SK hynix、業界初となる321層の1Tb NANDを量産

　SK hynixは21日(韓国時間)、世界初となる321層となるTLCベースの4D NANDフラッシュの量産を開始したと発表した。

　同社は2023年6月に業界初となる238層NANDを発表したが、今回「3プラグ」(プラグは基板層を貫通するビアで一度にセルを製造する技術)と呼ばれる製造プロセスを採用することで300層以上の積層に成功した。

　具体的には、低応力のプラグ材料を開発して採用することでウェハの反りを防ぐとともに、プラグ間のアライメントを自動的に補正する技術を採用している。

　238層NANDと同じ開発プラットフォームを採用することで、プロセス切り替えによる影響を最小限に抑えつつ、前世代と比較して生産性を59%向上させられたという。また性能としても前世代と比較してデータ転送速度が12%、リード性能が13%、リード時の電力効率が10%以上向上したという。