WO2017056371A1 - 太陽電池モジュールおよび太陽電池セルの製造方法 - Google Patents

太陽電池モジュールおよび太陽電池セルの製造方法 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a solar cell module, and more particularly to a solar cell module connecting a plurality of solar cells and a method for manufacturing the solar cells.
  • a solar cell with high power generation efficiency there is a back junction type solar cell in which both an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer are formed on the back surface facing the light receiving surface on which light is incident.
  • a back junction solar cell both an n-side electrode and a p-side electrode for taking out the generated power are provided on the back side.
  • a solar cell module is formed by electrically connecting a plurality of solar cells with a wiring material (see, for example, Patent Document 1).
  • a solar cell module is generally configured by connecting a plurality of solar cells using a wiring material. Moreover, in the solar cell module, in order to take out the electric power generated in the solar cell, a wiring material for connecting the electrode provided in the solar cell and the plurality of solar cells is necessary. Since these are provided, the configuration of the solar cell module becomes complicated and the manufacturing cost increases.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a technique for simplifying the configuration of the solar cell module.
  • a solar battery module includes a plurality of solar battery cells electrically connected to each other. At least one of the plurality of solar cells is disposed on the main surface of the semiconductor substrate, the plurality of first collector electrodes disposed on the main surface of the semiconductor substrate, and the plurality of first electrodes. A second collector electrode connected to the collector electrode. The second collector electrode extends from the semiconductor substrate toward another adjacent photovoltaic cell, and the second collector electrode includes a portion disposed on the main surface of the semiconductor substrate and a portion extending from the semiconductor substrate. Are integrally formed.
  • Another aspect of the present invention is a method for manufacturing a solar battery cell.
  • the method includes a step of preparing a semiconductor substrate and a step of forming a collecting electrode disposed on the main surface of the semiconductor substrate and extending from the semiconductor substrate by a plating method.
  • a portion disposed on the main surface of the semiconductor substrate and a portion extending from the semiconductor substrate are integrally formed in the collector electrode.
  • the configuration of the solar cell module can be simplified.
  • FIGS. 5A to 5C are cross-sectional views showing manufacturing steps subsequent to FIGS. 4A to 4C.
  • 6 (a) to 6 (b) are cross-sectional views showing another manufacturing process of the solar battery cell of FIG. 7A to 7C are cross-sectional views showing still another manufacturing process of the solar battery cell of FIG.
  • FIGS. 9A to 9C are plan views showing the structure of the solar battery cell of FIG.
  • Example 1 of this invention is related with the solar cell module comprised by connecting a several photovoltaic cell.
  • the solar cell module according to Example 1 uses a back junction solar cell.
  • a back junction solar cell a pair of comb-like electrodes that are interleaved with each other are arranged on the back surface facing the light receiving surface on which light is incident.
  • the electrodes of this solar battery cell are classified into a first electrode and a second electrode having different conductivity.
  • a first electrode of a predetermined solar cell and a second electrode of a solar cell adjacent to the first electrode are connected by a wiring material.
  • the number of wiring members becomes necessary as the number of solar cells included in the solar cell module increases. For the purpose of simplifying the configuration of the solar cell module and reducing the cost, it is desirable that the wiring material is not included.
  • the first electrode is formed so as to extend from the solar battery cell.
  • the first electrode of the solar battery cell and the second electrode of the solar battery cell adjacent thereto are directly connected.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a solar cell module 100 according to Example 1 of the present invention.
  • the solar cell module 100 includes a first solar cell 10a, a second solar cell 10b, a third solar cell 10c, a first protective member 12, a second protective member 14, and a sealing member, which are collectively referred to as the solar cell 10. 16 is included.
  • the first solar cell 10a includes a first-first electrode bus bar electrode 32a and a first-second electrode bus bar electrode 36a
  • the second solar cell 10b is provided for the second-first electrode. It includes a bus bar electrode 32b and a second / second electrode bus bar electrode 36b.
  • first-first electrode bus bar electrode 32a and the second-first electrode bus bar electrode 32b are collectively referred to as the first electrode bus bar electrode 32
  • the second electrode bus bar electrode 36b is collectively referred to as the second electrode bus bar electrode 36.
  • a rectangular coordinate system consisting of an x-axis, a y-axis, and a z-axis is defined.
  • the x axis and the y axis are orthogonal to each other in the plane of the solar cell module 100.
  • the z axis is perpendicular to the x axis and the y axis and extends in the thickness direction of the solar cell module 100.
  • the positive directions of the x-axis, y-axis, and z-axis are each defined in the direction of the arrow in FIG. 1, and the negative direction is defined in the direction opposite to the arrow.
  • the main plane arranged on the positive side of the z axis is the light receiving surface.
  • the main plane disposed on the negative direction side of the z axis is the back surface.
  • the positive direction side of the z-axis is referred to as “light-receiving surface side”
  • the negative direction side of the z-axis is referred to as “back surface side”.
  • the plurality of solar battery cells 10 are arranged along the y axis to form a solar battery string. Adjacent solar cells 10 are electrically connected by the first electrode bus bar electrode 32 of one solar cell 10.
  • the configuration of the first electrode bus bar electrode 32 will be described later.
  • the first electrode bus bar electrode 32 of one solar battery cell 10 and the second electrode bus bar electrode 36 of the other solar battery cell 10 are bonded together by an adhesive.
  • the first-first electrode bus bar electrode 32a of the first solar cell 10a is disposed so as to overlap the second-second electrode bus bar electrode 36b of the adjacent second solar cell 10b
  • the first-first electrode bus bar electrode 32a and the second-second electrode bus bar electrode 36b are bonded together by an adhesive.
  • solder or resin adhesive is used as the adhesive.
  • the resin adhesive may have an insulating property or may have anisotropic conductivity.
  • the first protective member 12 is disposed on the light receiving surface side of the plurality of solar cells 10.
  • the 1st protection member 12 is comprised by the board
  • the second protective member 14 is disposed on the back side of the plurality of solar cells 10.
  • the 2nd protection member 14 is comprised by the resin film which interposed metal foil, such as aluminum foil, for example.
  • a sealing member 16 is disposed between the first protection member 12 and the second protection member 14. The sealing member 16 seals the plurality of solar cells 10.
  • the sealing member 16 is formed of a light-transmitting resin such as ethylene / vinyl acetate copolymer (EVA) or polyvinyl butyral (PVB).
  • EVA ethylene / vinyl acetate copolymer
  • PVB polyvinyl butyral
  • a metal frame such as Al may be attached to the outer periphery of the laminated body of the first protective member 12, the sealing member 16, the solar battery cell 10, and the second protective member 14. Furthermore, a wiring material and a terminal box for taking out the output of the solar battery cell 10 to the outside may be attached to the back surface side of the second protective member 14.
  • FIG. 2 is a plan view showing the structure of the solar battery cell 10, and shows the structure of the back surface of the solar battery cell 10.
  • the solar battery cell 10 includes a first electrode 20, a second electrode 22, and a semiconductor substrate 50.
  • the first electrode 20 includes a plurality of first electrode finger electrodes 30 and first electrode bus bar electrodes 32
  • the second electrode 22 includes a plurality of second electrode finger electrodes 34 and second electrode bus bar electrodes 36.
  • the first electrode 20 and the second electrode 22 are formed on the back side of the semiconductor substrate 50 and have different polarities. More specifically, the first electrode 20 collects electrons and becomes a negative electrode, and the second electrode 22 collects holes and becomes a positive electrode.
  • the solar battery cell 10 is a back junction type photovoltaic element.
  • the plurality of first electrode finger electrodes 30 are formed in a rectangular shape extending in the y-axis direction.
  • the number of first electrode finger electrodes 30 is “5”, but the present invention is not limited to this.
  • the first electrode bus bar electrode 32 is connected to the negative end of the y-axis of the plurality of first electrode finger electrodes 30.
  • the first electrode bus bar electrode 32 is formed in a trapezoidal shape extending in the x-axis direction in the semiconductor substrate 50. Further, the first electrode bus bar electrode 32 is another adjacent solar cell 10 (not shown) and the other solar cell 10 arranged on the negative direction side of the y-axis of the present solar cell 10. Extending from the semiconductor substrate 50.
  • the portion extending from the semiconductor substrate 50 in the negative direction of the y-axis is formed in a rectangular shape. Further, in the first electrode bus bar electrode 32, the trapezoidal portion disposed in the semiconductor substrate 50 and the rectangular portion extending from the semiconductor substrate 50 are integrally formed.
  • the entire bus bar electrode 32 for the first electrode may also be formed in a rectangular shape.
  • the first electrode 20 is formed in a comb-like shape by such a combination of the plurality of first electrode finger electrodes 30 and the first electrode bus bar electrode 32.
  • the y-axis is the first direction
  • the x-axis can be said to be a second direction perpendicular to the first direction.
  • the plurality of second electrode finger electrodes 34 are formed in a rectangular shape extending in the y-axis direction.
  • the number of second electrode finger electrodes 34 is “6”, but the present invention is not limited to this.
  • the second electrode bus bar electrode 36 is connected to the positive end of the y-axis of the plurality of second electrode finger electrodes 34.
  • the second electrode bus bar electrode 36 is formed in a trapezoidal shape extending in the x-axis direction.
  • the second electrode bus bar electrode 36 may be formed in a rectangular shape, similarly to the first electrode bus bar electrode 32.
  • the second electrode bus bar electrode 36 is disposed only in the semiconductor substrate 50 and does not extend from the semiconductor substrate 50.
  • the second electrode 22 is also formed in a comb shape by the combination of the plurality of finger electrodes 34 for the second electrode and the bus bar electrode 36 for the second electrode.
  • the first electrode 20 and the second electrode 22 are formed such that the plurality of first electrode finger electrodes 30 and the plurality of second electrode finger electrodes 34 are engaged with each other.
  • a separation region 38 is provided between the first electrode 20 and the second electrode 22.
  • the isolation region 38 is provided to ensure insulation between the first electrode 20 and the second electrode 22, and is formed in a meandering shape along the comb shape of the first electrode 20 and the second electrode 22. Is done.
