CN115385563A - 一种手机后盖加工工艺 - Google Patents
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- 238000003754 machining Methods 0.000 title claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims abstract description 25
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 16
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 12
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 16
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 14
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B33/08—Severing cooled glass by fusing, i.e. by melting through the glass
- C03B33/082—Severing cooled glass by fusing, i.e. by melting through the glass using a focussed radiation beam, e.g. laser
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
- C03C15/02—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching for making a smooth surface
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种手机后盖加工工艺,包括如下步骤:用激光在玻璃表面切割出目标形状的手机后盖,然后进行化学抛光,再裂片,清洗得到手机后盖,其中,激光切割后,目标形状的手机后盖与玻璃仍保持连接;抛光液的原料包括:硫酸、氢氟酸、硝酸和水。本发明用激光切割并结合适宜抛光工艺,避免了CNC加工的繁琐工艺,提高加工效率和产品良率,节约投入成本和加工场地;并且可以改善激光切割带来的多种问题,提高玻璃表面的光洁度。
Description
技术领域
本发明涉及玻璃手机后盖技术领域,尤其涉及一种手机后盖加工工艺。
背景技术
目前,玻璃手机后盖的制备工艺一般为:先用开料机将玻璃开料,然后掰片,再进行CNC加工,最后清洗获得目标尺寸的玻璃手机后盖。但是目前CNC加工的时间很长,使得玻璃手机后盖的产率较低,并且在CNC加工过程中,玻璃手机后盖容易发生破碎,减低产品的良品率。
发明内容
基于背景技术存在的技术问题,本发明提出了一种手机后盖加工工艺,本发明用激光切割并结合适宜抛光工艺,避免了CNC加工的繁琐工艺,提高加工效率和产品良率,节约投入成本和加工场地;并且可以改善激光切割带来的多种问题,提高玻璃表面的光洁度。
本发明提出了一种手机后盖加工工艺,包括如下步骤:用激光在玻璃表面切割出目标形状的手机后盖,然后进行化学抛光,再裂片,清洗得到手机后盖,其中,激光切割后,目标形状的手机后盖与玻璃仍保持连接;抛光液的原料包括:硫酸、氢氟酸、硝酸和水。
激光切割是由激光发射器所发出的水平激光束经45°全反射镜变为垂直向下的激光束,后经透镜聚焦,在焦点处聚成一极小的光斑,光斑照射在材料上时,使材料很快被加热至气化温度,蒸发形成孔洞外形等,随着光束对材料的移动,并配合辅助气体(如二氧化碳气体、氧气、氮气等)吹走融化的废渣,使孔洞连续形成宽度很窄的切缝,完成材料切割。在激光切割玻璃后,高温会使手机后盖与原玻璃仍有部分位置保持连接状态。
优选地,抛光液的原料按重量百分比包括:浓硫酸5-9%、氢氟酸水溶液2-6%、浓硝酸3-8%、水75-88%,其中,各原料重量百分比总和为100%。
优选地,浓硫酸的质量分数为96-98wt%,浓硝酸的质量分数为66-68wt%、氢氟酸水溶液的质量分数为39-41wt%。
优选地,抛光处理的温度为34-38℃。
优选地,抛光处理的时间为1-4min。
优选地,抛光下丝量为0.015-0.1mm。
优选地,化学抛光的具体步骤为:用水一次浸泡激光切割后的玻璃5-15s,然后转移至化学抛光液中进行抛光处理,然后再用水二次浸泡5-15s。
优选地,激光切割的功率≥30W,切割速度为100-500mm/s,频率为45-55Hz。
上述下丝量是指抛光后玻璃减少的厚度。
上述水可以为纯化水、蒸馏水等。
有益效果:
本发明选用激光切割并结合适宜抛光工艺,避免了CNC加工的繁琐工艺,可以缩短加工时间,提高加工效率,节约投入成本和加工场地,并且可以提高产品良率;且操作简单,可实现自动化流水线生产;设备投入成本可节约50-80%,场地空间可节约50%;
另外激光切割后,玻璃的边缘呈直角,容易划伤手,且玻璃边缘容易产生砂边、崩边现象,玻璃表面容易出现划痕等,从而影响玻璃的透光率、光洁度和外观;本发明激光切割后结合适宜的抛光工艺和适宜配方的抛光液,可以改善砂边、崩边和表换划痕等问题,并且使得玻璃边缘形成倒角,避免玻璃划伤手;本发明选用合适的抛光液和抛光工艺,可以提高玻璃表面的光洁度。
附图说明
