DE19633954A1 - Filtervorrichtung und Zweiband-Radiosystem, in welchem die Filtervorrichtung verwendet ist - Google Patents
Filtervorrichtung und Zweiband-Radiosystem, in welchem die Filtervorrichtung verwendet istInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein eine
Filtervorrichtung und spezieller eine Filtervorrichtung,
die für die Verwendung in einem Dualband-Radiosystem geeig
net ist, welches Signale in Dualbändern sendet und emp
fängt.
Leichtgewichtige mobile Terminalsysteme mit klei
ner Größe, wie beispielsweise Automobiltelefone oder trag
bare Telefone, sind weit verbreitet in Verwendung gekommen.
Die Zahl der Teilnehmer solcher Systeme hat sich in den
letzten Jahren erhöht und es ist eine Erhöhung der Zahl der
Kanäle erforderlich, die durch die mobilen Terminalsysteme
verwendet werden können. Um dieser Anforderung gerecht zu
werden, wurden mobile Terminalsysteme für die praktische
Verwendung entwickelt, die einen breiteren Bereich von Ra
diofrequenzen als früher verwenden. Insbesondere verwendete
ein früheres mobiles Terminalsystem ein Frequenzband von
lediglich um die 800 MHz und es ist ein neues mobiles Ter
minalsystem in praktischer Verwendung, welches ein Fre
quenzband von um die 1,5 GHz verwendet.
Spezieller gesagt, verwendet das frühere mobile
Terminalsystem einen Sende-Frequenzbereich von 940-960 MHz
und einen Empfangs-Frequenzbereich von 810-830 MHz. Das
neue 1,5-GHz-System verwendet einen Sende-Frequenzbereich
von 1,429-1,453 GHz und einen Empfangs-Frequenzbereich von
1,477-1,501 GHz.
Fig. 1 zeigt einen Radiosignalabschnitt eines
herkömmlichen Radiosystems. Dieses System sendet oder emp
fängt Signale innerhalb eines einzigen Frequenzbandes von
800 MHz oder 1,5 GHz. Im folgenden soll ein solches mobiles
Terminalsystem als Einzelbandsystem bezeichnet werden.
Gemäß Fig. 1 enthält der Radiosignalabschnitt des
Radiosystems eine Antenne 11, einen Antennen-Duplexer 2,
eine Radiosignalsender(TX)-Einheit 3 und eine Radiosignal
empfänger(RX)-Einheit 4. Bei dem Einzelbandsystem, welches
in Fig. 1 gezeigt ist, ist eine Modulatoreinheit (nicht ge
zeigt) an einen Eingang der TX-Einheit 3 angeschlossen und
ein Ausgang der RX-Einheit 4 ist mit einer Demodulatorein
heit (nicht gezeigt) verbunden.
Die Radiosignalsender(TX)-Einheit 3 empfängt ein
Sendesignal von der Modulatoreinheit bei einem Filter 5.
Das Filter 5 läßt nur Signale innerhalb eines Mittenfre
quenzbandes durch. Ein Leistungsverstärkter (PA) 6 ver
stärkt das Sendesignal von dem Filter 5. Ein Filter 7 läßt
lediglich Signale durch, die innerhalb des Mittenfrequenz
bandes liegt. Die TX-Einheit 3 gibt das Sendesignal von dem
Filter 7 an denen Antennen-Multiplexer 2 aus, um dasselbe
über die Antenne 11 zu senden.
Die Radiosignalempfänger(RX)-Einheit 4 empfängt
ein Empfangssignal von dem Antennen-Duplexer 2 bei dem Fil
ter 8. Das Filter 8 läßt lediglich Signale innerhalb des
Mittenfrequenzbandes durch. Ein Verstärker (LNA) 9 mit
niedrigem Rauschen verstärkt das Empfangssignal aus dem
Filter 8. Ein Filter 10 läßt lediglich Signale innerhalb
des Mittenfrequenzbandes durch. Die RX-Einheit 4 gibt das
Empfangssignal von dem Filter 10 an die Demodulatoreinheit
aus.
Die Filter 5, 7, 8 und 10 bestehen normalerweise
aus Bandpaßfiltern, die alle Signale blockieren, außer sol
chen, die innerhalb eines Mittenfrequenzbandes liegen, wel
ches eine vorbestimmte Mittenfrequenz "fo" besitzt. Die
Filter 5, 7, 8 und 10 weisen Störsignale zurück, während
sie lediglich Signale innerhalb des Mittenfrequenzbandes
durchlassen.
Das Einzelbandsystem für das 800-MHz-Band und das
Einzelbandsystem für das 1,5-GHz-Band besitzen beide eine
Konstruktion ähnlich derjenigen des oben beschriebenen mo
bilen Terminalsystems, sie wurden getrennt entwickelt und
in die praktische Verwendung überführt. Das 800 MHz-System
kann die Signale innerhalb des 1,5-GHz-Bandes nicht verwen
den und das 1,5-GHz-System kann die Signale innerhalb des
800-MHz-Bandes nicht verwenden.
Ein Zweiband-Radiosystem, welches sowohl das 800-MHz- als
auch das 1,5-GHz-Band verwenden kann, ist für die
Verwender von Vorteil. Ein solches Zweiband-Radiosystem
kann Signale innerhalb des 800-MHz- und 1,5-GHz-Bandes ver
wenden, wobei eines der zwei Bänder von Hand ausgewählt
wird. Um das oben erläuterte Zweiband-Radiosystem aufzubau
en, können einige Elemente für das 800-MHz-Band und das
1,5-GHz-Band gemeinsam verwendet werden. Jedoch können an
dere Elemente nicht geteilt werden und müssen getrennt für
das Zweiband-Radiosystem hergestellt werden.
Beispielsweise können im Falle des in Fig. 1 ge
zeigten Radiosystems der Leistungsverstärker 6 und der Ver
stärker 9 mit geringem Rauschen gemeinsam für das genannte
Zweiband-Radiosystem verwendet werden. Jedoch muß in Ver
bindung mit den Filtern 5, 7, 8 und 10 ein Satz von Filtern
für das 800-MHz-Band und ein Satz von Filtern für das 1,5-GHz-
Band getrennt herstellt werden, um das oben genannte
Zweiband-Radiosystem zu erstellen.
Die Filter 5, 7, 8 und 10 sind gepackte Teile,
die getrennt hergestellt werden. Um daher ein Zweiband-Ra
diosystem zu erstellen, muß ein Satz von Filtern für das
eine der zwei Bänder und ein Satz von Filtern für das ande
re Band hergestellt und eingebaut werden. Dies macht es
schwierig, ein Zweiband-Radiosystem mit kleiner Größe, ge
ringem Gewicht des Signalabschnitts zu konstruieren. Dar
über hinaus müssen die zwei Sätze von Filtern so angeordnet
werden, um den Radiosignalabschnitt des Radiosystems zu kon
struieren und die Zuverlässigkeit des Radiosignalabschnitts
wird nach dem Zusammenbau gering und die Kosten werden
hoch. Es ist ferner schwierig, eine gewünschte Eigenschaft
der Bandpaßfilterung durch einfaches Kombinieren der zwei
Sätze von Filtern zu erhalten.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
eine neuartige und nützliche Filtervorrichtung für die Ver
wendung in einem Radiosignalteil eines Zweiband-Radiosy
stems zu schaffen, bei dem die oben erläuterten Probleme
beseitigt sind.
Ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung be
steht darin, eine Filtervorrichtung zu schaffen, die eine
gute Qualität der Bandpaßfilterung zeigt und auch die Kon
struktion eines Radiosignalteils eines Zweiband-Radiosy
stems mit kleiner Größe und geringem Gewicht zuläßt.
Ein noch anderes Ziel der vorliegenden Erfindung
besteht darin, ein Zweiband-Radiosystem zu schaffen, wel
ches einen Radiosignalabschnitt mit kleiner Größe und ge
ringem Gewicht besitzt, und zwar mit einer hohen Zuverläs
sigkeit und guten Qualität der Bandpaßfilterung unter Ver
wendung solcher Filtervorrichtungen.
Die oben erwähnten Ziele der vorliegenden Erfin
dung werden durch eine Filtervorrichtung erreicht, die ein
Gehäuse enthält, wenigstens zwei Filterelemente, die in dem
Gehäuse vorgesehen sind, wobei jedes der wenigstens zwei
Filterelemente lediglich Signale innerhalb eines vorbe
stimmten Frequenzbandes durchläßt, wobei die vorbestimmten
Frequenzbänder der Filterelemente Mittenfrequenzen besit
zen, die voneinander verschieden sind, einen Eingangsan
schluß, der so geschaltet ist, daß er durch jeweilige Ein
gänge der Filterelemente geteilt wird bzw. gemeinsam be
nutzt wird, und einen Ausgangsanschluß, der so geschaltet
ist, daß er durch die jeweiligen Ausgänge der Filterelemen
te gemeinsam benutzt wird.
Die oben erwähnten Ziele der vorliegenden Erfin
dung werden durch ein Radiosystem erreicht, welches ent
hält: eine Radiosignalsendereinheit, die modulierte Signale
an einem Eingang der Radiosignalsendereinheit verarbeitet,
um ein Sende-Radiosignal an einem Ausgang derselben zu er
zeugen, wobei das Sende-Radiosignal zu einer externen Sta
tion gesendet wird; eine Radiosignalempfängereinheit, die
ein Signal an einem Eingang der Radiosignalempfängereinheit
verarbeitet, um ein Empfangs-Radiosignal an einem Ausgang
derselben zu erzeugen; eine Modulatoreinheit, die modulier
te Signale an den Ausgängen der Modulatoreinheit aus den
verarbeiteten Signalen an den Eingängen der Modulatorein
heit aufgrund einer Modulation erzeugt; eine Demodula
toreinheit, die demodulierte Signale an den Ausgängen der
Demodulatoreinheit als dem Empfangs-Radiosignal von der Ra
diosignal-Empfängereinheit an einem Eingang der Demodula
toreinheit durch eine Demodulation erzeugt; eine Basisband-
Signalprozessoreinheit, die verarbeitete Signale an den
Ausgängen der Basisband-Signalprozessoreinheit aus einem
Audiosignal an einem Eingang der Basisband-Signalprozessor
einheit durch eine Basisband-Signalverarbeitung erzeugt,
wobei die Ausgänge der Basisband-Signalprozessoreinheit mit
den Eingängen der Modulatoreinheit verbunden sind, die Si
gnalprozessoreinheit einen anderen Ausgang besitzt, an wel
chem ein Audiosignal aus den demodulierten Signalen an an
deren Eingängen der Basisband-Signalprozessoreinheit durch
eine Basisband-Signalverarbeitung erzeugt wird, wobei die
anderen Eingänge der Basisband-Signalprozessoreinheit mit
den Ausgängen der Demodulatoreinheit verbunden sind, sowohl
die Sendeeinheit als auch die Empfängereinheit wenigstens
eine Filtervorrichtung enthält, wobei die Filtervorrichtung
jeder Sendereinheit und Empfängereinheit folgendes enthält:
ein Gehäuse; wenigstens zwei Filterelemente, die in dem Ge
häuse angeordnet sind, wobei jedes der wenigstens zwei Fil
terelemente lediglich Signale innerhalb eines vorbestimmten
Frequenzbandes durchläßt, wobei die vorbestimmten Frequenz
bänder der Filterelemente Mittenfrequenzen besitzen, die
voneinander verschieden sind; einen Eingangsanschluß, der
mit den jeweiligen Eingängen der Filterelemente verbunden
ist und von diesen gemeinsam benutzt wird; und einen Aus
gangsanschluß, der mit den Ausgängen der Filterelemente
verbunden ist und von diesen gemeinsam benutzt wird.
Die Filtervorrichtung gemäß einem Aspekt der vor
liegenden Erfindung umfaßt ein Gehäuse, wenigstens zwei
Filterelemente, die in dem Gehäuse angeordnet sind und un
terschiedliche Mittenfrequenzen von vorbestimmten Frequenz
bändern besitzen, wobei ein Eingangsanschluß an die Eingän
ge der Filterelemente angeschlossen ist und von diesen ge
meinsam benutzt wird, und ein Ausgangsanschluß an die Aus
gänge der Filterelemente angeschlossen ist und von diesen
gemeinsam benutzt wird. Es ist in Verbindung mit der vor
liegenden Erfindung möglich, eine Filtervorrichtung zu
schaffen, die eine gute Qualität der Bandpaßfilterung be
sitzt und die eine Konstruktion eines Radiosignalabschnitts
eines Zweiband-Radiosystems mit kleiner Größe und geringem
Gewicht erlaubt. Es ist darüber hinaus möglich, ein
Zweiband-Radiosystem zu schaffen, bei dem ein Radiosignal
abschnitt mit kleiner Größe und geringem Gewicht unter Ver
wendung einer Vielzahl solcher Filtervorrichtungen konstru
iert ist.
Die Filtervorrichtung gemäß einem anderen Aspekt
der vorliegenden Erfindung umfaßt eine Phasenanpassungsein
heit, die zwischen dem Eingangsanschluß und den Eingängen
der Filterelemente vorgesehen ist, und eine Phasenanpas
sungseinheit, die zwischen dem Ausgangsanschluß und den
Ausgängen der Filterelemente vorgesehen ist. Es ist bei der
vorliegenden Erfindung möglich, eine gewünschte Charakteri
stik der Bandpaßfilterung der Filterelemente dadurch zu er
halten, indem diese Phasenanpassungseinheiten verwendet
werden.
Die Filtervorrichtung gemäß einem weiteren Aspekt
der vorliegenden Erfindung umfaßt ein einzelnes Gehäuse, in
welchem wenigstens zwei Filterelemente vorhanden sind, wo
bei jedes Filterelement lediglich Signale innerhalb eines
vorbestimmten Frequenzbandes durchläßt, wobei die Frequenz
bänder der Filterelemente Mittenfrequenzen besitzen, die
voneinander verschieden sind. Die Filtervorrichtung der
vorliegenden Erfindung besitzt eine anschlußstiftfreie
Chipträgerkonstruktion. Es ist bei der vorliegenden Erfin
dung möglich, eine Filtervorrichtung zu schaffen, die eine
gute Qualität der Bandpaßfilterung zeigt und eine Konstruk
tion des Radiosignalabschnitts eines Zweiband-Radiosystems
mit kleiner Größe und geringem Gewicht erlaubt. Darüber
hinaus ist es möglich, ein Zweiband-Radiosystem zu schaf
fen, in welchem ein Radiosignalabschnitt mit kleiner Größe
und geringem Gewicht dadurch konstruiert ist, indem eine
Vielzahl solcher Filtervorrichtungen verwendet sind.
Die oben angeführten und weitere Eigenschaften und
Merkmale und auch Vorteile der vorliegenden Erfindung erge
ben sich klarer aus der folgenden detaillierten Beschrei
bung unter Hinweis auf die beigefügten Zeichnungen, in de
nen:
Fig. 1 ein Blockschaltbild eines Radiosignalab
schnitts eines herkömmlichen Radiosystems ist;
Fig. 2 ein Blockschaltbild eines Radiosignalab
schnitts eines Radiosystems ist, in welchem eine Filtervor
richtung nach einer ersten Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung enthalten ist;
Fig. 3 ein Blockschaltbild der Filtervorrichtung
des Radiosignalabschnitts in Fig. 2 ist;
Fig. 4A und 4B Schaltungsdiagramme der Filterele
mente der Filtervorrichtung in Fig. 3 sind;
Fig. 5A und 5B perspektivische Ansichten der Fil
terelemente in den Fig. 4A und 4B zeigen;
Fig. 6 eine vergrößerte Ansicht eines Musters der
Elektroden eines Reihen-Resonators von einem der Filterele
mente in den Fig. 5A und 5B zeigt;
Fig. 7A und 7B Smith-Diagramme sind zur Erläute
rung der Reflexionseigenschaften der Filterelemente in den
Fig. 4A und 4B;
Fig. 8 ein Blockschaltbild einer Variation der
Filtervorrichtung in Fig. 3 zeigt, bei der eine Phasenan
passungseinheit in dem Radiosignalabschnitt in Fig. 2 ent
halten ist;
Fig. 9A und 9B eine Schnittdarstellung und eine
perspektivische Ansicht der Filtervorrichtung in Fig. 8
sind;
Fig. 10A und 10B eine Schnittdarstellung und eine
perspektivische Ansicht einer anderen Variation der Filter
vorrichtung in Fig. 8 zeigen;
Fig. 11A und 11B eine Schnittansicht und eine
perspektivische Ansicht einer weiteren Variation der Fil
tervorrichtung in Fig. 8 sind;
Fig. 12 ein Blockschaltbild einer anderen Varia
tion der Filtervorrichtung in Fig. 8 ist;
Fig. 13 eine Ansicht eines anderen Filterelements
der Filtervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist;
Fig. 14 ein Blockschaltbild eines Zweiband-Radio
systems zeigt, welches Radiosignalabschnitte enthält, in
denen die Filtervorrichtungen der ersten Ausführungsform
enthalten sind;
Fig. 15 ein Blockschaltbild einer Filtervorrich
tung in einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Er
findung ist;
Fig. 16A und 16B Schaltungsdiagramme der Phasen
anpassungseinheiten der Filtervorrichtung in Fig. 15 zei
gen;
Fig. 17A und 17B Diagramme sind, welche die Kon
struktion der Elemente der Filtervorrichtung in Fig. 15
veranschaulichen;
Fig. 18 ein Blockschaltbild einer Filtervorrich
tung in einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Er
findung ist;
Fig. 19A, 19B und 19C Diagramme sind, welche die
Konstruktion der Elemente der Filtervorrichtung in Fig. 18
veranschaulichen;
Fig. 20A bis 20E Diagramme sind, welche eine
viellagige, leitungslose Chipträgerkonstruktion der Filter
vorrichtung in Fig. 18 veranschaulichen;
Fig. 21 ein Blockschaltbild einer Filtervorrich
tung in einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Er
findung zeigt;
Fig. 22A und 22B Diagramme zeigen, die die Kon
struktion der Elemente der Filtervorrichtung in Fig. 21
veranschaulichen;
Fig. 23 ein Blockschaltbild einer Filtervorrich
tung in einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Er
findung zeigt;
Fig. 24A, 24B und 24C Diagramme sind, welche die
Konstruktion der Elemente der Filtervorrichtung in Fig. 23
wiedergeben;
Fig. 25A bis 25D Diagramme zeigen, welche eine
vielschichtige, anschlußstiftfreie Chipträgerkonstruktion
der Filtervorrichtung in Fig. 23 veranschaulichen;
Fig. 26 ein Blockdiagramm einer Filtervorrichtung
in einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung zeigt;
Fig. 27A, 27B und 27C Diagramme sind, welche die
Konstruktion der Elemente der Filtervorrichtung in Fig. 26
veranschaulichen;
Fig. 28A und 28B eine Draufsicht und eine Quer
schnittsansicht der Elemente der Filtervorrichtung in
Fig. 26 wiedergeben;
Fig. 29A bis 29D Diagramme zeigen, welche die
Konstruktion der Filtervorrichtung in Fig. 26 veranschauli
chen;
Fig. 30 ein Blockschaltbild einer Filtervorrich
tung in einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Er
findung zeigt;
Fig. 31A, 31B und 31C Diagramme sind, welche die
Konstruktion der Elemente der Filtervorrichtung in Fig. 30
zeigen; und
Fig. 32A und 32B eine Draufsicht und eine Quer
schnittsansicht der Elemente der Filtervorrichtung in Fig. 30
darstellen.
Es soll nun eine Beschreibung bevorzugter Ausfüh
rungsformen der vorliegenden Erfindung unter Hinweis auf
die beigefügten Zeichnungen folgen.
Fig. 2 zeigt einen Radiosignalteil eines
Zweiband-Radiosystems, welches wenigstens zwei Filtervor
richtungen in der ersten Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung enthält. In Fig. 2 sind Elemente, die die glei
chen sind wie die entsprechenden Elemente in Fig. 1 durch
die gleichen Bezugszeichen bezeichnet und eine Beschreibung
derselben wird daher weggelassen.
Gemäß Fig. 2 enthält der Radiosignalteil eine An
tenne 11, einen Antennen-Duplexer 2, eine Radiosignalsen
der (TX)-Einheit 13 und eine Radiosignalempfänger (RX)-Ein
heit 14. Bei dem in Fig. 2 gezeigten Zweiband-Radiosystem
ist eine Modulatoreinheit (nicht gezeigt) an einen Eingang
der TX-Einheit 13 angeschlossen und ein Ausgang der RX-Ein
heit 14 ist mit einer Demodulatoreinheit (nicht gezeigt)
verbunden.
Das oben beschriebene Zweiband-Radiosystem sendet
und empfängt irgendein Signal innerhalb des 800-MHz-Bandes
oder innerhalb des 1,5-GHz-Bandes. Bei der vorliegenden
Ausführungsform wird eine gewünschte eine der zwei ver
schiedenen Antennen für das 800-MHz-Band und für das 1,5-GHz-
Band ausgewählt und an dem Radiosignalabschnitt in Fig. 2
befestigt. Alternativ können die zwei oben erwähnten An
tennen und eine Schaltereinheit (nicht gezeigt) an das Ra
diosignalteil befestigt werden und eine gewünschte eine der
zwei Antennen wird selektiv an das Zweiband-Radiosystem un
ter Verwendung der Schaltereinheit angeschlossen.
Die Radiosignalsender(TX)-Einheit 13 enthält eine
Filtervorrichtung 15 mit einem Ausgang, der mit einem Ein
gang des Leistungsverstärkers (PA) 6 verbunden ist, und ei
ne Filtervorrichtung 17 mit einem Eingang an den ein Aus
gang des Leistungsverstärkers PA 6 angeschlossen ist.
Die Radiosignalempfänger(RX)-Einheit 14 enthält
eine Filtervorrichtung 18 mit einem Ausgang, der mit einem
Eingang eines Niedriggeräuschverstärkers (LNA) 9 verbunden
ist, und eine Filtervorrichtung 20 mit einem Eingang an den
ein Ausgang von LNA 9 angeschlossen ist.
Die oben erwähnten Filtervorrichtungen 15, 17, 18
und 20 sind Bandpaßfiltervorrichtungen, die alle Signale
abblocken außer denen, die innerhalb eines vorbestimmten
Frequenzbandes liegen. Diese Einheiten sind Gehäuseteile,
die getrennt hergestellt werden. Demzufolge ist die Zahl
der Elemente in dem Radiosignalabschnitt in Fig. 2 die
gleiche wie die Zahl der Elemente in dem Radiosignalab
schnitt, der in Fig. 1 gezeigt ist.
Jede der oben erwähnten Filtervorrichtungen 15,
17, 18 und 20 enthält zwei Filterelemente und die Filtere
lemente besitzen vorbestimmte Frequenzbänder mit Mittenfre
quenzen "f1" und "f2", die voneinander verschieden sind.
Beispielsweise ist "f1" die Mittenfrequenz des
800-MHz-Bandes und "f2" ist die Mittenfrequenz des 1,5-GHz-
Bandes. Bei der vorliegenden Ausführungsform blockiert ei
nes der Filterelemente alle Signale außer denen, die inner
halb des 800-MHz-Bandes mit der Mittenfrequenz "f1" liegen,
und das andere Filterelement blockiert alle Signale außer
denjenigen, die innerhalb des 1,5-GHz-Bandes mit der Mit
tenfrequenz "f2" liegen.
Fig. 3 zeigt eine der Filtervorrichtungen 15, 17,
18 und 20 des Radiosignalteils in Fig. 2 der vorliegenden
Ausführungsform. Die Filtervorrichtungen 15, 17, 18 und 20,
die in Fig. 2 gezeigt sind, haben die gleiche Konstruktion
wie diejenige der in Fig. 3 gezeigten Filtervorrichtung.
Gemäß Fig. 3 enthält die Filtervorrichtung ein
erstes Filterelement 21 und ein zweites Filterelement 22.
Das erste Filterelement 21 besitzt ein vorbestimmte Fre
quenzband mit der Mittenfrequenz "f1" und das zweite Filte
relement 22 besitzt ein vorbestimmten Frequenzband mit der
Mittenfrequenz "f2".
Die Filtervorrichtung bei der vorliegenden Aus
führungsform (die eine der Filtervorrichtungen 15, 17, 18
und 20 in Fig. 2 ist) besteht aus einem gepackten bzw. Ge
häuseteil, welches getrennt hergestellt wird. Das Gehäuse
teil ist durch eine strichlierte Linie in Fig. 3 angezeigt.
Die Filtervorrichtung in Fig. 3 besitzt vier An
schlüsse T1, T2, T3 und T4. Daher wird diese Filtervorrich
tung als Vier-Anschluß-Zweiband-Filtervorrichtung bezeich
net. Die Anschlüsse T1 und T2 sind Eingangsanschlüsse der
Filtervorrichtung, die mit den Eingängen der ersten und
zweiten Filterelemente 21 und 22 verbunden sind und von
diesen gemeinsam benutzt werden. Die Anschlüsse T3 und T4
sind Ausgangsanschlüsse der Filtervorrichtung, die mit Aus
gängen des ersten und des zweiten Filterelements 21 und 22
verbunden sind und von diesen gemeinsam benutzt werden.
Auch sind bei der Filtervorrichtung die Anschlüsse T2 und
T4 geerdet.
Wenn ein Signal innerhalb des 800-MHz-Bandes an
dem Eingangsanschluß T1 der Filtervorrichtung in Fig. 3
eingespeist wird, läßt lediglich das Filterelement 21 die
ses Signal durch und gibt dasselbe an den Ausgangsanschluß
T3 aus. Wenn ein Signal innerhalb des 1,5-GHz-Bandes an den
Eingangsanschluß T1 der Filtervorrichtung in Fig. 3 einge
speist wird, läßt lediglich das Filterelement 22 dieses Si
gnal durch und gibt dasselbe an den Ausgangsanschluß T3
aus. Daher dient die Filtervorrichtung in Fig. 3 als
Zweiband-Filtervorrichtung.
Die Filterelemente 21 und 22 bei der vorliegenden
Ausführungsform sind konstruiert unter Verwendung von Ober
flächenakustikwellenfiltern (SAW). Beispielsweise zeigt 4A
ein SAW-Filterelement vom Siebkettentyp mit einem vorbe
stimmten Frequenz band mit der niedrigen Mittenfrequenz
"f1", und Fig. 4B zeigt ein SAW-Filterelement vom Siebket
tentyp mit einem anderen vorbestimmten Frequenz mit der ho
hen Mittenfrequenz "f2". In beiden Filterelementen in den
Fig. 4A und 4B sind eine Vielzahl von SAW-Resonatoren in
einer siebkettenähnlichen Formation angeordnet.
Das SAW-Filterelement in Fig. 4A besitzt einen
Parallel-SAW-Resonator Rp (angezeigt durch (a) in Fig. 4A),
der parallel zu den Eingangsanschlüssen t1 und t2 des SAW-Fil
terelements geschaltet ist, und besitzt einen Parallel-
SAW-Resonator Rp (durch (e) in Fig. 4A) angezeigt), der
parallel zu den Ausgangsanschlüssen t3 und t4 des SAW-Fil
terelements geschaltet ist.
Das SAW-Filterelement in Fig. 4B besitzt einen
Reihen-SAW-Resonator Rs (durch (f) in Fig. 4B angezeigt),
der in Reihe mit einem Eingangsanschluß t11 des SAW-Fi
lterelements geschaltet ist, und besitzt einen Reihen-SAW-
Resonator Rs (durch (j) in Fig. 4B angezeigt), der in Reihe
mit einem Ausgangsanschluß t13 des SAW-Filterelements ge
schaltet ist.
Bei den SAW-Filterelementen in den Fig. 4A und 4B
ist ein Satz von Parallel-SAW-Resonatoren Rp und ein Satz
von Reihen-SAW-Resonatoren Rs in einem Kamm-Muster von
Elektroden vorgesehen, die auf einer piezoelektrischen Kri
stallplatine in einer verschachtelten Weise angeordnet
sind. Die piezoelektrische Kristallplatine ist beispiels
weise aus einem Lithium-Tantalat-Material hergestellt. Die
Elektroden des Kamm-Musters sind beispielsweise aus einem
Aluminium-2%-Kupfermetall-Material hergestellt.
Das erste Filterelement 21, welches in Fig. 4A
gezeigt ist, besitzt ein vorbestimmtes Frequenzband mit der
niedrigen Mittenfrequenz "f1" und das zweite Filterelement
22, welches in Fig. 4B gezeigt ist, besitzt das vorbestimm
te Frequenzband mit der hohen Mittenfrequenz "f2". Diese
Filterelemente sind so konstruiert, daß eine Phasenanpas
sung der Filterelemente berücksichtigt wird, wie noch an
späterer Stelle beschrieben wird.
Fig. 5A zeigt eine perspektivische Ansicht des
ersten Filterelements 21 in Fig. 4A, und Fig. 5B zeigt eine
perspektivische Ansicht des zweiten Filterelements 22 in
Fig. 4B.
Gemäß Fig. 5A ist das Filterelement 21 mit den
Parallel-SAW-Resonatoren Rp und den Reihen-SAW-Resonatoren
Rs konstruiert, die auf der piezoelektrischen Kristallpla
tine 24 angeordnet sind. Diese Resonatoren sind in einem
Kamm-Muster von Elektroden vorgesehen, welche auf der pie
zoelektrischen Kristallplatine 24 in einer verschachtelten
Weise angeordnet sind. Die Elektroden sind aus einem Alumi
nium-2%-Kupfermetall-Material hergestellt. Die piezoelek
trische Kristallplatine 24 ist 0,35 mm dick und ist aus ei
nem Lithium-Tantalat-Material hergestellt. Die durch (a)
bis (e) in Fig. 5A angegebenen Resonatoren sind die glei
chen wie die entsprechenden Resonatoren (a) bis (e), die in
Fig. 4A gezeigt sind. Auch sind die Anschlüsse (t1) bis
(t4) in Fig. 5A die gleichen wie die entsprechenden An
schlüsse (t1) und (t4), die in Fig. 4A gezeigt sind.
Fig. 6 zeigt ein Muster der Elektroden von einem
der Reihen-SAW-Resonatoren Rs der Filterelemente in den
Fig. 5A und 5B. Gemäß Fig. 6 enthält der Reihen-SAW-Resona
tor eine Zentrumselektrode 25 und zwei Reflexionselektroden
26 auf beiden Seiten der Zentrumselektrode 25. In ähnlicher
Weise enthält der Parallel-SAW-Resonator Rp eine Zentrumse
lektrode und zwei Reflexionselektroden auf beiden Seiten
der Zentrumselektrode. Anders als der Serien-SAW-Resonator
ist eine der Reflexionselektroden des Parallel-SAW-Resona
tors Rp geerdet. Ein Muster der Reflexionselektroden des
Parallel-SAW-Resonators Rp ist verschieden von dem Muster
der Reflexionselektroden des Reihen-SAW-Resonators Rs.
Gemäß Fig. 5B ist das Filterelement 22 mit den
Parallel-SAW-Resonatoren und den Reihen-SAW-Resonatoren Rs
konstruiert, die auf der piezoelektrischen Kristallplatine
24 angeordnet sind. Diese Resonatoren sind in einem Kamm-
Muster der Elektroden vorgesehen, die auf der piezoelektri
schen Kristallplatine 24 in einer verschachtelten Weise an
geordnet sind. Die Elektroden sind aus einem Aluminium-2%-
Kupfermetall-Material hergestellt. Die piezoelektrische
Kristallplatine 24 ist aus einem Lithium-Tantalat-Material
hergestellt. Die durch (f) bis (j) in Fig. 5B angezeigten
Resonatoren sind die gleichen wie die entsprechenden Reso
natoren (f) bis (j), die in Fig. 4B gezeigt sind. Auch sind
die Anschlüsse (t11) bis (t14) in Fig. 5B die gleichen wie
die entsprechenden Anschlüsse (t1) und (t4), die in Fig. 4B
gezeigt sind.
Es ist bekannt, daß es mehrere Parameter der
Elektroden gibt, die in Beziehung zu den Reflexionseigen
schaften der Resonatoren stehen. Da die spezifischen Para
meter der Elektroden dem Art des Designs des Filterelements
zugeordnet sind, soll eine Beschreibung derselben weggelas
sen werden.
Fig. 7A zeigt ein Smith-Diagramm, welches die Re
flexionseigenschaften des Filterelements 21 in den Fig. 4A
und 5A veranschaulicht. Fig. 7B ist ein Smith-Diagramm,
welches die Reflexionseigenschaften des Filterelements 22
in den Fig. 4B und 5B veranschaulicht.
Wie in Fig. 7A gezeigt ist, funktioniert das Fil
terelement 21, welches Parallel-Resonatoren Rp an den Ein
gangs- und Ausgangsanschlüssen besitzt, als Widerstandsele
ment (beispielsweise ca. 50 Ω), wenn das Signal innerhalb
des "f1"-Frequenzdurchlaßbandes liegt. Das Filterelement 21
besitzt eine hohe Impedanz, wenn das Signal innerhalb des
"f2-"-Frequenzdurchlaßbandes liegt (f1 < f2).
Im Gegensatz hierzu funktioniert, wie in Fig. 7B
gezeigt ist, das Filterelement 22, welches Reihen-Resonato
ren Rs an den Eingangs- und Ausgangsanschlüssen besitzt,
als Widerstandselement (beispielsweise ca. 50 Ω), wenn das
Signal innerhalb des "f2"-Frequenzdurchlaßbandes liegt. Das
Filterelement 22 besitzt eine hohe Impedanz, wenn das Si
gnal innerhalb des "f1"-Frequenzdurchlaßbandes liegt.
Bei der Filtervorrichtung (die eine der Filter
vorrichtungen 15, 17, 18 und 20 darstellt) bei der vorlie
genden Ausführungsform sind das Filterelement 21 und das
Filterelement 22 parallelgeschaltet. Bei dieser Filtervor
richtung besitzt das Filterelement 21 eine niedrige Durch
laßbandfrequenz (f1) und das Filterelement 22 besitzt eine
hohe Durchlaßbandfrequenz (f2). Daher besitzen das Filtere
lement 21 in den Fig. 4A und 5A und das Filterelement 22 in
den Fig. 4B und 5B gute Durchlaßbandeigenschaften.
Wie vorangegangen beschrieben wurde, besteht die
Filtervorrichtung in Fig. 3 aus einer Gehäuseeinheit, in
welcher die Filterelemente 21 und 22 parallelgeschaltet
sind. Indem die Filtervorrichtung der vorliegenden Ausfüh
rungsform in einen Radiosignalabschnitt des Zweiband-Ra
diosystems eingebaut wird, ist es möglich, einen hochzuver
lässigen Radiosignalteil des Zweiband-Radiosystems mit
kleiner Größe und geringem Gewicht zu konstruieren.
Um jedoch eine gute Durchlaßband-Charakteristik
von beiden Filterelementen 21 und 22 zu erhalten, ist es
erforderlich, Gebrauch von einer Phasenanpassungseinheit
für die Filtervorrichtung in Fig. 3 zu machen. Die Phasen
anpassungseinheit funktioniert so, daß sie die Phase des
Frequenzdurchlaßbandes in einer Richtung dreht, um die Im
pedanz noch höher zu machen (die rechte Phasendrehung),
wenn das Signal innerhalb des "f2"-Frequenzdurchlaßbandes
liegt, im Falle des Filterelements 21 in den Fig. 4A und
5A. Andererseits funktioniert im Falle des Filterelements
22 in den Fig. 4B und 5B die Phasenanpassungseinheit so,
daß sie die Phase des Frequenzdurchlaßbandes in einer Rich
tung dreht, um die Impedanz noch höher zu machen (linke
Phasendrehung), wenn das Signal innerhalb des "f1"-Fre
quenzdurchlaßbandes liegt. Durch Vorsehen einer Filtervor
richtung, welche die Filterelemente 21 und 22 und die oben
erwähnte Phasenanpassungseinheit besitzt, ist es möglich,
eine gute Durchlaßband-Eigenschaft der Bandpaßfilterung zu
erhalten.
Aus den Smith-Diagrammen in den Fig. 7A und 7B
kann klar verstanden werden, daß es schwierig ist, die oben
erläuterte Phasenanpassung unter Verwendung einer Filter
vorrichtung zu erreichen, die dadurch gebildet ist, indem
das Filterelement 21, welches die in Fig. 4B gezeigte Kon
struktion besitzt, und das Filterelement 22, welches die in
Fig. 4A gezeigte Konstruktion besitzt, parallelgeschaltet
werden.
Fig. 8 zeigt eine Abwandlung der Filtervorrich
tung der ersten Ausführungsform, bei der eine Phasenanpas
sungseinheit in der Filtervorrichtung des Radiosignalteils
in Fig. 2 enthalten ist.
Gemäß Fig. 8 enthält eine Filtervorrichtung 30
eine Phasenanpassungseinheit in einem Gehäuse desselben,
und zwar zusätzlich zu den Filterelementen 21 und 22 in der
Filtervorrichtung der ersten Ausführungsform.
Die Filtervorrichtung 30 der vorliegenden Ausfüh
rungsform enthält eine Übertragungsleitung 31, einen Kon
densator C1 und eine Induktivität L1 an den Eingängen der
Filterelemente 21 und 22, und enthält eine Übertragungslei
tung 32, einen Kondensator 2 und eine Induktivität L2 an
den Ausgängen der Filterelemente 21 und 22. Diese Elemente
der Filtervorrichtung 30 dienen als Phasenanpassungsein
heit, die oben erläutert wurde. Ein Ende der Übertragungs
leitung 31 ist mit dem Eingangsanschluß T1 und das andere
Ende derselben ist mit dem Eingang des Filterelements 21
verbunden. Ein Ende der Übertragungsleitung 32 ist mit dem
Ausgang des Filterelements 21 und das andere Ende derselben
ist mit dem Ausgangsanschluß T3 verbunden. Die Induktivität
L1 und der Kondensator C1 sind zwischen dem Eingangsan
schluß T1 und dem Eingang des Filterelements 22 vorgesehen.
Die Induktivität L2 und der Kondensator C2 sind zwischen
dem Ausgang des Filterelements 22 und dem Ausgangsanschluß
T3 vorgesehen.
Die Filtervorrichtung 30 in Fig. 8 besitzt die
oben erwähnte Phasenanpassungseinheit. Die Phasenanpas
sungseinheit funktioniert derart, daß die Phase des Fre
quenzdurchlaßbandes in einer Richtung gedreht wird, um die
Impedanz noch höher zu machen, wenn das Signal innerhalb
des "f2"-Frequenzdurchlaßbandes im Falle des Filterelements 21
liegt. Andererseits wird im Falle des Filterelements 22
die Phasenanpassungseinheit so funktionieren, daß sie die
Phase des Frequenzdurchlaßbandes in einer Richtung dreht,
um die Impedanz höher zu machen, wenn das Signal innerhalb
des "f1"-Frequenzdurchlaßbandes fällt. Daher ist es im Fal
le der Filtervorrichtung 30 in Fig. 8 möglich, gut Durch
laßband-Eigenschaften der Filterelemente 21 und 22 zu er
halten.
Die Fig. 9A und 9B zeigen die Filtervorrichtung
in Fig. 8. Gemäß den Fig. 9A und 9B besitzt die Filtervor
richtung ein Gehäuse (package) mit einem laminierten Teil
40 und einer Kappe 42 oben auf dem laminierten Teil 40. Die
Kappe 42 besteht aus einem Metallmaterial. In einem anderen
Fall kann das laminierte Teil 40 als Gehäuse (package) be
zeichnet werden.
Das laminierte Teil 40 bei der vorliegenden Aus
führungsform ist so ausgebildet, daß Isolierschichten aus
einem Keramikmaterial (z. B. Alumina) und leitende Schichten
in Form von Leitungsmustern abwechselnd laminiert sind. Bei
dem laminierten Teil 40 können die Muster der Leiterschich
ten elektrisch miteinander durch Kontaktierungsöffnungen
verbunden werden, die in den Isolierschichten ausgebildet
sind.
Bei der Filtervorrichtung in den Fig. 9A und 9B
sind Übertragungsleitungen 31 und 32 dadurch ausgebildet,
indem die Muster der leitenden Schichten in dem laminierten
Teil 40 verwendet werden und die Übertragungsleitungen 31
und 32 dienen als eine Phasenanpassungseinheit. Die Über
tragungsleitungen 31 und 32 sind, wie in Fig. 8 gezeigt
ist, durch Verwendung von leitenden Bohrungen oder Öffnun
gen der Isolierschichten angeschlossen.
Wie in Fig. 9A gezeigt ist, besitzt das laminier
te Teil 40 Ausnehmungsabschnitte, in denen die Filterele
mente 21 und 22 enthalten sind. Eine Anzahl von Anschluß
fahnen (Lötaugen) sind an Zwischenstufen der Ausnehmungsab
schnitte vorgesehen und die Anschlüsse t1 bis t4 des Filte
relements 21 und die Anschlüsse t11 bis t14 des Filterele
ments 22 sind mit den Lötfahnen unter Verwendung von An
schlußdrähten 43 angeschlossen, die aus Aluminium herge
stellt sind. Die Anschlußfahnen (Lötaugen) sind elektrisch
mit den Mustern der leitenden Schichten in dem laminierten
Teil 40 verbunden unter Verwendung der Anschlüsse T1 bis T4
und der leitenden Öffnungen oder Bohrungen in den Isolier
schichten.
Die Kondensatoren C1 und C2 und die Induktivitä
ten L1 und L2 sind in den Fig. 9A und 9B nicht gezeigt, sie
sind jedoch an geeigneten Stellen an den Ausnehmungsab
schnitten des laminierten Teiles 40 angeordnet. Demzufolge
ist die Filtervorrichtung 30 von Fig. 8 so konstruiert, in
dem Gebrauch gemacht wird von den leitenden Öffnungen der
Isolierschichten, den Anschlußfahnen, Kondensatoren und In
duktivitäten in dem laminierten Teil 40.
Die Ausnehmungsabschnitte des laminierten Teiles
40 sind hermetisch mit der Kappe 42 umschlossen. Die An
schlüsse T1 bis T4 der Filtervorrichtung in den Fig. 9A und
9B sind auf Boden- und Seitenflächen des Gehäuses der Fil
tervorrichtung angeordnet.
Die Fig. 10A und 10B zeigen eine andere Ausge
staltung der Filtervorrichtung in Fig. 8. Gemäß den Fig. 10A
und 10B besitzt die Filtervorrichtung ein Gehäuse
(package) mit einem laminierten Teil 50 und einer Kappe 42
am Boden des laminierten Teiles 50.
Das laminierte Teil 50 bei der vorliegenden Aus
führungsform ist so ausgebildet, daß Isolierschichten eines
Keramikmaterials (z. B. Alumina) und leitende Schichten mit
Leitermustern abwechselnd laminiert sind. Bei dem laminier
ten Teil 50 können die Muster der Leiterschichten miteinan
der elektrisch verbunden werden, und zwar über die leiten
den Öffnungen, die in den Isolierschichten ausgebildet
sind.
Bei der Filtervorrichtung nach Fig. 10A enthält
das laminierte Teil 50 eine obere Isolierschicht 51 und es
sind Übertragungsleitungen 31 und 32 auf der oberen Ober
fläche der oberen Isolierschicht 51 ausgebildet, wie in
Fig. 10B gezeigt ist. Die Filterelemente 21 und 22 sind auf
der Bodenfläche der oberen Isolierschicht 51 ausgebildet,
die in Fig. 10A gezeigt ist.
Wie in Fig. 10A gezeigt ist, besitzt das lami
nierte Teil 50 Ausnehmungsabschnitte, in denen die Filtere
lemente 21 und 22 enthalten sind. Die Ausnehmungsabschnitte
des laminierten Teiles 50 sind mit der Kappe 42 hermetisch
abgedichtet. Eine Anzahl von Anschlußfahnen (Lötaugen) sind
auf Zwischenstufen der Ausnehmungsabschnitte vorgesehen und
die Anschlüsse t1 bis t4 des Filterelements 21 und die An
schlüsse t11 bis t14 des Filterelements 22 sind mit den An
schlußfahnen unter Verwendung von Verbindungsdrähten 43
verbunden. Die Anschlußfahnen sind mit Mustern der leiten
den Schichten in dem laminierten Teil 50 unter Verwendung
der Anschlüsse T1 bis T4 und der leitenden Öffnungen oder
Bohrungen in den Isolierschichten angeschlossen.
Wie in Fig. 10A gezeigt ist, besitzt die Filter
vorrichtung leitende Öffnungen 52, die elektrisch den Ein
gangsanschluß T1, den Ausgangsanschluß T3 und die interne
leitende Schicht verbinden. Die Kondensatoren C1 und C2 und
die Induktivitäten L1 und L2 sind in Fig. 10A oder Fig. 10B
nicht gezeigt, sie sind jedoch an geeigneten Stellen an den
Ausnehmungsabschnitten des laminierten Teiles 50 angeord
net.
Die Fig. 11A und 11B zeigen eine weitere Variati
on der Filtervorrichtung in Fig. 8.
Gemäß den Fig. 11A und 11B besitzt die Filtervor
richtung ein laminiertes Teil 55 mit einer oberen Isolier
schicht 56, die zuoberst den Schichten des laminierten Tei
les 55 gelegen ist. Die Übertragungsleitungen 31 und 32,
die Kondensatoren C1 und C2 und die Induktivitäten L1 und L2
sind auf der oberen Oberfläche der oberen Isolierschicht
56 angeordnet, wie in Fig. 11B gezeigt ist. Die Kondensato
ren C1 und C2 und die Induktivitäten L1 und L2 sind auf der
oberen Oberfläche der oberen Isolierschicht 56 angeordnet,
die verschieden von denjenigen der Filtervorrichtung sind,
die in den Fig. 10A und 10B gezeigt ist.
Die andere Konstruktion der Filtervorrichtung in
den Fig. 11A und 11B ist die gleiche wie diejenige der Fil
tervorrichtung in den Fig. 10A und 10B.
Da bei der Filtervorrichtung der vorliegenden
Ausführungsform die Induktivitäten L1 und L2 und die Kon
densatoren C1 und C2 oben auf dem laminierten Teil 55 ange
ordnet sind, können sie nach der Verpackung der Filtervor
richtung installiert oder ausgetauscht werden.
Fig. 12 zeigt eine andere Ausgestaltung der Fil
tervorrichtung in Fig. 8. Gemäß Fig. 12 enthält eine Fil
tervorrichtung 60 bei der vorliegenden Ausführungsform Fil
terelemente 21 und 22 und Übertragungsleitungen 31 und 32.
Bei dieser Ausführungsform sind die Kondensatoren C1 und C2
und die Induktivitäten L1 und L2, die als Phasenanpassungs
einheit dienen, extern mit der Filtervorrichtung 60 verbun
den bzw. an diese angeschlossen. Diese Elemente bei der
vorliegenden Ausführungsform sind verschieden von den ent
sprechenden Elementen der Filtervorrichtung nach Fig. 8.
Um die Möglichkeit zu schaffen, die Induktivitä
ten L1 und L2 und die Kondensatoren C1 und C2 extern an zu
schließen, enthält das Gehäuse der Filtervorrichtung 60 ei
nen Eingangsanschluß T5 und einen Ausgangsanschluß T6 zu
den Anschlüssen T1, T2, T3 und T4. Ein Ende des Kondensa
tors C1 ist mit dem Eingangsanschluß T5 verbunden und der
Eingangsanschluß T5 ist mit einem Eingang des Filterele
ments 22 verbunden. Das andere Ende des Kondensators C1 ist
mit dem Eingangsanschluß T1 verbunden. Auch ist ein Ende
des Kondensators C2 mit dem Ausgangsanschluß T6 verbunden
und der Ausgangsanschluß T6 ist mit einem Ausgang des Fil
terelements 22 verbunden. Das andere Ende des Kondensators
C2 ist mit dem Ausgangsanschluß T3 verbunden. Es ist demzu
folge möglich, die Phasenanpassung des Filterelements 22
dadurch auszuführen, indem die Kondensatoren C1 und C2 und
die Induktivitäten L1 und L2 modifiziert werden, die extern
an die Filtervorrichtung 60 angeschlossen sind.
Die Filtervorrichtungen der oben beschriebenen
ersten Ausführungsform verwenden akustische Oberflächenwel
len(SAW)-Filterelemente vom Siebkettentyp. Ferner kann die
Filtervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform
Vielfachelektroden-SAW-Filterelemente verwenden, die als
Transversal-SAW-Filterelemente bezeichnet werden.
Fig. 13 zeigt ein solches Vielfachelektroden-SAW-
Filterelement der Filtervorrichtung der vorliegenden Aus
führungsform. Gemäß Fig. 13 ist das Vielfachelektroden-SAW-Fil
terelement auf einer piezoelektrischen Kristallplatine
65 ausgebildet, die aus einem Lithium-Tantalat-Material
hergestellt ist. Eine Anzahl der Elektroden des genannten
Filterelements sind auf der piezoelektrischen Kristallpla
tine 65 ausgebildet, wie in Fig. 13 gezeigt ist.
Die Größe der Zweiband-Filtervorrichtung, welche
die oben erwähnten Vielfachelektroden-SAW-Filterelemente
verwendet, kann sehr viel kleiner sein als die Größe einer
Filtervorrichtung, welches dielektrische Filterelemente
verwendet. Zusätzlich kann die Größe der Zweiband-Filter
vorrichtung, welche die SAW-Filterelemente vom Siebketten
typ verwendet, sehr viel kleiner sein als die Größe der
Filtervorrichtung, welche die dielektrischen Filterelemente
verwendet.
Fig. 14 zeigt ein Zweiband-Radiosystem mit einem
Radiosignalteil, bei dem die Filtervorrichtung der oben er
läuterten ersten Ausführungsform enthalten ist. In Fig. 14
sind Elemente, welche die gleichen sind wie diejenigen, die
oben beschrieben wurden, durch die gleichen Bezugszeichen
bezeichnet und eine Beschreibung derselben wird weggelas
sen.
Gemäß Fig. 14 umfaßt das Zweiband-Radiosystem ei
ne Basisband-Signalprozessoreinheit 71, eine Modulatorein
heit 72, eine Addierereinheit 73, die Radiosignalsender-
(TX)-Einheit 13, den Antennen-Duplexer 2, die Antenne 11,
die Radiosignalempfänger(RX)-Einheit 14, eine Mischerein
heit 74, eine Demodulatoreinheit 75, eine phasenstarre
Schleifen(PLL)-Schaltung 76 mit einem Lokaloszillator 77,
eine Mikrophoneinheit M und eine Lautsprechereinheit SP.
Ein Stromversorgungsabschnitt des Zweiband-Radiosystems,
wie beispielsweise eine Batterieeinheit, die Strom dem ge
nannten Zweiband-Radiosystem zuführt, ist in Fig. 14 nicht
gezeigt.
Die Basisband-Signalprozessoreinheit 71 gibt ein
Audiosignal von dem Mikrophon M ein und erzeugt verarbeite
te Signale "I" und "Q" an ihren Ausgängen durch eine Basis
bandsignalverarbeitung. Die Modulatoreinheit 72 gibt die
verarbeiteten Signale "I" und "Q" von der Basisband-Signal
prozessoreinheit 71 ein und erzeugt modulierte Signale an
ihren Ausgängen durch eine quadratische Amplitudenphasenmo
dulation in einer Rate einer Oszillationsfrequenz, die von
der PLL-Schaltung 76 ausgegeben wird.
Die Addierereinheit 73 empfängt zwei modulierte
Signale von der Modulatoreinheit 72 und erzeugt ein kombi
niertes Signal an ihrem Ausgang durch Addieren der verar
beiteten Signale. Die Radiosignalsender(TX)-Einheit 13 emp
fängt das kombinierte Signal von der Addierereinheit 73 und
erzeugt ein Sendesignal an ihrem Ausgang. Die TX-Einheit 13
enthält die oben erläuterte Filtervorrichtung der vorlie
genden Erfindung.
Die Radiosignalempfänger (RX)-Einheit 14 empfängt
ein Radiosignal von dem Antennenduplexer 2. Die Mischerein
heit 74 empfängt das empfangene Radiosignal von der RX-Ein
heit 14 und erzeugt ein nach unten umgesetztes Signal an
ihrem Ausgang. Die Demodulatoreinheit 75 empfängt das nach
unten umgesetzte Signal von der Mischereinheit 74 und er
zeugt demodulierte Signale "I" und "Q" an ihren Ausgängen
aufgrund einer Demodulation mit der Rate einer Oszillati
onsfrequenz, die von dem Lokaloszillator 77 ausgegeben
wird.
Die Basisband-Signalprozessoreinheit 71 empfängt
die demodulierten Signale "I" und "Q" von der Demodula
toreinheit 75 und erzeugt ein Audiosignal an ihrem Ausgang
aufgrund einer Basisband-Signalverarbeitung. Der Lautspre
cher SP wird in Einklang mit dem Audiosignal betrieben,
welches durch die Basisband-Signalprozessoreinheit 71 aus
gegeben wird.
Bei dem oben beschriebenen Zweiband-Radiosystem
ist ein Schalter SW an die Basisband-Signalprozessoreinheit
71 angeschaltet. Ein gewünschtes Band des 800-MHz-Bandes
und des 1,5-GHz-Bandes zum Betreiben des Zweiband-Radiosy
stems kann durch Handeinstellen des Schalters SW ausgewählt
werden. Das Ergebnis der Handeinstellung des Schalters Sw
wird von der Basisband-Signalprozessoreinheit 71 zu der
PLL-Schaltung 76 und dem Lokaloszillator 77 übertragen und
es wird ein Schaltvorgang hinsichtlich der Oszillationsfre
quenz für den Betrieb des Zweiband-Radiosystems in Einklang
mit der Auswahl eines der 800-MHz- und 1,5-GHz-Bänder
durchgeführt.
Die oben beschriebene Filtervorrichtung der vor
liegenden Erfindung ist bei einem Zweiband-Radiosystem mit
der Konstruktion angewandt, wie sie in Fig. 14 gezeigt ist.
Es kann jedoch die Filtervorrichtung nach der vorliegenden
Erfindung nicht nur lediglich bei dem Radiosystem der vor
liegenden Ausführungsform angewandt werden, sondern auch
bei einem Radiosystem mit einer anderen Konstruktion. Dar
über hinaus sind die Frequenzdurchlaßbänder des Radiosy
stems, bei dem die vorliegende Erfindung angewandt ist,
nicht auf 800 MHz und 1,5 GHz beschränkt. Es ist auch mög
lich, eine Filtervorrichtung zu schaffen, die ein Gehäuse
besitzt, in welchem drei oder mehrere Filterelemente ent
halten sind.
Als nächstes soll eine Beschreibung einer Filter
vorrichtung in einer zweiten Ausführungsform der vorliegen
den Erfindung unter Hinweis auf die Fig. 15 bis 17B folgen.
Fig. 15 zeigt die Filtervorrichtung der zweiten
Ausführungsform. Die Filtervorrichtung nach der vorliegen
den Ausführungsform besitzt eine anschlußstiftfreie Chip
trägerkonstruktion. Die Fig. 16A und 16B sind Schaltungs
diagramme einer Vielzahl von Phasenanpassungseinheiten der
Filtervorrichtung nach Fig. 15. Die Fig. 17A und 17B zeigen
die Konstruktion der Elemente der Filtervorrichtung nach
Fig. 15.
In den Fig. 15 bis 17B sind die Elemente, welche
die gleichen sind wie die entsprechenden Elemente der frü
heren Ausführungsform, mit den gleichen Bezugszeichen be
zeichnet und eine Beschreibung derselben ist daher wegge
lassen.
Wie in Fig. 15 gezeigt ist, enthält die Filter
vorrichtung die Filterelemente 21 und 22, die Eingangs-
Phasenanpassungseinheiten 301A und 301B und Ausgangs-Pha
senanpassungseinheiten 302A und 302B. Diese Elemente sind
auf einer einzelnen Fläche des Gehäuses 30 gepackt.
Bei der Filtervorrichtung nach der vorliegenden
Erfindung lassen die Filterelemente 21 und 22 jeweils le
diglich Signale innerhalb vorbestimmter Frequenzbänder mit
den Mittenfrequenzen f1 und f2 durch, die voneinander ver
schieden sind. Die Eingangs-Phasenanpassungseinheit 301A
ist mit einem Eingang (Anschlußterminal) des Filterelements
21 verbunden. Die Eingangs-Phasenanpassungseinheit 301B ist
mit einem Eingang (Eingangsterminal) des Filterelements 22
verbunden. Die Ausgangs-Phasenanpassungseinheit 302A ist
mit einem Ausgang (Anschlußterminal) des Filterelements 21
verbunden. Die Ausgangs-Phasenanpassungseinheit 302B ist
mit einem Ausgang (Anschlußterminal) des Filterelements 22
verbunden.
Bei der Filtervorrichtung nach der vorliegenden
Ausführungsform können die Filterelemente 21 und 22 paral
lel angeordnet sein unter Verwendung zweier Filterelemente
mit verschiedenen Mittenfrequenzen f1 und f2 der Frequenz
bänder. Alternativ können die Filterelemente 21 und 22 auf
einer gemeinsamen piezoelektrischen Kristallplatine ange
ordnet sein, die ähnlich der piezoelektrischen Kristallpla
tine 65 in Fig. 13 ist.
Spezifischer ausgedrückt, sind die Filterelemente
21 und 22 so ausgebildet, daß sie akustische Oberflächen
wellen(SAW)-Filterelemente verwenden, die ähnlich denjeni
gen sind, die weiter oben anhand der ersten Ausführungsform
unter Hinweis auf die Fig. 4A und 4B beschrieben wurden.
Die SAW-Filterelemente in den Fig. 4A und 4B sind SAW-Fil
terelemente vom Siebkettentyp, bei denen eine Vielzahl von
SAW-Resonatoren in einer kettenförmigen Formation angeord
net sind.
Wie oben beschrieben wurde, besitzen die Filter
elemente 21 und 22 Verbindungsanschlüsse, die mit den Ein
gangs-Phasenanpassungseinheiten 301A und 301B verbunden
sind und deren Verbindungsanschlüsse mit den Ausgangs-Pha
senanpassungseinheiten 302A und 302B verbunden sind. Wenig
stens eine der Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A und
301B und wenigstens eine der Ausgangs-Phasenanpassungsein
heiten 302A und 302B enthalten Induktivitäten und Kondensa
toren.
Die Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A und
301B und die Ausgangs-Phasenanpassungseinheiten 302A und
302B funktionieren derart, daß sie die Phase des Frequenz
durchlaßbandes in einer Richtung drehen, um die Impedanz
hoch zu machen, wenn das Signal innerhalb des "f2"-Fre
quenzdurchlaßbandes im Falle des Filterelements 21 liegt.
Somit läßt das Filterelement 21 in zuverlässiger Weise le
diglich Signale innerhalb des f1-Frequenzdurchlaßbandes
durch. Im Falle des Filterelements 22 funktionieren die
Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A und 301B und die
Ausgangs-Phasenanpassungseinheiten 302A und 302B derart,
daß die Phase des Frequenzdurchlaßbandes in einer Richtung
gedreht wird, so daß die Impedanz höher gemacht wird, wenn
das Signal innerhalb des "f1"-Frequenzdurchlaßbandes liegt.
Somit läßt das Filterelement 22 in zuverlässiger Weise le
diglich Signale innerhalb des f2-Frequenzdurchlaßbandes
durch. Es ist demzufolge bei der Filtervorrichtung der vor
liegenden Ausführungsform möglich, gute Durchlaßband-Eigen
schaften der Filterelemente 21 und 22 zu erhalten.
Die Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A und
301B und die Ausgangs-Phasenanpassungseinheiten 302A und
302B können unter Verwendung von Induktivitäten und Konden
satoren in einer π-gestalteten Formation gemäß Fig. 16A und
einer L-gestalteten Formation gemäß Fig. 16B ausgeführt
sein. Wie in Fig. 16A gezeigt ist, kann jede Phasenanpas
sungseinheit der Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A
und 301B und der Ausgangs-Phasenanpassungseinheiten 302A
und 302B in der π-gestalteten Formation unter Verwendung
einer einzelnen Induktivität L und von zwei Kondensatoren C
angeordnet sein. Alternativ kann, wie in Fig. 16B gezeigt
ist, jede Phasenanpassungseinheit der Eingangs-Phasenanpas
sungseinheiten 301A und 301B und der Ausgangs-Phasenanpas
sungseinheiten 302A und 302B in der L-gestalteten Formation
unter Verwendung einer einzelnen Induktivität L und eines
einzelnen Kondensators C angeordnet sein.
Fig. 17A zeigt die Elemente der Filtervorrichtung
der vorliegenden Ausführungsform. Die Induktivitäten "L"
und Kondensatoren "C" der Eingangs-Phasenanpassungseinhei
ten 301A und 301B und die Induktivitäten "L" und Kondensa
toren "C" der Ausgangs-Phasenanpassungseinheiten 302A und
302B, die Filterelemente 21 und 22, die Signalanschlüsse
"Sgn", die Erdungsanschlüsse "GND" und die Verdrahtung, die
elektrisch diese Elemente verbindet, sind auf die gleiche
Fläche eines Keramiksubstrats 303 gepackt, welches in dem
Gehäuse 30 enthalten ist.
Die Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A und
301B und die Filterelemente 21 und 22 sind elektrisch durch
Verbindungsdrähte 43 aus einem Aluminiummaterial mit den
Verbindungsanschlüssen verbunden. In ähnlicher Weise sind
die Ausgangs-Phasenanpassungseinheiten 302A und 302B und
die Filterelemente 21 und 22 elektrisch durch Verbindungs
drähte 43 über die Verbindungsanschlüsse angeschlossen bzw.
verbunden. Der Drahtverbindungsprozeß wird durchgeführt, um
die elektrischen Verbindungen zwischen diesen Elementen zu
erreichen.
Zusätzlich ist eine Alumina-Beschichtung auf den
Filterelementen 21 und 22 und an einem peripheren Abschnitt
303A des Keramiksubstrats 303 vorgesehen, um eine gute Ab
dichtung zwischen dem Gehäuse 30 und einer Keramikkappe 304
zu erzielen. Wie in Fig. 17B gezeigt ist, ist eine Alumina-
Beschichtung auf einer Abdichtfläche 304A der Keramikkappe
304 vorgesehen. Eine Dichtvorrichtung 311 aus einem Glasma
terial mit einem niedrigen Schmelzpunkt ist auf die Dichto
berfläche 304A aufgebracht, auf der die Alumina-Beschich
tung vorgesehen ist. Die Abdichtoberfläche 304A der Kappe
304 und der periphere Abschnitt 303A des Keramiksubstrats
303 werden erhitzt, um eine Temperatur zu erreichen, so daß
sie aneinandergebunden werden. Es ist somit bei der vorlie
genden Ausführungsform möglich, eine gute Dichtung zwischen
dem Gehäuse 30 und der Keramikkappe 304 zu erreichen.
Die Filtervorrichtung gemäß der vorliegenden Aus
führungsform besitzt ein einzelnes Gehäuse (package), in
welchem wenigstens zwei Filterelemente vorgesehen sind, von
denen jedes lediglich Signale innerhalb eines vorbestimmten
Frequenzbandes durchläßt, wobei die Frequenzbänder der Fil
terelemente Mittenfrequenzen besitzen, die voneinander ver
schieden sind. Es ist bei der vorliegenden Erfindung mög
lich, eine Filtervorrichtung zu schaffen, die eine gute
Qualität der Bandpaßfilterung erzielt und eine Konstruktion
des Radiosignalabschnitts eines Zweiband-Radiosystems mit
kleiner Größe, geringem Gewicht und hoher Zuverlässigkeit
erlaubt. Ferner besitzt die Filtervorrichtung bei der vor
liegenden Ausführungsform eine anschlußstiftfreie Chipträ
gerstruktur und es ist möglich, ein Zweiband-Radiosystem zu
realisieren, welches einen Radiosignalteil mit kleiner Grö
ße, geringem Gewicht und einer hohen Zuverlässigkeit be
sitzt.
Als nächstes folgt eine Beschreibung einer Fil
tervorrichtung in einer dritten Ausführungsform der vorlie
genden Erfindung unter Hinweis auf die Fig. 18 bis 20E.
Fig. 18 zeigt die Filtervorrichtung der dritten
Ausführungsform. Die Fig. 19A, 19B und 19C zeigen die Kon
struktion der Elemente der Filtervorrichtung in Fig. 18.
Fig. 19A ist eine Draufsicht auf die Filtervorrichtung der
vorliegenden Ausführungsform und Fig. 19B ist eine Bodenan
sicht der Filtervorrichtung der vorliegenden Ausführungs
form. Fig 19C ist eine Querschnittsansicht der Filtervor
richtung entlang einer Linie A-A, die in Fig. 19A gezeigt
ist. Die Fig. 20A bis 20E zeigen eine vielschichtige, an
schlußstiftfreie Chipträgerkonstruktion der Filtervorrich
tung nach Fig. 18.
In den Fig. 18 bis 20E sind die Elemente, welche
die gleichen sind wie die entsprechenden Elemente der frü
heren Ausführungsform, mit den gleichen Bezugszeichen be
zeichnet und eine Beschreibung derselben ist weggelassen.
Wie in Fig. 18 gezeigt ist, enthält die Filter
vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung die Elemente,
die im wesentlichen die gleichen sind wie die Elemente der
früheren Ausführungsform. Die Filtervorrichtung besitzt ei
ne anschlußstiftfreie Chipträgerkonstruktion und umfaßt
Filterelemente 21 und 22, die Eingangs-Phasenanpassungsein
heiten 301A und 301B und die Ausgangs-Phasenanpassungsein
heiten 302A und 302B.
Wie in den Fig. 19A bis 19C gezeigt ist, besitzt
die Filtervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungs
form eine vielschicht-anschlußstiftfreie Chipträgerkon
struktion, die eine erste Schicht 307A, eine zweite Schicht
307B, eine dritte Schicht 307C und eine vierte Schicht 307D
umfaßt. Die Filterelemente 21 und 22 sind auf der oberen
Oberfläche des Keramiksubstrats 303 (der vierten Schicht
307D) gepackt und die Eingangs-Phasenanpassungseinheiten
301A und 301B und die Ausgangs-Phasenanpassungseinheiten
302A und 302B sind auf der Bodenfläche des Keramiksubstrats
303 gepackt (der vierten Schicht 307D), wie in Fig. 19C ge
zeigt ist.
Ähnlich der früheren Ausführungsform kann jede
der Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A und 301B und
der Ausgangs-Phasenanpassungseinheiten 302A und 302B bei
der vorliegenden Ausführungsform unter Verwendung einer
einzelnen Induktivität L und von zwei Kondensatoren C in
der π-gestalteten Formation angeordnet sein, wie in Fig. 16A
gezeigt ist. Alternativ kann jede der Eingangs-Phasen
anpassungseinheiten 301A und 301B und der Ausgangs-Phasen
anpassungseinheiten 302A und 302B bei der vorliegenden Aus
führungsform, wie in Fig. 16B gezeigt ist, in der L-förmi
gen Formation unter Verwendung einer einzelnen Induktivität
L und eines einzelnen Kondensators C angeordnet sein.
Wie in Fig. 19A gezeigt ist, sind bei der vorlie
genden Ausführungsform die Filterelemente 21 und 22, die
Signalanschlüsse "S1", "S2", "S3" und "S4", die Erdungsan
schlüsse "G" und die Verdrahtung, welche elektrisch diese
Elemente verbindet, auf der gleichen Oberfläche des Kera
miksubstrats 303 gepackt, welches in dem Gehäuse 30 enthal
ten ist.
Die Filterelemente 21 und 22 bei der vorliegenden
Ausführungsform sind unter Verwendung von akustischen Ober
flächenwellen(SAW)-Filterelementen ausgeführt, die ähnlich
denjenigen sind, die oben in Verbindung mit der ersten Aus
führungsform unter Hinweis auf die Fig. 4A und 4B beschrie
ben wurden. Die SAW-Filterelemente in den Fig. 4A und 4B
sind SAW-Filterelemente vom Siebkettentyp, bei denen eine
Vielzahl von SAW-Resonatoren in einer kettenförmigen Forma
tion angeordnet sind.
Wie in Fig. 19A gezeigt ist, sind die Signalan
schlüsse S1 und S2, die Erdungsanschlüsse G und das Filter
element 21 (f1) elektrisch durch Anschlußdrähte 43 aus dem
Aluminiummaterial über die Verbindungsanschlüsse derselben
angeschlossen oder verbunden. In ähnlicher Weise sind die
Signalanschlüsse S3 und S4, die Erdungsanschlüsse G und das
Filterelement 22 (f2) elektrisch durch Anschlußdrähte 43
über die Verbindungsanschlüsse angeschlossen bzw. verbun
den. Der Drahtverbindungsprozeß wird durchgeführt, um elek
trische Verbindungen zwischen diesen Elementen der Filter
vorrichtung zu erreichen.
Wie oben beschrieben wurde, besitzt die Filter
vorrichtung der vorliegenden Ausführungsform die anschluß
stiftfreie Chipträgerstruktur und die Signalanschlüsse
"Sgn" und die Erdungsanschlüsse "GND", die in den Fig. 19A
und 19B gezeigt sind, sind gemeinsam auf der oberen und der
Bodenfläche des Keramiksubstrats 303 über die Seitenflächen
desselben vorgesehen, wie in Fig. 19C gezeigt ist.
Wie in Fig. 19B gezeigt ist, sind die Induktivi
täten L und die Kondensatoren C der Eingangs-Phasenanpas
sungseinheiten 301A und 301B und die Ausgangs-Phasenanpas
sungseinheiten 302A und 302B und die Verdrahtung und Elek
trodenmuster, welche diese Elemente elektrisch miteinander
verbinden, auf die Bodenfläche des Keramiksubstrats 303 ge
packt.
Ferner besitzt die Filtervorrichtung gemäß der
vorliegenden Ausführungsform leitende Löcher 305, welche
elektrisch die Signalanschlüsse S1, S2, S3 und S4 auf der
Bodenfläche des Keramiksubstrats 303 und die Signalan
schlüsse S1, S2, S3 und S4 auf der oberen Oberfläche des
Keramiksubstrats 303 jeweils verbinden. Somit können durch
die Verwendung der leitenden Löcher 305 die Eingangs-Pha
senanpassungseinheit 301A und die Ausgangs-Phasenanpas
sungseinheit 302A auf der Bodenfläche des Keramiksubstrats
303 elektrisch mit dem Filterelement 21 (f1) über die Ver
bindungsanschlüsse angeschlossen bzw. verbunden werden.
In ähnlicher Weise sind die Filterelemente 21 und
22 auf der oberen Oberfläche des Keramiksubstrats 303 und
die Anschlüsse an der Bodenfläche des Keramiksubstrats 303
elektrisch durch leitende Öffnungen 305 miteinander verbun
den. Durch die Verwendung der leitenden Öffnungen 305 kön
nen die Eingangs-Phasenanpassungseinheit 301B und die Aus
gangs-Phasenanpassungseinheit 302B auf der Bodenfläche des
Keramiksubstrats 303 elektrisch mit dem Filterelement 22
(f2) über die Verbindungsanschlüsse verbunden werden.
Es ist demzufolge bei der vorliegenden Erfindung
möglich, eine Filtervorrichtung zu schaffen, die eine gute
Qualität der Bandpaßfilterung besitzt und die eine Kon
struktion des Radiosignalteils eines Zweiband-Radiosystems
mit einer kleinen Größe und geringem Gewicht erlaubt. Zu
sätzlich ist es möglich, ein Zweiband-Radiosystem zu schaf
fen, in welchem ein zuverlässiges klein bemessenes und
leichtgewichtiges Radiosignalteil unter Verwendung einer
Vielzahl von derartiger Filtervorrichtungen ausgeführt ist.
Ferner enthält, wie in Fig. 19C gezeigt ist, die
Filtervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung Ausfüh
rungsform die Kappe 42. Die Kappe 42 ist an einem Kappenan
klebeabschnitt 306 befestigt (in Fig. 20B gezeigt), und
zwar von der zweiten Schicht 307B, so daß eine gute Anhaf
tung zwischen dem Keramiksubstrat 303 und der Kappe 42 er
zielt wird.
Wie in den Fig. 19C und 20E gezeigt ist, sind bei
der Filtervorrichtung nach der vorliegenden Ausführungsform
die erste Schicht 307A, die zweite Schicht 307B, die dritte
Schicht 307C und die vierte Schicht 307D aufeinanderge
schichtet, so daß die Filtervorrichtung eine vielschichti
ge, anschlußstiftfreie Chipträgerstruktur besitzt.
Fig. 20A zeigt die erste Schicht 307A. Wie darge
stellt, sind die Signalanschlüsse "S" (entsprechend "Sgn"
in Fig. 19A) und die Erdungsanschlüsse "G" (entsprechend
"GND" in Fig. 19A) auf der ersten Schicht 307A ausgebildet.
Die erste Schicht 307A bei der vorliegenden Ausführungsform
ist aus einem Keramikmaterial hergestellt, welches das
gleiche ist wie das Material des Keramiksubstrats 303.
Fig. 20B zeigt die zweite Schicht 307B. Wie dar
gestellt, sind die Signalanschlüsse "S" (entsprechend "Sgn"
in Fig. 19A) und die Erdungsanschlüsse "G" (entsprechend
"GND" in Fig. 19A) auf der zweiten Schicht 307B ausgebil
det. Zusätzlich ist ein Kappenanklebeabschnitt 306 auf der
zweiten Schicht 307B ausgebildet. Die zweite Schicht 307B
ist bei dieser Ausführungsform aus einem Keramikmaterial
hergestellt, welches das gleiche ist wie das Material der
ersten Schicht 307A.
Fig. 20C zeigt die dritte Schicht 307C. Wie dar
gestellt, sind die Signalanschlüsse "S1", "S2", "S3" und
"S4" und die Erdungsanschlüsse "G" auf der dritten Schicht
307C ausgebildet. Die leitenden Öffnungen oder Bohrungen
305 sind in den Signalanschlüssen "S1", "S2", "S3" und "S4"
ausgebildet. Die dritte Schicht 307C bei dieser Ausfüh
rungsform ist aus einem Keramikmaterial hergestellt, wel
ches das gleiche ist wie das Material der zweiten Schicht
307B.
Fig. 20D zeigt die vierte Schicht 307D, die das
Keramiksubstrat 303 bildet, wie oben beschrieben wurde. Wie
dargestellt, sind eine Anzahl von leitenden Öffnungen oder
Bohrungen 305, die elektrisch die Signalanschlüsse S1 bis
S4 der dritten Schicht 307C und die Anschlüsse der Boden
fläche des Keramiksubstrats 303 verbinden, in der vierten
Schicht 307D ausgebildet. Ein Chipbefestigungsabschnitt
309, an welchem das Chip der Filterelemente 21 und 22 ge
packt ist, ist auf der vierten Schicht 307D ausgebildet.
Ferner ist eine Anzahl von leitenden Öffnungen 305 (GND),
die elektrisch den Chipbefestigungsabschnitt 309 und die
Erdungsanschlüsse auf der Bodenfläche des Keramiksubstrats
303 verbinden, in der vierten Schicht 307D ausgebildet. Die
vierte Schicht 307D bei der vorliegenden Ausführungsform
ist aus dem Keramikmaterial hergestellt, wie oben beschrie
ben wurde.
Die Filtervorrichtung gemäß der vorliegenden Aus
führungsform besitzt ein einzelnes Gehäuse, in welchem we
nigstens zwei Filterelemente enthalten sind, von denen je
des lediglich Signale innerhalb eines vorbestimmten Fre
quenzbandes durchläßt, wobei die Frequenzbänder der Filte
relemente Mittenfrequenzen besitzen, die voneinander ver
schieden sind. Es ist bei der vorliegenden Erfindung mög
lich, eine Filtervorrichtung zu schaffen, die eine gute
Qualität der Bandpaßfilterung erzielt und eine Konstruktion
des Radiosignalteils eines Zweiband-Radiosystems mit klei
ner Größe, geringem Gewicht und hoher Zuverlässigkeit er
möglicht. Ferner besitzt die Filtervorrichtung gemäß der
vorliegenden Ausführungsform eine anschlußstiftfreie Chip
trägerkonstruktion und es ist möglich, ein Zweiband-Radio-
System zu schaffen, welches ein Radiosignalteil mit kleiner
Größe, geringem Gewicht und einer hohen Zuverlässigkeit be
sitzt.
Fig. 21 zeigt eine Filtervorrichtung gemäß einer
vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die
Fig. 22A und 22B zeigen Elemente der Filtervorrichtung in
Fig. 21.
In den Fig. 21 bis 22B sind die Elemente, welche
die gleichen sind wie die entsprechenden Elemente der frü
heren Ausführungsform, mit den gleichen Bezugszeichen ver
sehen und eine Beschreibung derselben ist weggelassen.
Wie in Fig. 21 gezeigt ist, enthält die Filter
vorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform die Fil
terelemente 21 und 22, die Eingangs-Phasenanpassungsein
heiten 301A und 301B und das Gehäuse 30. Die Filterelemente
21 und 22 und die Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A
und 301B sind auf der gleichen Oberfläche des Gehäuses 30
gepackt. Die Filtervorrichtung besitzt eine anschlußstift
freie Chipträgerstruktur, in welche diese Elemente gepackt
sind.
Bei der Filtervorrichtung der vorliegenden Aus
führungsform lassen die jeweiligen Filterelemente 21 und 22
lediglich Signale innerhalb vorbestimmter Frequenzbänder
durch, die Mittenfrequenz f1 und f2 haben, die voneinander
verschieden sind. Wie in Fig. 21 gezeigt ist, ist die Ein
gangs-Phasenanpassungseinheit 301A mit dem Eingang (dem
Verbindungsanschluß) des Filterelements 21 verbunden. Die
Eingangs-Phasenanpassungseinheit 301B ist mit dem Eingang
(dem Verbindungsanschluß) des Filterelements 22 verbunden.
Bei der Filtervorrichtung der vorliegenden Aus
führungsform können die Filterelemente 21 und 22 parallel
angeordnet sein unter Verwendung von zwei Filterelementen
mit verschiedenen Mittenfrequenzen f1 und f2 der Frequenz
bänder. Alternativ können die Filterelemente 21 und 22 auf
einer gemeinsamen piezoelektrischen Kristallplatine ange
ordnet sein, die ähnlich der piezoelektrischen Kristallpla
tine 65 in Fig. 13 ist.
Spezifischer gesagt, sind die Filterelemente 21
und 22 dadurch vorgesehen, indem akustische Oberflächenwel
len(SAW)-Filterelemente verwendet werden, die ähnlich den
jenigen sind, die oben in Verbindung mit der ersten Ausfüh
rungsform unter Hinweis auf die Fig. 4A und 4B beschrieben
wurden. Die SAW-Filterelemente in den Fig. 4A und 4B sind
anschlußstiftfreie SAW-Filterelemente, bei denen eine Viel
zahl von SAW-Resonatoren in der siebkettenförmigen Forma
tion angeordnet sind.
Wie oben beschrieben wurde, besitzen die Filtere
lemente 21 und 22 Verbindungsanschlüsse, die mit den Ein
gangs-Phasenanpassungseinheiten 301A und 301B verbunden
sind. Wenigstens eine der Eingangs-Phasenanpassungsein
heiten 301A und 301B enthält Induktivitäten und Kondensato
ren.
Jede der Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A
und 301B bei der vorliegenden Ausführungsform kann so aus
geführt sein, daß sie eine einzelne Induktivität L und zwei
Kondensatoren C in der π-gestalteten Formation verwendet,
wie in Fig. 16A gezeigt ist. Alternativ kann jede der Ein
gangs-Phasenanpassungseinheiten 301A und 301B, wie in Fig. 16B
gezeigt ist, in der L-gestalteten Form ausgeführt sein,
und zwar unter Verwendung einer einzelnen Induktivität L
und eines einzelnen Kondensators C.
Die Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A und
301B funktionieren derart, daß die Phase des Frequenzdurch
laßbandes in einer Richtung gedreht wird, um die Impedanz
noch höher zu machen, wenn das Signal innerhalb des "f2"-Fre
quenzdurchlaßbandes im Falle des Filterelements 21
liegt. Somit läßt das Filterelement 21 in zuverlässiger
Weise lediglich Signale innerhalb des f1-Frequenzdurchlaß
bandes durch. Im Fall des Filterelements 22 funktionieren
die Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A und 301B der
art, daß die Phase des Frequenzdurchlaßbandes in einer
Richtung gedreht wird, um die Impedanz höher zu machen,
wenn das Signal innerhalb des "f1"-Frequenzdurchlaßbandes
liegt. Somit läßt das Filterelement 22 in zuverlässiger
Weise nur Signale innerhalb des f2-Frequenzdurchlaßbandes
durch. Es ist demzufolge bei der Filtervorrichtung der vor
liegenden Ausführungsform möglich, gute Durchlaßband-Eigen
schaften der Filterelemente 21 und 22 zu realisieren.
Fig. 22A zeigt die Elemente der Filtervorrichtung
der vorliegenden Ausführungsform. Die Induktivitäten "L"
und Kondensatoren "C" der Eingangs-Phasenanpassungsein
heiten 301A und 301B, die Filterelemente 21 und 22, die
Signalanschlüsse "Sgn", die Erdungsanschlüsse "GND" und die
Verdrahtung und Elektrodenmuster, welche diese Elemente
miteinander verbinden, sind auf der gleichen Oberfläche des
Keramiksubstrats 303 gepackt, welches in dem Gehäuse 30
enthalten ist. Die anschlußstiftfreie Chipträgerkonstrukti
on der Filtervorrichtung ist durch die Verwendung der
Signalanschlüsse Sgn und der Erdungsanschlüsse G gebildet.
Die Eingangs-Phasenanpassungseinheit 301A und das
Filterelement 21 als auch die Eingangs-Phasenanpassungsein
heit 301B und das Filterelement 22 sind elektrisch durch
Verbindungsdrähte 43 aus Aluminiummaterial über die Verbin
dungsanschlüsse der Filterelemente 21 und 22 verbunden. Der
Drahtverbindungsprozeß wird ausgeführt, um die elektrischen
Verbindungen zwischen diesen Elementen zu erzielen.
Zusätzlich ist eine Alumina-Beschichtung auf den
Filterelementen 21 und 22 und auf dem peripheren Abschnitt
303A des Keramiksubstrats 303 vorgesehen, um eine gute Ab
dichtung zwischen dem Gehäuse 30 und der Keramikkappe 304
zu erzielen. Wie in Fig. 22B gezeigt ist, ist die Alumina-
Beschichtung auf der Abdichtfläche 304A der Keramikkappe
304 vorgesehen. Eine Abdichtmasse 311 aus einem Glasmateri
al mit einem niedrigen Schmelzpunkt ist auf die Abdichtflä
che 304A aufgebracht, auf der die Alumina-Beschichtung vor
gesehen ist. Die Abdichtfläche 304A der Kappe 304 und der
periphere Abschnitt 303A des Keramiksubstrats 303 werden
auf eine gegebene Temperatur erhitzt, so daß sie aneinan
dergebunden werden. Es ist somit bei der vorliegenden Aus
führungsform möglich, eine gute Abdichtung zwischen dem Ge
häuse 30 und der Keramikkappe 304 zu erreichen.
Die Filtervorrichtung der vorliegenden Ausfüh
rungsform besitzt ein einzelnes Gehäuse (package), in wel
chem wenigstens zwei Filterelemente vorgesehen sind, von
denen jedes lediglich Signale innerhalb eines vorbestimmten
Frequenzbandes durchläßt, wobei die Frequenzbänder der Fil
terelemente Mittenfrequenzen aufweisen, die voneinander un
terschieden sind. Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es
möglich, eine Filtervorrichtung vorzusehen, die eine gute
Qualität der Bandpaßfilterung bietet und eine Konstruktion
des Radiosignalabschnitts eines Zweiband-Radiosystems mit
einer hohen Zuverlässigkeit, kleiner Größe und geringem Ge
wicht erlaubt. Ferner besitzt die Filtervorrichtung bei der
vorliegenden Ausführungsform eine anschlußstiftfreie Chip
trägerstruktur und es ist möglich, ein Zweiband-Radiosystem
zu schaffen, welches einen Signalabschnitt besitzt mit
kleiner Größe, geringem Gewicht und hoher Zuverlässigkeit.
Fig. 23 zeigt eine Filtervorrichtung gemäß einer
fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die
Fig. 24A, 24B und 24C zeigen die Elemente der Filtervor
richtung in Fig. 23. Die Fig. 25A bis 25D zeigen die viel
lagige, anschlußstiftfreie Chipträgerstruktur der Filter
vorrichtung in Fig. 23.
In den Fig. 23 bis 25D sind die Elemente, welche
die gleichen sind wie die entsprechenden Elemente der frü
heren Ausführungsform, mit den gleichen Bezugszeichen be
zeichnet und eine Beschreibung derselben ist weggelassen.
Wie in Fig. 23 gezeigt ist, enthält die Filter
vorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform Filtere
lemente 21 und 22, die Eingangs-Phasenanpassungseinheiten
301A und 301B und das Gehäuse 30. Die Filterelemente 21 und
22 und die Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A und 301B
sind auf der gleichen Fläche des Gehäuses 30 gepackt. Die
Filtervorrichtung besitzt eine anschlußstiftfreie Chipträ
gerstruktur, in die diese Elemente gepackt sind.
Bei der Filtervorrichtung gemäß der vorliegenden
Ausführungsform lassen die Filterelemente 21 und 22 jeweils
nur Signale innerhalb vorbestimmter Frequenzbänder durch,
die Mittenfrequenzen f1 und f2 besitzen, die voneinander
unterschieden sind. Wie in Fig. 23 gezeigt ist, ist die
Eingangs-Phasenanpassungseinheit 301A mit dem Eingang (dem
Verbindungsanschluß) des Filterelements 21 verbunden. Die
Eingangs-Phasenanpassungseinheit 301B ist mit dem Eingang
(dem Verbindungsanschluß) des Filterelements 22 verbunden.
Bei der Filtervorrichtung nach der vorliegenden
Ausführungsform können die Filterelemente 21 und 22 paral
lel angeordnet sein unter Verwendung von zwei Filterelemen
ten mit verschiedenen Mittenfrequenzen f1 und f2 der Fre
quenzbänder. Alternativ können die Filterelemente 21 und 22
auf einer gemeinsamen piezoelektrischen Kristallplatine an
geordnet sein, die ähnlich ist der piezoelektrischen Kri
stallplatine 65 in Fig. 13.
Spezifischer ausgedrückt, sind die Filterelemente
21 und 22 dadurch gebildet, indem akustische Oberflächen
wellen(SAW)-Filterelemente verwendet werden, die ähnlich
denjenigen sind, die oben in Verbindung mit der ersten Aus
führungsform unter Hinweis auf die Fig. 4A und 4B beschrie
ben wurden. Die SAW-Filterelemente in den Fig. 4A und 4B
sind anschlußstiftfreie SAW-Filterelemente, bei denen eine
Vielzahl von SAW-Resonatoren in einer siebkettenähnlichen
Formation angeordnet sind.
Wie oben beschrieben wurde, besitzen die Filtere
lemente 21 und 22 die Verbindungsanschlüsse, die mit den
Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A und 301B verbunden
sind. Wenigstens eine der Eingangs-Phasenanpassungseinhei
ten 301A und 301B enthält Induktivitäten und Kondensatoren.
Jede der Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A
und 301B kann bei der vorliegenden Ausführungsform unter
Verwendung einer einzelnen Induktivität L und zweier Kon
densatoren C in einer π-gestalteten Formation angeordnet
sein, wie in Fig. 16A gezeigt ist. Alternativ kann wie in
Fig. 16B gezeigt ist, jede der Eingangs-Phasenanpassungs
einheiten 301A und 301B in der L-gestalteten Anordnung an
geordnet sein, und zwar unter Verwendung einer einzelnen
Induktivität L und eines einzelnen Kondensators C.
Die Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A und
301B funktionieren derart, daß die Phase des Frequenzbandes
in einer Richtung gedreht wird, um die Impedanz noch höher
zu machen, wenn das Signal innerhalb des "f2"-Frequenzban
des im Falle des Filterelements 21 liegt. Dadurch läßt das
Filterelement 21 in zuverlässiger Weise lediglich Signale
innerhalb des f1-Frequenzdurchlaßbandes durch. Im Falle des
Filterelements 22 funktionieren die Eingangs-Phasenanpas
sungseinheiten 301A und 301B derart, daß die Phase des Fre
quenzdurchlaßbandes in einer Richtung gedreht wird, um die
Impedanz noch höher zu gestalten, wenn das Signal innerhalb
des "f1"-Frequenzdurchlaßbandes liegt. Dadurch läßt das
Filterelement 22 in zuverlässiger Weise lediglich Signale
innerhalb des f2-Frequenzdurchlaßbandes durch. Es ist dem
zufolge bei der Filtervorrichtung der vorliegenden Ausfüh
rungsform möglich, gute Durchlaßband-Eigenschaften der Fil
terelemente 21 und 22 zu erhalten.
Fig. 24A zeigt die Elemente der Filtervorrichtung
der vorliegenden Ausführungsform. Bei der vorliegenden Aus
führungsform sind die Filterelemente 21 und 22, die
Signalanschlüsse S1, S2, S3 und S4, die Erdungsanschlüsse G
und die Verdrahtung und Elektrodenmuster, welche diese Ele
mente elektrisch verbinden, auf der oberen Oberfläche des
Keramiksubstrats 303 gepackt, welches in dem Gehäuse 30
enthalten ist.
Die Signalanschlüsse S1 und S2 und die Erdungsan
schlüsse G sind elektrisch mit dem Filterelement 21 durch
Anschlußdrähte 43 aus Aluminiummaterial über die Verbin
dungsanschlüsse des Filterelements 21 verbunden. In ähnli
cher Weise sind die Signalanschlüsse S3 und S4 und die Er
dungsanschlüsse G elektrisch mit dem Filterelement 22 durch
Verbindungsdrähte 43 über die Verbindungsanschlüsse des
Filterelements 22 angeschlossen. Der Drahtverbindungsprozeß
wird durchgeführt, um die elektrischen Verbindungen zwi
schen diesen Elementen zu erreichen.
Wie oben beschrieben wurde, besitzt die Filter
vorrichtung nach der vorliegenden Ausführungsform eine an
schlußstiftfreie Chipträgerstruktur und die Signalanschlüs
se "Sgn" und die Erdungsanschlüsse "GND", die in den Fig. 24A
und 24B gezeigt sind, sind auf den oberen und Bodenflä
chen des Keramiksubstrats 303 über die Seitenflächen der
selben vorgesehen, wie in Fig. 24C gezeigt ist.
Fig. 24B zeigt das Elektrodenmuster auf der Bo
denfläche des Keramiksubstrats 303. Die Induktivitäten "L"
und Kondensatoren "C" der Eingangs-Phasenanpassungseinhei
ten 301A und 301B und die Verdrahtung und das Elektrodenmu
ster, welche bzw. welches diese Elemente elektrisch mitein
ander verbindet, sind auf die Bodenfläche des Keramiksub
strats 303 gepackt, welches in dem Gehäuse 30 enthalten
ist.
Wie in den Fig. 24B und 24C gezeigt ist, enthält
die Filtervorrichtung nach der vorliegenden Ausführungsform
die leitenden Öffnungen oder Bohrungen 305, die elektrisch
die Signalanschlüsse S1, 27761 00070 552 001000280000000200012000285912765000040 0002019633954 00004 27642 S2, S3 und S4 an der Bodenfläche
des Keramiksubstrats 303 mit den Signalanschlüssen S1, S2,
S3 und S4 auf der oberen Oberfläche des Keramiksubstrats
303 verbinden. Somit werden unter Verwendung der leitenden
Bohrungen 305 die Filterelemente 21 und 22 auf der oberen
Oberfläche des Keramiksubstrats 303 und die Filterelemente
301A und 301B auf der Bodenfläche des Keramiksubstrats 303
elektrisch miteinander verbunden.
Wie ferner in Fig. 24C gezeigt ist, enthält die
Filtervorrichtung nach der vorliegenden Ausführungsform die
Form die Kappe 42. Unter Verwendung einer Abdichtmasse 311,
die in erster Linie Gold und Zinn enthält, wird die Kappe
42 an dem Kappen-Anheftabschnitt 316 (in Fig. 25B gezeigt)
der zweiten Schicht 312B befestigt, so daß eine gute Haf
tung zwischen dem Keramiksubstrat 303 und der Kappe 42 er
zielt wird.
Bei der Filtervorrichtung nach der vorliegenden
Ausführungsform sind die erste Schicht 312A, die zweite
Schicht 312B, die dritte Schicht 312C und die vierte
Schicht 312D aneinandergeschichtet, so daß die Filtervor
richtung eine viellagige, anschlußstiftfreie Chipträger
struktur erhält. Die Filtervorrichtung nach der vorliegen
den Ausführungsform mit der anschlußstiftfreien Chipträger
struktur ist insofern nützlich als sie direkt auf ein
Substrat einer gedruckten Schaltungsplatte gepackt werden
kann. Es ist bei der vorliegenden Erfindung möglich, ein
zweiband-Radiosystem mit einem Radiosignalteil zu schaffen,
welches eine kleine Größe, geringes Gewicht und hohe Zuver
lässigkeit besitzt, und zwar durch die Verwendung solcher
Filtervorrichtungen.
Fig. 25A zeigt die erste Schicht 312A. Wie darge
stellt, sind die Signalanschlüsse "S" (entsprechend "Sgn"
in Fig. 23A) und die Erdungsanschlüsse "G" (entsprechend
"GND" in Fig. 23A) auf der ersten Schicht 312A ausgebildet.
Die erste Schicht 312A bei der vorliegenden Ausführungsform
ist aus einem Keramikmaterial hergestellt, welches das
gleiche ist wie das Material des Keramiksubstrats 303.
Fig. 25B zeigt die zweite Schicht 312B. Wie dar
gestellt, sind die Signalanschlüsse "S" (entsprechend "Sgn"
in Fig. 23A) und die Erdungsanschlüsse "G" (entsprechend
"GND" in Fig. 23A) auf der zweiten Schicht 312B ausgebil
det. Zusätzlich ist ein Kappenanklebeabschnitt 316 auf der
zweiten Schicht 316B ausgebildet. Die zweite Schicht 312B
bei dieser Ausführungsform ist aus Keramikmaterial herge
stellt, welches das gleiche ist wie das Material der ersten
Schicht 312A.
Fig. 25C zeigt die dritte Schicht 313C. Wie dar
gestellt, sind die Signalanschlüsse "S1", "S2", "S3" und
"S4" und die Erdungsanschlüsse "G2" auf der dritten Schicht
312C ausgebildet. Die leitenden Löcher 305 sind in den
Signalanschlüssen "S1", "S2", "S3" und "S4" ausgebildet.
Der Drahtanschlußprozeß für die dritten Schicht 313C ist
durchgeführt. Die dritte Schicht 312C bei dieser Ausfüh
rungsform ist aus einem Keramikmaterial hergestellt, wel
ches das gleiche ist wie das Material der zweiten Schicht
312B.
Fig. 25D zeigt die vierte Schicht 312D, die das
oben beschriebene Keramiksubstrat 303 darstellt. Wie ge
zeigt, sind eine Anzahl von leitenden Öffnungen oder Boh
rungen 305, die elektrisch die Signalanschlüsse S1 bis S4
der dritten Schicht 312C und die Elektrodenmuster auf der
Bodenfläche des Keramiksubstrats 303 verbinden, in der
vierten Schicht 312D ausgebildet. Der Chipbefestigungsab
schnitt 309, an welchem das Chip der Filterelemente 21 und
22 gepackt ist, ist auf der vierten Schicht 312D ausgebil
det. Ferner ist eine Anzahl von leitenden Öffnungen oder
Bohrungen 305 (GND), die elektrisch den Chipbefestigungsab
schnitt 309 und die Erdungsanschlüsse G auf der Bodenfläche
des Keramiksubstrats 303 verbinden, in der vierten Schicht
312D ausgebildet. Bei dieser Ausführungsform ist die vierte
Schicht 312D aus dem Keramikmaterial hergestellt, wie oben
beschrieben wurde.
Die Filtervorrichtung der vorliegenden Ausfüh
rungsform besitzt ein einzelnes Gehäuse, in welchem wenig
stens zwei Filterelemente vorgesehen sind, von denen jedes
lediglich Signale innerhalb eines vorbestimmten Frequenz
bandes durchläßt, wobei die Frequenzbänder der Filterele
mente Mittenfrequenzen besitzen, die voneinander verschie
den sind. Es ist bei der vorliegenden Erfindung möglich,
eine Filtervorrichtung zu schaffen, die eine gute Qualität
der Bandpaßfilterung zeigt und eine Konstruktion des Radio
signalabschnitts eines Zweiband-Radiosystems erlaubt, mit
einem kleinen Gewicht, kleiner Größe und mit hoher Zuver
lässigkeit. Ferner besitzt die Filtervorrichtung bei der
vorliegenden Ausführungsform eine anschlußstiftfreie Chip
trägerstruktur und es ist möglich, ein Zweiband-Radiosystem
zu schaffen, welches einen Radiosignal mit kleiner Größe,
geringem Gewicht und hoher Zuverlässigkeit besitzt.
Fig. 26 zeigt eine Filtervorrichtung in einer
sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die
Fig. 27A, 27B und 27C zeigen die Elemente der Filtervor
richtung in Fig. 26. Die Fig. 28A und 28B zeigen die Kon
struktion der Elemente der Filtervorrichtung in Fig. 26.
Die Fig. 29A bis 29D zeigen die viellagige, anschlußstift
freie Chipträgerstruktur der Filtervorrichtung in Fig. 26.
Bei den Fig. 26 bis 29D sind die Elemente, welche
die gleichen sind wie die entsprechenden Elemente der frü
heren Ausführungsform, mit den gleichen Bezugszeichen ver
sehen und eine Beschreibung derselben ist weggelassen.
Wie in Fig. 26 dargestellt ist, enthält die Fil
tervorrichtung nach der vorliegenden Ausführungsform die
Elemente, welche im wesentlichen die gleichen sind wie die
Elemente der früheren Ausführungsform. Die Filtervorrich
tung besitzt eine anschlußstiftfreie Chipträgerstruktur und
umfaßt die Filterelemente 21 und 22, die Eingangs-Phasenan
passungseinheiten 301A und 301B und die Ausgangs-Phasenan
passungseinheiten 302A und 302B.
Wie in den Fig. 27A bis 28B gezeigt ist, besitzt
die Filtervorrichtung der vorliegenden Ausführungsform eine
vielschichtige Struktur, welche eine erste Schicht 313A,
eine zweite Schicht 313B und eine dritte Schicht 313C ent
hält. Die Filterelemente 21 und 22 sind auf dem Keramiksub
strat 303 (der dritten Schicht 313C) gepackt und die Ein
gangs-Phasenanpassungseinheiten 301A und 301B und die Aus
gangs-Phasenanpassungseinheiten 302A und 302B sind auf dem
Keramiksubstrat 303 gepackt (der dritten Schicht 313C).
Ähnlich der früheren Ausführungsform kann jede
der Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A und 301B und
der Ausgangs-Phasenanpassungseinheiten 302A und 302B bei
der vorliegenden Ausführungsform so ausgeführt werden, in
dem eine einzelne Induktivität L und zwei Kondensatoren C
in einer π-gestalteten Formation angeordnet werden, wie in
Fig. 16A gezeigt ist. Alternativ können, wie in Fig. 16B
gezeigt ist, jede der Eingangs-Phasenanpassungseinheiten
301A und 301B und der Ausgangs-Phasenanpassungseinheiten
302A und 302B bei der vorliegenden Ausführungsform in der
L-gestalteten Formation angeordnet werden, und zwar unter
Verwendung einer einzelnen Induktivität L und eines einzel
nen Kondensators C.
Wie in den Fig. 27A und 28A gezeigt ist, sind bei
der vorliegenden Ausführungsform die Filterelemente 21 und
22, die Signalanschlüsse "S1", "S2", "S3" und "S4", die Er
dungsanschlüsse "G" und die Verdrahtung, die elektrisch
diese Elemente miteinander verbindet, auf die gleiche Ober
fläche des Keramiksubstrats 303 gepackt, die in dem Gehäuse
30 enthalten ist.
Wie in Fig. 26 gezeigt ist, lassen bei der Fil
tervorrichtung nach der vorliegenden Ausführungsform die
Filterelemente 21 und 22 jeweils nur Signale innerhalb der
vorbestimmten Frequenzbänder durch, die verschiedene Mit
tenfrequenzen f1 und f2 besitzen. Die Eingangs-Phasenanpas
sungseinheit 301A ist mit dem Eingang (dem Verbindungsan
schluß) des Filterelements 21 verbunden. Die Eingangs-Pha
senanpassungseinheit 301B ist mit dem Eingang (dem Verbin
dungsanschluß) des Filterelements 22 verbunden. Die Aus
gangs-Phasenanpassungseinheit 302A ist mit dem Ausgang (dem
Verbindungsanschluß) des Filterelements 21 verbunden. Die
Ausgangs-Phasenanpassungseinheit 302B ist mit dem Ausgang
(dem Verbindungsanschluß) des Filterelements 22 verbunden.
Diese Elemente sind auf die gleiche Oberfläche des Keramik
substrats 303 gepackt.
Wie oben beschrieben wurde, können die Filterele
mente 21 und 22 parallel angeordnet werden, und zwar unter
Verwendung von zwei Filterelementen mit den Mittenfrequen
zen f1 und f2. Alternativ können die Filterelemente 21 und
22 auf einer gemeinsamen piezoelektrischen Kristallplatine
angeordnet werden, die ähnlich der piezoelektrischen Kri
stallplatine 65 in Fig. 13 ist.
Die Filterelemente 21 und 22 bei der vorliegenden
Ausführungsform sind gebildet unter Verwendung von akusti
schen Oberflächenwellen(SAW)-Filterelementen, die ähnlich
denjenigen sind, die oben in Verbindung mit der ersten Aus
führungsform unter Hinweis auf die Fig. 4A und 4B beschrie
ben wurden. Die SAW-Filterelemente in den Fig. 4A und 4B
sind siebkettenförmige SAW-Filterelemente, bei denen eine
Vielzahl von SAW-Resonatoren in einer siebkettenförmigen
Formation angeordnet sind.
Die Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A und
301B und die Ausgangs-Phasenanpassungseinheiten 302A und
302B bei der vorliegenden Ausführungsform können unter Ver
wendung der Induktivitäten L und der Kondensatoren C in der
π-gestalteten Formation gemäß Fig. 16A und der L-gestalte
ten Formation gemäß Fig. 16B angeordnet sein.
Wie in Fig. 27A gezeigt ist, sind die Induktivi
täten L und die Kondensatoren C der Eingangs-Phasenanpas
sungseinheiten 301A und 301B und die Ausgangs-Phasenanpas
sungseinheiten 302A und 302B, die Filterelemente 21 und 22,
die Signalanschlüsse "Sgn" (und die Signalanschlüsse S1,
S2, S3 und S4 in Fig. 28A), die Erdungsanschlüsse "GND"
(und die Erdungsanschlüsse G in Fig. 28A) und die Verdrah
tung und die Elektrodenmuster, welche diese Elemente elek
trisch miteinander verbinden, auf die gleiche Oberfläche
des Keramiksubstrats 303 gepackt, welches in dem Gehäuse 30
enthalten ist.
Wie in den Fig. 28A und 28B gezeigt ist, sind die
Signalanschlüsse S1 und S2, die Erdungsanschlüsse G und das
Filterelement 21 (f1) elektrisch durch die Verbindungsdräh
te 43 aus Aluminiummaterial über die Verbindungsanschlüsse
des Filterelements 21 verbunden. In ähnlicher Weise sind
die Signalanschlüsse S3 und S4, die Erdungsanschlüsse G
und das Filterelement 22 (f2) elektrisch durch die Verbin
dungsdrähte 43 über die Verbindungsanschlüsse des Filtere
lements 22 verbunden. Der Drahtverbindungsprozeß wird
durchgeführt, um die elektrischen Verbindungen zwischen
diesen Elementen zu erreichen.
Wie oben beschrieben wurde, besitzt die Filter
vorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine an
schlußstiftfreie Chipträgerstruktur und es sind die
Signalanschlüsse "Sgn" und die Erdungsanschlüsse "GND", die
in Fig. 28A gezeigt sind, auf der Ober- und Bodenfläche des
Keramiksubstrats 303 über den Seitenflächen desselben vor
gesehen, wie in Fig. 28B gezeigt ist.
Fig. 27B zeigt das Elektrodenmuster auf der obe
ren Oberfläche des Keramiksubstrats 303 und Fig. 27C zeigt
das Elektrodenmuster auf der Bodenfläche des Keramiksub
strats 303.
Die Filtervorrichtung nach der vorliegenden Aus
führungsform enthält leitende Öffnungen oder Bohrungen 305,
die elektrisch das Elektrodenmuster (GND) auf der Bodenflä
che des Keramiksubstrats 303 und das Elektrodenmuster (GND)
auf der oberen Oberfläche des Keramiksubstrats 303 verbin
den. Durch die Verwendung der leitenden Öffnungen 305 wer
den somit das Elektrodenmuster auf der oberen Oberfläche
des Keramiksubstrats 303 und das Elektrodenmuster auf der
Bodenfläche desselben elektrisch miteinander verbunden.
Ferner enthält die Filtervorrichtung nach der
vorliegenden Ausführungsform, wie in Fig. 28B gezeigt ist,
die Kappe 42. Durch die Verwendung einer Dichtmasse 311,
die in erster Linie Gold und Zinn enthält, wird die Kappe
42 an dem Kappenanklebeabschnitt 316 (in Fig. 29A gezeigt)
der ersten Schicht 313A befestigt, so daß eine gute Haftung
zwischen dem Keramiksubstrat 303 und der Kappe 42 erzielt
wird.
Bei der Filtervorrichtung nach der vorliegenden
Ausführungsform sind die erste Schicht 313A, die zweite
Schicht 313B und die dritte Schicht 313C zusammenlaminiert,
so daß die Filtervorrichtung eine viellagige, anschluß
stiftfreie Chipträgerstruktur erhält.
Fig. 29A zeigt die erste Schicht 313A. Wie darge
stellt, sind Elektroden 315 an den Ecken der ersten Schicht
313A und der Kappen-Anklebeabschnitt 316 auf der oberen
Oberfläche der ersten Schicht 313A auf der ersten Schicht
313A ausgebildet. Die Elektroden 315 besitzen eine vorbe
stimmte Dicke an den Seitenflächen der Ecken der ersten
Schicht 313A. Die erste Schicht 313A ist aus dem Keramikma
terial hergestellt, welches das gleiche ist wie das Materi
al des Keramiksubstrats 303.
Die Fig. 29B zeigt die zweite Schicht 313B. Wie
dargestellt, sind Signalanschlüsse S1, S2, S3 und S4 und
Erdungsanschlüsse G auf der oberen Oberfläche der zweiten
Schicht 313B ausgebildet. Die zweite Schicht 313B ist aus
dem Keramikmaterial hergestellt, welches das gleiche ist
wie das Material der ersten Schicht 313A. Wie in den Fig. 28A
und 28B gezeigt ist, sind die Signalanschlüsse S1 und
S2 und die Erdungsanschlüsse G elektrisch mit den Verbin
dungsanschlüssen des Filterelements 21 durch Verbindungs
drähte 43 aus Aluminiummaterial verbunden und es sind die
Signalanschlüsse S3 und S4 und die Erdungsanschlüsse G
elektrisch mit den Verbindungsanschlüssen des Filterele
ments 22 durch die Verbindungsdrähte 43 verbunden. Der
Drahtverbindungsprozeß wird durchgeführt, um die oben er
wähnten Verbindungsdrähte 43 auszubilden.
Fig. 29C zeigt die obere Fläche der dritten
Schicht 313C. Die dritte Schicht 313C der vorliegenden Aus
führungsform bildet das Keramiksubstrat 303, welches oben
beschrieben wurde. Wie dargestellt, sind der Chipbefesti
gungsabschnitt 309, die Signalanschlüsse "S" und die Er
dungsanschlüsse "G" auf der oberen und den Seitenflächen
der dritten Schicht 313C ausgebildet. Die Filterelemente 21
und 22 sind an dem Chipbefestigungsabschnitt 309 angeord
net. Die anschlußstiftfreie Chipträgerstruktur der Filter
vorrichtung wird dadurch ausgebildet, indem die Signalan
schlüsse S und die Erdungsanschlüsse G auf der dritten
Schicht 313C verwendet werden.
Fig. 29D zeigt die Bodenfläche der dritten
Schicht 313C. Wie dargestellt, sind die Signalanschlüsse S
und die Erdungsanschlüsse G auf den Boden- und den Seiten
flächen der dritten Schicht 313C ausgebildet. Die anschluß
stiftfreie Chipträgerstruktur der Filtervorrichtung wird
dadurch ausgebildet, indem die Signalanschlüsse S und die
Erdungsanschlüsse G der dritten Schicht 313C verwendet wer
den.
Die Filtervorrichtung der vorliegenden Ausfüh
rungsform besitzt ein einzelnes Gehäuse, in welchem wenig
stens zwei Filterelemente enthalten sind, von denen jedes
lediglich Signale innerhalb eines vorbestimmten Frequenz
bandes durchläßt, wobei die Frequenzbänder der Filterele
mente Mittenfrequenzen aufweisen, die voneinander verschie
den sind. Es ist bei der vorliegenden Erfindung möglich,
eine Filtervorrichtung zu schaffen, die eine gute Qualität
der Bandpaßfilterung zeigt und die Konstruktion eines Ra
diosignalabschnitts eines Zweiband-Radiosystems mit kleiner
Größe und geringem Gewicht und mit hoher Zuverlässigkeit
zuläßt. Ferner besitzt die Filtervorrichtung nach der vor
liegenden Ausführungsform eine anschlußstiftfreie Chipträ
gerstruktur und es ist möglich, ein Zweiband-Radiosystem
mit einem Radiosignalteil zu schaffen, welches eine kleine
Größe, geringes Gewicht und hohe Zuverlässigkeit hat.
Fig. 30 zeigt eine Filtervorrichtung nach einer
siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die
Fig. 31A, 31B und 31C zeigen die Elemente der Filtervor
richtung in Fig. 30. Die Fig. 32A und 32B zeigen die Kon
struktion der Elemente der Filtervorrichtung in Fig. 30.
In den Fig. 30 bis 32B sind Elemente, welche die
gleichen sind wie die entsprechenden Elemente der früheren
Ausführungsform, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet
und eine Beschreibung derselben ist weggelassen.
Wie in Fig. 30 gezeigt ist, enthält die Filter
vorrichtung nach der vorliegenden Ausführungsform die Fil
terelemente 21 und 22, die Eingangs-Phasenanpassungsein
heiten 301A und 301B und das Gehäuse 30. Die Filterelemente
21 und 22 und die Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A
und 301B sind auf eine einzelne Fläche des Gehäuses 30 ge
packt.
Bei der Filtervorrichtung nach der vorliegenden
Ausführungsform lassen die jeweiligen Filterelemente 21 und
22 lediglich Signale innerhalb vorbestimmter Frequenzbänder
durch, die Mittenfrequenzen f1 und f2 besitzen, die vonein
ander verschieden sind. Die Eingangs-Phasenanpassungsein
heit 301A ist mit dem Eingang (Verbindungsanschluß) des
Filterelements 21 verbunden. Die Eingangs-Phasenanpassungs
einheit 301B ist mit dem Eingang (Verbindungsanschluß) des
Filterelements 22 verbunden. Die Filtervorrichtung nach der
vorliegenden Ausführungsform besitzt zwei Ausgänge, die mit
den Ausgängen der Filterelemente 21 und 22 verbunden sind.
Bei der Filtervorrichtung nach der vorliegenden
Ausführungsform können die Filterelemente 21 und 22 paral
lel angeordnet sein, und zwar unter Verwendung von zwei
Filterelementen mit den Mittenfrequenzen f1 und f2. Alter
nativ können die Filterelemente 21 und 22 auf einer gemein
samen piezoelektrischen Kristallplatine angeordnet sein,
die ähnlich der piezoelektrischen Kristallplatine 65 in
Fig. 13 ist.
Spezifischer ausgedrückt, sind die Filterelemente
21 und 22 dadurch vorgesehen, indem akustische Oberflächen
wellen(SAW)-Filterelemente verwendet werden, die ähnlich
denjenigen sind, die in den Fig. 4A und 4B gezeigt sind.
Die SAW-Filterelemente in den Fig. 4A und 4B sind siebket
tenförmige SAW-Filterelemente, bei denen eine Vielzahl von
SAW-Resonatoren in einer siebkettenförmigen Formation ange
ordnet sind.
Wie oben beschrieben wurde, besitzen die Filtere
lemente 21 und 22 Verbindungsanschlüsse, die mit den Ein
gangs-Phasenanpassungseinheiten 301A und 301B verbunden
sind. Wenigstens eine der Eingangs-Phasenanpassungseinhei
ten 301A und 301B enthält Induktivitäten und Kondensatoren.
Die Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301a und
301B bei der vorliegenden Ausführungsform können unter Ver
wendung der Induktivitäten L und Kondensatoren C in einer
der Formationen gemäß der π-gestalteten Formation nach Fig. 16A
und der L-gestalteten Formation gemäß Fig. 16B angeord
net sein.
Die Fig. 31A, 31B und 31C zeigen die Konstruktion
der Elemente der Filtervorrichtung der vorliegenden Ausfüh
rungsform. Die Induktivitäten "L" und Kondensatoren "C" der
Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A und 301B, die Fil
terelemente 21 und 22, die Signalanschlüsse "Sgn" (und die
Signalanschlüsse "S1", "S2", "S3" und "S4" in Fig. 32A) und
die Erdungsanschlüsse "GND" (und die Erdungsanschlüsse "G"
in Fig. 32A) und die Verdrahtung und das Elektrodenmuster,
die bzw. welches elektrisch diese Elemente miteinander ver
bindet, sind auf die gleich Oberfläche des Keramiksubstrats
303 gepackt, welches in dem Gehäuse 30 enthalten ist.
Wie in den Fig. 32A und 32B dargestellt ist, sind
die Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A und 301B und
die Filterelemente 21 und 22 elektrisch durch Verbindungs
drähte 43 aus Aluminiummaterial über die Verbindungsan
schlüsse verbunden bzw. angeschlossen. Der Drahtverbin
dungsprozeß wird durchgeführt, um die elektrischen Verbin
dungen zwischen den Eingangs-Phasenanpassungseinheiten 301A
und 301B und den Filterelementen 21 und 22 zu erreichen.
Wie in den Fig. 32A und 32B gezeigt ist, besitzt
die Filtervorrichtung nach der vorliegenden Ausführungsform
eine viellagige, anschlußstiftfreie Chipträgerstruktur,
welche die gleiche ist wie diejenige der Filtervorrichtung
der sechsten Ausführungsform. Die viellagige, anschluß
stiftfreie Chipträgerstruktur umfaßt die erste Schicht
313A, die zweite Schicht 313B und die dritte Schicht 313C.
Die Filterelemente 21 und 22 und die Eingangs-Phasenanpas
sungseinheiten 301A und 301B sind auf die obere Oberfläche
des Keramiksubstrats 303 gepackt (der dritten Schicht
313C).
Wie in Fig. 32A gezeigt ist, sind die Signalan
schlüsse S1 und S2, die Erdungsanschlüsse G und das Filter
element 21 (f1) elektrisch durch Verbindungsdrähte 43 aus
Aluminiummaterial über die Verbindungsanschlüsse des Filte
relements 21 angeschlossen. In ähnlicher Weise sind die
Signalanschlüsse S3 und S4, die Erdungsanschlüsse G und das
Filterelement 22 (f2) elektrisch durch die Verbindungsdräh
te 43 über die Verbindungsanschlüsse des Filterelements 22
angeschlossen. Der Drahtverbindungsprozeß wird durchge
führt, um die elektrischen Verbindungen zwischen diesen
Elementen zu erreichen.
Wie oben beschrieben wurde, besitzt die Filter
vorrichtung nach der vorliegenden Ausführungsform eine an
schlußstiftfreie Chipträgerstruktur und die Signalanschlüs
se "Sgn" und die Erdungsanschlüsse "GND" sind auf dem Kera
miksubstrat 303 über die Seitenflächen des Keramiksubstrats
303 vorgesehen, wie in Fig. 32B gezeigt ist.
Wie in Fig. 31A dargestellt ist, sind die Induk
tivitäten L und die Kondensatoren C der Eingangs-Phasenan
passungseinheiten 301A und 301B bei der vorliegenden Aus
führungsform, und die Verdrahtung und die Elektrodenmuster,
welche elektrisch diese Elemente miteinander verbinden, auf
das Keramiksubstrat 303 gepackt.
Fig. 31B zeigt das Elektrodenmuster auf der obe
ren Oberfläche des Keramiksubstrats 303, und Fig. 31C zeigt
das Elektrodenmuster auf der Bodenfläche des Keramiksub
strats 303. Ferner besitzt die Filtervorrichtung nach der
vorliegenden Ausführungsform die leitenden Löcher 305, die
elektrisch das Elektrodenmuster auf der Bodenfläche des Ke
ramiksubstrats 303 und das Elektrodenmuster auf der oberen
Oberfläche des Keramiksubstrats 303 verbinden.
In ähnlicher Weise sind die Filterelemente 21 und
22 auf der oberen Oberfläche des Keramiksubstrats 303 und
das Elektrodenmuster auf der Bodenfläche des Keramiksub
strats 303 elektrisch durch die leitenden Öffnungen oder
Bohrungen 305 miteinander verbunden.
Wie ferner in Fig. 32B gezeigt ist, enthält die
Filtervorrichtung nach der vorliegenden Ausführungsform die
Kappe 42. Die Kappe 42 ist an dem Kappen-Anklebeabschnitt
316 (wie in Fig. 29A gezeigt ist) der ersten Schicht 313A
befestigt, so daß eine gute Haftung zwischen dem Keramik
substrat 303 und der Kappe 42 erreicht wird.
Wie oben in Verbindung mit verschiedenen Ausfüh
rungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben wurde,
besitzt die Filtervorrichtung nach der vorliegenden Erfin
dung ein einzelnes Gehäuse, welches wenigstens zwei Filte
relemente aufnimmt, von denen jedes lediglich Signale in
nerhalb eines vorbestimmten Frequenzbandes durchläßt, wobei
die Filterelemente Mittenfrequenzen der Frequenzbänder be
sitzen, die voneinander unterschieden bzw. verschieden
sind. Es ist bei der vorliegenden Erfindung möglich, eine
Filtervorrichtung zu schaffen, die eine gute Qualität der
Bandpaßfilterung ermöglicht und eine Konstruktion eines Ra
diosignalteiles eines Zweiband-Radiosystems mit geringer
Größe und geringem Gewicht erlaubt. Ferner besitzt die Fil
tervorrichtung der vorliegenden Erfindung eine anschluß
stiftfreie Chipträgerstruktur und es ist möglich, ein
Zweiband-Radiosystem zu schaffen, welches einen Radio
signalabschnitt enthält mit einer kleinen Größe, einem ge
ringen Gewicht und hoher Zuverlässigkeit.
Claims (17)
1. Filtervorrichtung, mit:
einem Gehäuse (30),
wenigstens zwei Filterelementen (21, 22), die in dem Gehäuse vorgesehen sind, wobei jedes der wenigstens zwei Filterelemente lediglich Signale innerhalb eines vor bestimmten Frequenzbandes durchläßt, wobei die vorbestimm ten Frequenzbänder der wenigstens zwei Filterelemente Mit tenfrequenzen (f1, f2) besitzen, die voneinander verschie den sind,
einem Eingangsanschluß (T1), der mit den jeweili gen Eingängen der wenigstens zwei Filterelemente verbunden ist und von diesen gemeinsam benutzt wird, und
einem Ausgangsanschluß (T3), der mit den jeweili gen Ausgängen der wenigstens zwei Filterelemente verbunden ist und von diesen gemeinsam benutzt wird.
einem Gehäuse (30),
wenigstens zwei Filterelementen (21, 22), die in dem Gehäuse vorgesehen sind, wobei jedes der wenigstens zwei Filterelemente lediglich Signale innerhalb eines vor bestimmten Frequenzbandes durchläßt, wobei die vorbestimm ten Frequenzbänder der wenigstens zwei Filterelemente Mit tenfrequenzen (f1, f2) besitzen, die voneinander verschie den sind,
einem Eingangsanschluß (T1), der mit den jeweili gen Eingängen der wenigstens zwei Filterelemente verbunden ist und von diesen gemeinsam benutzt wird, und
einem Ausgangsanschluß (T3), der mit den jeweili gen Ausgängen der wenigstens zwei Filterelemente verbunden ist und von diesen gemeinsam benutzt wird.
2. Filtervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß sie ferner enthält:
eine erste Phasenanpassungseinheit (31, C1, L1), die zwischen dem Eingangsanschluß und den Eingängen der we nigstens zwei Filterelemente vorgesehen ist, und
eine zweite Phasenanpassungseinheit (32, C2, L2), die zwischen dem Ausgangsanschluß und den Ausgängen der we nigstens zwei Filterelemente vorgesehen ist.
eine erste Phasenanpassungseinheit (31, C1, L1), die zwischen dem Eingangsanschluß und den Eingängen der we nigstens zwei Filterelemente vorgesehen ist, und
eine zweite Phasenanpassungseinheit (32, C2, L2), die zwischen dem Ausgangsanschluß und den Ausgängen der we nigstens zwei Filterelemente vorgesehen ist.
3. Filtervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die erste Phasenanpassungseinheit eine
erste Übertragungsleitung (31) aufweist, die mit dem Ein
gangsanschluß (T1) verbunden ist und die mit einem (21) der
wenigstens zwei Filterelemente verbunden ist, eine erste
Induktivität (L1) und einen ersten Kondensator (C1) umfaßt,
wobei die erste Induktivität und der erste Kondensator mit
dem Eingangsanschluß (T1) verbunden sind und mit dem ande
ren einen (22) der wenigstens zwei Filterelemente verbunden
sind, und daß die zweite Phasenanpassungseinheit eine zwei
te Übertragungsleitung (32) umfaßt, die mit dem Ausgangsan
schluß (T3) und mit einem (21) der wenigstens zwei Filtere
lemente verbunden ist, eine zweite Induktivität (L2) und
einen zweiten Kondensator (C2) aufweist, wobei die zweite
Induktivität und der zweite Kondensator mit dem Ausgangsan
schluß (T3) verbunden sind und mit dem anderen einen (22)
der wenigstens zwei Filterelemente verbunden sind.
4. Filtervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die wenigstens zwei Filterelemente (21,
22) akustische Oberflächenwellen-Filterelemente aufweisen.
5. Filtervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die wenigstens zwei Filterelemente (21,
22) akustische Oberflächenwellen-Filterelemente umfassen,
wobei jedes akustische Oberflächenwellen-Filterelement eine
Anzahl von akustischen Oberflächenwellen-Resonatoren ent
hält, die in einer siebkettenartigen Formation angeordnet
sind, wobei die akustischen Oberflächenwellenfilter folgen
des enthalten:
ein erstes akustisches Oberflächenwellen-Filter element (21), welches eines der wenigstens zwei Filterele mente bildet und Parallel-Resonatoren ((a), (e)) besitzt, die an Eingängen (t1, t2) des ersten akustischen Oberflä chenwellen-Filterelements und an Ausgängen (t3, t4) des er sten akustischen Oberflächenwellen-Filterelements angeord net sind, und
ein zweites akustisches Oberflächenwellen-Filter element (22), welches ein anderes eines der wenigstens zwei Filterelemente bildet und Reihen-Resonatoren ((f), (j)) be sitzt, die an einem Eingang (t11) des zweiten akustischen Oberflächenwellen-Filterelements und an einem Ausgang (t13) des zweiten akustischen Oberflächenwellen-Filterelements angeordnet sind.
ein erstes akustisches Oberflächenwellen-Filter element (21), welches eines der wenigstens zwei Filterele mente bildet und Parallel-Resonatoren ((a), (e)) besitzt, die an Eingängen (t1, t2) des ersten akustischen Oberflä chenwellen-Filterelements und an Ausgängen (t3, t4) des er sten akustischen Oberflächenwellen-Filterelements angeord net sind, und
ein zweites akustisches Oberflächenwellen-Filter element (22), welches ein anderes eines der wenigstens zwei Filterelemente bildet und Reihen-Resonatoren ((f), (j)) be sitzt, die an einem Eingang (t11) des zweiten akustischen Oberflächenwellen-Filterelements und an einem Ausgang (t13) des zweiten akustischen Oberflächenwellen-Filterelements angeordnet sind.
6. Filtervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch
gekennzeichnet, daß das erste akustische Oberflächenwellen-
Filterelement (21) eine Mittenfrequenz (f1) besitzt, die
niedriger ist als eine Mittenfrequenz (f2) des zweiten aku
stischen Oberflächenwellen-Filterelements (22).
7. Filtervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das Gehäuse folgendes enthält:
ein laminiertes Teil (40, 50, 55) mit leitenden Schichten und Isolierschichten, die abwechselnd laminiert sind, wobei das laminierte Teil Ausnehmungsabschnitte ent hält, und
eine Kappe (42), welche die wenigstens zwei Fil terelemente (21, 22) in den Ausnehmungsabschnitten des la minierten Teiles abdichtet.
ein laminiertes Teil (40, 50, 55) mit leitenden Schichten und Isolierschichten, die abwechselnd laminiert sind, wobei das laminierte Teil Ausnehmungsabschnitte ent hält, und
eine Kappe (42), welche die wenigstens zwei Fil terelemente (21, 22) in den Ausnehmungsabschnitten des la minierten Teiles abdichtet.
8. Filtervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch
gekennzeichnet, daß das Gehäuse ein laminiertes Teil (40,
50, 55) aufweist, wobei das laminierte Teil leitende
Schichten und isolierende Schichten abwechselnd laminiert
aufweist und wobei die erste Übertragungsleitung (31) und
die zweite Übertragungsleitung (32) durch eine der leiten
den Schichten des laminierten Teiles gebildet sind.
9. Filtervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die erste Übertragungsleitung (31) und
die zweite Übertragungsleitung (32) an einer Außenfläche
des Gehäuses positioniert sind.
10. Filtervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die erste Übertragungsleitung (31) und
die zweite Übertragungsleitung (32) an einer Außenfläche
des Gehäuses positioniert sind und daß die wenigstens zwei
Filterelemente (21, 22) an der Außenfläche des Gehäuses po
sitioniert sind.
11. Filtervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Filtervorrichtung ferner aufweist:
wenigstens eine erste Phasenanpassungseinheit (31, L1, C1) und eine zweite Phasenanpassungseinheit (32, L2, C2), wobei die erste Phasenanpassungseinheit zwischen dem Eingangsanschluß (T1) und einem (21) der wenigstens zwei Filterelemente vorgesehen ist, und die zweite Phasen anpassungseinheit zwischen dem einen (21) der wenigstens zwei Filterelemente und dem Ausgangsanschluß (T3) vorgese hen ist; und
einen Verbindungsanschluß (T2, T4, T5, T6), der mit wenigstens einer der ersten Phasenanpassungseinheit und der zweiten Phasenanpassungseinheit verbunden ist,
wobei die wenigstens eine der ersten Phasenanpas sungseinheit und der zweiten Phasenanpassungseinheit eine Induktivität (L1, L2) und einen Kondensator (C1, C2) auf weist.
wenigstens eine erste Phasenanpassungseinheit (31, L1, C1) und eine zweite Phasenanpassungseinheit (32, L2, C2), wobei die erste Phasenanpassungseinheit zwischen dem Eingangsanschluß (T1) und einem (21) der wenigstens zwei Filterelemente vorgesehen ist, und die zweite Phasen anpassungseinheit zwischen dem einen (21) der wenigstens zwei Filterelemente und dem Ausgangsanschluß (T3) vorgese hen ist; und
einen Verbindungsanschluß (T2, T4, T5, T6), der mit wenigstens einer der ersten Phasenanpassungseinheit und der zweiten Phasenanpassungseinheit verbunden ist,
wobei die wenigstens eine der ersten Phasenanpas sungseinheit und der zweiten Phasenanpassungseinheit eine Induktivität (L1, L2) und einen Kondensator (C1, C2) auf weist.
12. Filtervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Filtervorrichtung ferner aufweist:
eine erste Phasenanpassungseinheit (31, C1, L1), die zwischen dem Eingangsanschluß (T1) und den Eingängen der wenigstens zwei Filterelemente (21, 22) vorgesehen ist, und
eine zweite Phasenanpassungseinheit (32, C2, L2), die zwischen dem Ausgangsanschluß (T3) und den Ausgängen der wenigstens zwei Filterelemente (21, 22) vorgesehen ist,
wobei die wenigstens zwei Filterelemente, die er ste Phasenanpassungseinheit und die zweite Phasenanpas sungseinheit auf einer Oberfläche des Gehäuses (30) gepackt sind.
eine erste Phasenanpassungseinheit (31, C1, L1), die zwischen dem Eingangsanschluß (T1) und den Eingängen der wenigstens zwei Filterelemente (21, 22) vorgesehen ist, und
eine zweite Phasenanpassungseinheit (32, C2, L2), die zwischen dem Ausgangsanschluß (T3) und den Ausgängen der wenigstens zwei Filterelemente (21, 22) vorgesehen ist,
wobei die wenigstens zwei Filterelemente, die er ste Phasenanpassungseinheit und die zweite Phasenanpas sungseinheit auf einer Oberfläche des Gehäuses (30) gepackt sind.
13. Filtervorrichtung nach Anspruch 12, dadurch
gekennzeichnet, daß das Gehäuse (30) eine Kappe (42, 304)
aufweist, die hermetisch die wenigstens zwei Filterelemente
in dem Gehäuse abdichtet.
14. Filtervorrichtung nach Anspruch 13, dadurch
gekennzeichnet, daß das Gehäuse (30) eine anschlußstift
freie Chipträgerstruktur aufweist, daß die wenigstens zwei
Filterelemente auf einer ersten Oberfläche des Gehäuses
(303) gepackt sind und daß wenigstens eine der ersten Pha
senanpassungseinheit (301A, 301B) und der zweiten Phasenan
passungseinheit (302A, 302B) auf einer zweiten, gegenüber
liegenden Oberfläche des Gehäuses (303) gepackt ist,
wobei die erste Phasenanpassungseinheit eine er ste Übertragungsleitung umfaßt, die mit dem Eingangsan schluß verbunden ist und mit einem der wenigstens zwei Fil terelemente verbunden ist, und wobei die zweite Phasenan passungseinheit eine zweite Übertragungsleitung umfaßt, die mit dem Ausgangsanschluß verbunden ist und mit dem einen der wenigstens zwei Filterelemente verbunden ist, und
bei der die wenigstens zwei Filterelemente und wenigstens eine der ersten Phasenanpassungseinheit und der zweiten Phasenanpassungseinheit elektrisch über die erste und die zweite Übertragungsleitung miteinander verbunden sind.
wobei die erste Phasenanpassungseinheit eine er ste Übertragungsleitung umfaßt, die mit dem Eingangsan schluß verbunden ist und mit einem der wenigstens zwei Fil terelemente verbunden ist, und wobei die zweite Phasenan passungseinheit eine zweite Übertragungsleitung umfaßt, die mit dem Ausgangsanschluß verbunden ist und mit dem einen der wenigstens zwei Filterelemente verbunden ist, und
bei der die wenigstens zwei Filterelemente und wenigstens eine der ersten Phasenanpassungseinheit und der zweiten Phasenanpassungseinheit elektrisch über die erste und die zweite Übertragungsleitung miteinander verbunden sind.
15. Filtervorrichtung nach Anspruch 12, dadurch
gekennzeichnet, daß das Gehäuse (30) aus einem Keramikmate
rial hergestellt ist.
16. Filtervorrichtung nach Anspruch 11, dadurch
gekennzeichnet, daß der Verbindungsanschluß (T5, T6) extern
die wenigstens eine erste Phasenanpassungseinheit (C1, L1)
und die zweite Phasenanpassungseinheit (C2, L2) mit der
Filtervorrichtung verbindet.
17. Radiosystem, mit:
einer Radiosignalsendereinheit (13), welche modu lierte Signale an einem Eingang der Radiosignalsenderein heit verarbeitet, um ein Sende-Radiosignal an einem Ausgang zu erzeugen, wobei das Sende-Radiosignal zu einer externen Station gesendet wird,
einer Radiosignalempfängereinheit (14), die ein Signal an einem Eingang der Radiosignalempfängereinheit verarbeitet, um ein Empfangs-Radiosignal an einem Ausgang zu erzeugen,
eine Modulatoreinheit (72), welche modulierte Si gnale an Ausgängen der Modulatoreinheit aus den verarbeite ten Signalen an den Eingängen der Modulatoreinheit mit Hil fe einer Modulation erzeugt,
eine Demodulatoreinheit (75), welche an Ausgängen der Demodulatoreinheit aus dem Empfangs-Radiosignal von der Radiosignalempfängereinheit an einem Eingang der Demodula toreinheit mit Hilfe einer Demodulation demodulierte Signa le erzeugt,
eine Basisband-Signalprozessoreinheit (71), die verarbeitete Signale an Ausgängen der Basisband-Signal prozessoreinheit aus einem Audiosignal an einem Eingang der Basisband-Signalprozessoreinheit durch Verarbeiten eines Basisbandsignals erzeugt, wobei die Ausgänge der Basisband- Signalprozessoreinheit mit den Eingängen der Modulatorein heit verbunden sind, die Signalprozessoreinheit einen ande ren Ausgang aufweist, an den ein Audiosignal aus den demo dulierten Signalen an anderen Eingängen der Basisband- Signalprozessoreinheit durch Verarbeitung eines Basisband signals erzeugt wird, wobei die anderen Eingänge der Basis band-Signalprozessoreinheit mit den Ausgängen der Demodula toreinheit verbunden sind,
dadurch gekennzeichnet, daß sowohl die Senderein heit (13) als auch die Empfängereinheit (14) wenigstens ei ne Filtervorrichtung (15, 17, 18, 20) aufweist, wobei die wenigstens eine Filtervorrichtung folgendes enthält:
ein Gehäuse (30),
wenigstens zwei Filterelemente (21, 22), die in dem Gehäuse vorgesehen sind, wobei jedes der wenigstens zwei Filterelemente lediglich Signale innerhalb eines vor bestimmten Frequenzbandes durchläßt, wobei die vorbestimm ten Frequenzbänder der wenigstens zwei Filterelemente Mit tenfrequenzen besitzen, die voneinander verschieden sind;
einen Eingangsanschluß (T1), der mit jeweiligen Eingängen der wenigstens zwei Filterelemente verbunden ist und der durch die jeweiligen Eingänge gemeinsam benutzt wird, und
einen Ausgangsanschluß (T3), der mit jeweiligen Ausgängen der wenigstens zwei Filterelemente verbunden ist, welche diesen gemeinsam benutzen.
einer Radiosignalsendereinheit (13), welche modu lierte Signale an einem Eingang der Radiosignalsenderein heit verarbeitet, um ein Sende-Radiosignal an einem Ausgang zu erzeugen, wobei das Sende-Radiosignal zu einer externen Station gesendet wird,
einer Radiosignalempfängereinheit (14), die ein Signal an einem Eingang der Radiosignalempfängereinheit verarbeitet, um ein Empfangs-Radiosignal an einem Ausgang zu erzeugen,
eine Modulatoreinheit (72), welche modulierte Si gnale an Ausgängen der Modulatoreinheit aus den verarbeite ten Signalen an den Eingängen der Modulatoreinheit mit Hil fe einer Modulation erzeugt,
eine Demodulatoreinheit (75), welche an Ausgängen der Demodulatoreinheit aus dem Empfangs-Radiosignal von der Radiosignalempfängereinheit an einem Eingang der Demodula toreinheit mit Hilfe einer Demodulation demodulierte Signa le erzeugt,
eine Basisband-Signalprozessoreinheit (71), die verarbeitete Signale an Ausgängen der Basisband-Signal prozessoreinheit aus einem Audiosignal an einem Eingang der Basisband-Signalprozessoreinheit durch Verarbeiten eines Basisbandsignals erzeugt, wobei die Ausgänge der Basisband- Signalprozessoreinheit mit den Eingängen der Modulatorein heit verbunden sind, die Signalprozessoreinheit einen ande ren Ausgang aufweist, an den ein Audiosignal aus den demo dulierten Signalen an anderen Eingängen der Basisband- Signalprozessoreinheit durch Verarbeitung eines Basisband signals erzeugt wird, wobei die anderen Eingänge der Basis band-Signalprozessoreinheit mit den Ausgängen der Demodula toreinheit verbunden sind,
dadurch gekennzeichnet, daß sowohl die Senderein heit (13) als auch die Empfängereinheit (14) wenigstens ei ne Filtervorrichtung (15, 17, 18, 20) aufweist, wobei die wenigstens eine Filtervorrichtung folgendes enthält:
ein Gehäuse (30),
wenigstens zwei Filterelemente (21, 22), die in dem Gehäuse vorgesehen sind, wobei jedes der wenigstens zwei Filterelemente lediglich Signale innerhalb eines vor bestimmten Frequenzbandes durchläßt, wobei die vorbestimm ten Frequenzbänder der wenigstens zwei Filterelemente Mit tenfrequenzen besitzen, die voneinander verschieden sind;
einen Eingangsanschluß (T1), der mit jeweiligen Eingängen der wenigstens zwei Filterelemente verbunden ist und der durch die jeweiligen Eingänge gemeinsam benutzt wird, und
einen Ausgangsanschluß (T3), der mit jeweiligen Ausgängen der wenigstens zwei Filterelemente verbunden ist, welche diesen gemeinsam benutzen.
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