JP2001215731A - Resist developer and developing method - Google Patents
Resist developer and developing methodInfo
- Publication number
- JP2001215731A JP2001215731A JP2000023449A JP2000023449A JP2001215731A JP 2001215731 A JP2001215731 A JP 2001215731A JP 2000023449 A JP2000023449 A JP 2000023449A JP 2000023449 A JP2000023449 A JP 2000023449A JP 2001215731 A JP2001215731 A JP 2001215731A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ether
- solvent
- resist
- methyl
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスクの製
造に用いられるレジスト用現像液、及び現像方法に関
し、更に詳しくは電子線によるパターン形成に用いられ
る電子線レジスト用現像液、及び現像方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a developing solution and a developing method for a resist used for manufacturing a photomask, and more particularly to a developing solution and a developing method for an electron beam resist used for forming a pattern by an electron beam. .
【0002】[0002]
【従来の技術】フォトマスクは、透明基板上に電子回路
のパターンを遮光性材料で形成した部品であり、フォト
リソグラフィ技術により、レジスト膜が形成された基板
上に光を選択的に照射して、電子回路のパターン像を映
し出す際に使用される原版となるものである。フォトマ
スクは、例えば、半導体素子、磁気バブルメモリー素
子、半導体集積回路(LSI)、液晶ディスプレー(L
CD)、プリント基板(PWB)などの製造に使用され
ている。フォトリソグラフィ技術では、被加工層を表面
に形成した基板上に、レジストと呼ばれる感光性高分子
材料を有機溶剤に溶かしたものを塗布する。次いでプレ
ベークで有機溶剤を蒸発させて、レジスト膜を形成す
る。レジスト膜に部分的に光を照射した後、現像液を用
いて不要な部分のレジスト膜を溶解除去し、基板上にレ
ジストパターンを形成する。次に、このレジストパター
ンの上から、基板上の被加工層を溶解する酸などの液に
浸漬するなどしてエッチングする。最後に、不要なレジ
ストを除去する。フォトマスクは、レジスト膜に部分的
に光を照射するための原版として用いられる。2. Description of the Related Art A photomask is a component in which a pattern of an electronic circuit is formed of a light-shielding material on a transparent substrate, and is selectively irradiated with light on a substrate on which a resist film is formed by a photolithography technique. , An original used when projecting a pattern image of an electronic circuit. The photomask is, for example, a semiconductor element, a magnetic bubble memory element, a semiconductor integrated circuit (LSI), a liquid crystal display (L
CD) and printed circuit boards (PWB). In the photolithography technique, a material obtained by dissolving a photosensitive polymer material called a resist in an organic solvent is applied to a substrate having a layer to be processed formed on a surface thereof. Next, the organic solvent is evaporated by pre-baking to form a resist film. After partially irradiating the resist film with light, unnecessary portions of the resist film are dissolved and removed using a developing solution to form a resist pattern on the substrate. Next, the resist pattern is etched by immersing it in a solution of an acid or the like that dissolves the layer to be processed on the substrate. Finally, the unnecessary resist is removed. The photomask is used as an original for partially irradiating the resist film with light.
【0003】フォトマスクの製造工程では、多くの場
合、電子線描画装置やレーザー描画装置を用いて、マス
クパターンが形成されている。微細化に適したハードマ
スクを例に挙げて説明する。フォトマスクを製造するに
は、先ず、透明なガラス板などの透明基板上に金属薄膜
からなる遮光膜を形成してマスク基板を作成する。金属
薄膜材料としては、一般に、クロムが使用される。金属
クロム膜の反射率を下げるために、金属クロム膜上に酸
化クロムの干渉膜を形成した2層タイプのものもある。
マスク基板の遮光膜または干渉膜上に、放射線感応性レ
ジスト膜を形成する。予め作成してあるマスクパターン
データに基づいて、電子線描画装置やレーザー描画装置
により、レジスト膜上に電子線ビームまたはレーザービ
ームを走査してパターンの潜像を形成する。次いで、使
用したレジストに適合する現像液を用いて現像すること
により、レジストパターンを形成する。この現像は、現
像液に対する露光部分と非露光部分との溶解度の差また
は溶解速度の差を利用している。現像後、遮光膜のエッ
チングを行う。金属クロム膜のエッチングは、ウェット
エッチング、またはドライエッチングにより行われる。
ウェットエッチングに用いられるエッチング液として
は、一般に硝酸第二セリウムアンモニウムの水溶液が使
用されている。また、ドライエッチングに用いられるガ
スとしては、一般に塩素と酸素の混合ガスが使用されて
いる。エッチング後には、不要なレジスト膜は剥離除去
される。これにより、透明な基板の上に遮光膜からなる
電子回路のパターン(マスクパターン)が形成されたフ
ォトマスクが得られる。In many photomask manufacturing processes, a mask pattern is formed using an electron beam lithography system or a laser lithography system. A hard mask suitable for miniaturization will be described as an example. To manufacture a photomask, first, a light-shielding film made of a metal thin film is formed on a transparent substrate such as a transparent glass plate to prepare a mask substrate. Chromium is generally used as the metal thin film material. There is also a two-layer type in which a chromium oxide interference film is formed on a chromium metal film in order to reduce the reflectance of the chromium metal film.
A radiation-sensitive resist film is formed on the light-shielding film or the interference film on the mask substrate. Based on mask pattern data created in advance, an electron beam or laser beam is used to scan a resist film with an electron beam or laser beam to form a latent image of the pattern. Next, a resist pattern is formed by developing using a developing solution compatible with the used resist. This development utilizes a difference in solubility or a difference in dissolution rate between an exposed portion and a non-exposed portion in a developer. After the development, the light shielding film is etched. The etching of the metal chromium film is performed by wet etching or dry etching.
As an etchant used for wet etching, an aqueous solution of ceric ammonium nitrate is generally used. As a gas used for dry etching, a mixed gas of chlorine and oxygen is generally used. After the etching, the unnecessary resist film is removed. As a result, a photomask in which an electronic circuit pattern (mask pattern) made of a light-shielding film is formed on a transparent substrate is obtained.
【0004】上述のフォトマスク製造プロセスの中で、
現像方法について更に詳しく説明する。現像方法として
は、現像液が満たされた槽の中に基板を浸漬する方法
(ディップ法)、現像液を基板に噴霧する方法(スプレ
ー法)、基板の表面張力を利用して現像液を基板表面に
載せる方法(パドル法)が一般的である。これらの方法
のうち、現在、最も一般的に用いられている方法は、ス
プレー法である。スプレー法の場合、他の方法と異な
り、現像している間中、常に現像液を噴霧し続けなけれ
ばならないため、長時間現像する場合には大量の現像液
が必要となる。短時間で現像可能であれば、使用される
現像液の量が削減され、コストダウン効果が得られると
ともに、環境への負荷も低減できる。In the photomask manufacturing process described above,
The developing method will be described in more detail. As a developing method, a method of immersing the substrate in a bath filled with the developer (dip method), a method of spraying the developer on the substrate (spray method), and a method of applying the developer using the surface tension of the substrate are used. A method of mounting on a surface (paddle method) is generally used. Of these methods, the most commonly used method at present is the spray method. In the case of the spray method, unlike other methods, the developer must be continuously sprayed during the development, so that a large amount of the developer is required for long-term development. If the development can be performed in a short time, the amount of the developer used can be reduced, the cost reduction effect can be obtained, and the burden on the environment can be reduced.
【0005】現在、生産性を考慮したときに許容しうる
電子線照射量は10μC/cm2以下であると言われて
いる。レジスト材料用の現像液について、特開昭61−
292141号公報では、微細パターン形成のために、
α−メチルスチレン系ポリマーを含むレジスト材料の現
像液として、当該共重合体の良溶媒であり四員環以上六
員環以下の環状エーテルと当該共重合体の貧溶媒とから
なる混合溶媒を用いることが提案されている。しかし、
この現像液を用いた場合、電子線照射量が10μC/c
m2以下で目的のパターンを得るには、非常に長い現像
時間(450〜600秒)が必要である。At present, it is said that the allowable amount of electron beam irradiation when considering productivity is 10 μC / cm 2 or less. A developer for a resist material is disclosed in
In 292141, in order to form a fine pattern,
As a developing solution for a resist material containing an α-methylstyrene-based polymer, a mixed solvent of a good solvent for the copolymer and a cyclic solvent having 4 to 6 membered rings and a poor solvent for the copolymer is used. It has been proposed. But,
When this developer is used, the amount of electron beam irradiation is 10 μC / c.
To obtain the desired pattern in m 2 or less, a very long development time (450-600 seconds) is required.
【0006】また、特開昭61−249049号公報で
は、α−メチルスチレン単位と(メタ)アクリル酸エス
テル単位とを有する共重合体を含有するポジ型放射線レ
ジスト材料の現像液として、脂肪酸エステル類を用いる
ことが提案されている。ここには多くの現像液が提案さ
れているが、唯一酢酸イソアミルについては、α−メチ
ルスチレン/含フッ素アクリル酸エステル樹脂を含有す
るレジスト材料に対して、90秒という比較的短い現像
時間で10μC/cm2以下の感度が得られることが示
されている。特開平3−132760号公報では、α−
メチルスチレンとα−クロロアクリル酸メチルの共重合
体を含むレジスト材料の現像液として、炭化水素系溶
剤、またはケトン系溶剤を用いることが提案されてお
り、メチルエチルケトンやメチルイソブチルケトンを用
いた場合、実用上許容できる電子線照射量でありなが
ら、120秒以下という比較的短い現像時間を達成して
いる。Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-249049 discloses a developing solution for a positive radiation resist material containing a copolymer having an α-methylstyrene unit and a (meth) acrylate unit. It has been proposed to use Although many developers are proposed here, only isoamyl acetate can be used in a resist material containing α-methylstyrene / fluorinated acrylic acid ester resin at 10 μC with a relatively short developing time of 90 seconds. It is shown that a sensitivity of / cm 2 or less can be obtained. JP-A-3-132760 discloses that α-
As a developer for a resist material containing a copolymer of methylstyrene and α-methyl methyl acrylate, it has been proposed to use a hydrocarbon-based solvent or a ketone-based solvent, and when using methyl ethyl ketone or methyl isobutyl ketone, A relatively short development time of 120 seconds or less has been achieved, despite a practically acceptable amount of electron beam irradiation.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者らの実験の結果、酢酸イソアミルや、メチルエチルケ
トンやメチルイソブチルケトンを用いて得られるパター
ンは、パターンが膨潤してしまい良好なパターンの得ら
れないことが判った。かかる従来技術のもと、発明者ら
は、実用上許容できる電子線照射量でありながら、比較
的短い現像時間で現像可能であり、かつパターン形状に
優れた現像液を得るべく鋭意研究した結果、スチレン系
単量体とアクリル系単量体との共重合体を含有するレジ
スト材料を現像するためのレジスト現像液として、脂肪
族直鎖状エーテル系溶剤または芳香族エーテル系溶剤
と、炭素数5以上のケトン系溶剤とを含有するレジスト
現像液で、上記の課題を達成できることを見いだし、こ
の知見に基づき、本発明を完成するに到った。However, as a result of experiments by the present inventors, the pattern obtained using isoamyl acetate, methyl ethyl ketone or methyl isobutyl ketone swells, and a good pattern cannot be obtained. It turns out. Based on such prior art, the inventors have conducted intensive studies to obtain a developing solution which can be developed in a relatively short developing time and has an excellent pattern shape while having a practically acceptable amount of electron beam irradiation. An aliphatic linear ether-based solvent or an aromatic ether-based solvent as a resist developer for developing a resist material containing a copolymer of a styrene monomer and an acrylic monomer, The inventors have found that the above problems can be achieved with a resist developer containing 5 or more ketone solvents, and have completed the present invention based on this finding.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、スチレン系単量体とアクリル系単量体との共重合体
を含有するレジスト材料を現像するためのレジスト現像
液であって、脂肪族直鎖状エーテル系溶剤または芳香族
エーテル系溶剤と、炭素数5以上のケトン系溶剤を含有
するレジスト現像液が提供される。According to the present invention, there is provided a resist developer for developing a resist material containing a copolymer of a styrene monomer and an acrylic monomer, comprising Provided is a resist developer containing a group III linear ether solvent or aromatic ether solvent and a ketone solvent having 5 or more carbon atoms.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。 (1)レジスト材料 レジスト材料は、スチレン系単量体とアクリル系単量体
との共重合体を含有するものであり、電子線照射による
パターン形成に好適である。当該共重合体の構造単位比
率(モル基準)は、スチレン系単量体由来の構造単位/
アクリル系単量体由来の構造単位で、80/20〜20
/80、好ましくは75/25〜25/75、より好ま
しくは70/30〜30/70である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. (1) Resist Material The resist material contains a copolymer of a styrene monomer and an acrylic monomer, and is suitable for pattern formation by electron beam irradiation. The structural unit ratio (on a molar basis) of the copolymer is the ratio of structural units derived from a styrene monomer /
80/20 to 20 in structural units derived from acrylic monomers
/ 80, preferably 75/25 to 25/75, more preferably 70/30 to 30/70.
【0010】スチレン系単量体はスチレン構造を有する
モノマーであり、その具体例としてはスチレン、4−メ
チルスチレン、4−プロピルスチレン、4−イソプロピ
ルスチレン、4−ブチルスチレン、4−イソブチルスチ
レン、3,4−ジメチルスチレン、4−エチル−3−メ
チルスチレン、4−ヒドロキシスチレン、4−ヒドロキ
シ−3−メチルスチレン、4−メトキシスチレンなどの
スチレン、その4位置換体、またはその3,4位置換
体;α−メチルスチレン、4−メチル−α−メチルスチ
レン、4−プロピル−α−メチルスチレン、4−イソプ
ロピル−α−メチルスチレン、4−ブチル−α−メチル
スチレン、4−イソブチル−α−メチルスチレン、3,
4−ジメチル−α−メチルスチレン、4−エチル−3−
メチル−α−メチルスチレン、4−ヒドロキシ−α−メ
チルスチレン、4−ヒドロキシ−3−メチル−α−メチ
ルスチレン、4−メトキシ−α−メチルスチレンなどの
α−メチルスチレン、その4位置換体、またはその3,
4位置換体;The styrene monomer is a monomer having a styrene structure. Specific examples thereof include styrene, 4-methylstyrene, 4-propylstyrene, 4-isopropylstyrene, 4-butylstyrene, 4-isobutylstyrene, Styrene, such as 4,4-dimethylstyrene, 4-ethyl-3-methylstyrene, 4-hydroxystyrene, 4-hydroxy-3-methylstyrene, and 4-methoxystyrene, a 4-substituted product thereof, or a 3-, 4-substituted product thereof; α-methylstyrene, 4-methyl-α-methylstyrene, 4-propyl-α-methylstyrene, 4-isopropyl-α-methylstyrene, 4-butyl-α-methylstyrene, 4-isobutyl-α-methylstyrene, 3,
4-dimethyl-α-methylstyrene, 4-ethyl-3-
Α-methylstyrene such as methyl-α-methylstyrene, 4-hydroxy-α-methylstyrene, 4-hydroxy-3-methyl-α-methylstyrene, 4-methoxy-α-methylstyrene, a 4-substituted product thereof, or Part 3
4-position substituent;
【0011】α−クロロスチレン、4−メチル−α−ク
ロロスチレン、4−プロピル−α−クロロスチレン、4
−イソプロピル−α−クロロスチレン、4−ブチル−α
−クロロスチレン、4−イソブチル−α−クロロスチレ
ン、3,4−ジメチル−α−クロロスチレン、4−エチ
ル−3−メチル−α−クロロスチレン、4−ヒドロキシ
−α−クロロスチレン、4−ヒドロキシ−3−メチル−
α−クロロスチレン、4−メトキシ−α−クロロスチレ
ンなどのα−クロロスチレン、その4位置換体、または
その3,4位置換体;などが挙げられる。Α-chlorostyrene, 4-methyl-α-chlorostyrene, 4-propyl-α-chlorostyrene,
-Isopropyl-α-chlorostyrene, 4-butyl-α
-Chlorostyrene, 4-isobutyl-α-chlorostyrene, 3,4-dimethyl-α-chlorostyrene, 4-ethyl-3-methyl-α-chlorostyrene, 4-hydroxy-α-chlorostyrene, 4-hydroxy- 3-methyl-
α-chlorostyrene such as α-chlorostyrene and 4-methoxy-α-chlorostyrene, a 4-substituted product thereof, or a 3- and 4-substituted product thereof; and the like.
【0012】これらの中でもα−メチルスチレン系化合
物(α−メチルスチレン、その4位置換体、またはその
3,4位置換体)が良好なパターン形状を与える点で特
に好ましい。Of these, α-methylstyrene compounds (α-methylstyrene, 4-substituted products thereof, or 3-, 4-substituted products thereof) are particularly preferred in that they give good pattern shapes.
【0013】アクリル系単量体は、アクリル酸誘導体で
あり、その具体例としては(メタ)アクリル酸メチル、
(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピ
ル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリ
ル酸ブチルなどの(メタ)アクリル酸アルキル;(メ
タ)アクリル酸フェニル、(メタ)アクリル酸4−クロ
ロフェニルなどの(メタ)アクリル酸アリール;(メ
タ)アクリル酸ベンジル、(メタ)アクリル酸3,4−
ジメチルベンジルなどの(メタ)アクリル酸アラルキ
ル;α−クロロアクリル酸メチル、α−クロロアクリル
酸エチル、α−ブロモアクリル酸プロピル、α−クロロ
アクリル酸イソプロピル、α−ブロモアクリル酸ブチル
などのα−ハロアクリル酸アルキル;α−クロロアクリ
ル酸フェニルなどのα−ハロアクリル酸アリール;α−
ブロモアクリル酸ベンジル、α−クロロアクリル酸3,
4−ジメチルベンジルなどのα−ハロアクリル酸アラル
キル;The acrylic monomer is an acrylic acid derivative, and specific examples thereof include methyl (meth) acrylate,
(Meth) alkyl acrylates such as ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, and butyl (meth) acrylate; phenyl (meth) acrylate, 4- (meth) acrylate Aryl (meth) acrylates such as chlorophenyl; benzyl (meth) acrylate, 3,4- (meth) acrylate
Aralkyl (meth) acrylate such as dimethylbenzyl; α-halo such as α-methyl chloroacrylate, ethyl α-chloroacrylate, propyl α-bromoacrylate, isopropyl α-chloroacrylate, and butyl α-bromoacrylate Alkyl acrylate; aryl α-haloacrylate such as phenyl α-chloroacrylate;
Benzyl bromoacrylate, α-chloroacrylate 3,
Aralkyl α-haloacrylates such as 4-dimethylbenzyl;
【0014】α−シアノアクリル酸メチル、α−シアノ
アクリル酸エチル、α−シアノアクリル酸プロピル、α
−シアノアクリル酸イソプロピル、α−シアノアクリル
酸ブチルなどのα−シアノアクリル酸アルキル;α−シ
アノアクリル酸フェニルなどのα−シアノアクリル酸ア
リール;α−シアノアクリル酸ベンジル、α−シアノア
クリル酸3,4−ジメチルベンジルなどのα−シアノク
リル酸アラルキル;アクリロニトリル、メタクリロニト
リル、α−クロロアクリロニトリル、α−ブロモアクリ
ロニトリルなどの置換可アクリロニトリル;アクリルア
ミド、N−メチルアクリルアミド、N,N−ジメチルア
クリルアミド、N−フェニルアクリルアミドなどのN−
置換可アクリルアミド;メタクリルアミド、N−メチル
メタクリルアミド、N,N−ジメチルメタクリルアミ
ド、N−フェニルメタクリルアミドなどのN−置換可メ
タクリルアミド;α−クロロアクリルアミド、α−ブロ
モアクリルアミド、N−メチル−α−クロロアクリルア
ミド、N,N−ジメチル−α−クロロアクリルアミド、
N−フェニル−α−クロロアクリルアミドなどのN−置
換可α−ハロアクリルアミドなどが例示される。Methyl α-cyanoacrylate, ethyl α-cyanoacrylate, propyl α-cyanoacrylate, α
Α-alkyl cyanoacrylates such as isopropyl cyanoacrylate and butyl α-cyanoacrylate; aryl α-cyanoacrylates such as phenyl α-cyanoacrylate; benzyl α-cyanoacrylate, and α-cyanoacrylate 3, Α-aralkyl cyanoacrylates such as 4-dimethylbenzyl; substitutionable acrylonitriles such as acrylonitrile, methacrylonitrile, α-chloroacrylonitrile, α-bromoacrylonitrile; acrylamide, N-methylacrylamide, N, N-dimethylacrylamide, N-phenyl N- such as acrylamide
Substitutable acrylamide; N-substituted methacrylamide such as methacrylamide, N-methylmethacrylamide, N, N-dimethylmethacrylamide, N-phenylmethacrylamide; α-chloroacrylamide, α-bromoacrylamide, N-methyl-α -Chloroacrylamide, N, N-dimethyl-α-chloroacrylamide,
Examples thereof include N-substituted α-haloacrylamides such as N-phenyl-α-chloroacrylamide.
【0015】これらの中でも、高感度が得られる点でα
−ハロアクリル酸アルキル、α−ハロアクリル酸アリー
ル、α−ハロアクリル酸アラルキルのようなハロアクリ
ル酸エステル系化合物が好ましく、α−ハロアクリル酸
アルキルが特に好ましい。また、フッ素原子を含まない
ものが、良好なパターンを得るのに有利である。Among them, α is high in sensitivity.
A haloacrylate compound such as an alkyl-haloacrylate, an aryl α-haloacrylate, or an aralkyl α-haloacrylate is preferred, and an alkyl α-haloacrylate is particularly preferred. Those containing no fluorine atom are advantageous for obtaining a good pattern.
【0016】共重合体は、前記した各構造単位の比率で
重合体となるように上記各モノマーを、溶液重合、バル
ク重合、懸濁重合、または乳化重合することによって得
られる。共重合体の重量平均分子量は特に制限されない
が、テトラヒドロフランを用いたゲル・パーミエーショ
ン・クロマトグラフィーにより算出されるポリスチレン
換算重量平均分子量(以下、Mwということがある)が
50,000から1,000,000のものが好まし
い。The copolymer can be obtained by solution polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization, or emulsion polymerization of each of the above monomers so as to form a polymer in the ratio of each of the above structural units. The weight average molecular weight of the copolymer is not particularly limited, but the weight average molecular weight in terms of polystyrene (hereinafter sometimes referred to as Mw) calculated by gel permeation chromatography using tetrahydrofuran is from 50,000 to 1,000. Is preferred.
【0017】一般にレジスト材料は、上記共重合体をメ
チルフェニルエーテル、ジエチレングリコールジメチル
エーテル、o−ジクロロベンゼンなどの有機溶剤に溶解
させたものでり、これに必要に応じて界面活性剤などの
添加剤を含ませることができる。前記共重合体などの成
分を全て上記有機溶剤に溶解させた後、必要に応じメン
ブレンフィルターなどを用いて濾過することで、レジス
ト材料は調製される。In general, a resist material is obtained by dissolving the above copolymer in an organic solvent such as methyl phenyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, o-dichlorobenzene and the like, and if necessary, additives such as a surfactant. Can be included. A resist material is prepared by dissolving all the components such as the copolymer in the organic solvent and, if necessary, filtering the solution using a membrane filter or the like.
【0018】(2)現像液 本発明の現像液は、少なくとも1種類の脂肪族直鎖状エ
ーテル系溶剤または芳香族エーテル系溶剤(以下、まと
めてエーテル系溶剤ということがある)と、少なくとも
1種類の炭素数5以上のケトン系溶剤の混合溶剤であ
る。脂肪族直鎖状エーテル系溶剤、芳香族エーテル系溶
剤、及び炭素数5以上のケトン系溶剤(以下、単にケト
ン系溶剤ということがある)としては、下記の溶剤を例
示することができる。(2) Developer The developer of the present invention comprises at least one kind of an aliphatic linear ether solvent or an aromatic ether solvent (hereinafter sometimes collectively referred to as an ether solvent) and at least one solvent. It is a mixed solvent of various ketone solvents having 5 or more carbon atoms. Examples of the aliphatic linear ether-based solvent, aromatic ether-based solvent, and ketone-based solvent having 5 or more carbon atoms (hereinafter, may be simply referred to as ketone-based solvent) include the following solvents.
【0019】脂肪族直鎖状エーテル系溶剤:ジエチルエ
ーテル、ジ−n−プロピルエーテル、ジ−n−ブチルエ
ーテル、ジ−n−ペンチルエーテル、ジ−n−ヘキシル
エーテル、ジ−n−ヘプチルエーテル、ジ−n−オクチ
ルエーテル、ジ−n−ノニルエーテル、ジ−n−デシル
エーテルなどのジアルキルエーテル類;エチレングリコ
ールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエ
ーテル、エチレングリコールジ−n−プロピルエーテ
ル、エチレングリコールジ−n−ブチルエーテル、エチ
レングリコールジ−n−ペンチルエーテル、エチレング
リコールジ−n−ヘキシルエーテル、エチレングリコー
ルジ−n−ペプチルエーテル、エチレングリコールジ−
n−オクチルエーテル、エチレングリコールジ−n−ノ
ニルエーテル、エチレングリコールジ−n−デシルエー
テルなどのエチレングリコールジアルキルエーテル類;
ジエチレングリコールジメチルエーテル(ジグライ
ム)、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチ
レングリコールジ−n−プロピルエーテル、ジエチレン
グリコールジ−n−ブチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジ−n−ペンチルエーテル、ジエチレングリコール
ジ−n−ヘキシルエーテル、ジエチレングリコールジ−
n−ペプチルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−
オクチルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−ノニ
ルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−デシルエー
テルなどのジエチレングリコールジアルキルエーテル
類;Aliphatic linear ether solvents: diethyl ether, di-n-propyl ether, di-n-butyl ether, di-n-pentyl ether, di-n-hexyl ether, di-n-heptyl ether, di-n-heptyl ether Dialkyl ethers such as -n-octyl ether, di-n-nonyl ether and di-n-decyl ether; ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol di-n-propyl ether, ethylene glycol di-n-butyl ether , Ethylene glycol di-n-pentyl ether, ethylene glycol di-n-hexyl ether, ethylene glycol di-n-heptyl ether, ethylene glycol di-
ethylene glycol dialkyl ethers such as n-octyl ether, ethylene glycol di-n-nonyl ether, ethylene glycol di-n-decyl ether;
Diethylene glycol dimethyl ether (diglyme), diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol di-n-propyl ether, diethylene glycol di-n-butyl ether, diethylene glycol di-n-pentyl ether, diethylene glycol di-n-hexyl ether, diethylene glycol di-
n-Peptyl ether, diethylene glycol di-n-
Diethylene glycol dialkyl ethers such as octyl ether, diethylene glycol di-n-nonyl ether and diethylene glycol di-n-decyl ether;
【0020】トリエチレングリコールジメチルエーテ
ル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエ
チレングリコールジ−n−プロピルエーテル、トリエチ
レングリコールジ−n−ブチルエーテル、トリエチレン
グリコールジ−n−ペンチルエーテル、トリエチレング
リコールジ−n−ヘキシルエーテル、トリエチレングリ
コールジ−n−ペプチルエーテル、トリエチレングリコ
ールジ−n−オクチルエーテル、トリエチレングリコー
ルジ−n−ノニルエーテル、トリエチレングリコールジ
−n−デシルエーテルなどのトリエチレングリコールジ
アルキルエーテル類;等を挙げることができる。これら
の中でも、現像時間短縮の観点から、ジエチレングリコ
ールジアルキルエーテル類が好ましく、アルキル部分の
炭素数が1〜5のジエチレングリコールジアルキルエー
テルが特に好ましい。Triethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol diethyl ether, triethylene glycol di-n-propyl ether, triethylene glycol di-n-butyl ether, triethylene glycol di-n-pentyl ether, triethylene glycol di-n- Triethylene glycol dialkyl ethers such as hexyl ether, triethylene glycol di-n-heptyl ether, triethylene glycol di-n-octyl ether, triethylene glycol di-n-nonyl ether, and triethylene glycol di-n-decyl ether And the like. Among these, diethylene glycol dialkyl ethers are preferable from the viewpoint of shortening the development time, and diethylene glycol dialkyl ether having 1 to 5 carbon atoms in the alkyl portion is particularly preferable.
【0021】芳香族エーテル系溶剤:メチルフェニルエ
ーテル(アニソール)、エチルフェニルエーテル、n−
プロピルフェニルエーテル、イソプロピルフェニルエー
テル、n−ブチルフェニルエーテル、イソブチルフェニ
ルエーテル、s−ブチルフェニルエーテル、t−ブチル
フェニルエーテル、n−ペンチルフェニルエーテル、イ
ソペンチルフェニルエーテル、3−メチルブチルフェニ
ルエーテル、n−ヘキシルフェニルエーテル、シクロヘ
キシルフェニルエーテル、n−ペンチルフェニルエーテ
ル、n−オクチルフェニルエーテル、n−ノニルフェニ
ルエーテル、n−デシルフェニルエーテルなどのアルキ
ルフェニルエーテル類;ベンジルフェニルエーテルなど
のアラルキルフェニルエーテル類;ジフェニルエーテル
などのジ芳香族エーテル類;等を挙げることができる。
これらの中でも、現像時間短縮の観点からアルキルフェ
ニルエーテルが好ましく、アルキル部分の炭素数が1〜
5のアルキルフェニルエーテル類が特に好ましい。Aromatic ether solvents: methyl phenyl ether (anisole), ethyl phenyl ether, n-
Propyl phenyl ether, isopropyl phenyl ether, n-butyl phenyl ether, isobutyl phenyl ether, s-butyl phenyl ether, t-butyl phenyl ether, n-pentyl phenyl ether, isopentyl phenyl ether, 3-methylbutyl phenyl ether, n- Alkylphenyl ethers such as hexylphenyl ether, cyclohexylphenylether, n-pentylphenylether, n-octylphenylether, n-nonylphenylether and n-decylphenylether; aralkylphenylethers such as benzylphenylether; diphenylether and the like Diaromatic ethers; and the like.
Among these, alkylphenyl ether is preferable from the viewpoint of shortening the development time, and the alkyl moiety has 1 to 1 carbon atoms.
5 alkylphenyl ethers are particularly preferred.
【0022】炭素数5以上のケトン系溶剤:2−ペンタ
ノン、3−ペンタノン、シクロペンタノン、3−メチル
−2−ブタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、シ
クロヘキサノン、4−メチル−2−ペンタノン、2−メ
チル−3−ペンタノン、3−メチル−2−ペンタノン、
3,3−ジメチル−2−ブタノン、2−ヘプタノン、3
−ヘプタノン、4−ヘプタノン、5−メチル−2−ヘキ
サノン、5−メチル−3−ヘキサノン、2−メチル−3
−ヘキサノン、4−メチル−2−ヘキサノン、4−メチ
ル−3−ヘキサノン、3−メチル−2−ヘキサノン、3
−エチル−2−ペンタノン、Ketone solvents having 5 or more carbon atoms: 2-pentanone, 3-pentanone, cyclopentanone, 3-methyl-2-butanone, 2-hexanone, 3-hexanone, cyclohexanone, 4-methyl-2-pentanone, 2-methyl-3-pentanone, 3-methyl-2-pentanone,
3,3-dimethyl-2-butanone, 2-heptanone, 3
-Heptanone, 4-heptanone, 5-methyl-2-hexanone, 5-methyl-3-hexanone, 2-methyl-3
-Hexanone, 4-methyl-2-hexanone, 4-methyl-3-hexanone, 3-methyl-2-hexanone,
-Ethyl-2-pentanone,
【0023】3,4−ジメチル−2−ペンタノン、4,
4−ジメチル−2−ペンタノン、2,2−ジメチル−3
−ペンタノン、2,4−ジメチル−3−ペンタノン、
3,3−ジメチル−2−ペンタノン、2−オクタノン、
3−オクタノン、4−オクタノン、2−ノナノン、3−
ノナノン、4−ノナノン、5−ノナノン、2−デカノ
ン、3−デカノン、4−デカノン、5−デカノン、メチ
ルフェニルケトン、エチルフェニルケトン、n−プロピ
ルフェニルケトン、イソプロピルフェニルケトン、メチ
ルベンジルケトン、エチルベンジルケトン、n−プロピ
ルベンジルケトン、イソプロピルベンジルケトン、メチ
ルシクロヘキシルケトン、エチルシクロヘキシルケト
ン、n−プロピルシクロヘキシルケトン、イソプロピル
シクロヘキシルケトン、ジフェニルケトン、ジベンジル
ケトン、ジシクロヘキシルケトンなどが挙げられる。こ
れらの中で、炭素数5〜10のものが好ましく、炭素数
5〜7のものがより好ましい。炭素数4以下のもので
は、パターンの膨潤が発生するので、好ましくない。ま
た、炭素数が多すぎると、現像に、比較的時間がかかる
傾向にある。3,4-dimethyl-2-pentanone, 4,
4-dimethyl-2-pentanone, 2,2-dimethyl-3
-Pentanone, 2,4-dimethyl-3-pentanone,
3,3-dimethyl-2-pentanone, 2-octanone,
3-octanone, 4-octanone, 2-nonanone, 3-
Nonanone, 4-nonanone, 5-nonanone, 2-decanone, 3-decanone, 4-decanone, 5-decanone, methylphenylketone, ethylphenylketone, n-propylphenylketone, isopropylphenylketone, methylbenzylketone, ethylbenzyl Examples include ketone, n-propylbenzyl ketone, isopropylbenzylketone, methylcyclohexylketone, ethylcyclohexylketone, n-propylcyclohexylketone, isopropylcyclohexylketone, diphenylketone, dibenzylketone, dicyclohexylketone, and the like. Among them, those having 5 to 10 carbon atoms are preferable, and those having 5 to 7 carbon atoms are more preferable. When the number of carbon atoms is 4 or less, swelling of the pattern occurs, which is not preferable. On the other hand, if the carbon number is too large, the development tends to take a relatively long time.
【0024】これらのエーテル系溶剤とケトン系溶剤の
使用割合の比率は、重量基準で10/90〜70/3
0、好ましくは15/85〜65/35である。この範
囲であればパターン形状が良好で、高感度が得られる。
エーテル系溶剤が多すぎると、レジスト材料が溶解し現
像後に残るレジスト膜厚が減り、目的のパターンの得ら
れないことがある。また、第三の溶剤を併用することも
できるが、その使用割合は全現像液に対して10重量%
以下であるのが、本発明の効果を十分に得る点で望まし
い。The ratio of the use ratio of these ether solvents and ketone solvents is from 10/90 to 70/3 on a weight basis.
0, preferably 15/85 to 65/35. Within this range, the pattern shape is good and high sensitivity can be obtained.
If the amount of the ether-based solvent is too large, the resist material dissolves and the thickness of the resist remaining after development is reduced, so that a desired pattern may not be obtained. Further, a third solvent can be used in combination, but its use ratio is 10% by weight based on the total developer.
The following is desirable in that the effects of the present invention can be sufficiently obtained.
【0025】(3)現像方法 本発明の現像液を用いてレジスト材料を現像する方法
は、特に制限されないが、スプレー現像において、その
効果を最大限に発揮する。スプレー現像の具体的方法は
以下の通りである。(3) Developing Method The method of developing the resist material using the developing solution of the present invention is not particularly limited, but the effect is maximized in spray development. The specific method of spray development is as follows.
【0026】まず、レジスト材料を塗布した基板に電子
線照射した後、基板を通常分速100〜500回転で回
転させながら、通常10〜30℃、好ましくは15〜2
5℃の現像液を、所定時間、基板に噴霧し続ける。First, after irradiating the substrate coated with the resist material with an electron beam, the substrate is usually rotated at a speed of 100 to 500 revolutions per minute, usually at 10 to 30 ° C., preferably 15 to 2 ° C.
The developer at 5 ° C. is continuously sprayed on the substrate for a predetermined time.
【0027】その後、必要に応じてリンス液によって残
存現像液等を除去する。リンス液として用いられる有機
溶剤には、トルエン、キシレン、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、イソプロピルアルコール、メチルイソブチルケト
ン、2−ヘプタノンなどが挙げられる。これらの溶剤
は、単独で、又は2種以上を組み合わせて用いる。リン
ス液は、常圧での沸点が150℃以下のものが好まし
く、120℃以下のものがより好ましい。また、上記の
現像工程とリンス工程を、2〜10回程度交互に繰り返
し行うこともできる。Thereafter, if necessary, the remaining developer and the like are removed with a rinsing solution. Examples of the organic solvent used as the rinsing liquid include toluene, xylene, ethyl acetate, butyl acetate, isopropyl alcohol, methyl isobutyl ketone, and 2-heptanone. These solvents are used alone or in combination of two or more. The rinsing liquid preferably has a boiling point at normal pressure of 150 ° C. or lower, more preferably 120 ° C. or lower. Further, the developing step and the rinsing step can be alternately repeated about 2 to 10 times.
【0028】[0028]
【実施例】以下に、実施例及び比較例を挙げて、本発明
についてさらに具体的に説明するが、本発明は、これら
の実施例のみに限定されるものではない。また、文中の
部は特に断りのない限り重量基準である。The present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples. Parts in the text are based on weight unless otherwise specified.
【0029】[実施例1〜5、比較例1〜8]α−メチ
ルスチレン/α−クロロアクリル酸メチル=50/50
(モル分率)の共重合体(Mw=331,000)と有
機溶剤とからなるレジスト材料を調整し、ポアサイズ
0.05μmの高密度ポリエチレン(UPE)製メンブ
ランフィルターで濾過してレジスト溶液を調製した。Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 8 α-methylstyrene / methyl α-chloroacrylate = 50/50
A resist material comprising a (mol fraction) copolymer (Mw = 331,000) and an organic solvent was prepared, and filtered through a high-density polyethylene (UPE) membrane filter having a pore size of 0.05 μm to prepare a resist solution. did.
【0030】厚さ800Åのクロムを膜付けした6イン
チブランクスに、レジスト材料をスピンコートした後、
180℃のホットプレート上で180秒間ベークして膜
厚5000Åのレジスト膜を形成した。After spin-coating a resist material on 6-inch blanks coated with 800 mm thick chromium,
The resist film was baked on a hot plate at 180 ° C. for 180 seconds to form a resist film having a thickness of 5000 °.
【0031】次いで、ブランクス上に形成されたレジス
ト膜に、電子線描画装置JBX−7000MV(日本電
子製)を用い、加速電圧20kVで、電子線照射量を調
節して、132mm角の領域に1.0μmのライン&ス
ペースのパターンを描画した。パターン描画後、基板を
分速120回転で回転させながら23℃で表1記載の組
成の現像液を基板上に、所定時間噴霧し、現像を行っ
た。現像後、分速300回転で基板を回転させながらリ
ンス液としてメチルイソブチルケトンを20秒間滴下
し、リンスを行った。最後に、リンス液を窒素気流で乾
燥除去させてポジ型レジストパターンを得た。現像時間
を種々変量し、10μC/cm2の電子線照射量で、
1.0μmのライン&スペースパターンが、設計通りの
寸法で得られるような現像時間を求めた。Next, an electron beam lithography system JBX-7000MV (manufactured by JEOL Ltd.) was used to adjust the amount of electron beam irradiation on the resist film formed on the blanks at an acceleration voltage of 20 kV. A line and space pattern of 0.0 μm was drawn. After pattern drawing, a developing solution having the composition shown in Table 1 was sprayed onto the substrate at 23 ° C. for a predetermined time while the substrate was rotated at 120 rpm to perform development. After the development, methyl isobutyl ketone was dropped as a rinsing liquid for 20 seconds while rotating the substrate at a speed of 300 revolutions per minute to perform rinsing. Finally, the rinse liquid was dried and removed by a nitrogen stream to obtain a positive resist pattern. The development time was varied and at an electron beam irradiation amount of 10 μC / cm 2 ,
The development time was determined so that a 1.0 μm line & space pattern could be obtained with the designed dimensions.
【0032】上記の現像時間で得られたレジストパター
ンを、電子走査型顕微鏡により観察した。パターン断面
の上辺部分の長さ(T)と下辺部分(基板界面付近)の
長さ(B)との比率(T/B)を計算し、パターン形状
の指標とした。なお、膨潤等により、パターン上辺に平
な部分の見られないものについては、この指標をゼロと
した。T/Bは1に近いほど矩形の良好なパターンであ
ることを示す。各現像液を用いて求めた結果を表1に記
載する。The resist pattern obtained during the above development time was observed with an electronic scanning microscope. The ratio (T / B) of the length (T) of the upper side portion of the pattern cross section and the length (B) of the lower side portion (near the substrate interface) was calculated and used as an index of the pattern shape. Note that this index was set to zero for the case where no flat portion was observed on the upper side of the pattern due to swelling or the like. The closer T / B is to 1, the better the rectangular pattern. Table 1 shows the results obtained using the respective developing solutions.
【0033】[0033]
【表1】 [Table 1]
【0034】[0034]
【発明の効果】本発明のレジスト現像液は、実用上許容
できる電子線照射量でありながら、比較的短い現像時間
で現像可能であり、かつ優れたパターン形状を得ること
ができる。The resist developing solution of the present invention can be developed in a relatively short developing time while obtaining a practically acceptable amount of electron beam irradiation, and an excellent pattern shape can be obtained.
Claims (4)
の共重合体を含有するレジスト材料を現像するためのレ
ジスト現像液であって、脂肪族直鎖状エーテル系溶剤ま
たは芳香族エーテル系溶剤と、炭素数5以上のケトン系
溶剤とを含有するレジスト現像液。1. A resist developer for developing a resist material containing a copolymer of a styrene monomer and an acrylic monomer, comprising: an aliphatic linear ether solvent or an aromatic ether. A resist developer containing a solvent and a ketone solvent having 5 or more carbon atoms.
ル類およびアルキルフェニルエーテル類からなる群より
選択される1種以上の溶剤である請求項1に記載のレジ
スト現像液。2. The resist developer according to claim 1, wherein the ether solvent is at least one solvent selected from the group consisting of diethylene glycols and alkylphenyl ethers.
請求項1に記載のレジスト現像液。3. The resist developer according to claim 1, wherein the ketone solvent has 5 to 7 carbon atoms.
ト現像液を用いたスプレー現像による現像方法。4. A development method by spray development using the resist developer according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000023449A JP2001215731A (en) | 2000-02-01 | 2000-02-01 | Resist developer and developing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000023449A JP2001215731A (en) | 2000-02-01 | 2000-02-01 | Resist developer and developing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001215731A true JP2001215731A (en) | 2001-08-10 |
Family
ID=18549609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000023449A Pending JP2001215731A (en) | 2000-02-01 | 2000-02-01 | Resist developer and developing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001215731A (en) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6511792B2 (en) * | 2000-02-28 | 2003-01-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Developing process, process for forming pattern and process for preparing semiconductor device using same |
JP2006227174A (en) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Ricoh Co Ltd | Resist developing solution and pattern forming method |
EP1939691A2 (en) | 2006-12-25 | 2008-07-02 | FUJIFILM Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
EP1980911A2 (en) | 2007-04-13 | 2008-10-15 | FUJIFILM Corporation | Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method |
WO2008129964A1 (en) | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Fujifilm Corporation | Method for pattern formation, and resist composition, developing solution and rinsing liquid for use in the method for pattern formation |
US7851140B2 (en) | 2007-06-12 | 2010-12-14 | Fujifilm Corporation | Resist composition for negative tone development and pattern forming method using the same |
US7985534B2 (en) | 2007-05-15 | 2011-07-26 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method |
US7998655B2 (en) | 2007-06-12 | 2011-08-16 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
US8017298B2 (en) | 2007-06-12 | 2011-09-13 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
US8034547B2 (en) | 2007-04-13 | 2011-10-11 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method |
US8476001B2 (en) | 2007-05-15 | 2013-07-02 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method |
US8530148B2 (en) | 2006-12-25 | 2013-09-10 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
US8603733B2 (en) | 2007-04-13 | 2013-12-10 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, and resist composition, developer and rinsing solution used in the pattern forming method |
US8617794B2 (en) | 2007-06-12 | 2013-12-31 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
US8632942B2 (en) | 2007-06-12 | 2014-01-21 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
US8637229B2 (en) | 2006-12-25 | 2014-01-28 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
KR20140103187A (en) | 2007-06-12 | 2014-08-25 | 후지필름 가부시키가이샤 | Resist composition for negative tone development and pattern forming method using the same |
KR20180127974A (en) * | 2016-03-25 | 2018-11-30 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | Process for producing a copolymer |
-
2000
- 2000-02-01 JP JP2000023449A patent/JP2001215731A/en active Pending
Cited By (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6511792B2 (en) * | 2000-02-28 | 2003-01-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Developing process, process for forming pattern and process for preparing semiconductor device using same |
JP2006227174A (en) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Ricoh Co Ltd | Resist developing solution and pattern forming method |
EP2413195A2 (en) | 2006-12-25 | 2012-02-01 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method |
EP1939691A2 (en) | 2006-12-25 | 2008-07-02 | FUJIFILM Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
US9465298B2 (en) | 2006-12-25 | 2016-10-11 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
US9291904B2 (en) | 2006-12-25 | 2016-03-22 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
US8951718B2 (en) | 2006-12-25 | 2015-02-10 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
US8637229B2 (en) | 2006-12-25 | 2014-01-28 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
US8530148B2 (en) | 2006-12-25 | 2013-09-10 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
EP2535771A1 (en) | 2006-12-25 | 2012-12-19 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method |
US8227183B2 (en) | 2006-12-25 | 2012-07-24 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
US8017304B2 (en) | 2007-04-13 | 2011-09-13 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, and resist composition, developer and rinsing solution used in the pattern forming method |
US8603733B2 (en) | 2007-04-13 | 2013-12-10 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, and resist composition, developer and rinsing solution used in the pattern forming method |
EP1980911A2 (en) | 2007-04-13 | 2008-10-15 | FUJIFILM Corporation | Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method |
US8034547B2 (en) | 2007-04-13 | 2011-10-11 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method |
US8241840B2 (en) | 2007-04-13 | 2012-08-14 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method |
WO2008129964A1 (en) | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Fujifilm Corporation | Method for pattern formation, and resist composition, developing solution and rinsing liquid for use in the method for pattern formation |
US7985534B2 (en) | 2007-05-15 | 2011-07-26 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method |
US8476001B2 (en) | 2007-05-15 | 2013-07-02 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method |
US8895225B2 (en) | 2007-06-12 | 2014-11-25 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
US8852847B2 (en) | 2007-06-12 | 2014-10-07 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
US8632942B2 (en) | 2007-06-12 | 2014-01-21 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
US8088557B2 (en) | 2007-06-12 | 2012-01-03 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
US7851140B2 (en) | 2007-06-12 | 2010-12-14 | Fujifilm Corporation | Resist composition for negative tone development and pattern forming method using the same |
KR20140103187A (en) | 2007-06-12 | 2014-08-25 | 후지필름 가부시키가이샤 | Resist composition for negative tone development and pattern forming method using the same |
US8617794B2 (en) | 2007-06-12 | 2013-12-31 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
US7998655B2 (en) | 2007-06-12 | 2011-08-16 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
US8642253B2 (en) | 2007-06-12 | 2014-02-04 | FUJIFILM Incorporated | Resist composition for negative tone development and pattern forming method using the same |
US9046782B2 (en) | 2007-06-12 | 2015-06-02 | Fujifilm Corporation | Resist composition for negative tone development and pattern forming method using the same |
US9176386B2 (en) | 2007-06-12 | 2015-11-03 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
US8017298B2 (en) | 2007-06-12 | 2011-09-13 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
US9458343B2 (en) | 2007-06-12 | 2016-10-04 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
US8071272B2 (en) | 2007-06-12 | 2011-12-06 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
KR20180127974A (en) * | 2016-03-25 | 2018-11-30 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | Process for producing a copolymer |
KR102217181B1 (en) | 2016-03-25 | 2021-02-17 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | Method for producing a copolymer |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001215731A (en) | Resist developer and developing method | |
CN102763039B (en) | Comprise the topcoat compositions of polymer containing the repetitive including sulfonamide functionality, containing its photoetching compositions and using method thereof | |
JP6025600B2 (en) | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and pattern forming method | |
JP2002505766A (en) | Photoresist developer and developing method | |
TW200836015A (en) | Resist pattern forming method | |
JP5039345B2 (en) | Positive resist composition and pattern forming method using the same | |
TW200422779A (en) | Silicone-based chemical-amplification positive-working photoresist composition | |
KR100577039B1 (en) | Method of forming photoresist patterns and a layered photoresist structure | |
EP1726992B1 (en) | Negative resist composition | |
TW201030480A (en) | Resist surface modifying liquid, and method for formation of resist pattern using the same | |
US6632582B2 (en) | Pattern formation material and pattern formation method | |
US8802347B2 (en) | Silicon containing coating compositions and methods of use | |
TWI509360B (en) | Positive resist composition and patterning process | |
JP2712700B2 (en) | Pattern formation method | |
EP0285025A2 (en) | Silylated poly(vinyl)phenol resists | |
JP3893380B2 (en) | Pattern forming material and pattern forming method | |
JP6467033B2 (en) | Organic pattern embedding composition, pattern forming method, and electronic device manufacturing method | |
JP6785035B2 (en) | Resist pattern formation method | |
WO2004102275A1 (en) | Negative photoresist composition | |
JP2621533B2 (en) | Pattern formation method | |
JP4516250B2 (en) | Pattern forming material and pattern forming method | |
JP2001114822A (en) | Copolymer for producing chemical amplification type photoresist and chemical amplification type positive photoresist composition comprising the same | |
JP2007052426A (en) | Top coating composition for photoresist and method of forming photoresist pattern using the same | |
US20060147834A1 (en) | Water-soluble composition for coating photoresist pattern and method for forming fine patterns using the same | |
JP2003177541A (en) | Chemically amplified positive resist composition |