DE3587470T2

DE3587470T2 - Flüssigkristallanzeigevorrichtung.

Info

Publication number: DE3587470T2
Application number: DE85115694T
Authority: DE
Inventors: Shigeo Aoki; Junichi Tamamura; Yasuhiro Ukai
Original assignee: Hosiden Corp
Current assignee: Philips Components Kobe KK
Priority date: 1984-12-10
Filing date: 1985-12-10
Publication date: 1993-12-09
Anticipated expiration: 2005-12-11
Also published as: EP0186036A3; US4723838A; JPH0584490B2; DE3587470D1; EP0186036A2; ATE91805T1; EP0186036B1; JPS61138285A

Description

Die Erfindung betrifft eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit einer Flüssigkristallzelle, die ein erstes und ein zweites transparentes Substrat aufweist, die um eine geringe Entfernung beabstandet sind und einander gegenüberliegen, sowie einen Flüssigkristall, der dichtend zwischen dem ersten und zweiten transparenten Substrat eingeschlossen ist; eine gemeinsame Elektrode, die durch einen transparenten leitfähigen Film gebildet wird, der auf der inneren Oberfläche des ersten transparenten Substrats ausgebildet ist; mehrere Anzeigeelektroden, die durch einen transparenten leitfähigen Film gebildet werden, der auf der inneren Oberfläche des zweiten transparenten Substrats ausgebildet ist; mehrere Dünnfilmtransistoren, deren Drain jeweils an eine zugehörige Anzeigeelektrode angeschlossen ist; wobei jeder der Dünnfilmtransistoren umfaßt: eine Drain-Elektrode, die durch einen Abschnitt der Anzeigeelektrode gebildet wird; eine Source-Elektrode, die elektrisch an einen zugehörigen Source-Bus angeschlossen ist; eine Halbleiterschicht, die zwischen der Drain- und Source-Elektrode angeordnet ist und diese überlagert; einen Gate-Isolierfilm, welcher die Halbleiterschicht überlagert; und eine Gate-Elektrode, die an einen entsprechenden Gate-Bus angeschlossen ist und auf dem Gate-Isolierfilm ausgebildet ist, wobei eine Kante der Gate-Elektrode gegenüber der entsprechenden Kante des Gate-Isolierfilms zurückgenommen ist, so daß die Gate-Elektrode den Gate-Isolierfilm nur teilweise überlagert.
Eine derartige Vorrichtung ist in "A E7.23-in. Diagonal Color LCD Addressed by a-Si TFTs" von Ugai et al beschrieben, veröffentlicht in 1984 SID Digest, Seite 308.
Eine derartige Vorrichtung ist beispielsweise zur Anzeige eines Bildes verwendbar, und kann eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung des aktiven Matrixtyps bilden, welche mehrere Anzeigeelektroden in einer Flüssigkristallzelle aufweist, und zur Anzeige selektiv durch Dünnfilmtransistoren treibbar ist.
Eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach dem Stand der Technik ist in "Electronics International", 19. Mai 1982, auf Seite 94 beschrieben. Eine weitere derartige Anzeigevorrichtung der konventionellen Art weist einen in Fig. 1 gezeigten Aufbau auf. Die Vorrichtung ist mit einem Paar transparenter Substrate aus Glas oder dergleichen versehen, die einander gegenüberliegen. Ein Abstandsstück 13 ist zwischen den Substraten 11 und 12 entlang den Kanten angeordnet. Ein Flüssigkristall 14 ist dichtend zwischen den Substraten 11 und 12 eingeschlossen. Die Substrate 11 und 12, das Abstandsstück 13 und der Flüssigkristall 14 bilden eine Flüssigkristallzelle. Mehrere Anzeigeelektroden 15, die aus einem transparenten leitfähigen Film bestehen, sind auf der Innenoberfläche eines der transparenten Substrate ausgebildet, also des Substrates 11. Weiterhin sind Dünnfilmtransistoren 16 als Schaltelemente ausgebildet, so daß sie stetig übergehend in die Anzeigeelektroden 15 verlaufen, wobei ihre Drains an diese angeschlossen sind. Eine gemeinsame Elektrode 17 ist auf dem anderen transparenten Substrat 12 ausgebildet. Die gemeinsame Elektrode 17 liegt den mehreren Anzeigeelektroden 15 gegenüber.
Die Anzeigeelektroden 15 dienen beispielsweise als Bildelementelektroden. Wie in Fig. 2 dargestellt ist, weisen sie eine quadratische Form auf und sind eng aneinander angeordnet, mit einem geringen Abstand dazwischen. Sie sind in Spalten und Zeilen auf dem transparenten Substrat 11 angeordnet. Gate-Bus-Leitungen 18 sind so ausgebildet, daß sie sich nahe den und entlang der einzelnen Zeilen der Anzeigeelektroden 15 erstrecken. Source-Bus-Leitungen 19 sind so ausgebildet, daß sie sich nahe den und entlang der einzelnen Spalten der Anzeigeelektroden 15 erstrecken. Die voranstehend erwähnten Dünnfilmtransistoren 16 sind an den Schnittstellen der Gate-Bus-Leitungen 18 und der Source-Bus-Leitungen 19 ausgebildet. Bei jedem Dünnfilmtransistor 16 ist sein Gate an den zugeordneten Gate-Bus 18 angeschlossen, seine Source an den zugeordneten Source-Bus 19 angeschlossen, und sein Drain mit der entsprechenden Anzeigeelektrode 15 verbunden.
Wenn eine der Gate-Bus-Leitungen 18 und eine der Source-Bus-Leitungen 19 ausgewählt werden, wird zwischen die ausgewählten Bus-Leitungen eine Spannung angelegt. Dies führt dazu, daß nur der entsprechende Dünnfilmtransistor 16 eingeschaltet wird. Auf der Anzeigeelektrode 15, die mit dem Drain des eingeschalteten Dünnfilmtransistors 16 verbunden ist, wird Ladung gespeichert. Eine Spannung wird nur über einen Abschnitt des Flüssigkristalls 14 zwischen dieser Anzeigeelektrode 15 und der gemeinsamen Elektrode 17 angelegt. Nur diese Anzeigeelektrode 15 wird daher transparent oder lichtundurchlässig gemacht. Auf diese Weise werden nur ausgewählte Anzeigeelektroden für eine Anzeige getrieben. Tatsächlich werden ausgewählte Anzeigeelektroden gewöhnlich in Kombination mit einem Polarisator (nicht gezeigt) transparent oder lichtundurchlässig gemacht.
Üblicherweise weist der Dünnfilmtransistor 16 einen Aufbau auf, wie in Fig. 3 und 4 dargestellt. Wie aus diesen Figuren hervorgeht, sind die Anzeigeelektroden 15 und die Source-Bus-Leitungen aus einem transparenten leitfähigen Film gebildet, beispielsweise einem ITO, auf dem transparenten Substrat 11. Eine Halbleiterschicht 21 aus amorphem Silizium oder dergleichen ist so ausgebildet, daß sie parallel und in engem Abstand zu Abschnitten jeder Anzeigeelektrode 15 und dem zugeordneten Source-Bus 19 verläuft. Ein Gate-Isolierfilm 22 aus Siliziumnitrid oder dergleichen ist auf der Halbleiterschicht 21 ausgebildet. Eine Gate-Elektrode 23 ist auf dem Gate-Isolierfilm 22 so ausgebildet, daß sie einen Teil jeder Anzeigeelektrode 15 und des zugeordneten Source-Busses 19 über dem Gate-Isolierfilm 22 und jeder Halbleiterschicht 21 überlagert. Ein Ende der Gate-Elektrode 23 ist an den zugeordneten Gate-Bus 18 angeschlossen. Abschnitte der Anzeigeelektrode 15 und der Source-Bus-Leitung 19, die jeder Gate-Elektrode 23 gegenüberliegen, bilden eine Drainbzw. Source-Elektrode 15a bzw. 19a. Der Dünnfilmtransistor 16 wird durch diese Elektroden 15a und 19a, die Halbleiterschicht 21, den Gate-Isolierfilm 22 und die Gate-Elektrode 23 gebildet. Die einzelnen Gate-Elektroden 23 und die Gate-Bus-Leitungen 18 werden gleichzeitig beispielsweise aus Aluminium gebildet.
Bei dem voranstehend erläuterten Aufbau nach dem Stand der Technik ist die Halbleiterschicht 21 nur über dem Bereich vorgesehen, in welchem der Dünnfilmtransistor 16 vorgesehen ist. Daher gibt es eine beträchtliche Niveaudifferenz zwischen der Gate-Elektrode 23 und dem Gate-Bus 18 in bezug auf das Substrat 11. Infolge dieser Niveaudifferenz tritt leicht ein Bruch der Verbindung zwischen der Gate-Elektrode 23 und dem Gate-Bus 18 auf.
Dementsprechend wurde vorgeschlagen, die Halbleiterschicht 21 und den Gate-Isolierfilm 22 so auszubilden, daß sie beide dasselbe Muster aufweisen wie die Gate-Elektrode 23 und der Gate-Bus 18, wie in Fig. 5 gezeigt. Im einzelnen wird bei diesem Vorschlag sowohl die Halbleiterschicht 21 als auch der Gate-Isolierfilm 22 über der gesamten Oberfläche ausgebildet, abgesehen von den Bereichen der Anzeigeelektrode 15 und der Source-Bus-Leitung 19, mit demselben Muster wie dem der durchgehenden Gate-Bus-Leitung 18 und der Gate-Elektrode 23, die gebildet werden sollen. Dann wird beispielsweise eine Aluminiumschicht für den Gate-Bus 18 und die Gate-Elektrode 23 über den beiden Schichten ausgebildet. Bei diesem Aufbau ist die Niveaudifferenz zwischen dem Gate-Bus 18 und der Gate-Elektrode 23 in bezug auf das Substrat 11 verringert, wodurch die Möglichkeit eines Bruches der Verbindung verringert wird. Allerdings sind in diesem Fall die Oberflächenentfernung (also die Entfernung entlang der Oberfläche) zwischen der Gate-Elektrode 23 und der Source-Elektrode 19a sowie zwischen der Gate-Elektrode 23 und der Drain-Elektrode 15a verringert, was zu dem Problem führt, daß Stromflüsse zwischen diesen Teilen auftreten können.
Darüber hinaus wird mit dem voranstehend geschilderten Aufbau ein parasitärer Dünnfilmtransistor durch einen Abschnitt (nicht dargestellt) der Halbleiterschicht 21 gebildet, der sich unterhalb der Gate-Bus-Leitung 18, des Gate-Isolierfilms 22, der Source-Bus-Leitung 19 und der Drain-Elektrode 15a befindet. Das amorphe Silizium der Halbleiterschicht 21 ist fotoleitend, und ihr spezifischer Widerstand wird von 10&sup9; Ohm-cm auf etwa 10&sup4; Ohm-cm verringert, wenn sie mit Licht bei 100.000 Lux beleuchtet wird. Wenn daher der Halbleiterschichtabschnitt des parasitären Dünnfilmtransistors beleuchtet wird, tritt ein Stromfluß von dem Source-Bus 19 neben dem Dünnfilmtransistor 16 auf und verschlechtert dessen Ein/Aus-Verhalten.
Um eine Verschlechterung des Ein/Aus-Schaltverhältnisses des Dünnfilmtransistors 16 bei Beleuchtung seiner Halbleiterschicht 21 zu verhindern, wird eine Lichtabschirmschicht 25 aus Chrom oder einem ähnlichen Metall so gebildet, daß sie der Halbleiterschicht 21 gegenüberliegt, wie in Fig. 5 gezeigt. In diesem Fall ist die Lichtabschirmschicht 25 gegenüber der Anzeigeelektrode 15 und dem Source-Bus 19 durch eine Isolierschicht 27 isoliert. Man könnte daran denken, die Lichtabschirmschicht 25 so auszubilden, daß sie der Gesamtoberfläche des Halbleiterschichtabschnitts gegenüberliegt, um den voranstehend erwähnten Einfluß des parasitären Dünnfilmtransistors zu vermeiden. Allerdings wird in diesem Falle die elektrostatische Kapazität zwischen der Lichtabschirmschicht und dem Gate-Bus allzusehr erhöht, so daß keine so schnelle Steuerung des Dünnfilmtransistors mehr möglich ist.
Um die elektrostatische Kapazität zwischen der Lichtabschirmschicht 25 und den Drain- und Source-Elektroden 15a, 19a sowie die zwischen der voranstehend erwähnten Verlängerung der Lichtabschirmschicht 25 und dem Gate-Bus zu verringern, könnte man daran denken, die Dicke der Isolierschicht 27 zu erhöhen. Ein derartiges Vorgehen erfordert jedoch eine erhöhte Herstellungszeit und verschlechtert die Ausbeute.
In anderer Hinsicht ist die Source-Bus-Klemme aus demselben Material hergestellt wie der Source-Bus, und die Gate-Bus-Klemme wird durch dasselbe Material gebildet wie der Gate-Bus. Beispielsweise besteht die Source-Bus-Klemme aus einem transparenten leitfähigen Material, beispielsweise ITO, wogegen die Gate-Bus-Klemme aus Aluminium besteht. Da die beiden Klemmen aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sind, erfordert ihre Verbindung mit einer externen Treiberschaltung unterschiedliche Verbindungsschritte, die für diese Materialien passend sind. Daher ist der Verbindungsvorgang verhältnismäßig aufwendig.
Weiterhin weist das ITO, welches den Source-Bus 19 bildet, eine verhältnismäßig niedrige elektrische Leitfähigkeit auf, so daß daher der Source-Bus 19 einen verhältnismäßig hohen elektrischen Widerstand aufweist. Daher wird eine vergleichsweise hohe Differenz der Treiberspannung zwischen den gegenüberliegenden Enden der Source-Bus-Leitung 19 erzeugt. Anders ausgedrückt, können die entlang dem Source-Bus vorgesehenen Transistoren nicht mit einer gleichmäßigen Spannung getrieben werden. Dies führt zu einem Abfall der Helligkeit auf dem Bildschirm der Flüssigkristallanzeigevorrichtung entsprechend dem Potentialgradienten entlang dem Source-Bus. Man könnte daran denken, zur Lösung dieses Problems die Dicke der Source-Bus-Leitung 19 zu erhöhen. Eine derartige Vorgehensweise würde jedoch dazu führen, daß In während der Ausbildung von ITO in einem plasmachemischen
Dampfablagerungsverfahren ausfällt. Der ITO-Film verändert sich daher und verschlechtert die Eigenschaften des Dünnfilmtransistors. Da der Source-Bus 19 transparent ist, tritt darüber hinaus Licht von Abschnitten der Source-Bus-Leitung 19 aus, die nicht von den Transistoren 16 und den Gate-Bus-Leitungen 18 überlagert sind. Dies verschlechtert den Kontrast des angezeigten Bildes.
In SID 84 Digest, 1984, ist auf Seite 308 ein Farb-LCD beschrieben, der von a-Si-Dünnfilmtransistoren adressiert wird, bei welchen die Gate-Elektrode schmaler ist als das darunterliegende a-Si. Hier erstreckt sich der Gate-Isolierfilm im wesentlichen über das gesamte Glassubstrat, so daß die Gate-Elektrode vollständig gegenüber der Halbleiterschicht isoliert ist, und daher keine Stromflüsse auftreten können.
Eine der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht in der Bereitstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die vergleichsweise einfach hergestellt werden kann, welche die Möglichkeit der Kontaminierung von Halbleiterschichten bei ihrem Herstellungsverfahren verringern kann, und vergleichsweise große Oberflächenentfernungen der Source- und Drain-Elektroden von der Gate-Elektrode aufweist, so daß zwischen diesen Teilen eine ausreichende Isolierung aufrechterhalten werden kann.
Eine weitere, der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht in der Bereitstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die einfach an eine externe Treiberschaltung angeschlossen werden kann.
Eine weitere, der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht in der Bereitstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung, mit welcher ein Anzeigebild mit hohem Kontrast erhalten werden kann.
Eine weitere, der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht in der Bereitstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung, in welcher Gate-Flußleitungen und Gate-Elektroden eine geringere Niveaudifferenz in bezug auf das zugehörige Substrat aufweisen, so daß sie weniger bruchanfällig sind, und das Einschalt/Ausschalt-Verhältnis der Dünnfilmtransistoren hoch ist, und welche mit einem sehr schnellen Takt betrieben werden kann.
Eine weitere, der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht in der Bereitstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung, bei welcher der Einfluß parasitärer Transistoren verringert ist.
Gemäß der Erfindung zeichnet sich die eingangs erläuterte Anzeigevorrichtung dadurch aus, daß der Gate-Isolierfilm dasselbe Muster aufweist wie die Halbleiterschicht und diese perfekt überlagert.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung weisen die Halbleiterschicht und der Gate-Isolierfilm Verlängerungen auf, die sich unter den Gate-Bus erstrecken, und der Gate-Bus und die Gate-Elektrode weisen eine geringere Niveaudifferenz in bezug auf das zugehörige transparente Substrat auf, so daß sie weniger bruchempfindlich sind. Zusätzlich kann eine Lichtabschirmschicht so ausgebildet sein, daß sie der Halbleiterschicht des Dünnfilmtransistors gegenüberliegt. Die Lichtabschirmschicht kann eine Verlängerung aufweisen, die eine zusätzliche Breite auf jeder Seite hat und sich so erstreckt, daß sie die Verbindung der Gate-Bus-Leitung und der zugehörigen Gate-Elektrode einnimmt. Der Einfluß des parasitären Transistors wird durch den Abschnitt mit zusätzlicher Breite abgeblockt.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weisen die Halbleiterschicht und die Gate-Isolierschicht Verlängerungen auf, die sich unter den Gate-Bus erstrecken, und das Verhältnis L/W&sub3; der Entfernung L zwischen dem Gate-Bus und dem nächsten Dünnfilmtransistor, der an den Gate-Bus angeschlossen ist, zur Breite W&sub3; der Gate-Bus-Leitung ist so gewählt, daß der von dem nächsten Dünnfilmtransistor zur zugehörigen Anzeigeelektrode fließende Strom höher ist um eine Größenordnung einer Ziffernstelle oder oberhalb des Stroms, der von einem parasitären Transistor zum nächsten Dünnfilmtransistor auf der Seite der Gate-Bus-Klemme zur Anzeigeelektrode fließt. Das Verhältnis L/W&sub3; ist vorzugsweise auf einen Wert von zum Beispiel mehr als 4,5 eingestellt.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist jede der Source-Bus-Klemmen als Doppelschichtstruktur aus einer Schicht mit demselben Material wie dem der Source-Bus-Leitungen und einer Schicht aus demselben Material wie dem der Gate-Bus-Leitungen ausgebildet, wobei die letztgenannte Schicht auf der ersten Schicht so angeordnet ist, daß die Abschnitte sowohl der Source-Bus-Klemmen als auch der Gate-Bus-Klemmen direkt an eine externe Treiberschaltung angeschlossen werden können.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind zusätzliche leitfähige Schichten aus demselben Material wie dem der Gate-Bus-Leitungen so auf den Source-Bus-Leitungen ausgebildet, daß sie von den Gate-Bus-Leitungen und den Gate-Elektroden beabstandet angeordnet sind. Die zusätzlichen leitfähigen Schichten weisen die Wirkung auf, daß sie den Widerstand der Source-Bus-Leitungen verringern, so daß eine Anzeige mit einer gleichförmigen Helligkeit über dem gesamten Bildschirm erzielt werden kann. Zusätzlich schirmen die zusätzlichen leitfähigen Schichten Licht ab, so daß zu keinem Zeitpunkt eine wesentliche Lichtmenge hindurchgelassen wird. Daher ist es möglich, eine Bildanzeige mit einem zufriedenstellenden Kontrast zu erhalten.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird amorphes Silizium als Halbleiterschicht des Dünnfilmtransistors eingesetzt, und eine Lichtabschirmschicht aus einem Verbundhalbleiter aus amorphem Silizium mit einer kleineren Energiebandlücke als der Energiebandlücke des amorphen Siliziums wird so ausgebildet, daß sie stetig übergehend in die Halbleiterschicht verläuft.
Darüber hinaus können die voranstehend erläuterten Merkmale kombiniert werden.
Zum besseren Verständnis der Erfindung, und um zu erläutern, wie diese in die Praxis umgesetzt werden kann, wird nun beispielhaft auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, wobei:
Fig. 1 eine fragmentarische Schnittansicht mit einer Darstellung einer gewöhnlichen Flüssigkristallanzeigevorrichtung ist;
Fig. 2 ein Schaltbild mit einer Darstellung der elektrischen Schaltung von Anzeigeelektroden und Dünnfilmtransistoren auf der Flüsssigkristallanzeigevorrichtung von Fig. 1 ist;
Fig. 3 eine fragmentarische Aufsicht ist, mit einer Darstellung von Anzeigeelektroden 15 und Dünnfilmtransistoren 16 bei dem in Fig. 2 gezeigten Aufbau nach dem Stand der Technik;
Fig. 4 eine Schnittansicht entlang der Linie 101-101 in Fig. 3 ist;
Fig. 5 eine Schnittansicht ist, welche einen Dünnfilmtransistor nach dem Stand der Technik mit einer Lichtabschirmschicht zeigt;
Fig. 6 eine fragmentarische Aufsicht ist, ähnlich wie
Fig. 3, jedoch mit einer Darstellung eines Hauptabschnittes einer Flüsssigkristallanzeigevorrichtung gemäß der Erfindung;
Fig. 7 eine Schnittansicht entlang der Linie 102-102 in Fig. 6 ist;
Fig. 8 eine Schnittansicht entlang der Linie 103-103 in Fig. 6 ist;
Fig. 9 eine Schnittansicht entlang der Linie 104-104 in Fig. 6 ist;
Fig. 10 eine Schnittansicht entlang der Linie 105-105 in Fig. 6 ist;
Fig. 11 eine fragmentarische Aufsicht ist, welche eine Anordnung mit Lichtabschirmschichten 25 zeigt, die auf einem transparenten Substrat vorgesehen sind;
Fig. 12A bis 121 Schnittansichten sind, welche einen Herstellungsvorgang der Anzeigeelektroden und Dünnfilmtransistoren von Fig. 6 zeigen;
Fig. 13 eine fragmentarische Schnittansicht ist, welche Anzeigeelektroden und Source-Bus-Leitungen zeigt;
Fig. 14 eine fragmentarische Aufsicht ist, welche Halbleiterschichten zeigt;
Fig. 15A und 15B eine fragmentarische Aufsicht bzw. eine fragmentarische Schnittansicht sind, welche eine Source-Bus-Klemme zeigen;
Fig. 16A und 16B eine fragmentarische Aufsicht bzw. eine fragmentarische Schnittansicht sind, welche eine Gate-Bus-Klemme zeigen; und
Fig. 17 eine fragmentarische Schnittansicht ist, welche einen Dünnfilmtransistor mit einer Lichtabschirmschicht 25 zeigt, die stetig übergehend in eine Halbleiterschicht 21 verläuft.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

Fig. 6 zeigt eine Ausführungsform der Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß der Erfindung. Diese Ausführungsform der Vorrichtung, ebenso wie die voranstehend im Zusammenhang mit Fig. 2 beschriebene Vorrichtung, weist Anzeigeelektroden 15 auf, die als Bildelementelektroden in Zeilen und Spalten angeordnet sind. Teile entsprechend denen in Fig. 1 bis 4 sind durch gleiche Bezugsziffern bezeichnet.
Fig. 6 ist eine Aufsicht ähnlich wie Fig. 1. Fig. 7 ist eine Schnittansicht ähnlich wie Fig. 4, mit einer Darstellung eines Dünnfilmtransistors 16. Fig. 8 ist eine Schnittansicht entlang einer Gate-Bus-Leitung 18. Fig. 9 ist eine Schnittansicht entlang eines Kanalbereichs des Dünnfilmtransistors 16. Fig. 10 ist eine Schnittansicht entlang einer Gate-Bus-Leitung. Nachstehend wird die in den Fig. 6 bis 10 dargestellte Anordnung unter Bezug auf Fig. 11 bis 14 in der Reihenfolge der Herstellungsschritte beschrieben.
Bei dieser Ausführungsform werden Lichtabschirmschichten ausgebildet. Im einzelnen ist, wie in den Fig. 11 und 12A gezeigt, jede Lichtabschirmschicht 25 auf einem Abschnitt des transparenten Substrats 11 zwischen einem Bereich 15', der von einer Anzeigeelektrode 15 eingenommen werden soll, und einem Bereich 19' ausgebildet, der von einer Source-Bus-Leitung 19 eingenommen werden soll. Die Lichtabschirmschicht 25 überlagert Abschnitte der Bereiche 15a' und 19a', die als Source- bzw. Drain-Elektrode 15a bzw. 19a dienen sollen. Die Lichtabschirmschicht 25 besteht beispielsweise aus Chrom und liegt vollständig einem sogenannten Kanalbereich des Dünnfilmtransistors 16 gegenüber. Bei dieser Ausführungsform erstreckt sie sich in einen Bereich 26, der von einem Gate-Bus eingenommen werden soll, zur Ausbildung eines Abschirmabschnitts 25a. Der den Bereich 26 überlagernde Abschirmabschnitt 25a weist eine zusätzliche Breite auf jeder Seite in bezug auf seine sonstigen Abmessungen auf, welche dem Kanalbereich entsprechen.
Daraufhin wird eine Isolierschicht 27, beispielsweise aus Siliziumdioxid, über der gesamten Oberfläche des transparenten Substrats 11 ausgebildet, wie in Fig. 7 bis 10 und 12B gezeigt. Ein transparenter leitfähiger Film 28, beispielsweise aus ITO, wird dann auf der gesamten Oberfläche des Isolierfilms 27 gebildet. Der Film 28 bildet die Anzeigeelektrode 15 und die Source-Bus-Leitungen 19 aus. Eine ohm'sche Kontaktschicht 29, beispielsweise aus amorphem Silizium des n&spplus;-Typs, wird dann auf der gesamten Oberfläche des transparenten leitfähigen Films 28 ausgebildet, wie in Fig. 12D gezeigt, so daß auf verläßliches Weise ein ohm'scher Kontakt mit der Halbleiterschicht erzielt werden kann. Der transparente leitfähige Film 28 und die ohm'sche Kontaktschicht 29 erfahren dann eine selektive Fotoätzung zur Ausbildung von Anzeigeelektroden 15, Drain-Elektroden 15a, Source-Bus-Leitungen 19 und Source-Elektroden 19a, wie in Fig. 7 bis 10 und 13 gezeigt. Zu diesem Zeitpunkt bleibt die ohm'sche Kontaktschicht 29 auf jeder Anzeigeelektrode 15 und jedem Source-Bus 19, wie in Fig. 12E gezeigt.
Eine Halbleiterschicht 21 aus amorphem Silizium oder dergleichen wird dann auf der gesamten Oberfläche des Wafers ausgebildet, wie in Fig. 12F gezeigt. Ein Gate-Isolierfilm 22, beispielsweise ein Siliziumnitridfilm, wird auf dem Halbleiterfilm 21 ausgebildet. Die Halbleiterschicht 21 und der Gate-Isolierfilm 22 erfahren dann eine selektive Fotoatzung, um die Bereiche freizulassen, welche die Dünnfilmtransistoren 16 bilden, also die Bereiche, die sich über die gegenüberliegenden Randkanten der Anzeigeelektroden 15 und der Source-Bus-Leitungen 19 erstrecken, und auf die Bereiche, die den Gate-Bus-Leitungen 18 entsprechen, jedoch geringfügig breiter sind als diese. Die Abschnitte der fotogeätzten Halbleiterschicht 21, die oberhalb der Abschirmabschnitte 25a der Lichtabschirmschicht 25 verbleiben, weisen eine Breite W&sub2; auf, die geringfügig größer ist als die Breite W&sub1; der Abschnitte 25a der fotogeätzten Halbleiterschicht 21, die als Teile der Dünnfilmtransistoren verbleiben, wie in Fig. 14 gezeigt. Zum Zeitpunkt der selektiven Fotoätzmusterbildung des Gate-Isolierfilms 22 und der Halbleiterschicht 21 wird die ohm'sche Kontaktschicht 29 über den Anzeigeelektroden 15 und den Source-Bus-Leitungen 19 entfernt, abgesehen von Abschnitten über den Drain- und Source-Elektroden 15a und 19a. Darüber hinaus werden die Halbleiterschicht 21 und der Gate-Isolierfilm 22 mit exakt demselben Muster versehen, so daß sie einander perfekt überlagern. Die Halbleiterschicht 21 steht in ohm'schem Kontakt mit den Drain- und Source-Elektroden 15a und 19a über die ohm'sche Kontaktschicht 29.
Daraufhin wird, wie in Fig. 12H gezeigt, eine Metallschicht gebildet, beispielsweise eine Aluminiumschicht 31, welche die Gate-Elektroden bildet. Diese Schicht erfährt dann eine selektive Fotoätzung zur Ausbildung der Gate-Elektroden 23 und der Gate-Bus-Leitungen 18, wie in Fig. 6 bis 10 gezeigt. Diese Musterbildung erfolgt so, daß die Kanten der Gate-Elektrode 23 und der Gate-Bus-Leitung 18 nicht mit den entsprechenden Kanten des mit einem Muster versehenen Gate-Isolierfilms 22 fluchten, sondern demgegenüber nach innen beabstandet sind, um eine geringe Entfernung d, beispielsweise um 2 bis 3 um oder mehr, wie in Fig. 6, 7 und 10 gezeigt. Weiterhin werden vorzugsweise zusätzliche leitfähige Schichten 32 aus einer Aluminiumschicht 31 auf den Source-Bus-Leitungen 19 so ausgebildet, daß sich jede entlang einer Seite der benachbarten Anzeigeelektrode 15 zwischen benachbarten zwei Gate-Bus-Leitungen 18 erstreckt, wie in Fig. 6 und 7 gezeigt. Dies bedeutet, daß der Source-Bus 19 vorzugsweise eine Doppelschichtstruktur aufweist. Weiterhin werden vorzugsweise Source-Bus-Klemmen 33 mit einem ähnlichen Doppelschichtaufbau ausgebildet, wie in Fig. 15A und 15B gezeigt ist, wobei jede Source-Bus-Klemme 33 aus einer Schicht 19 aus demselben Material (beispielsweise ITO) wie dem der Source-Bus-Leitung 19 und einer zusätzlichen leitfähigen Schicht 32 besteht.
Weiterhin wird an einer Klemme 38 jeder Gate-Bus-Leitung 18, wie in Fig. 16A und 16B gezeigt, der Wert von L/W&sub3; auf 4,5 oder mehr eingestellt, wobei die Breite der Gate-Bus-Leitung 18 durch W&sub3; bezeichnet ist, und die Entfernung zwischen dem Ende des Gate-Isolierfilms 22 und der Source-Elektrode 19a unter dem Gate-Bus 18 durch L. Bei dem Aufbau gemäß dieser Ausführungsform ist das Ende des Halbleiterschichtabschnitts 21a, welches sich unterhalb der Gate-Bus-Leitung 18 erstreckt, an die Gate-Bus-Klemme 38 angeschlossen, und eine Art eines parasitären FET wird durch die Gate-Bus-Klemme 38 als Source zusammen mit der Drain-Elektrode 15a, der Halbleiterschicht 21a und dem Gate-Bus 18 gebildet. Das voranstehend erwähnte Verhältnis L/W&sub3; ist so eingestellt, daß der Strom, der vom Kanal des Dünnfilmtransistors 16 zur Anzeigeelektrode 15 fließt, um die Größenordnung einer Ziffernstelle oder mehr höher ist als der Strom, der von dem parasitären FET zur Anzeigeelektrode 15 fließt.
Nach der Ausbildung der Dünnfilmtransistoren 16 wird ein Passivierungsfilm 35, der aus einem transparenten Isolierfilm, beispielsweise aus Siliziumnitrid, Polyimid und so weiter besteht, über der gesamten Oberfläche ausgebildet, wie in Fig. 121 gezeigt. Der Passievierungsfilm 35 verhindert einen direkten Kontakt der Dünnfilmtransistoren 16 mit dem Flüssigkristall 14. Daher verbessert er die Stabilität. Zusätzlich verringert er Leckströme zwischen dem Gate 23 und den Source- und Drain-Elektroden 19a und 15a.
Wie voranstehend gezeigt wurde, werden bei der Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß der Erfindung die Halbleiterschicht 21 und der Gate-Isolierfilm 22 unter der gesamten Gate-Elektrode 23 jedes Dünnfilmtransistors 16 und jedem Gate-Bus 18 ausgebildet. Daher ist die Niveaudifferenz zwischen der Gate-Elektrode 23 und dem Gate-Bus 18 in bezug auf das Substrat 11 verringert, und zwar soweit, daß die Bruchanfälligkeit der Verbindung zwischen der Gate-Elektrode 23 und dem Gate-Bus 18 verringert ist. Zusätzlich ist die Möglichkeit eines Kurzschlusses zwischen den Gate- und dem Source-Bus-Leitungen 18 und 19 durch das Vorhandensein der beiden Schichten verringert, also der Halbleiterschicht 21 und des Gate-Isolierfilms 22, zwischen diesen Bus-Leitungen 18 und 19.
Weiterhin sind gemäß der Erfindung die Seitenkanten der Gate-Elektrode 23 und der Gate-Bus-Leitung 18 nach innen voneinander beabstandet angeordnet, und zwar um die Entfernung d in Fig. 7, gegenüber den entsprechenden Seitenkanten des Gate-Isolierfilms 22. Daher ist die Oberflächenentfernung der Drain- oder Source-Elektrode 15a bzw. 19a von der Gate-Elektrode 23 vergrößert, und zwar soweit, daß das Auftreten eines Leckstroms zwischen diesen Elektroden verringert ist. Darüber hinaus weisen der Gate-Isolierfilm 22 und die Halbleiterschicht 21 dasselbe Muster auf und sind exakt einander überlagert. Da diese beiden Schichten gleichzeitig mit einem Muster versehen werden, ist die Möglichkeit einer Kontaminierung zwischen diesen beiden Schichten verringert.
Wenn wie voranstehend erwähnt die zusätzliche leitfähige Schicht 32 auf der Source-Bus-Leitung 19 ausgebildet wird, wird darüber hinaus die Dicke der Source-Bus-Leitung soweit erhöht, daß eine Bruchanfälligkeit der Bus-Leitung verringert ist. Darüber hinaus ist der elektrische Widerstand verringert. Weiterhin wird die zusätzliche leitfähige Schicht 32 gleichzeitig mit der Ausbildung der Gate-Elektrode 23 gebildet und erfordert keinen zusätzlichen Herstellungsschritt. Darüber hinaus führt die Doppelschichtstruktur der Source-Bus-Klemme 33, die aus dem Material der Source-Bus-Leitung 19 und der zusätzlichen leitfähigen Schicht 32 besteht, wie voranstehend im Zusammenhang mit Fig. 15A und 15B erläutert, zu einem weiteren Vorteil. Die Oberfläche der Source-Bus-Klemme 33, die mit einem externen Teil verbunden werden soll, wird durch dasselbe Material gebildet wie die Gate-Bus-Klemme 38. Daher können die Source- und Gate-Bus-Klemmen gleichzeitig und unter denselben Bedingungen an eine externe Treiberschaltung durch thermisches Andrücken oder Löten angeschlossen werden, also auf sehr einfache Weise.
Weiterhin wird gemäß der Erfindung die Lichtabschirmschicht 25 mit dem extra breiten Abschnitt 25a zur Verfügung gestellt. Der Halbleiterschichtabschnitt 21a, der sich unterhalb der Gate-Bus-Leitung 18 erstreckt, erfährt eine Widerstandsverringerung, wenn er externes Licht empfängt, also externes Umgebungslicht oder Beleuchtungslicht. Wenn die extra breiten Abschnitte 25a nicht vorhanden sind, würde sich ein Stromanstieg aus der Widerstandsverringerung zu dem Zeitpunkt ergeben, wenn der Dünnfilmtransistor 16 ausgeschaltet wird. Der extra breite Abschnitt 25a schaltet im wesentlichen eine derartige Stromerhöhung aus. Mit anderen Worten schaltet der extra breite Abschnitt 25a die Wechselwirkung zwischen dem Halbleiterschichtabschnitt 21a unterhalb der Gate-Bus-Leitung 18 und dem Kanalabschnitt des Dünnfilmtransistors 16 aus. Wenn die Lichtabschirmschicht 25 unterhalb der Gesamtlänge jeder Gate-Bus-Leitung 18 vorgesehen ist, so kann ein Stromanstieg beim Ausschalten der Dünnfilmtransistoren 16 wesentlich verringert werden. Allerdings wird in diesem Fall eine hohe elektrostatische Kapazität zwischen der Lichtabschirmschicht 25 und der Gate-Bus-Leitung 18 gebildet, und an die Gate-Elektrode 23 gekoppelt, und dies ist nicht erwünscht.
Die Source-Bus-Leitungen 19 werden durch einen transparenten leitfähigen Film gebildet, der einen verhältnismäßig hohen Widerstand aufweist. Falls angestrebt wird, den Widerstand jeder Source-Bus-Leitung 19 durch Vergrößerung deren Dicke zu verringern, verlängert sich der Herstellungsprozeß. Darüber hinaus tritt wahrscheinlich eine Verschlechterung der Dünnfilmtransistoreigenschaften infolge einer Denaturierung auf. Da die Source-Bus-Leitungen 19 transparent sind, kann die Flüssigkristallanzeigevorrichtung jederzeit Licht in die Bereiche der Source-Bus-Leitungen 19 übertragen. Der Kontrast des angezeigten Bildes wird daher entsprechend verschlechtert. Allerdings schirmt die zusätzliche leitfähige Schicht 32 Licht ab und kann entsprechend den Kontrast verbessern. Zusätzlich verringert sie den Widerstand jeder Source-Bus-Leitung 19. Dies führt zu der Wirkung, daß die Gleichförmigkeit der Helligkeit der Bildanzeige auf der Anzeigevorrichtung verbessert ist.
Der Passivierungsfilm 35 schaltet gegenseitig negative Wirkungen des Flüssigkristalls 14 und der Dünnfilmtransistoren 16 aus. Zusätzlich verringert er die Möglichkeit für das Auftreten derartiger Fehler wie eines Kurzschlusses zwischen Bus-Leitungen infolge einer Reibung. Darüber hinaus kann er jede restliche Gleichspannungskomponente einer Flüssigkristalltreibersignalform abschirmen, also verhindern, daß eine derartige Gleichspannungskomponente über den Flüssigkristall 14 angelegt wird.
Bei der voranstehenden Ausführungsform wurde die Lichtabschirmschicht 25 aus einem Metall hergestellt. Allerdings ist es möglich, Lichtabschirmschichten zur Verfügung zu stellen, die aus anderen Materialien als Metallen bestehen, beispielsweise aus Druckerschwärze, einem lichtabschirmenden Isolierfilm oder einem Verbundhalbleiter, der aus amorphem Silizium und einem nicht absorbierenden Metall besteht.
Fig. 17 zeigt einen Fall, in welchem eine nichtmetallische Lichtabschirmschicht verwendet wird. In diesem Fall ist die nicht metallische Lichtabschirmschicht 25' auf dem transparenten Substrat 11 vorgesehen, und eine Halbleiterschicht 21 aus amorphem Silizium ist auf der Schicht 25' ausgebildet. In diesem Beispiel werden die Lichtabschirmschicht 25', die Halbleiterschicht 21, der Gate-Isolierfilm 22 und die Gate-Elektrode 23 (die Gate-Bus-Leitung 18) durch gleichzeitige selektive Fotoätzmusterbildung unter Verwendung derselben Maske hergestellt. Daraufhin werden eine Anzeigeelektrode 15 und ein Source-Bus 19 direkt so auf dem Substrat 11 ausgebildet, daß ihre Kanten kontinuierlich in entsprechende Kanten der Anzeigeelektrode 15 und der Source-Bus-Leitung 19 übergehend ausgebildet sind. Alternativ zu diesem Beispiel kann eine Isolierschicht, welche Natriumionen abschirmen kann, auf dem transparenten Substrat 11 vorgesehen sein, und die Anzeigeelektrode 15, der Source-Bus 19 und die Lichtabschirmschicht 25', können auf der Isolierschicht vorgesehen sein.
Die Lichtabschirmschicht 25' bei diesem Beispiel besteht aus einem Verbundhalbleiter, welcher amorphes Silizium enthält. Dieser Verbundhalbleiter weist eine engere Energiebandlücke und keinen geringeren spezifischen Widerstand auf als das amorphe Silizium, welches die Halbleiterschicht 21 bildet. Beispielsweise können derartige Verbundhalbleiter verwendet werden wie amorphes Silizium und Germanium und amorphes Silizium und Zinn. Die Energiebandlücke dieser Verbundhalbleiter beträgt 1,0 bis 1,7 Elektronen-Volt, was weniger ist als bei der amorphen Siliziumhalbleiterschicht 21, nämlich 1,7 bis 20 Elektronen-Volt.
Die Lichtabschirmschicht 25' kann unter Verwendung eines sogenannten plasmachemischen Dampfablagerungsverfahrens ausgebildet werden. Eine binäre Verbundhalbleiterschicht aus amorphem Silizium und Germanium kann dadurch erhalten werden, daß SiH- und GeH-Gase als Quellen für die Bestandteile verwendet werden, und deren Mol-Verhältnis entsprechend gesteuert wird. Die auf diese Weise ausgebildete Schicht enthält Silizium und Germanium in Atomgewichtsanteilen von etwa 0,8 : 0,2. Diese Anteile können dadurch geeignet variiert werden, daß das Mol-Verhältnis beim Dampfwachstum geeignet ausgewählt wird. Üblicherweise ist Germanium mit einem größeren Anteil vorgesehen als in dem voranstehend erwähnten Verhältnis von 0,8 : 0,2. Ein binärer Verbundhalbleiter aus amorphem Silizium und Zinn kann dadurch erhalten werden, daß das Mol-Verhältnis von SiH&sub4; und Sn(CH&sub3;)&sub4; entsprechend ausgewählt wird, beispielsweise durch Steuern des Gasflusses. In jedem Fall ist es möglich, einen spezifischen Widerstand von 10&sup8; bis 10¹² Ohm-cm zu erhalten, also im wesentlichen denselben Widerstand wie bei der amorphen Siliziumhalbleiterschicht 21. Es ist möglich, zuerst eine Schicht aus amorphem Silizium und Germanium oder amorphem Silizium und Zinn als Lichtabschirmschicht zu bilden, und dann kontinuierlich eine amorphe Siliziumschicht zu bilden, also die Halbleiterschicht 21.
Die Lichtabschirmschicht aus einem amorphen Siliziumverbundhalbleiter weist keine Probleme bezüglich der elektrostatischen Kapazität und der Isolation zwischen der Schicht und der Anzeigeelektrode und dem Source-Bus auf. Darüber hinaus läßt sie sich einfach herstellen.
Allerdings kann die Lichtabschirmschicht 25' weggelassen werden. Darüber hinaus sind die Anzeigeelektroden 15 nicht auf die Bildelementelektroden beschränkt und können auch in anderen Formen verwendet werden. Beispielsweise können sieben Anzeigeelektroden als jeweilige Segmente einer Figur acht angeordnet sein, und selektiv zum Anzeigen einer Figur getrieben werden.

Claims

1. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit:

einer Flüssigkristallzelle mit einem ersten und zweiten transparenten Substrat (11, 12), die um eine geringe Entfernung voneinander entfernt sind und einander gegenüber liegen, und einem Flüssigkristall (14), der dichtend zwischen dem ersten und dem zweiten transparenten Substrat (11, 12) eingeschlossen ist;

einer gemeinsamen Elektrode (17), die durch einen transparenten leitfähigen Film gebildet wird, der auf der Innenoberfläche des ersten transparenten Substrats (12) vorgesehen ist;

mehreren Anzeigeelektroden (15), die durch einen transparenten leitfähigen Film gebildet werden, der auf der Innenoberfläche des zweiten transparenten Substrats (11) vorgesehen ist;

mehreren Dünnfilmtransistoren (16), die jeweils Drains aufweisen, die mit den zugehörigen Anzeigeelektroden (15) verbunden sind;

wobei jeder der Dünnfilmtransistoren (16) umfaßt:

eine Drain-Elektrode (15a), die durch einen Abschnitt der Anzeigeelektrode gebildet wird;

eine Source-Elektrode (19a), die elektrisch mit einer entsprechenden Source-Bus-Leitung (19) verbunden ist; eine Halbleiterschicht (21), die zwischen der Drain- und Source-Elektrode (15a, 19a) angeordnet ist und diese überlagert;

einen Gate-Isolierfilm (22), welcher die Halbleiterschicht (21) überlagert; und

eine Gate-Elektrode (23), die an eine entsprechende Gate-Bus-Leitung (18) angeschlossen und auf dem Gate-Isolierfilm (22) ausgebildet ist, wobei eine Kante der Gate-Elektrode (23) gegenüber der entsprechenden Kante des Gate-Isolierfilms (22) so zurückspringt, daß die Gate-Elektrode den Gate-Isolierfilm nur teilweise überlagert, dadurch gekennzeichnet, daß

der Gate-Isolierfilm (22) dasselbe Muster wie die Halbleiterschicht (21) aufweist und diese exakt überlagert.

2. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 1, bei welcher zusätzliche leitfähige Schichten (32) auf den Source-Bus-Leitungen aus demselben Material wie dem der Gate-Bus-Leitungen vorgesehen sind, und von den Gate-Elektroden und den Gate-Bus-Leitungen beabstandet angeordnet sind.

3. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, bei welcher die Source-Bus-Leitungen (19) Klemmen aufweisen, von denen jede durch ein Laminat aus einer ersten Schicht desselben Materials wie dem der Source-Bus-Leitungen und einer zweiten Schicht aus demselben Material wie dem der Gate-Bus-Leitung gebildet wird.

4. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei welcher die Halbleiterschicht (21) und der Gate-Isolierfilm (22) Verlängerungen (21a) aufweisen, die unterhalb der Gate-Bus-Leitung (18) angeordnet sind.

5. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 4, welche weiterhin einen parasitären Transistor aufweist, der durch die Drain-Elektrode (15a), die Halbleiterverlängerungsschicht (21a) und die Gate-Bus-Leitung (18) gebildet wird, wobei das Verhältnis L/W&sub3; so ausgewählt ist, daß der Strom, der von dem nächsten Dünnfilmtransistor zur zugehörigen Anzeigeelektrode fließt, zumindest eine Größenordnung höher ist als der Strom, der über den parasitären Transistor zur Anzeigeelektrode fließt, wobei L die Entfernung von einem Ende jeder der Verlängerungen zum nächsten Dünnfilmtransistor ist, der an die Gate-Bus-Leitung angeschlossen ist, und W&sub3; die Breite der Gate-Bus-Leitung ist.

6. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 5, bei welcher das Verhältnis L/W&sub3; 4,5 oder mehr beträgt.

7. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der voranstehenden Ansprüche, bei welcher weiterhin Lichtabschirmschichten (25) vorgesehen sind, die jeweils auf dem zweiten transparenten Substrat ausgebildet sind und jeweils einem zugehörigen Dünnfilmtransistor (16) oberhalb gegenüberliegen.

8. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 7, bei welcher weiterhin extra breite Abschnitte (25a) vorgesehen sind, von denen jeder als eine Verlängerung jeder der Lichtabschirmschichten (25) ausgebildet ist und im wesentlichen einen Schnittbereich zwischen der Gate-Bus-Leitung (18) und der Source-Bus-Leitung (19) einnimmt.

9. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 7 oder 8, bei welcher die Lichtabschirmschichten durch einen Verbundhalbleier aus amorphem Silizium gebildet werden, welcher eine geringere Energiebandlücke aufweist sowie einen spezifischen Widerstand, der nicht kleiner ist als der von amorphem Silizium.

10. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 9, bei welcher jede der Lichtabschirmschichten einen extra breiten Abschnitt aufweist, der als ihre Verlängerung gebildet ist, so daß er einen Schnittbereich zwischen der Gate-Bus-Leitung (18) und der Source-Bus-Leitung (19) einnimmt.

11. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 10, bei welcher jede der Lichtabschirmschichten mit dem extra breiten Abschnitt durch eine Metallschicht gebildet wird, und eine Isolierschicht zwischen der Lichtabschirmschicht und der zugehörigen Halbleiterschicht vorgesehen ist.

12. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 10, bei welcher die Lichtabschirmschichten mit den extra breiten Abschnitten im wesentlichen denselben spezifischen Widerstand aufweisen wie die Halbleiterschichten, und jeweils stetig übergehend in die zugehörige Halbleiterschicht ausgebildet sind.

13. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 12, bei welcher die Halbleiterschichten aus amorphem Silizium bestehen, und die Lichtabschnittschichten mit den extra breiten Abschnitten aus einem Verbundhalbleiter bestehen, beispielsweise aus amorphem Silizium/Germanium oder amorphem Silizium/Zinn mit einer Energiebandlücke, die kleiner ist als die Energiebandlücke des amorphen Siliziums.

14. Flüssigkristallenzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 13, bei welcher die Source- und Drain-Elektroden stetig übergehend in die Lichtabschirmschicht ausgebildet sind, und die Lichtabschirmschicht, die Halbleiterschicht, der Gate-Isolierfilm und die Gate-Elektrode dasselbe Muster aufweisen.