CN1910903B - 图像传感器 - Google Patents

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Abstract

一种图像传感器，具有多个像素，各个像素具有光电二极管(12)、增益幅度大于1的电压放大器(16)和由该电压放大器充电的采样电容器(18)。按照这种方案，各个像素通过电压放大给出增益。这使得采样电容器能够得以保持为较低的尺寸，从而使得像素电路占用最小的可能空间，由此使得大孔径的像素能够得以形成。在电压放大器的输入端设置有源极跟随器缓冲晶体管(49)。这克服了由电压放大器的输出晶体管的寄生电容造成的电荷共享的影响。

Description

图像传感器
技术领域
本发明涉及图像传感器，具体来说是具有图像感测像素的图像传感器，例如用作固态X射线成像装置的图像传感器。
背景技术
在开发固态X射线成像装置来代替当前医院中使用的图像增强器方面有着浓厚的兴趣。
已经提出了各种不同的像素结构，其中各个像素包括诸如光电二极管之类的光敏元件和至少一个开关装置。例如，一种已知的像素设计包括单独一个薄膜晶体管(TFT)和光电二极管。在曝光周期期间，使TFT截止，从而将光电二极管隔离。入射光造成少数载流子流得以产生，这一少数载流子流造成二极管的寄生固有电容放电。在下一次读出期间，二极管的电容得到重置并且由放大器检测电荷的变化。
还提出了提供像素内增益来改善图像传感器像素的信号噪声比。这在平面动态X射线检测(FDXD)中尤其令人满意。在引入额外的电噪声之前，进行像素内(in-pixel)放大。
实现像素内增益的一种途径是将额外的存储/采样电容包含在像素结构内，其中存储在采样电容器上的电荷大于由光电二极管产生的电荷。于是可由读出放大器测量采样电容器电荷。
WO01/57554公开了一种像素结构，其中将像素光电二极管两端的电压(代表亮度电平)提供给源极跟踪器电路结构，该源极跟踪器电路结构起单位增益电压缓存器的作用。输出电压为采样电容器充电，并且像素的增益取决于采样电容器的电容值与像素电容值之比。该电路按照所谓的“双相关采样”(DCS)的原理进行工作。双采样的办法消除了因重置采样电容器而引起的噪声并且尤其合乎低噪声放大器的要求。DCS牵涉到对与传感器元件的重置条件相应的采样电容器两端的电压进行采样，从而电荷向采样电容器的后续流动代表传感器元件两端的电压的变化，而并不取决于传感器元件的重置状态。
虽然这一电路发挥了良好的作用，但是这种办法的一个问题是，采样电容器需要占用一定的面积，这可能会限制能够到达的可能分辨率。不过，存在着在低噪声的前提下提供像素增益的需求。
本发明人已经提出了在像素电路内提供电压放大。这使得较小的采样电容器能够得以使用。
不过，由于米勒(Miller)效应，出现了与使用电压放大器电路相关联的问题。具体来说，电压放大器的输入阻抗造成部分输入电荷要在输入存储电容与驱动晶体管的寄生栅-源电容之间分享。米勒效应有增大这一阶段的表观寄生电容的趋势。
发明内容
按照本发明，给出了一种包括多个像素的图像传感器，各个像素包括：
光传感器元件，该元件两端的传感器电压随入射在该元件(12)上的光变化；
电压放大器，具有大于1的增益幅度；和
采样电容器，由电压放大器充电，
其中电压放大器包括串联连接的第一和第二晶体管，对该电压放大器的输入是提供给第一晶体管的栅极的，并且输出端由第一和第二晶体管之间的接点限定，
并且其中各个像素此外还包括第三晶体管，该第三晶体管的栅极与光传感器元件的一个端子连接，并且第三晶体管的源极与第一晶体管的栅极连接。
按照这种方案，各个像素通过电压放大给出增益。这使得采样电容器能够得以保持为较低的尺寸，从而使得像素电路占用最小的可能空间，由此使得大孔径的像素能够得以形成。两个串联连接的晶体管的放大器结构利用了要使源极-漏极电流相等的要求来提供栅极-源极电压信号的电压放大。第三晶体管充当信号放大之前的缓冲器，并且这克服了由电压放大器的第一晶体管的寄生电容造成的电荷共享的影响。
虽然光传感器元件的自身电容可能足以暂时存储光电二极管电压，但是各个像素最好此外还包括与光传感器元件相连的像素存储电容器。采样电容器的电容小于像素存储电容器的电容的10倍，优选小于像素存储电容器的电容的2倍，并且可以等于像素存储电容器的电容。
这样，可以使采样电容器的尺寸保持为最小。
采样电容器的电容可以处于0.5pF到3pF的范围内，并且光传感器的自身电容或像素存储电容器的电容也可以处于0.5pF到3pF的范围内。电压放大器的增益幅度可以处于2到5的范围内。
电压放大器的输出端最好与采样电容器的一个端子相连，采样电容器的另一个端子通过输出开关与像素输出端相连。这一输出开关可以同时用于将对电荷敏感的放大器连接到输出端和用于重置操作。各个像素优选此外还包括用于将固定电位施加在光传感器元件两端的输入开关。
本发明还给出了一种测量要使用多个各自构成图像传感器的像素的光传感器元件加以检测的图像的光强度的方法，这些元件两端的传感器电压随入射在这些元件上的光变化，该方法包括：
通过源极跟随器缓冲晶体管向像素内电压放大器提供传感器电压；
使用增益幅度大于1的像素内电压放大器放大由源极跟随器缓冲晶体管提供的电压；
用经过放大的电压对采样电容器进行充电，并且测量对采样电容器进行充电所需的电荷流量。
优选地，在放大由源极跟随器缓冲晶体管提供的电压之前执行重置操作，该重置操作包括将已知电位施加给采样电容器的一个端子并且将已知电位施加在传感器元件两端，随后将经过放大的电压施加给采样电容器的另一个端子。
这一重置操作对与重置像素相应的电压放大器的输出进行采样，能够实现双相关采样。
附图说明
现在将参照附图并且按照附图中所示、以举例的方式介绍本发明的实例，其中：
附图1示意性表示用在由本申请人提出的图像传感器中的像素结构；
附图2更加详细地表示附图1的像素电路的实现方式；
附图3表示本发明的第一种像素电路；
附图4表示用于解释说明附图3的电路的工作过程的时序图；
附图5表示本发明的第二种像素电路；
附图6表示本发明的第三种像素电路；和
附图7表示本发明的图像传感器。
具体实施方式
附图1以示意图的形式表示本发明人提出的供固态图像传感器中使用的像素结构。
像素10包括光传感器元件12，该元件具有光电二极管的形式。
光电二极管信号具有取决于光输入并且在限定时间(采样时间)内流动的电流的形式。所要检测的信号因此是流动电荷，该流动电荷是少数载流子流，该少数载流子流使光电二极管的固有电容在受照射期间放电。由像素电容器14将这一电荷流转换成电压。
光电二极管两端的电压因此随入射在该光电二极管上的光而变化。在下面的例子中，像素电容器14是独立于光电二极管的组成部分，但是光电二极管的固有电容能够实现同样的功能。
在附图1中，像素电容器14连接在光电二极管输出端(阴极)与地之间。代替地，可以将像素电容器与光电二极管并联。各个像素的光电二极管的阳极与电压馈电线15相连。
由像素内放大器16按照增益G对光电二极管给出的电压Vin进行放大，从而将处于放大器输出端的采样电容器18充电到比光电二极管电压高的电压。结果，需要更大的电荷流，并且测量这一电荷流，作为像素的输出。
如果采样电容器18具有与像素电容器14相同的电容值，则像素的增益为G，并且不存在电荷增益。不过，采样电容器18可以大于像素电容器14，从而该电路能够实现电压放大以及电荷增益。
这一电路能够使采样电容器的尺寸得到减小，从而像素电路的组成部分能够占用较小的空间，故而提高了像素的光学孔径。
在像素的输入端设置有重置输入开关20，并且这使得重置电压Vreset能够在读出周期之间得以施加给光电二极管和像素电容器，以重置光电二极管。输出开关22使得输出端能够与对电荷敏感的放大器相连，并且还使得重置采样操作能够如下面进一步介绍的那样进行。
在曝光时段之前，通过闭合重置输入开关20使重置操作得以执行。这导致光电二极管得以充电到已知电压。然后通过闭合输出开关22来将采样电容器的输出板充电到固定电位(典型地为0V)，使出现在放大器16输出端的电压得到采样。这样，与重置状态下像素的采样信号相应的输出电压得以保持在采样电容器的两端上。然后断开输出开关22以及输入开关20，并且使像素受到照射。
像素电容器14保持结果得到的光电二极管/像素电容器电压，并且由放大器16对此进行放大。由于没有到采样电容器22输出板的电荷路径，因此这个板上的电压随着放大器的输出电压上升。在照射完成之后，闭合输出开关22并且测量电荷流，以将采样电容器的输出板还原到0V(即，还原到在初始重置操作期间施加到采样电容器上的同一电压)。这样，所测得的电荷与重置操作造成的电压无关，并且这样就实现了双相关采样。
附图2更加详细地示出了附图1的像素电路的第一种NMOS实现方案，并且该电路可以使用非晶硅晶体管实现。对相同的组成部分使用与附图1中相同的附图标记。
将输入开关20实现为输入TFT(薄膜晶体管)30，其栅极与重置输入控制线32相连。将输出开关22实现为输出TFT 34，其栅极与输出控制线36相连。将放大器16实现为第一和第二NMOS晶体管38、40，它们串联连接在电压馈电线15和地之间。
当放大器工作时，由输出开关22将采样电容器隔离，从而将流过这两个晶体管的电流约束为相等。经过晶体管40的电流是输入电压的函数，该输入电压是栅极-源极电压。类似地，经过晶体管38的电流是输出电压Vout的函数，因为输出Vout与固定电压偏置44之间的电压限定了晶体管38的栅极-源极电压。这样，当输出电压达到了与两个晶体管的源极-漏极电流相匹配的程度的时候，放大器达到稳定。
通过适当设计两个晶体管38、40，为了实现源极-漏极电流的变化相同，通过要求晶体管38的栅极-源极电压中的变化比晶体管40所要求的栅极-源极电压中的变化更大，使该放大器提供了电压增益。各个晶体管38的漏极与固定电压馈电线15相连。
可以使晶体管38的栅极44与电源线15相连，从而使得栅极和漏极连接在一起。这种晶体管38的二极管连接给出了二极管加载的放大器结构。
放大器是倒相的，并且所给出的增益可以处于1.5到10的范围之内，优选处于2到5的范围之内。放大器部分的增益基本上是两个TFT的跨导(gm)的比值的平方根。该跨导与TFT沟道的宽长比成比例，并且因此能够通过选择晶体管沟道的大小和形状来加以控制。例如，对于上TFT宽度为5μm、下TFT宽度为100μm(二者长度都为5μm)的放大器，宽度比为20。这与跨导gm直接(在第一近似值中)相关，所以增益为大约4.5。实际上，TFT实际上在理想饱和区中并不起作用，所以增益略有不同。
对于饱和区中(或接近饱和区)的操作，必须要对TFT进行适当的偏置。栅极电压越高，流过放大器的DC偏置电流越大。这加速了像素的动作。不过，它还有减小放大器的有效范围的趋势，所以减小了动态范围。
放大器的具体实现方式以及针对适当操作的偏置条件是本领域技术人员的公知常识。
光传感器元件与晶体管之一40的栅极连接，并且偏置电压44与另一晶体管38的栅极相连，将电压放大器的输出规定在第一和第二晶体管之间的连线上。
这一电路的问题是，输入电荷的一部分是输入存储电容14与放大器晶体管40的寄生栅极-源极电容间共用的。米勒(Miller)效应有增大这一级的表观寄生电容的趋势，尤其是因为放大器是倒相的。
附图3表示本发明的像素电路。本发明给出了对进入放大器TFT 40的信号电压进行缓冲。额外的源极跟随器晶体管对进入放大器晶体管的输入信号进行缓冲。
附图3的像素电路使用与附图2的电路相同的附图标记。将额外的源极跟随器晶体管表示为49。这个晶体管充当进入放大器晶体管40栅极的源极跟随器。放大器晶体管40的栅极因此有达到一个低于源极跟随器晶体管49的栅极电压的阈值电压的倾向。
使源极跟随器晶体管49的源极与放大器晶体管40的栅极相连接，并且将输入电压提供给源极跟随器晶体管49的栅极。源极跟随器晶体管的漏极与电源线15相连接。这限定出了非倒相单一增益缓冲级。
额外的源极跟随器晶体管49仅仅激励放大器TFT 40的栅极电容，并且在读出过程中不会受到干扰，所以可以将它的尺寸制作得很小。这大大减小了寄生电容的大小对输入存储电容14的影响。由于额外的源极跟随器晶体管49是非倒相的并且没有增益，因此米勒效应可以忽略不计。放大器TFT 40的比较大的米勒电容不再影响电路的工作，因为该缓冲器电压激励放大器的输入，从而缓冲器归还了丢失的电荷。
附图4表示用来解释说明附图3的电路的工作过程的时序图。
曲线50表示曝光时段，在该曝光时段期间，像素电容器上的电压随输入电压变化。在曝光时段期间，输入和输出开关都是断开的。
曲线52表示输出开关22的工作过程并且代表施加给输出控制线36的信号。曲线54表示重置输入开关20的操作过程并且代表施加给重置输入控制线32的信号。曲线56表示与输出端相连的电荷测量电路的操作过程。
所有像素都是同时得到照射的，并且随后按行读出。因此，各个曲线52、54、56可以依次适用于像素阵列的不同行。
当要读取存储在像素行中的信号的时候，首先闭合各个像素列的输出开关，并且相应的对电荷敏感的放大器于是对采样电容器18进行充电或放电，直到输出板上的电压等于对电荷敏感的放大器的电压。将此表示为曲线56。对电荷敏感的放大器具有虚接地输入端，从而它将电容器输出板保持为0V，同时放大器维持经过放大的输出电压，因为输入到放大器的电压得到了像素电容器14的保持。对电荷的流量进行测量，并且该电荷流量代表了光电二极管两端的电压的变化。
可以使各个列与对电荷敏感的放大器相关联，从而使得所有的像素列一行一行地同时得到读取。不过，可以使用多路复用方案来减少所需要的对电荷敏感的放大器的数量。
在电荷测量操作的最后，由曲线54的脉冲重置光电二极管。这个脉冲将固定电压施加在光电二极管的两端。由于输出开关22保持闭合，因此可以在采样电容器的两端存储电荷，从而有效地采样到重置噪声，并且这样就实现了双相关采样。
然后重置脉冲结束，短时之后输出开关断开，为下一个照射时段做好准备。
重置开关可以并联连接与输入开关20同步工作的采样电容器18，以帮助采样电容器在电荷测量周期之后进行放电。在这种情况下，此时优选断开输出开关，如曲线52中的虚线所示。
附图5表示附图3的像素电路的第二种实现方式，这种实现方式是CMOS(多晶硅)实现方式。附图5与附图3之间唯一的差别是，将晶体管38实现为PMOS晶体管，同时将其源极和栅极连接在一起。
附图6表示对附图3的像素电路的改造，其中电流源58提供源极跟随器晶体管49的偏置。如果要使像素电路在高速下工作，就可以使用这种电路。
附图7表示公知的X射线检查设备，该设备包括用于借助X射线束64照射检查对象62(例如要进行放射检查的病人)的X射线源60。由于病人体内对X射线的吸收存在局部差异，因此在X射线检测器68的对X射线敏感的表面66上形成了X射线图案。
我们知道可以使用固态光学图像传感器作为X射线检测器68。使用磷闪烁体66将入射X射线辐射转换为光。这个光可由固态装置68检测。按照另外一种可选方案，可以使用对X射线敏感的光电导体来直接将X射线转换成电子。
本发明的像素设计适合用在固态光学图像传感器中。
各种不同的修改方式对本领域技术人员来说是显而易见的。

Claims (19)

1.一种图像传感器，包括多个像素，各个像素包括：
光传感器元件(12)，该元件两端的传感器电压随入射在该元件(12)上的光变化；
电压放大器(16)，具有大于1的增益幅度；和
采样电容器(18)，由电压放大器充电，
其中电压放大器包括串联连接的第一(40)和第二(38)晶体管，对该电压放大器的输入是提供给第一晶体管(40)的栅极的，并且输出由第一和第二晶体管(40，38)之间的接点限定，
并且其中各个像素此外还包括第三晶体管(49)，该第三晶体管的栅极与光传感器元件(12)的一个端子连接，并且第三晶体管(49)的源极与第一晶体管(40)的栅极连接。
2.按照权利要求1所述的图像传感器，其中各个像素此外还包括与光传感器元件(12)相连的像素存储电容器(14)。
3.按照权利要求2所述的图像传感器，其中采样电容器(18)的电容小于像素存储电容器(14)的电容的10倍。
4.按照权利要求3所述的图像传感器，其中采样电容器(18)的电容小于像素存储电容器(14)的电容的2倍。
5.按照权利要求4所述的图像传感器，其中采样电容器(18)的电容近似等于像素存储电容器(14)的电容。
6.按照权利要求3、4或5所述的图像传感器，其中采样电容器(18)的电容处于0.5pF到3pF的范围内，并且像素存储电容器(14)的电容处于0.5pF到3pF的范围内。
7.按照权利要求1所述的图像传感器，其中采样电容器(18)的电容小于光传感器元件(12)的自身电容的10倍。
8.按照权利要求7所述的图像传感器，其中采样电容器(18)的电容小于光传感器元件(12)的自身电容的2倍。
9.按照权利要求7或8所述的图像传感器，其中采样电容器(18)的电容处于0.5pF到3pF的范围内，并且光传感器(12)的自身电容处于0.5pF到3pF的范围内。
10.按照权利要求1所述的图像传感器，其中电压放大器(16)的增益幅度处于2到5的范围内。 
11.按照权利要求1所述的图像传感器，其中偏置电压(44)与第二晶体管(38)的栅极相连。
12.按照权利要求11所述的图像传感器，其中电压放大器(16)的输出端与采样电容器(18)的一个端子相连，采样电容器(18)的另一个端子通过输出开关(22；34)与像素输出端相连。
13.按照权利要求1所述的图像传感器，其中各个像素此外还包括用于将固定电位(Vreset)施加在光传感器元件两端的输入开关(20；30)。
14.一种测量要使用多个各自构成图像传感器的像素的光传感器元件(12)加以检测的图像的光强度的方法，这些元件两端的传感器电压(Vin)随入射在这些元件上的光变化，该方法包括：
通过源极跟随器缓冲晶体管向像素内电压放大器提供传感器电压(Vin)；
使用增益幅度大于1的像素内电压放大器(16)放大由源极跟随器缓冲晶体管提供的电压；
用经过放大的电压(Vout)对采样电容器(18)进行充电，并且测量对采样电容器(18)进行充电所需的电荷流量。
15.按照权利要求14所述的方法，其中在放大由源极跟随器缓冲晶体管提供的电压之前执行重置操作，该重置操作包括将已知电位施加给采样电容器(18)的一个端子并且将固定电位(Vreset)施加在传感器元件两端，随后将经过放大的电压(Vout)施加给采样电容器(18)的另一个端子。
16.按照权利要求14或15所述的方法，其中采样电容器(18)的电容小于像素的像素存储电容器(14)的电容的10倍。
17.按照权利要求16所述的方法，其中采样电容器(18)的电容小于像素存储电容器(14)的电容的2倍。
18.按照权利要求17所述的方法，其中采样电容器(18)的电容近似等于像素存储电容器(14)的电容。
19.按照权利要求14所述的方法，其中电压放大器(16)的增益幅度处于2到5的范围之内。 
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5131508B2 (ja) * 2005-11-14 2013-01-30 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 受光回路
JP2008072324A (ja) 2006-09-13 2008-03-27 Rohm Co Ltd イメージセンサ、モジュール、および、電子機器
US8798484B2 (en) * 2012-02-16 2014-08-05 International Business Machines Corporation Optical receiver using infinite impulse response decision feedback equalization
CN102695009B (zh) * 2012-05-29 2014-10-22 昆山锐芯微电子有限公司 图像传感器的增益转换映射方法和装置
EP2924979B1 (en) * 2014-03-25 2023-01-18 IMEC vzw Improvements in or relating to imaging sensors
JP6960831B2 (ja) * 2017-11-17 2021-11-05 エイブリック株式会社 センサ装置
US11050956B2 (en) * 2019-03-29 2021-06-29 Pixart Imaging Inc. Image sensor and method for increasing signal-noise-ratio thereof
CN113035894B (zh) * 2021-03-03 2024-05-14 京东方科技集团股份有限公司 图像传感器及其制作方法、显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4540952A (en) * 1981-09-08 1985-09-10 At&T Bell Laboratories Nonintegrating receiver
WO2001057554A2 (en) * 2000-02-02 2001-08-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sensor and method of operating the sensor
US6417504B1 (en) * 2000-09-29 2002-07-09 Innovative Technology Licensing, Llc Compact ultra-low noise high-bandwidth pixel amplifier for single-photon readout of photodetectors
CN1387264A (zh) * 2001-05-18 2002-12-25 佳能株式会社 摄像装置
US6538245B1 (en) * 2000-10-26 2003-03-25 Rockwell Science Center, Llc. Amplified CMOS transducer for single photon read-out of photodetectors

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6182585A (ja) * 1984-09-29 1986-04-26 Toshiba Corp イメ−ジセンサ
JP2586393B2 (ja) * 1993-12-08 1997-02-26 日本電気株式会社 固体撮像素子の信号処理回路
JP3877360B2 (ja) * 1996-10-31 2007-02-07 オリンパス株式会社 固体撮像装置
EP0928103A3 (en) * 1997-12-31 2000-08-02 Texas Instruments Incorporated CMOS imaging sensors
JPH11307756A (ja) * 1998-02-20 1999-11-05 Canon Inc 光電変換装置および放射線読取装置
GB2367945B (en) 2000-08-16 2004-10-20 Secr Defence Photodetector circuit
JP4025586B2 (ja) * 2002-06-14 2007-12-19 日本放送協会 固体撮像装置
GB0300056D0 (en) * 2003-01-03 2003-02-05 Koninkl Philips Electronics Nv Image sensor
EP1588339A2 (en) * 2003-01-14 2005-10-26 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Circuit arrangements and methods for a remote control receiver having a photodiode

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4540952A (en) * 1981-09-08 1985-09-10 At&T Bell Laboratories Nonintegrating receiver
WO2001057554A2 (en) * 2000-02-02 2001-08-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sensor and method of operating the sensor
US6417504B1 (en) * 2000-09-29 2002-07-09 Innovative Technology Licensing, Llc Compact ultra-low noise high-bandwidth pixel amplifier for single-photon readout of photodetectors
US6538245B1 (en) * 2000-10-26 2003-03-25 Rockwell Science Center, Llc. Amplified CMOS transducer for single photon read-out of photodetectors
CN1387264A (zh) * 2001-05-18 2002-12-25 佳能株式会社 摄像装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
M.A.Abdalla, C.Frojdh, C.S.Petersson."An integrating CMOS APS for X-ray imaging with an in-pixelpreamplifier".Nuclear instruments & methods in physics research466 1.2001,466(1),232-236.
M.A.Abdalla, C.Frojdh, C.S.Petersson."An integrating CMOS APS for X-ray imaging with an in-pixelpreamplifier".Nuclear instruments & methods in physics research466 1.2001,466(1),232-236. *

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