  • the transparent conductive layer and the metal electrode layer which will be described later, constituting the first electrode 20 and the second electrode 22 are not disposed in the separation region 38. Therefore, the transparent conductive layer and the metal electrode layer are separately provided so as to correspond to each of the first electrode 20 and the second electrode 22.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view in the A-A ′ direction showing the structure of the solar battery cell 10. That is, FIG. 3 is a cross-sectional view of the portion where the first electrode bus bar electrode 32, the second electrode finger electrode 34, and the separation region 38 are disposed in FIG.
  • the solar battery cell 10 includes a semiconductor substrate 50, a protective layer 52, a first semiconductor layer 54, a second semiconductor layer 56, a transparent conductive layer 58, an insulating layer 60, a seed layer 62, and a plating layer 64.
  • the transparent conductive layer 58 includes a first transparent conductive layer 70 and a second transparent conductive layer 72
  • the seed layer 62 includes a first seed layer 74 and a second seed layer 76
  • the plating layer 64 includes the first plating layer. 78
  • the second plating layer 80 is included.
  • the metal electrode layer constituted by the seed layer 62 and the plating layer 64 and the transparent conductive layer 58 constitute the first electrode bus bar electrode 32 and the second electrode finger electrode 34.
  • the semiconductor substrate 50 absorbs light incident from the positive z-axis direction, that is, the light receiving surface, and generates electrons and holes as carriers.
  • the semiconductor substrate 50 is made of a crystalline semiconductor material having n-type or p-type conductivity.
  • the semiconductor substrate 50 is an n-type single crystal silicon substrate.
  • the light receiving surface side on which the first electrode bus bar electrode 32, the second electrode finger electrode 34, the first electrode finger electrode 30 (not shown), and the second electrode bus bar electrode 36 are arranged.
  • a collecting electrode is not disposed on the reverse side of the opposite side.
  • the protective layer 52 is provided on the positive side of the z-axis of the semiconductor substrate 50.
  • the protective layer 52 is formed of, for example, silicon, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or the like.
  • the protective layer 52 has a function as a passivation layer on the light receiving surface of the semiconductor substrate 50 and functions as an antireflection film and a protective film.
  • the protective layer 52 has a structure in which an i-type amorphous silicon layer and an insulating layer such as silicon oxide or silicon nitride are sequentially stacked on the light receiving surface of the semiconductor substrate 50.
  • the protective layer 52 may have a structure in which an n-type amorphous silicon layer is provided between an i-type amorphous silicon layer and an insulating layer.
  • the i-type amorphous silicon layer and the n-type amorphous silicon layer have a thickness of about 2 nm to 50 nm, for example.
  • the insulating layer such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride has a thickness of about 50 nm to 200 nm, for example.
  • a first semiconductor layer 54 and a second semiconductor layer 56 are formed on the back side of the semiconductor substrate 50.
  • the first semiconductor layer 54 and the second semiconductor layer 56 are each formed in a comb-like shape so as to correspond to the first electrode 20 and the second electrode 22 (not shown), and are formed so as to be interleaved with each other.
  • the first semiconductor layer 54 is a semiconductor layer having a first conductivity type, and is composed of an amorphous semiconductor layer having the same n-type conductivity as that of the semiconductor substrate 50.
  • the first semiconductor layer 54 includes, for example, a substantially intrinsic i-type amorphous semiconductor layer formed on the light receiving surface, and an n-type amorphous semiconductor formed on the i-type amorphous semiconductor layer. It is constituted by a two-layer structure of a quality semiconductor layer.
  • the “amorphous semiconductor” may include a microcrystalline semiconductor.
  • a microcrystalline semiconductor refers to a semiconductor including a semiconductor that has crystal grains in an amorphous semiconductor.
  • the i-type amorphous semiconductor layer is made of i-type amorphous silicon containing hydrogen (H), and has a thickness of about 2 nm to 25 nm, for example.
  • the n-type amorphous semiconductor layer is made of n-type amorphous silicon containing hydrogen to which an n-type dopant is added, and has a thickness of about 2 nm to 50 nm, for example.
  • the formation method of each layer constituting the first semiconductor layer 54 is not particularly limited, but can be formed by, for example, a chemical vapor deposition (CVD) method such as a plasma CVD method.
  • CVD chemical vapor deposition
  • An insulating layer 60 is formed on the back surface side of the first semiconductor layer 54.
  • the insulating layer 60 is provided in the portion where the first electrode bus bar electrode 32 is disposed, but is not provided in the portion where the second electrode finger electrode 34 is disposed. Therefore, a step is provided in the first electrode bus bar electrode 32 and the second electrode finger electrode 34.
  • the insulating layer 60 is made of, for example, silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN), silicon oxynitride (SiON), or the like.
  • the insulating layer 60 is preferably formed of silicon nitride.
  • the second semiconductor layer 56 is formed on a portion of the back surface of the semiconductor substrate 50 where the first semiconductor layer 54 is not provided, and at the portion where the first semiconductor layer 54 is provided, the second semiconductor layer 56 and the first semiconductor layer 54 are z. It is provided so as to overlap the negative direction side of the shaft.
  • the second semiconductor layer 56 is a semiconductor layer having a second conductivity type, and is composed of an amorphous semiconductor layer having a p-type conductivity type different from that of the semiconductor substrate 50.
  • the second semiconductor layer 56 is formed on a substantially intrinsic i-type amorphous semiconductor layer formed on the back surface side of the semiconductor substrate 50 and on the i-type amorphous semiconductor layer.
  • the p-type amorphous semiconductor layer has a two-layer structure.
  • the first semiconductor layer 54 and the second semiconductor layer 56 are provided via the insulating layer 60 in the region where the first electrode bus bar electrode 32 is provided.
  • the second semiconductor layer 56 may be removed, or the second semiconductor layer 56 and the insulating layer 60 may be removed.
  • the i-type amorphous semiconductor layer is made of i-type amorphous silicon containing hydrogen (H), and has a thickness of about 2 nm to 25 nm, for example.
  • the p-type amorphous semiconductor layer is made of n-type amorphous silicon containing hydrogen to which a p-type dopant is added, and has a thickness of about 2 nm to 50 nm, for example.
  • the formation method of each layer constituting the second semiconductor layer 56 is not particularly limited, but can be formed by, for example, a chemical vapor deposition (CVD) method such as a plasma CVD method.
  • CVD chemical vapor deposition
  • the first electrode bus bar electrode 32 for collecting electrons is formed on the first semiconductor layer 54.
  • the second electrode finger electrode 34 for collecting holes is formed on the second semiconductor layer 56.
  • a separation region 38 is formed between the bus bar electrode 32 for the first electrode and the finger electrode 34 for the second electrode, and both electrodes are electrically insulated.
  • the first electrode bus bar electrode 32 and the second electrode finger electrode 34 are constituted by a laminate of a transparent conductive layer 58 and a metal electrode layer, which will be described later.
  • the transparent conductive layer 58 is formed on the back side of the second semiconductor layer 56. Here, the transparent conductive layer 58 is not provided in the separation region 38. Therefore, the transparent conductive layer 58 is separated into a first transparent conductive layer 70 included in the first electrode bus bar electrode 32 and a second transparent conductive layer 72 included in the second electrode finger electrode 34.
  • the transparent conductive layer 58 is formed of a transparent conductive oxide (TCO) such as tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), for example.
  • TCO transparent conductive oxide
  • the transparent conductive layer 58 here is made of indium tin oxide, and has a thickness of about 50 nm to 100 nm, for example.
  • the transparent conductive layer 58 can be formed by a thin film forming method such as sputtering or chemical vapor deposition (CVD).
  • the seed layer 62 is formed on the negative direction side of the z-axis of the transparent conductive layer 58. More specifically, the first seed layer 74 is formed on the negative direction side of the z-axis of the first transparent conductive layer 70, and the second seed layer 76 is the negative direction side of the second transparent conductive layer 72 on the z-axis. Formed. In particular, the first seed layer 74 may extend not only in the portion where the first transparent conductive layer 70 is disposed but also in the negative y-axis direction from the portion where the first transparent conductive layer 70 is disposed. It is formed. That is, the first seed layer 74 is also disposed in a portion where the semiconductor substrate 50 is not disposed in the xy plane.
  • the length of the portion extending in the negative direction of the y-axis is made longer than the distance from another solar cell 10 arranged in the direction.
  • the second seed layer 76 is formed only in a portion where the second transparent conductive layer 72 is disposed.
  • the seed layer 62 constitutes a metal electrode layer by two layers with a plating layer 64 to be described later.
  • the metal electrode layer includes copper (Cu), tin (Sn), gold (Au), silver (Ag), nickel ( It is comprised with metal materials, such as Ni) and titanium (Ti).
  • the metal electrode layer is formed of copper.
  • the seed layer 62 has a thickness of about 50 nm to 1000 nm, for example.
  • the seed layer 62 is formed by a thin film forming method such as sputtering or chemical vapor deposition (CVD).
  • the plating layer 64 is formed on the negative side of the seed layer 62 with respect to the z-axis. More specifically, the first plating layer 78 is formed on the negative direction side of the first seed layer 74 in the z-axis direction, and the second plating layer 80 is formed on the negative direction side of the second seed layer 76 in the z-axis direction. Is done. Therefore, like the first seed layer 74, the first plating layer 78 is also disposed in a portion where the semiconductor substrate 50 is not disposed in the xy plane, and the second plating layer 80 includes the second seed layer 76 and the second seed layer 76. Similarly, the semiconductor substrate 50 is disposed only in the portion where the semiconductor substrate 50 is disposed in the xy plane.
  • the plating layer 64 is formed by a plating method, and the plating layer 64 has a thickness of about 10 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • FIGS. 4A to 4C are cross-sectional views showing manufacturing steps of the solar battery cell 10, particularly the first electrode bus bar electrode 32.
  • a semiconductor substrate 50 is prepared.
  • a preparation semiconductor substrate 50 having a main plane having a size larger than the size of the main plane of the final semiconductor substrate 50 shown in FIGS. 2 and 3 is prepared.
  • the semiconductor substrate 50 for preparation has a size that can include the entire bus bar electrode 32 for the first electrode shown in FIG.
  • a protective layer 52 is laminated on the light receiving surface side of the semiconductor substrate 50.
