DE202008005987U1 - LED-Modul mit kalottenförmiger Farbkonversionsschicht - Google Patents

LED-Modul mit kalottenförmiger Farbkonversionsschicht Download PDF

Info

Publication number
DE202008005987U1
DE202008005987U1 DE202008005987U DE202008005987U DE202008005987U1 DE 202008005987 U1 DE202008005987 U1 DE 202008005987U1 DE 202008005987 U DE202008005987 U DE 202008005987U DE 202008005987 U DE202008005987 U DE 202008005987U DE 202008005987 U1 DE202008005987 U1 DE 202008005987U1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
led module
dispensing
led
led chip
dome
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE202008005987U
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ledon Lighting Jennersdorf GmbH
Lumitech Produktion und Entwicklung GmbH
Original Assignee
Ledon Lighting Jennersdorf GmbH
Lumitech Produktion und Entwicklung GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ledon Lighting Jennersdorf GmbH, Lumitech Produktion und Entwicklung GmbH filed Critical Ledon Lighting Jennersdorf GmbH
Priority to DE202008005987U priority Critical patent/DE202008005987U1/de
Priority to PCT/EP2009/003103 priority patent/WO2009132833A2/de
Priority to CN2009801213074A priority patent/CN102057508B/zh
Priority to US12/990,457 priority patent/US8502251B2/en
Priority to EP09737877A priority patent/EP2269237A2/de
Publication of DE202008005987U1 publication Critical patent/DE202008005987U1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Optical Measuring Cells (AREA)

