KR20200013525A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. The substrate processing apparatus includes: a spin chuck rotating a substrate; and a brush unit arranged below the substrate placed on the spin chuck to clean the substrate. The substrate processing apparatus and the substrate processing method clean a lower surface of the substrate while a brush is rotated and moved in a side direction when the substrate is rotated.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate processing apparatus and substrate processing method}Substrate processing apparatus and substrate processing method

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 상하를 반전시키지 않더라도 기판 하면을 세정할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of cleaning a lower surface of a substrate without inverting the substrate up and down.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 증착, 사진, 식각, 세정 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 각 공정에서는 노즐을 통해 처리액을 기판에 공급하게 된다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as deposition, photography, etching, and cleaning are performed. In each process, the processing liquid is supplied to the substrate through the nozzle.

기판에 공급된 처리액은 기판에 도포되지 못하고 기판 하면에 묻을 수 있다. 기판 하면에 묻은 처리액은 파티클로 작용해 반송 또는 후속 처리시 기판 처리 장치 또는 기판을 오염시킬 수 있다. 이에 따라, 회로가 증착되는 기판 상면뿐만 아니라 기판 하면도 세정하고 있다. The processing liquid supplied to the substrate may be applied to the lower surface of the substrate without being applied to the substrate. The treatment liquid on the lower surface of the substrate may act as particles to contaminate the substrate processing apparatus or the substrate during conveyance or subsequent processing. As a result, not only the upper surface of the substrate on which the circuit is deposited but also the lower surface of the substrate is cleaned.

도 1 내지 도 2를 참조하면, 기판 하면 세정은, 반전장치(1)를 통해 기판(W)을 반전시킨 뒤, 세정장치(2)를 통해 반전된 기판(W)의 상 방향 면인 기판(W) 하면을 브러시(3)를 사용해 물리적으로 세척하게 된다. 반전장치(1)는, 기판(W)을 파지하는 그립퍼(4)와, 그립퍼(4)를 반전시키는 반전부(5)를 포함한다. 그러나 반전장치(1)는, 반전부(5)를 통해 그립퍼(4) 및 기판(W)을 완전히 회전시켜야만 하는 바, 구동 범위가 넓어서 그립퍼(4) 및 반전부(5)의 오작동 신호가 빈번히 발생되고 있다.1 to 2, the substrate lower surface cleaning is a substrate W which is an upper surface of the substrate W inverted through the cleaning device 2 after inverting the substrate W through the inversion device 1. ) The lower surface is physically cleaned using the brush (3). The inversion apparatus 1 includes the gripper 4 holding the board | substrate W, and the inversion part 5 which inverts the gripper 4. However, the inverting device 1 must rotate the gripper 4 and the substrate W completely through the inverting part 5. The driving range is wide so that malfunction signals of the gripper 4 and the inverting part 5 frequently occur. It is occurring.

대한민국 공개특허공보 제10-2011-0059179호(2011.06.02.)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2011-0059179 (2011.06.02.)

본 발명은 기판 상하를 반전시키지 않더라도 기판 하면을 세정할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of cleaning a lower surface of a substrate without inverting the substrate up and down.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일실시예는 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 처리 공간을 가지는 하우징과, 처리 공간 내에서 기판을 지지하고, 기판을 회전시키는 스핀 척과, 스핀 척에 놓인 기판의 아래에 배치되어 기판을 세정하는 브러시 유닛을 포함하며, 브러시 유닛은, 바디와, 바디에 장착되는 브러시와, 바디를 상하 방향 및 기판과 평행한 방향으로 이동시키는 브러시 구동기를 포함한다.One embodiment of the present invention provides a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus includes a housing having a processing space, a spin chuck supporting the substrate in the processing space and rotating the substrate, and a brush unit disposed under the substrate placed on the spin chuck to clean the substrate, the brush unit Includes a body, a brush mounted to the body, and a brush driver for moving the body in a vertical direction and in a direction parallel to the substrate.

상기 브러시 구동기는, 브러시를 회전시키는 회전 구동기와, 브러시를 상하 방향으로 이동시키는 수직구동기와 그리고, 바디를 기판과 평행한 방향으로 이동시키는 수평 구동기를 포함할 수 있다.The brush driver may include a rotary driver for rotating the brush, a vertical driver for moving the brush in the vertical direction, and a horizontal driver for moving the body in a direction parallel to the substrate.

상기 브러시는 상면이 기판의 하면과 평행하게 제공될 수 있다.The brush may have an upper surface parallel to the lower surface of the substrate.

상기 브러시 유닛은, 바디가 진공압에 의해 기판을 지지 가능하도록 바디에 진공압을 인가하는 진공라인을 더 포함할 수 있다.The brush unit may further include a vacuum line for applying a vacuum pressure to the body so that the body can support the substrate by the vacuum pressure.

상기 바디의 상면에 오목부가 형성되고, 브러시는 오목부 내에 배치되고, 진공라인은 오목부에 진공을 인가할 수 있다.A recess is formed on the upper surface of the body, the brush is disposed in the recess, and the vacuum line may apply a vacuum to the recess.

상기 오목부에 브러시가 복수개 제공되고, 진공라인은 복수의 브러시 사이에 제공될 수 있다.A plurality of brushes may be provided in the recess, and a vacuum line may be provided between the plurality of brushes.

상기 스핀 척은, 지지판과, 공정 진행시 지지판에 놓인 기판이 지지판의 측방향으로 이동되는 것을 제한하는 척 핀과, 스핀 척에 놓인 기판의 측면을 지지하는 공정 위치와 스핀 척에 놓인 기판의 측면으로부터 이격되는 대기 위치 간에 상기 척 핀을 이동시키는 핀 구동기를 포함하고, 척 핀에는 기판의 가장자리가 삽입되는 홈이 형성될 수 있다.The spin chuck includes a support plate, a chuck pin for restricting the movement of the substrate placed on the support plate in the lateral direction of the support plate during the process, a process position for supporting a side of the substrate placed on the spin chuck, and a side of the substrate placed on the spin chuck. And a pin driver for moving the chuck pins between standby positions spaced apart from the chuck pins, and the grooves into which the edges of the substrate are inserted may be formed in the chuck pins.

상기 스핀 척과 브러시 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 제어기는, 하우징 외부의 반송 로봇으로부터 브러시 유닛이 기판을 인수한 후, 기판을 브러시 유닛에서 스핀 척으로 인계하고, 기판을 회전시키고, 브러시 유닛을 수평 방향으로 이동시켜 기판의 저면을 세정하도록 스핀 척 및 브러시 유닛을 제어할 수 있다.And a controller for controlling the spin chuck and the brush unit, wherein the controller takes over the substrate from the brush unit to the spin chuck after the brush unit takes over the substrate from a transport robot outside the housing, rotates the substrate, and brush unit. The spin chuck and the brush unit can be controlled to move the in the horizontal direction to clean the bottom of the substrate.

상기 제어기는, 반송 로봇으로부터 브러시 유닛이 기판을 인수하고 척핀에 기판이 체결되는 동안에는 브러시 유닛에 진공압을 제공하고, 브러시 유닛이 기판을 세정하는 동안에는 브러시 유닛에 진공압을 차단할 수 있다.The controller may provide a vacuum pressure to the brush unit while the brush unit takes over the substrate from the transfer robot and the substrate is fastened to the chuck pin, and blocks the vacuum pressure on the brush unit while the brush unit cleans the substrate.

상기 제어기는 반송 로봇으로부터 브러시 유닛이 기판을 인수시에는 브러시 유닛을 스핀 척으로부터 제1높이에 위치시키고, 브러시 유닛이 기판을 세정시에는 브러시 유닛을 스핀 척으로부터 제2높이에 위치시키되, 제1높이는 제2높이보다 높을 수 있다.The controller is configured to position the brush unit at the first height from the spin chuck when the brush unit takes over the substrate from the carrier robot, and the brush unit at the second height from the spin chuck when the brush unit cleans the substrate. The height may be higher than the second height.

본 발명의 일실시예는 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 방법은, 브러시 유닛이 반송 로봇으로부터 기판을 인계 받고, 브러시 유닛이 기판을 스핀 척으로 인계하고, 기판이 회전 될 때, 브러시를 회전시키고, 또한 브러시를 측 방향으로 이동시켜 기판의 하면을 세정한다.One embodiment of the present invention provides a substrate processing method. In the substrate processing method, the brush unit takes over the substrate from the transfer robot, the brush unit takes over the substrate with the spin chuck, and when the substrate is rotated, the brush is rotated, and the brush is moved laterally to move the lower surface of the substrate. Clean.

상기 브러시 유닛이, 반송 로봇으로부터 기판을 인계 받고, 스핀 척에 인계하는 동안에는 브러시 유닛에 진공압이 제공되고, 브러시 유닛이 기판을 세정하는 동안에는 브러시 유닛에 진공압 공급이 차단될 수 있다.While the brush unit takes over the substrate from the transfer robot, the brush unit may be provided with a vacuum pressure, and the brush unit may be cut off while the brush unit cleans the substrate.

