DE1614865A1 - Optoelectronic semiconductor device - Google Patents

Optoelectronic semiconductor device

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DE1614865A1
DE1614865A1 DE19671614865 DE1614865A DE1614865A1 DE 1614865 A1 DE1614865 A1 DE 1614865A1 DE 19671614865 DE19671614865 DE 19671614865 DE 1614865 A DE1614865 A DE 1614865A DE 1614865 A1 DE1614865 A1 DE 1614865A1
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optoelectronic semiconductor
radiation
translucent
housing
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Dipl-Phys Walter Zizelmann
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Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Description

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Tele funken Pat entverwerttingsges ellschaftTele funken Pat Entverwerttingsgesellschaft

m.b.H.
Ulm / Donau, Elisabethenstr. 3mbH
Ulm / Danube, Elisabethenstr. 3

Heilbronn, den 19.9.1967 FE/PT-Ma/Na HN 67/6.7Heilbronn, September 19, 1967 FE / PT-Ma / Na HN 67 / 6.7

"Optoelektronische Halbleiteranordnung11 "Optoelectronic semiconductor device 11

Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Halbleiteranordnung mit einem Strahlung emittierenden und einem von Strahleneinwirkung abhängigen Bauelement und besteht darin, daß beide Bauelemente in einem gemeinsamen, strahlungsdurchlässigen Gehäuse so angeordnet sind, daß aus dem Maße der optoelektronischen Koppelung der beiden Bauelemente auf die Art eines das Gehäuse umgebendem Mscüissaas oder ©ines dem Gehäuse benachbarten Gegenstandes gese&Loseen. wandern kann·The invention relates to an optoelectronic semiconductor arrangement with a radiation-emitting and one of Radiation exposure-dependent component and consists in that both components in a common, radiation-permeable Housing are arranged so that from the extent of the optoelectronic coupling of the two components to the Type of a Mscüissaas surrounding the housing or ines the housing neighboring item and loose. can hike

Da gemäß der vorliegenden Erfindung - im Gegensatz zu bekannten Vorrichtungen - die Strahlungβquelle und der Strahlenempfänger in einem gemeinsamen Gehäuse untergebracht ist« vereinfacht und verbilligt sich der Aufbau von Anaseigegeräten, in denen auf Licht- oder Strahleneinwirkung ansprechende Bauelemente zu Registrier— und Zählzwecken eingesetzt werden.Since according to the present invention - in contrast to known devices - the radiation source and the radiation receiver is housed in a common housing " Simplifies and cheaper the construction of Anaseiggeräte in which responsive to light or radiation exposure components be used for registration and counting purposes.

Für die Funktionsweise der erfindungegemäßen optoelektronischen Halbleiteranordnung sind mehrere Faktoren wesentlich.For the functioning of the optoelectronic according to the invention Several factors are essential to semiconductor assembly.

bad orb»« I 009852/0590bad orb "" I 009852/0590

So wird von der Form, dem Brechungsindex des im lichtdurchlässigen Gehäuse befindlichen Mediums und von der örtlichen Lage der Halbleiterbauelemente in Gehäuse das Maß bestimmt, in dem die von einem Bauelement ausgehende Strahlung auf
das andere Bauelement reflektiert wird. Die genannten Faktoren können beispielsweise so gewählt und aufeinander abgestimmt werden, daß der von einem Bauelement ausgehende Lichtstrahl an der Grenzfläche zwischen dem Gehäuse und dem Außenmedium total auf das andere strahlung»empfindliche Bauelement reflektiert wird, wenn das Medium außerhalb des Gehäuses gasförmig ist· Ist das Außenssedium Jedoch flüssig, ändern sich die Brechungsverfeältnieee hei einer solchen Anordnung derart, daß der Lichtstrahl ungehindert an der Grenzfläche zwischen Gehäuse und Flüssigkeit austritt und das strahlungsempfindliche Bauelement ohne Strahleneinwirkung bleibt. Aus dem Maß der Lichtreflexion an der Grenzfläche zwischen Gehäuse und Außen· medium und der damit verbundenen Änderung eines lichtabhangigen Kennwertes des von der reflektierten Strahlung getroffenen, lichtempfindlichen Bauelementes kann somit auf die Art des außerhalb des Gehäuses befindlichen Mediums geschlossen werden.
Auf diese ¥eise lassen sich beispielsweise Anzeigegeräte für Brunnen, Flüssigkeitsbehälter und dergleichen aufbauen, die den Abfall oder das Ansteigen des Pegelstandes unter oder über einen durch di« Leg;· des optoelektronischen Bauelementes definierten Vezt angeben» Di« vorliegend« Krfindung soll noch anhand zweierThe shape, the refractive index of the medium located in the transparent housing and the local position of the semiconductor components in the housing determine the extent to which the radiation emanating from a component is absorbed
the other component is reflected. The factors mentioned can, for example, be selected and coordinated in such a way that the light beam emanating from one component is totally reflected onto the other radiation-sensitive component at the interface between the housing and the external medium when the medium outside the housing is gaseous However Außenssedium liquid, the Brechungsverfeältnieee change hei such an arrangement such that the light beam emerges freely at the interface between the housing and liquid and remains the radiation-sensitive component without radiation exposure. From the amount of light reflection at the interface between the housing and the external medium and the associated change in a light-dependent characteristic value of the light-sensitive component struck by the reflected radiation, conclusions can be drawn about the type of medium located outside the housing.
In this way, for example, display devices for wells, liquid containers and the like can be built that indicate the drop or rise in the water level below or above a term defined by the optoelectronic component

Auaführungsbeispiel· näher erläutert werden*Execution example to be explained in more detail *

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Die Figuren 1 und 2 zeigen im Schnitt ein Bauelement, das besonders für Anzeige und Steuerung von Flüssigkeitspegeln geeignet ist, während in den Figuren 3 und k gleichfalls im Schnitt der Aufbau und die Wirkungsweise einer optoelektronischen Halbleiteranordnung dargestellt ist, die Torteilhafterweisθ zur Zählung und Registrierung von Objekten eingesetzt wird·Figures 1 and 2 show in section a component which is particularly suitable for display and control of liquid levels, while in Figures 3 and k is also shown in section the structure and mode of operation of an optoelectronic semiconductor device, the Torteilhafterweisθ for counting and registering Objects is used

Die in Figur 1 dargestellte Halbleiteranordnung besteht aus einem Gehäusesockel 1, durch den beispielsweise drei Elektrodenzuführung en 2 bis k isoliert durchgeführt sind, während die viert« Elektrodenzulaitung 6 &m saetßlliecSien Boden des Gehäusesockels elektrisch leitend angebracht ist· Eine der Elektrodensuleitungen (3) ragt über dem Böden de« Gehäusesockel, und am Ende dieser Elektrodenxuleitung ist ein Strahlung·- bzw. lichtempfindliches Bauelement 6 mit seiner einen Elektrode befestigt. Die··· lichtempfindliche Bauelement besteht beispielsweise aus einer Siliziumphotodiodei einem Photowiderstand oder einem Phototransistor· Handelt es sich - wie im dargestellten Fall - um eine Photodiode oder um' einen Photowiderstand, so ist die andere Elektrode dieses lichtempfindlichen Bauelementes mit einer weiteren Elektrodenzuführung (2) über einen dünnen Zuleitungsdraht 7 elektrisch leitend verbunden. Es kann auch so vorgegangen werden, daß die beiden Elektrodenzuleitungen 2 und 3 über den Gehäusesockel hochragen und an ihren Enden so zusammengebogen werden, daßThe semiconductor arrangement shown in FIG. 1 consists of a housing base 1 through which, for example, three electrode leads 2 to k are insulated, while the fourth electrode lead 6 is attached to the bottom of the housing base in an electrically conductive manner Bottoms of the housing base, and at the end of this electrode line a radiation or light-sensitive component 6 is attached with its one electrode. The light-sensitive component consists, for example, of a silicon photodiode, a photoresistor or a phototransistor. Connected in an electrically conductive manner via a thin lead wire 7. It is also possible to proceed in such a way that the two electrode leads 2 and 3 protrude above the housing base and are bent together at their ends in such a way that

OHiQlNAL - OHiQlNAL -

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das lichtempfindliche Bauelement 6 zwischen die Enden der Elektrodenzuleitungen gebracht und mit diesen elektrisch leitend verbunden werden kann. Das lichtempfindliche Bauelement befindet sich somit in jedem Fall -in einer zentralen Lage über dem Boden des Gehäusesockel. Am Rande der Bodenfläche 8 des Gehäusesockel ist das strahlenemittierende Bauelement 9 mit seiner einen Elektrode befestigt, die somit gleichzeitig mit der Elsktrodenzuleitung 5 elektrisch leitend verbunden ist» Der Gehäusesockel und die Elektrodenzuleitungen sind zusammen mit den Halbleiterbauelementen in eine lichtdurchlässige Masse Io eingebettet, die beispielsweise aus Glas, Kunstharz oder einem Gemisch der beiden Stoffe besteht. Diese lichtdurchlässige Masse bildet den Gehäueeabschluß und weist vorzugsweise eine sich zum Gehäusesockel hin erweiternde kegelige Form auf·the light-sensitive component 6 can be brought between the ends of the electrode leads and connected to them in an electrically conductive manner. The light-sensitive component is thus in any case - in a central position above the bottom of the housing base. At the edge of the bottom surface 8 of the housing base, the radiation-emitting component 9 is fastened with its one electrode, which is thus at the same time electrically conductively connected to the ELECTRODE lead 5 Glass, synthetic resin or a mixture of the two substances. This translucent mass forms the end of the housing and preferably has a conical shape that widens towards the housing base.

Wenn nun, wie dies in der Figur 1 dargestellt ist, vom Bauelement 9t das beispielsweise aus einer Gallium-Araenid-Lumineszenzdiode besteht, aufgrund des durch das Bauelement fließenden Stromes ein Lichtstrahl 11 auegesandt wird, so trifft dieser unter einem sehr großen Einfallswinkel auf die Grenzfläche zwischen der lichtdurchlässigen Messe Io und dem umgebenden Medium 12 auf. Der Einfallswinkel liegt nur wenig unter 9o°. Venn nun das umgebende Medium 12 aus einem Gas besteht,If now, as shown in FIG. 1, the component 9t consists of, for example, a gallium araenide luminescent diode exists, a light beam 11 is sent out due to the current flowing through the component, so it hits the interface between the translucent mass Io and the at a very large angle of incidence surrounding medium 12. The angle of incidence is only a little less than 90 °. If the surrounding medium 12 now consists of a gas,

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so wird der Lichtstrahl 11 an der den Gehäuseabschluß bildenden Grenzfläche 13 total reflektiert und trifft auf die lichtempfindliche Schicht des Halbleiterbauelementes 6, dessen örtliche Lage dementsprechend in dem Gehäuse gewählt ist. Der vom Licht abhängige Kennwert des lichtempfindlichen Bauelementes 6 wird durch den starken Lichteinfall bei einem das Gehäuse umgebenden gasförmigen Medium somit sehr stark beeinflußt.so the light beam 11 is formed at the end of the housing The interface 13 is totally reflected and strikes the light-sensitive layer of the semiconductor component 6, the location of which is selected accordingly in the housing. The light-sensitive characteristic value of the light-sensitive Component 6 is thus very much due to the strong incidence of light in a gaseous medium surrounding the housing strongly influenced.

Wenn dagegen, wie dies die Figur 2 zeigt, das das Gehäuse umgebende Medium 12 aus einer Flüssigkeit besteht, so erfährt der Lichtstrahl 11 an der HsNssasfIaelae i3 keine Reflexion und tritt ungehindert in die Flüssigkeit aus. Deo lichtempfindliche Bauelement bleibt daher in diesem Fall ©Sam© Bestrahlung. Daraus ergibt sich, daß sich der vom Liebt abhängige Kennwert des Bauelementes 6 bei einem gasförmigen Medium 12 stark von dem bei einem flüssigen Med 'um unterscheiden wird. Aus dem Wert des lichtabhängigen Kennwertes kann daher direkt auf das das Gehäuse umgebende Medium geschlossen werden. Die Differenz: zwischen den beiden Kennwerten kann zur Steuerung von Schaltanlagen, Pumpen, Motoren oder anderen Geräten verwendet werden .If, however, as shown in FIG. 2, the housing surrounding medium 12 consists of a liquid, so learns the light beam 11 at the HsNssasfIaelae i3 no reflection and escapes unhindered into the liquid. Deodorant photosensitive The component therefore remains in this case © Sam © Irradiation. It follows that the Liebt-dependent characteristic value of the component 6 in a gaseous medium 12 is greatly from which is differentiated in a liquid medicine. From the The value of the light-dependent characteristic value can therefore directly refer to the Housing surrounding medium are closed. The difference: between the two parameters can be used to control switchgear, Pumps, motors, or other devices.

Wenn ·* sich nieht - wie dies bei der Beschreibung der Figur 2 vorausgesetzt wurde - um eine klare Flüssigkeit handelt, dieIf * * does not correspond - as in the description of FIG. 2 was assumed - is a clear liquid that

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die lichtdurchlässige Masse Io des Gehäuses umgibt, sondern um eine lichtβtreuende Flüssigkeit, wie Milch, tritt ein weiterer Effekt auf. Die Rückstreuung des Lichtes in das Bauelement beeinfluß den Empfänger in einem für die jeweilige Flüssigkeit charakteristischen Maße. Es kann somit aus dem durch die Streulichtstrahlung geänderten, lichtabhängigen W Kennwert des Bauelementes 6 auf den Reinheitsgrad bzw* auch den Grad der Eintrübung einer das Gehäuse umgebenden Flüssigkeit geschlossen werden.the translucent mass Io of the housing surrounds, but around a light-diffusing liquid such as milk, another effect occurs. The backscattering of the light into the component influences the receiver to a degree that is characteristic of the respective liquid. The light-dependent W characteristic value of the component 6, which is changed by the scattered light radiation, can thus be used to determine the degree of purity or also the degree of cloudiness of a liquid surrounding the housing.

In Figur 3 iot eine weitere optoelektronische Halbleiteranordnung dargest@llt„ fe«i der jedoch beide Bauelemente - eine Galliwra-ArsesEid-Lissine-sasensdiode 9 und eine Silizium-Photodiode 6 - mit je einer Elektrode auf der metallischen Bodenfläche 8 des Gehäusesockel« 1 befestigt sind. Beide Bauelemente sind etwa in der Mitte der meist kreisförmigen Bodenfläche angeordnet.-Die Elektrodenzuleitung 5 ist mit dem metallischen Gehäusesockel elektrisch leitend verbunden, während die von der Bodenfläche des Gehäusesockels unkontaktierten Elektroden der Halbleiterbauelemente 6 und 9 an den isoliert durch den Gehäusesockel durchgeführten Elektrodenzuleitungen 3 und 2 elektrisch angeschlossen sind. Über der Bodenfläche wölbt sieh vorzugsweise halbkugelförmig die lichtdurchlässige Masse Io, die beispielsweise aus Kunstharz besteht und in die die Bauelemente und die an die Bauelement· angeschloiIn Figure 3 iot a further optoelectronic semiconductor arrangement However, both components are shown - a Galliwra-ArsesEid-Lissine-sasensdiode 9 and a silicon photodiode 6 - each with an electrode on the metallic bottom surface 8 of the housing base «1 are attached. Both Components are roughly in the middle of the mostly circular ones Floor area arranged.-The electrode lead 5 is with electrically conductively connected to the metallic housing base, while the uncontacted from the bottom surface of the housing base Electrodes of the semiconductor components 6 and 9 on the electrode leads insulated through the housing base 3 and 2 are electrically connected. The translucent one arches over the bottom surface, preferably in a hemispherical shape Earth Io, which is made of synthetic resin, for example and in which the components and in which the components are connected

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senen Enden der Elektroden^uleitungen eingegossen oder anderweitig eingebettet sind*The ends of the electrode lines are cast in or otherwise are embedded *

Wenn nun * wie Figur 3 zeigt - ve-a. der Lumineszenzdiode 6 ein Lichtstrahl 11 ausgeht, so trifft dieser praktisch senkrecht auf die kugelföraige Grenzfläche zwischen der lichtdurchlässigen Masse Io und den umgebenden Mediun 12, das beispielsweise aus der normalen Rausalttft besteht. Wenn sich in der Nähe der Halbleiteranordnung keine lichtreflektierenden Gegenstände befinden, wird die Photodiode 9 praktisch keinen Lichteinfall registrieren. Wenn jedoch - wie in Figur 4 an der Halbleiteranordnung ein lichtundurchlässlger Gegenstand 15t beispielsweise in Pfeilrichtung, vorbeigeführt wird, wird ein bestlssiter Anteil 16 des von der Lumineszenzdiode 6 ausgestrahlten Lichtes in die lichtdurchlässige Masse Io zurückreflektiert und trifft &u€ die Photodiode 9, die durch die Änderung der lichtabhängigen Kennwerte den vorbeigeführten Gegenstand 15 registriert. Auf diese Weise können Gegenstände aller Art registriert und gezählt werden oder Prozesse der verschiedensten Art bei der Registrierung eines Gegenstandes ausgelöst werden.If now * as Figure 3 shows - ve-a. If a light beam 11 emanates from the luminescent diode 6, it strikes the spherical interface between the translucent mass Io and the surrounding medium 12, which consists, for example, of the normal Rausalttft, practically perpendicularly. If there are no light-reflecting objects in the vicinity of the semiconductor arrangement, the photodiode 9 will register practically no incidence of light. However, if - as in Figure 4 15t, for example, in the arrow direction of the semiconductor arrangement, a lichtundurchlässlger object is moved past a bestlssiter portion is reflected back 16 of the light radiated by the light emitting diode 6 the light in the transparent mass Io and hits & u € the photodiode 9 by the Changes in the light-dependent characteristic values registered the object 15 being passed by. In this way, objects of all kinds can be registered and counted or processes of the most varied kinds can be triggered when an object is registered.

Usi die Anzeige durch die beschriebenen optoelektronischen Koppelanordnungen von etwa vorhandenes Freadlicht unabhängig zu stachen, hat stan prinzipiell die Möglichkeit, «it Wechsellicht zu arbeiten.Usi the display by the described optoelectronic coupling arrangements of any existing Freadlicht independently In principle, stan has the option of stinging with alternating light to work.

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Die beschriebenen optoelektronsichen Koppel elemente können selbstverständlich in konstruktiver Weise abgeändert werden. Beispielsweise kann die räumliche Lage "der Bauelemente im Gehäuse« die Form und die Art der lichtdurchlässigen Masse und die Zahl der Elektrodenzuleitungen den jeweiligen Erfordernissen angepasst werden, ohne daß Hiervon der wesentliche k Erfindungsgedanke berührt würde. Neben den bereits genannten Verwendungsmöglichkeiten bieten sich eine Vielfalt anderer Einsatzgebiete für die erfindungsgemäßen optoelektronischen Halbleiteranordnungen an, die hier nicht in allen Einzelheiten beschrieben werden können. Erwähnt werden soll jedoch noch die EinsatzaÖglichkeit der erfindungsgemäßen Anordnungen iu Waschmaschinen, zur Steuerung der Wasserpunpen, sowie in Benzin-, Öl- und Wassertanks zur Anzeige de« jeweiligen Flüssigkeit sniveaus.The optoelectronic coupling elements described can of course be modified in a constructive manner. For example, the spatial position "of the components in the housing," the form and nature of the translucent mass and the number of electrode leads can the particular requirements to be adjusted, would be affected without these, the key k inventive idea. Apart from the aforementioned uses a variety offer other Areas of application for the optoelectronic semiconductor arrangements according to the invention, which cannot be described in detail here. However, the possibility of using the arrangements according to the invention in washing machines, for controlling the water pumps, and in gasoline, oil and water tanks for displaying the respective should be mentioned Fluid levels.

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Claims (1)

16U86516U865 - 9 Fat entan Sprüche- 9 Fat entan sayings 1) Optoelektronische Halbleiteranordnung mit einem Strahlung emittierenden und einem von Strahlerieinwirkung abhängigen Bauelement, dadurch gekennzeichnet, daß beide Bauelemente in einem gemeinsamen, strahlungsdurchlässigen Gehäuse so angeordnet sind, daß aus dem Maße der optoelektronischen Koppelung der beiden Bauelemente auf die Art eines das Gehäuse umgebenden Mediums oder eines dem Gehäuse benachbarten Gegenstandes geschlossen werden kann.1) Optoelectronic semiconductor device with a radiation emitting and one dependent on radiation effects Component, characterized in that both components in a common, radiation-permeable housing so are arranged that from the extent of the optoelectronic Coupling of the two components in the manner of a medium surrounding the housing or a medium adjacent to the housing Object can be closed. 2} Optoelektronische Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das für beide Bauelemente gemeinsame Gehäuse aus einem Gehäusesockel mit durch den Gehäusesockel geführten Elektrodenzuleitungen besteht9 und daß die auf dem Gehäusesockel oder auf den Elektrodenzuleitungen befindlichen Bauelemente in eine als Gehäuseabschluß dienende, lichtdurchlässige Masse eingebettet bzw. eingegossen sind.2} Optoelectronic semiconductor device according to claim 1, characterized in that the housing common to both components consists of a housing base with electrode leads running through the housing base 9 and that the components located on the housing base or on the electrode leads are embedded in a translucent compound serving as a housing closure or are cast. 3) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Form und der Brechungsindex der lichtdurchlässigen Masse so gewählt ist, daß die von einem Bauelement ausgehende Strahlung an der Grenzfläche lichtdurchlässige Masse - umgebendes Medium, je nach dem Brechungsindex des umgebenden Mediums mehr oder weniger stark auf das Bauelement reflektiert wird.3) Optoelectronic semiconductor device according to claim 2, characterized in that the shape and the refractive index the translucent mass is chosen so that the radiation emanating from a component is translucent at the interface Mass - surrounding medium, depending on the refractive index of the surrounding medium to a greater or lesser extent Component is reflected. 009852/0590009852/0590 16U86516U865 - Io -- Io - k) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet« daß Fora und Brechungsindex der lichtdurchlässigen Masse mo gewählt ist, daß die vom einen Bauelement ausgehende Strahlung an der Grenzfläche lichtdurchlässige Masse - umgebendes Gäe total oder nahezu total auf das andere Bauelement reflektiert wird. k) Optoelectronic semiconductor device according to claim 3, characterized «that fora and refractive index of the translucent mass mo is chosen that the radiation emanating from a component at the interface translucent mass - surrounding gas is totally or almost totally reflected on the other component. 5) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach Anspruch 3 und 4 dadurch gekennzeichnet, daß die Form und der Brechungsindex der lichtdurchlässigen Masse so gewählt ist, daß die vom einen Bauelement ausgehende Strahlung an der Grenzfläche lichtdurchlässige Masse - umgebende Flüssigkeit nicht oder nur in geringem Maße auf das andere Bauelement reflektiert wird*5) Optoelectronic semiconductor arrangement according to Claim 3 and 4 characterized in that the shape and the refractive index of the translucent mass is chosen so that the one Radiation emanating from the component at the interface between translucent material and the surrounding liquid not at all or only to a small extent Dimensions is reflected on the other component * 6) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach einem der vorher gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Strahlung emittierendes Bauelement eine Gallium-Arsenid-Lumineszenzdiode und als von der Strahlungseinwirkung abhängiges Bauelement eine Silizium-Photodiode, ein Phototransistor oder «in Photo· widerstand verwendet wird.6) Optoelectronic semiconductor device according to one of the preceding ongoing claims, characterized in that the radiation-emitting component is a gallium arsenide luminescent diode and a silicon photodiode, a phototransistor or «in Photo · resistor is used. 7) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Strahlung emittierende Bauelement auf dem Gehäuseboden befestigt ist, während das von der Strahleneinwirkung abhängige Bauele-7) Optoelectronic semiconductor arrangement according to one of the preceding Claims, characterized in that the radiation-emitting component is attached to the housing base while the component, which is dependent on the radiation 009852/OS90009852 / OS90 ment am Ende einer über die Bodenfläche des Gehäusesockels hochragenden Elektrodenzuleitung befestigt ist.ment at the end of one over the bottom surface of the housing base towering electrode lead is attached. 8) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach den Ansprüchen 4, 5 un<' 7, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtdurchlässige Masse aus unstharz besteht und auf dem Gehäusesockel halbkugel- oder kegelförmig angeordnet ist»8) Optoelectronic semiconductor arrangement according to the claims 4, 5 and <'7, characterized in that the translucent Composed of synthetic resin and on the housing base is arranged hemispherical or conical » 9) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach den Ansprüchen kt 5 und 7t dadurch gekennzeichnet, daß die lichtdurchlässige Masse aus Glas besteht*9) Optoelectronic semiconductor device according to claims k t 5 and 7t, characterized in that the translucent mass consists of glass * 10) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach Anspruch i und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Fora der lichtdurchlässigen Masse und die Anordnung der Bauelemente so gewählt ist, daß von einem Bauelement ausgehende Strahlung ohne Reflexion aus der lichtdurchlässigen Masse austritt und von Gegenständen außerhalb der lichtdurchlässigen Masse auf das von Strahlungseinwirkung abhängige Bauelement zurück reflektiert wird·10) optoelectronic semiconductor arrangement according to claim i and 2, characterized in that the Fora of the translucent mass and the arrangement of the components is chosen so that Radiation emanating from a component without reflection the translucent mass emerges and from objects outside the translucent mass to the effect of radiation dependent component is reflected back 11) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach Anspruch la, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtdurchlässige Masse halbkugelförmig ausgebildet ist und die Bauelemente im Mittelpunkt oder in der Nähe des Mittelpunktes dieser Halbkugel angeordnet sind.11) optoelectronic semiconductor device according to claim la, characterized in that the translucent mass is hemispherical is formed and the components are arranged in the center or in the vicinity of the center of this hemisphere are. 0Ö9852/059Ö .0Ö9852 / 059Ö. 16U86516U865 12) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch seine Verwendung zur Zählung und Registrierung von Objekten.12) Optoelectronic semiconductor arrangement according to one of the preceding claims, characterized by its use for counting and registering objects. 13) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach einem der k vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch seine Verwendung zur Anzeige und Steuerung von Flüssigkeitsspiegeln.13) Optoelectronic semiconductor arrangement according to one of the k preceding claims, characterized by its use for displaying and controlling liquid levels. 009852/0590009852/0590 LeerseiteBlank page
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US (1) US3639770A (en)
DE (1) DE1614865A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2137842A1 (en) * 1971-07-28 1973-02-08 Helmut Dipl Chem Ulrich DEVICE FOR MEASURING THE REFRACTORY INDIVIDUALITY OF LIQUIDS OR GASES, IN PARTICULAR FOR DETERMINING THE MIXING RATIO OF SEVERAL COMPONENTS OF SUCH LIQUIDS OR GASES
EP0320197A2 (en) * 1987-12-11 1989-06-14 Honeywell Control Systems Ltd. Liquid sensor

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2121744A1 (en) * 1971-05-03 1972-11-09 Siemens Ag Optoelectronic device for measuring and controlling the concentration of solutions
US3917410A (en) * 1971-07-28 1975-11-04 Helmut Ulrich Apparatus for measuring the refractive index of liquids or gases
FR2155137A5 (en) * 1971-10-08 1973-05-18 Radiotechnique Compelec
US3760237A (en) * 1972-06-21 1973-09-18 Gen Electric Solid state lamp assembly having conical light director
US3862415A (en) * 1972-10-31 1975-01-21 Gen Electric Opto-electronic object detector using semiconductor light source
US3842263A (en) * 1973-02-01 1974-10-15 Gen Electric Molded opto-electronic transducer
US3914309A (en) * 1973-12-26 1975-10-21 Eugene T Swensen Sensing device
FR2262407B1 (en) * 1974-02-22 1977-09-16 Radiotechnique Compelec
FR2272377B1 (en) * 1974-05-24 1977-06-24 Texas Instruments France
DE2456248A1 (en) * 1974-11-28 1976-08-12 Sick Optik Elektronik Erwin DEVICE FOR DETERMINING THE PRESENCE OF AN ITEM IN A DETECTION AREA
US4124860A (en) * 1975-02-27 1978-11-07 Optron, Inc. Optical coupler
US4047045A (en) * 1975-03-03 1977-09-06 Paxton Jr Grady W Optical coupler
US4012671A (en) * 1975-10-14 1977-03-15 Gulf & Western Industries, Inc. Trigger circuit
US4040078A (en) * 1976-05-11 1977-08-02 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Opto-isolators and method of manufacture
DE2634264A1 (en) * 1976-07-30 1978-02-02 Licentia Gmbh SEMICONDUCTOR LUMINESCENT COMPONENT
JPS53102687A (en) * 1977-02-18 1978-09-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Solidstate photo electric convertor
US4155013A (en) * 1977-10-07 1979-05-15 Joseph Spiteri Liquid level indicator
US4176552A (en) * 1978-10-10 1979-12-04 Rca Corporation Fiber-optic thermometer
US4176551A (en) * 1978-10-10 1979-12-04 Rca Corporation Fiber-optic thermometer
US4246489A (en) * 1979-04-16 1981-01-20 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Liquid level detector for detecting a liquid level when reaching a prescribed height
US4279465A (en) * 1979-11-30 1981-07-21 The Singer Company Device for transmitting and receiving optical data on the same optical transmission line
JPS56150871A (en) * 1980-04-24 1981-11-21 Toshiba Corp Semiconductor device
US4544843A (en) * 1983-01-28 1985-10-01 Santa Barbara Research Center Radiation detector with built-in test capability
US4697074A (en) * 1984-12-17 1987-09-29 Sanyo Electric Co., Ltd. Thermally improved photodetector having a roughened, recessed, raised or inclined light receiving surface
US4652745A (en) * 1985-12-06 1987-03-24 Ford Motor Company Optical moisture sensor for a window or windshield
JPS63210645A (en) * 1987-02-26 1988-09-01 Ngk Spark Plug Co Ltd Mixing ratio detector for fluid such as gasoline-alcohol
SE461491B (en) * 1987-12-02 1990-02-19 Asea Ab MONOLITIC RECORDER
JPH02201949A (en) * 1989-01-30 1990-08-10 Toshiba Corp Package of semiconductor device
JPH0671061B2 (en) * 1989-05-22 1994-09-07 株式会社東芝 Resin-sealed semiconductor device
US4974552A (en) * 1990-01-09 1990-12-04 Ford Motor Company Engine control system responsive to optical fuel composition sensor
GB9005021D0 (en) * 1990-03-06 1990-05-02 Alfa Laval Sharples Ltd Turbidity measurement
US5311274A (en) * 1992-05-11 1994-05-10 Cole Jr Charles F Fiber optic refractometer
FR2694629B1 (en) * 1992-08-10 1995-06-30 Berechet Ion SEMIGLOBULAR-COMPACT REFRACTOMETRIC SENSOR.
US5942748A (en) * 1993-09-09 1999-08-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Liquid level sensor and detector
US6079433A (en) * 1997-09-12 2000-06-27 The Toro Company Automatic soil moisture sensing and watering system
US7247837B2 (en) * 2004-08-27 2007-07-24 The Toro Company Optical moisture sensor and method of making the same
US9007050B2 (en) 2010-09-17 2015-04-14 The Toro Company Soil moisture sensor with improved enclosure
GB2512507B (en) 2011-10-24 2016-07-13 The Toro Co Soil moisture sensor

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2350712A (en) * 1940-03-01 1944-06-06 Barsties Wilhelm Fluid level gauge
US2359787A (en) * 1942-01-21 1944-10-10 Melville F Peters Ice detector
US2355014A (en) * 1942-03-21 1944-08-01 Carl F Schorn Ice detector
US2976763A (en) * 1957-09-16 1961-03-28 Revere Corp America Material level detector
US3167658A (en) * 1961-07-17 1965-01-26 Air Shields Apparatus for use in sensing the pulse
US3227929A (en) * 1961-10-13 1966-01-04 Kenneth A Mccreight Light detection device
US3282149A (en) * 1963-04-10 1966-11-01 American Cyanamid Co Linear photoelectric refractometer
US3426211A (en) * 1965-10-21 1969-02-04 Honeywell Inc Refractometers

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2137842A1 (en) * 1971-07-28 1973-02-08 Helmut Dipl Chem Ulrich DEVICE FOR MEASURING THE REFRACTORY INDIVIDUALITY OF LIQUIDS OR GASES, IN PARTICULAR FOR DETERMINING THE MIXING RATIO OF SEVERAL COMPONENTS OF SUCH LIQUIDS OR GASES
EP0320197A2 (en) * 1987-12-11 1989-06-14 Honeywell Control Systems Ltd. Liquid sensor
EP0320197A3 (en) * 1987-12-11 1991-01-16 Honeywell Control Systems Ltd. Liquid sensor

Also Published As

Publication number Publication date
US3639770A (en) 1972-02-01

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