TW201812431A - 光學單元 - Google Patents
光學單元 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201812431A TW201812431A TW107100208A TW107100208A TW201812431A TW 201812431 A TW201812431 A TW 201812431A TW 107100208 A TW107100208 A TW 107100208A TW 107100208 A TW107100208 A TW 107100208A TW 201812431 A TW201812431 A TW 201812431A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- spatial light
- optical
- spatial
- light modulator
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
- G02B27/0927—Systems for changing the beam intensity distribution, e.g. Gaussian to top-hat
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V13/00—Producing particular characteristics or distribution of the light emitted by means of a combination of elements specified in two or more of main groups F21V1/00 - F21V11/00
- F21V13/02—Combinations of only two kinds of elements
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V14/00—Controlling the distribution of the light emitted by adjustment of elements
- F21V14/003—Controlling the distribution of the light emitted by adjustment of elements by interposition of elements with electrically controlled variable light transmissivity, e.g. liquid crystal elements or electrochromic devices
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
- F21V9/14—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters for producing polarised light
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
- G02B27/0938—Using specific optical elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/1086—Beam splitting or combining systems operating by diffraction only
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/12—Beam splitting or combining systems operating by refraction only
- G02B27/126—The splitting element being a prism or prismatic array, including systems based on total internal reflection
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
- G02B27/286—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising for controlling or changing the state of polarisation, e.g. transforming one polarisation state into another
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
照明光學裝置具備光學單元(3)。光學單元,具備:將入射光束分割為2條光束之光分割器(35)、可配置在第1光束之光路之第1空間光調變器(33)、可配置於第2光束之光路之第2空間光調變器(34)、以及將經過第1空間光調變器之光束與經過第2空間光調變器之光束加以合成之光合成器(36),第1空間光調變器及第2空間光調變器具有二維排列、可個別控制之複數個光學要素(33a,34a)。
Description
本發明係關於光學單元、照明光學裝置、曝光裝置及元件製造方法。進一步詳言之,本發明係關於非常適合使用於為了以微影製程製造半導體元件、攝影元件、液晶顯示元件、薄膜磁頭等元件之曝光裝置的照明光學裝置。
此種典型的曝光裝置,從光源射出之光束經由作為光學積分器之複眼透鏡,形成由多數光源所構成之作為實質上面光源之二次光源(一般係於照明光瞳之既定光強度分布)。以下,將在照明光瞳之光強度分布稱為「照明光瞳亮度分布」。又,所謂照明光瞳,係定義為藉由照明光瞳與被照射面(曝光裝置時,為光罩或晶圓)間光學系統之作用,而使被照射面成為照明光瞳之傅立葉轉換面之位置。
來自二次光源之光束在被聚光透鏡聚光後,重疊照明於形成有既定圖案之光罩。透射過光罩之光經由投影光學系統成像於晶圓上,於晶圓上投影曝光(轉印)出光罩圖案。形成於光罩之圖案被高積體化,為了將此微細圖案正確的轉印至晶圓上,於晶圓上獲得均一之照度分布是不可或缺的。
先前,已提出一種可在不使用變焦光學系統之情形下,連續變化照明光瞳亮度分布(及照明條件)之照明光學裝置(參照特開2002- 353105號公報)。特開2002-353105號公報所揭示之照明光學裝置,則係使用排列成陣列狀且傾斜角及傾斜方向可個別驅動控制之多數個微小反射鏡元件所構成之可動多反射鏡(multi-mirror),將入射光束分割為各反射面之微小單位並使其偏向,據以將光束之剖面轉換為所欲形狀或所欲大小,近而實現所欲照明光瞳亮度分布。
本發明之目的在提供一種可實現進一步使照明光瞳亮度分布之形狀、及大小更具有多樣性之照明條件的照明光學裝置。又,本發明之另一目的在提供一種可使用實現具有多樣性照明條件之照明光學裝置,在依據圖案特性實現之適當的照明條件下進行良好曝光的曝光裝置。
為解決前述課題,本發明之第1形態係提供一種光學單元,具備:光分割器,供將行進於入射光路之入射光束分割為複數條光束;第1空間光調變器,可配置在該複數條光束中之第1光束之光路;第2空間光調變器,可配置在該複數條光束中之第2光束之光路;以及光合成器,將經過該第1空間光調變器之光束與經過該第2空間光調變器之光束加以合成後,使其朝向射出光路;該第1空間光調變器及該第2空間光調變器中之至少一空間光調變器,具有二維排列、可個別控制之複數個光學元件;該光分割器側之該入射光路與該光合成器側之該射出光路,係延伸於相同方向。
本發明之第2形態係提供一種照明光學裝置,係根據來自光源之光照明被照射面,其具備:第1形態之光學單元,以及根據經由該第1及第2空間光調變器之光束,於該照明光學裝置之照明光光瞳形成既定光 強度分布的分布形成光學系。
本發明之第3形態係提供一種曝光裝置,其具備用以照明既定圖案之第2形態之照明光學裝置,將前述既定圖案曝光至感光性基板。
本發明之第4形態係提供一種元件製造方法,具備:使用第3形態之曝光裝置,將該既定圖案曝光至該感光性基板之曝光步驟;使轉印有該既定圖案之該感光性基板顯影,以將對應該既定圖案之形狀之光罩層形成於該感光性基板表面之顯影步驟;以及透過該光罩層將該感光性基板表面予以加工之加工步驟。
本發明之照明光學裝置,可針對照明光瞳亮度分布之形狀、及大小實現更具有多樣性之照明條件。又,本發明之曝光裝置,可使用實現具有更多樣性之照明條件之照明光學裝置,在依據光罩M之圖案特性所實現之適當照明條件下進行良好曝光,進而製造良好的元件。
1‧‧‧光源
2‧‧‧整形光學系統
3、3A、3B‧‧‧空間光調變單元
4‧‧‧無焦點透鏡
4a‧‧‧無焦點透鏡之前側透鏡群
4b‧‧‧無焦點透鏡之後側透鏡群
4c‧‧‧無焦點透鏡之光瞳面
6‧‧‧圓錐旋轉三稜鏡系
6a、6b‧‧‧第1、第2稜鏡構件
7‧‧‧σ值可變用變焦透鏡
8‧‧‧柱狀微複眼透鏡
8a、8b‧‧‧第1、第2複眼構件
9‧‧‧數值孔徑
10‧‧‧聚光光學系統
11‧‧‧光罩遮簾
12‧‧‧成像光學系統
13‧‧‧偏光控制部
13a‧‧‧1/2波長板
13b‧‧‧旋轉驅動部
23a‧‧‧空間光調變器
23b‧‧‧稜鏡
23c‧‧‧驅動部
31,32‧‧‧稜鏡構件
31a‧‧‧稜鏡構件之入射面
31b‧‧‧稜鏡構件之出射面
32a,32b‧‧‧稜鏡構件與氣體之界面
33,34‧‧‧第1、第2空間光調變器
33a、34a‧‧‧反射鏡元件
33b,34b‧‧‧驅動部
35,36‧‧‧偏光分離膜
37‧‧‧氣體
41a~41d‧‧‧2(4)極狀光強度分布
42a、42b、42c’‧‧‧圓形光強度分布
42d、42e、42c”‧‧‧圓形光強度分布
51、61、64‧‧‧偏光分束器
51a、61a、64a‧‧‧偏光分離膜
52、54‧‧‧1/4波長板
53、55‧‧‧第1、第2空間光調變器
62、65‧‧‧第1、第2空間光調變器
63‧‧‧光路彎折反射鏡
71‧‧‧繞射光學元件
72‧‧‧聚光透鏡
73A、73B‧‧‧1/2波長板
74A、74B‧‧‧空間光調變單元
76‧‧‧稜鏡單元
76a、76b‧‧‧稜鏡構件
AX、AXa‧‧‧光軸
L1~L4‧‧‧光線
M‧‧‧光罩
MS‧‧‧光罩載台
PL‧‧‧投影光學系統
PN1、PN2‧‧‧平面
R1、R2‧‧‧反射面
SE‧‧‧反射鏡元件
SEa~SEd‧‧‧反射鏡元件
W‧‧‧晶圓
WS‧‧‧晶圓載台
圖1,係概略顯示本發明實施形態之曝光裝置之構成的圖。
圖2,係概略顯示空間光調變單元之構成的圖。
圖3,係概略顯示柱面微複眼透鏡之構成的立體圖。
圖4,係以示意方式顯示本實施形態中形成於無焦點透鏡之光光瞳面之4極狀光強度分布的圖。
圖5,係以示意方式顯示本實施形態中形成之5極狀照明光光瞳亮度分布之的圖。
圖6,係概略顯示光分割器與光合成器具有共通之偏光分束器之變形 例之空間光調變單元之構成的圖。
圖7,係概略顯示具有透射型空間光調變器之變形例之空間光調變單元之構成的圖。
圖8,係概略顯示具有偏光控制部之變形例之曝光裝置之構成的圖。
圖9,係概略顯示使用繞射光學元件作為光分割器之變形例之主要部構成的圖。
圖10,係概略顯示圖9之空間光調變單元之構成的圖。
圖11,係圖9之空間光調變單元所具備之空間光調變器的部分立體圖。
圖12,係概略顯示使用稜鏡單元作為光分割器之變形例之主要部構成的圖。
圖13,係顯示半導體元件之製程的流程圖。
圖14,係顯示液晶顯示元件等液晶元件之製程的流程圖。
根據所附圖式說明本發明之實施形態。圖1係概略顯示本發明實施形態之曝光裝置之構成的圖。圖2係概略顯示空間光調變單元之構成的圖。圖1中,係分別沿感光性基板之晶圓W之法線方向設定為Z軸、於晶圓W之面內將與圖1之紙面平行之方向設定為Y軸、於晶圓W之面內將與圖1之紙面垂直之方向設定為X軸。
參照圖1,本實施形態之曝光裝置具備用以供應曝光用光(照明光)之光源1。作為光源1,可使用例如供應波長193nm之光的ArF準分子雷射光源、或供應波長248nm之光的KrF準分子雷射光源等。從光源1射出之光,在經由整形光學系統2被放大為所要剖面形狀之光束後,射入 空間光調變單元3。
空間光調變單元3,如圖2所示,具備一對稜鏡構件31及32、與一對空間光調變器33及34。沿光軸AX射入空間光調變單元3之稜鏡構件31之入射面31a的光,在稜鏡構件31之內部傳輸後,射入稜鏡構件31與32之間形成之偏光分離膜35。被偏光分離膜35反射之s偏光之光,在稜鏡構件31之內部傳輸後,射入第1空間光調變器33。
第1空間光調變器33,具有二維排列之複數個反射鏡元件(一般為光學元件)33a、與個別驅動控制複數個反射鏡元件33a之姿勢之驅動部33b(圖1中未圖示)。同樣的,第2空間光調變器34,具有二維排列之複數個反射鏡元件34a、與個別驅動控制複數個反射鏡元件34a之姿勢之驅動部34b(圖1中未圖示)。驅動部33b、34b根據來自圖示省略之控制部之指令,個別驅動控制複數個反射鏡元件33a、34a之姿勢。
被第1空間光調變器33之複數個反射鏡元件33a反射之光,於稜鏡構件31內部傳輸後,以s偏光之狀態射入稜鏡構件31與32之間形成之偏光分離膜36。經第1空間光調變器33被偏光分離膜36反射之光,於稜鏡構件31內部傳輸後,從稜鏡構件31之射出面31b往空間光調變單元3之外部射出。在第1空間光調變器33之所有反射鏡元件33a之反射面沿XY平面被定位之基準狀態下,沿光軸AX射入空間光調變單元3後經第1空間光調變器33之光,從空間光調變單元3沿光軸AX射出。
另一方面,透射過偏光分離膜35之p偏光之光,於稜鏡構件32之內部傳輸,在稜鏡構件32與氣體(空氣或惰性氣體)37之界面32a全反射後,射入第2空間光調變器34。被第2空間光調變器34之複數個反 射鏡元件34a反射之光,於稜鏡構件32之內部傳輸,在稜鏡構件32與氣體37之界面32b被全反射後,以p偏光之狀態射入稜鏡構件31與32之間形成之偏光分離膜36。
經由第2空間光調變器34透射過偏光分離膜36之光,於稜鏡構件31內部傳輸後,從稜鏡構件31之射出面31b往空間光調變單元3之外部射出。在第2空間光調變器34之所有反射鏡元件34a之反射面沿XY平面被定位之基準狀態下,沿光軸AX射入空間光調變單元3後經第2空間光調變器34之光,從空間光調變單元3沿光軸AX射出。
如以上所述,於空間光調變單元3,在稜鏡構件31與32之間形成之偏光分離膜35,構成為將入射光束分割為2條光束(一般為複數條光束)之光分割器。又,在稜鏡構件31與32之間形成之偏光分離膜36,則構成為將經由第1空間光調變器33之光束、與經由第2空間光調變器34之光束加以合成之光合成器。
從空間光調變單元3射出之光,射入無焦點透鏡。無焦點透鏡,係其前側焦點位置與第1空間光調變器33之複數個反射鏡元件33a之位置及第2空間光調變器34之複數個反射鏡元件34a之位置大致一致、且其後側焦點位置與圖中以虛線所示之既定面5之位置大致一致之方式設定之無焦點系統(無焦點光學系統)。
因此,經由第1空間光調變器33之s偏光之光束,在無焦點透鏡之光瞳面,形成例如以光軸AX為中心、於Z方向相距一間隔之2個圓形光強度分布所構成之Z方向2極狀之光強度分布後,以2極狀之角度分布從無焦點透鏡射出。另一方向,經由第2空間光調變器34之p偏光 之光束,於無焦點透鏡之光瞳面、形成例如以光軸AX為中心於X方向相距一間隔之2個圓形光強度分布所構成之X方向2極狀之光強度分布後,以2極狀之角度分布從無焦點透鏡射出。
在無焦點透鏡4之前側透鏡群4a與後側透鏡群4b間之光路中,於其光瞳面之位置或其附近位置,配置有圓錐旋轉三稜鏡(axicon)系6。關於圓錐旋轉三稜鏡系6之構成及作用留待後敘。經由無焦點透鏡之光束,經由σ值(σ值=照明光學裝置之光罩側孔徑數/投影光學系統之光罩側孔徑數)可變用變焦透鏡7射入柱狀微複眼透鏡8。
柱狀微複眼透鏡8,如圖3所示,係由配置在光源側之第1複眼構件8a與配置在光罩側之第2複眼構件8b所構成。於第1複眼構件8a之光源側之面及第2複眼構件8b之光源側之面,分別以間距p1形成有排列於X方向之柱狀透鏡群8aa及8ba。於第1複眼構件8a之光罩側之面及第2複眼構件8b之光罩側之面,分別以間距p2(p2>p1)形成有排列於Z方向之柱狀透鏡群8ab及8bb。
著眼於柱狀微複眼透鏡8在X方向之折射作用(亦即於XY平面之折射作用)時,沿光軸AX射入之平行光束被形成在第1複眼構件8a之光源側之柱狀透鏡群8aa沿X方向以間距p1波面分割,於其折射面受到聚光作用後,於形成在第2複眼構件8b之光源側之柱狀透鏡群8ba中對應之柱狀透鏡之折射面受到聚光作用,而聚光於柱狀微複眼透鏡8之後側焦點面上。
著眼於柱狀微複眼透鏡8在Z方向之折射作用(亦即於YZ平面之折射作用)時,沿光軸AX射入之平行光束,被形成在第1複眼構件 8a之光罩側之柱狀透鏡群8ab沿Z方向以間距p2波面分割,於其折射面受到聚光作用後,於形成在第2複眼構件8b之光罩側之柱狀透鏡群8bb中對應之柱狀透鏡之折射面受到聚光作用,而聚光於柱狀微複眼透鏡8之後側焦點面上。
如以上所述,柱狀微複眼透鏡8雖由柱狀透鏡群配置在兩側面之第1複眼構件8a與第2複眼構件8b所構成,但能發揮與在X方向具有p1尺寸、於Z方向具有p2尺寸之多數矩形微小折射面縱橫且稠密地一體形成之微複眼透鏡相同之光學功能。柱狀微複眼透鏡8,可將起因於微小折射面之面形狀誤差的畸變(distortion)變化抑制得較小,例如可將以蝕刻加工一體形成之多數微小折射面之製造誤差對照度分布之影響抑制得較小。
既定面5之位置係配置在變焦透鏡7之前側焦點位置附近,柱狀微複眼透鏡8之入射面則配置在變焦透鏡7之後側焦點位置附近。換言之,變焦透鏡7將既定面5與柱狀微複眼透鏡8之入射面配置成實質上傅立葉轉換之關係,進而將無焦點透鏡之光瞳面與柱狀微複眼透鏡8之入射面配置成光學上大致共軛。
因此,於柱狀微複眼透鏡8之入射面上,與無焦點透鏡之光瞳面同樣的,形成例如以光軸AX為中心於Z方向相距一間隔之2個圓形光強度分布、與以光軸AX為中心於X方向相距一間隔之2個圓形光強度分布所構成之4極狀照野。此4極狀照野之全體形狀,依存於變焦透鏡7之焦點距離而相似的變化。柱狀微複眼透鏡8中作為波面分割單位之矩形微小折射面,係與光罩M上待形成之照野形狀(及晶圓W上待形成之曝光區域之形狀)相似的矩形。
射入柱狀微複眼透鏡8之光束被二維分割,於其後側焦點面或其附近(及照明光瞳),形成具有以入射光束形成之照野大致相同光強度分布的二次光源、亦即由形成以光軸AX為中心於Z方向相距一間隔之2個圓形之實質的面光源、與以光軸AX為中心於X方向相距一間隔之2個圓形之實質的面光源所構成之4極狀二次光源(4極狀之照明光瞳亮度分布)。來自形成於柱狀微複眼透鏡8之後側焦點面或其附近之二次光源之光束,捨入配置在其附近之數值孔徑9。
數值孔徑9,具有與形成在柱狀微複眼透鏡8之後側焦點面或其附近之4極狀二次光源之對應的4極狀開口部(光透射部)。數值孔徑9,其構成為相對照明光路插拔自如,且能與具有大小及形狀相異之開口部的複數個數值孔徑切換。數值孔徑之切換方式,可使用例如周知之轉塔(turret)方式及滑板(slide)方式等。數值孔徑9配置在與後述投影光學系統PL之入射光瞳面光學上大致共軛之位置,用以規定有助於二次光源之照明的範圍。
以數值孔徑9限制之來自二次光源之光,透過聚光光學系統10重疊照明光罩遮簾11。如此,於作為照明視野光闌之光罩遮簾11,形成對應柱狀微複眼透鏡8之波面分割單位之矩形微小折射面之形狀與焦點距離的矩形照野。經由光罩遮簾11之矩形開口部(光透射部)之光束,在受到成像光學系統12之聚光作用後,重疊照明形成有既定圖案之光罩M。亦即,成像光學系統12將光罩遮簾11之矩形狀開口部之像形成在光罩M上。
透射過保持在光罩載台MS上之光罩M之光束,經由投影光學系統PL,在晶圓載台WS上所保持之晶圓(感光性基板)W上形成光罩圖案之像。如此,在與投影光學系統PL之光軸AX正交之平面(XY平面) 內一邊二維驅動控制晶圓載台WS及一邊二維驅動控制晶圓W、一邊進行一次曝光或掃描曝光,據以在晶圓W之各曝光區域依序曝光出光罩M之圖案。
圓錐旋轉三稜鏡系6,係由依序從光源側算起,將平面朝向光源側且將凹圓錐狀之折射面朝向光罩側之第1稜鏡構件6a、以及將平面朝向光罩側且將凸圓錐狀折射面朝向光源側之第2稜鏡構件6b所構成。第1稜鏡構件6a之凹圓錐狀折射面與第2稜鏡構件6b之凸圓錐狀折射面,係以能彼此抵接之方式形成為互補。又,第1稜鏡構件6a及第2稜鏡構件6b中至少一方之構件構成為可沿光軸AX移動,第1稜鏡構件6a之凹圓錐狀折射面與第2稜鏡構件6b之凸圓錐狀折射面間之間隔可變。以下,為便於理解,著眼於4極狀或環帶狀二次光源,說明圓錐旋轉三稜鏡系6之作用及變焦透鏡7之作用。
在第1稜鏡構件6a之凹圓錐狀折射面與第2稜鏡構件6b之凸圓錐狀折射面彼此抵接之狀態下,圓錐旋轉三稜鏡系6發揮平行平面板之功能,對形成之4極狀或環帶狀二次光源並無影響。然而,當使第1稜鏡構件6a之凹圓錐狀折射面與第2稜鏡構件6b之凸圓錐狀折射面分離時,會保持4極狀或環帶狀二次光源之寬度(與4極狀二次光源外接之圓之直徑(外徑)、與內接之圓之直徑(內徑)之差之1/2;環帶狀二次光源之外徑與內徑之差之1/2)為一定、4極狀或環帶狀二次光源之外徑(內徑)會變化。亦即,4極狀或環帶狀二次光源之環帶比(內徑/外徑)及大小(外徑)會變化。
變焦透鏡7,具有將4極狀或環帶狀二次光源之全體形狀以相似形狀(等方的)放大或縮小之功能。例如,藉由將變焦透鏡7之焦點距離 從最小值放大至既定值,據以將4極狀或環帶狀二次光源之全體形狀相似的加以放大。換言之,藉由變焦透鏡7之作用,可在4極狀或環帶狀二次光源之環帶比不變的情況下,變化其寬度及大小(外徑)。如以上所述,可藉由圓錐旋轉三稜鏡系6及變焦透鏡7之作用,控制4極狀或環帶狀二次光源之環帶比與大小(外徑)。
本實施形態中,作為空間光調變器33、34,係使用可使例如二維排列之複數個反射鏡元件33a、34a之面向分別連續變化之空間光調變器。此空間光調變器,可使用例如特表平10-503300號公報及與此對應之歐洲專利公開第779530號公報、特開2004-78136號公報及與此對應之美國專利第6,900,915號公報、特表2006-524349號公報及與此對應之美國專利第7,095,546號公報、以及特開2006-113437號公報所揭示之空間光調變器。此外,亦可控制為使二維排列之複數個反射鏡元件33a、34a之面向具有分散的複數個階段。
第1空間光調變器33,藉由根據來自控制部之控制訊號作動之驅動部33b之作用,分別變化複數個反射鏡元件33a之姿勢,將各反射鏡元件33a分別設定為既定面向。被第1空間光調變器33之複數個反射鏡元件33a分別以既定角度反射之s偏光之光,如圖4所示,於無焦點透鏡之光瞳面,形成例如以光軸AX為中心、於Z方向相距一間隔之2個圓形的光強度分布41a及41b。形成光強度分布41a及41b之光,如圖中兩方向箭頭所示具有沿X方向之偏光方向。
同樣的,第2空間光調變器34藉由根據來自控制部之控制訊號作動之驅動部34b之作用,分別變化複數個反射鏡元件34a之姿勢, 將各反射鏡元件34a分別設定為既定面向。被第2空間光調變器34之複數個反射鏡元件34a分別以既定角度反射之p偏光之光,如圖4所示,於無焦點透鏡之光瞳面,形成例如以光軸AX為中心於X方向相距一間隔之2個圓形的光強度分布41c及41d。形成光強度分布41c及41d之光,如圖中兩方向箭頭所示具有沿Z方向之偏光方向。當射入空間光調變單元3之光束之偏光狀態為圓偏光、或偏光方向係與X軸及Z軸成45度角度之直線偏光(以下,稱「45度直線偏光」)之情形時,4個光強度分布41a~41d之光強度彼此相等。
於無焦點透鏡之光瞳面形成4極狀之光強度分布41之光,於柱狀微複眼透鏡8之入射面、及柱狀微複眼透鏡8之後側焦點面或其附近之照明光瞳(配置數值孔徑9之位置),形成對應光強度分布41a~41d之4極狀光強度分布。亦即,無焦點透鏡、變焦透鏡7及柱狀微複眼透鏡8,係構成根據經由第1空間光調變器33及第2空間光調變器34之光束,於照明光學裝置(2~12)之照明光瞳形成既定光強度分布之分布形成光學系統。再者,在與數值孔徑9光學共軛之其他照明光瞳位置、亦即在成像光學系統12之光瞳位置及投影光學系統PL之光瞳位置,亦形成對應光強度分布41a~41d之4極狀光強度分布。
曝光裝置,為了高精度且忠實的將光罩M之圖案轉印至晶圓W,在依據圖案特性之適當的照明條件下進行曝光。本實施形態中,形成對應圖4所示之4極狀光強度分布41之4極狀照明光瞳亮度分布,通過此4極狀照明光瞳亮度分布之光束被設定為周方向偏光狀態。在周方向偏光狀態、且根據4極狀照明光瞳亮度分布之周方向偏光4極照明,成為照 射於最終被照射面之晶圓W之光,為以s偏光為主成分之偏光狀態。
此處,所謂s偏光,係指在與入射面垂直之方向具有偏光方向的直線偏光(在與入射面垂直之方向,電氣向量振動之偏光)。又,所謂入射面,係定義成光到達介質之交界面(被照射面:晶圓W之表面)時,包含在該點之交界面法線與光入射方向之面。其結果,當為周方向偏光4極照明時,投影光學系統之光學性能(焦深等)獲得提升,在晶圓(感光性基板)上獲得高對比之良好的光罩圖案。
本實施形態,由於係使用具備複數個反射鏡元件33a、34a之姿勢分別個別變化之一對空間光調變器33、34的空間光調變單元3,因此能隨意且迅速地變化因第1空間光調變器33之作用而形成於照明光瞳之s偏光狀態之第1光強度分布、與因第2空間光調變器34之作用而形成於照明光瞳之p偏光狀態之第2光強度分布所構成之照明光瞳亮度分布。換言之,本實施形態,可藉由分別變化偏光狀態彼此不同之第1光強度分布及第2光強度分布之形狀及大小,就照明光瞳亮度分布之形狀、大小及偏光狀態,實現具有多樣性之照明條件。
如以上所述,本實施形態中根據來自光源1之光來照明作為被照射面之光罩M的照明光學裝置(2~12),就照明光瞳亮度分布之形狀、大小及偏光狀態,實現具有多樣性之照明條件。又,本實施形態之曝光裝置(1~WS),可使用實現具有多樣性照明條件之照明光學裝置(2~12),依據光罩M之圖案特性在所實現之適當的照明條件下進行良好的曝光。
又,本實施形態,在空間光調變器33及34之基準狀態下,射入具有光分割器功能之偏光分離膜35之入射光束的進行方向、與從具有 光合成器之功能之偏光分離膜36射出之射出光束之進行方向,大致平行(含一致)。換言之,在空間光調變器33及34之基準狀態下,射入空間光調變單元3之入射光束及從空間光調變單元3射出之光束之進行方向,與照明光學裝置之光軸AX一致(或平行)。如以上所述,由於在空間光調變單元3之上流與下流光路成為同軸(或平行),因此可共用例如使用為形成照明光瞳亮度分布之繞射光學元件之習知照明光學裝置與光學系統。
又,本實施形態,第1空間光調變器33之複數個反射鏡元件33a係接近稜鏡構件31配置,第2空間光調變器34之複數個反射鏡元件34a則係接近稜鏡構件32配置。此場合,稜鏡構件31、32其發揮作為複數個反射鏡元件33a、34a之覆蓋構件的角色,可謀求空間光調變器33、34之耐久性的提升。
又,本實施形態中,亦可將空間光調變單元3設計成光對形成在稜鏡構件31與32間之偏光分離膜35的入射角θ(參照圖2)近似於布魯斯特角(Brewster's angle)。藉由此構成,可將p偏光在偏光分離膜35之反射率抑制得較小,而能提高偏光效率。又,偏光分離膜35、36不限制以電介質多層膜形成,亦可以是具有例如「具週期性光柵構造的偏光分離層」。作為此種「具週期性光柵構造的偏光分離層」,可使用將與第1方向平行之複數個金屬光柵,週期性排列於與第1方向正交之第2方向的線柵(wire grid)型偏光分離元件。關於此種技術,已揭示於例如特開2005-77819號公報及與此對應之美國專利第7,116,478號公報。
又,上述實施形態,係藉由一對稜鏡構件31及32、一對空間光調變器33及34構成空間光調變單元3。然而,不限定於此,空間光調 變單元3之具體的構成可以有各種形態。
又,上述實施形態,在空間光調變單元3與柱狀微複眼透鏡8間之光路中配置有無焦點透鏡、圓錐旋轉三稜鏡系6及變焦透鏡7。然而,並不限定於此,亦可取代此等光學構件配置例如具有傅立葉轉換透鏡之功能的聚光光學系統。
又,上述實施形態,係藉由在稜鏡構件32與氣體37之界面32a(作為第1偏向面)的全反射,使經由偏光分離膜35(具光分割器功能)之p偏光的光偏向第2空間光調變器34。同樣的,藉由在稜鏡構件32與氣體37之界面32b的全反射,將經由第2空間光調變器34之p偏光之光偏向具有光合成器功能之偏光分離膜36。然而,不限定於此,亦可於界面32a、32b設置反射膜。
又,上述說明中,係藉由第1空間光調變器33之作用形成Z方向2極狀之光強度分布41a、41b,藉由第2空間光調變器34之作用形成X方向2極狀之光強度分布41c、41d,據以形成4極狀之照明光瞳亮度分布。然而,如上所述,本實施形態中,照明光瞳亮度分布之形狀、大小及偏光狀態是可以有各種各樣的形態。以下,參照圖5,以示意方式顯示形成5極狀之照明光瞳亮度分布之例。
此例中,藉由第1空間光調變器33之作用,如圖5之左圖所示,於無焦點透鏡之光瞳面形成例如以光軸AX為中心於Z方向相距一間隔之2個圓形的光強度分布42a及42b、與以光軸AX為中心之圓形的光強度分布42c’。形成光強度分布42a、42b、42c’之光,如圖中兩方向箭頭所示,具有沿X方向之偏光方向。另一方面,藉由第2空間光調變器34之 作用,如圖5之中央圖所示,於無焦點透鏡之光瞳面形成例如以光軸AX為中心於X方向相距一間隔之2個圓形的光強度分布42d及42e,以及以光軸AX為中心之圓形的光強度分布42c"。形成光強度分布42d、42e、42c"之光,如圖中兩方向箭頭所示,具有沿Z方向之偏光方向。
其結果,於無焦點透鏡之光瞳面,如圖5之右圖所示,形成5極狀之光強度分布42a~42e。此處,以光軸AX為中心之圓形光強度分布42c係與光強度分布42c’、42c"重疊形成。在對經第1空間光調變器33到達無焦點透鏡光瞳面之s偏光之光、與經第2空間光調變器34到達無焦點透鏡光瞳面之p偏光之光之間,賦予光源1之時間同調(coherent)長以上之光路長差的情形,如圖中兩方向箭頭所示,具有沿Z方向之偏光方向的光束與具有沿X方向之偏光方向的光束通過光強度分布42c之區域。
相對於此,經第1空間光調變器33到達無焦點透鏡光瞳面之s偏光之光、與經第2空間光調變器34到達無焦點透鏡光瞳面之p偏光之光之間沒有光路長差的情形,通過光強度分布42c之區域之光束的偏光狀態與射入空間光調變單元3之入射光束之偏光狀態一致。當射入空間光調變單元3之光束之偏光狀態為圓偏光或45度直線偏光的情形,4個周邊之光強度分布42a、42b、42d、42e之光強度變得彼此相等,中央之光強度分布42c之光強度則為2倍。
又,亦可使通過例如1/2波長板之光射入具有光分割器功能之偏光分離膜35。使配置在較偏光分離膜35靠近光源側之1/2波長板以光軸為中心旋轉,即能控制以偏光分離膜35分離之s偏光之強度與p偏光之強度的比。亦即,能控制到達無焦點透鏡光瞳面之s偏光之光之強度、 與p偏光之光之強度的比。例如,亦可藉由控制1/2波長板之旋轉角以對偏光分離膜35成為s偏光、或控制1/2波長板之旋轉角以對偏光分離膜35成為p偏光,而僅使s偏光或p偏光之光到達無焦點透鏡之光瞳面。據此,即能將2極狀光強度分布(例如,圖4之光強度分布41a、41b)形成於無焦點透鏡之光瞳面。
此外,上述實施形態中,位於光分割面之偏光分離膜35具有光分割器之功能,設在與偏光分離膜35不同位置之光合成面的偏光分離膜36具有光合成器之功能。然而,並不限定於此,亦可例如圖6所示,作成光分割器與光合成器具有共通之偏光分束器51的變形例。又,圖6之變形例所示之空間光調變單元3A,沿光軸AX射入偏光分束器51之光中、被偏光分離膜51a反射之s偏光之光,經由1/4波長板52而成為圓偏光,射入第1空間光調變器53。
被第1空間光調變器53之複數個反射鏡元件反射之光,經由1/4波長板52而成為p偏光,回到偏光分束器51。經由第1空間光調變器53射入偏光分束器51之p偏光之光,透射過偏光分離膜51a而從偏光分束器51射出。在第1空間光調變器53之基準狀態下,沿光軸AX射入空間光調變單元3A而經由第1空間光調變器53之光,從空間光調變單元3A沿光軸AX射出。
另一方面,透射過偏光分束器51之偏光分離膜51a之p偏光之光,經由1/4波長板54成為圓偏光,射入第2空間光調變器55。被第2空間光調變器55之複數個反射鏡元件反射之光,經由1/4波長板54成為s偏光,回到偏光分束器51。經由第2空間光調變器55射入偏光分束 器51之s偏光之光,被偏光分離膜51a反射而從偏光分束器51射出。在第2空間光調變器55之基準狀態下,沿光軸AX射入空間光調變單元3A而經由第2空間光調變器55之光,從空間光調變單元3A沿光軸AX射出。
又,上述說明中,作為具有二維排列可個別控制之複數個光學元件的空間光調變器,係使用可個別控制二維排列之複數個反射面之面向(角度:傾斜)之空間光調變器。然而,並不限定於此,亦可使用可個別控制例如二維排列之複數個反射面之高度(位置)的空間光調變器。作為此種空間光調變器,可使用例如特開平6-281869號公報及與此對應之美國專利第5,312,513號公報、以及特表2004-520618號公報及與此對應之美國專利第6,885,493號公報之圖1d所揭示之空間光調變器。此等空間光調變器,可藉由形成二維高度分布,而對入射光賦予與繞射面相同之作用。又,亦可根據例如特表2006-513442號公報及與此對應之美國專利第6,891,655號公報、及特表2005-524112號公報及與此對應之美國專利公開第2005/0095749號公報之揭示,將具有上述二維排列之複數個反射面之空間光調變器加以變形。
又,上述說明中,雖係使用具有複數個反射鏡元件之反射型空間光調變器、但不限定於此,亦可使用例如美國專利第5,229,872號公報所揭示之穿透型空間光調變器。圖7中概略顯示了具有穿透型空間光調變器之變形例之空間光調變單元之構成。如圖7之變形例所示之空間光調變單元3B,沿光軸AX射入具有光分割器功能之偏光分束器61之光中、被偏光分離膜61a反射之s偏光之光,射入第1空間光調變器62。
穿透第1空間光調變器62之複數個光學元件(稜鏡元件等) 之光,被光路彎折反射鏡63偏向後,射入具有光合成器功能之偏光分束器64。經第1空間光調變器62而射入偏光分束器64之s偏光之光,被偏光分離膜64a反射而從偏光分束器64射出。在第1空間光調變器62之基準狀態下,沿光軸AX射入空間光調變單元3B之第1空間光調變器62的光,從空間光調變單元3B沿光軸AX射出。
穿透偏光分束器61之偏光分離膜61a之p偏光之光,射入第2空間光調變器65。穿透第2空間光調變器65之複數個光學元件之光,被光路彎折反射鏡66偏向後射入偏光分束器64。經由第2空間光調變器65射入偏光分束器64之p偏光之光,穿透偏光分離膜64a而從偏光分束器64射出。在第2空間光調變器65之基準狀態下,沿光軸AX射入空間光調變單元3B而經由第2空間光調變器65之光,從空間光調變單元3B沿光軸AX射出。
又,上述說明之構成,雖係將供應以直線偏光為主成分之偏光狀態之光源1之光,在一邊實質維持其偏光狀態下一邊導至空間光調變單元(3;3A;3B),但亦可例如圖8所示,作成於空間光調變單元3之光源1側之光路,設置使射出光之偏光狀態可變的偏光控制部13的變形例。圖8中具有與圖1相同功能之構件係賦予相同符號。
圖8之變形例所示之偏光控制部13,接收經由整形光學系統2及光路彎折反射鏡之來自光源1之光,對空間光調變單元3射出所欲偏光狀態之光。此偏光控制部13,具備:設置成可以例如光軸或與光軸平行之軸為中心旋轉之1/2波長板13a、與旋轉驅動此1/2波長板13a的旋轉驅動部13b。
透過旋轉驅動部13b旋轉調整1/2波長板13a,即能對例如空間光調變單元3,供應在XZ平面內相對X軸或Z軸具有45度方向之偏光方向(電場方向)的直線偏光。此時,被空間光調變單元3之偏光分離膜分離之s偏光之光(朝向第1空間光調變器33之光)與p偏光之光(朝向第2空間光調變器34之光)之光量大致相等。
此處,可藉由偏光控制部13內之1/2波長板13a之調整旋轉,將被空間光調變單元3之偏光分離膜分離之s偏光之光(朝向第1空間光調變器33之光)與p偏光之光(朝向第2空間光調變器34之光)間之光量比,設定為任意之光量比。例如在形成如圖4所示之4極狀光強度分布41a~41d之情形,可將以光軸AX為中心於Z方向相距一間隔之2個光強度分布41a、41b之光強度、與以光軸AX為中心於X方向相距一間隔之2個光強度分布41c、41d之光強度之比,設定為所欲光量比。
如圖8所示之變形例中,可一邊以光瞳偏光分布測量裝置14測量照明光瞳偏光分布、一邊根據此測量結果控制偏光控制部13。此時,可視需要控制空間光調變單元中之各空間光調變器。此光瞳偏光分布測量裝置14,係設在用以保持晶圓W之晶圓載台WS內、或與該晶圓載台WS另行設置之測量載台內,用以測定射入晶圓W之照明光(曝光用光)在光瞳內(開口內)之偏光狀態。關於偏光狀態測定部14之詳細構成及作用,已揭示於例如特開2005-5521號公報。
據此,即使在例如配置於照明光學系統內、或投影光學系統內之光路彎折反射鏡在每一偏光時有反射率差,亦能防止因此所造成之不良影響。又,圖8之變形例中,係藉由偏光控制部13調整對空間光調變單 元3之偏光方向,但使光源1本身或空間光調變單元3繞光軸旋轉亦能獲得同樣效果。此外,此偏光控制部13亦能適用於圖6及圖7所示之變形例。
又,上述實施形態及圖6~圖8之變形例中,光分割器及光合成器具有偏光分離膜(35、36;51a;61a、64a),但不限定於此,亦可是光分割器及光合成器具有將光束振幅分割之分離膜的構成。此場合,因第1空間光調變器之作用而形成於照明光瞳之第1光強度分布、與因第2空間光調變器之作用而形成於照明光瞳之第2光強度分布的偏光狀態雖相同,但藉由分別使第1光強度分布及第2光強度分布之形狀及大小變化,即能針對照明光瞳亮度分布之形狀及大小,實現多樣化之照明條件。
又,上述實施形態及圖6~圖8之變形例中,係使用偏光分離膜(35;51a;61a)將入射光束分割為2個光束,但不限定於此,亦可以是例如使用繞射光學元件將入射光束分割為2個光束之構成。圖9係概略顯示使用繞射光學元件作為光分割器之變形例之主要部位構成的圖。圖9之變形例中,圖1之實施形態之空間光調變單元3,具有以繞射光學元件71、聚光透鏡72、一對1/2波長板73A、73B及一對空間光調變單元74A、74B加以置換之構成。
圖9之變形例中,經由整形光學系統2來自光源1之光束沿光軸AX射入作為光分割器之繞射光學元件71。繞射光學元件71,例如在具有矩形剖面之平行光束沿光軸AX射入之場合,具有在遠場(或夫朗和斐(Fraunhofer)繞射區域)形成以光軸AX為中心於Z方向相距一間隔之2個矩形光強度分布的功能。換言之,繞射光學元件71具有將入射光束分割為2個光束之功能。
被繞射光學元件71分割為2個光束中之第1光束,透過具有傅立葉轉換透鏡之機能的聚光透鏡72,射入可繞第1光束之光路之光軸AXa或繞與光軸AXa平行之軸線旋轉之1/2波長板73A。通過1/2波長板73A之直線偏光狀態之光,在經過空間光調變單元74A後,經由無焦點透鏡之前側透鏡群4a到達無焦點透鏡之光瞳面4c。另一方面,被繞射光學元件71分割之2個光束中之第2光束,經由聚光透鏡72,射入可繞第2光束之光路之光軸AXb或與光軸AXb平行之軸線旋轉之1/2波長板73B。通過1/2波長板73B之直線偏光狀態之光,經過空間光調變單元74B後,經由無焦點透鏡之前側透鏡群4a到達光瞳面4c。無焦點透鏡之前側透鏡群4a,係用以將經由空間光調變單元74A中之空間光調變器之光束、與經由空間光調變單元74B中之空間光調變器之光束,在光瞳面4c加以重疊之光學系統,具有光合成器之機能。
以下,為簡化說明,係設配置在第1光束之光路中的空間光調變單元74A、與配置在第2光束之光路中的空間光調變單元74B具有彼此相同之構成。此外,於繞射光學元件71係射入具有沿Z方向及與X方向成45度方向之偏光方向的直線偏光狀態之平行光束,因1/2波長板73A之作用於空間光調變單元74A射入於X方向偏光之X方向直線偏光狀態(橫偏光狀態)之光,因1/2波長板73B之作用於空間光調變單元74B射入於Z方向偏光之Z方向直線偏光狀態(縱偏光狀態)之光。
以下,參照圖10及圖11,說明空間光調變單元74A之具體構成及作用。由於空間光調變單元74B與空間光調變單元74A基本上具有相同構成,因此省略針對空間光調變單元74B之具體構成及作用的重複說 明。空間光調變單元74A,如圖10所示,具備:以例如螢石般之光學材料形成之稜鏡23b、以及靠近稜鏡23b之與XY平面平行之側面23ba安裝之反射型空間光調變器23a。形成稜鏡23b之光學材料,不限定於螢石,可視光源1所供應之光之波長等,使用石英或其他光學材料。
稜鏡23b,具有將長方體之1個側面(與空間光調變器23a之安裝處之側面23ba對向之側面)以凹成V字狀之側面23bb及23bc加以置換所得之形態,因沿YZ平面之剖面形狀而亦稱為X稜鏡。稜鏡23b之凹成V字狀之側面23bb及23bc,係以交叉成鈍角之2個平面PN1及PN2規定。2個平面PN1及PN2皆與YZ平面正交,沿YZ平面呈V字狀。
與2個平面PN1、PN2之切線(X方向延直線)P3相接之2個側面23bb及23bc之內面,具有反射面R1及R2之功能。亦即,反射面R1位於平面PN1上、反射面R2位於平面PN2上,反射面R1與R2所夾之角度為鈍角。作為一例,可設反射面R1與R2所夾角度為120度、與光軸AXa垂直之稜鏡23b之入射面IP與反射面R1所夾角度為60度、與光軸AXa垂直之稜鏡23b之射出面OP與反射面R2所夾角度為60度。
稜鏡23b,其空間光調變器23a靠近安裝之側面23ba與光軸AXa為平行、且反射面R1位於光源1側(曝光裝置之上游側:圖10中左側)、反射面R2位於無焦點透鏡側(曝光裝置之下游側:圖10中右側)。進一步詳言之,反射面R1係相對光軸AXa斜設、反射面R2則係通過切線P3且在與XZ平面平行之面、與反射面R1對稱的相對光軸AXa斜設。稜鏡23b之側面23ba,如後述般,係與排列空間光調變器23a之複數個反射鏡元件SE之面對向之光學面。
稜鏡23b之反射面R1將經由入射面IP入射之光反射向空間光調變器23a。空間光調變器23a配置在反射面R1與反射面R2間之光路中,將經由反射面R1射入之光加以反射。稜鏡23b之反射面R2,將經由空間光調變器23a後射入之光加以反射,透過射出面OP導向無焦點透鏡之前側透鏡群4a。圖10中,為使說明易於理解,係將光路展開成在空間光調變單元74A之後側光軸AXa延伸為直線狀。又,圖10中顯示了將稜鏡23b以1個光學區塊形成為一體之例,但亦可使用複數個光學區塊來構成稜鏡23b。
空間光調變器23a,對經由反射面R1射入之光,賦予對應其入射位置之空間性調變後加以射出。空間光調變器23a,如圖11所示,具備二維排列之複數個微小反射鏡元件(光學元件)SE。為簡化說明及圖示,圖10及圖11中雖係顯示空間光調變器23a具備4×4=16個反射鏡元件SE之構成例,但實際上係具備遠多於16個之多數反射鏡元件SE。
參照圖10,沿著與光軸AXa平行之方向射入空間光調變單元23之光線群中,光線L1係射入複數個反射鏡元件SE中之反射鏡元件SEa、光線L2則射入與反射鏡元件Sea不同之反射鏡元件SEb。同樣的,光線L3射入與反射鏡元件SEa、SEb不同之反射鏡元件SEc、光線L4則射入與反射鏡元件SEa~Sec不同之反射鏡元件SEd。反射鏡元件SEa~SEd,將對應其位置之設定之空間性調變賦予光L1~L4。
空間光調變單元23,係構成為在空間光調變器23a之所有反射鏡元件SE之反射面被設定成與XY平面平行之基準狀態下,沿與光軸AXa平行之方向射入反射面R1之光線在經過空間光調變器23a後,被反射 面R2反射向與光軸AXa平行之方向。又,空間光調變單元23,係構成為從稜鏡23b之入射面IP經反射鏡元件SEa~SEd至射出面OP為止之空氣換算長、與從相對於稜鏡23b未配置在光路中時之入射面IP之位置至相對於射出面OP之位置為止之空氣換算長相等。此處,所謂空氣換算長,係指將光學系統中之光路長換算為在折射率1之空氣中之光路長者,折射率n之介質中之空氣換算長,係於該光路長乘以1/n者。
空間光調變器23a之複數個反射鏡元件SE所排列之面,係定位在聚光透鏡72之後側焦點位置或其附近,且定位在無焦點透鏡之前側焦點位置或其附近。因此,於空間光調變器23a係射入具有對應繞射光學元件71之特性之形狀(例如矩形狀)之剖面的光束。被空間光調變器23a之複數個反射鏡元件SEa~SEd反射而被賦予既定角度分布之光,於無焦點透鏡之光瞳面4c形成既定光強度分布SP1~SP4。亦即,無焦點透鏡之前側透鏡群4a,將空間光調變器23a之複數個反射鏡元件SEa~SEd對射出光所賦予之角度,轉換成在空間光調變器23a之遠視野區域(夫朗和斐繞射區域)之面4c上的位置。
參照圖1,在與無焦點透鏡之光瞳面4c(圖1中未圖示)光學共軛之位置或其附近,定位柱狀微複眼透鏡8之入射面。因此,柱狀微複眼透鏡8所形成之二次光源之光強度分布(亮度分布),成為根據空間光調變器23a及無焦點透鏡之前側透鏡群4a在光瞳面4c形成之光強度分布SP1~SP4之分布。空間光調變器23a,如圖11所示,係包含將平面形狀之反射面朝上面之狀態、沿1個平面規則的、且二維排列之多數微小反射元件之反射鏡元件SE的可動多反射鏡。
各反射鏡元件SE為可動,其反射面之傾斜、亦即反射面之傾斜角及傾斜方向,係藉由根據來自控制部(未圖示)之指令作動之驅動部23c(圖11中未圖示)之作用獨立的加以控制。各反射鏡元件SE,可以與其反射面平行之二方向、且彼此正交之二方向(X方向及Y方向)為旋轉軸,連續、或分散的旋轉所欲旋轉角度。亦即,對各反射鏡元件SE之反射面之傾斜可進行二維控制。
此外,使各反射鏡元件SE之反射面分散的旋轉之情形,最好是將旋轉角以複數個狀態(例如、...、-2.5度、-2.0度、...0度、+0.5度...+2.5度、...)進行切換控制。圖11中顯示了外形為正方形之反射鏡元件SE,但反射鏡元件SE之外形形狀不限定於正方形。不過,就光利用效率之觀點而言,可以是排列成使反射鏡元件SE之間隙較少之形狀(最密充填可能之形狀)。又,就光利用效率之觀點而言,亦可將相鄰2個反射鏡元件SE之間隔壓縮至所須最小限。
空間光調變器23a,藉由根據來自控制部之控制訊號作動之驅動部23c之作用,分別變化複數個反射鏡元件SE之姿勢,各反射鏡元件SE被分別設定為既定面向。被空間光調變器23a之複數個反射鏡元件SE分別以既定角度反射之光,透過無焦點透鏡及變焦透鏡7,在柱狀微複眼透鏡8之後側焦點位置或其附近之照明光瞳,形成複數極狀(4極狀、5極狀等)等之光強度分布(照明光瞳亮度分布)。此照明光瞳亮度分布,藉由變焦透鏡7之作用進行相似的(等方的)變化。
具體而言,被空間光調變單元74A中之空間光調變器23a之複數個反射鏡元件SE分別以既定角度反射之橫偏光之光,如圖4所示, 於無焦點透鏡之光瞳面4c,形成例如以光軸AX為中心於Z方向相距一間隔之2個圓形的光強度分布41a及41b。形成光強度分布41a及41b之光,如圖中兩方向箭頭所示,具有沿X方向之偏光方向。
同樣的,被空間光調變單元74B中之空間光調變器之複數個反射鏡元件分別以既定角度反射之縱偏光之光,如圖4所示,於無焦點透鏡之光瞳面4c,形成例如以光軸AX為中心於X方向相距一間隔之2個圓形之光強度分布41c及41d。形成光強度分布41c及41d之光,如圖中兩方向箭頭所示,具有沿Z方向之偏光方向。
於無焦點透鏡之光瞳面4c形成4極狀光強度分布41之光,於柱狀微複眼透鏡8之入射面、及柱狀微複眼透鏡8之後側焦點面或其附近之照明光瞳(配置了數值孔徑9之位置)形成對應光強度分布41a~41d之4極狀光強度分布。進一步的,在與數值孔徑9光學共軛之另一照明光瞳位置、亦即在成像光學系統12之光瞳位置及投影光學系統PL之光瞳位置,亦形成對應光強度分布41a~41d之4極狀光強度分布。
或者,藉由空間光調變單元74A之作用,如圖5之左圖所示,在無焦點透鏡之光瞳面4c形成例如以光軸AX為中心於Z方向相距一間隔之2個圓形之光強度分布42a及42b、以及以光軸AX為中心之圓形之光強度分布42c’。形成光強度分布42a、42b、42c’之光,如圖中兩方向箭頭所示具有沿X方向之偏光方向。另一方面,藉由空間光調變單元74B之作用,如圖5之中央圖所示,於無焦點透鏡之光瞳面4c形成例如以光軸AX為中心於X方向相距一間隔之2個圓形之光強度分布42d及42e、以及以光軸AX為中心之圓形之光強度分布42c"。形成光強度分布42d、42e、 42c"之光,如圖中兩方向箭頭所示,具有沿Z方向之偏光方向。
其結果,於無焦點透鏡之光瞳面4c,如圖5之右圖所示,形成5極狀之光強度分布42a~42e。此處,以光軸AX為中心之圓形之光強度分布42c,係光強度分布42c’與42c"相重疊形成。經空間光調變單元74A到達無焦點透鏡之光瞳面4c之橫偏光之光、與經空間光調變單元74B到達無焦點透鏡之光瞳面之縱偏光之光之間,被賦予了光源1之時間同調長以上之光路長差的情形,如圖中兩方向箭頭所示具有沿Z方向之偏光方向之光束與具有沿X方向之偏光方向之光束,通過光強度分布42c之區域。
如以上所述,圖9之變形例,可使由空間光調變單元74A中之空間光調變器之作用而於照明光瞳形成之橫偏光狀態之第1光強度分布、與藉由空間光調變單元74B中之空間光調變器之作用而於照明光瞳形成之縱偏光狀態之第2光強度分布所構成之照明光瞳亮度分布,自在且迅速的變化。換言之,於圖9之變形例中亦與圖1之實施形態同樣的,藉由分別變化偏光狀態彼此相異之第1光強度分布及第2光強度分布之形狀及大小,可針對照明光瞳亮度分布之形狀、大小及偏光狀態,實現富有多樣性之照明條件。
圖9之變形例中,由於係使用繞射光學元件71作為光分割器,因此具有可提升射入空間光調變單元74A、74B中之空間光調變器之光強度之均一性的優點。此外,即使射入繞射光學元件71之光束之位置變動,剛出繞射光學元件71後之光束之角度亦不會變化,因此具有射入空間光調變單元74A、74B中之空間光調變器之光束之位置不易變動的優點。
圖9之變形例中,在具有矩形剖面之光束射入繞射光學元件 71之場合,為謀求稜鏡23b之小型化、以及空間光調變單元74A及74B之小型化,可在矩形剖面之短邊方向分割入射光束。換言之,在以空間光調變單元74A、74B中之空間光調變器之有效區域之長手方向為法線之面內分割入射光束。一般而言,在射入繞射光學元件71之入射光束在剖面內沿與第1方正交之第2方向之大小,大於較沿第1方向之大小的剖面形狀之場合,藉由將入射光束分割於第1方向,能謀求空間光調變單元74A及74B之小型化。
又,圖9之變形例中,係使用繞射光學元件71將入射光束分割為2個光束。然而,不限定於此,亦可以是例如圖12所示,使用具有一對稜鏡構件76a與76b之稜鏡單元76來將入射光束分割為2個光束的構成。圖12之變形例具有與圖9之變形例類似之構成,僅有取代繞射光學元件71及聚光透鏡72配置稜鏡單元76之點,與圖9之變形例相異。圖12中,具有與圖9所示構成元件相同機能之元件,係賦予與圖9相同之參照符號。又,圖12所示變形例中,由於係使用具有一對稜鏡構件76a與76b之稜鏡單元76將入射光束分割為2個光束,因此能謀求裝置之小型化。
於圖12之變形例中發揮光分割器之機能的稜鏡單元76,係由從光源側(圖中左側)起,依序將平面朝向光源側並將凹狀且V字形之折射面朝向光罩側(圖中右側)之第1稜鏡構件76a、與將平面朝向光罩側並將凸狀且V字形之折射面朝向光源側之第2稜鏡構件76b所構成。第1稜鏡構件76a之凹狀折射面由2個平面構成,其交線(稜線)沿X方向延伸。第2稜鏡構件76b之凸狀折射面,則與第1稜鏡構件76a之凹狀折射面形成為相輔。亦即,第2稜鏡構件76b之凸狀折射面亦由2個平面構成,其交線(稜 線)延伸於X方向。圖12之變形例中,係以一對稜鏡構件76a與76b構成作為光分割器之稜鏡單元76,但亦可使用至少1個稜鏡來構成光分割器。進一步的,光分割器之具體構成可有各種形態。
又,圖9之變形例及圖12之變形例,於聚光透鏡72與空間光調變單元74A及74B間之光路中,分別設有1/2波長板73A及73B。然而,不限定於此,亦可在被繞射光學元件71或稜鏡單元76分割之2個光束中之第1光束之光路中的其他適當位置及第2光束之光路中之其他適當位置,分別設置1/2波長板73A及73B。
又,圖9之變形例及圖12之變形例中,於第1光束之光路中設有可繞既定軸線旋轉之1/2波長板73A,於第2光束之光路中設定可繞既定軸線旋轉之1/2波長板73B。然而,不限定於此,亦可在至少一方之光路中將1/2波長板設置成能繞既定軸線旋轉或固定設置,或在至少一方之光路中將1/2波長板以外之偏光子或方位旋轉子設廠成能繞既定軸線旋轉或固定設置。
又,將1/2波長板(一般為偏光子或方位旋轉子)構成為對光路裝拆自如,不需要時使其從光路退避,即能謀求增加1/2波長板之使用壽命。同樣的,將1/2波長板(一般為偏光子或方位旋轉子)構成能與相同光路長之玻璃基板更換,亦能謀求增加1/2波長板之使用壽命。
又,亦可在1/2波長板外另加上可繞既定軸線旋轉之1/4波長板,據以將橢圓偏光調整為所欲直線偏光。此外,亦可在1/2波長板之外、或取代1/2波長板使用消偏器(depolarizer,非偏光化元件)來獲得所欲非偏光狀態之光。此外,如以上所述,亦可例如於一方之光路中插入所 欲厚度之平行平面板,在第1光束與第2光束之間賦予時間同調長以上之光路長差,於照明光瞳將通過同一區域之光束予以非偏光化。再者,亦可藉由在第1光束與第2光束間賦予時間同調長以上之光路長差,將斑點(speckle)降低(1/2)程度。
實施形態及變形例中之照明光學裝置,由於係使用具備複數個反射鏡元件之姿勢可分別個別變化之一對空間光調變器的光學單元(空間光調變單元),因此可迅速且自如的變化由藉第1空間光調變器之作用形成於照明光瞳之第1偏光狀態之第1光強度分布、與藉第2空間光調變器之作用形成於照明光瞳之第2偏光狀態之第2光強度分布所構成之照明光瞳亮度分布。換言之,藉由分別變化偏光狀態彼此互異之第1光強度分布及第2光強度分布之形狀及大小,即能針對照明光瞳亮度分布之形狀、大小及偏光狀態,實現富有多樣化之照明條件。
如上所述,實施形態及變形例之照明光學裝置,能針對照明光瞳亮度分布之形狀、大小及偏光狀態,實現富有多樣化之照明條件。又,實施形態及變形例之曝光裝置,可使用實現具有多樣化照明條件之照明光學裝置,在因應光罩M之圖案特性實現之適當照明條件下進行良好之曝光,以及製造良好的元件。
上述實施形態及各變形例中,亦可於使用空間光調變單元形成照明光瞳亮度分布時,一邊以光瞳亮度分布測量裝置測量照明光瞳亮度分布、一邊視此測量結果控制空間光調變單元中之各空間光調變器。此種技術,已揭示於例如特開2006-54328號公報及特開2003-22967號公報及與此對應之美國專利公開第2003/0038225號公報。
又,於上述實施形態中,可適用將投影光學系統與感光性基板間之光路中以具有大於1.1之折射率之媒質(典型而言,例如液體)加以充滿之手法,亦即使用所謂之液浸法。此場合,作為將投影光學系統與感光性基板間之光路中充滿液體之手法,可採用如國際公開號WO99/49504號公報所揭示之於局部充滿液體之手法、如特開平6-124873號公報所揭示之將保持曝光對象基板之載台於液槽中移動之手法、以及在如特開平10-303114號公報所揭示之載台上形成既定深度之液體槽,於其中保持基板之手法等。
又,上述實施形態中,亦可取代光罩,而使用根據既定電子資料形成所欲圖案之可變圖案形成裝置。使用此種可變圖案形成裝置的話,即使圖案面為縱置,亦可使對同步精度之影響降至最低限。此外,作為可變圖案形成裝置,可使用例如包含根據既定電子資料驅動之複數個反射元件之DMD(電子、微反射鏡、元件)。使用DMD之曝光裝置,例如已揭示於特開2004-304135號公報、國際專利公開第2006/080285號小冊子、美國專利公開第2007/0296936號公報。又,除了DMD般之非發光型之反射型空間光調變器以外,亦可使用穿透型空間光調變器、或自發光型之影像顯示元件。此外,即使圖案面為橫置之場合,亦可使用可變圖案形成裝置。
本實施形態的曝光裝置,係藉由組裝各種次系統(含本案申請範圍中所列舉的各構成要素),以能保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度,於組裝前後,係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次 系統至曝光裝置之組裝製程,係包含機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然,從各種次系統至曝光裝置之組裝製程前,係有各次系統個別之組裝製程。當各種次系統至曝光裝置之組裝製程結束後,即進行綜合調整,以確保曝光裝置整體之各種精度。此外,曝光裝置之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之潔淨室進行。
接著,說明使用上述實施形態之曝光裝置的元件製造方法。圖13係顯示半導體元件之製程的流程圖。如圖13所示,半導體元件之製程,係在將成為半導體元件之基板的晶圓W蒸鍍金屬膜(步驟S40)、於此蒸鍍之金屬膜上塗布感光性材料之光阻(步驟S42)。接著,使用上述實施形態之投影曝光裝置將形成於光罩(標線片)M之圖案轉印至晶圓W上之各照射區域(步驟S44:曝光步驟),並進行結束此轉印之晶圓W之顯影、亦即進行圖案轉印後之光阻之顯影(步驟S46:顯影步驟)。之後,以步驟S46於晶圓W表面生成之光阻圖案為光罩,進行對晶圓W之表面的蝕刻等加工(步驟S48:加工步驟)。
此處,所謂光阻圖案,係指形成有對應以實施形態之投影曝光裝置轉印之圖案之形狀形成有凹凸的光阻層,該凹部貫通光阻層者。步驟S48,則透過此光阻圖案進行晶圓W之表面加工。以步驟S48進行之加工中,包含例如晶圓W之表面蝕刻或金屬膜等之成膜中之至少一方。又,步驟S44中,上述實施形態之投影曝光裝置,係以塗有光阻之晶圓W作為感光性基板、即板件P來進行圖案之轉印。
圖14係顯示液晶顯示元件等液晶元件之製程的流程圖。如圖14所示,液晶元件之製程,係依序進行圖案形成步驟(步驟S50)、彩色 濾光片形成步驟(步驟S52)、單元組裝步驟(步驟S54)及模組組裝步驟(步驟S56)。
步驟S50之圖案形成步驟,係於作為板件P之塗有光阻之玻璃基板上,使用上述實施形態之投影曝光裝置形成電路圖案及電極圖案等之既定圖案。此圖案形成步驟中,包含使用上述實施形態之投影曝光裝置將圖案轉印至光阻層的曝光步驟,圖案轉印後板件P之顯影、也就是進行玻璃基板上之光阻層之顯影以形成對應圖案之形狀之光阻層的顯影步驟,以及透過此顯影之光阻層對玻璃基板表面進行加工的加工步驟。
步驟S52之彩色濾光片形成步驟,係形成具有多數對應R(Red)、G(Green)、B(Blue)之3個點之組排列成矩陣狀、或將複數個R、G、B之3條濾光片之組排列於水平掃描線方向的彩色濾光片。
步驟S54之單元組裝步驟,係使用以步驟S50形成有既定圖案之玻璃基板、及以步驟S52所形成之彩色濾光片組裝液晶面板(液晶單元)。具體而言,在例如玻璃基板與彩色濾光片之間注入液晶以形成液晶面板。步驟S56之模組組裝步驟,則係對以步驟S54組裝之液晶面板安裝用以進行此液晶面板之顯示動作的電路及背光等各種零件。
又,本發明不限於半導體元件製造用之曝光裝置,亦能廣泛的適用於、例如用以製造形成為方型玻璃板之液晶顯示元件、或電漿顯示器等之顯示裝置用之曝光裝置,或用以製造攝影元件(CCD等)、微機器、薄膜磁頭及DNA晶片等各種元件之曝光裝置。再者,本發明亦能適用於使用微影製程製造形成有各種元件之光罩圖案的光罩(光罩、標線片等)時之曝光步驟(曝光裝置)。
又,上述實施形態中,作為曝光用光雖係使用ArF準分子雷射光(波長:193nm)或KrF準分子雷射光(波長:248nm),但不限定於此,本發明亦能適用於供應其他適刀之雷射光源、例如供應波長157nm之雷射光之F2雷射光源等。
又,上述實施形態,雖係將本發明適用於曝光裝置中用以照明光罩之照明光學裝置,但不限定於此,本發明亦能適用於照明光罩以外之被照射面的一般照明光學裝置。
以上說明之實施形態,係為易於理解本發明所作之記載,並非為限定本發明所作之記載。因此,上述實施形態所揭露之各元件,旨在包含屬於本發明技術範圍之所有設計變更及均等物。此外,上述實施形態之各構成元件等,可作成各種之組合等。
Claims (1)
- 一種光學單元,具備:光分割器,供將行進於入射光路之入射光束分割為複數條光束;第1空間光調變器,可配置在該複數條光束中之第1光束之光路;第2空間光調變器,可配置在該複數條光束中之第2光束之光路;以及光合成器,將經過該第1空間光調變器之光束與經過該第2空間光調變器之光束加以合成後,使其朝向射出光路;該第1空間光調變器及該第2空間光調變器中之至少一空間光調變器,具有二維排列、可個別控制之複數個光學元件;該光分割器側之該入射光路與該光合成器側之該射出光路,係延伸於相同方向。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US96099607P | 2007-10-24 | 2007-10-24 | |
US644608P | 2008-01-14 | 2008-01-14 | |
US12/245,021 US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2008-10-03 | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201812431A true TW201812431A (zh) | 2018-04-01 |
Family
ID=40278898
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103129668A TWI554843B (zh) | 2007-10-24 | 2008-10-23 | An optical unit, an illumination optical device, an exposure device, and an element manufacturing method |
TW097140577A TWI464539B (zh) | 2007-10-24 | 2008-10-23 | An optical unit, an illumination optical device, an exposure device, and an element manufacturing method |
TW107100208A TW201812431A (zh) | 2007-10-24 | 2008-10-23 | 光學單元 |
TW103129669A TWI569106B (zh) | 2007-10-24 | 2008-10-23 | Lighting optics, exposure devices, lighting methods and exposure methods |
TW101144123A TWI510868B (zh) | 2007-10-24 | 2008-10-23 | An optical unit, an illumination optical device, an exposure device, and an element manufacturing method |
TW105141664A TWI620036B (zh) | 2007-10-24 | 2008-10-23 | 照明光學裝置、曝光裝置、以及元件製造方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103129668A TWI554843B (zh) | 2007-10-24 | 2008-10-23 | An optical unit, an illumination optical device, an exposure device, and an element manufacturing method |
TW097140577A TWI464539B (zh) | 2007-10-24 | 2008-10-23 | An optical unit, an illumination optical device, an exposure device, and an element manufacturing method |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103129669A TWI569106B (zh) | 2007-10-24 | 2008-10-23 | Lighting optics, exposure devices, lighting methods and exposure methods |
TW101144123A TWI510868B (zh) | 2007-10-24 | 2008-10-23 | An optical unit, an illumination optical device, an exposure device, and an element manufacturing method |
TW105141664A TWI620036B (zh) | 2007-10-24 | 2008-10-23 | 照明光學裝置、曝光裝置、以及元件製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US8379187B2 (zh) |
EP (6) | EP2203778B1 (zh) |
JP (3) | JP5141491B2 (zh) |
KR (5) | KR101563756B1 (zh) |
CN (4) | CN101765799B (zh) |
HK (3) | HK1141591A1 (zh) |
SG (2) | SG10201708650WA (zh) |
TW (6) | TWI554843B (zh) |
WO (1) | WO2009054541A2 (zh) |
Families Citing this family (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3229077A1 (en) | 2003-04-09 | 2017-10-11 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and method for fabricating device |
TWI511179B (zh) * | 2003-10-28 | 2015-12-01 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
TWI519819B (zh) * | 2003-11-20 | 2016-02-01 | 尼康股份有限公司 | 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法 |
TWI395068B (zh) * | 2004-01-27 | 2013-05-01 | 尼康股份有限公司 | 光學系統、曝光裝置以及曝光方法 |
TWI389174B (zh) | 2004-02-06 | 2013-03-11 | 尼康股份有限公司 | 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法 |
TWI453795B (zh) * | 2005-01-21 | 2014-09-21 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
KR101546987B1 (ko) | 2007-10-16 | 2015-08-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR101562073B1 (ko) * | 2007-10-16 | 2015-10-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2009128293A1 (ja) * | 2008-04-14 | 2009-10-22 | 株式会社ニコン | 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
KR101695034B1 (ko) | 2008-05-28 | 2017-01-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 공간 광 변조기의 검사 장치, 조명 광학계, 노광 장치, 검사 방법, 조명 광학계의 조정 방법, 조명 방법, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
JP5353408B2 (ja) * | 2009-04-23 | 2013-11-27 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP2010272640A (ja) * | 2009-05-20 | 2010-12-02 | Nikon Corp | 照明装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP5403244B2 (ja) * | 2009-07-16 | 2014-01-29 | 株式会社ニコン | 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
US20110037962A1 (en) * | 2009-08-17 | 2011-02-17 | Nikon Corporation | Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP5327715B2 (ja) * | 2009-08-17 | 2013-10-30 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP5553635B2 (ja) * | 2009-10-23 | 2014-07-16 | キヤノン株式会社 | 補償光学装置、撮像装置および補償光学方法、撮像方法 |
JP2011108851A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Canon Inc | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP5598733B2 (ja) * | 2009-12-23 | 2014-10-01 | 株式会社ニコン | 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP5842615B2 (ja) * | 2010-02-03 | 2016-01-13 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、照明方法、並びに露光方法及び装置 |
KR20120116329A (ko) | 2010-02-20 | 2012-10-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 광원 최적화 방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 프로그램, 노광 장치, 리소그래피 시스템, 광원 평가 방법 및 광원 변조 방법 |
US20110205519A1 (en) * | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Nikon Corporation | Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
DE102010029905A1 (de) | 2010-06-10 | 2011-12-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102010030089A1 (de) * | 2010-06-15 | 2011-12-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Mikro-Lithografie sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik |
JP2012004465A (ja) | 2010-06-19 | 2012-01-05 | Nikon Corp | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
WO2012060083A1 (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-10 | 株式会社ニコン | 照明装置、露光装置、プログラムおよび照明方法 |
US10120283B2 (en) * | 2011-06-06 | 2018-11-06 | Nikon Corporation | Illumination method, illumination optical device, and exposure device |
WO2012169089A1 (ja) * | 2011-06-07 | 2012-12-13 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、デバイス製造方法、および偏光ユニット |
TWI661224B (zh) * | 2011-06-13 | 2019-06-01 | 日商尼康股份有限公司 | 照明光學系統、曝光裝置以及元件製造方法 |
WO2013013947A2 (en) | 2011-07-26 | 2013-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus, and microlithographic exposure method |
DE102011079837A1 (de) | 2011-07-26 | 2013-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren |
WO2013061858A1 (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-02 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
US9732934B2 (en) | 2011-10-28 | 2017-08-15 | Nikon Corporation | Illumination device for optimizing polarization in an illumination pupil |
WO2013108626A1 (ja) * | 2012-01-18 | 2013-07-25 | 株式会社ニコン | 構造化照明装置、構造化照明顕微鏡装置、構造化照明方法 |
US9201008B2 (en) * | 2012-06-26 | 2015-12-01 | Universite Laval | Method and system for obtaining an extended-depth-of-field volumetric image using laser scanning imaging |
WO2014077405A1 (ja) * | 2012-11-19 | 2014-05-22 | 株式会社ニコン | 照明光学系及び照明方法、並びに露光方法及び装置 |
DE102012223217B9 (de) * | 2012-12-14 | 2014-07-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
KR101934228B1 (ko) * | 2012-12-18 | 2018-12-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 처리 장치, 디바이스 제조 시스템 및 디바이스 제조 방법 |
DE102013214459B4 (de) | 2013-07-24 | 2015-07-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
EP2876499B1 (en) * | 2013-11-22 | 2017-05-24 | Carl Zeiss SMT GmbH | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
GB2522082B (en) | 2014-03-14 | 2016-02-24 | Oclaro Technology Ltd | Optical component |
NL2015160A (en) * | 2014-07-28 | 2016-07-07 | Asml Netherlands Bv | Illumination system, inspection apparatus including such an illumination system, inspection method and manufacturing method. |
DE102015202800A1 (de) * | 2015-02-17 | 2016-08-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Baugruppe eines optischen Systems, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
JP2018518702A (ja) * | 2015-05-13 | 2018-07-12 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影装置の照明系及びそのような系内の照射分布を調節する方法 |
WO2017011188A1 (en) * | 2015-07-13 | 2017-01-19 | Applied Materials, Inc. | Quarter wave light splitting |
KR102483322B1 (ko) | 2015-09-30 | 2022-12-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 편광 모듈 및 이를 포함하는 레이저 조사 장치 |
WO2017097532A1 (en) * | 2015-12-09 | 2017-06-15 | Asml Holding N.V. | A flexible illuminator |
JP6816099B2 (ja) * | 2016-02-26 | 2021-01-20 | ギガフォトン株式会社 | ビーム伝送システム、露光装置および露光装置の照明光学系 |
JP6662102B2 (ja) * | 2016-02-29 | 2020-03-11 | 富士ゼロックス株式会社 | 光学装置の製造方法、基板装置、光学装置及び光学装置の製造装置 |
DE102016204703B4 (de) | 2016-03-22 | 2022-08-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines optischen Musters aus Bildpunkten in einer Bildebene |
NL2019081A (en) * | 2016-06-30 | 2018-01-09 | Asml Holding Nv | Method and device for pupil illumination in overlay and critical dimension sensors |
JP6701136B2 (ja) * | 2017-07-28 | 2020-05-27 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、露光装置、及び、物品製造方法 |
TWI667183B (zh) * | 2017-08-03 | 2019-08-01 | 崴強科技股份有限公司 | 進紙狀態及紙張寬度的偵測方法 |
US20190129308A1 (en) * | 2017-11-02 | 2019-05-02 | Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd. | Digital masking system, pattern imaging apparatus and digital masking method |
EP3486706B1 (en) * | 2017-11-16 | 2024-05-08 | SD Optics, Inc. | Functional module and microscope equipped with the same |
CN109521652B (zh) * | 2018-12-11 | 2020-04-10 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种基于棱台分光的超分辨光刻装置 |
DE102019201280A1 (de) * | 2019-01-31 | 2020-08-06 | Trumpf Laser Gmbh | Anordnung und Verfahren zum Formen eines Laserstrahls |
JP7341670B2 (ja) * | 2019-02-15 | 2023-09-11 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像装置の制御方法、プログラム |
CN111856745B (zh) * | 2019-04-30 | 2023-03-17 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种光照射装置 |
TWI800063B (zh) * | 2021-10-29 | 2023-04-21 | 佳世達科技股份有限公司 | 光源模組 |
Family Cites Families (916)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3293882B2 (ja) | 1992-03-27 | 2002-06-17 | 株式会社東芝 | 投影露光装置 |
JPS444993Y1 (zh) | 1964-05-28 | 1969-02-24 | ||
FR2450470A1 (fr) | 1979-02-27 | 1980-09-26 | Thomson Csf | Systeme optique de projection en photorepetition |
JPS5857066B2 (ja) | 1979-06-29 | 1983-12-17 | 古河電気工業株式会社 | リニアモ−タ |
DE2963537D1 (en) | 1979-07-27 | 1982-10-07 | Tabarelli Werner W | Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57152129A (en) | 1981-03-13 | 1982-09-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Developing method of resist |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS5845502U (ja) | 1981-09-21 | 1983-03-26 | 株式会社津山金属製作所 | 広角反射器 |
JPS5849932A (ja) | 1981-09-21 | 1983-03-24 | Ushio Inc | 照度分布パタ−ンの調整器 |
JPS58115945A (ja) | 1981-12-29 | 1983-07-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | ハンドル部への電力伝送と信号送受方法 |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
DD206607A1 (de) | 1982-06-16 | 1984-02-01 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD242880A1 (de) | 1983-01-31 | 1987-02-11 | Kuch Karl Heinz | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS59226317A (ja) | 1983-06-06 | 1984-12-19 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 照明装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
JPS59155843A (ja) | 1984-01-27 | 1984-09-05 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS60229606A (ja) | 1984-04-27 | 1985-11-15 | 株式会社日立製作所 | ガス絶縁開閉装置 |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
JPS6145923A (ja) | 1984-08-10 | 1986-03-06 | Aronshiya:Kk | 反射式ロ−タリ−エンコ−ダ−用回転デイスクの製作方法 |
JPH0682598B2 (ja) | 1984-10-11 | 1994-10-19 | 日本電信電話株式会社 | 投影露光装置 |
JPS61217434A (ja) | 1985-03-20 | 1986-09-27 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 搬送用装置 |
JPS6194342U (zh) | 1984-11-27 | 1986-06-18 | ||
JPS61156736A (ja) | 1984-12-27 | 1986-07-16 | Canon Inc | 露光装置 |
JPS61196532A (ja) | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Canon Inc | 露光装置 |
JPS61251025A (ja) | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JPS61270049A (ja) | 1985-05-24 | 1986-11-29 | Toshiba Corp | テ−ブル装置 |
JPS622539A (ja) | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Canon Inc | 照明光学系 |
JPS622540A (ja) | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Canon Inc | ライトインテグレ−タとそれを含むケ−ラ−照明系 |
US4683420A (en) | 1985-07-10 | 1987-07-28 | Westinghouse Electric Corp. | Acousto-optic system for testing high speed circuits |
JPS6217705A (ja) | 1985-07-16 | 1987-01-26 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | テレセントリツク光学系用照明装置 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62100161A (ja) | 1985-10-23 | 1987-05-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 平面モ−タ |
JPS62120026A (ja) | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Fujitsu Ltd | X線露光装置 |
JPH07105323B2 (ja) | 1985-11-22 | 1995-11-13 | 株式会社日立製作所 | 露光方法 |
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS62153710A (ja) | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Furukawa Alum Co Ltd | ロ−タリエンコ−ダ用反射基板の製造方法 |
JPH0782981B2 (ja) | 1986-02-07 | 1995-09-06 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置 |
JPS62188316A (ja) | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JPS62203526A (ja) | 1986-02-28 | 1987-09-08 | トヨタ自動車株式会社 | 無線電力伝送装置 |
JP2506616B2 (ja) | 1986-07-02 | 1996-06-12 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びそれを用いた回路の製造方法 |
JPS6336526A (ja) | 1986-07-30 | 1988-02-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | ウエハ露光装置 |
JPH0695511B2 (ja) | 1986-09-17 | 1994-11-24 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 洗浄乾燥処理方法 |
JPS63128713A (ja) | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 走査型露光装置のデイスト−シヨン補正方法 |
JPS63131008A (ja) | 1986-11-20 | 1988-06-03 | Fujitsu Ltd | 光学的アライメント方法 |
JPS63141313A (ja) | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Hitachi Ltd | 薄板変形装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPS63160192A (ja) | 1986-12-23 | 1988-07-02 | 株式会社明電舎 | 高周波加熱装置の接続導体 |
JPS63231217A (ja) | 1987-03-19 | 1988-09-27 | Omron Tateisi Electronics Co | 移動量測定装置 |
JPH0718699B2 (ja) | 1987-05-08 | 1995-03-06 | 株式会社ニコン | 表面変位検出装置 |
JPS6426704A (en) | 1987-05-11 | 1989-01-30 | Jiei Shirinian Jiyon | Pocket structure of garment |
JPS63292005A (ja) | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Nikon Corp | 走り誤差補正をなした移動量検出装置 |
JPH07117371B2 (ja) | 1987-07-14 | 1995-12-18 | 株式会社ニコン | 測定装置 |
JPS6468926A (en) | 1987-09-09 | 1989-03-15 | Nikon Corp | Measurement of image distortion in projection optical system |
JPH0191419A (ja) | 1987-10-01 | 1989-04-11 | Canon Inc | 露光装置 |
JPH01115033A (ja) | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Hitachi Ltd | ガス放電表示装置 |
JPH01147516A (ja) | 1987-12-04 | 1989-06-09 | Canon Inc | ビーム位置制御装置 |
JPH01202833A (ja) | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Toshiba Corp | 高精度xyステージ装置 |
JPH0831513B2 (ja) | 1988-02-22 | 1996-03-27 | 株式会社ニコン | 基板の吸着装置 |
JPH0545102Y2 (zh) | 1988-02-24 | 1993-11-17 | ||
JPH01255404A (ja) | 1988-04-05 | 1989-10-12 | Toshiba Corp | 浮上用電磁石装置 |
JPH01258990A (ja) | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 熱転写シート |
JPH01278240A (ja) | 1988-04-28 | 1989-11-08 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置用無停電電源 |
JPH01276043A (ja) | 1988-04-28 | 1989-11-06 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 導波路型液体検知器 |
JPH01286478A (ja) | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Hitachi Ltd | ビーム均一化光学系おゆび製造法 |
JPH01292343A (ja) | 1988-05-19 | 1989-11-24 | Fujitsu Ltd | ペリクル |
JPH01314247A (ja) | 1988-06-13 | 1989-12-19 | Fuji Plant Kogyo Kk | プリント基板の自動露光装置 |
JPH0831514B2 (ja) | 1988-06-21 | 1996-03-27 | 株式会社ニコン | 基板の吸着装置 |
JPH0242382A (ja) | 1988-08-02 | 1990-02-13 | Canon Inc | 移動ステージ構造 |
JPH0265149A (ja) | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2729058B2 (ja) | 1988-08-31 | 1998-03-18 | 山形日本電気株式会社 | 半導体装置の露光装置 |
JPH0297239A (ja) | 1988-09-30 | 1990-04-09 | Canon Inc | 露光装置用電源装置 |
JP2682067B2 (ja) | 1988-10-17 | 1997-11-26 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
JP2697014B2 (ja) | 1988-10-26 | 1998-01-14 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
JPH0636054B2 (ja) | 1988-11-10 | 1994-05-11 | 株式会社東芝 | 燃料ペレット製造方法 |
JPH02139146A (ja) | 1988-11-15 | 1990-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 一段6自由度位置決めテーブル |
JP2940553B2 (ja) | 1988-12-21 | 1999-08-25 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JPH07104442B2 (ja) | 1989-04-06 | 1995-11-13 | 旭硝子株式会社 | フッ化マグネシウム膜及び低反射膜の製造方法 |
DE3907136A1 (de) | 1989-03-06 | 1990-09-13 | Jagenberg Ag | Vorrichtung zum verbinden von materialbahnen |
JPH02261073A (ja) | 1989-03-29 | 1990-10-23 | Sony Corp | 超音波モータ |
JPH02287308A (ja) | 1989-04-03 | 1990-11-27 | Mikhailovich Khodosovich Vladimir | 光学ユニットのマウント内のレンズの中心合わせの方法 |
JPH02285320A (ja) | 1989-04-27 | 1990-11-22 | Olympus Optical Co Ltd | 内視鏡の絞装置 |
JP2527807B2 (ja) | 1989-05-09 | 1996-08-28 | 住友大阪セメント株式会社 | 光学的連想識別装置 |
JPH02298431A (ja) | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 放電加工装置 |
JPH02311237A (ja) | 1989-05-25 | 1990-12-26 | Fuji Electric Co Ltd | 搬送装置 |
JPH0341399A (ja) | 1989-07-10 | 1991-02-21 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡の製造方法 |
JPH0364811A (ja) | 1989-07-31 | 1991-03-20 | Okazaki Seisakusho:Kk | 中空心線miケーブルと中空心線miケーブルの製造方法 |
JPH0372298A (ja) | 1989-08-14 | 1991-03-27 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡の製造方法 |
JPH0394445A (ja) | 1989-09-06 | 1991-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハ搬送システム |
JPH03132663A (ja) | 1989-10-18 | 1991-06-06 | Fujitsu Ltd | ペリクル |
JPH03134341A (ja) | 1989-10-20 | 1991-06-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | ダンパ機構、防振機構およびこのダンパ機構等を組み込む光ビーム走査装置 |
JP2784225B2 (ja) | 1989-11-28 | 1998-08-06 | 双葉電子工業株式会社 | 相対移動量測定装置 |
JP3067142B2 (ja) | 1989-11-28 | 2000-07-17 | 富士通株式会社 | ホトマスクの検査装置及びホトマスクの検査方法 |
JPH03211812A (ja) | 1990-01-17 | 1991-09-17 | Canon Inc | 露光装置 |
JPH03263810A (ja) | 1990-03-14 | 1991-11-25 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 半導体露光装置の振動制御方法 |
JPH0710897B2 (ja) | 1990-04-27 | 1995-02-08 | 日本油脂株式会社 | プラスチックレンズ |
JPH0432154A (ja) | 1990-05-25 | 1992-02-04 | Iwasaki Electric Co Ltd | メタルハライドランプ装置 |
US5153428A (en) | 1990-06-15 | 1992-10-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Confocal laser scanning microscope having relay lens and a slit for removing stray light |
JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
JP3077176B2 (ja) | 1990-08-13 | 2000-08-14 | 株式会社ニコン | 露光方法、装置、及び素子製造方法 |
JP2995820B2 (ja) | 1990-08-21 | 1999-12-27 | 株式会社ニコン | 露光方法及び方法,並びにデバイス製造方法 |
JP3049774B2 (ja) | 1990-12-27 | 2000-06-05 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法 |
JPH04130710A (ja) | 1990-09-21 | 1992-05-01 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JP2548834B2 (ja) | 1990-09-25 | 1996-10-30 | 三菱電機株式会社 | 電子ビーム寸法測定装置 |
JPH04133414A (ja) | 1990-09-26 | 1992-05-07 | Nec Yamaguchi Ltd | 縮小投影露光装置 |
JPH04152512A (ja) | 1990-10-16 | 1992-05-26 | Fujitsu Ltd | ウエハチャック |
DE4033556A1 (de) | 1990-10-22 | 1992-04-23 | Suess Kg Karl | Messanordnung fuer x,y,(phi)-koordinatentische |
JPH04179115A (ja) | 1990-11-08 | 1992-06-25 | Nec Kyushu Ltd | 縮小投影露光装置 |
JP3094439B2 (ja) | 1990-11-21 | 2000-10-03 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JPH0480052U (zh) | 1990-11-27 | 1992-07-13 | ||
JPH04235558A (ja) | 1991-01-11 | 1992-08-24 | Toshiba Corp | 露光装置 |
JPH04101148U (ja) | 1991-01-31 | 1992-09-01 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | シリアルデータ送信装置 |
JP3255168B2 (ja) | 1991-02-28 | 2002-02-12 | 株式会社ニコン | 露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法、及び露光装置 |
JP3084761B2 (ja) | 1991-02-28 | 2000-09-04 | 株式会社ニコン | 露光方法及びマスク |
JP3084760B2 (ja) | 1991-02-28 | 2000-09-04 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置 |
JP2860174B2 (ja) | 1991-03-05 | 1999-02-24 | 三菱電機株式会社 | 化学気相成長装置 |
JP3200894B2 (ja) | 1991-03-05 | 2001-08-20 | 株式会社日立製作所 | 露光方法及びその装置 |
JPH04280619A (ja) | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Canon Inc | ウエハ保持方法およびその保持装置 |
JPH04282539A (ja) | 1991-03-11 | 1992-10-07 | Hitachi Ltd | 反射・帯電防止膜の形成方法 |
JPH05259069A (ja) | 1991-03-13 | 1993-10-08 | Tokyo Electron Ltd | ウエハ周辺露光方法 |
JPH04211110A (ja) | 1991-03-20 | 1992-08-03 | Hitachi Ltd | 投影式露光方法 |
JPH04296092A (ja) | 1991-03-26 | 1992-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リフロー装置 |
JP2602345Y2 (ja) | 1991-03-29 | 2000-01-11 | 京セラ株式会社 | 静圧軸受装置 |
JPH05275306A (ja) * | 1991-03-29 | 1993-10-22 | Hoya Corp | 露光方法及び露光装置 |
US5251222A (en) | 1991-04-01 | 1993-10-05 | Teledyne Industries, Inc. | Active multi-stage cavity sensor |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JP3200874B2 (ja) | 1991-07-10 | 2001-08-20 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH04330961A (ja) | 1991-05-01 | 1992-11-18 | Matsushita Electron Corp | 現像処理装置 |
FR2676288B1 (fr) | 1991-05-07 | 1994-06-17 | Thomson Csf | Collecteur d'eclairage pour projecteur. |
JPH04343307A (ja) | 1991-05-20 | 1992-11-30 | Ricoh Co Ltd | レーザー調整装置 |
JP2884830B2 (ja) | 1991-05-28 | 1999-04-19 | キヤノン株式会社 | 自動焦点合せ装置 |
JPH0590128A (ja) | 1991-06-13 | 1993-04-09 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH0513292A (ja) | 1991-07-02 | 1993-01-22 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH0545886A (ja) | 1991-08-12 | 1993-02-26 | Nikon Corp | 角形基板の露光装置 |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JPH05100553A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-23 | Sharp Corp | 電子写真装置のスクリーン装置 |
JPH05109601A (ja) | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
JPH05129184A (ja) | 1991-10-30 | 1993-05-25 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JPH05127086A (ja) | 1991-11-01 | 1993-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光強度の均一化方法およびそれを用いた露光装置 |
JPH05141491A (ja) | 1991-11-19 | 1993-06-08 | Yoshinori Sugita | 常時噛合ギヤ式変速機 |
JP3203719B2 (ja) | 1991-12-26 | 2001-08-27 | 株式会社ニコン | 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法 |
JPH05199680A (ja) | 1992-01-17 | 1993-08-06 | Honda Motor Co Ltd | 電源装置 |
US5229872A (en) | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
JPH0794969B2 (ja) | 1992-01-29 | 1995-10-11 | 株式会社ソルテック | 位置合せ方法及びその装置 |
JP3194155B2 (ja) | 1992-01-31 | 2001-07-30 | キヤノン株式会社 | 半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置 |
JPH05217837A (ja) | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Toshiba Corp | Xy移動テーブル |
JP3153372B2 (ja) | 1992-02-26 | 2001-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JPH05241324A (ja) | 1992-02-26 | 1993-09-21 | Nikon Corp | フォトマスク及び露光方法 |
JPH05243364A (ja) | 1992-03-02 | 1993-09-21 | Hitachi Ltd | 半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体集積回路製造装置 |
JP3278896B2 (ja) | 1992-03-31 | 2002-04-30 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
US5312513A (en) | 1992-04-03 | 1994-05-17 | Texas Instruments Incorporated | Methods of forming multiple phase light modulators |
JPH05304072A (ja) | 1992-04-08 | 1993-11-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3242693B2 (ja) | 1992-05-15 | 2001-12-25 | 富士通株式会社 | ペリクル貼り付け装置 |
JP2673130B2 (ja) | 1992-05-20 | 1997-11-05 | 株式会社キトー | 走行用レールの吊下支持装置 |
JPH0629204A (ja) | 1992-07-08 | 1994-02-04 | Fujitsu Ltd | レジスト現像方法及び装置 |
JP3246615B2 (ja) | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
JPH06188169A (ja) | 1992-08-24 | 1994-07-08 | Canon Inc | 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法 |
JPH07318847A (ja) | 1994-05-26 | 1995-12-08 | Nikon Corp | 照明光学装置 |
JPH06104167A (ja) | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Hitachi Ltd | 露光装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2884947B2 (ja) | 1992-10-01 | 1999-04-19 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、露光方法および半導体集積回路の製造方法 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2724787B2 (ja) | 1992-10-09 | 1998-03-09 | キヤノン株式会社 | 位置決め装置 |
JPH06124872A (ja) | 1992-10-14 | 1994-05-06 | Canon Inc | 像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法 |
JP3322274B2 (ja) | 1992-10-29 | 2002-09-09 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び投影露光装置 |
JPH06148399A (ja) | 1992-11-05 | 1994-05-27 | Nikon Corp | X線用多層膜ミラーおよびx線顕微鏡 |
JPH06163350A (ja) | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Matsushita Electron Corp | 投影露光方法および装置 |
US5383000A (en) | 1992-11-24 | 1995-01-17 | General Signal Corporation | Partial coherence varier for microlithographic system |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JPH06177007A (ja) | 1992-12-01 | 1994-06-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 投影露光装置 |
JPH06181157A (ja) | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Nikon Corp | 低発塵性の装置 |
JPH06186025A (ja) | 1992-12-16 | 1994-07-08 | Yunisun:Kk | 三次元測定装置 |
JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
JP3201027B2 (ja) | 1992-12-22 | 2001-08-20 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
JPH06204121A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Canon Inc | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
JP2765422B2 (ja) | 1992-12-28 | 1998-06-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
JP2786070B2 (ja) | 1993-01-29 | 1998-08-13 | セントラル硝子株式会社 | 透明板状体の検査方法およびその装置 |
JPH07245258A (ja) | 1994-03-08 | 1995-09-19 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JPH06241720A (ja) | 1993-02-18 | 1994-09-02 | Sony Corp | 変位量の測定方法及び変位計 |
JPH06244082A (ja) | 1993-02-19 | 1994-09-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
JP3747958B2 (ja) | 1995-04-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
JP3291818B2 (ja) | 1993-03-16 | 2002-06-17 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法 |
JP3537843B2 (ja) | 1993-03-19 | 2004-06-14 | 株式会社テクノ菱和 | クリーンルーム用イオナイザー |
US5461410A (en) | 1993-03-29 | 1995-10-24 | Texas Instruments Incorporated | Gray scale printing using spatial light modulators |
JPH0777191B2 (ja) | 1993-04-06 | 1995-08-16 | 日本電気株式会社 | 露光光投射装置 |
US5815248A (en) * | 1993-04-22 | 1998-09-29 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and method having a wavefront splitter and an optical integrator |
JP3309871B2 (ja) | 1993-04-27 | 2002-07-29 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
JPH06326174A (ja) | 1993-05-12 | 1994-11-25 | Hitachi Ltd | ウェハ真空吸着装置 |
JP3265503B2 (ja) | 1993-06-11 | 2002-03-11 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
JP3844787B2 (ja) | 1993-09-02 | 2006-11-15 | 日産化学工業株式会社 | フッ化マグネシウム水和物ゾルとその製造法 |
JP3359123B2 (ja) | 1993-09-20 | 2002-12-24 | キヤノン株式会社 | 収差補正光学系 |
JP3099933B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2000-10-16 | 株式会社東芝 | 露光方法及び露光装置 |
JPH07122469A (ja) | 1993-10-20 | 1995-05-12 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3376045B2 (ja) | 1993-11-09 | 2003-02-10 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法 |
JPH07134955A (ja) | 1993-11-11 | 1995-05-23 | Hitachi Ltd | 表示装置およびその反射率調整方法 |
JP3339144B2 (ja) | 1993-11-11 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置及び露光方法 |
JP3278303B2 (ja) | 1993-11-12 | 2002-04-30 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法 |
JPH07147223A (ja) | 1993-11-26 | 1995-06-06 | Hitachi Ltd | パターン形成方法 |
EP1209508B1 (en) | 1993-12-01 | 2004-10-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display for 3D images |
JPH07161613A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH07167998A (ja) | 1993-12-15 | 1995-07-04 | Nikon Corp | レーザープラズマx線源用標的 |
JP3487517B2 (ja) | 1993-12-16 | 2004-01-19 | 株式会社リコー | 往復移動装置 |
JP3508190B2 (ja) | 1993-12-21 | 2004-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 照明装置及び投写型表示装置 |
JPH07183201A (ja) | 1993-12-21 | 1995-07-21 | Nec Corp | 露光装置および露光方法 |
JPH07190741A (ja) | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 測定誤差補正法 |
JPH07220989A (ja) | 1994-01-27 | 1995-08-18 | Canon Inc | 露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JP2715895B2 (ja) | 1994-01-31 | 1998-02-18 | 日本電気株式会社 | 光強度分布シミュレーション方法 |
JP3372633B2 (ja) | 1994-02-04 | 2003-02-04 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ方法及びそれを用いた位置合わせ装置 |
JP2836483B2 (ja) | 1994-05-13 | 1998-12-14 | 日本電気株式会社 | 照明光学装置 |
JPH07239212A (ja) | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Nikon Corp | 位置検出装置 |
JPH07243814A (ja) | 1994-03-03 | 1995-09-19 | Fujitsu Ltd | 線幅測定方法 |
JPH07263315A (ja) | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Toshiba Corp | 投影露光装置 |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
JPH07283119A (ja) | 1994-04-14 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | 露光装置および露光方法 |
JP3193567B2 (ja) | 1994-04-27 | 2001-07-30 | キヤノン株式会社 | 基板収容容器 |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH07335748A (ja) | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
EP0687956B2 (de) * | 1994-06-17 | 2005-11-23 | Carl Zeiss SMT AG | Beleuchtungseinrichtung |
JP3800616B2 (ja) | 1994-06-27 | 2006-07-26 | 株式会社ニコン | 目標物移動装置、位置決め装置及び可動ステージ装置 |
JP3205663B2 (ja) | 1994-06-29 | 2001-09-04 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子ビーム装置 |
JP3090577B2 (ja) | 1994-06-29 | 2000-09-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 導電体層除去方法およびシステム |
JPH0822948A (ja) | 1994-07-08 | 1996-01-23 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
JP3205468B2 (ja) | 1994-07-25 | 2001-09-04 | 株式会社日立製作所 | ウエハチャックを備えた処理装置および露光装置 |
JPH0846751A (ja) | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 照明光学系 |
JP3613288B2 (ja) | 1994-10-18 | 2005-01-26 | 株式会社ニコン | 露光装置用のクリーニング装置 |
JPH08136475A (ja) | 1994-11-14 | 1996-05-31 | Kawasaki Steel Corp | 板状材の表面観察装置 |
JPH08151220A (ja) | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Nippon Sekiei Glass Kk | 石英ガラスの成形方法 |
JPH08162397A (ja) | 1994-11-30 | 1996-06-21 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
JPH08171054A (ja) | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH08195375A (ja) | 1995-01-17 | 1996-07-30 | Sony Corp | 回転乾燥方法および回転乾燥装置 |
JPH08203803A (ja) | 1995-01-24 | 1996-08-09 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP3521544B2 (ja) | 1995-05-24 | 2004-04-19 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JP3312164B2 (ja) | 1995-04-07 | 2002-08-05 | 日本電信電話株式会社 | 真空吸着装置 |
JPH08297699A (ja) | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Hitachi Ltd | 製造不良解析支援システム、製造システム、および製造不良解析支援方法 |
JPH08313842A (ja) | 1995-05-15 | 1996-11-29 | Nikon Corp | 照明光学系および該光学系を備えた露光装置 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US5680588A (en) | 1995-06-06 | 1997-10-21 | International Business Machines Corporation | Method and system for optimizing illumination in an optical photolithography projection imaging system |
JP3531297B2 (ja) | 1995-06-19 | 2004-05-24 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP3561556B2 (ja) | 1995-06-29 | 2004-09-02 | 株式会社ルネサステクノロジ | マスクの製造方法 |
JP3637639B2 (ja) | 1995-07-10 | 2005-04-13 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JPH09108551A (ja) | 1995-08-11 | 1997-04-28 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 浄水器 |
JPH0961686A (ja) | 1995-08-23 | 1997-03-07 | Nikon Corp | プラスチックレンズ |
JPH0982626A (ja) | 1995-09-12 | 1997-03-28 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3487527B2 (ja) | 1995-09-14 | 2004-01-19 | 株式会社東芝 | 光屈折装置 |
US5815247A (en) | 1995-09-21 | 1998-09-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Avoidance of pattern shortening by using off axis illumination with dipole and polarizing apertures |
JPH0992593A (ja) | 1995-09-21 | 1997-04-04 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
DE19535392A1 (de) | 1995-09-23 | 1997-03-27 | Zeiss Carl Fa | Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit |
KR100505202B1 (ko) | 1995-09-27 | 2005-11-25 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 줌장치 |
JP3433403B2 (ja) | 1995-10-16 | 2003-08-04 | 三星電子株式会社 | ステッパのインタフェース装置 |
FR2740554A1 (fr) | 1995-10-31 | 1997-04-30 | Philips Electronique Lab | Systeme de controle de la phase de decharge des cycles de charge-decharge d'une batterie rechargeable, et dispositif hote muni d'une batterie intelligente |
JPH09134870A (ja) | 1995-11-10 | 1997-05-20 | Hitachi Ltd | パターン形成方法および形成装置 |
JPH09148406A (ja) | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板搬送装置 |
JPH09151658A (ja) | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Nichibei Co Ltd | 移動間仕切壁のランナ連結装置 |
JPH09160004A (ja) | 1995-12-01 | 1997-06-20 | Denso Corp | 液晶セル及びその空セル |
JP3406957B2 (ja) | 1995-12-06 | 2003-05-19 | キヤノン株式会社 | 光学素子及びそれを用いた露光装置 |
JPH09162106A (ja) | 1995-12-11 | 1997-06-20 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
JPH09178415A (ja) | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Nikon Corp | 光波干渉測定装置 |
JPH09184787A (ja) | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Olympus Optical Co Ltd | 光学レンズ用解析評価装置 |
JP3232473B2 (ja) | 1996-01-10 | 2001-11-26 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP3189661B2 (ja) | 1996-02-05 | 2001-07-16 | ウシオ電機株式会社 | 光源装置 |
JP3576685B2 (ja) | 1996-02-07 | 2004-10-13 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JPH09232213A (ja) | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH09227294A (ja) | 1996-02-26 | 1997-09-02 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 人工水晶の製造方法 |
JP3782151B2 (ja) | 1996-03-06 | 2006-06-07 | キヤノン株式会社 | エキシマレーザー発振装置のガス供給装置 |
JPH09243892A (ja) | 1996-03-06 | 1997-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学素子 |
JPH09281077A (ja) | 1996-04-16 | 1997-10-31 | Hitachi Ltd | キャピラリ−電気泳動装置 |
RU2084941C1 (ru) | 1996-05-06 | 1997-07-20 | Йелстаун Корпорейшн Н.В. | Адаптивный оптический модуль |
JP2691341B2 (ja) | 1996-05-27 | 1997-12-17 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH09326338A (ja) | 1996-06-04 | 1997-12-16 | Nikon Corp | 製造管理装置 |
JPH09325255A (ja) | 1996-06-06 | 1997-12-16 | Olympus Optical Co Ltd | 電子カメラ |
JPH103039A (ja) | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH102865A (ja) | 1996-06-18 | 1998-01-06 | Nikon Corp | レチクルの検査装置およびその検査方法 |
JPH1020195A (ja) | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH1032160A (ja) | 1996-07-17 | 1998-02-03 | Toshiba Corp | パターン露光方法及び露光装置 |
JP3646415B2 (ja) | 1996-07-18 | 2005-05-11 | ソニー株式会社 | マスク欠陥の検出方法 |
JPH1038517A (ja) | 1996-07-23 | 1998-02-13 | Canon Inc | 光学式変位測定装置 |
JP3646757B2 (ja) | 1996-08-22 | 2005-05-11 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置 |
JPH1079337A (ja) | 1996-09-04 | 1998-03-24 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH1055713A (ja) | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Ushio Inc | 紫外線照射装置 |
JPH1062305A (ja) | 1996-08-19 | 1998-03-06 | Advantest Corp | Ccdカメラの感度補正方法およびccdカメラ感度補正機能付lcdパネル表示試験システム |
JPH1082611A (ja) | 1996-09-10 | 1998-03-31 | Nikon Corp | 面位置検出装置 |
JPH1092735A (ja) | 1996-09-13 | 1998-04-10 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2914315B2 (ja) | 1996-09-20 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 走査型縮小投影露光装置及びディストーション測定方法 |
JPH10104427A (ja) | 1996-10-03 | 1998-04-24 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 波長板およびそれを備えた光ピックアップ装置 |
JPH10116760A (ja) | 1996-10-08 | 1998-05-06 | Nikon Corp | 露光装置及び基板保持装置 |
JPH10116778A (ja) | 1996-10-09 | 1998-05-06 | Canon Inc | スキャン露光装置 |
JPH10116779A (ja) | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Nikon Corp | ステージ装置 |
JP3955985B2 (ja) | 1996-10-16 | 2007-08-08 | 株式会社ニコン | マーク位置検出装置及び方法 |
KR100191329B1 (ko) | 1996-10-23 | 1999-06-15 | 윤종용 | 인터넷상에서의 원격교육방법 및 그 장치. |
JPH10135099A (ja) | 1996-10-25 | 1998-05-22 | Sony Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP3991166B2 (ja) | 1996-10-25 | 2007-10-17 | 株式会社ニコン | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
CN1244018C (zh) | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 曝光方法和曝光装置 |
JP3624065B2 (ja) | 1996-11-29 | 2005-02-23 | キヤノン株式会社 | 基板搬送装置、半導体製造装置および露光装置 |
JPH10169249A (ja) | 1996-12-12 | 1998-06-23 | Ohbayashi Corp | 免震構造 |
JPH10189700A (ja) | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Sony Corp | ウェーハ保持機構 |
JP2910716B2 (ja) | 1997-01-16 | 1999-06-23 | 日本電気株式会社 | 光強度計算のパラメトリック解析方法 |
JPH10206714A (ja) | 1997-01-20 | 1998-08-07 | Canon Inc | レンズ移動装置 |
JP2926325B2 (ja) | 1997-01-23 | 1999-07-28 | 株式会社ニコン | 走査露光方法 |
JPH10209018A (ja) | 1997-01-24 | 1998-08-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | X線マスクフレームおよびx線マスクの保持方法 |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JPH10294268A (ja) | 1997-04-16 | 1998-11-04 | Nikon Corp | 投影露光装置及び位置合わせ方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JPH118194A (ja) | 1997-04-25 | 1999-01-12 | Nikon Corp | 露光条件測定方法、投影光学系の評価方法及びリソグラフィシステム |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH113856A (ja) | 1997-06-11 | 1999-01-06 | Canon Inc | 投影露光方法及び投影露光装置 |
JPH113849A (ja) | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Sony Corp | 可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置 |
JP3233341B2 (ja) | 1997-06-12 | 2001-11-26 | 船井電機株式会社 | 製パン機およびこれに用いられる記録媒体 |
JPH1114876A (ja) | 1997-06-19 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 光学構造体、その光学構造体を組み込んだ投影露光用光学系及び投影露光装置 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
JPH1140657A (ja) | 1997-07-23 | 1999-02-12 | Nikon Corp | 試料保持装置および走査型露光装置 |
JP3264224B2 (ja) | 1997-08-04 | 2002-03-11 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
JP3413074B2 (ja) | 1997-08-29 | 2003-06-03 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JPH1187237A (ja) | 1997-09-10 | 1999-03-30 | Nikon Corp | アライメント装置 |
JP4164905B2 (ja) | 1997-09-25 | 2008-10-15 | 株式会社ニコン | 電磁力モータ、ステージ装置および露光装置 |
JP2000106340A (ja) | 1997-09-26 | 2000-04-11 | Nikon Corp | 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置 |
JPH11111819A (ja) | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd | ウェハーの固定方法及び露光装置 |
JPH11111818A (ja) | 1997-10-03 | 1999-04-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | ウェハ保持装置及びウェハ保持具 |
JPH11111601A (ja) | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
JPH11195602A (ja) | 1997-10-07 | 1999-07-21 | Nikon Corp | 投影露光方法及び装置 |
JP3097620B2 (ja) | 1997-10-09 | 2000-10-10 | 日本電気株式会社 | 走査型縮小投影露光装置 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JPH11142556A (ja) | 1997-11-13 | 1999-05-28 | Nikon Corp | ステージ制御方法、ステージ装置、及び該装置を備えた露光装置 |
JPH11150062A (ja) | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Nikon Corp | 除振装置及び露光装置並びに除振台の除振方法 |
JPH11283903A (ja) | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Nikon Corp | 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置 |
AU1175799A (en) | 1997-11-21 | 1999-06-15 | Nikon Corporation | Projection aligner and projection exposure method |
JPH11162831A (ja) | 1997-11-21 | 1999-06-18 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH11163103A (ja) | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
JPH11159571A (ja) | 1997-11-28 | 1999-06-15 | Nikon Corp | 機械装置、露光装置及び露光装置の運転方法 |
JPH11166990A (ja) | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置並びに走査型露光装置 |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3673633B2 (ja) | 1997-12-16 | 2005-07-20 | キヤノン株式会社 | 投影光学系の組立調整方法 |
WO1999031716A1 (fr) | 1997-12-16 | 1999-06-24 | Nikon Corporation | Aligneur, methode d'exposition et procede de fabrication de ce dispositif |
TW449672B (en) | 1997-12-25 | 2001-08-11 | Nippon Kogaku Kk | Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same |
JPH11204390A (ja) | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Canon Inc | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
JPH11219882A (ja) | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Nikon Corp | ステージ及び露光装置 |
JPH11288879A (ja) | 1998-02-04 | 1999-10-19 | Hitachi Ltd | 露光条件決定方法とその装置ならびに半導体装置の製造方法 |
JP3820728B2 (ja) | 1998-02-04 | 2006-09-13 | 東レ株式会社 | 基板の測定装置 |
JPH11233434A (ja) | 1998-02-17 | 1999-08-27 | Nikon Corp | 露光条件決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
JP4207240B2 (ja) | 1998-02-20 | 2009-01-14 | 株式会社ニコン | 露光装置用照度計、リソグラフィ・システム、照度計の較正方法およびマイクロデバイスの製造方法 |
JPH11239758A (ja) | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
SE9800665D0 (sv) * | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
JPH11260791A (ja) | 1998-03-10 | 1999-09-24 | Toshiba Mach Co Ltd | 半導体ウエハの乾燥方法および乾燥装置 |
JPH11260686A (ja) | 1998-03-11 | 1999-09-24 | Toshiba Corp | 露光方法 |
JPH11264756A (ja) | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Tokyo Electron Ltd | 液面検出器および液面検出方法、ならびに基板処理装置 |
AU2747899A (en) | 1998-03-20 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Photomask and projection exposure system |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
EP1083462A4 (en) | 1998-03-26 | 2003-12-03 | Nikon Corp | EXPOSURE METHOD AND SYSTEM, PHOTOMASK, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, MICROELEMENT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
JPH11307610A (ja) | 1998-04-22 | 1999-11-05 | Nikon Corp | 基板搬送装置及び露光装置 |
JPH11312631A (ja) | 1998-04-27 | 1999-11-09 | Nikon Corp | 照明光学装置および露光装置 |
JP4090115B2 (ja) | 1998-06-09 | 2008-05-28 | 信越ポリマー株式会社 | 基板収納容器 |
WO1999066370A1 (fr) | 1998-06-17 | 1999-12-23 | Nikon Corporation | Procede relatif a l'elaboration d'un masque |
JP2000012453A (ja) | 1998-06-18 | 2000-01-14 | Nikon Corp | 露光装置及びその使用方法、露光方法、並びにマスクの製造方法 |
JP2000021748A (ja) | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法および露光装置 |
JP2000021742A (ja) | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法および露光装置 |
DE19829612A1 (de) | 1998-07-02 | 2000-01-05 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem der Mikrolithographie mit Depolarisator |
JP2000032403A (ja) | 1998-07-14 | 2000-01-28 | Sony Corp | データ伝送方法、データ送信装置及び受信装置 |
JP2000029202A (ja) | 1998-07-15 | 2000-01-28 | Nikon Corp | マスクの製造方法 |
JP2000036449A (ja) | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
WO2000011706A1 (fr) | 1998-08-18 | 2000-03-02 | Nikon Corporation | Illuminateur et appareil d'exposition a la projection |
JP2000081320A (ja) | 1998-09-03 | 2000-03-21 | Canon Inc | 面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP2000092815A (ja) | 1998-09-10 | 2000-03-31 | Canon Inc | ステージ装置および該ステージ装置を用いた露光装置 |
JP4132397B2 (ja) | 1998-09-16 | 2008-08-13 | 積水化学工業株式会社 | 光硬化性樹脂組成物、液晶注入口封止剤及び液晶表示セル |
JP2000097616A (ja) | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 干渉計 |
JP4065923B2 (ja) | 1998-09-29 | 2008-03-26 | 株式会社ニコン | 照明装置及び該照明装置を備えた投影露光装置、該照明装置による投影露光方法、及び該投影露光装置の調整方法 |
JP2000121498A (ja) | 1998-10-15 | 2000-04-28 | Nikon Corp | 結像性能の評価方法及び装置 |
JP2000121491A (ja) | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Nikon Corp | 光学系の評価方法 |
US6466304B1 (en) | 1998-10-22 | 2002-10-15 | Asm Lithography B.V. | Illumination device for projection system and method for fabricating |
JP2001176766A (ja) | 1998-10-29 | 2001-06-29 | Nikon Corp | 照明装置及び投影露光装置 |
JP2000147346A (ja) | 1998-11-09 | 2000-05-26 | Toshiba Corp | モールドレンズの取付機構 |
JP2000180371A (ja) | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Sharp Corp | 異物検査装置および半導体工程装置 |
US6406148B1 (en) | 1998-12-31 | 2002-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Electronic color switching in field sequential video displays |
JP4146952B2 (ja) | 1999-01-11 | 2008-09-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2000208407A (ja) | 1999-01-19 | 2000-07-28 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH1198U (ja) | 1999-02-08 | 1999-07-21 | 株式会社ニコン | ペリクルフレ―ム |
JP2000243684A (ja) | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2000240717A (ja) | 1999-02-19 | 2000-09-05 | Canon Inc | 能動的除振装置 |
JP2000252201A (ja) | 1999-03-02 | 2000-09-14 | Nikon Corp | 面位置検出方法および装置、これらを用いた投影露光方法および装置、半導体デバイス製造方法 |
JP2000286176A (ja) | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Hitachi Ltd | 半導体基板処理装置における処理状況の表示方法及び半導体基板処理装置 |
JP2000283889A (ja) | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Nikon Corp | 投影光学系の検査装置及び検査方法、露光装置、並びに、マイクロデバイスの製造方法 |
WO2000067303A1 (fr) | 1999-04-28 | 2000-11-09 | Nikon Corporation | Procede et appareil d'exposition |
JP3839835B2 (ja) * | 1999-04-30 | 2006-11-01 | 株式会社ルネサステクノロジ | データ処理装置及びマイクロコンピュータ |
DE19921795A1 (de) | 1999-05-11 | 2000-11-23 | Zeiss Carl Fa | Projektions-Belichtungsanlage und Belichtungsverfahren der Mikrolithographie |
JP2000003874A (ja) | 1999-06-15 | 2000-01-07 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP2001007015A (ja) | 1999-06-25 | 2001-01-12 | Canon Inc | ステージ装置 |
WO2001003170A1 (fr) | 1999-06-30 | 2001-01-11 | Nikon Corporation | Procede et dispositif d'exposition |
JP2001020951A (ja) | 1999-07-07 | 2001-01-23 | Toto Ltd | 静圧気体軸受 |
JP2001023996A (ja) | 1999-07-08 | 2001-01-26 | Sony Corp | 半導体製造方法 |
DE10029938A1 (de) | 1999-07-09 | 2001-07-05 | Zeiss Carl | Optisches System für das Vakuum-Ultraviolett |
JP2001037201A (ja) | 1999-07-21 | 2001-02-09 | Nikon Corp | モータ装置、ステージ装置及び露光装置 |
JP2001044097A (ja) | 1999-07-26 | 2001-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置 |
US6280034B1 (en) * | 1999-07-30 | 2001-08-28 | Philips Electronics North America Corporation | Efficient two-panel projection system employing complementary illumination |
JP3110023B1 (ja) | 1999-09-02 | 2000-11-20 | 岩堀 雅行 | 燃料放出装置 |
JP4362857B2 (ja) | 1999-09-10 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | 光源装置及び露光装置 |
JP3779105B2 (ja) | 1999-09-16 | 2006-05-24 | 株式会社ジェイテクト | 磁気軸受の停電補償システム |
EP1137054B1 (en) | 1999-09-20 | 2006-03-15 | Nikon Corporation | Exposure system comprising a parallel link mechaniam and exposure method |
JP2001097734A (ja) | 1999-09-30 | 2001-04-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 石英ガラス製容器およびその製造方法 |
AU6005499A (en) | 1999-10-07 | 2001-04-23 | Nikon Corporation | Substrate, stage device, method of driving stage, exposure system and exposure method |
JP2001110707A (ja) | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Orc Mfg Co Ltd | 周辺露光装置の光学系 |
JP2001118773A (ja) | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2001135560A (ja) | 1999-11-04 | 2001-05-18 | Nikon Corp | 照明光学装置、該照明光学装置を備えた露光装置、および該露光装置を用いたマイクロデバイス製造方法 |
JP2001144004A (ja) | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Nikon Corp | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2001167996A (ja) | 1999-12-10 | 2001-06-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
EP1109067B1 (en) | 1999-12-13 | 2006-05-24 | ASML Netherlands B.V. | Illuminator |
JP2002118058A (ja) | 2000-01-13 | 2002-04-19 | Nikon Corp | 投影露光装置及び方法 |
JP2001203140A (ja) | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3413485B2 (ja) | 2000-01-31 | 2003-06-03 | 住友重機械工業株式会社 | リニアモータにおける推力リップル測定方法 |
JP2005233979A (ja) | 2000-02-09 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JP2001228404A (ja) | 2000-02-14 | 2001-08-24 | Nikon Engineering Co Ltd | 落射型顕微鏡、プローブカードの検査装置、および、プローブカードの製造方法 |
JP4018309B2 (ja) | 2000-02-14 | 2007-12-05 | 松下電器産業株式会社 | 回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置 |
JP2001228401A (ja) | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Canon Inc | 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法 |
US6533842B1 (en) | 2000-02-24 | 2003-03-18 | Merck & Co., Inc. | Adsorption powder for removing mercury from high temperature, high moisture gas streams |
JP2001313250A (ja) | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
JP2002100561A (ja) | 2000-07-19 | 2002-04-05 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2001242269A (ja) | 2000-03-01 | 2001-09-07 | Nikon Corp | ステージ装置及びステージ駆動方法並びに露光装置及び露光方法 |
DE10010131A1 (de) * | 2000-03-03 | 2001-09-06 | Zeiss Carl | Mikrolithographie - Projektionsbelichtung mit tangentialer Polarisartion |
US7301605B2 (en) | 2000-03-03 | 2007-11-27 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices |
JP2001265581A (ja) | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Canon Inc | ソフトウエアの不正使用防止システムおよび不正使用防止方法 |
JP2001267227A (ja) | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Canon Inc | 除振システム、露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2001272764A (ja) | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Canon Inc | 投影露光用フォトマスク、およびそれを用いた投影露光方法 |
JP2001338868A (ja) | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Nikon Corp | 照度計測装置及び露光装置 |
JP4689064B2 (ja) | 2000-03-30 | 2011-05-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2001282526A (ja) | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | ソフトウェア管理装置、方法、及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP2001296105A (ja) | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Nikon Corp | 面位置検出装置、並びに該検出装置を用いた露光装置および露光方法 |
JP2001297976A (ja) | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置 |
JP2001307983A (ja) | 2000-04-20 | 2001-11-02 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP3514439B2 (ja) | 2000-04-20 | 2004-03-31 | キヤノン株式会社 | 光学要素の支持構造、および該支持構造を用いて構成された露光装置と、該装置によるデバイス等の製造方法 |
JP2001304332A (ja) | 2000-04-24 | 2001-10-31 | Canon Inc | 能動制振装置 |
JP2003532281A (ja) | 2000-04-25 | 2003-10-28 | エーエスエムエル ユーエス,インコーポレイテッド | 照明偏光の制御を備えた光学縮小システム |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
AU2001257191A1 (en) | 2000-04-25 | 2001-11-07 | Silicon Valley Group Inc | Optical reduction system with elimination of reticle diffraction induced bias |
JP2002057097A (ja) | 2000-05-31 | 2002-02-22 | Nikon Corp | 露光装置、及びマイクロデバイス並びにその製造方法 |
JP2002016124A (ja) | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Sony Corp | ウェーハ搬送アーム機構 |
JP2002015978A (ja) | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2002043213A (ja) | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Nikon Corp | ステージ装置および露光装置 |
KR100775796B1 (ko) | 2000-08-18 | 2007-11-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학소자 유지장치 |
JP3645801B2 (ja) | 2000-08-24 | 2005-05-11 | ペンタックス株式会社 | ビーム列検出方法および検出用位相フィルター |
JP2002071513A (ja) | 2000-08-28 | 2002-03-08 | Nikon Corp | 液浸系顕微鏡対物レンズ用干渉計および液浸系顕微鏡対物レンズの評価方法 |
JP4504537B2 (ja) | 2000-08-29 | 2010-07-14 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | スピン処理装置 |
JP2002093686A (ja) | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2002093690A (ja) | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002091922A (ja) | 2000-09-20 | 2002-03-29 | Fujitsu General Ltd | アプリケーションソフトとコンテンツの配信管理方法と配信管理システム |
JP4245286B2 (ja) | 2000-10-23 | 2009-03-25 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置 |
JP2002141270A (ja) | 2000-11-01 | 2002-05-17 | Nikon Corp | 露光装置 |
US20020075467A1 (en) | 2000-12-20 | 2002-06-20 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method |
JP2002158157A (ja) | 2000-11-17 | 2002-05-31 | Nikon Corp | 照明光学装置および露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法 |
JP2002170495A (ja) | 2000-11-28 | 2002-06-14 | Akira Sekino | 隔壁一体型合成樹脂背面基板 |
JP2002231619A (ja) | 2000-11-29 | 2002-08-16 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
JP2002190438A (ja) | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2002198284A (ja) | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Nikon Corp | ステージ装置および露光装置 |
JP2002203763A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Nikon Corp | 光学特性計測方法及び装置、信号感度設定方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2002195912A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Nikon Corp | 光学特性計測方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2002202221A (ja) | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Nikon Corp | 位置検出方法、位置検出装置、光学特性測定方法、光学特性測定装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP3495992B2 (ja) | 2001-01-26 | 2004-02-09 | キヤノン株式会社 | 補正装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス |
US6563566B2 (en) | 2001-01-29 | 2003-05-13 | International Business Machines Corporation | System and method for printing semiconductor patterns using an optimized illumination and reticle |
JP2002227924A (ja) | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Canon Inc | 制震ダンパ及び制震ダンパを備えた露光装置 |
SE0100336L (sv) | 2001-02-05 | 2002-08-06 | Micronic Laser Systems Ab | Adresseringsmetod och apparat som använder densamma tekniskt område |
JP4345098B2 (ja) | 2001-02-06 | 2009-10-14 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US20020198765A1 (en) | 2001-02-22 | 2002-12-26 | Magrino Susan A. | Human capital management performance capability matching system and methods |
TWI285295B (en) | 2001-02-23 | 2007-08-11 | Asml Netherlands Bv | Illumination optimization in lithography |
DE10113612A1 (de) | 2001-02-23 | 2002-09-05 | Zeiss Carl | Teilobjektiv in einem Beleuchtungssystem |
JP2002258487A (ja) | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP4501292B2 (ja) | 2001-03-05 | 2010-07-14 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 被塗布基材及び塗布材の塗布方法並びに素子の製造方法 |
JP2002289505A (ja) | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Nikon Corp | 露光装置,露光装置の調整方法,マイクロデバイスの製造方法 |
JPWO2002080185A1 (ja) | 2001-03-28 | 2004-07-22 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2002365783A (ja) | 2001-04-05 | 2002-12-18 | Sony Corp | マスクパターンの作成装置、高解像度マスクの作製装置及び作製方法、並びにレジストパターン形成方法 |
JP2002305140A (ja) | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Nikon Corp | 露光装置及び基板処理システム |
WO2002084850A1 (fr) | 2001-04-09 | 2002-10-24 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Induit de moteur lineaire protege et moteur lineaire protege |
JP2002324743A (ja) | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP2002329651A (ja) | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Nikon Corp | 露光装置、露光装置の製造方法、及びマイクロデバイスの製造方法 |
DE10124566A1 (de) | 2001-05-15 | 2002-11-21 | Zeiss Carl | Optisches Abbildungssystem mit Polarisationsmitteln und Quarzkristallplatte hierfür |
DE10124803A1 (de) | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Zeiss Carl | Polarisator und Mikrolithographie-Projektionsanlage mit Polarisator |
JP2002353105A (ja) | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Nikon Corp | 照明光学装置,該照明光学装置を備えた露光装置,およびマイクロデバイスの製造方法 |
JP2002359174A (ja) | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | 露光工程管理システム、露光工程管理方法、および露光工程を管理するためのプログラム |
JP4622160B2 (ja) | 2001-05-31 | 2011-02-02 | 旭硝子株式会社 | 回折格子一体型旋光子および光ヘッド装置 |
EP1262836B1 (en) | 2001-06-01 | 2018-09-12 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7015491B2 (en) | 2001-06-01 | 2006-03-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system |
JP4689081B2 (ja) | 2001-06-06 | 2011-05-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置、調整方法、およびデバイス製造方法 |
JP3734432B2 (ja) | 2001-06-07 | 2006-01-11 | 三星電子株式会社 | マスク搬送装置、マスク搬送システム及びマスク搬送方法 |
JPWO2002101804A1 (ja) | 2001-06-11 | 2004-09-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに温度安定化流路装置 |
JP2002367523A (ja) | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルとプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
WO2002103766A1 (fr) | 2001-06-13 | 2002-12-27 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition au balayage, et procede de production d'un dispositif associe |
JP2002373849A (ja) | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Canon Inc | 露光装置 |
US6788385B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-09-07 | Nikon Corporation | Stage device, exposure apparatus and method |
JP2003017003A (ja) | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Canon Inc | ランプおよび光源装置 |
JP2003015040A (ja) | 2001-07-04 | 2003-01-15 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
JP2003028673A (ja) | 2001-07-10 | 2003-01-29 | Canon Inc | 光学式エンコーダ、半導体製造装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および半導体製造装置の保守方法 |
EP1280007B1 (en) | 2001-07-24 | 2008-06-18 | ASML Netherlands B.V. | Imaging apparatus |
TW529172B (en) * | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
JP2003045712A (ja) | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 防水コイル及びその製造方法 |
JP4522024B2 (ja) | 2001-07-27 | 2010-08-11 | キヤノン株式会社 | 水銀ランプ、照明装置及び露光装置 |
JP2003043223A (ja) | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Nikon Corp | 結晶材料で形成されたビームスプリッターおよび波長板、並びにこれらの結晶光学部品を備えた光学装置、露光装置並びに検査装置 |
JP2003059803A (ja) | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2003059286A (ja) | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2003068600A (ja) | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Canon Inc | 露光装置、および基板チャックの冷却方法 |
JP2003075703A (ja) | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Konica Corp | 光学ユニット及び光学装置 |
JP4183166B2 (ja) | 2001-08-31 | 2008-11-19 | 京セラ株式会社 | 位置決め装置用部材 |
JP2003081654A (ja) | 2001-09-06 | 2003-03-19 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 合成石英ガラスおよびその製造方法 |
WO2003023832A1 (fr) | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition, et procede de construction de dispositif associe |
SE0103006D0 (sv) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | Micronic Lasersystems Ab | Homogenization of a spatially coherent radiation beam and reading/writing of a pattern on a workpiece |
US6819490B2 (en) | 2001-09-10 | 2004-11-16 | Micronic Laser Systems Ab | Homogenization of a spatially coherent radiation beam and printing and inspection, respectively, of a pattern on a workpiece |
JP2003084445A (ja) | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Canon Inc | 走査型露光装置および露光方法 |
JP4160286B2 (ja) | 2001-09-21 | 2008-10-01 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | Lsiパターンの寸法測定箇所選定方法 |
JP3910032B2 (ja) | 2001-09-25 | 2007-04-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板現像装置 |
EP1694079B1 (en) | 2001-10-01 | 2008-07-23 | Sony Corporation | Polarization selecting prism for a projection device |
JP4082160B2 (ja) | 2001-10-01 | 2008-04-30 | ソニー株式会社 | プリズム及び投影装置 |
JP2003114387A (ja) | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Nikon Corp | 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置 |
JP4412450B2 (ja) | 2001-10-05 | 2010-02-10 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止フィルター |
JP2003124095A (ja) | 2001-10-11 | 2003-04-25 | Nikon Corp | 投影露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP3881865B2 (ja) * | 2001-10-19 | 2007-02-14 | 株式会社 液晶先端技術開発センター | 光学的な記録装置及び方法並びに露光装置及び方法 |
JP2003130132A (ja) | 2001-10-22 | 2003-05-08 | Nec Ameniplantex Ltd | 除振機構 |
US6577379B1 (en) | 2001-11-05 | 2003-06-10 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for shaping and/or orienting radiation irradiating a microlithographic substrate |
EP1446703A2 (en) * | 2001-11-07 | 2004-08-18 | Applied Materials, Inc. | Optical spot grid array printer |
JP4362999B2 (ja) | 2001-11-12 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP4307813B2 (ja) | 2001-11-14 | 2009-08-05 | 株式会社リコー | 光偏向方法並びに光偏向装置及びその光偏向装置の製造方法並びにその光偏向装置を具備する光情報処理装置及び画像形成装置及び画像投影表示装置及び光伝送装置 |
US6900915B2 (en) | 2001-11-14 | 2005-05-31 | Ricoh Company, Ltd. | Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror |
JP2003166856A (ja) | 2001-11-29 | 2003-06-13 | Fuji Electric Co Ltd | 光学式エンコーダ |
JP2003161882A (ja) | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置および露光方法 |
JP3809095B2 (ja) | 2001-11-29 | 2006-08-16 | ペンタックス株式会社 | 露光装置用光源システムおよび露光装置 |
JP3945569B2 (ja) | 2001-12-06 | 2007-07-18 | 東京応化工業株式会社 | 現像装置 |
JP2003249443A (ja) | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2003188087A (ja) | 2001-12-21 | 2003-07-04 | Sony Corp | 露光方法および露光装置並びに半導体装置の製造方法 |
US6577429B1 (en) | 2002-01-15 | 2003-06-10 | Eastman Kodak Company | Laser projection display system |
TW200302507A (en) | 2002-01-21 | 2003-08-01 | Nikon Corp | Stage device and exposure device |
JP3809381B2 (ja) | 2002-01-28 | 2006-08-16 | キヤノン株式会社 | リニアモータ、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2003229347A (ja) | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
JP2003233001A (ja) | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2003240906A (ja) | 2002-02-20 | 2003-08-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射防止体およびその製造方法 |
JP2003258071A (ja) | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Nikon Corp | 基板保持装置及び露光装置 |
JP4352458B2 (ja) | 2002-03-01 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 投影光学系の調整方法、予測方法、評価方法、調整方法、露光方法及び露光装置、露光装置の製造方法、プログラム並びにデバイス製造方法 |
TWI253105B (en) | 2002-03-01 | 2006-04-11 | Nikon Corp | Projection optical system adjustment method, prediction method, evaluation method, adjustment method, exposure method, exposure device, recording medium, and device manufacturing method |
JP2003263119A (ja) | 2002-03-07 | 2003-09-19 | Fuji Xerox Co Ltd | リブ付き電極およびその製造方法 |
JP3984841B2 (ja) | 2002-03-07 | 2007-10-03 | キヤノン株式会社 | 歪み計測装置、歪み抑制装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
JP3975787B2 (ja) | 2002-03-12 | 2007-09-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
JP4100011B2 (ja) | 2002-03-13 | 2008-06-11 | セイコーエプソン株式会社 | 表面処理装置、有機el装置の製造装置及び製造方法 |
JP4335495B2 (ja) | 2002-03-27 | 2009-09-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 定圧チャンバ、それを用いた照射装置及び回路パターンの検査装置 |
JP2003297727A (ja) | 2002-04-03 | 2003-10-17 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JPWO2003085708A1 (ja) | 2002-04-09 | 2005-08-18 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US6960035B2 (en) | 2002-04-10 | 2005-11-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser apparatus, exposure head, exposure apparatus, and optical fiber connection method |
JP2004006440A (ja) | 2002-04-10 | 2004-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザ装置、露光ヘッド、及び露光装置 |
IL164483A0 (en) | 2002-04-10 | 2005-12-18 | Fujinon Corp | Exposure head, exposure apparatus, and applicationthereof |
DE10310690A1 (de) | 2002-04-12 | 2003-10-30 | Heidelberger Druckmasch Ag | Bogenführungseinrichtung in einer bogenverarbeitenden Maschine |
US20050095749A1 (en) | 2002-04-29 | 2005-05-05 | Mathias Krellmann | Device for protecting a chip and method for operating a chip |
WO2003093167A1 (en) | 2002-04-29 | 2003-11-13 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung | Device for protecting a chip and method for operating a chip |
TW200307179A (en) | 2002-05-27 | 2003-12-01 | Nikon Corp | Lighting device, exposing device and exposing method |
JP4324957B2 (ja) * | 2002-05-27 | 2009-09-02 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP2004015187A (ja) | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 撮影補助システム、デジタルカメラ、及びサーバ |
JP4037179B2 (ja) | 2002-06-04 | 2008-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄方法、洗浄装置 |
JP2004014876A (ja) | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Nikon Corp | 調整方法、空間像計測方法及び像面計測方法、並びに露光装置 |
DE60319462T2 (de) | 2002-06-11 | 2009-03-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
JP2004022708A (ja) | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Nikon Corp | 結像光学系、照明光学系、露光装置及び露光方法 |
JP2004179172A (ja) | 2002-06-26 | 2004-06-24 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法 |
JP4012771B2 (ja) | 2002-06-28 | 2007-11-21 | 富士通エフ・アイ・ピー株式会社 | ライセンス管理方法、ライセンス管理システム、ライセンス管理プログラム |
JP2004039952A (ja) | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置の監視方法およびプラズマ処理装置 |
JP2004040039A (ja) | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Sony Corp | 露光方法の選択方法 |
JP2004045063A (ja) | 2002-07-09 | 2004-02-12 | Topcon Corp | 光学式ロータリーエンコーダ板の製造方法および光学式ロータリーエンコーダ板 |
JP2004063847A (ja) | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、及びステージ装置 |
JP2004071851A (ja) | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Canon Inc | 半導体露光方法及び露光装置 |
JP2004085612A (ja) | 2002-08-22 | 2004-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ハーフトーン位相シフトマスク、その製造方法およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP4095376B2 (ja) | 2002-08-28 | 2008-06-04 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 |
JP2004095653A (ja) | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP4214547B2 (ja) | 2002-08-29 | 2009-01-28 | 株式会社オーク製作所 | ビーム成形光学素子およびそれを備えたパターン描画装置 |
JP2004145269A (ja) | 2002-08-30 | 2004-05-20 | Nikon Corp | 投影光学系、反射屈折型投影光学系、走査型露光装置及び露光方法 |
EP1395049A1 (en) | 2002-09-02 | 2004-03-03 | Sony International (Europe) GmbH | Illumination unit for a projection system |
SE0202584D0 (sv) | 2002-09-02 | 2002-09-02 | Micronic Laser Systems Ab | A Method and device for coherence reduction |
US20050141583A1 (en) | 2002-09-02 | 2005-06-30 | Torbjorn Sandstrom | Method and device for coherence reduction |
JP2004103674A (ja) | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2004101362A (ja) | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Canon Inc | ステージ位置計測および位置決め装置 |
JP2004103858A (ja) | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Sony Corp | 露光装置 |
JP2004098012A (ja) | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Seiko Epson Corp | 薄膜形成方法、薄膜形成装置、光学素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体素子および電子機器 |
JP2004111579A (ja) | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP4269610B2 (ja) | 2002-09-17 | 2009-05-27 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光装置の製造方法 |
KR100480620B1 (ko) | 2002-09-19 | 2005-03-31 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법 |
JP2004119497A (ja) | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Huabang Electronic Co Ltd | 半導体製造設備と方法 |
JP4333866B2 (ja) | 2002-09-26 | 2009-09-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2005018013A (ja) | 2002-09-30 | 2005-01-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 照明光学系およびそれを用いた露光装置並びに露光方法 |
US6958867B2 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Illumination optical system, exposure device using the illumination optical system, and exposure method |
JP2004128307A (ja) | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Nikon Corp | 露光装置及びその調整方法 |
JP2004134682A (ja) | 2002-10-15 | 2004-04-30 | Nikon Corp | 気体シリンダ、ステージ装置及び露光装置 |
US6665119B1 (en) | 2002-10-15 | 2003-12-16 | Eastman Kodak Company | Wire grid polarizer |
JP2004140145A (ja) | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2004146702A (ja) | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Nikon Corp | 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2004153096A (ja) | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2004153064A (ja) | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2004152705A (ja) | 2002-11-01 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2004165249A (ja) | 2002-11-11 | 2004-06-10 | Sony Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP3953460B2 (ja) | 2002-11-12 | 2007-08-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ投影装置 |
JP2004163555A (ja) | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Olympus Corp | 落射顕微鏡及び落射顕微鏡用対物レンズ |
JP2004165416A (ja) | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Nikon Corp | 露光装置及び建屋 |
JP2004172471A (ja) | 2002-11-21 | 2004-06-17 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP4378938B2 (ja) | 2002-11-25 | 2009-12-09 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
US6844927B2 (en) | 2002-11-27 | 2005-01-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for removing optical abberations during an optical inspection |
TWI281099B (en) | 2002-12-02 | 2007-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TW200412617A (en) * | 2002-12-03 | 2004-07-16 | Nikon Corp | Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method |
JP4314555B2 (ja) | 2002-12-03 | 2009-08-19 | 株式会社ニコン | リニアモータ装置、ステージ装置、及び露光装置 |
SG2011031200A (en) | 2002-12-10 | 2014-09-26 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus and device manufacturing method |
KR20050085026A (ko) | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학 소자 및 그 광학 소자를 사용한 투영 노광 장치 |
WO2004053951A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
WO2004053957A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US20040108973A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-10 | Kiser David K. | Apparatus for generating a number of color light components |
KR101157002B1 (ko) | 2002-12-10 | 2012-06-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
SG157962A1 (en) | 2002-12-10 | 2010-01-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
JP4595320B2 (ja) | 2002-12-10 | 2010-12-08 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004301825A (ja) | 2002-12-10 | 2004-10-28 | Nikon Corp | 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
KR101101737B1 (ko) | 2002-12-10 | 2012-01-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
KR101037057B1 (ko) | 2002-12-10 | 2011-05-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR20050085236A (ko) | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP2004191660A (ja) | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光装置 |
JP2004193425A (ja) | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Nikon Corp | 移動制御方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2004198748A (ja) | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Nikon Corp | オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置および露光方法 |
US6738568B1 (en) | 2002-12-20 | 2004-05-18 | Eastman Kodak Company | Camera frame assembly having shutter that slides forward and back with zoom lens |
JP2004205698A (ja) | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置および露光方法 |
US6891655B2 (en) | 2003-01-02 | 2005-05-10 | Micronic Laser Systems Ab | High energy, low energy density, radiation-resistant optics used with micro-electromechanical devices |
JP2004221253A (ja) | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Nikon Corp | 露光装置 |
KR20050086953A (ko) | 2003-01-15 | 2005-08-30 | 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 | 결함 픽셀을 탐지하는 방법 |
JP2004228497A (ja) | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Nikon Corp | 露光装置及び電子デバイスの製造方法 |
JP2004224421A (ja) | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Tokyo Autom Mach Works Ltd | 製品供給装置 |
JP4280509B2 (ja) | 2003-01-31 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 投影露光用マスク、投影露光用マスクの製造方法、投影露光装置および投影露光方法 |
JP2004241666A (ja) | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Nikon Corp | 計測方法及び露光方法 |
JP2004007417A (ja) | 2003-02-10 | 2004-01-08 | Fujitsu Ltd | 情報提供システム |
JP4366948B2 (ja) | 2003-02-14 | 2009-11-18 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP2004259828A (ja) | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Nikon Corp | 半導体露光装置 |
JP2004259985A (ja) | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Sony Corp | レジストパターン形成装置およびその形成方法、および、当該方法を用いた半導体装置の製造方法 |
JP4604452B2 (ja) | 2003-02-26 | 2011-01-05 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
SG2012087615A (en) | 2003-02-26 | 2015-08-28 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
JP4305003B2 (ja) | 2003-02-27 | 2009-07-29 | 株式会社ニコン | Euv光学系及びeuv露光装置 |
JP2004260081A (ja) | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nikon Corp | 紫外域用反射ミラー装置及びそれを用いた投影露光装置 |
SE0300516D0 (sv) * | 2003-02-28 | 2003-02-28 | Micronic Laser Systems Ab | SLM direct writer |
JP4353179B2 (ja) | 2003-03-25 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2004294202A (ja) | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | 画面の欠陥検出方法及び装置 |
JP4265257B2 (ja) | 2003-03-28 | 2009-05-20 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、フィルム構造体 |
JP4496711B2 (ja) | 2003-03-31 | 2010-07-07 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
JP2004304135A (ja) | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP4341277B2 (ja) | 2003-04-07 | 2009-10-07 | 株式会社ニコン | 石英ガラスの成形方法 |
JP4374964B2 (ja) | 2003-09-26 | 2009-12-02 | 株式会社ニコン | 石英ガラスの成形方法及び成形装置 |
JP4288413B2 (ja) | 2003-04-07 | 2009-07-01 | 株式会社ニコン | 石英ガラスの成形方法及び成形装置 |
WO2004091079A1 (ja) | 2003-04-07 | 2004-10-21 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | キャンド・リニアモータ電機子およびキャンド・リニアモータ |
JP4465974B2 (ja) | 2003-04-07 | 2010-05-26 | 株式会社ニコン | 石英ガラスの成形装置 |
JP4281397B2 (ja) | 2003-04-07 | 2009-06-17 | 株式会社ニコン | 石英ガラスの成形装置 |
KR101176817B1 (ko) | 2003-04-07 | 2012-08-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
JP4428115B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-03-10 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィシステム |
JP2004319724A (ja) | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Ses Co Ltd | 半導体洗浄装置に於ける洗浄槽の構造 |
JPWO2004094940A1 (ja) | 2003-04-23 | 2006-07-13 | 株式会社ニコン | 干渉計システム、干渉計システムにおける信号処理方法、該信号処理方法を用いるステージ |
US7095546B2 (en) | 2003-04-24 | 2006-08-22 | Metconnex Canada Inc. | Micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays |
JP2004327660A (ja) | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Nikon Corp | 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
CA2522790C (en) | 2003-04-24 | 2013-12-03 | Metconnex Canada Inc. | A micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays |
JP2004335808A (ja) | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Sony Corp | パターン転写装置、パターン転写方法およびプログラム |
JP2004335864A (ja) | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP4487168B2 (ja) | 2003-05-09 | 2010-06-23 | 株式会社ニコン | ステージ装置及びその駆動方法、並びに露光装置 |
JP2004342987A (ja) | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Canon Inc | ステージ装置 |
TW200507055A (en) | 2003-05-21 | 2005-02-16 | Nikon Corp | Polarized cancellation element, illumination device, exposure device, and exposure method |
TWI612556B (zh) | 2003-05-23 | 2018-01-21 | Nikon Corp | 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法 |
TWI614794B (zh) | 2003-05-23 | 2018-02-11 | Nikon Corp | 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法 |
JP2004349645A (ja) | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Sony Corp | 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法 |
KR101915914B1 (ko) | 2003-05-28 | 2018-11-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
JP2004356410A (ja) | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
DE10324477A1 (de) | 2003-05-30 | 2004-12-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
JPWO2004109780A1 (ja) | 2003-06-04 | 2006-07-20 | 株式会社ニコン | ステージ装置、固定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法 |
JP2005005295A (ja) | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2005005395A (ja) | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Nikon Corp | ガス給排気方法及び装置、鏡筒、露光装置及び方法 |
JP2005005521A (ja) | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、および偏光状態測定装置 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
KR101674329B1 (ko) | 2003-06-19 | 2016-11-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
JP2005011990A (ja) | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Nikon Corp | 走査型投影露光装置、走査型投影露光装置の照度キャリブレーション方法及び露光方法 |
JP2005019628A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Nikon Corp | 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005026634A (ja) | 2003-07-04 | 2005-01-27 | Sony Corp | 露光装置および半導体装置の製造方法 |
KR101296501B1 (ko) | 2003-07-09 | 2013-08-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
EP2264532B1 (en) | 2003-07-09 | 2012-10-31 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
JP2005032909A (ja) | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 照明光学系およびそれを用いた露光装置 |
WO2005008754A1 (ja) | 2003-07-18 | 2005-01-27 | Nikon Corporation | フレア計測方法、露光方法、及びフレア計測用のマスク |
JP4492239B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP4492600B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2005051147A (ja) | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP2005055811A (ja) | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Olympus Corp | 光学部材、この光学部材を組み込む光学機器、及びその光学機器の組み立て方法 |
JP2005064210A (ja) | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Nikon Corp | 露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置 |
JP4262031B2 (ja) | 2003-08-19 | 2009-05-13 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
SG140603A1 (en) | 2003-08-29 | 2008-03-28 | Nikon Corp | Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4305095B2 (ja) | 2003-08-29 | 2009-07-29 | 株式会社ニコン | 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法 |
JP4593894B2 (ja) | 2003-09-01 | 2010-12-08 | キヤノン株式会社 | 光学式エンコーダ |
JP4218475B2 (ja) | 2003-09-11 | 2009-02-04 | 株式会社ニコン | 極端紫外線光学系及び露光装置 |
US7714983B2 (en) | 2003-09-12 | 2010-05-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for a microlithography projection exposure installation |
JP2005091023A (ja) | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Minolta Co Ltd | 光学式エンコーダおよびそれを備えた撮像装置 |
DE10343333A1 (de) | 2003-09-12 | 2005-04-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage |
JP2005093324A (ja) | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Toshiba Corp | 画像表示装置に用いるガラス基板、ガラス基板の製造方法、およびガラス基板の製造装置 |
JP2005093948A (ja) | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Nikon Corp | 露光装置及びその調整方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2005029559A1 (ja) | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3693060B2 (ja) | 2003-09-24 | 2005-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
TW200521477A (en) | 2003-09-25 | 2005-07-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Projector and projection method |
JP2005123586A (ja) | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 投影装置および投影方法 |
WO2005031292A1 (en) | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Tidal Photonics, Inc. | Apparatus and methods relating to enhanced spectral measurement systems |
JP4385702B2 (ja) | 2003-09-29 | 2009-12-16 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
JP4470433B2 (ja) | 2003-10-02 | 2010-06-02 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP4513299B2 (ja) | 2003-10-02 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2005114882A (ja) | 2003-10-06 | 2005-04-28 | Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd | 処理ステージの基板載置方法、基板露光ステージおよび基板露光装置 |
JP4335213B2 (ja) | 2003-10-08 | 2009-09-30 | 株式会社蔵王ニコン | 基板搬送装置、露光装置、デバイス製造方法 |
JP2005136364A (ja) | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Zao Nikon Co Ltd | 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2005116831A (ja) | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Nikon Corp | 投影露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
WO2005036619A1 (ja) | 2003-10-09 | 2005-04-21 | Nikon Corporation | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JPWO2005036620A1 (ja) | 2003-10-10 | 2006-12-28 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
EP1524558A1 (en) | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005127460A (ja) | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 免震除振床システム |
KR101121260B1 (ko) | 2003-10-28 | 2012-03-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스의 제조 방법 |
JP4195434B2 (ja) | 2003-10-31 | 2008-12-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2005140999A (ja) | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Nikon Corp | 光学系、光学系の調整方法、露光装置、および露光方法 |
TWI387855B (zh) | 2003-11-13 | 2013-03-01 | 尼康股份有限公司 | A variable slit device, a lighting device, an exposure device, an exposure method, and an element manufacturing method |
EP1688988A1 (en) | 2003-11-17 | 2006-08-09 | Nikon Corporation | Stage drive method, stage apparatus, and exposure apparatus |
JP4470095B2 (ja) | 2003-11-20 | 2010-06-02 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP4552428B2 (ja) | 2003-12-02 | 2010-09-29 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2005175176A (ja) | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Nikon Corp | 露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2005175177A (ja) | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Nikon Corp | 光学装置及び露光装置 |
DE602004030481D1 (de) | 2003-12-15 | 2011-01-20 | Nippon Kogaku Kk | Bühnensystem, belichtungsvorrichtung und belichtungsverfahren |
JP3102327U (ja) | 2003-12-17 | 2004-07-02 | 国統国際股▲ふん▼有限公司 | 可撓管の漏れ止め機構 |
JP4954444B2 (ja) | 2003-12-26 | 2012-06-13 | 株式会社ニコン | 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101748504B1 (ko) | 2004-01-05 | 2017-06-16 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
JP4586367B2 (ja) | 2004-01-14 | 2010-11-24 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置 |
JP4474927B2 (ja) | 2004-01-20 | 2010-06-09 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
JP2005209705A (ja) | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4319189B2 (ja) | 2004-01-26 | 2009-08-26 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7580559B2 (en) | 2004-01-29 | 2009-08-25 | Asml Holding N.V. | System and method for calibrating a spatial light modulator |
JP4506674B2 (ja) | 2004-02-03 | 2010-07-21 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4548341B2 (ja) | 2004-02-10 | 2010-09-22 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、メンテナンス方法及び露光方法 |
JP4370992B2 (ja) | 2004-02-18 | 2009-11-25 | 株式会社ニコン | 光学素子及び露光装置 |
WO2005081291A1 (ja) | 2004-02-19 | 2005-09-01 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP5076497B2 (ja) | 2004-02-20 | 2012-11-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、液体の供給方法及び回収方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP4693088B2 (ja) | 2004-02-20 | 2011-06-01 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
JP2005234359A (ja) | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Ricoh Co Ltd | 走査光学系光学特性測定装置、走査光学系光学特性測定装置校正方法、走査光学系及び画像形成装置 |
JP4333404B2 (ja) | 2004-02-25 | 2009-09-16 | 株式会社ニコン | 搬送装置、搬送方法、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP4864869B2 (ja) | 2004-02-26 | 2012-02-01 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置のための照明系 |
JP2005243904A (ja) | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置及び露光方法 |
JP2005243870A (ja) | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Pentax Corp | パターン描画装置 |
US6977718B1 (en) | 2004-03-02 | 2005-12-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Lithography method and system with adjustable reflector |
JP2005251549A (ja) | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Nikon Corp | マイクロスイッチ及びマイクロスイッチの駆動方法 |
JP2005257740A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
JP2005259789A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法 |
JP4778685B2 (ja) | 2004-03-10 | 2011-09-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体デバイスのパターン形状評価方法及びその装置 |
JP2005268700A (ja) | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2005276932A (ja) | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005309380A (ja) | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像露光装置 |
JP2005302825A (ja) | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Canon Inc | 露光装置 |
JP4474979B2 (ja) | 2004-04-15 | 2010-06-09 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置 |
KR101162938B1 (ko) | 2004-04-19 | 2012-07-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP2005311020A (ja) | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Nikon Corp | 露光方法及びデバイス製造方法 |
JP4569157B2 (ja) | 2004-04-27 | 2010-10-27 | 株式会社ニコン | 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置 |
JP2005340605A (ja) | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Nikon Corp | 露光装置およびその調整方法 |
JP5159027B2 (ja) | 2004-06-04 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 照明光学系及び露光装置 |
US7123348B2 (en) | 2004-06-08 | 2006-10-17 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and method utilizing dose control |
JP2006005197A (ja) | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Canon Inc | 露光装置 |
JP4419701B2 (ja) | 2004-06-21 | 2010-02-24 | 株式会社ニコン | 石英ガラスの成形装置 |
US7116403B2 (en) | 2004-06-28 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006017895A (ja) | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Integrated Solutions:Kk | 露光装置 |
JP4444743B2 (ja) | 2004-07-07 | 2010-03-31 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7283209B2 (en) | 2004-07-09 | 2007-10-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for microlithography |
JP2006024819A (ja) | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Renesas Technology Corp | 液浸露光装置、及び電子デバイスの製造方法 |
US7259827B2 (en) | 2004-07-14 | 2007-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Diffuser unit, lithographic apparatus, method for homogenizing a beam of radiation, a device manufacturing method and device manufactured thereby |
US20080012511A1 (en) | 2004-07-15 | 2008-01-17 | Nikon Corporation | Planar Motor Device, Stage Device, Exposure Device and Device Manufacturing Method |
JP2006032750A (ja) | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Canon Inc | 液浸型投影露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4411158B2 (ja) | 2004-07-29 | 2010-02-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP2006049758A (ja) | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Nikon Corp | 露光装置の制御方法、並びに、これを用いた露光方法及び装置 |
JP2006054328A (ja) | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP2006054364A (ja) | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Nikon Corp | 基板吸着装置、露光装置 |
JP4599936B2 (ja) | 2004-08-17 | 2010-12-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法 |
US8305553B2 (en) | 2004-08-18 | 2012-11-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
JP2006073584A (ja) | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Nikon Corp | 露光装置及び方法並びにデバイス製造方法 |
EP1796143B1 (en) | 2004-09-01 | 2011-11-23 | Nikon Corporation | Substrate holder, stage apparatus, and exposure apparatus |
JP4772306B2 (ja) | 2004-09-06 | 2011-09-14 | 株式会社東芝 | 液浸光学装置及び洗浄方法 |
JP2006080281A (ja) | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Nikon Corp | ステージ装置、ガスベアリング装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
KR20070048722A (ko) | 2004-09-10 | 2007-05-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치 및 노광 장치 |
US8130362B2 (en) | 2004-09-14 | 2012-03-06 | Nikon Corporation | Correction method and exposure apparatus |
JP2006086141A (ja) | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
WO2006030910A1 (ja) | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Nikon Corporation | 露光用基板、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2006086442A (ja) | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
US7004214B1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-02-28 | Adam Awad | Hydraulic system line bleeding tool |
WO2006035775A1 (ja) | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | 空間光変調装置、光学処理装置、カップリングプリズム、及び、カップリングプリズムの使用方法 |
JP2006100363A (ja) | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Canon Inc | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法。 |
JP4747545B2 (ja) | 2004-09-30 | 2011-08-17 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
US7177012B2 (en) | 2004-10-18 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4335114B2 (ja) | 2004-10-18 | 2009-09-30 | 日本碍子株式会社 | マイクロミラーデバイス |
GB2419208A (en) | 2004-10-18 | 2006-04-19 | Qinetiq Ltd | Optical correlation employing an optical bit delay |
JP2006120985A (ja) | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
JP2006128192A (ja) | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Nikon Corp | 保持装置、鏡筒、及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US8330939B2 (en) | 2004-11-01 | 2012-12-11 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with a liquid recovery port provided on at least one of a first stage and second stage |
JP4517354B2 (ja) | 2004-11-08 | 2010-08-04 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
TW200636816A (en) | 2004-11-11 | 2006-10-16 | Nikon Corp | Exposure method, device manufacturing method and substrate |
JP2006140366A (ja) | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Nikon Corp | 投影光学系及び露光装置 |
US7333177B2 (en) | 2004-11-30 | 2008-02-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101411123B1 (ko) | 2004-12-15 | 2014-06-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 유지 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
JP2005150759A (ja) | 2004-12-15 | 2005-06-09 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
JP2006170811A (ja) | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、euv露光装置、及び軟x線光学機器 |
JP2006170899A (ja) | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Sendai Nikon:Kk | 光電式エンコーダ |
JP2006177865A (ja) | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Ntn Corp | 磁気エンコーダおよびそれを備えた車輪用軸受装置 |
WO2006068233A1 (ja) | 2004-12-24 | 2006-06-29 | Nikon Corporation | 磁気案内装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
US20060138349A1 (en) | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4402582B2 (ja) | 2004-12-27 | 2010-01-20 | 大日本印刷株式会社 | 大型フォトマスク用ケース及びケース交換装置 |
JP4632793B2 (ja) | 2005-01-12 | 2011-02-16 | 京セラ株式会社 | ナビゲーション機能付き携帯型端末機 |
TWI453795B (zh) | 2005-01-21 | 2014-09-21 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
WO2006077958A1 (ja) | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Nikon Corporation | リニアモータ、ステージ装置、及び露光装置 |
EP1843204A1 (en) | 2005-01-25 | 2007-10-10 | Nikon Corporation | Exposure device, exposure method, and micro device manufacturing method |
JP2006208432A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光方法および装置 |
KR100664325B1 (ko) | 2005-02-04 | 2007-01-04 | 삼성전자주식회사 | 광 터널 및 이를 포함하는 프로젝션 장치 |
JP2006216917A (ja) | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Canon Inc | 照明光学系、露光装置およびデバイス製造方法 |
WO2006085626A1 (ja) | 2005-02-14 | 2006-08-17 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2006085524A1 (ja) | 2005-02-14 | 2006-08-17 | Nikon Corporation | 露光装置 |
JP4650619B2 (ja) | 2005-03-09 | 2011-03-16 | 株式会社ニコン | 駆動ユニット、光学ユニット、光学装置、並びに露光装置 |
JP2006253572A (ja) | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
EP1866700A1 (en) | 2005-03-15 | 2007-12-19 | Carl Zeiss SMT AG | Projection exposure method and projection exposure system therefor |
DE602006012111D1 (de) | 2005-03-18 | 2010-03-25 | Univ Danmarks Tekniske | Optisches manipulationssystem mit mehreren optischen fallen |
JP5125503B2 (ja) | 2005-03-23 | 2013-01-23 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
JP4561425B2 (ja) | 2005-03-24 | 2010-10-13 | ソニー株式会社 | ホログラム記録再生装置およびホログラム記録再生方法 |
JP4858744B2 (ja) | 2005-03-24 | 2012-01-18 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
US7548302B2 (en) | 2005-03-29 | 2009-06-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7317506B2 (en) | 2005-03-29 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Variable illumination source |
JP2006278820A (ja) | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
JP4493538B2 (ja) | 2005-03-31 | 2010-06-30 | 富士通株式会社 | 波長選択スイッチ |
JP4546315B2 (ja) | 2005-04-07 | 2010-09-15 | 株式会社神戸製鋼所 | 微細加工用型の製造方法 |
KR20080005362A (ko) | 2005-04-27 | 2008-01-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 디바이스 제조 방법 및 막의 평가방법 |
US7400382B2 (en) | 2005-04-28 | 2008-07-15 | Asml Holding N.V. | Light patterning device using tilting mirrors in a superpixel form |
US7724379B2 (en) | 2005-05-12 | 2010-05-25 | Technodream21, Inc. | 3-Dimensional shape measuring method and device thereof |
JP4771753B2 (ja) | 2005-06-08 | 2011-09-14 | 新光電気工業株式会社 | 面光源制御装置および面光源制御方法 |
JP2006351586A (ja) | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Nikon Corp | 照明装置、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP4710427B2 (ja) | 2005-06-15 | 2011-06-29 | 株式会社ニコン | 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法 |
KR101302244B1 (ko) | 2005-07-01 | 2013-09-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 및 시스템 |
DE102005030839A1 (de) | 2005-07-01 | 2007-01-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage mit einer Mehrzahl von Projektionsobjektiven |
JP4684774B2 (ja) | 2005-07-05 | 2011-05-18 | 株式会社ナノシステムソリューションズ | 露光装置 |
CN101138070B (zh) | 2005-08-05 | 2011-03-23 | 株式会社尼康 | 载台装置及曝光装置 |
JP2007048819A (ja) | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Nikon Corp | 面位置検出装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP2007048851A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置、およびデバイスの製造方法 |
JP2007043980A (ja) | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Sanei Gen Ffi Inc | 焼成和洋菓子用品質改良剤 |
JP2007087306A (ja) | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Yokohama National Univ | 目標画像指定作成方式 |
JP2007093546A (ja) | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Nikon Corp | エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置 |
JP4640090B2 (ja) | 2005-10-04 | 2011-03-02 | ウシオ電機株式会社 | 放電ランプ用ホルダー、および放電ランプ保持機構 |
JP2007113939A (ja) | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Nikon Corp | 計測装置及び計測方法、ステージ装置、並びに露光装置及び露光方法 |
JP2007120333A (ja) | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ロケット用燃焼器の噴射管およびロケット用燃焼器 |
JP2007120334A (ja) | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Denso Corp | 車両駆動システムの異常診断装置 |
JP4809037B2 (ja) | 2005-10-27 | 2011-11-02 | 日本カニゼン株式会社 | 黒色めっき膜およびその形成方法、めっき膜を有する物品 |
KR20080066836A (ko) | 2005-11-09 | 2008-07-16 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
JP2007150295A (ja) | 2005-11-10 | 2007-06-14 | Carl Zeiss Smt Ag | ラスタ要素を有する光学装置、及びこの光学装置を有する照射システム |
TWI397945B (zh) | 2005-11-14 | 2013-06-01 | 尼康股份有限公司 | A liquid recovery member, an exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method |
TWI479271B (zh) | 2005-11-15 | 2015-04-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method |
JP2007142313A (ja) | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Nikon Corp | 計測工具及び調整方法 |
JP2007144864A (ja) | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 積層構造体およびそれを用いた冷凍装置 |
WO2007066692A1 (ja) | 2005-12-06 | 2007-06-14 | Nikon Corporation | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
KR101340138B1 (ko) | 2005-12-08 | 2013-12-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조방법 |
JP4800901B2 (ja) | 2005-12-12 | 2011-10-26 | 矢崎総業株式会社 | 電圧検出装置及び絶縁インタフェース |
US20070166134A1 (en) | 2005-12-20 | 2007-07-19 | Motoko Suzuki | Substrate transfer method, substrate transfer apparatus and exposure apparatus |
JP2007170938A (ja) | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Sendai Nikon:Kk | エンコーダ |
JP2007207821A (ja) | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Nikon Corp | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
JP2007258691A (ja) | 2006-02-21 | 2007-10-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の作製方法 |
US7532378B2 (en) | 2006-02-21 | 2009-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, method of laser irradiation, and method for manufacturing semiconductor device |
JP2007227637A (ja) | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Canon Inc | 液浸露光装置 |
US7525642B2 (en) | 2006-02-23 | 2009-04-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20090002830A1 (en) | 2006-02-27 | 2009-01-01 | Nikon Corporation | Dichroic Filter |
JP2007234110A (ja) | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Toshiba Corp | 光情報記録装置および光情報記録装置の制御方法 |
JP4929762B2 (ja) | 2006-03-03 | 2012-05-09 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
WO2007100081A1 (ja) | 2006-03-03 | 2007-09-07 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2007280623A (ja) | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Seiko Epson Corp | 熱処理装置、薄膜形成装置及び熱処理方法 |
JP2007295702A (ja) | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Toshiba Mach Co Ltd | リニアモータ、および、ステージ駆動装置 |
JPWO2007132862A1 (ja) | 2006-05-16 | 2009-09-24 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4893112B2 (ja) | 2006-06-03 | 2012-03-07 | 株式会社ニコン | 高周波回路コンポーネント |
JP4873138B2 (ja) | 2006-06-21 | 2012-02-08 | 富士ゼロックス株式会社 | 情報処理装置及びプログラム |
DE102006032810A1 (de) | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, mikrolithografisches Herstellungsverfahren für Bauelemente sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauelement |
KR101427433B1 (ko) | 2006-08-02 | 2014-08-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 결함 검출 장치 및 결함 검출 방법 |
JP4883482B2 (ja) | 2006-08-18 | 2012-02-22 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP2008058580A (ja) | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Canon Inc | 画像形成装置、監視装置、制御方法、及びプログラム |
JP2008064924A (ja) | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Seiko Epson Corp | 定着装置及び画像形成装置 |
JP5141979B2 (ja) | 2006-09-29 | 2013-02-13 | 株式会社ニコン | ステージ装置および露光装置 |
KR100855628B1 (ko) | 2006-10-02 | 2008-09-03 | 삼성전기주식회사 | 광변조기 검사를 위한 장치 및 방법 |
US7804603B2 (en) | 2006-10-03 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Measurement apparatus and method |
JP2007051300A (ja) | 2006-10-10 | 2007-03-01 | Teijin Chem Ltd | 難燃性樹脂組成物 |
JP4924879B2 (ja) | 2006-11-14 | 2012-04-25 | 株式会社ニコン | エンコーダ |
WO2008061681A2 (de) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik |
TWI452437B (zh) | 2006-11-27 | 2014-09-11 | 尼康股份有限公司 | An exposure method, a pattern forming method, and an exposure apparatus, and an element manufacturing method |
JP2007274881A (ja) | 2006-12-01 | 2007-10-18 | Nikon Corp | 移動体装置、微動体及び露光装置 |
JPWO2008075742A1 (ja) | 2006-12-20 | 2010-04-15 | 株式会社ニコン | メンテナンス方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP4910679B2 (ja) | 2006-12-21 | 2012-04-04 | 株式会社ニコン | 可変キャパシタ、可変キャパシタ装置、高周波回路用フィルタ及び高周波回路 |
WO2008078668A1 (ja) | 2006-12-26 | 2008-07-03 | Miura Co., Ltd. | ボイラ給水用補給水の供給方法 |
WO2008078688A1 (ja) | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
TW200846838A (en) | 2007-01-26 | 2008-12-01 | Nikon Corp | Support structure and exposure apparatus |
US9250536B2 (en) | 2007-03-30 | 2016-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US8937706B2 (en) | 2007-03-30 | 2015-01-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US20080259304A1 (en) | 2007-04-20 | 2008-10-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
WO2008131928A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus |
JP5304644B2 (ja) | 2007-05-09 | 2013-10-02 | 株式会社ニコン | フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法 |
RU2463663C2 (ru) | 2007-05-31 | 2012-10-10 | Панасоник Корпорэйшн | Устройство захвата изображения, сервер обеспечения дополнительной информации и система фильтрации дополнительной информации |
US7573564B2 (en) | 2007-06-26 | 2009-08-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Systems for doppler tracking using photonic mixing detectors |
JP2010537414A (ja) | 2007-08-30 | 2010-12-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明システム |
JP5194650B2 (ja) | 2007-08-31 | 2013-05-08 | 株式会社ニコン | 電子カメラ |
DE102007043958B4 (de) | 2007-09-14 | 2011-08-25 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
US20090091730A1 (en) | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Nikon Corporation | Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
KR101546987B1 (ko) | 2007-10-16 | 2015-08-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR101562073B1 (ko) | 2007-10-16 | 2015-10-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP4499774B2 (ja) | 2007-10-24 | 2010-07-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 絶縁ゲイト型半導体装置 |
US8379187B2 (en) * | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101708943B1 (ko) * | 2007-11-06 | 2017-02-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 제어 장치, 노광 방법 및 노광 장치 |
WO2009153925A1 (ja) | 2008-06-17 | 2009-12-23 | 株式会社ニコン | ナノインプリント方法及び装置 |
KR101504388B1 (ko) | 2008-06-26 | 2015-03-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 표시소자의 제조방법 및 제조장치 |
KR20110028473A (ko) | 2008-06-30 | 2011-03-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 표시 소자의 제조 방법 및 제조 장치, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 제조 장치, 및 회로 형성 장치 |
-
2008
- 2008-10-03 US US12/245,021 patent/US8379187B2/en active Active
- 2008-10-10 JP JP2008263405A patent/JP5141491B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-23 KR KR1020107011180A patent/KR101563756B1/ko active IP Right Grant
- 2008-10-23 TW TW103129668A patent/TWI554843B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-10-23 CN CN200880100940.0A patent/CN101765799B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-23 CN CN201410018301.7A patent/CN103777363B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-23 SG SG10201708650WA patent/SG10201708650WA/en unknown
- 2008-10-23 TW TW097140577A patent/TWI464539B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-10-23 EP EP08841021.2A patent/EP2203778B1/en not_active Not-in-force
- 2008-10-23 KR KR1020137027738A patent/KR101680620B1/ko active IP Right Grant
- 2008-10-23 EP EP09015718.1A patent/EP2273305B1/en not_active Not-in-force
- 2008-10-23 CN CN201410019498.6A patent/CN103777471B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-23 KR KR1020167032647A patent/KR20160137679A/ko active IP Right Grant
- 2008-10-23 KR KR1020197006116A patent/KR20190025062A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-10-23 WO PCT/JP2008/069704 patent/WO2009054541A2/en active Application Filing
- 2008-10-23 TW TW107100208A patent/TW201812431A/zh unknown
- 2008-10-23 EP EP12197228.5A patent/EP2620801A3/en not_active Withdrawn
- 2008-10-23 KR KR1020147024048A patent/KR101624140B1/ko active IP Right Grant
- 2008-10-23 EP EP09015716A patent/EP2273304A1/en not_active Withdrawn
- 2008-10-23 EP EP12197227.7A patent/EP2620800A3/en not_active Withdrawn
- 2008-10-23 TW TW103129669A patent/TWI569106B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-10-23 TW TW101144123A patent/TWI510868B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-10-23 EP EP12197226.9A patent/EP2620799B1/en not_active Not-in-force
- 2008-10-23 CN CN201410018304.0A patent/CN103777345B/zh active Active
- 2008-10-23 SG SG2012078861A patent/SG185334A1/en unknown
- 2008-10-23 TW TW105141664A patent/TWI620036B/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-08-13 HK HK10107746.0A patent/HK1141591A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2010-11-23 HK HK10110882.8A patent/HK1144322A1/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012080374A patent/JP5630455B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-17 US US13/449,115 patent/US9057877B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-07-04 HK HK14106794.9A patent/HK1193479A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-09-26 JP JP2014196217A patent/JP5935852B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-03-20 US US14/664,022 patent/US9341954B2/en active Active
-
2016
- 2016-03-24 US US15/079,793 patent/US9857599B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-12-28 US US15/856,918 patent/US20180143444A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI620036B (zh) | 照明光學裝置、曝光裝置、以及元件製造方法 | |
JPWO2008007633A1 (ja) | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2013502703A (ja) | 偏光変換ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP5353408B2 (ja) | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2010141091A (ja) | 偏光制御ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2008021767A (ja) | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2010283100A (ja) | 偏光変換ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |