JP2001154926A - Storage method using flash memory and recording medium recording storage control program - Google Patents
Storage method using flash memory and recording medium recording storage control programInfo
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- JP2001154926A JP2001154926A JP33517199A JP33517199A JP2001154926A JP 2001154926 A JP2001154926 A JP 2001154926A JP 33517199 A JP33517199 A JP 33517199A JP 33517199 A JP33517199 A JP 33517199A JP 2001154926 A JP2001154926 A JP 2001154926A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、フラッシュメモ
リを用いる記憶方法及び記憶制御プログラムを記録した
記録媒体に係り、詳しくは、運用中にデータが変更され
るにも関わらず保持していなければならないデータが存
する記憶装置において、データを記憶する不揮発性メモ
リとしてフラッシュメモリを用いる場合の記憶方法及び
記憶制御プログラムを記録した記録媒体に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a storage method using a flash memory and a recording medium on which a storage control program is recorded. More specifically, the present invention relates to a method for storing data even when data is changed during operation. The present invention relates to a storage method in a case where a flash memory is used as a non-volatile memory for storing data in a storage device in which data is stored, and a storage medium storing a storage control program.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、変更が必要なデータの記憶には、
不揮発性メモリであるEEPROMが一般に使用されて
いる。ところが、近年になって、フラッシュメモリ内部
が2つのブロックに分かれており、一方のブロックに書
き込み又は消去中に、他方のブロックの読み出しが可能
なフラッシュメモリが普及してきている。これにより、
プログムを格納するためのフラッシュメモリに運用デー
タも記憶させることによってEEPROMを削除し、コ
ストダウン及び実装面積の低減を図ることが要求される
ようになってきている。しかしながら、フラッシュメモ
リは書込み回数の制限があり、制限を越えると書込みエ
ラーや消去エラーが発生することや、書込み及び消去に
時間がかかるため、その間に電池抜け等の要因により書
込み及び消去処理が途中で中断し、データが破壊される
恐れがあるという問題も生じている。また、周知の通
り、フラッシュメモリの書込みは、「1」を「0」にす
ることは出来ても、「0」を「1」にすることはできな
いため、データを書換える場合は、一旦データが書き込
まれている領域を全消去して全ビットを「1」の状態に
してから新データを書込む必要がある。2. Description of the Related Art Conventionally, storage of data that needs to be changed includes:
EEPROM, which is a non-volatile memory, is generally used. However, in recent years, the inside of the flash memory has been divided into two blocks, and a flash memory capable of reading from one block while writing or erasing one block has become widespread. This allows
It has been required to store the operation data in a flash memory for storing programs so as to eliminate the EEPROM, thereby reducing cost and mounting area. However, the flash memory has a limit on the number of times of writing. If the limit is exceeded, a writing error or erasing error occurs, and writing or erasing takes time. And the data may be destroyed. Also, as is well known, in writing to a flash memory, "1" can be changed to "0", but "0" cannot be changed to "1". It is necessary to write all new data after erasing all the areas in which is written and setting all bits to "1".
【0003】書込み回数制限による書込み及び消去エラ
ーに対応するためには、例えば、特開平6−33280
6に開示されているように、書込みエラーを検出した領
域は、その領域を使用するのを止め、代替え領域にデー
タを書込みすることが提案されている。すなわち、上記
公報には、フラッシュメモリを記憶媒体とする記憶部を
備える半導体メモリ部と、該半導体メモリ部との間で情
報を送受信するホストシステムとを有する記憶システム
において、前記半導体メモリ部は、前記ホストシステム
との間で情報を送受信するインタフェース回路と、前記
記憶部に対する情報の読み書きを制御し、当該記憶部の
エラー領域を検出する制御回路と、前記記億部の各領域
ごとに使用未使用の状態を保持し、該制御回路において
エラーを検出した場合に、前記記億部のエラー領域の代
わりに未使用の領域を代替領域として割り当て、該割り
当てた代替領域と前記エラー領域との対応を保持するメ
モリ管理手段とを有し、前記制御回路は、前記メモリ管
理手段を参照し、前記記憶部に対する情報の読み書きの
制御を行うようにした技術が開示されている。In order to cope with write and erase errors due to the limitation of the number of times of writing, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 6-33280
As disclosed in No. 6, it has been proposed to stop using a region where a write error has been detected and write data to a substitute region. That is, in the above publication, in a storage system having a semiconductor memory unit having a storage unit using a flash memory as a storage medium, and a host system that transmits and receives information to and from the semiconductor memory unit, the semiconductor memory unit, An interface circuit for transmitting and receiving information to and from the host system, a control circuit for controlling reading and writing of information from and to the storage unit, and detecting an error area of the storage unit; and an unused circuit for each area of the storage unit. When the control circuit detects an error in the state of use, an unused area is allocated as an alternative area instead of the error area of the storage section, and a correspondence between the allocated alternative area and the error area is determined. The control circuit refers to the memory management unit and controls reading and writing of information from and to the storage unit. Techniques to perform is disclosed.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記特開平
6−332806の技術は、装置に安定して電源が供給
されていることが前提となっており、例えばデータを書
き込んでいる途中で電源を絶たれた場合には、書込み前
に消去を実施してしまっているため、運用データを完全
に消失してしまうことが考えられる。ところが、特に携
帯端末等の場合は、端末使用者の予期せぬ取り扱いによ
り、突然電源が絶たれることがあり、記憶方式も突然の
電源断を考慮しなくてはならない。上記技術は、突然の
電源断等による場合の制御については考慮されてなく、
電源断で運用データを消失してしまう恐れがある。した
がって、携帯端末、その他消失してはならないデータを
記憶する必要のある装置にはフラッシュメモリの使用が
困難であるという問題は解消されない。この発明は、上
述の事情に鑑みなされたもので、フラッシュメモリにデ
ータを書込み又は消去中に電源断等が発生してもデータ
を失うことがなく、信頼性の高いフラッシュメモリを用
いる記憶方法及び記憶制御プログラムを記録した記録媒
体を提供することを目的としている。However, the technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-332806 is based on the premise that power is supplied to the device stably. For example, the power is turned off while data is being written. If the operation data is lost, the operation data may be completely lost because the erasure is performed before the writing. However, especially in the case of a portable terminal or the like, the power supply may be suddenly cut off due to unexpected handling of the terminal user, and the storage method must also consider sudden power-off. The above technology does not consider the control in the case of sudden power off etc.
Operation data may be lost when the power is turned off. Therefore, the problem that it is difficult to use a flash memory for a portable terminal and other devices that need to store data that should not be lost remains unsolved. The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and a storage method using a highly reliable flash memory without losing data even when a power failure or the like occurs during writing or erasing data in the flash memory. It is an object of the present invention to provide a recording medium on which a storage control program is recorded.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1記載の発明は、フラッシュメモリを用いる
記憶方法に係り、データを記憶する領域が第1不揮発面
と第2不揮発面との2面に構成されたフラッシュメモリ
と、バックアップ面を有し、二次電池によりバックアッ
プされているバックアップ用RAMとを備え、前記第1
不揮発面、第2不揮発面、バックアップ面を合わせた計
3面の領域にデータを記憶することを特徴としている。According to a first aspect of the present invention, there is provided a storage method using a flash memory, wherein an area for storing data includes a first nonvolatile surface and a second nonvolatile surface. A flash memory having two surfaces; a backup RAM having a backup surface and backed up by a secondary battery;
Data is stored in a total of three areas including a nonvolatile surface, a second nonvolatile surface, and a backup surface.
【0006】また、請求項2記載の発明は、請求項1記
載のフラッシュメモリを用いる記憶方法に係り、前記フ
ラッシュメモリ及びバックアップ用RAMに記憶される
データは、該データを1バイト単位加算したチェックサ
ムと、データが破壊されているか否かを判断する判断用
データとで構成されていることを特徴としている。According to a second aspect of the present invention, there is provided a storage method using the flash memory according to the first aspect, wherein the data stored in the flash memory and the backup RAM is checked by adding the data in units of one byte. It is characterized by comprising a sum and determination data for determining whether the data is destroyed.
【0007】また、請求項3記載の発明は、請求項1又
は2記載のフラッシュメモリを用いる記憶方法に係り、
データを書換えする際は、前記バクアップ面、第1不揮
発面、第2不揮発面の順でデータ書換えを実施し、前記
第2不揮発面の書換えが完了するまでは書換え前の旧デ
ータ又は書換え完了後の新データが前記フラッシュメモ
リ上に存在するようにしたことを特徴としている。According to a third aspect of the present invention, there is provided a storage method using the flash memory according to the first or second aspect.
When rewriting data, data is rewritten in the order of the backup surface, the first non-volatile surface, and the second non-volatile surface, and old data before rewriting or after rewriting is completed until rewriting of the second non-volatile surface is completed. Characterized in that the new data exists in the flash memory.
【0008】また、請求項4記載の発明は、請求項1、
2又は3記載のフラッシュメモリを用いる記憶方法に係
り、前記第1不揮発面及び第2不揮発面には、ブロック
管理テーブルを記憶する領域を備え、前記ブロック管理
テーブルには、前記第1不揮発面又は第2不揮発面の書
込み中/書込み完了/書込み未実施/消去中/消去完了
/消去未実施の状態のいずれか1又は複数が書込まれる
ことを特徴としている。[0008] Further, the invention according to claim 4 is based on claim 1,
4. The storage method using a flash memory according to item 2 or 3, wherein the first nonvolatile surface and the second nonvolatile surface each include an area for storing a block management table, and the block management table includes the first nonvolatile surface or Any one or a plurality of states during writing / writing completed / writing not performed / erasing / erasing completed / erasing not performed on the second nonvolatile surface is written.
【0009】請求項5記載の発明は、請求項1ないし4
のいずれか1に記載のフラッシュメモリを用いる記憶方
法に係り、前記第1不揮発面、第2不揮発面、及びバッ
クアップ面の各々の有効性を確認し、有効と判断された
面の中から複写元となる最優先有効面を、バックアップ
面>第1不揮発面>第2不揮発面の優先順位に従い決定
し、この最優先有効面と前記チェックサムが一致してい
ない条件で複写許可面を決定し、書換え未処理の複写許
可面がある場合にのみ運用データを複写していくことを
特徴としている。[0009] The invention according to claim 5 is the invention according to claims 1 to 4.
The validity of each of the first non-volatile surface, the second non-volatile surface, and the backup surface is confirmed, and the copy source is determined from among the surfaces determined to be valid. Is determined in accordance with the priority order of backup side> first non-volatile side> second non-volatile side, and a copy-permitted side is determined under the condition that the highest-priority valid side does not match the checksum, It is characterized in that the operation data is copied only when there is an unprocessed copy-permitted surface.
【0010】請求項6記載の発明は、請求項1ないし5
のいずれか1に記載のフラッシュメモリを用いる記憶方
法に係り、前記フラッシュメモリ及びバックアップ用R
AMは、携帯端末における制御部のCPUにアドレスデ
ータバスを介して接続され、前記データは携帯端末の運
用データであることを特徴としている。[0010] The invention according to claim 6 is the invention according to claims 1 to 5.
A storage method using the flash memory according to any one of the above, wherein the flash memory and the backup R
The AM is connected to a CPU of a control unit of the mobile terminal via an address data bus, and the data is operation data of the mobile terminal.
【0011】請求項7記載の発明は、コンピュータを請
求項1ないし6のいずれか1に記載のフラッシュメモリ
を用いる記憶方法として機能させるための記憶制御プロ
グラムを記録した記録媒体であることを特徴としてい
る。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a recording medium recording a storage control program for causing a computer to function as a storage method using the flash memory according to any one of the first to sixth aspects. I have.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。説明は、実施例を用い
て具体的に行う。図1は、この発明の一実施例であるフ
ラッシュメモリを用いる記憶方法が適用された携帯端末
の電気的構成を示すブロック図、図2は、同記憶方法に
用いられるフラッシュメモリ及びバックアップ用RAM
の運用データ記憶領域を示す概念図、また、図3は、同
フラッシュメモリに設定されたブロック管理テーブルを
示す図である。この例の携帯端末は、図1に示すよう
に、アンテナ1を介して基地局と無線通信するための無
線部2と、ベースバンド信号を取り扱う制御部3とで大
略構成されている。無線部2は、受信部4と送信部5と
からなる。受信部4は、図示していないが、高周波増幅
器、受信ミキサ、中間周波数増幅器、復調器等で構成さ
れ、また、送信部5は送信電力増幅器、送信ミキサ、変
調器等で構成されている。上記制御部3は、変調・復調
処理を行うベースバンド処理回路6と、装置全体を制御
するCPU7と、ユーザ系の処理を統括するユーザイン
タフェース処理回路8とを備えている。このユーザイン
タフェース処理回路8は、主としてキー10の入力検
出、充電部11のからの充電制御及び電源12の制御を
行うものである。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The description will be specifically made using an embodiment. FIG. 1 is a block diagram showing an electric configuration of a portable terminal to which a storage method using a flash memory according to an embodiment of the present invention is applied, and FIG. 2 is a flash memory and a backup RAM used in the storage method.
And FIG. 3 is a diagram showing a block management table set in the flash memory. As shown in FIG. 1, the mobile terminal of this example is roughly constituted by a radio unit 2 for wirelessly communicating with a base station via an antenna 1 and a control unit 3 for handling a baseband signal. The wireless unit 2 includes a receiving unit 4 and a transmitting unit 5. The receiving unit 4 includes a high-frequency amplifier, a receiving mixer, an intermediate frequency amplifier, a demodulator, and the like, although not shown. The transmitting unit 5 includes a transmission power amplifier, a transmission mixer, a modulator, and the like. The control unit 3 includes a baseband processing circuit 6 for performing modulation / demodulation processing, a CPU 7 for controlling the entire apparatus, and a user interface processing circuit 8 for controlling user-related processing. The user interface processing circuit 8 mainly performs input detection of the key 10, controls charging from the charging unit 11, and controls the power supply 12.
【0013】CPU7にはアドレスデータバス14を介
して不揮発性メモリとしてのフラッシュメモリ15と、
同じく不揮発性メモリであるスタティックRAM(SR
AM)よりなるバックアップ用RAM16と、表示部1
7とが接続されている。CPU7は、ベースバンド処理
制御プログラム70、ユーザインタフェース制御プログ
ラム71、フラッシュメモリ制御プログラム72、バッ
クアップ用RAM制御プログラム73及び表示制御プロ
グラム74を記録した記録媒体20の入力により、後述
する各種の制御を行うようになっている。フラッシュメ
モリ15には、プログラムと、書換えが必要であるが半
永久的に保持していなくてはならないデータ(以下、こ
のデータを運用データと称す)が格納されている。バッ
クアップ用RAM16は二次電池18でバックアップさ
れている。図2に示すように、前記フラッシュメモリ1
5及びバックアップ用RAM16に、運用データを記憶
する領域を設けている。すなわち、フラッシュメモリ1
5上には第1不揮発面15A及び第2不揮発面15Bの
2つの領域を設けると共に、第1不揮発面15A及び第
2不揮発面15Bには、それぞれ後述するようなブロッ
ク管理テーブルを格納する領域を設けている。また、バ
ックアップ用RAM16には、運用データを記憶する領
域、すなわち、バックアップ面16Aを設けている。The CPU 7 has a flash memory 15 as a nonvolatile memory via an address data bus 14,
Static RAM (SR
AM) and the display unit 1
7 are connected. The CPU 7 performs various controls described below by inputting the recording medium 20 on which the baseband processing control program 70, the user interface control program 71, the flash memory control program 72, the backup RAM control program 73, and the display control program 74 are recorded. It has become. The flash memory 15 stores a program and data that needs to be rewritten but must be held semi-permanently (hereinafter, this data is referred to as operation data). The backup RAM 16 is backed up by a secondary battery 18. As shown in FIG.
5 and the backup RAM 16 are provided with areas for storing operation data. That is, the flash memory 1
5 are provided with a first nonvolatile surface 15A and a second nonvolatile surface 15B, and the first nonvolatile surface 15A and the second nonvolatile surface 15B each include an area for storing a block management table as described later. Provided. The backup RAM 16 has an area for storing operation data, that is, a backup surface 16A.
【0014】図3に示すように、上記フラッシュメモリ
15のブロック管理テーブルは、各不揮発面15A、1
5Bの書込状況、消去状況の状態が格納される。すなわ
ち、各面15A、15Bのブロック管理テーブルの00
番地(上位)から01(下位)に書込状況が、02番地
(上位)から03番地(下位)に消去状況が各々格納さ
れている。書込状況において、上位がFF、下位がFF
のときは未使用(無効)であり、上位がFF、下位が0
0のときは書込中(無効)であり、上位が00、下位が
00のときは書込完了(有効)であることを示してい
る。また、消去状況において、上位がFF、下位がFF
のときは消去未処理(無効)であり、上位が00、下位
が00のときは消去中(無効)であり、上位がFF、下
位が00のときは消去完了(有効)であることを示して
いる。As shown in FIG. 3, the block management table of the flash memory 15 includes the nonvolatile surfaces 15A,
The status of the writing status and the erasing status of 5B is stored. That is, 00 of the block management table of each surface 15A, 15B
The write status is stored from address (upper) to 01 (lower), and the erase status is stored from address 02 (upper) to address 03 (lower). In the writing situation, the upper part is FF and the lower part is FF
Is unused (invalid), the upper part is FF and the lower part is 0
A value of 0 indicates that writing is in progress (invalid), and an upper value of 00 indicates that writing is complete (valid). Also, in the erase situation, the upper part is FF and the lower part is FF.
Indicates that the erasure has not been processed (invalid), the upper 00 indicates that the erasure is in progress (invalid), and the lower 00 indicates that the erasure has been completed. ing.
【0015】前記CPU7は、消去を開始する前に、ブ
ロック管理テーブルに「消去中」をセットし、消去完了
後に「消去完了」をセットする。また、運用データの書
込みを開始する前には「書込中」をセットし、書込完了
した場合は「書込完了」セットする。これにより、例え
ば書込処理及び消去処理中に電源断が発生した場合も、
次回電源ON時にブロック管理テーブルを見ることによ
って、どの面の運用データが正常で、どの面の運用デー
タは処理途中であるかを容易にに判断することができ
る。また、書込処理及び消去処理中にエラーが発生した
場合も、書込状況及び消去状況の状態を「完了」とせず
そのままにしておくことで、次回処理時は何らかの要因
で処理が途中で中断したと判断し、再度書込み及び消去
を試みることが可能となる。これにより、CPU7は、
運用データが正常であるか否かを各面15A、15Bご
とに判断することができ、正常でないと判断された面
に、正常な面の運用データを複写することにより、復旧
させることが可能となる。The CPU 7 sets "under erasing" in the block management table before starting erasing, and sets "erasing completed" after erasing is completed. In addition, “writing in progress” is set before the writing of the operation data is started, and “writing completed” is set when the writing is completed. Thereby, for example, even when the power is cut off during the writing process and the erasing process,
By looking at the block management table when the power is turned on next time, it is possible to easily determine which surface of the operation data is normal and which surface of the operation data is being processed. Also, if an error occurs during the writing and erasing processes, the status of the writing status and the erasing status are not set to “completed”, and the process is interrupted in the middle of the next process for some reason. Then, it is possible to try writing and erasing again. Thereby, the CPU 7
It is possible to determine whether the operation data is normal or not for each of the surfaces 15A and 15B, and it is possible to restore the normal data by copying the normal operation data to the surface determined to be abnormal. Become.
【0016】また、運用データ変更時は、第1不揮発面
15A及び第2不揮発面15B及びバックアップ面16
Aの3面全ての書換えを実施する。図4は、その運用デ
ータ書換え手順図を示している。図4において、Pデー
タ、Qデータは各々運用データ名を示している。例え
ば、運用データの書換え前(手順A1)では、第1不揮
発面15A、第2不揮発面15B、及びバックアップ面
16に、各々Pデータが書き込まれ、書換えによってQ
データになることを示している。次に、図4、及び図5
に示す運用データ書換えのフローチャートを参照して、
この例のフラッシュメモリを用いる記憶方法の動作につ
いて説明する。最初に、運用データ変更時の書換えにつ
いて説明する。運用データの書換えを開始する場合、ま
ず、運用データをバックアップ用RAM16のバックア
ップ面16Aに書込む(ステップS1)。これでバック
アップ面16Aの運用データはQデータとなる(手順A
2)。書込後、バックアップが正常にされていたか否か
の判断に使用する判断用データ(以下、IDデータと称
す)を書込む。こIDデータとしては、例えば、アスキ
ーコードでABCD等の制御文字が使用される。When the operation data is changed, the first nonvolatile surface 15A, the second nonvolatile surface 15B, and the backup surface 16
Rewrite all three sides of A. FIG. 4 shows the operational data rewriting procedure. In FIG. 4, P data and Q data each indicate an operation data name. For example, before the operation data is rewritten (procedure A1), P data is written on each of the first non-volatile surface 15A, the second non-volatile surface 15B, and the backup surface 16, and the Q data is rewritten.
Indicates that it will be data. Next, FIGS. 4 and 5
Referring to the operational data rewrite flowchart shown in
The operation of the storage method using the flash memory of this example will be described. First, rewriting when the operation data is changed will be described. When rewriting the operation data, first, the operation data is written into the backup surface 16A of the backup RAM 16 (step S1). As a result, the operation data of the backup surface 16A becomes Q data (procedure A
2). After the writing, data for determination (hereinafter referred to as ID data) used for determining whether or not the backup has been performed normally is written. As the ID data, for example, control characters such as ABCD in ASCII code are used.
【0017】次に、全データに対し、チェックサム(検
査合計)を計算し、バックアップ面16A内の所定の領
域にチェックサムを書込む。ここにチェックサムとは、
バックアップ用RAM16に記憶される運用データを1
バイト単位加算したものである。以上にて、バックアッ
プ面16Aの書換えが完了する(ステップS2)。以下
の手順として、バックアップ面16Aの運用データをフ
ラッシュメモリ15の不揮発面15A、15Bに複写し
ていく。まず、第1不揮発面15Aに運用データを書込
むための事前処理として、手順A3に示すように第1不
揮発面15Aの消去処理を行う。まず、第1不揮発面1
5Aのブロック管理テーブルに「消去中」を書込み(図
3参照)、続いて第1不揮発面15Aの消去処理を実行
する。消去処理が完了したら第1不揮発面15Aのブロ
ック管理デーブルに「消去完了」を書込む(ステップS
3)。Next, a checksum (check total) is calculated for all data, and the checksum is written in a predetermined area in the backup surface 16A. Here is the checksum
The operation data stored in the backup RAM 16 is 1
It is the result of byte unit addition. Thus, the rewriting of the backup surface 16A is completed (Step S2). As the following procedure, the operation data of the backup surface 16A is copied to the nonvolatile surfaces 15A and 15B of the flash memory 15. First, as a preliminary process for writing operation data to the first nonvolatile surface 15A, an erasing process of the first nonvolatile surface 15A is performed as shown in a procedure A3. First, the first non-volatile surface 1
“Under erasing” is written into the block management table of 5A (see FIG. 3), and then the erasing process of the first non-volatile surface 15A is executed. When the erasing process is completed, “erase completed” is written in the block management table of the first nonvolatile surface 15A (step S).
3).
【0018】次に、CPU7は、アクセス失敗(書込み
又は消去の失敗)が発生したか否かを判断し(ステップ
S4)、アクセス失敗がなければ(NOのとき)、ステ
ップS5に移行し、運用データを第1不揮発面15Aに
書込む処理を行う(手順A4)。運用データを書込む際
も、まず第1不揮発面15Aのブロック管理テーブルに
「書込中」を書き込んだ後、先にバックアップ面16A
に書かれたQデータを第1不揮発面15Aの領域に複写
し、書込む。書込みが完了したら第1不揮発面15Aの
ブロック管理テーブルに「書込完了」を書込む。これ
で、第1不揮発面15Aの書換え処理が完了する。第1
不揮発面15Aの書込み処理が終了したら、ステップS
3と同様にして第2不揮発面15Bに運用データを書込
むための事前処理として消去を行う。まず、第2不揮発
面15Bのブロック管理テーブルに「消去中」を書込
む。続いて第2不揮発面15Bの消去を行う。消去が完
了したらブロック管理デーブルに「消去完了」を書込む
(ステップS6、手順A5)。Next, the CPU 7 determines whether or not an access failure (failure of writing or erasing) has occurred (step S4). If there is no access failure (NO), the CPU 7 shifts to step S5 and operates. A process of writing data to the first nonvolatile surface 15A is performed (procedure A4). When writing the operation data, first, “writing” is written in the block management table of the first nonvolatile surface 15A, and then the backup surface 16A is written first.
Is written in the area of the first nonvolatile surface 15A and written. When the writing is completed, “writing completed” is written in the block management table of the first nonvolatile surface 15A. Thus, the rewriting process of the first nonvolatile surface 15A is completed. First
When the writing process of the non-volatile surface 15A is completed, step S
As in the case of No. 3, erasing is performed as a preliminary process for writing operation data to the second nonvolatile surface 15B. First, "under erasing" is written in the block management table of the second nonvolatile surface 15B. Subsequently, the second nonvolatile surface 15B is erased. When the erasing is completed, "erasing completed" is written in the block management table (step S6, procedure A5).
【0019】次に、CPU7は、アクセス失敗(書込み
又は消去の失敗)があるか否かを判断し(ステップS
7)、アクセス失敗がなければ、Qデータを第2不揮発
面15Bに書込む処理に移行する。処理手順は第1不揮
発面15Aへの書込みと同様、第2不揮発面15Bのブ
ロック管理テーブルに「書込中」を書き込んだ後、バッ
クアップ面16Aに書かれたQデータを第2不揮発面1
5Bの領域に複写し書込む。書込みが完了したら第2不
揮発面15Bのブロック管理テーブルに「書込完了」を
書き込んで、第2不揮発面15Bの書換え処理が完了す
る(ステップS8、手順A6)。ステップS4におい
て、書込みエラー又は消去エラーを検出した場合は、ス
テップS5の第1不揮発面15Aの書込み処理を実行す
る必要はないため、即座にステップS6に移行して第2
不揮発面15Bの消去処理を行う。また、ステップS7
において、書込みエラー又は消去エラーを検出した場合
は、ステップS8の第2不揮発面15Bの書込み処理を
実行する必要はないため、即座に書換え処理を終了す
る。Next, the CPU 7 determines whether there is an access failure (writing or erasing failure) (step S).
7) If there is no access failure, the process proceeds to a process of writing Q data to the second nonvolatile surface 15B. The processing procedure is the same as that for writing to the first non-volatile surface 15A, and after writing “writing” in the block management table of the second non-volatile surface 15B, the Q data written to the backup surface 16A is stored in the second non-volatile surface 1A.
Copy and write to area 5B. When the writing is completed, “writing completed” is written in the block management table of the second nonvolatile surface 15B, and the rewriting process of the second nonvolatile surface 15B is completed (step S8, procedure A6). If a write error or an erase error is detected in step S4, it is not necessary to execute the write processing of the first non-volatile surface 15A in step S5.
The non-volatile surface 15B is erased. Step S7
In the case where a writing error or an erasing error is detected, the rewriting process is immediately terminated because it is not necessary to execute the writing process for the second nonvolatile surface 15B in step S8.
【0020】一般に、図1に示すような端、この例の末
装置においては、バックアップ用RAM16上の運用デ
ータを用いて、装置運用を実施するようになっている。
したがって、二次電池18が放電しきってしまった場
合、フラッシュメモリ15の第1不揮発面15Aからバ
ックアップ面16Aに複写し、復旧する仕組みをとる必
要がある。また、例えば、フラッシュメモリ15の第1
不揮発面15Aの処理中に電源12の断電が発生した場
合や、静電気等の外的要因により、第1不揮発面15A
の書換え処理が失敗した場合、当面はバックアップ面1
6Aの運用データにより運用を継続することが可能であ
るが、その状態のまま二次電池18が放電しきってしま
う場合も考慮し、あるタイミングでバックアップ面16
Aの運用データを不揮発面に複写する必要がある。以
下、この場合の制御手順を、図6のフローチャートを参
照しながら説明する。In general, in the end device as shown in FIG. 1, that is, in the end device of this example, the operation of the device is performed by using the operation data in the backup RAM 16.
Therefore, when the secondary battery 18 is completely discharged, it is necessary to copy the data from the first non-volatile surface 15A of the flash memory 15 to the backup surface 16A and restore the flash memory 15. Also, for example, the first memory of the flash memory 15
If the power supply 12 is cut off during the processing of the non-volatile surface 15A, or if the first non-volatile surface 15A
If the rewriting process of the backup fails,
6A, the operation can be continued. However, in consideration of the case where the secondary battery 18 is completely discharged in this state, the backup surface 16 is operated at a certain timing.
It is necessary to copy the operation data of A to the non-volatile surface. Hereinafter, the control procedure in this case will be described with reference to the flowchart of FIG.
【0021】図6に示すように、電源ON時にまず、第
1不揮発面15A、第2不揮発面15B及びバックアッ
プ面16Aの各面の有効性を確認する(ステップS1
0)。バックアップ面15Aが有効であるか否かは、運
用データが正常に読み出せ、かつチェックサムが計算値
と一致することで判断する。また、不揮発面15A、1
5Bが有効であるか否かは、ブロック管理テーブルの各
状態が、「書込完了」、「消去完了」、及び運用データ
が正常に読み出せる状態であり、かつチェックサムが計
算値と一致する場合である。有効と判断された面の中か
ら複写元となる最優先有効面を、バックアップ面16A
>第1不揮発面15A>第2不揮発面15Bの優先順位
に従い決定する。このような優先順位とする理由は、バ
ックアップ面16Aは有効でさえあれば、必ず最も新し
いデータが記憶されているからである。As shown in FIG. 6, when the power is turned on, first, the validity of each of the first nonvolatile surface 15A, the second nonvolatile surface 15B, and the backup surface 16A is checked (step S1).
0). Whether the backup surface 15A is valid or not is determined based on the fact that the operational data can be read normally and the checksum matches the calculated value. In addition, the nonvolatile surfaces 15A, 1
Whether or not 5B is valid is that each state of the block management table is “writing completed”, “erasing completed”, and the state in which the operational data can be read normally, and the checksum matches the calculated value. Is the case. The highest priority valid surface serving as a copy source among the surfaces determined to be valid is designated as a backup surface 16A.
> The first nonvolatile surface 15A is determined according to the priority order of the second nonvolatile surface 15B. The reason for setting such priorities is that the latest data is always stored as long as the backup surface 16A is valid.
【0022】最優先有効面が決定したら、当該面のデー
タを全て他面に複写するわけであるが、少しでもフラッ
シュメモリ15ヘの書込回数を低減するために、複写す
べきか否かを判断する。当該面が有効であり、かつ、最
優先有効面とチェックサムが一致している場合は、全く
同じデータが正常に書き込まれていると判断し、複写を
行わない仕組みとする。上記の全ての判断より、最優先
有効面と複写許可面を決定する。なお、上記の判断、決
定は全てCPU7の処理で行われる。次いで、書換え未
処理の複写許可面ありか否かを判断し(ステップS1
1)、ないときは終了する。書換え未処理の複写許可面
がある場合は、書込む面はフラッシュメモリか否かを判
断し(ステップS12)、YESであればステップS1
3に進む。その後、運用データと同様の書換え手順で順
次複写許可面に最優先面の運用テータを複写していく。When the top priority effective surface is determined, all the data on the surface is copied to the other surface. In order to reduce the number of times of writing to the flash memory 15 as much as possible, it is determined whether or not to copy. I do. If the surface is valid and the checksum is the same as the highest priority valid surface, it is determined that exactly the same data has been normally written, and no copying is performed. From the above determinations, the top priority valid side and the copy permitted side are determined. Note that the above determination and determination are all performed by the CPU 7. Next, it is determined whether or not there is a copy-permitted surface that has not been rewritten (step S1).
1) If not, end. If there is an unprocessed copy-permitted surface, it is determined whether the surface to be written is a flash memory (step S12), and if YES, the process proceeds to step S1.
Proceed to 3. Thereafter, the operation data of the top priority side is sequentially copied on the copy permission side in the same rewriting procedure as the operation data.
【0023】すなわち、複写許可面に運用データを書込
むための事前処理として、複写許可面のブロック管理テ
ーブルに「消去中」を書込み、続いて複写許可面の消去
を行い、消去が完了したらブロック管理デーブルに「消
去完了」を書込む(ステップS13)。次に、ステップ
S14に移行し、最優先有効面の運用データをフラッシ
ュメモリ15の複写許可面に書込む処理を行う。運用デ
ータを書込む際も、まずブロック管理テーブルに「書込
中」を書き込んだ後、複写元に書かれた全データを複写
許可面の領域に複写し書込む。書込みが完了したらブロ
ック管理テーブルに「書込完了」を書き込んで、フラッ
シュメモリ15の複写許可面の書換え処理が完了する。
その後、ステップS11に戻り上記動作を繰り返す。That is, as a pre-process for writing operation data to the copy permitted surface, "erasing" is written in the block management table of the copy permitted surface, and then the copy permitted surface is deleted. "Erase completed" is written in the management table (step S13). Next, the process shifts to step S14 to perform a process of writing the operation data of the highest priority effective surface into the copy permitted surface of the flash memory 15. When writing operation data, first, "writing" is written in the block management table, and then all data written in the copy source is copied and written in the area of the copy permitted surface. When the writing is completed, "writing completed" is written in the block management table, and the rewriting process of the copy permitted surface of the flash memory 15 is completed.
Thereafter, the process returns to step S11 to repeat the above operation.
【0024】ステップS12において、書込む面がフラ
ッシュメモリ15でない場合、つまりバックアップ用R
AM16である場合は、最優先有効面の運用データを複
写許可面(バックアップ面16A)に書込む処理を行い
(ステップS15)、書き込んだ運用データのチェック
サムを計算し(ステップS16)、この運用データのチ
ェックサムと最優先有効面のチェックサムとが一致する
か否かを判断し(ステップS17)、一致しない場合は
一致するまで繰り返し、一致する場合チェックサムを書
込む(ステップS18)。その後ステップS11に戻り
上記動作を繰り返す。これらの手順を実施することによ
り、仮に二次電池18が放電しきってしまったり、運用
データの変更途中に電源断等が発生しても、必ず運用デ
ータを復旧させ正常に運用を継続することが可能とな
る。In step S12, if the surface to be written is not the flash memory 15, that is, if the backup R
If it is AM16, a process of writing the operation data of the highest priority valid side to the copy permission side (backup side 16A) is performed (step S15), and a checksum of the written operation data is calculated (step S16). It is determined whether or not the checksum of the data and the checksum of the highest priority valid face match (step S17). If they do not match, the process is repeated until they match, and if they match, the checksum is written (step S18). Thereafter, the flow returns to step S11 to repeat the above operation. By performing these procedures, even if the secondary battery 18 is completely discharged, or if a power failure or the like occurs during the change of the operation data, the operation data can always be restored and normal operation can be continued. It becomes possible.
【0025】以上、この発明の実施例を図面により詳述
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更等があってもこの発明に含まれる。例えば、この実施
の形態では、フラッシュメモリ15を用いる記憶方法を
携帯端末に使用した例を説明しているが、例えばパソコ
ン、各種通信機器等、運用中にデータが変更されるにも
関わらず保持していなくてはならないデータを取り扱う
全ての装置に適用可能である。Although the embodiment of the present invention has been described in detail with reference to the drawings, the specific configuration is not limited to this embodiment, and there are design changes and the like that do not depart from the gist of the present invention. Is also included in the present invention. For example, in this embodiment, an example is described in which the storage method using the flash memory 15 is used for a portable terminal. However, for example, a personal computer, various communication devices, or the like retains data even when data is changed during operation. It is applicable to all devices that handle data that must be done.
【0026】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、フラッシュメモリの2面の領域とバックアップ用R
AMの1面の領域とを合わせた計3面の領域にデータを
記憶するようにしたので、書換え途中で電源断や外来的
要因で書込みエラー、消去エラーが発生しても、運用デ
ータがいずれかの面には残っており、これを処理が中断
した面に複写するこにより復旧させることが可能とな
り、いかなる場合であっても、正常な運用データを保持
し、運用を継続することができる。また、保持していな
くてはならないデータの記憶媒体として、従来のような
EEPROMではなくフラッシュメモリの使用が可能と
なり、EEPROM削除によりコストダウンと実装面積
の低減をはかることが可能となる。As described above, according to the present invention, two areas of a flash memory and a backup R
Since data is stored in a total of three areas including one area of AM, even if a writing error or an erasing error occurs due to a power failure or an external factor during rewriting, the operation data will be lost. It can be restored by copying it to the surface where processing has been interrupted, and in any case, normal operation data can be retained and operation can be continued . Further, a flash memory can be used instead of the conventional EEPROM as a storage medium for data to be held, and the cost can be reduced and the mounting area can be reduced by deleting the EEPROM.
【図1】この発明の一実施例であるフラッシュメモリを
用いる記憶方法が適用された携帯端末の電気的構成を示
すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of a portable terminal to which a storage method using a flash memory according to an embodiment of the present invention is applied.
【図2】同記憶方法に用いられるフラッシュメモリ及び
バックアップ用RAMの運用データ記憶領域を示す概念
図である。FIG. 2 is a conceptual diagram showing an operation data storage area of a flash memory and a backup RAM used in the storage method.
【図3】同フラッシュメモリに設定されたブロック管理
テーブルを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a block management table set in the flash memory.
【図4】同実施例の動作を説明するための図で、運用デ
ータの書換え手順を示す図である。FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the embodiment, and is a diagram showing a procedure for rewriting operation data.
【図5】同運用データ書換えの動作処理手順を示すフロ
ーチャートである。FIG. 5 is a flowchart showing an operation processing procedure of the operation data rewriting.
【図6】同実施例の動作を説明するための図で、電源O
N直後の処理手順を示すフローチャートである。FIG. 6 is a diagram for explaining the operation of the embodiment;
13 is a flowchart illustrating a processing procedure immediately after N.
3 制御部 7 CPU 14 アドレスデータバス 15 フラッシュメモリ 15A 第1不揮発面 15B 第2不揮発面 16 バックアップ用RAM 16A バックアップ面 70 記録媒体 72 フラッシュメモリ制御プログラム(記憶制御
プログラム) 73 バックアップ用RAM制御プログラム(記憶
制御プログラム)3 Control Unit 7 CPU 14 Address Data Bus 15 Flash Memory 15A First Nonvolatile Surface 15B Second Nonvolatile Surface 16 Backup RAM 16A Backup Surface 70 Recording Medium 72 Flash Memory Control Program (Storage Control Program) 73 Backup RAM Control Program (Storage) Control program)
Claims (7)
第2不揮発面との2面に構成されたフラッシュメモリ
と、バックアップ面を有し、二次電池によりバックアッ
プされているバックアップ用RAMとを備え、 前記第1不揮発面、第2不揮発面、バックアップ面を合
わせた計3面の領域にデータを記憶することを特徴とす
るフラッシュメモリを用いる記憶方法。1. A flash memory having an area for storing data on a first nonvolatile surface and a second nonvolatile surface, a backup RAM having a backup surface, and backed up by a secondary battery. And storing data in a total of three areas including the first nonvolatile surface, the second nonvolatile surface, and the backup surface.
用RAMに記憶されるデータは、該データを1バイト単
位加算したチェックサムと、データが破壊されているか
否かを判断する判断用データとで構成されていることを
特徴とする請求項1記載のフラッシュメモリを用いる記
憶方法。2. The data stored in the flash memory and the backup RAM includes a checksum obtained by adding the data in units of one byte and determination data for determining whether or not the data has been destroyed. 2. A storage method using a flash memory according to claim 1, wherein:
プ面、第1不揮発面、第2不揮発面の順でデータ書換え
を実施し、前記第2不揮発面の書換えが完了するまでは
書換え前の旧データ又は書換え完了後の新データが前記
フラッシュメモリ上に存在するようにしたことを特徴と
する請求項1又は2記載のフラッシュメモリを用いる記
憶方法。3. When rewriting data, data is rewritten in the order of the backup surface, the first non-volatile surface, and the second non-volatile surface, and the old data before rewriting is completed until the rewriting of the second non-volatile surface is completed. 3. A storage method using a flash memory according to claim 1, wherein data or new data after rewriting is present in said flash memory.
は、ブロック管理テーブルを記憶する領域を備え、前記
ブロック管理テーブルには、前記第1不揮発面又は第2
不揮発面の書込み中/書込み完了/書込み未実施/消去
中/消去完了/消去未実施の状態のいずれか1又は複数
が書込まれることを特徴とする請求項1、2又は3記載
のフラッシュメモリを用いる記憶方法。4. The first non-volatile surface and the second non-volatile surface include an area for storing a block management table, and the block management table includes an area for storing the first non-volatile surface or the second non-volatile surface.
4. The flash memory according to claim 1, wherein at least one of a state of writing / writing completion / writing non-execution / erasing / erasing completed / erasing not performed on the nonvolatile surface is written. Storage method using.
バックアップ面の各々の有効性を確認し、有効と判断さ
れた面の中から複写元となる最優先有効面を、バックア
ップ面>第1不揮発面>第2不揮発面の優先順位に従い
決定し、この最優先有効面と前記チェックサムが一致し
ていない条件で複写許可面を決定し、書換え未処理の複
写許可面がある場合にのみ運用データを複写していくこ
とを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1に記載の
フラッシュメモリを用いる記憶方法。5. The validity of each of the first non-volatile surface, the second non-volatile surface, and the backup surface is confirmed, and among the surfaces determined to be valid, the highest priority valid surface serving as a copy source is determined as the backup surface. The first non-volatile surface is determined in accordance with the priority order of the second non-volatile surface, and a copy-permitted surface is determined under the condition that the highest priority valid surface does not match the checksum. 5. A storage method using a flash memory according to claim 1, wherein only operation data is copied.
用RAMは、携帯端末における制御部のCPUにアドレ
スデータバスを介して接続され、前記データは携帯端末
の運用データであることを特徴とするフラッシュメモリ
を用いる記憶方法。6. The flash memory, wherein the flash memory and the backup RAM are connected to a CPU of a control unit of the mobile terminal via an address data bus, and the data is operation data of the mobile terminal. Memory method.
れか1に記載のフラッシュメモリを用いる記憶方法とし
て機能させるための記憶制御プログラムを記録したこと
を特徴とする記録媒体。7. A recording medium on which a storage control program for causing a computer to function as a storage method using the flash memory according to claim 1 is recorded.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33517199A JP3376331B2 (en) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | Storage method using flash memory and storage medium storing storage control program |
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