TWI392040B - Inspection device and position offset acquisition method - Google Patents

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TWI392040B
TWI392040B TW095110572A TW95110572A TWI392040B TW I392040 B TWI392040 B TW I392040B TW 095110572 A TW095110572 A TW 095110572A TW 95110572 A TW95110572 A TW 95110572A TW I392040 B TWI392040 B TW I392040B
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Daiki Kurihara
Hiromi Chaya
Takanori Hyakudomi
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Description

檢查裝置及位置偏移量取得方法
本發明是關於形成在基板上之被檢查體進行電的檢查之檢查裝置、及對於檢查裝置，求出與形成在基板上的電極接觸之探針之接觸位置的偏移量之技術。
過去以來，使探針接觸到包括在被形成在半導體基板上的配線圖案中之導電片，進行檢查配線圖案之電的特性(利用探測儀器進行探測)。探測時，進行校正導電片上之探針的接觸位置(也稱為PTPA(Probe－To－Pad Alignment)或APTPA(Automatic Probe－To－Pad Alignment))。
例如，日本專利文獻1中記載，使探針接觸到所謂虛擬基板上的導電片之後，取得包括導電片的區域之畫像，檢測導電片上之探針的接觸痕跡(即是針痕)，根據針痕的檢測結果，校正探針接觸檢查對象基板的導電片之接觸位置之技術。另外，日本專利文獻2中提案，將以與探測時探針的尖端同等高度來形成收斂點之光點，照射到基板的導電片上，並取得包括導電片的區域之畫像，檢測導電片上之光點的照射位置，以調整探針接觸導電片之接觸位置之技術。
另則，對於探測後的基板，也進行取得包括導電片的區之多色階的畫像，以檢查導電片上的針痕(也稱為PMI(Probe Mark Inspection))，藉由此方式，管理是否已適切進行探測。
此外，日本專利文獻3中記載，對於探測後的基板，取得包括導電片的區域之畫像，測定導電片上針痕的長度，以調整探針接觸下一個檢查對象的導電片時的過度驅動量之技術。
[專利文獻1]日本專利特開平6－318622號公報[專利文獻2]日本專利特開2004－79733號公報[專利文獻3]日本專利特開平7－29946號公報
然則，為了要進行校正探針接觸導電片之接觸位置而採用日本專利文獻1和2中的方法時，必須要檢測虛擬基板之導電片上的針痕，又要檢測導電片上之光點的照射位置，而會把時間耗費在探測的處理上。
另外，還會有對同樣導電片進行複數次探測的情況，這種情況會在導電片上存在複數個針痕，導致單是取得包括導電片之畫像，仍無法取得探針之接觸位置的偏移量。特別是(不論是否刻意)最新的針痕與其他的針痕相重疊時，要取得偏移量則非常困難。
本發明鑒於上述的課題，其目的是提供，即使導電片上存在複數個針痕，仍能適切地取得探針接觸導電片之接觸位置的偏移量。
本發明的申請專利範圍第1項，是一種形成在基板上之被檢查體進行電的檢查之檢查裝置，具備有：與被形成在基板上的電極接觸之探針、及前述探針接觸到至少形成有1個針痕的前述電極之後，進行前述基板的攝像，來取得表示包括前述電極的區域之第1畫像之攝像部、及將前述探針接觸到前述電極之前之表示包括前述電極的區域之第2畫像予以記憶之畫像記憶部、及將前述第1畫像與前述第2畫像作比較，以取得分別與前述電極上的複數個針痕相對應之前述第1畫像中的複數個針痕區域當中，前述探針接觸到前述電極所形成之最新的針痕區域位置之最新針痕位置取得部、及根據前述最新的針痕區域位置，求出前述探針接觸前述電極之接觸位置的偏移量之位置偏移量取得部。
本發明的申請專利範圍第2項，如同申請專利範圍第1項之檢查裝置，其中，經過前述位置偏移量取得部所求出之前述接觸位置的偏移量，用來作為前述探針或是其他檢查裝置的探針，下一次接觸到前述基板的前述電極時的校正量。
本發明的申請專利範圍第3項，如同申請專利範圍第1或2項之檢查裝置，其中，具備有：前述最新針痕位置取得部，將前述第1畫像與前述第2畫像作比較，以取得前述複數個針痕領域所佔據的針痕存在區域當中，前述探針接觸到前述電極所增加之增加區域之增加區域取得部、及前述增加區域的面積低於特定值時，對於已從前述針痕存在區域中扣除了前述增加區域之區域，將補足區域結合到前述增加區域，來取得前述最新的針痕區域之增加區域補足部。
本發明的申請專利範圍第4項，如同申請專利範圍第3項之檢查裝置，其中，前述增加區域補足部，對於前述第1畫像中之前述複數個針痕區域的外切矩形也就是全部針痕包括區域內，以前述全部針痕包括區域的中心點為中心，對與前述至少1針痕相對應的前述第2畫像中之至少1個針痕區域的外切矩形，設定成為點對稱之對稱矩形，在前述對稱矩形內配置前述補足區域。
本發明的申請專利範圍第5項，如同申請專利範圍第3項之檢查裝置，其中，前述補足區域的大小，根據預先被作為1個針痕區域的面積所設定的值與前述增加區域的面積之差來決定。
本發明的申請專利範圍第6項，如同申請專利範圍第3項之檢查裝置，其中，前述第2畫像為2進位的畫像，對於前述增加區域取得部，在前述第1畫像被第2畫像所遮蓋之後進行2進位化，以取得前述增加區域。
本發明的申請專利範圍第7項，如同申請專利範圍第1或2項之檢查裝置，其中，前述第2畫像為前述探針剛好接觸到前述電極時利用前述攝像部所取得之畫像。
本發明的申請專利範圍第8項，是一種對於形成在基板上之被檢查體進行電的檢查之檢查裝置，求出與形成在前述基板上的電極接觸之探針之接觸位置的偏移量之位置偏移量取得方法，具有：探針接觸到至少形成有1個針痕的電極之後，進行基板的攝像來取得表示包括前述電極的區域之第1畫像之過程、及將前述第1畫像與前述探針接觸到前述電極之前之表示包括前述電極的區域之第2畫像作比較，以取得分別與前述電極上的複數個針痕相對應之前述第1畫像中的複數個針痕區域當中，前述探針接觸到前述電極所形成之最新的針痕區域位置之過程、及根據前述最新的針痕區域位置，求出前述探針接觸前述電極之接觸位置的偏移量之過程。
第1圖為表示構成本發明的一個實施形態的探測儀器1之圖。探測儀器1，使探針接觸到包括在被形成在半導體基板9上的配線圖案中之導電片(例如，利用鋁的蒸鍍而形成之導電片)，進行配線圖案之電的檢查(探測)，檢查結束後進行針痕檢查，也就是進行PMI，並取得對經過後續過程之後的同一基板進行下一個電的檢查時探針接觸導電片之接觸位置的校正量(校正所必要的值之集合)。
探測儀器1具備有，將利用其他的探測儀器(也可以用一樣的探測儀器1，以下同樣)，使針痕形成在導電片上之基板9予以保持之載置台2、及進行基板9的攝像來取得基板9的多色階之畫像之攝像部3、及對攝像部3來相對移動載置台2之載置台驅動部21、及從攝像部3輸入畫像資料的電路之處理部4、及分別與基板9上的複數個導電片接觸之複數個探針52(第1圖中只在1個探針附註圖號，實際上探針52比其他的構成還要小很多)呈2次元排列之探針卡51、以及由進行各種運算處理的CPU或記憶各種資訊的記憶體等所構成之電腦6；利用電腦6來控制探測儀器1的其他各構成。
攝像部3具有，射出照明光之照明部31(例如，鹵素燈)、及將照明光引導到基板9並且射入來自基板9的光之光學系統32、以及將經過光學系統32所成像之基板9的像，轉換成電訊號之攝像裝置33(例如，排列CCD元件的裝置)；從攝像裝置33輸出基板9的畫像資料。載置台驅動部21具有使載置台2在第1圖中的X方向上移動之X方向移動機構22、及在Y方向上移動之Y方向移動機構23、以及以與第1圖中的XY平面成垂直的轉動軸為中心來轉動載置台2之轉動機構24。
第2圖為表示處理部4的構成。處理部4具有，從由攝像部3所輸入之畫像來取得表示導電片的導電片區域之導電片區域取得部41、及將探針52接觸到導電片之後所取得之畫像中的表示最新的針痕之針痕區域的位置予以取得之最新針痕位置取得部42、及根據最新的針痕區域的位置，求出探針52接觸導電片之接觸位置的偏移量(表示偏移的距離和方向之向量)之位置偏移量取得部43、以及將探針52接觸前的表示包括各導電片(此處，形成有其他的探測儀器1的針痕)的區域之多色階的接觸前畫像資料441予以記憶之畫像記憶部44。
第3A圖為表示探測儀器1進行探測的處理流程之圖。以下的說明，針對利用探針52所形成之導電片上的最新針痕，已經形成在該導電片上的針痕則稱為既有的針痕。此外，也有在導電片上形成複數個針痕的情況。
探測儀器1，首先，利用其他的探測儀器進行探測而在各導電片(一部分的導電片亦可)上形成了既有的針痕之檢查對象的基板9，將基板9的中心配置在轉動機構24的轉動軸上，並以特定的方向(旋轉角)載置在載置台2上。電腦6，根據配線圖案的設計資料、和探針卡51之複數個探針52的位置，控制載置台驅動部21，使基板9移動到特定的位置。藉由此方式，複數個探針52分別成為對向於基板9上的特定導電片的狀態。然後，利用進退機構(未圖示)，以一定過度驅動量，使複數個探針52分別接觸到所對向的複數個導電片，進行基板9上的配線圖案之電的檢查(步驟S11)。此時，利用抵觸在導電片之探針52尖端，些許刮削導電片的表面，以確保探針52與導電片之間的導通。完成電的檢查，探針52離開導電片，則會在導電片上留下探針52所形成的接觸痕(即是最新的針痕)。
接著，利用載置台驅動部21，使攝像部3之基板9上的攝像位置，相對移動到剛好進行檢查過之後的導電片附近，取得表示包括基板9上的導電片的區域之多色階的畫像(以下，稱為「接觸後畫像」)(步驟S12)。本實施形態中，對於接觸後畫像，含在導電片的區域之像素的值，大於導電片的區域外之畫像的值(即是導電片的區域比外側的區域還要亮)。
探測儀器1中，例如探針卡51的探針，2次元排列在特定的矩形區域，探針52的排列之大約位於中央的探針52、及位於矩形區域的四角之複數個探針52所分別接觸之導電片，作為最新針痕的位置的取得對象之導電片(以下、「稱為對象導電片」)，這些導電片依序進行攝像來取得複數個接觸後畫像。當然，探針52所接觸的全部導電片，也可以作為對象導電片。對象導電片如後述，作為求出探針52之接觸位置的偏移量時的基準。
各接觸後畫像為識別基板9上的壓模(成為壓片的區域)之ID編號和識別壓模中的導電片之ID編號(以下，統稱為「ID編號」)符合才輸出到處理部4。另外，各接觸後畫像也輸出到電腦6中，可參考地記憶到電腦6的記憶部，用於探針52接觸到導電片之PMI。
取得接觸後畫像，最新針痕位置取得部42則取得分別對應於導電片上的複數個針痕(即是既有的針痕及最新的針痕)之接觸後畫像中的複數個針痕區域當中，探針52接觸到導電片所形成之最新針痕區域的位置(及導電片區域的中心位置)(步驟S13)。然而，取得最新針痕區域的位置之處理，於後詳述。
接著，位置偏移量取得部43，根據已對於複數個對象導電片所分別取得之複數個最新針痕區域的位置，求出探針52接觸導電片之接觸位置的校正量。
此處，針對從複數個最新針痕區域的位置求出探針52接觸基板9上的導電片之接觸位置的校正量之方法的一個例子進行說明。本實施形態中，假如依據沿著X方向和Y方向的2個軸所界定之二次元座標上，在X方向和Y方向上分別僅一定距離偏離檢查基板9時的位置，求出該情況下各對象導電片之中央的位置、與實際的最新針痕的位置之間的距離的平方和(以下，稱為「誤差」。)。然後，求出該誤差最小的在X方向和Y方向上的距離之組合，作為接觸位置的校正距離(含在校正量中之值的一部分)。具體上，當檢查時基板9在配置狀態下各對象導電片i之導電片區域的中心位置的座標為(ui、vi)，檢查時基板9在配置狀態下對於各對象導電片i所求出之最新針痕區域的位置的座標為(xi、yi)，基板9的位置偏移時在X方向和Y方向上的移動距離分別為x、y時，誤差Lt則由式1來求出。此外，式1中，對象導電片的個數為N個，距離x、y為變數。
Lt＝Σ((xi－(x＋ui))2 ＋(yi－(y＋vi))2 )－－－(式1)
然後，針對x和y，分別進行式1的偏微分，求出誤差成為極小之x、y的值，分別作為校正距離d x、d y，如求出式2所示，以求出誤差Lt最小之校正距離d x、d y的組合
分別針對X方向和Y方向的情況，式2中，求出基板9之位置的校正距離d x、d y，作為檢查時基板9在配置狀態下複數個對象導電片之最新針痕區域的位置與導電片之中心的位置之間的距離(即是接觸位置的偏移量(向量))的平均值。換言之，根據各對象導電片之最新針痕區域的位置，求出探針52接觸導電片的中心之接觸位置的偏移量，這些偏移量的平均，作為在X方向和Y方向上基板9的校正距離(步驟S14)。
另外，為了要使探針52更接近導電片的中央來接觸，也可以再求出基板9之轉動角的校正角，作為校正量的一部分。例如，假如在基板9的位置從上述檢查時的位置僅要校正校正距離d x、d y之後，利用轉動機構24使基板9從檢查時的方向(旋轉角)僅轉動角度θ來配置，求出該情況之各對象導電片之中央的位置與實際的最新針痕的位置之間的距離的平方和之表示誤差的計算式，衡量角度θ為微小，並對θ進行該式兩邊的微分，而如式3，求出誤差極小之θ的值，作為角度dθ。
dθ＝[Σ((yi－dy)(xi－ui－dx)＋(xi－dx)(yi－vi－dy))]/[Σ((yi－dy)2 ＋(xi－dy)2 )]－－－(式3)
以此方式所求出之位置的校正距離d x、d y和轉動角的校正角dθ，輸出到電腦6中，作為校正量，記憶到記憶部。另外，基板9從載置台2取出，再在於具有與探測儀器1同樣的載置台驅動部之探測儀器，進行其他電的檢查。這時候，利用X方向移動機構和Y方向移動機構，從僅前一次檢查時的位置偏移校正距離d x、d y來配置基板9，以使各導電片所對應之探針的接觸位置，成為導電片的中央附近。另外，基板9的方向利用轉動機構僅變更校正角θ，再度校正各探針接觸導電片上的接觸位置。然後，探針實際接觸到導電片才適切地進行下一次電的檢查。當然，下一次電的檢查也可以在探測儀器1進行，此情況則是校正探針52接觸導電片上之接觸位置。即是經過位置偏移量取得部43所求出之探針52接觸導電片之接觸位置的偏移量，用來作為探針52或其他探測儀器的探針下依次接觸到基板9上所對應的電極時的校正量。此外，設置使複數個探針在X方向和Y方向上移動之機構，對固定的基板9來進行複數個探針之位置的移動時，複數個探針之特定的初期位置進行校正的距離，在X方向和Y方向上分別為(－d x)、(－d y)。
其次，說明取得最新針痕區域的位置之處理。第3B圖為表示最新針痕區域的位置之處理流程圖，且是表示在於第3A圖中的步驟S13所進行之處理。以下的說明中，主要是針對1個接觸後畫像(也有複數個導電片包含在1個接觸後畫像中的情況)進行說明，不過有關其他的接觸後畫像，也是依序進行同樣的處理。
經過攝像部3取得接觸後畫像(第3A圖：步驟S12)，導電片區域取得部41則特定的閾值與接觸後畫像之各像素的值進行比較，使接觸後畫像2進位化。2進位化處理是例如對值為閾值以上的像素施予表示白色像素之值「1」，對未滿閾值的像素則施予表示黑色像素之值「0」。對於2進位化後的接觸後畫像，特定經過標示處理而相互連結的值1之像素的集合，包圍在該像素的集合的值0之內部的像素也被變換成值1。然後，取得變換後的接觸後畫像的值1之像素的各集合，作為導電片區域(步驟S21)。此時，也取得導電片區域之中心的位置。
第4圖為表示從接觸後畫像所取得的導電片區域71之圖。第4圖中，施加平行斜線的部分表示黑色像素，圖示有4個導電片區域71。此外，第4圖也表示以導電片閾值將接觸後畫像2進位化時之導電片區域71內的黑色區域，不過如前述，實際上，這些黑色區域也作為導電片區域71來應用。以下，只針對對應於某一個對象導電片的導電片區域進行說明，複數個對象包含在1個接觸後畫像中時，有關對應於其他的對象導電片之導電片區域，也是進行同樣的處理。
取得導電片區域71，最新針痕位置取得部42的針痕存在區域取得部421(參考第2圖)則從多色階的接觸後畫像中，抽出導電片區域71的部分，作為接觸後導電片畫像。然後，包含在接觸後導電片畫像中之各像素的值與特定的閾值進行比較，對值為閾值以上的像素施予表示白色像素之值「1」，對未滿閾值的像素則施予表示黑色像素之值「0」。藉由此方式，接觸後導電片畫像被2進位化，而形成第5A圖所示的2進位畫像。此外，第5A圖(以及後述的第5B圖、第6A圖、第6B圖)中，施加平行斜線的部分表示黑色像素。
接著，對於第5A圖的畫像進行值1與值2的更換而形成第5B圖所示的2進位畫像，特定經過標示處理而相互連結的值1之像素(第5B圖中的白色像素)的集合，作為叢集721、722，並取得這些叢集721、722，作為接觸後導電片畫像中複數個針痕區域所佔據之針痕存在區域(步驟S22)。此時，對各叢集施予壓縮處理之後施予解壓縮處理，以扣除第5B圖中之不必要的雜訊成分。此外，以下的說明中，將表示針痕存在區域的畫像稱為針痕存在區域畫像。
取得針痕存在區域，導電片區域取得部41則從根據所針對之對象導電片的ID碼被記憶在畫像記憶部之複數個接觸前畫像資料441中，讀出1個接觸前畫像441。接觸前畫像，如前述為表示包括探針52接觸之前之導電片(只不過已利用其他的探測儀器形成既有的針痕)的區域之畫像，例如，利用其他探測儀器形成既有的針痕之後，再以其他的裝置進行PMI來取得，記憶到其他的電腦中。然後，透過特定的通訊網路或記憶媒體，輸入到電腦6中，再從電腦6記憶到畫像記憶部44。導電片區域取得部41則與接觸後導電片畫像的情況同樣，從接觸前畫像來取得導電片區域，抽出與接觸前畫像中所針對的對象導電片相對應之導電片區域的部分，作為接觸前導電片畫像。此外，也可以在畫像記憶部44記憶接觸前導電片畫像，此情況，從上述的接觸前畫像抽出導電片區域的部分之處理則不進行。
接著，增加區域取得部422，求出接觸後導電片畫像之各像素的值與接觸前導電片畫像所對應之畫像的值之相差量，形成將該值的絕對值作為各像素的值之相差量畫像。然後，相差量畫像依據特定的閾值被2進位化，而形成第6A圖所示之2進位畫像。第6A圖所示的2進位畫像中，存在有較大的叢集731之外，還在針痕區域的邊緣附近或導電片區域的邊緣附近存在有微小的叢集731a，不過增加區域取得部422，對各叢集731施予壓縮處理之後，施予解壓縮處理，以取得如第6b圖所示只表示叢集731之2進位畫像，叢集731則為針痕存在區域當中探針52接觸到對像導電片所增加之增加區域的候補(步驟S23)。此外，以下的說明中，將表示增加區域的候補之畫像，稱為增加區域候補畫像。
此處，取得了第5B圖所示的針痕存在區域影像之對象導電片，形成在複數個針痕形各別隔開的位置，不過依據對象導電片，會有形成為複數個針痕的一部分相互重疊的情況。以下的說明中，即使針痕重疊的情況，「針痕區域」亦為探針接觸所形成之各個針痕的區域，「針痕存在區域」亦為忽視重疊後之全部的針痕所佔據之區域。
第7A圖為表示從表示別的對象導電片之接觸後導電片畫像所導出的針痕存在區域畫像之圖。第7B圖為表示該對象導電片的增加區域候補畫像之圖。第7B圖中附註圖號73的區域表示增加區域的候補。第7A圖中之針痕存在區域72為值1之白色畫像的集合，其他的區域則為值0的黑色區域；第7B圖中之增加區域的候補73也為值1之白色畫像的集合，其他的區域則為值0的黑色區域。
實際上，第7A圖所示的針痕存在區域畫像中，並排分別為橢圓形的區域，也就是並排3個針痕區域791，中央的針痕區域791分別部分重疊在位於兩側的2個針痕區域。因此，第7A圖中的針痕存在區域72，作為利用3個針痕區域791之一連串的外緣所圍成的區域，第7B圖中之增加區域的候補73成為橢圓形缺少一部分的形狀。以下，針對已取得第7A圖的針痕存在區域畫像和第7B圖的增加區域候補畫像之對象導電片進行說明。
增加區域取得部422，對於第7A圖所示的針痕存在區域畫像，如附註圖號81的虛線所示，設定複數個針痕區域791的外切矩形也就是設定全部針痕包含區域。另外，與取得全部針痕包含區域畫像的情況同樣，取得對應於既有的針痕之接觸前導電片畫像中之既有的針痕區域所佔據的區域。然後，求出該區域的外切矩形(即是接觸前導電片畫像中之全部既有的針痕區域的外切矩形；以下，稱為「原本矩形」)，如附註圖號82的二點鎖狀線所示，設定在第7A圖的針痕存在區域畫像中。再者，全部針痕包痕區域81內，如附註圖號83之細的實線所示，設定以全部針痕包痕區域81的中心點為中心而對於原本矩形82成為點對稱之對稱矩形(步驟S24)。然後，導電片區域71中，對對稱矩形83內的像素施予值「1」，對其他區域的像素則施加值「0」，以形成表示對稱矩形83之2進位畫像。
第8圖為用來說明在全部針痕包痕區域81內設定對稱矩形83的樣子之圖。在於全部針痕包痕區域81內，原本矩形82的交界(邊緣)與全部針痕包痕區域81的交界(邊緣)之間的距離，如第8圖所示，在於原本矩形82的上側為a，在於右側為b，在於下側為c，在於左側為d的情況，大小與原本矩形82相同的對稱矩形83，被設定為其交界與全部針痕包痕區域81的交界之間的距離在於對稱矩形83的上側成為c，在於右側成為d，在於下側成為a，在於左側成為b。此處，通常距離a、c的其中一方成為0。距離b、d的其中一方也成為0，不過萬一，既有的針痕區域被包圍在增加區域的候補的情況等，推測距離a、c的雙方都不是0，或是距離b、d都不是0的情況，故第8圖中，本矩形82和對稱矩形83，配置在離全部針痕包痕區域81的交界有距離的位置。
形成表示對稱矩形83之2進位畫像，則求出該畫像之各像素的值與第7A圖中針痕存在區域畫像所對應之像素的值之邏輯值，施加在該值所對應的像素，以形成表示最新針痕區域的候補之區域(以下，稱為「最新針痕候補區域」)之2進位畫像。第7A圖的例子的情況，最新針痕候補區域為對於第9圖中所示的全部針痕包痕區域81附註交叉線的區域(附註圖號74的區域)，形成只在該區域施予表示白色畫像之值「1」，在其他的區域施予表示黑色畫像之值「0」之畫像。如此，以作為最新針痕區域的候補來思考之最大的區域為與既有的針痕區域全體相同形狀為前提，最新針痕位置取得部42，應用針痕存在區域72當中只有含在對稱矩形83的部分，作為最新針痕候補區域74。
增加區域取得部422，再度求出表示最新針痕候補區域74的2進位畫像之各像素的值與第7B圖中增加區域候補畫像所對應之像素的值之邏輯值，施加在該值所對應的像素，以生成表示真正的增加區域之2進位畫像(步驟S25)。此處，真正的增加區域為在於第9圖中所示的全部針痕包痕區域81附註圖號75之粗的實線及細的實線所圍成的區域，形成只在該區域施予表示白色像素之值「1」，在其他的區域施予表示黑色畫像之值「0」之畫像。
如此，只將包含在對稱矩形83內之增加區域的候補73，作為真正的增加區域75(即是探針52接觸所增加的針痕區域)，即使取得接觸前畫像之後在針對導電片上附著異物等，而對於表示第7B圖所示之增加區域的候補73之2進位畫像，取得擬似增加區域的候補，對稱矩形83外所存在之擬似增加區域的候補仍被扣除，以實現良好精度地取得真正的增加區域。此外，處理簡單化的情況，仍可以繼續應用增加區域的候補，作為真正的增加區域。
取得真正的增加區域75，增加區域補足部423則判定最新針痕候補區域當中是否存在不與(真正的)增加區域75連續的區域(以下，稱為「不連續區域」)(步驟S26)。第7A圖和第7B圖所示的例子中，被判定為沒有存在不連續區域。此外，有關存在不連續區域的情況於後述。
接著，增加區域補足部423，如同第10圖中的實線所示，取得已從第9圖中的最新針痕候補區域74扣除了增加區域75的區域76(以下，稱為「補足用參照區域」)，而形成表示該補足用參照區域76之2進位畫像。然後，求出表示補足用參照區域76之2進位畫像中補足用參照區域76的外切矩形84，施予將該外切矩形84的交界上接近增加區域75的重心之點(第10圖中的外切矩形84則為頂點，以下稱為「基準點」)P1予以固定，來以特定的倍率縮小在行方向和列方向上的補足用參照區域76之處理，取得表示縮小後的補足用參照區域(第10圖中附註圖號77的虛線所圍成之區域)之2進位畫像。
此處，決定補足用參照區域76的縮小比率時，先求出作為1個針痕區域的面積所預先被設定的值Sm與增加區域75的面積Sa之差Sb(Sb=Sm-Sa)。值Sm是預先準備使探針52接觸其他基板上之複數個的各個導電片(針痕沒有形成)來形成針痕，求出這些針痕區域的面積的平均值等。接著，求出補足用參照區域76之外切矩形84的尺寸。例如，在行方向上為α，在列方向上為β，求出外切矩形84的尺寸，則會求出該外切矩形84之縮小後的尺寸，在行方向上為(sqrt(Sb．α/β))，在列方向上為(sqrt(Sb．β/α))(只不過sqrt(A)表示A的平方根)，藉由此方式，決定補足用參照區域76之在行方向和列方向上的縮小倍率。
此外，差Sb成為0以下的情況(即是增加區域75的面積Sa為預先所設定之值Sm以上的情況)，視為最新的針痕區域與其他的針痕區域不相重疊的狀態，故補足用參照區域的設定和下一個的補足處理被省略，在於步驟S25所求出之真正的增加區域，繼續作為最新的針痕區域(參考後述第16圖中的說明)。
其次，求出表示增加區域75的2進位畫像之各像素的值與表示縮小後的補足用參照區域77的2進位畫像所對應之像素的值之邏輯和，如第11圖所示，以取得表示最新的針痕區域78之已補足畫像(步驟S27)。如此，在增加區域的面積低於通常1個針痕區域的面積，也就是低於一定值的情況，則使縮小後的補足用參照區域77當中不與增加區域75相重疊的部分(附註第10圖中的平行斜線的區域，以下稱為「補足區域」)結合到增加區域75，以取得最新的針痕區域78。此時，補足區域配置在已從針痕存在區域72扣除了增加區域75的區域中的對稱矩形83內。
最新針痕位置取得部42求出已補足畫像中最新針痕區域78的重心，以取得最新針痕區域的位置(步驟S28)。此外，已補足畫像中最新針痕區域78的的形狀，與真正最新針痕區域的形狀有很大的不同，探測儀器1是以求出最新針痕區域的「位置」為目的，故這樣針痕形狀的相異不會造成問題。以上，對於複數個對象導電片，分別取得接觸後導電片畫像中的複數個針痕區域當中探針52接觸到導電片之最新針痕區域的位置，經過位置偏移量取得部43，求出探針52接觸導電片之位置的偏移量(第3A圖；步驟S14)。此外，最新針痕區域的位置，也可以作為代表該區域的重心以外之點的位置。
第12圖為表示從其他對象導電片的接觸後導電片畫像所導出的針痕存在區域畫像之圖，第12圖中以實線所圍成的區域為針痕存在區域72，針痕存在區域72當中以粗的實線和虛線所圍成的部分，作為增加區域的候補73。
取得第12圖所示的針痕存在區域72和增加區域的候補73的情況(步驟S22、S23)，設定全部針痕包含區域81，如同第12圖中虛線所示，作為針痕存在區域72的外切矩形，對稱矩形83(和原本矩形)，如同第12圖中實線所示為與全部針痕包含區域81相同的矩形(步驟S24)。接著，包含在對稱矩形83的針痕存在區域72(即是全部針痕存在區域72)作為針痕候補區域，最新針痕候補區域當中與增加區域的候補73相重疊的部分(即是全體增加區域的候補73)作為(真正的)增加區域(步驟S25)。
即使第12圖的例子的情況，仍判定為不連續區域沒有存在(步驟S26)，取得已從最新針痕候補區域扣除了增加區域之補足用參照區域(第12圖中附註平行斜線的區域，此處為2個補足用參照區域)。接著，與上述的例子同樣，縮小各補足用參照區域(只不過決定縮小倍率實之預先所設定的值Sm與增加區域的面積Sa之差Sb，依照各補足用參照區域的面積來比例分配)，將縮小後的補足用參照區域重疊到增加區域，如第13圖所示，以取得已在增加區域結合了縮小後之補足用參照區域的一部分(即是補足區域，第13圖中附註平行斜線之區域)之最新的針痕區域78(步驟S27)。然後，取得最新針痕區域78的重心，作為該位置(步驟S28)，求出探針52接觸導電片之位置的偏移量(第3A圖；步驟S14)。
第14圖為表示再度從其他對象導電片的接觸後導電片畫像所導出之針痕存在區域畫像之圖，第14圖中實線所圍成的2個區域作為針痕存在區域72(只不過在1個針痕存在區域附註圖號72a)，針痕存在區域72當中以粗的實線和虛線所圍成的部分作為增加區域的候補73。
此情況，設定全部針痕包含區域81，如同第14圖中虛線所示，作為2個針痕存在區域72的外切矩形，對稱矩形83(和原本矩形)，如同第14圖中實線所示為與全部針痕包含區域81相同的矩形(步驟S24)。接著，包含在對稱矩形83的針痕存在區域72(即是全部針痕存在區域72)作為針痕候補區域，最新針痕候補區域當中與增加區域的候補73相重疊的部分(即是全體增加區域的候補73)作為(真正的)增加區域(步驟S25)。
取得增加區域，增加區域補足部423則判定為最新針痕候補區域當中相當於第14圖中的針痕存在區域72a的部分為沒有與增加區域連續的不連續區域(步驟S26)。此處，被認為探針52一次接觸到導電片，通常只會形成連續的1個針痕區域，故不連續區域從最新針痕候補區域扣除(步驟S29)。接著，從已扣除了不連續區域的最新針痕候補區域再度扣除增加區域而取得補足用參照區域(第14圖中附註平行斜線之區域)，又經過縮小補足用參照區域和結合到增加區域，如第15圖所示，以取得最新的針痕區域78(步驟S27)。然後，取得最新針的痕區域78的重心，作為該位置(步驟S28)。
第16圖為表示再度從其他對象導電片的接觸後導電片畫像所導出的針痕存在區域畫像之圖；第16圖中實線所圍成的2個區域作為針痕存在區域72(只不過在1個針痕存在區域附註圖號72b)，針痕存在區域72當中粗線所圍成的部分作為增加區域的候補73。
第16圖所示的針痕存在區域72時，設定全部針痕包含區域81，如同第16圖中虛線所示，作為2個針痕存在區域72的外切矩形，如第16圖中二點鎖線所示，設定接觸前導電片畫像中之既有的針痕區域的外切矩形，也就是設定原本矩形82。接著，以全部針痕包含區域81的中心點為中心，如第16圖中實線所示，設定對於原本矩形82成為點對稱之對稱矩形83(步驟S24)。包含在對稱矩形83的針痕存在區域72作為最新針痕候補區域，最新針痕候補區域當中與增加區域的候補73相重疊的部分(即是全體增加區域的候補73)作為(真正的)增加區域(步驟S25)。
取得增加區域，則判定為最新針痕候補區域當中屬於第16圖中的針痕存在區域72b的部分(第16圖中附註平行斜線之區域)為沒有與增加區域連續的不連續區域(步驟S26)，該部分從最新針痕候補區域扣除(步驟S29)。藉由此方式，成為最新針痕候補區域與增加區域一致，從最新針痕候補區域再度扣除增加區域之補足用參照區域沒有存在，又已預先設定增加區域的面積來作為1個針痕區域的面積之值以上，故取得增加區域，繼續作為最新的針痕區域(步驟S27)，又取得最新針痕區域的位置(步驟S28)。此外，即使對於取得第5B圖的針痕存在區域畫像和第6B圖的增加區域候補畫像之對象導電片，仍與上述的情況同樣，成為已預先設定增加區域的面積來作為1個針痕區域的面積，並且沒有存在補足用參照區域，故成為取得增加區域，繼續作為最新的針痕區域。
第17圖為表示再度從其他對象導電片的接觸後導電片畫像所導出的針痕存在區域畫像之圖；第17圖中實線所圍成的2個區域作為針痕存在區域72(只不過在1個針痕存在區域附註圖號72c)，針痕存在區域72當中粗的實線和虛線所圍成的部分作為增加區域的候補73。
此情況，如第17圖中實線所示設定對稱矩形83(步驟S24)，包含在對稱矩形83之針痕存在區域72(第17圖中附註平行斜線之區域)作為最新針痕候補區域，最新針痕候補區域當中與增加區域的候補73相重疊的部分(即是全體增加區域的候補73)作為(真正的)增加區域(步驟S25)。接著，判定為最新針痕候補區域當中屬於第17圖中的針痕存在區域72c的部分為沒有與增加區域連續的不連續區域(步驟S26)，該部分從最新針痕候補區域扣除(步驟S29)。然後，從已扣除了不連續區域的最新針痕候補區域再度扣除增加區域而取得補足用參照區域，又取得與第15圖同樣形狀的最新針痕區域之後(步驟S27)，取得最新針痕區域的位置(步驟S28)。
以上，探測儀器1在探針52接觸到導電片之後，進行基板9的攝像來取得表示包含導電片的區域之接觸後畫像。然後，從接觸後畫像來導出並且表示導電片區域之接觸後導電片畫像、與表示探針52接觸到導電片前的導電片區域之接觸前導電片畫像作比較，取得探針接觸到導電片之最新針痕區域的位置。藉由此方式，用接觸後畫像來進行PMI，並取得導電片上的複數個針痕當中之最新針痕的位置，而可以效率良好地取得探針52接觸導電片之位置的偏移量。
另外，最新的針痕區域與其他的針痕區域相重疊的情況，在針痕存在區域中連續到增加區域之其他的區域配置補足區域來連結到增加區域，就可以輕易地取得最新針痕區域的位置。再者，根據作為1個針痕區域的面積所被預先設定之值與增加區域的面積之差，決定補足區域的大小，故要有必要以上的大或小來抑制補足區域的大小，而可以效率良好地取得最新針痕區域的位置。
其次，針對探測儀器1之探測處理的其他例子進行說明。其他例子的處理是探測儀器1(也可以是其他的探測儀器)進行前次的探測以形成既有的針痕而取得多色階的接觸前畫像，處理部4則從接觸前畫像中抽出導電片區域的部分而取得接觸前導電片畫像，再以特定的閾值來2進位化所取得之2進位的接觸前導電片畫像的資料，記憶到畫像記憶部44。此外，2進位的接觸前導電片畫像的資料，因應於需求也可以施予壓縮處理(例如，執行長度壓縮)；另外，也可以拋棄多色階的接觸前畫像。
第18A圖為表示2進位的接觸前導電片畫像之圖。將接觸前導電片畫像2進位化時，對值為閾值以上的畫像，施予表示白色像素之值「1」，對未滿閾值的像素，施予表示黑色畫像之值「0」；第18A圖(和後述的第18C圖)是以施予平行斜線來表示黑色像素。
本處理例子中，形成既有的針痕之後(前次的探測進行過後)，基板9載置到載置台2上，探針52接觸到導電片來進行電的檢查之後，取得接觸後畫像(第3A圖；步驟S11、S12)。然後，與上述處理同樣，從接觸後畫像中抽出導電片的部分而取得接觸後導電片畫像(第3B圖；步驟S21)。
第18B圖為表示多色階的接觸後導電片畫像之圖。接觸後導電片畫像，例如為以值0~255來表現各像素之256色階的畫像，第18B途中附註圖號792的2個區域，實際上，分別存在多數的被施予低於其他區域的值之像素。
接著，從接觸後導電片畫像取得針痕存在區域(步驟S22)，增加區域取得部422，則多色階的接觸後導電片畫像與所對應之2進位的接觸前導電片畫像進行比較，以取得增加區域的候補(步驟S23)。取得增加區域的候補時，2進位的接觸前導電片畫像之各像素的值為0(表示黑色像素的值)的情況，不論接觸後導電片畫像所對應之像素的值，都對該像素施加值「255」；值為1(表示白色像素的值)的情況，接觸後導電片畫像所對應之像素的值施加在該像素，而形成多色階的合成像素。各合成像素之各像素的值，與特定的閾值(也可以與針痕存在區域取得部421所用的閾值相同)進行比較，對值為閾值以上的像素施予表示白色像素的值「1」，對未滿閾值的像素施予表示黑色像素的值「0」而形成2進位的合成畫像。然後，進行2進位的合成畫像之各畫像的值1與值0的更換之後，特定經過標示處理而相互連結之值1的像素的集合，來取得叢集，對各叢集施予壓縮處理之後施予解壓縮處理，以扣除區域792的邊緣附近所形成微小的叢集或不必要的雜訊成分。
如此，增加區域取得部422則利用接觸前導電片畫像來實質上覆蓋接觸後導電片畫像之後進行2進位化，就如第18C圖所示只取得增加區域的候補，也就是只取得叢集731。取得增加區域的候補，則與上述處理例子同樣，取得(真正的)增加區域，因應於需求，補足區域結合到增加區域，而取得最新的針痕區域(步驟S24~S27)。然後，取得最新針痕區域的位置之後(步驟S28)，求出探針52接觸基板9上的導電片之接觸位置的偏移量(第3A圖；步驟S14)。
以上，探測儀器1之本處理例子中，畫像記憶部44所記憶之接觸前導電片畫像為2進位的畫像。此處，例如直徑為300 mm的半導體基板中形成有大約75000個導電片，使對這樣的基板全部的導電片進行PMI而取得之多數個多色接的接觸前畫像(或是接觸前導電片畫像)繼續記憶在畫像記憶部44的情況，畫像記憶部44必須有數GB位元的記憶容量，並且無法很容易進行畫像資料的管理。特別是用與探測儀器1不相同的裝置來取得接觸前畫像的情況，必須從該裝置將接觸前畫像的資料傳送給探測儀器1，不過通常並不容易傳送數GB位元的資料，而會有該作業上耗費長時間而對探測儀器1的作動造成障礙的情況。
對於此點，本實施例中，預先準備接觸前導電片畫像來作為尺寸格外比多色階的畫像還要小之2進位的像素，就可以削減畫像記憶部44的記憶容量，並且即使是用與探測儀器1不相同的裝置來取得接觸前畫像的情況，仍可以短時間又容易地進行傳送接觸前畫像的畫像。此外，利用接觸後導電片畫像覆蓋接觸前導電片畫像之處理，也可以採用與上述不相同的方法。另外，也可以在畫像記憶部44，記憶已將抽出導電片區域的部分之前的全部接觸前畫像2進位化的資料。
其次，針對探測儀器1之探測處理的另外一種例子進行說明。第19圖為表示探測儀器1之探測處理之流程的一部分之圖，且表示第3A圖的步驟S11之前所進行的處理。此外，本處理例子中，在畫像記憶部44沒有備有接觸前畫像。
探測儀器1在檢查對象的基板9被載置到載置台2上之後，利用攝像部3，取得表示包括對象導電片的區域之接觸前畫像(步驟S31)，之後，基板9仍然保持在載置台2，往探針52的下方移動來進行電的檢查(第3A圖；步驟S11)，即是探針52剛好接觸到基板9上的導電片時，利用攝像部3取得接觸前畫像。接著，利用攝像部3取得接觸後畫像(步驟S12)，與上述的處理例子同樣，取得最新針痕位置的位置，求出探針52接觸導電片之接觸位置的偏移量(步驟S13、S14)。
此處，一般半導體的量產工廠等，設置有複數個探測儀器來處理大量的基板，不過該情況，例如即使基板每一批次用其他的裝置進行PMI來取得多色階的接觸前畫像，對於配合屬於該批次的基板9搬運到探測儀器1的動作，維持多色階將接觸前畫像的資料傳送到該探測儀器1，仍必須要經過繁瑣的作業，又必須要架構管理用的網路。另外，也有形成既有的針痕之探測時沒有進行取得畫像的PMI的情況。對於此點，第19圖所示的處理例子中，探針52剛好接觸到導電片時利用攝像部3取得接觸前畫像，不必進行傳送資料之繁瑣的作業等，就可以輕易地取得探針52接觸導電片之接觸位置的偏移量，又可以對應於設在探測儀器1的設置地點之各種的系統環境。
此外，接觸前畫像的資料，只要直到取得最新針痕區域的位置的期間，暫時記憶即可，之後，接觸前畫像刪除即可。另外，接觸前畫像取得之後，不一定要在短時間內進行探針52接觸到導電片；若是接觸前畫像取得之後，直到探針52接觸到導電片的期間，基板9沒有載置台2上取出的話，則稱得上該接觸前畫像在探針52剛好接觸到導電片時就已被取得。
以上，已說明了本發明的實施形態，但本發明並不侷限於上述的實施形態，可作各種的變更。
上述的實施形態，雖已陳述過形成有1至3個既有針痕的情況，不過也可以在導電片上形成4個以上的既有針痕，探測儀器1可取得探針52接觸到至少形成有1個既有針痕的導電片之最新針痕的位置。
上述的實施形態，進行接觸前導電片畫像與接觸後導電片畫像的比較，以取得最新的針痕區域的位置，不過處理部4，也可以不抽出對應於導電片區域的部分，就直接進行接觸前畫像與接觸後畫像的比較，以取得針痕存在區域當中探針52接觸到導電片所增加的增加區域，且取得最新針痕區域的位置。
若增加區域補足部423中，補足區域在於已從針痕存在區域扣除了增加區域的區域結合到增加區域的話，則也可以採用取得補足用參照區域來縮小該區域之上述方法以外的其他方法。
另外，探針52接觸到導電片之接觸位置的偏移量，不一定要根據對於複數個對像導電片來分別取得之複數個最新針痕區域的位置來求出，也可以根據對於1個對象導電片來取得之最新針痕區域的位置來更簡單求出。
處理部4不必高速進行取得探針52接觸導電片之接觸位置的偏移量的情況，也可以利用電腦6經過軟體來實現與第2圖所示之處理部4(只不過畫像記憶部4除外)的全部或是一部分同樣的功能；另外，還可以利用電腦6的固定碟等的記憶裝置，實現畫像記憶部的功能。
探測儀器1中，取得導電片上的複數個針痕當中最新針痕的位置，以取得探針接觸導電片之接觸位置的偏移量之功能，也可以設置在使探針接觸到包括被形成在基板上之配線圖案等的被檢查體之電極來進行電的檢查之其他的檢查裝置。基板6不一定是半導體基板，也可以是形成包含電極的被檢查體之印刷電路基板、玻璃基板等。