图1为本发明激光切割后的玻璃照片。
图2为本发明化学抛光后玻璃边缘倒角的照片。
具体实施方式
下面,通过具体实施例对本发明的技术方案进行详细说明,但是应该明确提出这些实施例用于举例说明,但是不解释为限制本发明的范围。
实施例1
一种手机后盖加工工艺,包括如下步骤:用激光在玻璃表面切割出目标形状的手机后盖,激光切割的功率为30W,切割速度为500mm/s,频率为45Hz;激光切割后,目标形状的手机后盖与玻璃仍保持连接;
用水一次浸泡激光切割后的玻璃5s,然后转移至化学抛光液中于38℃抛光1min,然后再用水二次浸泡5s,然后裂片,清洗得到手机后盖;其中,抛光液的原料按重量百分比包括:浓硫酸水溶液5%、质量分数为40wt%的氢氟酸水溶液2%、浓硝酸水溶液5%、水88%。
实施例2
一种手机后盖加工工艺,包括如下步骤:用激光在玻璃表面切割出目标形状的手机后盖,激光切割的功率为40W,切割速度为100mm/s,频率为55Hz;激光切割后,目标形状的手机后盖与玻璃仍保持连接;
用水一次浸泡激光切割后的玻璃15s,然后转移至化学抛光液中于34℃抛光4min,然后再用水二次浸泡15s,然后裂片,清洗得到手机后盖;其中,抛光液的原料按重量百分比包括:浓硫酸水溶液9%、质量分数为40wt%的氢氟酸水溶液6%、浓硝酸水溶液8%、水77%。
实施例3
一种手机后盖加工工艺,包括如下步骤:用激光在玻璃表面切割出目标形状的手机后盖,激光切割的功率为35W,切割速度为200mm/s,频率为50Hz;激光切割后,目标形状的手机后盖与玻璃仍保持连接;
用水一次浸泡激光切割后的玻璃10s,然后转移至化学抛光液中于36℃抛光3min,然后再用水二次浸泡10s,然后裂片,清洗得到手机后盖;其中,抛光液的原料按重量百分比包括:浓硫酸水溶液7%、质量分数为40wt%的氢氟酸水溶液4%、浓硝酸水溶液6%、水83%。
图1为本发明激光切割后的玻璃照片。
图2为本发明化学抛光后玻璃边缘倒角的照片。
对比例1
传统手机后盖加工工艺,包括如下步骤:用开料机将玻璃开料,然后掰片,再进行CNC加工,最后清洗得到手机后盖。
对比例2
抛光液为质量分数为12wt%的氢氟酸水溶液,其他同实施例3。
分别采用实施例1-3和对比例1-2的工艺,连续加工100片尺寸相同的手机后盖,统计所用时间和成本,并对各组的手机后盖进行检测,结果如表1所示。
表1检测结果
由表1可以看出,本发明加工100片手机后盖,所用时间远小于对比例1,良品率比对比例1提升3%;本发明的手机后盖的下丝量、倒角宽度均大于对比例2。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种手机后盖加工工艺,其特征在于,包括如下步骤:用激光在玻璃表面切割出目标形状的手机后盖,然后进行化学抛光,再裂片,清洗得到手机后盖,其中,激光切割后,目标形状的手机后盖与玻璃仍保持连接;抛光液的原料包括:硫酸、氢氟酸、硝酸和水。
2.根据权利要求1所述手机后盖加工工艺,其特征在于,抛光液的原料按重量百分比包括:浓硫酸5-9%、氢氟酸水溶液2-6%、浓硝酸3-8%、水75-88%,其中,各原料重量百分比总和为100%。
3.根据权利要求2所述手机后盖加工工艺,其特征在于,浓硫酸的质量分数为96-98wt%,浓硝酸的质量分数为66-68wt%、氢氟酸水溶液的质量分数为39-41wt%。
4.根据权利要求1-3任一项所述手机后盖加工工艺,其特征在于,抛光处理的温度为34-38℃。
5.根据权利要求1-4任一项所述手机后盖加工工艺,其特征在于,抛光处理的时间为1-4min。
6.根据权利要求1-5任一项所述手机后盖加工工艺,其特征在于,抛光下丝量为0.015-0.1mm。
7.根据权利要求1-6任一项所述手机后盖加工工艺,其特征在于,化学抛光的具体步骤为:用水一次浸泡激光切割后的玻璃5-15s,然后转移至化学抛光液中进行抛光处理,然后再用水二次浸泡5-15s。
8.根据权利要求1-7任一项所述手机后盖加工工艺,其特征在于,激光切割的功率≥30W,切割速度为100-500mm/s,频率为45-55Hz。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210962914.0A CN115385563A (zh) | 2022-08-11 | 2022-08-11 | 一种手机后盖加工工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210962914.0A CN115385563A (zh) | 2022-08-11 | 2022-08-11 | 一种手机后盖加工工艺 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115385563A true CN115385563A (zh) | 2022-11-25 |
Family
ID=84119548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210962914.0A Pending CN115385563A (zh) | 2022-08-11 | 2022-08-11 | 一种手机后盖加工工艺 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115385563A (zh) |
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