Den
Magnetron-Entladungen ist gemein, dass eine Beaufschlagung einer
Festkörperoberfläche mit
Ionen aus einer Gasentladung stattfindet. Diese kann mit Gleichstrom,
Hochfrequenzströmen (RF,
typisch 13,56 MHz) oder mittelfrequent gepulsten Strömen (MF,
typisch 10...200 kHz) gespeist werden. Als Arbeitsgas wird ein Edelgas,
meist Argon, oder ein reaktives Gasgemisch, z.B. Argon-Sauerstoff,
verwendet. Sollen beispielsweise elektrisch nichtleitende Oxidschichten
wie solche aus Siliziumdioxid auf vergleichsweise großen Substratflächen mit
hoher Abscheiderate hergestellt werden, so hat sich das reaktive
Puls-Magnetron-Sputtern mit mittelfrequent gepulster Energiezufuhr
als hervorragend geeignetes Abscheideverfahren etabliert. Dieses
basiert auf dem Zerstäuben
eines elektrisch leitfähigen Materials,
eines so genannten Targets, in einem reaktiven Gasgemisch. Wird
beispielsweise ein Silizium-Target in einem Argon-Sauerstoff-Gasgemisch zerstäubt, kann
auf einem Substrat eine Siliziumoxidschicht abgeschieden werden.
Dabei brennt eine PME beispielsweise stabil, wenn die Energie mit
einer Pulsfrequenz von 50 kHz eingespeist wird. Bei vielen Anwendungen,
z.B. wenn auf großen
Substraten eine gute Homogenität
der abzuscheidenden Schichten erforderlich ist, sind alternative
Verfahren nicht bekannt.
In
der Dünnschichttechnologie
ist allgemein anerkannt [vgl. z.B. G. Kienel, K. Röll (Hrsg.)
Vakuumbeschichtung Bd. 2, VDI Verlag Düsseldorf 1995, S. 107-125 und
S. 193-237], dass die Struktur und zahlreiche Eigenschaften von
abgeschiedenen Schichten durch Ionen- und/oder Plasmaaktivierung des Kondensationsprozesses
auf den Substraten verbessert werden können. Durch eine partielle
Ionisierung des für
die Schichtabscheidung erzeugten Dampfes und/oder des Reaktivgases
kann die Reaktionskinetik bei der Bildung einer gewünschten
chemischen Verbindung verbessert werden. Vor allem aber können die
ionisierten Partikel in einem elektrischen Feld energetisch aktiviert
werden. Auf diese Weise können
dichte, haftfeste, einer idealen Festkörperstruktur nahe kommende
Schichtstrukturen erzeugt werden. Voraussetzung dafür ist ein
ausreichend intensives Plasma bzw. ein hoher Ionisierungsgrad.
Das
Gleichstrom-Sputtern in einer Magnetron-Entladung erfolgt in einem
selbst erzeugten Plasma und ist damit dem Wesen nach ein plasma-aktiviertes
Vakuumbeschichtungsverfahren. Der Ionisierungsgrad in einem derartigen
Plasma ist jedoch oft gering. Nur in dem Bereich, in dem die Zerstäubung des
Targets stattfindet, kann der Ionisierungsgrad Werte von wenigen
Prozent erreichen. Im Bereich der Schichtbildung auf einem Substrat
liegt der Ionisierungsgrad typischerweise unter einem Prozent. Eine
moderate Erhöhung
des Ionisierungsgrades und der Energie der Spezies im Plasma erfolgt selbsttätig, wenn
die bereits genannte mittelfrequent gepulste Energieeinspeisung
in eine Magnetron-Entladung erfolgt. Die dadurch erzielten Verbesserungen
der Schichteigenschaften (vgl.
DE 196 44 752 A1 und
DE 196 51 615 C1 ) sind
in bestimmten Anwendungsfeldern, z.B. der Hartstoffbeschichtung,
bei weitem nicht ausreichend.
