surface of the substrate 30 has a small value. The laser beam 10 anneals the semiconductor film on the substrate 30, and the semiconductor film is activated or crystallized.
【０００７】なお、基板３０に照射されたレーザ光１０
が基板３０の表面で反射し、レーザ光軸２０を遡って、
レーザ光学系２２０に戻り、レーザ光学系２２０に悪い
影響を与える恐れがある。例えば、レンズが破損した
り、レンズの表面のコート膜が焼損することがある。こ
のレーザ光１０を「戻り光」と呼ぶ。この様な事態が想
定される場合、４５度ミラー２２２の角度の微調整機構
を操作し、４５度ミラー２２２をわずかな角度（例え
ば、１度以下の角度）だけ傾けることがある。基板３０
に照射されたレーザ光１０は、基板３０の表面で反射
し、入射したレーザ光軸２０とわずかな角度だけずれた
レーザ光軸２０をたどる。戻り光は、入射経路とはわず
かにずれた角度で反射するので、レーザ光学系２２０に
影響を与えない。例えば、レンズが破損したり、レンズ
の表面のコート膜が焼損することがない。The laser beam 10 applied to the substrate 30
Is reflected on the surface of the substrate 30 and traces back along the laser optical axis 20,
Returning to the laser optical system 220 may adversely affect the laser optical system 220. For example, the lens may be damaged, or the coat film on the lens surface may be burned. This laser beam 10 is called “return light”. When such a situation is assumed, the 45-degree mirror 222 may be tilted by a slight angle (for example, an angle of 1 degree or less) by operating the fine adjustment mechanism of the angle of the 45-degree mirror 222. Substrate 30
Is reflected by the surface of the substrate 30 and follows the laser optical axis 20 which is slightly shifted from the incident laser optical axis 20. The return light is reflected at an angle slightly shifted from the incident path, and does not affect the laser optical system 220. For example, the lens is not damaged and the coating film on the lens surface is not burned.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上述の様に、従来のレ
ーザアニール装置を使用すると、基板の温度を上げず
に、所望のアニール処理を行えるので、半導体膜の製造
ラインに組み込まれ、使用される。レーザ光を使用した
半導体膜のアニール方法は、半導体製造技術として有望
視されており、鋭意研究されている。その研究過程で、
発明者らは、基板の照射面でのレーザ光軸と基板の照射
面直交軸との交差角度が所定の値δになる様に、レーザ
光を基板に照射すると、アニール処理された半導体膜の
特性がさらに良くなることを知った。その現象を以下
に、説明する。従来のレーザアニール装置では、基板の
照射面でのレーザ光軸と基板の照射面とが直交する。基
板に照射されたレーザ光は、ビーム内で滑らかに変化す
る強度分布を持っている。半導体膜に直接照射されたレ
ーザ光と基板の表面で反射したレーザ光と基板を通過し
裏面で反射したレーザ光とが基板の半導体膜に当たり、
基板上の半導体膜に影響を与える。基板表面で反射した
レーザ光と基板裏面で反射したレーザ光との間で光路差
による干渉が生じる。この干渉現象により、レーザ光の
ビーム内での強度分布にむらが生ずる。レーザ光のビー
ム内の強度分布にむらが生ずると、活性化された基板上
の半導体の抵抗率分布や、結晶化された半導体の結晶粒
径分布や移動度分布にむらが生ずる。従って、アニール
された半導体の特性は現状得られる程度であった。一
方、基板の照射面でのレーザ光軸と基板の照射面直交軸
とを所定の交差角度で交差させると、基板表面での反射
光と基板裏面での反射光と間で干渉が生じない。干渉が
生じないので、レーザ光の強度分布にむらが生じない。
従って、活性化された基板上の半導体の抵抗率分布や、
結晶化された半導体の結晶粒径分布や移動度分布にむら
がなく、現状より特性のよい半導体を得ることができ
る。ただし、この交差角度は、前記の戻り光を防止する
ために行うレーザ光の傾き角度（例えば、１度以下）で
は不十分である。その交差角度は、原理上基板表面で反
射したレーザ光と基板裏面で反射したレーザ光が干渉を
おこさない範囲であれば、何度でもよい。照射したレー
ザ光が全反射しない角度以下であればよい。７００ミク
ロンの厚さの基板上の半導体をレーザアニールする場
合、１０度以上で３０度以下の交差角度が好ましい結果
を得ている。発明者らは、この知見に基づき、本願発明
を行った。As described above, when a conventional laser annealing apparatus is used, a desired annealing process can be performed without increasing the temperature of the substrate. You. A method of annealing a semiconductor film using laser light is promising as a semiconductor manufacturing technique, and has been studied intensively. During that research,
The inventors irradiate the substrate with laser light such that the intersection angle between the laser optical axis on the irradiation surface of the substrate and the orthogonal axis of the irradiation surface of the substrate becomes a predetermined value δ. I knew that the characteristics would be better. The phenomenon will be described below. In the conventional laser annealing apparatus, the laser optical axis on the irradiation surface of the substrate is orthogonal to the irradiation surface of the substrate. The laser beam applied to the substrate has an intensity distribution that changes smoothly within the beam. The laser light directly irradiated on the semiconductor film, the laser light reflected on the surface of the substrate and the laser light passing through the substrate and reflected on the back surface hit the semiconductor film of the substrate,
Affects the semiconductor film on the substrate. Interference occurs due to an optical path difference between the laser light reflected on the substrate front surface and the laser light reflected on the substrate back surface. This interference phenomenon causes unevenness in the intensity distribution of the laser beam within the beam. When the intensity distribution in the laser beam becomes uneven, the resistivity distribution of the semiconductor on the activated substrate and the crystal grain size distribution and mobility distribution of the crystallized semiconductor become uneven. Therefore, the properties of the annealed semiconductor were at the level currently available. On the other hand, if the laser optical axis on the irradiation surface of the substrate and the orthogonal axis of the irradiation surface of the substrate intersect at a predetermined intersection angle, no interference occurs between the reflected light on the substrate surface and the reflected light on the back surface of the substrate. Since no interference occurs, there is no unevenness in the intensity distribution of the laser beam.
