CN104300048B - 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 - Google Patents
一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104300048B CN104300048B CN201410594339.9A CN201410594339A CN104300048B CN 104300048 B CN104300048 B CN 104300048B CN 201410594339 A CN201410594339 A CN 201410594339A CN 104300048 B CN104300048 B CN 104300048B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- gan layer
- gan
- type gan
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 12
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YPSXFMHXRZAGTG-UHFFFAOYSA-N 4-methoxy-2-[2-(5-methoxy-2-nitrosophenyl)ethyl]-1-nitrosobenzene Chemical compound COC1=CC=C(N=O)C(CCC=2C(=CC=C(OC)C=2)N=O)=C1 YPSXFMHXRZAGTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 102100021569 Apoptosis regulator Bcl-2 Human genes 0.000 abstract 1
- 101000971171 Homo sapiens Apoptosis regulator Bcl-2 Proteins 0.000 abstract 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 abstract 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000007516 brønsted-lowry acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007528 brønsted-lowry bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，包括以下步骤：（1）通过干法刻蚀沿GaN基外延片的p型GaN层到n 型GaN层刻蚀出台面结构，在n 型GaN层上制备出台面，同时去除表面残留的光刻胶；所述干法刻蚀为ICP刻蚀，包括两步，第一步采用Cl2和BCl2为刻蚀气体，刻蚀GaN基外延片，第二步采用O2，去除残留的光刻胶；（2）在p型GaN层的表面生长一层ITO透明导电膜；（3）分别在ITO透明导电膜和n 型GaN层的台面上制备p型电极和n型电极；（4）在GaN基发光二极管芯片表面上制作钝化层。该方法在ICP刻蚀中通过增加一步O2等离子体去除光刻胶的步骤，可彻底的去除残留的光刻胶，保证芯片表面干净，简化了工艺流程，缩短了生产周期。
Description
技术领域
本发明涉及一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，属于光电子技术领域。
背景技术
GaN、InN、AlN等具有对称六方晶系结构的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，都是直接能隙，因此非常适合于作为发光器件的材料，其中根据成分的不同，可以得到禁带宽度从6.5eV到0.7eV的三元或四元化合物半导体，所对应的发光波长涵盖深紫外光到远红外光的波段范围。由于GaN系列半导体的这个特点，使得GaN系列半导体材料广泛应用于LED与LD等光电器件上。
早期由于GaN晶体与生长衬底的晶格常数不匹配，使得GaN系列蓝绿光LED外延生长品质与GaAs系列红黄光LED相比相差甚远，直到将GaN蓝绿光LED结构生长于(0001)蓝宝石衬底上，使得人类拥有全彩LED的梦想得以实现。相对于Si、SiC等其它衬底，蓝宝石衬底有稳定性高、技术成熟、机械强度高、性价比高等优点，因此使用蓝宝石衬底仍然是现在发光二极管产业的主流。
由于蓝宝石衬底是不导电的，因此在GaN基LED芯片的制备中就必须将LED外延片从表面去除部分材料至重掺杂的n型GaN，并分别在p型和n型GaN材料上制备p型和n型电极。GaN的化学键合能较高，高的结合能和宽带隙使Ⅲ族氮化物材料本质上是化学惰性的，在常温下不受化学酸和碱等溶液的腐蚀，用化学腐蚀法腐蚀GaN等材料，无论是腐蚀速率还是腐蚀的各向异性都不能令人满意。因此在GaN基LED芯片的制备中就必须采用干法刻蚀技术，目前主流的干法刻蚀方法为ICP(Inductive Coupled Plasma，感应耦合等离子体)刻蚀。
ICP刻蚀过程中，在高频射频源的作用下ICP刻蚀设备腔室内通入的气体会形成等离子体，在内建电场的作用下会轰击晶片表面以物理的作用刻蚀GaN外延层，同时形成的原子团会以化学作用刻蚀GaN外延层。ICP刻蚀过程中晶片表面的温度会升高，使晶片表面的光刻胶发生变化而导致ICP刻蚀后的光刻胶很难去除。而光刻胶去除不彻底会导致后续芯片制备完成后出现掉电极、难焊线等质量问题，一般会在去胶工艺之后增加一步O2等离子体清洗工艺，以保证芯片表面无残留胶，但是增加O2等离子体清洗工艺会延长生产周期，增加生产成本。
发明内容
针对现有ICP刻蚀技术存在的不足，本发明提出一种无残留胶、工艺流程简化的GaN基发光二极管芯片的制备方法。
本发明的GaN基发光二极管芯片的制备方法，包括以下步骤：
(1)在GaN基外延片的p型GaN层的上表面涂正性光刻胶，对正性光刻胶进行光刻，光刻出所需台面结构的图形；根据台面结构的图形通过干法刻蚀沿GaN基外延片的p型GaN层到n型GaN层刻蚀出台面结构，在n型GaN层上制备出台面，同时去除表面残留的光刻胶；所述干法刻蚀为ICP刻蚀，刻蚀过程包括两步，第一步采用Cl2和BCl2为刻蚀气体，刻蚀GaN基外延层至n型GaN层，第二步采用O2作为刻蚀气体，去除残留的光刻胶；经过干法刻蚀，不仅完成台面结构图形的制作，而且将表面清洗干净，能够直接进行下一步的ITO生长；
(2)在p型GaN层的表面生长一层ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)透明导电膜；
(3)分别在ITO透明导电膜和n型GaN层的台面上制备p型电极和n型电极；
(4)在GaN基发光二极管芯片表面上制作钝化层。
所述步骤(1)中p型GaN层的上表面所涂正性光刻胶的厚度为2-6μm。
所述步骤(1)中刻蚀过程的第一步采用Cl2/BCl2为刻蚀气体，50-100sccm/5-20sccm，2-8mTorr，RF Power1 200-500W，RF Power2 100-300W，温度0-20℃。
所述步骤(1)中刻蚀过程的第二步采用O2为刻蚀气体，20-80sccm，5-20mTorr，RF1200-800W，RF250-300W，温度0-20℃。
所述步骤(2)的ITO透明导电膜的厚度为1000－3000埃。
所述步骤(4)中GaN基发光二极管芯片的上表面沉积的钝化层厚度为
所述步骤(4)中钝化层为氧化硅薄膜。
本发明通过在常规的ICP刻蚀工艺中的GaN刻蚀步骤后面增加一步O2等离子体去除光刻胶的步骤，取消了GaN基发光二极管芯片制备过程中的去胶及等离子体清洗步骤，简化了工艺流程，缩短了生产周期。增加的O2等离子体去除光刻胶的步骤，可彻底的去除残留的光刻胶，保证芯片表面干净，避免了后续工艺中出现掉电极、难焊线等质量问题。
附图说明
图1是本发明中步骤(1)制得的具有台面结构的GaN基外延片示意图。
图2是本发明步骤(2)制得具有透明导电膜的GaN基外延片示意图。
图3是本发明步骤(3)制得具有金属电极的GaN基外延片示意图。
图4是本发明中的步骤(4)制得具有钝化层的GaN基外延片示意图。
图中：1、p型GaN层，2、量子阱层，3、n型GaN层，4、透明导电膜，5、金属电极，6、钝化层。
具体实施方式
本发明的GaN基发光二极管芯片的制备方法，适用于正装的蓝宝石衬底的GaN基发光二极管芯片，具体步骤如下：
(1)首先在GaN基外延片的p型GaN层1的上表面涂2-6μm(优选3μm)厚的正性光刻胶，通过对准、曝光、显影、烘干步骤对所述正性光刻胶进行光刻，光刻出可供后续ICP刻蚀出台面结构的图形。使用热板在98℃下烘烤1分钟-2分钟进行对准，然后在紫外线下曝光5秒-20秒，再烘干后使用四甲基氢氧化铵显影10秒-30秒，使用热板在98℃下烘烤1-2分钟。
如图1所示，利用ICP干法刻蚀方法，沿GaN基外延片的p型GaN层1、量子阱层2到n型GaN层3刻蚀出台面结构，同时去除表面残留的光刻胶。
具体ICP刻蚀过程分为两步，第一步采用Cl2/BCl2为刻蚀气体，50-100sccm/5-20sccm，2-8mTorr，RF Power1 200-500W，RF Power2 100-300W，温度0-20℃，刻蚀GaN基外延片；优选80sccm/10sccm，6mTorr，RF Power1 300W，RF Power2 200W，温度10℃。
第二步采用O2为刻蚀气体，20-80sccm，5-20mTorr，RF1 200-800W，RF250-300W，温度0-20℃，去除残留的光刻胶；优选50sccm，15mTorr，RF1 500W，RF2 100W，温度10℃。
(2)如图2所示，在p型GaN层1的表面沉积一层ITO透明导电膜4。具体步骤为：首先，利用电子束蒸发方法在GaN基外延片的上表面(这里在整个外延片的表面沉积ITO，后面通过光刻、腐蚀去除p-GaN之外的ITO，最终的结果是在p型GaN层表面沉积ITO)沉积一层1000－3000埃的ITO透明导电膜作为电流扩展层；其次，在电流扩展层上涂上2μm厚的正性光刻胶，然后通过对准、曝光、显影、烘干、腐蚀步骤对所述正性光刻胶进行光刻，光刻出只保留p型GaN层上对应的ITO透明导电膜，其中使用热板在98℃下烘烤1-2分钟对准，然后在紫外线下曝光5-20秒，再烘干后使用四甲基氢氧化铵显影10-30秒，使用热板在98℃下烘烤1-2分钟，放入浓度为25-30wt％的HCl溶液中腐蚀15-30分钟，腐蚀掉未被正性光刻胶保护的ITO透明导电膜，放入丙酮中超声5-10分钟，然后在乙醇中超声10分钟，取出后使用去离子水冲洗10分钟，进而去除GaN基外延片表面的光刻胶。
(3)如图3所示，制备金属电极5，也就是分别在ITO透明导电膜4和n型GaN层3的台面上制备p型电极和n型电极，得GaN基发光二极管芯片。
具体方法为：在经步骤(2)处理后的GaN基外延片上涂上3.5μm厚的负性光刻胶，进行对准、曝光、显影、烘干步骤后对所述负性光刻胶进行光刻，其中用热板在98℃下烘烤1-2分钟对准，然后在紫外线下曝光5-20秒，再烘干后使用四甲基氢氧化铵显影10-30秒，使用热板在98℃下烘烤1-2分钟，在ITO透明导电膜4和n型GaN层3上光刻出p型电极和n型电极区域；最后利用电子束蒸发法在所述p型电极区域和n型电极区域分别沉积2μm厚的Cr金属层和Au金属层，剥离负性光刻胶后得到p型金属电极和n型金属电极。
(4)如图4所示，对步骤(3)所制得的GaN基发光二极管芯片制备钝化层6
使用PECVD(化学气相沉积法)首先在GaN基发光二极管芯片的上表面沉积一层 的氧化硅薄膜作为钝化层6(露出金属电极5)，然后在钝化层6的表面涂上2μm的正性光刻胶，使用热板在98℃下烘烤1-2分钟对准，然后在紫外线下曝光5-20秒，再烘干后使用四甲基氢氧化铵显影10-30秒，使用热板在98℃下烘烤1-2分钟，放入SiO2腐蚀液中腐蚀30-60秒，腐蚀掉未被光刻胶保护的SiO2薄膜，放入丙酮中超声5-10分钟，然后在乙醇中超声10分钟，取出后使用去离子水冲洗10分钟，去除表面的光刻胶，形成钝化层的制作，得到GaN基发光二极管。
Claims (1)
1.一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，包括以下步骤：
（1）在GaN基外延片的p型GaN层的上表面涂正性光刻胶，对正性光刻胶进行光刻，光刻出所需台面结构的图形；根据台面结构的图形通过干法刻蚀沿GaN基外延片的p型GaN层到n型GaN层刻蚀出台面结构，在n 型GaN层上制备出台面，同时去除表面残留的光刻胶；所述干法刻蚀为ICP刻蚀，刻蚀过程包括两步，第一步采用Cl2和BCl2为刻蚀气体，刻蚀GaN基外延层至n型GaN层，第二步采用O2作为刻蚀气体，去除残留的光刻胶；经过干法刻蚀，不仅完成台面结构图形的制作，而且将表面清洗干净，能够直接进行下一步的ITO生长；
（2）在p型GaN层的表面生长一层ITO（Indium Tin Oxide，氧化铟锡）透明导电膜；
（3）分别在ITO透明导电膜和n 型GaN层的台面上制备p型电极和n型电极；
（4）在GaN基发光二极管芯片表面上制作钝化层；
所述步骤（1）中刻蚀过程的第一步采用Cl2/BCl2为刻蚀气体，50-100sccm/5-20sccm，2-8mTorr，RF Power1 200-500W，RF Power2 100-300W，温度0-20℃；
所述步骤（1）中刻蚀过程的第二步采用O2为刻蚀气体，20-80sccm，5-20mTorr，RF1 200-800W，RF250-300W，温度0-20℃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410594339.9A CN104300048B (zh) | 2014-10-29 | 2014-10-29 | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410594339.9A CN104300048B (zh) | 2014-10-29 | 2014-10-29 | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104300048A CN104300048A (zh) | 2015-01-21 |
| CN104300048B true CN104300048B (zh) | 2017-02-15 |
Family
ID=52319706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410594339.9A Active CN104300048B (zh) | 2014-10-29 | 2014-10-29 | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104300048B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105140354B (zh) * | 2015-08-13 | 2018-01-09 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 |
| CN105719955B (zh) * | 2016-02-16 | 2018-09-25 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 |
| CN108807607A (zh) * | 2017-04-27 | 2018-11-13 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种高光效高压led芯片的制造方法 |
| CN108281457A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-07-13 | 澳洋集团有限公司 | Led矩阵显示阵列及其制作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102412348A (zh) * | 2010-09-17 | 2012-04-11 | 乐金显示有限公司 | 制造半导体发光器件的方法 |
| CN103426981A (zh) * | 2012-05-22 | 2013-12-04 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 一种GaN半导体LED芯片制作方法 |
| CN103633205A (zh) * | 2013-12-19 | 2014-03-12 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | Led芯片制作方法 |
| CN104022200A (zh) * | 2013-02-28 | 2014-09-03 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种GaN基发光二极管芯片及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI418060B (zh) * | 2008-12-26 | 2013-12-01 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體晶片的製造方法 |
-
2014
- 2014-10-29 CN CN201410594339.9A patent/CN104300048B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102412348A (zh) * | 2010-09-17 | 2012-04-11 | 乐金显示有限公司 | 制造半导体发光器件的方法 |
| CN103426981A (zh) * | 2012-05-22 | 2013-12-04 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 一种GaN半导体LED芯片制作方法 |
| CN104022200A (zh) * | 2013-02-28 | 2014-09-03 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种GaN基发光二极管芯片及其制备方法 |
| CN103633205A (zh) * | 2013-12-19 | 2014-03-12 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | Led芯片制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104300048A (zh) | 2015-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105185883B (zh) | 侧壁粗化的AlGaInP基LED及其制造方法 | |
| CN106252476B (zh) | 一种GaN 基发光二极管芯片的制备方法 | |
| CN102064088B (zh) | 一种干法刻蚀与湿法腐蚀混合制备蓝宝石图形衬底的方法 | |
| CN104617195B (zh) | 一种近红外发光二极管及其生产方法 | |
| US20080064132A1 (en) | Method of fabricating vertical devices using a metal support film | |
| CN103779452B (zh) | 悬空氮化物薄膜led器件及制备方法 | |
| CN105140354B (zh) | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 | |
| CN102867890B (zh) | 一种蓝宝石图形衬底的制备方法 | |
| CN108011002B (zh) | 一种紫外led芯片制作方法 | |
| CN101552312A (zh) | 一种发光二极管芯片制作方法 | |
| KR20050012729A (ko) | 수직 구조의 ｌｅｄ 제조방법 | |
| CN104300048B (zh) | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 | |
| CN104882523A (zh) | 一种钝化层折射率渐变的GaN基发光二极管芯片及其制备方法 | |
| CN108231966B (zh) | 一种具有反射镜的led芯片及其制作方法 | |
| CN105914269A (zh) | 一种具有透明扩展电极结构的发光二极管及其制备方法 | |
| CN104241465A (zh) | 一种纳米粗化复合图形化的蓝宝石衬底及制备方法 | |
| CN104701427A (zh) | 一种垂直结构led芯片制备方法 | |
| CN105679895A (zh) | 一种垂直紫外led芯片的制备方法 | |
| CN108511573A (zh) | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 | |
| CN102522467A (zh) | 一种蓝宝石衬底上亚微米级的图形的制备方法 | |
| CN112467005A (zh) | 一种多复合层图形化蓝宝石衬底的制备方法 | |
| CN104701434A (zh) | 一种倒装led芯片制备方法 | |
| CN106252481B (zh) | 一种实现蓝宝石衬底重复利用的垂直led芯片制备方法 | |
| CN101471403A (zh) | Led报废片再利用方法 | |
| CN104465899A (zh) | 一种led垂直结构的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |