DE1282196B - Halbleiterbauelement mit einer Schutzvorrichtung fuer seine pn-UEbergaenge - Google Patents

Halbleiterbauelement mit einer Schutzvorrichtung fuer seine pn-UEbergaenge

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DE1282196B
DE1282196B DEW38002A DEW0038002A DE1282196B DE 1282196 B DE1282196 B DE 1282196B DE W38002 A DEW38002 A DE W38002A DE W0038002 A DEW0038002 A DE W0038002A DE 1282196 B DE1282196 B DE 1282196B
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Martin Paul Lepselter
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Western Electric Co Inc
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
Int. CL:
HOIl
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Deutsche Kl.: 21g-11/02
Nummer: 1282 196
Aktenzeichen: P 12 82 196.4-33 (W38002)
Anmeldetag: 21. November 1964
Auslegetag: 7. November 1968
In der Halbleiterbauelement-Technologie gehen starke Bestrebungen dahin, die Schutzkapselung zu miniaturisieren, die im allgemeinen zur Sicherstellung einer langen, stabilen Betriebsdauer von Halbleiterbauelementen notwendig ist. In der einschlägigen Technik sind zahlreiche Beschichtungen, und zwar sowohl organische als auch anorganische, bekannt, wobei gegenwärtig Metall-Glas-Kapselungen in den verschiedensten Größen und Konfigurationen verwendet werden. In neuerer Zeit ist es bekanntgeworden, dielektrische Oxydfilme zum Passivieren und Schützen der aktiven Oberflächenbereiche der Halbleiterbauelemente zu verwenden. Jedoch haben die bekannten, vorstehend erwähnten Anordnungen sämtlich Nachteile. Die Verwendung von Metall-Glas-Kapselungen lassen die Größe und Kompliziertheit des Aufbaus sowie die Kosten der Halbleiterbauelemente ansteigen, während andererseits die verschiedenen Schutzschichtarten dahingehend unbefriedigend sind, daß sie mit der Zeit zu einer Leckbildung und Zerstörung führen.
Demgemäß ist es Aufgabe der Erfindung, ein verbessertes Halbleiterbauelement zu schaffen, bei dem die Notwendigkeit, eine Metall-Glas-Verkapselung vorzusehen, entfällt. Insbesondere sollen hierbei die aktiven Oberflächen eines Halbleiterbauelementes mit Hilfe niedergeschlagener dielektrischer Schichten und Metallschichten verschlossen werden. Hierbei soll zugleich die Herstellung von Halbleiterbauelementen vereinfacht und verbessert werden.
Die Erfindung beruht auf der Entdeckung, daß die Grenzfläche zwischen einer Schicht eines aktiven Metalls, z. B. Titan oder Tantal, und eines dielektrischen Oxyds, z.B. Siliziumdioxyd, eine praktisch unüberwindbare Barriere für ein Hindurchdringen schädlicher Umgebungsatmosphäre bildet. Unter einem aktiven Metall wird hier ein Metall verstanden, das mit der Halbleiteroxydschicht, z. B. der Siliziumoxydschicht, in Reaktion tritt. Wesentlich ist hierbei, daß die Grenzfläche zwischen dem Aktivmetall und der Oxydschicht eine Oxydschicht des Aktivmetalls als Reaktionsprodukt dieser Reaktion aufweist. Demgemäß ist der erste Schritt zum hermetischen Verschließen einer Oberfläche eines Halbleiterbauelementes, an der pn-Übergangslinien zu Tage treten, darin, eine Halbleiteroxydschicht, z. B. eine Siliziumdioxydschicht, vorzusehen, auf der ihrerseits eine Schicht eines solcherart aktiven Metalls niedergeschlagen wird.
Der Schutz der Oberfläche wird jedoch erst vollständig, wenn eine zusätzliche Schicht eines Kontaktmetalls, z. B. Platin, Silber oder Gold oder eine Kom-Halbleiterbauelement mit
einer Schutzvorrichtung für seine pn-Übergänge
Anmelder:
Western Electric Company, Incorporated.
New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. H. Fecht, Patentanwalt,
6200 Wiesbaden, Hohenlohestr. 21
Als Erfinder benannt:
Martin Paul Lepselter,
Franklin Park, N. J. (V, St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. y. Amerika vom 17. Dezember 1963
(331168)
bination hiervon, auf der Schicht aktiven Metalls vorgesehen ist, die die vertikale Projektion der darunterliegenden pn-Übergänge bedeckt und sich über diese hinaus erstreckt. Mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau wird eine seitliche, längs der Schichtgrenzflächen erfolgende Diffusion von Verunreinigungen durch die Kombination von Oxyd und aktivem Metall verhindert, während eine in Querrichtung durch die etwas poröse Schicht aus aktivem Metall und Oxyd hindurch erfolgende Diffusion durch die äußeren Kontaktmetallbeschichtungen, z. B. durch Platin, Silber und Gold, verhindert wird. Vorliegend soll also eine Folge von Schichten zum hermetischen Verschließen einer an eine Oberfläche
809 630/890
3 4
des Halbleiterkörpers zu Tage tretenden pn-Über- F i g. 5 eine teilweise schematische Draufsicht auf
gangslinie vorgesehen werden, die den Durchgang einen Transistor gemäß Erfindung und atmosphärischer Verunreinigungen (z.B. Natrium- Fig. 6 eine Schnittansicht der Anordnung nach
ionen) durch die Grenzfläche zwischen dem Halb- F i g. 5 in vergrößertem Maßstab, leiterkörper (oder dem Siliziumoxyd hierauf) und 5 In der Fig. 1 ist im Schnitt ein Teil einer HaIbdem Metall der Schichten hindurch zum pn-Über- leiterscheibe dargestellt, auf der eine Diode mit einem gang und damit eine Beeinträchtigung der elek- einzigen pn-übergang hergestellt worden ist. Die irischen Eigenschaften des letzteren verhindert. Die Unterlage 10 der Fig. 1 ist ein Teil einer halbleiten-Metalle sind dabei so zu wählen, daß die atmosphä- den einkristallinen Siliziumscheibe. Beim dargestellrischen Verunreinigungen die Grenzfläche mit Sicher- io ten Beispiel ist der Hauptteil der Scheibe n-leitend. heit nicht passieren können. Es ist zwar bekannt, Auf der oberen Oberfläche 12 der Scheibe ist eine Metallschichtfolgen auf Halbleiterkörpern vorzu- thermisch gewachsene Siliziumdioxydschicht 11 vorsehen; diese dienen aber nur zur Herstellung eines gesehen, in die ein kleines rundes Loch eingebracht guten ohmschen Kontakts. Demgegenüber ist vor- worden ist, so daß ein Teil der Oberfläche 12 freiliegend die Schichtfolge so auszuwählen und in 15 gelegt ist. Mit Hilfe einer Festkörperdiffusionsbehandsolcher geometrischer Ausdehnung aufzubringen, daß lung ist unter Verwendung eines Akzeptormaterial ein hermetischer Verschluß erhalten wird. enthaltenden Dampfes, z. B. Bortetrachlorid, eine
Demgemäß ist die Erfindung gerichtet auf ein kleine Zone 13 in ein p-leitendes Gebiet umdotieri Halbleiterbauelement mit einer an eine Oberfläche worden.
seines Halbleiterkörpers tretenden pn-Übergangslinie, ao Als nächstes (s. F i g. 2) wird das Halbleiterbaueiner über dieser liegenden schützenden Halbleiter- element mit einer Schichtig eines aktiven Metalls, oxydschicht und einer einen Teil der Halbleiterober- üblicherweise mit Titan, beschichtet. Kathodisches fläche bloßlegenden Öffnung in der Halbleiteroxyd- Aufstäuben ist ein bei vergleichsweise niedriger Temschicht nahe der pn-Übergangslinie an der Halbleiter- peratur stattfindender Prozeß, aber es findet anfängoberfläche, und die Erfindung ist dadurch gekenn- 35 Hch eine Reaktion zwischen Titan und dem Siliziumzeichnet, daß zur hermetischen Abdichtung der pn- dioxydfilm statt, die zu dem hermetischen Ver-Übergangslinie an der Halbleiteroberfläche gegen schließen an den Oberflächen führt. Die Reaktion ist Umgebungseinflüsse auf dieser an sich bekannten jedoch bei diesen niedrigen Temperaturen begrenzt, Oxydschutzschicht eine die pn-Übergangsoberflächen- so daß kein wesentliches Eindringen des Metalls in linie überlappende Schicht aus einem aktiven Metall, 3° das Oxyd stattfindet. Auch wird ein elektrischer Konz. B. aus Titan, Tantal, Zirkon, Chrom, Vanadium takt der Titanschicht 15 zur p-Zonel3 zuverlässig oder Hafnium, und eine hierauf gelegene Schicht aus gebildet.
einem oder mehreren Kontaktmetallen, z. B. aus Pia- Wie ferner aus Fig. 2 hervorgeht, wird auf die
tin, Silber, Nickel Palladium, Rhodium oder Gold, Oberseite des Titanfilmes eine Schicht 1(5 eines Meangeordnet sind, wobei das Aktivmetall mit dem 35 tails, in diesem Falle Platin, aufgebracht, so daß eine Halbleiteroxyd in Reaktion tritt. hierauf erfolgende Oxydbildung ausgesetzt wird.
Ein bevorzugtes Herstellungsverfahren für das wenn der Titanfilm der Atmosphäre ausgesetzt wird. Halbleiterbauelement, bei dem durch eine Oxyd- Anschließend wird eine Schicht eines Kontaktmetalls, maske, die auf einer Oberfläche eines Bereichs des z. B. GoId3 abgeschieden, und zwar bequemerweise Halbleitermaterials von bestimmtem Leitungstypus 40 mit Hilfe eines Elektroformierprozesses unter Vergelegen ist, eine dotierende Verunreinigung zur BiI- Wendung von Masken, so daß die Größe des Golddung einer Zone des entgegengesetzten Leitungstypus kontakts etwa auf das Ausmaß begrenzt wird, das zur eindiffundiert wird, wobei die Zone einen Teil des Abdeckung der pn-Übergangsbegrenzungen notwenan die Oberfläche angrenzenden Bereichs annimmt, dig ist. Im einzelnen erstreckt sich die Goldschicht die Oxydmaske die Durchstoßlinie des die Zone defl- 45 über die vertikale Projektion des darunterliegenden nierenden pn-Übergangs auf der Oberfläche abdeckt pn-Übergangs hinaus. Jedoch kann dieser Verfahrensund die Oxydmaske mit einer Öffnung versehen ist, schritt relativ ungenau sein im Vergleich zu denjenidie einen Teil der Oberfläche der Zone des entgegen- gen Verfahrenssehritten, bei welchen innerhalb Gegesetzten Leitungstypus freigibt, ist dadurch gekenn- nauigkeitsgrenzen von 2,5 · 10~3 mm liegende Niezeichnet, daß anschließend eine Schicht eines Aktiv- 50 derschlagsmuster erzeugt werden müssen, wie dies metalls, z.B. Titan, Tantal, Zirkon, Niob, Chrom, bei einigen bekannten Halbleiterbauelementen der Vanadium oder Hafnium, derart in Kontakt mit der Fall ist.
Oberfläche innerhalb der Öffnung niedergeschlagen Schließlich werden (s. Fig. 3) die Randteile der
wird, daß die Öffnung sowie zumindest die Durch- abgeschiedenen Titan-Platin-Schicht 15, 16 entstoßlinie des pn-Übergangs überlappt werden, und 55 femt, und zwar durch einen als Rückstäuben bezeichsodann auf der Aktivmetallschicht eine weitere neten Vorgang, bei dem die dicke Goldschicht 17 Schicht zumindest eines Kontaktmetalls, z. B. Platin, wie als eine Maske wirkt. Bei diesem Verfahrens-Silber, Nickel, Palladium, Rhodium oder Gold, in schritt wird die Oberfläche des Halbleiterelementes einer die Durchstoßlinie des pn-Übergangs gleichfalls zur Kathode gemacht, so daß mit Hilfe des Ionenüberlappenden Ausdehnung niedergeschlagen wird. 6o bombardements das Material von der Oberfläche des
Im folgenden ist die Erfindung an Hand der Zeich- Halbleiterbauelementes entfernt wird, nung beschrieben; es zeigt Das Ergebnis des Rückstäubeprozesses ist eine
F i g. 1 bis 3 in Schnittansicht aufeinanderfolgende etwas dünnere äußere Goldschicht 17 mit darunter-Halbleiterbauelemente, wie sie mit Hilfe eines be- liegenden Titan-Platin-Schichten 15 und 16 in gleivorzugten erfindungsgemäßen Verfahrens erhalten 65 eher Abmessung. Alternativ kann eine Titan-Silberwerden, Kombination an Stelle von Titan—Platin verwendet Fig. 4 eine Draufsicht auf die Anordnung nach werden, und das Silber kann mit Ferrinitrat abgeätzt Fig. 3, werden. Gleicherweise können auch andere Metalle
in Kombination mit Titan verwendet werden ein- auf der viele je gleiche Halbleiterbauelemente gleichschließlich Nickel, Palladium und Rhodium. Der in zeitig hergestellt werden. Die einzelnen Halbleiter-F i g. 3 dargestellte Aufbau kann dann vom übrigen bauelemente werden dann durch Unterteilen der Teil der Scheibe abgetrennt und als Diode konfek- Scheibe erhalten. Es sei bemerkt, daß der besseren tioniert werden, und zwar durch Befestigen von Zu- 5 Übersicht halber die F i g. 6 eine nicht maßstabsführleitungen an der Goldschicht 17 und an der un- gerechte Vergrößerung darstellt, teren Oberfläche 21 des Siliziumkörpers, die — wie Der ursprünglich η-leitende Teil 61 des Plättchens
allgemein bekannt ist — unter Verwendung von Nik- bildet die Kollektorzone des fertigen Halbleiterbaukel oder Gold geeignet metallplattiert ist, so daß die elementes. Die p-leitende Basiszone 62, die durch Befestigung eines bandähnlichen Metalleiters auf io den pn-übergang 63 definiert ist, wird durch Eineinem großen Oberflächengebiet ermöglicht wird. diffundierenlassen eines Akzeptormaterials herge-Vom elektrischen Standpunkt aus gesehen haben stellt. Dieses Eindiflundieren erfolgt durch eine auf Versuche gezeigt, daß das Halbleiterbauelement keine der Oberfläche vorgesehene Oxydmaske hindurch, weitere Verkapselung benötigt. Die Kombination der Nachfolgend wird die Maske so abgeändert, daß eine Schichten aus Kontaktmetall, aktivem Metall und 15 Eindiffusion einer kleineren η-leitenden Zone 64 erOxyd führen zu einem vollständigen Langzeitschutz möglicht wird, die durch den pn-übergang 65 defider Oberfläche. niert ist. Die Zone 64 stellt die Emitterzone des Tranin vielen Fällen kann aber eine weitere Beschich- sistors dar. Diese Verfahrensschritte sind üblich und tung zum Erhalt eines mechanischen Schutzes und in der Herstellungstechnik diffundierter Übergangseiner leichteren Handhabung von Vorteil sein. ao transistoren bekannt.
Verschiedene Variationen sind möglich. Beispiels- Der nächste Verfahrensschritt ist die Bildung eines
weise kann die Anordnung einer kurzen Warm- Siliziumoxydfilmes als Schicht 66 auf der Oberfläche behandlung nach der Abscheidung der Schicht ak- 80 des Plättchens. In die Oxydschicht 66 werden eine tiven Metalls, z. B. der Titanschicht, unterzogen wer- Reihe Öffnungen so eingebracht, daß eine Abscheiden. Hierdurch erhält man einen guten ohmschen as dung voneinander im Abstand liegender Kontakte erKontakt auf der Oberfläche der p-Zone 13, und wenn möglicht wird, und zwar zweier Kollektorkontakte 69 die Wärmebehandlung kurz ist, reagiert nur ein klei- und 70, eines Basiskontaktes 68 in Ringform und ner Teil der Gesamtdicke der Oxydschicht mit dem eines Emitterkontaktes 67. Jeder dieser Kontakte Titanfilm. Daher sind die Dicken der Oxydschicht weist Mehrfach-Metallschichten auf, die die Oxyd- und der Schicht aktiven Metalls noch ausreichend, 30 schicht 66 und die Begrenzungen der pn-Übergänge die notwendige Isolation zusammen mit einer her- schützend überlagern, wie dies vorstehend beschriemetisch abgedichteten Grenzfläche zwischen Oxyd ben worden ist. Hierbei wird die erste auf jeden die- und Metall sicherzustellen. ser Kontakte aufgebrachte Schicht, eine Titanschicht,
Entsprechend einer weiteren Diodenausführungs- durch eine zusätzliche Platinschicht und Goldschicht form können die Titan-Platin-Gold-Schichten 15, 16, 35 ergänzt, wodurch die Schutzabdeckung über den Be-17 bis zu einer Kante des Plättchens und über die- grenzungen der pn-Übergänge vervollständigt wird, selbe hinweg in Form eines Bandes weitergeführt Die Metallschichten haben typischerweise folgende werden. Anschließend wird auf die Metallschichten Dicken:
eine zweite Oxydschicht niedergeschlagen, die sich Titan 1000 A
über die vertikale Projektion der darunterliegenden 40 Platin 5 000 A
pn-Übergänge hinaus erstreckt. Dann wird über diese Gold 120 000 A
Oxydschicht begrenzter Ausdehnung eine letzte
Schutzabdeckung, bestehend aus den drei vorstehend Es sei insbesondere bemerkt, daß sich sowohl der
erwähnten Metallen, abgeschieden, Dieser äußere Emitter- als auch der Basiskontakt über die vertikale Oxyd-Metall-Schutz hat dann kappenförmige Konfi- 45 Projektion der gesamten Basis- bzw. Emitterüberguration. gangsbegrenzungen hinaus erstrecken, wodurch ein
Ferner können außer Titan und Tantal noch wei- Schutz gegen eine in Querrichtung erfolgende Eintere Metalle für die auf der Oxydschicht aufliegende diffusion schädlicher Verunreinigungen sicherge-Schicht verwendet werden. Diese Metalle sind hierin stellt ist.
allgemein als aktive Metalle bezeichnet; es sind dies 50 Zur Komplettierung des Aufbaues und zur Schafbestimmte Metalle der Gruppe IVA, VA und VIA fung äußerer Zuleitungen wird eine weitere Siliziumdes Periodischen Systems. Als Beispiel seien Titan, oxydschicht 71 auf der ganzen Oberfläche des HaIb-Zirkon, Hafnium, Vanadium, Tantal, Niob und leiterbauelementes abgeschieden. Wiederum werden Chrom genannt. in dieser Schicht 71 öffnungen eingebracht, so daß
Nachfolgend ist ein weiteres Ausführungsbeispiel 55 die Kontakte freigelegt werden. Im einzelnen werden beschrieben, und zwar der in den F i g. 5 und 6 dar- ein metallischer Emitterkontakt 72, ein Basiskontakt gestellte Transistor. Nach F i g. 5 weist der Transistor 73 und Kollektorelektroden 74 und 75 in der Form 60 eine schematisch angedeutete Emitteranschluß- des am besten aus F i g. 5 ersichtlichen Musters nieleitung E auf, ferner eine Basisanschlußleitung B so- dergeschlagen. Jede dieser Elektroden ist wiederum wie zwei Kollektorelektroden, die an eine gemein- 60 aus einer Schichtfolge, bestehend aus Titan, Platin same Kollektoranschlußleitung C herausgeführt sind. und Gold, zusammengesetzt, und zwar in gleicher Diese Leitungen sind lediglich für die Darstellung der Weise wie die zuerst aufgebrachten darunterliegengegenseitigen Beziehung der auf der Vorrichtung auf- den Kontakte für die einzelnen Transistorzonen, gebrachten Metallelektroden schematisch angedeutet. Diese Konfiguration liefert die notwendige elektrische Das Halbleiterbauelement weist (s. Fig. 6) ein 65 Trennung der entsprechenden Transistorelektroden, halbleitendes, einkristallines Siliziumplättchen auf, Demgemäß sind die Begrenzungen der pn-Über-
das ursprünglich η-leitend war. Zumeist ist das dar- gänge 63 und 65, wo sie die Oberfläche 80 des Halbgestellte Plättchen Bestandteil einer größeren Scheibe, leiterplättchens schneiden, durch eine Metall-Oxyd-
Grenzfläche geschützt, die der Durchdringung jeg-Ücher schädlicher Ionen längs dieser Grenzfläche einen vergleichsweise langen zu durchquerenden Weg entgegensetzt. Ferner verhindert die darüber-Iiegende Schicht aus vergleichsweise starkem Metall 5 eine durch die aufeinanderfolgenden Schichfen hindurch erfolgende vertikale Durchdringung, die die Betriebskennlinie des Hälbleiterbauelementes ungünstig beeinflussen könnte.
Die vorstehend beschriebene Schutzschichtanord- ίο riung ist in ähnlicher Weise auf die sogenannten linear aufgebauten Transistoren anwendbar, bei denen die Basis- und Emitterelektroden durch benachbarte schmale Metallstreifen gebildet sind. Bei einer Vorrichtung dieser Art werden die Basis- und Emitter-Zuleitungen auf gegenüberliegenden Seiten des Halbleiterbauelementes angebracht, und zwar unter Verwendung der vorstehend beschriebenen Titan-Platin-Gold-Mehrfachschicht. Es wird jedoch über den aktiven Mittelteil des Halbleiterbauelementes, wie dieser durch die vertikale Projektion der Begrenzungen der Übergänge repräsentiert wird, die vorstehend erwähnte »Kappenkonfiguration« als letzte Schutzabdeckung vorgesehen, die aus einer Oxydschicht und einer darüberliegenden dichten Metallschicht besteht.
Die relativ starken Metalleiter bilden im einzelnen eine vollständig befriedigende mechanische Halterung für die einzelnen Halbleiterbauelemente 60 während und nach der Trennung derselben. Wie vorstehend erwähnt worden ist, wird eine große Anzahl einzelner Halbleiterbauelemente gleichzeitig auf einer einzigen Scheibe hergestellt. Schließlich wird, nachdem die Metallzuleitungen abgeschieden worden sind, die Scheibe umgedreht, und es wird eine Maske, z.B. eine Wachs- oder eine Goldmaske, auf der Scheibenrückseite in Ausrichtung mit den Gebieten der einzelnen Halbleiterbauelemente aufgebracht. Die Scheibe wird dann einfach mit einem Ätzmittel behandelt, z.B. mit der bekannten Fluorwasserstoff-Salpetersäure-Mischung, das die nicht von der Maske abgedeckten Teile des Siliziumhalbleitermaterials angreift. Folglich werden die Begrenzungen zwischen den einzelnen Halbleiterbauelementen herausgeätzt, ausgenommen der starken Metallzuleitungen oder Laschen, die eine vollständige Halterung für die resultierenden Halbleiterplättchen bilden. Obgleich das angeführte Ätzmittel die Titanzwischenschicht angreifen wird, liefern die vollständig ätzbeständigen dickeren Platin- und Goldschichten mehr als ausreichende Festigkeit.
Die Ausführungsbeispiele wurden zwar an Hand von Silizium als das Halbleitermaterial beschrieben. Die Erfindung ist aber hierauf nicht beschränkt, sie kann auch bei Verwendung anderer Halbleitermaterialien, z. B. Germanium oder Galliumarsenid, eingesetzt werden. Allgemein gesprochen ist das Kriterium hierfür, daß der Halbleiter ein solcher sein soll, auf dem ein haftender Isolator abgeschieden werden kann. Auch ist die Erfindung nicht auf spezielle Halbleiterbauelementformen beschränkt; sie kann vielmehr bei zahlreichen Halbleiterbauelementformen einschließlich Dioden, Transistoren und eindiffundierter Widerstände Verwendung finden.
Die Erfindung ist also überall dort vorteilhaft anwendbar, wo pn-Übergangsbegrenzungen eine Oberfläche schneiden und wo es wünschenswert ist, eine solche Oberfläche gegen die Umgebungsatmosphäre abzuschließen; "Auch ist die Erfindung bei Halbleiterbauelementen nutzbringend, bei denen es vorteilhaft ist, Anschlußleitungen in Bandform zwischen Schutzschichten geeignet abgedichteter Oxydabdeckungen herauszuführen, wobei solche Leitungen selbst aus ätzbeständigem Material bestehen und eine mechanische Halterung für nachfolgende Fabrikationsschritte bilden.

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Halbleiterbauelement mit einer an eine Oberfläche seines Halbleiterkörpers tretenden pn-Übergangslinie, einer über dieser liegenden schützenden Halbleiteroxydschicht und einer einen Teil der Halbleiteroberfläche bloßlegenden Öffnung in der Halbleiteroxydschicht nahe der pn-Übergangslinie an der Halbleiteroberfläche, dadurch gekennzeichnet, daß zur hermetischen Abdichtung der pn-Ubergangslinie an der Halbleiteroberfläche gegen Umgebungseinflüsse auf dieser an sich bekannten Oxydschutzschicht (11) ein die pn-Übergangsoberflächenlinie überlappende Schicht (15) aus einem aktiven Metall, z. B. aus Titan, Tantal, Zirkon, Chrom, Vanadium oder Hafnium, und eine hierauf gelegene Schicht aus einem oder mehreren Kontaktmetallen (16, 17), z.B. aus Platin, Silber, Nickel, Palladium, Rhodium oder Gold, angeordnet sind, wobei das Aktivmetall mit dem Halbleiteroxyd in Reaktion tritt.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Aktivmetallschicht (15) sich über die durch die Oxydschichtöffnung bloßgelegte Halbleiteraußenfläche erstreckt und in Kontakt mit derselben steht.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch ϊ oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Aktivmetallschicht eine 1000 A dicke Titanschicht vorgesehen ist und als Kontaktmetall eine 5000A dicke Platinschicht, gefolgt von einer 120 000 Ä dicken Goldschicht.
4. Verfahren zum Herstellen des Halbleiterbauelementes nach den Ansprüchen 1 bis 3, bei dem durch eine Oxydmaske, die auf einer Oberfläche eines Bereichs des Halbleitermaterials von bestimmtem Leitungstypus gelegen ist, eine dotierende Verunreinigung zur Bildung einer Zone des entgegengesetzten Leitungstypus eindiffundiert wird, wobei die Zone einen Teil des an die Oberfläche angrenzenden Bereichs einnimmt, die Oxydmaske die Durchstoßlinie des diese Zone definierenden pn-Übergangs auf der Oberfläche abdeckt und die Oxydmaske mit einer öffnung versehen ist, die einen Teil der Oberfläche der Zone des entgegengesetzten Leitungstypus freigibt, dadurch gekennzeichnet, daß anschließend eine Schicht eines Aktivmetalls, z. B. Titan, Tantal, Zirkon, Niob, Chrom, Vanadium oder Hafnium, derart in Kontakt mit der Oberfläche innerhalb der Öffnung niedergeschlagen wird, daß die Öffnung sowie zumindest die Durchstoßlinie des pn-Übergangs überlappt werden, und sodann auf der Aktivmetallschicht eine weitere Schicht eines Kontaktmetalls, z. B. Platin, Silber, Nickel, Palladium, Rhodium oder Gold, in einer die Durchstoßlinie des pn-Übergangs gleichfalls überlappenden Ausdehnung niedergeschlagen wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß anschließend die nicht von der Kontaktmetallschicht abgedeckten Bereiche der Aktivmetallschicht wieder entfernt werden.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Aktivmetall im Wege einer kathodischen Zerstäubung niedergeschlagen wird.
10
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1000 115; österreichische Patentschrift Nr. 3 106 486;
französische Patentschriften Nr. 1298 148, 1262176;
britische Patentschriften Nr. 938 181, 940520; USA.-Patentschriften Nr. 2705 768, 2 858489, 973 466, 3 158 788, 3 063 023, 3 184 824.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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