SU1422379A1 - Формирователь импульсов - Google Patents
Формирователь импульсов Download PDFInfo
- Publication number
- SU1422379A1 SU1422379A1 SU864042699A SU4042699A SU1422379A1 SU 1422379 A1 SU1422379 A1 SU 1422379A1 SU 864042699 A SU864042699 A SU 864042699A SU 4042699 A SU4042699 A SU 4042699A SU 1422379 A1 SU1422379 A1 SU 1422379A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- bus
- emitter
- resistor
- base
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к области микроэлектроники и может быть использовано в схемах управлени триггеров и пересчетных устройств, выполненных ,ча базе эмиттерно-св занной логики. Целью изобретени вл етс повьшение быстродействи и расширение области применени устройства. Устройство содержит первый- транзистор 1 п-р-п-ти- па, первый источник 3 опорного напр жени , второй транзистор 4 п-р-п-ти- па, диоды 5 и 12, шину 7 питани , входную шину 8, выходную шину 9, третий и четвертый транзисторы 10 и 11 п-р-п-типа, второй источник 15 опорного напр жени , резисторы. Применение данного изобретени позволит повысить быстродействие триггеров и пересчетных схем, вьтолненных на его основе, и обеспечить сопр жение с логическими схемами, выполненными на базе эмиттерно-св занной логики. 1 ил. ( ел
Description
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в схемах управления триггеров и! пересчетных устройств, выполненных на базе эмиттерно-связанной логики (эсл).
Цель изобретения - повышение быстродействия и расширение области применения.
На чертеже изображена электрическая принципиальная схема формирователя импульсов.
Интегральная схема формирователя импульсов содержит первый транзистор
I п-р-п-типа, база которого через Первый резистор 2 соединена с положительной шиной первого источника 3 опорного напряжения, отрицательная шина которого соединена с общей шиной, второй транзистор 4 п-р-п-типа, эмиттер которого соединен с эмиттером первого транзистора 1, первый диод 5 и второй резистор 6, шину 7 питания, входную шину 8, выходную шину 9, третий и четвертый транзисторы 10 и 11 п-р-п-типа, второй диод 12, третий
И четвертый резисторы 13 и 14 и второй источник 15 опорного напряжения, коллектор третьего транзистора 10 соединен с шиной 7 питания, а его база - с анодами первого и второго диодов 5 и 12 и- через второй резистор 6 с шиной 7 питания, катод первого диода 5 соединен с коллектором второго транзистора 4, а катод второго диода 12 - с входной шиной 8,эмиттер третьего транзистора 10 соединен с эмиттером четвертого транзигстора
II и коллектором первого транзистора 1, база которого соединена с базой второго транзистора 4, эмиттер которого через третий резистор 13 соединен с общей шиной, база.четвертого транзистора 11 соединена с положи^тельной шиной второго источника 15 опорного напряжения,· отрицательная шина которого соединена с общей шиной, а коллектор четвертого транзистора 11 соединен с выходной шиной 9 и через четвертый резистор 14 · с шиной 7 питания.
' Формирователь импульсов работает следующим образом.
Если на входную шину 8 подано напряжение, соответствующее уровню логической единицы, то транзистор 10 открыт, а транзистор 11 закрыт. Это условие обеспечивается выбором напряжения источника 15 опорного напряжения, а также уровнем напряжения на базе транзистора 10.
В этом случае транзисторы 1 и 4 находятся в активном режиме и падением напряжения на резисторе 2 за счет протекания базовых токов этих транзисторов можно пренебречь.
Напряжение на выходной шине 9 равно напряжению источника питания. Если на входную шину 8 подано напряжение, соответствующее уровню логического нуля, то транзистор 10 закрыт, а транзистор 11 открыт. При этом ток коллектора транзистора 4 прекращается. Это вызывает насыщение транзистора 4.. При этом эмиттерные токи транзисторов 1 и 4 равны, так как переходы база - эмиттер этих ’транзисторов одинаковы топологически и соединены параллельно.
Однако установлению величины коллекторного тока транзистора 1 предшествует время, необходимое для рассасывания заряда неосновных носителей в базах транзисторов 1 и 4, соответствующего ранее протекавшему через них большему значению тока. Следовательно, в течение времени рассасывания происходит уменьшение коллекторного тока транзистора 1, что вызывает рост напряжения на выходной шине 9, т.е. формирование на выходе кратковременного провала напряжения.
Таким образом, применение предлагаемой схемы позволяет повысить быстродействие триггеров и пересчетных схем, выполненных на ее основе, и обеспечивает сопряжение с логическими схемами, выполненными на базе ЭСЛ.
Claims (1)
- Формула изобретенияФормирователь импульсов, содержащий первый транзистор n-p-n-типа, база которого через первый резистор соединена с положительной шиной первого источника опорного напряжения, отрицательная шина которого соединена с общей шиной, второй транзистор п-рп-типа, эмиттер которого соединен с эмиттером первого транзистора, первый диод, второй резистор, шину питания, .входную шину,, выходную шину, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и расширения области применения, в него введены третий и четвертый транзисторы^ п-р-п1422379 типа, второй диод, третий и четвертый резисторы, второй источник опорного напряжения, коллектор третьего транзистора соединен с шиной питания, а его база - с анодами первого и второго диодов и через второй резистор с шиной питания, катод первого диода соединен с коллектором второго транзистора, а катод второго диода - с входной шиной, эмиттер третьего транзистора соединен с эмиттером четвертого транзистора и коллектором перво го транзистора, база которого соединена с базой второго транзистора, эмиттер которого через третий резистор соединен с общей шиной, база четвертого транзистора соединена с положительной шиной второго источника опорного напряжения, отрицательная шина которого соединена с общей шиной, а коллектор четвертого транзистора соединен с выходной шиной и через четвертый резистор с шиной пита- ; ния.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864042699A SU1422379A1 (ru) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | Формирователь импульсов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864042699A SU1422379A1 (ru) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | Формирователь импульсов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1422379A1 true SU1422379A1 (ru) | 1988-09-07 |
Family
ID=21228512
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU864042699A SU1422379A1 (ru) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | Формирователь импульсов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1422379A1 (ru) |
-
1986
- 1986-03-24 SU SU864042699A patent/SU1422379A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Агахан н Т.М. Интегральные микросхемы. - М.: Св зь, 1978, с.443, рис.10 и 11. Справочник по интегральным схемам. /Под ред. Б.В.Тарабрина. - М.: Энерги , 1980, с.95 (134ХП 3). * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR840004280A (ko) | 표시 구동장치 | |
US4420786A (en) | Polarity guard circuit | |
JPH0330512A (ja) | 制御回路 | |
SU1422379A1 (ru) | Формирователь импульсов | |
JPH0249575B2 (ru) | ||
JPH0155778B2 (ru) | ||
JPH0669141B2 (ja) | 入力回路 | |
JPH03156967A (ja) | 出力回路 | |
KR900001746B1 (ko) | 바이 씨 모스에 의한 고전압 대전력 구동회로 | |
RU2073935C1 (ru) | Комплементарная биполярная схема и-не | |
SU1228260A1 (ru) | Интегральна логическа схема (ее варианты) | |
RU1810994C (ru) | Транзисторный ключ | |
SU1637003A1 (ru) | Формирователь импульсов | |
SU1138942A1 (ru) | Устройство согласовани | |
SU1401595A1 (ru) | Вентиль интегральной логики с диодами Шоттки | |
SU1051717A1 (ru) | Полупроводниковый ключ | |
SU1320896A1 (ru) | Микромощный инвертор | |
SU1320897A1 (ru) | Преобразователь логических уровней | |
SU1275758A1 (ru) | Логический элемент | |
SU1277382A1 (ru) | ТТЛ-элемент | |
SU615604A1 (ru) | Инвертор | |
RU1830620C (ru) | Электронный ключ | |
SU1629985A1 (ru) | Эмиттерно-св занный элемент | |
SU1531209A1 (ru) | Интегральный ЭСЛ-элемент | |
SU1094150A1 (ru) | Преобразователь уровней |