DE10159685A1 - Wiring substrate, wiring board and mounting structure for a wiring substrate - Google Patents

Wiring substrate, wiring board and mounting structure for a wiring substrate

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DE10159685A1
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dielectric
wiring board
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Abstract

In einem Verdrahtungssubstrat (A) ist eine Hochfrequenzkomponente (4) an einem dielektrischen Substrat (1) gelagert, an dessen Oberfläche eine Übertragungsleitung (5, 6) ausgebildet ist, wobei eine rückseitige Oberfläche des dielektrischen Substrats (1) mit einer Öffnung (8) einer vorbestimmten Querschnittsform ausgebildet ist, und wobei ein Hochfrequenz-Verbindungspad (9) um die Öffnung (8) herum ausgebildet ist. In einer Verdrahtungsplatte (B) durchdringt eine Hohlleiterstruktur (22) eine dielektrische Platte (21) und ist an ihrer Innenwand mit einem Leiter beschichtet, wobei ein Hochfrequenz-Verbindungspad (23) an einer Oberfläche der dielektrischen Platte (21) ausgebildet ist. Das Verbindungssubstrat (A) ist an der Verdrahtungsplatte (B) angeordnet und die jeweiligen Hochfrequenz-Verbindungspads (9, 23) sind elektrisch miteinander verbunden, um so ein Modul herzustellen. DOLLAR A Selbst wenn für die Verdrahtungsplatte (B) ein kostengünstiges Material mit einem großen dielektrischen Verlustfaktor verwendet wird, kann verhindert werden, daß ein Hochfrequenzsignal gedämpft wird (Fig. 3).A high frequency component (4) is mounted in a wiring substrate (A) on a dielectric substrate (1), on the surface of which a transmission line (5, 6) is formed, a rear surface of the dielectric substrate (1) having an opening (8) a predetermined cross-sectional shape is formed, and wherein a high-frequency connection pad (9) is formed around the opening (8). In a wiring board (B), a waveguide structure (22) penetrates a dielectric board (21) and is coated on its inner wall with a conductor, a high-frequency connection pad (23) being formed on a surface of the dielectric board (21). The connection substrate (A) is arranged on the wiring board (B) and the respective high-frequency connection pads (9, 23) are electrically connected to one another so as to produce a module. DOLLAR A Even if an inexpensive material with a large dielectric loss factor is used for the wiring board (B), a high frequency signal can be prevented from being attenuated (Fig. 3).

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION GEBIET DER ERFINDUNGFIELD OF THE INVENTION

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verdrahtungs­ substrat, das in einem Mikrowellenbereich oder einem Millime­ terwellenbereich verwendet wird, eine Verdrahtungsplatte bzw. Verdrahtungsleiterplatte, und eine Montagestruktur für ein Ver­ drahtungssubstrat.The present invention relates to wiring substrate that is in a microwave range or millime terwellebereich is used, a wiring board or Wiring circuit board, and a mounting structure for a ver drahtungssubstrat.

BESCHREIBUNG DES STANDES DER TECHNIKDESCRIPTION OF THE PRIOR ART

Es ist überprüft worden, ob zum Senden von Information aus einem Mikrowellenbereich von 1 bis 30 GHz in einen Millimeter­ wellenbereich von 30 bis 300 GHz eine elektrische Welle ("electric wave") verwendet wird oder nicht. Ein Anwendungssy­ stem, das eine elektrische Millimeterwelle verwendet, bei­ spielsweise ein Radarsystem, das zwischen Fahrzeugen wirkt, ist bereits praktisch umgesetzt worden.It has been checked whether to send information out a microwave range from 1 to 30 GHz in one millimeter wave range from 30 to 300 GHz an electrical wave ("electric wave") is used or not. An application sy stem using an electrical millimeter wave for example, is a radar system that works between vehicles have already been put into practice.

Als ein Beispiel von elektrischen Komponenten, die derart hohe Frequenzen verwenden, wird ein Verdrahtungssubstrat ange­ nommen, in dessen Gehäuse eine Vielzahl von Chips aufgenommen ist.As an example of electrical components that such using high frequencies, a wiring substrate is specified taken in its housing, a variety of chips is.

Fig. 6 ist eine schematische Schnittansicht zum Erläutern der Struktur eines derartigen Verdrahtungssubstrates bzw. Lei­ tersubstrates 60. In Fig. 6 bilden ein Metallgehäuse 61 und ei­ ne Abdeckung 62 einen Hohlraum. Eine Vielzahl von Hochfrequenz­ komponenten 63, ein Verbindungssubstrat 64 und ein Mikrostrei­ fenleitungssubstrat 65 zur externen Anpassung sind im Inneren des Hohlraums aufgenommen. Die Bezugsziffer 66 zeigt einen An­ passungsabschnitt für eine Mikrostreifenleitung. FIG. 6 is a schematic sectional view for explaining the structure of such a wiring substrate 60 . In Fig. 6 a metal case 61 and form ei ne cover 62 a cavity. A plurality of high frequency components 63 , a connection substrate 64 and a microstrip line substrate 65 for external matching are accommodated inside the cavity. Reference numeral 66 shows an adapter section for a microstrip line.

Die Hochfrequenzkomponenten 63 sind miteinander verbunden (gebondet) durch das Verbindungssubstrat 64, das Mikrostreifen­ leitungssubstrat 65 zur externen Anpassung und einen Gold­ draht W (bei dem es sich um ein Goldband handeln kann). In dem Anpassungsabschnitt 66 ist das Metallgehäuse 61 mit einer Öff­ nung 67 ausgebildet, die eine vorbestimmte Querschnittsform be­ sitzt. An die Öffnung 67 ist ein dielektrisches Fenster 68 zur hermetischen Abdichtung gelötet bzw. geschweißt.The high-frequency components 63 are connected (bonded) to each other through the connection substrate 64 , the microstrip line substrate 65 for external matching, and a gold wire W (which may be a gold ribbon). In the adaptation section 66 , the metal housing 61 is formed with an opening 67 which sits a predetermined cross-sectional shape. A dielectric window 68 for hermetic sealing is soldered or welded to the opening 67 .

Das Verdrahtungssubstrat 60 wird auf eine Oberfläche einer Verdrahtungsplatte bzw. Leiterplatte montiert, um ein Hochfre­ quenzmodul herzustellen.The wiring substrate 60 is mounted on a surface of a wiring board to produce a high-frequency module.

Bei einem derartigen Verdrahtungssubstrat, das bei hohen Frequenzen verwendet wird, oder einer Montagestruktur des Ver­ drahtungssubstrates, findet zwischen dem Anpassungsabschnitt 66 in dem Verdrahtungssubstrat und der Verdrahtungsplatte keine zufriedenstellende Kopplung für das Hochfrequenzsignal statt, und zwar aufgrund der hohen Frequenz, und das Signal wird an dem Anpassungsabschnitt 66 reflektiert. Demzufolge unterliegt das Hochfrequenzsignal einer Dämpfung.With such a wiring substrate used at high frequencies or a mounting structure of the wiring substrate, there is no satisfactory coupling for the high frequency signal due to the high frequency between the matching portion 66 in the wiring substrate and the wiring board, and the signal becomes on the fitting section 66 . As a result, the high frequency signal is subject to attenuation.

Wenn das Material für die Verdrahtungsplatte ein allgemei­ nes kostengünstiges Material wie Isoliermaterial aus Glas­ epoxidharz ist, so hat dieses Material einen hohen dielektri­ schen Verlustfaktor (tan δ), so daß das Hochfrequenzsignal auch in der Verdrahtungsplatte gedämpft wird. Demzufolge wurde die Verdrahtungsplatte üblicherweise unter Verwendung eines Materi­ als mit geringen Verlusten hergestellt, das einen kleinen di­ elektrischen Verlustfaktor besitzt, beispielsweise hochreines Aluminiumoxid ("alumina"), was zu erhöhten Kosten führte.If the material for the wiring board is a general nes inexpensive material such as glass insulating material epoxy resin, this material has a high dielectric cal loss factor (tan δ), so that the high frequency signal too is damped in the wiring plate. As a result, the Wiring board usually using a materi  than manufactured with low losses that a small di has electrical loss factor, for example high-purity Alumina ("alumina"), which led to increased costs.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Ver­ drahtungssubstrat anzugeben, bei dem ein Hochfrequenzsignal kaum gedämpft wird.It is an object of the present invention to provide a ver Specify wire substrate in which a radio frequency signal is hardly steamed.

Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Montagestruktur für ein Verdrahtungssubstrat anzu­ geben, bei dem ein Hochfrequenzsignal kaum gedämpft wird, selbst in Fällen, bei denen ein Verdrahtungssubstrat mit einer daran festgelegten Hochfrequenzkomponente auf einer allgemei­ nen, kostengünstigen Verdrahtungsplatte oberflächenmontiert wird, die aus Glasepoxidharz oder dergleichen aufgebaut ist.Another object of the present invention is in mounting a mounting structure for a wiring substrate in which a high-frequency signal is hardly attenuated, even in cases where a wiring substrate with a fixed high frequency component on a general surface-mounted wiring board which is made of glass epoxy resin or the like.

KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGBRIEF SUMMARY OF THE INVENTION

Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben in ein Ver­ drahtungssubstrat einen Anpassungsabschnitt für eine Übertra­ gungsleitung, wie eine Mikrostreifenleitung in einem Verdrah­ tungssubstrat, aufgenommen bzw. eingebaut, um eine Anpassung nach außen hin vorzunehmen, und haben ferner eine Hohlleiter­ struktur aufgenommen, die mit dem Anpassungsabschnitt in eine Verdrahtungsplatte gekoppelt werden kann. Die Erfinder haben herausgefunden, daß in Ausübung der vorliegenden Erfindung die Dämpfung eines Hochfrequenzsignals verhindert werden kann, selbst wenn für die Verdrahtungsplatte ein kostengünstiges Ma­ terial mit einem hohen dielektrischen Verlustfaktor verwendet wird. The inventors of the present invention have in ver wire substrate a matching section for a transmission supply line, like a microstrip line in a wiring tional substrate, recorded or built in to make an adjustment outward, and also have a waveguide structure included with the adjustment section in a Wiring plate can be coupled. The inventors have found that in the practice of the present invention Attenuation of a high-frequency signal can be prevented even if an inexpensive measure for the wiring board material with a high dielectric loss factor becomes.  

(1) Ein Verdrahtungssubstrat gemäß der vorliegenden Erfin­ dung weist ein dielektrisches Substrat auf, auf dessen Oberflä­ che eine Hochfrequenzkomponente und eine Übertragungsleitung ausgebildet sind. Das dielektrische Substrat ist mit einer Öff­ nung ausgebildet, die eine vorbestimmte Querschnittsform be­ sitzt, und ist auf einer rückseitigen Oberfläche des dielektri­ schen Substrates um die Öffnung herum mit einer Leiterschicht beschichtet. Die Leiterschicht wird als "Hochfrequenz-Verbin­ dungspad" bezeichnet. Ferner sind in der Öffnung ein Anpas­ sungsabschnitt zur Hochfrequenzkopplung der Übertragungsleitung und einer Hohlleiterstruktur ausgebildet, die mit dem Hochfre­ quenz-Verbindungspad verbunden ist. Ein Leistungspad ist an der rückseitigen Oberfläche des dielektrischen Substrates ausgebil­ det.(1) A wiring substrate according to the present invention dung has a dielectric substrate, on the surface che a high frequency component and a transmission line are trained. The dielectric substrate is with an opening formed that be a predetermined cross-sectional shape sits, and is on a back surface of the dielectri the substrate around the opening with a conductor layer coated. The conductor layer is called a "high frequency connector dungspad ". Also in the opening are a fitting solution section for high-frequency coupling of the transmission line and a waveguide structure formed with the Hochfre quenz connection pad is connected. A performance pad is on the rear surface of the dielectric substrate det.

Bei dem Verdrahtungssubstrat ist der Anpassungsabschnitt zum Auskoppeln eines Signals, das durch die Übertragungsleitung wie die Mikrostreifenleitung fließt, in dem Verdrahtungs­ substrat aufgenommen, wodurch es möglich gemacht wird, das Hochfrequenzsignal in eine elektromagnetische Welle eines Hohl­ leitermodus bzw. für einen Halbleiter (bzw. einen Modus einer elektromagnetischen Hohlleiterwelle) umzuwandeln und die elek­ tromagnetische Welle nach außen zu speisen.In the wiring substrate is the matching section for decoupling a signal through the transmission line how the microstrip line flows in the wiring substrate, which makes it possible for the Radio frequency signal in an electromagnetic wave of a hollow conductor mode or for a semiconductor (or a mode of a convert electromagnetic waveguide shaft) and the elec to feed the tromagnetic wave to the outside.

(2) Eine Verdrahtungsplatte bzw. Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung weist eine Hohlleiterstruktur auf, die eine dielektrische Platte von deren Oberfläche bis hin zu deren rückseitiger Oberfläche durchdringt. Die Hohlleiterstruktur weist eine vorbestimmte Querschnittsform auf und weist eine In­ nenwand auf, die mit einem Leiter bzw. einem leitenden Material beschichtet ist. Ein Hochfrequenz-Verbindungspad, das aus einer Leiterschicht aufgebaut ist, ist auf der Oberfläche der dielek­ trischen Platte um die Hohlleiterstruktur herum vorgesehen.(2) A wiring board according to the The present invention has a waveguide structure that a dielectric plate from its surface to its penetrates the back surface. The waveguide structure has a predetermined cross-sectional shape and has an In nenwand on that with a conductor or a conductive material is coated. A high frequency connection pad that consists of a  Conductor layer is built up, is on the surface of the dielek trical plate provided around the waveguide structure.

(3) Eine Montagestruktur für ein Verdrahtungssubstrat ge­ mäß der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß ein Verdrahtungssubstrat, an dem eine Hochfrequenzkomponente gelagert ist, auf einer Oberfläche einer Verdrahtungsplatte an­ geordnet ist, und daß das Hochfrequenz-Verbindungspad des Ver­ drahtungssubstrates und das Hochfrequenz-Verbindungspad der Verdrahtungsplatte elektrisch miteinander verbunden sind.(3) A mounting structure for a wiring substrate according to the present invention is characterized in that a wiring substrate on which a high frequency component is stored on a surface of a wiring board is ordered, and that the high-frequency connection pad of Ver wire substrates and the high-frequency connection pad of the Wiring plate are electrically connected to each other.

Bei der Montagestruktur sind das Verdrahtungssubstrat und die Verdrahtungsplatte durch die Hochfrequenz-Verbindungspads miteinander verbunden, die jeweils daran ausgebildet sind, wo­ durch es möglich gemacht wird, das Hochfrequenzsignal zwischen dem Verdrahtungssubstrat und der Verdrahtungsplatte im Hohllei­ termodus zu übertragen. Selbst wenn als Material für die Ver­ drahtungsplatte kein Material mit einem kleinen dielektrischen Verlustfaktor verwendet wird, ist es daher möglich, eine Hoch­ frequenzübertragung mit einem geringen Verlust zwischen den Verdrahtungssubstraten oder zwischen dem Verdrahtungssubstrat und der äußeren Schaltung zu realisieren. Ferner läßt sich ein kostengünstiges Material für die Verdrahtungsplatte verwenden und die Massenproduktion wird durch die Oberflächenmontage ver­ bessert, wodurch es möglich gemacht wird, ein Hochfrequenzmodul mit guten Eigenschaften bei geringen Kosten zu erhalten.In the mounting structure, the wiring substrate and the wiring board through the high frequency connection pads interconnected, each of which is formed where by making it possible to switch the high frequency signal between the wiring substrate and the wiring board in the hollow wire to transmit term mode. Even if as material for the ver wiring board no material with a small dielectric Loss factor is used, it is therefore possible to get a high frequency transmission with a small loss between the Wiring substrates or between the wiring substrate and to realize the outer circuit. Furthermore, one can Use inexpensive material for the wiring board and mass production is ver through surface mounting improves, which makes it possible to have a high frequency module to get with good properties at low cost.

(4) Eine Montagestruktur für ein Verdrahtungssubstrat ge­ mäß der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl von Verdrahtungssubstraten, an denen jeweils Hochfrequenzkomponenten gelagert sind, auf einer Oberfläche ei­ ner Verdrahtungsplatte montiert sind, und daß ein weiteres Ver­ drahtungssubstrat an einer rückseitigen Oberfläche der Verdrah­ tungsplatte montiert ist. Die Vielzahl von Verdrahtungssubstra­ ten auf der Oberfläche ist jeweils mit einer Vielzahl von Hohl­ leiterstrukturen gekoppelt, die in der Verdrahtungsplatte aus­ gebildet sind, und das Verdrahtungssubstrat auf der rückseiti­ gen Oberfläche ist mit den Hohlleiterstrukturen gekoppelt.(4) A mounting structure for a wiring substrate according to the present invention is characterized in that a variety of wiring substrates, each on High-frequency components are stored on a surface  ner wiring board are mounted, and that another Ver wire substrate on a back surface of the wiring is mounted. The variety of wiring substra ten on the surface is each with a variety of hollow conductor structures coupled out in the wiring board are formed, and the wiring substrate on the back The surface is coupled to the waveguide structures.

Bei dieser Montagestruktur läßt sich ein Hochfrequenzsi­ gnal von einem Verdrahtungssubstrat zu einem anderen Verdrah­ tungssubstrat mittels der Hohlleiterstruktur, die in der Ver­ drahtungsplatte ausgebildet ist, und dem Verdrahtungssubstrat übertragen, das an der rückseitigen Oberfläche ausgebildet ist.With this assembly structure, a high-frequency Si can be used from a wiring substrate to another wiring tion substrate by means of the waveguide structure, which in the Ver wire plate is formed, and the wiring substrate transferred, which is formed on the back surface.

Es versteht sich, daß die vorstehend genannten und die nachstehend noch zu erläuternden Merkmale nicht nur in der je­ weils angegebenen Kombination, sondern auch in anderen Kombina­ tionen oder in Alleinstellung verwendbar sind, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.It is understood that the above and the features to be explained below not only in each because specified combination, but also in other combinations or can be used alone without the frame to leave the present invention.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen:Embodiments of the invention are in the drawing are shown and are described in more detail in the following description explained. Show it:

Fig. 1A eine schematische Draufsicht auf ein Verdrahtungs­ substrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung, zum Erläutern von dessen Struktur, Fig. 1B eine Quer­ schnittsansicht entlang einer Linie X-X in Fig. 1A; und Fig. 1C eine schematische Ansicht von unten; Fig. 1A is a schematic plan view of a wiring substrate according to an embodiment of the present inven tion, for explaining its structure, Fig. 1B is a cross sectional view taken along a line XX in Fig. 1A; and Fig. 1C is a schematic bottom view;

Fig. 2A eine schematische Draufsicht auf eine Verdrah­ tungsplatte gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung, zum Erläutern von dessen Struktur; und Fig. 2B eine Quer­ schnittsansicht entlang einer Linie Y-Y in Fig. 2A; Fig. 2A is a schematic plan view of a plate-Wire the processing according to an embodiment of the present OF INVENTION dung, for explaining the structure thereof; and FIG. 2B is a cross sectional view taken along a line YY in FIG. 2A;

Fig. 3 eine schematische Schnittansicht zum Erläutern ei­ ner Montagestruktur eines Verdrahtungssubstrates gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; Fig. 3 is a schematic sectional view for explaining ei ner mounting structure of a wiring substrate according to an embodiment of the present invention;

Fig. 4 eine schematische Schnittansicht zum Erläutern ei­ ner Montagestruktur einer Vielzahl von Verdrahtungssubstraten gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; Fig. 4 is a schematic sectional view for explaining ei ner mounting structure of a plurality of wiring substrates in accordance with an embodiment of the present invention;

Fig. 5 eine schematische Schnittansicht zum Erläutern ei­ ner weiteren Struktur eines Verdrahtungssubstrates gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und Fig. 5 is a schematic sectional view for explaining ei ner further structure of a wiring substrate according to an embodiment of the present invention; and

Fig. 6 eine schematische Schnittansicht zum Erläutern der Struktur eines herkömmlichen Verdrahtungssubstrates. Fig. 6 is a schematic sectional view for explaining the structure of a conventional wiring substrate.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNGDETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION 1. Struktur des Verdrahtungssubstrates1. Structure of the wiring substrate

Die Fig. 1A bis 1C sind Darstellungen zum Erläutern eines Beispiels einer Struktur eines Verdrahtungssubstrates A gemäß der vorliegenden Erfindung. Figs. 1A to 1C are diagrams for explaining an example of a structure of a wiring substrate A according to the present invention.

Wie es in den Fig. 1A bis 1C gezeigt ist, weist ein Ver­ drahtungssubstrat A ein dielektrisches Substrat 1 mit einer übereinander gestapelt angeordneten Struktur aus dielektrischen Schichten 1a, 1b und 1c auf. Eine Abdeckung 2 ist mit einer Oberfläche der dielektrischen Schicht 1a in dem dielektrischen Substrat 1 verbunden, wodurch ein hermetisch abgedichteter Hohlraum 3 ausgebildet wird. Ein Streifenleiter 5 für eine Mi­ krostreifenleitung ist auf einer Oberfläche der dielektrischen Schicht 1b in dem dielektrischen Substrat 1 ausgebildet. Eine Erdungs- bzw. Masseschicht 6 für eine Mikrostreifenleitung ist auf einer Oberfläche der dielektrischen Schicht 1c in dem die­ lektrischen Substrat 1 ausgebildet. Der Streifenleiter 5 und die Erdungsschicht 6 bilden die Mikrostreifenleitung.As shown in FIGS . 1A to 1C, a wiring substrate A has a dielectric substrate 1 with a stacked structure of dielectric layers 1 a, 1 b and 1 c. A cover 2 is connected to a surface of the dielectric layer 1 a in the dielectric substrate 1 , whereby a hermetically sealed cavity 3 is formed. A strip conductor 5 is krostreifenleitung for a Mi on a surface of the dielectric layer 1 b formed in the dielectric substrate. 1 A ground or ground layer 6 for a microstrip line is formed on a surface of the dielectric layer 1 c in which the dielectric substrate 1 is formed. The strip line 5 and the ground layer 6 form the microstrip line.

Ein Lagerabschnitt bzw. Tragabschnitt, an dem eine Hoch­ frequenzkomponente gelagert werden kann, ist auf einer Oberflä­ che der Erdungsschicht 6 ausgebildet, und eine Hochfrequenzkom­ ponente 4 ist daran gelagert. Die Hochfrequenzkomponente 4 ist mit einer Leistungs- oder Steuerleitung 7 beschichtet bzw. ver­ bunden, zum Versorgen der Hochfrequenzkomponente 4 mit Leistung oder zum Zuführen eines Steuersignals zu der Hochfrequenzkompo­ nente 4.A bearing portion or support portion on which a high frequency component can be stored is formed on a surface of the ground layer 6 , and a high frequency component 4 is supported thereon. The high-frequency component 4 is coated or connected to a power or control line 7 for supplying the high-frequency component 4 with power or for supplying a control signal to the high-frequency component 4 .

Ein Hochfrequenz-Verbindungspad 9 ist auf einer rückseiti­ gen Oberfläche des dielektrischen Substrates 1 ausgebildet. Ei­ ne Querschnittsform einer Öffnung 8 in dem Hochfrequenz-Verbin­ dungspad 9 ist gleich der Form des Querschnitts einer Hohllei­ terstruktur (die weiter unten beschrieben wird). Bei dem in Fig. 1 gezeigten Verdrahtungssubstrat A sind zwei Hochfrequenz- Verbindungspads 9 für Eingangs- und Ausgangssignale ausgebil­ det. Ferner ist die rückseitige Oberfläche des dielektrischen Substrates 1 mit einem Leistungspad 11 beschichtet. Das Lei­ stungspad 11 ist mit der Leistungs- oder Steuerleitung 7 ver­ bunden, die auf der Oberfläche des dielektrischen Substrates 1 ausgebildet ist, und zwar über einen Durchgangsleiter ("via conductor") 10.A high-frequency connection pad 9 is formed on a back surface of the dielectric substrate 1 . A cross-sectional shape of an opening 8 in the high-frequency connection pad 9 is equal to the shape of the cross-section of a waveguide structure (which will be described later). In the wiring substrate A shown in FIG. 1, two high-frequency connection pads 9 are formed for input and output signals. Furthermore, the back surface of the dielectric substrate 1 is coated with a power pad 11 . The performance pad 11 is connected to the power or control line 7 , which is formed on the surface of the dielectric substrate 1 , specifically via a through conductor 10 .

Das Verdrahtungssubstrat A weist einen Wandlungsab­ schnitt 12 auf, zum Miteinanderkoppeln der Hohlleiterstruktur und der Mikrostreifenleitung, die auf der Oberfläche des die­ lektrischen Substrates 1 ausgebildet ist. Die Struktur des Wandlungsabschnittes 12 ist folgendermaßen. Wie es in Fig. 1B gezeigt ist, ist in der Erdungsschicht 6 ein Schlitzloch 13 ausgebildet. Die Position, in der das Schlitzloch 13 ausgebil­ det ist, ist, in der Draufsicht (s. Fig. 1A) die Mitte der Öff­ nung 8 in dem Hochfrequenz-Verbindungspad 9. Wie es in Fig. 1A gezeigt ist, ist ein geöffnetes bzw. freies Ende ("opened end") 5a des Streifenleiters 5, der die Mikrostreifenleitung bildet, in einer vorbestimmten Position ausgebildet bzw. angeordnet (bzw. der Streifenleiter 5 endet in einer vorbestimmten Positi­ on), so, daß das Ende 5a dem Schlitzloch 13 gegenüberliegt.The wiring substrate A has a conversion section 12 for coupling together the waveguide structure and the microstrip line, which is formed on the surface of the dielectric substrate 1 . The structure of the conversion section 12 is as follows. As shown in FIG. 1B, a slit hole 13 is formed in the ground layer 6 . The position in which the slit hole 13 is formed is, in the plan view (see FIG. 1A), the center of the opening 8 in the high-frequency connection pad 9 . As shown in Fig. 1A, an open end ("opened end") 5 a of the strip line 5 , which forms the microstrip line, is formed or arranged in a predetermined position (or the strip line 5 ends in one predetermined position) so that the end 5 a is opposite the slot 13 .

Ein vertikaler Leiter 14 zum Miteinanderverbinden der Er­ dungsschicht 6 und des Hochfrequenz-Verbindungspads 9 ist in der dielektrischen Schicht 1c in dem dielektrischen Substrat 1 ausgebildet. Ein Anpassungsabschnitt 15 zum Erzielen einer Im­ pedanzanpassung an einen Hohlleiter ist in einem Bereich ausge­ bildet, der von dem vertikalen Leiter 14 umschlossen ist. Der Wandlungsabschnitt 12 ermöglicht es, die Mikrostreifenleitung und die Hohlleiterstruktur über das Schlitzloch 13 elektroma­ gnetisch miteinander zu koppeln. Unterhalb des Schlitzloches 13 ist eine Füllung aus dielektrischem Material vorgesehen.A vertical conductor 14 for connecting the earth layer 6 and the high-frequency connection pad 9 is formed in the dielectric layer 1 c in the dielectric substrate 1 . An adaptation section 15 for achieving an impedance adaptation to a waveguide is formed in an area which is enclosed by the vertical conductor 14 . The conversion section 12 makes it possible to couple the microstrip line and the waveguide structure electromagnetically to one another via the slot hole 13 . A filling of dielectric material is provided below the slot 13 .

Die Lagebeziehungen zum elektromagnetischen Miteinander­ koppeln des Schlitzloches 13 und des Streifenleiters 5 sind ge­ nauso wie bei einer herkömmlichen Wandlungsstruktur. Diese ist beispielsweise beschrieben in der WO 96/27913. Deren Inhalt soll vorliegend durch Bezugnahme enthalten sein. Kurz gesagt ist das freie Ende 5a des Streifenleiters 5 in der Draufsicht in einer Position ausgebildet bzw. vorgesehen, die von der Mit­ te des Schlitzloches 13 um eine Länge vorsteht, die ein Viertel der Wellenlänge des Signals beträgt. Das Schlitzloch 13 ist ein langes schmales Loch, das beispielsweise rechteckförmig oder elliptisch sein kann, und die Form des Schlitzloches 13 ist durch die verwendete Frequenz und die Bandbreite der verwende­ ten Frequenzen vorgegeben bzw. eingestellt. Der Durchmesser in Längsrichtung des Schlitzloches 13 ist auf eine Länge einge­ stellt, die gleich der halben (1/2) Wellenlänge des Signals ist, und der Durchmesser in Querrichtung (Kurzdurchmesser) ist auf eine Länge eingestellt, die ein Fünftel (1/5) bis ein Fünf­ zigstel (1/50) der Wellenlänge des Signals beträgt.The positional relationships for electromagnetic coupling of the slot 13 and the stripline 5 are ge just like a conventional conversion structure. This is described, for example, in WO 96/27913. Their content is to be included here by reference. In short, the free end 5 a of the strip line 5 is formed or provided in the plan view in a position which protrudes from the center of the slot 13 by a length which is a quarter of the wavelength of the signal. The slot hole 13 is a long narrow hole, which can be, for example, rectangular or elliptical, and the shape of the slot hole 13 is predetermined or set by the frequency used and the bandwidth of the frequencies used. The diameter in the longitudinal direction of the slotted hole 13 is set to a length which is equal to half (1/2) wavelength of the signal, and the diameter in the transverse direction (short diameter) is set to a length which is one fifth (1/5) up to one-fifth (1/50) of the wavelength of the signal.

Das Verdrahtungssubstrat A mit der oben genannten Struktur weist das Hochfrequenz-Verbindungspad 9 auf. Demzufolge kann die Mikrostreifenleitung in dem Hohlraum 3 mit allen möglichen Hohlleiterstrukturen gekoppelt werden. Ferner weist das Ver­ drahtungssubstrat A das Leistungspad 11 auf. Demzufolge läßt sich das Verdrahtungssubstrat auf einer Verdrahtungsplatte oberflächen-montieren, die eine Hohlleiterstruktur aufweist, die weiter unten beschrieben wird.The wiring substrate A with the above structure has the high-frequency connection pad 9 . As a result, the microstrip line in the cavity 3 can be coupled to all possible waveguide structures. Furthermore, the wiring substrate A has the power pad 11 . Accordingly, the wiring substrate can be surface-mounted on a wiring board having a waveguide structure, which will be described later.

Wie es in Fig. 5 gezeigt ist, kann eine dielektrische Schicht 1d auf einer rückseitigen Oberfläche der dielektrischen Platten 1a bis 1c in dem Verdrahtungssubstrat A stapelartig aufgebracht werden, wobei die dielektrische Schicht 1d eine Hohlleiterstruktur 50 aufweist, in der eine Öffnung ausgebildet ist, deren Innenwand mit einer Leiterschicht beschichtet ist. Ein Hochfrequenz-Verbindungspad 9 ist ausgehöhlt bzw. hohl sich nach innen erstreckend ausgebildet, ausgehend von der rücksei­ tigen Oberfläche der dielektrischen Schicht 1d.As shown in FIG. 5, a dielectric layer 1 d can be stacked on a rear surface of the dielectric plates 1 a to 1 c in the wiring substrate A, the dielectric layer 1 d having a waveguide structure 50 in which an opening is formed, the inner wall of which is coated with a conductor layer. A high-frequency connection pad 9 is hollowed out or hollow extending inwardly, starting from the rear surface of the dielectric layer 1 d.

Bei einer derartigen Struktur ist es möglich, die Dicke des dielektrischen Substrates 1 zur Steigerung der Substratfe­ stigkeit zu vergrößern, ohne die Hochfrequenzeigenschaften zu verschlechtern. Ferner ist die Anzahl der Verdrahtungsschichten höher, wodurch es möglich gemacht wird, den Freiheitsgrad beim Verdrahten zu steigern.With such a structure, it is possible to increase the thickness of the dielectric substrate 1 to increase the substrate strength without deteriorating the high-frequency properties. Furthermore, the number of wiring layers is larger, making it possible to increase the degree of freedom in wiring.

2. Struktur der Verdrahtungsplatte2. Structure of the wiring board

Im folgenden wird auf der Grundlage der Fig. 2A und 2B eine Verdrahtungsplatte beschrieben. Eine Verdrahtungsplatte B weist eine dielektrische Platte 21 auf. Eine Hohlleiterstruk­ tur 22 durchdringt die dielektrische Platte 21 von deren Ober­ fläche zu deren rückseitiger Oberfläche. Die Form des Quer­ schnitts der Hohlleiterstruktur 22 ist dieselbe wie die Form des Querschnitts der Öffnung 8 des Hochfrequenz-Verbindungs­ pads 9. Die Hohlleiterstruktur 22 weist eine Innenwand auf, die mit einem Leiter beschichtet ist. Um die Hohlleiterstruktur 22 herum sind an der Oberfläche bzw. der rückseitigen Oberfläche der dielektrischen Platte 21 jeweils Hochfrequenz-Verbindungs­ pads 23 bzw. 24 ausgebildet. Ferner ist auf der Oberfläche der dielektrischen Platte 21 ein Leistungspad 25 ausgebildet. Das Leistungspad 25 bildet gemeinsam mit einer Niederfrequenzkompo­ nente wie einem Widerstandselement oder einem Kondensatorele­ ment, das an der Verdrahtungsplatte B gelagert sein kann, eine Leistungsschaltung oder eine Steuerschaltung. Die Leistungs­ schaltung oder die Steuerschaltung werden schließlich mit einer externen Schaltung verbunden, und zwar über einen Verbindungs­ pad 26 (s. Fig. 2A). Ferner ist die dielektrische Platte 21 mit einem Schraubenloch 27 ausgebildet, das verwendet wird, wenn die Verdrahtungsplatte B mit einer externen Schaltung wie einem Hohlleiter oder einer ebenen Antenne mit einem Hohlleiterport verbunden wird, und zwar zum Anschrauben der externen Schal­ tung.A wiring board will be described based on FIGS. 2A and 2B. A wiring board B has a dielectric board 21 . A waveguide structure 22 penetrates the dielectric plate 21 from its upper surface to its rear surface. The shape of the cross section of the waveguide structure 22 is the same as the shape of the cross section of the opening 8 of the high-frequency connection pad 9 . The waveguide structure 22 has an inner wall which is coated with a conductor. High-frequency connection pads 23 and 24 are formed on the surface and the rear surface of the dielectric plate 21 around the waveguide structure 22 . Furthermore, a power pad 25 is formed on the surface of the dielectric plate 21 . The power pad 25 forms a power circuit or a control circuit together with a low frequency component such as a resistance element or a capacitor element that may be supported on the wiring board B. The power circuit or the control circuit are finally connected to an external circuit, via a connection pad 26 (see FIG. 2A). Further, the dielectric plate 21 is formed with a screw hole 27 which is used when the wiring plate B is connected to an external circuit such as a waveguide or a planar antenna with a waveguide port, for screwing the external circuit device.

3. Struktur, mittels der das Verdrahtungssubstrat A an der Verdrahtungsplatte B montiert wird3. Structure by means of which the wiring substrate A on the Wiring plate B is mounted

Fig. 3 ist eine schematische Schnittansicht einer Struk­ tur, bei der das Verdrahtungssubstrat A, das in Fig. 1 gezeigt ist, an der Verdrahtungsplatte B montiert ist, die in Fig. 2 gezeigt ist. Wie es in Fig. 3 gezeigt ist, sind das Hochfre­ quenz-Verbindungspad 9 auf der Seite des Verdrahtungssubstra­ tes A und das Hochfrequenz-Verbindungspad 23 auf der Seite der Verdrahtungsplatte H durch Lotmaterial 30 elektrisch miteinan­ der verbunden. Ferner sind das Leistungspad 11 auf der Seite des Verdrahtungssubstrates A und das Leistungspad 25 auf der Seite der Verdrahtungsplatte B durch Lotmaterial 30 elektrisch miteinander verbunden. FIG. 3 is a schematic sectional view of a structure in which the wiring substrate A shown in FIG. 1 is mounted on the wiring board B shown in FIG. 2. As shown in FIG. 3, the high-frequency connection pad 9 on the wiring substrate A side and the high-frequency connection pad 23 on the wiring board H side are electrically connected to each other by solder material 30 . Further, the power pad 11 on the wiring substrate A side and the power pad 25 on the wiring board B side are electrically connected to each other by solder material 30 .

Bei einer derartigen Montagestruktur lassen sich das Ver­ drahtungssubstrat A und die Verdrahtungsplatte B mittels eines Hohlleitermodus in der Hohlleiterstruktur 22 miteinander ver­ binden, bzw. die Signalübertragung zwischen A und B kann durch eine Hohlleiter-Signalübertragung in einem elektromagnetischen Wellenmodus erfolgen. Die Verbindung erfolgt folglich mittels des "Hohlleitermodus", verglichen mit einer herkömmlichen Ver­ bindung durch eine Mikrostreifenleitung, eine coplanare Leitung oder dergleichen. Demzufolge sind die Übertragungseigenschaften in dem Hohlleitermodus unabhängig von den dielektrischen Eigen­ schaften der dielektrischen Platte 21 festgelegt. Selbst wenn die dielektrische Platte 21 in der Verdrahtungsplatte B aus ei­ nem Material mit schlechten Frequenzeigenschaften ausgebildet ist, beispielsweise einem isolierenden Material mit Bestandtei­ len aus einem organischen Harz, beispielsweise Glasepoxidharz, ist es möglich, ein Hochfrequenzsignal verlustlos zu übertra­ gen.In such a mounting structure, the wiring substrate A and the wiring board B can be connected to one another by means of a waveguide mode in the waveguide structure 22 , or the signal transmission between A and B can be carried out by a waveguide signal transmission in an electromagnetic wave mode. The connection is thus made using the "waveguide mode" compared to a conventional connection through a microstrip line, a coplanar line or the like. Accordingly, the transmission characteristics in the waveguide mode are determined regardless of the dielectric properties of the dielectric plate 21 . Even if the dielectric board 21 in the wiring board B is formed of a material with poor frequency characteristics, for example, an insulating material with constituents of an organic resin, such as glass epoxy resin, it is possible to transmit a high-frequency signal without loss.

Bei der gezeigten Montagestruktur kann ein Hohlleiter C an das Hochfrequenz-Verbindungspad 24 an der rückseitigen Oberflä­ che der Verdrahtungsplatte B gelötet werden. Demzufolge können das Verdrahtungssubstrat A und eine externe Schaltung, wie eine ebene Antenne mit dem Hohlleiter C, miteinander durch die Ver­ drahtungsplatte B hindurch gekoppelt werden.In the mounting structure shown, a waveguide C can be soldered to the high-frequency connection pad 24 on the rear surface of the wiring board B. Accordingly, the wiring substrate A and an external circuit such as a planar antenna with the waveguide C can be coupled to each other through the wiring board B.

