JP2000252705A - Band pass filter, duplexer using it high frequency module using them and communication apparatus using it - Google Patents

Band pass filter, duplexer using it high frequency module using them and communication apparatus using it

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JP2000252705A
JP2000252705A JP11038763A JP3876399A JP2000252705A JP 2000252705 A JP2000252705 A JP 2000252705A JP 11038763 A JP11038763 A JP 11038763A JP 3876399 A JP3876399 A JP 3876399A JP 2000252705 A JP2000252705 A JP 2000252705A
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JP
Japan
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band
pass filter
microstrip line
frequency module
pass
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JP11038763A
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Japanese (ja)
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Yutaka Sasaki
豊 佐々木
Hiroaki Tanaka
裕明 田中
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a band pass filter where an attenuation pole is formed at both sides of a pass band of the filter. SOLUTION: Microstrip line resonators 11, 12, 13, 14 are arranged side by side whose one-side ends act like open ends and whose other-side ends are connected to a ground electrode 2 acting like a ground end, the inner side microstrip line resonators 12, 13 are bent to be U-shaped, and the open ends of the outer microstrip line resonators 11, 14 are projected from the inner side microstrip line resonators 12, 13. Thus, the microstrip line resonators 11, 14 are placed under good visibility, a static capacitance is formed between them to form an attenuation pole at both sides of the pass band of the filter thereby improving the attenuation.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は帯域通過フィルタお
よびそれを用いたデュプレクサおよびそれらを用いた高
周波モジュールおよびそれを用いた通信装置、特にマイ
クロ波帯の移動体通信機器のRF段に用いられる帯域通
過フィルタおよびそれを用いたデュプレクサおよびそれ
らを用いた高周波モジュールおよびそれを用いた通信装
置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a band-pass filter, a duplexer using the same, a high-frequency module using the same, and a communication device using the same, particularly a band used in an RF stage of a mobile communication device in a microwave band. The present invention relates to a pass filter, a duplexer using the same, a high-frequency module using the same, and a communication device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の移動体通信機器、特に携帯電話の
小型化、使用周波数の高周波化にともなって、そのRF
段などで用いられる帯域通過フィルタやデュプレクサに
ついても小型化や狭帯域化の要求が強くなってきてい
る。
2. Description of the Related Art With the recent miniaturization of mobile communication devices, especially mobile phones, and the use of higher frequencies, their RFs have been increased.
Demands for miniaturization and narrowing of the band-pass filters and duplexers used in stages and the like are also increasing.

【0003】図10に、従来のコムラインタイプの帯域
通過フィルタの電極パターンを示す。図10において、
帯域通過フィルタ1は、接地電極2と、長さが目的の周
波数の波長の約4分の1で一端が開放端で他端が接地電
極2に接続して接地端となった分布定数線路型共振器で
あるマイクロストリップ線路共振器3、4、5、6と、
入力端子7、出力端子8から構成されている。ここで、
入力端子7および出力端子8は、マイクロストリップ線
路共振器3および6にそれぞれ接続されている。そし
て、これらは例えば一方主面のほぼ全面に接地電極が形
成されたプリント基板の他方主面の一部に形成されて信
号処理回路に組み込まれたり、あるいは図11に示すよ
うに、一方主面のほぼ全面に接地電極が形成された小さ
な誘電体基板9の他方主面に形成されて1つのチップ部
品となったりして使用される。なお、図11において、
図10と同一もしくは同等の部分には同じ記号を付して
いる。
FIG. 10 shows an electrode pattern of a conventional comb-line type band-pass filter. In FIG.
The band-pass filter 1 has a ground electrode 2 and a distributed constant line type in which the length is about 4 of the wavelength of the target frequency, one end is an open end, and the other end is connected to the ground electrode 2 to form a ground end. Microstrip line resonators 3, 4, 5, and 6, which are resonators;
It comprises an input terminal 7 and an output terminal 8. here,
The input terminal 7 and the output terminal 8 are connected to the microstrip line resonators 3 and 6, respectively. These are formed on a part of the other main surface of a printed circuit board having a ground electrode formed on substantially the entire surface of one main surface and are incorporated in a signal processing circuit, or as shown in FIG. Is formed on the other main surface of a small dielectric substrate 9 having a ground electrode formed on substantially the entire surface thereof and used as one chip component. In FIG. 11,
Parts that are the same as or equivalent to those in FIG. 10 are given the same symbols.

