JP2001092382A - Mask for formation of electrode pattern and production of electro-optic device - Google Patents

Mask for formation of electrode pattern and production of electro-optic device

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JP2001092382A
JP2001092382A JP26600399A JP26600399A JP2001092382A JP 2001092382 A JP2001092382 A JP 2001092382A JP 26600399 A JP26600399 A JP 26600399A JP 26600399 A JP26600399 A JP 26600399A JP 2001092382 A JP2001092382 A JP 2001092382A
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electrode
pattern
mask
forming
shape
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Takeshi Nakamura
猛 中村
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an electro-optic device having an electrode pattern having an electrode the end of which is disposed in a driving region, and to provide a production method of the device so that when the electrode pattern is misaligned to the counter electrode pattern, the area of the pixel region is hardly increased or decreased and production of display defects can be reduced. SOLUTION: A photosensitive resist layer 28 (not shown in the figure) formed on a transparent conductive film 17 is exposed by using a light-shielding mask 29 and developed to form a resist pattern 28a. Then, the film is etched by using a mixture etching liquid such as sulfuric acid, nitric acid and hydrochloric acid. The opening 29a of the light-shielding mask 29 is formed a size larger than the planar form of the designed segment electrode 11a, 11b, and in the region corresponding to the corners 11a-2, 11b-2, the opening is formed as more expanded outward from the position corresponding to the outer edge of the segment electrode 11a, 11b than in other positions.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は電極パターン形成用
マスク及び電気光学装置の製造方法に係り、特に、駆動
領域内に電極の端部が配置された構造の電気光学装置に
適用する場合に好適な電極パターン形成技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mask for forming an electrode pattern and a method of manufacturing an electro-optical device. The present invention relates to a technique for forming an electrode pattern.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、電気光学装置の一種としての液
晶表示装置においては、分割マトリクス表示方式など
の、表示駆動領域内に複数の分割駆動領域を含む構造を
備えたものがある。分割マトリクス表示方式において
は、例えば、走査電極(或いはコモン電極)を2グルー
プに分割してそれぞれに独立分離した表示電極(セグメ
ント電極)を割り当てることによって2つの分割駆動領
域が構成される。各分割駆動領域はそれぞれ別々に走査
されるので、画素数が同じであれば、通常の単一の駆動
領域を有する液晶装置に較べて時分割駆動時の動作マー
ジンを高めることができる。
2. Description of the Related Art In general, a liquid crystal display device as a kind of electro-optical device has a structure including a plurality of divided drive regions in a display drive region, such as a divided matrix display system. In the divided matrix display method, for example, two divided drive regions are configured by dividing a scan electrode (or a common electrode) into two groups and allocating independently separated display electrodes (segment electrodes). Since each of the divided drive regions is scanned separately, if the number of pixels is the same, an operation margin in time-division drive can be increased as compared with a liquid crystal device having a normal single drive region.

【0003】この種の分割マトリクス表示方式、或い
は、2画面駆動パネルと呼ばれる液晶装置には図4に示
すものがある。この液晶装置10においては、透明基板
11,12をシール材13を介して貼り合わせてなり、
透明基板11の図示上下の両端部にはそれぞれ透明基板
12よりも張り出した張出領域11s,11tが設けら
れている。また、透明基板12の図示右端部には、透明
基板11よりも張り出した張出領域12sが設けられて
いる。
FIG. 4 shows a liquid crystal device of this type, which is called a split matrix display system or a two-screen drive panel. In this liquid crystal device 10, transparent substrates 11 and 12 are bonded together via a sealing material 13.
At the upper and lower ends of the transparent substrate 11, overhanging regions 11 s and 11 t are provided, respectively, which extend beyond the transparent substrate 12. At the right end of the transparent substrate 12 in the figure, an overhang region 12 s that extends beyond the transparent substrate 11 is provided.

【0004】透明基板11の内面上には図示上下方向に
伸びる多数のセグメント(表示)電極11a,11bが
並列形成されている。セグメント電極11aは透明基板
11の図示上半部分に形成され、セグメント電極11b
は透明基板11の図示下半部分に形成されている。上記
セグメント電極11a,11bはそれぞれ上記の張出領
域11s,11tの表面上に配線11c,11dとして
引き出され、張出領域11s,11tに接続されたフレ
キシブル配線基板14,15の配線パターンに導電接続
されている。一方、透明基板12の内面上には図示左右
方向に伸びる多数のコモン(走査)電極12aが形成さ
れ、それぞれ上記の張出領域12sに配線12bとして
引き出され、張出領域12sに接続されたフレキシブル
配線基板16の配線パターンに導電接続されている。
On the inner surface of the transparent substrate 11, a number of segment (display) electrodes 11a and 11b extending vertically in the figure are formed in parallel. The segment electrode 11a is formed on the upper half of the transparent substrate 11 in the figure, and the segment electrode 11b
Is formed in the lower half of the transparent substrate 11 in the figure. The segment electrodes 11a and 11b are drawn out as wirings 11c and 11d on the surfaces of the overhang regions 11s and 11t, respectively, and are electrically connected to the wiring patterns of the flexible wiring boards 14 and 15 connected to the overhang regions 11s and 11t. Have been. On the other hand, a large number of common (scanning) electrodes 12a are formed on the inner surface of the transparent substrate 12 and extend in the left and right directions in the figure. It is conductively connected to the wiring pattern of the wiring board 16.

【0005】上記構造においては、シール材13によっ
て囲まれた液晶封入領域内に液晶が封入されており、こ
の液晶封入領域内においては、上記のセグメント電極1
1a,11bとコモン電極12aとが平面的に交差する
部分が画素領域となっており、この画素領域がマトリク
ス状に配列されてなる表示駆動領域Eが設けられてい
る。
In the above structure, liquid crystal is sealed in a liquid crystal sealing area surrounded by a sealing material 13, and the segment electrode 1 is sealed in the liquid crystal sealing area.
A portion where 1a, 11b and the common electrode 12a intersect in plan is a pixel region, and a display drive region E in which the pixel regions are arranged in a matrix is provided.