  • the first semiconductor layer 54 is stacked on the back surface side of the semiconductor substrate 50
  • the insulating layer 60 is stacked on the back surface side of the first semiconductor layer 54
  • the second semiconductor layer 56 is stacked on the back surface side of the insulating layer 60.
  • a transparent conductive layer 58 is laminated on the back surface side of the second semiconductor layer 56.
  • a resist 90 is disposed between a portion of the second semiconductor layer 56 that finally extends from the semiconductor substrate 50 and the transparent conductive layer 58.
  • the resist 90 is a layer for facilitating peeling between the second semiconductor layer 56 and the transparent conductive layer 58 in the future.
  • the method for forming the protective layer 52, the first semiconductor layer 54, the insulating layer 60, the second semiconductor layer 56, and the transparent conductive layer 58 is not particularly limited.
  • the protective layer 52, the first semiconductor layer 54, the insulating layer 60, the second semiconductor layer 56, and the transparent conductive layer 58 are formed by a thin film forming method such as sputtering or CVD. Can do.
  • the first semiconductor layer 54, the insulating layer 60, and the second semiconductor layer 56 are partially removed by etching, laser irradiation, or the like, and the plurality of first electrode finger electrodes 30 and the plurality of second electrode finger electrodes 34. Are formed so as to correspond to shapes that are interdigitated and interleaved with each other.
  • a seed layer 62 is formed on the back side of the transparent conductive layer 58.
  • a sputtering method or the like is used for the formation of the seed layer 62.
  • a resist 92 is disposed in a portion other than the formation of the plating layer 64. Arranging the resist 92 corresponds to resist patterning.
  • FIGS. 5A to 5C are cross-sectional views illustrating manufacturing steps subsequent to FIGS. 4A to 4C.
  • a plating layer 64 is formed on the back side of the seed layer 62 by a plating method. That is, since the seed layer 62 is disposed on the main plane of the semiconductor substrate 50 for preparation, the plating layer 64 is also disposed on the main plane of the semiconductor substrate 50 for preparation.
  • the resist 92 is peeled off. A known technique may be used to remove the resist 92.
  • the semiconductor substrate 50, the protective layer 52, the first semiconductor layer 54, the insulating layer 60, and the second semiconductor are formed so as to have the final size of the main surface of the semiconductor substrate 50.
  • a part of the layer 56, specifically, a part on the negative direction side of the y-axis is cut.
  • the part to be cut is a part where the resist 90 is disposed between the second semiconductor layer 56 and the transparent conductive layer 58.
  • Laser cutting is used for cutting.
  • the resist 90 is peeled off.
  • the plating layer 64 is formed by a plating method in which a portion disposed on the main surface of the semiconductor substrate 50 and a portion extending from the semiconductor substrate 50 are integrally formed.
  • the resist 90 is not limited to the structure arrange
  • the resist 90 may be arrange
  • FIGS. 6A to 6B are cross-sectional views showing another manufacturing process of the solar battery cell 10, particularly the first electrode bus bar electrode 32.
  • the protective layer 52, the semiconductor substrate 50, the first semiconductor layer 54, the insulating layer 60, the second semiconductor layer 56, and the transparent conductive layer 58 from the positive direction of the z axis toward the negative direction. are stacked (hereinafter referred to as “first stacked body”).
  • the size of the semiconductor substrate 50 in the stacked body is the final size of the semiconductor substrate 50, unlike FIG.
  • a laminated body in which the auxiliary sheet 94 and the copper paste 96 are laminated (hereinafter referred to as “second laminated body”) is arranged in the first laminated body from the positive direction of the z-axis to the negative direction.
  • the back surface of the first stacked body and the back surface of the second stacked body are aligned so that the copper paste 96 and the transparent conductive layer 58 are substantially flush with each other on the negative direction side of the z-axis.
  • substantially means including an error range.
  • the auxiliary sheet 94 for example, a resin sheet such as PET is used.
  • the copper paste 96 has a property of low adhesion to the auxiliary sheet 94. In addition, if it has such a property, a thing different from the copper paste 96 may be used.
  • a seed layer 62 is formed on the back side of the transparent conductive layer 58 and the copper paste 96. Further, resist patterning is performed in which a resist 92 is disposed in a portion other than the formation of the plating layer 64. Further, a plating layer 64 is formed on the back side of the seed layer 62 by a plating method. Thus, the plating layer 64 is formed on the main plane of the first stacked body and the main plane of the second stacked body by plating.
  • a portion of the seed layer 62 and the plating layer 64 that is formed on the back side of the first stacked body corresponds to a portion of the first electrode bus bar electrode 32 that is disposed in the semiconductor substrate 50.
  • the part formed in the back surface side of the 2nd laminated body among the seed layer 62 and the plating layer 64 is equivalent to the part extended from the semiconductor substrate 50 among the bus-bar electrodes 32 for 1st electrodes.
  • the auxiliary sheet 94 is removed from the first laminate. As described above, since the adhesiveness between the copper paste 96 and the auxiliary sheet 94 is low, the auxiliary sheet 94 can be easily removed.
  • FIGS. 7A to 7C are cross-sectional views showing still another manufacturing process of the solar battery cell 10, particularly the first electrode bus bar electrode 32. 7A, similarly to FIG. 4A, the protective layer 52, the semiconductor substrate 50, the first semiconductor layer 54, the insulating layer 60, and the second semiconductor layer from the positive direction of the z axis toward the negative direction. 56, a transparent conductive layer 58 is laminated.
  • a plurality of resists 98 are formed on the back surface side of the transparent conductive layer 58 at portions not included in the final semiconductor substrate 50.
  • the resist 98 is formed in a bar shape long in the x-axis direction, and a plurality of resists 98 are arranged at regular intervals in the y-axis direction.
  • the seed layer 62 is formed on the back surface side of the transparent conductive layer 58, and resist patterning is performed in which a resist 92 is disposed in a portion other than the formation of the plating layer 64.
  • a plating layer 64 is formed on the back side of the seed layer 62 and the resist 98 by a plating method.
  • the resist 92 and the resist 98 are peeled off.
  • a plurality of groove portions 99 are formed in the portion where the plurality of resists 98 are disposed in the seed layer 62 and the plating layer 64.
  • the adhesion area between the seed layer 62 and the transparent conductive layer 58 is reduced.
  • the portion to be cut is a portion where a plurality of groove portions 99 are arranged.
  • Laser cutting is used for cutting. Since the portion where the adhesion area between the seed layer 62 and the transparent conductive layer 58 is reduced is cut, the cut transparent conductive layer 58 can be easily removed from the seed layer 62.
  • the portion disposed on the main surface of the semiconductor substrate and the portion extending from the semiconductor substrate are integrally formed, so that a plurality of solar cells are connected.
  • a bus bar electrode for the first electrode can be used.
  • the bus bar electrode for 1st electrodes is used when connecting a several photovoltaic cell, a wiring material can be made unnecessary.
  • a wiring material becomes unnecessary the structure of a solar cell module can be simplified.
  • a wiring material becomes unnecessary, the manufacturing cost of a solar cell module can be reduced.
  • the portion disposed on the main surface of the semiconductor substrate and the portion extending from the semiconductor substrate are integrally formed by a plating method, so that the manufacturing can be simplified.
  • a preparation semiconductor substrate having a main surface having a size larger than the size of the main surface of the final semiconductor substrate is prepared, so that the size of the main surface of the final semiconductor substrate is obtained.
  • a part extending from the semiconductor substrate can be easily formed.
  • the auxiliary sheet is arranged on the semiconductor substrate and the auxiliary sheet is removed from the semiconductor substrate, a portion extending from the semiconductor substrate can be easily formed.
  • a solar cell module 100 includes a plurality of solar cells 10 that are electrically connected to each other. At least one of the plurality of solar cells 10 is disposed on the semiconductor substrate 50, the plurality of first electrode finger electrodes 30 disposed on the main surface of the semiconductor substrate 50, and the main surface of the semiconductor substrate 50. And a first electrode bus bar electrode 32 connected to the plurality of first electrode finger electrodes 30.
  • the first electrode bus bar electrode 32 extends from the semiconductor substrate 50 toward another adjacent solar battery cell 10, and is disposed on the main surface of the semiconductor substrate 50 in the first electrode bus bar electrode 32.
  • the portion and the portion extending from the semiconductor substrate 50 are integrally formed.
  • Solar cell 10 is a back junction solar cell on semiconductor surface 50 on the main surface opposite to the main surface on which first electrode finger electrode 30 and first electrode bus bar electrode 32 are arranged.
  • the collector electrode may not be disposed.
  • the first electrode bus bar electrode 32 may be bonded to another adjacent solar battery cell 10 using an adhesive in a region overlapping with another adjacent solar battery cell 10.
  • Another aspect of the present invention is a method for manufacturing a solar battery cell 10.
  • This method includes the steps of preparing a semiconductor substrate 50 and forming a first electrode bus bar electrode 32 disposed on the main surface of the semiconductor substrate 50 and extending from the semiconductor substrate 50 by a plating method. .
  • a portion disposed on the main surface of the semiconductor substrate 50 and a portion extending from the semiconductor substrate 50 are integrally formed.
  • the step of preparing prepares a semiconductor substrate for preparation 50 having a main surface larger than the size of the main surface of the final semiconductor substrate 50, and the step of forming includes forming the main surface of the semiconductor substrate 50 for preparation on the main surface. Forming a bus bar electrode 32 for the first electrode by a plating method, and cutting a part of the semiconductor substrate 50 for preparation so that the final size of the main surface of the semiconductor substrate 50 is obtained. Also good.
  • the auxiliary sheet 94 is arranged on the semiconductor substrate 50 while the main surface of the semiconductor substrate 50 and the main surface of the auxiliary sheet 94 are aligned, and the forming step is performed on the main surface of the semiconductor substrate 50 and the auxiliary sheet 94.
  • a step of forming the first electrode bus bar electrode 32 on the main surface by a plating method and a step of removing the auxiliary sheet 94 from the semiconductor substrate 50 may be provided.
  • Example 2 is related with the solar cell module comprised by connecting a several photovoltaic cell similarly to Example 1.
  • FIG. 1 a back junction solar cell is used, but in Example 2, a solar cell in which electrodes are provided on both the light receiving surface side and the back surface side is used. That is, the first electrode and the second electrode in Example 1 are arranged separately on the light receiving surface and the back surface.
  • the 1st electrode of a predetermined photovoltaic cell and the 2nd electrode of the photovoltaic cell adjacent to this are connected by a wiring material.
  • the number of wiring members becomes necessary as the number of solar cells included in the solar cell module increases. For the purpose of simplifying the configuration of the solar cell module and reducing the cost, it is desirable that the wiring material is not included.
  • the electrode provided on the light receiving surface side of the solar battery cell is formed so as to extend from the solar battery cell.
  • the electrode provided on the light receiving surface side of the solar battery cell and the electrode provided on the back surface side of the solar battery cell adjacent thereto are directly connected. Below, it demonstrates centering on the difference from before.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing the structure of the solar cell module 100 according to Example 2 of the present invention.
  • the solar cell module 100 includes a first solar cell 110a, a second solar cell 110b, a third solar cell 110c, a first protection member 112, a second protection member 114, and a sealing member, which are collectively referred to as the solar cell 110. 116 is included.
  • the first solar cell 110a includes a first bus bar electrode 136a
  • the second solar cell 110b includes a second bus bar electrode 136b.
  • the first bus bar electrode 136a and the second bus bar electrode 136b are collectively referred to as a bus bar electrode 136.
  • the plurality of solar cells 110 are arranged along the y-axis to form a solar cell string. Adjacent solar cells 110 are electrically connected by a bus bar electrode 132 of one solar cell 110. In particular, the bus bar electrode 136 extends from the light receiving surface side of one solar cell 110 and is connected to the back side of the other solar cell 110. Here, an adhesive is used for the connection.
  • the first protection member 112, the second protection member 114, and the sealing member 116 are configured in the same manner as the first protection member 12, the second protection member 14, and the sealing member 16. Note that the second protection member 114 may be configured in the same manner as the first protection member 112.
  • FIGS. 9A to 9C are plan views showing the structure of the solar battery cell 110.
  • FIG. FIG. 9A shows the light receiving surface side surface of the solar battery cell 110.
  • the finger electrodes 134 extend in the x-axis direction, and the plurality of finger electrodes 134 are arranged in parallel to the y-axis direction.
  • each finger electrode 134 is disposed in the semiconductor substrate 150 and does not protrude from the semiconductor substrate 150.
  • two bus bar electrodes 136 extend in the y-axis direction so as to be substantially orthogonal to the plurality of finger electrodes 134, and the two bus bar electrodes 136 are arranged in parallel to the x-axis direction.
  • the bus bar electrode 136 extends from the semiconductor substrate 150 on the positive side of the y-axis.
  • the finger electrode 134 and the bus bar electrode 136 are formed by plating in the same manner as the first electrode finger electrode 30, the first electrode bus bar electrode 32, the second electrode finger electrode 34, and the second electrode bus bar electrode 36.
  • the number of finger electrodes 134 is not limited to “5” in the figure, and the number of bus bar electrodes 136 is not limited to “2” in the figure.
  • FIG. 9B shows another surface on the light receiving surface side of the solar battery cell 110.
  • the difference from the solar battery cell 110 shown in FIG. 9A is that the front end portion of the bus bar electrode 132 on the positive direction side of the y axis is configured as a connection plate 140.
  • the solar battery cell 110 is formed in a rectangular shape on the xy plane.
  • Such a connection plate 140 is also formed by plating in the same manner as the bus bar electrode 132.
  • FIG. 9C shows the surface on the back surface side of the solar battery cell 110.
  • the finger electrodes 130 extend in the x-axis direction, and the plurality of finger electrodes 130 are arranged in parallel to the y-axis direction.
  • two bus bar electrodes 132 extend in the y-axis direction so as to be substantially orthogonal to the plurality of finger electrodes 130, and the two bus bar electrodes 132 are arranged in parallel to the x-axis direction.
  • An adhesive or the like is used for connection.
  • the finger electrode 130 and the bus bar electrode 132 on the light receiving surface side do not extend from the semiconductor substrate 150.
  • the bus bar electrode 132 is connected to the bus bar electrode 136 or the connection plate 140 from another adjacent solar battery cell 110.
  • Such finger electrodes 130 and bus bar electrodes 132 are formed by screen printing, but may be formed by plating.
  • the number of finger electrodes 130 is not limited to “5” in the figure, and the number of bus bar electrodes 132 is not limited to “2” in the figure.
  • the manufacturing method of the solar battery cell 110 may be the same as in the first embodiment.
  • a preparation semiconductor substrate 150 having a size larger than the final semiconductor substrate 150 is used.
  • the preparation semiconductor substrate 150 may be cut so that the size of the semiconductor substrate 150 becomes a proper size.
  • the auxiliary sheet 94 may be arranged on the semiconductor substrate 150 and finally the auxiliary sheet 94 may be removed.
  • the groove 99 may be formed in the bus bar electrode 136 and the connection plate 140 as in FIGS.
  • a known technique may be used for the manufacturing method of the solar battery cell 110 other than the bus bar electrode 136 and the connection plate 140.
  • the bus bar electrode is used when connecting a plurality of solar cells, so that the wiring material can be made unnecessary. Moreover, since a wiring material becomes unnecessary, the structure of a solar cell module can be simplified. Moreover, since a wiring material becomes unnecessary, the manufacturing cost of a solar cell module can be reduced.
  • the finger electrode 130 and the bus bar electrode 132 disposed on the main surface opposite to the main surface on which the finger electrode 134 and the bus bar electrode 136 are disposed may not extend from the semiconductor substrate 150. .
  • the preparation semiconductor substrate 50 and the semiconductor substrate 150 having a large size are used, or the auxiliary sheet 94 is used.
  • the present invention is not limited to this.
  • a metal sheet may be bonded to the semiconductor substrate 50 and the semiconductor substrate 150.
  • laser welding, ultrasonic waves, Ar plasma, or the like is used. According to this modification, the degree of freedom in manufacturing can be improved.
  • a copper paste 96 is used to facilitate removal of the auxiliary sheet 94.
  • the present invention is not limited thereto, and for example, a resin plate that is peeled off by a solvent may be used. According to this modification, the degree of freedom in manufacturing can be improved.
  • the first electrode bus bar electrode 32 extends from the semiconductor substrate 50.
  • the second electrode bus bar electrode 36 may extend from the semiconductor substrate 50, or the first electrode. Both the bus bar electrode 32 for the bus and the bus bar electrode 36 for the second electrode may be configured to extend from the semiconductor substrate 50. Only one of the first electrode bus bar electrode 32 and the second electrode bus bar electrode 36 extends from the semiconductor substrate 50, and the connection region between the first electrode 20 and the second electrode overlaps the solar battery cell 10. It is preferable to hide it.
  • the bus bar electrode 136 provided on the light receiving surface side was formed to extend from the semiconductor substrate 150.
  • the bus bar electrode 132 provided on the back surface side may be formed to extend from the semiconductor substrate 150, or both the bus bar electrode 136 and the bus bar electrode 132 may be formed to extend from the semiconductor substrate 150. Also good.
  • only the bus bar electrode 136 provided on the light receiving surface side is formed so as to extend from the semiconductor substrate 150, and the connection region between the bus bar electrode 136 and the bus bar electrode 132 is formed in the semiconductor substrate 150. It is preferable to superimpose and hide.
  • the configuration of the solar cell module can be simplified.

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Abstract

太陽電池モジュールは、複数の太陽電池セル１０を備える。太陽電池セル１０の半導体基板５０の主面上に配置される複数の第１電極用フィンガー電極３０が配置される。また、第１電極用バスバー電極３２は、半導体基板５０の主面上に配置され、かつ複数の第１電極用フィンガー電極３０に接続される。第１電極用バスバー電極３２は、隣接した別の太陽電池セル１０の方に向かって、半導体基板５０から延出する。第１電極用バスバー電極３２において、半導体基板５０の主面上に配置される部分と半導体基板５０から延出する部分とが一体的に形成される。

Description

太陽電池モジュールおよび太陽電池セルの製造方法
　本発明は、太陽電池モジュールに関し、特に複数の太陽電池セルを接続する太陽電池モジュールおよび太陽電池セルの製造方法に関する。
　発電効率の高い太陽電池として、光が入射する受光面に対向する裏面にｎ型半導体層およびｐ型半導体層の双方が形成された裏面接合型の太陽電池がある。裏面接合型の太陽電池では、発電した電力を取り出すためのｎ側電極とｐ側電極の双方が裏面側に設けられる。また、複数の太陽電池が配線材によって電気的に接続されることによって、太陽電池モジュールが形成される（例えば、特許文献１参照）。
国際公開第１３／０３１２９８号パンフレット
　１枚の太陽電池では、電力源として用いる場合に出力電力が十分でないため、一般的に複数の太陽電池を配線材を用いて接続して、太陽電池モジュールが構成される。また、太陽電池モジュールでは、太陽電池において発電した電力を取り出すために、太陽電池に設けられる電極と複数の太陽電池を接続する配線材が必要になる。これらを設けるために、太陽電池モジュールの構成が複雑になり、製造コストが増加する。
　本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、太陽電池モジュールの構成を簡易にする技術を提供することにある。
　上記課題を解決するために、本発明のある態様の太陽電池モジュールは、互いに電気的に接続された複数の太陽電池セルを備える。複数の太陽電池セルのうちの少なくとも１つは、半導体基板と、半導体基板の主面上に配置される複数の第１集電極と、半導体基板の主面上に配置され、かつ複数の第１集電極に接続される第２集電極とを備える。第２集電極は、隣接した別の太陽電池セルの方に向かって、半導体基板から延出し、第２集電極において、半導体基板の主面上に配置される部分と半導体基板から延出する部分とが一体的に形成される。
　本発明の別の態様は、太陽電池セルの製造方法である。この方法は、半導体基板を準備するステップと、半導体基板の主面上に配置されるとともに、半導体基板から延出する集電極をめっき法によって形成するステップとを備える。形成するステップは、集電極において、半導体基板の主面上に配置される部分と半導体基板から延出する部分とを一体的に形成する。
　本発明によれば、太陽電池モジュールの構成を簡易にできる。
本発明の実施例１に係る太陽電池モジュールの構造を示す断面図である。 図１の太陽電池セルの構造を示す平面図である。 図２の太陽電池セルの構造を示す断面図である。 図４（ａ）－（ｃ）は、図２の太陽電池セルの製造工程を示す断面図である。 図５（ａ）－（ｃ）は、図４（ａ）－（ｃ）に続く製造工程を示す断面図である。 図６（ａ）－（ｂ）は、図２の太陽電池セルの別の製造工程を示す断面図である。 図７（ａ）－（ｃ）は、図２の太陽電池セルのさらに別の製造工程を示す断面図である。 本発明の実施例２に係る太陽電池モジュールの構造を示す断面図である。 図９（ａ）－（ｃ）は、図８の太陽電池セルの構造を示す平面図である。
（実施例１）
　本発明を具体的に説明する前に、概要を述べる。本発明の実施例１は、複数の太陽電池セルが接続されることによって構成される太陽電池モジュールに関する。実施例１に係る太陽電池モジュールは、裏面接合型の太陽電池セルを使用する。裏面接合型の太陽電池セルでは、光が入射する受光面に対向する裏面に、互いに間挿し合っている一対の櫛歯状の電極が配置される。この太陽電池セルの電極は、互いに導電性の異なった第１電極と第２電極に分類される。複数の太陽電池セルを接続する場合、所定の太陽電池セルの第１電極と、これに隣接した太陽電池セルの第２電極とが配線材によって接続される。配線材の数は、太陽電池モジュールに含まれる太陽電池セルの数が増加するほど多く必要になる。太陽電池モジュールの構成の簡易化、コストの低減を目的とする場合、配線材は含まれない方が望ましい。
　これに対応するために、本実施例では、第１電極を太陽電池セルから延出するように形成する。このような構成により、太陽電池セルの第１電極と、これに隣接した太陽電池セルの第２電極とが直接接続される。以下、図面を参照しながら、本実施例を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。
　図１は、本発明の実施例１に係る太陽電池モジュール１００の構造を示す断面図である。太陽電池モジュール１００は、太陽電池セル１０と総称される第１太陽電池セル１０ａ、第２太陽電池セル１０ｂ、第３太陽電池セル１０ｃ、第１保護部材１２、第２保護部材１４、封止部材１６を含む。また、第１太陽電池セル１０ａは、第１－第１電極用バスバー電極３２ａと第１－第２電極用バスバー電極３６ａとを含み、第２太陽電池セル１０ｂは、第２－第１電極用バスバー電極３２ｂと第２－第２電極用バスバー電極３６ｂとを含む。ここで、第１－第１電極用バスバー電極３２ａ、第２－第１電極用バスバー電極３２ｂは、第１電極用バスバー電極３２と総称され、第１－第２電極用バスバー電極３６ａ、第２－第２電極用バスバー電極３６ｂは、第２電極用バスバー電極３６と総称される。
　図１に示すように、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸からなる直角座標系が規定される。ｘ軸、ｙ軸は、太陽電池モジュール１００の平面内において互いに直交する。ｚ軸は、ｘ軸およびｙ軸に垂直であり、太陽電池モジュール１００の厚み方向に延びる。また、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸のそれぞれの正の方向は、図１における矢印の方向に規定され、負の方向は、矢印と逆向きの方向に規定される。太陽電池モジュール１００を形成する２つの主平面あるいは主面であって、かつｘ－ｙ平面に平行な２つの主平面のうち、ｚ軸の正方向側に配置される主平面が受光面であり、ｚ軸の負方向側に配置される主平面が裏面である。以下では、ｚ軸の正方向側を「受光面側」とよび、ｚ軸の負方向側を「裏面側」とよぶ。
　複数の太陽電池セル１０は、ｙ軸に沿って並べられることによって、太陽電池ストリングを形成する。隣接した太陽電池セル１０は、一方の太陽電池セル１０の第１電極用バスバー電極３２によって電気的に接続される。第１電極用バスバー電極３２の構成は後述する。ここで、一方の太陽電池セル１０の第１電極用バスバー電極３２と他方の太陽電池セル１０の第２電極用バスバー電極３６とは、接着剤によって接着される。具体的には、第１太陽電池セル１０ａの第１－第１電極用バスバー電極３２ａは、隣接する第２太陽電池セル１０ｂの第２－第２電極用バスバー電極３６ｂに重なるように配置され、第１－第１電極用バスバー電極３２ａと第２－第２電極用バスバー電極３６ｂとが接着剤によって接着される。接着剤には、例えば、ハンダあるいは樹脂接着剤が使用される。樹脂接着剤を使用する場合、樹脂接着剤は、絶縁性を有するものであってもよいし、異方導電性を有するものであってもよい。
　複数の太陽電池セル１０の受光面側には、第１保護部材１２が配置される。第１保護部材１２は、例えば、ガラスや透光性樹脂からなる基板またはシートにより構成される。一方、複数の太陽電池セル１０の裏面側には、第２保護部材１４が配置される。第２保護部材１４は、例えば、アルミニウム箔などの金属箔を介在させた樹脂フィルムにより構成される。第１保護部材１２と第２保護部材１４との間には、封止部材１６が配置される。封止部材１６は、複数の太陽電池セル１０を封止する。封止部材１６は、例えば、エチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）やポリビニルブチラール（ＰＶＢ）等の透光性を有する樹脂により形成される。
　また、第１保護部材１２、封止部材１６、太陽電池セル１０、第２保護部材１４の積層体の外周に、Ａｌ等の金属製の枠体（図示しない）が取り付けられてもよい。さらに、第２保護部材１４の裏面側に、太陽電池セル１０の出力を外部に取り出すための配線材および端子ボックスが取り付けられてもよい。
　図２は、太陽電池セル１０の構造を示す平面図であり、太陽電池セル１０の裏面の構造を示す。太陽電池セル１０は、第１電極２０、第２電極２２、半導体基板５０を含む。第１電極２０は、複数の第１電極用フィンガー電極３０、第１電極用バスバー電極３２を含み、第２電極２２は、複数の第２電極用フィンガー電極３４、第２電極用バスバー電極３６を含む。第１電極２０と第２電極２２は、半導体基板５０の裏面側に形成されており、互いに異なった極性を有する。具体的に説明すると、第１電極２０は電子を収集して負極となり、第２電極２２は正孔を収集して正極となる。一方、受光面側には電極が設けられないので、太陽電池セル１０は、裏面接合型の光起電力素子である。
　複数の第１電極用フィンガー電極３０は、ｙ軸方向に延びる矩形状に形成される。ここでは、第１電極用フィンガー電極３０の数を「５」としているが、これに限定されない。また、複数の第１電極用フィンガー電極３０のｙ軸の負方向端側に、第１電極用バスバー電極３２が接続される。第１電極用バスバー電極３２は、半導体基板５０内において、ｘ軸方向に延びる台形状に形成される。また、第１電極用バスバー電極３２は、図示しない隣接した別の太陽電池セル１０であって、かつ本太陽電池セル１０のｙ軸の負方向側に配置された別の太陽電池セル１０の方に向かって、半導体基板５０から延出する。ここで、ｙ軸の負方向に半導体基板５０から延出した部分は、矩形状に形成される。さらに、第１電極用バスバー電極３２において、半導体基板５０内に配置される台形状の部分と、半導体基板５０から延出する矩形状の部分は、一体的に形成される。
　なお、太陽電池セル１０の裏面が矩形状に形成される場合、第１電極用バスバー電極３２全体も、矩形状に形成されてもよい。このような複数の第１電極用フィンガー電極３０と第１電極用バスバー電極３２との組合せによって、第１電極２０は櫛歯状に形成される。ここで、ｙ軸を第１方向とした場合、ｘ軸は、第１方向に対して垂直な第２方向といえる。
