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Die
Erfindung betrifft ein Bauelement, das geeignet ist, elektromagnetische
Strahlung zu emittieren, und ein Verfahren zur Herstellung eines
Bauelementes, das geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu
emittieren.
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Ein
Bauelement, das geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu emittieren,
ist beispielsweise in der Druckschrift
DE 101 33 352 A1 beschrieben. Als
Primärstrahlungsquelle
dient hierbei mindestens eine Lumineszenzdiode, die eine Primärstrahlung
im Bereich von 300 bis 485 nm emittiert, wobei die Primärstrahlung
durch Lumineszenzkonversionspartikel teilweise oder vollständig in
längerwellige
Strahlung umgewandelt wird. Die Lumineszenzkonversionspartikel sind
in der Regel in eine polymere Matrixmasse eingebettet, die auf die
Primärstrahlungsquelle
aufgebracht ist oder diese umhüllt.
Die Lumineszenzkonversionspartikel und die polymere Matrixmasse bilden
hierbei wesentliche funktionale Bauteile eines Lumineszenzkonversionselements.
Bauelemente, bei denen Primärstrahlung
aus dem UV- oder UV-nahen Bereich in sichtbares Licht umgewandelt
wird, sind insbesondere geeignet, mit Hilfe verschiedener Lumineszenzkonversionspartikel
weißes
oder farbiges Licht zu erzeugen.
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Ein
Nachteil derartiger Bauelemente kann sein, dass sie eine nicht zu
vernachlässigende
Restemission von Primärstrahlung
aus dem UV- oder UV-nahen Spektralbereich aufweisen. Dies kann insbesondere
bei der Verwendung von Hochleistungslumineszenzdioden als Primärstrahlungsquelle
auftreten. Eine der artige Restemission ist jedoch möglichst zu
vermeiden, da elektromagnetische Strahlung aus dem UV- oder aus
dem sichtbaren UV-nahen Wellenlängenbereich
bei intensiver Einwirkung das menschliche Auge schädigen kann.
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In
der Druckschrift US 2002/0180351 A1 wird vorgeschlagen, in der polymeren
Matrix, in die die Lumineszenzkonversionspartikel eingebettet sind,
zusätzliche
Teilchen zu dispergieren, die unkonvertierte Primärstrahlung
streuen sollen. Dadurch soll unkonvertierte Primärstrahlung des Bauelementes
den Lumineszenzkonversionspartikeln wieder zur Verfügung gestellt
und der Prozentsatz an unkonvertierter Strahlung verringert werden,
der von dem Bauelement emittiert wird. Alternativ wird vorgeschlagen, streuende
Teilchen in einer separaten Schicht auf dem Lumineszenzkonversionselement
aufzubringen.
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Die
Druckschrift US 2002/0180351 A1 offenbart auch eine Lichtquelle,
die auf einer UV-Leuchtdiode basiert und Reflektoren für ultraviolette
Strahlung umfasst.
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Die
Druckschrift
DE 102
04 318 A1 betrifft eine Klasse von photonischen Kristallen,
die eine Bandlücke
oder eine Pseudobandlücke
zwischen dem 5. und 6. und/oder dem 8. und 9. Band aufweisen.
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Die
Druckschrift WO 01/86038 A2 offenbart Materialien auf Germanium-Basis
mit einer photonischen Bandlücke.
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Die
Druckschrift
US 6,791,259
B1 offenbart eine Lampe, die eine Lichtquelle und einen
Lumineszenzkonversionsstoff umfasst. Zwischen diesen befindet sich
eine Glasschicht, die Teilchen zur Streuung und Absorption von Strahlung
enthält.
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Eine
Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht insbesondere darin, ein
Bauelement mit UV- und/oder UV-nah emittierender Primärstrahlungsquelle
bereitzustellen, bei dem der im Betrieb vom Bauelement emittierte
Anteil an unkonvertierter UV- und/oder
UV-naher Strahlung verringert ist. Weiterhin ist es Aufgabe der
Erfindung ein möglichst
einfaches Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelementes anzugeben.
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Diese
Aufgaben werden durch ein Bauelement gemäß Patentanspruch 1 und ein
Verfahren gemäß Patentanspruch
12 gelöst.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen
des Bauelementes sowie des Verfahrens sind in den Unteransprüchen 2 bis
11 bzw. 13 bis 18 angegeben.
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Ein
erfindungsgemäßes Bauelement,
das geeignet ist elektromagnetische Strahlung zu emittieren, umfasst
insbesondere:
- – mindestens eine primäre Strahlungsquelle,
die geeignet ist, elektromagnetische Primärstrahlung eines ersten Wellenlängenbereiches
zu emittieren,
- – mindestens
ein Lumineszenzkonversionselement, das zumindest einen Teil der
von der primären
Strahlungsquelle stammenden Strahlung in Strahlung eines zweiten
Wellenlängenbereiches konvertiert,
der zumindest teilweise vom ersten Wellenlängenbereich verschieden ist,
und
- – einem
dem Lumineszenzkonversionselement aus Sicht der primären Strahlungsquelle
nachgeordneten Filterelement mit einem dreidimensionalen photonischen
Kristall, der Strukturen umfasst, die sich in drei Raumrichtungen
periodisch fortsetzen,
wobei der photonische Kristall (51)
derart ausgelegt ist, dass er für
zur Emission unerwünschte
Strahlung des ersten Wellenlängenbereiches
weitestgehend undurchlässig
ist und diese reflektiert, und gleichzeitig für Strahlung des zweiten Wellenlängenbereiches weitestgehend
durchlässig
ist
und wobei der photonische Kristall auf einem Träger aufgebracht
ist, der zumindest teilweise durchlässig für die von dem Lumineszenzkonversionselement konvertierte
Strahlung ist, und der Träger
mit dem photonischen Kristall auf dem Lumineszenzkonversionselement
aufgebracht ist.
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Photonische
Kristalle sind Materialien, die äquivalent
zur elektronischen Bandlücke
von Halbleitern eine Bandlücke
für Photonen
aufweisen, die sogenannte photonische Bandlücke. Photonen mit Energien
innerhalb der photonischen Bandlücke
können
sich nicht in dem photonischen Kristall ausbreiten und werden von
diesem reflektiert. Es sei an dieser Stelle darauf hingewiesen,
dass auch photonische Kristalle mit teilweise ausgebildeter photonischer
Bandlücke
gemäß der Erfindung
ver wendet werden können.
Die photonische Bandlücke
bildet sich, vollständig
oder teilweise, aufgrund periodischer Strukturen aus mindestens
zwei Materialien aus, die der Kristall umfasst. Photonische Kristalle lassen
sich in eindimensionale, zweidimensionale und dreidimensionale photonische
Kristalle einteilen. Ein dreidimensionaler photonischer Kristall
umfasst Strukturen, die sich in drei Raumrichtungen periodisch fortsetzen.
Ein photonischer Kristall in zwei Dimensionen um fasst äquivalent
Strukturen, die in zwei Raumrichtungen periodisch ausgebildet sind
und ein eindimensionaler photonischer Kristall umfasst Strukturen,
die in einer Raumrichtung periodisch ausgebildet sind. Es werden
jeweils solche Photonen von dem photonischen Kristall reflektiert,
deren Energie innerhalb der photonischen Bandlücke liegt und deren Ausbreitungsrichtung
im Wesentlichen mit der Richtung des periodischen Materialwechsels übereinstimmt.
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Es
sei an dieser Stelle darauf hingewiesen, dass es auch denkbar ist,
zweidimensionale photonische Kristalle mit geeigneter photonischer
Bandlücke in
dem Filterelement einzusetzen.
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Ein
dreidimensionaler photonischer Kristall mit geeigneter Bandlücke als
Bestandteil des Filterelementes bietet den Vorteil, dass dieser
unkonvertierte Strahlung aus allen Raumrichtungen teilweise oder
vollständig
selektiv reflektiert. Dadurch kann abhängig von der Ausprägung der
photonischen Bandlücke
ein großer
Prozentsatz unkonvertierter Primärstrahlung
des ersten Wellenlängenbereiches
ausgefiltert werden, während
konvertierte Strahlung des zweiten Wellenlängenbereiches das Filterelement größtenteils
passieren kann und von dem Bauelement abgestrahlt wird.