Abstract

LED-Modul, aufweisend:
– einen LED-Chip, der monochromatisches Licht eines ersten Spektrums aussendet
– eine Plattform, auf die der LED-Chip aufgebracht ist,
– eine separat oder integriert mit der Plattform ausgebildete, den LED-Chip allseits umgebende reflektierende Wand, und
– eine über dem LED-Chip aufgebrachte Dispensschicht
dadurch gekennzeichnet,
dass sich die Dispensschicht kalottenförmig über die reflektierende Wand hinaus erstreckt, derart, dass die folgende Gleichung erfüllt ist: 0,1·b1 ≤ h1 ≤ 0,5·b1 wobei:
h1 die Überhöhung der kalottenförmigen Dispensschicht, gemessen von dem obersten Punkt der reflektierenden Wand bis zum Scheitel der Kalotte, und
b1 der Durchmesser der durch die reflektierende Wand gebildeten Vertiefung, gemessen als Abstand der Mittenachse der Wand, ist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich ganz allgemein auf das Gebiet von LED-Modulen, d. h. Modulen, bei denen ein LED-Chip ('LED die') auf einem Träger, im allgemeinen Plattform, aufgebracht wird. Unter anderem zum mechanischen Schutz beispielsweise von Bonddrähten und auch zur Beeinflussung von optischen Eigenschaften des von dem LED-Chip abgestrahlten Lichts ist es bekannt, bei derartigen LED-Modulen dann eine lichtdurchlässige Schicht durch bekannte Techniken (beispielsweise Stenzeltechnik) über den LED-Chip zu aufzubringen („dispensen”).
  • Hinsichtlich der Anbringung des LED-Chips auf der Plattform gibt es unterschiedliche Technologien. Bei der sogenannten Chip-On-Board(COB)-Technik wird im Normalfall der lichtemittierende LED-Chip direkt auf eine Leiterplatte aufgesetzt und dann mit dem transparenten Dispensmaterial verkapselt. Bei der Surface-Mount-Technologie (SMT) wird der Chip üblicherweise mit einem reflektierenden Material umgeben, um den Lichtanteil zu verringern, der sonst durch Streueffekte verlorengehen könnte.
  • Im Folgenden wird die Gesamtheit des den LED-Chip umgebenden Materials (Reflektorwände, Plattform, etc.) als 'Package' bezeichnet. Aufgabe des 'Packages' ist es, neben der Verbesserung der Effizienz durch Vorausrichtung des ausgestrahlten Lichts mittels reflektierender Oberflächen (Keramik, Metall, etc.) insbesondere die elektrische Versorgung des LED-Chips sicherzustellen (beispielsweise durch Durchkontaktierungen 'Vias' durch das Package oder Bonddrähte) sowie eine effektive Wärmeabfuhr vom LED-Chip an die Umgebung zu gewährleisten.
  • Als transparentes Dispensmaterial ist beispielsweise Silikon und Epoxidharz bekannt. Das transparente Dispensmaterial kann ggf. wellenlängen-konvertierende Substanzen (im Weiteren Leuchtstoffe genannt), Streupartikel zur besseren Durchmischung des konvertierten Spektrums mit dem ursprünglich von dem LED-Chip ausgestrahlten Spektrum sowie Additive zur Anpassung rheologischer Parameter wie Viskosität, Speichermodul und Verlustmodul enthalten.
  • Die nicht ausgehärtete Mischung des Dispensmaterials mit fakultativ aufgenommenen Leuchtstoffen (englisch 'phosphors'), Viskositätsadditiven usw. wird im Folgenden auch als 'Paste' bezeichnet.
  • Im COB-Bereich werden üblicherweise zum Dispensen hochviskose Pasten eingesetzt, d. h. Pasten mit einer Viskosität von mehr als 50 Pa·s, und einem Speichermodul von mehr als 100 und vorzugsweise 500–1000, um eine annähernd halbkugelförmige Oberflächenform sowie mechanische Stabilität und Formstabilität der Dispensschicht zu gewährleisten.
  • Bei sehr kompakten Packages, wo ggf. mehrere Kavitäten zur Aufnahme von LED-Chips dicht gepackt auf einem Siliziumwaver nebeneinander liegen, kann das Dispensen derartig hochviskoser Pasten indessen aufgrund möglicher Lufteinschlüsse Probleme bereiten. Die Gefahr von Lufteinschlüssen kann durch ein Absenken der Viskosität sowohl zusätzlich durch Erhöhung der Scherkraft während des Dispensprozesses verringert werden. Jedoch erhöht sich in diesem Fall die Gefahr des Zusammenfließens des Silikons zwischen zwei und mehreren nebeneinander liegenden Kavitäten.
  • Aus der EP 1786045A2 ist es bekannt, eine Dispensschicht über einen in einer Vertiefung einer Plattform angebrachten LED-Chip durch einen Dispensprozess aufzubringen.
  • Aus der US 2006/0199293 A1 ist es bekannt, über einem LED-Chip ein Epoxidharz mit einer Viskosität von 2000 bis 3000 cP (2 bis 3 PaS) zu dispensen.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche. Die abhängigen Ansprüche bilden den zentralen Gedanken der Erfindung in besonders vorteilhafter Weise weiter.
  • Gemäß einem ersten Aspekt schlägt die Erfindung ein LED-Modul vor, aufweisend:
    • – einen LED-Chip, der monochromatisches Licht eines ersten Spektrums aussendet
    • – eine Plattform, auf die der LED-Chip aufgebracht ist,
    • – eine separat oder integriert mit der Plattform ausgebildete, den LED-Chip allseits umgebende reflektierende Wand, und
    • – eine über dem LED-Chip aufgebrachte Dispensschicht
  • Dabei erstreckt sich die Dispensschicht kalottenförmig über die reflektierende Wand hinaus, derart, dass die folgende Gleichung erfüllt ist: 0,1·b1 ≤ h1 ≤ 0,5·*b1wobei h1 die Überhöhung der kalottenförmigen Dispensschicht, gemessen von dem obersten Punkt der reflektierenden Wand bis zum Scheitel der Kalotte, und b1 der Durchmesser der durch die reflektierende Wand gebildeten Vertiefung, gemessen als Abstand der Mittenachse der Wand, ist.
  • Die stark überhöhte Kalotte weist folgende Vorteile auf:
    • – Verbesserung der Lichtauskopplungseffizienz
    • – Verbesserung der Farbhomogenität des über die verschiedenen Winkel abgestrahlten Lichts
    • – Erhöhung der Packungsdichte am Wafer, am Modul bzw. auf der Leiterplatte
    • – Erniedrigung des Dispensvolumens
  • Die Dispensschicht ist bspw. eine Farbkonversionsschicht mit Leuchtstoff-Partikeln, die das erste Spektrum des LED-Chips teilweise in Licht eines zweiten Spektrums umsetzen,
    wobei das LED-Modul ein Mischlicht des ersten und des zweiten Spektrums emittiert.
  • Die Dispensschicht kann Streupartikel aufweisen.
  • Die Dispensschicht kann viskositätserhöhende Substanzen wie bspw. Kieselsäure aufweisen.
  • Vorzugsweise ist die Gleichung 0,15·b1 ≤ h1 ≤ 0,3·b1 oder 0,2·b1 ≤ h1 ≤ 0,25·b1 erfüllt.
  • Vorzugsweise ist h1 größer als 200 μm, vorzugsweise größer als 250 μm, besonders bevorzugt größer als 300 μm ist.
  • Die Plattform kann bspw. auf Grundlage von Silizium gefertigt sein.
  • Die Außenkanten des bspw. quadratischen oder rechteckigen LED-Moduls können eine Länge im Bereich von 2 mm bis 3 mm aufweisen.
  • Der maximale Durchmesser b2 der Kalotte kann bspw. maximal 10%, vorzugsweise 5% kleiner sein als der Abstand b1 der Mittenachse der Wand.
  • Die Erfindung bezieht sich auch auf eine LED-Modulanordnung, aufweisend mehrere mit einer gemeinsamen Plattform verbundene LED-Module der oben genannten Art. Dabei überlappen die Dispensschichten mit den Reflektorwänden, wobei einander angrenzende Dispensschichten nicht ineinander verlaufen und auf einer gemeinsamen Reflektorwand voneinander beabstandet sind.
  • Die Dispensschicht kann bspw. mit einer Viskosität vom mehr als 50 PaS, vorzugsweise zwischen 60 und 80 PaS aufgebracht wird.
  • Die Dispensschicht kann mit einem Druck von mehr als 10 bar, vorzugsweise weniger als 15 bis 20 bar aufgebracht werden. Ein höherer Druck ist vorteilhaft, da das Fließverhalten beim Dispensen durch hohen Druck kurzfristig verbessert wird.
  • Das Speichermodul der Dispensschicht kann beim Aufbringen zwischen 500–1000, vorzugsweise 500–1000 betragen.
  • Weitere Vorteile, Merkmale und Eigenschaften der Erfindung sollen nunmehr unter Bezugnahme auf die Abbildungen der begleitenden Zeichnungen näher erläutert werden.
  • 1 zeigt eine seitliche Schnittanordnung einer erfindungsgemäßen LED-Moduls, und
  • 2 zeigt eine Aufsicht einer erfindungsgemäßen Anordnung von LED-Modulen.
  • Wie in 1 ersichtlich weist ein erfindungsgemäßes LED-Modul 1 eine beispielsweise waferartige Plattform 2 auf, die beispielsweise auf Silizium-Grundlage gefertigt sein kann. Auf der Oberseite 3 dieser Plattform 2 ist ein LED-Chip 4 angeordnet.
  • Auf der Oberseite der Plattform 2 kann eine SiC2-Schicht aufgebracht sein.
  • In dem dargestellten Beispiel liegt eine sogenannte Face-Up (FU) Konfiguration vor, d. h. Elektroden 5, 5' auf der Oberseite des LED-Chips 4 sind mittels Bonddrähten 6, 6' mit Metallisierungs-Pads 7, 7' auf der Oberseite der Plattform 2 elektrisch verbunden. Von den Metallisierung-Pads 7, 7' führen metallische Durchkontaktierungen („Vias”) 8, 8' beispielsweise aus Au, Al oder Ag auf die Rückseite der Plattform 2, um somit die Elektroden 5, 5' des LED-Chips 4 mit der Rückseite der Plattform 2 zu verbinden.
