JP2000183448A - レーザーダイオードのドライブ回路 - Google Patents
レーザーダイオードのドライブ回路Info
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- JP2000183448A JP2000183448A JP10356386A JP35638698A JP2000183448A JP 2000183448 A JP2000183448 A JP 2000183448A JP 10356386 A JP10356386 A JP 10356386A JP 35638698 A JP35638698 A JP 35638698A JP 2000183448 A JP2000183448 A JP 2000183448A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エミッタ接地回路にしたトランジスタでレー
ザーダイオードをドライブするのでは、高周波パルスで
ドライブをすると消光比が悪くなる。また、外部からの
サージでレーザーダイオードを破壊させる恐れがある。 【解決手段】 一対のトランジスタ１０Ａ、１０Ｂは、
エミッタに抵抗１１Ａ、１１Ｂを接続したコレクタ接地
回路に構成し、両エミッタ間にレーザーダイオードを接
続し、トランジスタ１４Ａ、１４Ｂ、１６Ａ、１６Ｂに
よってベースが互いに逆位相でオン・オフドライブされ
ることでレーザーダイオードを発光・消光させる。抵抗
１１Ａ、１１Ｂによりレーザーダイオードをサージ破壊
から保護する。光出力制御回路１３は、レーザーダイオ
ードの光出力を検出し、この光出力が一定になる方向に
トランジスタ１０Ａ、１０Ｂのコレクタ電圧を自動制御
する。
ザーダイオードをドライブするのでは、高周波パルスで
ドライブをすると消光比が悪くなる。また、外部からの
サージでレーザーダイオードを破壊させる恐れがある。 【解決手段】 一対のトランジスタ１０Ａ、１０Ｂは、
エミッタに抵抗１１Ａ、１１Ｂを接続したコレクタ接地
回路に構成し、両エミッタ間にレーザーダイオードを接
続し、トランジスタ１４Ａ、１４Ｂ、１６Ａ、１６Ｂに
よってベースが互いに逆位相でオン・オフドライブされ
ることでレーザーダイオードを発光・消光させる。抵抗
１１Ａ、１１Ｂによりレーザーダイオードをサージ破壊
から保護する。光出力制御回路１３は、レーザーダイオ
ードの光出力を検出し、この光出力が一定になる方向に
トランジスタ１０Ａ、１０Ｂのコレクタ電圧を自動制御
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信伝送システ
ムにおける光送信回路に係り、特に入力パルス信号に応
じた光パルス出力を発生するためのレーザーダイオード
のドライブ回路に関する。
ムにおける光送信回路に係り、特に入力パルス信号に応
じた光パルス出力を発生するためのレーザーダイオード
のドライブ回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信回路用のレーザーダイオードドラ
イブ回路としては、図２に示すように、ＮＰＮ型トラン
ジスタ１を用いてエミッタ接地回路を構成し、このトラ
ンジスタ１のコレクタとエミッタ間に並列にレーザーダ
イオード２を接続したものがある。
イブ回路としては、図２に示すように、ＮＰＮ型トラン
ジスタ１を用いてエミッタ接地回路を構成し、このトラ
ンジスタ１のコレクタとエミッタ間に並列にレーザーダ
イオード２を接続したものがある。
【０００３】このドライブ回路は、トランジスタ１のベ
ースに入力パルス信号を印加し、このパルス信号でトラ
ンジスタ１のベースをアース電位にする期間ではトラン
ジスタ１が遮断状態（オフ状態）になり、電源（＋Ｖ）
からコレクタ抵抗３を介してレーザーダイオード２にド
ライブ電流が流れ、レーザーダイオード２を発光させ
る。逆に、入力パルス信号がトランジスタ１のベースに
プラス電圧を印加する期間ではトランジスタ１は導通状
態（オン状態）になり、レーザーダイオード２の電流が
遮断されるため、レーザーダイオード２は消光する。
ースに入力パルス信号を印加し、このパルス信号でトラ
ンジスタ１のベースをアース電位にする期間ではトラン
ジスタ１が遮断状態（オフ状態）になり、電源（＋Ｖ）
からコレクタ抵抗３を介してレーザーダイオード２にド
ライブ電流が流れ、レーザーダイオード２を発光させ
る。逆に、入力パルス信号がトランジスタ１のベースに
プラス電圧を印加する期間ではトランジスタ１は導通状
態（オン状態）になり、レーザーダイオード２の電流が
遮断されるため、レーザーダイオード２は消光する。
【０００４】他のレーザーダイオードドライブ回路とし
ては、図３に示すように、レーザーダイオード２を抵抗
３と直列に挿入してトランジスタ１のコレクタに接続し
たものがある。このドライブ回路は、図２の場合とは逆
位相の入力パルス信号をトランジスタ１に印加すること
により、図２と同様の光出力をレーザーダイオード２に
得ることができる。
ては、図３に示すように、レーザーダイオード２を抵抗
３と直列に挿入してトランジスタ１のコレクタに接続し
たものがある。このドライブ回路は、図２の場合とは逆
位相の入力パルス信号をトランジスタ１に印加すること
により、図２と同様の光出力をレーザーダイオード２に
得ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】（第１の課題）従来の
ドライブ回路において、トランジスタ１は、導通状態に
おいてもコレクタ・エミッタ間にオン電圧が発生する。
このため、図２の構成ではレーザーダイオード２に流れ
る電流を完全に零にはできず、レーザーダイオード２の
消光期間に残留光が発生することがある。この場合、レ
ーザーダイオード２ではその発光期間と消光期間での両
光出力の比（以下、消光比と呼ぶ）が低下してしまう。
ドライブ回路において、トランジスタ１は、導通状態に
おいてもコレクタ・エミッタ間にオン電圧が発生する。
このため、図２の構成ではレーザーダイオード２に流れ
る電流を完全に零にはできず、レーザーダイオード２の
消光期間に残留光が発生することがある。この場合、レ
ーザーダイオード２ではその発光期間と消光期間での両
光出力の比（以下、消光比と呼ぶ）が低下してしまう。
【０００６】同様に、図３の構成ではトランジスタ１の
オン電圧の存在によりレーザーダイオード２の発光期間
に所期の電流が流れず、その光出力を低下させ、結果的
に消光比を低下させてしまうことがある。
オン電圧の存在によりレーザーダイオード２の発光期間
に所期の電流が流れず、その光出力を低下させ、結果的
に消光比を低下させてしまうことがある。
【０００７】また、トランジスタ１のコレクタ・エミッ
タ間には浮遊容量が存在する。この浮遊容量は、レーザ
ーダイオード２を高い電流でドライブするために用いる
高出力トランジスタでは比較的大きく、トランジスタ１
のオフ時の立ち上がり時間を遅らせることとなる。この
ため、トランジスタ１の入力パルス信号として高周波パ
ルスを用いても、レーザーダイオード２の光出力にパル
ス状のものが得られず、正弦波状に鈍ったものになり、
結果的に消光比が低下してしまう。
タ間には浮遊容量が存在する。この浮遊容量は、レーザ
ーダイオード２を高い電流でドライブするために用いる
高出力トランジスタでは比較的大きく、トランジスタ１
のオフ時の立ち上がり時間を遅らせることとなる。この
ため、トランジスタ１の入力パルス信号として高周波パ
ルスを用いても、レーザーダイオード２の光出力にパル
ス状のものが得られず、正弦波状に鈍ったものになり、
結果的に消光比が低下してしまう。
【０００８】以上のような現象は、これまでの低周波パ
ルスによる光通信伝送システムでは、消光比に１４ｄＢ
（デシベル）も取れればなんら問題とならなかったが、
ＰＤＳシステム（パッシブ・ダブル・スター・システ
ム）など、高周波パルスを利用するシステムでは消光比
の不足が受信側でパルスの認識率を低下させる問題があ
る。
ルスによる光通信伝送システムでは、消光比に１４ｄＢ
（デシベル）も取れればなんら問題とならなかったが、
ＰＤＳシステム（パッシブ・ダブル・スター・システ
ム）など、高周波パルスを利用するシステムでは消光比
の不足が受信側でパルスの認識率を低下させる問題があ
る。
【０００９】例えば、ＰＤＳシステムでは、３０ＭＨＺ
の光パルスで通信を行うが、その消光比として３５ｄＢ
以上のものが要求され、従来のドライブ回路では消光比
の悪さが隣接した通信回線との相互干渉を発生させ、正
しいデータ伝送ができなくなる。
の光パルスで通信を行うが、その消光比として３５ｄＢ
以上のものが要求され、従来のドライブ回路では消光比
の悪さが隣接した通信回線との相互干渉を発生させ、正
しいデータ伝送ができなくなる。
【００１０】本発明の目的は、高周波パルス信号を使っ
た通信伝送にも十分に速い立ち上がり・立ち下がりで、
かつ高い消光比の光パルス出力を得ることができるドラ
イブ回路を提供することにある。
た通信伝送にも十分に速い立ち上がり・立ち下がりで、
かつ高い消光比の光パルス出力を得ることができるドラ
イブ回路を提供することにある。
【００１１】（第２の課題）従来のドライブ回路におい
て、電源が接続されていない状態では、レーザーダイオ
ード２のアノードとカソード間が電気的にオープン（高
いインピーダンス）状態になり、アースや電源端子など
に外部から高い静電サージ等が印加された場合にレーザ
ーダイオード２がサージ電圧で破壊されてしまうことが
ある。
て、電源が接続されていない状態では、レーザーダイオ
ード２のアノードとカソード間が電気的にオープン（高
いインピーダンス）状態になり、アースや電源端子など
に外部から高い静電サージ等が印加された場合にレーザ
ーダイオード２がサージ電圧で破壊されてしまうことが
ある。
【００１２】本発明の目的は、レーザーダイオードをサ
ージ破壊から確実に保護できるドライブ回路を提供する
ことにある。
ージ破壊から確実に保護できるドライブ回路を提供する
ことにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するため、コレクタ接地回路の一対のトランジスタ
の両エミッタ間にレーザーダイオードを接続し、両トラ
ンジスタを互いに逆位相でドライブする回路構成、さら
にはレーザーダイオードに流れるオン電流をフィードバ
ック補償する光出力制御回路を設けたもので、以下の構
成を特徴とする。
解決するため、コレクタ接地回路の一対のトランジスタ
の両エミッタ間にレーザーダイオードを接続し、両トラ
ンジスタを互いに逆位相でドライブする回路構成、さら
にはレーザーダイオードに流れるオン電流をフィードバ
ック補償する光出力制御回路を設けたもので、以下の構
成を特徴とする。
【００１４】入力パルス信号に従ってレーザーダイオー
ドをオン・オフドライブし、このレーザーダイオードの
光パルス出力で光通信するためのレーザーダイオードの
ドライブ回路であって、エミッタに抵抗を接続したコレ
クタ接地回路に構成し、両エミッタ間に前記レーザーダ
イオードの両端を接続した一対のトランジスタと、前記
入力パルス信号を増幅し、前記一対のトランジスタのベ
ースを互いに逆位相でオン・オフドライブする一対のパ
ルス増幅回路とを備えたことを特徴とする。
ドをオン・オフドライブし、このレーザーダイオードの
光パルス出力で光通信するためのレーザーダイオードの
ドライブ回路であって、エミッタに抵抗を接続したコレ
クタ接地回路に構成し、両エミッタ間に前記レーザーダ
イオードの両端を接続した一対のトランジスタと、前記
入力パルス信号を増幅し、前記一対のトランジスタのベ
ースを互いに逆位相でオン・オフドライブする一対のパ
ルス増幅回路とを備えたことを特徴とする。
【００１５】また、前記レーザーダイオードの光出力を
検出し、この光出力が一定になる方向に前記一対のトラ
ンジスタに印加する電源電圧を自動制御する光出力制御
回路を備えたことを特徴とする。
検出し、この光出力が一定になる方向に前記一対のトラ
ンジスタに印加する電源電圧を自動制御する光出力制御
回路を備えたことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施形態を示す
ドライブ回路である。一対のＮＰＮ型トランジスタ１０
Ａ、１０Ｂは、それぞれエミッタが抵抗１１Ａ、１１Ｂ
を介して接地され、それぞれコレクタが電源側に接続さ
れるコレクタ接地回路（エミッタフォロワ）に構成され
ており、両エミッタ間にはレーザーダイオード１２の両
端を接続する。
ドライブ回路である。一対のＮＰＮ型トランジスタ１０
Ａ、１０Ｂは、それぞれエミッタが抵抗１１Ａ、１１Ｂ
を介して接地され、それぞれコレクタが電源側に接続さ
れるコレクタ接地回路（エミッタフォロワ）に構成され
ており、両エミッタ間にはレーザーダイオード１２の両
端を接続する。
【００１７】更にトランジスタ１０Ａ、１０Ｂの両コレ
クタには、光出力制御回路１３を介してプラス電源を印
加する。また、両トランジスタ１０Ａ、１０Ｂのベース
には、それぞれコレクタ接地回路を構成するトランジス
タ１４Ａ、１４Ｂのエミッタを接続する。これらトラン
ジスタ１４Ａ、１４Ｂのエミッタとマイナス電源との間
にはそれぞれエミッタ抵抗１５Ａ、１５Ｂを挿入接続す
る。
クタには、光出力制御回路１３を介してプラス電源を印
加する。また、両トランジスタ１０Ａ、１０Ｂのベース
には、それぞれコレクタ接地回路を構成するトランジス
タ１４Ａ、１４Ｂのエミッタを接続する。これらトラン
ジスタ１４Ａ、１４Ｂのエミッタとマイナス電源との間
にはそれぞれエミッタ抵抗１５Ａ、１５Ｂを挿入接続す
る。
【００１８】さらに、両トランジスタ１４Ａ、１４Ｂの
ベースには、それぞれエミッタ接地回路を構成するトラ
ンジスタ１６Ａ、１６Ｂのコレクタを接続する。これら
トランジスタ１６Ａ、１６Ｂのコレクタとプラス電源と
の間にはそれぞれコレクタ抵抗１７Ａ、１７Ｂを挿入接
続する。
ベースには、それぞれエミッタ接地回路を構成するトラ
ンジスタ１６Ａ、１６Ｂのコレクタを接続する。これら
トランジスタ１６Ａ、１６Ｂのコレクタとプラス電源と
の間にはそれぞれコレクタ抵抗１７Ａ、１７Ｂを挿入接
続する。
【００１９】以上の構成において、トランジスタ１４
Ａ，１６Ａおよび１４Ｂ，１６Ｂにて構成される回路
は、入力パルス信号を電圧・電流増幅する一対のパルス
増幅回路として機能する。ここでこの２つのパルス増幅
回路の入力パルス信号として互いに逆位相のパルスを用
いる。すなわち、トランジスタ１６Ａ、１６Ｂのベース
は互いに逆位相でオン・オフドライブされ、トランジス
タ１６Ａがオンドライブされるときにはトランジスタ１
６Ｂがオフドライブされてそれぞれパルス信号を電圧増
幅する。逆に、トランジスタ１６Ａがオフドライブされ
るときにはトランジスタ１６Ｂがオンドライブされてそ
れぞれパルス信号を電圧増幅する。そして、両トランジ
スタ１６Ａ、１６Ｂのパルス出力は、それぞれトランジ
スタ１４Ａ、１４Ｂで電流増幅され、トランジスタ１０
Ａ、１０Ｂのベースドライブを行う。なお、トランジス
タ１６Ａ、１６Ｂを互いに逆位相でドライブするための
入力パルス信号の生成は、１つの入力パルス信号を反転
させる論理素子を設けることで容易に実現することがで
きる。
Ａ，１６Ａおよび１４Ｂ，１６Ｂにて構成される回路
は、入力パルス信号を電圧・電流増幅する一対のパルス
増幅回路として機能する。ここでこの２つのパルス増幅
回路の入力パルス信号として互いに逆位相のパルスを用
いる。すなわち、トランジスタ１６Ａ、１６Ｂのベース
は互いに逆位相でオン・オフドライブされ、トランジス
タ１６Ａがオンドライブされるときにはトランジスタ１
６Ｂがオフドライブされてそれぞれパルス信号を電圧増
幅する。逆に、トランジスタ１６Ａがオフドライブされ
るときにはトランジスタ１６Ｂがオンドライブされてそ
れぞれパルス信号を電圧増幅する。そして、両トランジ
スタ１６Ａ、１６Ｂのパルス出力は、それぞれトランジ
スタ１４Ａ、１４Ｂで電流増幅され、トランジスタ１０
Ａ、１０Ｂのベースドライブを行う。なお、トランジス
タ１６Ａ、１６Ｂを互いに逆位相でドライブするための
入力パルス信号の生成は、１つの入力パルス信号を反転
させる論理素子を設けることで容易に実現することがで
きる。
【００２０】このように、一対のパルス増幅回路に印加
される互いに逆位相の入力パルス信号によって、トラン
ジスタ１０Ａ、１０Ｂが互いに逆位相でオン・オフドラ
イブされる。
される互いに逆位相の入力パルス信号によって、トラン
ジスタ１０Ａ、１０Ｂが互いに逆位相でオン・オフドラ
イブされる。
【００２１】このオン・オフドライブにおいて、トラン
ジスタ１０Ａがオンのときはトランジスタ１０Ｂがオフ
になり、トランジスタ１０Ａから抵抗１１Ａを通って電
流が流れる他に、トランジスタ１０Ａからレーザーダイ
オード１２→抵抗１１Ｂの経路にも電流が流れ、レーザ
ーダイオード１２が導通して発光する。このとき、トラ
ンジスタ１０Ａ、１０Ｂはエミッタ・カップル動作にな
り、レーザーダイオード１２を高速にオンドライブする
ことができる。
ジスタ１０Ａがオンのときはトランジスタ１０Ｂがオフ
になり、トランジスタ１０Ａから抵抗１１Ａを通って電
流が流れる他に、トランジスタ１０Ａからレーザーダイ
オード１２→抵抗１１Ｂの経路にも電流が流れ、レーザ
ーダイオード１２が導通して発光する。このとき、トラ
ンジスタ１０Ａ、１０Ｂはエミッタ・カップル動作にな
り、レーザーダイオード１２を高速にオンドライブする
ことができる。
【００２２】逆に、トランジスタ１０Ａがオフのとき
は、トランジスタ１０Ｂがオンになり、トランジスタ１
０Ｂから抵抗１１Ｂを通って電流が流れ、レーザーダイ
オード１２には逆バイアス電圧を印加し、レーザーダイ
オード１２を阻止状態にして消光させる。このとき、レ
ーザーダイオード１２には逆バイアス電圧を印加できる
ことからその完全な消光を得ることができる。しかも、
逆バイアス電圧の印加は、トランジスタ１０Ａ、１０Ｂ
のエミッタ・カップル動作で高速に行われ、レーザーダ
イオード１２内の残留電荷を高速に消滅させることがで
き、レーザーダイオード１２は高速に阻止状態となる。
は、トランジスタ１０Ｂがオンになり、トランジスタ１
０Ｂから抵抗１１Ｂを通って電流が流れ、レーザーダイ
オード１２には逆バイアス電圧を印加し、レーザーダイ
オード１２を阻止状態にして消光させる。このとき、レ
ーザーダイオード１２には逆バイアス電圧を印加できる
ことからその完全な消光を得ることができる。しかも、
逆バイアス電圧の印加は、トランジスタ１０Ａ、１０Ｂ
のエミッタ・カップル動作で高速に行われ、レーザーダ
イオード１２内の残留電荷を高速に消滅させることがで
き、レーザーダイオード１２は高速に阻止状態となる。
【００２３】したがって、レーザーダイオード１２は、
そのオン・オフドライブを高速で、しかも完全な消光を
得ることができ、ＰＤＳシステムなどの高周波光通信の
レーザーダイオードドライブ回路に適用して、十分に速
い立ち上がり・立ち下がりで、かつ高い消光比の光パル
ス出力を得ることができる。
そのオン・オフドライブを高速で、しかも完全な消光を
得ることができ、ＰＤＳシステムなどの高周波光通信の
レーザーダイオードドライブ回路に適用して、十分に速
い立ち上がり・立ち下がりで、かつ高い消光比の光パル
ス出力を得ることができる。
【００２４】なお、パルス増幅回路のトランジスタ１６
Ａ、１６Ｂのコレクタ・エミッタ間に存在する浮遊容量
がトランジスタ１０Ａ、１０Ｂのドライブ信号を鈍らせ
ることが予想されるが、このトランジスタ１６Ａ、１６
Ｂには小電流容量・高速動作の素子を使用することがで
き、その浮遊容量も小さくなって高周波パルスの増幅が
でき、レーザーダイオード１２の高速ドライブに何ら支
障はない。
Ａ、１６Ｂのコレクタ・エミッタ間に存在する浮遊容量
がトランジスタ１０Ａ、１０Ｂのドライブ信号を鈍らせ
ることが予想されるが、このトランジスタ１６Ａ、１６
Ｂには小電流容量・高速動作の素子を使用することがで
き、その浮遊容量も小さくなって高周波パルスの増幅が
でき、レーザーダイオード１２の高速ドライブに何ら支
障はない。
【００２５】次に、トランジスタ１０Ａ、１０Ｂがコレ
クタ接地回路に構成されることから、レーザーダイオー
ド１２の両端には抵抗１１Ａ、１１Ｂが接続された回路
構成になる。例えば、抵抗１１Ａ、１１Ｂの抵抗値が１
００Ωの場合にはレーザーダイオード１２の両端は常に
合計２００Ωの抵抗で接続される。これにより、ドライ
ブ回路に外部から高圧サージが印加された場合にも抵抗
１１Ａ、１１Ｂで低いサージ電圧に制限することがで
き、レーザーダイオード１２を高圧サージから確実に保
護することができる。
クタ接地回路に構成されることから、レーザーダイオー
ド１２の両端には抵抗１１Ａ、１１Ｂが接続された回路
構成になる。例えば、抵抗１１Ａ、１１Ｂの抵抗値が１
００Ωの場合にはレーザーダイオード１２の両端は常に
合計２００Ωの抵抗で接続される。これにより、ドライ
ブ回路に外部から高圧サージが印加された場合にも抵抗
１１Ａ、１１Ｂで低いサージ電圧に制限することがで
き、レーザーダイオード１２を高圧サージから確実に保
護することができる。
【００２６】次に、光出力制御回路１３は、レーザーダ
イオード１２の光出力を検出するフォトダイオードやフ
ォトトランジスタ等の光検出器を有し、この光検出信号
をフィードバック信号とし、この信号と基準電圧とを比
較することにより両トランジスタ１０Ａ、１０Ｂのコレ
クタに印加する電圧を自動制御する。なお、光出力制御
回路１３をアース側に設け、両トランジスタ１０Ａ、１
０Ｂのコレクタに印加する電圧を自動制御する構成でも
よい。
イオード１２の光出力を検出するフォトダイオードやフ
ォトトランジスタ等の光検出器を有し、この光検出信号
をフィードバック信号とし、この信号と基準電圧とを比
較することにより両トランジスタ１０Ａ、１０Ｂのコレ
クタに印加する電圧を自動制御する。なお、光出力制御
回路１３をアース側に設け、両トランジスタ１０Ａ、１
０Ｂのコレクタに印加する電圧を自動制御する構成でも
よい。
【００２７】このような電圧自動制御により、レーザー
ダイオード１２の光出力が一定になる方向にトランジス
タ１０Ａ、１０Ｂの電源電圧を自動制御することがで
き、レーザーダイオード１２の素子毎の発光効率の違い
や同じ素子でも周囲温度変化等による発光出力変化をフ
ィードバック補償してその発光出力を常時一定にするこ
とができる。このことは、レーザーダイオード１２の消
光比を常時一定に維持するのに効果的になる。
ダイオード１２の光出力が一定になる方向にトランジス
タ１０Ａ、１０Ｂの電源電圧を自動制御することがで
き、レーザーダイオード１２の素子毎の発光効率の違い
や同じ素子でも周囲温度変化等による発光出力変化をフ
ィードバック補償してその発光出力を常時一定にするこ
とができる。このことは、レーザーダイオード１２の消
光比を常時一定に維持するのに効果的になる。
【００２８】なお、本実施形態においては、２電源の回
路構成を示すが、マイナス電源をアース電位にして１電
源構成とすることもできる。また、トランジスタ１０
Ａ、１０ＢをＮＰＮ型トランジスタとする場合を示す
が、これにＰＮＰ型トランジスタを使い、電源を逆にし
た構成で実現できる。この場合、ＮＰＮ型トランジスタ
に比べて一般に動作速度が遅いため、ＮＰＮ型トランジ
スタを使用するのが好ましい。
路構成を示すが、マイナス電源をアース電位にして１電
源構成とすることもできる。また、トランジスタ１０
Ａ、１０ＢをＮＰＮ型トランジスタとする場合を示す
が、これにＰＮＰ型トランジスタを使い、電源を逆にし
た構成で実現できる。この場合、ＮＰＮ型トランジスタ
に比べて一般に動作速度が遅いため、ＮＰＮ型トランジ
スタを使用するのが好ましい。
【００２９】また、本実施形態では、トランジスタ１０
Ａ、１０Ｂを互いに逆位相でドライブするパルス増幅回
路として、エミッタ接地回路のトランジスタ１６Ａ、１
６Ｂによる電圧増幅と、コレクタ接地回路のトランジス
タ１４Ａ、１４Ｂによる電流増幅を行うものを示すが、
この回路部分を１段又は３段以上のパルス増幅回路とす
るなど、適宜設計変更して同等の作用効果を得ることが
できる。
Ａ、１０Ｂを互いに逆位相でドライブするパルス増幅回
路として、エミッタ接地回路のトランジスタ１６Ａ、１
６Ｂによる電圧増幅と、コレクタ接地回路のトランジス
タ１４Ａ、１４Ｂによる電流増幅を行うものを示すが、
この回路部分を１段又は３段以上のパルス増幅回路とす
るなど、適宜設計変更して同等の作用効果を得ることが
できる。
【００３０】
【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、コレク
タ接地回路構成の一対のトランジスタのエミッタ間にレ
ーザーダイオードを接続し、入力パルスに従って両トラ
ンジスタを互いに逆位相でオン・オフさせる回路構成に
したため、レーザーダイオードを高速にドライブでき、
しかもその遮断時に逆バイアスを加えることができ、高
周波パルス信号を使った光通信にも十分に速い立ち上が
り・立ち下がりで、かつ高い消光比の光パルス出力を得
ることができる。
タ接地回路構成の一対のトランジスタのエミッタ間にレ
ーザーダイオードを接続し、入力パルスに従って両トラ
ンジスタを互いに逆位相でオン・オフさせる回路構成に
したため、レーザーダイオードを高速にドライブでき、
しかもその遮断時に逆バイアスを加えることができ、高
周波パルス信号を使った光通信にも十分に速い立ち上が
り・立ち下がりで、かつ高い消光比の光パルス出力を得
ることができる。
【００３１】また、本発明によれば、レーザーダイオー
ドのアノードとカソード間は、低い抵抗で常時接続され
るため、外部からの静電サージ等に対してレーザーダイ
オードをサージ破壊から確実に保護することができる。
ドのアノードとカソード間は、低い抵抗で常時接続され
るため、外部からの静電サージ等に対してレーザーダイ
オードをサージ破壊から確実に保護することができる。
【図１】本発明の実施形態を示すレーザーダイオードの
ドライブ回路図。
ドライブ回路図。
【図２】従来のレーザーダイオードのドライブ回路図。
【図３】従来のレーザーダイオードのドライブ回路図。
１０Ａ、１０Ｂ…トランジスタ １１Ａ、１１Ｂ…抵抗 １２…レーザーダイオード １３…光出力制御回路 １４Ａ、１４Ｂ、１６Ａ、１６Ｂ…トランジスタ １５Ａ、１５Ｂ、１７Ａ、１７Ｂ…抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 10/04 10/06 Ｆターム(参考） 5F073 BA01 EA13 EA14 GA04 GA12 GA24 GA25 GA32 5J092 AA01 AA24 AA26 AA42 AA54 AA66 CA55 CA65 CA85 FA09 FA10 FA15 HA02 HA25 HA44 KA02 KA12 KA47 KA53 MA06 MA11 MA19 MA20 MA21 SA14 TA01 UL07 5K002 AA01 BA13 CA09 DA05 EA03
Claims (2)
- 【請求項１】 入力パルス信号に従ってレーザーダイオ
ードをオン・オフドライブし、このレーザーダイオード
の光パルス出力で光通信するためのレーザーダイオード
のドライブ回路であって、 エミッタに抵抗を接続した２つのコレクタ接地回路を構
成し、両エミッタ間に前記レーザーダイオードの両端を
接続した一対のトランジスタと、 前記入力パルス信号を増幅し、前記一対のトランジスタ
のベースを互いに逆位相でオン・オフドライブする一対
のパルス増幅回路とを備えたことを特徴とするレーザー
ダイオードのドライブ回路。 - 【請求項２】 前記レーザーダイオードの光出力を検出
し、この光出力が一定になる方向に前記一対のトランジ
スタに印加する電源電圧を自動制御する光出力制御回路
を備えたことを特徴とする請求項１に記載のレーザーダ
イオードのドライブ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10356386A JP2000183448A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | レーザーダイオードのドライブ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10356386A JP2000183448A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | レーザーダイオードのドライブ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000183448A true JP2000183448A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18448760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10356386A Pending JP2000183448A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | レーザーダイオードのドライブ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000183448A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1289081A1 (en) * | 2001-09-03 | 2003-03-05 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Laser driver circuit and method of driving a laser therewith |
-
1998
- 1998-12-15 JP JP10356386A patent/JP2000183448A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1289081A1 (en) * | 2001-09-03 | 2003-03-05 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Laser driver circuit and method of driving a laser therewith |
| US6778571B2 (en) | 2001-09-03 | 2004-08-17 | Agilent Technologies, Inc. | Laser driver circuit |
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