EA029315B1 - Light-emitting diode lamp, light-emitting diode with standardized brightness, high-power light-emitting diode chip - Google Patents
Light-emitting diode lamp, light-emitting diode with standardized brightness, high-power light-emitting diode chip Download PDFInfo
- Publication number
- EA029315B1 EA029315B1 EA201300441A EA201300441A EA029315B1 EA 029315 B1 EA029315 B1 EA 029315B1 EA 201300441 A EA201300441 A EA 201300441A EA 201300441 A EA201300441 A EA 201300441A EA 029315 B1 EA029315 B1 EA 029315B1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- chip
- led
- chips
- lamp
- light
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 31
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 27
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 8
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 claims description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 6
- 241000446313 Lamella Species 0.000 claims 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 45
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 25
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 38
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 206010012601 diabetes mellitus Diseases 0.000 description 9
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 5
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 5
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 102100029106 Ethylmalonyl-CoA decarboxylase Human genes 0.000 description 3
- 101710134484 Ethylmalonyl-CoA decarboxylase Proteins 0.000 description 3
- 101000617729 Oncorhynchus mykiss Polysialoglycoprotein Proteins 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 201000010354 chronic purulent otitis media Diseases 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- XKQYCEFPFNDDSJ-UHFFFAOYSA-N 1-[3-[2-[(4-azido-2-hydroxybenzoyl)amino]ethyldisulfanyl]propanoyloxy]-2,5-dioxopyrrolidine-3-sulfonic acid Chemical compound OC1=CC(N=[N+]=[N-])=CC=C1C(=O)NCCSSCCC(=O)ON1C(=O)C(S(O)(=O)=O)CC1=O XKQYCEFPFNDDSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000010410 Nogo Proteins Human genes 0.000 description 1
- 108010077641 Nogo Proteins Proteins 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 230000005680 Thomson effect Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009172 bursting Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000002570 electrooculography Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000005676 thermoelectric effect Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
- F21V29/50—Cooling arrangements
- F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/20—Light sources comprising attachment means
- F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
- F21K9/232—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating an essentially omnidirectional light distribution, e.g. with a glass bulb
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/20—Light sources comprising attachment means
- F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
- F21K9/233—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating a spot light distribution, e.g. for substitution of reflector lamps
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V3/00—Globes; Bowls; Cover glasses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
- F21V29/50—Cooling arrangements
- F21V29/502—Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components
- F21V29/506—Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components of globes, bowls or cover glasses
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
- F21V29/50—Cooling arrangements
- F21V29/56—Cooling arrangements using liquid coolants
- F21V29/58—Cooling arrangements using liquid coolants characterised by the coolants
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2107/00—Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к сфере конструкций и технологий производства светодиодов и светодиодных ламп. Для повышения КПД мощного светодиода предлагается осуществлять вывод квантов из чипа через специальные световыводящие отверстия/каналы. Предлагается изготовление светодиода в форм-факторе электрической лампы. Для увеличения телесного угла, в котором осуществляется излучение многокристального светодиода, предлагается размещение чипов в различных плоскостях и, соответственно, размещение чипов в объеме внутреннего пространства на держателе чипа, у которого отсутствует прямой тепловой контакт с теплоотводящим устройством (радиатором) светодиода. Отвод тепла от чипов светодиода к радиатору светодиода предлагается осуществлять посредством жидкого, оптически прозрачного, диэлектрического теплоносителя. Для повышения комфортности восприятия излучения светодиодов и светодиодных ламп предлагается изготовление несущих светопрозрачных колпаков для светодиодов-ламп и светодиодных ламп, на которые устанавливаются чипы/светодиоды на теплорассеивающих подложках.The invention relates to the field of designs and technologies for the production of LEDs and LED lamps. To improve the efficiency of a high-power LED, it is proposed to output quanta from a chip through special light-removing holes / channels. Manufacture of LED in the form factor of an electric lamp is proposed. To increase the solid angle in which a multi-chip LED is emitted, the placement of chips in different planes and, accordingly, the placement of chips in the volume of the internal space on the chip holder, which does not have direct thermal contact with the heat sink (radiator) of the LED, is proposed. Heat removal from the LED chips to the LED radiator is proposed to be implemented by means of a liquid, optically transparent, dielectric coolant. In order to increase the comfort of perception of radiation from LEDs and LED lamps, it is proposed to manufacture carrier translucent caps for LED lamps and LED lamps on which chips / LEDs are mounted on the heat dissipating substrates.
029315 Β1029315 Β1
029315 Β1029315 Β1
029315029315
Область техники, к которой относится изобретениеThe technical field to which the invention relates.
Изобретение относится к конструкциям светодиодов, светодиодных ламп и ламп, используемых в качестве источника света в осветительных приборах.The invention relates to the construction of LEDs, LED lamps and lamps used as a light source in lighting devices.
Уровень техникиThe level of technology
В настоящее время известен широкий ряд конструкций светодиодов, например, и светодиодных ламп. Здесь, выше и далее, если иное не указано отдельно, термин светодиод (СД) - обозначает полупроводниковый светоизлучающий диод, любой известной из уровня техники конструкции, а также может использоваться для обозначения СДЛ. Здесь, выше и далее, если иное не указано отдельно, термин светодиодная электролампа (СДЭЛ) - обозначает техническое устройство, выполненное в форм-факторе электрической лампы, в котором непосредственную функцию источника света выполняет установленный в нем по крайней мере один СД, предназначенное для альтернативной установки в качестве источника света в осветительные приборы вместо электрической лампы.Currently known a wide range of designs of LEDs, for example, and LED lamps. Here, above and hereinafter, unless otherwise specified separately, the term LED (LED) - means a semiconductor light-emitting diode, any design known from the prior art, and can also be used to designate an SDL. Here, above and hereinafter, unless otherwise specified separately, the term LED electrolamp (SDEL) refers to a technical device made in the form factor of an electric lamp, in which at least one LED designed for an alternative installation as a light source in lighting instead of an electric lamp.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "осветительный прибор" (ОП) обозначает устройство, содержащее элементы, необходимые для крепления, подключения, защиты ЭЛ и распределения светового потока ЭЛ.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "lighting device" (OD) refers to a device containing elements necessary for fastening, connecting, protecting an EL and distributing the luminous flux of an EL.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "электрическая лампа" (ЭЛ) обозначает электрическое устройство, предназначенное для излучения света на базе физического эффекта свечения нагретого тела, например нити накала в галогеновой лампе, и/или физических эффектов свечения, связанных непосредственно или опосредованно с электрическим разрядом в газе, в парах металла или в смеси газа и пара, например эффектов свечения в видимом диапазоне люминофоров за счет переизлучения энергии излучения, например ультрафиолетового, исходящего от электрического разряда в электролюминесцентной лампе.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "electric lamp" (EL) means an electric device designed to emit light based on the physical effect of the glow of a heated body, such as a filament in a halogen lamp, and / or physical effects of light, connected directly or indirectly with an electric discharge in a gas, in metal vapor or in a mixture of gas and vapor, for example, the effects of luminescence in the visible range of phosphors due to re-radiation of radiation energy, for example, ultraviolet, based on it from electrical discharge in an electroluminescent lamp.
Из уровня техники известен ИиИей §1а1е8 Ра1еи1 Аррйеайои 20100181593, где СД представляет собой техническую систему в составе элементов, выбираемых из группы, но не ограничиваемых ею: чип, подложка чипа, теплоотводящее устройство, монтажные проводники, корпус СД, монтажные выводы, люминофор, линза, промежуточная оптическая среда, крепежные элементы, в которой при размещении в корпусе СД чипов в количестве более чем один чипы размещаются в одной плоскости.In the prior art known IIR §1a8 Pa1e1 Arryayoi and 20100181593, where SD is a technical system consisting of elements selected from the group, but not limited to it: chip, chip substrate, heat sink, mounting conductors, body SD, mounting leads, phosphor, lens , intermediate optical medium, fasteners, in which, when placed in an SD case, chips of more than one chip are placed in the same plane.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "техническая система" (ТС) обозначает взаимодействующие между собой материальные объекты, которые совершают в определенном порядке действия над внешними объектами и друг над другом для обеспечения полезных функций ТС.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "technical system" (TS) refers to interacting material objects that perform, in a certain order, actions on external objects and on top of each other to provide useful functions of the vehicle.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "полезная функция" (ПФ) обозначает способность ТС удовлетворять какую-либо установленную потребность надсистемы.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "useful function" (PF) refers to the ability of a vehicle to satisfy any established need of a super-system.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "надсистема" (НС) обозначает систему, в которую ТС входит в качестве компонента. К надсистеме относят и элементы окружающей ТС среды.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "supersystem" (HC) refers to the system in which the vehicle is included as a component. Elements of the environment environment are also referred to as a super-system.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "подложка чипа" (ПЧ) обозначает устройство, к которому крепится чип любым известным из уровня техники способом, выполненное в виде электропроводящей или диэлектрической пластины, обладающей высокой теплопроводностью для отвода тепла от чипа, крепящаяся по крайней мере к одному теплоотводящему устройству СД.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "chip substrate" (FC) refers to a device to which a chip is attached by any method known in the art made in the form of an electrically conductive or dielectric plate having high thermal conductivity to remove heat from the chip , fastened to at least one heat sink SD.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "диаграмма направленности" (ДН) обозначает графическое отображение зависимости интенсивности светового потока от направления излучения в пространстве, при проведении измерений в плоскости, лежащей на оси телесного угла, в пределах которого распространяется излучение исходящее из светоизлучающего прибора, выбираемого из группы, но не ограничиваемого ею: СД, СДЭЛ, ЭЛ, светильник.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "radiation pattern" (DN) refers to a graphic display of the dependence of the intensity of the light flux on the direction of radiation in space, when measured in the plane lying on the axis of the solid angle, within which the radiation propagates coming from the light-emitting device, selected from the group, but not limited to it: SD, SDEL, EL, lamp.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "ширина ДН" (ШДН), если отдельно не указано иное, обозначает значение угла, измеряемого в той же плоскости, в которой осуществляется измерение ДН, между направлениями излучений светового потока, по которым интенсивность светового потока составляет 0,7 от максимального значения интенсивности светового потока.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term “DN width” (SLDN), unless otherwise indicated, indicates the value of the angle measured in the same plane in which the DN measurement is performed, between the directions of radiation of the luminous flux, which the intensity of the luminous flux is 0.7 of the maximum value of the intensity of the luminous flux.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "ДН стремящаяся к сферической" (ДНСС), если отдельно не указано иное, обозначает ДН для рассматриваемого светового прибора, например, СД или ЭЛ, у которой ширина телесного угла, в котором распространяется исходящий световой поток, измеренная в любой плоскости совпадающей с осью указанного телесного угла между направлениями излучений светового потока, по которым интенсивность светового потока составляет 0,7 от максимального значения интенсивности светового потока, превышает 180°.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "DN tending to spherical" (DNSS), unless otherwise indicated, means the DN for the considered light device, for example, LED or EL, which has a width of solid angle in which the outgoing light flux, measured in any plane coinciding with the axis of the specified solid angle between the directions of radiation of the light flux, in which the light flux intensity is 0.7 of the maximum value of the light flux intensity, exceeds 180 °.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "чип" обозначает твердотельный полупроводниковый прибор, состоящий из, по крайней мере, частично, монокристаллических структур, формируемых любым известным из уровня техники способом, например методом эпитаксии: подложки кристалла, буферного слоя, активных гетероструктур, токораспределительных дорожек, выполненный в виде призмы, по крайней мере, в виде параллелепипеда с габаритными размерами: длина, ширина и высота, где высота измеряется по направлению, соответствующему направлению роста эпитаксиальных слоев чипа на подложке кристалла, далее по тексту, если не оговорено отдельно, длина и ширина чипа полагаются равными друг другу, и образующими квадрат. Квадрат, который представляет собой чип в плоскости активных гетероструктур является оптимальной формой, которая позволяет получить максимальнуюHere, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "chip" refers to a solid-state semiconductor device consisting of at least partially single-crystal structures formed by any method known from the prior art, for example, an epitaxy method: a crystal substrate, a buffer layer , active heterostructures, current distribution tracks, made in the form of a prism, at least in the form of a parallelepiped with overall dimensions: length, width and height, where the height is measured in the direction corresponding to The growth of the epitaxial layers of the chip on the crystal substrate, hereinafter referred to, unless otherwise specified, the length and width of the chip are assumed to be equal to each other, and forming a square. The square, which is a chip in the plane of active heterostructures, is the optimal shape, which allows to obtain the maximum
- 1 029315- 1 029315
площадь излучающей поверхности чипа при его минимальных габаритах, а также минимизировать отходы при разделении, например, скрайбировании, пластин со сформированными светодиодными структурам на отдельные чипы. Чип также может быть выполнен с разными по значению, но сопоставимыми между собой размерами длины и ширины.the area of the radiating surface of the chip with its minimum dimensions, as well as minimize waste during separation, for example, scribing, plates with formed LED structures onto separate chips. The chip can also be made with different in value, but comparable with each other dimensions of length and width.
