JP2001345256A - Stage device and aligner - Google Patents

Stage device and aligner

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JP2001345256A
JP2001345256A JP2000165105A JP2000165105A JP2001345256A JP 2001345256 A JP2001345256 A JP 2001345256A JP 2000165105 A JP2000165105 A JP 2000165105A JP 2000165105 A JP2000165105 A JP 2000165105A JP 2001345256 A JP2001345256 A JP 2001345256A
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reticle
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wafer
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Masato Takahashi
正人 高橋
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To control the correlation between the deformation of a body column and the position of a stage body. SOLUTION: This stage device where a surface plate is supported by a support part via actuators 13A to 13D and anti-vibration pads 12A to 12D is equipped with a stage body that moves on the surface plate, the actuators 13A to 13D that are supported by the support part for adding thrust that opposes counterforce with the movement of the stage body, and the anti- vibration pads 12A to 12D, a first control system 73 that controls the driving of the anti-vibration pads by sets being equal to or smaller than the number of the anti-vibration pads, a second control system 74 that controls the driving of actuators by the sets of the actuators corresponding to each of the sets of anti-vibration pads, and a third control system 75 that controls the first and second control systems 73 and 74 and drives a pair of the corresponding sets of the anti-vibration pad and actuator.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マスクや基板等を
保持するステージ本体が定盤上を移動するステージ装
置、およびこのステージ装置に保持されたマスクと基板
とを用いて露光処理を行う露光装置に関し、特に半導体
集積回路や液晶ディスプレイ等のデバイスを製造する際
に、リソグラフィ工程で用いて好適なステージ装置およ
び露光装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a stage device in which a stage body for holding a mask, a substrate and the like moves on a surface plate, and an exposure for performing an exposure process using the mask and the substrate held by the stage device. The present invention relates to an apparatus, and particularly to a stage apparatus and an exposure apparatus suitable for use in a lithography process when manufacturing a device such as a semiconductor integrated circuit or a liquid crystal display.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、半導体デバイスの製造工程の
1つであるリソグラフィ工程においては、マスク又はレ
チクル(以下、レチクルと称する)に形成された回路パ
ターンをレジスト(感光剤)が塗布されたウエハ又はガ
ラスプレート等の基板上に転写する種々の露光装置が用
いられている。例えば、半導体デバイス用の露光装置と
しては、近年における集積回路の高集積化に伴うパター
ンの最小線幅(デバイスルール)の微細化に応じて、レ
チクルのパターンを投影光学系を用いてウエハ上に縮小
転写する縮小投影露光装置が主として用いられている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a lithography process which is one of the manufacturing processes of a semiconductor device, a circuit pattern formed on a mask or a reticle (hereinafter referred to as a reticle) is coated with a resist (photosensitive agent) on a wafer. Alternatively, various exposure apparatuses for transferring the image onto a substrate such as a glass plate have been used. For example, as an exposure apparatus for a semiconductor device, a reticle pattern is projected onto a wafer using a projection optical system in accordance with the miniaturization of the minimum line width (device rule) of a pattern accompanying the high integration of an integrated circuit in recent years. A reduction projection exposure apparatus that performs reduction transfer is mainly used.

【0003】この縮小投影露光装置としては、レチクル
のパターンをウエハ上の複数のショット領域(露光領
域)に順次転写するステップ・アンド・リピート方式の
静止露光型の縮小投影露光装置(いわゆるステッパ)
や、このステッパを改良したもので、特開平8−166
043号公報等に開示されるようなレチクルとウエハと
を一次元方向に同期移動してレチクルパターンをウエハ
上の各ショット領域に転写するステップ・アンド・スキ
ャン方式の走査露光型の露光装置(いわゆるスキャニン
グ・ステッパ)が知られている。
As this reduction projection exposure apparatus, a step-and-repeat type static exposure reduction projection exposure apparatus (so-called stepper) for sequentially transferring a reticle pattern to a plurality of shot areas (exposure areas) on a wafer.
And an improved version of this stepper.
No. 043, etc., a reticle and a wafer are synchronously moved in a one-dimensional direction to transfer a reticle pattern to each shot area on the wafer. Scanning steppers) are known.

【0004】これらの縮小投影露光装置においては、ス
テージ装置として、床面に先ず装置の基準になるベース
プレートが設置され、その上に床振動を遮断するための
防振台を介してレチクルステージ、ウエハステージおよ
び投影光学系(投影レンズ)等を支持する本体コラムが
載置されたものが多く用いられている。最近のステージ
装置では、前記防振台として、例えば四角形の各頂点近
傍に配置され内圧が制御可能なエアマウント(防振パッ
ド)、ボイスコイルモータ等のアクチュエータをそれぞ
れ4個ずつ備え、本体コラム(メインフレーム)に取り
付けられた、例えば6個の加速度計の計測値に基づいて
前記ボイスコイルモータ等を制御することにより本体コ
ラムの振動を制御するアクティブ防振台が採用されてい
る。
In these reduction projection exposure apparatuses, as a stage apparatus, first, a base plate serving as a reference of the apparatus is installed on the floor surface, and a reticle stage, a wafer, and a reticle are placed on the base plate via a vibration isolating table for isolating floor vibration. A stage on which a main body column supporting a stage, a projection optical system (projection lens), and the like is mounted is often used. In recent stage devices, for example, four actuators such as an air mount (vibration isolating pad) and a voice coil motor which are arranged near each vertex of a quadrilateral and whose internal pressure can be controlled are provided as the vibration isolating table. An active anti-vibration table mounted on a main frame) that controls the vibration of the main body column by controlling the voice coil motor and the like based on measurement values of, for example, six accelerometers is employed.

【0005】ところで、上記のステッパ等は、ウエハ上
のあるショット領域に対する露光の後、他のショット領
域に対して順次露光を繰り返すものであるから、ウエハ
ステージ(ステッパの場合)、あるいはレチクルステー
ジおよびウエハステージ(スキャニング・ステッパの場
合)の加速、減速運動によって生じる反力が本体コラム
の振動要因となって、投影光学系とウエハ等との相対位
置誤差を生じさせ、ウエハ上で設計値と異なる位置にパ
ターンが転写されたり、その位置誤差に振動成分を含む
場合には像ボケ(パターン線幅の増大)を招く原因にな
るという不都合があった。
Since the above-mentioned stepper or the like repeats exposure of a certain shot area on a wafer and then successive exposure of another shot area, the wafer stage (in the case of a stepper) or a reticle stage and a reticle stage are used. The reaction force generated by acceleration and deceleration of the wafer stage (in the case of a scanning stepper) causes vibration of the main body column, causing a relative position error between the projection optical system and the wafer, etc., which differs from the design value on the wafer. When a pattern is transferred to a position or when the position error includes a vibration component, there is a disadvantage that image blurring (increase in pattern line width) is caused.

【0006】そこで、従来、上記のようなアクティブ防
振台では、定盤上をステージ本体が移動する際に定盤に
加わる反力を加速度計により計測し、この反力を相殺す
る推力(以後、カウンターフォースと称する)をアクチ
ュエータで発生させることによって上述した不都合を抑
制していた。ところが、ステージ本体の移動量が大きく
なると露光装置本体の重心位置の変化量も大きくなり、
それを補うためにアクチュエータに必要とされる推力も
大きくなる。アクチュエータの駆動には、一般に発熱を
伴うため、アクチュエータの駆動頻度や駆動量が増加す
ることで露光装置が設置されている空間の温度変化が大
きくなり、高精度の露光処理に支障を来す虞がある。
Therefore, conventionally, in the above-described active vibration isolating table, a reaction force applied to the surface plate when the stage main body moves on the surface plate is measured by an accelerometer, and a thrust (hereinafter referred to as "thrust force") for canceling the reaction force. , A counterforce) is generated by the actuator, thereby suppressing the above-described inconvenience. However, as the amount of movement of the stage body increases, the amount of change in the center of gravity of the exposure apparatus body also increases,
The thrust required by the actuator to make up for it also increases. Since the driving of the actuator generally generates heat, an increase in the driving frequency and the driving amount of the actuator causes a large temperature change in the space where the exposure apparatus is installed, which may hinder high-precision exposure processing. There is.

【0007】そのため、従来では、ステージ移動に伴う
偏荷重分をアクチュエータで補正した後に、定常発熱
(アクチュエータの発生する推力の低周波成分)をキャ
ンセルするためにエアマウントによるエアサーボに切り
替えることで、アクチュエータに必要とされる推力の一
部をエアマウントの推力で置換させて、アクチュエータ
自体の発熱量を抑えていた。ここで、エアマウントの駆
動は、例えば後方側に位置する2個が前方側に位置する
2個よりもスパンが小さい場合、ベースプレートに対す
る捻れを小さくするために後方側の2個を同一の空圧系
統で、残りの2個をそれぞれ個別の空圧系統で制御す
る、いわゆる擬似3点制御で行われ、アクチュエータの
駆動は4個をそれぞれ個別の電気系統で制御する4点制
御で行われる。
[0007] Therefore, in the related art, after correcting an unbalanced load due to the stage movement by an actuator, the actuator is switched to an air servo using an air mount to cancel steady heat generation (low-frequency component of thrust generated by the actuator). A part of the thrust required for the actuator is replaced by the thrust of the air mount, thereby suppressing the heat generation of the actuator itself. Here, the drive of the air mount is performed, for example, in a case where the two located on the rear side have a smaller span than the two located on the front side, the two on the rear side have the same pneumatic pressure in order to reduce the twist with respect to the base plate. In the system, the remaining two are controlled by so-called pseudo three-point control in which each is controlled by a separate pneumatic system, and the actuators are driven by four-point control in which four are controlled by separate electric systems.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の定盤制御装置および露光装置には、以下
のような問題が存在する。近時においては、半導体デバ
イスの微細化や露光処理の高速化の要請が益々高まって
きており、この要請に応えることができる露光装置が要
望されている。ところが、実機では、レーザ干渉計等で
ステージ本体の目標位置を管理し、十分な精度に追い込
んだとしても、露光後のチップを計測すると10nm前
後のチップ間の相対位置ズレがあり、またステージ本体
の加速度、速度が大きくなると上記チップ間の相対位置
ズレが大きくなる傾向にあることが判明してきている。
However, the conventional platen control device and exposure apparatus as described above have the following problems. In recent years, demands for miniaturization of semiconductor devices and speeding up of exposure processing have been increasing more and more, and an exposure apparatus capable of responding to this demand has been demanded. However, in the actual machine, even if the target position of the stage body is managed by a laser interferometer or the like and the accuracy is adjusted to a sufficient level, there is a relative positional deviation between the chips of about 10 nm when the exposed chip is measured. It has been found that the relative position shift between the chips tends to increase as the acceleration and speed of the chip increase.

【0009】この原因としては、本体コラム全体(また
はベースプレート)の歪み、もしくは微小な変形に依存
する部分もある。即ち、本体コラムに変形が生じると、
レーザ干渉計や投影光学系とステージ本体との位置関係
も変動し、ステージ本体の位置制御に誤差が発生するこ
とになる。本体コラムの変形を誘発する原因の一つとし
て、ステージ移動に伴う偏荷重分を補正するためにアク
チュエータからエアサーボに切り替えるときに、擬似3
点制御で構成されるエアマウントで捻ってしまうことが
考えられる。この場合、本体コラム側に設置されたレー
ザ干渉計とステージ本体との位置関係が変動し、レーザ
干渉計で計測されるステージ本体の見かけの位置も変動
してしまう。結果として、例えば投影光学系に対するス
テージ本体の位置を正確に管理できなくなる。
As a cause of this, there is a part depending on distortion of the whole main body column (or the base plate) or minute deformation. That is, if the main body column is deformed,
The positional relationship between the laser interferometer and the projection optical system and the stage body also fluctuates, and an error occurs in the position control of the stage body. As one of the causes of the deformation of the main body column, when switching from the actuator to the air servo to correct the eccentric load due to the stage movement, a pseudo 3
It is conceivable that the air mount may be twisted by an air mount configured by point control. In this case, the positional relationship between the laser interferometer installed on the main body column side and the stage main body changes, and the apparent position of the stage main body measured by the laser interferometer also changes. As a result, for example, the position of the stage main body with respect to the projection optical system cannot be managed accurately.

【0010】従って、この微小変形を予測できる場合
は、変形に応じてステージ本体の位置を補正することが
考えられるが、実際にはアクチュエータとエアマウント
との制御形態が異なるため、双方の推力と変形との相関
関係を取ることが困難であり、ステージ本体の位置を完
全には補正できなかった。
Therefore, when this minute deformation can be predicted, it is conceivable to correct the position of the stage body in accordance with the deformation. However, since the control modes of the actuator and the air mount are actually different, the thrust of both the actuator and the air mount are different. It was difficult to take a correlation with the deformation, and the position of the stage body could not be completely corrected.

【0011】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、本体コラムの変形とステージ本体の位置と
の相関関係を容易に管理できるステージ装置および露光
装置を提供することを目的とする。また、本発明の別の
目的は、本体コラムの変形がステージ位置の制御に与え
る影響をキャンセルできるステージ装置および露光装置
を提供することである。
The present invention has been made in consideration of the above points, and has as its object to provide a stage apparatus and an exposure apparatus which can easily manage the correlation between the deformation of the main body column and the position of the stage main body. And Another object of the present invention is to provide a stage apparatus and an exposure apparatus which can cancel the influence of the deformation of the main body column on the control of the stage position.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、実施の形態を示す図1ないし図5に対応
付けした以下の構成を採用している。本発明の定盤制御
装置は、定盤(3、6)上を移動するステージ本体
(2、5)と、支持部(8、10)に支持されてステー
ジ本体(2、5)の移動に伴う反力に対抗する推力を定
盤(3、6)に付与する複数のアクチュエータ(13A
〜13D、31A〜31D)および防振パッド(12A
〜12D、30A〜30D)とを備え、定盤(3、6)
がアクチュエータ(13A〜13D、31A〜31D)
および防振パッド(12A〜12D、30A〜30D)
を介して支持部(8、10)に支持されるステージ装置
(4、7)であって、複数の防振パッド(12A〜12
D、30A〜30D)の駆動を防振パッド(12A〜1
2D、30A〜30D)の数以下の組で制御する第1制
御系(73)と、複数のアクチュエータ(13A〜13
D、31A〜31D)の駆動を、前記組をなす防振パッ
ド(12A〜12D、30A〜30D)のそれぞれに対
応するアクチュエータ(13A〜13D、31A〜31
D)の組で制御する第2制御系(74)と、第1制御系
(73)と第2制御系(74)とを制御して、防振パッ
ド(12A〜12D、30A〜30D)とアクチュエー
タ(13A〜13D、31A〜31D)との対応する組
同士を対で駆動させる第3制御系(75)を備えること
を特徴とするものである。
In order to achieve the above object, the present invention employs the following structure corresponding to FIGS. 1 to 5 showing an embodiment. The platen control device of the present invention includes a stage body (2, 5) moving on a platen (3, 6) and a stage body (2, 5) supported by a support portion (8, 10). A plurality of actuators (13A) for applying thrusts against the accompanying reaction force to the surface plate (3, 6)
To 13D, 31A to 31D) and vibration-isolating pad (12A
To 12D, 30A to 30D), and a surface plate (3, 6).
Are actuators (13A to 13D, 31A to 31D)
And anti-vibration pads (12A-12D, 30A-30D)
A stage device (4, 7) supported by a support portion (8, 10) through a plurality of anti-vibration pads (12A to 12A).
D, 30A to 30D) is driven by the vibration-isolating pad (12A to 1D).
2D, 30A to 30D) and a plurality of actuators (13A to 13D);
D, 31A to 31D) are driven by actuators (13A to 13D, 31A to 31D) corresponding to the vibration-isolating pads (12A to 12D, 30A to 30D) forming the set.
D), a second control system (74) controlled by a set, and a first control system (73) and a second control system (74) are controlled to form anti-vibration pads (12A to 12D, 30A to 30D). A third control system (75) for driving a corresponding pair of actuators (13A to 13D, 31A to 31D) in pairs is provided.

【0013】従って、本発明の定盤制御装置では、例え
ば第1制御系(73)が4個の防振パッド(12A〜1
2D、30A〜30D)を擬似3点の組で制御したとき
に、第2制御系(74)が組をなす防振パッド(12A
〜12D、30A〜30D)と対応するアクチュエータ
(13A〜13D、31A〜31D)を防振パッド(1
2A〜12D、30A〜30D)と同様に擬似3点の組
で制御し、これらを同期駆動させることにより、これら
防振パッド(12A〜12D、30A〜30D)、アク
チュエータ(13A〜13D、31A〜31D)を支持
する支持部(8、10)に再現性の高い変形を発生させ
ることができる。そのため、防振パッド(12A〜12
D、30A〜30D)、アクチュエータ(13A〜13
D、31A〜31D)の推力に応じた支持部(8、1
0)の変形量を管理することにより、支持部(8、1
0)の変形量とステージ本体(2、5)の位置との相関
関係を管理することができる。
Therefore, in the platen control device of the present invention, for example, the first control system (73) includes four anti-vibration pads (12A to 1A).
When the 2D, 30A to 30D) are controlled by a set of pseudo three points, the second control system (74) forms a set of vibration isolating pads (12A, 30A to 30D).
To 12D, 30A to 30D) and the corresponding actuators (13A to 13D, 31A to 31D) with the vibration isolating pad (1
As in the case of 2A to 12D and 30A to 30D), control is performed by a set of three pseudo points, and these are synchronously driven, so that these vibration isolating pads (12A to 12D, 30A to 30D) and actuators (13A to 13D, 31A to Deformation with high reproducibility can be generated in the supporting portions (8, 10) that support the 3D). Therefore, anti-vibration pads (12A to 12A
D, 30A-30D), actuators (13A-13)
D, 31A to 31D) corresponding to the thrusts (8, 1
0), the supporting portions (8, 1
The correlation between the amount of deformation 0) and the position of the stage main body (2, 5) can be managed.

【0014】また、本発明の露光装置は、マスクステー
ジ(2)に保持されたマスク(R)のパターンを基板ス
テージ(5)に保持された基板(W)に露光する露光装
置(1)において、マスクステージ(2)と基板ステー
ジ(5)との少なくとも一方には、請求項1から4のい
ずれか1項に記載されたステージ装置(4、7)が用い
られることを特徴とするものである。
The exposure apparatus according to the present invention is an exposure apparatus (1) for exposing a pattern of a mask (R) held on a mask stage (2) to a substrate (W) held on a substrate stage (5). The stage device (4, 7) according to any one of claims 1 to 4 is used for at least one of the mask stage (2) and the substrate stage (5). is there.

【0015】従って、本発明の露光装置では、マスク
(R)のパターンを基板(W)に露光する際に、支持部
(8、10)の変形量とステージ本体(2、5)の位置
との相関関係を管理することにより、支持部(8、1
0)の変形量に応じてマスク(R)と基板(W)との少
なくとも一方の位置を管理することができる。
Therefore, in the exposure apparatus of the present invention, when exposing the pattern of the mask (R) to the substrate (W), the amount of deformation of the supporting portions (8, 10) and the position of the stage main bodies (2, 5) are determined. By managing the correlation of
The position of at least one of the mask (R) and the substrate (W) can be managed according to the deformation amount of 0).

【0016】さらに、本発明の露光装置は、パターンを
有したマスク(R)を保持するマスクステージ(2)と
基板(W)を保持する基板ステージ(5)とを同期移動
して、前記パターンを投影光学系(PL)を介して基板
(W)に露光する露光装置(1)において、マスクステ
ージ(2)と基板ステージ(5)との少なくとも一方と
投影光学系(PL)とを保持する露光本体部(8)と、
前記同期移動に起因する露光本体部(8)の変形量に基
づいて、マスクステージ(2)と基板ステージ(5)と
の少なくとも一方の移動量を変更するステージ制御装置
(62)とを備えたことを特徴とするものである。
Further, in the exposure apparatus of the present invention, the mask stage (2) for holding a mask (R) having a pattern and the substrate stage (5) for holding a substrate (W) are synchronously moved, and (1) that exposes a substrate (W) through a projection optical system (PL), holds at least one of a mask stage (2) and a substrate stage (5) and a projection optical system (PL). An exposure body (8);
A stage controller (62) for changing at least one of the mask stage (2) and the substrate stage (5) based on the amount of deformation of the exposure main body (8) caused by the synchronous movement. It is characterized by the following.

【0017】従って、本発明の露光装置では、露光本体
部(8)の変形量に応じて発生するマスクステージ
(2)と基板ステージ(5)との少なくとも一方の位置
ズレをステージ制御装置(62)がステージ(2、5)
の移動量を変更することで補正できるので、両ステージ
(2、5)の同期移動時に露光本体部(8)が変形して
も、ステージの位置制御に与える影響を排除してマスク
(R)と基板(W)との少なくとも一方の位置を高精度
に制御することができる。
Therefore, in the exposure apparatus of the present invention, the position control of at least one of the mask stage (2) and the substrate stage (5), which occurs according to the amount of deformation of the exposure main body (8), is performed by the stage controller (62). ) Is the stage (2, 5)
Can be corrected by changing the movement amount of the mask (R) even if the exposure main body (8) is deformed during the synchronous movement of the two stages (2, 5) without affecting the position control of the stage. The position of at least one of the substrate and the substrate (W) can be controlled with high accuracy.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明のステージ装置およ
び露光装置の実施の形態を、図1ないし図5を参照して
説明する。ここでは、例えば露光装置として、レチクル
とウエハとを同期移動しつつ、レチクルに形成された半
導体デバイスの回路パターンをウエハ上に転写する、ス
キャニング・ステッパを使用する場合の例を用いて説明
する。また、この露光装置においては、本発明のステー
ジ装置をレチクルステージおよびウエハステージの双方
に適用するものとする。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a stage apparatus and an exposure apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS. Here, an example in which a scanning stepper that transfers a circuit pattern of a semiconductor device formed on a reticle onto a wafer while synchronously moving a reticle and a wafer is used as an exposure apparatus will be described. In this exposure apparatus, the stage apparatus of the present invention is applied to both a reticle stage and a wafer stage.

【0019】図1に示す露光装置1は、光源(不図示)
からの露光用照明光によりレチクル(マスク)R上の矩
形状(あるいは円弧状)の照明領域を均一な照度で照明
する照明光学系IU、レチクルRを保持するマスクステ
ージとしてのレチクルステージ(ステージ本体)2およ
び該レチクルステージ2を支持するレチクル定盤(定
盤)3を含むステージ装置4、レチクルRから射出され
る照明光をウエハ(基板)W上に投影する投影光学系P
L、ウエハWを保持する基板ステージとしてのウエハス
テージ(ステージ本体)5および該ウエハステージ5を
保持するウエハ定盤(定盤)6を含むステージ装置7、
上記ステージ装置4および投影光学系PLを支持(保
持)するリアクションフレーム(露光本体部、支持部)
8とから概略構成されている。なお、ここで投影光学系
PLの光軸方向をZ方向とし、このZ方向と直交する方
向でレチクルRとウエハWの同期移動方向をY方向と
し、非同期移動方向をX方向とする。また、それぞれの
軸周りの回転方向をθZ、θY、θXとする。
An exposure apparatus 1 shown in FIG. 1 includes a light source (not shown).
An illumination optical system IU for illuminating a rectangular (or circular) illumination area on a reticle (mask) R with uniform illumination by exposure illumination light from the reticle (mask) R, and a reticle stage (stage body) as a mask stage for holding the reticle R 2) and a stage apparatus 4 including a reticle surface plate (surface plate) 3 for supporting the reticle stage 2, a projection optical system P for projecting illumination light emitted from the reticle R onto a wafer (substrate) W
L, a stage device 7 including a wafer stage (stage main body) 5 as a substrate stage for holding the wafer W and a wafer surface plate (surface plate) 6 for holding the wafer stage 5;
Reaction frame (exposure main body, support) for supporting (holding) stage device 4 and projection optical system PL
8. Here, the optical axis direction of the projection optical system PL is defined as the Z direction, the direction of the synchronous movement of the reticle R and the wafer W is defined as the Y direction, and the direction of the asynchronous movement is defined as the X direction in a direction perpendicular to the Z direction. The rotation directions around the respective axes are denoted by θZ, θY, and θX.

【0020】照明光学系IUは、リアクションフレーム
8の上面に固定された支持コラム9によって支持され
る。なお、露光用照明光としては、例えば超高圧水銀ラ
ンプから射出される紫外域の輝線(g線、i線)および
KrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外
光(DUV光)や、ArFエキシマレーザ光(波長19
3nm)およびF2レーザ光(波長157nm)等の真
空紫外光(VUV)などが用いられる。
The illumination optical system IU is supported by a support column 9 fixed on the upper surface of the reaction frame 8. Examples of the illumination light for exposure include far ultraviolet light (DUV light) such as an ultraviolet bright line (g-line, i-line) and KrF excimer laser light (wavelength: 248 nm) emitted from an ultra-high pressure mercury lamp, and ArF. Excimer laser light (wavelength 19
Vacuum ultraviolet light (VUV) such as 3 nm) and F 2 laser light (wavelength 157 nm).

【0021】リアクションフレーム8は、床面に水平に
載置されたベースプレート(支持部)10上に設置され
ており、その上部側および下部側には、内側に向けて突
出する段部8aおよび8bがそれぞれ形成されている。
The reaction frame 8 is installed on a base plate (supporting portion) 10 placed horizontally on the floor surface, and its upper and lower sides have step portions 8a and 8b protruding inward. Are formed respectively.

【0022】ステージ装置4の中、レチクル定盤3は、
各コーナーにおいてリアクションフレーム8の段部8a
に防振ユニット11を介してほぼ水平に支持されており
(なお、図1では紙面奥側の防振ユニットについては図
示せず)、その中央部にはレチクルRに形成されたパタ
ーン像が通過する開口3aが形成されている。防振ユニ
ット11は、内圧が調整可能なエアマウント(防振パッ
ド)12A〜12D(図1では前方側の12A、12B
のみ図示)と、固定子及び可動子からなるボイスコイル
モータ(アクチュエータ)13A〜13D(図1では前
方側の13A、13Bのみ図示)とが段部8a上に直列
に対をなして配置された構成になっている。
In the stage device 4, the reticle platen 3 is
Step 8a of reaction frame 8 at each corner
(FIG. 1 does not show the anti-vibration unit on the back side of the drawing), and a pattern image formed on the reticle R passes through the center of the reticle R. Opening 3a is formed. The anti-vibration unit 11 includes air mounts (anti-vibration pads) 12A to 12D (in FIG. 1, the front side 12A, 12B
(Shown only) and voice coil motors (actuators) 13A to 13D (only the front side 13A and 13B are shown in FIG. 1) composed of a stator and a mover are arranged in series on the step 8a in pairs. It has a configuration.

【0023】図2に示すように、前方側のエアマウント
12A、12Bは、エア供給源71から供給される空気
がそれぞれ電磁弁72A、72Bで調整される個別の空
圧系統で制御されている。また、エアマウント12A、
12Bより小さなスパンで配置された後方側のエアマウ
ント12C、12Dは、エア供給源71から供給される
空気が1つの電磁弁72Cで調整される同一の空圧系統
で制御されている。
As shown in FIG. 2, the air mounts 12A and 12B on the front side are controlled by individual pneumatic systems in which air supplied from an air supply source 71 is adjusted by solenoid valves 72A and 72B, respectively. . Also, air mount 12A,
The rear air mounts 12C and 12D arranged with a span smaller than 12B are controlled by the same pneumatic system in which the air supplied from the air supply source 71 is adjusted by one electromagnetic valve 72C.

【0024】すなわち、4個のエアマウント12A〜1
2Dにおいては、2個が同一の空圧系統で、残りの2個
が個別の空圧系統で制御される、擬似3点(3組)制御
が構築されている。これらエアマウント12A〜12D
に供給される空気の流量は、電磁弁72A〜72Cにお
ける絞りの有効断面積と圧力比によって決まるため、両
者の組み合わせにより単位時間あたりの空気供給量は任
意に設定可能である。なお、各電磁弁72A〜72Cの
作動は、空圧制御系(第1制御系)73により制御され
る。
That is, the four air mounts 12A to 12A
In 2D, pseudo three-point (three sets) control is constructed in which two are controlled by the same pneumatic system and the remaining two are controlled by individual pneumatic systems. These air mounts 12A to 12D
The flow rate of the air supplied to the solenoid valves 72A to 72C is determined by the effective sectional area of the throttles and the pressure ratio in the solenoid valves 72A to 72C. The operation of each of the solenoid valves 72A to 72C is controlled by a pneumatic control system (first control system) 73.

【0025】また、ボイスコイルモータ13A〜13D
においてもエアマウント12A〜12Dと同様に、前方
側のボイスコイルモータ13A、13Bは、電圧制御系
(第2制御系)74により可動子内のコイルに流れる電
流をそれぞれ個別に制御される。そして、ボイスコイル
モータ13A、13Bより小さなスパンで配置された後
方側のボイスコイルモータ13C、13Dは、電圧制御
系74により同一の制御系統で制御されている。
The voice coil motors 13A to 13D
Also, in the same manner as in the air mounts 12A to 12D, the front voice coil motors 13A and 13B are individually controlled by the voltage control system (second control system) 74 for the current flowing through the coils in the mover. The rear voice coil motors 13C and 13D arranged at a smaller span than the voice coil motors 13A and 13B are controlled by the same control system by the voltage control system 74.

【0026】換言すると、4個のボイスコイルモータ1
3A〜13Dは、擬似3点制御されるエアマウント12
A〜12Dのそれぞれに対応するように擬似3点(3
組)で制御される。なお、空圧制御系73及び電圧制御
系74は、振動制御部(第3制御系)75により統括制
御される。また、図示しないものの、このステージ装置
4には、電圧制御系74に制御され、レチクル定盤3を
±X方向および±Y方向にそれぞれ付勢するボイスコイ
ルモータも床上に固定された不図示の支柱に固定されて
設けられており、これらのボイスコイルモータおよびエ
アマウントによってレチクルステージ2の移動(駆動)
に伴う反力に対抗するためのカウンターフォースが付与
される。
In other words, the four voice coil motors 1
3A to 13D are air mounts 12 controlled by pseudo three points.
A pseudo three points (3
Pair). The air pressure control system 73 and the voltage control system 74 are totally controlled by a vibration control unit (third control system) 75. Although not shown, the stage device 4 also has a voice coil motor which is controlled by a voltage control system 74 and urges the reticle platen 3 in the ± X direction and the ± Y direction. The reticle stage 2 is fixed (moved) by the voice coil motor and the air mount.
A counterforce is provided to counter the reaction force associated with.

【0027】レチクル定盤3上には、レチクルステージ
2が該レチクル定盤3に沿って2次元的に移動可能に支
持されている。レチクルステージ2の底面には、非接触
ベアリングである複数のエアベアリング(エアパッド)
14が固定されており、これらのエアベアリング14に
よってレチクルステージ2がレチクル定盤3上に数ミク
ロン程度のクリアランスを介して浮上支持されている。
また、レチクルステージ2の中央部には、レチクル定盤
3の開口3aと連通し、レチクルRのパターン像が通過
する開口2aが形成されている。
A reticle stage 2 is supported on the reticle base 3 so as to be two-dimensionally movable along the reticle base 3. On the bottom surface of the reticle stage 2, a plurality of air bearings (air pads) which are non-contact bearings
The reticle stage 2 is levitated and supported by the air bearings 14 on the reticle surface plate 3 with a clearance of about several microns.
At the center of the reticle stage 2, there is formed an opening 2a which communicates with the opening 3a of the reticle platen 3 and through which the pattern image of the reticle R passes.

【0028】レチクルステージ2について詳述すると、
図3に示すように、レチクルステージ2は、レチクル定
盤3上を一対のYリニアモータ15、15によってY軸
方向に所定ストロークで駆動されるレチクル粗動ステー
ジ16と、このレチクル粗動ステージ16上を一対のX
ボイスコイルモータ17Xと一対のYボイスコイルモー
タ17YとによってX、Y、θZ方向に微小駆動される
レチクル微動ステージ18とを備えた構成になっている
(なお、図1では、これらを1つのステージとして図示
している)。
The reticle stage 2 will be described in detail.
As shown in FIG. 3, the reticle stage 2 includes a reticle coarse movement stage 16 driven on the reticle surface plate 3 by a pair of Y linear motors 15 and 15 in a predetermined stroke in the Y-axis direction. A pair of X above
A reticle fine movement stage 18 that is finely driven in the X, Y, and θZ directions by a voice coil motor 17X and a pair of Y voice coil motors 17Y is provided. As illustrated).

【0029】また、レチクルステージ2は、図4の制御
ブロック図に示すように、これらYリニアモータ15、
15、Xボイスコイルモータ17X、Yボイスコイルモ
ータ17Yから構成されるRS駆動部61を介してステ
ージ制御部(ステージ制御装置)62によって、その駆
動を制御されている。そして、ステージ制御部62は、
照明光学系IUや投影光学系PL等と共に主制御部47
によって統括的に制御されている。
As shown in the control block diagram of FIG. 4, the reticle stage 2 has these Y linear motors 15 and
15. The drive of the stage is controlled by a stage control unit (stage control device) 62 via an RS drive unit 61 including an X voice coil motor 17X and a Y voice coil motor 17Y. Then, the stage control unit 62
The main control unit 47 together with the illumination optical system IU, the projection optical system PL, and the like.
Is generally controlled by

【0030】各Yリニアモータ15は、レチクル定盤3
上に非接触ベアリングである複数のエアベアリング(エ
アパッド)19によって浮上支持されY軸方向に延びる
固定子20と、この固定子20に対応して設けられ、連
結部材22を介してレチクル粗動ステージ16に固定さ
れた可動子21とから構成されている。
Each Y linear motor 15 has a reticle surface plate 3
A stator 20 floating above and supported in the Y-axis direction by a plurality of air bearings (air pads) 19 as non-contact bearings, and a reticle coarse movement stage provided corresponding to the stator 20 via a connecting member 22 The movable element 21 is fixed to the movable element 16.

【0031】レチクル粗動ステージ16は、レチクル定
盤3の中央部に形成された上部突出部3bの上面に固定
されY軸方向に延びる一対のYガイド51、51によっ
てY軸方向に案内されるようになっている。また、レチ
クル粗動ステージ16は、これらYガイド51、51に
対して不図示のエアベアリングによって非接触で支持さ
れている。
The reticle coarse movement stage 16 is guided in the Y-axis direction by a pair of Y guides 51, 51 fixed to the upper surface of an upper protruding portion 3b formed in the center of the reticle surface plate 3 and extending in the Y-axis direction. It has become. The reticle coarse movement stage 16 is supported by the Y guides 51 and 51 by an air bearing (not shown) in a non-contact manner.

【0032】レチクル微動ステージ18には、不図示の
バキュームチャックを介してレチクルRが吸着保持され
るようになっている。レチクル微動ステージ18の−Y
方向の端部には、コーナキューブからなる一対のY移動
鏡52a、52bが固定され、また、レチクル微動ステ
ージ18の+X方向の端部には、Y軸方向に延びる平面
ミラーからなるX移動鏡53が固定されている。そし
て、これら移動鏡52a、52b、53に対して測長ビ
ームを照射する3つのレーザ干渉計(いずれも不図示)
が各移動鏡との距離を計測することにより、レチクルス
テージ2のX、Y、θZ(Z軸周りの回転)方向の位置
が高精度に計測される。
A reticle R is held on the reticle fine movement stage 18 via a vacuum chuck (not shown). -Y of reticle fine movement stage 18
A pair of Y moving mirrors 52a and 52b formed of corner cubes are fixed to the ends in the direction, and an X moving mirror formed of a plane mirror extending in the Y axis direction is provided to the + X direction end of the reticle fine movement stage 18. 53 is fixed. Then, three laser interferometers (all not shown) for irradiating the movable mirrors 52a, 52b, and 53 with a measurement beam.
By measuring the distance from each movable mirror, the position of the reticle stage 2 in the X, Y, θZ (rotation around the Z axis) direction can be measured with high accuracy.

【0033】図1に戻り、投影光学系PLとして、ここ
では物体面(レチクルR)側と像面(ウエハW)側の両
方がテレセントリックで円形の投影視野を有し、石英や
蛍石を光学硝材とした屈折光学素子(レンズ素子)から
なる1/4(または1/5)縮小倍率の屈折光学系が使
用されている。このため、レチクルRに照明光が照射さ
れると、レチクルR上の回路パターンのうち、照明光で
照明された部分からの結像光束が投影光学系PLに入射
し、その回路パターンの部分倒立像が投影光学系PLの
像面側の円形視野の中央にスリット状に制限されて結像
される。これにより、投影された回路パターンの部分倒
立像は、投影光学系PLの結像面に配置されたウエハW
上の複数のショット領域のうち、1つのショット領域表
面のレジスト層に縮小転写される。
Returning to FIG. 1, as the projection optical system PL, here, both the object plane (reticle R) side and the image plane (wafer W) side are telecentric and have a circular projection visual field. A refraction optical system having a 1/4 (or 1/5) reduction magnification composed of a refraction optical element (lens element) made of a glass material is used. For this reason, when the reticle R is irradiated with the illumination light, of the circuit pattern on the reticle R, an image forming light beam from a portion illuminated by the illumination light enters the projection optical system PL, and the circuit pattern is partially inverted. The image is limited to a slit shape and formed at the center of the circular field on the image plane side of the projection optical system PL. Thus, the projected partial inverted image of the circuit pattern is transferred to the wafer W placed on the image forming plane of the projection optical system PL.
Of the plurality of upper shot areas, the reduced transfer is performed to the resist layer on the surface of one shot area.

【0034】投影光学系PLの鏡筒部の外周には、該鏡
筒部に一体化されたフランジ23が設けられている。そ
して、投影光学系PLは、リアクションフレーム8の段
部8bに防振ユニット24を介してほぼ水平に支持され
た鋳物等で構成された鏡筒定盤25に、光軸方向をZ方
向として上方から挿入されるとともに、フランジ23が
係合している。
A flange 23 integrated with the lens barrel is provided on the outer periphery of the lens barrel of the projection optical system PL. Then, the projection optical system PL is mounted on a lens barrel base 25 made of a casting or the like substantially horizontally supported on the step portion 8b of the reaction frame 8 via a vibration isolating unit 24 with the optical axis direction being the Z direction. And the flange 23 is engaged.

【0035】フランジ23の素材としては、低熱膨張の
材質、例えばインバー(Inver;ニッケル36%、
マンガン0.25%、および微量の炭素と他の元素を含
む鉄からなる低膨張の合金)が用いられている。このフ
ランジ23は、投影光学系PLを鏡筒定盤25に対して
点と面とV溝とを介して3点で支持する、いわゆるキネ
マティック支持マウントを構成している。このようなキ
ネマティック支持構造を採用すると、投影光学系PLの
鏡筒定盤25に対する組み付けが容易で、しかも組み付
け後の鏡筒定盤25および投影光学系PLの振動、温度
変化等に起因する応力を最も効果的に軽減できるという
利点がある。
The material of the flange 23 is a material having a low thermal expansion, for example, Invar (nickel 36%,
(A low-expansion alloy composed of 0.25% of manganese and iron containing trace amounts of carbon and other elements). The flange 23 constitutes a so-called kinematic support mount that supports the projection optical system PL at three points with respect to the barrel base 25 via points, surfaces, and V-grooves. When such a kinematic support structure is employed, it is easy to assemble the projection optical system PL to the lens barrel base 25, and it is caused by vibrations, temperature changes, and the like of the assembled lens barrel base 25 and the projection optical system PL. There is an advantage that stress can be reduced most effectively.

【0036】防振ユニット24は、鏡筒定盤25の各コ
ーナーに配置され(なお、紙面奥側の防振ユニットにつ
いては図示せず)、内圧が調整可能なエアマウント(防
振パッド)26A〜26D(図1では前方側の26A、
26Bのみ図示)と固定子及び可動子からなるボイスコ
イルモータ(アクチュエータ)27A〜27D(図1で
は前方側の27A、27Bのみ図示)とが段部8b上に
直列に配置された構成になっている。これら防振ユニッ
ト24によって、ベースプレート10およびリアクショ
ンフレーム8を介して鏡筒定盤25(ひいては投影光学
系PL)に伝わる微振動がマイクロGレベルで絶縁され
るようになっている。なお、エアマウント26A〜26
Dおよびボイスコイルモータ27A〜27Dの駆動も、
空圧制御系73および電圧制御系74をそれぞれ介して
振動制御部75に制御されている。
The anti-vibration unit 24 is disposed at each corner of the lens barrel base 25 (the anti-vibration unit on the back side of the drawing is not shown), and an air mount (anti-vibration pad) 26A whose internal pressure can be adjusted. To 26D (26A on the front side in FIG. 1,
26B) and voice coil motors (actuators) 27A to 27D (only the front 27A and 27B are shown in FIG. 1) composed of a stator and a mover are arranged in series on the step 8b. I have. These vibration isolation units 24 insulate, at the micro G level, minute vibrations transmitted to the lens barrel base 25 (and the projection optical system PL) via the base plate 10 and the reaction frame 8. The air mounts 26A to 26A
D and the voice coil motors 27A to 27D are also driven.
It is controlled by the vibration control unit 75 via the air pressure control system 73 and the voltage control system 74, respectively.

【0037】ステージ装置7は、ウエハWを保持するウ
エハステージ5、このウエハステージ5をXY平面に沿
った2次元方向に移動可能に支持するウエハ定盤6を主
体に構成されている。ウエハステージ5の底面には、非
接触ベアリングである複数のエアベアリング(エアパッ
ド)28が固定されており、これらのエアベアリング2
8によってウエハステージ5がウエハ定盤6上に、例え
ば数ミクロン程度のクリアランスを介して浮上支持され
ている。
The stage device 7 mainly includes a wafer stage 5 for holding a wafer W, and a wafer surface plate 6 for supporting the wafer stage 5 movably in a two-dimensional direction along the XY plane. A plurality of air bearings (air pads) 28 which are non-contact bearings are fixed to the bottom surface of the wafer stage 5.
The wafer stage 5 is floated and supported on the wafer surface plate 6 by a clearance of, for example, about several microns.

【0038】ウエハ定盤6は、ベースプレート10の上
方に、防振ユニット29を介してほぼ水平に支持されて
いる。防振ユニット29は、ウエハ定盤6の各コーナー
に配置され(なお、図1では紙面奥側の防振ユニットに
ついては図示せず)、内圧が調整可能なエアマウント
(防振パッド)30A〜30D(図1では前方側の30
A、30Bのみ図示)とボイスコイルモータ(アクチュ
エータ)31A〜31D(図1では前方側の31A、3
1Bのみ図示)とがベースプレート10上に並列に配置
された構成になっている。
The wafer surface plate 6 is supported substantially horizontally above the base plate 10 via an anti-vibration unit 29. The anti-vibration units 29 are arranged at the corners of the wafer surface plate 6 (the anti-vibration units on the back side of the drawing are not shown in FIG. 1), and air mounts (anti-vibration pads) 30A to which the internal pressure can be adjusted. 30D (in FIG. 1, the front side 30D).
A and 30B only) and voice coil motors (actuators) 31A to 31D (in FIG.
(Only 1B is shown) are arranged in parallel on the base plate 10.

【0039】図2に示すように、エアマウント30A〜
30Dの中、前方側のエアマウント30A、30Bは、
レチクルステージ2側と同様に、エア供給源81から供
給される空気がそれぞれ電磁弁82A、82Bで調整さ
れる個別の空圧系統で制御されている。また、エアマウ
ント30A、30Bより小さなスパンで配置された後方
側のエアマウント30C、30Dは、エア供給源81か
ら供給される空気が1つの電磁弁82Cで調整される同
一の空圧系統で制御されている。
As shown in FIG.
The air mounts 30A and 30B on the front side in 30D are
Similarly to the reticle stage 2, the air supplied from the air supply source 81 is controlled by individual pneumatic systems adjusted by solenoid valves 82A and 82B, respectively. The rear air mounts 30C and 30D arranged at a smaller span than the air mounts 30A and 30B are controlled by the same pneumatic system in which the air supplied from the air supply source 81 is adjusted by one electromagnetic valve 82C. Have been.

【0040】すなわち、4個のエアマウント30A〜3
0Dにおいては、2個が同一の空圧系統で、残りの2個
が個別の空圧系統で制御される、擬似3点(3組)制御
が構築されている。これらエアマウント30A〜30D
に供給される空気の流量は、電磁弁82A〜82Cにお
ける絞りの有効断面積と圧力比によって決まるため、両
者の組み合わせにより単位時間あたりの空気供給量は任
意に設定可能である。なお、各電磁弁82A〜82Cの
作動も、空圧制御系73により制御される。
That is, the four air mounts 30A to 30A
In 0D, pseudo three-point (three sets) control is constructed in which two are controlled by the same pneumatic system and the remaining two are controlled by individual pneumatic systems. These air mounts 30A to 30D
Since the flow rate of air supplied to the electromagnetic valves 82A to 82C is determined by the effective cross-sectional area of the throttles and the pressure ratio in the solenoid valves 82A to 82C, the air supply amount per unit time can be arbitrarily set by a combination of the two. The operation of each of the solenoid valves 82A to 82C is also controlled by the pneumatic control system 73.

【0041】また、ボイスコイルモータ31A〜31D
においてもエアマウント30A〜30Dと同様に、前方
側のボイスコイルモータ31A、31Bは、電圧制御系
74により可動子内のコイルに流れる電流をそれぞれ個
別に制御される。そして、ボイスコイルモータ31A、
31Bより小さなスパンで配置された後方側のボイスコ
イルモータ31C、31Dは、電圧制御系74により同
一の制御系統で制御されている。
The voice coil motors 31A to 31D
In the same manner as in the air mounts 30A to 30D, the voice coil motors 31A and 31B on the front side are individually controlled by the voltage control system 74 for the current flowing through the coils in the mover. And the voice coil motor 31A,
The voice coil motors 31C and 31D on the rear side arranged with a span smaller than 31B are controlled by the same control system by the voltage control system 74.

【0042】換言すると、4個のボイスコイルモータ3
1A〜31Dは、擬似3点制御されるエアマウント30
A〜30Dのそれぞれに対応するように擬似3点(3
組)で制御される。また、図示しないものの、このステ
ージ装置7にも、電流制御系74に制御され、ウエハ定
盤6を±X方向および±Y方向にそれぞれ付勢するボイ
スコイルモータが床上に固定された不図示の支柱に固定
されて設けられている。これらのボイスコイルモータお
よびエアマウントによってウエハステージ5の移動(駆
動)に伴う反力に対抗するためのカウンターフォースが
付与される。
In other words, the four voice coil motors 3
1A to 31D are air mounts 30 controlled by pseudo three points.
A pseudo three points (3
Pair). Although not shown, the stage device 7 also has a voice coil motor, which is controlled by the current control system 74 and urges the wafer base 6 in the ± X direction and the ± Y direction, is fixed on the floor (not shown). It is provided fixed to a support. The voice coil motor and the air mount provide a counter force for counteracting a reaction force accompanying movement (drive) of the wafer stage 5.

【0043】上記レチクルステージ2およびウエハステ
ージ5におけるカウンターフォースは、図4に示すよう
に、主制御部47に接続されたカウンターフォース演算
部49によって、レチクルステージ2およびウエハステ
ージ5のステージ推力信号に基づいて演算される。ここ
で、演算されたカウンターフォースは、主制御部47を
介して振動制御部75に出力される。
As shown in FIG. 4, the counter force of the reticle stage 2 and the wafer stage 5 is converted into a stage thrust signal of the reticle stage 2 and the wafer stage 5 by a counter force calculator 49 connected to the main controller 47. It is calculated based on. Here, the calculated counterforce is output to the vibration control unit 75 via the main control unit 47.

【0044】ウエハステージ5は、該ウエハステージ5
をX方向に駆動する一対のリニアモータ32(ウエハス
テージ5よりも紙面手前側のリニアモータは図示せず)
と、ウエハステージ5をY方向に駆動する一対のリニア
モータ33とによってウエハ定盤6上をXY2次元方向
に移動自在になっている。リニアモータ32の固定子
は、ウエハステージ5のY方向両外側にX方向に沿って
延設されており、一対の連結部材34によって両端部相
互間が連結されて、矩形の枠体35が構成されている。
リニアモータ32の可動子は、ウエハステージ5のY方
向両側面に固定子に対向するように突設されている。
The wafer stage 5 is
A pair of linear motors 32 for driving the wafer in the X direction (a linear motor on the front side of the paper surface with respect to the wafer stage 5 is not shown)
And a pair of linear motors 33 for driving the wafer stage 5 in the Y direction, so that the wafer stage 5 can be moved on the wafer surface plate 6 in the XY two-dimensional directions. The stator of the linear motor 32 is extended along the X direction on both outer sides of the wafer stage 5 in the Y direction, and both ends are connected to each other by a pair of connecting members 34 to form a rectangular frame 35. Have been.
The mover of the linear motor 32 is provided on both sides of the wafer stage 5 in the Y direction so as to face the stator.

【0045】また、枠体35を構成する一対の連結部材
34またはリニアモータ32の下端面には、電機子ユニ
ットからなる可動子36,36がそれぞれ設けられてお
り、これらの可動子36,36に対応する磁石ユニット
を有する固定子37,37がY方向に延設されてベース
プレート10に突設されている。そして、これら可動子
36および固定子37によってムービングコイル型のリ
ニアモータ33が構成されており、可動子36は固定子
37との間の電磁気的相互作用によりY方向に駆動され
るようになっている。すなわち、このリニアモータ33
によって枠体35と一体的にウエハステージ5がY方向
に駆動されるようになっている。
Movers 36, 36 each composed of an armature unit are provided on the lower end surfaces of the pair of connecting members 34 or the linear motor 32 constituting the frame 35, respectively. Are extended in the Y direction and protrude from the base plate 10. The moving coil 36 and the stator 37 constitute a moving coil type linear motor 33. The moving element 36 is driven in the Y direction by electromagnetic interaction with the stator 37. I have. That is, this linear motor 33
Thereby, the wafer stage 5 is driven integrally with the frame 35 in the Y direction.

【0046】また、ウエハステージ5は、図4に示すよ
うに、これらリニアモータ32、33から構成されるW
S駆動部63を介して上記ステージ制御部62によっ
て、その駆動を制御される構成になっている。
Further, as shown in FIG. 4, the wafer stage 5 includes a W
The drive is controlled by the stage control section 62 via the S drive section 63.

【0047】ウエハステージ5の上面には、ウエハホル
ダ41を介してウエハWが真空吸着等によって固定され
る。また、ウエハステージ5のX方向の位置は、投影光
学系PLの鏡筒下端に固定された参照鏡42を基準とし
て、ウエハステージ5の一部に固定された移動鏡43の
位置変化を計測するレーザ干渉計44によって所定の分
解能、例えば0.5〜1nm程度の分解能でリアルタイ
ムに計測される。なお、上記参照鏡42、移動鏡43、
レーザ干渉計44とほぼ直交するように配置された不図
示の参照鏡、移動鏡、レーザ干渉計によってウエハステ
ージ5のY方向の位置が計測される。なお、これらレー
ザ干渉計の中、少なくとも一方は、測長軸を2軸以上有
する多軸干渉計であり、これらレーザ干渉計の計測値に
基づいてウエハステージ5(ひいてはウエハW)のXY
位置のみならず、θ回転量あるいはこれらに加え、レベ
リング量をも求めることができるようになっている。
On the upper surface of the wafer stage 5, a wafer W is fixed via a wafer holder 41 by vacuum suction or the like. Further, the position of wafer stage 5 in the X direction measures a change in position of movable mirror 43 fixed to a part of wafer stage 5 with reference to reference mirror 42 fixed to the lower end of the barrel of projection optical system PL. The measurement is performed in real time by the laser interferometer 44 at a predetermined resolution, for example, about 0.5 to 1 nm. The reference mirror 42, the moving mirror 43,
The position of the wafer stage 5 in the Y direction is measured by a reference mirror, a moving mirror, and a laser interferometer (not shown) that are arranged substantially orthogonal to the laser interferometer 44. At least one of these laser interferometers is a multi-axis interferometer having two or more measurement axes. Based on the measurement values of these laser interferometers, the XY
In addition to the position, the θ rotation amount or the leveling amount in addition to the θ rotation amount can be obtained.

【0048】また、本露光装置1には、上記レチクル定
盤3、ウエハ定盤6、鏡筒定盤25のZ方向の振動を計
測する3つの振動センサ(例えば加速度計;不図示)
と、XY面内方向の振動を計測する3つの振動センサ
(例えば加速度計;不図示)とがそれぞれ設けられてい
る。後者の振動センサのうち2つは、各定盤のY方向の
振動を計測し、残りの振動センサはX方向の振動を計測
するものである(以下、便宜上これらの振動センサを振
動センサ群と称する)。そして、これらの振動センサ群
の計測値に基づいてレチクル定盤3、ウエハ定盤6、鏡
筒定盤25の6自由度(X、Y、Z、θX、θY、θ
Z)の振動をそれぞれ求めることができる。
The exposure apparatus 1 has three vibration sensors (for example, an accelerometer; not shown) for measuring vibrations of the reticle surface plate 3, the wafer surface plate 6, and the lens barrel surface plate 25 in the Z direction.
And three vibration sensors (for example, accelerometers; not shown) for measuring vibrations in the XY plane direction. Two of the latter vibration sensors measure the vibration of each surface plate in the Y direction, and the remaining vibration sensors measure the vibration in the X direction (hereinafter, for convenience, these vibration sensors are referred to as a vibration sensor group). Name). The six degrees of freedom (X, Y, Z, θX, θY, θ) of the reticle surface plate 3, the wafer surface plate 6, and the barrel surface plate 25 based on the measurement values of these vibration sensor groups.
The vibration of Z) can be obtained respectively.

【0049】さらに、投影光学系PLのフランジ23に
は、異なる3カ所に3つのレーザ干渉計45が固定され
ている(ただし、図1においてはこれらのレーザ干渉計
のうち1つが代表的に示されている)。各レーザ干渉計
45に対向する鏡筒定盤25の部分には、開口25aが
それぞれ形成されており、これらの開口25aを介して
各レーザ干渉計45からZ方向の測長ビームがウエハ定
盤6に向けて照射される。ウエハ定盤6の上面の各測長
ビームの対向位置には、反射面がそれぞれ形成されてい
る。このため、上記3つのレーザ干渉計45によってウ
エハ定盤6の異なる3点のZ位置がフランジ23を基準
としてそれぞれ計測される(ただし、図1においては、
ウエハステージ5上のウエハWの中央のショット領域が
投影光学系PLの光軸の直下にある状態が示されている
ため、測長ビームがウエハステージ5で遮られた状態に
なっている)。なお、ウエハステージ5の上面に反射面
を形成して、この反射面上の異なる3点のZ方向位置を
投影光学系PLまたはフランジ23を基準として計測す
る干渉計を設けてもよい。
Further, three laser interferometers 45 are fixed to three different locations on the flange 23 of the projection optical system PL (however, one of these laser interferometers is typically shown in FIG. 1). Has been). Openings 25a are formed in portions of the barrel base 25 facing each of the laser interferometers 45, and a measurement beam in the Z direction is sent from each laser interferometer 45 through these openings 25a to the wafer base. Irradiation toward 6. A reflection surface is formed on the upper surface of the wafer surface plate 6 at a position facing each measurement beam. Therefore, the three laser interferometers 45 measure three different Z positions of the wafer surface plate 6 with reference to the flange 23 (however, in FIG. 1,
The state where the central shot area of the wafer W on the wafer stage 5 is directly below the optical axis of the projection optical system PL is shown, so that the length measurement beam is blocked by the wafer stage 5). Note that an interferometer that forms a reflection surface on the upper surface of the wafer stage 5 and measures three different Z-direction positions on the reflection surface with reference to the projection optical system PL or the flange 23 may be provided.

【0050】そして、図4に示すように、上記の振動セ
ンサ、レーザ干渉計の計測結果は、主制御部47に出力
される。また、主制御部47には、記憶装置83が付設
されている。この記憶装置83には、レチクルステージ
2、ウエハステージ5にカウンターフォースを付与した
際のレチクルステージ2、ウエハステージ5の位置補正
量がそれぞれ記憶される。
Then, as shown in FIG. 4, the measurement results of the vibration sensor and the laser interferometer are output to the main controller 47. The main controller 47 is provided with a storage device 83. The storage device 83 stores the position correction amounts of the reticle stage 2 and the wafer stage 5 when the counter force is applied to the reticle stage 2 and the wafer stage 5, respectively.

【0051】次に、上記のように構成された露光装置1
の走査露光時の動作について説明する。まず、走査露光
を開始する前に、リアクションフレーム8やベースプレ
ート10の捻れの影響を受けないように設置された指標
センサ等により、各ステージ2、5上に設けられた指標
を計測する。この際、レチクルステージ2においては、
エアマウント12A〜12D、ボイスコイルモータ13
A〜13Dを一定の推力で作動させる。そして、レチク
ルステージ2の位置を計測するレーザ干渉計と指標セン
サとの計測結果の差分を、このときの推力に対応するレ
チクルステージ2のX方向およびY方向の位置ズレ量
(移動補正量)としてそれぞれ求める。さらに、エアマ
ウント12A〜12D、ボイスコイルモータ13A〜1
3Dの推力を変え、同様の手順を繰り返すことで、図5
に示すように、エアマウント12A〜12D、ボイスコ
イルモータ13A〜13Dの推力とレチクルステージ2
のX方向およびY方向の位置ズレ量との相関関係を求
め、予め記憶装置83に記憶させる。このとき、レチク
ルステージ2のZ方向の位置ズレ量も求めて記憶装置8
3に記憶する。
Next, the exposure apparatus 1 configured as described above
The operation at the time of scanning exposure will be described. First, before starting the scanning exposure, an index provided on each of the stages 2 and 5 is measured by an index sensor or the like installed so as not to be affected by the reaction frame 8 or the twist of the base plate 10. At this time, in reticle stage 2,
Air mounts 12A to 12D, voice coil motor 13
A to 13D are operated with a constant thrust. The difference between the measurement results of the laser interferometer that measures the position of the reticle stage 2 and the index sensor is defined as the amount of displacement (movement correction amount) in the X and Y directions of the reticle stage 2 corresponding to the thrust at this time. Ask for each. Further, air mounts 12A to 12D, voice coil motors 13A to 1
By changing the 3D thrust and repeating the same procedure,
As shown in FIG. 7, the thrust of the air mounts 12A to 12D and the voice coil motors 13A to 13D and the reticle stage 2
Is obtained in advance in the X direction and the Y direction, and is stored in the storage device 83 in advance. At this time, the amount of positional deviation of the reticle stage 2 in the Z direction is also obtained, and
3 is stored.

【0052】また、レチクルステージ2と同様の手順
で、ウエハステージ5においても、エアマウント30A
〜30D、ボイスコイルモータ31A〜31Dの推力と
ウエハステージ5のX方向、Y方向の位置ズレ量との相
関関係を予め求め、予め記憶装置83に記憶させる。同
時に、ウエハステージ5のZ方向の位置ズレ量も求めて
記憶装置83に記憶する。
In the same procedure as for reticle stage 2, air mount 30 A is also mounted on wafer stage 5.
30D, the correlation between the thrust of the voice coil motors 31A-31D and the amount of displacement of the wafer stage 5 in the X and Y directions is obtained in advance and stored in the storage device 83 in advance. At the same time, the positional shift amount of the wafer stage 5 in the Z direction is also obtained and stored in the storage device 83.

【0053】そして、この露光装置1では、露光時に照
明光学系IUからの露光用照明光により、レチクルR上
の所定の矩形状の照明領域が均一な照度で照明される。
この照明領域に対してレチクルRがY方向に走査される
のに同期して、この照明領域と投影光学系PLに関して
共役な露光領域に対してウエハWを走査する。これによ
り、レチクルRのパターン領域を透過した照明光が投影
光学系PLにより1/4倍に縮小され、レジストが塗布
されたウエハW上に照射される。そして、ウエハW上の
露光領域には、レチクルRのパターンが逐次転写され、
1回の走査でレチクルR上のパターン領域の全面がウエ
ハW上のショット領域に転写される。
In the exposure apparatus 1, a predetermined rectangular illumination area on the reticle R is illuminated with uniform illumination by exposure illumination light from the illumination optical system IU during exposure.
In synchronization with the reticle R being scanned in the Y direction with respect to this illumination area, the wafer W is scanned with respect to an exposure area conjugate with respect to this illumination area and the projection optical system PL. As a result, the illumination light transmitted through the pattern area of the reticle R is reduced to 1/4 by the projection optical system PL, and is irradiated onto the wafer W coated with the resist. Then, the pattern of the reticle R is sequentially transferred to the exposure area on the wafer W,
The entire surface of the pattern area on the reticle R is transferred to the shot area on the wafer W by one scan.

【0054】この露光装置1では、上記の走査露光の際
に、主制御部47によりレチクルステージ2をY方向に
速度βVで走査(1/β;投影光学系PLの縮小倍率)
させ、ウエハステージ5を−Y方向に速度Vで同期走査
させるための指令信号がステージ制御部62に出力され
る。ステージ制御部62では、レーザ干渉計の計測値を
モニタしつつ、レチクルステージ2およびウエハステー
ジ5を所定位置に所定の速度で走査するように制御す
る。
In the exposure apparatus 1, the main controller 47 scans the reticle stage 2 in the Y direction at a speed βV at the time of the scanning exposure (1 / β; reduction magnification of the projection optical system PL).
Then, a command signal for synchronously scanning the wafer stage 5 in the −Y direction at the speed V is output to the stage control unit 62. The stage control unit 62 controls the reticle stage 2 and the wafer stage 5 to scan at predetermined positions at a predetermined speed while monitoring the measurement values of the laser interferometer.

【0055】この場合において、レチクルステージ2お
よびウエハステージ5は、リニアモータ15、ボイスコ
イルモータ17X、17Yおよびリニアモータ32、3
3によって走査されるので、レチクルステージ2および
ウエハステージ5が移動する際の加速、減速に伴う反力
が発生する。ここで、主制御部47からの指令により、
ステージ制御部62はレチクルステージ2、ウエハステ
ージ5の推力信号を送信する。
In this case, the reticle stage 2 and the wafer stage 5 are composed of the linear motor 15, the voice coil motors 17X and 17Y and the linear motors 32, 3
3, the reticle stage 2 and the wafer stage 5 generate a reaction force due to acceleration and deceleration when moving. Here, according to a command from the main control unit 47,
Stage controller 62 transmits a thrust signal of reticle stage 2 and wafer stage 5.

【0056】そして、カウンターフォース演算部49で
は、主制御部47を介して送信された推力信号を相殺す
る推力信号を各ステージ毎に演算して振動制御部75お
よびステージ制御部62へ出力する。振動制御部75
は、演算された推力信号に基づいて防振ユニット11、
29、即ち、各ステージ2、5毎にボイスコイルモータ
およびエアマウントを対で駆動する。このとき、各ボイ
スコイルモータ13A〜13D、31A〜31Dに負荷
されるべき電圧と各ステージ2、5の移動に伴う時間の
経過との関係を各ステージ2、5の移動パターン毎に記
憶装置83に記憶しておき、この電圧に基づいて各ボイ
スコイルモータ13A〜13D、31A〜31Dに必要
とされる推力の少なくとも一部をエアマウント12A〜
12D、30A〜30Dの推力でそれぞれ置換するよう
に、これらエアマウント12A〜12D、30A〜30
Dに供給される空気の供給量を調節する。
The counter force calculation section 49 calculates a thrust signal for canceling the thrust signal transmitted through the main control section 47 for each stage, and outputs the calculated thrust signal to the vibration control section 75 and the stage control section 62. Vibration control unit 75
Is based on the calculated thrust signal,
29, that is, the voice coil motor and the air mount are driven in pairs for each of the stages 2 and 5. At this time, the relationship between the voltage to be applied to each of the voice coil motors 13A to 13D and 31A to 31D and the lapse of time accompanying the movement of each of the stages 2, 5 is stored in the storage device 83 for each of the movement patterns of each of the stages 2, 5. And at least a part of the thrust required for each of the voice coil motors 13A to 13D and 31A to 31D based on this voltage.
These air mounts 12A to 12D and 30A to 30D are replaced with thrusts of 12D and 30A to 30D, respectively.
The supply amount of air supplied to D is adjusted.

【0057】一方、ボイスコイルモータ13A〜13D
およびエアマウント12A〜12Dが互いに擬似3点で
制御された状態で対で作動することにより、リアクショ
ンフレーム8には大きな変形が生じる。同様に、ボイス
コイルモータ31A〜31Dおよびエアマウント30A
〜30Dが互いに擬似3点で制御された状態で対で作動
することにより、ベースプレート10には大きな変形が
生じる。ところがボイスコイルモータ13A〜13D、
31A〜31Dとエアマウント12A〜12D、30A
〜30Dとは、それぞれ対をなすもの同士が対応関係を
有するように擬似3点で制御されているため、変形量が
大きくても再現性が高い。
On the other hand, voice coil motors 13A to 13D
When the air mounts 12 </ b> A to 12 </ b> D operate in pairs while being controlled by three pseudo points, a large deformation occurs in the reaction frame 8. Similarly, voice coil motors 31A to 31D and air mount 30A
30D operate in pairs with each other controlled by three pseudo points, so that the base plate 10 is greatly deformed. However, voice coil motors 13A to 13D,
31A-31D and air mounts 12A-12D, 30A
-30D are controlled by three pseudo points so that each paired one has a correspondence, so that the reproducibility is high even if the deformation amount is large.

【0058】そのため、ステージ制御部62は、カウン
ターフォース演算部49から送信された推力信号に基づ
き、RS駆動部61およびWS駆動部63をそれぞれ介
して、走査露光に関して制御すべきレチクルステージ2
およびウエハステージ5のXY平面における位置や移動
量を、レーザ干渉計の計測結果に対して予め記憶してい
たボイスコイルモータ、エアマウントの推力に対応する
位置ズレ量により補正(変更)しながら制御する。これ
により、ボイスコイルモータ、エアマウントの作動によ
りリアクションフレーム8やベースプレート10が捻れ
て、各ステージ2、5の位置をモニターするレーザ干渉
計の位置が変動しても、レチクルステージ2およびウエ
ハステージ5を所定位置および所定移動量で駆動するこ
とができる。なお、各ステージ2、5のZ方向の位置ズ
レに関しては、露光時にオートフォーカス調整を実行し
て補正する。
Therefore, based on the thrust signal transmitted from the counterforce calculator 49, the stage controller 62 controls the reticle stage 2 to be controlled with respect to the scanning exposure via the RS driver 61 and the WS driver 63, respectively.
And the position and the amount of movement of the wafer stage 5 on the XY plane are controlled while correcting (changing) the position of the measurement result of the laser interferometer with the position deviation corresponding to the thrust of the voice coil motor and the air mount stored in advance. I do. Thus, even if the reaction frame 8 and the base plate 10 are twisted by the operation of the voice coil motor and the air mount, and the position of the laser interferometer for monitoring the position of each of the stages 2 and 5 fluctuates, the reticle stage 2 and the wafer stage 5 Can be driven at a predetermined position and a predetermined movement amount. Note that the position shift of each of the stages 2 and 5 in the Z direction is corrected by performing autofocus adjustment at the time of exposure.

【0059】以上説明したように、本実施の形態のステ
ージ装置および露光装置では、擬似3点制御されるエア
マウント12A〜12D、30A〜30Dに対して、そ
れぞれに対応するボイスコイルモータ13A〜13D、
31A〜31Dでも同様に擬似3点制御し、これらを対
で駆動させているので、リアクションフレーム8および
ベースプレート10に対して再現性の高い変形を積極的
に発生させることができる。そのため、エアマウント、
ボイスコイルモータの推力と各ステージ2、5の位置ズ
レ量との相関関係を容易に求めて管理することができ
る。
As described above, in the stage apparatus and the exposure apparatus according to the present embodiment, the voice coil motors 13A to 13D corresponding to the air mounts 12A to 12D and 30A to 30D controlled by the pseudo three points, respectively. ,
Similarly, since pseudo three-point control is performed in 31A to 31D and these are driven in pairs, deformation with high reproducibility can be positively generated in the reaction frame 8 and the base plate 10. Therefore, air mount,
The correlation between the thrust of the voice coil motor and the amount of displacement of each of the stages 2 and 5 can be easily obtained and managed.

【0060】そして、本実施の形態では、ステージ制御
部62が上記相関関係に基づいてレーザ干渉計の計測結
果を補正して、レチクルステージ2とウエハステージ5
との位置、移動量を高精度に制御することができる。従
って、リアクションフレーム8やベースプレート10の
捻れが発生しても、これらが各ステージ2、5の位置制
御に与える影響をキャンセルして、レチクルRとウエハ
Wとの位置関係や、さらにはこれらと投影光学系PLと
の位置関係も高精度に制御することが可能になり、例え
ば微細化された半導体デバイスのパターンを精度よくウ
エハW上に焼き付けることができる。
In the present embodiment, the stage controller 62 corrects the measurement result of the laser interferometer based on the above correlation, so that the reticle stage 2 and the wafer stage 5
And the amount of movement can be controlled with high accuracy. Therefore, even if the reaction frame 8 and the base plate 10 are twisted, their influence on the position control of each of the stages 2 and 5 is canceled, and the positional relationship between the reticle R and the wafer W and the projection with these. The positional relationship with the optical system PL can also be controlled with high precision, and for example, a pattern of a miniaturized semiconductor device can be printed on the wafer W with high precision.

【0061】また、本実施の形態では、上記エアマウン
ト、ボイスコイルモータの推力と各ステージ2、5の位
置ズレ量との関係を予め記憶装置83に記憶させること
で、走査露光中でも迅速に各ステージ2、5の位置を補
正できるとともに、推力発生に関する各種パターン毎
や、各ステージ2、5の同期移動に関する各種パターン
毎に亙って上記相関関係を記憶させることで、各種の露
光モードに対応できる汎用性の高いステージ装置および
露光装置を提供することができる。
In the present embodiment, the relationship between the thrust of the air mount and the voice coil motor and the amount of displacement of each of the stages 2 and 5 is stored in the storage device 83 in advance, so that each of the stages can be quickly moved even during scanning exposure. The position of the stages 2 and 5 can be corrected, and the above-mentioned correlation is stored for each pattern related to the generation of thrust and for each pattern related to the synchronous movement of each stage 2 and 5, thereby supporting various exposure modes. A highly versatile stage apparatus and exposure apparatus can be provided.

【0062】なお、上記実施の形態において、擬似3点
制御を行うステージ装置をレチクルステージとウエハス
テージの双方に適用する構成としたが、これに限られる
ことなく、例えばレチクルステージまたはウエハステー
ジのどちらか一方のみに適用する構成であってもよい。
また、投影光学系PLを保持する鏡筒定盤25を支持す
るためのエアマウント26A〜26D、ボイスコイルモ
ータ27A〜27Dを擬似3点で制御する構成としても
よい。
In the above embodiment, the stage device for performing pseudo three-point control is applied to both the reticle stage and the wafer stage. However, the present invention is not limited to this. Alternatively, the configuration may be applied to only one of them.
Further, the air mounts 26A to 26D for supporting the lens barrel base 25 holding the projection optical system PL and the voice coil motors 27A to 27D may be controlled at three pseudo points.

【0063】また、上記実施の形態では、防振パッドと
して空気式ダンパであるエアマウントを用いる構成とし
たが、これに限定されず、例えばダンピング液中に圧縮
コイルバネを入れた機械式ダンパ等を用いてもよい。さ
らに、上記実施の形態では、本発明のステージ装置を露
光装置1に適用する構成としたが、これに限定されるも
のではなく、露光装置1以外にも転写マスクの描画装
置、マスクパターンの位置座標測定装置等の精密測定機
器にも適用可能である。
In the above embodiment, the air mount which is a pneumatic damper is used as the vibration isolating pad. However, the present invention is not limited to this. For example, a mechanical damper in which a compression coil spring is put in a damping liquid is used. May be used. Further, in the above embodiment, the stage apparatus of the present invention is applied to the exposure apparatus 1. However, the present invention is not limited to this. In addition to the exposure apparatus 1, a transfer mask drawing apparatus and a mask pattern position The present invention is also applicable to precision measuring devices such as coordinate measuring devices.

【0064】さらに、上記実施の形態では、記憶装置8
3にエアマウント、ボイスコイルモータの推力と各ステ
ージの位置ズレ量との相関関係を記憶させる構成とした
が、これに限定されず、例えば、エアマウント、ボイス
コイルモータの推力とこの推力に対応するリアクション
フレーム8やベースプレート10の変形量を記憶してお
き、走査露光時に、この変形量に応じて各ステージの位
置や移動量を補正するような構成であってもよい。
Further, in the above embodiment, the storage device 8
3, the correlation between the thrust of the air mount and the voice coil motor and the amount of displacement of each stage is stored. However, the present invention is not limited to this configuration. The amount of deformation of the reaction frame 8 and the base plate 10 to be performed may be stored, and the position and the amount of movement of each stage may be corrected during scanning exposure according to the amount of deformation.

【0065】なお、本実施の形態の基板としては、半導
体デバイス用の半導体ウエハWのみならず、液晶ディス
プレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用の
セラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマス
クまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)
等が適用される。
The substrate of the present embodiment is not limited to a semiconductor wafer W for a semiconductor device, but may be a glass substrate for a liquid crystal display device, a ceramic wafer for a thin-film magnetic head, or a mask or a mask used in an exposure apparatus. Reticle master (synthetic quartz, silicon wafer)
Etc. are applied.

【0066】露光装置1としては、レチクルRとウエハ
Wとを同期移動してレチクルRのパターンを走査露光す
るステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置
(スキャニング・ステッパー;USP5,473,410)の他に、
レチクルRとウエハWとを静止した状態でレチクルRの
パターンを露光し、ウエハWを順次ステップ移動させる
ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステ
ッパー)にも適用することができる。
The exposure apparatus 1 includes a step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper; US Pat. No. 5,473,410) for scanning and exposing the pattern of the reticle R by synchronously moving the reticle R and the wafer W. To
The present invention can also be applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) that exposes the pattern of the reticle R while the reticle R and the wafer W are stationary and sequentially moves the wafer W stepwise.

【0067】露光装置1の種類としては、ウエハWに半
導体デバイスパターンを露光する半導体デバイス製造用
の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用の露光装置
や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチ
クルなどを製造するための露光装置などにも広く適用で
きる。
The type of the exposure apparatus 1 is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device for exposing a semiconductor device pattern onto a wafer W, but may be an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element, a thin film magnetic head, an image pickup device (CCD). Alternatively, the present invention can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing a reticle and the like.

【0068】また、露光用照明光の光源として、超高圧
水銀ランプから発生する輝線(g線(436nm)、h
線(404.7nm)、i線(365nm))、KrF
エキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ
(193nm)、F2レーザ(157nm)のみなら
ず、X線や電子線などの荷電粒子線を用いることができ
る。例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱
電子放射型のランタンヘキサボライト(LaB6)、タ
ンタル(Ta)を用いることができる。さらに、電子線
を用いる場合は、レチクルRを用いる構成としてもよい
し、レチクルRを用いずに直接ウエハ上にパターンを形
成する構成としてもよい。また、YAGレーザや半導体
レーザ等の高周波などを用いてもよい。
As a light source of the illumination light for exposure, a bright line (g-line (436 nm), h
Line (404.7 nm), i-line (365 nm)), KrF
Not only an excimer laser (248 nm), an ArF excimer laser (193 nm), and an F 2 laser (157 nm) but also a charged particle beam such as an X-ray or an electron beam can be used. For example, when an electron beam is used, a thermionic emission type lanthanum hexaborite (LaB 6 ) or tantalum (Ta) can be used as an electron gun. When an electron beam is used, a configuration using a reticle R may be used, or a configuration may be used in which a pattern is directly formed on a wafer without using the reticle R. Alternatively, a high frequency such as a YAG laser or a semiconductor laser may be used.

【0069】投影光学系PLの倍率は、縮小系のみなら
ず等倍系および拡大系のいずれでもよい。また、投影光
学系PLとしては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用
いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過
する材料を用い、F2レーザやX線を用いる場合は反射
屈折系または屈折系の光学系にし(レチクルRも反射型
タイプのものを用いる)、また電子線を用いる場合には
光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学
系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は、真
空状態にすることはいうまでもない。また、投影光学系
PLを用いることなく、レチクルRとウエハWとを密接
させてレチクルRのパターンを露光するプロキシミティ
露光装置にも適用可能である。
The magnification of the projection optical system PL may be not only a reduction system but also an equal magnification system or an enlargement system. Further, As the projection optical system PL, using a material which transmits far ultraviolet rays such as quartz and fluorite as the glass material when using a far ultraviolet ray such as an excimer laser, catadioptric system, or in the case of using the F 2 laser or X-ray An optical system of a refraction system (a reticle R of a reflection type is also used). When an electron beam is used, an electron optical system including an electron lens and a deflector may be used as the optical system. It is needless to say that the optical path through which the electron beam passes is in a vacuum state. Further, the present invention can also be applied to a proximity exposure apparatus that exposes the pattern of the reticle R by bringing the reticle R and the wafer W into close contact without using the projection optical system PL.

【0070】ウエハステージ5やレチクルステージ2に
リニアモータ(USP5,623,853またはUSP5,528,118参照)
を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型お
よびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮
上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージ2、5
は、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを
設けないガイドレスタイプであってもよい。
A linear motor (see US Pat. No. 5,623,853 or US Pat. No. 5,528,118) is mounted on the wafer stage 5 or the reticle stage 2.
Is used, any of an air levitation type using an air bearing and a magnetic levitation type using Lorentz force or reactance force may be used. In addition, each stage 2, 5
May be a type that moves along a guide or a guideless type that does not have a guide.

【0071】各ステージ2、5の駆動機構としては、二
次元に磁石を配置した磁石ユニット(永久磁石)と、二
次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電
磁力により各ステージ2、5を駆動する平面モータを用
いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニット
とのいずれか一方をステージ2、5に接続し、磁石ユニ
ットと電機子ユニットとの他方をステージ2、5の移動
面側(ベース)に設ければよい。
As a driving mechanism of each of the stages 2 and 5, a magnet unit (permanent magnet) having a two-dimensionally arranged magnet and an armature unit having a two-dimensionally arranged coil are opposed to each other, and each stage 2 and 5 is driven by electromagnetic force. 5 may be used. In this case, one of the magnet unit and the armature unit may be connected to the stages 2 and 5, and the other of the magnet unit and the armature unit may be provided on the moving surface side (base) of the stages 2 and 5.

【0072】以上のように、本願実施形態の露光装置1
は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む
各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、
光学的精度を保つように、組み立てることで製造され
る。これら各種精度を確保するために、この組み立ての
前後には、各種光学系については光学的精度を達成する
ための調整、各種機械系については機械的精度を達成す
るための調整、各種電気系については電気的精度を達成
するための調整が行われる。各種サブシステムから露光
装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機
械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等
が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組
み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程
があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光
装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行わ
れ、露光装置全体としての各種精度が確保される。な
お、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理さ
れたクリーンルームで行うことが望ましい。
As described above, the exposure apparatus 1 of the present embodiment
Is a system that includes various components including the components listed in the claims of the present application, with predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy,
It is manufactured by assembling to maintain optical accuracy. Before and after this assembly, in order to ensure these various precisions, adjustments to achieve optical precision for various optical systems, adjustments to achieve mechanical precision for various mechanical systems, and various electrical systems Are adjusted to achieve electrical accuracy. The process of assembling the exposure apparatus from various subsystems includes mechanical connections, wiring connections of electric circuits, and piping connections of pneumatic circuits among the various subsystems. It goes without saying that there is an assembling process for each subsystem before the assembling process from these various subsystems to the exposure apparatus. When the process of assembling the various subsystems into the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed, and various precisions of the entire exposure apparatus are secured. It is desirable that the exposure apparatus be manufactured in a clean room in which the temperature, cleanliness, and the like are controlled.

【0073】半導体デバイスは、図6に示すように、デ
バイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設
計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するス
テップ202、シリコン材料からウエハを製造するステ
ップ203、前述した実施形態の露光装置1によりレチ
クルのパターンをウエハに露光するウエハ処理ステップ
204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、
ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検
査ステップ206等を経て製造される。
As shown in FIG. 6, for a semiconductor device, a step 201 for designing the function and performance of the device, a step 202 for manufacturing a mask (reticle) based on the design step, a step 203 for manufacturing a wafer from a silicon material A wafer processing step 204 of exposing a reticle pattern to a wafer by the exposure apparatus 1 of the above-described embodiment, a device assembling step (dicing step,
(Including a bonding step and a package step) 205, an inspection step 206, and the like.

【0074】[0074]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1に係るス
テージ装置は、第1制御系が防振パッドの駆動を複数の
組で制御し、第2制御系がアクチュエータの駆動を防振
パッドのそれぞれに対応するアクチュエータの組で制御
し、第3制御系が第1制御系と第2制御系とを制御し
て、防振パッドとアクチュエータとの対応する組同士を
対で駆動させる構成となっている。これにより、このス
テージ装置では、支持部に対して再現性の高い変形を積
極的に発生させることができるため、防振パッド、アク
チュエータの推力とステージ本体の位置との相関関係を
容易に求めて管理できるという効果が得られる。
As described above, in the stage device according to the first aspect, the first control system controls the driving of the vibration isolating pad by a plurality of sets, and the second control system controls the driving of the actuator by the vibration isolating pad. And a third control system controls the first control system and the second control system to drive a corresponding set of the vibration isolation pad and the actuator in pairs. Has become. As a result, in this stage device, since a highly reproducible deformation can be positively generated in the supporting portion, the correlation between the vibration isolating pad and the thrust of the actuator and the position of the stage body can be easily obtained. The effect of being able to manage is obtained.

【0075】請求項2に係るステージ装置は、ステージ
制御装置がアクチュエータおよび防振パッドの駆動に伴
う支持部の変形量に基づいてステージ本体の移動量を変
更する構成となっている。これにより、このステージ装
置では、支持部の変形の影響をキャンセルして、ステー
ジ本体の位置や移動量を高精度に制御できるという効果
が得られる。
According to a second aspect of the present invention, the stage controller changes the moving amount of the stage main body based on the amount of deformation of the supporting portion caused by driving the actuator and the vibration isolating pad. Thus, in this stage device, the effect of canceling the influence of the deformation of the support portion and controlling the position and the movement amount of the stage main body with high accuracy can be obtained.

【0076】請求項3に係るステージ装置は、記憶装置
が支持部の変形量に対応するステージ本体の移動補正量
を記憶する構成となっている。これにより、このステー
ジ装置では、ステージ本体の位置を迅速に補正できると
ともに、ステージ本体の各種移動形態に対応した移動補
正量が設定でき汎用性が高まるという効果が得られる。
According to a third aspect of the present invention, the storage device stores the amount of movement correction of the stage body corresponding to the amount of deformation of the supporting portion. As a result, in this stage device, the position of the stage main body can be quickly corrected, and a movement correction amount corresponding to various types of movement of the stage main body can be set.

【0077】請求項4に係るステージ装置は、アクチュ
エータおよび防振パッドのそれぞれの数以下の組数で制
御する構成となっている。これにより、このステージ装
置では、配置間隔が短くて支持部の捻れを小さくするた
めに見かけの制御系統数を減じた擬似制御を行う際に
も、防振パッド、アクチュエータの推力とステージ本体
の位置との相関関係を容易に求めて管理できるという効
果が得られる。
The stage device according to the fourth aspect is configured to control the number of sets equal to or less than the number of the actuators and the number of the anti-vibration pads. Thus, in this stage device, even when performing pseudo control in which the number of control systems is reduced in order to reduce the arrangement interval and reduce the twist of the support portion, the thrust of the vibration isolating pad and the actuator and the position of the stage main body are reduced. And the correlation can be easily obtained and managed.

【0078】請求項5に係る露光装置は、マスクステー
ジと基板ステージとの少なくとも一方に、請求項1から
4のいずれか1項に記載されたステージ装置が用いられ
る構成となっている。これにより、この露光装置では、
マスクステージと基板ステージとの少なくとも一方と、
防振パッド、アクチュエータの推力との相関関係を容易
に求めて管理できるという効果が得られる。また、マス
クステージまたは基板ステージの移動量を変更すること
で、マスクと基板との位置関係を高精度に制御すること
が可能になり、例えば微細化された半導体デバイスのパ
ターンを精度よく基板上に焼き付けることができる。
An exposure apparatus according to a fifth aspect is configured such that the stage apparatus according to any one of the first to fourth aspects is used for at least one of a mask stage and a substrate stage. Thereby, in this exposure apparatus,
At least one of a mask stage and a substrate stage,
The effect is obtained that the correlation between the vibration isolating pad and the thrust of the actuator can be easily obtained and managed. In addition, by changing the amount of movement of the mask stage or the substrate stage, it is possible to control the positional relationship between the mask and the substrate with high precision. For example, a pattern of a miniaturized semiconductor device can be accurately placed on the substrate. Can be burned.

【0079】請求項6に係る露光装置は、露光がマスク
ステージと基板ステージとの同期移動中に行われる構成
となっている。これにより、この露光装置では、走査露
光によりマスクのパターンを基板に転写する際に、マス
クステージと基板ステージとの少なくとも一方と、防振
パッド、アクチュエータの推力との相関関係を容易に求
めて管理できるという効果が得られる。
The exposure apparatus according to claim 6 is configured such that exposure is performed during synchronous movement of the mask stage and the substrate stage. This allows the exposure apparatus to easily obtain and manage the correlation between at least one of the mask stage and the substrate stage, the vibration isolating pad, and the thrust of the actuator when transferring the pattern of the mask onto the substrate by scanning exposure. The effect that it can be obtained is obtained.

【0080】請求項7に係る露光装置は、ステージ制御
装置が同期移動に起因する露光本体部の変形量に基づい
て、マスクステージと基板ステージとの少なくとも一方
の移動量を変更する構成となっている。これにより、こ
の露光装置では、露光本体部の変形が与える影響をキャ
ンセルして、マスクと基板との位置関係や、さらにはこ
れらと投影光学系との位置関係も高精度に制御すること
が可能になり、例えば微細化された半導体デバイスのパ
ターンを精度よく基板上に焼き付けることができるとい
う効果が得られる。
According to a seventh aspect of the present invention, the stage controller changes at least one of the mask stage and the substrate stage based on the amount of deformation of the exposure main body caused by the synchronous movement. I have. This allows the exposure apparatus to cancel the influence of the deformation of the exposure main body and control the positional relationship between the mask and the substrate, and also the positional relationship between them and the projection optical system, with high accuracy. Thus, for example, there is obtained an effect that a pattern of a miniaturized semiconductor device can be accurately printed on a substrate.

【0081】請求項8に係る露光装置は、記憶装置が露
光本体部の変形量を記憶する構成となっている。これに
より、この露光装置では、走査露光中でも迅速にマスク
ステージと基板ステージとの位置を補正できるととも
に、推力発生に関する各種パターン毎や、各ステージの
同期移動に関する各種パターン毎に亙って上記相関関係
を記憶させることで各種の露光モードに対応でき、汎用
性が高まるという効果が得られる。
The exposure apparatus according to claim 8 is configured such that the storage device stores the amount of deformation of the exposure main body. Thus, in this exposure apparatus, the position of the mask stage and the substrate stage can be quickly corrected even during scanning exposure, and the above correlation is obtained for each pattern related to thrust generation and each pattern related to synchronous movement of each stage. Can be used in various exposure modes, and the effect of increasing versatility can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 レチクルステージ、ウエハステージおよび
投影光学系が振動に関して独立して配置された露光装置
の概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an exposure apparatus in which a reticle stage, a wafer stage, and a projection optical system are independently arranged with respect to vibration.

【図2】 本発明の実施の形態を示す図であって、エ
アマウントおよびボイスコイルモータが擬似3点で制御
される概略構成図である。
FIG. 2 is a view showing an embodiment of the present invention, and is a schematic configuration diagram in which an air mount and a voice coil motor are controlled at three pseudo points.

【図3】 本発明の露光装置を構成するレチクルステ
ージの外観斜視図である。
FIG. 3 is an external perspective view of a reticle stage included in the exposure apparatus of the present invention.

【図4】 本発明の露光装置の制御系を示すブロック
図である。
FIG. 4 is a block diagram showing a control system of the exposure apparatus of the present invention.

【図5】 エアマウント、ボイスコイルモータの推力
とステージの位置ズレ量との相関関係を示す関係図であ
る。
FIG. 5 is a relationship diagram showing a correlation between a thrust of an air mount and a voice coil motor and an amount of displacement of a stage.

【図6】 半導体デバイスの製造工程の一例を示すフ
ローチャート図である。
FIG. 6 is a flowchart illustrating an example of a manufacturing process of a semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

PL 投影光学系 R レチクル(マスク) W ウエハ(基板) 1 露光装置 2 レチクルステージ(ステージ本体、マスクステー
ジ) 3 レチクル定盤(定盤) 4、7 ステージ装置 5 ウエハステージ(ステージ本体、基板ステージ) 6 ウエハ定盤(定盤) 8 リアクションフレーム(露光本体部、支持部) 10 ベースプレート(支持部) 12A〜12D、30A〜30D エアマウント(防振
パッド) 13A〜13D、31A〜31D ボイスコイルモータ
(アクチュエータ) 62 ステージ制御部(ステージ制御装置) 73 空圧制御系(第1制御系) 74 電圧制御系(第2制御系) 75 振動制御部(第3制御系) 83 記憶装置
PL Projection optical system R Reticle (mask) W Wafer (substrate) 1 Exposure device 2 Reticle stage (stage body, mask stage) 3 Reticle surface plate (surface plate) 4, 7 Stage device 5 Wafer stage (stage body, substrate stage) 6 Wafer surface plate (surface plate) 8 Reaction frame (exposure main body, support) 10 Base plate (support) 12A to 12D, 30A to 30D Air mount (anti-vibration pad) 13A to 13D, 31A to 31D Voice coil motor ( Actuator) 62 Stage control unit (stage control device) 73 Pneumatic control system (first control system) 74 Voltage control system (second control system) 75 Vibration control unit (third control system) 83 Storage device

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 定盤上を移動するステージ本体と、支
持部に支持されて前記ステージ本体の移動に伴う反力に
対抗する推力を前記定盤に付与する複数のアクチュエー
タおよび防振パッドとを備え、前記定盤が前記アクチュ
エータおよび防振パッドを介して前記支持部に支持され
るステージ装置であって、 前記複数の防振パッドの駆動を複数の組で制御する第1
制御系と、 前記複数のアクチュエータの駆動を、前記組をなす防振
パッドのそれぞれに対応する前記アクチュエータの組で
制御する第2制御系と、 前記第1制御系と第2制御系とを制御して、前記防振パ
ッドと前記アクチュエータとの対応する組同士を対で駆
動させる第3制御系とを備えることを特徴とするステー
ジ装置。
1. A stage body that moves on a surface plate, and a plurality of actuators and vibration isolation pads that are supported by a support portion and apply a thrust to the surface plate against a reaction force accompanying the movement of the stage body. A stage device in which the surface plate is supported by the support unit via the actuator and the vibration isolating pad, wherein the first device controls the driving of the plurality of vibration isolating pads by a plurality of sets.
A control system; a second control system that controls the driving of the plurality of actuators by the set of actuators corresponding to each of the vibration-isolating pads in the set; and controls the first control system and the second control system. And a third control system for driving a corresponding pair of the vibration isolating pad and the actuator in pairs.
【請求項2】 請求項1記載のステージ装置におい
て、 前記アクチュエータおよび前記防振パッドの駆動に伴う
前記支持部の変形量に基づいて、前記ステージ本体の移
動量を変更するステージ制御装置を備えることを特徴と
するステージ装置。
2. The stage device according to claim 1, further comprising: a stage control device configured to change a moving amount of the stage main body based on a deformation amount of the support portion caused by driving the actuator and the vibration isolating pad. A stage device characterized by the above-mentioned.
【請求項3】 請求項2記載のステージ装置におい
て、 前記支持部の変形量に対応する前記ステージ本体の移動
補正量を記憶する記憶装置を備えることを特徴とするス
テージ装置。
3. The stage device according to claim 2, further comprising a storage device that stores a movement correction amount of the stage main body corresponding to a deformation amount of the support portion.
【請求項4】 請求項1から3のいずれかに記載のス
テージ装置において、 前記アクチュエータおよび前記防振パッドをそれぞれの
数以下の組数で制御することを特徴とするステージ装
置。
4. The stage device according to claim 1, wherein the number of sets of the actuator and the number of the vibration-isolating pads are controlled to be equal to or less than the respective numbers.
【請求項5】 マスクステージに保持されたマスクの
パターンを基板ステージに保持された基板に露光する露
光装置において、 前記マスクステージと前記基板ステージとの少なくとも
一方には、請求項1から4のいずれか1項に記載された
ステージ装置が用いられることを特徴とする露光装置。
5. An exposure apparatus for exposing a pattern of a mask held on a mask stage to a substrate held on a substrate stage, wherein at least one of the mask stage and the substrate stage has at least one of them. An exposure apparatus, wherein the stage apparatus according to claim 1 is used.
【請求項6】 請求項5記載の露光装置において、 前記露光は、前記マスクステージと前記基板ステージと
の同期移動中に行われることを特徴とする露光装置。
6. The exposure apparatus according to claim 5, wherein the exposure is performed during synchronous movement of the mask stage and the substrate stage.
【請求項7】 パターンを有したマスクを保持するマ
スクステージと基板を保持する基板ステージとを同期移
動して、前記パターンを投影光学系を介して前記基板に
露光する露光装置において、 前記マスクステージと前記基板ステージとの少なくとも
一方と前記投影光学系とを保持する露光本体部と、 前記同期移動に起因する前記露光本体部の変形量に基づ
いて、前記マスクステージと前記基板ステージとの少な
くとも一方の移動量を変更するステージ制御装置と、 を備えたことを特徴とする露光装置。
7. An exposure apparatus for synchronously moving a mask stage holding a mask having a pattern and a substrate stage holding a substrate to expose the pattern to the substrate via a projection optical system, wherein the mask stage An exposure main body that holds at least one of the substrate stage and the projection optical system; and at least one of the mask stage and the substrate stage based on a deformation amount of the exposure main body caused by the synchronous movement. An exposure apparatus, comprising: a stage control device that changes an amount of movement of the exposure device.
【請求項8】 請求項7記載の露光装置において、 前記露光本体部の変形量を記憶する記憶装置を備えたこ
とを特徴とする露光装置。
8. The exposure apparatus according to claim 7, further comprising a storage device for storing an amount of deformation of the exposure main body.
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