【0004】このように構成された帯域通過フィルタ1
において、入力端子7からマイクロストリップ線路共振
器3に入力された信号は、マイクロストリップ線路共振
器3、4、5、6で構成されるフィルタ回路に入力され
る。各マイクロストリップ線路共振器3、4、5、6
は、それぞれが目的の周波数で共振するとともに、その
接地端近傍で特に強く発生する磁界によって互いに結合
して帯域通過フィルタとして動作しており、目的の周波
数の近辺でのみ信号を通過させ、それ以外の周波数の信
号は反射される。そして、目的の周波数の信号はマイク
ロストリップ線路共振器6から出力端子8に出力され
る。
[0004] The band-pass filter 1 thus configured
In, a signal input from the input terminal 7 to the microstrip line resonator 3 is input to a filter circuit including the microstrip line resonators 3, 4, 5, and 6. Each microstrip line resonator 3, 4, 5, 6
Operate as a band-pass filter by resonating at a target frequency and being coupled to each other by a magnetic field generated particularly strongly near the ground end thereof, allowing signals to pass only in the vicinity of the target frequency. Are reflected. Then, the signal of the target frequency is output from the microstrip line resonator 6 to the output terminal 8.

【0005】図12に、帯域通過フィルタ1の通過特性
および反射特性を示す。図12において、特性aは挿入
損失を、特性bは反射損失を示しており、4GHz前後
において約400MHzの通過帯域を持っている。
FIG. 12 shows a pass characteristic and a reflection characteristic of the band-pass filter 1. In FIG. 12, the characteristic a indicates the insertion loss and the characteristic b indicates the reflection loss, and has a pass band of about 400 MHz around 4 GHz.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
帯域通過フィルタ1においては、図12に示すように、
挿入損失の特性aには通過帯域の高域側においてのみ減
衰極p1が形成されている。一般に、帯域通過フィルタ
においては通過域以外の帯域における挿入損失の減衰量
は大きいほどよいが、通常のコムラインタイプのフィル
タにおいては、このように減衰極は1つしか形成されな
いか、あるいは全く減衰極が形成されないために、通過
帯域の両側の周波数帯域である減衰域における減衰量を
十分に大きく取ることができないという問題があった。
具体的には図12に示すように、低域側では3.4GH
zで挿入損失が−40dB以下(目標値AL)、高域側
では4.6GHzで挿入損失がー40dB以下(目標値
AH)となっている必要があるが、実際にはそれぞれ−
22dBおよび−23dBとなっている。
However, in the above bandpass filter 1, as shown in FIG.
In the characteristic a of the insertion loss, the attenuation pole p1 is formed only on the high band side of the pass band. In general, in a band-pass filter, the larger the attenuation of the insertion loss in a band other than the pass band, the better. However, in a normal comb-line type filter, only one attenuation pole is formed, or no attenuation is formed. Since the poles are not formed, there is a problem in that it is not possible to obtain a sufficiently large amount of attenuation in an attenuation region that is a frequency band on both sides of the pass band.
Specifically, as shown in FIG.
At z, the insertion loss must be -40 dB or less (target value AL), and on the high frequency side, the insertion loss must be -40 dB or less at 4.6 GHz (target value AH).
22 dB and -23 dB.

【0007】本発明は上記の問題点を解決することを目
的とするもので、通過帯域の両側に減衰極を形成するこ
とのできる帯域通過フィルタおよびそれを用いたデュプ
レクサおよびそれらを用いた高周波モジュールおよびそ
れを用いた通信装置を提供する。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems. A band-pass filter capable of forming attenuation poles on both sides of a pass band, a duplexer using the same, and a high-frequency module using the same are provided. And a communication device using the same.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の帯域通過フィルタは、一端が開放端で他端
が接地端となる分布定数線路型共振器を複数個並べて配
置して構成したコムラインタイプの帯域通過フィルタに
おいて、外側の前記分布定数線路型共振器の開放端を、
内側の前記分布定数線路型共振器より突出させて形成し
たことを特徴とする。
In order to achieve the above object, a band-pass filter according to the present invention comprises a plurality of distributed constant line resonators each having one open end and the other end grounded. In the configured comb-line type band-pass filter, the open end of the distributed constant line type resonator on the outside is
It is characterized in that it is formed so as to protrude from the distributed constant line type resonator on the inside.

【0009】また、本発明の帯域通過フィルタは、内側
の前記分布定数線路型共振器の開放端同士を近接させて
形成したことを特徴とする。
Further, the bandpass filter according to the present invention is characterized in that the open ends of the distributed line resonator on the inner side are formed close to each other.

【0010】また、本発明の帯域通過フィルタは、前記
分布定数線路型共振器の開放端に近接して接地電極を設
け、前記分布定数線路型共振器の開放端と前記接地電極
との間に静電容量を形成したことを特徴とする。
The band-pass filter according to the present invention further includes a ground electrode provided near the open end of the distributed constant line resonator, and a ground electrode provided between the open end of the distributed constant line resonator and the ground electrode. It is characterized by forming a capacitance.

【0011】また、本発明のデュプレクサは、上記のい
ずれかに記載の帯域通過フィルタを2つ接続して構成し
たことを特徴とする。
Further, a duplexer according to the present invention is characterized in that any one of the above bandpass filters is connected to each other.

【0012】また、本発明の高周波モジュールは、上記
のいずれかに記載の帯域通過フィルタもしくはデュプレ
クサを用いて構成したことを特徴とする。
Further, a high-frequency module according to the present invention is characterized in that the high-frequency module is configured using any one of the above-described band-pass filters or duplexers.

【0013】また、本発明の通信装置は、上記の高周波
モジュールを用いて構成したことを特徴とする。
Further, a communication apparatus according to the present invention is characterized by being constituted by using the above-mentioned high-frequency module.

【0014】このように構成することにより、本発明の
帯域通過フィルタにおいては、通過帯域の両側に減衰極
を設けることができる。
With such a configuration, in the band-pass filter of the present invention, attenuation poles can be provided on both sides of the pass band.

【0015】また、本発明のデュプレクサにおいては、
小型化を図ることができる。
Further, in the duplexer of the present invention,
The size can be reduced.

【0016】また、本発明の高周波モジュールにおいて
は、回路構成を簡単にして小型化およびコストダウンを
図ることができる。
Further, in the high-frequency module of the present invention, the circuit configuration can be simplified to reduce the size and cost.

【0017】また、本発明の通信装置においては、小型
化およびコストダウンを図ることができる。
Further, in the communication device of the present invention, downsizing and cost reduction can be achieved.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】図1に、本発明の帯域通過フィル
タの一実施例の電極パターンを示す。図1で、図10と
同一もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その説明
は省略する。
FIG. 1 shows an electrode pattern of an embodiment of a band-pass filter according to the present invention. 1, the same or equivalent parts as those in FIG. 10 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0019】図1において、帯域通過フィルタ10は、
接地電極2と、長さが目的の周波数の波長の約4分の1
で一端が開放端で他端が接地電極2に接続して接地端と
なった分布定数線路型共振器であるマイクロストリップ
線路共振器11、12、13、14と、入力端子7、出
力端子8、接地電極15および17、櫛形電極対16、
18、19、20から構成されている。ここで、外側の
マイクロストリップ線路共振器11および14の開放端
と接地電極15および17との間にはそれぞれ櫛形電極
対16および18が設けられており静電容量が形成され
ている。また、内側のマイクロストリップ線路共振器1
2と13はその開放端側をコ字状に折り曲げて互いに近
接させるように形成されており、その間には静電容量が
形成されている。さらに、マイクロストリップ線路共振
器12および13の開放端と接地電極2との間にはそれ
ぞれ櫛形電極対19および20が設けられており静電容
量が形成されている。そして、これらは例えば一方主面
のほぼ全面に接地電極が形成されたプリント基板の他方
主面の一部に形成されて信号処理回路に組み込まれた
り、あるいは図2に示すように、一方主面のほぼ全面に
接地電極が形成された小さな誘電体基板21の他方主面
に形成されて1つのチップ部品となったりして使用され
る。なお、図2において、図1と同一もしくは同等の部
分には同じ記号を付している。
In FIG. 1, a band-pass filter 10 includes:
The ground electrode 2 and the length is about a quarter of the wavelength of the target frequency.
And microstrip line resonators 11, 12, 13, and 14 which are distributed constant line type resonators, one end of which is an open end and the other end is connected to the ground electrode 2 and serve as a ground end, and an input terminal 7 and an output terminal 8. , Ground electrodes 15 and 17, comb-shaped electrode pair 16,
18, 19, and 20. Here, a pair of comb-shaped electrodes 16 and 18 are provided between the open ends of the outer microstrip line resonators 11 and 14 and the ground electrodes 15 and 17, respectively, to form a capacitance. Also, the inner microstrip line resonator 1
2 and 13 are formed so that their open ends are bent in a U-shape so as to approach each other, and a capacitance is formed between them. Further, between the open ends of the microstrip line resonators 12 and 13 and the ground electrode 2, pairs of comb electrodes 19 and 20 are provided, respectively, to form a capacitance. These are formed, for example, on a part of the other main surface of a printed circuit board having a ground electrode formed on substantially the entire surface of one main surface and incorporated in a signal processing circuit, or as shown in FIG. Is formed on the other main surface of the small dielectric substrate 21 having a ground electrode formed on almost the entire surface thereof and used as one chip component. Note that, in FIG. 2, the same reference numerals are given to the same or equivalent parts as in FIG.