  • Seitlich in einem definierten Abstand den LED-Chip 4 umgebend ist eine Reflektorwand 9 vorgesehen, die ebenfalls aus Silizium bestehen kann. Diese Reflektorwand 9 kann einstückig mit der Plattform 2 ausgebildet werden (beispielsweise durch einen Ätzvorgang), oder aber als separates Bauteil auf die Plattform 2 aufgesetzt sein. Vorzugsweise sind zumindest die Innenwände 10 dieser Reflektorwand 9 mit einem Winkel α geneigt. Vorzugsweise sind diese Innenseiten 10 auch reflektierend ausgebildet, beispielsweise durch Polieren dieser Flächen oder aber durch Beschichten beispielsweise mit einer Metallschicht. Die Oberseite 13 einer jeden Reflektorwand 9 ist vorzugsweise eben.
  • Oberhalb des LED-Chips 4 ist eine Dispensschicht 11 aufgebracht. Diese Dispensschicht 11 füllt den durch die Reflektorwand 9 definierten Raum, der also teilweise seitlich des LED-Chips 4 und teilweise oberhalb von diesem liegt. Darüber hinaus erstreckt sich indessen die Dispensschicht 11 um eine Überhöhung h1 in Form einer Kalotte über den höchsten Punkt der Reflektorwand 9 hinaus. Dieser höchste Punkt der Reflektorwand 9 ist in 1 derart angeordnet, dass er in einer Höhe h2 über der Oberseite der Plattform 2 liegt. Die Höhe h1 bezeichnet genauer gesagt die Überhöhung des Scheitels 12 der kalottenförmigen Dispensschicht über den höchsten Punkt der Reflektorwand 9.
  • Die Breite der Basis der Kalotte, d. h. der Durchmesser der Kalotte an der Oberseite der Reflektorwand 9 ist in 1 mit b2 bezeichnet.
  • b3 bezeichnet die Breite (d. h. den Durchmesser bei runder Form) des höchsten Punkts der geneigten Innenseiten 10 der Reflektorwand 9.
  • Mit b2 ist der Durchmesser der vorzugsweise kreisförmigen Reflektorwand 9 bezeichnet, und zwar gemessen an der Innenseite an der Mittellinie, die die Oberseite 13 der Reflektorwand 9 hälftig teilt. Bei der in 1 gezeigten symmetrischen Ausgestaltung der Reflektorwand 9, bei der diese also jeweils um einen Winkel α geneigte Wände 10 bzw. 14 aufweist, entspricht also die Breite b1 dem Durchmesser der kreisförmigen Reflektorwand 9, gemessen an der vertikalen Symmetrieachse der Reflektorwand.
  • Vorzugsweise ist der Durchmesser b2, d. h. der Durchmesser der Basis der Kalotte 11 derart gewählt, dass er maximal 10%, vorzugsweise 5% oder noch weniger unter dem Durchmesser b1 liegt. Dies bedeutet, dass die Kalotten bei einer in der Aufsicht in 2 dargestellten Anordnung mehrerer LED-Module gemäß 1 nahezu aneinandergrenzen, ohne indessen ineinander zu verlaufen.
  • Die kalottenförmigen Dispensschichten überlappen mit der Oberseite 13 der vorzugsweise ebenen Reflektorwand.
  • Erfindungsgemäß wurde nunmehr herausgefunden, dass bei Steigerung der Überhöhung der Dispensschicht, also bei einer besonders konvexen Ausgestaltung der kalottenförmigen Dispensschicht, die Auskopplungseffizienz des Lichts gesteigert werden kann, wobei dieser Effekt erfindungsgemäß umso höher ist,
    • – je höher die Wellenlänge des Lichtes ist, d. h. beispielsweise ist für rote LEDs bei gleichbleibender Oberflächenform und gleicher Zusammensetzung der Dispensschicht der Effizienzgewinn des Lichtaustritts größer als beispielsweise für blaue oder grüne LEDs,
    • – je größer das Verhältnis h1/b1 ist, und
    • – je weniger Leuchtstoffe in der Dispensmatrix enthalten sind, d. h. bei gleichem Chip und gleicher Chipleistung ist für transparente, monochromatische LEDs (d. h. ohne konvertierende Leuchtstoffe) der Effizienzgewinn höher als für entsprechend farbkonvertierte LEDs.
  • Wenn beispielsweise das Verhältnis h1/b1 derart gewählt ist, dass folgende Gleichung erfüllt ist: 0,15·b1 ≤ h1 ≤ 0,25·b1wurde erfindungsgemäß gemessen, dass der Effizienzgewinn bzgl. des Lichtaustritts wie folgt ist:
    • rote LEDs: 30–40%
    • blaue LEDs: 20–30%
    • weiße LEDs: 6.500 k) 12–17%
  • Durch einen Linseneffekt der konvexen Dispensschicht, der umso stärker ist, je stärker die Krümmung ist, wird zusätzlich die Abstrahlcharakteristik verändert, d. h. mit steigender Überhöhung deutlich verengt, wobei diese Veränderung wiederum für monochromatische LEDs stärker ist als für farbkonvertierte. Dieser Unterschied liegt in Streueffekten der Leuchtstoffe begründet.