【0006】このような分割マトリクス方式の液晶装置
においては、上記表示駆動領域E内にセグメント電極1
1a,11bの端部が配置される。図4に示す構造では
セグメント電極11aの端部とセグメント電極11bの
端部とが対向配置される端部対向領域Fが存在する。こ
の端部対向領域Fの近傍を図5に拡大して示す。図5に
示すように、端部対向領域Fにおいては、セグメント電
極11aの端部11a−1とセグメント電極11bの端
部11b−1とが僅かな隙間を介して対向配置されてい
る。
In such a divided matrix type liquid crystal device, the segment electrode 1 is provided in the display drive area E.
The ends of 1a and 11b are arranged. In the structure shown in FIG. 4, there is an end facing region F in which the end of the segment electrode 11a and the end of the segment electrode 11b face each other. The vicinity of the end facing region F is shown in an enlarged scale in FIG. As shown in FIG. 5, in the end facing region F, the end 11a-1 of the segment electrode 11a and the end 11b-1 of the segment electrode 11b face each other with a slight gap therebetween.

【0007】一般にセグメント電極11a,11bの形
成工程では、図6(a)に示すように透明基板11上に
透明導電膜17を形成し、その上に感光性レジスト層1
8を塗布形成した後、遮光マスク19を介して感光性レ
ジスト層18を露光し、現像して図6(b)に示すよう
に所定のレジストパターン18aを形成する。そして、
このレジストパターン18aをエッチングマスクとして
用いて透明導電膜17をエッチングすることによって、
図6(c)に示すようにレジストパターン18aに対応
した形状の上記セグメント電極11a,11bが形成さ
れる。
Generally, in the step of forming the segment electrodes 11a and 11b, as shown in FIG. 6A, a transparent conductive film 17 is formed on a transparent substrate 11, and a photosensitive resist layer 1 is formed thereon.
After applying and forming the photosensitive resist layer 8, the photosensitive resist layer 18 is exposed through a light-shielding mask 19 and developed to form a predetermined resist pattern 18a as shown in FIG. And
By etching the transparent conductive film 17 using this resist pattern 18a as an etching mask,
As shown in FIG. 6C, the segment electrodes 11a and 11b having a shape corresponding to the resist pattern 18a are formed.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の液晶装置においては、上記透明基板11と透明基板
12とがシール材13を介して貼り合わされるときにあ
る程度の基板ずれが発生する場合が多い。このとき、図
5に示すように、セグメント電極11a,11b又はコ
モン電極12aの電極幅Ew(例えば200〜300μ
m)に対して、電極間の間隙Eg(例えば30〜50μ
m)は小さいことから、基板ずれが発生すると、セグメ
ント電極11a,11bに対してコモン電極12aが例
えば図示上下方向にずれる。このとき、セグメント電極
11a,11bの端部11a−1,11b−1は上記の
パターニング時におけるサイドエッチングによって曲線
状に丸められた角部11a−2,11b−2を備えてい
るため、基板ずれによって図示一点鎖線で示すように角
部11a−2,11b−2がコモン電極12aと平面的
に重なるように配置される場合があり、この場合には、
角部11a−2,11b−2の丸め形状によってセグメ
ント電極11a,11bが欠損した部分と、コモン電極
12aとが重なる部位δ1が、画素領域内の正常な印加
電界とは異なる電界が付与された状態になることによっ
て表示欠陥、例えば点灯領域(常時透過状態にある領
域)になってしまうなど、周囲の画素領域とは異なる表
示状態になる。特に、分割マトリクス表示方式の液晶装
置の場合、上述のようにして発生する表示欠陥が分割駆
動領域の境界線に沿って一列に配列される(図4及び図
5においては図示左右方向に伸びる)ためδ1がきわめ
て僅かな面積的な差異であっても線状の表示欠陥として
目立ち、表示品位を大きく損ねてしまう。
However, in the conventional liquid crystal device described above, when the transparent substrate 11 and the transparent substrate 12 are bonded to each other via the sealing material 13, a certain degree of substrate displacement often occurs. . At this time, as shown in FIG. 5, the electrode width Ew of the segment electrode 11a, 11b or the common electrode 12a (for example, 200 to 300 μm).
m), the gap Eg between the electrodes (for example, 30 to 50 μm)
Since m) is small, when the substrate shift occurs, the common electrode 12a is shifted with respect to the segment electrodes 11a and 11b, for example, in the vertical direction in the figure. At this time, since the end portions 11a-1 and 11b-1 of the segment electrodes 11a and 11b have the corner portions 11a-2 and 11b-2 which are rounded by side etching at the time of the above patterning, the substrate shifts. In some cases, the corners 11a-2 and 11b-2 may be arranged so as to overlap the common electrode 12a in a plane as shown by a dashed line in FIG.
An electric field different from a normal applied electric field in the pixel region is applied to a portion δ1 where the portions where the segment electrodes 11a and 11b are missing due to the rounded shapes of the corners 11a-2 and 11b-2 and the common electrode 12a overlap. The display state becomes different from that of the surrounding pixel area, for example, a display defect, for example, a non- lighting area (a region that is always in a transmission state) due to the state. In particular, in the case of the liquid crystal device of the divided matrix display system, the display defects generated as described above are arranged in a line along the boundary of the divided drive area (extending in the horizontal direction in FIGS. 4 and 5). Therefore, even if δ1 is a very small area difference, it is conspicuous as a linear display defect, and the display quality is greatly impaired.