상기 브러시 유닛의 반송 로봇으로부터의 기판 인수시에는 브러시 유닛이 스핀 척으로부터 제1높이에 위치되고, 브러시 유닛의 기판 세정시에는 브러시 유닛이 스핀 척으로부터 제2높이에 위치되되, 제1높이는 제2높이보다 높을 수 있다.The brush unit is positioned at the first height from the spin chuck when the brush unit is picked up from the transfer robot, and the brush unit is positioned at the second height from the spin chuck when the brush unit is cleaned of the substrate. It can be higher than height.

상기 기판의 하면이 세정될 때, 기판과 브러시 유닛은 서로 반대방향으로 회전할 수 있다.When the lower surface of the substrate is cleaned, the substrate and the brush unit may rotate in opposite directions.

본 발명의 일실시예의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 의하면, 반전장치를 사용하지 않더라도 기판 하면을 세정할 수 있게 된다.According to the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the embodiment of the present invention, it is possible to clean the lower surface of the substrate even without using the inversion apparatus.

또한, 반전장치를 통한 기판 반전 시 오작동 신호가 발생해 기판 처리 공정이 중단되고, 지연되던 문제점이 해결되는 효과가 있다.In addition, a malfunction signal is generated when the substrate is inverted through the inversion device, thereby stopping the substrate processing process and delaying the problem.

도 1은 반전장치의 일 예를 보여주는 정면도이다.
도 2는 기판 저면 세정장치의 일 예를 보여주는 정면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 6은 도 5의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 5의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이다.
도 8은 도 7의 열처리 챔버의 정단면도이다.
도 9는 도 5의 액처리 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 10은 도 5의 기판 하면 세정 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 11은 은 도 10의 스핀 척을 보여주는 단면도이다.
도 12는 도 10의 제어기, 스핀 척, 브러시 유닛의 연결관계를 나타내는 블럭도이다.
도 13은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 14 내지 도 16은 도 13의 플로우차트에 따라 기판 하면을 세정하는 상태도이다.1 is a front view illustrating an example of an inversion device.
2 is a front view illustrating an example of a substrate bottom cleaning device.
3 is a perspective view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or development block of FIG. 3.
5 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 3.
6 is a diagram illustrating an example of a hand of the carrier robot of FIG. 5.
7 is a plan sectional view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG.
FIG. 8 is a front sectional view of the heat treatment chamber of FIG. 7.
9 is a plan view illustrating the liquid processing unit of FIG. 5.
10 is a cross-sectional view illustrating the substrate lower surface cleaning unit of FIG. 5.
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating the spin chuck of FIG. 10.
FIG. 12 is a block diagram illustrating a connection relationship between a controller, a spin chuck, and a brush unit of FIG. 10.
13 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
14 to 16 are state diagrams of cleaning the lower surface of the substrate according to the flowchart of FIG. 13.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장 및 축소된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the invention may be modified in various forms, the scope of the invention should not be construed as limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated and reduced to emphasize a more clear description.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.3 is a perspective view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus illustrating the application block or the developing block of FIG. 3, and FIG. 5 is the substrate processing apparatus of FIG. 3. Top view of the.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.3 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20, a processing module 30, and an interface module 40. According to one embodiment, the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are sequentially arranged in a row. Hereinafter, a direction in which the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are arranged is referred to as a first direction 12, and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top. A direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a second direction 14 and is referred to as a third direction 16.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 conveys the board | substrate W from the container 10 in which the board | substrate W was accommodated to the processing module 30, and accommodates the processed board | substrate W in the container 10. FIG. The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second direction 14. The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24. The load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 with respect to the index frame 24. The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed in the load port 22. A plurality of load ports 22 may be provided, and the plurality of load ports 22 may be disposed along the second direction 14.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a sealed container 10 such as a front open unified pod (FOUP) may be used. The vessel 10 may be placed on the load port 22 by an operator or by a transfer means (not shown), such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. have.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.An index robot 2200 is provided inside the index frame 24. In the index frame 24, a guide rail 2300 having a longitudinal direction in the second direction 14 may be provided, and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300. The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the third direction 16, and the third direction 16. Can be provided to be movable accordingly.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs an application process and a development process on the substrate W. FIG. The processing module 30 has an application block 30a and a developing block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a developing process on the substrate W. As shown in FIG. A plurality of application blocks 30a are provided, and they are provided stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 3, two application blocks 30a are provided, and two development blocks 30b are provided. The application blocks 30a may be disposed below the development blocks 30b. According to one example, the two application blocks 30a perform the same process with each other and may be provided in the same structure with each other. In addition, the two developing blocks 30b may perform the same process and may be provided in the same structure.

도 5를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 5, the application block 30a has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, a liquid treatment chamber 3600, and a buffer chamber 3800. The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate (W). The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid on the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid processing chamber 3600 in the application block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛(3420)이 제공된다. 반송 유닛(3420)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 유닛(3420)은 기판(W)이 놓이는 핸드(A)를 가지며, 핸드(A)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 유닛(3420)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The conveying chamber 3400 is provided with its longitudinal direction parallel to the first direction 12. The conveying chamber 3400 is provided with a conveying unit 3420. The transfer unit 3420 transfers the substrate between the heat treatment chamber 3200, the liquid treatment chamber 3600, and the buffer chamber 3800. According to one example, the conveying unit 3420 has a hand A on which the substrate W is placed, the hand A moving forward and backward, rotating about the third direction 16 as an axis, and a third direction. It may be provided to be movable along 16. In the conveying chamber 3400, a guide rail 3300 having a longitudinal direction thereof is provided in parallel with the first direction 12, and the conveying unit 3420 may be provided to be movable on the guide rail 3300. .

도 6은 도 5의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 핸드(A)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.6 is a diagram illustrating an example of a hand of the carrier robot of FIG. 5. Referring to FIG. 6, hand A has a base 3428 and a support protrusion 3429. The base 3428 may have an annular ring shape in which a portion of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter larger than the diameter of the substrate W. The support protrusion 3429 extends inward from the base 3428. A plurality of support protrusions 3429 may be provided to support edge regions of the substrate W. As shown in FIG. By way of example, four support protrusions 3429 may be provided at equal intervals.

다시 도 4와 도 5를 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.4 and 5, a plurality of heat treatment chambers 3200 may be provided. The heat treatment chambers 3200 are arranged along the first direction 12. The heat treatment chambers 3200 are located at one side of the transfer chamber 3400.

도 7은 도 5의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이고, 도 8은 도 7의 열처리 챔버의 정단면도이다. 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. FIG. 7 is a plan sectional view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 5, and FIG. 8 is a front sectional view of the heat treatment chamber of FIG. 7. The heat treatment chamber 3200 has a housing 3210, a cooling unit 3220, a heating unit 3230, and a conveying plate 3240.

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The housing 3210 is generally provided in the shape of a cuboid. A sidewall of the housing 3210 is formed with an inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits. The inlet can be kept open. A door (not shown) may optionally be provided to open and close the entrance. The cooling unit 3220, the heating unit 3230, and the conveying plate 3240 are provided in the housing 3210. The cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are provided side by side along the second direction 14. According to one example, the cooling unit 3220 may be located closer to the transfer chamber 3400 than the heating unit 3230.

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222. The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. The cooling plate 3222 is provided with a cooling member 3224. According to one example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which a cooling fluid flows.

가열 유닛(3230)은 기판을 상온보다 높은 온도로 가열하는 장치로 제공된다. 가열 유닛(3230)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. The heating unit 3230 is provided as an apparatus for heating the substrate to a temperature higher than room temperature. The heating unit 3230 heats the substrate W in an atmospheric pressure or a reduced pressure atmosphere.

액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3420)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. The liquid treatment chamber 3600 is provided in plurality. Some of the liquid treatment chambers 3600 may be provided to be stacked on each other. The liquid processing chambers 3600 are disposed at one side of the transfer chamber 3420. The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side along the first direction 12. Some of the liquid processing chambers 3600 are provided at a location adjacent to the index module 20. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as front liquid treating chambers 3602. Other portions of the liquid processing chambers 3600 are provided at positions adjacent to the interface module 40. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as rear heat treating chambers 3604.

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front liquid treatment chamber 3602 applies the first liquid onto the substrate W, and the rear liquid treatment chamber 3604 applies the second liquid onto the substrate W. FIG. The first liquid and the second liquid may be different kinds of liquids. According to one embodiment, the first liquid is an antireflection film and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied onto the substrate W on which the antireflection film is applied. Optionally, the first liquid may be a photoresist and the second liquid may be an antireflection film. In this case, the antireflection film may be applied onto the substrate W to which the photoresist is applied. Optionally, the first liquid and the second liquid are liquids of the same kind, both of which may be photoresists.

