DE102012105708A1 - Optoelectronic semiconductor device manufacturing method, involves separating substrate along main extension plane of substrate for producing optoelectronic semiconductor arrangements such that arrangements partially include layer sequences - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 218
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 177
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 86
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 42
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 189
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 26
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 25
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 claims description 18
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 4
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
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Abstract
Description
Es wird ein Verfahren zur Herstellung zumindest einer optoelektronischen Halbleiteranordnung und eine optoelektronische Halbleiteranordnung angegeben. The invention relates to a method for producing at least one optoelectronic semiconductor device and an optoelectronic semiconductor device.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung zumindest einer optoelektronischen Halbleiteranordnung anzugeben, das kosteneffizient und materialsparend ist.An object to be solved is to specify a method for producing at least one optoelectronic semiconductor device which is cost-efficient and saves material.
Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, eine optoelektronische Halbleiteranordnung anzugeben, die eine verbesserte Effizienz zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung aufweist und sich kostengünstig herstellen lässt.Another object to be achieved is to provide an optoelectronic semiconductor device which has improved efficiency for generating electromagnetic radiation and can be produced inexpensively.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung zumindest einer optoelektronischen Halbleiteranordnung wird ein Substrat mit einer ersten Hauptfläche und einer der ersten Hauptfläche gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche bereitgestellt. Die erste und zweite Hauptfläche des Substrats kann dabei poliert und/oder für ein epitaktisches Aufwachsen präpariert sein. Mit anderen Worten kann die erste und zweite Hauptfläche des Substrats strukturiert ausgebildet sein. Das Substrat kann ein elektrisch leitendes oder elektrisch isolierendes Material umfassen. Das Substrat selbst kann elektrisch leitend oder elektrisch isolierend ausgebildet sein. Zum Beispiel umfasst das Substrat Silizium oder besteht aus diesem. Weiter kann das Substrat Saphir enthalten oder aus Saphir bestehen.In accordance with at least one embodiment of the method for producing at least one optoelectronic semiconductor device, a substrate having a first main surface and a second main surface opposite the first main surface is provided. The first and second major surfaces of the substrate may be polished and / or prepared for epitaxial growth. In other words, the first and second main surfaces of the substrate may be structured. The substrate may comprise an electrically conductive or electrically insulating material. The substrate itself may be electrically conductive or electrically insulating. For example, the substrate comprises or consists of silicon. Further, the substrate may contain sapphire or be made of sapphire.
Unter "Hauptfläche" versteht man im vorliegenden Zusammenhang die Ebene der größten Ausdehnung des Substrats an einer Außenfläche des Substrats. Die erste Hauptfläche ist zu der ihr gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche beabstandet und kann parallel zu dieser angeordnet sein. Mit anderen Worten weist das Substrat eine Dicke auf. Unter "Dicke" versteht man im vorliegenden Zusammenhang eine vertikale Ausdehnung des Substrats zum Beispiel senkrecht zur ersten Hauptfläche, wobei die vertikale Ausdehnung zwischen der ersten und der zweiten Hauptfläche ausgebildet ist. By "major surface" as used herein is meant the plane of greatest extension of the substrate on an outer surface of the substrate. The first major surface is spaced from and opposite the second major surface opposite thereto. In other words, the substrate has a thickness. By "thickness" as used herein is meant a vertical extent of the substrate, for example perpendicular to the first major surface, the vertical extent being formed between the first and second major surfaces.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine erste Halbleiterschichtenfolge auf die erste Hauptfläche und eine zweite Halbleiterschichtenfolge auf die zweite Hauptfläche des Substrats aufgewachsen, wobei die erste und die zweite Halbleiterschichtenfolge jeweils eine aktive Schicht zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung aufweist. Unter "Aufwachsen" versteht man im vorliegenden Zusammenhang zum Beispiel das Abscheiden, Ausbilden oder Ablagern der jeweiligen Halbleiterschichtenfolge auf die erste und die zweite Hauptfläche des Substrats. Unter Aufwachsen wird insbesondere das epitaktische Aufwachsen der Halbeiterschichtenfolge auf die erste und zweite Hauptfläche des Substrats verstanden.According to at least one embodiment of the method, a first semiconductor layer sequence is grown on the first main surface and a second semiconductor layer sequence on the second main surface of the substrate, wherein the first and the second semiconductor layer sequence each having an active layer for generating electromagnetic radiation. By "growing up" is meant in the present context, for example, the deposition, formation or deposition of the respective semiconductor layer sequence on the first and the second main surface of the substrate. Growth is understood in particular to be the epitaxial growth of the semiconductor layer sequence on the first and second main surfaces of the substrate.
Zum Aufwachsen der ersten Halbleiterschichtenfolge auf die erste Hauptfläche und der zweiten Halbleiterschichtenfolge auf die zweite Hauptfläche des Substrats kommen die aus der Halbleitertechnik bekannten Abscheidungs-, Beschichtungs-, und/oder Aufwachsverfahren zum Einsatz. Insbesondere kommen chemische Gasphasenabscheidung (CVD, chemical vapor deposition) mit gegebenenfalls vorteilhaften Varianten wie unter anderem MOCVD (metal organic CVD), PECVD (plasma enhanced CVD), HFCVD (hot filament CVD), LPCVD (low pressure CVD) und APCVD (atmospheric pressure CVD) zum Einsatz. Weiter kommen insbesondere physikalische Abscheidung (PVD, physical vapor deposition) mit gegebenenfalls vorteilhaften Varianten zum Einsatz. Chemische Gasphasenabscheidung und physikalische Abscheidung sind im vorliegenden Zusammenhang jeweils als Grundprinzipien zum Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge zu verstehen und decken somit weitere Verfahrensvarianten ab, die auf obige Grundprinzipien beruhen. For growing the first semiconductor layer sequence on the first main surface and the second semiconductor layer sequence on the second main surface of the substrate, the deposition, coating, and / or growth methods known from semiconductor technology are used. In particular, chemical vapor deposition (CVD) with optionally advantageous variants such as MOCVD (metal organic CVD), PECVD (plasma enhanced CVD), HFCVD (hot filament CVD), LPCVD (low pressure CVD) and APCVD (atmospheric pressure CVD) are used. In addition, in particular physical deposition (PVD, physical vapor deposition) with possibly advantageous variants are used. In the present context, chemical vapor deposition and physical deposition are to be understood in each case as basic principles for growing the semiconductor layer sequence and thus cover further process variants which are based on the above basic principles.
Das Aufwachsen der ersten Halbleiterschichtenfolge auf die erste Hauptfläche des Substrats und der zweiten Halbleiterschichtenfolge auf die zweite Hauptfläche des Substrats erfolgt zeitgleich. Unter "zeitgleich" versteht man im vorliegenden Zusammenhang, dass die erste und zweite Halbleiterschichtenfolge nach einer bestimmten Zeit im Rahmen der Herstellungstoleranz jeweils eine gleiche Schichtdicke aufweisen. Unter "Schichtdicke" versteht man im vorliegenden Zusammenhang die vertikale Ausdehnung der Halbleiterschichtenfolgen in der zu den Hauptflächen abgewandten Richtung. Mit anderen Worten emittieren die auf der ersten und zweiten Hauptfläche des Substrats aufgewachsenen Halbleiterschichtenfolgen bevorzugt elektromagnetische Strahlung der gleichen Wellenlänge beziehungsweise des gleichen Spektralbereichs.The growth of the first semiconductor layer sequence on the first main surface of the substrate and the second semiconductor layer sequence on the second main surface of the substrate takes place at the same time. In the present context, "at the same time" means that the first and second semiconductor layer sequences each have a same layer thickness after a certain time within the scope of the manufacturing tolerance. In the present context, "layer thickness" is understood to mean the vertical extent of the semiconductor layer sequences in the direction away from the main surfaces. In other words, the semiconductor layer sequences grown on the first and second main surfaces of the substrate preferably emit electromagnetic radiation of the same wavelength or the same spectral range.
Durch das hier beschriebene Verfahren erfolgt ein beidseitiges Beschichten des Substrats auf der ersten und zweiten Hauptfläche, wobei die erste Halbleiterschichtenfolge und zweite Halbleiterschichtenfolge lichtemittierend ausgebildet ist. Mit anderen Worten erzeugen die erste Halbleiterschichtenfolge und zweite Halbleiterschichtenfolge elektromagnetische Strahlung.By means of the method described here, the substrate is coated on both sides on the first and second main surfaces, wherein the first semiconductor layer sequence and the second semiconductor layer sequence are light-emitting. In other words, the first semiconductor layer sequence and the second semiconductor layer sequence generate electromagnetic radiation.
Besonders vorteilhaft bildet sich die Halbleiterschichtenfolge zeitgleich und im Rahmen der Herstellungstoleranzen jeweils mit einer gleichen Schichtdicke auf der jeweiligen Hauptfläche aus, sodass sich hinsichtlich der chemisch-physikalischen Zusammensetzung im Rahmen der Herstellungstoleranz die gleiche Halbleiterschichtenfolge ausbildet.Particularly advantageously, the semiconductor layer sequence is formed at the same time and within the scope of the manufacturing tolerances with the same layer thickness on the respective main surface, so that the same semiconductor layer sequence is formed with regard to the chemical-physical composition within the manufacturing tolerance.
Die erste Halbleiterschichtenfolge und die zweite Halbleiterschichtenfolge umfassen insbesondere ein Halbleitermaterial. Unter "Halbleitermaterial" versteht man im vorliegenden Zusammenhang insbesondere einen III/V-Halbleiter, II/VI-Halbleiter, Nitridhalbleiter und Phosphidhalbleiter. Die Wahl des Halbleitermaterials ist dabei insbesondere abhängig von Wellenlängen einer zu erzeugenden elektromagnetischen Strahlung, welche die Halbleiterschichtenfolge emittieren soll. In particular, the first semiconductor layer sequence and the second semiconductor layer sequence comprise a semiconductor material. By "semiconductor material" is meant in the present context in particular a III / V semiconductor, II / VI semiconductor, nitride semiconductor and phosphide semiconductor. The choice of the semiconductor material is in particular dependent on wavelengths of an electromagnetic radiation to be generated, which is to emit the semiconductor layer sequence.
Die Bezeichnung "elektromagnetische Strahlung" kann hier und im Folgenden eine elektromagnetische Strahlung mit zumindest einer Wellenlänge beziehungsweise einer spektralen Komponente in einem infraroten bis ultravioletten Wellenlängenbereich bedeuten. Insbesondere kann dabei infrarote, sichtbare und/oder ultraviolette elektromagnetische Strahlung bezeichnet sein. The term "electromagnetic radiation" can here and below mean an electromagnetic radiation with at least one wavelength or a spectral component in an infrared to ultraviolet wavelength range. In particular, infrared, visible and / or ultraviolet electromagnetic radiation may be designated.
In der aufgewachsenen Halbleiterschichtenfolge der ersten und zweiten Halbleiterschichtenfolge wird jeweils eine aktive Schicht zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung ausgebildet. In der fertig hergestellten optoelektronischen Halbleiteranordnung, das die erste und zweite Halbleiterschichtenfolge umfasst, kann in der aktiven Zone der Halbleiterschichtenfolge die elektromagnetische Strahlung erzeugt werden.In the grown-up semiconductor layer sequence of the first and second semiconductor layer sequence, an active layer for generating electromagnetic radiation is formed in each case. In the ready-made optoelectronic semiconductor device comprising the first and second semiconductor layer sequences, the electromagnetic radiation can be generated in the active zone of the semiconductor layer sequence.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Substrat entlang einer Haupterstreckungsebene des Substrats zur Erzeugung einer ersten und einer zweiten optoelektronischen Halbleiteranordnung getrennt, derart, dass die erste optoelektronische Halbleiteranordnung zumindest teilweise die erste Halbleiterschichtenfolge und die zweite optoelektronische Halbleiteranordnung zumindest teilweise die zweite Halbleiterschichtenfolge aufweist. Unter "entlang einer Haupterstreckungsebene" versteht man im vorliegenden Zusammenhang eine zu der ersten und/oder zweiten Hauptfläche des Substrats parallel verlaufende Trennfläche. Die Trennfläche verläuft innerhalb des Substrats, wobei die Trennfläche insbesondere zu der ersten und zweiten Hauptfläche gleiche Abstände aufweisen kann. Das Trennen des Substrats erfolgt entlang der Haupterstreckungsebene, so dass die erste Halbleiterschichtenfolge der ersten optoelektronischen Halbleiteranordnung und die zweite Halbleiterschichtenfolge der zweiten optoelektronischen Halbleiteranordnung nicht mehr über das Substrat miteinander verbunden sind. Das heißt, dass durch das Trennen entlang der Haupterstreckungsebene zumindest zum Teil das Substrat entfernt wird, ohne dass die Halbleiterschichtenfolgen beschädigt werden.According to at least one embodiment of the method, the substrate is separated along a main extension plane of the substrate for producing a first and a second optoelectronic semiconductor device such that the first optoelectronic semiconductor device at least partially comprises the first semiconductor layer sequence and the second optoelectronic semiconductor device at least partially comprises the second semiconductor layer sequence. In the present context, "along a main plane of extent" is understood as meaning a separating surface running parallel to the first and / or second main surface of the substrate. The separation surface extends within the substrate, wherein the separation surface may have equal distances in particular to the first and second main surfaces. The separation of the substrate takes place along the main extension plane, so that the first semiconductor layer sequence of the first optoelectronic semiconductor device and the second semiconductor layer sequence of the second optoelectronic semiconductor device are no longer connected to one another via the substrate. This means that the substrate is at least partially removed by the separation along the main extension plane, without the semiconductor layer sequences being damaged.
Die Halbleiterschichtenfolgen bleiben von der Trennung unberührt und weisen insbesondere keine Beschädigungen auf. Durch das Trennen werden zwei optoelektronische Halbleiteranordnungen hergestellt, die insbesondere im Betrieb elektromagnetische Strahlung gleicher Wellenlängen beziehungsweise des gleichen Spektralbereichs erzeugen.The semiconductor layer sequences remain unaffected by the separation and in particular have no damage. By separating two optoelectronic semiconductor devices are produced, which generate electromagnetic radiation of the same wavelengths or the same spectral range in particular during operation.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung zumindest einer optoelektronischen Halbleiteranordnung umfasst das Verfahren folgende Schritte: Bereitstellen eines Substrats mit einer ersten Hauptfläche und einer der ersten Hauptfläche gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche, Aufwachsen einer ersten Halbleiterschichtenfolge auf die erste Hauptfläche und einer zweiten Halbleiterschichtenfolge auf die zweite Hauptfläche des Substrats, wobei die erste und zweite Halbleiterschichtenfolge jeweils eine aktive Schicht zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung aufweist, Trennen des Substrats entlang einer Haupterstreckungsebene des Substrats zur Erzeugung einer ersten und einer zweiten optoelektronischen Halbleiteranordnung, derart, dass die erste optoelektronische Halbleiteranordnung zumindest teilweise die erste Halbleiterschichtenfolge und die zweite optoelektronische Halbleiteranordnung zumindest teilweise die zweite Halbleiterschichtenfolge aufweist. According to at least one embodiment of the method for producing at least one optoelectronic semiconductor device, the method comprises the following steps: providing a substrate having a first main surface and a second main surface opposite the first main surface, growing a first semiconductor layer sequence on the first main surface and a second semiconductor layer sequence on the second main surface the substrate, wherein the first and second semiconductor layer sequence each having an active layer for generating electromagnetic radiation, separating the substrate along a main extension plane of the substrate to produce a first and a second optoelectronic semiconductor device, such that the first optoelectronic semiconductor device at least partially the first semiconductor layer sequence and the second optoelectronic semiconductor device has at least partially the second semiconductor layer sequence.
Um ein Verfahren anzugeben, bei dem optoelektronische Halbleiteranordnungen besonders kosteneffizient und materialsparend hergestellt werden, macht das hier beschriebene Verfahren unter anderem von der Idee Gebrauch, das Substrat mit aufgewachsener Halbleiterschichtenfolge an der ersten und der zweiten Hauptfläche des Substrats entlang der Haupterstreckungsebene des Substrats zu trennen und somit zwei einseitig beschichtete optoelektronische Halbleiteranordnungen zu erhalten. Die sich ausbildende erste und zweite optoelektronische Halbleiteranordnung umfassen jeweils eine aktive Schicht, die im Betrieb elektromagnetische Strahlung gleicher Wellenlänge beziehungsweise des gleichen Spektralbereichs erzeugen kann. Durch das hier beschriebene Verfahren wird das Substrat doppelseitig genutzt und durch das Trennen entlang der Haupterstreckungsebene werden zwei optoelektronische Halbleiteranordnungen hergestellt.To provide a method in which optoelectronic semiconductor devices are produced in a particularly cost-efficient and material-saving manner, the method described here uses, inter alia, the idea of separating the substrate with grown semiconductor layer sequence at the first and second main surfaces of the substrate along the main extension plane of the substrate thus to obtain two single-sided coated optoelectronic semiconductor devices. The forming first and second optoelectronic semiconductor devices each comprise an active layer, which can generate electromagnetic radiation of the same wavelength or the same spectral range during operation. By the method described here, the substrate is used on both sides and by separating along the main extension plane two opto-electronic semiconductor devices are produced.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Trennen des Substrats auf wenigstens einer der dem Substrat abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge zumindest stellenweise eine weitere Schichtenfolge angeordnet und die weitere Schichtenfolge umfasst zumindest eines der folgenden Elemente: Reflexionselement und Barriereelement, Verbindungselement und zumindest ein Trägerelement. Wie bereits oben beschrieben wird beim Trennen ausschließlich das Substrat gedünnt oder entfernt, wobei vorzugsweise die Halbleiterschichtenfolge keine sichtbaren Spuren des Trennens aufweisen. Um zum einen insbesondere eine Stabilisierung der Halbleiterschichtenfolge nach dem Trennen zu erzielen und die im Betrieb erzeugte Strahlung besonders effizient zu nutzen, wird vor dem Trennen die weitere Schichtenfolge auf der dem Substrat abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge angeordnet. Die weitere Schichtenfolge kann dabei insbesondere eines der folgenden Elemente umfassen: Reflexionselement und Barriereelement, Verbindungselement und zumindest ein Trägerelement. Die weitere Schichtenfolge kann hinsichtlich ihrer größten Ausdehnung so groß wie die erste Hauptfläche des Substrats ausgebildet sein.According to at least one embodiment of the method, a further layer sequence is arranged at least in places before the substrate is separated on at least one side of the semiconductor layer sequence facing away from the substrate, and the further layer sequence comprises at least one of the following elements: reflection element and barrier element, connection element and at least one support element. As already described above, only the substrate is thinned or removed during separation, wherein preferably the semiconductor layer sequence has no visible traces of the separation. For one thing In particular, to achieve a stabilization of the semiconductor layer sequence after the separation and to use the radiation generated during operation particularly efficiently, the further layer sequence is arranged on the side of the semiconductor layer sequence facing away from the substrate before the separation. The further layer sequence may in particular comprise one of the following elements: reflection element and barrier element, connecting element and at least one carrier element. The further layer sequence can be formed as large as the first main surface of the substrate with respect to its greatest extent.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die weitere Schichtenfolge das Reflexionselement und Barriereelement in Form eines Spiegels mit einer Diffusionsbarriere, das Verbindungselement in Form eines Lots und das Trägerelement in Form eines weiteren Substrats. Besonders vorteilhaft wird auf der dem Substrat abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge folgende Reihenfolge zur Ausbildung der weiteren Schichtenfolge eingehalten: Zuerst das Reflexionselement und Barriereelement, dann das Kontaktelement und zuletzt das weitere Trägerelement.In accordance with at least one embodiment, the further layer sequence comprises the reflection element and barrier element in the form of a mirror with a diffusion barrier, the connection element in the form of a solder and the carrier element in the form of a further substrate. The following sequence for forming the further layer sequence is particularly advantageously adhered to on the side of the semiconductor layer sequence facing away from the substrate: first the reflection element and barrier element, then the contact element and finally the further carrier element.
Das Reflexionselement und Barriereelement kann dabei insbesondere die im Betrieb erzeugte elektromagnetische Strahlung in Richtung des Substrats reflektieren. Das Reflexionselement und Barriereelement können dabei Ag und/oder TiAg umfassen oder aus einem dieser Materialien bestehen. Das Barriereelement wirkt insbesondere einer Diffusion zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der weiteren Schichtenfolge entgegen, die besonders verstärkt während der Erzeugung elektromagnetischer Strahlung entstehen kann. Dabei kann das Barriereelement ein TCO (Transparent Conductive Oxide) Material und/oder ein TiWN sowie TiN umfassen oder aus einem dieser Materialien bestehen. Das Barriereelement kann insbesondere beidseitig und/oder einseitig am Reflexionselement ausgebildet sein. Das Verbindungselement verbindet insbesondere das Trägerelement mit dem Reflexionselement und Barriereelement. Das Trägerelement dient insbesondere nach dem Trennen des Substrats entlang der Haupterstreckungsebene zur mechanischen Stabilisierung der optoelektronischen Halbleiteranordnung.In this case, the reflection element and barrier element can in particular reflect the electromagnetic radiation generated during operation in the direction of the substrate. The reflection element and barrier element may comprise Ag and / or TiAg or consist of one of these materials. The barrier element counteracts, in particular, a diffusion between the semiconductor layer sequence and the further layer sequence, which can be particularly intensified during the generation of electromagnetic radiation. In this case, the barrier element may comprise a TCO (Transparent Conductive Oxide) material and / or a TiWN and TiN or consist of one of these materials. The barrier element may in particular be formed on both sides and / or on one side on the reflection element. The connecting element in particular connects the carrier element with the reflection element and barrier element. The carrier element serves in particular after the separation of the substrate along the main extension plane for the mechanical stabilization of the optoelectronic semiconductor device.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Trennen des Substrats zumindest eine quer zur Haupterstreckungsebene verlaufende Außenfläche der zumindest einen Halbleiterschichtenfolge und zumindest eine quer zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Außenfläche der zumindest einen weiteren Schichtenfolge zumindest stellenweise mit einer Schutzschicht versehen. According to at least one embodiment of the method, at least one outer surface of the at least one semiconductor layer sequence running transversely to the main extension plane and at least one outer surface of the at least one further layer sequence extending transversely to the main extension plane are provided at least in places with a protective layer prior to the separation of the substrate.
Weiter wird auf wenigstens einer der dem Substrat abgewandten Außenfläche, also einer der epitaxierten Grenzfläche gegenüberliegende Oberfläche, der zumindest einen weiteren Schichtenfolge zumindest stellenweise mit der Schutzschicht versehen, wobei das Substrat an zumindest einer der quer zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Außenfläche frei von der Schutzschicht bleibt. Abhängig von dem Verfahren, mit dem das Trennen des Substrats durchgeführt wird, ist ein Anbringen, Ausbilden oder Aufbringen der Schutzschicht auf die Außenflächen der Halbleiterschichtenfolge und der weiteren Schichtenfolge erforderlich. Das Aufbringen oder Ausbilden der Schutzschicht kann dabei zunächst auf den quer zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Außenflächen der ersten und/oder zweiten Halbleiterschichtenfolge erfolgen. Die auf der dem Substrat abgewandten Außenfläche folgende weitere Schichtenfolge weist entsprechend der Halbleiterschichtenfolge auch eine quer zur Haupterstreckungsebene verlaufende Außenfläche auf, die zeitgleich mit der Schutzschicht versehen werden kann. Neben der quer zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Außenfläche der zumindest einen Halbleiterschichtenfolge und der weiteren Schichtenfolge kann weiter auch die dem Substrat abgewandten Außenfläche der weiteren Schichtenfolge mit der Schutzschicht ausgebildet sein.Furthermore, the at least one further layer sequence is provided at least in places with the protective layer on at least one outer surface facing away from the substrate, that is, one surface opposite the epitaxied interface, the substrate remaining free of the protective layer on at least one of the outer surfaces running transversely to the main extension plane. Depending on the method with which the separation of the substrate is carried out, it is necessary to attach, to form or to apply the protective layer to the outer surfaces of the semiconductor layer sequence and the further layer sequence. In this case, the application or formation of the protective layer can first be effected on the outer surfaces of the first and / or second semiconductor layer sequence running transversely to the main extension plane. The further layer sequence following the outer surface facing away from the substrate also has, corresponding to the semiconductor layer sequence, an outer surface extending transversely to the main extension plane, which surface can be provided with the protective layer at the same time. In addition to the outer surface of the at least one semiconductor layer sequence extending transversely to the main extension plane and the further layer sequence, the outer surface of the further layer sequence facing away from the substrate can furthermore be formed with the protective layer.
Das Ausbilden mit der Schutzschicht an den quer zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Außenflächen der Halbleiterschichtenfolge und der weiteren Schichtenfolge kann dem Ausbilden mit der Schutzschicht an der dem Substrat abgewandten Außenfläche der weiteren Schichtenfolge vorangehen. Besonders bevorzugt ist das gleichzeitige Ausbilden der Schutzschicht auf den Außenflächen der Halbleiterschichtenfolge und der weiteren Schichtenfolge. Das Substrat, also die zu epitaxierende Oberfläche, bleibt frei von der Schutzschicht. Mit anderen Worten steht die quer zur Haupterstreckungsebene verlaufende Außenfläche des Substrats nicht mit der Schutzschicht in direktem Kontakt. Die quer zur Haupterstreckungsebene verlaufende Außenfläche des Substrats ist von der Schutzschicht nicht umgeben, verdeckt oder umkapselt. Die Schutzschicht kann dabei unter anderem SiN oder SiO2 umfassen oder aus eines der genannten Materialien bestehen.Forming with the protective layer at the outer surfaces of the semiconductor layer sequence extending transversely to the main extension plane and the further layer sequence may precede the formation with the protective layer on the outer surface of the further layer sequence facing away from the substrate. Particularly preferred is the simultaneous formation of the protective layer on the outer surfaces of the semiconductor layer sequence and the further layer sequence. The substrate, ie the surface to be epitaxially, remains free of the protective layer. In other words, the outer surface of the substrate extending transversely to the main plane of extension is not in direct contact with the protective layer. The transverse to the main plane of extension extending outer surface of the substrate is not surrounded by the protective layer, hidden or encapsulated. The protective layer may comprise, inter alia, SiN or SiO 2 or consist of one of the materials mentioned.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Substrat mechanisch getrennt. Unter "mechanischem Trennen" versteht man im vorliegenden Zusammenhang das Abtragen, Entfernen oder Sägen des Substrats insbesondere entlang der Haupterstreckungsrichtung des Substrats mit einem Werkzeug durch mechanische Reibung zwischen Werkzeug und Substrat. Das verwendete Werkzeug ist dabei derart beschaffen, dass es zum Trennen des Substrats geeignet ist. Mit anderen Worten ist das Werkzeug, welches zum Trennen des Substrats verwendet wird, mit einem härteren Material ausgebildet als das Substrat. Ein Vorteil des mechanischen Trennens ist insbesondere, dass das Trennen zu jedem Zeitpunkt manuell korrigiert und eine Beschädigung der angrenzenden Halbleiterschichtenfolgen verhindert werden kann. Ferner wird das Substrat durch das mechanische Trennen teilweise oder vollständig entfernt, so dass ein nachfolgendes Dünnen oder Entfernen von Substratresten unterbleiben kann.In accordance with at least one embodiment of the method, the substrate is mechanically separated. By "mechanical separation" is meant in the present context the removal, removal or sawing of the substrate, in particular along the main extension direction of the substrate with a tool by mechanical friction between the tool and the substrate. The tool used is designed such that it is suitable for separating the substrate. In other words, the tool that is used for Separating the substrate is used, with a harder material formed as the substrate. An advantage of the mechanical separation is in particular that the separation can be corrected manually at any time and damage to the adjacent semiconductor layer sequences can be prevented. Furthermore, the substrate is partially or completely removed by the mechanical separation, so that subsequent thinning or removal of substrate residues can be omitted.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Substrat mit einer Drahtsäge getrennt. Das oben beschriebene mechanische Trennen erfolgt mit einer Drahtsäge, wobei die Drahtsäge ein Beispiel für das oben beschriebene Werkzeug sein kann. Besonders vorteilhaft ist die Verwendung der Drahtsäge, wenn durch die geeignete Wahl eines in der Drahtsäge eingesetzten Sägedrahtes die verbleibende Dicke des Substrats an der ersten oder zweiten optoelektronischen Halbleiteranordnung nach dem Trennen reduziert werden kann. Nach dem Trennen mit der Drahtsäge sind an der ersten Halbleiterschichtenfolge der ersten optoelektronischen Halbleiteranordnung und an der zweiten Halbleiterschichtenfolge der zweiten optoelektronischen Halbleiteranordnung keine Spuren des mechanischen Trennens nachweisbar. Die erste Halbleiterschichtenfolge und die zweite Halbleiterschichtenfolge kommen mit der Drahtsäge nicht in direktem Kontakt. Jedoch können an den Substratresten Trennspuren vorhanden sein, über die das Trennverfahren nachweisbar ist.In accordance with at least one embodiment of the method, the substrate is separated with a wire saw. The mechanical separation described above is carried out with a wire saw, wherein the wire saw can be an example of the tool described above. The use of the wire saw is particularly advantageous if the remaining thickness of the substrate on the first or second optoelectronic semiconductor device after the separation can be reduced by the suitable choice of a saw wire used in the wire saw. After separation with the wire saw, no traces of the mechanical separation can be detected on the first semiconductor layer sequence of the first optoelectronic semiconductor device and on the second semiconductor layer sequence of the second optoelectronic semiconductor device. The first semiconductor layer sequence and the second semiconductor layer sequence do not come into direct contact with the wire saw. However, separation traces may be present on the substrate residues over which the separation process is detectable.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Substrat mittels eines chemischen Verfahrens getrennt. Unter "mittels eines chemischen Verfahrens getrennt" versteht man im vorliegenden Zusammenhang das Entfernen des Substrats auf Basis zumindest einer chemischen Reaktion. Das heißt, das Substrat schmilzt, verdampft oder löst sich während des chemischen Verfahrens auf. Vorteilhaft für das Trennen mit dem chemischen Verfahren ist, wie bereits oben beschrieben, das Ausbilden einer Schutzschicht an den Außenflächen der Halbleiterschichtenfolge und der weiteren Schichtenfolge. Die Schutzschicht reagiert mit dem eingesetzten Reaktionsstoff nicht.In accordance with at least one embodiment of the method, the substrate is separated by means of a chemical method. The term "separated by means of a chemical process" in the present context means the removal of the substrate on the basis of at least one chemical reaction. That is, the substrate melts, evaporates or dissolves during the chemical process. As already described above, it is advantageous for the separation with the chemical method to form a protective layer on the outer surfaces of the semiconductor layer sequence and the further layer sequence. The protective layer does not react with the reactant used.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens kann auf die Schutzschicht verzichtet werden, da es sich bei dem chemischen Verfahren um ein chemisch selektives Verfahren handelt. Unter "chemisch selektivem Verfahren" versteht man im vorliegenden Zusammenhang, dass der verwendete chemische Reaktionsstoff nur mit dem Substrat eine chemische Reaktion eingeht und das Substrat trennt, wobei die Halbleiterschichtenfolge und die weitere Schichtenfolge von dem chemisch selektiven Verfahren nicht betroffen sind. Mit anderen Worten sind die Halbleiterschichtenfolgen und die weiteren Schichtenfolgen resistent gegen den eingesetzten chemisch selektiven Reaktionsstoff. According to at least one embodiment of the method, the protective layer can be dispensed with, since the chemical process is a chemically selective process. In the present context, "chemically selective process" is understood to mean that the chemical reaction substance used undergoes a chemical reaction only with the substrate and separates the substrate, the semiconductor layer sequence and the further layer sequence not being affected by the chemically selective process. In other words, the semiconductor layer sequences and the further layer sequences are resistant to the chemically selective reaction substance used.
Wird der Einsatz eines selektiven Reaktionsstoffs nicht bevorzugt, so kann das chemische Verfahren zeitlich begrenzt eingesetzt werden. Das heißt, die Dauer des chemischen Verfahrens wird so gewählt, dass die Halbleiterschichtenfolge nicht durch das chemische Verfahren beschädigt werden kann. Nach dem Trennen mit dem chemischen Verfahren sind die Halbleiterschichtenfolgen der optoelektronischen Halbleiteranordnungen zumindest stellenweise frei von dem Substrat. If the use of a selective reaction substance is not preferred, the chemical process can be used for a limited time. That is, the duration of the chemical process is chosen so that the semiconductor layer sequence can not be damaged by the chemical process. After separation with the chemical method, the semiconductor layer sequences of the optoelectronic semiconductor arrangements are at least locally free of the substrate.
Ein Vorteil des mechanischen Trennens ist, dass gleich dimensionierte Bereiche des Substrats entfernt werden können, wohingegen beim chemischen Verfahren ein konstantes Entnehmen beziehungsweise Entfernen des Substrats nicht möglich ist, da die chemische Reaktion zunächst an der Außenfläche des Substrats beginnt. Das heißt, dass die durch das chemische Verfahren freigelegten Stellen insbesondere länger mit der ersten und/oder zweiten Halbleiterschichtenfolge in Kontakt stehen können.An advantage of the mechanical separation is that equally sized areas of the substrate can be removed, whereas in the chemical process, a constant removal or removal of the substrate is not possible because the chemical reaction begins first on the outer surface of the substrate. This means that the points exposed by the chemical process can in particular be in contact with the first and / or second semiconductor layer sequence for a longer time.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird durch das Trennen das Substrat entfernt oder eine Dicke des Substrats auf mindestens 10 % der ursprünglichen Dicke reduziert. Wie bereits oben beschrieben, erfolgt das Trennen des Substrats entlang der Haupterstreckungsebene des Substrats zur Erzeugung der ersten und der zweiten optoelektronischen Halbleiteranordnung, derart, dass die erste und die zweite Halbleiterschichtenfolge insbesondere keine sichtbaren Spuren des Trennens aufweisen. Vorteilhaft auf ein sich anschließendes Verfahren kann sich die Dicke des Substrats auswirken, wenn diese auf höchstens 10 % der ursprünglichen Dicke reduziert werden kann. Insbesondere kann diese Reduzierung durch die geeignete Wahl des mechanischen Verfahrens, beispielsweise der Drahtsäge, und/oder des chemischen Verfahrens erzielt werden.In accordance with at least one embodiment of the method, the separation removes the substrate or reduces a thickness of the substrate to at least 10% of the original thickness. As already described above, the separation of the substrate takes place along the main extension plane of the substrate for producing the first and the second optoelectronic semiconductor device, such that the first and the second semiconductor layer sequence in particular have no visible traces of the separation. The thickness of the substrate can have an advantageous effect on a subsequent method if it can be reduced to at most 10% of the original thickness. In particular, this reduction can be achieved by the appropriate choice of the mechanical method, for example the wire saw, and / or the chemical method.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Trennen des Substrats entlang seiner Haupterstreckungsebene durch eine Kombination des mechanischen und chemischen Verfahrens. Das heißt, dass nach einer anfänglichen mechanischen Trennung des Substrats ein chemisches Verfahren zur weiteren Reduzierung des Substrats eingesetzt werden kann. In dieser Ausführungsform kann die oben angeführte Schutzschicht insbesondere auf der quer zur Haupterstreckungsrichtung verlaufenden Außenfläche des Substrats ausgebildet sein und die quer zur Haupterstreckungsrichtung verlaufenden Außenfläche des Substrats umgeben, verdecken oder umkapseln. Ferner steht insbesondere die quer zur Haupterstreckungsrichtung verlaufende Außenfläche des Substrats mit der Schutzschicht im direkten Kontakt und wird durch das mechanische Trennen entfernt, durchsägt oder durchtrennt. Weiter ist der Einsatz eines chemischen Verfahrens denkbar, wobei sich das mechanische Trennen anschließen kann.According to at least one embodiment of the method, the separation of the substrate along its main plane of extension is effected by a combination of the mechanical and chemical process. That is, after an initial mechanical separation of the substrate, a chemical process can be used to further reduce the substrate. In this embodiment, the above-mentioned protective layer may be formed in particular on the outer surface of the substrate extending transversely to the main extension direction and surround, cover or encapsulate the outer surface of the substrate running transversely to the main extension direction. Furthermore, in particular the transverse to Main extension direction extending outer surface of the substrate with the protective layer in direct contact and is removed by the mechanical separation, sawed or cut. Next, the use of a chemical process is conceivable, with the mechanical separation can follow.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Trägerelement der weiteren Schichtenfolge durch Dünnung hinsichtlich einer ursprünglichen Dicke reduziert. Das heißt, dass die vertikale Ausdehnung zur Haupterstreckungsebene des Trägerelements hinsichtlich der ursprünglichen Dicke gedünnt, reduziert oder vermindert wird. Insbesondere kann diese Dünnung zum weiteren Verbauen der optoelektronischen Halbleiteranordnungen in ein Gehäuse vorteilhaft sein. According to at least one embodiment of the method, the carrier element of the further layer sequence is reduced by thinning with respect to an original thickness. That is, the vertical extent to the main extension plane of the support member is thinned, reduced or reduced in original thickness. In particular, this thinning can be advantageous for further obstruction of the optoelectronic semiconductor arrangements in a housing.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt ein zeitgleiches doppelseitiges Schleifen des Substrats und des Trägerelements der weiteren Schichtenfolge. Nach dem Trennen des Substrats entlang der Haupterstreckungsebene des Substrats zur Erzeugung der ersten optoelektronischen Halbleiteranordnung und der zweiten optoelektronischen Halbleiteranordnung weisen die erste optoelektronische Halbleiteranordnung und die zweite optoelektronische Halbleiteranordnung unter anderem Substratrückstände auf der zu der weiteren Schichtenfolge abgewandten Seite der jeweiligen Halbleiterschichtenfolge auf. Insbesondere ist nach dem Trennen die erste und die zweite Halbleiterschichtenfolge vollständig mit dem Substrat bedeckt und steht mit dem Substrat in direktem Kontakt. Das Substrat der ersten und der zweiten Halbleiteranordnung ist hinsichtlich der ursprünglichen Dicke durch das Trennen reduziert. Das zeitgleiche doppelseitige Schleifen reduziert die nach dem Trennen verbliebene Substratdicke und die Dicke des Trägerelements.In accordance with at least one embodiment of the method, a simultaneous double-sided grinding of the substrate and of the carrier element of the further layer sequence takes place. After the substrate has been separated along the main extension plane of the substrate for producing the first optoelectronic semiconductor device and the second optoelectronic semiconductor device, the first optoelectronic semiconductor device and the second optoelectronic semiconductor device include substrate residues on the side of the respective semiconductor layer sequence facing away from the further layer sequence. In particular, after the separation, the first and the second semiconductor layer sequence is completely covered by the substrate and is in direct contact with the substrate. The substrate of the first and second semiconductor devices is reduced in original thickness by the separation. The simultaneous double-sided grinding reduces the substrate thickness remaining after separation and the thickness of the support element.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die erste und zweite Halbleiteranordnung frei von dem Substrat. Mit anderen Worten sind nach dem Schleifen keine Substratrückstände auf der der weiteren Schichtenfolge abgewandten Seite der optoelektronischen Halbleiteranordnung vorhanden.In accordance with at least one embodiment, the first and second semiconductor devices are free of the substrate. In other words, after the grinding, no substrate residues are present on the side of the optoelectronic semiconductor device facing away from the further layer sequence.
Es wird eine optoelektronische Halbleiteranordnung angegeben. Beispielsweise kann eine solche optoelektronische Halbleiteranordnung ein Zwischenprodukt eines hier beschriebenen Verfahrens vor dem Durchtrennen des Substrats sein. Das heißt, die auf das hier beschriebene Verfahren bezogenen Merkmale sind auch für die hier beschriebene optoelektronische Halbleiteranordnung offenbart und umgekehrt.An optoelectronic semiconductor device is specified. For example, such an optoelectronic semiconductor device may be an intermediate product of a method described here before the substrate is cut through. That is, the features related to the method described herein are also disclosed for the optoelectronic semiconductor device described herein, and vice versa.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die optoelektronische Halbleiteranordnung ein Substrat mit einer ersten Hauptfläche und einer der ersten Hauptfläche gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche, wobei auf der ersten Hauptfläche eine erste Halbleiterschichtenfolge und der zweiten Hauptfläche des Substrats eine zweite Halbleiterschichtenfolge aufgewachsen ist und die Halbleiterschichtenfolgen jeweils eine aktive Schicht zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung aufweisen. Die hier beschriebene optoelektronische Halbleiteranordnung weist sämtliche Merkmale des Verfahrens zur Herstellung zumindest einer optoelektronischen Halbleiteranordnung auf. According to at least one embodiment, the optoelectronic semiconductor device comprises a substrate having a first main surface and a second main surface opposite the first main surface, wherein a first semiconductor layer sequence is grown on the first main surface and a second semiconductor layer sequence is grown on the second main surface of the substrate and the semiconductor layer sequences each comprise an active layer Generation of electromagnetic radiation. The optoelectronic semiconductor device described here has all the features of the method for producing at least one optoelectronic semiconductor device.
Überraschend hat sich bei der Herstellung der optoelektronischen Halbleiteranordnung herausgestellt, dass ein wie oben beschriebenes Trennen des Substrats für das Erzeugen der elektromagnetischen Strahlung nicht erforderlich ist. Vielmehr ist das Substrat der ersten Hauptfläche und der der ersten Hauptfläche gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche mit den jeweils aufgewachsenen Halbleiterschichtenfolgen in der Lage, jeweils in der entsprechenden aktiven Schicht elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, ohne dass es dem Trennen bedarf. Surprisingly, it has been found in the production of the optoelectronic semiconductor device that a separation of the substrate as described above for generating the electromagnetic radiation is not required. Rather, the substrate of the first main surface and the second main surface opposite the first main surface with the respectively grown semiconductor layer sequences is capable of generating electromagnetic radiation in each case in the corresponding active layer, without the need for separation.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der optoelektronischen Halbleiteranordnung ist zumindest stellenweise eine weitere Schichtenfolge auf wenigstens einer dem Substrat abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet, wobei die weitere Schichtenfolge wenigstens einer der Halbleiterschichtenfolgen nachgeordnet ist. Die weitere Schichtenfolge umfasst zumindest eines der folgenden Elemente: Reflexionselement und Barriereelement, Verbindungselement und Trägerelement. Das Reflexionselement und Barriereelement reflektiert im Betrieb erzeugtes Licht der zumindest einen Halbleiterschichtenfolge zumindest teilweise in Richtung des Substrats. Hinsichtlich des Aufbaus und der Reihenfolge der weiteren Schichtenfolge wird auf das Verfahren zur Herstellung zumindest einer optoelektronischen Halbleiteranordnung verwiesen.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor arrangement, at least in places a further layer sequence is formed on at least one side of the semiconductor layer sequence facing away from the substrate, wherein the further layer sequence is arranged downstream of at least one of the semiconductor layer sequences. The further layer sequence comprises at least one of the following elements: reflection element and barrier element, connecting element and carrier element. The reflection element and barrier element reflects light generated during operation of the at least one semiconductor layer sequence at least partially in the direction of the substrate. With regard to the construction and the sequence of the further layer sequence, reference is made to the method for producing at least one optoelectronic semiconductor device.
Wie bereits oben beschrieben erfolgt bei der hier vorliegenden optoelektronischen Halbleiteranordnung kein Trennen des Substrats. Die nachgeordnete weitere Schichtenfolge dient zum einen zur mechanischen Stabilisierung der optoelektronischen Halbleiteranordnung, so dass ein Vereinzeln der optoelektronischen Halbleiteranordnung in einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiteranordnungen realisiert werden kann. Ferner spielt jedoch das Reflexionselement und Barriereelement, das beispielsweise als ein Spiegel ausgebildet sein kann, eine wesentliche Rolle hinsichtlich der Funktionsweise der optoelektronischen Halbleiteranordnung.As already described above, no separation of the substrate takes place in the optoelectronic semiconductor arrangement present here. The subsequent further layer sequence serves on the one hand for the mechanical stabilization of the optoelectronic semiconductor device, so that a separation of the optoelectronic semiconductor device can be realized in a plurality of optoelectronic semiconductor devices. Furthermore, however, the reflection element and barrier element, which may be formed, for example, as a mirror, plays an essential role with regard to the mode of operation of the optoelectronic semiconductor device.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der optoelektronischen Halbleiteranordnung tritt das im Betrieb erzeugte Licht der zumindest einen Halbleiterschichtenfolge zumindest teilweise in das Substrat. Wie bereits oben beschrieben weist die erste und die zweite Halbleiterschichtenfolge eine aktive Schicht auf, die zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung geeignet ist. Das im Betrieb erzeugte Licht strahlt zum einen in Richtung des Substrats und zum anderen in Richtung der weiteren Schichtenfolge. Das in Richtung der weiteren Schichtenfolge austretende Licht wird durch das Reflexionselement und Barriereelement wieder in Richtung des Substrats reflektiert. Mit anderen Worten wird das im Betrieb erzeugte Licht direkt in das Substrat beziehungsweise indirekt durch Reflexion am Reflexionselement und Barriereelement wiederum in das Substrat geleitet. Das heißt, dass die im Betrieb erzeugte elektromagnetische Strahlung insgesamt in Richtung des Substrats eintritt und/oder reflektiert wird. According to at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor device, the light generated during operation of the at least one occurs Semiconductor layer sequence at least partially into the substrate. As already described above, the first and the second semiconductor layer sequence have an active layer which is suitable for generating electromagnetic radiation. The light generated during operation radiates on the one hand in the direction of the substrate and on the other in the direction of the further layer sequence. The light emerging in the direction of the further layer sequence is reflected by the reflection element and barrier element again in the direction of the substrate. In other words, the light generated during operation is conducted directly into the substrate or indirectly by reflection on the reflection element and barrier element in turn into the substrate. That is, the electromagnetic radiation generated during operation altogether enters and / or is reflected in the direction of the substrate.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der optoelektronischen Halbleiteranordnung tritt das im Betrieb erzeugte Licht der zumindest einen Halbleiterschichtenfolge zumindest teilweise durch eine quer zur Haupterstreckungsebene verlaufende Außenfläche des Substrats aus. Unter "durch die quer zur Haupterstreckungsebene verlaufende Außenfläche" des Substrats versteht man im vorliegenden Zusammenhang Strahlungsaustrittsflächen des Substrats. Das heißt, Außenflächen, die nicht mit Halbleiterschichtenfolge und beispielsweise der weiteren Schichtenfolge in direktem Kontakt stehen. Durch die oben beschriebenen Außenflächen tritt die elektromagnetische Strahlung aus. In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor arrangement, the light of the at least one semiconductor layer sequence generated in operation emerges at least partially through an outer surface of the substrate running transversely to the main extension plane. By "extending through the transverse to the main plane of extension outer surface" of the substrate is understood in the present context radiation exit surfaces of the substrate. That is, outer surfaces that are not in direct contact with the semiconductor layer sequence and, for example, the further layer sequence. Due to the outer surfaces described above, the electromagnetic radiation exits.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der optoelektronischen Halbleiteranordnung tritt das im Betrieb erzeugte Licht der zumindest einen Halbleiterschichtenfolge zumindest teilweise durch zwei gegenüberliegende quer zu der Haupterstreckungsebene verlaufende Außenflächen des Substrats aus. Das heißt, es handelt sich um eine beidseitige Lichtemission der optoelektronischen Halbleiteranordnung. Sind die quer zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Außenflächen des Substrats frei zugänglich, so tritt das im Betrieb erzeugte Licht durch die zwei gegenüberliegenden quer zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Außenflächen des Substrats. Dabei erfolgt insbesondere eine Kontaktierung nicht über die Außenflächen des Substrats.In accordance with at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor arrangement, the light generated in operation of the at least one semiconductor layer sequence emerges at least partially through two opposite outer surfaces of the substrate extending transversely to the main extension plane. That is, it is a two-sided light emission of the optoelectronic semiconductor device. If the outer surfaces of the substrate extending transversely to the main extension plane are freely accessible, the light generated in operation passes through the two opposite outer surfaces of the substrate extending transversely to the main extension plane. In particular, a contacting does not take place over the outer surfaces of the substrate.
Im Folgenden wird das hier beschriebene Verfahren zur Herstellung zumindest einer optoelektronischen Halbleiteranordnung anhand von Ausführungsbeispielen mit zugehörigen Figuren erläutert.In the following, the method described here for producing at least one optoelectronic semiconductor device will be explained on the basis of exemplary embodiments with associated figures.
Anhand der schematischen Darstellungen der
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.The same, similar or equivalent elements are provided in the figures with the same reference numerals. The figures and the proportions of the elements shown in the figures with each other are not to be considered to scale. Rather, individual elements may be exaggerated in size for better representability and / or better intelligibility.
Die Ausführungsbeispiele der
In der
Die
Die
Die
Die
Die
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The invention is not limited by the description based on the embodiments of these. Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, including in particular any combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the claims or exemplary embodiments.
Claims (13)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE201210105708 DE102012105708A1 (en) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | Optoelectronic semiconductor device manufacturing method, involves separating substrate along main extension plane of substrate for producing optoelectronic semiconductor arrangements such that arrangements partially include layer sequences |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE201210105708 DE102012105708A1 (en) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | Optoelectronic semiconductor device manufacturing method, involves separating substrate along main extension plane of substrate for producing optoelectronic semiconductor arrangements such that arrangements partially include layer sequences |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102012105708A1 true DE102012105708A1 (en) | 2014-04-03 |
Family
ID=50276134
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE201210105708 Withdrawn DE102012105708A1 (en) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | Optoelectronic semiconductor device manufacturing method, involves separating substrate along main extension plane of substrate for producing optoelectronic semiconductor arrangements such that arrangements partially include layer sequences |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE102012105708A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102012110006A1 (en) | 2012-10-19 | 2014-04-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component for optoelectronic semiconductor device, has semiconductor layer sequence with active layer to generate electromagnetic radiation, and semiconductor chip that is electrically contacted over terminal carrier |
Citations (2)
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| US20070243652A1 (en) * | 2006-04-14 | 2007-10-18 | Applied Materials, Inc. | Stacked-substrate processes for production of nitride semiconductor structures |
| US20110101502A1 (en) * | 2009-11-05 | 2011-05-05 | Fairfield Crystal Technology, Llc | Composite wafers and substrates for iii-nitride epitaxy and devices and methods therefor |
-
2012
- 2012-06-28 DE DE201210105708 patent/DE102012105708A1/en not_active Withdrawn
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