DE3728096C1 - Flat body, especially for use as a heat sink for electronic power components - Google Patents

Flat body, especially for use as a heat sink for electronic power components

Info

Publication number
DE3728096C1
DE3728096C1 DE19873728096 DE3728096A DE3728096C1 DE 3728096 C1 DE3728096 C1 DE 3728096C1 DE 19873728096 DE19873728096 DE 19873728096 DE 3728096 A DE3728096 A DE 3728096A DE 3728096 C1 DE3728096 C1 DE 3728096C1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
metal plates
ceramic plate
body according
thickness
edge strips
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19873728096
Other languages
German (de)
Inventor
Wolfram Dipl-Phys Dr Martin
Brigitte Dipl-Ing Waibel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Doduco Solutions GmbH
Original Assignee
Doduco GmbH and Co KG Dr Eugen Duerrwaechter
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Doduco GmbH and Co KG Dr Eugen Duerrwaechter filed Critical Doduco GmbH and Co KG Dr Eugen Duerrwaechter
Priority to DE19873728096 priority Critical patent/DE3728096C1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE3728096C1 publication Critical patent/DE3728096C1/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672—Foil-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02B—INTERNAL-COMBUSTION PISTON ENGINES; COMBUSTION ENGINES IN GENERAL
    • F02B1/00—Engines characterised by fuel-air mixture compression
    • F02B1/02—Engines characterised by fuel-air mixture compression with positive ignition
    • F02B1/04—Engines characterised by fuel-air mixture compression with positive ignition with fuel-air mixture admission into cylinder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

The body consists of a ceramic plate (1) which is covered by metal plates (2, 3) on both sides, which metal plates (2, 3) are firmly connected over their entire contact area, to be precise especially without use of any intermediate layer, to a ceramic plate (1), and have edge strips (5) of reduced thickness. <IMAGE>

Description

Die Erfindung geht aus von einem flachen Körper mit den im Oberbegriff des Anspruchs 1 angegebenen Merkmalen. Solche flachen Körper, welche aus einer dünnen Aluminiumoxidplatte bestehen, die beidseitig mit je einer Metallplatte bedeckt ist, sind als Wärmesenken für elektronische Leistungsbauelemente, z. B. in Zünd­ vorrichtungen für Ottomotoren in Automobilen, bekannt. Dort müssen diese Körper eine hohe Temperaturwechsel­ beständigkeit aufweisen. Die Temperaturwechselbeständigkeit ist bei den bisher bekannten Körpern unzureichend, weil die Wärmeausdehnungskoeffizienten der Keramikplatte einerseits und der Metallplatten andererseits sich stark unterscheiden, so daß bei Temperaturwechseln in dem Körper entsprechend stark wechselnde Zug- und Druckspannungen parallel zur Oberfläche entstehen, die zu einem Bruch in der Keramikplatte parallel zur Oberfläche (Muschelbruch) führen können. Mangelnde Temperaturwechselbeständigkeit ist insbesondere dann gegeben, wenn die Metallplatten ohne eine Zwischenschicht mit der Keramikplatte verbunden sind (Direct-Bonding-Verfahren). Eine Zwischenschicht aus einer Lotlegierung, die gute Duktilität aufweist, kann die auftretenden Wärmespannungen teilweise ausgleichen.The invention is based on a flat body the features specified in the preamble of claim 1. Such flat bodies, which consist of a thin Alumina plate consist of both sides with each a metal plate is covered as heat sinks for electronic power components, e.g. B. in Zünd devices for gasoline engines in automobiles, known. There these bodies have a high temperature change have resistance. The resistance to temperature changes is inadequate with the previously known bodies, because the coefficient of thermal expansion of the ceramic plate on the one hand and the metal plates on the other differ greatly, so that with temperature changes correspondingly strongly changing in the body Tensile and compressive stresses arise parallel to the surface, which parallel to a break in the ceramic plate can lead to the surface (shell break). Lack Resistance to temperature changes is particularly then given when the metal plates without an intermediate layer is connected to the ceramic plate are (direct bonding method). An intermediate layer a solder alloy that has good ductility, can partially reduce the thermal stresses that occur compensate.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde bei flachen Körpern der eingangs genannten Art die Temperaturwechselbeständigkeit zu verbessern.The invention has for its object in flat Bodies of the type mentioned in the To improve resistance to temperature changes.

Diese Aufgabe wird gelöst durch flache Körper mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen. Vorteil­ hafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.This problem is solved by using flat bodies the features specified in claim 1. Advantage adhesive developments of the invention are the subject of subclaims.