  • Erfindungsgemäß wird eine Dispensschicht mit hoher Konvexität dadurch erzielt, dass einerseits viskositätserhöhende Substanzen beispielsweise der Silikonmatrix beigemischt werden. Diese viskositätserhöhenden Substanzen kann beispielsweise beschichtete oder unbeschichtete Kieselsäure sein. Andererseits werden beim Dispensprozess sehr hohe Scherkräfte unter Verwendung von Dispensnadeln und eines hohen Dispensdruckes erzeugt, wodurch ein kurzfristiges Fließen der sonst hochviskosen Paste möglich wird.
  • Die Erfindung hat nunmehr herausgefunden, dass die hohe Konvexität auch einen positiven Effekt auf die Farbhomogenität des Lichts bei Weißlicht-LEDs hat. Unter Homogenität wird in diesem Sinne verstanden, wie sehr sich die Farbtemperatur bei Betrachtung in einem Polardiagramm über die verschiedenen Abstrahlwinkel verändert. Bei der Erfindung ist der Weg des Lichts durch die stark konvexe Schicht am Rande der Dispensschicht im Wesentlichen gleich der dem Weg bei der Mitte der Dispensschicht.
  • Es ist darauf hinzuweisen, dass die Reflektorwand 9 in der Aufsicht nicht rund oder elliptisch sein muss, sondern vielmehr auch quadratisch bzw. rechteckig ausgelegt sein kann.
  • In der folgenden Tabelle sind Standardwerte für die Herstellung bzw. die Auslegung von LED-Modulen mit beispielhaften Werten gemäß der Erfindung verglichen:
    Parameter
    Stand der Technik Ausführungsbeispiel
    b1 2,50 2,50 mm
    h1 100–200 > 200 μm
    Viskosität 10–30 60–80 Pa·s
    Speichermodul 30–100 500–1200
    Dispensdruck 4 30 bar
  • Wie in 1 und 2 ersichtlich, können gemäß der Erfindung zeilen- oder matrixartig, d. h. in einer oder zwei Dimensionen, LED-Module zur Bildung einer LED-Modulanordnung aneinander angrenzend angeordnet werden. Diese LED-Modulanordnung hat eine gemeinsame Plattform 2. aneinander angrenzende Dispensschichten (12, 12') überlappen eine gemeinsame Reflektorwand (9' in 1), ohne ineinander zu verlaufen. Wie in 1 ersichtlich besteht zwischen zwei aneinander angrenzenden kalottenförmigen Dispensschichten ein Abstand x, der kleiner ist als die Breite 13 der oben ebenen Reflektorwand.
  • Die Erfindung betrifft insbesondere COB- und SMT-Module mit LED-Chips. Bei diesen ergeben sich die folgenden Vorteile:
    Durch die hohe Viskosität und den hohen Speichermodul beim Dispensvorgang kann eine verstärkte konvexe Krümmung der Oberfläche der Silikonverkapselung erzielt werden (Erhöhung des Verhältnisses h1/b1). Dadurch wird einerseits die Auskopplungseffizienz des Lichts verbessert wird, da Totalreflexionseffekte und Lichtleitereffekte verringert werden. Andererseits können bei vorgegebener Höhe der Dispensschicht (h1, siehe Abbildungen) das Dispensvolumen verringert und die Packungsdichte erhöht werden (da das Silikon zwischen Dispens- und Aushärteprozess wenig bis gar nicht verläuft).
  • Im Falle von COB kann die Chipdichte auf der Leiterplatte erhöht werden.
  • Bei SMT, beispielsweise bei Silizium-Plattformen, liegen die einzelnen Kavitäten dicht geplackt auf einem Si-Wafer, auf welchem – bei 8-Zoll Wafern – bis zu mehreren Tausend Kavitäten Platz finden. Bei entprechender Rheologie der Dispenspaste kann einerseits – bei konstanter Packungsdichte – die Höhe h1, andererseits – bei vorgegebener h1 – die Packungsdichte erhöht werden.
  • Es ergeben sich auch Vorteile hinsichtlich der Farbhomogenität. Normalerweise ist bei niedriger konvexer Silikonverkapselung in COB bzw. bei SMT die durchschnittliche Weglänge eines Photons vom LED-Chip zur Silikonoberfläche entlang der optischen Achse geringer als anderswo, wobei die durchschnittliche Weglänge umso länger wird, je weiter man sich von der optischen Achse wegbewegt. Durch Erhöhung des Verhältnisses h1/b1 (siehe Abbildungen) wird die maximale Differenz der durchschnittlichen Weglängen verringert, d. h. bei farbkonvertierten Weißlicht-LEDs wird der farbliche Eindruck der Oberfläche bei einer bestromten LED homogener.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - EP 1786045 A2 [0008]
    • - US 2006/0199293 A1 [0009]

Claims (9)

  1. LED-Modul, aufweisend: – einen LED-Chip, der monochromatisches Licht eines ersten Spektrums aussendet – eine Plattform, auf die der LED-Chip aufgebracht ist, – eine separat oder integriert mit der Plattform ausgebildete, den LED-Chip allseits umgebende reflektierende Wand, und – eine über dem LED-Chip aufgebrachte Dispensschicht dadurch gekennzeichnet, dass sich die Dispensschicht kalottenförmig über die reflektierende Wand hinaus erstreckt, derart, dass die folgende Gleichung erfüllt ist: 0,1·b1 ≤ h1 ≤ 0,5·b1 wobei: h1 die Überhöhung der kalottenförmigen Dispensschicht, gemessen von dem obersten Punkt der reflektierenden Wand bis zum Scheitel der Kalotte, und b1 der Durchmesser der durch die reflektierende Wand gebildeten Vertiefung, gemessen als Abstand der Mittenachse der Wand, ist.
  2. LED-Modul nach Anspruch 1, wobei die Dispensschicht eine Farbkonversionsschicht mit Leuchtstoff-Partikeln ist, die das erste Spektrum des LED-Chips teilweise in Licht eines zweiten Spektrums umsetzen, wobei das LED-Modul ein Mischlicht des ersten und des zweiten Spektrums emittiert.
  3. LED-Modul nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Dispensschicht Streupartikel aufweist.
  4. LED-Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Dispensschicht viskositätserhöhende Substanzen wie bspw. Kieselsäure aufweist.
  5. LED-Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Gleichung 0,15·b1 ≤ h1 ≤ 0,3·b1 erfüllt ist.
  6. LED-Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei h1 größer als 200 μm, vorzugsweise größer als 250 μm, besonders bevorzugt größer als 300 μm und die Kantenlänge der Kavität 2–3 mm ist.
  7. LED-Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Plattform auf Grundlage von Silizium gefertigt ist.
  8. LED-Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dessen Außenkanten eine Länge im Bereich von 2 mm bis 3 mm aufweisen.
  9. LED-Modulanordnung, aufweisend mehrere mit einer gemeinsamen Plattform verbundene LED-Module nach einem der vorhergehenden Ansprüchen, wobei die Dispensschichten mit den Reflektorwänden überlappen, wobei einander angrenzende Dispensschichten nicht ineinander verlaufen und auf einer gemeinsamen Reflektorwand voneinander beabstandet sind.
DE202008005987U 2008-04-30 2008-04-30 LED-Modul mit kalottenförmiger Farbkonversionsschicht Expired - Lifetime DE202008005987U1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE202008005987U DE202008005987U1 (de) 2008-04-30 2008-04-30 LED-Modul mit kalottenförmiger Farbkonversionsschicht
PCT/EP2009/003103 WO2009132833A2 (de) 2008-04-30 2009-04-29 Led-modul mit kalottenförmiger farbkonversionsschicht
CN2009801213074A CN102057508B (zh) 2008-04-30 2009-04-29 带有球冠状颜色转换层的发光二极管模块
US12/990,457 US8502251B2 (en) 2008-04-30 2009-04-29 LED module comprising a dome-shaped color conversion layer
EP09737877A EP2269237A2 (de) 2008-04-30 2009-04-29 Led-modul mit kalottenförmiger farbkonversionsschicht

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE202008005987U DE202008005987U1 (de) 2008-04-30 2008-04-30 LED-Modul mit kalottenförmiger Farbkonversionsschicht

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE202008005987U1 true DE202008005987U1 (de) 2009-09-03

Family

ID=40908541

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE202008005987U Expired - Lifetime DE202008005987U1 (de) 2008-04-30 2008-04-30 LED-Modul mit kalottenförmiger Farbkonversionsschicht

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8502251B2 (de)
EP (1) EP2269237A2 (de)
CN (1) CN102057508B (de)
DE (1) DE202008005987U1 (de)
WO (1) WO2009132833A2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102044616A (zh) * 2009-10-19 2011-05-04 Lg伊诺特有限公司 发光设备和照明系统

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010028246A1 (de) * 2010-04-27 2011-10-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102010023955A1 (de) * 2010-06-16 2011-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
JP2012039031A (ja) * 2010-08-11 2012-02-23 Nitto Denko Corp 発光装置
US9373606B2 (en) * 2010-08-30 2016-06-21 Bridgelux, Inc. Light-emitting device array with individual cells
CN102109116B (zh) * 2010-12-27 2016-06-22 秦彪 Led光模组和led芯片
KR101181224B1 (ko) * 2011-03-29 2012-09-10 성균관대학교산학협력단 Led 패키지 및 그 제조방법
US20130175516A1 (en) * 2011-09-02 2013-07-11 The Procter & Gamble Company Light emitting apparatus
JP6318495B2 (ja) * 2013-08-07 2018-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
SG11201601050PA (en) * 2013-09-10 2016-03-30 Heptagon Micro Optics Pte Ltd Compact opto-electronic modules and fabrication methods for such modules
US10032969B2 (en) * 2014-12-26 2018-07-24 Nichia Corporation Light emitting device
US9966514B2 (en) * 2015-07-02 2018-05-08 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. Light emitting diode package structure and fabrication method
CN109804476A (zh) * 2017-09-15 2019-05-24 厦门市三安光电科技有限公司 一种白光led封装结构以及白光源系统
CN109962080A (zh) * 2017-12-22 2019-07-02 财团法人工业技术研究院 显示装置
WO2019233724A1 (en) * 2018-06-06 2019-12-12 Lumileds Holding B.V. Light emitting module and its producing method
CN109817797A (zh) * 2019-01-23 2019-05-28 佛山市国星光电股份有限公司 Led器件和灯组阵列

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6069440A (en) * 1996-07-29 2000-05-30 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device having a nitride compound semiconductor and a phosphor containing a garnet fluorescent material
DE10105802A1 (de) * 2001-02-07 2002-08-08 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Reflektorbehaftetes Halbleiterbauelement
EP1215723B1 (de) * 2000-12-18 2004-03-10 Nitto Denko Corporation Verfahren zur Herstellung von Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung von Fotohalbleitervorrichtung
EP1418630A1 (de) * 2002-11-07 2004-05-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led
DE29724849U9 (de) * 1996-09-20 2005-04-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtabstrahlendes optisches Bauelement mit einer wellenlängenkonvertierenden Vergußmasse
DE19921684B4 (de) * 1999-05-12 2006-01-19 Vossloh-Schwabe Optoelectronic Gmbh & Co. Kg Beleuchtungselement mit Halbleiterchips
US20060199293A1 (en) 2005-03-07 2006-09-07 Peh Thomas K G Method for fabricating light-emitting devices utilizing a photo-curable epoxy
DE102005009066A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement
US20070096129A1 (en) * 2005-10-27 2007-05-03 Lg Innotek Co., Ltd Light emitting diode package and method of manufacturing the same
EP1786045A2 (de) 2005-11-15 2007-05-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. LED-Gehäuse
DE102006005042A1 (de) * 2006-02-03 2007-08-09 Tridonic Optoelectronics Gmbh Licht emittierende Vorrichtung mit nicht-aktiviertem Leuchtstoff
DE19947044B9 (de) * 1999-09-30 2007-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement mit Reflektor und Verfahren zur Herstellung desselben
WO2007116342A1 (en) * 2006-04-10 2007-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting diode module

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05291629A (ja) 1992-02-10 1993-11-05 Toshiba Corp 発光表示装置及びその製造方法
JPH07211943A (ja) * 1994-01-25 1995-08-11 Nikon Corp 光源装置
JP2002015872A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd El素子
US6773139B2 (en) * 2001-09-17 2004-08-10 Gelcore Llp Variable optics spot module
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US8039849B2 (en) * 2005-11-23 2011-10-18 Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. LED module

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6069440A (en) * 1996-07-29 2000-05-30 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device having a nitride compound semiconductor and a phosphor containing a garnet fluorescent material
DE29724849U9 (de) * 1996-09-20 2005-04-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtabstrahlendes optisches Bauelement mit einer wellenlängenkonvertierenden Vergußmasse
DE19921684B4 (de) * 1999-05-12 2006-01-19 Vossloh-Schwabe Optoelectronic Gmbh & Co. Kg Beleuchtungselement mit Halbleiterchips
DE19947044B9 (de) * 1999-09-30 2007-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement mit Reflektor und Verfahren zur Herstellung desselben
EP1215723B1 (de) * 2000-12-18 2004-03-10 Nitto Denko Corporation Verfahren zur Herstellung von Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung von Fotohalbleitervorrichtung
DE10105802A1 (de) * 2001-02-07 2002-08-08 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Reflektorbehaftetes Halbleiterbauelement
EP1418630A1 (de) * 2002-11-07 2004-05-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led
DE102005009066A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement
US20060199293A1 (en) 2005-03-07 2006-09-07 Peh Thomas K G Method for fabricating light-emitting devices utilizing a photo-curable epoxy
US20070096129A1 (en) * 2005-10-27 2007-05-03 Lg Innotek Co., Ltd Light emitting diode package and method of manufacturing the same
EP1786045A2 (de) 2005-11-15 2007-05-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. LED-Gehäuse
DE102006005042A1 (de) * 2006-02-03 2007-08-09 Tridonic Optoelectronics Gmbh Licht emittierende Vorrichtung mit nicht-aktiviertem Leuchtstoff
WO2007116342A1 (en) * 2006-04-10 2007-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting diode module

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102044616A (zh) * 2009-10-19 2011-05-04 Lg伊诺特有限公司 发光设备和照明系统
CN102044616B (zh) * 2009-10-19 2015-11-25 Lg伊诺特有限公司 发光设备和照明系统

Also Published As

Publication number Publication date
US8502251B2 (en) 2013-08-06
EP2269237A2 (de) 2011-01-05
CN102057508B (zh) 2012-08-22
WO2009132833A3 (de) 2010-01-28
CN102057508A (zh) 2011-05-11
WO2009132833A2 (de) 2009-11-05
US20110057226A1 (en) 2011-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE202008005987U1 (de) LED-Modul mit kalottenförmiger Farbkonversionsschicht
DE102010053362B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips, strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Bauelement
EP1737050A1 (de) Lichtquelle und beleuchtungseinrichtung
DE102010045403A1 (de) Optoelektronisches Bauelement
DE202009018419U1 (de) LED-Modul mit verbesserter Lichtleistung
DE102013100711B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente
WO2012016850A1 (de) Optoelektronisches bauelement
DE202008018207U1 (de) Baugruppe mit lichtemittierender Vorrichtung
DE102013207308B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe und optoelektronische Baugruppe
DE102008021402A1 (de) Oberflächenmontierbares Leuchtdioden-Modul und Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Leuchtdioden-Moduls
DE102015113759A1 (de) Lichtemittierende vorrichtung und beleuchtungsvorrichtung
DE102017104606A1 (de) Lichtemittierender Apparat und Beleuchtungsapparat
DE102017123337A1 (de) Lichtemittierendes modul und beleuchtungsvorrichtung
DE102008019667A1 (de) LED-Modul mit einer Plattform mit einer Zentralausnehmung
DE102007020011B4 (de) Halbleiterleuchtvorrichtung
DE112016002425T5 (de) Licht emittierende Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102011009803B4 (de) Lichtemittierendes Element
EP3424081B1 (de) Csp led modul mit verbesserter lichtemission
DE102009048856A1 (de) Halbleiter-Leuchtvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
DE102017124433B4 (de) Äußere Leuchtdiodeneinheit für ein Fahrzeug
DE102019122628A1 (de) Lichtemittierendes Vorrichtungspaket und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Vorrichtungspakets
DE102015103840A1 (de) Elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe
DE102022132657A1 (de) Lichtemittierende vorrichtung
DE102016116712A1 (de) Licht emittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
DE102021133724A1 (de) Lichtemittierendes modul und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden moduls

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R207 Utility model specification

Effective date: 20091008

R150 Utility model maintained after payment of first maintenance fee after three years
R150 Utility model maintained after payment of first maintenance fee after three years

Effective date: 20110923

R151 Utility model maintained after payment of second maintenance fee after six years
R151 Utility model maintained after payment of second maintenance fee after six years

Effective date: 20140714

R152 Utility model maintained after payment of third maintenance fee after eight years
R071 Expiry of right