【0020】このように構成された帯域通過フィルタ1
0において、マイクロストリップ線路共振器11、1
2、13、14の開放端に形成された静電容量には、そ
の共振周波数を下げる働きがあり、その分だけ各マイク
ロストリップ線路共振器11、12、13、14の実質
的な長さを目的の周波数の波長の約4分の1より短く
し、帯域通過フィルタ10の小型化を図る効果がある。
The band-pass filter 1 configured as described above
0, the microstrip line resonators 11, 1
The capacitance formed at the open ends of 2, 13, and 14 has a function of lowering the resonance frequency, and accordingly, the substantial length of each microstrip line resonator 11, 12, 13, 14 is reduced accordingly. There is an effect that the wavelength of the target frequency is made shorter than about one-fourth and the size of the band-pass filter 10 is reduced.

【0021】また、内側のマイクロストリップ線路共振
器12と13をコ字状に折り曲げて形成しているため
に、外側のマイクロストリップ線路共振器11と14の
それぞれ開放端が内側のマイクロストリップ線路共振器
12および13より突出している。そのため、外側のマ
イクロストリップ線路共振器11と14のそれぞれ開放
端同士の間を遮るものが無く、相互の見通しが良くなっ
ている。その結果、マイクロストリップ線路共振器11
と14のそれぞれ開放端同士の間には直接的な静電容量
が形成される。
Further, since the inner microstrip line resonators 12 and 13 are formed by bending in a U-shape, the open ends of the outer microstrip line resonators 11 and 14 are connected to the inner microstrip line resonators. Projecting from vessels 12 and 13. Therefore, there is no obstacle between the open ends of the outer microstrip line resonators 11 and 14, and the mutual visibility is improved. As a result, the microstrip line resonator 11
And 14, a direct capacitance is formed between the open ends.

【0022】図3に、このように形成された帯域通過フ
ィルタ10の通過特性および反射特性を示す。図3にお
いて、特性cは挿入損失を、特性dは反射損失を示して
いる。挿入損失の特性cを見て分かるように、従来例と
同様に4GHz前後において約400MHzの通過帯域
を持っているが、その両側に2つの減衰極p2とp3が
形成されている。そのため、通過帯域の両側の減衰域に
おける減衰量が従来に比べて改善されている。具体的に
は、低域側では3.4GHzで挿入損失が−43dB、
高域側では4.6GHzで挿入損失が−44dBとな
り、いずれも目標値ALおよびAHを満足する−40d
B以下が達成されている。
FIG. 3 shows the pass characteristics and the reflection characteristics of the band-pass filter 10 formed as described above. In FIG. 3, the characteristic c indicates the insertion loss, and the characteristic d indicates the reflection loss. As can be seen from the characteristic c of the insertion loss, it has a pass band of about 400 MHz around 4 GHz as in the conventional example, but two attenuation poles p2 and p3 are formed on both sides thereof. Therefore, the amount of attenuation in the attenuation region on both sides of the pass band is improved as compared with the related art. Specifically, on the low frequency side, the insertion loss is -43 dB at 3.4 GHz,
On the high frequency side, the insertion loss is -44 dB at 4.6 GHz, and both are -40 dB that satisfy the target values AL and AH.
B and below are achieved.

【0023】このように、帯域通過フィルタ10の内側
のマイクロストリップ線路共振器12と13をコ字状に
折り曲げて、外側のマイクロストリップ線路共振器11
および13の開放端を内側のマイクロストリップ線路共
振器12と13より突出させて形成することにより、マ
イクロストリップ線路共振器11と14の開放端同士の
間に直接的な静電容量を形成することができ、それによ
って通過帯域の両側の減衰域に減衰極を作り、減衰量を
大きくすることができる。
As described above, the microstrip line resonators 12 and 13 inside the band-pass filter 10 are bent in a U shape, and the microstrip line resonators 11 outside the band-pass filter 10 are bent.
And 13 are formed so that the open ends thereof protrude from the inner microstrip line resonators 12 and 13, thereby forming a direct capacitance between the open ends of the microstrip line resonators 11 and 14. Therefore, attenuation poles can be formed in attenuation regions on both sides of the pass band, and the amount of attenuation can be increased.

【0024】また、コ字状に折り曲げて形成した内側の
マイクロストリップ線路共振器12と13の開放端側同
士を互いに近接させて、両者の間に静電容量を形成する
ことによっても、通過帯域の両側の減衰域に減衰極を作
り、減衰量を改善することができる。
The pass band can also be obtained by making the open end sides of the inner microstrip line resonators 12 and 13 bent in a U-shape close to each other and forming a capacitance between them. Attenuation poles can be formed in the attenuation regions on both sides of, and the amount of attenuation can be improved.