[發明效果]
本發明的申請專利範圍第1~8項，取得電極上的複數個針痕當中最新的針痕位置，就可以適切地取得探針接觸電極之接觸位置的偏移量。
另外，本發明的申請專利範圍第3項，最新的針痕區域與其他的針痕區域相重疊時，很容易就可以取得最新針痕區域的位置；本發明的申請專利範圍第5項，可以良好精度地取得最新針痕區域的位置。
另外，本發明的申請專利範圍第6項，可以削減畫像記憶部的記憶容量。
1．．．探測儀器
3．．．攝像部
9．．．基板
42．．．最新針痕位置取得部
43．．．位置偏移量取得部
44．．．畫像記憶部
52．．．探針
72、72a~72c．．．針痕存在區域
75．．．增加區域
78．．．最新的針痕區域
81．．．全部針痕包含區域
82．．．原本矩形
83．．．對稱矩形
422．．．增加區域取得部
423．．．增加區域補足部
441．．．接觸前畫像資料
791．．．針痕區域
S12~S14．．．步驟
第1圖為表示探測儀器的構成之圖。
第2圖為表示處理部的構成之圖。
第3A圖為表示探測儀器進行探測的處理流程之圖。
第3B圖為表示取得最新針痕區域的位置的處理流程之圖。
第4圖為表示導電片區域之圖。
第5A圖為表示2進位畫像之圖。
第5B圖為表示針痕存在區域畫像之圖。
第6A圖為表示2進位畫像之圖。
第6B圖為表示增加區域候補畫像之圖。
第7A圖為表示針痕存在區域畫像之圖。
第7B圖為表示增加區域候補畫像之圖。
第8圖為用來說明在全部針痕包含區域內設定對稱矩形的樣子之圖。
第9圖為表示最新針痕候補區域之圖。
第10圖為表示補足用參照區域之圖。
第11圖為表示已補足畫像之圖。
第12圖為表示針痕存在區域畫像之圖。
第13圖為表示最新的針痕區域之圖。
第14圖為表示針痕存在區域畫像之圖。
第15圖為表示最新的針痕區域之圖。
第16圖為表示針痕存在區域畫像之圖。
第17圖為表示針痕存在區域畫像之圖。
第18A圖為表示2進位的接觸前導電片畫像之圖。
第18B圖為表示多色階的接觸後導電片畫像之圖。
第18C圖為表示增加區域候補畫像之圖。
第19圖為表示探測儀器進行探測的處理流程的一部分之圖。
4．．．處理部
41．．．導電片區域取得部
42．．．最新針痕位置取得部
44．．．畫像記憶部
43．．．位置偏移量取得部
421．．．針痕存在區域取得部
422．．．增加區域取得部
423．．．增加區域補足部
441．．．接觸前畫像資料

Claims (8)

  1. 一種檢查裝置，是形成在基板上之被檢查體進行電的檢查之檢查裝置，其特徵為：具備有：與被形成在基板上的電極接觸之探針；及前述探針接觸到至少形成有1個針痕的前述電極之後，進行前述基板的攝像，來取得表示包括前述電極的區域之第1畫像之攝像部；及將前述探針接觸到前述電極之前之表示包括前述電極的區域之第2畫像予以記憶之畫像記憶部；及將前述第1畫像與前述第2畫像作比較，以取得分別與前述電極上的複數個針痕相對應之前述第1畫像中的複數個針痕區域當中，前述探針接觸到前述電極所形成之最新的針痕區域位置之最新針痕位置取得部；及根據前述最新的針痕區域位置，求出前述探針接觸前述電極之接觸位置的偏移量之位置偏移量取得部。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之檢查裝置，其中，經過前述位置偏移量取得部所求出之前述接觸位置的偏移量，用來作為前述探針或是其他檢查裝置的探針，下一次接觸到前述基板的前述電極時的校正量。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之檢查裝置，其中，前述最新針痕位置取得部，具備有： 將前述第1畫像與前述第2畫像作比較，以取得前述複數個針痕領域所佔據的針痕存在區域當中，前述探針接觸到前述電極所增加之增加區域之增加區域取得部；及前述增加區域的面積低於特定值時，對於已從前述針痕存在區域中扣除了前述增加區域之區域，將補足區域結合到前述增加區域，來取得前述最新的針痕區域之增加區域補足部。
  4. 如申請專利範圍第3項所記載之檢查裝置，其中，前述增加區域補足部，對於前述第1畫像中之前述複數個針痕區域的外切矩形也就是全部針痕包括區域內，以前述全部針痕包括區域的中心點為中心，對與前述至少1針痕相對應的前述第2畫像中之至少1個針痕區域的外切矩形，設定成為點對稱之對稱矩形，在前述對稱矩形內配置前述補足區域。
  5. 如申請專利範圍第3項所記載之檢查裝置，其中，前述補足區域的大小，根據預先被作為1個針痕區域的面積所設定的值與前述增加區域的面積之差來決定。
  6. 如申請專利範圍第3項所記載之檢查裝置，其中，前述第2畫像為2進位的畫像，對於前述增加區域取得部，在前述第1畫像被前述第2畫像所遮蓋之後進行2進位化，以取得前述增加區域。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所記載之檢查裝置，其中，前述第2畫像為前述探針剛好接觸到前述電極時利用前述攝像部所取得之畫像。
  8. 一種位置偏移量取得方法，是對於形成在基板上之被檢查體進行電的檢查之檢查裝置，求出與形成在前述基板上的電極接觸之探針之接觸位置的偏移量之位置偏移量取得方法，其特徵為：具有：探針接觸到至少形成有1個針痕的電極之後，進行基板的攝像來取得表示包括前述電極的區域之第1畫像之過程；及將前述第1畫像與前述探針接觸到前述電極之前之表示包括前述電極的區域之第2畫像作比較，以取得分別與前述電極上的複數個針痕相對應之前述第1畫像中的複數個針痕區域當中，前述探針接觸到前述電極所形成之最新的針痕區域位置之過程；及根據前述最新的針痕區域位置，求出前述探針接觸前述電極之接觸位置的偏移量之過程。
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