JP2001210844A - Method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing solar battery - Google Patents
Method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing solar batteryInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基体上に太陽電池
素子などの半導体層を形成した後に、基体から半導体層
を分離する太陽電池などの半導体装置の製造方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device such as a solar cell in which a semiconductor layer such as a solar cell element is formed on a substrate and the semiconductor layer is separated from the substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、基体上に分離層を介して形成され
た太陽電池素子を、分離層で分離することにより太陽電
池を製造する方法が、特開平１１−６８１３３号公報な
どに記載されている。この公報に記載されている太陽電
池の製造方法は、まず、シリコン基板を陽極化成して、
その表面に分離層となる多孔質シリコン層を形成する。
そして、多孔質層の上に複数の太陽電池素子を形成し、
さらに分離用部材であるたとえばプラスチックフィルム
基板を接着させる。2. Description of the Related Art A method of manufacturing a solar cell by separating a solar cell element formed on a substrate via a separation layer with a separation layer has been described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-68133. I have. The method of manufacturing a solar cell described in this publication firstly anodizes a silicon substrate,
A porous silicon layer serving as a separation layer is formed on the surface.
Then, a plurality of solar cell elements are formed on the porous layer,
Further, for example, a plastic film substrate serving as a separating member is bonded.
【０００３】その後、プラスチックフィルム基板をシリ
コン基板から剥がす。すると、プラスチックフィルム基
板と共に、太陽電池素子が剥がれることにより、分離層
においてシリコン基板から分離する。こうして得られた
太陽電池素子の分離面に裏面電極などを取り付け、さら
に、電極と電極から電力を取り出すための電力取り出し
部材とを接続するために、プラスチックフィルム基板に
開口部を設け、電極と電力取り出し部材とを接続するこ
とによって太陽電池を製造する。After that, the plastic film substrate is peeled off from the silicon substrate. Then, the solar cell element is peeled off together with the plastic film substrate, so that the solar cell element is separated from the silicon substrate in the separation layer. An opening is provided in the plastic film substrate to attach a back electrode or the like to the separation surface of the solar cell element thus obtained, and to connect the electrode and a power extraction member for extracting power from the electrode. The solar cell is manufactured by connecting the take-out member.
【０００４】なお、開口部は、たとえばプラスチックフ
ィルム基板をポリカーボネートで形成した場合には、シ
ートなどをマスクとしてジクロロメタンによる膨潤処理
することにより、或いはメタルマスクを用いたアッシン
グ処理により設けるとされている。When the plastic film substrate is made of polycarbonate, for example, the opening is provided by swelling treatment with dichloromethane using a sheet or the like as a mask or by ashing treatment using a metal mask.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術で
は、プラスチックフィルム基板を太陽電池素子に張り付
けた後に、電極の上部分のプラスチックフィルム基板
に、ジクロロメタンによる膨潤処理などを施すことによ
り開口部を設けている。そのため、開口部を設けるとき
に電極付近の太陽電池素子がジクロロメタンなどにより
損傷する場合がある。太陽電池素子に損傷が生じると、
その損傷部分から電力が得られず、製造された太陽電池
の性能が低下する場合がある。However, in the prior art, after the plastic film substrate is attached to the solar cell element, the opening is formed by subjecting the plastic film substrate above the electrodes to swelling treatment with dichloromethane or the like. Provided. Therefore, when the opening is provided, the solar cell element near the electrode may be damaged by dichloromethane or the like. If the solar cell element is damaged,
Electric power cannot be obtained from the damaged portion, and the performance of the manufactured solar cell may be reduced.
【０００６】そこで、本発明は、太陽電池素子などの半
導体素子が損傷しないように、太陽電池などの半導体装
置を製造することを課題とする。Accordingly, an object of the present invention is to manufacture a semiconductor device such as a solar cell so that the semiconductor element such as a solar cell element is not damaged.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体装置の製造方法は、基体上に分離層
を介して形成した半導体層上に電極端子を設け、さらに
前記半導体層上に前記電極端子が覆われないように分離
用部材を取り付け、前記分離用部材に力を加えて前記半
導体層と前記基体とを前記分離層において分離する。In order to solve the above-mentioned problems, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention comprises providing an electrode terminal on a semiconductor layer formed on a base via an isolation layer; A separating member is attached so that the electrode terminals are not covered, and a force is applied to the separating member to separate the semiconductor layer and the base at the separating layer.
【０００８】また、本発明の太陽電池の製造方法は、基
体上に分離層を介して形成した太陽電池素子上の一部に
電極及び電極端子を設け、さらに前記太陽電池素子上に
前記電極端子が覆われないように分離用部材を取り付
け、前記分離用部材に力を加えることによって前記太陽
電池素子と前記基体とを前記分離層において分離する。Further, in the method for manufacturing a solar cell according to the present invention, an electrode and an electrode terminal are provided on a part of a solar cell element formed on a substrate via a separation layer, and the electrode terminal is further provided on the solar cell element. The solar cell element and the base are separated from each other at the separation layer by applying a force to the separation member so that the solar cell element is not covered.
【０００９】さらに、本発明の半導体装置の製造方法
は、電極端子を設けた半導体層上に、前記電極端子が覆
われないように保護部材を設ける。Further, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a protective member is provided on the semiconductor layer provided with the electrode terminals so that the electrode terminals are not covered.
【００１０】さらにまた、本発明の太陽電池の製造方法
は、電極端子を設けた太陽電池素子上に、前記電極端子
が覆われないように保護部材を設ける。Further, in the method of manufacturing a solar cell according to the present invention, a protective member is provided on the solar cell element provided with the electrode terminals so that the electrode terminals are not covered.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１２】図１（ａ）〜図１（ｃ）は、本発明の実施
形態の太陽電池の製造工程図である。図１（ａ）〜図１
（ｃ）を用いて本実施形態の太陽電池の製造方法につい
て説明する。まず、図１（ａ）に示すように、本実施形
態に係る太陽電池は、シリコンウェハなどの基体１をた
とえば陽極化成やステインエッチングすることにより、
多孔質層である分離層６を形成する。1 (a) to 1 (c) are manufacturing process diagrams of a solar cell according to an embodiment of the present invention. 1 (a) to 1
The method for manufacturing the solar cell of the present embodiment will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 1A, the solar cell according to the present embodiment is obtained by subjecting a base 1 such as a silicon wafer to, for example, anodization or stain etching.
The separation layer 6 which is a porous layer is formed.
【００１３】なお、分離層６は、水素や希ガスのイオン
打ち込みにより形成され、微少気泡を得ることができる
潜在的多孔質体や、陽極化成とイオン打ち込みとの両方
によって形成した多孔質体であってもよい。The separation layer 6 is formed by ion implantation of hydrogen or a rare gas, and is a potential porous material capable of obtaining microbubbles, or a porous material formed by both anodization and ion implantation. There may be.
【００１４】そして、分離層６上に図示しないシリコン
など半導体薄膜を、たとえば気相成長法、液相成長法、
スパッタ法、蒸着法などにより形成して、さらに、この
半導体薄膜上に、たとえば異なる導電型の半導体薄膜を
連続して形成して、ＰＮ接続部分を形成する。なお、半
導体薄膜は、単結晶、多結晶、微結晶或いはアモルファ
スなどのいずれでもよく、種々の化合物半導体でよい。A semiconductor thin film such as silicon (not shown) is formed on the separation layer 6 by, for example,
It is formed by a sputtering method, a vapor deposition method or the like, and further, for example, semiconductor thin films of different conductivity types are continuously formed on this semiconductor thin film to form a PN connection portion. Note that the semiconductor thin film may be any of single crystal, polycrystal, microcrystal, and amorphous, and may be various compound semiconductors.
【００１５】つづいて、半導体薄膜に、電極５となる導
電性接着材をスクリーン印刷したり、電極５となるアル
ミニウム線などの金属線を導電性接着材で固定したり、
マスクを用いて電極５となるアルミニウムなどの金属部
を形成する。こうして、半導体薄膜に電極５を形成す
る。なお、電極５の端部に設けた電極端子５ａの形状
は、後述するように、分離用部材３に設ける開口部４の
形成しやすさなどから、たとえば３ｍｍ角程度のグリッ
ド状とすることが好ましい。Subsequently, a conductive adhesive serving as the electrode 5 is screen-printed on the semiconductor thin film, or a metal wire such as an aluminum wire serving as the electrode 5 is fixed with the conductive adhesive.
Using a mask, a metal part such as aluminum to be the electrode 5 is formed. Thus, the electrode 5 is formed on the semiconductor thin film. In addition, the shape of the electrode terminal 5a provided at the end of the electrode 5 may be, for example, a grid shape of about 3 mm square, as described later, in order to easily form the opening 4 provided in the separating member 3. preferable.
【００１６】つぎに、図示しないＳｉＮなどの反射防止
膜やパッシベーション膜を、電極端子５ａを覆わないよ
うに半導体薄膜上に形成する。こうして、太陽電池素子
２を基体１上に形成する。Next, an anti-reflection film such as SiN or a passivation film (not shown) is formed on the semiconductor thin film so as not to cover the electrode terminals 5a. Thus, the solar cell element 2 is formed on the base 1.
【００１７】つぎに、電極端子５ａの大きさに合わせて
設けた、たとえば４ｍｍ角程度の開口部４を有する透光
性の分離用部材３を用意する。分離用部材３には、たと
えばポリカーボネート（ＰＣ）やポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）などを用いている。また、開口部４
は、たとえばプラスチックフィルム基板をポリカーボネ
ートで形成した場合には、シートなどをマスクとしてジ
クロロメタンによる膨潤処理することにより、或いはメ
タルマスクを用いたアッシング処理などにより設ける。Next, a light-transmitting separating member 3 having an opening 4 of, for example, about 4 mm square, which is provided according to the size of the electrode terminal 5a is prepared. For the separation member 3, for example, polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), or the like is used. Opening 4
For example, when a plastic film substrate is formed of polycarbonate, it is provided by swelling treatment with dichloromethane using a sheet or the like as a mask, or ashing treatment using a metal mask.
【００１８】そして、図１（ｂ）に示すように、この分
離用部材と太陽電池素子２とを、たとえば透光性接着材
７を介して張り付ける。なお、透光性接着材７は、太陽
電池素子２と分離用部材３とのいずれに塗布してもよい
が、電極端子５ａを覆わないようにすることが望まし
い。このため、たとえば電極端子５ａに、埋没防止部材
８を取り付け、又は形成することによって、これを防止
することが好ましい。Then, as shown in FIG. 1B, the separating member and the solar cell element 2 are attached to each other with, for example, a translucent adhesive 7 interposed therebetween. The translucent adhesive 7 may be applied to either the solar cell element 2 or the separating member 3, but it is preferable that the translucent adhesive 7 does not cover the electrode terminals 5a. For this reason, it is preferable to prevent this by attaching or forming the burial prevention member 8 to the electrode terminal 5a, for example.
【００１９】また、開口部４は、太陽電池素子２を基体
１からきちんと分離するために小さい方がよく、最大で
も５ｍｍ角程度の大きさとすることが好ましい。埋没防
止部材８を形成するには、基体１を１００℃〜１５０℃
程度に熱した状態で導電性接着材を電極端子５ａ上に盛
り上げるように形成したり、金属細線などの導電部材
を、半田や導電性接着材で固定すればよい。The opening 4 is preferably small in order to properly separate the solar cell element 2 from the substrate 1, and is preferably at most about 5 mm square. In order to form the burial prevention member 8, the substrate 1 is heated at 100 ° C to 150 ° C.
The conductive adhesive may be formed so as to be raised on the electrode terminals 5a while being heated to a certain degree, or a conductive member such as a thin metal wire may be fixed with solder or a conductive adhesive.
【００２０】また、埋没防止部材８を取り付けるなどし
なくても、透光性接着材７によって電極端子５ａが覆わ
れた場合には、開口部４において、覆われている透光性
接着材７を除去することにより、電極端子５ａを露出さ
せればよい。Further, when the electrode terminal 5a is covered with the translucent adhesive 7 without attaching the burying prevention member 8, the covered translucent adhesive 7 is formed in the opening 4. May be removed to expose the electrode terminals 5a.
【００２１】ちなみに、樹脂性、導電性、粘着性などを
有する分離用部材３を用いれば透光性接着材７を必要と
しない。また、透光性接着材７には、たとえばエポキシ
樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂などを用いてい
る。By the way, if the separating member 3 having resin, conductivity, adhesiveness and the like is used, the translucent adhesive 7 is not required. The translucent adhesive 7 is made of, for example, an epoxy resin, a silicone resin, an acrylic resin, or the like.
【００２２】つぎに、分離層６において、基体１と太陽
電池素子２とを分離する。分離層６を多孔質シリコン層
とした場合には、分離用部材３にひっぱり力を印加した
り、冷却して収縮させたり、加熱して伸長させたり、電
磁波（レーザ）や超音波をあてることにより分離するこ
とができる。埋没防止部材８を自由な形状で形成等する
場合には、分離用部材３を伸縮させることにより、基体
１と太陽電池素子２とを分離することが好ましい。Next, in the separation layer 6, the substrate 1 and the solar cell element 2 are separated. When the separation layer 6 is a porous silicon layer, a pulling force is applied to the separation member 3, the contraction is performed by cooling, the expansion is performed by heating, or an electromagnetic wave (laser) or an ultrasonic wave is applied. Can be separated by When the burying prevention member 8 is formed in a free shape or the like, it is preferable to separate the base 1 and the solar cell element 2 by expanding and contracting the separating member 3.
【００２３】つぎに、図１（ｃ）に示すように、まず、
基体１から分離した太陽電池素子２の分離面に、アルミ
ニウムなどの金属を蒸着又はスパッタなどで付けたり、
太陽電池素子２の分離面に図示しない導電性接着材を塗
布して裏面電極１０を形成する。この際、分離面に残存
している多孔質シリコンなどは、エッチングやラビング
によって除去する。Next, as shown in FIG. 1C, first,
A metal such as aluminum is attached to the separation surface of the solar cell element 2 separated from the base 1 by vapor deposition or sputtering,
A back surface electrode 10 is formed by applying a conductive adhesive (not shown) to the separation surface of the solar cell element 2. At this time, porous silicon and the like remaining on the separation surface are removed by etching or rubbing.
【００２４】また、分離用部材３が薄かったり、強度が
ない場合には、図１（ｃ）に示すように、導電性接着材
９を塗布した保持部材１２を、裏面電極１０に張り付け
るとよい。そして、開口部４を介して、電極５又は埋没
防止部材８と電極５から電力を取り出す金属線や金属箔
などからなる電力取り出し部材１１とを、導電性接着材
や半田などで接続する。こうして、太陽電池を製造す
る。When the separating member 3 is thin or has no strength, as shown in FIG. 1C, the holding member 12 coated with the conductive adhesive 9 is attached to the back electrode 10. Good. Then, through the opening 4, the electrode 5 or the burial prevention member 8 is connected to a power extraction member 11 made of a metal wire or a metal foil for extracting electric power from the electrode 5 with a conductive adhesive or solder. Thus, a solar cell is manufactured.
【００２５】一方、太陽電池素子２が分離された後の基
体１は、分離面に残存する多孔質シリコンなどを除去す
ることにより、再度、太陽電池を製造することができ
る。On the other hand, the solar cell can be manufactured again by removing the porous silicon and the like remaining on the separation surface from the substrate 1 after the solar cell element 2 is separated.
【００２６】なお、太陽電池は、たとえば、保持部材１
２と太陽電池素子２に取り付けられた裏面電極１０と
を、導電性接着材９を介して接着し、太陽電池素子２の
上に電極５及び電極端子５ａを形成し、その上に開口部
４を設けた分離用部材３を保護層として、電極端子５ａ
が開口部４内に納まるように張り付けることによって製
造してもよい。また、本実施形態では、太陽電池を製造
する方法を例に説明したが、半導体層を有する半導体装
置であれば適用することができる。The solar cell is, for example, a holding member 1
2 and the back electrode 10 attached to the solar cell element 2 are bonded via a conductive adhesive 9 to form an electrode 5 and an electrode terminal 5 a on the solar cell element 2, and the opening 4 The electrode member 5a is provided with the separating member 3 provided with
May be manufactured by sticking so as to fit in the opening 4. Further, in the present embodiment, a method for manufacturing a solar cell has been described as an example, but the present invention can be applied to any semiconductor device having a semiconductor layer.
【００２７】[0027]
【実施例】つぎに、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００２８】図２（ａ）〜図２（ｃ）は、本発明の実施
例に係る太陽電池の製造工程図である。なお、図１
（ａ）〜図１（ｃ）に示した部分と同様の部分には同一
の符号を付している。FIGS. 2 (a) to 2 (c) are views showing the steps of manufacturing a solar cell according to an embodiment of the present invention. FIG.
Parts similar to those shown in FIGS. 1A to 1C are denoted by the same reference numerals.
【００２９】まず、図２（ａ）に示すように、たとえば
５インチのｐ+シリコンウェハ２１を、たとえば３リッ
トルの弗酸とたとえば１５０ｃｃのエタノールとの混合
液を用い、この混合液に１Ａの電流をたとえば６００秒
間流して、ｐ+シリコンウェハ２１と対向電極との間を
通電した。First, as shown in FIG. 2A, for example, a 5-inch p + silicon wafer 21 is mixed with a mixed solution of, for example, 3 liters of hydrofluoric acid and, for example, 150 cc of ethanol. A current was passed, for example, for 600 seconds, and a current was passed between the p + silicon wafer 21 and the counter electrode.
【００３０】その後、電流量をたとえば２．８Ａとし
て、さらにたとえば１００秒間電流を流すことにより陽
極化成して、多孔質層２６を形成した。そして、この上
に溶媒としてＩｎを使用したディッピング式の液相成長
法で、単結晶ｐ型シリコン層をたとえば３０μｍの厚さ
で堆積して、さらに、この上にｎ型シリコン層をたとえ
ば０．３μｍの厚さで堆積した。Thereafter, the current amount was set to, for example, 2.8 A, and anodization was performed by flowing a current for, for example, 100 seconds to form the porous layer 26. Then, a single-crystal p-type silicon layer having a thickness of, for example, 30 μm is deposited thereon by a dipping type liquid phase growth method using In as a solvent, and an n-type silicon layer is further formed thereon, for example, with a thickness of 0. Deposited at a thickness of 3 μm.
【００３１】つぎに、銀ペーストをグリッド状にスクリ
ーン印刷・焼成して、電極５を形成した。そして、ｎ型
シリコン層の上に、反射防止層としてＴｉＯ2をたとえ
ば５００ｎｍの厚さで蒸着して、多孔質層２６上に太陽
電池素子２を形成した。つづいて、ｐ+シリコンウェハ
２１をたとえば１５０℃になるまで熱して、電極端子５
ａの上に導電性エポキシ接着材を、たとえば直径が１ｍ
ｍ、高さが１．５ｍｍ程度になるように盛り上げて、そ
の後硬化して埋没防止部材８を形成した。Next, the silver paste was screen-printed and fired in a grid to form an electrode 5. Then, TiO 2 was deposited as an anti-reflection layer to a thickness of, for example, 500 nm on the n-type silicon layer to form the solar cell element 2 on the porous layer 26. Subsequently, the p + silicon wafer 21 is heated to, for example, 150 ° C.
a. Conductive epoxy adhesive, for example, 1 m in diameter
m and the height was raised to about 1.5 mm, and then cured to form the burial prevention member 8.
【００３２】つづいて、たとえば直径１．５ｍｍの開口
部４を設けた１５０ｍｍ角、厚さ０．５ｍｍ程度のポリ
カーボネート板２３を用意する。そして、図２（ｂ）に
示すように、たとえば太陽電池素子２に、透光性エポキ
シ接着材２７を塗布して、電極端子５ａが開口部４に納
まるようにして太陽電池素子２とポリカーボネート板２
３とを張り付けた。Subsequently, a polycarbonate plate 23 having a size of about 150 mm square and a thickness of about 0.5 mm provided with an opening 4 having a diameter of 1.5 mm is prepared. Then, as shown in FIG. 2 (b), for example, a translucent epoxy adhesive 27 is applied to the solar cell element 2 so that the electrode terminals 5a fit into the openings 4 and the solar cell element 2 and the polycarbonate plate. 2
3 was attached.
【００３３】その後、透光性エポキシ接着材２７が硬化
した後に、ポリカーボネート板２３に液体窒素の蒸気を
あてると、ポリカーボネート板２３が収縮して、太陽電
池素子２とｐ+シリコンウェハ２１とが多孔質層２６に
おいて分離した。太陽電池素子２には、多孔質層２６の
一部が残存しているため、これをたとえば弗硝酸で除去
する。After that, after the translucent epoxy adhesive 27 is cured, when the vapor of liquid nitrogen is applied to the polycarbonate plate 23, the polycarbonate plate 23 contracts, and the solar cell element 2 and the p + silicon wafer 21 become porous. Separated in the porous layer 26. Since a part of the porous layer 26 remains in the solar cell element 2, this is removed with, for example, hydrofluoric acid.
【００３４】そして、図２（ｃ）に示すように、アルミ
ニウム板３０をスパッタ法でたとえば２μｍの厚さで形
成した。さらに、アルミニウム板３０上に、導電性エポ
キシ接着材２９を塗布して、厚さがたとえば０．８ｍｍ
のステンレス板３２に張り付けた。そして、埋没防止部
材８に、たとえば幅５ｍｍ厚さ０．３ｍｍ程度の銅箔３
１を図示しない導電性エポキシ接着材で接続した。Then, as shown in FIG. 2C, an aluminum plate 30 was formed with a thickness of, for example, 2 μm by a sputtering method. Further, a conductive epoxy adhesive 29 is applied on the aluminum plate 30 to have a thickness of, for example, 0.8 mm.
Of the stainless steel plate 32. Then, for example, the copper foil 3 having a width of about 5 mm and a thickness of about 0.3 mm
1 was connected with a conductive epoxy adhesive (not shown).
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上、説明したように、本発明は、太陽
電池素子などの半導体層上に形成されている電極端子が
覆われないように分離用部材を取り付けるため、太陽電
池素子などの半導体素子が損傷しないように、太陽電池
などの半導体装置を製造することができる。As described above, according to the present invention, since the separating member is attached so that the electrode terminals formed on the semiconductor layer of the solar cell element or the like are not covered, the semiconductor element of the solar cell element or the like can be used. A semiconductor device such as a solar cell can be manufactured so that the element is not damaged.
【図１】本発明の実施形態に係る太陽電池の製造工程図
である。FIG. 1 is a manufacturing process diagram of a solar cell according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例に係る太陽電池の製造工程図で
ある。FIG. 2 is a manufacturing process diagram of a solar cell according to an example of the present invention.
１ 基体 ２ 太陽電池素子 ３ 分離用部材 ４ 開口部 ５ 電極 ５ａ 電極端子 ６ 分離層 ７ 透光性接着材 ８ 埋没防止部材 ９ 導電性接着材 １０ 裏面電極 １１ 電力取り出し部材 １２ 保持部材 ２１ ｐ+シリコンウェハ ２３ ポリカーボネート板 ２６ 多孔質層 ２７ 透光性エポキシ接着材 ２９ 導電性エポキシ接着材 ３０ アルミニウムDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base 2 Solar cell element 3 Separation member 4 Opening 5 Electrode 5a Electrode terminal 6 Separation layer 7 Translucent adhesive 8 Buried prevention member 9 Conductive adhesive 10 Back electrode 11 Power extraction member 12 Holding member 21 p + silicon Wafer 23 Polycarbonate plate 26 Porous layer 27 Translucent epoxy adhesive 29 Conductive epoxy adhesive 30 Aluminum
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浮世 典孝 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 岩▲崎▼ 由希子 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F051 BA11 EA01 EA17 EA20 FA14 FA30 GA06 GA11 GA20 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Noritaka Ukiyo 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Iwa ▲ Saki ▼ Yukiko 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo No. F term in Canon Inc. (reference) 5F051 BA11 EA01 EA17 EA20 FA14 FA30 GA06 GA11 GA20
Claims (10)
層上に電極端子を設け、 さらに前記半導体層上に前記電極端子が覆われないよう
に分離用部材を取り付け、 前記分離用部材に力を加えて前記半導体層と前記基体と
を前記分離層において分離することを特徴とする半導体
装置の製造方法。An electrode terminal is provided on a semiconductor layer formed on a base via a separation layer, and a separation member is attached on the semiconductor layer so that the electrode terminal is not covered. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising applying force to separate the semiconductor layer and the base at the separation layer.
覆われないように、前記分離用部材に開口部を設け、 前記開口部に前記電極端子が納まるように前記分離用部
材を前記半導体層に取り付けることを特徴とする請求項
１に記載の半導体装置の製造方法。2. An opening is provided in the separating member so that the electrode terminal is not covered by the separating member, and the separating member is attached to the semiconductor layer such that the electrode terminal is accommodated in the opening. The method according to claim 1, wherein the semiconductor device is attached.
分離用部材に前記力を加えることを特徴とする請求項１
又は２に記載の半導体装置の製造方法。3. The force is applied to the separating member by expanding and contracting the separating member.
Or a method for manufacturing a semiconductor device according to item 2.
分離面に残存する前記分離層を除去した後に、前記半導
体層の分離面側に該半導体層の形状を保持する保持部材
を取り付けることを特徴とする請求項１から３のいずれ
か１項に記載の半導体装置の製造方法。4. After removing the separation layer remaining on the separation surface of the semiconductor layer separated from the base side, attaching a holding member for holding the shape of the semiconductor layer to the separation surface side of the semiconductor layer. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein:
からの電極を取り出す部材を備えることを特徴とする請
求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造
方法。5. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, further comprising a member for extracting an electrode from the electrode to the electrode terminal in the opening.
粘着性を有することを特徴とする請求項１から５のいず
れか１項に記載の半導体装置の製造方法。6. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the separation member has resin, conductivity, or adhesiveness.
ことによって形成した多孔質層であることを特徴とする
請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置の製
造方法。7. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the separation layer is a porous layer formed by making the substrate porous.
池素子上の一部に電極及び電極端子を設け、 さらに前記太陽電池素子上に前記電極端子が覆われない
ように分離用部材を取り付け、 前記分離用部材に力を加えることによって前記太陽電池
素子と前記基体とを前記分離層において分離することを
特徴とする太陽電池の製造方法。8. An electrode and an electrode terminal are provided on a part of a solar cell element formed on a substrate via a separation layer, and a separating member is provided on the solar cell element so that the electrode terminal is not covered. Attachment, The manufacturing method of the solar cell characterized by separating the said solar cell element and the said base | substrate in the said separation layer by applying force to the said member for isolation | separation.
極端子が覆われないように保護部材を設けることを特徴
とする半導体装置の製造方法。9. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: providing a protective member on a semiconductor layer provided with an electrode terminal so that the electrode terminal is not covered.
前記電極端子が覆われないように保護部材を設けること
を特徴とする太陽電池の製造方法。10. On a solar cell element provided with an electrode terminal,
A method for manufacturing a solar cell, comprising providing a protective member so that the electrode terminal is not covered.
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