WO2022030471A1 - 太陽電池セル及び太陽電池セル製造方法 - Google Patents

太陽電池セル及び太陽電池セル製造方法 Download PDF

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紳平 岡本
淳一 中村
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株式会社カネカ
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Definitions

  • the present invention relates to a solar cell and a method for manufacturing a solar cell.
  • a back-contact type solar cell in which a pair of semiconductor layers having different conductive types are formed in a complementary region on the back surface side of a semiconductor substrate, and an electrode pattern is laminated on each semiconductor layer.
  • a back-contact type solar cell in order to reduce the moving distance of carriers, it is preferable to alternately arrange band-shaped semiconductor films having different polarities in a plan view and connect the band-shaped semiconductor films having the same polarity. .. Considering that a module is formed by connecting a plurality of solar cells, each band-shaped semiconductor film is arranged so as to extend in the solar cell connection direction, and one conductive type band-shaped semiconductor is arranged on one side in the solar cell connection direction.
  • Patent Document 1 a cell structure (semiconductor layer and electrode) of a pair of solar cell cells is formed on a semiconductor wafer in a mirror image (line symmetry) so that the connection portions of one of the semiconductor layers are adjacent to each other, and at the boundary of the cell structure.
  • a manufacturing method for obtaining two solar cells by cutting a semiconductor wafer is disclosed.
  • Patent Document 1 as a result of forming two solar cells by cutting an octagonal semiconductor wafer having chamfered portions at four corners in the center, the base end portion of one semiconductor layer is formed in each solar cell. The corners on the side to be chamfered have an asymmetrical shape.
  • Patent Document 1 a gap is formed between the solar cells, but as a configuration for improving the output per area of the module, a so-called single ring structure in which the ends of the solar cells are overlapped in a certain direction is adopted.
  • the electrode structure at the end of the solar cell on the front side comes into contact with the semiconductor substrate (light receiving surface) of the solar cell on the back side. If the polarity of the contact portion of the electrode structure of the solar cell on the front side is equal to the polarity of the semiconductor substrate on the back side, the solar cell may be short-circuited.
  • a minute semiconductor layer having an unintended polarity may be formed at the end of the solar cells due to an error in the cutting position. .. Therefore, if a plurality of solar cells are oriented and formed in the same direction on the semiconductor wafer, a short circuit may occur at the time of connecting the single ring. In view of such circumstances, it is an object of the present invention to provide a solar cell capable of preventing a short circuit at the time of connecting a single ring and a method for manufacturing the same.
  • the solar cell according to one aspect of the present invention includes a semiconductor substrate having a first conductive type, a first semiconductor layer formed on the back surface of the semiconductor substrate and having a conductive type different from that of the semiconductor substrate, and the semiconductor substrate.
  • the first semiconductor layer comprises a second semiconductor layer having the same conductive type as above, a first electrode pattern laminated on the first semiconductor layer, and a second electrode pattern laminated on the second semiconductor layer.
  • a first base end portion formed over the entire length of the second direction intersecting the first direction at one end of the semiconductor substrate on one side in the first direction, and the first direction from the first base end portion.
  • the second semiconductor layer is adjacent to one side of the first direction of the isolation portion, and has an isolation portion that is formed linearly over the above and the first electrode pattern is not laminated. It has a second base end portion extending from the second base end portion, and a plurality of second collecting portions extending from the second base end portion to one side in the first direction.
  • the average width of the isolated portion in the first direction is smaller than the average width of the first collecting portion in the second direction, and the average width of the first collecting portion in the second direction is the first. It may be smaller than the average width of one base end portion in the first direction.
  • the average width of the isolated portion in the first direction may be 2000 ⁇ m or less.
  • the method for manufacturing a solar cell according to one aspect of the present invention has a first semiconductor layer having a conductive type different from that of the semiconductor wafer and the same conductive type as the semiconductor wafer on the back surface of the semiconductor wafer having the first conductive type.
  • a step of cutting the semiconductor wafer at a boundary is provided, the plurality of cell structures are formed side by side in the first direction and oriented in the same direction, and the first semiconductor layer is the first of the cell structures.
  • a main functional portion having a plurality of second collecting portions and on which the first electrode patterns are laminated, and an end portion of the cell structure on the other side of the first direction are linearly formed over the entire length of the second direction.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA of the solar cell of FIG. It is a flowchart which shows the procedure of the manufacturing method of the solar cell of FIG. It is sectional drawing of the semiconductor wafer after the cell structure formation process of FIG. It is sectional drawing of the solar cell module which has the solar cell of FIG.
  • FIG. 1 is a back view showing a solar cell 1 according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the solar cell 1.
  • the solar cell 1 is formed on a semiconductor substrate 10 having a first conductive type and a first semiconductor layer 20 having a conductive type different from that of the semiconductor substrate 10 and formed on the back surface (the surface opposite to the light receiving surface) of the semiconductor substrate 10.
  • a second semiconductor layer 30 having the same conductive type as the semiconductor substrate 10 and a first electrode pattern 40 laminated on the first semiconductor layer 20 and a second electrode pattern 50 laminated on the second semiconductor layer 30 are provided. ..
  • the semiconductor substrate 10 can be formed of a crystalline silicon material such as single crystal silicon or polycrystalline silicon. Further, it may be formed from other semiconductor materials such as gallium arsenide (GaAs).
  • the semiconductor substrate 10 is, for example, an n-type semiconductor substrate in which a crystalline silicon material is doped with an n-type dopant. Examples of the n-type dopant include phosphorus (P).
  • the semiconductor substrate 10 functions as a photoelectric conversion substrate that absorbs incident light from the light receiving surface side to generate optical carriers (electrons and holes). By using crystalline silicon as the material of the semiconductor substrate 10, relatively high output (stable output regardless of illuminance) can be obtained even when the dark current is relatively small and the intensity of the incident light is low.
  • the first semiconductor layer 20 and the second semiconductor layer 30 collect charges having different polarities by attracting carriers having different polarities from the inside of the semiconductor substrate 10.
  • the semiconductor substrate 10 is n-type
  • the first semiconductor layer 20 is formed of a p-type semiconductor
  • the second semiconductor layer 30 is formed of an n-type semiconductor.
  • the first semiconductor layer 20 and the second semiconductor layer 30 can be formed of, for example, an amorphous silicon material containing a dopant that imparts a desired conductive type.
  • Examples of the p-type dopant include boron (B), and examples of the n-type dopant include phosphorus (P) described above.
  • the first semiconductor layer 20 and the second semiconductor layer 30 are formed on the back surface of the semiconductor substrate 10 in a substantially complementary shape. That is, substantially all the regions on the back surface of the semiconductor substrate 10 are covered with either the first semiconductor layer 20 or the second semiconductor layer 30.
  • the first semiconductor layer 20 has a main function portion 21 on which the first electrode pattern 40 is laminated, and an isolation portion 22 which is isolated from the main function portion 21 and on which the first electrode pattern 40 is not laminated.
  • the main function portion 21 is formed at an end portion on one side of the semiconductor substrate 10 in the first direction over a substantially total length in the second direction intersecting the first direction, and a first base end portion 23 and a first base end. It has a plurality of first collecting units 24 extending from the unit 23 to the other side in the first direction.
  • the isolation portion 22 is formed linearly over the entire length in the second direction at the end of the semiconductor substrate 10 on the other side in the first direction.
  • the second semiconductor layer 30 is adjacent to one side in the first direction of the isolation portion 22, and extends from the second base end portion 31 extending in the second direction and the second base end portion 31 to one side in the first direction.
  • the first collecting unit 24 and the second collecting unit 32 use the first electrode pattern 40 or the second electrode pattern 50, which will be described later, in order to reduce the moving distance of the carriers in the semiconductor substrate 10 and improve the photoelectric conversion efficiency. It is preferable that they are alternately formed with a constant width that is relatively small enough to be laminated. Since the electric charges taken out by the first collecting unit 24 and the second collecting unit 32 flow into the first base end portion 23 and the second base end portion 31, the first collecting unit 24 and the second collecting unit 24 and the second collecting unit 24 and the second unit to reduce the electric resistance. It is preferable to have a width larger than that of the collecting unit 32.
  • the average width of the isolation unit 22 in the second direction is preferably the minimum width that can be continuously formed in the first direction. Therefore, the average width of the isolation unit 22 in the first direction is smaller than the average width of the first collection unit 24 in the second direction, and the average width of the first collection unit 24 in the second direction is the first of the first base end portions 23. It is preferably smaller than the average width in one direction.
  • the lower limit of the average width of the isolated portion in the first direction is preferably 100 ⁇ m, more preferably 200 ⁇ m.
  • the upper limit of the average width of the isolated portion in the first direction is preferably 2000 ⁇ m, more preferably 1000 ⁇ m.
  • the first electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50 are formed of a highly conductive material such as metal. Further, the first electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50 are a transparent electrode layer made of, for example, ITO (Indium Tin Oxide), zinc oxide (ZnO), etc. laminated on the first semiconductor layer 20 and the second semiconductor layer 30. , It may be a laminated body with a metal electrode layer mainly composed of metal.
  • ITO Indium Tin Oxide
  • ZnO zinc oxide
  • the first electrode pattern 40 is provided for extracting electric charges from the first semiconductor layer 20, and the second electrode pattern 50 is provided for extracting electric charges from the second semiconductor layer 30.
  • the first electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50 are laminated so as to leave a margin on the outer edge portions of the first semiconductor layer 20 (main function portion 21) and the second semiconductor layer 30 in order to prevent a short circuit.
  • the first electrode pattern 40 is laminated on the first base end portion 23, and extends from the first bus bar electrode 41 extending in the second direction to the other side in the first direction.
  • Each has a plurality of first finger electrodes 42 laminated on the first collecting unit 24.
  • the second electrode pattern 50 is laminated on the second base end portion 31, and extends from the second bus bar electrode 51 extending in the second direction to one side in the first direction from the second bus bar electrode 51, and each second collecting portion. It has a plurality of second finger electrodes 52 laminated on 32.
  • the solar cell 1 has a first semiconductor layer 20 (first base end portion 23 and isolation portion 22) having a conductive type different from that of the semiconductor substrate 10 over the entire length in the first direction at both ends in the first direction. ) Exists. Therefore, when a plurality of solar cell 1s are connected in a single ring in the first direction, the semiconductor substrate 10 may come into contact with the first semiconductor layer 20 of the adjacent solar cell 1, but the second semiconductor layer Does not come into contact with 30. Therefore, the solar cell 1 does not short-circuit when the single ring is connected.
  • the semiconductor substrate 10 of the solar cell 1 on the back side and the first semiconductor layer 20 and the second semiconductor layer 30 of the solar cell 1 on the front side are different depending on the thickness of the first electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50.
  • the actual thickness of the first electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50 is small, so that the semiconductor substrate 10 of the solar cell 1 on the back side can easily reach the isolation portion 22 due to slight inclination or deformation. Can come into contact with.
  • the solar cell 1 can be manufactured by the solar cell manufacturing method according to the embodiment of the present invention shown in FIG.
  • the solar cell manufacturing method of the present embodiment includes a step of forming a plurality of cell structures C on the back surface of the semiconductor wafer W (step S1: cell structure forming step) and a step of cutting the semiconductor wafer W at the boundary of the cell structure C.
  • Step S2 cutting step.
  • the semiconductor wafer W is a large plate-shaped semiconductor capable of cutting out a plurality of semiconductor substrates 10 by cutting.
  • the cell structure C is a concept in which components other than the semiconductor substrate 10 of each solar cell, that is, the first semiconductor layer 20, the second semiconductor layer 30, the first electrode pattern 40, and the second electrode pattern 50 are put together.
  • a plurality of cell structures C are formed on the semiconductor wafer W by arranging them in the first direction and orienting them in the same direction.
  • FIG. 4 shows a cross section at the same position as that of FIG. 2, that is, a cross section taken along the line AA of FIG.
  • the first semiconductor layer 20 is formed at one end of each cell structure C in the first direction over the entire length of the second direction intersecting the first direction.
  • a main functional unit 21 having a first base end portion 23 and a plurality of first collecting portions 24 extending from the first base end portion 23 to the other side in the first direction and on which the first electrode pattern 40 is laminated.
  • Each cell structure has an isolated portion 22 formed linearly over the entire length in the second direction at the other end in the first direction, and the first electrode pattern 40 is not laminated.
  • the main functional portion 21 of the cell structure C on the other side of the first direction and the isolation portion 22 of the cell structure C adjacent to one side of the first direction are continuously formed. That is, by forming the first semiconductor layer 20 so as to extend across the boundary of the cell structure C (shown by the alternate long and short dash line), the main functional portion 21 of the cell structure C on the other side in the first direction and one in the first direction.
  • the isolated portion 22 of the cell structure C on the side is integrally formed. That is, in FIG. 4, the first semiconductor layer 20 of the cell structure C on the right side extends slightly beyond the boundary of the cell structure C to the cell structure C on the left side, and the portion beyond the boundary of the cell structure C extends. It constitutes the isolation portion 22 of the cell structure C on the left side.
  • the first semiconductor layer 20 and the second semiconductor layer 30 can be formed by forming a resist pattern and selectively laminating semiconductor materials by, for example, a film forming technique such as CVD.
  • the first electrode pattern 40 and the second electrode pattern 50 are formed by, for example, etching of a metal layer formed by plating using a seed layer formed by sputtering or the like as an adherend, printing of a conductive paste, and firing. be able to.
  • the semiconductor wafer W is cut along the boundary of the cell structure C so that the main functional portion 21 of the cell structure C on the other side in the first direction and the cell structure C adjacent to one side in the first direction are adjacent to each other.
  • the solar cell 1 is cut out by separating it from the isolation portion 22 of the above.
  • the semiconductor wafer W can be cut by forming a scribe groove by, for example, laser irradiation, milling, etc., and bending the semiconductor wafer W.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a solar cell module M having a plurality of solar cell 1s.
  • the solar cell module M includes a plurality of solar cell strings 100 formed by connecting a plurality of solar cell 1s side by side in a row, and a plate-shaped surface protective material 200 covering the front side of the plurality of solar cell strings 100.
  • a plate-shaped or sheet-shaped back surface protective material 300 that covers the back side of the plurality of solar cell strings 100, and a sealing material 400 that is filled between the front surface protective material 200 and the back surface protective material 300.
  • the solar cell string 100 has a plurality of solar cells 1 arranged in a row in the first direction, and an interconnector 2 for connecting adjacent solar cells.
  • the end portion of the solar cell 1 on one side in the first direction is arranged so as to be overlapped with the back side of the end portion of the adjacent solar cell 1 on the other side in the first direction.
  • the interconnector 2 is formed of a conductor such as a metal foil or a metal mesh wire, and has a first bus bar electrode 41 of the solar cell 1 stacked on the front side and a second bus bar electrode 51 of the solar cell 1 stacked on the back side. Connecting.
  • the interconnector 2 may abut on the isolation portion 22 of the first semiconductor layer 20, but the isolation portion 22 is isolated from the main function portion 21 that contributes to photoelectric conversion. , No inconvenience occurs even if the interconnector 2 comes into contact with the connector 2.
  • the surface protective material 200 protects the solar cell string 100 by covering the surface of the solar cell string 100 via the sealing material 400.
  • the surface protective material 200 is preferably made of a transparent and scratch-resistant material such as glass, polycarbonate, and acrylic resin, and is preferably excellent in weather resistance.
  • examples of the material of the surface protective material 200 include transparent resins such as acrylic resin and polycarbonate resin, and glass.
  • the surface of the surface protective material 200 may be processed into an uneven shape or coated with an antireflection coating layer in order to suppress the reflection of light.
  • the surface protective material 200 may have a light-shielding region on the outer peripheral portion.
  • the surface protective material 200 preferably has a sufficient thickness to have enough strength to hold the shape of the solar cell module M. Further, by using the surface protective material 200 previously molded into a desired shape, the solar cell module M having a desired shape can be obtained.
  • the solar cell string 100 may be formed to have a length substantially equal to the length in the first direction of the translucent region inside the light-shielding region of the surface protective material 200. As a result, it is possible to increase the effective area of light received by the solar cell string 100 and prevent a decrease in photoelectric conversion efficiency due to light not incident on a part of the solar cell 1 at the end of the solar cell string 100.
  • the plurality of solar cell strings 100 may be connected to each other by a wiring material (not shown).
  • the back surface protective material 300 is a layer that protects the back surface side of the solar cell string 100.
  • the material of the back surface protective material 300 is not particularly limited, but a material that prevents the ingress of water or the like (highly water-impervious) is preferable.
  • the back surface protective material 300 can be formed of, for example, a resin such as glass, polyethylene terephthalate (PET), acrylic resin, polyethylene (PE), olefin resin, fluororesin-containing resin, and silicone-containing resin.
  • the back surface protective material 300 may be a laminate of a resin layer and a metal layer such as an aluminum foil.
  • the color (light reflection characteristic) when viewed from the front side surface of the back surface protective material 300 makes the gap between the solar cell strings 100 inconspicuous and improves the aesthetic appearance of the solar cell module M. It is preferable that the color is close to the color of the front side surface of 1.
  • the sealing material 400 seals the solar cell string 100 in the space between the front surface protective material 200 and the back surface protective material 300, and suppresses deterioration of the solar cell string 100 due to moisture or the like.
  • the encapsulant 400 is made of a transparent material and has adhesion to the surface protective material 200 and the solar cell string 100.
  • the material forming the sealing material 400 is preferably thermoplastic so that the gap between the surface protective material 200 and the solar cell string 100 can be sealed by hot pressing.
  • examples of the material for forming the encapsulant 400 include ethylene / vinyl acetate copolymer (EVA), ethylene / ⁇ -olefin copolymer, ethylene / vinyl acetate / triallyl isocyanurate (EVAT), and the like.
  • EVA ethylene / vinyl acetate copolymer
  • EVAT ethylene / vinyl acetate copolymer
  • EVAT ethylene / vinyl acetate / triallyl isocyanurate
  • the solar cell according to the present invention may have components other than those described in the above-described embodiment.
  • the solar cell according to the present invention may have an intrinsic semiconductor layer that separates the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. Further, the planar shape of the main functional portion of the first semiconductor layer and the planar shape of the second semiconductor layer, and thus the planar shapes of the first electrode pattern and the second electrode pattern can be appropriately changed.

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Abstract

