JP2000239830A - 酸化物光学薄膜の形成方法及び酸化物光学薄膜の形成装置 - Google Patents
酸化物光学薄膜の形成方法及び酸化物光学薄膜の形成装置Info
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- JP2000239830A JP2000239830A JP11038608A JP3860899A JP2000239830A JP 2000239830 A JP2000239830 A JP 2000239830A JP 11038608 A JP11038608 A JP 11038608A JP 3860899 A JP3860899 A JP 3860899A JP 2000239830 A JP2000239830 A JP 2000239830A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板などの被成膜物を強制加熱せずに、優れ
た光学特性を有する酸化物光学薄膜の成膜が可能な装置
を提供すること。 【解決手段】 高周波放電により酸素プラズマを生成す
る第１真空槽と、この第１真空槽が連結されて、第１真
空槽より高真空の内部に被成膜物と、電子ビームにより
蒸発粒子を前記被成膜物上へ蒸発させる蒸発源とを設置
した第２真空槽とを備えた酸化物光学薄膜の形成装置に
おいて、前記第１真空槽に径０．３ｍｍ以下のオリフィ
スを設けた誘電体板を設置し、前記酸素プラズマを前記
オリフィスを介することで酸素ラジカルに支配的なプラ
ズマ流として前記被成膜物上に照射し、前記蒸発粒子を
このプラズマ流を通過・混合させて成膜を行う。
た光学特性を有する酸化物光学薄膜の成膜が可能な装置
を提供すること。 【解決手段】 高周波放電により酸素プラズマを生成す
る第１真空槽と、この第１真空槽が連結されて、第１真
空槽より高真空の内部に被成膜物と、電子ビームにより
蒸発粒子を前記被成膜物上へ蒸発させる蒸発源とを設置
した第２真空槽とを備えた酸化物光学薄膜の形成装置に
おいて、前記第１真空槽に径０．３ｍｍ以下のオリフィ
スを設けた誘電体板を設置し、前記酸素プラズマを前記
オリフィスを介することで酸素ラジカルに支配的なプラ
ズマ流として前記被成膜物上に照射し、前記蒸発粒子を
このプラズマ流を通過・混合させて成膜を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高性能を有する酸
化物光学薄膜の形成方法及び酸化物光学薄膜の形成装置
に関する。
化物光学薄膜の形成方法及び酸化物光学薄膜の形成装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｉｎ2 Ｏ3 、
ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 などの酸化物薄膜は光学薄膜として
多層反射防止膜、反射増加膜、干渉フィルター膜などに
利用されている。従来このような酸化物薄膜は反応蒸着
法により作製されていた。この方法は、蒸着材料から抵
抗加熱あるいは電子ビームにより蒸発させた蒸発粒子を
酸素ガスと酸化反応を生じさせ３００℃以上の高温基板
上に成膜させる方法である。
ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 などの酸化物薄膜は光学薄膜として
多層反射防止膜、反射増加膜、干渉フィルター膜などに
利用されている。従来このような酸化物薄膜は反応蒸着
法により作製されていた。この方法は、蒸着材料から抵
抗加熱あるいは電子ビームにより蒸発させた蒸発粒子を
酸素ガスと酸化反応を生じさせ３００℃以上の高温基板
上に成膜させる方法である。
【０００３】近年、より高性能の酸化物光学薄膜を作製
するために、蒸発粒子と酸素ガスとをプラズマ領域中で
反応させ、成膜するプラズマアシスト蒸着法が提案され
た。この方法はプラズマの活性状態を利用し、より低基
板温度での酸化反応の促進、基板との密着性の向上を計
るものである。
するために、蒸発粒子と酸素ガスとをプラズマ領域中で
反応させ、成膜するプラズマアシスト蒸着法が提案され
た。この方法はプラズマの活性状態を利用し、より低基
板温度での酸化反応の促進、基板との密着性の向上を計
るものである。
【０００４】例えば高周波電圧を印可してグロー放電に
よりプラズマを発生させ、薄膜の基板への密着性や緻密
さを向上させるＲＦプラズマアシスト蒸着法、あるいは
最近では熱電子を発生させやすいＬａＢ6 （六化ホウ素
ランタン）からなる陰極を含むプラズマガンからアーク
放電を発生させ高密度のプラズマ流を形成し、蒸着材料
を蒸発させ成膜させるアーク放電プラズマアシスト蒸着
法（特開平９−７１８５７号公報など）が提案されてい
る。
よりプラズマを発生させ、薄膜の基板への密着性や緻密
さを向上させるＲＦプラズマアシスト蒸着法、あるいは
最近では熱電子を発生させやすいＬａＢ6 （六化ホウ素
ランタン）からなる陰極を含むプラズマガンからアーク
放電を発生させ高密度のプラズマ流を形成し、蒸着材料
を蒸発させ成膜させるアーク放電プラズマアシスト蒸着
法（特開平９−７１８５７号公報など）が提案されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記に示したプ
ラズマアシスト蒸着法では以下のような問題点が挙げら
れる。 （１）プラズマ中のイオンなどの高エネルギー粒子の膜
表面衝撃により光学薄膜の諸特性が劣化（表面粗さ増に
よる透明性の減衰など）する。 （２）通常の真空蒸着法に比べ、高い真空度が得にく
く、成膜される薄膜の膜密度が低くなる。 （３）酸化反応性、膜密度を向上させるために基板に３
００℃以上の高温を印加していた。 このため成膜対象（被成膜物）が耐熱性のある材料に限
られていた。
ラズマアシスト蒸着法では以下のような問題点が挙げら
れる。 （１）プラズマ中のイオンなどの高エネルギー粒子の膜
表面衝撃により光学薄膜の諸特性が劣化（表面粗さ増に
よる透明性の減衰など）する。 （２）通常の真空蒸着法に比べ、高い真空度が得にく
く、成膜される薄膜の膜密度が低くなる。 （３）酸化反応性、膜密度を向上させるために基板に３
００℃以上の高温を印加していた。 このため成膜対象（被成膜物）が耐熱性のある材料に限
られていた。
【０００６】本発明の第１の目的は、被成膜物を強制加
熱せずに、優れた光学特性を有する酸化物光学薄膜を形
成することができる装置を提供することであり、本発明
の第２の目的は、被成膜物を強制加熱せずに、優れた光
学特性を有する酸化物光学薄膜を容易に形成する方法を
提供することである。
熱せずに、優れた光学特性を有する酸化物光学薄膜を形
成することができる装置を提供することであり、本発明
の第２の目的は、被成膜物を強制加熱せずに、優れた光
学特性を有する酸化物光学薄膜を容易に形成する方法を
提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の請求項１の発明は、酸素を流すことで所定の圧力に設
定して高周波放電により酸素プラズマを生成する第１真
空槽と、この第１真空槽が連結されるとともに、第１真
空槽より高真空に設定された内部に被成膜物と、電子ビ
ームにより蒸発粒子を前記被成膜物上へ蒸発させる蒸発
源とが設置された第２真空槽とを備えた酸化物光学薄膜
の形成装置において、前記第１真空槽に径０．３ｍｍ以
下のオリフィスを設けた誘電体板を設置し、前記第１真
空槽中で高周波放電により生成した酸素プラズマを前記
オリフィスを介することで酸素ラジカルに支配的なプラ
ズマ流として前記第２真空槽中の被成膜物上に照射し、
前記蒸発粒子をこのプラズマ流を通過・混合させて成膜
を行うことを特徴とする酸化物光学薄膜の形成装置であ
る。
の請求項１の発明は、酸素を流すことで所定の圧力に設
定して高周波放電により酸素プラズマを生成する第１真
空槽と、この第１真空槽が連結されるとともに、第１真
空槽より高真空に設定された内部に被成膜物と、電子ビ
ームにより蒸発粒子を前記被成膜物上へ蒸発させる蒸発
源とが設置された第２真空槽とを備えた酸化物光学薄膜
の形成装置において、前記第１真空槽に径０．３ｍｍ以
下のオリフィスを設けた誘電体板を設置し、前記第１真
空槽中で高周波放電により生成した酸素プラズマを前記
オリフィスを介することで酸素ラジカルに支配的なプラ
ズマ流として前記第２真空槽中の被成膜物上に照射し、
前記蒸発粒子をこのプラズマ流を通過・混合させて成膜
を行うことを特徴とする酸化物光学薄膜の形成装置であ
る。
【０００８】ラジカルを酸化反応活性種として成膜に利
用している例は、近年よく認められる。代表的な例で
は、特開平８−６０３４７号公報に代表されるラジカル
ビーム方式がある。しかしながら、この方式は高周波プ
ラズマ源から基板（被成膜物）まで空間が直結してい
る。そのため基板（被成膜物）にはラジカルだけでなく
イオン、紫外線など成膜に関連しうる活性種が照射され
るため、ラジカルの選択的な照射が妨げられる。
用している例は、近年よく認められる。代表的な例で
は、特開平８−６０３４７号公報に代表されるラジカル
ビーム方式がある。しかしながら、この方式は高周波プ
ラズマ源から基板（被成膜物）まで空間が直結してい
る。そのため基板（被成膜物）にはラジカルだけでなく
イオン、紫外線など成膜に関連しうる活性種が照射され
るため、ラジカルの選択的な照射が妨げられる。
【０００９】本発明の酸化物光学薄膜の形成装置におい
ては、高周波プラズマ源から被成膜物までの間に径０．
３ｍｍ以下のオリフィスを設けた誘電体板を設置し、こ
のオリフィスを介してラジカルを照射しているため、よ
り選択的にラジカルを被成膜物に対して照射できる。
ては、高周波プラズマ源から被成膜物までの間に径０．
３ｍｍ以下のオリフィスを設けた誘電体板を設置し、こ
のオリフィスを介してラジカルを照射しているため、よ
り選択的にラジカルを被成膜物に対して照射できる。
【００１０】また、本発明の酸化物光学薄膜の形成装置
においては、第１真空槽と第２真空槽が前記オリフィス
を有する誘電体板を介在しており、成膜する槽内が高真
空に保たれていることで、被成膜物近傍での水蒸気を始
めとする残留ガスをできるだけ少なくし膜密度低下を抑
制できる。
においては、第１真空槽と第２真空槽が前記オリフィス
を有する誘電体板を介在しており、成膜する槽内が高真
空に保たれていることで、被成膜物近傍での水蒸気を始
めとする残留ガスをできるだけ少なくし膜密度低下を抑
制できる。
【００１１】請求項２の発明は、請求項１記載の酸化物
光学薄膜の形成装置において、前記第１真空槽及び誘電
体板が窒化ホウ素、ホウ珪酸ガラス、石英、酸化アル
ミ、窒化アルミから選択される少なくとも１つのセラミ
ックス材料で形成されていることを特徴とする。前記第
１真空槽及び誘電体板をラジカルがトラップされにくい
材質にすることで第１真空槽内でのラジカルの残留寿命
を延ばし、第２真空槽へ高濃度のラジカルを供給でき
る。
光学薄膜の形成装置において、前記第１真空槽及び誘電
体板が窒化ホウ素、ホウ珪酸ガラス、石英、酸化アル
ミ、窒化アルミから選択される少なくとも１つのセラミ
ックス材料で形成されていることを特徴とする。前記第
１真空槽及び誘電体板をラジカルがトラップされにくい
材質にすることで第１真空槽内でのラジカルの残留寿命
を延ばし、第２真空槽へ高濃度のラジカルを供給でき
る。
【００１２】請求項３の発明は、請求項１あるいは請求
項２記載の酸化物光学薄膜の形成装置において、前記第
２真空槽中の被成膜物上に照射される酸素ラジカル濃度
が１０16個／ｃｍ2 ・ｓ以上であることを特徴とする。
前記蒸発源からの蒸発粒子を、１０16個／ｃｍ2 ・ｓ以
上の高濃度酸素ラジカルに支配的なプラズマ流と混合さ
せることで、高活性な酸素ラジカルにより酸化反応を促
進させ、またイオンなどの高エネルギー粒子による表面
衝撃を極力抑制でき、高い光学特性を有する酸化物薄膜
を作製できる。
項２記載の酸化物光学薄膜の形成装置において、前記第
２真空槽中の被成膜物上に照射される酸素ラジカル濃度
が１０16個／ｃｍ2 ・ｓ以上であることを特徴とする。
前記蒸発源からの蒸発粒子を、１０16個／ｃｍ2 ・ｓ以
上の高濃度酸素ラジカルに支配的なプラズマ流と混合さ
せることで、高活性な酸素ラジカルにより酸化反応を促
進させ、またイオンなどの高エネルギー粒子による表面
衝撃を極力抑制でき、高い光学特性を有する酸化物薄膜
を作製できる。
【００１３】請求項４の発明は、請求項１から請求項３
のいずれかに記載の酸化物光学薄膜の形成装置を用い、
金属酸化物からなる蒸発材料を蒸発源とし、かつ強制加
熱しない被成膜物上に成膜することを特徴とする酸化物
光学薄膜の形成方法である。
のいずれかに記載の酸化物光学薄膜の形成装置を用い、
金属酸化物からなる蒸発材料を蒸発源とし、かつ強制加
熱しない被成膜物上に成膜することを特徴とする酸化物
光学薄膜の形成方法である。
【００１４】本発明で用いる被成膜物は、ガラス・ポリ
マーフィルムなどの材質やその形状にかかわらず使用で
き、また被成膜物の種類で本発明の効果が損なわれるも
のではない。
マーフィルムなどの材質やその形状にかかわらず使用で
き、また被成膜物の種類で本発明の効果が損なわれるも
のではない。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を図面を
用いて詳細に説明する。図１は、本発明の酸化物光学薄
膜の形成装置の一実施形態を説明するための概略説明図
である。本発明における高屈折率酸化物光学薄膜の形成
は、図１に示すような真空蒸着装置１を用いて行う。こ
の真空蒸着装置１は、真空チャンバー２内に蒸発材料３
を保持するるつぼ４と蒸発材料３に照射して蒸発させる
電子銃５、真空チャンバー２の側壁からその内部へ挿入
されたステンレス管６、そのステンレス管６の内部に設
置された高周波印加コイル（以下ＲＦコイルと称す）７
の巻かれたセラミックス管８、そのセラミックス管８の
先端部に設置されたオリフィス１４のある誘電体セラミ
ックス板９、成膜基板（被成膜物）１０およびそれを保
持する基板ホルダー１１から構成されている。
用いて詳細に説明する。図１は、本発明の酸化物光学薄
膜の形成装置の一実施形態を説明するための概略説明図
である。本発明における高屈折率酸化物光学薄膜の形成
は、図１に示すような真空蒸着装置１を用いて行う。こ
の真空蒸着装置１は、真空チャンバー２内に蒸発材料３
を保持するるつぼ４と蒸発材料３に照射して蒸発させる
電子銃５、真空チャンバー２の側壁からその内部へ挿入
されたステンレス管６、そのステンレス管６の内部に設
置された高周波印加コイル（以下ＲＦコイルと称す）７
の巻かれたセラミックス管８、そのセラミックス管８の
先端部に設置されたオリフィス１４のある誘電体セラミ
ックス板９、成膜基板（被成膜物）１０およびそれを保
持する基板ホルダー１１から構成されている。
【００１６】上記真空蒸着装置１を用いて、酸化物光学
薄膜を形成する際は、まず真空度４×１０-5Ｐａ以下と
した真空チャンバー２（第２真空槽）内の下部に設置さ
れているるつぼ４内部に保持された金属酸化物からなる
蒸発材料３を蒸発源とし、その蒸発材料３を電子銃５か
ら照射される電子ビームで蒸発させる。一方、酸素ガス
をセラミックス管８（第１真空槽）に導入し圧力を３０
Ｐａ程度にする。ＲＦコイル７から高周波出力を印可す
ることにより酸素プラズマを発生させ、セラミックス管
８の先端にある誘電体セラミックス板９のオリフィス１
４を介して酸素ラジカルに支配的な雰囲気を持つ酸素プ
ラズマ流１３を成膜基板（被成膜物）１０に向かって照
射する。この時、成膜基板（被成膜物）１０のある真空
槽２内の真空度は、１０-3〜１０-4Ｐａであり、セラミ
ックス管８内の真空度より著しく高くなっている。蒸発
源から蒸発した蒸発粒子１２がこの酸素プラズマ流１３
を通過・混合して、基板ホルダー１１に保持された成膜
基板（被成膜物）１０上に薄膜が形成される。
薄膜を形成する際は、まず真空度４×１０-5Ｐａ以下と
した真空チャンバー２（第２真空槽）内の下部に設置さ
れているるつぼ４内部に保持された金属酸化物からなる
蒸発材料３を蒸発源とし、その蒸発材料３を電子銃５か
ら照射される電子ビームで蒸発させる。一方、酸素ガス
をセラミックス管８（第１真空槽）に導入し圧力を３０
Ｐａ程度にする。ＲＦコイル７から高周波出力を印可す
ることにより酸素プラズマを発生させ、セラミックス管
８の先端にある誘電体セラミックス板９のオリフィス１
４を介して酸素ラジカルに支配的な雰囲気を持つ酸素プ
ラズマ流１３を成膜基板（被成膜物）１０に向かって照
射する。この時、成膜基板（被成膜物）１０のある真空
槽２内の真空度は、１０-3〜１０-4Ｐａであり、セラミ
ックス管８内の真空度より著しく高くなっている。蒸発
源から蒸発した蒸発粒子１２がこの酸素プラズマ流１３
を通過・混合して、基板ホルダー１１に保持された成膜