Es hat sich gezeigt, daß ein beidseitig von Metallplatten bedecktes Substrat eine beträchtlich erhöhte Temperaturwechselbeständigkeit hat, wenn die Metallplatten Randstreifen mit verminderter Dicke haben. It has been shown that a metal plate on both sides covered substrate a significantly increased Has thermal shock resistance when the metal plates Have marginal strips of reduced thickness.  

Die größte Verbesserung der Temperaturwechselbeständigkeit erreicht man, wenn man die Metallplatten an allen Rändern, also umlaufend mit Randstreifen verminderter Dicke ausbildet. Will man das beispielsweise aus Gründen einer preiswerteren Fertigung jedoch nicht, dann empfiehlt es sich, die Metallplatten stets an einander entgegengesetzt gerichteten Rändern mit Randstreifen verminderter Dicke auszubilden. Fertigungstechnisch besonders günstig ist es, rechteckige Metallplatten einzusetzen, die an zwei parallelen Rändern abgestuft ausgebildet sind; solche Metallplatten kann man fortlaufend aus einem Metallband herstellen, an dessen beiden Längsrändern die dünneren Randstreifen durch Fräsen gebildet werden und welches anschließend in einzelne Metallplatten zerteilt wird. The biggest improvement in thermal shock resistance you can reach it if you have the metal plates on all edges, thus all around with reduced thickness edge strips. For example, if you want one but not cheaper production, then it is recommended each other, the metal plates always facing each other aligned edges with marginal strips of reduced thickness to train. In terms of production technology, it is particularly favorable use rectangular metal plates attached to two parallel edges are graduated; such Metal plates can be made continuously from a metal band produce, on its two longitudinal edges the thinner Edge strips are formed by milling and which is then divided into individual metal plates.  

Die Erfindung erlaubt es insbesondere, hoch temperatur­ wechselbeständige Körper herzustellen, die aus einer dünnen Keramikplatte bestehen, die mit Metallplatten aus einem besonders gut wärmeleitfähigen Metall, insbesondere aus Kupfer, direkt verbunden sind. Der Nachteil, den bekannte im Direct-Bonding-Verfahren beschichtete Körper gegenüber gelöteten Körpern hinsichtlich der Temperaturwechselbeständigkeit haben, wird bei der erfindungsgemäßen Ausbildung der Körper mehr als ausgeglichen und damit der Anwendungsbereich des Direct-Bonding-Verfahrens als Fügeverfahren erweitert. Die Erfindung ist aber natürlich auch anwendbar auf solche sandwichartig zusammengefügte Körper, die auf andere Weise als im Direct-Bonding-Verfahren, insbesondere durch Löten zusammengefügt worden sind. Als Werkstoff für die Keramikplatte wird man zweck­ mäßigerweise Aluminiumoxid wählen, es ist aber auch möglich, andere keramische Werkstoffe, insbesondere Aluminiumnitrid und Berylliumoxid zu verwenden.The invention particularly allows high temperature to produce changeable bodies made from a thin ceramic plate with metal plates made of a particularly good heat-conductive metal, in particular made of copper, are directly connected. The disadvantage, the known coated in the direct bonding process Body versus soldered bodies regarding resistance to temperature changes, is the body in the inventive training more than balanced and thus the scope of the direct bonding process expanded as a joining process. The invention is of course also applicable on such sandwiched bodies, in a different way than in direct bonding, in particular have been joined together by soldering. One becomes the material for the ceramic plate choose alumina moderately, but it is also possible other ceramic materials, in particular Use aluminum nitride and beryllium oxide.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Zeichnung näher erläutert, die inEmbodiments of the invention are based on the Drawing explained in more detail in

Fig. 1 einen flachen Körper gemäß dem Stand der Technik in der Draufsicht, in Fig. 1 shows a flat body according to the prior art in plan view, in

Fig. 2 denselben Körper in einer Seitenansicht, in Fig. 2 the same body in a side view, in

Fig. 3 ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Körpers mit abgeschrägten Metallplatten in der Draufsicht, in Fig. 3 shows an embodiment of a body according to the invention with beveled metal plates in plan view, in

Fig. 4 den Körper aus Fig. 3 in einer Seitenansicht, in Fig. 4 shows the body of Fig. 3 in a side view, in

Fig. 5 ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Körpers mit abgestuften Rändern in der Draufsicht, und in Fig. 5 shows an embodiment of a body according to the invention with stepped edges in plan view, and in

Fig. 6 den Körper aus Fig. 5 in einer Seitenansicht zeigt. Fig. 6 shows the body of Fig. 5 in a side view.

