CN102621818A - 一种用于光刻机的浸没控制装置 - Google Patents
一种用于光刻机的浸没控制装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102621818A CN102621818A CN2012101033982A CN201210103398A CN102621818A CN 102621818 A CN102621818 A CN 102621818A CN 2012101033982 A CN2012101033982 A CN 2012101033982A CN 201210103398 A CN201210103398 A CN 201210103398A CN 102621818 A CN102621818 A CN 102621818A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- control device
- liquid
- inner member
- annular
- fluid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007654 immersion Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 title abstract description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 29
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明提供一种用于光刻机浸没控制装置，该装置为在投影透镜组末端元件和硅片间设置的浸没控制装置，所述的浸没控制装置包括：盖板、外构件、内构件，盖板为环形板，其上由中心向外沿径向依次开有注液口、出液口、进气口；外构件为带有阶梯形状的环形板；内构件为环形版，其外侧为阶梯形状，内侧为与投影物镜末端元件形状相匹配的锥形，其下部沿径向向外依次开有：出液下环槽、环形均压槽，其上部沿径向向外依次开有扇形槽、注液孔、出液上环槽，其中出液上环槽与出液下环槽通过均布的通孔连接。本发明该装置能够在投影透镜组末端元件和硅片间的缝隙中输送液体，并保证液体无泄漏的液体传送及密封控制装置。
Description
技术领域
本发明是涉及浸没式光刻系统中的液体供给及回收的密封控制装置的技术领域，特别是涉及一种用于光刻机的浸没控制装置，该装置在投影透镜组末端元件和硅片间的缝隙中输送液体，并保证液体无泄漏的液体传送及密封控制装置。
背景技术
按照传统光刻路线，要提高曝光系统光刻分辨率，可以减小曝光波长或者提高投影物镜像方数值孔径。实验研究表明，减小曝光波长不仅周期长、成本高，而且对更短波段的透镜材料及光刻胶材料都提出了极大挑战。增大数值孔径可以有效提高光刻分辨率，但是传统干法光刻技术由于受到物理极限(数值孔径极限值为1)和技术极限的限制，使其光刻分辨率的进一步提高受到很大制约。浸没光刻技术是在投影物镜的最后一个光学表面与硅片之间填充一种液体，使该空间的介质折射率n＞1，这样就摆脱了传统干法光刻系统数值孔径受到物理极限的制约，使其数值孔径最大能够接近所使用的液体折射率。譬如193nm浸没光刻系统如果采用超纯水作为浸液(n＝1.437)，则其数值孔径NA最大值可以接近1.437。很显然，在曝光波长不变的情况下，浸没光刻系统和干法光刻系统相比在数值孔径上具有非常明显的优势，从而使光刻分辨率摆脱物理极限得到进一步的提高。
目前浸没式光刻系统的密封结构，一般采用一气密封构件环绕投影透镜组末端元件和硅片之间的缝隙场。气密封形成在所述气密封构件和硅片的表面之间，以密闭缝隙场中的液体。但在提出的各种气密封结构中，存在以下问题：(1)气体密封边界流动不均匀、压力集中的现象。气流不均匀一方面不利于液体密封，并在步进和扫描过程中引起泄漏，另一方面可能产生缝隙流液膜的破裂现象，导致气泡进入投影透镜和硅片间的曝光场，从而影响成像质量。(2)液体注入和回收速率不平衡时，积累液体会对投影物镜产生作用力，这些法向力和剪应力的共同作用传递到投影物镜最后一片镜片上，这样会给投影物镜系统造成不必要的振动。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种用于光刻机浸没控制装置，该装置边界密封气压均匀、对浸没流场压力自适应调节的浸没控制装置。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案如下：
一种用于光刻机浸没控制装置，在光刻机的投影透镜组末端元件和待刻硅片间设置的该浸没控制装置，所述的浸没控制装置包括：盖板、外构件和内构件，盖板为环形板，其上由中心向外沿径向依次开有注液口、出液口、进气口；外构件为带有阶梯形状的环形板；内构件为环形板，其外侧为阶梯形状，外构件与内构件的阶梯形状相配合，共同构成储气槽和狭缝，内侧为与投影透镜组末端元件形状相匹配的锥形，其下部沿径向向外依次开有：出液下环槽、环形均压槽，内构件的环形均压槽内固定有弹性元件，内构件的出液下环槽内固定有多孔介质，其上部沿径向向外依次开有扇形槽、注液孔、出液上环槽，其中出液上环槽与出液下环槽通过均布的通孔连接；浸没液体经注液口、注液孔进入扇形槽，沿扇形槽的边缘填充投影透镜组末端元件和硅片间的间隙；出液口连接真空低压，当浸没液体流经多孔介质时经出液下环槽、通孔进入出液上环槽，再被真空吸附经出液口流出该浸没曝光装置；外部加压气体经进气口注入储气槽，再经狭缝进入该浸没控制装置下表面和硅片间的间隙形成边缘狭缝气密封。
优选的，所述内构件的扇形槽为60°-120°。
优选的，所述外构件与内构件与盖板通过螺钉连接并采用O型圈进行气密封。
优选的，所述外构件的下表面与内构件的下表面在同一水平面。
本发明具有的有益效果是：
1)、通过外构件与内构件的阶梯形状配合，形成浸没控制装置的边缘狭缝密封，解决了狭缝加工所需精度高、制造困难的问题；此外，狭缝密封是一种理想的线源密封形式，压力分布均匀且流动的散射效应也最低，对浸没流场的影响小。
2)、内构件的均压槽内固定弹性元件，解决了液体注入和回收速率不平衡问题：当液体注入多余回收时，流场内压力增大，此时弹性元件在压力作用下向上弯曲，使流场体积增大，缓解了流场内压力的积累，避免流场压力作用于投影物镜末端元件而影响成像质量；当流场内注液小于回收时，流场内液体不足，其压力相应减小，弹性元件向下弯曲使流场体积减小避免液体不能完全充满流场而影响曝光质量。
附图说明
图1是本发明与投影透镜组末端元件的装配示意图；
图2为本发明的剖视图的示意图；
图3为本发明的俯视图的示意图；
图4为本发明的仰视图的示意图。
图中元件说明：
1投影透镜组末端元件，2浸没控制装置，3硅片，4浸没液体，5盖板，6外构件，7内构件，8进气口，9储气槽，10狭缝，11环形均压槽，12弹性元件，13出液上环槽，14通孔，15出液下环槽，16多孔介质，17注液口，18注液孔，19扇形槽，20出液口。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加明确，下面结合附图对本发明的工作原理、结构及具体实施方式进一步介绍。
如图1所示，表示了本发明实施方案的浸没控制装置与投影透镜组末端元件的装配，本装置可以在分步重复或者步进扫描式等光刻设备中应用。在曝光过程中，从光源发出的光，如：ArF或F2准分子激光，通过对准的掩膜版、投影透镜组末端元件1和充满浸没液体4的透镜-硅片间缝隙场，对硅片3表面的光刻胶进行曝光。
如图2、图3、图4示出本发明提供的一种用于光刻机浸没控制装置，在投影透镜组末端元件1和硅片3间设置的浸没控制装置2。所述的浸没控制装置2包括：盖板5、外构件6、内构件7。
盖板5为环形板，其上由中心向外沿径向依次开有注液口17、出液口20、进气口8；外构件6为带有阶梯形状的环形板；内构件7为环形版，其外侧为阶梯形状，内侧为与投影物镜末端元件形状相匹配的锥形，其下部沿径向向外依次开有：出液下环槽15、环形均压槽11，其上部沿径向向外依次开有扇形槽19、注液孔18、出液上环槽13，其中出液上环槽13与出液下环槽15通过均布的通孔14连接。所述外构件6与内构件7的阶梯形状相配合，共同构成储气槽9和狭缝10。所述内构件7的环形均压槽11内固定有弹性元件12。所述内构件7的出液下环槽内15固定有多孔介质16。
所述内构件7的扇形槽19角度为60°-120°。
所述外构件6与内构件7与盖板5通过螺钉连接并采用O型圈进行气密封。
所述外构件6的下表面与内构件7的下表面在同一水平面。
浸没液体4经注液口17、注液孔18进入扇形槽19，沿扇形槽19的边缘填充投影透镜组末端元件1和硅片3间的间隙；出液口20连接真空低压，当浸没液体流经多孔介质16时经出液下环槽15、通孔14进入出液上环槽，再被真空吸附经出液口17流出浸没曝光装置2；外部加压气体经进气口8注入储气槽9，再经狭缝10进入浸没控制装置2下表面和硅片3间的间隙形成边缘狭缝气密封，狭缝气密封是一种理想的线源密封形式，压力分布均匀且流动的散射效应也最低，对浸没流场的影响小。内构件7的均压槽11内固定弹性元件12，解决了液体注入和回收速率不平衡问题：当液体注入多余回收时，流场内压力增大，此时弹性元件12在压力作用下向上弯曲，使流场体积增大，缓解了流场内压力的积累，避免流场压力作用于投影物镜末端元件1而影响成像质量；当流场内注液速率小于回收时，流场内液体不足，其压力相应减小，弹性元件12向下弯曲使流场体积减小避免液体不能完全充满流场而影响曝光质量。
以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉该技术的人员在本发明所揭露的技术范围内，可理解想到的变换或替换，都应涵盖在本发明的包含范围内，因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (4)
1.一种用于光刻机浸没控制装置，在光刻机的投影透镜组末端元件(1)和待刻硅片(3)间设置的该浸没控制装置(2)，其特征在于：所述的浸没控制装置(2)包括：盖板(5)、外构件(6)和内构件(7)，盖板(5)为环形板，其上由中心向外沿径向依次开有注液口(17)、出液口(20)、进气口(8)；外构件(6)为带有阶梯形状的环形板；内构件(7)为环形板，其外侧为阶梯形状，外构件(6)与内构件(7)的阶梯形状相配合，共同构成储气槽(9)和狭缝(10)，内侧为与投影透镜组末端元件(1)形状相匹配的锥形，其下部沿径向向外依次开有：出液下环槽(15)、环形均压槽(11)，内构件(7)的环形均压槽(11)内固定有弹性元件(12)，内构件(7)的出液下环槽内(15)固定有多孔介质(16)，其上部沿径向向外依次开有扇形槽(19)、注液孔(17)、出液上环槽(13)，其中出液上环槽(13)与出液下环槽(15)通过均布的通孔(14)连接；浸没液体(4)经注液口(17)、注液孔(18)进入扇形槽(19)，沿扇形槽(19)的边缘填充投影透镜组末端元件(1)和硅片(3)间的间隙；出液口(20)连接真空低压，当浸没液体流经多孔介质(16)时经出液下环槽(15)、通孔(14)进入出液上环槽，再被真空吸附经出液口(17)流出该浸没曝光装置(2)；外部加压气体经进气口(8)注入储气槽(9)，再经狭缝(10)进入该浸没控制装置(2)下表面和硅片(3)间的间隙形成边缘狭缝气密封。
2.根据权利要求1所述浸没控制装置，其特征在于：所述内构件(7)的扇形槽(19)角度为60°-120°。
3.根据权利要求1所述浸没控制装置，其特征在于：所述外构件(6)与内构件(7)与盖板(5)通过螺钉连接并采用O型圈进行气密封。
4.根据权利要求1所述浸没控制装置，其特征在于：所述外构件(6)的下表面与内构件(7)的下表面在同一水平面。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012101033982A CN102621818B (zh) | 2012-04-10 | 2012-04-10 | 一种用于光刻机的浸没控制装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012101033982A CN102621818B (zh) | 2012-04-10 | 2012-04-10 | 一种用于光刻机的浸没控制装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102621818A true CN102621818A (zh) | 2012-08-01 |
| CN102621818B CN102621818B (zh) | 2013-12-04 |
Family
ID=46561807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2012101033982A Expired - Fee Related CN102621818B (zh) | 2012-04-10 | 2012-04-10 | 一种用于光刻机的浸没控制装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102621818B (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103885301A (zh) * | 2014-03-21 | 2014-06-25 | 浙江大学 | 浸没式光刻机中浸液传送系统的控制时序的模型匹配方法 |
| CN104678712A (zh) * | 2013-12-03 | 2015-06-03 | 上海微电子装备有限公司 | 一种浸没式曝光设备 |
| CN105116688A (zh) * | 2015-09-01 | 2015-12-02 | 浙江大学 | 一种用于浸没式光刻机的浸没液体控制装置 |
| CN106773169A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种挡板及包含该挡板的真空干燥机 |
| CN112684671A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-20 | 浙江启尔机电技术有限公司 | 一种浸液供给回收系统以及浸没流场初始建立方法 |
| CN113189849A (zh) * | 2021-04-22 | 2021-07-30 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种近场光刻浸没系统及其浸没单元和接口模组 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1628163A2 (en) * | 2004-08-19 | 2006-02-22 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1681597A2 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| WO2006101120A1 (ja) * | 2005-03-23 | 2006-09-28 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| CN101021693A (zh) * | 2007-03-15 | 2007-08-22 | 浙江大学 | 浸没式光刻系统中的液体供给及回收的密封控制装置 |
-
2012
- 2012-04-10 CN CN2012101033982A patent/CN102621818B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1628163A2 (en) * | 2004-08-19 | 2006-02-22 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1681597A2 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| WO2006101120A1 (ja) * | 2005-03-23 | 2006-09-28 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| CN101021693A (zh) * | 2007-03-15 | 2007-08-22 | 浙江大学 | 浸没式光刻系统中的液体供给及回收的密封控制装置 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104678712A (zh) * | 2013-12-03 | 2015-06-03 | 上海微电子装备有限公司 | 一种浸没式曝光设备 |
| CN104678712B (zh) * | 2013-12-03 | 2017-05-31 | 上海微电子装备有限公司 | 一种浸没式曝光设备 |
| CN103885301A (zh) * | 2014-03-21 | 2014-06-25 | 浙江大学 | 浸没式光刻机中浸液传送系统的控制时序的模型匹配方法 |
| CN103885301B (zh) * | 2014-03-21 | 2015-09-16 | 浙江大学 | 浸没式光刻机中浸液传送系统的控制时序的模型匹配方法 |
| CN105116688A (zh) * | 2015-09-01 | 2015-12-02 | 浙江大学 | 一种用于浸没式光刻机的浸没液体控制装置 |
| CN106773169A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种挡板及包含该挡板的真空干燥机 |
| CN106773169B (zh) * | 2016-12-29 | 2019-09-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种挡板及包含该挡板的真空干燥机 |
| CN112684671A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-20 | 浙江启尔机电技术有限公司 | 一种浸液供给回收系统以及浸没流场初始建立方法 |
| CN112684671B (zh) * | 2020-12-29 | 2024-06-11 | 浙江启尔机电技术有限公司 | 一种浸液供给回收系统以及浸没流场初始建立方法 |
| CN113189849A (zh) * | 2021-04-22 | 2021-07-30 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种近场光刻浸没系统及其浸没单元和接口模组 |
| CN113189849B (zh) * | 2021-04-22 | 2023-08-11 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种近场光刻浸没系统及其浸没单元和接口模组 |
| US12078937B1 (en) | 2021-04-22 | 2024-09-03 | The Institute Of Optics And Electronics, The Chinese Academy Of Sciences | Near-field lithography immersion system, immersion unit and interface module thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102621818B (zh) | 2013-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102621818B (zh) | 一种用于光刻机的浸没控制装置 | |
| CN100520593C (zh) | 光刻装置和器件制造方法 | |
| KR101341923B1 (ko) | 스트림 추출 시스템 및 방법 | |
| CN107991843B (zh) | 一种用于浸没式光刻机的微流道气液分离回收装置 | |
| KR20060047457A (ko) | 신축탱크 및 이를 이용한 화학액 공급장치 | |
| US8212991B2 (en) | Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus | |
| CN100462848C (zh) | 浸没式光刻系统中的液体供给及回收的密封控制装置 | |
| CN104035290B (zh) | 一种用于浸没式光刻机的气密封和两级多孔气液回收装置 | |
| CN100565352C (zh) | 用于光刻机浸没控制装置 | |
| CN101477314B (zh) | 浸没光刻机的浸液供给装置 | |
| CN110327780A (zh) | 一种基于微孔膜丝的气液分离装置 | |
| CN102707580A (zh) | 用于浸没式光刻机的气密封和气液分离回收装置 | |
| CN110354685A (zh) | 一种用于光刻设备的气液分离装置 | |
| CN202615114U (zh) | 一种用于浸没式光刻机的气密封和气液分离回收装置 | |
| CN101408731B (zh) | 一种用于浸没式光刻机的浸没控制装置 | |
| JP2006204988A (ja) | フィルタハウジング | |
| CN112684666B (zh) | 一种抑制气液两相流压力脉动和振动的浸液供给回收装置 | |
| JP7519554B2 (ja) | 近接場フォトリソグラフィー浸漬システム、その浸漬ユニット及びインターフェースモジュール | |
| CN113138540B (zh) | 一种具有气液分离回收功能的浸液供给回收装置 | |
| CN103176368B (zh) | 用于浸没式光刻机的气密封和气液减振回收装置 | |
| CN101634811B (zh) | 用于浸没式光刻机的柔性密封和自适应回收装置 | |
| CN104950585B (zh) | 一种浸液限制机构 | |
| CN112650028B (zh) | 一种改善浸没流场压力特性的浸液供给回收装置 | |
| US20120170007A1 (en) | Exposure apparatus, and method of manufacturing a device | |
| CN111381448B (zh) | 浸没光刻设备的液体控制系统及方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20131204 Termination date: 20210410 |