Ісаму Акасакі

Ісаму Акасакі
яп.: 赤﨑 勇
Дата нараджэння	30 студзеня 1929(1929-01-30)[…]
Месца нараджэння	Тыран[d], Kawanabe district[d], Кагосіма, Японія
Дата смерці	1 красавіка 2021(2021-04-01) (92 гады)
Месца смерці	Нагоя, прэфектура Айты, Японія
Грамадзянства	Японія  Японская імперыя
Род дзейнасці	фізік, прафесар, інжынер, даследчык
Навуковая сфера	фізік
Месца працы	Нагойскі ўніверсітэт Універсітэт Мейдзё[d] Panasonic[d] Denso Ten[d]
Навуковая ступень	доктар інжынерыі[d] і бакалаўр навук[d]
Альма-матар	Кіёцкі ўніверсітэт Вышэйшая школа Кёнан[d] Сёмая вышэйшая школа[d] Нагойскі ўніверсітэт
Член у	Інстытут інжынераў электратэхнікі і электронікі[d]
Узнагароды	медаль Эдысана[d] (2011) Прэмія Чарльза Старка Дрэйпера[d] (2015) заслужаны дзеяч культуры[d] (2004) прэмія Кіёта ў галіне перадавых тэхналогій[d] (2009) прэмія Асахі[d] (2000) член IEEE[d] Імператарская прэмія Японскай акадэміі[d] (7 ліпеня 2014) Gordon E. Moore Medal for Outstanding Achievement in Solid State Science and Technology[d] IEEE Jack A. Morton Award[d] (1998) Q126416266? (25 чэрвеня 1999) Queen Elizabeth Prize for Engineering[d] (2021)
Медыяфайлы на Вікісховішчы

Ісаму Акасакі (яп.: 赤崎 勇; 30 студзеня 1929, Тыран — 1 красавіка 2021, Нагоя) — японскі навуковец, вядомы сваімі працамі ў галіне паўправадніковага матэрыялазнаўства і оптаэлектронікі. Лаўрэат Нобелеўскай прэміі па фізіцы, член Японскай акадэміі навук (2014). Вынаходнік яркіх сініх нітрыд-галіевых паўправадніковых святлодыёдаў (1989 год) і пасля нітрыд-галіевых сініх святлодыёдаў падвышанай яркасці.

Біяграфія

Нарадзіўся і вырас у прэфектуры Кагосіма, дзе падчас вайны яго дом быў разбураны, а сам ён ледзь не загінуў у выніку налёту амерыканскай авіяцыі. У 1952 годзе скончыў Кіёцкі універсітэт і некаторы час працаваў у кампаніі Kobe Kogyo Co. (зараз Denso Ten). З 1959 года займаўся даследчай працай у галіне электронікі ў Нагойскім універсітэце і ў 1964 годзе атрымаў ступень доктара тэхнічных навук. Затым працаваў у кампаніі Matsushita Electric Industrial, дзе ўзначальваў лабараторыю фундаментальных даследаванняў і аддзяленне па даследаванні паўправаднікоў. З 1981 года прафесар факультэта электронікі Нагойскага ўніверсітэта. З 1992 года працаваў ва Універсітэце Мэйдзё, дзе з 1996 года быў дырэктарам Цэнтра па даследаванні нітрыдных паўправаднікоў. У 2004 годзе Нагойскі ўніверсітэт прысвоіў яму званне ганаровага прафесара; у 2006 годзе тут адкрыўся названы ў яго гонар Інстытут Акасакі.

З 1973 года праводзіў поўнамаштабныя даследаванні, накіраваныя на стварэнне сініх паўправадніковых святлодыёдаў. Тэхналогія стварэння чырвоных і зялёных святлодыёдаў была да таго часу распрацавана. Праблемай было атрыманне патрэбных паўправадніковых крышталяў добрай якасці; самымі папулярнымі кандыдатамі былі нітрыд галію і селенід цынку, аднак апошні не адрозніваўся вельмі высокай стабільнасцю. У 1985 годзе Акасакі з супрацоўнікамі дасягнуў поспеху, прапанаваўшы вырошчваць крышталі нітрыду галію на падкладцы з сапфіру, пакрытай буферным пластом нітрыду алюмінію. У 1989 годзе яны паказалі, што легаванне атамамі магнію ператварае крышталь нітрыду галію ў паўправаднік р-тыпу, здольны даваць значна больш інтэнсіўнае свячэнне. На гэтай аснове ў пачатку 1990-х гадоў былі створаны першыя сінія святлодыёды.

Узнагароды

• 1991 — Прэмія газеты «Цюніці»
• 1995 — Залаты медалі Генрыха Велкера
• 1996 — Медаль з пурпурнай стужкай
• 1998 — Прэмія Ранка
• 1998 — C&C Prize
• 1999 — Медаль Гордана Мура
• 1999 — Toray Science and Technology Prize
• 2000 — Прэмія Асахі
• 2002 — Ордэн Узыходзячага сонца
• 2002 — Прэмія Фудзівары
• 2004 — Заслужаны дзеяч культуры
• 2008 — Замежны член Нацыянальнай інжынернай акадэміі ЗША
• 2009 — Прэмія Кіёта па перадавых тэхналогіях
• 2011 — Ордэн Культуры
• 2011 — Медаль Эдысана
• 2014 — Імператарская прэмія Японскай акадэміі навук
• 2014 — Нобелеўская прэмія па фізіцы сумесна з Хіросі Амана і Сюдзі Накамура.
• 2015 — Прэмія Чарльза Старка Дрэйпера (у ліку ўзнагароджаных таксама Сюдзі Накамура і Нік Халаньяк).
• 2021 — Прэмія каралевы Лізаветы II у галіне інжынернай справы

Абраныя публікацыі

• Amano H., Sawaki N., Akasaki I., Toyoda Y. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer. — Applied Physics Letters, 1986. — Vol. 48. — P. 353–355. — DOI:10.1063/1.96549
• Amano H., Kito M., Hiramatsu K., Akasaki I. P-type conduction in Mg-doped GaN treated with low-energy electron beam irradiation (LEEBI). — Japanese Journal of Applied Physics, 1989. — Vol. 28. — P. L2112–L2114. — DOI:10.1143/JJAP.28.L2112
• Akasaki I., Amano H., Koide Y., Hiramatsu K., Sawaki N. Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1-xAlxN (0 < x ≦ 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE. — Journal of Crystal Growth, 1989. — Vol. 98. — P. 209–219. — DOI:10.1016/0022-0248(89)90200-5
• Amano H., Kito M., Hiramatsu K., Akasaki I. rowth and Luminescence Properties of Mg-Doped GaN Prepared by MOVPE. — Journal of the Electrochemical Society, 1990. — Vol. 137. — P. 1639–1641. — DOI:10.1149/1.2086742
• Akasaki I., Amano H., Kito M., Hiramatsu K. Photoluminescence of Mg-doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED. — Journal of Luminescence, 1991. — Vol. 48-49. — P. 666–670. — DOI:10.1016/0022-2313(91)90215-H
• Hiramatsu K., Itoh S., Amano H., Akasaki I., Kuwano N., Shiraishi T., Oki K. Growth mechanism of GaN grown on sapphire with A1N buffer layer by MOVPE. — Journal of Crystal Growth, 1991. — Vol. 115. — P. 628–633. — DOI:10.1016/0022-0248(91)90816-N
• Akasaki I., Sota S., Sakai H., Tanaka T., Koike M., Amano H. Shortest wavelength semiconductor laser diode. — Electronics Letters, 1996. — Vol. 32. — P. 1105–1106. — DOI:10.1049/el:19960743
• Akasaki I., Amano H. Crystal growth and conductivity control of group III nitride semiconductors and their application to short wavelength light emitters. — Japanese Journal of Applied Physics, 1997. — Vol. 36. — P. 5393–5408. — DOI:10.1143/jjap.36.5393
• Takeuchi T., Amano H., Akasaki I. Theoretical study of orientation dependence of piezoelectric effects in wurtzite strained GaInN/GaN heterostructures and quantum wells. — Japanese Journal of Applied Physics, 2000. — Vol. 39. — P. 413–416. — DOI:10.1143/jjap.39.413
• Акасаки И. Увлекательные приключения в поисках синего света: Нобелевская лекция. — УФН, 2016. — Vol. 186. — P. 504–517. — DOI:10.3367/UFNr.2014.12.037725

Літаратура

• Koide Y. Isamu Akasaki in memoriam. — Nature Photonics, 2021. — Vol. 15. — P. 551–552. — DOI:10.1038/s41566-021-00852-5

Спасылкі

• Информация на сайте Нобелевской премии (англ.).
• In Memoriam: Isamu Akasaki, 1929-2021 (англ.). Optical Society of America (3 снежня 2021).