【0025】図4ないし図6に、本発明の帯域通過フィ
ルタの別の実施例の電極パターンを示す。図4ないし図
6で、図1と同一もしくは同等の部分には同じ記号を付
し、その説明は省略する。
FIGS. 4 to 6 show electrode patterns of another embodiment of the bandpass filter of the present invention. 4 to 6, the same or equivalent parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0026】まず、図4において、帯域通過フィルタ2
5は、接地電極2と、長さが目的の周波数の波長の約4
分の1で一端が開放端で他端が接地電極2に接続して接
地端となった分布定数線路型共振器であるマイクロスト
リップ線路共振器26、27、28、29と、入力端子
7、出力端子8から構成されている。帯域通過フィルタ
25において、図1の帯域通過フィルタ10との違い
は、マイクロストリップ線路共振器26、27、28、
29の開放端と接地電極との間に静電容量を形成するた
めの櫛形電極対が設けられていないことだけである。
First, referring to FIG.
5 is the ground electrode 2 and the length is about 4 wavelengths of the target frequency.
A microstrip line resonator 26, 27, 28, 29 which is a distributed constant line type resonator whose one end is an open end and the other end is connected to the ground electrode 2 to be a ground end; An output terminal 8 is provided. The bandpass filter 25 differs from the bandpass filter 10 of FIG. 1 in that the microstrip line resonators 26, 27, 28,
The only difference is that there is no comb-shaped electrode pair for forming a capacitance between the open end of 29 and the ground electrode.

【0027】このように構成された帯域通過フィルタ2
5においては、マイクロストリップ線路共振器の開放端
と接地電極との間に静電容量を形成することによる小型
化の効果が無い以外は帯域通過フィルタ10と全く同様
の作用・効果を得ることができる。
The band-pass filter 2 configured as described above
5, the same operation and effect as the band-pass filter 10 can be obtained except that there is no effect of miniaturization by forming a capacitance between the open end of the microstrip line resonator and the ground electrode. it can.

【0028】また、図5においては、帯域通過フィルタ
30は、接地電極2と、長さが目的の周波数の波長の約
4分の1で一端が開放端で他端が接地電極2に接続して
接地端となった分布定数線路型共振器であるマイクロス
トリップ線路共振器31、32、33、34と、入力端
子7、出力端子8から構成されている。帯域通過フィル
タ30において、図4の帯域通過フィルタ25との違い
は、内側のマイクロストリップ線路共振器32と33を
L字状に形成して、その開放端同士を近接させて両者の
間に静電容量を形成したことだけである。
In FIG. 5, the band-pass filter 30 is connected to the ground electrode 2 and has a length approximately one-quarter of the wavelength of the target frequency, one end being open and the other end being connected to the ground electrode 2. And a microstrip line resonator 31, 32, 33, 34, which is a distributed-constant-line-type resonator serving as a ground end, and an input terminal 7 and an output terminal 8. The bandpass filter 30 differs from the bandpass filter 25 of FIG. 4 in that the inner microstrip line resonators 32 and 33 are formed in an L-shape, and the open ends thereof are brought close to each other so as to allow static between them. It is only that capacitance was formed.

【0029】このように構成された帯域通過フィルタ3
0においても、外側のマイクロストリップ線路共振器3
1および34の開放端を内側のマイクロストリップ線路
共振器32および33より突出させて形成しているた
め、マイクロストリップ線路共振器の開放端と接地電極
との間に静電容量を形成することによる小型化の効果が
無い以外は帯域通過フィルタ10と同様の作用・効果を
得ることができる。
The band-pass filter 3 configured as described above
0, the outer microstrip line resonator 3
Since the open ends of 1 and 34 are formed to protrude from the inner microstrip line resonators 32 and 33, a capacitance is formed between the open end of the microstrip line resonator and the ground electrode. The same operation and effect as the band-pass filter 10 can be obtained except that there is no effect of downsizing.

【0030】さらに、図6においては、帯域通過フィル
タ35は、接地電極2と、長さが目的の周波数の波長の
約4分の1で一端が開放端で他端が接地電極2に接続し
て接地端となった分布定数線路型共振器であるマイクロ
ストリップ線路共振器36、37、38、39と、入力
端子7、出力端子8から構成されている。帯域通過フィ
ルタ35において、図5の帯域通過フィルタ30との違
いは、外側のマイクロストリップ線路共振器36と39
もL字状に形成して、その開放端同士を向かい合わせて
形成したことだけである。
Further, in FIG. 6, the band-pass filter 35 is connected to the ground electrode 2 and has a length approximately one-quarter of the wavelength of the target frequency, one open end and the other end connected to the ground electrode 2. A microstrip line resonator 36, 37, 38, 39, which is a distributed constant line type resonator having a ground end, and an input terminal 7 and an output terminal 8. The bandpass filter 35 differs from the bandpass filter 30 of FIG. 5 in that the outer microstrip line resonators 36 and 39
Is also formed in an L-shape, with its open ends facing each other.

【0031】このように構成された帯域通過フィルタ3
5においては、外側のマイクロストリップ線路共振器3
1および34の開放端を内側のマイクロストリップ線路
共振器32および33より突出させて形成しているだけ
でなく、外側のマイクロストリップ線路共振器36と3
9の開放端同士の間に形成される静電容量をさらに大き
く取ることができ、帯域通過フィルタ30と同様の作用
・効果にくわえて、通過帯域の両側の減衰極の作成が容
易になるという効果もある。
The bandpass filter 3 configured as described above
5, the outer microstrip line resonator 3
The open ends of 1 and 34 not only protrude from the inner microstrip line resonators 32 and 33 but also the outer microstrip line resonators 36 and 3
9, the capacitance formed between the open ends of the band-pass filter 9 can be further increased, and in addition to the same operation and effect as the band-pass filter 30, the attenuation poles on both sides of the pass band can be easily formed. There is also an effect.

【0032】なお、上記の各実施例においては、4つの
分布定数線路型共振器であるマイクロストリップライン
共振器を用いて帯域通過フィルタを構成していたが、マ
イクロストリップライン共振器の数は4つに限るもので
はなく、3つ以上のマイクロストリップライン共振器を
用いて構成したものであれば構わないものである。ま
た、上記の各実施例においては、分布定数線路型共振器
としてマイクロストリップ線路共振器を用いたが、これ
はトリプレート構造のストリップ線路共振器などの別の
分布定数線路型共振器でも構わないものである。
In each of the above embodiments, the bandpass filter is constituted by using the microstrip line resonators, which are four distributed constant line type resonators. However, the number of microstrip line resonators is four. The present invention is not limited to this, and any structure may be used as long as it is configured using three or more microstrip line resonators. Further, in each of the above embodiments, the microstrip line resonator is used as the distributed constant line type resonator, but this may be another distributed constant line type resonator such as a strip line resonator having a triplate structure. Things.

【0033】図7に、本発明の帯域通過フィルタを用い
て構成したデュプレクサの一実施例のブロック図を示
す。図8において、デュプレクサ60は、互いに周波数
帯域の異なる2つの本発明の帯域通過フィルタ61およ
び62を、一方の端子同士を互いに接続してアンテナ端
子63とし、帯域通過フィルタ61の他方の端子を送信
側端子64、帯域通過フィルタ62の他方の端子を受信
側端子65として構成されている。
FIG. 7 is a block diagram showing an embodiment of a duplexer using the band-pass filter of the present invention. In FIG. 8, a duplexer 60 includes two band-pass filters 61 and 62 of the present invention having different frequency bands from each other, one of the terminals being connected to each other to form an antenna terminal 63, and the other terminal of the band-pass filter 61 being transmitted. The side terminal 64 and the other terminal of the band-pass filter 62 are configured as a reception side terminal 65.

【0034】このように構成されたデュプレクサは、ア
ンテナ端子63を外部アンテナに、送信側端子64を送
信回路に、受信側端子65を受信回路にそれぞれ接続さ
れて通信装置を構成し、共通の外部アンテナを用いた送
受信時に、送信信号が受信回路に入り込んだり、受信信
号が送信回路に入り込んだりするのを防止する。特に、
本発明の帯域通過フィルタを用いることによって、相手
の帯域通過フィルタの通過帯域における減衰量を大きく
することができ、送信側端子64と受信側端子65との
間のアイソレーションを十分に取ることができる。
In the duplexer configured as described above, the antenna terminal 63 is connected to an external antenna, the transmitting terminal 64 is connected to a transmitting circuit, and the receiving terminal 65 is connected to a receiving circuit to form a communication device. During transmission and reception using an antenna, a transmission signal is prevented from entering a reception circuit and a reception signal is prevented from entering a transmission circuit. In particular,
By using the band-pass filter of the present invention, the attenuation in the pass band of the partner band-pass filter can be increased, and sufficient isolation between the transmitting terminal 64 and the receiving terminal 65 can be obtained. it can.

【0035】図8に、本発明の帯域通過フィルタを用い
て構成した高周波モジュールの一実施例を示す。図8に
おいて、高周波モジュール40は、RFフィルタとして
の本発明の帯域通過フィルタ10、RFアンプ41、局
部発振器42、ミキサ43、IFフィルタ44、IFア
ンプ45、および入力端子46と出力端子47で構成さ
れたダウンコンバータである。ここで、入力端子46は
帯域通過フィルタ10とRFアンプ41を順に介してミ
キサ43に接続されている。また、局部発振器42もミ
キサ43に接続されている。そして、ミキサ43の出力
はIFフィルタ44とIFアンプ45を順に介して出力
端子47に接続されている。
FIG. 8 shows an embodiment of a high-frequency module using the band-pass filter of the present invention. 8, a high-frequency module 40 includes a band-pass filter 10 of the present invention as an RF filter, an RF amplifier 41, a local oscillator 42, a mixer 43, an IF filter 44, an IF amplifier 45, an input terminal 46 and an output terminal 47. Down converter. Here, the input terminal 46 is connected to the mixer 43 via the band pass filter 10 and the RF amplifier 41 in this order. The local oscillator 42 is also connected to the mixer 43. The output of the mixer 43 is connected to an output terminal 47 via an IF filter 44 and an IF amplifier 45 in this order.

【0036】このように構成された高周波モジュール4
0においては、本発明の帯域通過フィルタ10を用いて
いるために減衰域における減衰量を大きく取ることがで
きるため、減衰量の不足を補うためのノッチフィルタな
どの別の部品を用いる必要が無くなる。また、後段に接
続されるRFアンプなどの入力整合回路を簡素化でき
る。その結果、高周波モジュール40の小型化とコスト
ダウンを図ることができる。
The high-frequency module 4 configured as described above
At 0, since the band-pass filter 10 of the present invention is used, a large amount of attenuation in the attenuation region can be obtained, so that it is not necessary to use another component such as a notch filter for compensating for the insufficient amount of attenuation. . In addition, an input matching circuit such as an RF amplifier connected at a subsequent stage can be simplified. As a result, the size and cost of the high-frequency module 40 can be reduced.

【0037】なお、図8においては帯域通過フィルタ1
0を用いて高周波モジュール40を構成したが、図4な
いし図7に示した帯域通過フィルタ25、30、35や
デュプレクサ60を用いて高周波モジュールを構成して
も構わないもので、同様の作用効果を奏するものであ
る。
It should be noted that in FIG.
Although the high-frequency module 40 is configured by using 0, the high-frequency module may be configured by using the band-pass filters 25, 30, and 35 and the duplexer 60 illustrated in FIGS. Is played.

【0038】図9に、本発明の高周波モジュールを用い
て構成した通信装置の一実施例を示す。図9において、
通信装置50は、高周波モジュール40、アンテナ5
1、信号処理回路52から構成されている。ここで、ア
ンテナ51は高周波モジュール40に接続され、高周波
モジュール40は信号処理回路52に接続されている。
FIG. 9 shows an embodiment of a communication device constituted by using the high-frequency module of the present invention. In FIG.
The communication device 50 includes a high-frequency module 40, an antenna 5
1. It is composed of a signal processing circuit 52. Here, the antenna 51 is connected to the high-frequency module 40, and the high-frequency module 40 is connected to the signal processing circuit 52.

【0039】このように構成された通信装置50におい
ては、本発明の高周波モジュール40を用いることによ
り、小型化とコストダウンを図ることができる。
In the communication device 50 configured as described above, by using the high-frequency module 40 of the present invention, size reduction and cost reduction can be achieved.

【0040】[0040]

【発明の効果】本発明の帯域通過フィルタによれば、一
端が開放端で他端が接地端となる分布定数線路型共振器
を複数個並べて配置して、外側の分布定数線路型共振器
の開放端を、内側の分布定数線路型共振器より突出させ
て形成することにより、通過帯域の両側に減衰極を形成
して減衰域における減衰量を大きくすることができる。
また、内側の分布定数線路型共振器の開放端同士の間に
静電容量を形成することによっても、通過帯域の両側に
減衰極を形成して、減衰域における減衰量を大きくする
ことができる。さらに、各分布定数線路型共振器の開放
端と接地電極との間に静電容量を形成することによっ
て、帯域通過フィルタの小型化を図ることができる。
According to the bandpass filter of the present invention, a plurality of distributed constant line type resonators having one open end and the other end grounded are arranged side by side, and the distributed distributed line type resonator on the outer side is arranged. By forming the open end so as to protrude from the inner distributed-constant-line-type resonator, attenuation poles can be formed on both sides of the passband to increase the attenuation in the attenuation region.
Also, by forming a capacitance between the open ends of the inner distributed-constant-line-type resonators, attenuation poles can be formed on both sides of the pass band to increase the attenuation in the attenuation range. . Further, by forming a capacitance between the open end of each distributed constant line resonator and the ground electrode, the size of the band-pass filter can be reduced.

【0041】また、本発明のデュプレクサによれば、本
発明の帯域通過フィルタを用いることによって小型化を
図り、送信側端子と受信側端子の間の十分なアイソレー
ションを取ることができる。
Further, according to the duplexer of the present invention, the size can be reduced by using the band-pass filter of the present invention, and sufficient isolation between the transmitting terminal and the receiving terminal can be obtained.

【0042】また、本発明の高周波モジュールによれ
ば、本発明の帯域通過フィルタを用いることによって小
型化とコストダウンを図ることができる。
According to the high-frequency module of the present invention, the size and cost can be reduced by using the band-pass filter of the present invention.

【0043】また、本発明の通信装置によれば、本発明
の高周波モジュールを用いることによって小型化とコス
トダウンを図ることができる。
Further, according to the communication device of the present invention, the size and cost can be reduced by using the high-frequency module of the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の帯域通過フィルタの一実施例の電極パ
ターンを示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an electrode pattern of an embodiment of a bandpass filter of the present invention.

【図2】図1の帯域通過フィルタの構成を示す斜視図で
ある。
FIG. 2 is a perspective view showing the configuration of the bandpass filter of FIG.

【図3】図1の帯域通過フィルタの通過特性および反射
特性を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing pass characteristics and reflection characteristics of the band-pass filter of FIG.

【図4】本発明の帯域通過フィルタの別の実施例の電極
パターンを示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an electrode pattern of another embodiment of the bandpass filter of the present invention.

【図5】本発明の帯域通過フィルタのさらに別の実施例
の電極パターンを示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing an electrode pattern of still another embodiment of the bandpass filter of the present invention.

【図6】本発明の帯域通過フィルタのさらに別の実施例
の電極パターンを示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an electrode pattern of still another embodiment of the bandpass filter of the present invention.

【図7】本発明のデュプレクサの一実施例を示すブロッ
ク図である。
FIG. 7 is a block diagram showing an embodiment of a duplexer according to the present invention.

【図8】本発明の高周波モジュールの一実施例を示すブ
ロック図である。
FIG. 8 is a block diagram showing one embodiment of the high-frequency module of the present invention.

【図9】本発明の通信装置の一実施例を示すブロック図
である。
FIG. 9 is a block diagram showing one embodiment of the communication device of the present invention.

【図10】従来の帯域通過フィルタの電極パターンを示
す図である。
FIG. 10 is a diagram showing an electrode pattern of a conventional band-pass filter.

【図11】図10の帯域通過フィルタの構成を示す斜視
図である。
FIG. 11 is a perspective view showing the configuration of the bandpass filter of FIG.

【図12】従来の帯域通過フィルタの通過特性および反
射特性を示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing pass characteristics and reflection characteristics of a conventional band-pass filter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2、15、17…接地電極 7…入力端子 8…出力端子 10、25、30、35…帯域通過フィルタ 11、12、13、14、26、27、28、29、3
1、32、33、34、36、37、38、39…マイ
クロストリップ線路型共振器 16、18、19、20…櫛形電極対 21…誘電体基板 40…高周波モジュール 50…通信装置 60…デュプレクサ
2, 15, 17: ground electrode 7: input terminal 8, output terminal 10, 25, 30, 35: band-pass filter 11, 12, 13, 14, 26, 27, 28, 29, 3
1, 32, 33, 34, 36, 37, 38, 39: Microstrip line resonator 16, 18, 19, 20: Comb electrode pair 21: Dielectric substrate 40: High frequency module 50: Communication device 60: Duplexer

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一端が開放端で他端が接地端となる分布
定数線路型共振器を複数個並べて配置して構成したコム
ラインタイプの帯域通過フィルタにおいて、外側の前記
分布定数線路型共振器の開放端を、内側の前記分布定数
線路型共振器より突出させて形成したことを特徴とする
帯域通過フィルタ。
1. A comb-line type band-pass filter comprising a plurality of distributed-constant-line-type resonators each having an open end at one end and a grounding end at the other end. Characterized in that the open end of the band-pass filter protrudes from the distributed constant line type resonator on the inside.
【請求項2】 内側の前記分布定数線路型共振器の開放
端同士を近接させて形成したことを特徴とする、請求項
1に記載の帯域通過フィルタ。
2. The band-pass filter according to claim 1, wherein the open ends of the distributed constant line type resonator on the inner side are formed close to each other.
【請求項3】 前記分布定数線路型共振器の開放端に近
接して接地電極を設け、前記分布定数線路型共振器の開
放端と前記接地電極との間に静電容量を形成したことを
特徴とする、請求項1または2に記載の帯域通過フィル
タ。
3. A method according to claim 1, wherein a ground electrode is provided near an open end of the distributed constant line resonator, and a capacitance is formed between the open end of the distributed constant line resonator and the ground electrode. The band-pass filter according to claim 1, wherein the band-pass filter is a filter.
【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載の帯
域通過フィルタを2つ接続して構成したことを特徴とす
るデュプレクサ。
4. A duplexer comprising two band-pass filters according to claim 1 connected to each other.
【請求項5】 請求項1ないし3のいずれかに記載の帯
域通過フィルタ、もしくは請求項4に記載のデュプレク
サを用いて構成したことを特徴とする高周波モジュー
ル。
5. A high-frequency module comprising the band-pass filter according to claim 1 or the duplexer according to claim 4.
【請求項6】 請求項5に記載の高周波モジュールを用
いて構成したことを特徴とする通信装置。
6. A communication device comprising the high-frequency module according to claim 5.
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