　複数の第２電極用フィンガー電極３４は、ｙ軸方向に延びる矩形状に形成される。ここでは、第２電極用フィンガー電極３４の数を「６」としているが、これに限定されない。また、複数の第２電極用フィンガー電極３４のｙ軸の正方向端側に、第２電極用バスバー電極３６が接続される。第２電極用バスバー電極３６は、ｘ軸方向に延びる台形状に形成される。なお、第２電極用バスバー電極３６は、第１電極用バスバー電極３２と同様に、矩形状に形成されてもよい。第２電極用バスバー電極３６は、第１電極用バスバー電極３２と異なって、半導体基板５０内にのみに配置され、半導体基板５０から延出しない。このような複数の第２電極用フィンガー電極３４と第２電極用バスバー電極３６との組合せによって、第２電極２２も櫛歯状に形成される。
　第１電極２０および第２電極２２は、複数の第１電極用フィンガー電極３０と複数の第２電極用フィンガー電極３４が噛み合って互いに間挿し合うように形成される。ここで、第１電極２０と第２電極２２との間には、分離領域３８が設けられる。分離領域３８は、第１電極２０と第２電極２２との間の絶縁を確保するために設けられており、第１電極２０および第２電極２２の櫛歯状に沿って、蛇行形状に形成される。なお、分離領域３８には、第１電極２０および第２電極２２を構成する後述の透明導電層および金属電極層が配置されない。そのため、透明導電層および金属電極層は、第１電極２０、第２電極２２のそれぞれに対応するように別々に設けられている。
　図３は、太陽電池セル１０の構造を示すＡ－Ａ’方向の断面図である。つまり、図３は、図２において第１電極用バスバー電極３２、第２電極用フィンガー電極３４、分離領域３８が配置された部分の断面図である。太陽電池セル１０は、半導体基板５０、保護層５２、第１半導体層５４、第２半導体層５６、透明導電層５８、絶縁層６０、シード層６２、めっき層６４を含む。透明導電層５８は、第１透明導電層７０、第２透明導電層７２を含み、シード層６２は、第１シード層７４、第２シード層７６を含み、めっき層６４は、第１めっき層７８、第２めっき層８０を含む。ここで、シード層６２、めっき層６４とによって構成される金属電極層と、透明導電層５８によって、第１電極用バスバー電極３２、第２電極用フィンガー電極３４が構成されている。
　半導体基板５０は、ｚ軸の正方向側、つまり受光面側から入射する光を吸収し、キャリアとして電子および正孔を生成する。半導体基板５０は、ｎ型またはｐ型の導電型を有する結晶性の半導体材料により構成される。ここでの半導体基板５０は、ｎ型の単結晶シリコン基板であるとする。また、半導体基板５０において、第１電極用バスバー電極３２、第２電極用フィンガー電極３４、さらに図示しない第１電極用フィンガー電極３０、第２電極用バスバー電極３６が配置される受光面側とは反対側の裏面側には、集電極が配置されていない。
　保護層５２は、半導体基板５０のｚ軸の正方向側に設けられる。保護層５２は、例えば、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンなどにより形成される。保護層５２は、半導体基板５０の受光面のパッシベーション層としての機能や、反射防止膜および保護膜としての機能を有する。保護層５２は、半導体基板５０の受光面の上にｉ型の非晶質シリコン層、酸化シリコンや窒化シリコンなどの絶縁層が順に積層された構造を有する。保護層５２は、ｉ型の非晶質シリコン層と絶縁層との間にｎ型の非晶質シリコン層が設けられた構造を有してもよい。ｉ型の非晶質シリコン層およびｎ型の非晶質シリコン層は、例えば、２ｎｍ～５０ｎｍ程度の厚さを有する。酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの絶縁層は、例えば、５０ｎｍ～２００ｎｍ程度の厚さを有する。
　半導体基板５０の裏面側には、第１半導体層５４と第２半導体層５６が形成される。第１半導体層５４および第２半導体層５６はそれぞれ、図示しない第１電極２０および第２電極２２に対応するように櫛歯状に形成され、互いに間挿し合うように形成される。
　第１半導体層５４は、第１導電型を有する半導体層であり、半導体基板５０と同じｎ型の導電型を有する非晶質半導体層で構成される。第１半導体層５４は、例えば、受光面上に形成される実質的な真性なｉ型の非晶質半導体層と、ｉ型の非晶質半導体層の上に形成されるｎ型の非晶質半導体層の二層構造により構成される。なお、本実施例において、「非晶質半導体」には、微結晶半導体を含むものであってもよい。微結晶半導体とは、非晶質半導体中に結晶粒となった半導体を含む半導体をいう。
　ｉ型の非晶質半導体層は、水素（Ｈ）を含むｉ型の非晶質シリコンで構成され、例えば、２ｎｍ～２５ｎｍ程度の厚さを有する。ｎ型の非晶質半導体層は、ｎ型のドーパントが添加された水素を含むｎ型非晶質シリコンで構成され、例えば、２ｎｍ～５０ｎｍ程度の厚さを有する。第１半導体層５４を構成する各層の形成方法は、特に限定されないが、例えば、プラズマＣＶＤ法等の化学気相成長（ＣＶＤ）法により形成することができる。
　第１半導体層５４の裏面側には、絶縁層６０が形成される。絶縁層６０は、第１電極用バスバー電極３２が配置された部分に設けられるが、第２電極用フィンガー電極３４が配置された部分に設けられない。そのため、第１電極用バスバー電極３２と第２電極用フィンガー電極３４には、段差が設けられる。絶縁層６０は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などにより形成される。絶縁層６０は、窒化シリコンにより形成されることが望ましい。
　第２半導体層５６は、半導体基板５０の裏面側のうち、第１半導体層５４が設けられない部分に形成されるとともに、第１半導体層５４が設けられた部分において第１半導体層５４とｚ軸の負方向側に重なって設けられる。第２半導体層５６は、第２導電型を有する半導体層であり、半導体基板５０と異なるｐ型の導電型を有する非晶質半導体層で構成される。第２半導体層５６は、例えば、半導体基板５０の裏面側の上に形成される実質的に真性なｉ型の非晶質半導体層と、ｉ型の非晶質半導体層の上に形成されるｐ型の非晶質半導体層の二層構造により構成される。図３に示す形態では、第１電極用バスバー電極３２が設けられる領域において、第１半導体層５４と第２半導体層５６が絶縁層６０を介して設けられる構成となっているが、この領域において、第２半導体層５６は除去されてもよいし、第２半導体層５６と絶縁層６０とが除去されてもよい。
　ｉ型の非晶質半導体層は、水素（Ｈ）を含むｉ型の非晶質シリコンで構成され、例えば、２ｎｍ～２５ｎｍ程度の厚さを有する。ｐ型の非晶質半導体層は、ｐ型のドーパントが添加された水素を含むｎ型非晶質シリコンで構成され、例えば、２ｎｍ～５０ｎｍ程度の厚さを有する。第２半導体層５６を構成する各層の形成方法は、特に限定されないが、例えば、プラズマＣＶＤ法等の化学気相成長（ＣＶＤ）法により形成することができる。
　第１半導体層５４の上には、電子を収集する第１電極用バスバー電極３２が形成される。第２半導体層５６の上には、正孔を収集する第２電極用フィンガー電極３４が形成される。第１電極用バスバー電極３２と第２電極用フィンガー電極３４の間には分離領域３８が形成され、両電極は電気的に絶縁される。前述したように、第１電極用バスバー電極３２および第２電極用フィンガー電極３４は、後述の透明導電層５８と金属電極層の積層体により構成される。
　透明導電層５８は、第２半導体層５６の裏面側に形成される。ここで、透明導電層５８は、分離領域３８には設けられない。そのため、透明導電層５８は、第１電極用バスバー電極３２に含まれる第１透明導電層７０と、第２電極用フィンガー電極３４に含まれる第２透明導電層７２とに分離される。透明導電層５８は、例えば、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電性酸化物（ＴＣＯ）により形成される。ここでの透明導電層５８は、インジウム錫酸化物により形成され、例えば、５０ｎｍ～１００ｎｍ程度の厚さを有する。透明導電層５８は、スパッタリングや化学気相成長（ＣＶＤ）などの薄膜形成方法により形成することができる。
　シード層６２は、透明導電層５８のｚ軸の負方向側に形成される。具体的に説明すると、第１シード層７４は、第１透明導電層７０のｚ軸の負方向側に形成され、第２シード層７６は、第２透明導電層７２のｚ軸の負方向側に形成される。特に、第１シード層７４は、第１透明導電層７０が配置されている部分だけではなく、第１透明導電層７０が配置されている部分からｙ軸の負方向に延出されるようにも形成される。つまり、第１シード層７４は、ｘ－ｙ平面において半導体基板５０が配置されていない部分にも配置される。ここで、第１シード層７４のうち、ｙ軸の負方向に延出された部分の長さは、当該方向に配置される別の太陽電池セル１０との距離よりも長くされる。一方、第２シード層７６は、第２透明導電層７２が配置されている部分だけに形成される。
　シード層６２は、後述のめっき層６４との二層により、金属電極層を構成し、金属電極層は、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）などの金属材料で構成される。ここで、金属電極層は、銅により形成される。シード層６２は、例えば、５０ｎｍ～１０００ｎｍ程度の厚さを有する。また、シード層６２は、例えば、スパッタリングや化学気相成長（ＣＶＤ）などの薄膜形成方法により形成される。
　めっき層６４は、シード層６２のｚ軸の負方向側に形成される。具体的に説明すると、第１めっき層７８は、第１シード層７４のｚ軸の負方向側に形成され、第２めっき層８０は、第２シード層７６のｚ軸の負方向側に形成される。そのため、第１めっき層７８は、第１シード層７４と同様に、ｘ－ｙ平面において半導体基板５０が配置されていない部分にも配置され、第２めっき層８０は、第２シード層７６と同様に、ｘ－ｙ平面において半導体基板５０が配置された部分だけに配置される。めっき層６４は、めっき法により形成され、めっき層６４は、１０μｍ～５０μｍ程度の厚さを有する。
　以下では、図４（ａ）－（ｃ）、図５（ａ）－（ｃ）を参照しながら、太陽電池セル１０の製造方法について説明する。図４（ａ）－（ｃ）は、太陽電池セル１０、特に第１電極用バスバー電極３２の製造工程を示す断面図である。まず、図４（ａ）に示すように、半導体基板５０を準備する。ここでは、図２、図３に示した最終的な半導体基板５０の主平面のサイズよりも大きなサイズの主平面を有する準備用の半導体基板５０が準備される。準備用の半導体基板５０は、図２に示す第１電極用バスバー電極３２全体を含むことが可能なサイズを有する。