Существует эмпирическая обратная зависимость между размером стороны квадрата чипа и коэффициентом полезного действия преобразования электрической энергии в световую. В рамках этой зависимости для чипа существует технологический предел его максимальных габаритов по длине и ширине, представляющий собой квадрат со стороной «2 мм, при которых чип сохраняет работоспособность и обеспечивает приемлемые характеристики в течение заданного срока службы.There is an empirical inverse relationship between the size of the side of the square of the chip and the efficiency of the conversion of electrical energy into light. Within the framework of this dependency, there is a technological limit for its chip in its maximum dimensions in length and width, which is a square with a side of “2 mm, at which the chip remains operable and provides acceptable performance during a given service life.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "подложка кристалла" (ПК) обозначает пластину монокристаллического материала, предназначенную для эпитаксиального выращивания на ней любым известным из уровня техники способом эпитаксиальных слоев, необходимых для создания активных гетероструктур, и задающей структуру кристаллической решетки этих слоев, ПК может быть изолирующей, т.е. выполненной из диэлектрического материала, например из сапфира, или полупроводящей, т.е. выполненной из полупроводникового материала, например из кремния.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "crystal substrate" (PC) refers to a plate of single-crystal material intended for epitaxial growth on it by any method known from the prior art epitaxial layers needed to create active heterostructures, and setting the crystal structure the lattices of these layers, the PC can be insulating, i.e. made of dielectric material, such as sapphire, or semiconducting, i.e. made of semiconductor material, such as silicon.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "буферный слой" (ЕС) обозначает по крайней мере один, по крайней мере, частично, монокристаллический эпитаксиальный слой, выращенный на поверхности ПК, который, при отличии показателей кристаллической решетки ПК от необходимых показателей для выращивания активных гетероструктур, в т.ч. по видам и количеству дефектов кристаллической решетки, внутри себя изменяет структуру кристаллической решетки до требуемых на своей поверхности, на которой осуществляется последующее эпитаксиальное выращивание активных гетероструктур.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "buffer layer" (EC) refers to at least one, at least partially, single-crystal epitaxial layer grown on a PC surface, which, if the PC lattice differs from necessary indicators for growing active heterostructures, incl. according to the types and number of lattice defects, inside it changes the lattice structure to the ones required on its surface, on which subsequent epitaxial growth of active heterostructures is carried out.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "активные гетероструктуры" (АГС) обозначает по крайней мере два монокристаллических эпитаксиальных слоя различных материалов с допустимыми по видам и по количеству дефектами кристаллической решетки, образующими по крайней мере один р-п-переход в области границы между эпитаксиальными гетерослоями, в котором осуществляется генерация квантов света с длиной волны, обусловленной характеристиками материалов, составляющих АГС.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "active heterostructures" (AGS) refers to at least two single-crystal epitaxial layers of various materials with lattice defects that are acceptable by type and number and form at least one p-p- the transition in the region of the boundary between epitaxial heterolayers, in which the generation of light quanta with a wavelength due to the characteristics of materials constituting AGS is performed.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "контактная площадка" (КП) обозначает электропроводное устройство, через которое проходит ток СД или по крайней мере его часть, или по крайней мере часть поверхности электропроводного устройства любой геометрической формы, предназначенное для осуществления электрического контакта любым, по крайней мере одним разъемным и/или неразъемным способом, известным из уровня техники, например приклеиванием или сваркой, например термозвуковой, между по крайней мере двумя токопроводными конструкционными элементами СД и/или монтажными проводниками.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "contact pad" (KP) means an electrically conductive device through which the LED current passes, or at least part of it, or at least part of the surface of an electrically conductive device of any geometric shape, intended making electrical contact by any at least one detachable and / or non-detachable method known in the art, for example by gluing or welding, for example, thermal sound, between at least two conductive ends structural elements of the LED and / or mounting conductors.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "токораспределителъный проводник чипа" (ТРПЧ) обозначает, по крайней мере, устройство в виде по крайней мере из одного слоя электропроводящего материала, нанесенного любым известным из уровня техники способом, обеспечивающим адгезию, достаточную для закрепления электропроводящего материала на поверхности ПК или АГС в условиях эксплуатации чипа, обладающего более высокой проводимостью, чем материал ПК или АГС, покрывающего, по крайней мере, частично, с любой топологией стороны ПК или АГС, соответственно, и имеющее в своей конструкции по крайней мере одну КП чипа, предназначенное для равномерного распределения тока СД или, по крайней мере, его части по всей площади границы по крайней мере между двумя слоями АГС.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "current distribution chip conductor" (TRRF) means at least a device in the form of at least one layer of electrically conductive material applied by any method known in the art that ensures adhesion, sufficient to fix the electrically conductive material on the surface of the PC or AGS in the conditions of operation of the chip with a higher conductivity than the material of the PC or AGS covering, at least partially, with any topology of the PC side and and ACS, respectively, and having in its structure at least one manual chip designed for a uniform distribution of the current CD, or at least part of the entire area of the boundary between at least two layers of AGS.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "КП чипа" (КПЧ) обозначает КП, расположенную на поверхности чипа, через которую осуществляется подключения чипа в электрическую цепь СД посредством электрического подключения к ней токопроводных конструкционных элементов.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "chip chip" (HRC) refers to gearbox located on the surface of the chip, through which the chip is connected to the electrical circuit of the SD by electrically connecting conductive structural elements to it.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "токопроводный конструкционный элемент" (ТКЭ) обозначает по крайней мере одно устройство в составе конструкции СД, предназначенное для прохождения по нему тока СД или по крайней мере части тока СД, выбираемое из группы элементов конструкции СД: токораспределительные проводники, подложка чипа, монтажные выводы, корпус СД, но не ограничиваемых указанной группой.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "conductive structural element" (TKE) means at least one device in the structure of the LED, designed to pass through it the current of the LED or at least part of the current of the LED, selected from the group structural elements of the SD: current distribution conductors, chip substrate, mounting leads, SD housing, but not limited to the specified group.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "монтажные проводники" (МП) обозначает элемент, с помощью которого осуществляется, по крайней мере, электрическая коммутация по крайней мере между двумя ТКЭ СД для обеспечения прохождения по МП тока СД или по крайней мере части тока СД, представляющий собой электропроводящий материал, выбираемый из группы, но не ограничиваемый ею: клей электропроводящий, припой, эвтектика известный из уровня техники, и/или гибкий проводник, выбираемый из группы, но не ограничиваемый ею: проволока металлическая, например одножильная, например, золотая, например алюминиевая, например медная, и/или пленочный проводник выбираемый из группы, но не ограничиваемый ею печатный проводник, напыленный.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "mounting conductors" (MP) denotes an element with which at least electrical switching takes place at least between two TKE SDs to ensure the passage of a DM current through the MP or at least part of the current of the LED, which is an electrically conductive material, selected from the group, but not limited to it: electrically conductive glue, solder, eutectic known from the prior art, and / or a flexible conductor, selected from, but not limited to: meta wire Lly, for example single-core, for example, gold, for example aluminum, for example copper, and / or film conductor, selected from the group, but not limited to it, printed conductor, deposited.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "монтажные выводы" (МВ) обозначает группу устройств из по крайней мере одного устройства любой конструкции, известной из уровня техни- 2 029315Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "mounting terminals" (MW) refers to a group of devices from at least one device of any design known from the technical level 2 029315
ки, предназначенного для осуществления механического крепления и/или электрического подключения СД к элементам надсистемы через по крайней мере один МВ осуществляется подвод по крайней мере части тока СД осуществляется подвод входному и выходному току СД любыми известными из уровня техники СД способами для обеспечения фиксации СД в надсистеме и протекания тока СД через чип.ki intended for mechanical fastening and / or electrical connection of the SD to the elements of the supersystem through at least one MV, at least part of the current of the SD is supplied to the input and output current of the SD by any methods known from the prior art SD to ensure the fixation of the SD in the supersystem and the flow of current SD through the chip.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "ток СД" (ТСД) обозначает электрический ток, значение которого равно суммарному электрическому току, входящему в СД через все МВ, предназначенными для подачи электрического тока для по крайней мере одного чипа, находящегося в конструкции СД или суммарному электрическому току, выходящему из СД через все МВ, предназначенными для вывода электрического тока из по крайней мере одного чипа находящегося в конструкции СД.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term “SD current” (TSD) means an electric current, the value of which is equal to the total electric current entering the SD through all MV, designed to supply electric current for at least one chip, located in the design of the LED or the total electric current coming from the LED through all MV, designed to output electrical current from at least one chip located in the design of the LED.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "ток чипа СД" (ТЧСД) обозначает электрический ток, значение которого не превышает допустимого, проходящий через чип и вызывающий излучение чипа.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term “SD chip current” (TCHSD) denotes an electrical current whose value does not exceed the permissible one passing through the chip and causing radiation of the chip.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "электрическая цепь СД" (ЭЦСД) обозначает совокупность устройств для протекания ТСД или по крайней мере его части.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "electrical circuit of the SD" (EDSD) means a set of devices for the flow of the TSD or at least part of it.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "излучение чипа" (ИЧ), если отдельно не указано иное, обозначает выходящее за пределы чипа электромагнитное излучение, генерируемое в АГС со спектром длин волн, например в оптическом диапазоне, состоящим по крайней мере из одной длины волны, определяемым свойствами материалов, из которых состоят АГС.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "chip radiation" (ICC), unless otherwise specified, denotes electromagnetic radiation outside the chip, generated in AGS with a wavelength spectrum, for example in the optical range, consisting of at least one wavelength, determined by the properties of the materials that make up the AGS.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "теплоотводящее устройство" (ТОУ), если отдельно не указано иное, обозначает по крайней мере одно устройство, выбираемое из группы, но не ограничиваемое ею: МВ, КСД, ПЧ, МП, и/или выполненное в виде отдельного специального устройства любой конструкции, известной из уровня техники, предназначенное для отвода, за счет эффекта теплопроводности по крайней мере одного материала ТОУ, по крайней мере части избыточного тепла, выделяемого чипом при генерации ИЧ, от места крепления чипа внутри корпуса СД за пределы корпуса СД в надсистему, обладающую температурой ниже, по крайней мере, в месте контакта ТОУ с надсистемой, чем у чипа при генерации ИЧ.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "heat removal device" (TOC), unless otherwise specified, means at least one device selected from the group, but not limited to it: MV, KSD, PCh, MP and / or made in the form of a separate special device of any design known from the prior art, designed for removal, due to the effect of thermal conductivity of at least one TOU material, at least part of the excess heat emitted by the chip during the generation of ICh, from the place of mounting the chip inside to diaphragm diaphragms outside the diaphragm casing into the supersystem that has a temperature lower, at least at the point of contact of the TOU with the supersystem, than the chip has when generating ICh.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "корпус СД" (КСД), если отдельно не указано иное, обозначает устройство любой конструкции, известной из уровня техники, предназначенное для размещения в нем элементов конструкции СД и их защиты от воздействия надсистемы с целью обеспечения и поддержания необходимых условий внутри КСД для обеспечения работоспособности чипа при допустимых по техническим требованиям к СД условиях, по крайней мере, по месту размещения СД в надсистеме.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "body SD" (CSD), unless otherwise indicated, means a device of any design known from the prior art, designed to accommodate the elements of the structure of the LED and their protection from exposure super-systems in order to ensure and maintain the necessary conditions inside the CFC to ensure the operability of the chip under the conditions permissible according to the technical requirements for diabetes, at least at the location of the SD in the super-system.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "отражатель" (ОТ), если отдельно не указано иное, обозначает устройство любой конструкции, известной из уровня техники, предназначенное для изменения направления излучения по крайней мере части падающего на ОТ потока ИЧ посредством отражения.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "reflector" (OT), unless otherwise specified, means a device of any design known in the art intended to change the direction of radiation of at least a part of the incident flux of FROM through reflection.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "промежуточная оптическая среда" (ПОС), если отдельно не указано иное, обозначает по крайней мере один материал, по крайней мере одного физического тела, окружающего чип и, по крайней мере, частично заполняющее пространство между поверхностью чипа и линзой СД, по крайней мере, частично прозрачный для ИЧ и дополнительного оптического излучения, который может выполнять функции, по крайней мере, частично, по крайней мере одного элемента конструкции СД, выбираемого из группы: КСД, линза, носитель люминофора.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "intermediate optical medium" (PIC), unless otherwise specified, means at least one material of at least one physical body surrounding the chip and at least partially filling the space between the surface of the chip and the lens of the LED, at least partially transparent for ICh and additional optical radiation, which can perform the functions, at least partially, of at least one structural element of the LED, selected from the group: but phosphor filler.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "линза" (ЛН), если отдельно не указано иное, обозначает оптическое устройство для рассеяния/концентрации потоков ИЧ и ДОИ в надсистеме, выполняющее также функцию защиты внутреннего пространства СД от воздействий окружающей среды.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "lens" (LN), unless otherwise indicated, means an optical device for scattering / concentration of IC and DPI streams in a supersystem, which also serves to protect the interior of the LED against environmental influences environment.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "люминофор" (ЛМ), если отдельно не указано иное, обозначает материал и его частицы, получаемые любым известным из уровня техники способом, предназначенный для преобразования лучистой энергии, по крайней мере, части падающего на него потока ИЧ в энергию дополнительного оптического излучения по крайней мере с одной длиной волны, например, за счет эффекта люминесценции.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "phosphor" (LM), unless otherwise indicated, means a material and its particles, obtained by any method known from the prior art, intended to convert radiant energy part of the incident IC flux into the energy of additional optical radiation with at least one wavelength, for example, due to the luminescence effect.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "дополнительное оптическое излучение" (ДОИ), если отдельно не указано иное, обозначает оптическое излучение, излучаемое люминофором, размещенным на/в носителе люминофора, со спектром излучения состоящим по крайней мере из одной длины волны, которое, например, при смешении с ИЧ позволит получить оптическое излучение СД.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "additional optical radiation" (DPI), unless otherwise specified, means optical radiation emitted by a phosphor placed on / in the phosphor carrier with an emission spectrum consisting of at least one wavelength, which, for example, when mixed with ICh, will allow to obtain optical radiation of DM.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "оптическое излучение СД" (ОИСД), если отдельно не указано иное, обозначает оптическое излучение СД, выходящее за пределы СД, соответствующее техническим требованиям к СД, формируемое любым известным из уровня техники способом, например цветосмешением, например, ИЧ, по крайней мере одного чипа и/или, например ДОИ, по крайней мере одного люминофора.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "optical radiation SD" (OID), unless otherwise indicated, refers to optical radiation SD, beyond the limits of the LED, corresponding to the technical requirements for the LED, formed by any known from the prior art in a manner, for example by color mixing, for example, IC, of at least one chip and / or, for example, DPI, of at least one phosphor.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "носитель люминофора" (НЛМ), если отдельно не указано иное, обозначает элемент конструкции СД, предназначенный для размещения на/вHere, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "phosphor carrier" (NLM), unless otherwise indicated, means an element of the construction of the LED designed to be placed on / in
- 3 029315- 3 029315
нем люминофора любым известным из уровня техники способом, выбираемый из группы, но не ограничиваемый ею: ОТ, чип, ЛН, ПОС.the phosphor in it by any method known from the prior art, selected from the group, but not limited to it: OT, chip, LN, PIC.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "фронтальная поверхность чипа" (ФПЧ) обозначает поверхность чипа, которая формируется на заключительной стадии эпитаксии и к которой ближе всего располагаются АГС.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term “front surface of the chip” (FPC) refers to the surface of the chip, which is formed at the final stage of epitaxy and to which AGS are closest.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин «тыльная поверхность чипа» (ТПЧ) обозначает поверхность чипа со стороны ПК.Here, above and below, unless otherwise specified, the term “back surface of the chip” (TFC) refers to the surface of the chip from the PC side.
Недостатки вышеприведенных конструкций и способовThe disadvantages of the above structures and methods
Недостатком конструкции И87510888 является недостаточно высокий КПД для мощных СД, значение которого лежит в диапазоне 40%-60%, в то время как КПД маломощных СД достаточно высокий и лежит в пределах 90-95%.The disadvantage of the I87510888 design is not sufficiently high efficiency for powerful diabetes, the value of which lies in the range of 40% -60%, while the efficiency of low-power diabetes is high enough and lies in the range of 90-95%.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "КПД", если отдельно не указано иное, обозначает КПД преобразования электроэнергии, которую потребляет чип, в энергию квантов света.Here, above and hereinafter, unless otherwise indicated, the term "efficiency", unless otherwise indicated, means the efficiency of converting the electrical energy consumed by the chip into the energy of light quanta.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "мощный СД" (МСД), если отдельно не указано иное, обозначает СД с мощностью рассеяния 1 Вт и более.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "powerful SD" (MSD), unless otherwise indicated, means an LED with a power dissipation of 1 W or more.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "маломощный СД" (ММСД), если отдельно не указано иное, обозначает СД с мощностью рассеяния менее 50 мВт.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "low-power SD" (MMSD), unless otherwise specified, means an LED with a power dissipation of less than 50 mW.
Недостатком вышеприведенных способов изготовления СД, например конструкции И87282853, является то, что световой поток, излучаемый чипом СД может быть достаточно интенсивным и вызывать дискомфорт при прямом попадании в глаз человека в зоне использования СД.The disadvantage of the above methods for the manufacture of diabetes, for example design I87282853, is that the luminous flux emitted by the diaphragm chip can be quite intense and cause discomfort when directly hit the human eye in the area of use of diabetes.
Недостатком вышеприведенных способов изготовления СДЭЛ, например, конструкции И86793374, является то, что излучение отдельных СД, может быть достаточно интенсивным и вызывать дискомфорт при прямом попадании в глаз человека в зоне использования СДЭЛ.The disadvantage of the above methods of manufacturing SDEL, for example, design I86793374, is that the radiation of individual LEDs can be quite intense and cause discomfort when directly hit the human eye in the area of use of SDEL.
Изобретение ставит своей целью:The invention aims to:
Повышение КПД для МСД до значений соответствующих КПД ММСД, формирование излучения ДН единичного СД в виде ДНСС, формирование комфортной, для восприятия глазом человека, яркости прямого светового потока, исходящего от светоизлучающей поверхности СД и/или СДЭЛ в зоне их использования.Efficiency increase for MSD up to the values of the corresponding MMCD efficiency, formation of a single-unit DM radiation in the form of DNSS, formation of the brightness of a direct luminous flux coming from the light-emitting surface of the LED and / or SDEL in the area of their use for human perception.
Указанная цель достигается следующим образомThis goal is achieved as follows
Повышение КПД для МСД достигается за счет исполнения чипа, предназначенного для размещения в МСД, в виде по крайней мере одного чипа-полосы. Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "чип-полоса" (ЧП) обозначает чип, один из размеров которого, например, длина в два, и больше, раза превышает другой показатель, например ширину, а ширина ЧП равна или меньше, чем аналогичный показатель, например ширина, чипа для ММСД, имеющего значение КПД более высокий, чем значение КПД чипа используемого в МСД. ЧП может быть выполнен в виде прямолинейного отрезка, криволинейного отрезка, комбинации прямолинейных и/или криволинейных отрезков, в виде замкнутого контура. Примеры выполнения ЧП отражены на фиг. 1.Efficiency increase for MSD is achieved due to the execution of the chip intended for placement in the MSD in the form of at least one chip strip. Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "chip-strip" (PR) refers to a chip, one of whose dimensions, for example, is two times longer, exceeds another indicator, for example, width, and the width of PR or less than a similar indicator, for example, the width of the chip for MMCD, which has an efficiency value higher than the efficiency value of the chip used in the MSD. PE can be performed in the form of a straight line segment, a curved segment, a combination of straight and / or curved segments, in the form of a closed contour. The examples of the implementation of an emergency are reflected in FIG. one.
Повышение КПД для МСД достигается за счет замены чипов МСД по крайней мере одной группой чипов с высоким КПД, например, выполненных в виде устройства, например, содержащего чипы, выполненные в линейных размерах, соответствующих размерам чипов, используемых в конструкции ММСД и имеющих соответствующий высокий КПД, например в виде пространственно-скрепленной группы чипов, и/или распределенной группы отдельных чипов размещенных и скоммутированных между собой, например, МП.Efficiency increase for MSD is achieved by replacing MSD chips with at least one group of high-efficiency chips, for example, made in the form of a device, for example, containing chips made in linear dimensions, corresponding to the size of chips used in MMCD design and having corresponding high efficiency , for example in the form of a spatially bonded group of chips, and / or a distributed group of individual chips placed and interconnected, for example, MP.
Обеспечение оптимального температурного режима работы чипов, размещенных в КСД, обеспечивается, по крайней мере, путем уменьшения количества выделяемого тепла при генерации ИЧ, за счет использования группы чипов с высоким КПД обеспечивающей световой поток, по крайней мере, эквивалентный световому потоку от чипа для МСД.Ensuring optimal temperature conditions of the chips placed in the CFC is ensured, at least by reducing the amount of heat generated during IC generation, by using a group of high-efficiency chips providing a luminous flux at least equivalent to the light flux from the chip for the MSD.
Обеспечение оптимального температурного режима работы чипов, размещаемых в КСД, обеспечивается посредством увеличения площади чипа, от которой осуществляется отвод тепла, за счет переноса тепла, конвективного и/или посредством принудительного приведения в движение, жидкой, например, диэлектрической, или газообразной ПОС от чипа по крайней мере к одному элементу СД, осуществляющему вывод тепла за пределы СД и рассеяние его в надсистеме.Ensuring optimal temperature conditions for chips placed in QCBs is ensured by increasing the chip area from which heat is removed, by transferring heat, convective and / or by means of forced driving, liquid, for example, dielectric, or gaseous PIC from the chip. at least one element of the SD, carrying out the removal of heat outside the SD and its dissipation in the super-system.
Обеспечение ДНСС СД осуществляется посредством размещения по крайней мере двух чипов внутри пространства КСД, по крайней мере, в двух различных плоскостях, при которых ДН отдельных чипов в совокупности составляют ДНСС, а также посредством исключения ЛН из конструкции, СД и выполнения КСД прозрачным, по крайней мере, для ОИСД, по крайней мере, в той части поверхности КСД, которая необходима для прохождения потока ОИСД с ДНСС формируемого совокупностью чипов установленных в СД.The provision of a DNS DDNS is carried out by placing at least two chips inside the space of a QCD, at least in two different planes, in which the DNs of individual chips collectively constitute the DNS, and also by excluding the LN from the design, the DL and making the KSD transparent, at least At least, for OISD, at least in that part of the surface of KSD, which is necessary for the passage of the flow of OISD with the DNSS formed by a set of chips installed in the SD.
Повышение КПД для МСД достигается за счет выполнения в поверхности чипа, например, со стороны ФПЧ, по крайней мере, одного, световыводящего глухого отверстия и/или световыводящего канала, через который кванты света выводятся из чипа непосредственно из слоев АГС и БС.Efficiency improvement for MSD is achieved by running at least one light-removing blind hole and / or light-output channel on the side of the FPC, through which light quanta are output from the chip directly from AGS and BS layers.
Для снижения дискомфорта восприятия яркого прямого излучения СД в зоне использования СД,To reduce the discomfort of the perception of bright direct radiation of diabetes in the area of use of diabetes,
- 4 029315- 4 029315
яркость СД снижается за счет направления, большей части или, по крайней мере, половины, светового потока исходящего от чипа на, по крайней мере, один, рассеивающий отражатель, площадь которого, например, многократно, превышает площадь поверхности по крайней мере одного чипа, который производит отражение, например, с рассеянием, например, частичным, светового потока от чипа и направляет отраженный световой поток за пределы СД, при этом яркость излучающей поверхности СД обеспечивает комфортное восприятие излучения СД глазом человека в зоне использования СД.the brightness of the LED is reduced due to the direction, most or at least half, of the light flux emanating from the chip to at least one diffusing reflector, the area of which, for example, repeatedly, exceeds the surface area of at least one chip, which produces a reflection, for example, with scattering, for example, partial, of the light flux from the chip and directs the reflected light flux beyond the limits of the LED, while the brightness of the radiating surface of the LED provides a comfortable perception of the radiation of the LED by the human eye in the area and using diabetes.
Для снижения дискомфорта восприятия яркого прямого излучения, по крайней мере, одного, СД, установленного в СДЭЛ, по крайней мере, в зоне использования СДЭЛ, часть светового потока, например, большая часть или, по крайней мере, его половина, этого СД направляется по крайней мере на один, отражатель СДЭЛ, площадь которого, например, многократно, превышает площадь излучающей поверхности СД, в итоге СДЭЛ излучает, например, преимущественно, отраженный световой поток, например, равномерный, исходящий по крайней мере от одного отражателя СДЭЛ и обеспечивает комфортное восприятие излучение СДЭЛ глазом человека в зоне использования СДЭЛ.To reduce the discomfort of perceiving bright direct radiation of at least one SD, installed in the SDEL, at least in the zone of use of the SDEL, part of the luminous flux, for example, most or at least half of it, is sent along at least one, the SDEL reflector, the area of which, for example, repeatedly, exceeds the area of the radiating surface of the LED, as a result, the SDEL emits, for example, mainly the reflected luminous flux, for example, uniform, outgoing effectiveness to a comfortable perception of radiation SDEL human eye in the use zone SDEL.
Описание устройства в статикеDescription of the device in statics
СДЛ представляет собой техническую систему в составе элементов выбираемых из группы: чип, держатель чипов, панель, светопрозрачный корпус, ТОУ, МП, ЛМ, МВ, ПОС, движитель ПОС, преобразовательно-регулирующее устройство, отражатель-рассеиватель.SDL is a technical system consisting of elements selected from the group: chip, chip holder, panel, translucent case, TOU, MP, LM, MV, POS, PIC propulsion, converter-regulating device, reflector-diffuser.
Чип, состоящий из ПК, БС, АГС, КПЧ и ТРПЧ, в котором АГС, ПК, БС представляют собой плоские оптические волноводные слои. Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "оптический волноводный слой" (ОВС) обозначает слой оптически прозрачного материала чипа, по крайней мере, частично, по крайней мере, в диапазоне длины волны излучаемых АГС, граничащего с материалами, поверхностью чипа и/или слоями в составе чипа, имеющими оптическую плотность меньшую и/или большую, чем у рассматриваемого материала. Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "гетороструктурный оптический волноводный слой" (ГОВС) обозначает ОВС представляющий собой АГС или БС. Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "оптический волноводный слой ПК" (ОВСПК) обозначает ОВС который образует тело ПК.Chip consisting of PC, BS, AGS, KPCH and TRPCH, in which AGS, PC, BS are flat optical waveguide layers. Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "optical waveguide layer" (OBC) refers to a layer of optically transparent chip material at least partially, at least in the range of the wavelength of the emitted AGS adjacent to the materials, surface chip and / or layers in the composition of the chip, having an optical density of less and / or greater than that of the material. Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "heterostructural optical waveguide layer" (GVS) means OBC representing AGS or BS. Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "optical waveguide layer PC" (OVSPK) refers to the OVS that forms the body of the PC.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "световыводящее отверстие" (СВО) сквозное и/или, например, глухое, отверстие в поверхности чипа, сечение, которое может иметь любую геометрическую форму, например, криволинейную форму, например, в виде круга и/или прямолинейную форму, например, в виде прямоугольника и/или объединения, например, этих геометрических фигур, выполняемое, любым известным из уровня техники способом, на глубину, по крайней мере, достигающую и/или пересекающую зону расположения АГС и БС, стенки СВО могут быть, например, параллельны.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "light-removing hole" (CBO) is through and / or, for example, a blind hole in the surface of the chip, a section that can have any geometric shape, for example, a curvilinear shape, for example, in the form of a circle and / or a rectilinear form, for example, in the form of a rectangle and / or a union, for example, of these geometric figures, performed by any method known from the prior art to a depth at least reaching and / or crossing the zone of the AGS location and BS wall SVO can be, n example, are parallel.
Чип с выполненными на нем по крайней мере одним СВО, далее по тексту ЧСВО, представляет собой чип, в фронтальной и/или тыльной поверхности которого располагается по крайней мере одно СВО, например, вдоль направления движения носителей электрического тока в чипе по крайней мере в одной локальной области чипа, например, в окрестности, по крайней мере, одной КПЧ и/или ТРПЧ. Через сквозное СВО может протекать жидкость и/или газ, например, для охлаждения ЧСВО.A chip with at least one CBO made on it, hereinafter referred to as CMS, is a chip in whose front and / or back surface is located at least one ISC, for example, along the direction of movement of carriers of electric current in the chip in at least one local area of the chip, for example, in a neighborhood of at least one HRC and / or TRC. A liquid and / or gas can flow through the ITS, for example, to cool the CHSVO.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "световыводящий канал" (СВК) обозначает по крайней мере одно углубление в поверхности чипа в виде канала (борозды) пересекающей поверхность чипа, сечение которого может иметь любую геометрическую форму, например криволинейную форму, выполняемое, любым известным из уровня техники способом, на глубину, по крайней мере, достигающую и/или пересекающую зону расположения БС. СВК в плоскости поверхности чипа может быть выполнен в виде геометрической фигуры любой формы, например линии, например, прямой и/или кривой. Два и более СВК, нанесенные на поверхности чипа могут между собой пересекаться, по крайней мере, один и/или более раз. СВК доходит до края поверхности чипа таким образом, что углубление, выполненное в поверхности чипа выходит на образует на боковую поверхность чипа, образуя профиль углубления, например, соответствующий сечению СВК. Глубина СВК выполняется такой, что СВК рассекает ГОВС, как минимум, до уровня залегания зоны генерации квантов, например, гетероперехода, между АГС, и как максимум - полностью рассекает слои ГОВС и частично ОВСПК. Иллюстрация движения квантов в ОВС и ГОВС приведена на фиг. 2, там же приведена иллюстрация оптимальных условий для выхода квантов из СВО и СВК.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "light channel" (SVK) means at least one dimple in the chip surface in the form of a channel (groove) intersecting the chip surface, the cross section of which can have any geometric shape, for example a curvilinear shape performed by any method known from the prior art to a depth at least reaching and / or crossing the BS location zone. SVK in the plane of the surface of the chip can be made in the form of a geometric shape of any shape, for example a line, for example, a straight line and / or a curve. Two or more SVK deposited on the surface of the chip can intersect with each other at least one and / or more times. SVK reaches the edge of the surface of the chip in such a way that the recess made in the surface of the chip goes to form on the side surface of the chip, forming a profile of the recess, for example, corresponding to the cross section of the SVK. The SVK depth is such that the SVK cuts GWS, at least to the level of occurrence of the quanta generation zone, for example, a heterojunction, between AGS, and as a maximum - completely cuts the layers of GVS and partially OVSPK. An illustration of the movement of quanta in the OVS and GOVS is shown in FIG. 2, there is also an illustration of the optimal conditions for the release of quanta from SWO and ICS.
По крайней мере один, СВК, например, при диэлектрической ПК может образовывать на поверхности чипа две и более обособленных области чипа. Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "обособленная область чипа" (ООЧ) обозначает электрически изолированную область в виде АКС и БС располагающихся на диэлектрической ПК, у которых отсутствует гальваническая связь с АКС и БС областями чипа, соседствующими с ООЧ. На поверхности ООЧ располагаются ТРПЧ и КПЧ обеспечивающие подвод и отвод электрического тока к/от АГС ООЧ. ООЧ предстваляет собой самостоятельную светодиодную структуру. Две и более ООЧ могут быть соединены по крайней мере в одну электрическую цепь, например, посредством МП, например, последовательно, и включены в электрическую цепь СДЛ. Пример возможной организации ООЧ с помощью СВК и последовательной коммутации ООЧ приведен на фиг. 3.At least one ICS, for example, with a dielectric PC, can form two or more distinct chip areas on the chip surface. Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term “isolated chip area” (OOCH) means an electrically isolated area in the form of ACU and BS located on a dielectric PC that do not have a galvanic connection with the ACU and BS regions of the chip . TRPCH and KPCH are located on the OOCH surface providing supply and removal of electric current to / from AGS OOCH. OOCH is an independent LED structure. Two or more EOGs can be connected to at least one electrical circuit, for example, by means of MPs, for example, in series, and incorporated into an electrical circuit of an SDL. An example of a possible organization of VLF with the help of VCS and sequential switching of VLF is shown in FIG. 3
- 5 029315- 5 029315
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "чип со световыводящим каналом" (ЧСВК) обозначает чип, на фронтальной и/или тыльной поверхности которого выполнен по крайней мере один СВК.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term “chip with a light-output channel” (CSQW) refers to a chip on whose front and / or back surface at least one SSC is made.
Чип в СДЛ может быть выполнен, например, в виде ЧП, ЧСВО, ЧСВК.The chip in the SDL can be executed, for example, in the form of a state of emergency, an emergency emergency service, or a CSVK.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "держатель чипов" (ДЧ) обозначает ПЧ, выполненную в виде теплорассеивающей подложки чипа и/или пространственно-объемной несущей поверхности группы чипов, к которой может быть прикреплен любым известным из уровня техники способом по крайней мере один, чип, например ЧП, и/или группа чипов, выполненных в виде, например, пространственно-скрепленной группы чипов, где ИЧ чипов в составе группы чипов может различаться по спектру излучения по крайней мере к одной несущей поверхности ДЧ, на которой могут располагаться, например, отражатель-рассеиватель, электрические контакты и проводники, любой известной из уровня техники конструкции, осуществляющие электрическую коммутацию между электропроводящими элементами СДЛ, размещенными, по крайней мере, частично, на ДЧ, выбираемыми из группы, но не ограничиваемые группой: чип, например, отдельно размещаемый чип, например, ЧП и/или чип в составе пространственно-скрепленной группы чипов, электропроводящий элемент в составе пространственноскрепленной группы чипов, теплорассеивающая подложка чипа, МП.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "chip holder" (QD) means an inverter made in the form of a heat dissipating substrate of a chip and / or a spatial-volume bearing surface of a group of chips to which it can be attached by any known art. at least one method, a chip, for example, an emergency, and / or a group of chips made in the form of, for example, a spatially bonded group of chips, where the ICh chips in the group of chips can differ in the emission spectrum of at least one carrier surface of the PM, on ko The optic can be located, for example, a reflector-diffuser, electrical contacts and conductors, of any structure known from the prior art, carrying out electrical switching between the electrically conductive elements of the SDL placed at least partially on the PM selected from the group but not limited to the group: a chip, for example, a separately placed chip, for example, an emergency and / or chip as part of a spatially bonded group of chips, an electrically conductive element as part of a spatially attached group of chips, heat dissipating Odlozhka chip, MP.
ДЧ может быть выполнен в виде подложки-зажим чипа. Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "подложка-зажим чипа" (ПЗЧ) обозначает устройство, к которому чип крепится механически посредством крепления внатяг и/или в замок, и/или посредством прижима, например, специальной ответной частью ПЗЧ и/или любым другим устройством в составе СД. ПЗЧ может иметь в своей конструкции по крайней мере один, прижимной контакт, который имеет электрический контакт по крайней мере с одной КПЧ и/или одну КП для по крайней мере одного МП, например проволока, который, например, приварен к КП и/или КПЧ и обеспечивает электрическое соединение этой КП по крайней мере с одной КПЧ по крайней мере одного, чипа. По крайней мере одна КП на ПЗЧ может быть включена в электрическую цепь СД для прохождения через эту КП на ПЗЧ по крайней мере части ТСД. ПЗЧ, по крайней мере, её часть, может быть выполнена, например, из светопрозрачного материала, например, содержащего частицы ЛМ. Форма ПЗЧ может быть выполнена таким образом, чтобы, например, рассеивать по крайней мере часть, проходящего через ПЗЧ потока ОИЧ.QH can be made in the form of a substrate-clamp chip. Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term “chip substrate” (PCF) refers to the device to which the chip is mechanically attached by means of fastening the tension and / or lock, and / or by pressing, for example, a special counterpart PZCH and / or any other device in the composition of the SD. The HRD may have at least one clamping contact in its structure, which has electrical contact with at least one HRC and / or one RF for at least one MP, for example, a wire that, for example, is welded to a DC and / or RF and provides an electrical connection for this switch with at least one HRC at least one chip. At least one control unit on an SPD may be included in the electrical circuit of the SD for passing through this control on the SPD at least part of the TSD. PZCH, at least part of it, can be made, for example, from a translucent material, for example, containing particles of LM. The PZCH form can be designed in such a way that, for example, it is possible to dissipate at least part of the OTP flow PZCH stream.
По крайней мере две и более ПЗЧ с установленными на них чипами могут соединяться между собой механически и/или электрически любым известным из уровня техники способом, например, образуя гибкую электропроводящую цепь, предназначенную для прохождения ТСД.At least two or more PZCH with chips installed on them can be interconnected mechanically and / or electrically by any method known from the prior art, for example, forming a flexible electrically conductive circuit intended for passing the TSD.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "пространственно-скрепленная группа чипов" (ПСГЧ) обозначает устройство, состоящее из по крайней мере двух последовательно соединенных чипов, между которыми может располагаться по крайней мере один диэлектрический материал, эластичный и/или неэластичный, выбираемый из группы, но не ограничиваемый ею: электроизолирующий адгезив, изоляционный материал и/или электропроводящий материал, выбираемые из группы, но не ограничиваемые ею: электропроводящий адгезив, электропроводящая резина, припой, эвтектика и/или по крайней мере одно устройство, известное из уровня техники и выбираемое из группы, но не ограничиваемое указанной группой: МП, электромеханическое коммутирующие устройство, устройство механического крепления, электронное устройство, например, изменяющее проводимость, например, под воздействием внешнего управляющего сигнала, которые обеспечивают последовательное механическое соединение группы чипов в пространственную фигуру, например, по крайней мере в одну прямую, например, в виде отрезка и/или кривую линию, например, в виде фрагмента винтовой линии и/или объединения линий, например, в виде пространственной решетки, например, в форме линейной и/или нелинейной поверхности, ДН ИЧ, по крайней мере двух чипов, находящиеся например, в одной линии, могут быть ориентированы по крайней мере в два различных направления пространства, по крайней мере два чипа, например, находящихся в одной пространственной линии и располагающихся в ней друг за другом, могут образовывать между собой по крайней мере одну электрическую цепь, например параллельную и/или последовательную, через которую может проходить по крайней мере часть ТСД, например ТЧСД, которая входит/выходит по крайней мере через одну КП чипа и/или, например, через часть поверхности по крайней мере одного электропроводящего элемента, являющегося элементом конструкции ПСГЧ, находящегося в электрическом контакте и/или по крайней мере в одной электрической цепи по крайней мере с одним чипом, через который протекает, по крайней мере, ТЧСД, ПСГЧ по крайней мере в одной точке, к несущей поверхности ДЧ.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "spatially bonded group of chips" (PSGP) refers to a device consisting of at least two series-connected chips, between which at least one dielectric material, elastic, and / or inelastic, selected from the group, but not limited to it: electrically insulating adhesive, insulating material and / or electrically conductive material, selected from the group, but not limited to it: electrically conductive adhesive, electrically conductive cutting a, solder, eutectic and / or at least one device known from the prior art and selected from the group, but not limited to this group: MP, electromechanical switching device, mechanical fastening device, electronic device, for example, changing conductivity, for example, under exposure to an external control signal that provides a consistent mechanical connection of a group of chips to a spatial figure, for example, in at least one straight line, for example, in the form of a segment and / or a curved line , for example, in the form of a fragment of a helix and / or combination of lines, for example, in the form of a spatial lattice, for example, in the form of a linear and / or nonlinear surface, DN IC, at least two chips, for example, in one line, can be oriented at least in two different directions of space, at least two chips, for example, located in the same spatial line and located in it one after another, can form at least one electrical circuit between them, for example, parallel and / or after an individual through which at least a part of the TSD can pass, for example, an TSSD that enters / exits through at least one chip QP and / or, for example, through a part of the surface of at least one electrically conductive element that is an element of the PSGP design that is in electrical contact and / or at least in one electric circuit with at least one chip, through which at least the TSCD, PSGP flows at least at one point, to the carrier surface of the PM.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "пространственно-объемная несущая поверхность группы чипов" (ПОНПГЧ) обозначает устройство, выполненное любым известным из уровня техники способом из по крайней мере одного, например, диэлектрического материала, в виде геометрического тела любой формы, например, в форме призмы, и/или цилиндра и/или трубки, поверхность, которого, например, сплошная и/или, например, в виде сетки, по крайней мере с одной стороны, например внешней, задает положение ДН ИЧ в пространстве для по крайней мере одного чипа и/или одной ПСГЧ, прикрепленного к ПОНПГЧ любым известным из уровня техники способом, необходимое для формирования по крайней мере части ДНСС ОИСД СДЛ. По крайней мере, часть конструкции ПОНПГЧHere, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "spatial-volumetric carrier surface of a group of chips" (PONPCH) means a device made by any method known from the prior art from at least one, for example, a dielectric material, in the form of a geometric body any shape, for example, in the form of a prism, and / or a cylinder and / or a tube, the surface, which, for example, is solid and / or, for example, in the form of a grid, at least on one side, for example, external, sets the position of the DF ICH in space for at least about Nogo chip and / or audio PSGCH attached to PONPGCH any known art method required for forming at least a portion DNSS OISD SOM. At least part of the construction of NGFP
- 6 029315- 6 029315
может быть выполнена гибкой, например, в виде ленты, и при размещении в СК может сгибаться и/или сворачиваться, например, в спираль. К ПОНПГЧ может быть прикреплен, любым известным из уровня техники способом по крайней мере один, МП, предназначенный для коммутации по крайней мере одного чипа, прикрепленного к ПОНПГЧ, и/или по крайней мере одной электрической цепи присутствующей в составе ГТСГЧ, с общей электрической цепью СДЛ. В точках крепления по крайней мере одного чипа и/или одной ПСГЧ, к ГТОНПГЧ, между ПОНТТГЧ и чипом и/или ГТСГЧ может размещаться теплорассеивающая подложка чипа, ПОНТТГЧ может быть выполнен в виде по крайней мере одной контактной площадки, выполненной любым известным из уровня техники способом, на поверхности любого, например диэлектрического и/или электропроводящего элемента конструкции СДЛ, располагающегося во внутреннем пространстве СДЛ. Пример исполнения ПОНПГЧ на базе гибкой ленты с печатными проводниками приведен на фиг. 4.can be made flexible, for example, in the form of a tape, and when placed in the SC can be bent and / or rolled up, for example, into a spiral. It can be connected to a SNGP, using at least one method known in the art, for switching at least one chip attached to a SNGP and / or at least one electrical circuit present in the GTSGCH with a common electrical circuit. Sdl At the points of attachment of at least one chip and / or one HSGP to the GTONPGCH, between the PONTGCH and the chip and / or GTSGP, a heat diffusing substrate of the chip can be placed; method, on the surface of any, for example, dielectric and / or electrically conductive structural element of the SDL, located in the inner space of the SDL. An exemplary design of a PONPU based on flexible tape with printed conductors is shown in FIG. four.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "электрическая цепь СДЛ" (ЭЦСДЛ) обозначает совокупность электрических устройств, через которые протекает ТСД или по крайней мере его часть, от МВ, по которым ТСД или, по крайней мере, его часть входит в СДЛ, до МВ, через которые ТСД или по крайней мере его часть выходит из СДЛ, или для прохождения токов движителя ПОС.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "electrical circuit SDL" (ECSDL) means the set of electrical devices through which the TSD, or at least part of it, from the MV, through which the TSD or at least a part is included in the SDL, before the MV, through which the TSD, or at least part of it, comes out of the SDL, or for the passage of currents of the propulsion drive.
По крайней мере два чипа, с различными спектрами ИЧ могут образовывать по крайней мере две отдельные, например, гальванически связанные между собой электрические цепи, каждая из которых имеет, например, разные МВ для подключения к надсистеме по входному и выходному токам.At least two chips with different spectra of ICh can form at least two separate, for example, electrically connected electrical circuits, each of which has, for example, different MV for connection to the super-system on the input and output currents.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "теплорассеивающая подложка чипа" (ТРПЛЧ) обозначает устройство, предназначенное для крепления на его поверхности чипа и отвода от чипа, по крайней мере, части избыточного тепла, генерируемого чипом, для ускорения его передачи в ПОС, любым известным из уровня техники способом, например, за счет эффекта конвекции, например, жидкости, и/или посредством теплопроводности, выполненное в виде геометрического тела любой формы, например, в виде пластины, например, в форме полосы, имеющее плоскую поверхность достаточную для размещения на ней, по крайней мере, одного чипа, любым известным из уровня техники способом, обеспечивающим передачу, по крайней мере, тепла от чипа к ТРПЛЧ с минимальными потерями и, по мере необходимости, ТЧСД выходящего из чипа, выполненное из материала с теплопроводностью превышающей теплопроводность чипа, и, по мере необходимости, из электропроводящего материала, на поверхности ТРПЛЧ могут располагаться КП для электрического подключения ТРПЛЧ и чипа, размещенного на ТРПЛЧ, в ЭЦСДЛ.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term “heat diffusing substrate of a chip” (TRCTL) means a device designed to mount a chip on its surface and remove at least part of the excess heat generated by the chip from the chip’s surface to accelerate transmission in PIC, by any method known in the art, for example, due to the effect of convection, for example, a liquid, and / or by heat conduction, made in the form of a geometric body of any shape, for example, in the form of a plate, for example, in the form of a strip, having a plane surface sufficient to accommodate at least one chip in it, by any method known from the prior art, which transfers at least heat from the chip to the TFLC with minimal losses and, as necessary, the TFCS coming out of the chip, made of material with a thermal conductivity exceeding the thermal conductivity of the chip, and, as necessary, of an electrically conductive material, KP can be located on the surface of the HDLCT for the electrical connection of the HDLC and the chip located on the HDLC in the ECSDL.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "панель" (ПЛ) обозначает устройство представляющее собой конструкцию, элементы которой выполнены любым известным из уровня техники способом, предназначенную для крепления к ней, любыми известными из уровня техники способами, например, на ей поверхности и/или внутри неё, по крайней мере, частично, элементов, выбираемых из группы: ДЧ, ТОУ, МП, МВ, ПОС, движитель ПОС, преобразовательно-регулирующее устройство, отражатель-рассеиватель.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "panel" (PL) denotes a device constituting a structure, the elements of which are made by any method known from the prior art, intended for fastening thereto by any means known from the prior art, on its surface and / or inside it, at least partially, of elements selected from the group: QH, TOU, MP, MV, PIC, PIC propulsion, converter-regulating device, reflector-diffuser.
В СДЛ между по крайней мере одним чипом, вырабатывающим избыточное тепло при излучении ИЧ, и надсистемой, поглощающей избыточное тепло, может быть установлено по крайней мере одно ТОУ, выполненное любым известным из уровня техники способом, выбираемое из группы, но не ограничиваемое ею: ТОУ использующее фазовый переход и/или гравитационную конвекцию и/или принудительное перемещение теплоносителя, ТОУ использующее термоэлектрический эффект, например, эффект Пельтье и/или эффект Томсона, ТОУ использующее эффект теплопроводности для переноса, по крайней мере части тепла, выделяемого при работе по крайней мере одним, чипом, от чипа к надсистеме. Например, для отвода тепла от чипов, например, не имеющих, непосредственного теплового контакта с поверхностью ТОУ, например, отводящего избыточное тепло за счет эффекта теплопроводности материала, например, с ТОУ, для отвода избыточного тепла от чипа и/или по крайней мере одного элемента конструкции СДЛ, выбираемыми из группы: ПН, ТРПЛЧ, элементы ПСГЧ, МП, ЛМ, ДЧ, имеющим тепловой контакт с чипом и температурный градиент к, по крайней мере, теплообменной поверхности ТОУ, помещается жидкая и/или газообразная ПОС, для переноса избыточного тепла от чипа к ТО, по крайней мере, посредством гравитационной конвекции и/или принудительного перемещения ПОС, для приведения в движение которой, по крайней мере, от по крайней мере части поверхности чипа и контактирующими с ним элементов к по крайней мере части теплообменной поверхности ТОУ, по крайней мере, к панели может крепиться любым известным из уровня техники способом движитель ПОС.In the SDL, at least one TOU can be installed between any at least one chip that generates excess heat when emitting ICh and a super-system that absorbs excess heat, which is performed by any method known from the prior art and is not limited to using phase transition and / or gravitational convection and / or forced movement of the coolant, TOU using a thermoelectric effect, for example, the Peltier effect and / or the Thomson effect, TOU using the effect of heat conduction for wasp, at least part of the heat released by at least one, chip, from chip to supersystem. For example, to remove heat from chips, for example, not having direct thermal contact with the surface of a TOU, for example, removing excess heat due to the effect of thermal conductivity of a material, for example, TOU, to remove excess heat from the chip and / or at least one element designs of SDLs selected from the group: PN, TRPLC, elements of PSGCH, MP, LM, DF, having thermal contact with the chip and temperature gradient to at least the heat-exchange surface of the TOS, the liquid and / or gaseous POS is placed to transfer excess heat from chip to TO, at least by means of gravitational convection and / or forced movement of the PIC, for bringing it at least from at least a part of the chip surface and elements in contact with it to at least a part of the heat exchange surface of the TOS, at least, to the panel can be attached by any known from the prior art method of propulsion PIC.
В СДЛ функцию ТОУ могут выполнять элементы СДЛ контактирующие с надсистемой, по крайней мере, СК и МВ.In the SDL, the function of the TOU can be performed by the elements of the SDL contacting with the super-system, at least, the CS and MV.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "светопрозрачный корпус" (СК) обозначает устройство, предназначенное для защиты элементов СДЛ, выбираемых из группы: ДЧ, ПЛ, ТОУ, МП, ЛМ, МВ, ТОУ, преобразовательно-регулирующего устройства и/или, по крайней мере, их частей от воздействий окружающей среды и для обеспечения выхода потока ОИСД в виде ДНСС, выхода, представляющее собой геометрическое тело, по крайней мере, частично полое, в полости которого, по крайней мере, частично располагаются указанные элементы СДЛ, по крайней мере, частично выполненное любым известным из уровня техники способом, любой формы, например, в виде по крайней мере частиHere, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "translucent case" (CK) means a device designed to protect SDL elements selected from the group: DC, PL, TOU, MP, LM, MV, TOU, converter-regulating devices and / or, at least, their parts from environmental influences and to ensure the release of the flow of OISD in the form of a DNSS, an output, which is a geometric body, at least partially hollow, in the cavity of which the specified are at least partially located SOM elements for at least an hour adic formed by any method known in the art, any form, for example in the form of at least a portion
- 7 029315- 7 029315
сферы и/или цилиндра, и/или спирали, например в форм-факторе ЭЛ, выполненное из материала оптически прозрачного, по крайней мере, частично для ДОИ и ИЧ, которое может, например, частично корректировать, по совокупному спектру и направлению потоки ДОИ и ИЧ, а также, например, выполнять функцию ПОС и ТОУ, на поверхность СК, например, на внутреннюю, может быть нанесен ЛМ, также ЛМ может присутствовать в составе материала, из которого изготовлен СК. СК быть выполнен в виде ПОНПГЧ, на внутренней поверхности СК может располагаться по крайней мере одна контактная площадка для крепления и/или электрического подключения к контактной площадке по крайней мере одного чипа, например, и/или ПСГЧ, и/или одного МП. Также на внутренней поверхности СК может располагаться по крайней мере одно устройство, выполненное любым известным из уровня техники способом, например, в виде части СК и/или в виде отдельного устройства, крепящегося к СК, любым известным из уровня техники способом, предназначенное для крепления к нему, по крайней мере одного ДЧ и/или МП.sphere and / or cylinder and / or spiral, for example in the EL form factor, made of optically transparent material, at least partially for DPI and ICH, which can, for example, partially correct, for the aggregate spectrum and direction of DPI DPI flows and ICH, as well as, for example, perform the function of the PIC and TOC, on the surface of the SC, for example, on the inside, LM can be applied, also LM can be present in the composition of the material from which the SC is made. SK can be made in the form of a PNGP, at least one contact pad can be located on the inner surface of the IC for fastening and / or electrical connection to the contact pad of at least one chip, for example, and / or PSHP and / or one MP. Also on the inner surface of the IC can be located at least one device made by any method known from the prior art, for example, as part of the IC and / or as a separate device attached to the IC, by any method known from the prior art, intended for fastening to him, at least one QH and / or MP.
МВ по крайней мере в части, предназначенной для подключения к надсистеме, например, может быть выполненным в виде ответной части для патронов ЭЛ, известных из уровня техники.MV at least in the part intended for connection to the supersystem, for example, can be made in the form of a counterpart for EL cartridges known from the prior art.
ЛМ, предназначенный для излучения ДОИ по крайней мере с одной длиной волны, может быть размещен в пространстве между по крайней мере одним чипом и внешней поверхностью СК, например, на поверхности, например на внешней поверхности СК и/или внутренней поверхности СК и/или поверхности чипа и/или в объеме, например, ПОС и/или материала СК, и/или на поверхности отражателярассеивателя, и/или в объеме материала отражателя-рассеивателя, любым известным из уровня техники способом, таким образом, чтобы, например, равномерно, по крайней мере, в пределах телесного угла ОИЧ по крайней мере одного чипа, по крайней мере, частично, преграждать путь для потока ОИЧ.LM, designed to emit DPI with at least one wavelength, can be placed in the space between at least one chip and the outer surface of the SC, for example, on the surface, for example, on the outer surface of the SC and / or the inner surface of the SC and / or surface chip and / or in volume, for example, PIC and / or material SC, and / or on the surface of the reflector diffuser, and / or in the volume of material of the reflector-diffuser, by any method known from the prior art, so that, for example, evenly at least within OIC's solid angle, at least one chip, at least partially, bar the way for OIC flow.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "движитель ПОС" (ДПОС) обозначает устройство любой известной из уровня техники конструкции, например, с электрическим приводом, предназначенное для увеличения интенсивности переноса тепла, выделяемого чипом при протекании через него ТЧСД, посредством жидкой или газообразной ПОС внутри СК, например СК, выполненного в виде трубки.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term “PIC propulsion device” (ROS) refers to a device of any construction known from the prior art, for example, with an electric drive, designed to increase the intensity of heat transfer emitted by a chip during an AChD, by means of liquid or gaseous POS inside the IC, for example the IC, made in the form of a tube.
СДЛ может содержать в своей конструкции ТОУ, выполненный любым известным из уровня техники способом, для отвода тепла от по крайней мере двух чипов, размещенных на ТОУ по крайней мере в двух различных плоскостях.The SDL may contain in its design a TOU, made by any method known in the art, to remove heat from at least two chips placed on the TOU in at least two different planes.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "преобразовательно-регулирующее устройство" (ПРУ) обозначает устройство, выполненное любым известным из уровня техники способом, предназначенное для согласования напряжения и/или токов в электрической цепи надсистемы, куда осуществляется подключение ЭЦСДЛ, и напряжений и/токов по крайней мере одной ветви ЭЦСДЛ в которой протекает по крайней мере один ТЧСД, и/или управления значением по крайней мере одного ТЧСД по крайней мере в одной ветви ЭЦСДЛ, например дифференцированного управления ТЧСД по крайней мере в двух различных ветвях ЭЦСДЛ, под воздействием по крайней мере одного управляющего сигнала поступающего от по крайней мере одного управляющего устройства в конструкции ПРУ, который формируется и/или в соответствии с алгоритмом, заданным в управляющем устройстве, например, аппаратным способом, например, в зависимости от, по крайней мере, сигналов по крайней мере одного датчика, выполненного любым известным из уровня техники способом, который может входить в конструкцию ПРУ, и/или под воздействием на органы ручного управления, входящих в состав управляющего устройства, и/или под воздействием принимаемого управляющим устройством по крайней мере одного внешнего управляющего сигнала, передаваемого от надсистемы, любым способом известным из уровня техники способом, например посредством электромагнитного излучения, например, в инфракрасном диапазоне и/или, например, посредством электрического сигнала, передаваемого по электрической сети, в которую подключен СЛД.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term “converter control device” (PRD) means a device made by any method known from the prior art intended to match the voltage and / or currents in the electrical system of the super-system where the EDSDL is connected , and voltages and / currents of at least one branch of ECSDL in which at least one TCHSD flows, and / or control the value of at least one TCHSD in at least one branch of ECSDL, for example, differentiated control TCDS in at least two different branches of ECSDL under the influence of at least one control signal coming from at least one control device in the PRU design that is generated and / or in accordance with the algorithm specified in the control device, for example, in hardware for example, depending on at least the signals of at least one sensor made by any method known from the prior art, which may be included in the design of the PRD, and / or under the influence of hand organs controls included in the control device and / or under the influence of at least one external control signal received by the control device transmitted from the super-system by any method known in the art, for example, by means of electromagnetic radiation, for example, in the infrared range and / or For example, by means of an electrical signal transmitted via the electrical network to which the BDD is connected.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "отражатель-рассеиватель" (ОРС) обозначает устройство, выполненное любым известным из уровня техники способом в виде, например, прозрачного, по крайней мере, частично, в диапазоне ОИЧ и/или ДОИ тела любой геометрической формы, и/или имеющего светоотражающую/светопреломляющую поверхность или в виде светоотражающих частиц, например в виде включений в состав материала по крайней мере одного, светопрозрачного элемента СДЛ, например ПОС и/или СК, предназначенное для рассеяния потока ОИЧ и/или ДОИ, падающего на ОРС в окружающем пространстве, например равномерного, любым известным из уровня техники способом, например изменением направления движения по крайней мере части ОИЧ и/или ДОИ проходящего через ОРС и/или, например, посредством отражения по крайней мере части потока на ОИЧ и/или ДОИ, падающего на ОРС.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "reflector-diffuser" (OPC) refers to a device made by any method known from the prior art in the form of, for example, transparent, at least partially, in the range of OIC and / or DPI of a body of any geometric shape, and / or having a reflective / reflective surface or in the form of reflective particles, for example, in the form of inclusions in the composition of the material of at least one translucent element of the SDL, such as POS and / or SC, intended for dispersion of OIC flux / or DPI falling on the LFS in the surrounding space, for example, uniform, by any method known in the art, for example, changing the direction of motion of at least part of the OIC and / or DPI passing through the LFS and / or, for example, by reflecting at least part of the stream on OIC and / or DPI falling on the LFS.
В конструкции может присутствовать предохранительный клапан, выполненный любым известным из уровня техники способом, для защиты от взрыва при вскипании ПОС.The design may contain a safety valve, made by any method known from the prior art, for protection against explosion when the PIC boils up.
Светопрозрачный корпус СЛД может быть выполнен в виде несущего светопрозрачного колпака СД. Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "несущий светопрозрачный колпак СД" (НСПКСД) обозначает устройство, выполненное в виде, например, равномерного, например, одного, слоя светопрозрачного материала, имеющего любую геометрическую форму, например, в виде листаTranslucent housing SLD can be made in the form of a carrier translucent cap SD. Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "carrying a translucent cap SD" (NCPXD) means a device made in the form of, for example, a uniform, for example, one, layer of translucent material having any geometric shape, for example, sheet
- 8 029315- 8 029315
и/или трубки, и/или колбы, выполненные любым известным из уровня техники способом, к поверхности которого со стороны внутреннего пространства СД прикреплены, любым известным из уровня техники способом по крайней мере одна ПЧ, например ПЗЧ, с установленным на неё чипом, и МП, которые обеспечивают электрическую коммуникацию между по крайней мере одним чипом, установленным на ПЧ, и МВ. Поверхность НСПКСД может быть выполнена, например, текстурированной. На поверхность НСПКСД, например на внутреннюю, может быть нанесен слой люминофора и/или материала с неравномерной спектральной характеристикой в полосе пропускания, по крайней мере, в видимом диапазоне света. В составе материала НСПКСД может присутствовать ЛМ и/или любые известные их уровня техники добавки, обеспечивающие неравномерность спектральной характеристики в полосе пропускания материала НСПКСД, по крайней мере, в видимом диапазоне света. Пример исполнения НСПКСД для СДЛ в форм-факторе спот-электролампы приведен на фиг. 5.and / or tubes and / or flasks made by any method known from the prior art, at least one frequency converter, for example PCD, with a chip mounted on it, are attached to the surface from the side of the internal space of the LED, and MPs that provide electrical communication between at least one chip installed on the drive and the MV. The surface NSPKSD can be performed, for example, textured. A layer of phosphor and / or material with an uneven spectral characteristic in the passband, at least in the visible range of light, may be applied to the surface of the NSCDX, for example, on the inner surface. The composition of the material NSPKSD may be present LM and / or any additives known for their prior art, ensuring the non-uniformity of the spectral characteristics in the passband of the material NSPKSD, at least in the visible range of light. An example of the execution of NCPDX for SDL in the form factor of the spot-lamps is shown in FIG. five.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "несущий светопрозрачный колпак СДЭЛ" (НСПКСДЭЛ) обозначает устройство, выполненное в виде, например, равномерного, например, одного слоя светопрозрачного материала, имеющего любую геометрическую форму, например в виде листа и/или трубки, и/или колбы, выполненные любым известным из уровня техники способом, к поверхности которого со стороны внутреннего пространства СДЭЛ прикреплены любым известным из уровня техники способом по крайней мере один СД и проводники для подведения питающего электрического тока к по крайней мере одному СД. Поверхность НСПКСДЭЛ может быть выполнена, например, текстурированной. На поверхность НСПКСДЭЛ, например на внутреннюю, может быть нанесен слой люминофора и/или материала с неравномерной спектральной характеристикой в полосе пропускания, по крайней мере, в видимом диапазоне света. В составе материала НСПКСДЭЛ может присутствовать ЛМ и/или любые, известные их уровня техники, добавки, обеспечивающие неравномерность спектральной характеристикой материала НСПКСДЭЛ в полосе пропускания, по крайней мере, в видимом диапазоне света. Пример исполнения НСПКСДЭЛ для СДЭЛ в форм-факторе спот-электролампы приведен на фиг. 6.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "carrying a translucent cap SDEL" (NSPKSDEL) means a device made in the form of, for example, a uniform, for example, one layer of translucent material having any geometric shape, for example in the form of a sheet and / or tubes and / or flasks made by any method known from the prior art, at least one LEDs and conductors for summing up the power supply are attached to the surface from the side of the SDEL space by any method known from the prior art of electric current to the at least one LED. The surface of NSPKSDEL can be made, for example, textured. On the surface of NSPKSDEL, for example on the internal, a layer of phosphor and / or material with an uneven spectral characteristic in the passband, at least in the visible range of light, can be applied. In the composition of the material NSPKSDEL there may be LM and / or any additives known to them in the prior art that provide non-uniformity with the spectral characteristic of the material NSPKSDEL in the passband, at least in the visible range of light. An example of an NSPKSDEL design for an SDEL in the spot-light bulb form factor is shown in FIG. 6
ОРС может быть выполнен в виде светоотражающего рефлектора СД. Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "светоотражающий рефлектор СД" (СОРСД) обозначает устройство, выполненное любым известным из уровня техники способом, рабочим органом которого является отражающая поверхность, геометрия которой может быть выполнена любой, которая обеспечит отражение по крайней мере части светового потоков по крайней мере одного чипа для формирования требуемой ДН СД Поверхность СОРСД может быть выполнена, например, текстурированной. На рабочую поверхность СОРСД может быть нанесен слой люминофора и/или материала с неравномерной спектральной характеристикой отражения, по крайней мере, в видимом диапазоне света. СОРСД может быть установлен в СД, любым известным из уровня техники способом, в любом месте, на которое беспрепятственно падает световой поток от по крайней мере одного чипа.OCR can be made in the form of a reflecting reflector SD. Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "retro-reflecting reflector SD" (SADDS) refers to a device made by any method known from the prior art, the working body of which is a reflecting surface, the geometry of which can be any that will provide at least part of the luminous flux of at least one chip to form the required DN LED. The surface of the SASD can be made, for example, textured. A layer of phosphor and / or material with an uneven spectral reflection characteristic, at least in the visible range of light, may be deposited on the working surface of the SORSD. SORSD can be installed in the SD, by any method known from the prior art, in any place to which the luminous flux from at least one chip can freely fall.
Здесь, выше и далее, если отдельно не указано иное, термин "светоотражающий рефлектор СДЭЛ" (СОРСДЭЛ) обозначает устройство, выполненное любым известным из уровня техники способом, рабочим органом которого является отражающая поверхность, геометрия которой может быть выполнена любой, которая обеспечит отражение по крайней мере части светового потока по крайней мере одного чипа для формирования требуемой ДН СДЭЛ. Поверхность СОРСДЭЛ может быть выполнена, например, текстурированной. На рабочую поверхность СОРСДЭЛ может быть нанесен слой люминофора и/или материала с неравномерной спектральной характеристикой отражения, по крайней мере, в видимом диапазоне света. СОРСДЭЛ может быть установлен в СДЭЛ любым известным из уровня техники способом, в любом месте, на которое беспрепятственно падает световой поток от по крайней мере одного СД.Here, above and hereinafter, unless otherwise specified, the term "SDEL Reflecting Reflector" (SORSDEL) refers to a device made by any method known from the prior art, the working body of which is a reflecting surface, the geometry of which can be made at least part of the luminous flux of at least one chip to form the required DN of the SDAL. The surface SORSDEL can be made, for example, textured. A layer of phosphor and / or material with an uneven spectral reflection characteristic can be applied to the working surface of SORSDEL, at least in the visible range of light. SORSDEL can be installed in the SDEL by any method known from the prior art, in any place to which the luminous flux from at least one LED can freely fall.
Устройство работает следующим образомThe device works as follows
На МВ СДЛ, например, включенную в электрическую цепь надсистемы, подается напряжение электрической цепи надсистемы, например 220 В, например переменное.On the MV SDL, for example, included in the electrical circuit of the supersystem, the voltage of the electrical circuit of the supersystem is supplied, for example, 220 V, for example, alternating.
Через МВ и МП напряжение электрической цепи надсистемы поступает на вход ПРУ, на выходе которого формируется, например, постоянное электрическое напряжение и электрический ток по крайней мере в одной ветке ЭЦСДЛ, значения которых соответствуют, например, номинальному для, например, ТЧСД по крайней мере одного чипа по крайней мере в одной ветке ЭЦСДЛ, протекание которого через чип вызывает генерацию в чипе ИЧ и выделение избыточного тепла.Through MV and MP, the voltage of the supersystem electrical circuit is fed to the PRU input, the output of which forms, for example, a constant electrical voltage and electric current in at least one ECSDL line whose values correspond, for example, to the nominal voltage of, for example, TCHSD at least one chip in at least one branch of ECSDL, the flow of which through the chip causes the generation of IC in the chip and the release of excess heat.
При подаче электрического напряжения на МВ по внутренней электрической цепи СД напряжение от МВ подается по крайней мере на один чип, например ЧСВО, например, установленный на ПЗЧ, в результате, по крайней мере через один ЧСВО начинает протекать электрический ток, являющийся по крайней мере частью ТСД.When an electrical voltage is applied to the MV, the internal voltage of the SD is supplied from the MV to at least one chip, for example, an FCSV, for example, installed on the PCB, as a result, at least one PCB current begins to flow, which is at least part of TSD.
При прохождении электрического тока через, чип выполненный в виде ЧСВО, в АГС ЧСВО возникают кванты света, часть квантов, находясь внутри ЧСВО, излучается по направлению в сторону фронтальной и/или тыльной поверхности ЧСВО и, например, переотражаясь внутри ЧСВО от его граней ЧСВО, попадают на прозрачную, фронтальную или тыльную, и/или боковые поверхности ЧСВО под углами, позволяющими квантам выйти из кристалла ЧСВО, и выходят через эти грани этих поверхностейWith the passage of electric current through the chip, made in the form of CHSVO, quanta of light occurs in the AGS CHSVO, some of the quanta being inside the CHSVO are radiated towards the frontal and / or back surface of the CSVO and, for example, re-reflecting inside the FSVR from its facets fall on the transparent, frontal or rear, and / or side surfaces of the ChSVO at angles that allow quanta to exit the crystal of the ChSVO, and exit through these faces of these surfaces
- 9 029315- 9 029315
из ЧСВО. Часть квантов, находящихся внутри ЧСВО, направляющихся в сторону боковых граней ЧСВО, например, переотражаясь внутри ЧСВО от его граней ЧСВО, попадают на поверхность СВО под углами, позволяющими выйти из ЧСВО, проходят через поверхность СВО и, переотражаясь от поверхности СВО вне тела ЧСВО, выходят за границы ЧСВО.from CHSVO. Part of the quanta inside the CHSVO, heading towards the side faces of the CHSVO, for example, re-reflecting the inside of the CHSVO from its sides of the CHSVO, fall on the surface of ITS at angles that allow you to exit the CSVO, pass through the surface of the SVO, and, repelling from the surface of the SVO, go beyond the boundaries of the CSOM.
За пределами чипа, например, ЧСВО, часть направленного потока, попадает, например, на поверхность светопрозрачной ПЗЧ, проходит через неё, по крайней мере, например, частично преобразуясь в ДОИ. Поток ОИЧ и, например ДОИ, при выходе из ПЗЧ, по крайней мере, частично, рассеивается.Outside the chip, for example, the CSOM, a part of the directional flow, for example, falls on the surface of the translucent PPM, passes through it, at least, for example, partially transformed into DPI. The flow of EYC and, for example, DPI, when leaving the PZCH, at least partially, dissipates.
При прохождении электрического тока через ЧСВК в АГС возникают кванты света, часть квантов, находясь внутри ЧСВК, излучается по направлению в сторону фронтальной и/или тыльной поверхности ЧСВК и, например, переотражаясь внутри ЧСВК от его граней ЧСВК, попадают на прозрачную, фронтальную или тыльную, и/или боковые поверхности ЧСВК под углами, позволяющими квантам выйти из кристалла ЧСВК, выходят через эти грани этих поверхностей из ЧСВК и/или поглощаются материалом чипа. Часть квантов, находящихся внутри ЧСВК, направляется в сторону боковых граней ЧСВК вдоль ОВС: АГС, БС, ПК. Часть квантов, распространяющихся вдоль ОВС, поглощаются материалом ОВС, а часть квантов выходят за границы ЧСВК через боковые грани ЧСВК и/или в местах пересечения ОВС с СВК.With the passage of electric current through CSVK in the AGS, quanta of light appear, part of the quanta, being inside CSVK, is radiated towards the front and / or back surface of CSQW and, for example, re-reflecting inside CSVK from its facets CSVK, fall on transparent, frontal or back , and / or the side surfaces of CSVK at angles that allow the quanta to exit from the FSKV crystal, exit through these faces of these surfaces from the FSMC and / or are absorbed by the chip material. Part of the quanta inside the CSVK is directed towards the side faces of the CSQW along the EIA: AGS, BS, PC. Some of the quanta that propagate along the OVS are absorbed by the OVS material, and some of the quanta extend beyond the CSMC boundaries through the side faces of the CSMC and / or at the intersection of the CMO with the SVK.
Часть ИЧ генерируемая по крайней мере одним чипом, излучаемая в сторону поверхности СК, по крайней мере, частично, падает на поверхность СК и/или на ЛМ, находящийся, например, на поверхности чипа и/или СК, и/или ОРС, или на частицы ЛМ, распределенные в ПОС, через которую ИЧ проходит к поверхности СК.Part of the IC generated by at least one chip, emitted towards the surface of the SC, at least partially, falls on the surface of the SC and / or on the LM, located, for example, on the surface of the chip and / or the IC and / or OPC, or LM particles, distributed in the PIC, through which the ICh passes to the surface of the SC.
Часть ИЧ, генерируемая по крайней мере одним чипом, излучаемая в направлении элементов конструкции СДЛ, не являющихся частью СК или частицами ЛМ, падает на эти элементы конструкции СДЛ и, отражаясь, по крайней мере, однократно, от них, проходя через ПОС падает на поверхность СК и/или частиц ЛМ и/или затухает.A portion of the IC, generated by at least one chip, emitted in the direction of the SDL structural elements that are not part of the SC or LM particles, falls on these SDL structural elements and, reflected at least once, from them, passing through the PIC falls to the surface SC and / or LM particles and / or decay.
ОИЧ, по крайней мере его часть, падающее на ЛМ, поглощается в ЛМ, где поглощенная в ЛМ энергия ИЧ, по крайней мере, в частично, переизлучается ЛМ в виде ДОИ, которое, по крайней мере, частично, излучается в направлении поверхности СК и, по крайней мере, частично, в сторону других элементов конструкции СДЛ, не являющихся частью СК или частицами ЛМ.OIC, at least its part falling on the LM, is absorbed in the LM, where the IC energy absorbed in the LM, at least partially, is reemitted by the LM in the form of DPI, which is at least partially radiated in the direction of the SC surface and at least partially, in the direction of other elements of the construction of the SDL, which are not part of the SC or the particles of LM.
Часть ДОИ, излучаемая ЛМ в направлении элементов конструкции СДЛ, не являющихся частью СК, падает на эти элементы конструкции СДЛ и, отражаясь, по крайней мере, однократно от них, проходя через ПОС, падает на поверхность СК и/или затухает.Part of the DPI, emitted by the LM in the direction of the SDL structural elements that are not part of the SC, falls on these elements of the SDL structure and, being reflected at least once from them, passing through the PIC, falls on the surface of the SC and / or decays.
ОИЧ и ДОИ, падающие на ОРС, по крайней мере, частично, проходя через ОРС и/или отражаясь от него, по крайней мере, частично рассеиваются и направляются, по крайней мере, частично, к внутренней поверхности СК и, по крайней мере, частично, в сторону других элементов конструкции СДЛ.OIC and DPI falling on the LFS, at least partially, passing through the LFS and / or reflecting from it, at least partially scattering and directed, at least partially, to the inner surface of the SC and, at least partially , in the direction of other elements of the construction of the SDL.
ОИЧ и ДОИ, падающие на СК, по крайней мере, частично, проходят через СК и, смешиваясь, выходят за пределы СДЛ, образуя ОИСД, и частично, отражаются от СК и, переотражаясь, по крайней мере, однократно, от элементов конструкции СДЛ, частично выходят за пределы СДЛ, смешиваясь образуя ОИСД, и/или затухают. ДН ОСИД СДЛ, например, в виде ДНСС формируется совокупностью ДН чипов, размещенных в СДЛ.OIC and DPI, falling on the SC, at least partially, pass through the SC and, mixing, go beyond the SOM, forming OISD, and partially, are reflected from the SC and, reflecting, at least once, from the SDL design elements, partially go beyond the boundaries of the NLL, mixing to form OISD, and / or fade out. The DN of the acid of the SDL, for example, in the form of a DNS is formed by a set of DN chips located in the SDL.
При прохождении электрического тока через по крайней мере один чип, крепящийся на, например, ПЗЧ, установленной на НСПКСД, ОИЧ от по крайней мере одного чипа, по крайней мере, частично, падает на по крайней мере один СОРСД, отражается от СОРСД, по крайней мере, с частичным, рассеиванием ОИЧ. Отраженный, например, неравномерно по спектру излучения, частично рассеянный ОИЧ падает на внутреннюю поверхность НСТТКСД, по крайней мере, свободную от ПЧ и МП, и проходит, проходит через НСПКСД и, например, частично рассеиваясь, выходит за пределы СД. В случае, когда на поверхности СОРСД и/или НСПКСД присутствует слой люминофора часть ОИЧ преобразуется в ДОИ и смешивается с ОИЧ. В случае, когда на поверхности СОРСД и/или НСПКСД, и/или внутри материала НСПКСД присутствует по крайней мере один материал и/или его фрагменты, обладающие неравномерной пропускной и/или отражательной спектральной характеристикой, то при взаимодействии ОИЧ и ДОИ с данным материалом спектр ОИЧ и ДОИ подвергается соответствующим изменениям.With the passage of electric current through at least one chip mounted on, for example, the HRP installed on the NSCD, the OIC from at least one chip, at least partially, falls on at least one SORSD, is reflected from the SORSD, at least measure, with partial, scattering of the OIC. Reflected, for example, non-uniformly over the emission spectrum, a partially scattered OIC falls on the inner surface of NSTTKSD, at least free of IF and MP, and passes, passes through NSPKSD and, for example, partially scattered, goes beyond the DM. In the case when the phosphor layer is present on the surface of the SARC and / or NSCDX, a portion of the phosphor is converted into DPI and is mixed with the OIC. In the case when at least one material and / or its fragments with non-uniform transmission and / or reflective spectral characteristic is present on the surface of the PDCSD and / or NSCDX, and / or inside the NCPXD material, then when the OIC and DPI interact with this material, OIC and DPI are subject to appropriate changes.
Избыточное тепло, выделяемое по крайней мере одним чипом, при генерации ИЧ, за счет эффекта теплопроводности, нагревает элементы конструкции СДЛ, с которыми чип имеет, по крайней мере, непосредственный тепловой контакт, например, ТРПЛЧ и/или МП и/или ПОС. Элементы конструкции СДЛ, которые обладают избыточным теплом, нагревают ПОС, нагретая ПОС передает избыточное тепло ТОУ, нагревая его, по крайней мере, в области контакта, по крайней мере, части поверхности ТОУ и ПОС, посредством любого известного из уровня техники физического эффекта, например, когда ПОС, по крайней мере, частично, является веществом в твердой фазе, посредством эффекта теплопроводности, и/или, например, когда ПОС, по крайней мере, частично, является веществом в жидкой или газообразной фазе, посредством эффекта конвекции. ПОС, находящаяся в жидкой и/или газообразной фазе, посредством ДПОС, работающего любым известным из уровня техники способом, например, и приводимый в движение, например, посредством электрического привода, например запитываемого путем пропускания через него, по крайней мере, части ТСД, может принудительно перемещаться, например, по замкнутомуExcessive heat generated by at least one chip, when generating ICh, due to the effect of thermal conductivity, heats the elements of the SDL design with which the chip has at least direct thermal contact, for example, TRFCL and / or MP and / or POS. Elements of the SDL that have excessive heat, heat the PIC, heated PIC transmits the excess heat of the TOU, heating it, at least in the contact area, at least part of the surface of the TOU and PIC, through any physical effect known from the prior art. when the PIC is, at least partially, a substance in the solid phase, through the effect of thermal conductivity, and / or, for example, when the PIC is at least partially, is a substance in the liquid or gaseous phase, through the effect of convection. PIC in liquid and / or gaseous phase, by means of a DOT, operating in any manner known from the prior art, for example, driven by, for example, an electric drive, for example, powered by passing at least a portion of a TSD through it, forcibly move for example closed
- 10 029315- 10 029315
контуру, по крайней мере, внутри СК, и переносить избыточное тепло, получаемое от, по крайней мере, части поверхности, по крайней мере, одного чипа и контактирующих с ним элементов СДЛ, к ТОУ, передавая избыточное тепло к ТОУ, по крайней мере, через поверхность ТОУ соприкасающуюся с ПОС, избыточное тепло, поступившее в ТОУ, по крайней мере, от ПОС, рассеивается за пределами СДЛ в надсистеме любым известным из уровня техники способом, например, основанном на физическом эффекте теплопроводности и/или эффекте конвекции, например, газа, например, воздуха.contour, at least inside the SC, and transfer the excess heat received from at least a part of the surface of at least one chip and the SDL elements in contact with it to the TOC, transferring the excess heat to the TOC, at least through the surface of the TOU in contact with the POS, the excess heat supplied to the TOU, at least from the PIC, is dispersed outside the SDL in the super-system by any method known in the art, for example, based on the physical effect of thermal conductivity and / or convection, such as gas for example in zhuha.
Управляющий сигнал от датчика ПРУ, например, о снижении интенсивности, по крайней мере, ОИЧ по мере деградации чипа, и/или органов ручного управления и/или внешний управляющий сигнал от надсистемы, обрабатывается ПРУ в соответствии с заложенным в него алгоритмом и изменяет ТЧСД, например увеличивает и/или уменьшает по крайней мере в одной ветке ЭЦСДЛ, что изменяет ОИЧ по крайней мере одного чипа, которое уменьшает или увеличивает интенсивность ОИСД СДЛ и/или изменяет цветовой баланс ОИСД СДЛ, обусловленный, например, наличием в ЭЦСДЛ по крайней мере двух чипов, ОИЧ которых различно по спектру, установленных по крайней мере в двух, разных ветвях ЭЦСДЛ.The control signal from the PRU sensor, for example, a decrease in intensity, at least OIC as the chip degrades, and / or manual controls, and / or an external control signal from the supersystem, is processed by the PRU in accordance with the algorithm embedded in it and for example, it increases and / or decreases at least in one branch of ECSDL, which changes the OIC of at least one chip, which reduces or increases the intensity of OISD SOD and / or changes the color balance of OISD SUL, due, for example, to the presence of It least two chips Oich which varies over the spectrum established in at least two different branches ETSSDL.
При вскипании ПОС, например под действием внешних факторов, например, при пожаре, предохранительный клапан срабатывает и выпускает ПОС из корпуса светодиода, предотвращая взрыв корпуса светодиода.When the PIC boils up, for example, under the influence of external factors, for example, in case of fire, the safety valve triggers and releases the PIC from the LED body, preventing the LED body from bursting.
При прохождении электрического тока через по крайней мере один СД, установленный на НСПКСДЭЛ, ОИСД от по крайней мере одного СД, по крайней мере, частично, падает на по крайней мере один, СОРСДЭЛ, отражается от СОРСДЭЛ, по крайней мере, с частичным, рассеиванием светового потока ОИСД. По крайней мере часть ОИСД, отраженная неравномерно по спектру излучения по крайней мере одного СД, падает на внутреннюю поверхность НСПКСДЭЛ, по крайней мере, свободную от СД, и проходит, проходит через НСПКСДЭЛ и, например, частично рассеиваясь, выходит за пределы СДЭЛ. В случае, когда на поверхности СОРСДЭЛ и/или НСПКСДЭЛ присутствует слой люминофора, часть светового потока, по крайней мере одного СД, преобразуется, например, в ДОИ и смешивается с ОИСД. В случае, когда на поверхности СОРСДЭЛ и/или НСПКСДЭЛ, и/или внутри материала НСПКСДЭЛ присутствует по крайней мере один материал и/или его фрагменты, обладающие неравномерной пропускной и/или отражательной спектральной характеристикой, то при взаимодействии ОИСД и ДОИ с данным материалом спектр ОИСД и ДОИ подвергается соответствующим изменениям.With the passage of electric current through at least one DM, installed on NSPKSDEL, OISD from at least one DM, at least partially, falls on at least one, SORSDEL, is reflected from SORSDEL, at least with partial dispersion luminous flux OISD. At least part of the OISD, reflected non-uniformly in the emission spectrum of at least one DM, falls on the inner surface of NSPCSDEL, at least free of diabetes, and passes, passes through NSPCSDEL and, for example, partially dissipating, goes beyond the SDEL. In the case when a phosphor layer is present on the surface of SORSDEL and / or NSPKSDEL, a part of the luminous flux of at least one LED is converted, for example, to DPI and is mixed with OISD. In the case when at least one material and / or its fragments with non-uniform transmission and / or reflective spectral characteristic is present on the surface of SORSDEL and / or NSPKSDEL, and / or inside the material of NSPKSDEL, then at the interaction of OIDA and DPI with this material the spectrum OISD and DPI are subject to appropriate changes.
Claims (4)
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010145033/07A RU2010145033A (en) | 2010-11-08 | 2010-11-08 | LED LAMP |
| RU2011106380/07A RU2011106380A (en) | 2011-02-22 | 2011-02-22 | LED AND LAMP WITH NORMALIZED BRIGHTNESS |
| RU2011121318/28A RU2011121318A (en) | 2011-05-27 | 2011-05-27 | LED Chip |
| PCT/RU2011/000859 WO2012064227A1 (en) | 2010-11-08 | 2011-11-07 | Light-emitting diode lamp, light-emitting diode with standardized brightness, high-power light-emitting diode chip |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EA201300441A1 EA201300441A1 (en) | 2014-03-31 |
| EA029315B1 true EA029315B1 (en) | 2018-03-30 |
Family
ID=46051179
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA201800095A EA033577B1 (en) | 2010-11-08 | 2011-11-07 | Strip light-emitting diode |
| EA201300441A EA029315B1 (en) | 2010-11-08 | 2011-11-07 | Light-emitting diode lamp, light-emitting diode with standardized brightness, high-power light-emitting diode chip |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA201800095A EA033577B1 (en) | 2010-11-08 | 2011-11-07 | Strip light-emitting diode |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EA (2) | EA033577B1 (en) |
| WO (1) | WO2012064227A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU198748U1 (en) * | 2019-11-01 | 2020-07-28 | Общество с ограниченной ответственностю "Экселент Тулс" | LED lamp |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2220478C2 (en) * | 2001-11-23 | 2003-12-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" | Light source |
| RU2231171C1 (en) * | 2003-04-30 | 2004-06-20 | Закрытое акционерное общество "Инновационная фирма "ТЕТИС" | Light-emitting diode |
| RU2251761C2 (en) * | 2000-12-28 | 2005-05-10 | Тридоник Оптоэлектроник Гмбх | Light source with light-emitting component |
| RU2265969C1 (en) * | 2004-03-10 | 2005-12-10 | Ногинов Александр Леонидович | Decorative multicolor lamp with control device |
| RU66118U1 (en) * | 2007-02-27 | 2007-08-27 | Валентин Николаевич Щербаков | LED DEVICE |
| RU87598U1 (en) * | 2009-06-11 | 2009-10-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Ледел" | LED CEILING LIGHT |
| US20100177522A1 (en) * | 2009-01-15 | 2010-07-15 | Yeh-Chiang Technology Corp. | Led lamp |
| RU2402837C1 (en) * | 2009-10-21 | 2010-10-27 | Закрытое акционерное общество "ЭПИ-ЦЕНТР" | Semiconductor light-emitting device with porous buffer layer |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6614103B1 (en) * | 2000-09-01 | 2003-09-02 | General Electric Company | Plastic packaging of LED arrays |
| DE102004021233A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-12-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED array |
| CN100536130C (en) * | 2007-10-12 | 2009-09-02 | 上海大学 | High heat radiation multi-chip integrated high-power white light LED module and its making method |
| CN101728466A (en) * | 2008-10-29 | 2010-06-09 | 先进开发光电股份有限公司 | High-power LED ceramic packaging structure and manufacturing method thereof |
| RU83587U1 (en) * | 2009-01-20 | 2009-06-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Технологии Энергосбережения" | LED STREET LIGHT |
| RU95181U1 (en) * | 2009-12-04 | 2010-06-10 | Открытое акционерное общество "Еврогрупп XXI" (ООО "Еврогрупп XXI") | HIGH POWER LED LAMP |
-
2011
- 2011-11-07 WO PCT/RU2011/000859 patent/WO2012064227A1/en active Application Filing
- 2011-11-07 EA EA201800095A patent/EA033577B1/en not_active IP Right Cessation
- 2011-11-07 EA EA201300441A patent/EA029315B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2251761C2 (en) * | 2000-12-28 | 2005-05-10 | Тридоник Оптоэлектроник Гмбх | Light source with light-emitting component |
| RU2220478C2 (en) * | 2001-11-23 | 2003-12-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" | Light source |
| RU2231171C1 (en) * | 2003-04-30 | 2004-06-20 | Закрытое акционерное общество "Инновационная фирма "ТЕТИС" | Light-emitting diode |
| RU2265969C1 (en) * | 2004-03-10 | 2005-12-10 | Ногинов Александр Леонидович | Decorative multicolor lamp with control device |
| RU66118U1 (en) * | 2007-02-27 | 2007-08-27 | Валентин Николаевич Щербаков | LED DEVICE |
| US20100177522A1 (en) * | 2009-01-15 | 2010-07-15 | Yeh-Chiang Technology Corp. | Led lamp |
| RU87598U1 (en) * | 2009-06-11 | 2009-10-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Ледел" | LED CEILING LIGHT |
| RU2402837C1 (en) * | 2009-10-21 | 2010-10-27 | Закрытое акционерное общество "ЭПИ-ЦЕНТР" | Semiconductor light-emitting device with porous buffer layer |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU198748U1 (en) * | 2019-11-01 | 2020-07-28 | Общество с ограниченной ответственностю "Экселент Тулс" | LED lamp |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012064227A1 (en) | 2012-05-18 |
| EA201300441A1 (en) | 2014-03-31 |
| EA033577B1 (en) | 2019-11-06 |
| EA201800095A1 (en) | 2018-12-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101383737B1 (en) | Lighting apparatus | |
| US9217553B2 (en) | LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors | |
| US7722220B2 (en) | Lighting device | |
| EP2529421B1 (en) | Light emitting diode device having a wide angular distribution | |
| KR100991829B1 (en) | A LED and LED lamp | |
| KR101227582B1 (en) | Led array | |
| KR102277127B1 (en) | Light emitting device package | |
| US20060034084A1 (en) | Light-emitting apparatus and illuminating apparatus | |
| US8439521B2 (en) | Light-emitting module and luminaire | |
| KR20130079524A (en) | Led lamp bulb and led lighting bar capable of emitting light over 4π | |
| BR102015015082A2 (en) | Light emitting device and method for manufacturing a light emitting device | |
| KR20020071875A (en) | Solid state lamp | |
| JP5374396B2 (en) | lighting equipment | |
| JP2007266357A (en) | Light emitting device and illuminator | |
| JP2013109928A (en) | Lighting system, vehicle headlamp, and downlight | |
| JP2006237264A (en) | Light emitting device and lighting apparatus | |
| CN103104832A (en) | Lighting apparatus having improved light output uniformity and thermal dissipation | |
| JP2006066657A (en) | Light emitting device and lighting device | |
| JP2006210627A (en) | Light emitting element housing package, light emitting unit, and lighting device | |
| JP2011159813A (en) | Light-emitting device | |
| KR20140099659A (en) | Lighting device | |
| EA029315B1 (en) | Light-emitting diode lamp, light-emitting diode with standardized brightness, high-power light-emitting diode chip | |
| RU2392539C2 (en) | Light diode source of radiation | |
| RU2550740C1 (en) | Wide beam pattern led lamp (versions) | |
| KR101226175B1 (en) | LED lighting device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): AM AZ BY KZ KG MD TJ TM RU |