JP2002190549A - Multilayer wiring board and manufacturing method therefor - Google Patents

Multilayer wiring board and manufacturing method therefor

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JP2002190549A
JP2002190549A JP2001305771A JP2001305771A JP2002190549A JP 2002190549 A JP2002190549 A JP 2002190549A JP 2001305771 A JP2001305771 A JP 2001305771A JP 2001305771 A JP2001305771 A JP 2001305771A JP 2002190549 A JP2002190549 A JP 2002190549A
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wiring board
multilayer wiring
metal
forming
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仁 青木
Yoshitaka Okugawa
良隆 奥川
Kensuke Nakamura
謙介 中村
Masaaki Kato
正明 加藤
Hidetaka Hara
英貴 原
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
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    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer wiring board having outer connection terminals of high connection reliability. SOLUTION: The multilayer wiring board 113b has the outer connection terminals 120a and 220c in the outermost layer. The outer connection terminals are constituted of a columnar metallic core 118c obtained by etching a metallic layer having uniform thickness. The connecting part of the metallic core and a wiring pattern on the outermost layer is formed by connection through electrolytic plating or electroless plating.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線板および
多層配線板の製造方法に関するものである。更に詳しく
は、半導体チップを搭載する多層配線板に関し、接続信
頼性の高い外部接続用端子を有する多層配線板の製造方
法およびその製造方法により製造された多層配線板に関
するものである。
The present invention relates to a multilayer wiring board and a method for manufacturing a multilayer wiring board. More particularly, the present invention relates to a multilayer wiring board on which a semiconductor chip is mounted, and more particularly to a method for manufacturing a multilayer wiring board having external connection terminals with high connection reliability and a multilayer wiring board manufactured by the manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短
小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには
高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使
用される半導体パッケージは、従来にも増して益々小型
化かつ多ピン化が進んできている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the demand for higher functionality and lighter, thinner and smaller electronic devices, high-density integration and high-density mounting of electronic components have been progressing. Semiconductor packages have been increasingly miniaturized and have more pins than ever before.

【0003】従来の回路基板はプリント配線板と呼ば
れ、ガラス繊維の織布にエポキシ樹脂を含浸させた積層
板からなるガラスエポキシ板に貼り付けられた銅箔をパ
ターニング後、複数枚重ねて積層接着し、ドリルで貫通
穴を開けて、この穴の壁面に銅めっきを行ってビアを形
成し層間の電気接続を行った配線基板の使用が主流であ
った。しかし、搭載部品の小型化、高密度化が進み、上
記の配線基板では配線密度が不足して部品の搭載に問題
が生じるようになってきている。
[0003] A conventional circuit board is called a printed wiring board, and after patterning copper foil adhered to a glass epoxy board made of a laminated board made of glass fiber woven fabric impregnated with epoxy resin, a plurality of sheets are stacked. The mainstream was to use a wiring board in which a through-hole was formed by bonding and drilling, a via was formed by performing copper plating on the wall surface of the hole, and a via was formed to perform electrical connection between layers. However, the mounting components have been reduced in size and density, and the wiring density of the above-described wiring boards has become insufficient, and problems have arisen in mounting components.

【0004】このような背景により、近年、ビルドアッ
プ多層配線板が採用されている。ビルドアップ多層配線
板は、樹脂のみで構成される絶縁層と導体とを積み重ね
ながら成形される。ビア形成方法としては、従来のドリ
ル加工に代わって、レーザ法、プラズマ法やフォト法
等、多岐にわたり、小径のビアホールを自由に配置する
ことで高密度化を達成するものである。層間接続部とし
ては、ブライドビア(Blind Via)やバリード
ビア(Buried Via:ビアを導電体で充填した
構造)等があり、ビアの上にビアを形成するスタックド
ビアが可能なバリードビアホールが特に注目されてい
る。バリードビアホールとしては、ビアホールをめっき
で充填する方法と、導電性ペースト等で充填する場合と
に分けられる。一方、配線パターンを形成する方法とし
て、銅箔をエッチングする方法(サブトラクティブ
法)、電解銅めっきによる方法(アディティブ法)等が
あり、配線密度の高密度化に対応可能なアディティブ法
が特に注目され始めている。
[0004] Against this background, recently, build-up multilayer wiring boards have been adopted. The build-up multilayer wiring board is formed while stacking an insulating layer made of only a resin and a conductor. As a via forming method, a high density is achieved by freely arranging small diameter via holes in various ways such as a laser method, a plasma method and a photo method instead of the conventional drilling. Examples of the interlayer connection portion include a blind via (Blind Via) and a buried via (Buried Via: a structure in which a via is filled with a conductor). A buried via hole capable of forming a stacked via on the via is particularly attracting attention. ing. The buried via hole is classified into a method of filling the via hole with plating and a method of filling the via hole with a conductive paste or the like. On the other hand, as a method of forming a wiring pattern, there are a method of etching a copper foil (subtractive method), a method of electrolytic copper plating (additive method), and the like. Is starting to be.

【0005】このような多層配線板を用いた半導体パッ
ケージをプリント基板(マザーボード)に搭載する場合
には、半田バンプを使用することがごく一般的になって
きた。半田バンプによる接続は、QFP(Quad F
lat Package)のように金属リードを半田に
よって接続する方法と比較して接合面積が小さく、さら
には金属リードによる応力緩和も無いため、接合信頼性
の観点から、未だに多くの問題を抱えている。
When a semiconductor package using such a multilayer wiring board is mounted on a printed circuit board (motherboard), it has become very common to use solder bumps. The connection by the solder bump is performed by QFP (Quad F
However, there are still many problems from the viewpoint of bonding reliability because the bonding area is smaller than that of the method of connecting the metal leads by soldering as in the case of the “lat package” and there is no stress relaxation by the metal leads.

【0006】一方、半導体チップを基板に実装する方法
として、ワイヤーボンディング方式やTAB方式、さら
にはフリップチップ方式などが知られているが、最近で
は、半導体パッケージの小型化に有利な、フリップチッ
プ接続方式が注目されている。このフリップチップ接続
方式では、半導体チップの電極にあらかじめ半田バンプ
を形成しておく必要がある。半田バンプを形成する方法
として、真空蒸着法、印刷法、はんだボール整列法、ス
タッドバンプ法、電解メッキ法などが知られているが、
製造時間、製造コスト、半田バンプの高さばらつきなど
の問題を抱えている。
On the other hand, as a method of mounting a semiconductor chip on a substrate, a wire bonding method, a TAB method, a flip chip method, and the like are known. Recently, flip chip connection, which is advantageous for miniaturization of a semiconductor package, is known. The method is receiving attention. In this flip chip connection method, it is necessary to form solder bumps on electrodes of a semiconductor chip in advance. As a method of forming solder bumps, a vacuum evaporation method, a printing method, a solder ball alignment method, a stud bump method, an electrolytic plating method, and the like are known.
There are problems such as manufacturing time, manufacturing cost, and variations in the height of solder bumps.

【0007】半田バンプには、一般的に使用されている
Sn−37Pb(共晶半田)をはじめ、共晶に銀を少量
添加したSn−36Pb−2Ag、Sn−3.5Agの
ような鉛フリー半田と、様々なタイプが使用されてい
る。一方、銅コア半田バンプのように、銅コアの周囲に
半田をコーティングしたタイプも検討されている。
[0007] Solder bumps include lead-free materials such as Sn-37Pb (eutectic solder) generally used and Sn-36Pb-2Ag and Sn-3.5Ag obtained by adding a small amount of silver to eutectic. Solder and various types are used. On the other hand, a type in which a copper core is coated with solder, such as a copper core solder bump, is also being studied.