Therefore, the resistivity distribution of the semiconductor on the activated substrate,
There is no unevenness in the crystal grain size distribution and mobility distribution of the crystallized semiconductor, and a semiconductor with better characteristics than the current state can be obtained. However, the crossing angle is not sufficient if the tilt angle of the laser beam (for example, 1 degree or less) performed to prevent the return light. The intersection angle may be any number as long as the laser light reflected on the substrate front surface and the laser light reflected on the back surface of the substrate do not interfere with each other in principle. It suffices that the angle is not more than the angle at which the irradiated laser light is not totally reflected. When laser annealing a semiconductor on a 700 micron thick substrate, a crossing angle between 10 degrees and 30 degrees is preferred. The inventors have made the present invention based on this finding.
【０００９】本発明は、従来のレーザアニール装置にか
わって、さらに特性の良い半導体膜を生成することので
きるレーザアニール装置を提供しようとする。An object of the present invention is to provide a laser annealing apparatus capable of producing a semiconductor film having better characteristics, instead of a conventional laser annealing apparatus.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明に係るレーザ光を照射して基板の有する半導体膜
を活性化または結晶化しうるレーザアニール装置は、そ
のレーザ光を出力するレーザ発振器を有するレーザ光学
系と、その基板を支持する基板支持構造とを備え、基板
の照射面でのレーザ光の光軸と基板の照射面直交軸との
交差角度が所定の値δになる様に構成されるものとし
た。According to the present invention, there is provided a laser annealing apparatus capable of activating or crystallizing a semiconductor film of a substrate by irradiating a laser beam according to the present invention. And a substrate support structure for supporting the substrate, such that the intersection angle between the optical axis of the laser light on the irradiation surface of the substrate and the orthogonal axis of the irradiation surface of the substrate becomes a predetermined value δ. It was configured.
【００１１】上記本発明の構成により、レーザ光学系
は、そのレーザ光を出力するレーザ発振器を有し、レー
ザ光を出力できる。基板支持構造は、その基板を支持
し、その基板の照射面を固定できる。基板の照射面での
レーザ光の光軸と基板の照射面直交軸との交差角度が所
定の値δになる様に構成され、その光軸が基板の照射面
直交軸とその交差角度δで交差した姿勢を維持しつつ、
レーザ光を基板の半導体膜に照射できる。According to the configuration of the present invention, the laser optical system has a laser oscillator for outputting the laser light, and can output the laser light. The substrate support structure can support the substrate and fix the irradiation surface of the substrate. The intersection angle between the optical axis of the laser beam on the irradiation surface of the substrate and the orthogonal axis of the irradiation surface of the substrate is configured to have a predetermined value δ, and the optical axis is defined by the orthogonal axis of the irradiation surface of the substrate and the intersection angle δ. While maintaining a crossed posture,
Laser light can be applied to the semiconductor film of the substrate.
【００１２】さらに、本発明に係るレーザアニール装置
は、所定の値δがレーザ光学系の光軸角度の微調整可能
域の度数を越えるものとした。上記本発明の構成によ
り、所定の値δがレーザ光学系の光軸角度調整可能域の
度数を越え、その光軸が基板の照射面直交軸と微調整可
能域の度数を越えた交差角度δで交差した姿勢を維持し
つつ、レーザ光を基板の半導体膜に照射できる。Further, in the laser annealing apparatus according to the present invention, the predetermined value δ exceeds the frequency of the fine adjustment range of the optical axis angle of the laser optical system. According to the configuration of the present invention, the predetermined value δ exceeds the frequency of the optical axis angle adjustable area of the laser optical system, and the intersection angle δ of which optical axis exceeds the frequency of the fine adjustment area with the orthogonal axis of the irradiation surface of the substrate. The laser light can be applied to the semiconductor film of the substrate while maintaining the crossed posture.
【００１３】またさらに、本発明に係るレーザアニール
装置は、レーザ光学系がプリズムを有し、そのプリズム
が光軸上でそのレーザ発振器と基板支持構造との間に設
けられているものとした。上記本発明の構成により、プ
リズムが、レーザ光学系の光軸上でそのレーザ発振器よ
り基板支持構造に近い位置に設けられ、レーザ発振器の
出力したレーザ光のレーザ光軸の向きを傾けることがで
きる。Further, in the laser annealing apparatus according to the present invention, the laser optical system has a prism, and the prism is provided on the optical axis between the laser oscillator and the substrate supporting structure. According to the configuration of the present invention, the prism is provided at a position closer to the substrate support structure than the laser oscillator on the optical axis of the laser optical system, and the direction of the laser optical axis of the laser light output from the laser oscillator can be inclined. .
【００１４】またさらに、本発明に係るレーザアニール
装置は、そのプリズムへ入射するレーザ光の光軸が基板
の照射面に直交し、屈折率ｎの材料でできたプリズムの
一面と他の面との交差角度θが、 ＳＩＮ（θ＋δ）＝ｎ・ＳＩＮθ の関係式で定められる値であるものとした。上記本発明
の構成により、そのプリズムへ入射するレーザ光の光軸
が基板の照射面に直交し、レーザ光を基板の照射面に直
交したレーザ光軸上を通ってそのプリズムに入射でき
る。屈折率ｎの材料でできたプリズムの一面と他の面と
の交差角度θが、 ＳＩＮ（θ＋δ）＝ｎ・ＳＩＮθ の関係式で定められる値であり、プリズムが、入射した
レーザ光のレーザ光軸の向きを角度δだけ傾けることが
できる。Still further, in the laser annealing apparatus according to the present invention, the optical axis of the laser beam incident on the prism is perpendicular to the irradiation surface of the substrate, and one surface of the prism made of a material having a refractive index n and another surface are formed. Is a value determined by a relational expression of SIN (θ + δ) = n · SINθ. According to the configuration of the present invention, the optical axis of the laser light incident on the prism is orthogonal to the irradiation surface of the substrate, and the laser light can be incident on the prism through the laser optical axis orthogonal to the irradiation surface of the substrate. The intersection angle θ between one surface of a prism made of a material having a refractive index n and the other surface is a value determined by a relational expression of SIN (θ + δ) = n · SINθ. The direction of the axis can be inclined by the angle δ.
【００１５】またさらに、本発明に係るレーザアニール
装置は、レーザ光学系が４５度ミラーを有し、その４５
度ミラーが光軸上でそのレーザ発振器とプリズムとの間
に設けられているものとした。上記本発明の構成によ
り、４５度ミラーが、レーザ光学系の光軸上でそのレー
ザ発振器の後であって、プリズムよりも前に設けられ、
レーザ発振器の出力したレーザ光の向きを９０度傾けて
からプリズムに入射できる。Still further, in the laser annealing apparatus according to the present invention, the laser optical system has a 45-degree mirror,
A mirror is provided between the laser oscillator and the prism on the optical axis. According to the configuration of the present invention, the 45-degree mirror is provided on the optical axis of the laser optical system after the laser oscillator and before the prism,
The laser beam output from the laser oscillator can be incident on the prism after being tilted by 90 degrees.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
を、図面を参照して説明する。なお、各図において、共
通する部分には同一の符号を付し、重複した説明を省略
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In each of the drawings, common portions are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
【００１７】本発明の好ましい実施形態の概要を図を基
に説明する。図１は、実施形態のレーザアニール装置の
概略側面図である。An outline of a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic side view of the laser annealing apparatus according to the embodiment.
【００１８】レーザアニール装置１００は、定盤１１０
とレーザ光学系１２０と光学系支持構造１３０と基板支
持構造１４０とを備える。定盤１１０は、光学装置全体
を支持する装置であり、定盤１４０の上面はレーザ光学
系１２０の基準面となる。レーザ光学系１２０は、アニ
ール処理に必要なレーザ光１０を出力し、基板３０にレ
ーザ光線１０を照射する装置である。レーザ光学系支持
構造１３０は、レーザ光学系１２０を支持し所定のレー
ザ光経路を確保維持する装置であり、定盤１１０に支持
される。基板支持構造１４０は、基板３０を支持する構
造物であり、定盤１１０に支持される。その基板支持構
造１４０は、基板３０の表面が基準面と平行になるよう
に、基板３０を支持する。The laser annealing apparatus 100 includes a platen 110
, A laser optical system 120, an optical system support structure 130, and a substrate support structure 140. The surface plate 110 is a device that supports the entire optical device, and the upper surface of the surface plate 140 serves as a reference surface of the laser optical system 120. The laser optical system 120 is a device that outputs the laser beam 10 necessary for the annealing process and irradiates the substrate 30 with the laser beam 10. The laser optical system support structure 130 is a device that supports the laser optical system 120 and secures and maintains a predetermined laser light path, and is supported by the surface plate 110. The substrate support structure 140 is a structure that supports the substrate 30, and is supported by the surface plate 110. The substrate support structure 140 supports the substrate 30 so that the surface of the substrate 30 is parallel to the reference plane.
【００１９】レーザ光学系１２０は、レーザ発振器１２
１と４５度ミラー１２２と集光レンズ１２３とプリズム
１２４とを備える。レーザ発振器１２１は、レーザを発
振し出力する機器であり、レーザ光軸２０の出発端に位
置する。一般にレーザ発振器１２１は、その出力するレ
ーザ光のレーザ光軸が定盤１１の基準面に平行になるよ
うに、光学系支持構造１３０に据え付けられる。４５度
ミラー１２２は、レーザ光１０のレーザ光軸２０の向き
を９０度傾けるための鏡であり、レーザ光軸上２０でレ
ーザ発振器１２１の後になるように、光学系支持構造１
３０に据え付けられる。その４５度ミラー１２２は、レ
ーザ発振器１２１から出た水平のレーザ光軸２０の向き
を下向きに変える。集光レンズ１２３は、レーザ光１０
を集光してレーザ光１０のビーム直径を小さな値（例え
ば、５０ミクロン）にして基板３０の所定の箇所に照射
させる機器であり、レーザ光軸上２０で４５度ミラー１
２２の後になるように、光学系支持構造１３０に据え付
けられる。プリズム１２４は、レーザ光軸２０の向きを
所定の角度だけ傾ける装置であり、レーザ光軸２０上で
集光レンズの後になるように、光学系支持構造１３０に
据え付けられる。The laser optical system 120 includes the laser oscillator 12
It has a 1 and 45 degree mirror 122, a condenser lens 123, and a prism 124. The laser oscillator 121 is a device that oscillates and outputs a laser, and is located at a starting end of the laser optical axis 20. In general, the laser oscillator 121 is installed on the optical system support structure 130 so that the laser beam axis of the laser beam output from the laser oscillator 121 is parallel to the reference surface of the surface plate 11. The 45-degree mirror 122 is a mirror for inclining the direction of the laser optical axis 20 of the laser beam 10 by 90 degrees, and the optical system supporting structure 1 is disposed on the laser optical axis 20 behind the laser oscillator 121.
30 installed. The 45-degree mirror 122 changes the direction of the horizontal laser optical axis 20 emitted from the laser oscillator 121 downward. The condenser lens 123 is used to
Is a device for condensing the laser beam 10 to reduce the beam diameter of the laser beam 10 to a small value (for example, 50 microns) and to irradiate a predetermined portion of the substrate 30 with a 45 ° mirror 1 on the laser optical axis 20.
After 22, it is installed on the optical system support structure 130. The prism 124 is a device for inclining the direction of the laser optical axis 20 by a predetermined angle, and is installed on the optical system support structure 130 so as to be on the laser optical axis 20 after the condenser lens.
【００２０】以下に、プリズム１２４について説明す
る。プリズム１２４の材料は、使用するレーザの種類に
より選択する。たとえば、エキシマレーザ（ＸｅＣｌ：
キセノンクロライド：３０８ｎｍ）では、ＭｇＦ2、Ｃ
ａＦ2、Ｓｕｐｒａｓｉｌ １（ＣＶＩ社商標）、ＵＶ
ｇｒａｄｅ Ｆｕｓｅｄ Ｓｉｌｉｃａ、Ｃｒｙｓｔ
ａｌ Ｑｕａｒｔｓ、Ｓａｐｐｈｉｒｅ、Ｉｎｆｒａｓ
ｉｌ ３０１（ＣＶＩ社商標）が選択可能である。ま
た、ＹＡＧレーザ（１０６４ｎｍ）では、ＭｇＦ2、Ｃ
ａＦ2、Ｓｕｐｒａｓｉｌ １（ＣＶＩ社商標）、ＵＶ
ｇｒａｄｅ Ｆｕｓｅｄ Ｓｉｌｉｃａ、Ｃｒｙｓｔ
ａｌ Ｑｕａｒｔｓ、ＢＫ７、Ｓａｐｐｈｉｒｅ、Ｉｎ
ｆｒａｓｉｌ３０１（ＣＶＩ社商標）が選択可能であ
る。また、ＹＡＧ２倍波レーザ（５３２ｎｍ）では、Ｍ
ｇＦ2、ＣａＦ2、Ｓｕｐｒａｓｉｌ １（ＣＶＩ社商
標）、ＵＶ ｇｒａｄｅ Ｆｕｓｅｄ Ｓｉｌｉｃａ、
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｑｕａｒｔｓ、ＢＫ７、Ｓａｐｐｈｉ
ｒｅ、Ｉｎｆｒａｓｉｌ ３０１（ＣＶＩ社商標）が選
択可能である。また、アルゴンレーザ（４８８ｎｍ、５
１５ｎｍ）では、ＭｇＦ2、ＣａＦ2、Ｓｕｐｒａｓｉｌ
１（ＣＶＩ社商標）、ＵＶ ｇｒａｄｅ Ｆｕｓｅｄ
Ｓｉｌｉｃａ、Ｃｒｙｓｔａｌ Ｑｕａｒｔｓ、ＢＫ
７、Ｓａｐｐｈｉｒｅ、Ｉｎｆｒａｓｉｌ ３０１（Ｃ
ＶＩ社商標）が選択可能である。基板３０の照射面での
レーザ光軸２０と基板３０の照射面直交軸との交差角度
を所定の値δにする場合は、屈折率ｎの材料のプリズム
１２４の一面と他の面との交差角度θは、 ＳＩＮ（θ＋δ）＝ｎ・ＳＩＮθ の関係式で定められる値を採用する。Hereinafter, the prism 124 will be described. The material of the prism 124 is selected according to the type of laser used. For example, an excimer laser (XeCl:
(Xenon chloride: 308 nm), MgF 2 , C
aF 2 , Suprasil 1 (trademark of CVI), UV
grade Fused Silica, Cryst
al Quarts, Sapphire, Infras
il 301 (trademark of CVI) is selectable. Further, with a YAG laser (1064 nm), MgF 2 , C
aF 2 , Suprasil 1 (trademark of CVI), UV
grade Fused Silica, Cryst
al Quarts, BK7, Sapphire, In
Frasil 301 (trademark of CVI) can be selected. In a YAG second-harmonic laser (532 nm), M
gF 2 , CaF 2 , Suprasil 1 (trademark of CVI), UV grade Fused Silica,
Crystal Quarts, BK7, Sapphi
re, Infrasil 301 (trademark of CVI) can be selected. In addition, an argon laser (488 nm, 5
15 nm), MgF 2 , CaF 2 , Suprasil
1 (CVI trademark), UV grade Fused
Silica, Crystal Quarts, BK
7, Sapphire, Infrasil 301 (C
VI company trademark) is selectable. When the intersection angle between the laser optical axis 20 on the irradiation surface of the substrate 30 and the axis orthogonal to the irradiation surface of the substrate 30 is set to a predetermined value δ, the intersection between one surface of the prism 124 made of a material having a refractive index n and another surface As the angle θ, a value determined by a relational expression of SIN (θ + δ) = n · SINθ is adopted.
【００２１】次に、レーザアニール装置１００の作用
を、レーザ光軸２０に沿って説明する。レーザ光１０
が、レーザ発信器１２１により出力される。そのレーザ
光軸２０は水平である。レーザ光１０が４５度ミラーに
当たると、レーザ光軸２０の向きが４５度ミラーにより
９０度傾けられて、レーザ光軸２０が下向きになる。レ
ーザ光１０が、集光レンズ１２３により集光され、レー
ザ光軸２０が基板３０の表面に照射される。レーザ光軸
２０の向きが、プリズム１２４により所定の角度δだけ
傾けられ、レーザ光１０が基板３０の半導体膜に照射す
る。基板３０の照射面でのレーザ光軸２０と基板３０の
照射面直交軸との交差角度が所定の値δになる。基板３
０の表面でのレーザ光１０のビーム直径は小さな値にな
る。そのレーザ光が、基板にある半導体膜をアニール
し、その半導体膜が活性化、まは結晶化する。Next, the operation of the laser annealing apparatus 100 will be described along the laser optical axis 20. Laser light 10
Is output by the laser transmitter 121. The laser optical axis 20 is horizontal. When the laser beam 10 hits the 45-degree mirror, the direction of the laser optical axis 20 is tilted 90 degrees by the 45-degree mirror, and the laser optical axis 20 is directed downward. The laser beam 10 is condensed by the condenser lens 123, and the laser optical axis 20 is irradiated on the surface of the substrate 30. The direction of the laser optical axis 20 is inclined by a predetermined angle δ by the prism 124, and the laser light 10 irradiates the semiconductor film of the substrate 30. The intersection angle between the laser optical axis 20 on the irradiation surface of the substrate 30 and the axis orthogonal to the irradiation surface of the substrate 30 has a predetermined value δ. Substrate 3
The beam diameter of the laser beam 10 on the surface of 0 becomes a small value. The laser light anneals the semiconductor film on the substrate, and the semiconductor film is activated or crystallized.
【００２２】上述の実施形態のレーザアニール装置を用
いれば、基板を基板支持構造に支持させて、レーザ光学
系を作動させれば、基板の照射面でのレーザ光の光軸と
基板の照射面直交軸との交差角度が所定の値δになる様
に、基板にレーザ光を照射できる。また、レーザ発振器
等の光学系を構成する機器が水平面とその直交面とを基
準に設置されるので、光学系を構成する機器のレイアウ
トが簡単になる。また、プリズムによりレーザ光を所望
の角度δだけ偏角させるので、プリズムの材質を変更し
たり、プリズムの一面と他の面との交差角度θが異なる
プリズムを交換したりするだけで、簡単に所望の角度δ
を変更できる。また、プリズムを光学系の光軸の最終端
に配置するので、前段の光学系に影響を与えない。ま
た、既存のレーザアニール装置への適用が容易にでき
る。従って、レーザ光を、基板の照射面でのレーザ光の
光軸と基板の照射面直交軸との交差角度が所定の値δに
なる様に、基板に照射できるので、基板の半導体膜の特
性が向上する。When the laser annealing apparatus of the above embodiment is used, the substrate is supported on the substrate support structure, and the laser optical system is operated, so that the optical axis of the laser beam on the substrate irradiation surface and the substrate irradiation surface The substrate can be irradiated with laser light so that the intersection angle with the orthogonal axis becomes a predetermined value δ. In addition, since the components constituting the optical system such as the laser oscillator are installed with reference to the horizontal plane and the plane orthogonal thereto, the layout of the components constituting the optical system is simplified. Also, since the laser beam is deflected by the desired angle δ by the prism, simply changing the material of the prism or exchanging a prism having a different intersection angle θ between one surface of the prism and the other surface is easy. Desired angle δ
Can be changed. Further, since the prism is arranged at the last end of the optical axis of the optical system, it does not affect the optical system at the preceding stage. In addition, it can be easily applied to an existing laser annealing apparatus. Therefore, the substrate can be irradiated with the laser light so that the intersection angle between the optical axis of the laser light on the irradiation surface of the substrate and the orthogonal axis of the irradiation surface of the substrate becomes a predetermined value δ. Is improved.
【００２３】本発明は以上に述べた実施形態に限られる
ものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で各種の変
更が可能である。基板支持構造は基板を固定支持するこ
とに限定する必要はなく、例えばＸＹテーブルにより基
板を水平方向へ搬送可能に支持していてもよい。また、
基板支持構造は基板を直接に支持することに限定する必
要はなく、例えば、基板を保持した基板ホルダを支持し
てもよい。また、基板支持構造は、基板をガスにより浮
上させるものでもよい。また、レーザ光学系が４５度ミ
ラーを有することに限定する必要はなく、例えば、４５
度ミラーを省略してレーザ発振器を９０度傾けても良
い。The present invention is not limited to the embodiments described above, and various changes can be made without departing from the gist of the invention. The substrate support structure does not need to be limited to fixedly supporting the substrate, but may support the substrate in a horizontal direction using, for example, an XY table. Also,
The substrate support structure does not need to be limited to directly supporting the substrate, and may support, for example, a substrate holder that holds the substrate. Further, the substrate supporting structure may be a structure in which the substrate is levitated by gas. It is not necessary to limit the laser optical system to having a 45-degree mirror.
The mirror may be omitted and the laser oscillator may be tilted 90 degrees.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るレーザ
光を照射して基板の有する半導体膜を活性化または結晶
化しうるレーザアニール装置は、その構成により、以下
の効果を有する。レーザ光学系がレーザ光を出力でき、
基板支持構造がその基板の照射面を固定でき、その光軸
が基板の照射面直交軸とその交差角度δで交差した姿勢
を維持しつつ、レーザ光を基板の半導体膜に照射できる
ので、基板を基板支持機構に支持させてレーザ光学系を
駆動すれば、基板の半導体膜に照射するレーザ光のレー
ザ光軸を基板の照射面直交軸と交差角度δで交差させる
ことができる。また、その光軸を基板の照射面直交軸と
微調整可能域の度数を越えた交差角度δで交差した姿勢
を維持しつつ、レーザ光を基板の半導体膜に照射できる
ので、基板の半導体膜を照射するレーザ光の光軸を基板
の照射面直交軸と所望の大きな交差角度δで交差させる
ことができる。また、プリズムがレーザ発振器の出力し
たレーザ光のレーザ光軸の向きを傾けることができるの
で、プリズムで偏角させたレーザ光を基板の半導体膜に
照射できる。また、レーザ光を基板の照射面に直交した
レーザ光軸上を通ってそのプリズムに入射でき、プリズ
ムが、入射したレーザ光のレーザ光軸の向きを角度δだ
け傾けることができるので、プリズムの選択により所望
の大きさの交差角度δを選択できる。また、４５度ミラ
ーが、レーザ発振器の出力したレーザ光の向きを９０度
傾けてからプリズムに入射できるので、基板の照射面に
平行に設置されたレーザ発信器の出力したレーザ光を９
０度偏角させた後、次にプリズムで偏角させて、そのレ
ーザ光を基板の半導体膜に照射できる。従って、従来の
レーザアニール装置にかわって、さらに特性の良い半導
体膜を生成することのできるレーザアニール装置を提供
できる。また、そのレーザアニール装置内部の機器のレ
イアウトを各種要請に合わせてフレキシブルに選択する
ことができる。As described above, the laser annealing apparatus according to the present invention capable of activating or crystallizing a semiconductor film of a substrate by irradiating a laser beam has the following effects due to its configuration. Laser optics can output laser light,
The substrate support structure can fix the irradiation surface of the substrate, and the laser beam can be irradiated on the semiconductor film of the substrate while maintaining the posture in which the optical axis intersects the axis orthogonal to the irradiation surface of the substrate at the intersection angle δ. When the laser optical system is driven while supporting the substrate on the substrate support mechanism, the laser optical axis of the laser light applied to the semiconductor film of the substrate can intersect with the axis orthogonal to the irradiation surface of the substrate at the intersection angle δ. In addition, the laser beam can be irradiated on the semiconductor film of the substrate while maintaining the posture in which the optical axis intersects the axis orthogonal to the irradiation surface of the substrate at an intersection angle δ exceeding the frequency of the finely adjustable region, so that the semiconductor film of the substrate can be irradiated. Can be made to intersect with the axis orthogonal to the irradiation surface of the substrate at a desired large intersection angle δ. Further, since the prism can tilt the direction of the laser optical axis of the laser light output from the laser oscillator, the semiconductor film on the substrate can be irradiated with the laser light deflected by the prism. In addition, laser light can be incident on the prism through a laser optical axis orthogonal to the irradiation surface of the substrate, and the prism can tilt the direction of the laser optical axis of the incident laser light by an angle δ. The intersection angle δ having a desired size can be selected by selection. Further, the 45-degree mirror can tilt the direction of the laser beam output from the laser oscillator by 90 degrees before entering the prism, so that the laser beam output from the laser transmitter installed in parallel to the irradiation surface of the substrate is reflected by 9 degrees.
After the beam is deflected by 0 degrees, the beam is then deflected by a prism, and the laser beam can be applied to the semiconductor film of the substrate. Therefore, a laser annealing apparatus capable of producing a semiconductor film having better characteristics can be provided instead of the conventional laser annealing apparatus. Also, the layout of the equipment inside the laser annealing apparatus can be flexibly selected according to various requirements.
【００２５】[0025]
【図１】本発明の実施形態の側面図である。FIG. 1 is a side view of an embodiment of the present invention.
【図２】従来のレーザアニール装置の側面図である。FIG. 2 is a side view of a conventional laser annealing apparatus.
１０ レーザ光 ２０ レーザ光軸 ３０ 基板 １００ レーザアニール装置 １１０ 定盤 １２０ レーザ光学系 １２１ レーザ発振器 １２２ ４５度ミラー １２３ 集光レンズ １２４ プリズム １３０ レーザ光学系支持構造 １４０ 基板支持構造 ２００ 従来のレーザアニール装置 ２１０ 定盤 ２２０ レーザ光学系 ２２１ レーザ発振器 ２２２ ４５度ミラー ２２３ 集光レンズ ２３０ レーザ光学系支持構造 ２４０ 基板支持構造 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Laser beam 20 Laser optical axis 30 Substrate 100 Laser annealing apparatus 110 Surface plate 120 Laser optical system 121 Laser oscillator 122 45 degree mirror 123 Condensing lens 124 Prism 130 Laser optical system supporting structure 140 Substrate supporting structure 200 Conventional laser annealing apparatus 210 Surface plate 220 Laser optical system 221 Laser oscillator 222 45 degree mirror 223 Condensing lens 230 Laser optical system support structure 240 Substrate support structure
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河口 紀仁 東京都江東区豊州三丁目１番15号 石川島 播磨重工業株式会社東京エンジニアリング センター内 (72)発明者 正木 みゆき 東京都江東区豊州三丁目１番15号 石川島 播磨重工業株式会社東京エンジニアリング センター内 (72)発明者 芳之内 淳 東京都江東区豊州三丁目１番15号 石川島 播磨重工業株式会社東京エンジニアリング センター内 Ｆターム(参考） 4E068 AH00 5F052 AA02 BB01 BB02 BB07 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Kino Kawaguchi 3-1-1, Toyoshu, Koto-ku, Tokyo Ishikawajima-Harima Heavy Industries, Ltd. Tokyo Engineering Center (72) Inventor Miyuki Masaki 3-chome, Toyoshu, Koto-ku, Tokyo No. 1-115 Ishikawajima Harima Heavy Industries, Ltd. Tokyo Engineering Center (72) Inventor Atsushi Yoshinouchi 3-1-1, Hoyu, Koto-ku, Tokyo Ishikawajima Harima Heavy Industries, Ltd. Tokyo Engineering Center F-term (reference) 4E068 AH00 5F052 AA02 BB01 BB02 BB07
Claims (5)
を活性化または結晶化しうるレーザアニール装置であっ
て、そのレーザ光を出力するレーザ発振器を有するレー
ザ光学系と、その基板を支持する基板支持構造とを備
え、基板の照射面でのレーザ光の光軸と基板の照射面直
交軸との交差角度が所定の値δになる様に構成される、
ことを特徴とするレーザアニール装置。1. A laser annealing apparatus capable of irradiating a laser beam to activate or crystallize a semiconductor film of a substrate, comprising: a laser optical system having a laser oscillator for outputting the laser beam; and supporting the substrate. Comprising a substrate support structure, configured such that the intersection angle between the optical axis of the laser beam on the irradiation surface of the substrate and the orthogonal axis of the irradiation surface of the substrate is a predetermined value δ,
A laser annealing apparatus characterized by the above-mentioned.
調整可能域の度数を越える、ことを特徴とする請求項１
に記載のレーザアニール装置。2. The apparatus according to claim 1, wherein the predetermined value δ exceeds the frequency of the fine adjustment range of the optical axis angle of the laser optical system.
3. The laser annealing apparatus according to claim 1.
ズムが光軸上でそのレーザ発振器と基板支持構造との間
に設けられていることを特徴とする請求項１または請求
項２のひとつに記載のレーザアニール装置。3. The laser optical system according to claim 1, wherein the laser optical system has a prism, and the prism is provided on the optical axis between the laser oscillator and the substrate supporting structure. 3. The laser annealing apparatus according to claim 1.
基板の照射面に直交し、屈折率ｎの材料でできたプリズ
ムの一面と他の面との交差角度θが、 ＳＩＮ（θ＋δ）＝ｎ・ＳＩＮθ の関係式で定められる値であること、を特徴とする請求
項３に記載のレーザアニール装置。4. The optical axis of the laser beam incident on the prism is orthogonal to the irradiation surface of the substrate, and the intersection angle θ between one surface of the prism made of a material having a refractive index n and the other surface is SIN (θ + δ). 4. The laser annealing apparatus according to claim 3, wherein the value is determined by a relational expression of: n · SINθ.
４５度ミラーが光軸上でそのレーザ発振器とプリズムと
の間に設けられていることを特徴とする請求項４に記載
のレーザアニール装置。5. The laser according to claim 4, wherein the laser optical system has a 45-degree mirror, and the 45-degree mirror is provided on the optical axis between the laser oscillator and the prism. Annealing equipment.
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|---|---|---|---|
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003133254A (en) * | 2001-08-10 | 2003-05-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Laser annealing device and manufacturing method of thin film transistor using the same |
| JP2003224070A (en) * | 2001-11-26 | 2003-08-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2007103961A (en) * | 2001-11-16 | 2007-04-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Laser irradiator and irradiation method, and process for fabricating semiconductor device |
| US7863541B2 (en) | 2001-08-10 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser annealing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| JP2014120672A (en) * | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Laser device |
| JP6977191B1 (en) * | 2021-03-19 | 2021-12-08 | 株式会社東京精密 | Laser processing equipment |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189216A (en) * | 1984-03-08 | 1985-09-26 | Agency Of Ind Science & Technol | Laser annealing equipment |
| JPH02247096A (en) * | 1989-03-18 | 1990-10-02 | Hitachi Ltd | Laser beam machine |
| JPH05183216A (en) * | 1992-01-07 | 1993-07-23 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | Laser emitting device |
| JPH1074697A (en) * | 1996-08-29 | 1998-03-17 | Toshiba Corp | Polycrystalline silicon film, manufacture thereof, manufacture of thin film transistor and liquid crystal display device, and laser annealing device |
| JP2000133593A (en) * | 1998-10-28 | 2000-05-12 | Nec Corp | Device and method for laser irradiation |
-
2001
- 2001-01-30 JP JP2001020893A patent/JP2002231655A/en not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189216A (en) * | 1984-03-08 | 1985-09-26 | Agency Of Ind Science & Technol | Laser annealing equipment |
| JPH02247096A (en) * | 1989-03-18 | 1990-10-02 | Hitachi Ltd | Laser beam machine |
| JPH05183216A (en) * | 1992-01-07 | 1993-07-23 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | Laser emitting device |
| JPH1074697A (en) * | 1996-08-29 | 1998-03-17 | Toshiba Corp | Polycrystalline silicon film, manufacture thereof, manufacture of thin film transistor and liquid crystal display device, and laser annealing device |
| JP2000133593A (en) * | 1998-10-28 | 2000-05-12 | Nec Corp | Device and method for laser irradiation |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003133254A (en) * | 2001-08-10 | 2003-05-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Laser annealing device and manufacturing method of thin film transistor using the same |
| US7863541B2 (en) | 2001-08-10 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser annealing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| JP2007103961A (en) * | 2001-11-16 | 2007-04-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Laser irradiator and irradiation method, and process for fabricating semiconductor device |
| JP2003224070A (en) * | 2001-11-26 | 2003-08-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2014120672A (en) * | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Laser device |
| JP6977191B1 (en) * | 2021-03-19 | 2021-12-08 | 株式会社東京精密 | Laser processing equipment |
| JP2022144377A (en) * | 2021-03-19 | 2022-10-03 | 株式会社東京精密 | Laser processing device |
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