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Da
unkonvertierte Primärstrahlung
durch den photonischen Kristall reflektiert wird, steht diese vorteilhafterweise
nach der Reflexion durch das Filterelement, zumindest teilweise,
weiterhin dem Lumineszenzkonversionselement zur Verfügung. Dieser Anteil
der Primärstrahlung
geht somit nicht verloren, wie beispielsweise bei der Verwendung
absorbierender Stoffe zur Filterung von Primärstrahlung vor dem Austritt
aus dem Bauelement. Hierdurch kann die Strahlungsausbeute des Bauelementes
erhöht
werden.
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Bevorzugt
reflektiert das Filterelement zumindest einen Teil der Primärstrahlung
in das Lumineszenzkonversionselement zurück. Besonders bevorzugt reflektiert
das Filterelement einen möglichst großen Teil
der Primärstrahlung
in das Lumineszenzkonversionselement zurück. Hierdurch kann Primärstrahlung
nach der Reflexion an dem photonischen Kristall durch das Lumineszenzkonversionselement in
Strahlung des zweiten Wellenlängenbereiches
umgewandelt werden und das Bauelement verlassen. So kann die Strahlungsausbeute
des Bauelementes weiter erhöht
werden.
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Bei
einer bevorzugten Ausführungsform
umfasst der photonische Kristall dreidimensionale periodische inverse
Opalstrukturen. Dreidimensionale inverse Opalstrukturen bieten den
Vorteil Strahlung mit Energien innerhalb der photonischen Bandlücke im Wesentlichen
unabhängig
von der Einfallsrichtung teilweise oder vollständig zu reflektieren. Darüber hinaus
können
sie relativ einfach hergestellt werden. Die Strahlung wird teilweise
reflektiert, wenn das Verhältnis
aus dem Brechungsindex des Materials in den Zwischenräumen und
zu dem Brechungsindex des Materials in den kugelförmigen Bereichen
kleiner oder gleich 2.9 ist und vollständig reflektiert, wenn das
Verhältnis
größer oder
gleich 2.9 ist.
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Periodische
inverse Opalstrukturen können beispielsweise
erzeugt werden, indem Kugeln in einer kubisch oder hexagonal dichtesten
Kugelpackung angeordnet werden und nachfolgend die Zwischenräume zwischen
den Kugeln mit einem geeigneten Material gefüllt werden. Nach dem Auffüllen der
Zwischenräume
werden die Kugeln entfernt. Der Durchmesser der Kugeln liegt hierbei
im Bereich der Wellenlänge
der zu reflektierenden Strahlung.
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Um
Kugeln in kubischen Strukturen oder in hexagonal dichtesten Kugelpackungen
anzuordnen, werden bevorzugt selbstorganisierende Prozesse angewendet.
Diese Prozesse bieten, insbesondere gegenüber seriellen Verfahren zur
Mustererzeugung, den Vorteil in der Regel schnell und kostengünstig abzulaufen.
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Bevorzugt
umfasst der photonische Kristall periodische Strukturen mit Lufteinschlüssen. Weiterhin
umfasst der photonische Kristall bevorzugt Materialien mit einem
Brechungsindex größer oder
gleich 1,4, wie beispielsweise TiO2, SiO2, Si und Ge.
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Um
einen möglichst
großen
Anteil an Primärstrahlung
mit Hilfe des Filterelementes zu reflektieren, wird ein photonischer
Kristall mit einer möglichst vollständigen photonischen
Bandlücke
benötigt.
Ein solcher entsteht insbesondere, wenn die Brechungsindizes der
Materialien, aus denen die periodischen Strukturen des Kristalls
aufgebaut sind, einen möglichst
großen
Brechungsindexunterschied aufweisen. So weist eine inverse Opalstruktur
beispielsweise eine vollständige
photonische Bandlücke
auf, wenn das Verhältnis
aus dem Brechungsindex des Materials in den Zwischenräumen und
zu dem Brechungsindex des Materials in den kugelförmigen Bereichen größer oder
gleich 2.9 ist. Bevorzugt umfassen die periodischen Strukturen des
photonischen Kristalls daher in der Regel mindestens zwei Materialien,
von denen eines einen relativ kleinen und eines einen relativ großen Brechungsindex
aufweist. Da Luft gegenüber
vielen Materialien einen relativ niedrigen Brechungsindex (n(Luft)≈1) besitzt,
sind periodische Lufteinschlüsse
besonders als Teil der periodischen Strukturen eines photonischen
Kristalls mit möglichst vollständiger photonischer Bandlücke geeignet.
Weiterhin weisen die Materialien TiO2, Si
und Ge jeweils einen relativ großen Brechungsindex auf (n(Rutil)≈2.71, n(Si)≈3.4, n(Ge)≈4.0). Aus
diesem Grund sind sie besonders geeignet die Zwischenräume zwischen
den kugelförmigen
Bereichen eines photonischen Kristalls mit inverser Opalstruktur
mit möglichst
vollständiger
photonischer Bandlücke
zu füllen.
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Materialien,
die zumindest teilweise für
die vom Konversionselement konvertierte Strahlung durchlässig sind,
wie beispielsweise Polymere, können
vorteilhafterweise verwendet werden, die Zwischenräume zwischen
den Kugeln zu füllen,
wenn der photonische Kristall nicht hinsichtlich einer möglichst
vollständigen
Bandlücke
optimiert werden soll, sondern auf möglichst hohe Transparenz für die von den
Lumineszenzkonversionspartikeln emittierte sekundäre Strahlung
des zweiten Wellenlängenbereiches.
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Bei
einer bevorzugten Ausführungsform
des Bauelementes ist der photonische Kristall in einer Schicht mit
einer Dicke größer oder
gleich 2 μm
und kleiner oder gleich 50 μm
ausgebildet. Eine dünne Schichtdicke
bietet den Vorteil, dass sie für
einen großen
Teil der konvertierten Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs
besser transparent ist.
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Weiterhin
weist das Bauelement bevorzugt als primäre Strahlungsquelle mindestens
einen Leuchtdiodenchip auf, der geeignet ist, elektromagnetische
Strahlung mit Wellenlängen
im ultravioletten Bereich und/oder kurzwelligen blauen Bereich zu emittieren.
Zusammen mit geeigneten Lumineszenzkonversionsstoffen kann so vorteilhafterweise
ein Bauelement geschaffen werden, das im Betrieb weißes Licht
emittiert. Sendet der Leuchtdiodenchip UV-Strahlung aus, kann mit
Hilfe entspre chender Lumineszenzkonversionspartikel ein Teil der
primären UV-Strahlung
in gelbes Licht und ein weiterer Teil der primären UV-Strahlung in blaues
Licht umgewandelt werden. Das gelbe Licht und das blaue Licht mischen sich
und hinterlassen so einen weißen
Farbeindruck beim Betrachter. Es können auch Wellenlängenkonversionsstoffe
eingesetzt werden, um beliebige andere Farben zu erzeugen. Entsprechend
geeignete Leuchtdiodenchips und Lumineszenzkonversionsstoffe sind
dem Fachmann bekannt und werden von daher an dieser Stelle nicht
näher erläutert. Es
können
beispielsweise herkömmliche
UV-emittierende und/oder
kurzwellig blau emittierende Leuchtdiodenchips und herkömmliche
dafür geeignete
Leuchtstoffe eingesetzt werden. Ein entsprechender Leuchtdiodenchip
ist beispielsweise in der Druckschrift
EP 599 224 A1 beschrieben. Lumineszenzkonversionsstoffe sind
weiterhin beispielsweise in der Druckschrift
DE 101 33 352 A1 beschrieben.
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Ein
Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes, das geeignet ist,
elektromagnetische Strahlung zu emittieren, umfasst insbesondere
die Schritte:
- – Bereitstellen mindestens
einer primären
Strahlungsquelle, die geeignet ist, elektromagnetische Strahlung
zu emittieren mit mindestens einer strahlungsemittierenden Seite,
- – Aufbringen
eines Lumineszenzkonversionselements zumindest auf die strahlungsemittierende Seite
der primären
Strahlungsquelle, und
- – Aufbringen
eines dreidimensionalen photonischen Kristalls auf dem Lumineszenzkonversionselement.
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Zwischen
der primären
Strahlungsquelle und dem Lumineszenzkonversionselement und/oder
zwischen dem Lumineszenzkonversionselement und dem photonischen
Kristall können,
falls zweckmäßig, zusätzliche
Schichten, wie beispielsweise Verbindungsschichten, angeordnet sein.
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Der
photonische Kristall wird auf einen Träger aufgebracht und der Träger mit
dem photonischen Kristall wird auf dem Lumineszenzkonversionselement
aufgebracht. Der Träger
ist hierbei vorzugsweise zumindest teilweise durchlässig für die von
dem Lumineszenzkonversionselement konvertierte Strahlung. Diese
Ausführungsform
des Verfahrens bietet den Vorteil, dass der photonische Kristall getrennt
von dem restlichen Bauelement hergestellt werden kann. So können insbesondere
Technologien zur Herstellung des photonischen Kristalls angewendet
werden, die das restliche Bauelement schädigen würden. Der Träger mit
dem photonischen Kristall kann wahlweise so auf das Lumineszenzkonversionselement
aufgebracht werden, dass der photonische Kristall zu dem Lumineszenzkonversionselement
hin oder weg gewandt ist.
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Bei
einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
des Verfahrens umfasst das Aufbringen des photonischen Kristalls
die Selbstorganisation kolloidaler Teilchen. Selbstorganisierende
Prozesse beinhalten beispielsweise Verdunstungsprozesse, Elektrophorese
und/oder Sedimentationsschritte. Bei den kolloidalen Teilchen kann
es sich beispielsweise um Kugeln aus Polystyrol oder aus SiO2 handeln. Kolloidale Teilchen sind dem Fachmann
bekannt und werden daher an dieser Stelle nicht näher erläutert. Selbstorganisierende
Prozesse bieten zum einen in der Regel den Vorteil, vergleichsweise
einfach durchgeführt
werden zu können.
Zum anderen können
mit selbstorganisierenden Prozessen periodische Strukturen mit vielfältigen Geometrien
erzeugt werden.
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Weiterhin
umfasst das Aufbringen des photonischen Kristalls bevorzugt mindestens
einen elektrophoretischen Verfahrensschritt zur Aufbringung kolloidaler
Teilchen.
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Werden
die kolloidalen Teilchen in einer periodischen Struktur mit Hilfe
eines elektrophoretischen Verfahrenschrittes aufgebracht, kann auch
Füllmaterial,
das die Zwischenräume
zwischen den kolloidalen Teilchen auffüllen soll, vorteilhafterweise
entweder gleichzeitig oder mit Hilfe eines nachfolgenden elektrophoretischen
Schrittes aufgebracht werden. Dies bietet in der Regel den Vorteil
einer vereinfachten Verfahrensführung.
Weiterhin bieten elektrophoretische Prozesse den Vorteil, deutlich
schneller durchgeführt
werden zu können,
als beispielsweise Sedimentations- oder Verdunstungsprozesse. Außerdem können mit
elektrophoretischen Verfahren in der Regel dickere Schichten realisiert
werden als mit alternativen Verfahren.
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Weiterhin
werden als kolloidale Teilchen bevorzugt Kugeln mit einem Durchmesser
größer oder gleich
100 nm und kleiner oder gleich 250 nm verwendet. Werden diese Teilchen
in einer kubischen oder hexagonal dichtesten Kugelpackung angeordnet,
bilden sie das Grundgitter für
eine inverse Opalstruktur, deren photonische Bandlücke im UV-
oder UV-nahen Bereich des sichtbaren Lichtes liegt.
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Es
sei an dieser Stelle darauf hingewiesen, dass die periodischen Strukturen
des photonischen Kristalls im Rahmen der Erfindung nicht nur mit
Hilfe selbstorganisierender Prozesse, wie Elektrophorese, Verdunstung
oder Sedimentation erzeugt werden können, sondern auch mit jedem
anderen geeigneten Prozess, wie beispielsweise mit Hilfe von Lasern (Interferenzlithographie)
oder Ätz-
und Aufdampfverfahren. Es sei weiterhin darauf hingewiesen, dass
gemäß der Erfindung
nicht nur inverse Opalstrukturen als photonische Kristalle zur Anwendung
kommen können,
sondern alle periodischen Strukturen, die einen photonischen Kristall
mit geeigneter photonischer Bandlücke bilden.
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Weitere
Merkmale, Vorteile und Zweckmäßigkeiten
der Erfindung ergeben sich aus den folgenden in Verbindung mit den 1 bis 3 und 4a bis 4d beschriebenen
Ausführungsbeispielen.
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Es
zeigen:
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1,
eine schematische Schnittansicht eines Bauelementes,
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2,
eine weitere schematische Schnittansicht eines Ausführungsbeispieles
des Bauelementes,
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3,
eine weitere schematische Schnittansicht eines weiteren Ausführungsbeispieles
des Bauelementes, und
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4a bis 4d,
schematische Schnittdarstellungen von Verfahrensstadien zur Aufbringung
eines photonischen Kristalls auf einen Träger.
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In
den Ausführungsbeispielen
und den Figuren sind gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils
mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Elemente
der Figuren, insbesondere die Schichtdicken, sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen.
Vielmehr können
sie zum besseren Verständnis
teilweise übertrieben
groß dargestellt
sein.
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Bei
dem in 1 gezeigten Beispiel, dessen Ausgestaltung nicht
der vorliegend beanspruchten Erfindung entspricht, ist ein Leuchtdiodenchip 1 auf einem
Chipträger 2 aufgebracht
und mit einem Bonddraht 3 elektrisch kontaktiert. Der Leuchtdiodenchip 1 wird
von einem Lumineszenzkonversionselement 4 umhüllt. Das
Lumineszenzkonversionselement 4 umfasst eine polymere Matrix 41 in
der Lumineszenzkonversionspartikel 42 eingebettet sind.
Auf dem Lumineszenzkonversionselement 4 ist in direktem
Kontakt eine Schicht aus einem photonischen Kristall 51 aufgebracht,
dessen Bandlücke
so ausgebildet ist, dass hinsichtlich der Emission des Bauelements
unerwünschte
Primärstrahlung
des Leuchtdiodenchips 1 weitestgehend reflektiert wird
und konvertierte Strahlung weitestgehend transmittiert wird. Der
photonische Kristall 51 ist so aufgebracht, dass er die
gesamte Oberfläche
des Lumineszenzkonversionselementes 4 bedeckt. Weiterhin
beträgt
die Dicke der Schicht zwischen 2 und 50 μm. Der photonische Kristall
bildet hierbei einen wesentlichen funktionalen Bestandteil eines
Filterelementes 5, das die Aufgabe hat, Primärstrahlung
des Leuchtdiodenchips 1 vor dem Verlassen des Bauelementes
auszusondern.
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Im
Betrieb sendet der Leuchtdiodenchip 1 elektromagnetische
Strahlung aus, die von den Konversionspartikeln 42 in der
umhüllenden
Matrix 41 in Strahlung einer gewünschten Wellenlän ge umgewandelt
wird. Der Leuchtdiodenchip 1 kann beispielsweise UV-Strahlung
aussenden, von der innerhalb des Lumines zenzkonversionselementes 4 ein
gewisser Teil in gelbes Licht und ein weiterer Teil in blaues Licht
umgewandelt wird. Das gelbe Licht und das blaue Licht mischen sich
und hinterlassen einen weißen
Farbeindruck beim Betrachter.
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Die
Umwandlung von UV-Strahlung in Licht einer anderen Wellenlänge findet
statt, wenn ein Photon auf ein Lumineszenzkonversionspartikel 42 trifft
und erfolgt daher nach statistischen Gesetzmäßigkeiten. Bei diesem Vorgang
besteht die Wahrscheinlichkeit, dass Photonen das Lumineszenzkonversionselement 4 ungehindert
passieren können und
so unkonvertierte Primärstrahlung
von dem Leuchtdiodenchip 1 auf den photonischen Kristall 51 trifft.
Dort wird sie in der Regel von dem photonischen Kristall 51 zurück in das
Lumineszenzkonversionselement 4 reflektiert und steht den
Lumineszenzkonversionspartikeln 42 erneut zur Verfügung.
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Zum
Abscheiden einer Schicht photonischen Kristalls 51 auf
dem Lumineszenzkonversionselement 4 wird, beispielsweise
durch Tauchen des Bauelementes in eine Suspension mit SiO2-Kugeln 6 und nachfolgende
Verdunstung, eine Schicht aus Kugeln 6 in einer kubischen
oder hexagonal dichtesten Kugelpackung auf dem Lumineszenzkonversionselement 4 erzeugt.
In einem nachfolgenden Schritt werden die Zwischenräume 7 mit
TiO2 gefüllt,
das zur Stabilisierung mit einem Bindemittel versetzt ist. Anschließend werden
die SiO2-Kugeln 6 auf chemischem
Wege herausgelöst,
beispielsweise durch Ätzen
mit Flusssäure.
Der Durchmesser der verwendeten SiO2-Kugeln 6 liegt
hierbei im Bereich zwischen 100 und 250 nm.
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Geeignete
UV-emittierende und/oder kurzweiliges blaues Licht emittierende
Leuchtdiodenchips und dafür
geeignete Lumineszenzkonversionsstoffe sind dem Fachmann bekannt
und werden von daher an dieser Stelle nicht näher erläutert. Es können beispielsweise herkömmliche
UV-emittierende und/oder kurzwellig blau emittierende Leuchtdiodenchips
und herkömmliche
dafür geeignete
Leuchtstoffe eingesetzt werden.
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Bei
den Ausführungsbeispielen
gemäß den 2 und 3 wird
im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel
gemäß 1 ein
Chipträger 2 verwendet,
der eine Ausnehmung aufweist, in die der Leuchtdiodenchip 1 montiert
wird. Zur Erhöhung
der Strahlungsausbeute des Bauelements können die Seiten der Chipträgerausnehmung
reflektierende Elemente 8 enthalten. Die Chipträgerausnehmung
ist weiterhin vollständig
mit einer polymeren Masse 41 mit eingebetteten Lumineszenzkonversionspartikeln 42 ausgefüllt, so
dass diese zusammen mit dem Chipträger 2 eine im Wesentlichen
plane Oberfläche bildet.
Auf dieser im Wesentlichen planen Oberfläche ist ein Träger 9 angebracht,
auf dem eine Schicht photonischen Kristalls 51 aufgebracht
ist. Der Träger 9 kann
hierbei beispielsweise mittels Kleben befestigt werden.
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Bei
dem Ausführungsbeispiel
gemäß 2 ist
der Träger 9 so
auf der planen Oberfläche
angebracht, dass der photonische Kristall 51 dem Lumineszenzkonversionselement 4 zugewandt
ist. Im Unterschied hierzu ist bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 3 der
Träger 9 genau
umgekehrt aufgebracht, so dass der photonische Kristall 51 vom
dem Lumineszenzkonversionselement 4 abgewandt ist. Der
Träger 9 kann
in einem nachfolgenden Schritt auch entfernt werden.
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Wird
der photonische Kristall 51 auf einen Träger 9 aufgebracht,
kann als Trägermaterial
beispielsweise Quarz, Glas, eine transparente Keramik oder ein Hochtemperaturpolymer
verwendet werden. Das Trägermaterial
muss im Wesentlichen trans parent für die von dem Lumineszenzkonversionselement 4 konvertierte
Strahlung sein.
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Auf
diesen Träger 9 werden
kolloidale Teilchen wie beispielsweise Polystyrolkugeln 6 oder SiO2-Kugeln 6 mit Hilfe eines selbstorganisierenden Prozesses,
wie beispielsweise eines elektrophoretischen Schrittes aufgebracht
(vergleiche 4b).
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Ein
weiterer selbstorganisierender Prozess zur Aufbringung von Kugeln 6 in
einer kubischen oder hexagonal dichtesten Kugelpackung (vergleiche 4b)
umfasst beispielsweise das Eintrocknen einer Suspension mit Kugeln 6 auf
dem Träger 9.
Zur Herstellung dicker Schichten können hierbei mehrere Verdunstungsprozesse
notwendig sei.
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Sollen
die Kugeln 6 mit Hilfe eines elektrophoretischen Schrittes
auf dem Träger 9 aufgebracht werden,
muss der Träger 9 elektrisch
leitfähig
sein. Hierzu kann beispielsweise eine elektrisch leitende Schicht
aufgebracht sein, die im Wesentlichen ebenfalls transparent für von dem
Lumineszenzkonversionelement 4 umgewandelte Strahlung ist.
Eine solche Schicht umfasst beispielsweise Indium-Zinn-Oxid (ITO).
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In
einem weiteren Schritt werden nachfolgend die Zwischenräume 7 zwischen
den Kugeln 6 mit einem weiteren Material, wie beispielsweise
TiO2 oder SiO2 aufgefüllt (vergleiche 4). Dies kann beispielsweise mit Hilfe
eines Sol-Gel-Verfahrens
erfolgen. Hierbei wird ein metallorganisches Startmaterial, beispielsweise
Titanisopropoxid oder Tetraethylorthosilikat in einer alkoholischen
Lösung
auf die Struktur aus Polystyrol- oder SiO2-Kugeln 6 aufgebracht.
Dazu wird der Träger 9 mit
den Kugeln 6 entweder in die Lösung ge taucht oder die Lösung wird auf
die Struktur aus Kugeln 6 aufgebracht. Je nach Zusammensetzung
der Lösung
ist ein solcher Schritt mehrmals erforderlich, wobei der Träger 9 mit
den Kugeln 6 zwischen den Schritten jeweils getrocknet wird.
Es ist auch denkbar, dass zwischen den Schritten eine Kalzinierung
bei geringeren Temperaturen, wie beispielsweise 300 °C erfolgt.
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Abschließend erfolgt
eine Kalzinierung bei der zum einen die zwischen den Kugeln 6 entstandenen
Gele durch Abspaltung der organischen Reste in Oxide umgewandelt
und gesintert werden. Zum anderen werden die Kugeln 6 bei
der Kalzinierung ausgebrannt, sofern es sich um Polystyrolkugeln 6 handelt.
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Die
Zwischenräume 7 zwischen
Kugeln 6 können
auch mit Hilfe eines elektrophoretischen Schrittes mit Material
gefüllt
werden. Dies bietet sich insbesondere an, wenn bereits die Kugeln 6 mit
Hilfe eines elektrophoretischen Schrittes abgeschieden wurden. Der
Träger 9 wird
hierzu in einer Suspension platziert, die ein nanoskaliges Oxid
wie beispielsweise TiO2 oder SiO2 enthält.
Die Partikel des Oxides müssen
hierbei kleiner als 10 nm und gegen Agglomerieren geschützt sein.
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Alternativ
können
die Zwischenräume 7 zwischen
den Kugeln 6 auch mit Hilfe eines Chemical-Vapor-Deposition
Verfahrens (CVD-Verfahren) aufgefüllt werden.
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Werden
die Zwischenräume 7 zwischen
Polystyrolkugeln 6 nicht mit Hilfe eines Sol-Gel-Verfahrens
mit Material gefüllt;
sondern beispielsweise elektrophoretisch oder mit Hilfe eines CVD-Verfahrens,
werden die Polystyrolkugeln 6 in einem Ofen bei 450°C bis 600° C über zwei
bis zehn Stunden an Luft aus gebrannt. Hierbei erfolgt gleichzeitig
eine Sinterung des Materials in den Zwischenräumen 7.
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Alternativ
ist es auch denkbar, die Polystyrolkugeln 6 auf chemischen
Wege zu entfernen, beispielsweise falls es nicht möglich ist,
bei der Herstellung des photonischen Kristalls erhöhte Temperaturen
anzuwenden.
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Wird
die periodische Struktur mit Hilfe von SiO2-Kugeln 6 erzeugt,
wird das Material in den Zwischenräumen 7 erst in einem
Ofen gesintert, wobei hierbei auch höhere Temperaturen verwendet
werden können,
als bei der Verwendung von Polystyrolkugeln 6. In einem
nachfolgenden Schritt werden SiO2-Kugeln 6 mit
einer Flusssäurelösung aus
dem Material in den Zwischenräumen 7 herausgeätzt, unter
der Vorraussetzung, dass die Zwischenräume nicht mit SiO2 oder
Si gefüllt
sind.
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Neben
den bereits erwähnten
Materialien TiO2, SiO2,
Si und Ge ist es auch denkbar, die Zwischenräume 7 zwischen den
Kugeln 6 mit polymeren Materialien oder auch mit Hybridmaterialien
aus Polymeren und einem nanoskaligen Pulver, wie SiO2 oder
TiO2, zu füllen.