基板（被成膜物）１０上に薄膜が形成される。
【００１７】
【実施例】次に本発明の実施例により、さらに具体的に
説明する。まず図１に示した成膜基板（被成膜物）１０
としてガラス板を真空蒸着装置１の真空チャンバー２内
上部の基板ホルダー１１に設置した。次いでるつぼ４に
蒸発材料３を設置した。上記の成膜基板（被成膜物）１
０と蒸発源を用いて、以下の成膜条件で成膜した。 （１）電子ビーム出力：２００〜３５０Ｗ （２）ＲＦコイル印加出力：４５０Ｗ （３）蒸発材料３：ＴｉＯｘ（ｘ＝０．３〜２．０） （４）蒸発速度：０．５Å／ｓ （５）反応系内圧力：８×１０-4Ｐａ以下 なお成膜基板（被成膜物）１０は強制加熱しなかった。
説明する。まず図１に示した成膜基板（被成膜物）１０
としてガラス板を真空蒸着装置１の真空チャンバー２内
上部の基板ホルダー１１に設置した。次いでるつぼ４に
蒸発材料３を設置した。上記の成膜基板（被成膜物）１
０と蒸発源を用いて、以下の成膜条件で成膜した。 （１）電子ビーム出力：２００〜３５０Ｗ （２）ＲＦコイル印加出力：４５０Ｗ （３）蒸発材料３：ＴｉＯｘ（ｘ＝０．３〜２．０） （４）蒸発速度：０．５Å／ｓ （５）反応系内圧力：８×１０-4Ｐａ以下 なお成膜基板（被成膜物）１０は強制加熱しなかった。
【００１８】上記の実施例で成膜した薄膜の屈折率及び
吸収率は、反射率・透過率を測定した後、Ｓｗａｎｅｐ
ｏｅｌの式（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｅ，１６，１２１４（１９
８３）参照）を用いて算出した。各蒸発材料から作成さ
れた酸化チタン薄膜の屈折率と吸収率（％）（波長５５
０ｎｍ）を表１に示す。
吸収率は、反射率・透過率を測定した後、Ｓｗａｎｅｐ
ｏｅｌの式（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｅ，１６，１２１４（１９
８３）参照）を用いて算出した。各蒸発材料から作成さ
れた酸化チタン薄膜の屈折率と吸収率（％）（波長５５
０ｎｍ）を表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】各蒸発材料から得られた酸化チタン薄膜は
すべて透明であった。表１に示されるように成膜した酸
化チタン薄膜は、波長５５０ｎｍにおいて２．３以上の
高い屈折率および０．５２％以下の少ない吸収率を示
し、優れた光学的特性を有していた。
すべて透明であった。表１に示されるように成膜した酸
化チタン薄膜は、波長５５０ｎｍにおいて２．３以上の
高い屈折率および０．５２％以下の少ない吸収率を示
し、優れた光学的特性を有していた。
【００２１】また各蒸発材料から得られた酸化チタン薄
膜について、雰囲気温度６０℃、湿度９０％の状況下に
おける耐湿熱安定性試験を行った。これは上記条件下で
の薄膜の反射率のピーク波長変化を１０００時間測定す
るものである。酸化チタン薄膜中の空孔に水分が吸着す
ることで、屈折率が変化する。屈折率の変化は光学膜厚
は屈折率に比例するため、光学膜厚をしめす反射率のピ
ーク波長をシフトさせる。すなわちこの試験は酸化チタ
ン薄膜の緻密さの目安となるものである。上記のピーク
波長変化を測定した結果、全ての酸化チタン薄膜におい
て５ｎｍ以下であり極めて緻密な膜であることが判っ
た。
膜について、雰囲気温度６０℃、湿度９０％の状況下に
おける耐湿熱安定性試験を行った。これは上記条件下で
の薄膜の反射率のピーク波長変化を１０００時間測定す
るものである。酸化チタン薄膜中の空孔に水分が吸着す
ることで、屈折率が変化する。屈折率の変化は光学膜厚
は屈折率に比例するため、光学膜厚をしめす反射率のピ
ーク波長をシフトさせる。すなわちこの試験は酸化チタ
ン薄膜の緻密さの目安となるものである。上記のピーク
波長変化を測定した結果、全ての酸化チタン薄膜におい
て５ｎｍ以下であり極めて緻密な膜であることが判っ
た。
【００２２】
【発明の効果】従来は高温の基板温度（被成膜物温度）
でしか高屈折率酸化物薄膜が得られなかったが、本発明
の酸化物光学薄膜の形成装置を用いると、被成膜物を強
制加熱せずに従来から用いられている真空蒸着法あるい
はプラズマアシスト蒸着法で得られる薄膜より優れた光
学特性を有する酸化物光学薄膜の成膜が可能となる。こ
のため、従来使用が困難とされていたプラスチック部
品、精密部品などの被成膜物への高性能酸化物光学薄膜
の成膜が可能となり、工業的な価値は多大である。
でしか高屈折率酸化物薄膜が得られなかったが、本発明
の酸化物光学薄膜の形成装置を用いると、被成膜物を強
制加熱せずに従来から用いられている真空蒸着法あるい
はプラズマアシスト蒸着法で得られる薄膜より優れた光
学特性を有する酸化物光学薄膜の成膜が可能となる。こ
のため、従来使用が困難とされていたプラスチック部
品、精密部品などの被成膜物への高性能酸化物光学薄膜
の成膜が可能となり、工業的な価値は多大である。
【００２３】本発明の酸化物光学薄膜の形成方法によ
り、被成膜物を強制加熱せずに優れた光学特性を有する
酸化物光学薄膜を容易に形成できる。
り、被成膜物を強制加熱せずに優れた光学特性を有する
酸化物光学薄膜を容易に形成できる。
【図１】 本発明の酸化物光学薄膜の形成装置の一実施
形態を説明するための概略説明図である。
形態を説明するための概略説明図である。
１ 真空蒸着装置 ２ 真空チャンバー ３ 蒸発材料 ４ るつぼ ５ 電子銃 ６ ステンレス管 ７ ＲＦコイル ８ セラミックス管 ９ 誘電体セラミックス板 １０ 成膜基板（被成膜物） １１ 基板ホルダー １２ 蒸発粒子 １３ 酸素プラズマ流 １４ オリフィス
フロントページの続き (74)上記２名の代理人 100062225 弁理士 秋元 輝雄 (72)発明者 野副 尚一 茨城県つくば市東一丁目１番 通商産業省 工業技術院物質工学工業技術研究所内 (72)発明者 山田 泰美 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 宇山 晴夫 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 Ｆターム(参考） 2K009 AA02 BB02 BB11 CC03 DD03 4K029 AA09 BA48 CA00 DB05 DB11 DB21 JA01
Claims (4)
- 【請求項１】 酸素を流すことで所定の圧力に設定して
高周波放電により酸素プラズマを生成する第１真空槽
と、この第１真空槽が連結されるとともに、第１真空槽
より高真空に設定された内部に被成膜物と、電子ビーム
により蒸発粒子を前記被成膜物上へ蒸発させる蒸発源と
が設置された第２真空槽とを備えた酸化物光学薄膜の形
成装置において、前記第１真空槽に径０．３ｍｍ以下の
オリフィスを設けた誘電体板を設置し、前記第１真空槽
中で高周波放電により生成した酸素プラズマを前記オリ
フィスを介することで酸素ラジカルに支配的なプラズマ
流として前記第２真空槽中の被成膜物上に照射し、前記
蒸発粒子をこのプラズマ流を通過・混合させて成膜を行
うことを特徴とする酸化物光学薄膜の形成装置。 - 【請求項２】 前記第１真空槽及び誘電体板が窒化ホウ
素、ホウ珪酸ガラス、石英、酸化アルミ、窒化アルミか
ら選択される少なくとも１つのセラミックス材料で形成
されていることを特徴とする請求項１記載の酸化物光学
薄膜の形成装置。 - 【請求項３】 前記第２真空槽中の被成膜物上に照射さ
れる酸素ラジカル濃度が１０16個／ｃｍ2 ・ｓ以上であ
ることを特徴とする請求項１あるいは請求項２記載の酸
化物光学薄膜の形成装置。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
の酸化物光学薄膜の形成装置を用い、金属酸化物からな
る蒸発材料を蒸発源とし、かつ強制加熱しない被成膜物
上に成膜することを特徴とする酸化物光学薄膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11038608A JP3128554B2 (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | 酸化物光学薄膜の形成方法及び酸化物光学薄膜の形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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