Zur Vereinfachung sind in den unterschiedlichen Figuren einander entsprechende Teile mit übereinstimmenden Bezugszahlen bezeichnet. To simplify, are in the different figures corresponding parts with identical reference numbers designated.  

In allen drei Beispielen besteht der Körper aus einer dünnen, rechteckigen Keramikplatte 1, mit deren Oberseite eine Metallplatte 2 und mit deren Unterseite eine mit der Metallplatte 2 übereinstimmende Metall­ platte 3 direkt verbunden ist. Die Metallplatten 2, 3 sind ebenfalls rechteckig ausgebildet, etwas kleiner als die Keramikplatte 1 und mittig auf der Keramikplatte 1 angeordnet, so daß zwischen den Metallplatten 2 und 3 ein Randstreifen 4 der Keramikplatte übersteht. Die Dicke der Metallplatten 2 und 3 liegt in derselben Größenordnung wie die Dicke der Keramikplatte 1.In all three examples, the body is made of a thin, rectangular ceramic plate 1, with the top side of a metal plate 2 and the underside of which a matching with the metal plate 2 metal plate is directly connected. 3 The metal plates 2, 3 are also rectangular, slightly smaller than the ceramic plate 1 and arranged centrally on the ceramic plate 1 , so that an edge strip 4 of the ceramic plate protrudes between the metal plates 2 and 3 . The thickness of the metal plates 2 and 3 is of the same order of magnitude as the thickness of the ceramic plate 1 .

Bei dem dem Stand der Technik angehörenden Körper in den Fig. 1 und 2 sind die Metallplatten 2 und 3 flache Quader, wohingegen bei den in den Fig. 3 bis 6 dargestellten beiden Ausführungsbeispielen die Metallplatten Randstreifen 5 bzw. 6 mit verminderter Dicke haben. Bei dem in den Fig. 3 und 4 dargestellten Ausführungsbeispiel ist der Randstreifen 5 durch Schrägflächen begrenzt und an allen vier Rändern der Metallplatten 2 und 3 ausgebildet. Bei dem in den Fig. 5 und 6 dargestellten Ausführungsbeispiel ist an den beiden Schmalseiten der Metallplatten 2 und 3, zwischen denen die größten Wärme­ spannungen auftreten, zur Bildung des dünneren Randstreifens 6 jeweils eine Stufe ausgebildet, deren Dicke weniger als die Hälfte der Dicke der Metallplatten beträgt.In the belonging to the prior art body in Figs. 1 and 2, the metal plates 2 and 3 are flat parallelepiped, whereas when the have in FIGS. 3 to 6 two embodiments shown, the metal plates edge strips 5 and 6 of reduced thickness. In the embodiment shown in FIGS. 3 and 4, the edge strip 5 is delimited by inclined surfaces and is formed on all four edges of the metal plates 2 and 3 . In the embodiment shown in FIGS. 5 and 6, a step is formed on the two narrow sides of the metal plates 2 and 3 , between which the greatest thermal stresses occur, to form the thinner edge strip 6 , the thickness of which is less than half the thickness of the Metal plate.

Zur Darstellung der verbesserten Temperaturwechselbeständigkeit sind nach­ stehend die Ergebnisse von Vergleichsversuchen angegeben, die mit Körpern durchgeführt wurden, wie sie in den Abbildungen 1 bis 6 dargestellt sind.To show the improved resistance to temperature changes are according to  standing the results of comparative experiments specified that were performed with bodies as shown in Figures 1 to 6 are.

In allen Fällen wurden Aluminiumoxidkeramikplatten mit den MaßenIn all cases, alumina ceramic plates with the dimensions

Länge23,2 mm Breite13,2 mm Dicke0,635 mmLength 23.2 mm Width 13.2 mm Thickness 0.635 mm

verwendet, die mit Kupferplatten mit den Maßenused with copper plates with dimensions

Länge21,0 mm Breite11,0 mm Dicke0,65 mmLength 21.0 mm Width 11.0 mm Thickness 0.65mm

im Direct-Bonding-Verfahren beschichtet waren.were coated in the direct bonding process.

Im Ausführungsbeispiel gemäß den Fig. 3 und 4 waren die Randstreifen 5 unter einem Winkel von 20° zur Oberfläche der Keramikplatte 1 abgeschrägt, im Ausführungsbeispiel gemäß den Fig. 5 und 6 waren Randstreifen 6 mit einer Breite von 1,0 mm und einer Dicke von 0,3 mm gebildet. Eine größere Anzahl von Prüflingen wurde einer Temperaturwechselbeanspruchung zwischen -40°C und +110°C unterworfen, wobei die Prüflinge jeweils 40 Minuten lang bei der unteren und bei der oberen Temperatur gehalten wurden und binnen einer Umlagerzeit von höchstens 10 s zwischen der unteren und der oberen Temperatur umgelagert wurden.In the exemplary embodiment according to FIGS. 3 and 4, the edge strips 5 were chamfered at an angle of 20 ° to the surface of the ceramic plate 1 ; in the exemplary embodiment according to FIGS. 5 and 6, edge strips 6 were 1.0 mm wide and had a thickness of 0.3 mm formed. A larger number of test specimens were subjected to temperature changes between -40 ° C and + 110 ° C, the test specimens being kept at the lower and the upper temperature for 40 minutes each and within a transfer time of at most 10 s between the lower and the upper temperature were rearranged.

Die nachstehende Tabelle gibt die Ausfälle in % von Prüflingen an, die nach thermischen Lastwechseln beobachtet wurden.The table below shows the failures in% of Test specimens observed after thermal load changes were.

Claims (11)

1. Flacher Körper, insbesondere zur Verwendung als Wärmesenke für elektronische Leistungsbauelemente, bestehend aus einer Keramikplatte (Substrat), welche beidseitig von Metallplatten bedeckt ist, die auf ihrer gesamten Auflagefläche fest mit der Keramikplatte verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallplatten (2, 3) Randstreifen (5, 6) mit verminderter Dicke haben.1. Flat body, in particular for use as a heat sink for electronic power components, consisting of a ceramic plate (substrate) which is covered on both sides by metal plates which are firmly connected to the ceramic plate over their entire contact surface, characterized in that the metal plates ( 2, 3 ) have edge strips ( 5, 6 ) of reduced thickness. 2. Körper nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Metallplatten (2, 3) ohne eine Zwischenschicht mit der Keramikplatte (1) verbunden sind.2. Body according to claim 1, characterized in that the two metal plates ( 2, 3 ) are connected to the ceramic plate ( 1 ) without an intermediate layer. 3. Körper nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die auf beiden Seiten der Keramikplatte angebrachten Metallplatten (2, 3) deckungsgleich angeordnet sind. 3. Body according to claim 1 or 2, characterized in that the attached on both sides of the ceramic plate metal plates ( 2, 3 ) are arranged congruently. 4. Körper nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die auf beiden Seiten der Keramikplatte angebrachten Metallplatten (2, 3) gleich ausgebildet sind.4. Body according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the metal plates ( 2, 3 ) mounted on both sides of the ceramic plate are of identical design. 5. Körper nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallplatten (2, 3) aus Kupfer bestehen.5. Body according to one of the preceding claims, characterized in that the metal plates ( 2, 3 ) consist of copper. 6. Körper nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Randstreifen (5) der Metallplatten (2, 3) abgeschrägt sind.6. Body according to one of the preceding claims, characterized in that the edge strips ( 5 ) of the metal plates ( 2, 3 ) are chamfered. 7. Körper nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Randstreifen (5) unter einem Winkel von ungefähr 20° zur Oberfläche der Keramikplatte (1) abgeschrägt sind.7. Body according to claim 6, characterized in that the edge strips ( 5 ) are chamfered at an angle of approximately 20 ° to the surface of the ceramic plate ( 1 ). 8. Körper nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Randstreifen (6) der Metallplatten (2, 3) abgestuft sind.8. Body according to one of claims 1 to 5, characterized in that the edge strips ( 6 ) of the metal plates ( 2, 3 ) are graduated. 9. Körper nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Randstreifen (6) einfach abgestuft sind und ihre Dicke 40% bis 50%, vorzugsweise ungefähr 45% der Dicke der Metallplatten (2, 3) beträgt.9. Body according to claim 8, characterized in that the edge strips ( 6 ) are simply stepped and their thickness is 40% to 50%, preferably about 45% of the thickness of the metal plates ( 2, 3 ). 10. Körper nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite der Randstreifen (5, 6) mit verminderter Dicke das 1- bis 3fache, vorzugsweise das 1,5- bis 2fache der Dicke der Metallplatten (2, 3) beträgt. 10. Body according to one of the preceding claims, characterized in that the width of the edge strips ( 5, 6 ) with reduced thickness is 1 to 3 times, preferably 1.5 to 2 times the thickness of the metal plates ( 2, 3 ). 11. Körper nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Metallplatten (2, 3) sowie der Keramikplatte (1) 0,5 mm bis 1 mm beträgt.11. Body according to one of the preceding claims, characterized in that the thickness of the metal plates ( 2, 3 ) and the ceramic plate ( 1 ) is 0.5 mm to 1 mm.
DE19873728096 1987-07-03 1987-08-22 Flat body, especially for use as a heat sink for electronic power components Expired DE3728096C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19873728096 DE3728096C1 (en) 1987-07-03 1987-08-22 Flat body, especially for use as a heat sink for electronic power components

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3721958 1987-07-03
DE19873728096 DE3728096C1 (en) 1987-07-03 1987-08-22 Flat body, especially for use as a heat sink for electronic power components

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3728096C1 true DE3728096C1 (en) 1989-01-12

Family

ID=25857207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19873728096 Expired DE3728096C1 (en) 1987-07-03 1987-08-22 Flat body, especially for use as a heat sink for electronic power components

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3728096C1 (en)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3922485C1 (en) * 1989-07-08 1990-06-13 Doduco Gmbh + Co Dr. Eugen Duerrwaechter, 7530 Pforzheim, De
DE4123911C1 (en) * 1991-07-18 1993-01-14 Doduco Gmbh + Co Dr. Eugen Duerrwaechter, 7530 Pforzheim, De
DE4213486A1 (en) * 1991-07-22 1993-01-28 Silicon Power Corp SOLID RELAY IN A SINGLE INLINE HOUSING FOR HIGH CURRENT DENSITY
DE4234506A1 (en) * 1991-10-14 1993-04-15 Fuji Electric Co Ltd INSULATING SUBSTRATE FOR FASTENING SEMICONDUCTOR COMPONENTS
DE4240843A1 (en) * 1992-12-04 1994-06-09 Bosch Gmbh Robert Power semiconductor component heat sink arrangement - has silicon chip on upper copper or molybdenum layer with arrangement fixed to base plate by lower copper or molybdenum layer
EP0632681A2 (en) * 1993-06-02 1995-01-04 Jürgen Dr.-Ing. Schulz-Harder Metal-coated substrate
EP0670667A1 (en) * 1994-02-24 1995-09-06 Plessey Semiconductors Limited Direct copper bonded substrates
EP0727818A1 (en) * 1993-07-20 1996-08-21 Fuji Electric Co., Ltd. Zirconia-added alumina substrate with direct bonding of copper
DE19527867A1 (en) * 1995-07-29 1997-01-30 Schulz Harder Juergen Metal substrate for electrical and/or electronic semiconductor circuit - has Peltier chip connected between respective overlapping metallisation structures of upper and lower ceramic layer
EP0766307A1 (en) * 1995-03-20 1997-04-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon nitride circuit substrate
EP0999589A2 (en) * 1995-03-20 2000-05-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon nitride circuit board
EP1061783B1 (en) 1999-06-14 2013-11-20 Curamik Electronics GmbH Ceramic-metal substrate, particularly multiple substrate
EP2709148A4 (en) * 2011-05-13 2015-07-15 Fuji Electric Co Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
DE102015102657B4 (en) 2015-02-25 2018-07-19 Rogers Germany Gmbh Method for producing a copper-ceramic composite substrate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3127457A1 (en) * 1981-07-11 1983-02-03 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim RECTIFIER MODULE
DE3323246A1 (en) * 1983-06-28 1985-01-10 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Power semiconductor module

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3127457A1 (en) * 1981-07-11 1983-02-03 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim RECTIFIER MODULE
DE3323246A1 (en) * 1983-06-28 1985-01-10 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Power semiconductor module

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3922485C1 (en) * 1989-07-08 1990-06-13 Doduco Gmbh + Co Dr. Eugen Duerrwaechter, 7530 Pforzheim, De
EP0407905A3 (en) * 1989-07-08 1992-06-03 Doduco Gmbh + Co Dr. Eugen Duerrwaechter Flat body, in particular for application as a heat sink for electronic power components
DE4123911C1 (en) * 1991-07-18 1993-01-14 Doduco Gmbh + Co Dr. Eugen Duerrwaechter, 7530 Pforzheim, De
DE4213486A1 (en) * 1991-07-22 1993-01-28 Silicon Power Corp SOLID RELAY IN A SINGLE INLINE HOUSING FOR HIGH CURRENT DENSITY
DE4234506A1 (en) * 1991-10-14 1993-04-15 Fuji Electric Co Ltd INSULATING SUBSTRATE FOR FASTENING SEMICONDUCTOR COMPONENTS
DE4240843A1 (en) * 1992-12-04 1994-06-09 Bosch Gmbh Robert Power semiconductor component heat sink arrangement - has silicon chip on upper copper or molybdenum layer with arrangement fixed to base plate by lower copper or molybdenum layer
EP0632681A3 (en) * 1993-06-02 1995-11-02 Schulz Harder Juergen Metal-coated substrate.
EP0632681A2 (en) * 1993-06-02 1995-01-04 Jürgen Dr.-Ing. Schulz-Harder Metal-coated substrate
EP0727818A1 (en) * 1993-07-20 1996-08-21 Fuji Electric Co., Ltd. Zirconia-added alumina substrate with direct bonding of copper
EP0670667A1 (en) * 1994-02-24 1995-09-06 Plessey Semiconductors Limited Direct copper bonded substrates
EP0766307A1 (en) * 1995-03-20 1997-04-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon nitride circuit substrate
EP0766307A4 (en) * 1995-03-20 1997-05-21 Toshiba Kk Silicon nitride circuit substrate
EP0999589A2 (en) * 1995-03-20 2000-05-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon nitride circuit board
EP0999589A3 (en) * 1995-03-20 2000-06-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon nitride circuit board
DE19527867A1 (en) * 1995-07-29 1997-01-30 Schulz Harder Juergen Metal substrate for electrical and/or electronic semiconductor circuit - has Peltier chip connected between respective overlapping metallisation structures of upper and lower ceramic layer
EP1061783B1 (en) 1999-06-14 2013-11-20 Curamik Electronics GmbH Ceramic-metal substrate, particularly multiple substrate
EP2709148A4 (en) * 2011-05-13 2015-07-15 Fuji Electric Co Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9153519B2 (en) 2011-05-13 2015-10-06 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device for preventing a progression of a crack in a solder layer and method of manufacturing the same
DE102015102657B4 (en) 2015-02-25 2018-07-19 Rogers Germany Gmbh Method for producing a copper-ceramic composite substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3728096C1 (en) Flat body, especially for use as a heat sink for electronic power components
DE102006002452B4 (en) Semiconductor device and method for its production
DE2333813C3 (en) Flat magnetic head arrangement with several flat magnetic head structures
EP0627875B1 (en) Process for manufacturing metal-ceramic substrate
DE3716196C2 (en)
DE19953162B4 (en) Method of making thermistor chips
DE3511722A1 (en) ELECTROMECHANICAL ASSEMBLY FOR INTEGRATED CIRCUIT MATRICES
DE112006002516T5 (en) Chip Widertand
DE1489781A1 (en) Process for producing an electronic component and component produced according to this process
EP0135120B1 (en) Ceramic-metallic element
EP0494153B1 (en) Compound arrangement with printed circuit board
EP0193127A1 (en) Film-mounted circuit and method for its manufacture
EP0805492B1 (en) Curved metal ceramic substrate
DE2601035A1 (en) ELECTRICAL CIRCUIT ARRANGEMENT
DE69128601T2 (en) Method for producing heat-radiating substrates for mounting semiconductors and semiconductor package produced according to this method
EP0322434B1 (en) Flat bodies, in particular for use as heat sinks for electronic power components
DE2315711A1 (en) METHOD OF CONTACTING INTEGRATED CIRCUITS HOUSED IN A SEMICONDUCTOR BODY WITH THE AID OF A FIRST CONTACTING FRAME
DE3922485C1 (en)
DE3234744C2 (en) Device for holding a plurality of semiconductor wafers, each provided with integrated circuits, when making contact with strip conductors formed on a film-shaped substrate
DE3106376A1 (en) SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT WITH CONNECTING CABLES cut out of sheet metal
DE3322674A1 (en) CAPACITOR
DE4201931C1 (en)
DE4338706A1 (en) Multilayer substrate
DE19615481A1 (en) Metallised ceramic electrical or electronic substrate - has convex curvature for elastic bending into tight contact with heat sink
DE2249209A1 (en) LADDER FRAME FOR USE IN ENCLOSURES FOR SEMICONDUCTOR COMPONENTS

Legal Events

Date Code Title Description
8100 Publication of the examined application without publication of unexamined application
D1 Grant (no unexamined application published) patent law 81
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: DODUCO GMBH + CO DR. EUGEN DUERRWAECHTER, 7530 PFO

8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee