DE102021213828B4 - Method for target operating an EUV radiation source - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 23
- 238000011017 operating method Methods 0.000 claims description 15
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 10
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 7
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 6
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
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Abstract
Beim Ziel-Betreiben einer EUV-Strahlungsquelle werden zunächst Betriebsparameter-Bereiche für zwei Betriebsparameter vorgegeben (21). Ein Betriebsparameter-Paar der beiden Betriebsparameter innerhalb der vorgegebenen Betriebsparameter-Bereiche wird ausgewählt (22). Mit diesem Betriebsparameter-Paar wird die EUV-Strahlungsquelle zunächst betrieben (23). In diesem Betriebszustand wird innerhalb eines vorgegebenen Mess-Zeitraums eine Ist-Nutzlicht-Intensität gemessen (24). Ein Datensatz, in dem diese und das Betriebsparameter-Paar enthalten sind, wird abgespeichert (25). Die Auswahl, das Betreiben, das Messen und das Ablegen werden für weitere Betriebsparameter-Paare, die sich jeweils voneinander unterscheiden, innerhalb der vorgegebenen Betriebsparameter-Bereiche wiederholt. Die entsprechend abgelegten Datensätze werden analysiert (28) und Ziel-Betriebszustand wird ermittelt, bei dem die Ist-Nutzlicht-Intensität innerhalb vorgegebener Toleranzwerte mit einer Soll-Nutzlicht-Intensität übereinstimmt. In dem so gefundenen Ziel-Betriebszustand erfolgt dann ein Ziel-Betreiben der EUV-Lichtquelle (1). Es ergibt sich ein reproduzierbarer und hinsichtlich der Nutzlicht-Intensität sicherer Betrieb der EUV-Strahlungsquelle.In the target operation of an EUV radiation source, operating parameter ranges for two operating parameters are first specified (21). An operating parameter pair of the two operating parameters within the specified operating parameter ranges is selected (22). The EUV radiation source is initially operated with this pair of operating parameters (23). In this operating state, an actual useful light intensity is measured (24) within a predetermined measurement period. A data set containing these and the pair of operating parameters is stored (25). The selection, operation, measurement and storage are repeated for further pairs of operating parameters, each of which differs from one another, within the predetermined operating parameter ranges. The correspondingly stored data sets are analyzed (28) and the target operating state is determined, in which the actual useful light intensity matches a target useful light intensity within predetermined tolerance values. In the target operating state found in this way, target operation of the EUV light source (1) then takes place. The result is reproducible operation of the EUV radiation source that is reliable with regard to the useful light intensity.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben einer EUV-Strahlungsquelle. Ferner betrifft die Erfindung eine mit einem derartigen Verfahren optimierte EUV-Strahlungsquelle, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Strahlungsquelle und ein Metrologiesystem mit einer derartigen Strahlungsquelle.The invention relates to a method for operating an EUV radiation source. Furthermore, the invention relates to an EUV radiation source optimized with such a method, a projection exposure system with such a radiation source and a metrology system with such a radiation source.
Eine entsprechende EUV-Strahlungsquelle ist bekannt aus der
Im Rahmen der Produktion und der Abnahme einer EUV-Strahlungsquelle werden deren Betriebsparameter so eingestellt, dass eine vorgegebene Soll-Performance innerhalb ebenfalls vorgegebener Toleranzen erreicht wird. Die hierzu zu erreichende Ist-Performance hängt von einer Vielzahl von Betriebsparametern oft in nichtlinearer Weise ab, sodass ein systematischer Weg zum Finden eines die Soll-Performance bringenden Betriebsparametersatzes mit zunehmender Komplexität der Strahlungsquelle immer herausfordernder wird. Dies gilt insbesondere dann, wenn im Rahmen des Betriebs der EUV-Strahlungsquelle Komponenten getauscht werden und sich die Performance der Tauschkomponente in nicht einfach vorhersagbarer Weise von derjenigen der zuletzt verwendeten Komponente unterscheidet. As part of the production and acceptance of an EUV radiation source, its operating parameters are set in such a way that a specified target performance is achieved within also specified tolerances. The actual performance to be achieved for this depends on a large number of operating parameters, often in a non-linear manner, so that a systematic way of finding an operating parameter set that brings the target performance becomes more and more challenging as the complexity of the radiation source increases. This applies in particular when components are exchanged as part of the operation of the EUV radiation source and the performance of the exchanged component differs from that of the last used component in a manner that is not easily predictable.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Ziel-Betriebsverfahren für eine EUV-Strahlungsquelle anzugeben, mit dem reproduzierbar ein Ziel-Betriebszustand gefunden werden kann, bei dem sich Ist-Performance allenfalls um eine vorgegebene Toleranz von einer Soll-Performance unterscheidet.It is an object of the present invention to specify a target operating method for an EUV radiation source with which a target operating state can be found reproducibly in which actual performance differs from target performance by at most a predetermined tolerance.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein Betriebs- und Analyseverfahren mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.According to the invention, this object is achieved by an operating and analysis method having the features specified in
Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass es, um ein unerwünschtes Festsitzen in einem lokalen Optimum einer Betriebsparameterkombination zu vermeiden, sinnvoll ist, einen vorgegebenen Betriebsparameter-Raum, der von den Betriebsparameter-Bereichen der verschiedenen Betriebsparameter aufgespannt ist, abzuprüfen. Erst nach dem Abprüfen dieses Betriebsparameter-Raumes und nachfolgender Analyse der Abhängigkeiten der gemessenen Intensität von den Betriebsparameter-Paaren wird dann über den Ziel-Betriebszustand, der für den weiteren Betrieb verwendet werden soll, entschieden. Dies stellt sicher, dass kein lokales Optimum gefunden wird, sondern innerhalb des aufgespannten Betriebsparameter-Raumes ein globales Optimum. Für die Optimierung, also für die Analyse der abgelegten Datensätze und das Ermitteln des Ziel-Betriebszustandes kann eines der zur Verfügung stehenden, bekannten Optimierungsverfahren zum Einsatz kommen.According to the invention, it was recognized that, in order to avoid getting stuck in a local optimum of an operating parameter combination, it makes sense to check a predetermined operating parameter space that is spanned by the operating parameter ranges of the various operating parameters. Only after checking this operating parameter space and subsequent analysis of the dependencies of the measured intensity on the pairs of operating parameters is a decision then made on the target operating state which is to be used for further operation. This ensures that no local optimum is found, but rather a global optimum within the spanned operating parameter space. One of the available, known optimization methods can be used for the optimization, ie for the analysis of the stored data sets and the determination of the target operating state.
Zum im Rahmen des Betriebsverfahrens abgelegten Datensatz kann ein Identifier für den jeweiligen Einsatz gehören.An identifier for the respective application can belong to the data record stored as part of the operating procedure.
Beim Betriebsverfahren können mehr als zwei Betriebsparameter ausgewählt und entsprechende Betriebsparameter-Tupel, enthaltend diese verschiedenen mehr als zwei Betriebsparameter, abgeprüft werden. Ein Mess-Zeitraum innerhalb des Messschritts kann einstellbar vorgebbar sein. Der jeweilige Betriebsparameter-Bereich kann einstellbar vorgebbar sein. Soweit zwei Betriebsparameter den Betriebsparameter-Raum aufspannen, können beispielsweise mehr als zehn Betriebsparameter-Paare abgeprüft werden, zum Beispiel 15 Betriebsparameter-Paare. Ergebnisse der Analyse können einen Input für ein nachfolgendes Machine Learning darstellen. Alternativ oder zusätzlich zu Machine Learning-Verfahren können auch Vorhersagemodelle auf Grundlage der zur Verfügung gestellten Analysedaten zum Einsatz kommen.In the operating method, more than two operating parameters can be selected and corresponding operating parameter tuples containing these different more than two operating parameters can be checked. A measurement time period within the measurement step can be predeterminable in an adjustable manner. The respective operating parameter range can be predeterminable in an adjustable manner. If two operating parameters span the operating parameter space, for example more than ten operating parameter pairs can be checked, for example 15 operating parameter pairs. Results of the analysis can represent an input for subsequent machine learning. As an alternative or in addition to machine learning methods, prediction models based on the analysis data provided can also be used.
Es ergibt sich ein reproduzierbarer und hinsichtlich der Nutzlicht-Intensität sicherer Betrieb der EUV-Strahlungsquelle.The result is reproducible operation of the EUV radiation source that is reliable with regard to the useful light intensity.
Eine Toleranzwertvorgabe zur Analyse einer Übereinstimmung eines Ist-Betriebes der EUV-Strahlungsquelle mit einem Soll-Betrieb kann auf die Überwachung der Einhaltung momentaner Intensitätsgrenzwerte und/oder auf eine Einhaltung einer Betriebsstabilität abzielen. Insbesondere eine Puls-zu-Puls-Stabilität bei einem gepulsten Betrieb der EUV-Lichtquelle kann bei der Toleranzwertvorgabe Berücksichtigung finden. Der vorgegebene Toleranzwert kann als ein nicht zu unterschreitendes Intensitätsminimum der EUV-Lichtquelle gestaltet sein. Es kann auch verlangt werden, dass ein entsprechendes Intensitäts-Minimum bei nicht mehr als einer vorgegebenen Anzahl von aufeinanderfolgender Einzel-Impulsen der EUV-Lichtquelle unterschritten wird. Eine potentielle Fluktuation der EUV-Lichtquelle kann auch durch Vorgabe anderer Toleranzwerte überwacht werden.A tolerance value specification for analyzing whether actual operation of the EUV radiation source corresponds to target operation can be aimed at monitoring compliance with instantaneous intensity limit values and/or maintaining operational stability. In particular, pulse-to-pulse stability during pulsed operation of the EUV light source can be taken into account when specifying the tolerance value. The predefined tolerance value can be designed as an intensity minimum of the EUV light source that must not be undershot. It can also be required that the intensity does not drop below a corresponding minimum for no more than a predetermined number of consecutive individual pulses from the EUV light source. A potential fluctuation of the EUV light source can also be monitored by specifying other tolerance values.
Mithilfe des Betriebsverfahrens kann ein unerwünschter Betrieb mit einer EUV-Strahlungsquelle, die kontaminierte Komponenten aufweist, vermieden werden. Im Rahmen insbesondere eines Maschine Learning kann erreicht werden, dass kritische Betriebszustände der EUV-Strahlungsquelle, bei denen eine unerwünschte Kontamination bei einem weiteren Betrieb einer ggf. vorgeschädigten EUV-Strahlungsquelle zu erwarten wäre, vermieden werden. Komponenten, die oberhalb einer noch unkritischen Kontaminationsschwelle ggf. für eine Kontamination auch benachbarter Komponenten sorgen würden, würden dann rechtzeitig getauscht werden.The operating method can be used to avoid undesired operation with an EUV radiation source that has contaminated components. Within the framework of machine learning in particular, it is possible to avoid critical operating states of the EUV radiation source, in which undesirable contamination would have to be expected if an EUV radiation source that may have been previously damaged, continues to be operated. Components which, above a still uncritical contamination threshold, would possibly also cause contamination of neighboring components, would then be exchanged in good time.
Abhängig von einem Ergebnis des Analyseschritts kann ein Wechsel des Einsatzes initiiert werden. Ein derartiger Einsatzwechsel gewährleistet eine möglichst lange Betriebsdauer des jeweils verwendeten Einsatzes. Ein an sich noch ein gutes Ergebnis liefernder Einsatz wird nicht unerwünscht vorzeitig gewechselt. Ein unerwünscht schnell degradierender Einsatz kann zügig erkannt und gewechselt werden.Depending on a result of the analysis step, a change of use can be initiated. Such an insert change ensures the longest possible service life of the insert used in each case. An insert that still delivers a good result is not undesirably changed prematurely. An undesirably quickly degrading use can be quickly recognized and changed.
Die zusätzliche Berücksichtigung einer Richtungsstabilität nach Anspruch 2 beim Ermitteln des Ziel-Betriebszustandes hat sich in der Praxis bewährt. Die Überprüfung der Richtungsstabilität kann mithilfe eines positionssensitiven Detektors (PSD) geschehen. Es kann beispielsweise ein Quadrantendetektor zum Einsatz kommen. Soweit mehrere Performance-Parameter, also z. B. die Intensität und die Richtungsstabilität optimiert werden, kann dies über Vorgabe einer diese mehreren Parameter enthaltenden Meritfunktion geschehen.The additional consideration of a directional stability according to
Auswahlvarianten nach den Ansprüchen 3 und 4 haben sich in der Praxis bewährt. Beim statistischen Abrastern nach Anspruch 3 können längerfristige Drifteffekte vermieden werden. Derartige längerfristige Drifteffekte können beim systematischen Abrastern nach Anspruch 4 gezielt gemessen werden.Selection variants according to
Die Vorteile des Betriebsverfahrens kommen bei Verwendung der Betriebsparameter nach den Ansprüchen 5 und 6 besonders gut zum Tragen.The advantages of the operating method come into play particularly well when the operating parameters according to
Eine Nutzung des Betriebsverfahrens nach Anspruch 7 ist praxisgerecht. Der Betriebs-Toleranzwert kann größer sein als der beim Analyseschritt des Betriebsverfahrens verwendete Toleranzwert. Der Betriebs-Toleranzwert, der beim Nutzbetrieb der EUV-Strahlungsquelle zum Einsatz kommt, kann beispielsweise doppelt so groß sein wie der Toleranzwert beim Analyseschritt.Use of the operating method according to
Ein Rückgriff auf bereits abgelegte Datensätze nach Anspruch 9 kann zu einer Beschleunigung des Betriebs/Analyseverfahrens führen. Es kann auf Datensätze zurückgegriffen werden, die mit dem jeweils gleichen Einsatz gemessen wurde. Relativ oder zusätzlich kann auf Datensätze zu früher verwendeten Einsätzen zurückgegriffen werden. Mit einem derart erweiterten Betriebsverfahren ist ein schnelleres Finden des Ziel-Betriebszustandes möglich. Im Rahmen eines Rückgriffes auf bereits abgelegte Datensätze können Verfahren des Machine Learning zum Einsatz kommen, wie dies grundsätzlich oben bereits angesprochen war.Recourse to data sets that have already been filed according to
Ein Verwerfen bzw. Skippen von Betriebsparameter-Paaren nach Anspruch 10 beschleunigt das Betriebs/Analyseverfahren.Discarding or skipping pairs of operating parameters according to claim 10 accelerates the operating/analysis method.
Die Vorteile einer EUV-Strahlungsquelle nach Anspruch 11, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 12 sowie eines Metrologiesystems nach Anspruch 13 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf das Betriebs/Analyseverfahren bereits erläutert wurden. The advantages of an EUV radiation source according to
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
-
1 einen Axialschnitt durch Hauptkomponenten einer EUV-Strahlungsquelle; und -
2 ein Ablaufschema eines Verfahrens zum Betreiben der EUV-Strahlungsquelle.
-
1 an axial section through the main components of an EUV radiation source; and -
2 a flowchart of a method for operating the EUV radiation source.
In
Alternativ kann die EUV-Strahlungsquelle auch Teil eines Metrologiesystems zur Qualifizierung einer Lithografiemaske für eine Projektionsbelichtungsanlage und/oder zur Qualifizierung eines Mask Blanks oder eines Wafer Blanks sein.Alternatively, the EUV radiation source can also be part of a metrology system for qualifying a lithography mask for a projection exposure system and/or for qualifying a mask blank or a wafer blank.
Ein entsprechendes Metrologiesystem ist bekannt aus der
Die EUV-Strahlungsquelle 1 weist eine zweiteilige Quellkammer 2 mit einem oberen Kammerteil 3 und einem unteren Kammerteil 4 auf. Zwischen dem oberen Kammerteil 3 und dem unteren Kammerteil 4 befindet sich eine Mittenplatte 5. Die Mittenplatte 5 bildet eine Kammerwand der Quellkammer 2, insbesondere des oberen Kammerteils 3.The
Die Mittenplatte 5 weist exzentrische Öffnungen 6 und eine zentrale Öffnung 7 auf.The
Die Mittenplatte 5 kann mehrteilig ausgebildet sein. Sie kann insbesondere eine der Quellkammer 2 zugewandte, mit Hochspannung beaufschlagbare Platte und eine hiervon separate äußere Grundplatte aufweisen.The
In die zentrale Öffnung 7 ist ein erster Einsatz 8 eingesetzt. Der erste Einsatz 8 bildet einen äußeren Einsatz. Der erste Einsatz 8 wird auch als „Carrier“ („Träger“) bezeichnet. Er weist einen sich in einer Längsrichtung erstreckenden ersten Durchtrittskanal 10 auf.A
Im ersten Durchtrittskanal 10 ist ein zweiter innerer Einsatz 11 angeordnet. Der zweite Einsatz 11 weist einen sich in Längsrichtung 9 erstreckenden zweiten Durchtrittskanal 12 auf. Der Träger mit dem inneren Einsatz 11 wird auch als „Bore“ (Bohrung) bezeichnet. Der innere Einsatz 11 ist wechselbar gestaltet, sodass die EUV-Strahlungsquelle 1 nach dem Ende einer Betriebsdauer eines bestimmten inneren Einsatzes 11 mit einem ausgetauschten inneren Einsatz 11 betrieben werden kann.A second
Der erste Durchtrittskanal 10 wird auch als äußerer Durchtrittskanal bezeichnet. Der zweite Durchtrittskanal 12 wird auch als innerer Durchtrittskanal bezeichnet. Die beiden Durchtrittskanäle 10, 12 weisen eine gemeinsame, sich in der Längsrichtung erstreckende Längsachse auf.The first through-
Im Betrieb der EUV-Strahlungsquelle 1 dienen die exzentrischen Öffnungen 6 sowie die zentrale Öffnung 7, insbesondere die Durchtrittskanäle 10, 12 für den Durchtritt eines in den Kammerteilen 3, 4 gezündeten Quellplasmas. Das Quellplasma emittiert EUV-Nutzstrahlung bzw. EUV-Nutzlicht beispielsweise in der Längsrichtung des Durchtrittskanals.During operation of the
Eine entsprechende Plasmaquelle ist beispielsweise beschrieben in der
Bei der EUV-Strahlungsquelle 1 handelt es sich um einen Induktions-Plasmastromgenerator.The
An die EUV-Strahlungsquelle 1 schließen sich Bestandteile einer nicht explizit dargestellten Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage, einer Masken-Inspektionsanlage oder eines Metrologiesystems an. Die Beleuchtungsoptik ist insbesondere Bestandteil eines Beleuchtungssystems. Das Beleuchtungssystem kann insbesondere ein oder mehrere Spiegel, insbesondere ein oder mehrere Facettenspiegel, umfassen. Die Beleuchtungsoptik dient insbesondere zur Überführung von von der EUV-Strahlungsquelle 1 erzeugten Beleuchtungsstrahlung zu einer Maske mit abzubildenden Strukturen. Die Maske wird auch als Retikel bezeichnet.The
Ebenfalls schematisch dargestellt ist in der
Der Wartungsbereich 14 ist mit Hilfe einer Wartungsklappe 16 vakuumdicht gegen einen Außenbereich 17 verschließbar. Die Wartungsklappe 16 kann zu Wartungsarbeiten geöffnet werden. In geöffnetem Zustand der Wartungsklappe 16 ist ein Zugang zum Wartungsbereich 14 und hierüber zu der EUV-Strahlungsquelle 1 möglich. Es ist insbesondere möglich, die beiden Einsätze 8, 11 durch den Wartungsbereich 14 hindurch aus der EUV-Strahlungsquelle 1 zu entnehmen, beispielsweise um sie auszuwechseln.The
Eine Leistungsfähigkeit bzw. Performance der EUV-Strahlungsquelle hängt von verschiedenen Betriebsparametern ab. Ein derartiger Betriebsparameter ist eine Spannung U, die über eine in der
Zur Überwachung sowie zur steuernden Vorgabe der Betriebsparameter dient eine zentrale Steuer/Regeleinrichtung 20 der EUV-Strahlungsquelle 1. Die Spannungsquelle 18 und die Druckregeleinrichtung 19 können, wie in der
Anhand des Ablaufschemas nach
In einem Vorgabeschritt 21 wird ein erster Betriebsparameter-Bereich für einen ersten Betriebsparameter und ein zweiter Betriebsparameter-Bereich für einen zweiten Betriebsparameter zum Betreiben der EUV-Strahlungsquelle 1 vorgegeben. Wenn es sich bei den beiden Betriebsparametern um die Spannung U zur Plasmaerzeugung und den Druck P innerhalb der Quellkammer 2 handelt, verfolgt beim Vorgabeschritt 21 die Vorgabe von Untergrenzen und Obergrenzen für die Spannung U und den Druck P.In a
Eine Bereichsvorgabe für die Spannung kann zwischen einer Untergrenze von 100 Volt und einer Obergrenze von 500 Volt liegen. Eine Bereichsvorgabe für den Druck kann zwischen einer Untergrenze von 1 Pascal und einer Obergrenze von 100 Pascal liegen.A range specification for the voltage can be between a lower limit of 100 volts and an upper limit of 500 volts. A pressure range specification can range from a lower limit of 1 pascal to an upper limit of 100 pascals.
In einem nachfolgenden Auswahlschritt 22 wird ein Betriebsparameter-Paar (U;, P;) aus dem ersten Betriebsparameter U innerhalb des ersten Betriebsparameter-Bereichs und aus dem zweiten Betriebsparameter P innerhalb des zweiten Betriebsparameter-Bereichs ausgewählt.In a
Mit diesem Betriebsparameter-Paar (U;, P;) wird die EUV-Strahlungsquelle 1 dann in einem Betriebsschritt 23 betrieben.The
Im Betrieb wird eine Ist-Nutzlicht-Intensität IIST der EUV-Strahlungsquelle 1 in einem Messschritt 24 gemessen. In diesem Betrieb hat die EUV-Strahlungsquelle einen Betriebszustand mit Betriebsparametern des ausgewählten Betriebsparameter-Paars, also eine Plasma-Erzeugungsspannung Ui und einen Quellkammer-Druck Pi.During operation, an actual useful light intensity I IST of the
Nach Durchführung des Messschritts 24 wird in einem Ablageschritt 25 ein Datensatz (Iist i, Ui, Pi), in dem die gemessene Ist-Nutzlicht-Intensität IIST i sowie das Betriebsparameter-Paar U;, Pi des aktuellen Betriebszustands enthalten sind, in einem Speicher 26 der Steuer/Regeleinrichtung 20 abgelegt. Teil des im Ablageschritts 25 abgelegten Datensatzes kann ein Identifier IDi für den jeweiligen Einsatz 8, 11 sein.After measuring
Der Auswahlschritt 22, der Betriebsschritt 23, der Messschritt 24 und der Ablageschritt 25 werden dann für weitere Betriebsparameter-Paare Ui+1, Pi+1 innerhalb der vorgegebenen Betriebsparameter-Bereiche wiederholt, wobei sich die Betriebsparameter-Paare U;, P;; Ui+1, Pi+1 jeweils voneinander in mindestens einem der Betriebsparameter unterscheiden.The
Dieses Wiederholen erfolgt nach einem Abfrageschritt 27, bei dem überprüft wird, ob bereits der gesamte mehrdimensionale Betriebsparameter-Raum, der von den Betriebsparametern U, P und ggf. von weiteren Betriebsparametern aufgespannt wird, bei der vorhergehenden Sequenz der Schritte 22 bis 25 abgeprüft wurde. Nur solange dies nicht der Fall (Abfrageergebnis „N“, also „nein“) ist, werden die Schritte 22 bis 25 wiederholt. Wenn die Abfrage „Betriebsparameter-Raum abgeprüft?“ im Abfrageschritt 27 das Ergebnis „J“, also „ja“ ergibt, erfolgt ein nachfolgender Analyseschritt 28. In diesem werden die abgelegten Datensätze (IIST i, Ui, Pi) für alle durchgeführten Schrittfolgen der Schritte 22 bis 25, also für I = 1...M analysiert und es wird ein Ziel-Betriebszustand mit einem Wertepaar UT, PT) ermittelt, bei dem die Ist-Nutzlicht-Intensität IIST innerhalb vorgegebener Toleranzwerte ΔI mit einer Soll-Nutzlicht-Intensität ISOLL überstimmt, bei dem also gilt: |IIST - ISOLL | ≤ ΔI. Bei der Analyse und der Ermittlung wird ein Optimierungsverfahren eingesetzt. Entsprechende Optimierungsverfahren sind grundsätzlich aus dem Stand der Technik bekannt. Im Analyseschritt 28 kann alternativ auch überprüft werden, ob die Ist-Nutzlicht-Intensität IIST größer ist als ein unterer Grenzwert einer Soll-Nutzlicht-Intensität ISOLL Auch Stabilitätskriterien hinsichtlich einer Puls-zu-Puls-Stabilität einer dann gepulst betriebenen EUV-Strahlungsquelle und/oder eine Richtungsstabilität der EUV-Strahlungsquelle können beim Analyseschritt 28 berücksichtigt werden, wie zum Teil nachfolgend noch erläutert wird. Anschließend wird in einem Ziel-Betriebsschritt 29 die EUV-Strahlungsquelle 1 im Ziel-Betriebszustand betrieben.This repetition takes place after a
Dieses Betriebsverfahren kann auch mit mehr als zwei Betriebsparametern durchgeführt werden. Anstelle von Betriebsparameter-Paaren werden dann Betriebsparameter-Tupel ausgewählt, abgelegt und entsprechende diese Betriebsparameter-Tupel enthaltende Datensätze analysiert.This operating method can also be carried out with more than two operating parameters. Instead of operating parameter pairs, operating parameter tuples are then selected and stored, and corresponding data records containing these operating parameter tuples are analyzed.
Ein Mess-Zeitraum, während dem der Messschritt 24 durchgeführt wird, kann über die Steuer/Regeleinrichtung 20 einstellbar vorgegeben werden. Auch die Betriebsparameter-Bereiche im Vorgabeschritt 21 können über die Steuer/Regeleinrichtung 20 einstellbar vorgegeben werden. Soweit zwei Betriebsparameter vorgegeben und ausgewählt werden, können beispielsweise 15 Betriebsparameter-Paare im Rahmen der Schritte 22 bis 25 abgearbeitet werden.A measuring time period during which the measuring
Über einen Machine-Learning-Prozess, der entweder in der Steuer/Regeleinrichtung 20 oder in einer separaten Datenverarbeitungseinheit, insbesondere enthaltend ein neuronales Netzwerk, durchgeführt wird, kann ein zur Verfügung stehender Betriebsparameter-Raum anhand bereits erfolgter Messungen zur Beschleunigung des Verfahrens eingeengt werden.Using a machine learning process, which is carried out either in the control/regulating
Innerhalb des Messschritts 24 kann zusätzlich zur Nutzlichtintensität IIST auch eine Ist-Richtungsstabilität RIST des Nutzlicht-Ausgabestrahls erfasst werden, die die EUV-Strahlungsquelle 1 in dem jeweiligen, das ausgewählte Betriebsparameter-Paar (Ui, Pi) aufweisende Betriebszustand aufweist. In diesem Fall wird auch die gemessene Ist-Richtungsstabilität RIST im Datensatz abgelegt und beim Analysieren der Datensätze und dem Ermitteln des Betriebszustandes wird auch eine Übereinstimmung der Ist-Richtungsstabilität RIST innerhalb vorgegebener Toleranzschwelle ΔR mit einer Soll-Richtungsstabilität RSOLL überprüft. Die Ist-Richtungsstabilität RIST kann mithilfe eines positionssensitiven Detektors 30 überprüft werden, der in der
Im Rahmen des Auswahlschritts 22 können die Betriebsparameter-Paare statistisch innerhalb der vorgegebenen Betriebsparameter-Bereichs ausgewählt werden. Zufällig gleiche Betriebsparameter-Paare können verworfen werden, damit die Schrittsequenz 22 bis 25 ausschließlich mit unterschiedlichen Betriebsparameter-Paaren durchgeführt wird.As part of the
Bei einem alternativen Betriebsverfahren können die Betriebsparameter-Paare im Auswahlschritt 22 durch systematisches Abrastern der vorgegebenen Betriebsparameter-Bereiche ausgewählt werden, sodass der entsprechende Betriebsparameter-Raum also beispielsweise zeilen- und spaltenweise abgerastert wird. Eine Schrittweite der jeweiligen Rasterung kann einstellbar vorgegeben werden.In an alternative operating method, the pairs of operating parameters can be selected in the
Abhängig vom Ergebnis des Analyseschritts 28 kann im Rahmen des Betriebsverfahrens ein Wechsel des Einsatzes 11 und/oder 8 initiiert werden. Dies erfolgt insbesondere dann, wenn sich im Analyseschritt 28 ergibt, dass kein Datensatz vorliegt, bei dem die Ist-Nutzlicht-Intensität IIST innerhalb der vorgegebenen Toleranzwerte ΔI mit der Soll-Nutzlicht-Intensität ISOLL übereinstimmt.Depending on the result of
Das vorstehend erläuterte Betriebsverfahren kann insbesondere dann zum Einsatz kommen, sobald in einem Nutzbetrieb der EUV-Strahlungsquelle die Ist-Nutzlicht-Intensität IIST um mehr als ein Betriebs-Toleranzwert ΔIBETRIEB von der Soll-Nutzlicht-Intensität ISOLL abweicht. Der Betriebs-Toleranzwert kann sich vom Toleranzwert ΔI, der im Rahmen des obigen Betriebs/Analyseverfahrens herangezogen wurde, unterscheiden. Insbesondere kann der Betriebs-Toleranzwert ΔIBETRIEB größer sein als der Toleranzwert ΔI, der im Analyseschritt 28 zum Einsatz kommt. Der Betriebs-Toleranzwert ΔIBETRIEB kann beispielsweise doppelt so groß sein wie der Toleranzwert ΔI, der beim Analyseschritt 28 zum Einsatz kommt.The operating method explained above can be used in particular as soon as the actual useful light intensity I IST deviates from the target useful light intensity I SOLL by more than an operating tolerance value ΔI OPERATION during useful operation of the EUV radiation source. The operating tolerance value may differ from the tolerance value ΔI used in the above operating/analysis procedure. In particular, the operating tolerance value ΔI OPERATION can be greater than the tolerance value ΔI that is used in the
Im Rahmen des Auswahlschritts 22 kann auf bereits abgelegte Datensätze zurückgegriffen werden. Es kann sich dabei um Datensätze handeln, die beim Betreiben des gleichen Einsatzes 8 bzw. 11 gewonnen wurden oder um das Datensätze zu früher verwendeten Einsätzen 8, 11.As part of the
Ein Rückgriff auf bereits abgelegte Datensätze beim Auswahlschritt 22 bzw. der Einsatz eines Machine-Learning im Zusammenhang mit dem Analyseschritt 28 kann ein schnelleres Finden eines Ziel-Betriebstandes ermöglichen.Recourse to data sets that have already been stored in the
Zu Beginn des Messschritts 24 können Betriebsparameter-Paare verworfen werden, wenn sich zu Beginn des Messschritts 24 ergibt, dass in diesem Betriebszustand eine Ist-Performance PFIST von einer Soll-Performance PFSOLL um mehr als einen vorgegebenen Skip-Performance-Grenzwert ΔPF unterscheidet. Falls beispielsweise eine Richtungsstabilität RIST intolerabel ist, muss mit einem entsprechenden Betriebsparameter-Paar keine vollständige Messung innerhalb des Messschritts 24 durchgeführt werden, sondern dieses Betriebsparameter-Paar kann schnell verworfen (geskippt) werden.At the beginning of
Claims (13)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102021213828.4A DE102021213828B4 (en) | 2021-12-06 | 2021-12-06 | Method for target operating an EUV radiation source |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE102021213828.4A DE102021213828B4 (en) | 2021-12-06 | 2021-12-06 | Method for target operating an EUV radiation source |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102021213828A1 DE102021213828A1 (en) | 2023-06-07 |
DE102021213828B4 true DE102021213828B4 (en) | 2023-07-27 |
Family
ID=86382204
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102021213828.4A Active DE102021213828B4 (en) | 2021-12-06 | 2021-12-06 | Method for target operating an EUV radiation source |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102021213828B4 (en) |
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