Eine
Magnetron-Entladung selbst bietet verschiedene Möglichkeiten, durch Wahl der
Entladungsbedingungen die Plasmadichte zu erhöhen und damit die Impedanz
zu reduzieren und den Ionisierungsgrad zu erhöhen. Das kann durch Erhöhen des
Gasdruckes, durch Steigern der Feldstärke eines Magnetron-Magnetfeldes,
durch Wahl eines Arbeitsgases mit möglichst niedriger spezifischer
Ionisierungsenergie oder durch andere Maßnahmen erfolgen. Ohne diese
Parameterfelder im Einzelnen zu diskutieren, sei festgestellt, dass
diese Möglichkeiten in
ihren physikalisch-technischen Wirkungen begrenzt sind und auch
bei Ausnutzung aller Möglichkeiten
keinen generellen Weg darstellen, um hohe Ionisierungsgrade zu erreichen,
wie diese beispielsweise in der Umgebung einer Katode von Vakuum-Bogenentladungen
erzielt werden können.
Durch
Modifizieren der Form eines Magnetfeldes, das an der Katode von
Magnetron-Entladungen
wirksam ist, wurde deshalb versucht, die räumliche Plasmadichteverteilung
zu verändern.
Verfahren und Einrichtungen dafür
wurden zuerst in B. Window, N. Savvides: Unbalanced DC magnetrons
as sources of high ion fluxes, J. Vac. Sci. Technol. A, vol. 4,
No. 3, p. 453-456 vorgeschlagen und sind seitdem als „unbalanced
magnetron sputtering (UBM)" vielfach verwendet
worden. Durch weit in den Raum und damit zu einem Substrat reichende
Teile des Magnetfeldes wird eine lokale Erhöhung der Plasmadichte im Bereich
des Substrats erreicht.
Das
gleiche Ziel wird verfolgt, wenn beispielsweise bei Beschichtungen
mit mehreren Magnetronkatoden geschlossene Magnetfeldkonfigurationen
(closed field arrangements) realisiert werden (
GB 2 258 343 /
EP 0 521 045 B1 ). Trotz
deutlicher Verbesserung bestimmter Eigenschaften der so erzeugten
dünnen
Schichten ist auch bei den entsprechend modifizierten Magnetron-Entladungen
der Ionisierungsgrad sehr niedrig. Das Beschleunigen der zu geringen
Zahl von Ionen in einem starken elektrischen Feld, z.B. durch Anlegen
einer hohen Vorspannung an zu beschichtende Substrate, stellt keine
allgemein anwendbare Lösung
der Aufgabe dar, denn dadurch kann nur die Energie, nicht aber die
Rate der auf die Substrate auftreffenden Ionen erhöht werden. Abgesehen
von den technischen Schwierigkeiten im Falle elektrisch isolierender
Substrate oder Schichten entstehen bei zu hoher Teilchenenergie
Strahlenschäden
der unterschiedlichsten Art, und es laufen andere als die angestrebten
Elementarprozesse während
der Bildung und des Wachstums der Schichten ab.
Dem
Fachmann könnte
es nahe liegend erscheinen, auch beim Magnetron-Sputtern eine Verfahrensweise
zu wählen,
wie sie beim Zweistrahl-Ionenstrahl-Sputtern angewendet wird [s.
z.B. J. M. E. Harper et al.: Quantitative ion beam process for the deposition
of compound thin films, Appl. Phys. Lett. 43 (1983) p. 547]. Dort
wird eine durch Zerstäuben
eines Targets mittels eines ersten Ionenstrahls entstehende und
auf dem Substrat kondensierende Schicht durch direkten Beschuss
mit dem Strahl aus einer zweiten Ionenquelle aktiviert. Die Leistungsfähigkeit verfügbarer Ionen-Strahlquellen
entspricht jedoch bei weitem nicht den Anforderungen bezüglich Ionenstromdichte
und Großflächigkeit,
die zu den Raten und Flächen
beim Magnetronsputtern kompatibel sind.
Schließlich sind
dem Fachmann zahlreiche Verfahren des Ionen- oder plasmagestützten Bedampfens
geläufig,
bei denen ein in einer Dampfquelle erzeugter Dampfstrom von einem
Ionen- oder Plasmastrahl durchdrungen wird und die Plasmaspezies
durch Wechselwirkung mit dem Dampf zu einer partiellen Anregung
und Ionisierung führen.
Alle bekannten Entladungsformen sowie Ionen- oder Plasmastrahlquellen
wurden schon für
den Einsatz bei derartigen Verfahren vorgeschlagen, so dass eine nur
schwer überschaubare
Vielfalt von Verfahren und Anordnungen, meist unter spezifischen
Bezeichnungen, für
das Ionen- oder plasmagestützte
Bedampfen bekannt ist (s. z.B.
DE 28 23 876 C2 ,
DE 43 36 680 C2 und
DE 196 12 344 C1 ).
Das sinngemäße Übertragen
derartiger Hybridverfahren auf Magnetronentladungsverfahren, insbesondere
auf Magnetronsputterverfahren mit gegenüber dem Stand der Technik deutlich
erhöhter
Anregung und Ionisierung der schichtbildenden Spezies in unmittelbarer
Oberflächennähe eines
Substrates, ist dagegen fast nicht bekannt. Gründe dafür werden in dem geringen Wechselwirkungsquerschnitt
der Ionen mit den vergleichsweise hochenergetischen gesputterten
Spezies, der Inhomogenität
der meisten Ionen- oder Plasmaquellen, einer zu hohen thermischen
Belastung der Substrate und der schnellen Abnahme der Plasmadichte
vom Bereich hoher Teilchendichte bis zu dem Bereich, in welchem
die Schichtbildung stattfindet, vermutet.
Eine
Ausnahme zu dieser pauschalen Aussage bildet
US 4,588,490 . Gemäß diesem Vorschlag wird die
Impedanz einer Gleichstrom-Magnetron-Entladung reduziert, wenn eine
Hohlkatodenbogenentladung in geometrischer Nähe zur Magnetron-Katode angeordnet
und die mit dem Gas aus der Hohlkatode austretenden Elektronen zur
Verstärkung
des katodenseitigen Plasmas der Magnetron-Entladung verwendet werden.
Dieses Verfahren erhöht
offensichtlich die Plasma-Intensität nur in begrenztem Umfang und
lässt sich
wegen der geforderten geometrischen Zuordnung von Magnetronkatode
und Hohlkatode nicht allgemein einsetzen. Weitere Nachteile können sich
aus der Belastung der Magnetronkatode durch den Gasstrom, die hohe
thermische Substratbelastung durch die glühende Hohlkatode und die Kontamination
mit dem Material der Hohlkatode, meist Wolfram, ergeben.
Eine
weitere Anordnung zum Betreiben einer Magnetron-Entladung in einem
extern erzeugten Plasma wird in
EP 0 583 736 B1 angegeben. Ein derartiges
Plasma wird beispielsweise durch eine Glühwendel erzeugt und durch zahlreiche
Permanentmagnete auf der Wand einer Vakuumkammer geführt. Infolge
der Bedeckung der Elektronenquelle und der als Anode wirkenden Kammerwand
oder speziellen Elektroden ist diese Anordnung für reaktive Prozesse nur eingeschränkt, im
Falle der Abscheidung isolierender Schichten überhaupt nicht geeignet.
Beide
Lösungsvorschläge beziehen
sich auf Gleichstrom-Magnetron-Entladungen. Vorschläge zur Intensivierung
gepulster Magnetron-Entladungen sind bisher nicht bekannt geworden
und lassen sich wegen der völlig
unterschiedlichen Mechanismen der Ladungsträgererzeugung und des Ladungsträgertransportes
auch nicht aus dem Gleichstromfall ableiten.
Der
Erfindung liegt daher das technische Problem zugrunde, ein Verfahren
und eine Vorrichtung zu schaffen, mittels derer eine mittelfrequent
gepulste Magnetron-Entladung intensiviert werden kann, welche der
Erzeugung gesputterter Teilchen oder der Beaufschlagung einer Schicht
oder Festkörperoberfläche mit
Ladungsträgern
dient. Eine derartige Intensivierung soll sich durch eine Erhöhung der spezifischen
Plasmadichte, bezogen auf eine Entladungsleistung, eine Erhöhung der
Stromanstiegsgeschwindigkeit in jedem Puls und in einem höheren Grad
von Anregung und Ionisierung in einem Bereich auszeichnen, in dem
die plasmatechnologische Behandlung von Substraten angestrebt ist,
also in Oberflächennähe der Substrate.
Verfahren und Einrichtung sollen sich vorzugsweise an die Nutzung
von Baugruppen und Stromversorgungseinrichtungen anlehnen, die für die Puls-Magnetron-Sputtertechnik entwickelt
worden und damit kommerziell verfügbar sind. Das gesuchte Verfahren
soll eine Begrenzung der Energie der ionisierten Spezies erlauben
und die Art und Form der zu behandelnden Substrate nicht einschränken. Insbesondere
sollen auch räumlich angeordnete
Gruppen von bewegten dreidimensionalen Substraten behandelbar, z.B.
beschichtbar sein.
Die
Lösung
des technischen Problems ergibt sich durch die Gegenstände mit
den Merkmalen der Ansprüche
1 und 12. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben
sich aus den Unteransprüchen.
Erfindungsgemäß wird eine
mittelfrequent gepulste Magnetron-Entladung in einer Vakuumkammer,
umfassend mindestens eine erste Elektrode und mindestens eine zweite
Elektrode, zum Behandeln mindestens eines Substrats betrieben, wobei
die erste Elektrode in einem Magnetfeld angeordnet ist und mittels
einer ersten Umschalteinrichtung zeitweise als Katode der Magnetron-Entladung
schaltbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass mittels einer zweiten Umschalteinrichtung
die erste Elektrode in den Phasen, in denen die erste Elektrode
nicht als Katode der Magnetron-Entladung geschaltet ist, zumindest
zeitweise als Anode in den Stromkreis einer zusätzlichen Elektronenquelle schaltbar
ist.
Das
erfindungsgemäße Verfahren
ist eng mit Erkenntnissen über
das dynamische Verhalten der Plasmakenngrößen bei mittelfrequent gepulsten
Magnetron-Entladungen verknüpft.
Während
bekannte Lösungen
stets darauf zielen, die Entladungsimpedanz durch zusätzliche
Ladungsträger
in der Umgebung der Katode zu verringern oder die Plasmadichte im
quasi feldfreien Raum zwischen Elektroden der Magnetron-Entladung
durch eine Zusatz-Ionen- oder -Plasmaquelle
zu erhöhen,
wird entsprechend der Erfindung eine Zusatz-Elektronenquelle benutzt,
die die Elektronendichte in den nicht katodisch wirksamen Phasen
oder zumindest für
einen Zeitabschnitt dieser Phasen erhöht. Elektronen, die während einer nicht katodischen
Phase in den Bereich einer in einem Magnetron-Magnetfeld befindlichen
Elektrode geschossen werden, sind unter der Wirkung des Magnetfeldes
und des elektrischen Feldes (Anodenfall) in der Lage, durch Stoßionisation
zusätzliche
Ladungsträger
zu bilden. Diese Ladungsträger
können, abhängig vom
Potential zu bearbeitender Substrate, diese in großer Zahl
erreichen und zur Verbesserung aufwachsender Schichten auf den Substraten
zur Wirkung gebracht werden. Bei mittelfrequenter Energieeinspeisung
in die Magnetron-Entladung, die die Polarität der Elektrode periodisch
verändert,
führen die
Ladungsträger
in der anschließenden
katodischen Phase der Elektrode im sich nun ausbildenden Katodenfall
zu einem lawinenhaften Ansteigen der Ladungsträgerzahl und damit des Entladungsstromes.
Dabei können
Stromanstiegsgeschwindigkeit und Spitzenwert des Entladungsstromes
ein Mehrfaches der Werte ohne Nutzung der zusätzlichen Elektronenquelle erreichen.
Das
Verfahren ist gleichermaßen
für mittelfrequent
gepulste, so genannte unipolare Magnetron-Entladungen wie auch für bipolare
PME geeignet. Erstere werden zwischen mindestens einer singulären Magnetron-Elektrode
und einer meist gegen Beschichtung geschützten magnetfeldfreien Anode betrieben.
Erfindungsgemäß wird der
zusätzliche Elektronenstrom
mindestens während
eines Teils des Zeitabschnittes auf die Magnetron-Elektrode gelenkt,
während
dessen diese nicht als Katode der Magnetron-Entladung wirkt.
Bipolare
PME brennen zwischen zwei Elektroden oder zwei Gruppen von Elektroden,
die jeweils von einem Magnetron-Magnetfeld durchdrungen werden.
Jede der Magnetron-Elektroden
ist nach einem bestimmten Zeitschema phasenweise als Katode und
phasenweise als Anode geschaltet, im einfachsten Fall abwechselnd
und im Takt der pulsförmigen
Energieeinspeisung. Entsprechend der Erfindung wird der zusätzliche
Elektronenstrom mindestens für
einen Teil des Zeitabschnittes auf eine jeweilige Magnetron-Elektrode
gelenkt, während
dessen diese nicht katodisch geschaltet ist. Nicht-katodische Phasen
können
sich dabei im allgemeinen Fall aus anodischen Teilabschnitten, solchen
mit kurzgeschlossenen Elektroden oder solchen mit floatenden Elektroden
zusammensetzen.
Im
Grundsatz sind zahlreiche Typen von Elektronenemissionseinrichtungen
als Quelle für
den zusätzlichen
Elektronenstrom geeignet. Um eine ausgeprägte Intensivierung der gepulsten
Magnetron-Entladung bzw. eine größenordnungsmäßige Erhöhung des
Ionisierungsgrades zu erreichen, muss der mittlere Elektronenstrom
von der gleichen Größenordnung
wie der mittlere Strom der Magnetron-Entladung sein oder diesen
noch übersteigen. Technisch
gut beherrschbare Elektronenquellen dieser Ergiebigkeit sind z.B.
Hohlkatoden mit heißer
Katode, die bei geringer Baugröße Ströme von mehreren
hundert Ampere liefern. Auch direkt oder durch Elektronenstoß geheizte
Draht- oder Bolzenkatoden aus Wolfram bzw. Lanthanhexaborid/Wolfram,
sogenannte Glühkatoden,
können
hohe Elektronenströme liefern.
Es
ist zweckmäßig, die
zu behandelnden Festkörperoberflächen bzw.
Substrate gegenüber besagter
Magnetron-Elektrode auf ein wählbares elektrisches
Potential (Bias) vorzuspannen. Damit wird die mittlere Energie der
Ladungsträger
bei ihrem Auftreffen auf Substrate vorgegeben. Entsprechend der
Art und Energie der Ladungsträger
werden sehr unterschiedliche Wirkungen auf der Festkörperoberfläche erzielt.
Bei Substraten mit elektrisch isolierenden Eigenschaften oder aufwachsenden
elektrisch isolierenden Schichten aus chemischen Verbindungen ist
es vorteilhaft, eine hochfrequente oder mittelfrequent gepulste
Vorspannung dafür
zu verwenden. Zusammenhänge
zwischen den Parametern dieser Biasspannung und den dynamischen
Ladungsträgerströmen sind
im Grundsatz bekannt, im Einzelnen aber noch Gegenstand von Untersuchungen
[vgl. P. J. Kelly et al.: Studies of midfrequency pulsed dc biasing,
J. Vac. Sci. Technol. A, vol. 19, No 6 (2001) p. 2856].
Besonders
einfach, auch für
Substrate bzw. Schichten mit elektrisch isolierenden Eigenschaften, gestaltet
sich das Verfahren, wenn die erforderliche mittlere Energie der
Ladungsträger,
die auf die Substrate treffen, durch die Selbstbiasspannung bestimmt
wird, die sich in Abhängigkeit
von der Ladungsträgerdichte
selbsttätig
ausbildet.
Eine
Ausführungsform
zum Betreiben einer mittelfrequent gepulsten Magnetron-Entladung
umfasst erfindungsgemäß mindestens
eine Elektrode, welche sich in einem Magnetron-Magnetfeld befindet und zeitweise als
Katode und zeitweise als Anode einer Magnetron-Entladung geschaltet werden kann, eine
erste Umschalteinrichtung zum Durchführen dieser Schaltvorgänge, eine
zusätzliche
Elektronenquelle, die vorzugsweise durch eine Hohlkatode gebildet
wird, eine zweite Umschaltvorrichtung, welche die mindestens eine
schaltbare Elektrode in den anodischen Phasen der Magnetron-Entladung
als Anode in den Stromkreis der Elektronenquelle einbindet, sowie
eine zweite Elektrode zum Betreiben der Magnetron-Entladung.
Eine
alternative Ausführungsform
unterscheidet sich dahingehend von obiger Vorrichtung, dass die
mindestens eine Elektrode periodisch als Katode der Magnetron-Entladung
ein- und ausgeschaltet werden kann und dass die zweite Umschaltvorrichtung
besagte Magnetron-Elektrode
in den Ausschaltphasen als Anode in den Stromkreis der Elektronenquelle
einbindet.