Bei der Montagestruktur ist es möglich, lediglich die Hochfrequenzkomponente an dem Verdrahtungssubstrat A zu lagern und andere, niederfrequente Komponenten beispielsweise an der Oberfläche bzw. der rückseitigen Oberfläche der Verdrahtungs­ platte B zu montieren. Demzufolge kann das Verdrahtungs­ substrat A, an dem die Hochfrequenzkomponente gelagert ist, kleiner ausgebildet werden verglichen mit einem Fall, bei dem die Hochfrequenzkomponente und eine Niederfrequenzkomponente in dem Verdrahtungssubstrat A gelagert sind, wie bei dem herkömm­ lichen Beispiel, wodurch es insgesamt ermöglicht wird, die Dichte des Verdrahtungssubstrates A zu erhöhen. Ferner ermög­ licht die Miniaturisierung des Verdrahtungssubstrates A, die Kosten eines Moduls zu verringern und dessen Montageverläßlich­ keit zu steigern.With the assembly structure, it is possible to only use the To store high frequency component on the wiring substrate A. and other low-frequency components, for example on the Surface or the rear surface of the wiring to mount plate B. As a result, the wiring substrate A, on which the high-frequency component is mounted, are made smaller compared to a case where the high frequency component and a low frequency component in the wiring substrate A are stored as in the conventional example, which makes it possible overall, the To increase the density of the wiring substrate A. Also possible light the miniaturization of the wiring substrate A that  Reduce the costs of a module and make its assembly reliable increase speed.

4. Struktur, bei eine Vielzahl von Verdrahtungssubstra­ ten A an einer Verdrahtungsplatte B montiert sind4. Structure, with a variety of wiring substrates ten A are mounted on a wiring board B.

Eine Montagestruktur, bei der eine Vielzahl von Verdrah­ tungssubstraten A1 und A2 verwendet wird, wird nachstehend un­ ter Bezugnahme auf die schematische Schnittansicht der Fig. 4 erläutert. Bei der in Fig. 4 gezeigten Montagestruktur sind we­ nigstens vier Hohlleiterstrukturen 22a, 22b, 22c und 22d in der Verdrahtungsplatte B ausgebildet. Das Verdrahtungssubstrat A1 und das Verdrahtungssubstrat A2 sind jeweils auf einer oberen Oberfläche der Verdrahtungsplatte B montiert, wie in Fig. 3, und zwar ausgerichtet in bezug auf die Hohlleiterstrukturen 22a und 22b bzw. die Hohlleiterstrukturen 22c und 22d. Ferner ist ein Verdrahtungssubstrat A3 an der rückseitigen Oberfläche der Verdrahtungsplatte B montiert, ausgerichtet mit den Hohlleiter­ strukturen 22B und 22c in der Verdrahtungsplatte B.A mounting structure using a plurality of wiring substrates A1 and A2 is explained below with reference to the schematic sectional view of FIG. 4. When in Fig. 4 shown mounting structure we nigstens four waveguide structures 22 a, 22 b, 22 c and 22 d formed in the wiring board B. The wiring substrate A1 and the wiring substrate A2 are each mounted on an upper surface of the wiring board B, as in Fig. 3, namely aligned with respect to the waveguide structures 22 a and 22 b and the waveguide structures 22 c and 22 d. Furthermore, a wiring substrate A3 is mounted on the rear surface of the wiring board B, aligned with the waveguide structures 22 B and 22 c in the wiring board B.

Bei einer derartigen Montagestruktur lassen sich das Hohl­ leitersubstrat A1 und das Hohlleitersubstrat A3 miteinander über die in der Verdrahtungsplatte B ausgebildete Hohlleiter­ struktur 22b koppeln. Das Verdrahtungssubstrat A3 und das Ver­ drahtungssubstrat A2 können über die Hohlleiterstruktur 22c miteinander gekoppelt werden, die in der Verdrahtungsplatte B ausgebildet ist. Folglich sind die Verdrahtungssubstrate A1, A2 und A3 miteinander in einem Hohlleitermodus gekoppelt. Folglich läßt sich der Signalübertragungsverlust reduzieren und die Übertragung ist nicht durch die dielektrischen Eigenschaften des dielektrischen Materials beeinflußt, das für die Leiter­ platte B verwendet wird.In such an assembly structure, the waveguide substrate A1 and the waveguide substrate A3 can be coupled to one another via the waveguide structure 22 b formed in the wiring board B. The wiring substrate A3 and the wiring substrate A2 can be coupled to one another via the waveguide structure 22 c, which is formed in the wiring board B. As a result, the wiring substrates A1, A2 and A3 are coupled to each other in a waveguide mode. Consequently, the signal transmission loss can be reduced and the transmission is not affected by the dielectric properties of the dielectric material used for the circuit board B.

Ferner lassen sich die Verdrahtungssubstrate in eine Viel­ zahl von Blöcken unterteilen. Demzufolge ist es möglich, die Montageverläßlichkeit zu steigern, indem jeder der Blöcke mi­ niaturisiert wird.Furthermore, the wiring substrates can be divided into a variety Divide number of blocks. As a result, it is possible to Increase assembly reliability by using each of the blocks mi is naturalized.

Bei der oben genannten Montagestruktur sind die Enden der Hohlleiterstrukturen 22a und 22d jeweils mit einer anderen Hochfrequenzkomponenten verbunden, einer Antenne oder derglei­ chen, und zwar über ein weiteres Verdrahtungssubstrat, einen Hohlleiter, oder dergleichen.In the above-mentioned mounting structure, the ends of the waveguide structures 22 a and 22 d are each connected to another high-frequency component, an antenna or the like, through a further wiring substrate, a waveguide, or the like.

Bei der gezeigten Montagestruktur muß das Verdrahtungs­ substrat A3, das die Funktion der Verbindung der zwei Verdrah­ tungssubstrate A1 und A2 erfüllt, nicht notwendigerweise eine Leistungsleitung, eine Steuerleitung oder ein Leistungspad be­ sitzen, wie es in den Fig. 1A bis 1C gezeigt ist. Bei einer Hochfrequenzkomponente in dem Verdrahtungssubstrat A3, die durch die Bezugsziffer 4a in Fig. 4 gezeigt ist, kann es sich beispielsweise um einen Wandlungsabschnitt zum Miteinanderver­ binden von Streifenleitern für Ausgangs- und Eingangssignale in dem Verdrahtungssubstrat A3 handeln.In the mounting structure shown, the wiring substrate A3, which performs the function of connecting the two wiring substrates A1 and A2, does not necessarily have to be a power line, a control line, or a power pad, as shown in Figs. 1A to 1C. A high-frequency component in the wiring substrate A3, which is shown by the reference number 4 a in FIG. 4, can be, for example, a conversion section for interconnecting strip conductors for output and input signals in the wiring substrate A3.

5. Weitere Ausführungsform5. Another embodiment

Obgleich bei der oben genannten Ausführungsform, die in den obigen Punkten 1 bis 4 beschrieben ist, die Querschnitts­ form der Hohlleiterstruktur in der Verdrahtungsplatte B quadra­ tisch ist, wie es dargestellt ist, kann die Form des Quer­ schnitts der Hohlleiterstruktur auch kreisförmig sein. Insbe­ sondere dann, wenn die Querschnittsform kreisförmig ist, läßt sich eine dielektrische Platte leicht mittels eines Bohrers verarbeiten bzw. bearbeiten. Die Hohlleiterstruktur hat die Vorteile einer glatten bearbeiteten Oberfläche, so gut wie ein Hohlleiter. Ferner kann die Form der Öffnung 8 in dem Hochfre­ quenz-Verbindungspad 9 in dem Verdrahtungssubstrat A dann, wenn die Hohlleiterstruktur einen kreisförmigen Querschnitt hat, entweder kreisförmig oder quadratisch sein. Bevorzugt ist dann jedoch eine Kreisform.Although in the above-mentioned embodiment described in the above items 1 to 4 , the cross-sectional shape of the waveguide structure in the wiring board B is quadratic as shown, the shape of the cross-section of the waveguide structure can also be circular. Especially when the cross-sectional shape is circular, a dielectric plate can be easily processed or machined using a drill. The waveguide structure has the advantages of a smooth machined surface, as good as a waveguide. Furthermore, when the waveguide structure has a circular cross section, the shape of the opening 8 in the high-frequency connection pad 9 in the wiring substrate A may be either circular or square. However, a circular shape is preferred.

Beispiele von dielektrischem Material, das das dielektri­ sche Substrat 1 in dem Verdrahtungssubstrat A und die dielek­ trische Platte 21 in der Verdrahtungsplatte B bildet, beinhal­ ten ein keramisches Material, das hauptsächlich besteht aus Al2O3, AlN, Si3N4 oder Mullit, ein glaskeramisches Material, das gebildet wird durch Sintern von Glas oder einer Mischung aus Glas und einem keramischen Füllmaterial, ein organisches Harz­ material wie Epoxidharz, Polyimidharz oder Fluorharz wie Te­ flon, oder ein organisches Harz-Keramik-Verbundmaterial (das Glas enthalten kann).Examples of the dielectric material constituting the dielectric substrate 1 in the wiring substrate A and the dielectric plate 21 in the wiring board B include a ceramic material mainly composed of Al 2 O 3 , AlN, Si 3 N 4, or mullite , a glass-ceramic material which is formed by sintering glass or a mixture of glass and a ceramic filling material, an organic resin material such as epoxy resin, polyimide resin or fluororesin such as Te flon, or an organic resin-ceramic composite material (which may contain glass) ,

Ein geeignetes Beispiel eines dielektrischen Substrates 1 in dem Verdrahtungssubstrat A, an dem die Hochfrequenzkomponen­ te gelagert ist, weist insbesondere einen kleinen dielektri­ schen Verlustfaktor auf und läßt sich hermetisch abdichten. Beispiele von besonders wünschenswerten bzw. günstigen Materia­ lien sind Arten von anorganischen Materialien, die ausgewählt sind aus einer Gruppe, die aus Aluminiumoxid, AlN und glaskera­ mischem Material besteht. Wenn das dielektrische Substrat 1 aus einem derartigen harten Material aufgebaut ist, ist es möglich, die daran gelagerte Hochfrequenzkomponente hermetisch abzudich­ ten, was zum Steigern der Verläßlichkeit insgesamt bevorzugt ist. Für die dielektrische Platte 21 in der Verdrahtungsplat­ te B lassen sich sämtliche dielektrischen Materialien verwen­ den, da die Eigenschaften der Hochfrequenzübertragung erfin­ dungsgemäß nicht durch die dielektrischen Eigenschaften der dielektrischen Platte 21 beeinflußt werden. Folglich läßt sich ein dielektrisches Material verwenden, dessen Kosten kleinst­ möglich sind. Ausgehend hiervon enthält ein geeignetes Beispiel eines isolierenden Materials organisches Harz und insbesondere wenigstens einen Typ ausgewählt aus einer Gruppe, die aus Glas­ gewebe-Fluorharz, Glasgewebe-Epoxidharz und Alamidgewebe- Epoxidharz besteht. Ein derartiges Isoliermaterial mit organi­ schem Harz ist kostengünstig und läßt sich leicht durch Anbrin­ gen eines Schraubenloches bzw. Bohrloches oder dgl. bearbeiten. Demzufolge kann die dielektrische Platte an einer externen Schaltung wie einem Hohlleiter oder einer Antenne mittels einer Schraube festgelegt werden, was hinsichtlich der Kostenreduzie­ rung bevorzugt ist. Die Verbindung zu der externen Schaltung läßt sich somit leicht vollziehen.A suitable example of a dielectric substrate 1 in the wiring substrate A, on which the high-frequency component is mounted, has in particular a small dielectric loss factor and can be hermetically sealed. Examples of particularly desirable or inexpensive materials are types of inorganic materials selected from a group consisting of aluminum oxide, AlN and glass ceramic material. If the dielectric substrate 1 is constructed from such a hard material, it is possible to hermetically seal the high-frequency component mounted thereon, which is preferred overall to increase the reliability. All dielectric materials can be used for the dielectric plate 21 in the wiring board B, since the properties of the high-frequency transmission according to the invention are not influenced by the dielectric properties of the dielectric plate 21 . Consequently, a dielectric material can be used, the cost of which is as small as possible. Based on this, a suitable example of an insulating material contains organic resin and in particular at least one type selected from a group consisting of glass fabric-fluororesin, glass fabric-epoxy resin and alamid fabric-epoxy resin. Such an insulating material with organic resin is inexpensive and can be easily processed by attaching a screw hole or borehole or the like. Accordingly, the dielectric plate can be fixed to an external circuit such as a waveguide or an antenna by means of a screw, which is preferable in view of the cost reduction. The connection to the external circuit can thus be made easily.

Der Unterschied der thermischen Ausdehnungskoeffizienten bei Raumtemperatur zwischen dem dielektrischen Material der Verdrahtungsplatte B und dem dielektrischen Material des Ver­ drahtungssubstrates A beträgt vorzugsweise nicht mehr als 10 × 10-6/K.The difference in the coefficient of thermal expansion at room temperature between the dielectric material of the wiring board B and the dielectric material of the wiring substrate A is preferably not more than 10 × 10 -6 / K.

Die günstigste bzw. geeignetste Kombination aus derzeiti­ ger Sicht, d. h. die hinsichtlich Leistungsfähigkeit und Kosten günstigste Kombination ist jene, bei der das dielektrische Substrat 1 in dem Verdrahtungssubstrat A aus Aluminiumoxidkera­ mik oder einem Glaskeramikmaterial besteht und die dielektri­ sche Platte 21 in der Verdrahtungsplatte B aus Glasgewebe- Epoxidharz besteht.The cheapest or most suitable combination from the current point of view, ie the cheapest in terms of performance and cost, is the combination in which the dielectric substrate 1 in the wiring substrate A consists of aluminum oxide ceramic or a glass ceramic material and the dielectric plate 21 in the wiring board B. Glass fabric epoxy resin is made.

6. Beispiel6th example

Die folgenden Experimente wurden zur Bestätigung der Wir­ kungen bzw. Vorteile der vorliegenden Erfindung durchgeführt.The following experiments were used to confirm the We kung or advantages of the present invention.

Zunächst wurde als ein Verdrahtungssubstrat A ein Substrat zur Evaluierung ähnlich dem in Fig. 1 gezeigten Verdrahtungs­ substrat A hergestellt durch eine übliche Stapel- und gleich­ zeitige bzw. Ko-Sintertechnik unter Verwendung von Ausgangsma­ teriallagen ("green sheets"), die aufgebaut sind aus Aluminium­ oxidkeramik (wenn die Ausgangsmateriallage gesintert wird, ist der dielektrische Verlustfaktor bei einer Frequenz von 10 GHz gleich 0,0006) und einer mittels Wolfram metallisierten Druck­ farbe ("tungsten metallized ink").First, as a wiring substrate A, a substrate for evaluation similar to the wiring substrate A shown in FIG. 1 was manufactured by a conventional stacking and simultaneous or co-sintering technique using starting material layers ("green sheets") which are composed of Aluminum oxide ceramic (when the starting material layer is sintered, the dielectric loss factor at a frequency of 10 GHz is 0.0006) and a tungsten metallized printing ink ("tungsten metallized ink").

In dem Substrat zur Evaluierung ist kein Hohlraum wie in dem Verdrahtungssubstrat A, das in Fig. 1 gezeigt ist, vorgese­ hen, es ist daran keine Hochfrequenzkomponente gelagert und es sind zwei Mikrostreifenleitungen jeweils mit einem geöffneten bzw. freien Anschlußende für Eingangs- und Ausgangssignale mit­ einander verbunden. Als Beispiel eines Anpassungsabschnittes wurde ein Abschnitt mit einer Struktur aus einer Mikrostreifen­ leitung 5, einem Schlitzloch 13 und einem Anpassungsab­ schnitt 15 gewählt, wie es in den Fig. 1A bis 1C gezeigt ist. Nach dem Sintern wurden metallisierte Oberflächenabschnitte der Oberfläche bzw. der rückseitigen Oberfläche des dielektrischen Substrates einem Plattierungsprozeß unter Verwendung von Nickel und Gold unterzogen.In the substrate for evaluation, there is no cavity as in the wiring substrate A shown in Fig. 1, there is no high frequency component thereon, and there are two microstrip lines each with an open or free terminal end for input and output signals connected to each other. As an example of a matching section, a section having a structure of a microstrip line 5 , a slotted hole 13 and a matching section 15 was selected, as shown in FIGS. 1A to 1C. After sintering, metallized surface portions of the surface or the back surface of the dielectric substrate were subjected to a plating process using nickel and gold.

Die in Fig. 2 gezeigte Verdrahtungsplatte B wurde herge­ stellt unter Verwendung einer Leiterplatte aus Glasepoxidharz FR-4 (der dielektrische Verlustfaktor bei 10 GHz beträgt 0,023). Nachdem die Leiterplatte mittels eines Bohrers mit ei­ ner Öffnung mit einem Querschnitt entsprechend dem Hohlleiter ausgebildet wurde, wurde eine innere Oberfläche der Öffnung ei­ nem Plattierungsprozeß mit Kupfer ausgesetzt, um die Hohllei­ terstruktur zu bilden. Ferner wurden ein Hochfrequenz- Verbindungspad, ein Leistungspad und dgl. auf der Oberfläche bzw. der rückseitigen Oberfläche der gedruckten Leiterplatte ausgebildet, indem Kupferfolie geeignet zugeschnitten wurde ("by patterning copper foil").The wiring board B shown in Fig. 2 was manufactured using a glass epoxy resin circuit board FR-4 (the dielectric loss factor at 10 GHz is 0.023). After the circuit board was formed using a drill having an opening having a cross section corresponding to the waveguide, an inner surface of the opening was subjected to a copper plating process to form the hollow conductor structure. Furthermore, a high-frequency connection pad, a power pad and the like were formed on the surface or the back surface of the printed circuit board by appropriately cutting copper foil ("by patterning copper foil").

Im Rahmen eines Druckverfahrens wurden Zinn, Silber und Kupferlotpaste auf ein Pad der oben genannten gedruckten Lei­ terplatte aufgedruckt, die Verdrahtungsplatte zur Evaluierung wurde daran durch Löten montiert, und zwar durch ein "reflow"- Verfahren, um so eine Probe zur Evaluierung zu erhalten.Tin, silver and Copper solder paste on a pad of the above printed lei printed on the circuit board, the wiring board for evaluation was attached to it by soldering, by a "reflow" - Procedure for obtaining a sample for evaluation.

Zur Messung wurde ein Hohlleiter an die Evaluierungsprobe angeschlossen und es wurde eine Einfügungsdämpfung ("insertion loss") bei einer Frequenz von 76 GHz gemessen, um einen Verbin­ dungsverlust bzw. eine Verbindungsdämpfung von einer Mikrost­ reifenleitung in dem Verdrahtungssubstrat zu der Öffnung des Hohlleiters in der Verdrahtungsplatte zu messen. Im Ergebnis konnte bestätigt werden, daß der Verbindungsverlust bei 76 GHz etwa 0,4 dB betrug, was für die Herstellung eines Moduls prak­ tikabel ist und einen hinreichend kleinen Verlust darstellt. A waveguide was attached to the evaluation sample for measurement connected and an insertion loss ("insertion loss ") measured at a frequency of 76 GHz to connect loss of connection or a connection loss of one micro-grid tire line in the wiring substrate to the opening of the Measure the waveguide in the wiring plate. As a result could be confirmed that the connection loss at 76 GHz was about 0.4 dB, which is practical for the manufacture of a module tikabel and represents a sufficiently small loss.  

Obgleich die vorliegende Erfindung im Detail beschrieben und dargestellt worden ist, versteht sich, daß dies lediglich beispielhaft erfolgte und nicht einschränkend verstanden werden soll, wobei der Schutzbereich durch die beigefügten Ansprüche bestimmt sein soll.Although the present invention is described in detail and has been shown, it is understood that this is only exemplary and not to be understood as limiting is intended to be the scope of protection by the appended claims should be determined.

Claims (19)

1. Verdrahtungssubstrat (A), das ein dielektrisches Substrat (1) mit einer Oberfläche aufweist, auf der eine Hoch­ frequenzkomponente (4) und eine Übertragungsleitung (5, 6) aus­ gebildet sind, dadurch gekennzeichnet, daß
das dielektrische Substrat (1) mit einer Öffnung (8) mit einer vorbestimmten Querschnittsform ausgebildet ist;
ein Hochfrequenz-Verbindungspad (9) vorgesehen ist, das mit einer Leiterschicht um die Öffnung (8) herum beschichtet ist und an einer rückseitigen Oberfläche des dielektrischen Substrates (1) ausgebildet ist;
ein Leistungspad (11) vorgesehen ist, das an der rücksei­ tigen Oberfläche des dielektrischen Substrates (1) ausgebildet und mit einer Leistungsleitung (7) zu verbinden ist, die an der Oberfläche des dielektrischen Substrates (1) ausgebildet ist; und
ein Anpassungsabschnitt (15) in der Öffnung (8) ausgebil­ det ist, um die Übertragungsleitung (5, 6) und eine Hohlleiter­ struktur (22), die mit dem Hochfrequenz-Verbindungspad (9) ver­ bunden ist, durch eine Hochfrequenzkopplung miteinander zu ver­ binden.1. Wiring substrate (A) having a dielectric substrate ( 1 ) with a surface on which a high frequency component ( 4 ) and a transmission line ( 5 , 6 ) are formed, characterized in that
the dielectric substrate ( 1 ) is formed with an opening ( 8 ) having a predetermined cross-sectional shape;
a high-frequency connection pad ( 9 ) is provided, which is coated with a conductor layer around the opening ( 8 ) and is formed on a rear surface of the dielectric substrate ( 1 );
a power pad ( 11 ) is provided which is formed on the rear surface of the dielectric substrate ( 1 ) and is to be connected to a power line ( 7 ) which is formed on the surface of the dielectric substrate ( 1 ); and
a matching section ( 15 ) is formed in the opening ( 8 ) in order to connect the transmission line ( 5 , 6 ) and a waveguide structure ( 22 ), which is connected to the high-frequency connection pad ( 9 ), by a high-frequency coupling tie. 2. Verdrahtungssubstrat nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Hochfrequenz-Verbindungspad (9) mit der Hohlleiterstruktur (22) durch Lotmaterial (30) verbunden ist. 2. Wiring substrate according to claim 1, characterized in that the high-frequency connection pad ( 9 ) with the waveguide structure ( 22 ) is connected by solder material ( 30 ). 3. Verdrahtungssubstrat nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Abdeckung (2) zum hermetischen Abdich­ ten der Hochfrequenzkomponente (4) an der Oberfläche des die­ lektrischen Substrates (1) angebracht ist.3. Wiring substrate according to claim 1 or 2, characterized in that a cover ( 2 ) for hermetically sealing the high-frequency component ( 4 ) is attached to the surface of the dielectric substrate ( 1 ). 4. Verdrahtungssubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterschicht in dem Hochfrequenz-Verbindungspad (9) ausgehöhlt sich nach innen er­ streckend ausgehend von der rückseitigen Oberfläche des dielek­ trischen Substrates (1) ausgebildet ist.4. Wiring substrate according to one of claims 1 to 3, characterized in that the conductor layer in the high-frequency connection pad ( 9 ) hollows out inwardly it is formed extending from the back surface of the dielectric substrate ( 1 ). 5. Verdrahtungssubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß auf der rückseitigen Ober­ fläche des dielektrischen Substrates (1) zwei oder mehr Hoch­ frequenz-Verbindungspads (9) ausgebildet sind.5. Wiring substrate according to one of claims 1 to 4, characterized in that on the rear upper surface of the dielectric substrate ( 1 ) two or more high-frequency connection pads ( 9 ) are formed. 6. Verdrahtungssubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß
die Übertragungsleitung (5, 6) eine Mikrostreifenleitung (5, 6) ist; und
der Anpassungsabschnitt (15) eine Mikrostreifenleitung (5, 6), die ein freies Abschlußende (5a) aufweist, ein Schlitzloch (13), das in einer Erdungsschicht (6) der Mikrostreifenleitung (5, 6) ausgebildet ist, und ein dielektrisches Material auf­ weist, das unterhalb des Schlitzloches (13) vorgesehen ist.6. Wiring substrate according to one of claims 1 to 5, characterized in that
the transmission line ( 5 , 6 ) is a microstrip line ( 5 , 6 ); and
the matching section (15) comprises a microstrip line (5, 6) having a free terminal end (5 a), a slit hole (13) formed in a ground layer (6) of the microstrip line (5, 6), and a dielectric material has, which is provided below the slot hole ( 13 ). 7. Verdrahtungssubstrat nach Anspruch 6, dadurch ge­ kennzeichnet, daß
das Schlitzloch (13) in der Mitte der Öffnung (8) des Hochfrequenz-Verbindungspads (9) ausgebildet ist;
ein vertikaler Leiter (14) zum Verbinden der Erdungs­ schicht (6) und des Hochfrequenz-Verbindungspads (9) entlang der Öffnung (8) ausgebildet ist; und
der Anpassungsabschnitt (15) in einem Bereich ausgebildet ist, der von dem vertikalen Leiter (14) umschlossen ist.7. Wiring substrate according to claim 6, characterized in that
the slot hole ( 13 ) is formed in the center of the opening ( 8 ) of the high-frequency connection pad ( 9 );
a vertical conductor ( 14 ) for connecting the ground layer ( 6 ) and the high-frequency connection pad ( 9 ) along the opening ( 8 ) is formed; and
the adaptation section ( 15 ) is formed in an area which is enclosed by the vertical conductor ( 14 ). 8. Verdrahtungssubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das dielektrische Substrat (1) aus Keramikmaterial aufgebaut ist.8. Wiring substrate according to one of claims 1 to 7, characterized in that the dielectric substrate ( 1 ) is constructed from ceramic material. 9. Verdrahtungssubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Verdrahtungssubstrat (A) an einer vorbestimmten Verdrahtungsplatte (B) montiert ist, in­ dem die Hochfrequenz- und Leistungspads (9, 11) mit der Ver­ drahtungsplatte (B) durch Lotmaterial (30) verbunden werden.9. Wiring substrate according to one of claims 1 to 8, characterized in that the wiring substrate (A) is mounted on a predetermined wiring board (B) in which the high-frequency and power pads ( 9 , 11 ) with the wiring board (B) by Solder material ( 30 ) are connected. 10. Verdrahtungsplatte (B), gekennzeichnet durch:
eine dielektrischen Platte (21);
eine Hohlleiterstruktur (22), die die dielektrische Platte (21) ausgehend von einer Oberfläche der Platte (21) bis hin zu deren rückseitiger Oberfläche durchdringt, wobei die Hohllei­ terstruktur (22) eine Öffnung mit einer vorbestimmten Quer­ schnittsform aufweist und die Innenwand der Hohlleiterstruktur mit einem Leiter beschichtet ist; und
ein Hochfrequenz-Verbindungspad (23), das an der Oberflä­ che der dielektrischen Platte (21) um die Hohlleiterstruktur (22) herum vorgesehen ist.10. Wiring plate (B), characterized by:
a dielectric plate ( 21 );
a waveguide structure ( 22 ) which penetrates the dielectric plate ( 21 ) from a surface of the plate ( 21 ) to the rear surface thereof, the waveguide structure ( 22 ) having an opening with a predetermined cross-sectional shape and the inner wall of the waveguide structure is coated with a conductor; and
a high-frequency connection pad ( 23 ) which is provided on the surface of the dielectric plate ( 21 ) around the waveguide structure ( 22 ). 11. Montagestruktur für ein Verdrahtungssubstrat, bei der ein Verdrahtungssubstrat (A) auf einer Oberfläche einer Verdrahtungsplatte (B) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß
die Verdrahtungsplatte (B) eine Hohlleiterstruktur (22) aufweist, die eine dielektrische Platte (21) von ihrer Oberflä­ che bis hin zu ihrer rückseitigen Oberfläche durchdringt, wobei die Hohlleiterstruktur (22) eine Öffnung mit einer vorbestimm­ ten Querschnittsform aufweist und ihre Innenwand mit einem Lei­ ter beschichtet ist, und ein Hochfrequenz-Verbindungspad (23) aufweist, das um die Hohlleiterstruktur (22) herum an der Ober­ fläche der dielektrischen Platte (B) vorgesehen ist;
das Verdrahtungssubstrat (A) ein dielektrisches Substrat (1) aufweist, auf dessen Oberfläche eine Hochfrequenzkomponente (4) und eine Übertragungsleitung (5, 6) ausgebildet sind, wobei das dielektrische Substrat (1) mit einer Öffnung (8) einer vor­ bestimmten Querschnittsform ausgebildet ist, wobei ein Hochfre­ quenz-Verbindungspad (9) an einer rückseitigen Oberfläche des dielektrischen Substrates (1) um die Öffnung (8) herum ausge­ bildet ist, und wobei ein Anpassungsabschnitt (15) in der Öff­ nung (8) ausgebildet ist, zum Hochfrequenzkoppeln der Übertra­ gungsleitung (5, 6) und der Hohlleiterstruktur (22) miteinan­ der, und
das Hochfrequenz-Verbindungspad (9) an dem Verdrahtungs­ substrat (A) und das Hochfrequenz-Verbindungspad (23) an der Verdrahtungsplatte (B) miteinander verbunden sind.11. Mounting structure for a wiring substrate, in which a wiring substrate (A) is arranged on a surface of a wiring board (B), characterized in that
the wiring plate (B) has a waveguide structure ( 22 ) which penetrates a dielectric plate ( 21 ) from its surface to its rear surface, the waveguide structure ( 22 ) having an opening with a predetermined cross-sectional shape and its inner wall with a Lei ter is coated, and has a high-frequency connection pad ( 23 ) which is provided around the waveguide structure ( 22 ) around the upper surface of the dielectric plate (B);
the wiring substrate (A) has a dielectric substrate ( 1 ), on the surface of which a high-frequency component ( 4 ) and a transmission line ( 5 , 6 ) are formed, the dielectric substrate ( 1 ) being formed with an opening ( 8 ) of a predetermined cross-sectional shape , wherein a Hochfre-frequency connection pad forms (9) being on a rear surface of the dielectric substrate (1) around the opening (8) around, and wherein a fitting portion (15) voltage in the Publ is formed (8), for High-frequency coupling of the transmission line ( 5 , 6 ) and the waveguide structure ( 22 ) with each other, and
the high-frequency connection pad ( 9 ) on the wiring substrate (A) and the high-frequency connection pad ( 23 ) on the wiring board (B) are interconnected. 12. Montagestruktur nach Anspruch 11, dadurch gekenn­ zeichnet, daß
das dielektrische Substrat (1) in dem Verdrahtungssubstrat (A) aus einem keramischen Isoliermaterial aufgebaut ist; und
die dielektrische Platte (21) in der Verdrahtungsplatte (B) aus einem isolierenden Material mit einem organischen Harz aufgebaut ist.12. Mounting structure according to claim 11, characterized in that
the dielectric substrate ( 1 ) in the wiring substrate (A) is made of a ceramic insulating material; and
the dielectric board ( 21 ) in the wiring board (B) is made of an insulating material with an organic resin. 13. Montagestruktur nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Hochfrequenzkomponente (4) an dem Verdrahtungs­ substrat (A) gelagert ist; und
eine Niederfrequenzkomponente an der Verdrahtungsplatte (B) gelagert ist.13. Mounting structure according to claim 11 or 12, characterized in that
a high-frequency component ( 4 ) is mounted on the wiring substrate (A); and
a low frequency component is mounted on the wiring board (B). 14. Montagestruktur nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß eine Leiterschicht mit derselben Öffnungsform wie die Öffnungsform eines Hohlleiters (C) an ei­ ner rückseitigen Oberfläche der Verdrahtungsplatte (B) ausge­ bildet ist.14. Mounting structure according to one of claims 11 to 13, characterized in that a conductor layer with the same Opening shape like the opening shape of a waveguide (C) on egg ner rear surface of the wiring board (B) out forms is. 15. Montagestruktur nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrische Platte (21) in der Verdrahtungsplatte (B) mit einem Schraubenloch (27) ausge­ bildet ist, zum Anschrauben einer externen Schaltung.15. Mounting structure according to one of claims 11 to 14, characterized in that the dielectric plate ( 21 ) in the wiring plate (B) with a screw hole ( 27 ) is formed for screwing an external circuit. 16. Montagestruktur nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Differenz des thermischen Aus­ dehnungskoeffizienten bei Raumtemperatur auf eine Temperatur von 300°C zwischen dem dielektrischen Substrat (1) in dem Ver­ drahtungssubstrat (A) und der dielektrischen Platte (21) in der Verdrahtungsplatte (B) nicht größer ist als 10 × 10-6/K.16. Mounting structure according to one of claims 11 to 15, characterized in that the difference of the thermal expansion coefficient from room temperature to a temperature of 300 ° C between the dielectric substrate ( 1 ) in the Ver wiring substrate (A) and the dielectric plate ( 21st ) in the wiring board (B) is not larger than 10 × 10 -6 / K. 17. Montagestruktur nach einem der Ansprüche 11 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß ein Hochfrequenzsignal über die Hohlleiterstruktur (22) in der Verdrahtungsplatte (B) zu einer externen Schaltung mit einem Hohlleiterport übertragen wird.17. Mounting structure according to one of claims 11 to 16, characterized in that a high-frequency signal is transmitted via the waveguide structure ( 22 ) in the wiring board (B) to an external circuit with a waveguide port. 18. Montagestruktur nach einem der Ansprüche 11 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß an der rückseitigen Oberfläche der Verdrahtungsplatte (B) ein weiteres Verdrahtungssubstrat (A3) montiert ist.18. Mounting structure according to one of claims 11 to 17, characterized in that on the rear surface of the Wiring board (B) another wiring substrate (A3) is mounted. 19. Montagestruktur (A1-A3, B) für ein Verdrahtungs­ substrat, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Vielzahl von Verdrahtungssubstraten (A1, A2), an de­ nen jeweils Hochfrequenzkomponenten (4) gelagert sind, an einer Oberfläche einer Verdrahtungsplatte (B) montiert sind, und ein weiteres Verdrahtungssubstrat (A3) an einer rückseitigen Ober­ fläche der Verdrahtungsplatte (B) montiert ist;
die Verdrahtungsplatte (B) wenigstens zwei Hohlleiter­ strukturen (22b, 22c) aufweist, die jeweils eine dielektrische Platte (21) von deren Oberfläche zu deren rückseitiger Oberflä­ che durchdringen, wobei die Hohlleiterstrukturen (22b, 22c) je­ weils eine Öffnung mit einer vorbestimmten Querschnittsform aufweisen und ihre Innenwand jeweils mit einem Leiter beschich­ tet ist, und Hochfrequenz-Verbindungspads (23, 24) aufweist, die jeweils an der Oberfläche und der rückseitigen Oberfläche der dielektrischen Platte (21) um die Hohlleiterstrukturen (22b, 22c) herum vorgesehen sind,
jedes der Verdrahtungssubstrate (A1, A2), die an der Ober­ fläche der Verdrahtungsplatte (B) montiert sind, ein dielektri­ sches Substrat (1) aufweist, an dessen Oberfläche eine Hochfre­ quenzkomponente (4) und eine Übertragungsleitung (5, 6) ausge­ bildet sind, wobei das dielektrische Substrat (1) mit einer Öffnung (8) einer vorbestimmten Querschnittsform ausgebildet ist, wobei ein Hochfrequenz-Verbindungspad (9), das mit einer Leiterschicht um die Öffnung (8) herum beschichtet ist, an ei­ ner rückseitigen Oberfläche des dielektrischen Substrates (1) ausgebildet ist, und wobei ein Anpassungsabschnitt (15) in der Öffnung (8) ausgebildet ist, zum Hochfrequenzkoppeln der Über­ tragungsleitung (5, 6) und der Hohlleiterstruktur (22b, 22c) miteinander; und
das Verdrahtungssubstrat (A3), das an der rückseitigen Oberfläche der Verdrahtungsplatte (B) montiert ist, ein dielek­ trisches Substrat (1) aufweist, an dem eine Übertragungsleitung (5, 6) ausgebildet ist, wobei das dielektrische Substrat (1) mit zwei Öffnungen (8) einer vorbestimmten Querschnittsform ausgebildet ist, wobei jeweilige Hochfrequenz-Verbindungspads (9), die mit einer Leiterschicht um die jeweilige Öffnung (8) herum beschichtet sind, an der Oberfläche des dielektrischen Substrates (1) ausgebildet sind, und ein Anpassungsabschnitt (15) in jeder der Öffnungen (8) vorgesehen ist, zum Hochfre­ quenzkoppeln der Übertragungsleitung (5, 6) und der jeweiligen Hohlleiterstruktur (22b, 22c) miteinander; und
die Öffnungen (8) der Verdrahtungssubstrate (A1, A2), die an der Oberfläche der Verdrahtungsplatte (B) montiert sind, mit den zwei Hohlleiterstrukturen (22b, 22a) an der Oberfläche der Verdrahtungsplatte (B) jeweils gekoppelt sind, und wobei die Öffnungen (8) des Verdrahtungssubstrates (A3), das an der rück­ seitigen Oberfläche der Verdrahtungsplatte (B) montiert ist, mit den zwei Hohlleiterstrukturen (22b, 22a) an der rückseiti­ gen Oberfläche der Verdrahtungsplatte (B) gekoppelt sind.19. Mounting structure (A1-A3, B) for a wiring substrate, characterized in that
a plurality of wiring substrates (A1, A2), on each of which high-frequency components ( 4 ) are mounted, are mounted on a surface of a wiring board (B), and a further wiring substrate (A3) is mounted on a rear surface of the wiring board (B) is;
the wiring board (B) has at least two waveguide structures ( 22 b, 22 c), each of which penetrates a dielectric plate ( 21 ) from its surface to the rear surface thereof, the waveguide structures ( 22 b, 22 c) each having an opening have a predetermined cross-sectional shape and their inner wall is each coated with a conductor and high-frequency connection pads ( 23 , 24 ), each on the surface and the rear surface of the dielectric plate ( 21 ) around the waveguide structures ( 22 b, 22 c) are provided around
each of the wiring substrates (A1, A2), which are mounted on the upper surface of the wiring board (B), has a dielectric substrate ( 1 ), on the surface of which a high-frequency component ( 4 ) and a transmission line ( 5 , 6 ) are formed wherein the dielectric substrate ( 1 ) is formed with an opening ( 8 ) of a predetermined cross-sectional shape, wherein a high-frequency connection pad ( 9 ) coated with a conductor layer around the opening ( 8 ) on a rear surface of the dielectric substrate ( 1 ) is formed, and wherein an adaptation section ( 15 ) is formed in the opening ( 8 ) for high-frequency coupling of the transmission line ( 5 , 6 ) and the waveguide structure ( 22 b, 22 c) to one another; and
the wiring substrate (A3) mounted on the back surface of the wiring board (B) has a dielectric substrate ( 1 ) on which a transmission line ( 5 , 6 ) is formed, the dielectric substrate ( 1 ) having two openings ( 8 ) of a predetermined cross-sectional shape, wherein respective high-frequency connection pads ( 9 ) coated with a conductor layer around the respective opening ( 8 ) are formed on the surface of the dielectric substrate ( 1 ), and an adaptation section ( 15 ) is provided in each of the openings ( 8 ) for Hochfre frequency coupling the transmission line ( 5 , 6 ) and the respective waveguide structure ( 22 b, 22 c) with each other; and
the openings ( 8 ) of the wiring substrates (A1, A2), which are mounted on the surface of the wiring board (B), are coupled to the two waveguide structures ( 22 b, 22 a) on the surface of the wiring board (B), and wherein the openings ( 8 ) of the wiring substrate (A3), which is mounted on the rear surface of the wiring board (B), are coupled to the two waveguide structures ( 22 b, 22 a) on the rear surface of the wiring board (B).
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