シングリング接続時の短絡を防止できる太陽電池セル及びその製造方法を提供すること。本発明の一態様に係る太陽電池セル１において、半導体基板１０と異なる導電型を有する第１半導体層２０は、半導体基板１０の第１方向一方側の端部に第２方向の全長に亘って形成される第１基端部２３、及び第１基端部２３から第１方向他方側に延出する複数の第１収集部２４を有し、第１電極パターン４０が積層される主機能部２１と、半導体基板１０の第１方向他方側の端部に第２方向の全長に亘って線状に形成され、第１電極パターン４０が積層されない隔離部２２と、を有し、半導体基板１０と同じ導電型を有する第２半導体層３０は、隔離部２２の第１方向一方側に隣接し、第２方向に延びる第２基端部３１、及び第２基端部３１から第１方向一方側に延出する複数の第２収集部３２と、を有する。

Description

太陽電池セル及び太陽電池セル製造方法
　本発明は、太陽電池セル及び太陽電池セル製造方法に関する。
　半導体基板の裏面側の相補的な領域に互いに導電型が異なる一対の半導体層を形成し、それぞれの半導体層に電極パターンを積層したバックコンタクト型の太陽電池セルが知られている。バックコンタクト型の太陽電池セルにおいて、キャリアの移動距離を小さくするためには、平面視で極性が異なる帯状半導体膜を交互に配置し、極性が同じ帯状半導体膜を接続する構成とすることが好ましい。複数の太陽電池セルを接続することによりモジュールを形成することを考慮すると、各帯状半導体膜を太陽電池セル接続方向に延びるよう配置し、太陽電池セル接続方向一方側に一方の導電型の帯状半導体の端部を接続する基端部を設け、太陽電池セル接続方向他方側で他方の導電型の帯状半導体の端部を接続する基端部を設ける構成、つまり、一対の半導体層をそれぞれ櫛型に形成し、互いの歯を噛み合わせるようにして配置することが想定される（例えば特許文献１参照）。
　特許文献１には、半導体ウエハに一対の太陽電池セルのセル構造（半導体層及び電極）を一方の半導体層の接続部が隣り合うよう鏡写し（線対称）に形成し、セル構造の境界で半導体ウエハを切断することで、２つの太陽電池セルを得る製造方法が開示されている。特許文献１では、四隅に面取り部を有する八角形状の半導体ウエハを中央で切断することで、２つの太陽電池セルを形成する結果、各太陽電池セルは、一方の半導体層の基端部が形成される側の角部が面取りされた非対称な形状を有する。
　複数の太陽電池セルを用いて太陽電池モジュールを形成する場合、それぞれ複数の太陽電池セルを一列に並べて形成される複数の太陽電池ストリングを並べて配置することが一般的である。特許文献１に記載の太陽電池モジュールは、太陽電池セルの形状が非対称であるため、太陽電池ストリングにおける太陽電池セルの向きが容易に確認できる。太陽電池ストリングの向きは、電気的接続に依存して定められるため、特許文献１の太陽電池モジュールでは、一列ごとに太陽電池セルの向きが逆転している。そこで半導体ウエハに複数の太陽電池セルを同じ向きに配向して形成すれば、半導体層の極性を反転した太陽電池セルを得ることができるため、太陽電池モジュールにおける面取り部を同じ側に統一することができる。
特開２０１８－１６３９８８号公報
　特許文献１では、太陽電池セルの間に隙間が形成されているが、モジュールの面積当たりの出力を向上する構成として、太陽電池セルの端部を一定方向に重ねるいわゆるシングリング構造が採用される場合がある。この場合、表側の太陽電池セルの端部の電極構造が、裏側の太陽電池セルの半導体基板（受光面）に当接する。表側の太陽電池セルの電極構造の当接部分の極性が裏側の半導体基板の極性と等しい場合、太陽電池セルが短絡する可能性がある。上述のように、半導体ウエハに複数の太陽電池セルを同じ方向に配向して形成する場合、切断位置の誤差により、太陽電池セルの端部に意図しない極性を有する微小な半導体層が形成され得る。このため、半導体ウエハに複数の太陽電池セルを同じ方向に配向して形成すると、シングリング接続時に短絡が生じるおそれがある。かかる事情に鑑みて、本発明は、シングリング接続時の短絡を防止できる太陽電池セル及びその製造方法を提供することを課題とする。
　本発明の一態様に係る太陽電池セルは、第１の導電型を有する半導体基板と、前記半導体基板の裏面に形成され、前記半導体基板と異なる導電型を有する第１半導体層、及び前記半導体基板と同じ導電型を有する第２半導体層と、前記第１半導体層に積層される第１電極パターン及び前記第２半導体層に積層される第２電極パターンと、を備え、前記第１半導体層は、前記半導体基板の第１方向一方側の端部に前記第１方向と交差する第２方向の全長に亘って形成される第１基端部、及び前記第１基端部から前記第１方向他方側に延出する複数の第１収集部を有し、前記第１電極パターンが積層される主機能部と、前記半導体基板の前記第１方向他方側の端部に前記第２方向の全長に亘って線状に形成され、前記第１電極パターンが積層されない隔離部と、を有し、前記第２半導体層は、前記隔離部の前記第１方向一方側に隣接し、前記第２方向に延びる第２基端部、及び前記第２基端部から前記第１方向一方側に延出する複数の第２収集部と、を有する。
　前記太陽電池セルにおいて、前記隔離部の前記第１方向の平均幅は前記第１収集部の前記第２方向の平均幅より小さく、前記第１収集部の前記第２方向の平均幅は前記第１基端部の前記第１方向の平均幅より小さくてもよい。
　前記太陽電池セルにおいて、前記隔離部の前記第１方向の平均幅は２０００μｍ以下であってもよい。
　本発明の一態様に係る太陽電池セル製造方法は、第１の導電型を有する半導体ウエハの裏面に、前記半導体ウエハと異なる導電型を有する第１半導体層及び前記半導体ウエハと同じ導電型を有する第２半導体層、並びに前記第１半導体層に積層される第１電極パターン及び前記第２半導体層に積層される第２電極パターンをそれぞれ有する複数のセル構造を形成する工程と、前記セル構造の境界で前記半導体ウエハを切断する工程と、を備え、前記複数のセル構造は、第１方向に並んで、同一方向に配向して形成され、前記第１半導体層は、前記セル構造の前記第１方向一方側の端部に前記第１方向と交差する第２方向の全長に亘って形成される第１基端部、及び前記第１基端部から前記第１方向他方側に延出する複数の第２収集部を有し、前記第１電極パターンが積層される主機能部と、前記セル構造の前記第１方向他方側の端部に前記第２方向の全長に亘って線状に形成され、前記第１電極パターンが積層されない隔離部と、を有し、前記セル構造を形成する工程において、前記主機能部と、前記第１方向一方側に隣接する前記セル構造の前記隔離部とは連続して形成され、前記半導体ウエハを切断する工程において、前記主機能部と前記第１方向一方側に隣接する前記セル構造の前記隔離部とが分離される。
　本発明によれば、シングリング接続時の短絡を防止できる太陽電池セルを提供できる。
本発明の一実施形態の太陽電池セルの裏面図である。 図１の太陽電池セルのＡ－Ａ線断面図である。 図１の太陽電池セルの製造方法の手順を示すフローチャートである。 図３のセル構造形成工程後の半導体ウエハの断面図である。 図１の太陽電池セルを有する太陽電池モジュールの断面図である。
　以下、添付の図面を参照して本発明の各実施形態について説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。また、簡略化のために、部材の図示、符号等を省略する場合もあるが、かかる場合、他の図面を参照するものとする。また、図面における種々部材の形状及び寸法は、便宜上、見やすいように調整されている。
＜太陽電池セル＞
　図１は、本発明の一実施形態に係る太陽電池セル１を示す裏面図である。図２は、太陽電池セル１の断面図である。太陽電池セル１は、第１の導電型を有する半導体基板１０と、半導体基板１０の裏面（受光面と反対側の面）に形成され、半導体基板１０と異なる導電型を有する第１半導体層２０及び半導体基板１０と同じ導電型を有する第２半導体層３０と、第１半導体層２０に積層される第１電極パターン４０及び第２半導体層３０に積層される第２電極パターン５０と、を備える。
　半導体基板１０は、単結晶シリコン又は多結晶シリコン等の結晶シリコン材料で形成することができる。また、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等の他の半導体材料から形成されてもよい。半導体基板１０は、例えば結晶シリコン材料にｎ型ドーパントがドープされたｎ型の半導体基板である。ｎ型ドーパントとしては、例えばリン（Ｐ）が挙げられる。半導体基板１０は、受光面側からの入射光を吸収して光キャリア（電子及び正孔）を生成する光電変換基板として機能する。半導体基板１０の材料として結晶シリコンが用いられることにより、暗電流が比較的に小さく、入射光の強度が低い場合であっても比較的高出力（照度によらず安定した出力）が得られる。
　第１半導体層２０及び第２半導体層３０は、半導体基板１０の内部から、互いに極性が異なるキャリアを誘引することにより、異なる極性の電荷をして収集する。具体的には、半導体基板１０がｎ型である場合、第１半導体層２０はｐ型半導体から形成され、第２半導体層３０はｎ型半導体から形成される。第１半導体層２０及び第２半導体層３０は、例えば所望の導電型を付与するドーパントを含有するアモルファスシリコン材料で形成することができる。ｐ型ドーパントとしては、例えばホウ素（Ｂ）が挙げられ、ｎ型ドーパントとしては、例えば上述したリン（Ｐ）が挙げられる。
第１半導体層２０と第２半導体層３０とは、半導体基板１０の裏面に、略相補的な形状に形成される。つまり、半導体基板１０の裏面の略全ての領域は、第１半導体層２０及び第２半導体層３０のいずれかに覆われる。
　第１半導体層２０は、第１電極パターン４０が積層される主機能部２１と、主機能部２１から隔離され、第１電極パターン４０が積層されない隔離部２２と、を有する。主機能部２１は、半導体基板１０の第１方向一方側の端部に、第１方向と交差する第２方向の略全長に亘って形成される第１基端部２３、及び第１基端部２３から第１方向他方側に延出する複数の第１収集部２４を有する。隔離部２２は、半導体基板１０の第１方向他方側の端部に、第２方向の全長に亘って線状に形成される。
　第２半導体層３０は、隔離部２２の第１方向一方側に隣接し、第２方向に延びる第２基端部３１、及び第２基端部３１から第１方向一方側に延出する複数の第２収集部３２と、を有する。
　第１収集部２４及び第２収集部３２は、半導体基板１０内でのキャリアの移動距離を小さくして光電変換効率を向上するために、後述する第１電極パターン４０又は第２電極パターン５０を積層できる程度の比較的小さい一定の幅で交互に形成されることが好ましい。第１基端部２３及び第２基端部３１は、第１収集部２４及び第２収集部３２で取り出した電荷が流入するため、電気抵抗を小さくするために第１収集部２４及び第２収集部３２よりも大きい幅を有することが好ましい。隔離部２２は、光電変換に寄与しないため、隔離部２２の第２方向の平均幅は第１方向に連続して形成可能な最低限度の幅とすることが好ましい。このため、隔離部２２の第１方向の平均幅は第１収集部２４の第２方向の平均幅より小さく、第１収集部２４の第２方向の平均幅は第１基端部２３の第１方向の平均幅より小さいことが好ましい。具体的には、隔離部の第１方向の平均幅の下限としては１００μｍが好ましく、２００μｍがより好ましい。一方、隔離部の第１方向の平均幅の上限としては２０００μｍが好ましく、１０００μｍがより好ましい。
　第１電極パターン４０及び第２電極パターン５０は、例えば金属等の高い導電性を有する材料によって形成される。また、第１電極パターン４０及び第２電極パターン５０は、第１半導体層２０及び第２半導体層３０に積層される例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等からなる透明電極層と、金属を主体とする金属電極層との積層体であってもよい。
　第１電極パターン４０は第１半導体層２０から電荷を取り出すために設けられ、第２電極パターン５０は第２半導体層３０から電荷を取り出すために設けられる。第１電極パターン４０及び第２電極パターン５０は、短絡を防止するために、第１半導体層２０（主機能部２１）及び第２半導体層３０の外縁部にマージンを残すよう積層される。
　具体的に説明すると、第１電極パターン４０は、第１基端部２３に積層され、第２方向に延びる第１バスバー電極４１と、第１バスバー電極４１から第１方向他方側に延出し、それぞれの第１収集部２４に積層される複数の第１フィンガー電極４２と、を有する。第２電極パターン５０は、第２基端部３１に積層され、第２方向に延びる第２バスバー電極５１と、第２バスバー電極５１から第１方向一方側に延出し、それぞれの第２収集部３２に積層される複数の第２フィンガー電極５２と、を有する。
　以上のように、太陽電池セル１は、第１方向の両端に第１方向の全長に亘って半導体基板１０と異なる導電型を有する第１半導体層２０（第１基端部２３及び隔離部２２）が存在する。このため、複数の太陽電池セル１を第１方向にシングリング接続した場合に、半導体基板１０が隣接する太陽電池セル１の第１半導体層２０と接触することはあっても、第２半導体層３０と接触することがない。このため、シングリング接続時に太陽電池セル１が短絡することがない。なお、図では第１電極パターン４０及び第２電極パターン５０の厚さによって裏側の太陽電池セル１の半導体基板１０と表側の太陽電池セル１の第１半導体層２０及び第２半導体層３０とは接触しないように見えるが、実際の第１電極パターン４０及び第２電極パターン５０の厚さは小さいため、裏側の太陽電池セル１の半導体基板１０は、僅かな傾斜や変形によって隔離部２２に容易に当接し得る。
＜太陽電池セル製造方法＞
　太陽電池セル１は、図３に示す、本発明の一実施形態に係る太陽電池セル製造方法によって製造することができる。
　本実施形態の太陽電池セル製造方法は、半導体ウエハＷの裏面に複数のセル構造Ｃを形成する工程（ステップＳ１：セル構造形成工程）と、セル構造Ｃの境界で半導体ウエハＷを切断する工程（ステップＳ２：切断工程）と、を備える。半導体ウエハＷは、切断することによって複数の半導体基板１０を切り出すことができる大きい板状の半導体である。セル構造Ｃは、各太陽電池セルの半導体基板１０以外の構成要素、つまり第１半導体層２０、第２半導体層３０、第１電極パターン４０及び第２電極パターン５０をまとめた概念である。
　ステップＳ１のセル構造形成工程では、図４に示すように、半導体ウエハＷに、複数のセル構造Ｃを、第１方向に並んで同一方向に配向して形成する。なお、図４は、図２と同じ位置での断面、つまり図１のＡ－Ａ線での断面を示す。太陽電池セル１の説明から明らかなように、第１半導体層２０は、各セル構造Ｃの第１方向一方側の端部に第１方向と交差する第２方向の全長に亘って形成される第１基端部２３、及び第１基端部２３から第１方向他方側に延出する複数の第１収集部２４を有し、第１電極パターン４０が積層される主機能部２１と、各セル構造の第１方向他方側の端部に第２方向の全長に亘って線状に形成され、第１電極パターン４０が積層されない隔離部２２と、を有する。
　セル構造形成工程において、第１方向他方側のセル構造Ｃの主機能部２１と、第１方向一方側に隣接するセル構造Ｃの隔離部２２とは、連続して形成される。つまり、第１半導体層２０をセル構造Ｃの境界（一点鎖線で図示）を跨いで延在するよう形成することで、第１方向他方側のセル構造Ｃの主機能部２１と第１方向一方側のセル構造Ｃの隔離部２２とを一体に形成する。つまり、図４において、右側のセル構造Ｃの第１半導体層２０がセル構造Ｃの境界を僅かに越えて左側のセル構造Ｃまで延在しており、このセル構造Ｃの境界を超える部分が左側のセル構造Ｃの隔離部２２を構成している。
　第１半導体層２０及び第２半導体層３０は、レジストパターンを形成して例えばＣＶＤ等の成膜技術によって半導体材料を選択的に積層することによって形成することができる。第１電極パターン４０及び第２電極パターン５０は、例えば、スパッタリング等で形成したシード層を被着体とするメッキにより形成した金属層のエッチング、導電性ペーストの印刷及び焼成などの方法によって形成することができる。
　ステップＳ２の切断工程では、セル構造Ｃの境界に沿って半導体ウエハＷを切断することによって、第１方向他方側のセル構造Ｃの主機能部２１と第１方向一方側に隣接するセル構造Ｃの隔離部２２とを分離して、太陽電池セル１を切り出す。
　半導体ウエハＷの切断は、例えばレーザの照射、ミリング等によってスクライブ溝を形成し、半導体ウエハＷに曲げを作用させる割断によって行うことができる。
＜太陽電池モジュール＞
　図５は、複数の太陽電池セル１を有する太陽電池モジュールＭの断面図である。太陽電池モジュールＭは、それぞれ複数の太陽電池セル１を一列に並べて接続することにより形成される複数の太陽電池ストリング１００と、複数の太陽電池ストリング１００の表側を覆う板状の表面保護材２００と、複数の太陽電池ストリング１００の裏側を覆う板状又はシート状の裏面保護材３００と、表面保護材２００と裏面保護材３００との間に充填される封止材４００と、を備える。
　太陽電池ストリング１００は、第１方向に一列に並ぶ複数の太陽電池セル１と、隣り合う太陽電池セル間を接続するインターコネクタ２とを有する。太陽電池ストリング１００において、太陽電池セル１の第１方向一方側の端部は、隣接する太陽電池セル１の第１方向他方側の端部の裏側に重ねて配置される。インターコネクタ２は、金属箔、金属網線等の導電体から形成され、表側に重ねられる太陽電池セル１の第１バスバー電極４１と裏側に重ねられる太陽電池セル１の第２バスバー電極５１とを接続する。
　太陽電池ストリングにおいて、図示するように、インターコネクタ２が、第１半導体層２０の隔離部２２に当接し得るが、隔離部２２は、光電変換に寄与する主機能部２１から隔離されているため、インターコネクタ２が接触しても不都合は生じない。
　表面保護材２００は、封止材４００を介して、太陽電池ストリング１００の表面を覆うことにより、太陽電池ストリング１００を保護する。表面保護材２００は、例えばガラス、ポリカーボネート、アクリル樹脂などの透明で耐傷性を有する材料から形成され、対候性に優れることが好ましい。具体的には、表面保護材２００の材質としては、例えばアクリル樹脂若しくはポリカーボネート樹脂等の透明樹脂、ガラスなどを挙げることができる。また、表面保護材２００の表面は、光の反射を抑制するために、凹凸状に加工されたり、反射防止コーティング層で被覆されてもよい。表面保護材２００は、外周部に遮光領域を有してもよい。
　表面保護材２００は、太陽電池モジュールＭの形状を保持できる強度を備えるために十分な厚さを有することが好ましい。また、予め所望の形状に成形した表面保護材２００を用いることによって、所望の形状の太陽電池モジュールＭを得ることができる。
　太陽電池ストリング１００は、表面保護材２００の遮光領域の内側の透光領域の第１方向の長さと略等しい長さを有するよう形成され得る。これにより、太陽電池ストリング１００が受光する有効面積を大きくしつつ、太陽電池ストリング１００の端部の太陽電池セル１の一部に光が入射しないことによる光電変換効率の低下を防止できる。なお、複数の太陽電池ストリング１００は、不図示の配線材によって互いに接続され得る。
　裏面保護材３００は、太陽電池ストリング１００の裏面側を保護する層である。裏面保護材３００の材質としては、特に限定されるものではないが、水等の浸入を防止する（遮水性の高い）材質が好ましい。具体的には、裏面保護材３００は、例えばガラス、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、アクリル樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）、オレフィン系樹脂、含フッ素樹脂、含シリコーン樹脂等の樹脂等から形成できる。また、裏面保護材３００は、樹脂の層と、例えばアルミニウム箔等の金属の層との積層体としてもよい。また、裏面保護材３００の表側面から見た際の色（光の反射特性）は、太陽電池ストリング１００間の隙間を目立ちにくくして太陽電池モジュールＭの美観を向上するために、太陽電池セル１の表側面の色と近似していることが好ましい。
　封止材４００は、表面保護材２００と裏面保護材３００との間の空間内で太陽電池ストリング１００を封止し、水分等により太陽電池ストリング１００が劣化することを抑制する。封止材４００は、透明性を有し、表面保護材２００及び太陽電池ストリング１００に対する密着性を有する材料から形成される。封止材４００を形成する材料は、熱プレスにより表面保護材２００と太陽電池ストリング１００との隙間を封止できるよう、熱可塑性を有することが好ましい。具体的には、封止材４００を形成する材料としては、例えばエチレン／酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン／α－オレフィン共重合体、エチレン／酢酸ビニル／トリアリルイソシアヌレート（ＥＶＡＴ）、ポリビニルブチラート（ＰＶＢ）、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂等を主成分する樹脂組成物を用いることができる。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく、種々の変更及び変形が可能である。また、本発明に係る太陽電池セルは、上述した実施形態において説明したもの以外の構成要素を有してもよい。例として、本発明に係る太陽電池セルは、第１半導体層と第２半導体層とを隔離する真性半導体層を有してもよい。また、第１半導体層の主機能部の平面形状及び第２半導体層の平面形状ひいては第１電極パターン及び第２電極パターンの平面形状は、適宜変更することができる。
　１　太陽電池セル
　２　インターコネクタ
　１０　半導体基板
　２０　第１半導体層
　２１　主機能部
　２２　隔離部
　２３　第１基端部
　２４　第１収集部
　３０　第２半導体層
　３１　第２基端部
　３２　第２収集部
　４０　第１電極パターン
　４１　第１バスバー電極
　４２　第１フィンガー電極
　５０　第２電極パターン
　５１　第２バスバー電極
　５２　第２フィンガー電極
　１００　太陽電池ストリング
　２００　表面保護材
　３００　裏面保護材
　４００　封止材
　Ｃ　セル構造
　Ｍ　太陽電池モジュール
　Ｗ　半導体ウエハ

Claims (4)

  1. 　第１の導電型を有する半導体基板と、
    　前記半導体基板の裏面に形成され、前記半導体基板と異なる導電型を有する第１半導体層、及び前記半導体基板と同じ導電型を有する第２半導体層と、
    　前記第１半導体層に積層される第１電極パターン及び前記第２半導体層に積層される第２電極パターンと、
    を備え、
    　前記第１半導体層は、
    　前記半導体基板の第１方向一方側の端部に前記第１方向と交差する第２方向の全長に亘って形成される第１基端部、及び前記第１基端部から前記第１方向他方側に延出する複数の第１収集部を有し、前記第１電極パターンが積層される主機能部と、
    　前記半導体基板の前記第１方向他方側の端部に前記第２方向の全長に亘って線状に形成され、前記第１電極パターンが積層されない隔離部と、
    を有し、
    　前記第２半導体層は、前記隔離部の前記第１方向一方側に隣接し、前記第２方向に延びる第２基端部、及び前記第２基端部から前記第１方向一方側に延出する複数の第２収集部と、を有する、太陽電池セル。
  2. 　前記隔離部の前記第１方向の平均幅は前記第１収集部の前記第２方向の平均幅より小さく、前記第１収集部の前記第２方向の平均幅は前記第１基端部の前記第１方向の平均幅より小さい、請求項１に記載の太陽電池セル。
  3. 　前記隔離部の前記第１方向の平均幅は２０００μｍ以下である、請求項１又は２に記載の太陽電池セル。
  4. 　第１の導電型を有する半導体ウエハの裏面に、前記半導体ウエハと異なる導電型を有する第１半導体層及び前記半導体ウエハと同じ導電型を有する第２半導体層、並びに前記第１半導体層に積層される第１電極パターン及び前記第２半導体層に積層される第２電極パターンをそれぞれ有する複数のセル構造を形成する工程と、
    　前記セル構造の境界で前記半導体ウエハを切断する工程と、
    を備え、
    　前記複数のセル構造は、第１方向に並んで、同一方向に配向して形成され、
    　前記第１半導体層は、
    　前記セル構造の前記第１方向一方側の端部に前記第１方向と交差する第２方向の全長に亘って形成される第１基端部、及び前記第１基端部から前記第１方向他方側に延出する複数の第２収集部を有し、前記第１電極パターンが積層される主機能部と、
    　前記セル構造の前記第１方向他方側の端部に前記第２方向の全長に亘って線状に形成され、前記第１電極パターンが積層されない隔離部と、
    を有し、
    　前記セル構造を形成する工程において、前記主機能部と、前記第１方向一方側に隣接する前記セル構造の前記隔離部とは連続して形成され、
    　前記半導体ウエハを切断する工程において、前記主機能部と前記第１方向一方側に隣接する前記セル構造の前記隔離部とが分離される、太陽電池セル製造方法。
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