【0009】そこで本発明は上記問題点を解決するもの
であり、その課題は、駆動領域内に端部が配置された電
極を備えた電極パターンを有する電気光学装置におい
て、電極パターンが対向する電極パターンに対してずれ
ても画素領域の面積が増減しにくく、表示欠陥の発生を
低減できる製造方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an electro-optical device having an electrode pattern having electrodes whose ends are arranged in a driving area. It is an object of the present invention to provide a manufacturing method in which the area of a pixel region does not easily increase or decrease even if it is displaced from a pattern, and the occurrence of display defects can be reduced.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の電極パターン形成用マスクは、基板上に互い
に接続されない第1の電極と第2の電極とを、それぞれ
の電極の端部が対向するよう形成するのに用いる電極パ
ターン形成用マスクにおいて、前記第1の電極又は前記
第2の電極はその対向部分において角部が形成され、前
記電極パターン形成用マスクは、前記角部分に対応する
位置において前記角部分の形状に対して内側或いは外側
にずれたパターン形状を有してなることを特徴とする。
According to the present invention, there is provided an electrode pattern forming mask comprising: a first electrode and a second electrode which are not connected to each other on a substrate; In the mask for forming an electrode pattern used to form the first electrode or the second electrode, the first electrode or the second electrode has a corner formed at a portion where the first electrode or the second electrode is opposed to the first electrode or the second electrode. At a corresponding position, the corner portion has a pattern shape shifted inward or outward with respect to the shape of the corner portion.

【0011】この発明によれば、電極の角部分に対応す
る位置において角部分の形状に対して内側或いは外側に
ずれたパターン形状を有していることにより、上記ずれ
をパターニング時におけるパターン形成誤差を減殺する
ように設定すれば、電極の角部分におけるパターン形成
誤差に起因する表示不良部位の発生を抑制することが可
能となり、表示不良や表示欠陥の発生を低減できる。
According to the present invention, the pattern corresponding to the corner portion of the electrode has a pattern shape shifted inward or outward with respect to the shape of the corner portion. Is set so as to reduce the occurrence of defective display due to a pattern formation error in the corner portion of the electrode, and the occurrence of defective display and display defects can be reduced.

【0012】また、本発明の電極パターン形成用マスク
は、基板上に互いに接続されない第1の電極と第2の電
極とを、それぞれの電極の端部が対向するよう形成する
のに用いる電極パターン形成用マスクにおいて、前記第
1の電極又は前記第2の電極はエッチングにより形成さ
れ、前記第1の電極又は前記第2の電極はその対向部分
において角部が形成され、前記電極パターン形成用マス
クは、前記角部分に対応する位置において前記角部分の
形状に対して外側に張り出したパターン形状を有してな
ることを特徴とする。
Further, the electrode pattern forming mask of the present invention provides an electrode pattern used for forming a first electrode and a second electrode, which are not connected to each other, on a substrate such that ends of the electrodes face each other. In the forming mask, the first electrode or the second electrode is formed by etching, and the first electrode or the second electrode has a corner formed at a portion facing the first electrode or the second electrode, and the electrode pattern forming mask is formed. Is characterized by having a pattern shape projecting outward with respect to the shape of the corner portion at a position corresponding to the corner portion.

【0013】本発明において、前記電極パターン形成用
マスクは前記角部分に対応する位置においては、前記角
部分の形状からのずれが最も大きくなるパターン形状を
備えていることが好ましい。
In the present invention, it is preferable that the mask for forming an electrode pattern has a pattern shape in which a deviation from the shape of the corner portion is greatest at a position corresponding to the corner portion.

【0014】この発明によれば、電極パターン形成用マ
スクの角部分に対応する位置においては、角部分の形状
からのずれが最も大きくなるように形成されていること
により、周囲よりも突出した角部におけるパターン形成
誤差の増大に対応して形状を補償することができるの
で、角部において発生しやすい表示不良や欠陥をより低
減することができる。
According to this invention, at the position corresponding to the corner of the mask for forming an electrode pattern, the deviation from the shape of the corner is formed to be the largest, so that the corner protruding from the periphery is formed. Since the shape can be compensated for in response to an increase in the pattern formation error in the portion, display defects and defects which are likely to occur in the corner can be further reduced.

【0015】本発明において、前記電極パターン形成用
マスクは前記角部分に対応する位置においては、前記角
部に対応する位置から前記電極の延長方向若しくは幅方
向に突出した突起状輪郭部を備えていることが好まし
い。
In the present invention, the mask for forming an electrode pattern has, at a position corresponding to the corner portion, a projecting contour portion protruding from a position corresponding to the corner portion in an extending direction or a width direction of the electrode. Is preferred.

【0016】この発明によれば、突起状輪郭部に対応し
た電極部分はパターン形成時に消失しやすい一方で、突
起状輪郭部の存在によってその内側に形成されるべき角
部のパターン形成誤差を生じにくくすることができるの
で、確実に角部形状を確保することができるとともに、
突起状輪郭部が電極の延長方向若しくは幅方向に突出し
ていることによって、パターニング時において角部が確
実に残るように成形することができる。
According to the present invention, the electrode portions corresponding to the protruding contours are easily lost during pattern formation, but the presence of the protruding contours causes a pattern forming error in the corners to be formed inside the protruding contours. As it can be made difficult, it is possible to reliably secure the corner shape,
Since the protruding contour portion protrudes in the extending direction or the width direction of the electrode, it can be formed so that the corner portion remains reliably during patterning.

【0017】本発明において、前記第1の電極又は前記
第2の電極は、前記基板に電極の構成材料を用いて形成
した電極層上に感光性レジスト膜を形成し、該感光性レ
ジスト膜を露光、現像してレジストパターンを形成し、
該レジストパターンを用いて前記電極層をエッチングす
ることにより前記第1又は前記第2の電極を形成するも
のであり、前記感光性レジスト膜の露光用マスクである
ことが好ましい。
In the present invention, the first electrode or the second electrode is formed by forming a photosensitive resist film on an electrode layer formed on the substrate by using a constituent material of the electrode, and forming the photosensitive resist film on the substrate. Exposure and development to form a resist pattern,
The first or second electrode is formed by etching the electrode layer using the resist pattern, and is preferably an exposure mask for the photosensitive resist film.

【0018】電極パターン形成用マスクを露光用マスク
として用いて形成したレジストパターンを用いたエッチ
ングによって電極パターンを形成するため、本来、露光
誤差やサイドエッチングによるパターン形成誤差が発生
しやすいのに対し、この発明によれば、パターン形成誤
差が大きくても、パターン形状のずれを設けていること
によって誤差を補償することができるので、大きな効果
を発揮することができる。
Since an electrode pattern is formed by etching using a resist pattern formed using an electrode pattern forming mask as an exposure mask, exposure errors and pattern formation errors due to side etching are liable to occur. According to the present invention, even if the pattern formation error is large, the error can be compensated by providing the pattern shape deviation, so that a great effect can be exhibited.

【0019】本発明の電気光学装置の製造方法は、電気
光学材料に電圧を印加するための電極を基板上に形成す
る電気光学装置の製造方法において、前記基板上に前記
電極の構成材料を用いて電極層を形成する工程と、前記
電極層上に感光性レジスト膜を形成し、該感光性レジス
ト膜を露光、及び現像してレジストパターンを形成し、
該レジストパターンを用いてエッチングにより、前記基
板上に互いに接続されない第1の電極と第2の電極とを
それぞれの電極の端部が対向するよう形成する工程と、
を有してなり、前記第1の電極又は前記第2の電極はそ
の対向部分において角部が形成され、前記露光には、前
記角部分に対応する位置において前記角部分の形状に対
して内側或いは外側にずれたパターン形状を有する露光
用マスクを用いることを特徴とする。
According to a method of manufacturing an electro-optical device of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electro-optical device in which an electrode for applying a voltage to an electro-optical material is formed on a substrate, wherein the constituent material of the electrode is used on the substrate. Forming an electrode layer, forming a photosensitive resist film on the electrode layer, exposing the photosensitive resist film, and developing to form a resist pattern,
Forming a first electrode and a second electrode that are not connected to each other on the substrate by etching using the resist pattern such that ends of the electrodes face each other;
Wherein the first electrode or the second electrode has a corner formed at a portion facing the first electrode or the second electrode, and the exposure includes an inner side with respect to a shape of the corner at a position corresponding to the corner. Alternatively, an exposure mask having a pattern shape shifted outward is used.

【0020】本発明において、前記電極パターン形成用
マスクは前記角部分に対応する位置においては、前記角
部分の形状からのずれが最も大きくなるパターン形状を
備えていることが好ましい。
In the present invention, it is preferable that the mask for forming an electrode pattern has a pattern shape in which a deviation from the shape of the corner portion is greatest at a position corresponding to the corner portion.

【0021】本発明において、前記電気光学装置は、そ
の表示駆動領域内に複数の分割駆動部を含み、該分割駆
動部間の境界位置に第1の電極と第2の電極との対向部
分が形成されているものであることが好ましい。
In the present invention, the electro-optical device includes a plurality of divided drive units in a display drive area thereof, and an opposing portion between the first electrode and the second electrode is provided at a boundary position between the divided drive units. It is preferable that it is formed.

【0022】両電極の対向部分のパターン形成誤差によ
って表示状態の異なる部位が発生すると分割駆動部間の
境界位置に表示不良や表示欠陥が線状に現れることにな
るため、目立ちやすく、表示品位を大きく低下させるこ
とになるのに対し、この発明によれば、当該部位におけ
る表示不良や表示欠陥を低減できることから特に表示品
位の向上に効果的である。
When a portion having a different display state occurs due to a pattern formation error in a portion where the two electrodes face each other, a display defect or a display defect appears linearly at a boundary position between the divided driving portions, so that the display is easily noticeable and the display quality is reduced. According to the present invention, display defects and display defects at the relevant portion can be reduced, while the display quality is greatly reduced.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
に係る電極パターン形成用マスク及び電気光学装置の製
造方法の実施形態について詳細に説明する。以下に示す
実施形態は分割マトリクス方式の液晶装置に関するもの
であるが、本発明はこのような液晶装置に限らず、その
駆動領域内に電極パターンの端部が配置された種々の電
気光学装置(例えばエレクトロルミネッセンス表示装置
など)に対しても適用可能なものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, an embodiment of a method for manufacturing an electrode pattern forming mask and an electro-optical device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Although the embodiments described below relate to a liquid crystal device of a split matrix type, the present invention is not limited to such a liquid crystal device, and various electro-optical devices (ends of an electrode pattern disposed in a driving region thereof) are provided. For example, the present invention can be applied to an electroluminescent display device.

【0024】図1は本発明に係る分割マトリクス方式の
液晶装置における端部対向領域F(図4参照)の近傍に
おける、相互に対向する電極パターン(複数のセグメン
ト(表示)電極11a,11bを含むパターン)及び対
向電極パターン(複数のコモン(走査)電極12aを含
むパターン)の平面形状を示す拡大平面構成図である。
本実施形態において、液晶装置の全体構成は図4に示す
構造と同様であるので、その説明は省略する。
FIG. 1 shows an electrode pattern (including a plurality of segment (display) electrodes 11a and 11b) opposed to each other in the vicinity of an end facing region F (see FIG. 4) in a liquid crystal device of a divided matrix system according to the present invention. FIG. 3 is an enlarged plan view showing the plan shapes of a pattern and a counter electrode pattern (a pattern including a plurality of common (scanning) electrodes 12a).
In the present embodiment, the overall configuration of the liquid crystal device is the same as the configuration shown in FIG.

【0025】本実施形態の液晶装置においては、セグメ
ント電極11a,11bの端部11a−1,11b−1
は図5に示す従来形状よりも丸みが少ない、すなわち曲
率半径が小さな形状の角部11a−2,11b−2を備
えている。このような端部11a−1,11b−1の形
状は、図示一点鎖線で示すような形状のマスク(後述す
るレジストパターン28a、遮光マスク29)を用いて
パターニングすることによって得られる。
In the liquid crystal device of the present embodiment, the end portions 11a-1 and 11b-1 of the segment electrodes 11a and 11b.
Has corners 11a-2 and 11b-2 which are less rounded than the conventional shape shown in FIG. 5, that is, have a smaller radius of curvature. Such shapes of the end portions 11a-1 and 11b-1 can be obtained by patterning using a mask (a resist pattern 28a and a light-shielding mask 29 described later) having a shape shown by a dashed line in the drawing.

【0026】図2は本実施形態においてセグメント電極
11a,11bをパターニングする際に用いる遮光マス
ク(感光性レジストを露光するための露光用マスク)2
9及びレジストパターン28aの端部、すなわち、セグ
メント電極11a,11bの対向部分を示す拡大平面図
である。本実施形態におけるパターニング工程は図6に
示す方法と同様であり、図6に示す透明導電膜17上に
形成した感光性レジスト層28(図示せず)を、図2
(a)に示す遮光マスク29を用いて露光して現像し、
図2(b)に示すレジストパターン28aを形成して、
その後、例えば硫酸、硝酸、塩酸の混合エッチング液な
どによってエッチングを行う。このとき、遮光マスク2
9の開口部29aの輪郭形状(内縁形状)は図示二点鎖
線で示すセグメント電極11a,11bの平面形状より
も一回り大きく、しかも、角部11a−2,11b−2
に対応する部分の近傍において他の部分よりも、設計さ
れたセグメント電極11a,11bの外縁に相当する位
置に対して大きく外側にはみ出した形状を備えている。
本実施形態では感光性レジスト層28はネガ型レジスト
を用いており、レジストパターン28aの輪郭形状(外
縁形状)は上記開口部29aの開口形状とほぼ等しい形
状に現像される。また、レジストパターン28aにおけ
る、角部11a−2,11b−2に対応する部位の輪郭
形状(外縁形状)は、その周囲よりも、成形しようとす
る角部の外縁形状に対して最も大きくずれるように設計
されている。
FIG. 2 shows a light-shielding mask (exposure mask for exposing a photosensitive resist) 2 used for patterning the segment electrodes 11a and 11b in this embodiment.
9 is an enlarged plan view showing an end portion of the resist pattern 9 and a resist pattern 28a, that is, a portion facing the segment electrodes 11a and 11b. The patterning step in this embodiment is the same as the method shown in FIG. 6, and the photosensitive resist layer 28 (not shown) formed on the transparent conductive film 17 shown in FIG.
Exposure is performed using the light-shielding mask 29 shown in FIG.
Forming a resist pattern 28a shown in FIG.
Thereafter, etching is performed using, for example, a mixed etching solution of sulfuric acid, nitric acid, and hydrochloric acid. At this time, the light shielding mask 2
The outline shape (inner edge shape) of the opening 29a of FIG. 9 is slightly larger than the planar shape of the segment electrodes 11a and 11b shown by the two-dot chain line, and the corners 11a-2 and 11b-2.
In the vicinity of the portion corresponding to the above, a shape is provided which protrudes largely outward with respect to a position corresponding to the outer edge of the designed segment electrode 11a, 11b than other portions.
In the present embodiment, the photosensitive resist layer 28 uses a negative resist, and the contour shape (outer edge shape) of the resist pattern 28a is developed into a shape substantially equal to the opening shape of the opening 29a. In addition, the contour shape (outer edge shape) of the portion corresponding to the corners 11a-2 and 11b-2 in the resist pattern 28a is shifted most greatly from the outer edge shape of the corner to be formed than the periphery thereof. Designed for

【0027】なお、感光性レジスト層としてポジ型レジ
ストを用いる場合には、その遮光部と開口部との関係が
逆に形成された遮光マスクを用いる必要があり、この場
合には、露光用マスクの開口部の輪郭形状(内縁形状)
は、セグメント電極11a,11bの外縁に対応する位
置よりも(開口面積が小さくなる方向に)一回り小さ
く、しかも、角部11a−2,11b−2に対応する部
分の近傍において他の部分よりも、セグメント電極11
a,11bの外縁に相当する位置に対して大きく内側に
(すなわち、開口面積が小さくなる方向に)引き込まれ
た形状とする必要がある。
When a positive resist is used as the photosensitive resist layer, it is necessary to use a light-shielding mask in which the relationship between the light-shielding portion and the opening is reversed. Outline shape of the opening (inner edge shape)
Is slightly smaller than the position corresponding to the outer edges of the segment electrodes 11a and 11b (in the direction in which the opening area is reduced), and is closer to the corners 11a-2 and 11b-2 than to other portions. Also, the segment electrode 11
It is necessary to have a shape that is largely drawn inward (that is, in a direction in which the opening area decreases) with respect to the position corresponding to the outer edge of a, 11b.

【0028】図2(b)に示すように、レジストパター
ン28aを介して透明導電膜17をエッチングすること
により、レジストパターン28aで覆われていない透明
導電膜17はエッチング除去されるが、これとともに、
レジストパターン28aの外縁からサイドエッチングが
発生し、レジストパターン28aの中心部に向けてレジ
ストパターン28aの外縁下にある透明導電膜17の境
界部分もまたエッチングされてしまう。このサイドエッ
チング量はエッチャントの組成、エッチング時間などに
よって異なるが、一般にエッチャントに接触する表面積
の割合が大きくなるパターンの角部においては他の部分
よりもエッチング速度が大きくなる。
As shown in FIG. 2B, by etching the transparent conductive film 17 through the resist pattern 28a, the transparent conductive film 17 not covered with the resist pattern 28a is removed by etching. ,
Side etching occurs from the outer edge of the resist pattern 28a, and the boundary portion of the transparent conductive film 17 below the outer edge of the resist pattern 28a is also etched toward the center of the resist pattern 28a. Although the amount of side etching varies depending on the composition of the etchant, the etching time, and the like, the etching rate is generally higher at the corners of the pattern where the ratio of the surface area in contact with the etchant is larger than at other portions.

【0029】上記の状況で、本実施形態においては、レ
ジストパターン28aの輪郭形状を、セグメント電極1
1a,11bの外縁に相当する位置から、勘案若しくは
想定されたサイドエッチング量に相当する距離だけ大き
く形成し、特にセグメント電極11a,11bの角部1
1a−2,11b−2に相当する部分が最も大きく外側
にはみ出す(すなわち、ずれる若しくは張り出す)よう
に形成している。このため、上記のサイドエッチングが
発生しても、形成されるセグメント電極11a,11b
の平面形状は理想的な形状、すなわち、角部11a−
2,11b−2の侵食が少なく、その輪郭形状の曲率半
径が小さい形状となる。
Under the above situation, in this embodiment, the contour of the resist pattern 28a is
From the position corresponding to the outer edge of 1a, 11b, it is formed to be larger by a distance corresponding to the amount of side etching considered or assumed, and particularly to the corners 1 of the segment electrodes 11a, 11b.
The portions corresponding to 1a-2 and 11b-2 are formed so as to protrude most outward (that is, shift or overhang). For this reason, even if the side etching occurs, the segment electrodes 11a and 11b to be formed are formed.
Is an ideal shape, that is, the corners 11a-
The erosion of 2, 11b-2 is small, and the radius of curvature of the contour shape is small.

【0030】その結果、図1に示すセグメント電極11
a,11bは端部11a−1,11b−1の先端におい
てもほぼ等幅の形状を備えるようになる。このため、基
板の貼り合わせ工程において透明基板11と12とが所
定位置よりも相互にずれて貼り合わせられることにより
セグメント電極11a,11bの位置と、コモン電極1
2aの位置とがセグメント電極11a,11bの延長方
向(図1の上下方向)にずれたとしても、角部11a−
2,11b−2の欠損に起因して端部11a−1,11
b−1に隣接する画素領域A,Bの角部にセグメント電
極11a,11bの電位によって良好な制御が行えない
部位が発生することがなくなるため、上述の対向端部領
域Fに沿った線状の表示欠陥が発生しにくくなる。
As a result, the segment electrode 11 shown in FIG.
The a and 11b have substantially the same width at the tips of the ends 11a-1 and 11b-1. For this reason, in the substrate bonding step, the transparent substrates 11 and 12 are bonded to each other so as to be shifted from each other from a predetermined position, so that the positions of the segment electrodes 11a and 11b and the common electrode 1
Even if the position of 2a is shifted in the direction of extension of the segment electrodes 11a and 11b (vertical direction in FIG. 1), the corner 11a-
Ends 11a-1 and 11a-1 due to loss of 2, 11b-2
Since a region where good control cannot be performed due to the potential of the segment electrodes 11a and 11b does not occur at the corners of the pixel regions A and B adjacent to b-1, the linear shape along the facing end region F is eliminated. Display defects are less likely to occur.

【0031】なお、本実施形態では電極パターンのパタ
ーニング方法として遮光マスク29を露光用マスクとし
て用いてフォトリソグラフィ法を用いてレジストパター
ン28aを形成している。この場合、遮光マスク29も
本発明の電極パターン形成用マスクに相当し、また、レ
ジストパターン28aも本発明の電極パターン形成用マ
スクに相当するものである。
In this embodiment, a resist pattern 28a is formed by photolithography using the light-shielding mask 29 as an exposure mask as a patterning method of the electrode pattern. In this case, the light shielding mask 29 also corresponds to the electrode pattern forming mask of the present invention, and the resist pattern 28a also corresponds to the electrode pattern forming mask of the present invention.

【0032】上記の実施形態では、図2に示すようなマ
スク形状を用いてセグメント電極11a,11bを形成
しているが、本発明はこのような形状に限られることな
く、上記のサイドエッチングによって11a,11bの
角部11a−2,11b−2が侵食されることを防止す
るために、その侵食を補償する平面形状を備えたマスク
形状であればよく、例えば、図3(a)〜(c)に示す
各種の輪郭形状を有するマスク形状を用いて形成するこ
とも可能である。なお、図3に示すマスク形状は、上記
のレジストパターン28aと同様に電極層を覆う形状の
マスクを前提として示してある。
In the above embodiment, the segment electrodes 11a and 11b are formed using a mask shape as shown in FIG. 2, but the present invention is not limited to such a shape, In order to prevent the corners 11a-2 and 11b-2 of the 11a and 11b from being eroded, any mask shape having a planar shape that compensates for the erosion may be used. For example, FIGS. It is also possible to form using a mask shape having various contour shapes shown in c). It should be noted that the mask shape shown in FIG. 3 is based on the premise that the mask has a shape that covers the electrode layer, similarly to the above-described resist pattern 28a.

【0033】図3(a)に示すマスク形状31は、セグ
メント電極11a,11bの角部11a−2,11b−
2に対応する位置からセグメント電極11a,11bの
延長方向に向けて突出した形状の突出部分31aを備え
ており、この突出部分31aの下に隠れる電極部分はほ
とんどエッチング時に消失するが、突出部分31aの存
在によってマスクの角部が形成されるべき電極端部の角
部から離れるため、角部11a−2,11b−2の侵食
はほとんどなくなる。
The mask shape 31 shown in FIG. 3A corresponds to the corners 11a-2 and 11b-of the segment electrodes 11a and 11b.
2 is provided with a protruding portion 31a having a shape protruding in the direction of extension of the segment electrodes 11a and 11b from the position corresponding to the portion 2. The electrode portion hidden under the protruding portion 31a is almost disappeared during etching, but the protruding portion 31a , The corners of the mask are separated from the corners of the electrode ends where the masks are to be formed, so that the corners 11a-2 and 11b-2 are hardly eroded.

【0034】図3(b)に示すマスク形状32は、セグ
メント電極11a,11bの角部11a−2,11b−
2に対応する位置からセグメント電極11a,11bの
並列方向(上記延長方向に直交する方向、すなわち、セ
グメント電極11a,11bの幅方向)に向けて突出し
た突出部分32aを備えた形状を有し、この突出部分3
2aの下に隠れる電極部分はほとんどエッチング時に消
失するが、突出部分32aの存在によってマスクの角部
が形成されるべき電極端部の角部から離れるため、角部
11a−2,11b−2の侵食はほとんどなくなる。
The mask shape 32 shown in FIG. 3B corresponds to the corners 11a-2 and 11b-of the segment electrodes 11a and 11b.
2 has a shape including a protruding portion 32a protruding from a position corresponding to 2 in a direction parallel to the segment electrodes 11a and 11b (a direction orthogonal to the extending direction, that is, a width direction of the segment electrodes 11a and 11b). This protruding part 3
Although the electrode portion hidden under 2a almost disappears during the etching, the presence of the protruding portion 32a causes the corner of the mask to be separated from the corner of the electrode end where the mask is to be formed. Erosion is almost eliminated.

【0035】図3(c)に示すマスク形状33は、セグ
メント電極11a,11bの角部11a−2,11b−
2に対応する位置の近傍において、セグメント電極の延
長方向と並列方向の双方にほぼ一定の幅で外側にはみ出
した張出部分33aを備えており、この張出部分33a
の下においてもサイドエッチングは発生するが、張出部
分33aの存在によって角部11a−2,11b−2の
侵食量は低減される。
The mask shape 33 shown in FIG. 3 (c) corresponds to the corners 11a-2, 11b-of the segment electrodes 11a, 11b.
In the vicinity of the position corresponding to No. 2, there is provided an overhanging portion 33 a protruding outward with a substantially constant width in both the extending direction and the parallel direction of the segment electrodes.
Although the side etching occurs even below, the amount of erosion of the corners 11a-2 and 11b-2 is reduced by the presence of the overhang portion 33a.

【0036】尚、本発明の電極パターン形成用マスク及
び電気光学装置は、上述の図示例にのみ限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種
々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施
形態では、電極パターンを形成するためのパターニング
法としてホトエッチング法を用いているが、例えば、電
極パターン形成用マスクを用いてITO膜やNESA膜
などの電極パターンを直接に基板上に被着形成してもよ
い。このような場合でも、マスク形状に対して電極パタ
ーンの角部が丸められる傾向があるので、上記のマスク
形状と同様に構成することによって、表示駆動領域内の
電極部の端部近傍において表示不良や表示欠陥が発生す
ることを抑制できる。
The mask for forming an electrode pattern and the electro-optical device according to the present invention are not limited to the illustrated examples described above, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. It is. For example, in the above embodiment, a photo-etching method is used as a patterning method for forming an electrode pattern. However, for example, an electrode pattern such as an ITO film or a NESA film is directly formed on a substrate using an electrode pattern forming mask. May be formed. Even in such a case, since the corners of the electrode pattern tend to be rounded with respect to the mask shape, a display failure near the end of the electrode portion in the display drive region can be achieved by using the same configuration as the above mask shape. And display defects can be suppressed.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
電極の角部分に対応する位置において角部分の形状に対
して内側或いは外側にずれたパターン形状を有している
ことにより、上記ずれをパターニング時におけるパター
ン形成誤差を減殺するように設定すれば、電極の角部分
におけるパターン形成誤差に起因する表示不良部位の発
生を抑制することが可能となり、表示不良や表示欠陥の
発生を低減できる。
As described above, according to the present invention,
By having a pattern shape shifted inward or outward with respect to the shape of the corner portion at a position corresponding to the corner portion of the electrode, if the shift is set to reduce the pattern formation error at the time of patterning, It is possible to suppress the occurrence of a defective display portion due to a pattern formation error in a corner portion of the electrode, and it is possible to reduce the occurrence of display defects and display defects.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る実施形態における液晶装置におけ
る電極パターンの対向部分の平面構造を示す平面構造概
略図である。
FIG. 1 is a schematic plan view showing a planar structure of a portion facing an electrode pattern in a liquid crystal device according to an embodiment of the present invention.

【図2】同実施形態における露光用マスクの形状を示す
拡大部分平面図(a)及びレジストパターンの細部形状
を示す拡大部分平面図(b)である。
FIGS. 2A and 2B are an enlarged partial plan view showing a shape of an exposure mask in the same embodiment and an enlarged partial plan view showing a detailed shape of a resist pattern; FIGS.

【図3】同実施形態のマスク形状の変形例を示す形状説
明図(a)、(b)及び(c)である。
FIGS. 3A, 3B and 3C are explanatory diagrams illustrating a modification of the mask shape according to the embodiment. FIGS.

【図4】分割マトリクス方式の液晶装置の全体構造を示
す模式的な平面透視図である。
FIG. 4 is a schematic plan perspective view showing the entire structure of a divided matrix type liquid crystal device.

【図5】従来の分割マトリクス方式の液晶装置における
電極パターンの対向部分の構造を示す平面構造概略図で
ある。
FIG. 5 is a schematic plan view showing a structure of a portion facing an electrode pattern in a conventional divided matrix type liquid crystal device.

【図6】従来の液晶装置における電極パターンのパター
ニング方法を示す工程説明図(a)〜(c)である。
FIGS. 6A to 6C are process explanatory views showing a patterning method of an electrode pattern in a conventional liquid crystal device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A,B…画素領域 E…表示駆動領域 F…端部対向領域(対向部分) 11…透明基板 11a…セグメント電極 11b…セグメント電極 11s,11t…張出領域 12…透明基板 12a…コモン電極 12s…張出領域 13…シール材 17…透明導電膜 18,28…感光性レジスト層 18a,28a…レジストパターン 19,29…遮光マスク 29a…開口部 31a…突出部分 32a…突出部分 33a…張出部分 A, B: Pixel region E: Display drive region F: Edge facing region (facing portion) 11: Transparent substrate 11a: Segment electrode 11b: Segment electrode 11s, 11t: Overhang region 12: Transparent substrate 12a: Common electrode 12s ... Overhanging region 13 Sealing material 17 Transparent conductive film 18, 28 Photosensitive resist layer 18a, 28a Resist pattern 19, 29 Light-shielding mask 29a Opening 31a Projecting portion 32a Projecting portion 33a Projecting portion

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に互いに接続されない第1の電極
と第2の電極とを、それぞれの電極の端部が対向するよ
う形成するのに用いる電極パターン形成用マスクにおい
て、 前記第1の電極又は前記第2の電極はその対向部分にお
いて角部が形成され、前記電極パターン形成用マスク
は、前記角部分に対応する位置において前記角部分の形
状に対して内側或いは外側にずれたパターン形状を有し
てなることを特徴とする電極パターン形成用マスク。
1. An electrode pattern forming mask used for forming a first electrode and a second electrode that are not connected to each other on a substrate so that ends of the electrodes face each other, wherein the first electrode Alternatively, the second electrode has a corner formed at a portion facing the second electrode, and the electrode pattern forming mask has a pattern shape shifted inward or outward with respect to the shape of the corner at a position corresponding to the corner. A mask for forming an electrode pattern, comprising:
【請求項2】 基板上に互いに接続されない第1の電極
と第2の電極とを、それぞれの電極の端部が対向するよ
う形成するのに用いる電極パターン形成用マスクにおい
て、 前記第1の電極又は前記第2の電極はエッチングにより
形成され、 前記第1の電極又は前記第2の電極はその対向部分にお
いて角部が形成され、前記電極パターン形成用マスク
は、前記角部分に対応する位置において前記角部分の形
状に対して外側に張り出したパターン形状を有してなる
ことを特徴とする電極パターン形成用マスク。
2. An electrode pattern forming mask used for forming a first electrode and a second electrode, which are not connected to each other, on a substrate such that ends of the electrodes face each other. Alternatively, the second electrode is formed by etching, and the first electrode or the second electrode has a corner formed at a portion facing the corner, and the electrode pattern forming mask is formed at a position corresponding to the corner. An electrode pattern forming mask having a pattern shape projecting outward with respect to the shape of the corner portion.
【請求項3】 請求項1又は請求項2において、前記電
極パターン形成用マスクは前記角部分に対応する位置に
おいては、前記角部分の形状からのずれが最も大きくな
るパターン形状を備えていることを特徴とする電極パタ
ーン形成用マスク。
3. The electrode pattern forming mask according to claim 1, wherein at a position corresponding to the corner portion, a mask shape having a largest deviation from the shape of the corner portion is provided. An electrode pattern forming mask, characterized in that:
【請求項4】 請求項3において、前記電極パターン形
成用マスクは前記角部分に対応する位置においては、前
記角部に対応する位置から前記電極の延長方向若しくは
幅方向に突出した突起状輪郭部を備えていることを特徴
とする電極パターン形成用マスク。
4. The protruding contour portion according to claim 3, wherein the electrode pattern forming mask protrudes from a position corresponding to the corner portion in an extending direction or a width direction of the electrode at a position corresponding to the corner portion. A mask for forming an electrode pattern, comprising:
【請求項5】 請求項1から請求項4までのいずれか1
項において、 前記第1の電極又は前記第2の電極は、前記基板に電極
の構成材料を用いて形成した電極層上に感光性レジスト
膜を形成し、該感光性レジスト膜を露光、現像してレジ
ストパターンを形成し、該レジストパターンを用いて前
記電極層をエッチングすることにより前記第1又は前記
第2の電極を形成するものであり、前記感光性レジスト
膜の露光用マスクであることを特徴とする電極パターン
形成用マスク。
5. The method according to claim 1, wherein:
In the paragraph, the first electrode or the second electrode forms a photosensitive resist film on an electrode layer formed on the substrate using a constituent material of the electrode, and exposes and develops the photosensitive resist film. Forming the first or second electrode by forming a resist pattern by etching the electrode layer using the resist pattern, and being a mask for exposure of the photosensitive resist film. Characteristic mask for forming an electrode pattern.
【請求項6】 電気光学材料に電圧を印加するための電
極を基板上に形成する電気光学装置の製造方法におい
て、前記基板上に前記電極の構成材料を用いて電極層を
形成する工程と、前記電極層上に感光性レジスト膜を形
成し、該感光性レジスト膜を露光、及び現像してレジス
トパターンを形成し、該レジストパターンを用いてエッ
チングにより、前記基板上に互いに接続されない第1の
電極と第2の電極とをそれぞれの電極の端部が対向する
よう形成する工程と、を有してなり、前記第1の電極又
は前記第2の電極はその対向部分において角部が形成さ
れ、前記露光には、前記角部分に対応する位置において
前記角部分の形状に対して内側或いは外側にずれたパタ
ーン形状を有する露光用マスクを用いることを特徴とす
る電気光学装置の製造方法。
6. A method of manufacturing an electro-optical device, wherein an electrode for applying a voltage to an electro-optical material is formed on a substrate, wherein a step of forming an electrode layer on the substrate using the constituent material of the electrode; Forming a photosensitive resist film on the electrode layer, exposing and developing the photosensitive resist film to form a resist pattern, and etching using the resist pattern, the first not connected to the substrate on the substrate Forming an electrode and a second electrode such that the ends of the electrodes face each other, wherein the first electrode or the second electrode has a corner formed at the facing portion. An exposure mask having a pattern shape shifted inward or outward with respect to the shape of the corner portion at a position corresponding to the corner portion for the exposure. Method.
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