Erfindungsgemäß lassen
sich die erste und die zweite Umschaltvorrichtung vorteilhafterweise
zu einer Bau- und Funktionseinheit verbinden.
Besonders
vorteilhaft ist eine Vorrichtung der genannten Art, welche mindestens
zwei Magnetron-Elektroden enthält,
die wechselweise als Katode und Anode einer PME geschaltet werden
können, ferner
eine zusätzliche
Elektronenquelle und eine Umschaltvorrichtung, welche sowohl den
periodischen Polaritätswechsel
der Magnetron-Elektroden bewirkt als auch gleichzeitig die jeweils
als Anode geschaltete Magnetron-Elektrode als Anode in den Stromkreis
der zusätzlichen
Elektronenquelle einbindet. Insbesondere Puls-Spannungs-Generatoren in H-Brücken-Bauweise
mit einem so genannten Zwischenkreis (s. z.B.
EP 0 534 068 B1 ) lassen
sich so beschalten, dass sie ohne technische Veränderungen alle erforderlichen
Umschaltvorgänge
bewerkstelligen können.
Die
erfindungsgemäße Gestaltung
des Verfahrens und die Nutzung der erfindungsgemäßen Vorrichtungen haben tief
greifende positive Auswirkungen auf die physikalischen Kenngrößen von PME.
Bei vorgegebener mittlerer Entladungsleistung kann der Mittelwert
der Entladungsimpedanz je nach Ergiebigkeit der Elektronenquelle
um den Faktor 5 und mehr gesenkt werden. Entsprechend erhöht sich der
Strom von Ladungsträgern
zu Substraten. Der Ionisierungsgrad in einer Entladung erhöht sich
bis in den Bereich von einigen zehn Prozent. Damit wird der Hauptnachteil
von Magnetron-Entladungen, insbesondere im Fall reaktiver Betriebsweise,
nämlich der
niedrige Ionisierungsgrad und dadurch die gegenüber Bogenplasmen schlechtere
Reaktionskinetik überwunden,
ohne dass die Vorteile gepulster Magnetron-Entladungen aufgegeben
werden müssen. Die
Kombination des höheren
Ionisierungsgrades einer erfindungsgemäß intensivierten Puls-Magnetron-Entladung
mit den für
die Nutzung der PME wichtigen anderen Eigenschaften, vor allem Flexibilität des Elektrodenmaterials,
Homogenität
und Großvolumigkeit
des Entladungsplasmas, gute und exakte Steuerbarkeit, Vermeidbarkeit
von Droplettbildung, Langzeitstabilität, Anpassungsfähigkeit
an unterschiedliche geometrische Gegebenheiten, qualifiziert diesen
neuen Entladungstyp zu einem leistungsfähigen neuen Werkzeug der Puls-Plasma-Technologie. Die
Reduzierung und exakte Steuerbarkeit der mittleren Energie der Ladungsträger prädestiniert
diesen Entladungstyp für
das Abscheiden von Schichten, die sensibel gegen Strahlenschäden sind,
z.B. transparente leitfähige
Oxidschichten wie Indium-Zinn-Oxid. Der hohe Ionisierungsgrad erleichtert
in drastischer Weise das Abscheiden stöchiometrischer Verbindungen
bei reduziertem Reaktivgas-Partialdruck und dadurch das Steuern
des Prozesses bei wesentlich verbesserten Schichteigenschaften.
Wegen
dieser Auswirkungen wird erfindungsgemäß die Anwendung einer intensivierten Puls-Magnetron-Entladung
für das
Magnetron-Sputtern zum Erzeugen dünner Schichten vorgeschlagen.
Eine
weitere erfindungsgemäße Anwendung bezieht
sich auf das Ionenplattieren, d.h. das Puls-Magnetron-Sputtern unter
Verwendung einer Vorspannung am Substrat. Diese Vorspannung wird entweder
extern erzeugt oder durch Selbst-Bias-Effekte an floatenden Substraten
hervorgerufen.
Eine
weitere erfindungsgemäße Anwendung bezieht
sich auf die Nutzung von Verfahren und Einrichtungen zur Behandlung
von Substraten in einem dichten Plasma, wie beispielsweise das Ätzen oder Aktivieren
von Substratoberflächen.