　半導体基板５０の受光面側に保護層５２を積層する。また、半導体基板５０の裏面側に第１半導体層５４を積層し、第１半導体層５４の裏面側に絶縁層６０を積層し、絶縁層６０の裏面側に第２半導体層５６を積層する。さらに、第２半導体層５６の裏面側に透明導電層５８を積層する。ここで、第２半導体層５６のうち、最終的に半導体基板５０から延出される部分と、透明導電層５８との間に、レジスト９０を配置させる。レジスト９０は、将来的に第２半導体層５６と透明導電層５８との間の剥離を容易にするための層である。保護層５２、第１半導体層５４、絶縁層６０、第２半導体層５６、透明導電層５８の形成方法は特に限定されないが、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法等の薄膜形成法などにより形成することができる。また、第１半導体層５４、絶縁層６０、第２半導体層５６は、エッチングやレーザー照射などによって部分的に除去され、複数の第１電極用フィンガー電極３０と複数の第２電極用フィンガー電極３４が噛み合って互いに間挿し合う形状に応じるように形成される。
　次に、図４（ｂ）に示すように、透明導電層５８の裏面側にシード層６２を形成する。シード層６２の形成にも、例えば、スパッタリング法等が使用される。つづいて、図４（ｃ）に示すように、めっき層６４を形成する以外の部分に、レジスト９２を配置させる。レジスト９２を配置することは、レジストパターニングに相当する。
　図５（ａ）－（ｃ）は、図４（ａ）－（ｃ）に続く製造工程を示す断面図である。図５（ａ）示すように、シード層６２の裏面側に、めっき層６４をめっき法によって形成する。つまり、シード層６２は、準備用の半導体基板５０の主平面上に配置されているので、めっき層６４も準備用の半導体基板５０の主平面上に配置される。つづいて、図５（ｂ）に示すように、レジスト９２が剥離される。レジスト９２の剥離には公知の技術が使用されればよい。
　最後に、図５（ｃ）に示すように、最終的な半導体基板５０の主面のサイズとなるように、半導体基板５０、保護層５２、第１半導体層５４、絶縁層６０、第２半導体層５６の一部、具体的にはｙ軸の負方向側の部分を切断する。切断される部分は、第２半導体層５６と透明導電層５８の間にレジスト９０が配置される部分である。切断には、レーザーカットが使用される。さらに、レジスト９０が剥離される。このような工程によって、めっき層６４は、半導体基板５０の主面上に配置される部分と、半導体基板５０から延出する部分とが一体的にめっき法によって形成されているといえる。なお、レジスト９０は第２半導体層５６と透明導電層５８の間に配置される構成に限定されず、例えば、透明導電層５８とシード層６２の間にレジスト９０が配置されてもよい。
　以下では、図４（ａ）－（ｃ）、図５（ａ）－（ｃ）とは異なった太陽電池セル１０の製造方法について、図６（ａ）－（ｂ）を参照しながら説明する。図６（ａ）－（ｂ）は、太陽電池セル１０、特に第１電極用バスバー電極３２の別の製造工程を示す断面図である。図６（ａ）に示すように、ｚ軸の正方向から負方向に向かって、保護層５２、半導体基板５０、第１半導体層５４、絶縁層６０、第２半導体層５６、透明導電層５８が積層された積層体（以下、「第１積層体」という）を形成する。積層体における半導体基板５０のサイズは、図４（ａ）とは異なり、最終的な半導体基板５０のサイズである。
　さらに、ｚ軸の正方向から負方向に向かって、補助シート９４、銅ペースト９６が積層された積層体（以下、「第２積層体」という）を第１積層体に並べる。ここで、銅ペースト９６と透明導電層５８とが、ｚ軸の負方向側で略一面になるように、第１積層体の裏面と第２積層体の裏面とが合わせられる。なお、「略」とは誤差の範囲を含むことを意味する。補助シート９４には、例えば、ＰＥＴ等の樹脂シートが使用される。また、銅ペースト９６は、補助シート９４との密着性が低い性質を有する。なお、このような性質を有していれば、銅ペースト９６とは別のものが使用されてもよい。
　次に、図６（ｂ）に示すように、透明導電層５８と銅ペースト９６の裏面側にシード層６２を形成する。また、めっき層６４を形成する以外の部分に、レジスト９２を配置させるレジストパターニングが実行される。さらに、シード層６２の裏面側に、めっき層６４をめっき法によって形成する。このように、めっき層６４は、第１積層体の主平面上と第２積層体の主平面上にめっき法によって形成される。
　ここで、シード層６２、めっき層６４のうち、第１積層体の裏面側に形成される部分は、第１電極用バスバー電極３２のうち、半導体基板５０内に配置される部分に相当する。また、シード層６２、めっき層６４のうち、第２積層体の裏面側に形成される部分は、第１電極用バスバー電極３２のうち、半導体基板５０から延出した部分に相当する。これらの処理は、図４（ｂ）－（ｃ）、図５（ａ）に対応する。
　さらに、レジスト９２が剥離された後、補助シート９４が、第１積層体から取り除かれる。前述のごとく、銅ペースト９６と補助シート９４との密着性が低いので、補助シート９４の取り除きは容易である。
　以下では、これまでとは異なった太陽電池セル１０の製造方法について、図７（ａ）－（ｃ）を参照しながら説明する。図７（ａ）－（ｃ）は、太陽電池セル１０、特に第１電極用バスバー電極３２のさらに別の製造工程を示す断面図である。図７（ａ）では、図４（ａ）と同様に、ｚ軸の正方向から負方向に向かって、保護層５２、半導体基板５０、第１半導体層５４、絶縁層６０、第２半導体層５６、透明導電層５８が積層される。
　また、透明導電層５８の裏面側のうち、最終的な半導体基板５０内に含まれない部分に、複数のレジスト９８が形成される。レジスト９８は、例えば、ｘ軸方向に長い棒状に形成されるとともに、ｙ軸方向に一定間隔で複数並べられる。さらに、レジスト９８を避けながら、透明導電層５８の裏面側にシード層６２が形成されるとともに、めっき層６４を形成する以外の部分に、レジスト９２を配置させるレジストパターニングが実行される。
　次に、図７（ｂ）に示すように、シード層６２、レジスト９８の裏面側に、めっき層６４をめっき法によって形成する。つづいて、図７（ｃ）に示すように、レジスト９２、レジスト９８が剥離される。レジスト９８が剥離されることによって、シード層６２、めっき層６４中の複数のレジスト９８が配置されていた部分には、複数の溝部９９が形成される。複数の溝部９９が形成されることよって、シード層６２と透明導電層５８との接着面積が低減される。
　さらに、最終的な半導体基板５０の主面のサイズとなるように、半導体基板５０、保護層５２、第１半導体層５４、絶縁層６０、第２半導体層５６、透明導電層５８の一部、具体的にはｙ軸の負方向側の部分を切断する。切断される部分は、複数の溝部９９が配置される部分である。切断には、レーザーカットが使用される。シード層６２と透明導電層５８との接着面積が低減されている部分が切断されるので、切断した透明導電層５８をシード層６２から取り外すことが容易になる。
　本実施例によれば、第１電極用バスバー電極において、半導体基板の主面上に配置される部分と半導体基板から延出する部分とを一体的に形成するので、複数の太陽電池セルを接続する際に、第１電極用バスバー電極を使用できる。また、複数の太陽電池セルを接続する際に、第１電極用バスバー電極が使用されるので、配線材を不要にできる。また、配線材が不要になるので、太陽電池モジュールの構成を簡易にできる。また、配線材が不要になるので、太陽電池モジュールの製造コストを低減できる。
　また、第１電極用バスバー電極において、半導体基板の主面上に配置される部分と半導体基板から延出する部分とを一体的にめっき法にて形成するので、製造を簡易にできる。また、最終的な半導体基板の主面のサイズよりも大きなサイズの主面を有する準備用の半導体基板を準備し、最終的な半導体基板の主面のサイズとなるように、準備用の半導体基板の一部を切断するので、半導体基板から延出する部分を容易に形成できる。また、半導体基板に補助シートを並べ、半導体基板から補助シートを取り除くので、半導体基板から延出する部分を容易に形成できる。
　本発明の一態様の概要は、次の通りである。上記課題を解決するために、本発明のある態様の太陽電池モジュール１００は、互いに電気的に接続された複数の太陽電池セル１０を備える。複数の太陽電池セル１０のうちの少なくとも１つは、半導体基板５０と、半導体基板５０の主面上に配置される複数の第１電極用フィンガー電極３０と、半導体基板５０の主面上に配置され、かつ複数の第１電極用フィンガー電極３０に接続される第１電極用バスバー電極３２とを備える。第１電極用バスバー電極３２は、隣接した別の太陽電池セル１０の方に向かって、半導体基板５０から延出し、第１電極用バスバー電極３２において、半導体基板５０の主面上に配置される部分と半導体基板５０から延出する部分とが一体的に形成される。
　太陽電池セル１０は裏面接合型の太陽電池セルであって、半導体基板５０において、第１電極用フィンガー電極３０および第１電極用バスバー電極３２が配置される主面とは反対側の主面上には、集電極が配置されなくてもよい。
　第１電極用バスバー電極３２は、隣接した別の太陽電池セル１０と重畳する領域で、隣接した別の太陽電池セル１０に接着剤を用いて接着されてもよい。
　本発明の別の態様は、太陽電池セル１０の製造方法である。この方法は、半導体基板５０を準備するステップと、半導体基板５０の主面上に配置されるとともに、半導体基板５０から延出する第１電極用バスバー電極３２をめっき法によって形成するステップとを備える。形成するステップは、第１電極用バスバー電極３２において、半導体基板５０の主面上に配置される部分と半導体基板５０から延出する部分とを一体的に形成する。
　準備するステップは、最終的な半導体基板５０の主面のサイズよりも大きなサイズの主面を有する準備用の半導体基板５０を準備し、形成するステップは、準備用の半導体基板５０の主面上に第１電極用バスバー電極３２をめっき法によって形成するステップと、最終的な半導体基板５０の主面のサイズとなるように、準備用の半導体基板５０の一部を切断するステップとを備えてもよい。
　準備するステップは、半導体基板５０の主面と補助シート９４の主面とを合わせながら、半導体基板５０に補助シート９４を並べ、形成するステップは、半導体基板５０の主面上と補助シート９４の主面上とに第１電極用バスバー電極３２をめっき法によって形成するステップと、半導体基板５０から補助シート９４を取り除くステップとを備えてもよい。
（実施例２）
　次に、実施例２を説明する。実施例２は、実施例１と同様に、複数の太陽電池セルが接続されることによって構成される太陽電池モジュールに関する。実施例１では、裏面接合型の太陽電池セルが使用されているが、実施例２では、受光面側にも裏面側にも電極が設けられた太陽電池セルが使用される。つまり、実施例１における第１電極と第２電極が、受光面と裏面に分けられて配置される。また、複数の太陽電池セルを接続する場合、所定の太陽電池セルの第１電極と、これに隣接した太陽電池セルの第２電極とが配線材によって接続される。配線材の数は、太陽電池モジュールに含まれる太陽電池セルの数が増加するほど多く必要になる。太陽電池モジュールの構成の簡易化、コストの低減を目的とする場合、配線材は含まれない方が望ましい。
　これに対応するために、本実施例では、太陽電池セルの受光面側に設けられた電極を太陽電池セルから延出するように形成する。このような構成により、太陽電池セルの受光面側に設けられた電極と、これに隣接した太陽電池セルの裏面側に設けられた電極とが直接接続される。以下では、これまでとの差異を中心に説明する。
　図８は、本発明の実施例２に係る太陽電池モジュール１００の構造を示す断面図である。太陽電池モジュール１００は、太陽電池セル１１０と総称される第１太陽電池セル１１０ａ、第２太陽電池セル１１０ｂ、第３太陽電池セル１１０ｃ、第１保護部材１１２、第２保護部材１１４、封止部材１１６を含む。また、第１太陽電池セル１１０ａは、第１バスバー電極１３６ａを含み、第２太陽電池セル１１０ｂは、第２バスバー電極１３６ｂを含む。ここで、第１バスバー電極１３６ａ、第２バスバー電極１３６ｂは、バスバー電極１３６と総称される。
　複数の太陽電池セル１１０は、ｙ軸に沿って並べられることによって、太陽電池ストリングを形成する。隣接した太陽電池セル１１０は、一方の太陽電池セル１１０のバスバー電極１３２によって電気的に接続される。特に、バスバー電極１３６は、一方の太陽電池セル１１０の受光面側から延出し、他方の太陽電池セル１１０の裏面側に接続される。ここで、接続には接着剤が使用される。第１保護部材１１２、第２保護部材１１４、封止部材１１６は、第１保護部材１２、第２保護部材１４、封止部材１６と同様に構成される。なお、第２保護部材１１４は、第１保護部材１１２と同様に構成されてもよい。
　図９（ａ）－（ｃ）は、太陽電池セル１１０の構造を示す平面図である。図９（ａ）は、太陽電池セル１１０の受光面側の表面を示す。フィンガー電極１３４は、ｘ軸方向に延びており、複数のフィンガー電極１３４がｙ軸方向に平行に配置される。ここで、各フィンガー電極１３４は、半導体基板１５０内に配置されており、半導体基板１５０からはみ出していない。一方、複数のフィンガー電極１３４と略直交するように、２つのバスバー電極１３６がｙ軸方向に延びており、２つのバスバー電極１３６は、ｘ軸方向に平行に配置される。バスバー電極１３６は、ｙ軸の正方向側において半導体基板１５０から延出している。
　フィンガー電極１３４、バスバー電極１３６は、第１電極用フィンガー電極３０、第１電極用バスバー電極３２、第２電極用フィンガー電極３４、第２電極用バスバー電極３６と同様にめっき法によって形成される。なお、フィンガー電極１３４の数は、図示の「５」に限定されず、バスバー電極１３６の数も、図示の「２」に限定されない。
　図９（ｂ）は、太陽電池セル１１０の受光面側の別の表面を示す。図９（ａ）に示した太陽電池セル１１０との差異は、バスバー電極１３２のｙ軸の正方向側の先端部分が接続板１４０として構成されていることである。太陽電池セル１１０は、ｘ－ｙ平面上において矩形状に形成される。このような接続板１４０もバスバー電極１３２と同様にめっき法によって形成される。
　図９（ｃ）は、太陽電池セル１１０の裏面側の表面を示す。フィンガー電極１３０は、ｘ軸方向に延びており、複数のフィンガー電極１３０がｙ軸方向に平行に配置される。また、複数のフィンガー電極１３０と略直交するように、２つのバスバー電極１３２がｙ軸方向に延びており、２つのバスバー電極１３２は、ｘ軸方向に平行に配置される。接続には接着剤等が使用される。ここで、受光面側のフィンガー電極１３０、バスバー電極１３２は、半導体基板１５０から延出していない。
　バスバー電極１３２には、隣接した他の太陽電池セル１１０からのバスバー電極１３６あるいは接続板１４０が接続される。このようなフィンガー電極１３０、バスバー電極１３２は、スクリーン印刷により形成されるが、めっき法により形成されてもよい。なお、フィンガー電極１３０の数は、図示の「５」に限定されず、バスバー電極１３２の数も、図示の「２」に限定されない。
　太陽電池セル１１０の製造方法、特にバスバー電極１３６、接続板１４０の製造方法は、実施例１と同様になされればよい。例えば、図４（ａ）－（ｃ）、図５（ａ）－（ｃ）と同様に、最終的な半導体基板１５０のサイズよりも大きなサイズの準備用の半導体基板１５０を使用し、最終的な半導体基板１５０のサイズとなるように準備用の半導体基板１５０を切断すればよい。また、図６（ａ）－（ｂ）と同様に、半導体基板１５０に補助シート９４を並べて、最終的に補助シート９４を取り除いてもよい。さらに、図７（ａ）－（ｃ）と同様に、バスバー電極１３６、接続板１４０に溝部９９を形成してもよい。バスバー電極１３６、接続板１４０以外の太陽電池セル１１０の製造方法には、公知の技術が使用されればよい。
　本実施例によれば、複数の太陽電池セルを接続する際に、バスバー電極が使用されるので、配線材を不要にできる。また、配線材が不要になるので、太陽電池モジュールの構成を簡易にできる。また、配線材が不要になるので、太陽電池モジュールの製造コストを低減できる。
　本発明の一態様の概要は、次の通りである。半導体基板１５０において、フィンガー電極１３４およびバスバー電極１３６が配置される主面とは反対側の主面上に配置されるフィンガー電極１３０、バスバー電極１３２は、半導体基板１５０から延出されなくてもよい。
　以上、本発明について、実施例をもとに説明した。この実施例は例示であり、それらの各構成要素あるいは各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能なこと、また、そうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
　本実施例１、２において、半導体基板５０から延出する電極を形成するために、大きなサイズを有した準備用の半導体基板５０、半導体基板１５０を使用したり、補助シート９４を使用したりしている。しかしながらこれに限らず例えば、半導体基板５０、半導体基板１５０に金属シートを接着させてもよい。接着には、レーザー溶接、超音波、Ａｒプラズマ等が使用される。本変形例によれば、製造の自由度を向上できる。
　本実施例１、２において、補助シート９４を取り除きやすくするために、銅ペースト９６が使用される。しかしながらこれに限らず例えば、溶剤に剥離する樹脂板が使用されてもよい。本変形例によれば、製造の自由度を向上できる。
　本実施例１において、第１電極用バスバー電極３２を半導体基板５０から延出する構成としたが、第２電極用バスバー電極３６を半導体基板５０から延出する構成としてもよいし、第１電極用バスバー電極３２および第２電極用バスバー電極３６の両方を半導体基板５０から延出する構成としてもよい。第１電極用バスバー電極３２および第２電極用バスバー電極３６のいずれか一方のみを半導体基板５０から延出する構成として、第１電極２０と第２電極との接続領域を太陽電池セル１０と重畳させて隠すことが好ましい。
　本実施例２において、受光面側に設けられたバスバー電極１３６を半導体基板１５０から延出するように形成した。しかしながら、裏面側に設けられたバスバー電極１３２を半導体基板１５０から延出するように形成してもよいし、バスバー電極１３６およびバスバー電極１３２の両方を半導体基板１５０から延出するように形成してもよい。ただし、本実施例２のように、受光面側に設けられたバスバー電極１３６のみを半導体基板１５０から延出するように形成して、バスバー電極１３６とバスバー電極１３２との接続領域を半導体基板１５０と重畳させて隠すことが好ましい。
　１０　太陽電池セル、　１２　第１保護部材、　１４　第２保護部材、　１６　封止部材、　２０　第１電極、　２２　第２電極、　３０　第１電極用フィンガー電極（第１集電極）、　３２　第１電極用バスバー電極（第２集電極）、　３４　第２電極用フィンガー電極、　３６　第２電極用バスバー電極、　３８　分離領域、　５０　半導体基板、　５２　保護層、　５４　第１半導体層、　５６　第２半導体層、　５８　透明導電層、　６０　絶縁層、　６２　シード層、　６４　めっき層、　７０　第１透明導電層、　７２　第２透明導電層、　７４　第１シード層、　７６　第２シード層、　７８　第１めっき層、　８０　第２めっき層、　１００　太陽電池モジュール。
　本発明によれば、太陽電池モジュールの構成を簡易にできる。

Claims (7)

  1. 　互いに電気的に接続された複数の太陽電池セルを備え、
    　前記複数の太陽電池セルのうちの少なくとも１つは、
    　半導体基板と、
    　前記半導体基板の主面上に配置される複数の第１集電極と、
    　前記半導体基板の主面上に配置され、かつ前記複数の第１集電極に接続される第２集電極とを備え、
    　前記第２集電極は、隣接した別の太陽電池セルの方に向かって、前記半導体基板から延出し、
    　前記第２集電極において、前記半導体基板の主面上に配置される部分と前記半導体基板から延出する部分とが一体的に形成されることを特徴とする太陽電池モジュール。
  2. 　前記太陽電池セルは裏面接合型の太陽電池セルであって、前記半導体基板において、前記第１集電極および前記第２集電極が配置される主面とは反対側の主面上には、集電極が配置されないことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池モジュール。
  3. 　前記半導体基板において、前記第１集電極および前記第２集電極が配置される主面とは反対側の主面上に配置される集電極は、前記半導体基板から延出されないことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池モジュール。
  4. 　前記第１集電極は、隣接した別の太陽電池セルと重畳する領域で、隣接した別の太陽電池に接着剤を用いて接着される請求項２または３に記載の太陽電池モジュール。
  5. 　半導体基板を準備するステップと、
    　前記半導体基板の主面上に配置されるとともに、前記半導体基板から延出する集電極をめっき法によって形成するステップとを備え、
    　前記形成するステップは、前記集電極において、前記半導体基板の主面上に配置される部分と前記半導体基板から延出する部分とを一体的に形成することを特徴とする太陽電池セルの製造方法。
  6. 　前記準備するステップは、最終的な半導体基板の主面のサイズよりも大きなサイズの主面を有する準備用の半導体基板を準備し、
    　前記形成するステップは、
    　前記準備用の半導体基板の主面上に前記集電極をめっき法によって形成するステップと、
    　前記最終的な半導体基板の主面のサイズとなるように、前記準備用の半導体基板の一部を切断するステップとを備えることを特徴とする請求項５に記載の太陽電池セルの製造方法。
  7. 　前記準備するステップは、前記半導体基板の主面と補助シートの主面とを合わせながら、前記半導体基板に前記補助シートを並べ、
    　前記形成するステップは、
    　前記半導体基板の主面上と前記補助シートの主面上とに前記集電極をめっき法によって形成するステップと、
    　前記半導体基板から前記補助シートを取り除くステップとを備えることを特徴とする請求項５に記載の太陽電池セルの製造方法。
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