【0008】エレクトロニクス実装学会誌、vol.
2、No.4(1999)、P298−302には、
「高温放置によりCuコアの有無に関わらず継手強度は
低下するが、Cuコアはんだボールの方がSn−37P
bはんだボールおよびSn−36Pb−2Agはんだボ
ールよりも高温劣化しにくいことがわかった。」、「C
uコアはんだボールの場合、リフロー時にNiめっき層
上に形成されるAu−Cu−Sn層が成長速度の速いN
i−Snの反応を抑制するバリアー層として働くため、
高温放置しても接合部に高温劣化の原因となるPb偏析
層が形成されない。」と記載されている。銅コア半田ボ
ールを使用することで接合信頼性を向上させることがで
きるが、銅コア半田ボールはSn−37Pb半田ボール
のように大量に使用されてはいないため、大幅なコスト
アップにつながることが容易に想像できる。
The Journal of Japan Institute of Electronics Packaging, vol.
2, No. 4 (1999), P298-302,
"The joint strength decreases with or without the presence of a Cu core when left at high temperatures, but the Cu-core solder balls are better than Sn-37P.
It was found that the solder balls were less susceptible to high temperature deterioration than the b solder ball and the Sn-36Pb-2Ag solder ball. ”,“ C
In the case of a u-core solder ball, the Au—Cu—Sn layer formed on the Ni plating layer during reflow is N
To act as a barrier layer that suppresses the reaction of i-Sn,
Even when left at a high temperature, a Pb segregation layer that causes high-temperature deterioration is not formed at the joint. It is described. The use of copper core solder balls can improve the bonding reliability, but the copper core solder balls are not used as much as the Sn-37Pb solder balls, which can lead to a significant cost increase. You can easily imagine.

【0009】以上のように、銅コア半田バンプは高接続
信頼性が期待できる反面、コストが高く、Sn−37P
b半田バンプのような銅コアの無い半田バンプはコスト
が低い反面、接続信頼性に問題がある。
As described above, the copper core solder bump can be expected to have high connection reliability, but it is expensive and Sn-37P.
Solder bumps without a copper core, such as solder bumps, are low in cost but have a problem in connection reliability.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体チッ
プを搭載する多層配線板における、半田バンプのこのよ
うな問題点に鑑み、接続信頼性の高い外部接続用端子を
有する多層配線板およびその製造方法を提供することを
目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of solder bumps in a multilayer wiring board on which a semiconductor chip is mounted. It is intended to provide a manufacturing method.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、次の多
層配線板およびその製造方法を提供する。 (1)最外層に外部接続用端子を有する多層配線板であ
って、外部接続用端子が、略均一な厚みの金属層をエッ
チングすることにより得られる略均一な高さを有する柱
状の金属コアからなり、金属コアと最外層の配線パター
ンの接続部が電解めっきまたは無電解めっきによる接続
であることを特徴とする多層配線板。 (2)金属コア表面の少なくとも一部が半田被膜で覆わ
れていることを特徴とする前記第(1)項記載の多層配
線板。 (3)金属層を電解めっき用リードとして、配線パター
ンを電解めっきにより形成する工程と、金属層をエッチ
ングにより除去する工程とを含む多層配線板の製造方法
であって、多層配線板の最外層を形成する際に使用する
金属層を部分的にエッチングして除去することにより、
多層配線板の最外層上に金属コアを有する外部接続用端
子を形成する工程を含んでなることを特徴とする多層配
線板の製造方法。 (4)金属層を電解めっき用リードとして、配線パター
ンを電解めっきにより形成する工程と、配線パターン上
に絶縁層を形成する工程、配線パターンの一部が露出す
るように絶縁層にビアを形成する工程と、金属層を電解
めっき用リードとして、導体ポストを電解めっきにより
形成する工程と、導体ポストの表面または被接続層の被
接合部の表面の少なくとも一方に接合用金属材料層を形
成する工程と、絶縁層の表面または被接続層の表面の少
なくとも一方に接着剤層を形成する工程と、導体ポスト
と被接合部とを接着剤層を介して接合用金属材料層によ
り接合し、絶縁層と被接続層とを接着剤層により接着す
る工程と、金属層をエッチングにより除去する工程とを
含む多層配線板の製造方法であって、多層配線板の最外
層を形成する際に使用する金属層を部分的にエッチング
して除去することにより、多層配線板の最外層上に金属
コアを有する外部接続用端子を形成する工程を含んでな
ることを特徴とする多層配線板の製造方法。 (5)金属コアの表面に半田被膜を形成することを特徴
とする前記第(3)項または第(4)項に記載の多層配
線板の製造方法。 (6)前記第(3)項〜第(5)項のいずれかに記載の
多層配線板の製造方法により、得られることを特徴とす
る多層配線板。
That is, the present invention provides the following multilayer wiring board and its manufacturing method. (1) A multilayer wiring board having an external connection terminal in an outermost layer, wherein the external connection terminal has a substantially uniform height obtained by etching a metal layer having a substantially uniform thickness. A connection portion between the metal core and the outermost wiring pattern is a connection by electrolytic plating or electroless plating. (2) The multilayer wiring board according to the above (1), wherein at least a part of the surface of the metal core is covered with a solder coating. (3) A method for manufacturing a multilayer wiring board including a step of forming a wiring pattern by electrolytic plating using a metal layer as a lead for electrolytic plating and a step of removing the metal layer by etching, wherein the outermost layer of the multilayer wiring board is provided. By partially etching and removing the metal layer used in forming the
A method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising a step of forming an external connection terminal having a metal core on an outermost layer of the multilayer wiring board. (4) A step of forming a wiring pattern by electrolytic plating using the metal layer as a lead for electrolytic plating, a step of forming an insulating layer on the wiring pattern, and forming a via in the insulating layer so that a part of the wiring pattern is exposed. Forming a conductive post by electrolytic plating using the metal layer as a lead for electrolytic plating, and forming a metallic material layer for bonding on at least one of the surface of the conductive post or the surface of the portion to be bonded of the connected layer. A step of forming an adhesive layer on at least one of the surface of the insulating layer and the surface of the layer to be connected, and bonding the conductor post and the part to be bonded with the bonding metal material layer via the adhesive layer, A method of manufacturing a multilayer wiring board including a step of bonding a layer and a layer to be connected with an adhesive layer, and a step of removing a metal layer by etching, when forming an outermost layer of the multilayer wiring board. Forming a terminal for external connection having a metal core on the outermost layer of the multilayer wiring board by partially etching and removing a metal layer to be used. Method. (5) The method for manufacturing a multilayer wiring board according to the above (3) or (4), wherein a solder coating is formed on a surface of the metal core. (6) A multilayer wiring board obtained by the method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of the above items (3) to (5).

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明するが、本発明はこれによって何ら
限定されるものではない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.

【0013】図1(a)〜図4(r)は、本発明による
第1の実施形態である多層配線板の製造方法の一例を説
明するための図で、図4(r)は本発明により得られる
多層配線板の構造の一例を示す断面図である。
FIGS. 1A to 4R are views for explaining an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to a first embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of the structure of a multilayer wiring board obtained by the method described above.

【0014】本発明の多層配線板の製造方法のとして
は、まず、金属層101a上にパターニングされためっ
きレジスト102を形成する(図1(a))。このめっ
きレジスト102は、例えば、金属層101a上に紫外
線感光性のドライフィルムレジストをラミネートし、ネ
ガフィルム等を用いて選択的に感光し、その後現像する
ことにより形成できる。金属層101aの材質は、本発
明の製造方法に適するものであればどのようなものでも
良いが、特に、使用される薬液に対して耐性を有するも
のであって、最終的にエッチングにより除去可能である
ことが必要である。金属層101aの材質としては、例
えば、銅、銅合金、42合金、ニッケル等が挙げられ
る。
In the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention, first, a patterned plating resist 102 is formed on a metal layer 101a (FIG. 1A). The plating resist 102 can be formed by, for example, laminating an ultraviolet-sensitive dry film resist on the metal layer 101a, selectively exposing the resist using a negative film or the like, and then developing. The material of the metal layer 101a may be any material as long as it is suitable for the manufacturing method of the present invention. In particular, the material has resistance to a used chemical solution and can be finally removed by etching. It is necessary to be. Examples of the material of the metal layer 101a include copper, a copper alloy, a 42 alloy, and nickel.

【0015】次に、金属層101aを電解めっき用リー
ドとして、レジスト金属層103を電解めっきにより形
成する(図1(b))。この電解めっきにより、金属層
101a上のめっきレジスト102が形成されていない
部分に、レジスト金属層103が形成される。レジスト
金属層103の材質は、この製造方法に適するものであ
ればどのようなものでも良いが、特に、最終的に金属層
101aをエッチングにより除去する際に使用する薬液
に対して耐性を有することが必要である。レジスト金属
層103の材質としては、例えば、ニッケル、金、錫、
銀、半田、パラジウム等が挙げられる。好ましいレジス
ト金属層の構成としては、金、銀、パラジウム、ニッケ
ルのそれぞれの材質からなる1つ以上の層構成、金とニ
ッケルの2層構成、または、半田を含む層構成である。
なお、レジスト金属層103を形成する目的は、金属層
101aをエッチングする際に使用する薬液により、図
1(c)に示す配線パターン104が浸食・腐食される
のを防ぐことである。したがって、金属層101aをエ
ッチングする際に使用する薬液に対して、図1(c)に
示す配線パターン104が耐性を有している場合は、こ
のレジスト金属層103は不要である。また、レジスト
金属層103は配線パターン104と同一のパターンで
ある必要はなく、金属層101a上にめっきレジスト1
02を形成する前に、金属層101aの全面にレジスト
金属層103を形成しても良い。
Next, a resist metal layer 103 is formed by electrolytic plating using the metal layer 101a as a lead for electrolytic plating (FIG. 1B). By this electrolytic plating, a resist metal layer 103 is formed on a portion of the metal layer 101a where the plating resist 102 is not formed. The material of the resist metal layer 103 may be any material as long as it is suitable for this manufacturing method. In particular, the resist metal layer 103 must have resistance to a chemical used when the metal layer 101a is finally removed by etching. is necessary. As a material of the resist metal layer 103, for example, nickel, gold, tin,
Silver, solder, palladium and the like can be mentioned. A preferred configuration of the resist metal layer is one or more layers composed of respective materials of gold, silver, palladium and nickel, a two-layer configuration of gold and nickel, or a layer configuration including solder.
The purpose of forming the resist metal layer 103 is to prevent the wiring pattern 104 shown in FIG. 1C from being eroded and corroded by a chemical used when etching the metal layer 101a. Therefore, when the wiring pattern 104 shown in FIG. 1C has resistance to the chemical used for etching the metal layer 101a, the resist metal layer 103 is unnecessary. The resist metal layer 103 does not need to be the same pattern as the wiring pattern 104, and the plating resist 1 is formed on the metal layer 101a.
Before the formation of the resist layer 02, the resist metal layer 103 may be formed on the entire surface of the metal layer 101a.

【0016】次に、金属層101aを電解めっき用リー
ドとして、配線パターン104を電解めっきにより形成
する(図1(c))。この電解めっきにより、金属層1
01a上のめっきレジスト102が形成されていない部
分に、配線パターン104が形成される。配線パターン
104の材質としては、この製造方法に適するものであ
ればどのようなものでも良いが、特に、最終的にレジス
ト金属層103をエッチングにより除去する際に使用す
る薬液に対して耐性を有することが必要である。実際
は、配線パターン104を浸食・腐食しない薬液でエッ
チング可能なレジスト金属層103の材質を選定するの
が得策である。配線パターン104の材質としては、例
えば、銅、ニッケル、金、錫、銀、パラジウム等が挙げ
られる。さらには、銅を用いることで、低電気抵抗で安
定した配線パターン104が得られる。
Next, a wiring pattern 104 is formed by electrolytic plating using the metal layer 101a as a lead for electrolytic plating (FIG. 1C). By this electrolytic plating, the metal layer 1
A wiring pattern 104 is formed on the portion of the substrate 01a where the plating resist 102 is not formed. The material of the wiring pattern 104 may be any material as long as it is suitable for this manufacturing method. In particular, the material has resistance to a chemical used when the resist metal layer 103 is finally removed by etching. It is necessary. Actually, it is advisable to select a material for the resist metal layer 103 that can be etched with a chemical solution that does not corrode or corrode the wiring pattern 104. Examples of the material of the wiring pattern 104 include copper, nickel, gold, tin, silver, and palladium. Further, by using copper, a stable wiring pattern 104 with low electric resistance can be obtained.

【0017】次に、めっきレジスト102を除去し(図
1(d))、形成した配線パターン104上に絶縁層1
05を形成する(図1(e))。絶縁層105を構成す
る樹脂は、本発明の製造方法に適するものであればどの
ようなものでも使用できる。また、絶縁層105の形成
方法は、使用する樹脂に適した方法で良く、樹脂ワニス
を印刷、カーテンコート、バーコート等の方法で直接塗
布したり、ドライフィルムタイプの樹脂を真空ラミネー
ト、真空プレス等の方法で積層する方法が挙げられる。
特に、市販されている樹脂付銅箔は入手が容易であり、
真空ラミネートにより配線パターン104の凹凸を埋め
込みながら成形し、最後に銅箔をエッチングすれば、絶
縁層105の表面が配線パターン104の凹凸に影響さ
れることなく、非常に平坦になる。また、絶縁層105
の表面には銅箔表面の微細な粗化形状が転写されるた
め、図2(i)に示す接着剤層109との密着性を確保
することができる。
Next, the plating resist 102 is removed (FIG. 1D), and the insulating layer 1 is formed on the formed wiring pattern 104.
05 is formed (FIG. 1E). As the resin constituting the insulating layer 105, any resin suitable for the manufacturing method of the present invention can be used. The method for forming the insulating layer 105 may be a method suitable for the resin to be used. The resin varnish may be directly applied by printing, curtain coating, bar coating, or the like, or a dry film type resin may be vacuum laminated or vacuum pressed. And the like.
In particular, commercially available copper foil with resin is easy to obtain,
If the wiring pattern 104 is formed by embedding the unevenness of the wiring pattern 104 by vacuum lamination, and the copper foil is finally etched, the surface of the insulating layer 105 becomes very flat without being affected by the unevenness of the wiring pattern 104. Further, the insulating layer 105
Since the finely roughened shape of the copper foil surface is transferred to the surface of, the adhesion to the adhesive layer 109 shown in FIG. 2 (i) can be ensured.

【0018】次に、形成した絶縁層105にビア106
を形成する(図1(f))。ビア106の形成方法は、
本発明の製造方法に適する方法であればどのような方法
でも良く、レーザー、プラズマによるドライエッチン
グ、ケミカルエッチング等が挙げられる。また、絶縁層
105を感光性樹脂とした場合には、絶縁層105を選
択的に感光し、現像することでビア106を形成するこ
ともできる。
Next, a via 106 is formed in the formed insulating layer 105.
Is formed (FIG. 1F). The method for forming the via 106 is as follows.
Any method may be used as long as it is suitable for the manufacturing method of the present invention, and examples thereof include dry etching by laser and plasma, and chemical etching. When the insulating layer 105 is made of a photosensitive resin, the via 106 can be formed by selectively exposing and developing the insulating layer 105.

【0019】次に、金属層101aを電解めっき用リー
ドとして、導体ポスト107を電解めっきにより形成す
る(図2(g))。この電解めっきにより、絶縁層10
5のビア106が形成されている部分に、導体ポスト1
07が形成される。電解めっきにより導体ポスト107
を形成すれば、導体ポスト107の先端の形状を自由に
制御することができる。導体ポスト107の材質として
は、本発明の製造方法に適するものであればどのような
ものでも良く、例えば、銅、ニッケル、金、錫、銀、パ
ラジウム等が挙げられる。さらには、銅を用いること
で、低電気抵抗で安定した導体ポスト107が得られ
る。
Next, the conductor post 107 is formed by electrolytic plating using the metal layer 101a as a lead for electrolytic plating (FIG. 2 (g)). By this electrolytic plating, the insulating layer 10
5 is formed in the portion where the via 106 is formed.
07 is formed. Conductive post 107 by electrolytic plating
Is formed, the shape of the tip of the conductor post 107 can be freely controlled. The material of the conductor post 107 may be any material as long as it is suitable for the manufacturing method of the present invention, and examples thereof include copper, nickel, gold, tin, silver, and palladium. Furthermore, by using copper, the conductor post 107 which is stable with low electric resistance can be obtained.

【0020】次に、導体ポスト107の表面(先端)
に、接合用金属材料層108を形成する(図2
(h))。接合用金属材料層108の形成方法として
は、無電解めっきにより形成する方法、金属層101a
を電解めっき用リードとして電解めっきにより形成する
方法、接合用金属材料を含有するペーストを印刷する方
法が挙げられる。印刷による方法では、印刷用マスクを
導体ポスト107に対して精度良く位置合せする必要が
あるが、無電解めっきや電解めっきによる方法では、導
体ポスト107の表面以外に接合用金属材料層108が
形成されることがないため、導体ポスト107の微細化
・高密度化にも対応しやすい。特に、電解めっきによる
方法では、無電解めっきによる方法よりも、めっき可能
な金属が多種多様であり、また薬液の管理も容易である
ため、非常に好適である。接合用金属材料層108の材
質としては、図2(j)に示す被接合部112と金属接
合可能な金属であればどのようなものでもよく、例え
ば、半田が挙げられる。半田の中でも、SnやIn、も
しくはSn、Ag、Cu、Zn、Bi、Sb、Pb、I
n、Auの少なくとも二種からなる半田を使用すること
が好ましい。より好ましくは、環境に優しいPbフリー
半田である。なお、図2(h)では、導体ポスト107
の表面に接合用金属材料層108を形成する例を示した
が、接合用金属材料層108を形成する目的は、導体ポ
スト107と被接合部112とを接合させることである
ため、被接合部112に接合用金属材料層108を形成
しても構わない。もちろん、導体ポスト107と被接合
部112の両表面に形成しても構わない。
Next, the surface (tip) of the conductor post 107
Next, a bonding metal material layer 108 is formed (FIG. 2).
(H)). As a method of forming the bonding metal material layer 108, a method of forming by electroless plating, the metal layer 101a
As a lead for electrolytic plating, and a method of printing a paste containing a bonding metal material. In the printing method, the printing mask needs to be accurately positioned with respect to the conductor post 107. However, in the method of electroless plating or electrolytic plating, the bonding metal material layer 108 is formed on the surface other than the surface of the conductor post 107. Therefore, it is easy to cope with miniaturization and high density of the conductor posts 107. In particular, the method using electroplating is very suitable because the metal that can be plated is more diverse and the management of the chemical solution is easier than the method using electroless plating. The material of the joining metal material layer 108 may be any metal as long as it can be metal-joined to the portion 112 to be joined shown in FIG. 2 (j), for example, solder. Among the solders, Sn and In, or Sn, Ag, Cu, Zn, Bi, Sb, Pb, I
It is preferable to use solder composed of at least two kinds of n and Au. More preferably, it is an environment-friendly Pb-free solder. In addition, in FIG.
Although the example in which the joining metal material layer 108 is formed on the surface of the substrate is shown, the purpose of forming the joining metal material layer 108 is to join the conductor post 107 and the portion 112 to be joined. A bonding metal material layer 108 may be formed on 112. Of course, it may be formed on both surfaces of the conductor post 107 and the joint 112.

【0021】次に、絶縁層105の表面に、接着剤層1
09を形成する(図2(i))。接着剤層109の形成
は、使用する接着剤樹脂に応じて適した方法で良く、樹
脂ワニスを印刷、カーテンコート、バーコート等の方法
で直接塗布したり、ドライフィルムタイプの樹脂を真空
ラミネート、真空プレス等の方法で積層する方法が挙げ
られる。なお、図2(i)では、絶縁層105の表面に
接着剤層109を形成する例を示したが、被接続層11
1の表面に接着剤層109を形成しても構わない。もち
ろん、絶縁層105と被接続層111の両表面に形成し
ても構わない。
Next, an adhesive layer 1 is formed on the surface of the insulating layer 105.
09 (FIG. 2 (i)). The adhesive layer 109 may be formed by a method suitable for the adhesive resin to be used. A resin varnish may be directly applied by printing, curtain coating, bar coating, or the like, or a dry film type resin may be vacuum-laminated, A method of laminating by a method such as a vacuum press may be used. Although FIG. 2I shows an example in which the adhesive layer 109 is formed on the surface of the insulating layer 105, the connection layer 11
The adhesive layer 109 may be formed on the surface of the first substrate. Of course, it may be formed on both surfaces of the insulating layer 105 and the connected layer 111.

【0022】次に、上述の工程により得られた接続層1
10と被接続層111とを位置合わせする(図2
(j))。位置合わせは、接続層110および被接続層
111に予め形成されている位置決めマークを、画像認
識装置により読み取り位置合わせする方法、位置合わせ
用のピン等で位置合わせする方法等を用いることができ
る。なお、図2(j)では、被接続層111として、図
4(r)に示す多層配線板113aにリジッド性を持た
せるために用いるFR−4等のコア基板116を使用す
る例を示したが、図1(d)に示すような、金属層10
1aに配線パターン104を形成しただけのものを使用
することもできる。
Next, the connection layer 1 obtained by the above-described steps
10 and the connected layer 111 (see FIG. 2).
(J)). For the alignment, a method of aligning the positioning marks formed on the connection layer 110 and the connected layer 111 in advance by reading with an image recognition device, a method of aligning with a positioning pin, or the like can be used. FIG. 2 (j) shows an example in which a core substrate 116 such as FR-4 used for imparting rigidity to the multilayer wiring board 113a shown in FIG. 4 (r) is used as the connected layer 111. Is a metal layer 10 as shown in FIG.
One in which the wiring pattern 104 is simply formed on 1a can also be used.

【0023】次に、接続層110および被接続層111
とを積層する(図2(k))。積層方法としては、例え
ば、真空プレスを用いて、導体ポスト107が、接着剤
層109を介して、接合用金属材料層108により被接
合部112と金属接合するまで加圧し、更に加熱して接
着剤層109を硬化させて、接続層110と被接続層1
11とを接着することができる。
Next, the connecting layer 110 and the connected layer 111
Are laminated (FIG. 2 (k)). As a lamination method, for example, using a vacuum press, the conductor post 107 is pressed through the adhesive layer 109 until it is metal-bonded to the portion 112 to be bonded by the bonding metal material layer 108, and further heated to be bonded. The agent layer 109 is cured so that the connection layer 110 and the
11 can be bonded.

【0024】次に、金属層101aをエッチングにより
除去する(図3(l))。金属層101aと配線パター
ン104との間にレジスト金属層103が形成されてお
り、そのレジスト金属層103は、金属層101aをエ
ッチングにより除去する際に使用する薬液に対して耐性
を有しているため、金属層101aをエッチングしても
レジスト金属層103が浸食・腐食されることがなく、
結果的に配線パターン104が浸食・腐食されることは
ない。金属層101aの材質が銅、レジスト金属層10
3の材質がニッケル、錫または半田の場合、市販のアン
モニア系エッチング液を使用することができる。金属層
101aの材質が銅、レジスト金属層103の材質が金
や銀の場合、塩化第ニ鉄溶液、塩化第2銅溶液を含め、
ほとんどのエッチング液を使用することができる。
Next, the metal layer 101a is removed by etching (FIG. 3 (l)). A resist metal layer 103 is formed between the metal layer 101a and the wiring pattern 104, and the resist metal layer 103 has resistance to a chemical used when the metal layer 101a is removed by etching. Therefore, even if the metal layer 101a is etched, the resist metal layer 103 is not eroded or corroded,
As a result, the wiring pattern 104 is not eroded or corroded. The material of the metal layer 101a is copper, the resist metal layer 10
When the material of No. 3 is nickel, tin or solder, a commercially available ammonia-based etchant can be used. When the material of the metal layer 101a is copper and the material of the resist metal layer 103 is gold or silver, a ferric chloride solution and a cupric chloride solution are included.
Most etchants can be used.

【0025】次に、レジスト金属層103をエッチング
により除去する(図3(m))。配線パターン104
は、レジスト金属層103をエッチングにより除去する
際に使用する薬液に対して耐性を有するため、配線パタ
ーン104は浸食・腐食されることはない。そのため、
レジスト金属層103が除去されることにより、配線パ
ターン104が露出する。配線パターン104の材質が
銅、レジスト金属層103の材質がニッケル、錫または
半田の場合、市販の半田・ニッケル剥離剤(例えば、三
菱ガス化学製、Pewtax)を使用することができ
る。配線パターン104の材質が銅、レジスト金属層1
03の材質が金の場合、配線パターン104を浸食・腐
食させることなく、レジスト金属層103をエッチング
することは困難である。この場合には、レジスト金属層
103をエッチングする工程を省略し、レジスト金属層
103を残したままでも良い。
Next, the resist metal layer 103 is removed by etching (FIG. 3 (m)). Wiring pattern 104
Is resistant to the chemical used when the resist metal layer 103 is removed by etching, so that the wiring pattern 104 is not eroded or corroded. for that reason,
By removing the resist metal layer 103, the wiring pattern 104 is exposed. When the material of the wiring pattern 104 is copper and the material of the resist metal layer 103 is nickel, tin, or solder, a commercially available solder / nickel release agent (for example, Petax, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) can be used. The material of the wiring pattern 104 is copper, the resist metal layer 1
When the material of 03 is gold, it is difficult to etch the resist metal layer 103 without eroding or corroding the wiring pattern 104. In this case, the step of etching the resist metal layer 103 may be omitted, and the resist metal layer 103 may be left.

【0026】続いて、上述の工程、すなわち図2(j)
〜図3(m)を繰り返して行う。すなわち、図3(m)
に示す多層配線板113(113a,113b)の製造
途中のものを被接続層として使用し、図2(j)に示す
積層工程を行うことによりコア基板116の両面に接続
層を形成し、さらに、これにより得られたものを被接続
層として、図2(j)〜図3(m)に示す積層工程を繰
り返し行うことにより、コア基板116の両面に、例え
ば2層ずつ接続層を形成する(図3(n))。
Subsequently, the above-described process, that is, FIG.
3 (m) are repeated. That is, FIG.
As shown in FIG. 2 (j), a multilayer wiring board 113 (113a, 113b) being manufactured is used as a layer to be connected, and a connection step is formed on both sides of a core substrate 116 by performing a lamination step shown in FIG. The connection layer is formed on both surfaces of the core substrate 116 by repeatedly performing the lamination steps shown in FIGS. 2J to 3M using the obtained material as a connection target layer. (FIG. 3 (n)).

【0027】図3(o)〜図4(p)は、多層配線板1
13aの半導体チップ202a搭載面とは反対側の最外
層117bに外部接続用端子120aを形成する工程を
説明するための図である。すなわち、多層配線板113
aの最外層117bを形成するために用いた金属層10
1cを部分的にエッチングすることにより、外部接続用
端子120aの金属コア118aを形成する(図3
(o))。続いて、形成された金属コア118aを覆う
ように半田被膜119aを形成する(図4(p))。半
田被膜119aの形成方法には、無電解めっきにより形
成する方法、電解めっきにより形成する方法、半田ペー
ストを印刷する方法が挙げられる。電解めっきの場合
は、多層配線板113aの半導体チップ202a搭載面
の最外層117aを形成するために用いた金属層101
bを電解めっき用リードとして、半田めっきを行って、
半田被膜119aを形成することができる。
FIGS. 3 (o) to 4 (p) show the multilayer wiring board 1.
FIG. 13 is a diagram for explaining a step of forming an external connection terminal 120a on the outermost layer 117b on the side opposite to the semiconductor chip 202a mounting surface 13a. That is, the multilayer wiring board 113
a of the metal layer 10 used to form the outermost layer 117b of FIG.
The metal core 118a of the external connection terminal 120a is formed by partially etching 1c.
(O)). Subsequently, a solder coating 119a is formed so as to cover the formed metal core 118a (FIG. 4 (p)). The method for forming the solder coating 119a includes a method for forming by electroless plating, a method for forming by electrolytic plating, and a method for printing a solder paste. In the case of electrolytic plating, the metal layer 101 used to form the outermost layer 117a on the mounting surface of the semiconductor chip 202a of the multilayer wiring board 113a is used.
b is used as a lead for electrolytic plating and solder plating is performed.
The solder coating 119a can be formed.

【0028】金属層101cの材質が銅または銅を主成
分とする銅合金の場合には、外部接続用端子120aが
銅コア(金属コア118a)に半田被膜119aが形成
された構造となる。したがって、外部接続用端子120
aを半田のみで形成する場合と比較して、接続信頼性の
向上が期待できる。また、多層配線板113aを製造す
るために用いた金属層101cをエッチングして金属コ
ア118aを形成し、半田被膜119aを施すため、高
価な銅コア半田ボール等を使用することなく同等の効果
を得ることができ、大幅な低コスト化も期待できる。な
お、図7に示す半導体デバイス201aを実装する配線
板(マザーボード:図示せず)に半田ペースト等が形成
されている場合には、半田被膜119aは必ずしも必要
ではない。
When the material of the metal layer 101c is copper or a copper alloy containing copper as a main component, the external connection terminal 120a has a structure in which a solder coating 119a is formed on a copper core (metal core 118a). Therefore, the external connection terminal 120
An improvement in connection reliability can be expected as compared with the case where a is formed only with solder. Further, since the metal layer 101c used for manufacturing the multilayer wiring board 113a is etched to form the metal core 118a and the solder film 119a is applied, the same effect can be obtained without using an expensive copper core solder ball or the like. Can be obtained, and significant cost reduction can be expected. When a solder paste or the like is formed on a wiring board (mother board: not shown) on which the semiconductor device 201a shown in FIG. 7 is mounted, the solder coating 119a is not necessarily required.

【0029】次に、金属層101bをエッチングにより
除去し(図4(q))、最後にソルダーレジスト115
を形成して、本発明の多層配線板113aを得ることが
できる(図4(r))。図4(r)は、コア基板116
の両面に各2層ずつ接続層を積層した多層配線板113
aの一例を示しており、多層配線板113aの半導体チ
ップ202a搭載面には、ソルダーレジスト115が形
成されている。ソルダーレジスト115は、パッド11
4の部分が開口されている。
Next, the metal layer 101b is removed by etching (FIG. 4 (q)).
Is formed to obtain the multilayer wiring board 113a of the present invention (FIG. 4 (r)). FIG. 4 (r) shows the core substrate 116.
Multi-layer wiring board 113 in which two connection layers are laminated on both sides of
1A shows an example, and a solder resist 115 is formed on a surface of the multilayer wiring board 113a on which the semiconductor chip 202a is mounted. The solder resist 115 is applied to the pad 11
4 is open.

【0030】以上の工程により、外部接続用端子120
aが金属コア118aおよびそれを覆う半田被膜119
aからなる多層配線板を製造することができる。
By the above steps, the external connection terminals 120
a is a metal core 118a and a solder coating 119 covering the metal core 118a
a can be manufactured.

【0031】続いて、本発明による第2の実施形態であ
る多層配線板の製造方法について、図5を参考にして詳
細に説明する。図5(o')〜(q')は、本発明の第2
の多層配線板の製造方法を説明するための断面図であ
り、図3(o)〜図4(q)の代わりに行う工程を説明
するためのものである。従ってここでは、第1の多層配
線板の製造方法とは異なる部分を特に詳細に説明し、同
じ部分は基本的に説明を省略する。
Next, a method for manufacturing a multilayer wiring board according to a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. FIGS. 5 (o ′) to (q ′) show the second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the multilayer wiring board of FIG. 3, and is for explaining a step performed instead of FIGS. 3 (o) to 4 (q). Therefore, here, portions different from those of the first method for manufacturing a multilayer wiring board will be particularly described in detail, and description of the same portions will be basically omitted.

【0032】図5(o')において、金属層101cの
表面に半田被膜119bを形成する。半田被膜119b
の形成方法には、無電解めっきにより形成する方法、電
解めっきにより形成する方法、半田ペーストを印刷する
方法が挙げられる。電解めっきの場合は、金属層101
bまたは101cを電解めっき用リードとして、半田め
っきを行って、半田被膜119bを形成することができ
る。なお、電解めっきまたは無電解めっきにより半田被
膜119bを形成する場合には、必要な部分にのみ半田
被膜119bが形成されるよう、めっきレジスト(図示
せず)を形成し、めっき終了後にめっきレジストを除去
する必要があるのは当然である。
In FIG. 5 (o '), a solder coating 119b is formed on the surface of the metal layer 101c. Solder coating 119b
May be formed by electroless plating, electrolytic plating, or printing a solder paste. In the case of electrolytic plating, the metal layer 101
The solder plating 119b can be formed by performing solder plating using b or 101c as a lead for electrolytic plating. When the solder coating 119b is formed by electrolytic plating or electroless plating, a plating resist (not shown) is formed so that the solder coating 119b is formed only on a necessary portion, and the plating resist is removed after plating. Of course, it needs to be removed.

【0033】次に、図5(p')において、半田被膜1
19bをエッチングマスクとして、金属層101cをエ
ッチングすることにより、金属コア118bを形成す
る。金属層101cの材質が銅の場合、市販のアンモニ
ア系エッチング液を使用することができる。また、金属
層101bもエッチングしておく。
Next, referring to FIG.
The metal core 101b is formed by etching the metal layer 101c using 19b as an etching mask. When the material of the metal layer 101c is copper, a commercially available ammonia-based etchant can be used. Further, the metal layer 101b is also etched.

【0034】次に、図5(q')において、半田被膜1
19bをリフローさせて、金属コア118bと半田被膜
119bからなる外部接続用端子119bを形成する。
その際、半田被膜119bにフラックスを塗布してから
リフローさせ、フラックスを洗浄すればよい。なお、こ
の時点でのリフローは必須ではなく、図7に示す半導体
デバイス201aを配線板(マザーボード:図示せず)
に実装する際にリフロー工程があるため、それを利用す
ることも可能である。
Next, referring to FIG.
19b is reflowed to form an external connection terminal 119b composed of a metal core 118b and a solder coating 119b.
At this time, a flux may be applied to the solder coating 119b and then reflowed to clean the flux. Note that reflow at this point is not essential, and the semiconductor device 201a shown in FIG. 7 is connected to a wiring board (mother board: not shown).
Since there is a reflow process when mounting on a device, it is also possible to use that.

【0035】続いて、本発明による第3の実施形態であ
る多層配線板の製造方法について、図6を参考にして詳
細に説明する。図6は、本発明の第3の多層配線板を示
す断面図である。ここでは、第1の多層配線板の製造方
法とは異なる部分を特に詳細に説明し、同じ部分は基本
的に説明を省略する。
Next, a method for manufacturing a multilayer wiring board according to a third embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. FIG. 6 is a sectional view showing a third multilayer wiring board of the present invention. Here, portions different from those of the first method for manufacturing a multilayer wiring board will be particularly described in detail, and description of the same portions will be basically omitted.

【0036】図6において、半導体チップ202bを搭
載する側の最外層を形成する際に使用した金属層(例え
ば、図4(p)における金属層101b)をエッチング
して、金属コア118cを形成し、さらに半田被膜11
9cを形成する。これにより、半導体チップを実装する
ために必要な外部接続用端子120cを有する多層配線
板113bを得ることができる。なお、外部接続用端子
120cの形成方法は、第1の実施形態における外部接
続用端子120aの形成方法と基本的に同様であるた
め、説明を省略する。また、第2の実施形態における外
部接続用端子120bの形成方法も適用できる。
In FIG. 6, the metal layer (for example, metal layer 101b in FIG. 4 (p)) used for forming the outermost layer on the side on which the semiconductor chip 202b is mounted is etched to form the metal core 118c. And solder coating 11
9c is formed. As a result, a multilayer wiring board 113b having external connection terminals 120c necessary for mounting the semiconductor chip can be obtained. Note that the method of forming the external connection terminal 120c is basically the same as the method of forming the external connection terminal 120a in the first embodiment, and a description thereof will not be repeated. Further, the method for forming the external connection terminal 120b in the second embodiment can be applied.

【0037】上述の工程により得られた多層配線板11
3aおよび113bに半導体チップ202aおよび20
2bを搭載することにより、半導体デバイス201aお
よび201bを得ることができる(図7(a)および
(b))。
The multilayer wiring board 11 obtained by the above steps
The semiconductor chips 202a and 202 are attached to 3a and 113b.
By mounting 2b, semiconductor devices 201a and 201b can be obtained (FIGS. 7A and 7B).

【0038】なお、外部接続用端子120a、120
b、120cを形成する位置・配列は、主として次のよ
うになることは、これまでの説明および図面から明らか
である。 (1)外部接続用端子120a、120bは、主とし
て、半導体デバイス201a、201bを実装する配線
板(マザーボード:図示せず)に形成された接続用ラン
ドと略同じ位置・配列とする。 (2)外部接続用端子120cは、主として、半導体チ
ップ202a、202bの電極と略同じ位置・配列とす
る。また、半導体チップ202a、202bは、多層配
線板113a、113bの中央部に実装することが多い
ため、それに対応した位置・配列となるよう、外部接続
用端子120cを形成する。
The external connection terminals 120a, 120
It is apparent from the above description and drawings that the positions and arrangements forming b and 120c are mainly as follows. (1) The external connection terminals 120a and 120b are mainly located and arranged in substantially the same position and arrangement as connection lands formed on a wiring board (mother board: not shown) on which the semiconductor devices 201a and 201b are mounted. (2) The external connection terminals 120c are mainly located in the same position and arrangement as the electrodes of the semiconductor chips 202a and 202b. In addition, since the semiconductor chips 202a and 202b are often mounted at the central portions of the multilayer wiring boards 113a and 113b, the external connection terminals 120c are formed so as to have a position and an arrangement corresponding thereto.

【0039】本発明による多層配線板の最大の特徴は次
の2点である。 (1)金属層をエッチングして金属コアを形成し、半田
被膜が施されることで、柱状で略均一な高さを有する外
部接続用端子が形成されてなる。 (2)高価な銅コア半田ボール等を使用することなく、
それと同等な外部接続用端子を形成できることであり、
そのことにより、大幅な低コスト化が期待でき、さらに
は、接続信頼性の向上も期待できる。
The greatest features of the multilayer wiring board according to the present invention are the following two points. (1) A metal layer is etched to form a metal core, and a solder coating is applied to form a columnar external connection terminal having a substantially uniform height. (2) Without using expensive copper core solder balls, etc.
It is possible to form an equivalent external connection terminal,
As a result, significant cost reduction can be expected, and further improvement in connection reliability can be expected.

【0040】[0040]

【実施例】以下、実施例により更に具体的に説明する
が、本発明はこれによって何ら限定されるものではな
い。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, but it should not be construed that the invention is limited thereto.

【0041】接着剤の調合例 m,p−クレゾールノボラック樹脂(日本化薬(株)製P
AS−1、OH基当量120)100gと、ビスフェノ
ールF型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製RE−404
S、エポキシ当量基165)140gを、シクロヘキサ
ノン60gに溶解し、硬化触媒としてトリフェニルフォ
スフィン(北興化学工業(株)製)0.2gを添加し、
接着剤ワニスを作製した。
Example of Formulation of Adhesive m, p-cresol novolak resin (Nippon Kayaku Co., Ltd.
AS-1, 100 g of OH group equivalent) and 100 g of bisphenol F type epoxy resin (RE-404 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
140 g of S, epoxy equivalent group 165) was dissolved in 60 g of cyclohexanone, and 0.2 g of triphenylphosphine (manufactured by Hokuko Chemical Industry Co., Ltd.) was added as a curing catalyst.
An adhesive varnish was prepared.

【0042】実施例1(多層配線板の製造例1) 表面を粗化処理した150μm厚の圧延銅板(金属層1
01a・古川電気工業製EFTEC−64T)にドライ
フィルムレジスト(旭化成製AQ−2058)をロール
ラミネートし、所定のネガフィルムを用いて露光・現像
し、配線パターン104の形成に必要なめっきレジスト
(めっきレジスト102)を形成した。次に、圧延銅板
を電解めっき用リードとして、電解めっきにより金から
なるレジスト金属層(レジスト金属層103)を形成
し、さらに電解銅めっきすることにより配線パターン
(配線パターン104)を形成した。配線パターンは、
線幅/線間/厚み=20μm/20μm/10μmとし
た。次に、樹脂付銅箔(住友ベークライト製APL)を
真空ラミネートにより配線パターンの凹凸を埋め込みな
がら成形し、銅箔を全面エッチングして、25μm厚の
絶縁層(絶縁層105)を形成した。次に、50μm径
のビア(ビア106)をUV−YAGレーザーにより形
成した。次に、圧延銅板を電解めっき用リードとして、
電解銅めっきすることによりビアを銅で充填し、銅ポス
ト(導体ポスト107)を形成した。次に、圧延銅板を
電解めっき用リードとして、電解めっきにより銅ポスト
上にSn−Pb共晶半田層(接合用金属材料層108)
を形成した。次に、バーコートにより、上述の接着剤ワ
ニスを、絶縁層の表面、すなわちSn−Pb共晶半田層
が形成された面に塗布後、80℃で20分乾燥し、10
μm厚の接着剤層(接着剤層109)を形成した。これ
までの工程により、ビルドアップ層(接続層110)を
得ることができた。一方、コア基板(コア基板116)
として、12μm厚の銅箔が形成されたFR−5相当の
ガラスエポキシ樹脂銅張積層板(住友ベークライト製E
LC−4781)を用い、銅箔をエッチングして配線パ
ターンおよびランド(被接合部112)を形成し、コア
層(被接続層111)を得ることができた。次に、上述
の工程により得られたビルドアップ層とコア層に予め形
成されている位置決めマークを、画像認識装置により読
み取り、両者を位置合わせし、100℃の温度で仮圧着
した。さらに、上述の位置合せ・仮圧着を再度行い、コ
ア層の両面にビルドアップ層を仮圧着したものを得るこ
とができた。これを、プレスにより220℃の温度で加
熱加圧して、銅ポストが、接着剤層を貫通してランドと
半田接合し、接着剤層によりコア層の両面にビルドアッ
プ層を接着した。次に、塩化第2銅溶液を用いて圧延銅
板をエッチングして除去した。さらに、上述の工程を繰
返し、コア層の両面にビルドアップ層を各2層積層し
た。
Example 1 (Production Example 1 of Multilayer Wiring Board) A 150 μm-thick rolled copper sheet (metal layer 1) having a roughened surface
Roll lamination of a dry film resist (AQ-2058 manufactured by Asahi Kasei Corporation) on EFTEC-64T manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd., and exposure and development using a predetermined negative film. A resist 102) was formed. Next, using a rolled copper plate as a lead for electrolytic plating, a resist metal layer (resist metal layer 103) made of gold was formed by electrolytic plating, and a wiring pattern (wiring pattern 104) was formed by electrolytic copper plating. The wiring pattern is
Line width / line interval / thickness = 20 μm / 20 μm / 10 μm. Next, a resin-coated copper foil (APL manufactured by Sumitomo Bakelite) was formed by vacuum lamination while embedding the unevenness of the wiring pattern, and the copper foil was entirely etched to form an insulating layer (insulating layer 105) having a thickness of 25 μm. Next, a via (via 106) having a diameter of 50 μm was formed by a UV-YAG laser. Next, using the rolled copper plate as a lead for electrolytic plating,
The via was filled with copper by electrolytic copper plating to form a copper post (conductor post 107). Next, using a rolled copper plate as a lead for electrolytic plating, a Sn-Pb eutectic solder layer (metallic material layer for joining 108) is formed on a copper post by electrolytic plating.
Was formed. Next, the above-mentioned adhesive varnish was applied to the surface of the insulating layer, that is, the surface on which the Sn-Pb eutectic solder layer was formed, by a bar coat, and then dried at 80 ° C for 20 minutes.
An adhesive layer (adhesive layer 109) having a thickness of μm was formed. By the steps described above, a build-up layer (connection layer 110) could be obtained. On the other hand, a core substrate (core substrate 116)
As an example, a glass epoxy resin copper-clad laminate equivalent to FR-5 on which a 12-μm thick copper foil is formed (E made by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.)
Using LC-4781, the copper foil was etched to form a wiring pattern and a land (joined portion 112), thereby obtaining a core layer (connected layer 111). Next, the positioning marks formed in advance on the build-up layer and the core layer obtained in the above-described steps were read by an image recognition device, the two were aligned, and they were temporarily compressed at a temperature of 100 ° C. Further, the above-described positioning and temporary compression were performed again, and a product in which the build-up layers were temporarily compressed on both surfaces of the core layer could be obtained. This was heated and pressurized at a temperature of 220 ° C. by a press, so that the copper post penetrated the adhesive layer and joined to the land by soldering, and the build-up layers were bonded to both surfaces of the core layer by the adhesive layer. Next, the rolled copper plate was removed by etching using a cupric chloride solution. Further, the above steps were repeated, and two build-up layers were laminated on both sides of the core layer.

【0043】続いて、半導体チップ(半導体チップ20
2a)搭載面とは反対側の最外層(最外層117b)を
形成するために用いた圧延銅板(金属層101c)を部
分的にエッチングすることにより、外部接続用端子(外
部接続用端子120a)の銅コア(金属コア118a)
を形成した。銅コアは、トップ径:200μm、ボトム
径:300μm、高さ:150μmとなった。さらに、
半導体チップ搭載面の最外層(最外層117a)を形成
するために用いた圧延銅板(金属層101b)を電解め
っき用リードとして、電解めっきを行い、厚み10μm
のSn−Pb共晶半田被膜(半田被膜119a)を形成
した。最後に、ソルダーレジスト(ソルダーレジスト1
15)を形成し、外部接続用端子が銅コアおよびそれを
覆うSn−Pb共晶半田被膜からなる多層配線板(多層
配線板113a)を得ることができた。
Subsequently, a semiconductor chip (semiconductor chip 20)
2a) An external connection terminal (external connection terminal 120a) is obtained by partially etching a rolled copper plate (metal layer 101c) used to form an outermost layer (outermost layer 117b) opposite to the mounting surface. Copper core (metal core 118a)
Was formed. The copper core had a top diameter: 200 μm, a bottom diameter: 300 μm, and a height: 150 μm. further,
Using a rolled copper plate (metal layer 101b) used for forming the outermost layer (outermost layer 117a) of the semiconductor chip mounting surface as a lead for electrolytic plating, electrolytic plating is performed to a thickness of 10 μm.
A Sn—Pb eutectic solder film (solder film 119a) was formed. Finally, solder resist (solder resist 1
15) was formed, and a multilayer wiring board (multilayer wiring board 113a) in which external connection terminals were made of a copper core and a Sn-Pb eutectic solder coating covering the copper core was obtained.

【0044】実施例2(多層配線板の製造例2) 実施例1において、半導体チップ(半導体チップ202
b)搭載面の最外層を形成するために使用した150μ
m厚の圧延銅板のみ、70μm厚の電解銅箔(三井金属
鉱業製3EC−VLP)に変更し、それ以外は実施例1
と同様、圧延銅板を使用した。
Example 2 (Example 2 of manufacturing multilayer wiring board) In Example 1, a semiconductor chip (semiconductor chip 202
b) 150μ used to form the outermost layer of the mounting surface
Only the rolled copper sheet having a thickness of m was changed to an electrolytic copper foil having a thickness of 70 μm (3EC-VLP manufactured by Mitsui Kinzoku Mining Co., Ltd.).
Similarly to the above, a rolled copper plate was used.

【0045】まず実施例1と同様にして、半導体チップ
(半導体チップ202b)搭載面とは反対側の最外層
(最外層117b)に、銅コア(金属コア118a)と
Sn−Pb共晶半田被膜(半田被膜119a)からなる
外部接続用端子(外部接続用端子120a)を形成し
た。
First, in the same manner as in the first embodiment, a copper core (metal core 118a) and a Sn—Pb eutectic solder coating are formed on the outermost layer (outermost layer 117b) opposite to the surface on which the semiconductor chip (semiconductor chip 202b) is mounted. An external connection terminal (external connection terminal 120a) made of (solder coating 119a) was formed.

【0046】続いて、半導体ップ(半導体チップ202
b)搭載面の最外層を形成するために使用した電解銅箔
(金属層101c)を部分的にエッチングすることによ
り、外部接続用端子(外部接続用端子120c)の銅コ
ア(金属コア118c)を形成した。銅コアは、トップ
径:60μm、ボトム径:100μm、高さ:70μm
となった。さらに、無電解めっきにより、厚み10μm
のSn−Pb共晶半田被膜(半田被膜119c)を形成
し、外部接続端子(外部接続用端子120c)を得た。
これにより、多層配線板(多層配線板113b)を得る
ことができた。
Subsequently, a semiconductor chip (semiconductor chip 202)
b) The copper core (metal core 118c) of the external connection terminal (external connection terminal 120c) by partially etching the electrolytic copper foil (metal layer 101c) used to form the outermost layer of the mounting surface. Was formed. Copper core: top diameter: 60 μm, bottom diameter: 100 μm, height: 70 μm
It became. Further, by electroless plating, a thickness of 10 μm
Was formed, and an external connection terminal (external connection terminal 120c) was obtained.
Thus, a multilayer wiring board (multilayer wiring board 113b) was obtained.

【0047】[0047]

【発明の効果】本発明により得られる多層配線板は、多
層配線板を製造するために用いた金属層をエッチングし
て金属コアを形成し、半田被膜を施すため、均一な高さ
を有する外部接続用端子を形成できる。また、高価な銅
コア半田バンプ等を使用することなく、それと同等な外
部接続用端子を形成できるため、大幅な低コスト化が期
待でき、さらには、接続信頼性の向上も期待できる。
According to the multilayer wiring board obtained by the present invention, the metal layer used for manufacturing the multilayer wiring board is etched to form a metal core, and a solder coating is applied. A connection terminal can be formed. In addition, since an external connection terminal equivalent to that can be formed without using an expensive copper core solder bump or the like, significant cost reduction can be expected, and further improvement in connection reliability can be expected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施形態による多層配線板の製造方
法の一例を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view illustrating an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の実施形態による多層配線板の製造方
法の一例を示す断面図である(図1の続き)。
FIG. 2 is a sectional view showing an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to the embodiment of the present invention (continuation of FIG. 1).

【図3】 本発明の実施形態による多層配線板の製造方
法の一例を示す断面図である(図2の続き)。
FIG. 3 is a sectional view showing an example of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the embodiment of the present invention (continuation of FIG. 2).

【図4】 本発明の実施形態による多層配線板の製造方
法の一例を示す断面図である(図3の続き)。
FIG. 4 is a sectional view showing an example of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the embodiment of the present invention (continuation of FIG. 3).

【図5】 本発明の実施形態による多層配線板の製造方
法の他の一例を示す断面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing another example of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the embodiment of the present invention;

【図6】 本発明の実施形態による多層配線板の製造方
法の他の一例を示す断面図である。
FIG. 6 is a sectional view showing another example of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the embodiment of the present invention;

【図7】 本発明の実施形態による多層配線板を使用し
て製造した半導体デバイスの一例を示す断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating an example of a semiconductor device manufactured using the multilayer wiring board according to the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101a、101b、101c 金属層 102 めっきレジスト 103 レジスト金属層 104 配線パターン 105 絶縁層 106 ビア 107 導体ポスト 108 接合用金属材料層 109 接着剤層 110 接続層 111 被接続層 112 被接合部 113a、113b 多層配線板 114 パッド 115 ソルダーレジスト 116 コア基板 117a、117b 最外層 118a、118b、118c 金属コア 119a、119b、119c 半田被膜 120a、120b、120c 外部接続用端子 201a、201b 半導体デバイス 202a、202b 半導体チップ 203 半田バンプ 204a、202b アンダーフィル 101a, 101b, 101c Metal layer 102 Plating resist 103 Resist metal layer 104 Wiring pattern 105 Insulating layer 106 Via 107 Conductor post 108 Bonding metal material layer 109 Adhesive layer 110 Connection layer 111 Connected layer 112 Bonded portion 113a, 113b Multilayer Wiring board 114 Pad 115 Solder resist 116 Core substrate 117a, 117b Outermost layer 118a, 118b, 118c Metal core 119a, 119b, 119c Solder coating 120a, 120b, 120c External connection terminal 201a, 201b Semiconductor device 202a, 202b Semiconductor chip 203 Solder Bump 204a, 202b underfill

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 正明 東京都品川区東品川2丁目5番8号 住友 ベークライト株式会社内 (72)発明者 原 英貴 東京都品川区東品川2丁目5番8号 住友 ベークライト株式会社内 Fターム(参考) 5E343 AA02 AA22 BB09 BB16 BB24 BB33 BB34 BB54 BB61 BB71 CC61 DD43 DD76 ER21 ER26 GG11 5E346 AA06 AA12 AA15 AA16 AA22 AA35 AA43 BB01 BB16 CC32 CC40 CC41 CC54 DD01 DD22 DD33 EE31 FF14 FF34 FF35 FF36 GG15 GG25 GG28 HH07 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Masaaki Kato 2-5-8 Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sumitomo Bakelite Co., Ltd. (72) Inventor Hideki Hara 2-5-2-8 Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo F-term (reference) within Sumitomo Bakelite Co., Ltd. GG25 GG28 HH07

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 最外層に外部接続用端子を有する多層配
線板であって、外部接続用端子が、略均一な厚みの金属
層をエッチングすることにより得られる略均一な高さを
有する柱状の金属コアからなり、金属コアと最外層の配
線パターンの接続部が電解めっきまたは無電解めっきに
よる接続であることを特徴とする多層配線板。
1. A multilayer wiring board having an external connection terminal in an outermost layer, wherein the external connection terminal has a columnar shape having a substantially uniform height obtained by etching a metal layer having a substantially uniform thickness. A multilayer wiring board comprising a metal core, wherein a connection portion between the metal core and an outermost wiring pattern is connected by electrolytic plating or electroless plating.
【請求項2】 金属コア表面の少なくとも一部が半田被
膜で覆われていることを特徴とする請求項1記載の多層
配線板。
2. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein at least a part of the surface of the metal core is covered with a solder coating.
【請求項3】 金属層を電解めっき用リードとして、配
線パターンを電解めっきにより形成する工程と、金属層
をエッチングにより除去する工程とを含む多層配線板の
製造方法であって、多層配線板の最外層を形成する際に
使用する金属層を部分的にエッチングして除去すること
により、多層配線板の最外層上に金属コアを有する外部
接続用端子を形成する工程を含んでなることを特徴とす
る多層配線板の製造方法。
3. A method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising: a step of forming a wiring pattern by electrolytic plating using a metal layer as a lead for electrolytic plating; and a step of removing the metal layer by etching. Forming a terminal for external connection having a metal core on the outermost layer of the multilayer wiring board by partially etching and removing a metal layer used in forming the outermost layer. Manufacturing method of a multilayer wiring board.
【請求項4】 金属層を電解めっき用リードとして、配
線パターンを電解めっきにより形成する工程と、配線パ
ターン上に絶縁層を形成する工程、配線パターンの一部
が露出するように絶縁層にビアを形成する工程と、金属
層を電解めっき用リードとして、導体ポストを電解めっ
きにより形成する工程と、導体ポストの表面または被接
続層の被接合部の表面の少なくとも一方に接合用金属材
料層を形成する工程と、絶縁層の表面または被接続層の
表面の少なくとも一方に接着剤層を形成する工程と、導
体ポストと被接合部とを接着剤層を介して接合用金属材
料層により接合し、絶縁層と被接続層とを接着剤層によ
り接着する工程と、金属層をエッチングにより除去する
工程とを含む多層配線板の製造方法であって、多層配線
板の最外層を形成する際に使用する金属層を部分的にエ
ッチングして除去することにより、多層配線板の最外層
上に金属コアを有する外部接続用端子を形成する工程を
含んでなることを特徴とする多層配線板の製造方法。
4. A step of forming a wiring pattern by electrolytic plating using the metal layer as a lead for electrolytic plating, a step of forming an insulating layer on the wiring pattern, and a step of forming a via in the insulating layer so that a part of the wiring pattern is exposed. Forming a conductive post by electrolytic plating using the metal layer as a lead for electrolytic plating, and forming a bonding metal material layer on at least one of the surface of the conductive post or the surface of the portion to be bonded of the connected layer. Forming, forming an adhesive layer on at least one of the surface of the insulating layer and the surface of the layer to be connected, and bonding the conductor post and the portion to be bonded by the bonding metal material layer via the adhesive layer. A method of manufacturing a multilayer wiring board, comprising: a step of bonding an insulating layer and a connected layer with an adhesive layer; and a step of removing a metal layer by etching, wherein the outermost layer of the multilayer wiring board is formed. Forming a terminal for external connection having a metal core on the outermost layer of the multilayer wiring board by partially etching and removing a metal layer used in the multi-layer wiring board. Plate manufacturing method.
【請求項5】 金属コアの表面に半田被膜を形成するこ
とを特徴とする請求項3または請求項4に記載の多層配
線板の製造方法。
5. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 3, wherein a solder coating is formed on a surface of the metal core.
【請求項6】 請求項3〜請求項5のいずれかに記載の
多層配線板の製造方法により、得られることを特徴とす
る多層配線板。
6. A multilayer wiring board obtained by the method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of claims 3 to 5.
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