도 9는 도 5의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 9를 참조하면, 액 처리 챔버(3602, 3604)는 하우징(3610), 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3610) 내에 하강 기류를 형성하는 팬필터유닛(3670)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 지지유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(3640)은 액처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급유닛(3660)은 지지유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다. 9 is a view schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 5. Referring to FIG. 9, the liquid processing chambers 3602, 3604 have a housing 3610, a cup 3620, a support unit 3640, and a liquid supply unit 3660. Housing 3610 is generally provided in the shape of a cuboid. An inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3610. The inlet can be opened and closed by a door (not shown). The cup 3620, the support unit 3640, and the liquid supply unit 3660 are provided in the housing 3610. The upper wall of the housing 3610 may be provided with a fan filter unit 3670 to form a downdraft in the housing 3610. Cup 3620 has a processing space with an open top. The support unit 3640 is disposed in the processing space and supports the substrate W. The support unit 3640 is provided such that the substrate W is rotatable during the liquid treatment. The liquid supply unit 3660 supplies the liquid to the substrate W supported by the support unit 3640.

다시 도 4 및 도 5를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3420)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3420) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. 4 and 5, a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400. These buffer chambers are hereinafter referred to as front buffers 3802 (front buffer). The front end buffers 3802 are provided in plural numbers and are positioned to be stacked on each other along the vertical direction. The other portion of the buffer chambers 3802 and 3804 is disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40. These buffer chambers are called rear buffers 3804. The rear buffers 3804 are provided in plural numbers and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Each of the front end buffers 3802 and the back end buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates (W). The substrate W stored in the front end buffer 3802 is loaded or unloaded by the index robot 2200 and the transfer robot 3420. The substrate W stored in the rear buffer 3804 is loaded or unloaded by the transfer robot 3420 and the first robot 4602.

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, and a liquid treatment chamber 3600. The heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid treatment chamber 3600 of the developing block 30b include the heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid treatment chamber 3600 of the application block 30a. Are provided in a substantially similar structure and arrangement, and thus description thereof is omitted. However, in the developing block 30b, the liquid processing chambers 3600 are all provided to the developing chamber 3600 which supplies the developing solution to develop the substrate.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to an external exposure apparatus 50. The interface module 40 has an interface frame 4100, an additional process chamber 4200, an interface buffer 4400, and a transfer member 4600.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. The upper end of the interface frame 4100 may be provided with a fan filter unit to form a downdraft therein. The additional process chamber 4200, the interface buffer 4400, and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100. The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the application block 30a, is carried into the exposure apparatus 50.

선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the exposure apparatus 50, is carried into the developing block 30b. According to an example, the addition process may be an edge exposure process of exposing the edge region of the substrate W, an upper surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a lower surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W. Can be.

부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200b)는 기판 하면을 세정하는 세정 공정 챔버(1000)로 제공된다.The plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and they may be provided to be stacked on each other. The additional process chambers 4200 may all be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes. The additional process chamber 4200b is provided to the cleaning process chamber 1000 for cleaning the lower surface of the substrate.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W to be transported between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the development block 30b temporarily stays during the transport. The interface buffer 4400 may be provided in plurality, and the plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, an additional process chamber 4200 may be disposed on one side of the transfer chamber 3400 and an interface buffer 4400 may be disposed on the other side of the transfer chamber 3400.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The conveying member 4600 conveys the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The conveying member 4600 may be provided by one or a plurality of robots. According to one example, the conveying member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606. The first robot 4602 conveys the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 uses the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( The substrate W may be transported between 50, and a second robot 4604 may be provided to transport the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The first robot 4602 and the second robot 4606 each comprise a hand on which the substrate W is placed, the hand moving forward and backward, rotating about an axis parallel to the third direction 16, and It may be provided to be movable along three directions 16.

도 10은 도 5의 기판 하면 세정 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 11은 은 도 10의 스핀 척을 보여주는 단면도이다. 도 12는 도 10의 제어기, 스핀 척, 브러시 유닛의 연결관계를 나타내는 블럭도이다. 10 is a cross-sectional view illustrating the substrate lower surface cleaning unit of FIG. 5. FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating the spin chuck of FIG. 10. FIG. 12 is a block diagram illustrating a connection relationship between a controller, a spin chuck, and a brush unit of FIG. 10.

도 10 내지 도 12를 참조하면, 기판 하면 세정 유닛(1000)은, 하우징(1100), 스핀 척(1200), 브러시 유닛(1300), 그리고 제어기(1400)을 포함한다. 하우징(1100)은 처리 공간(1110)을 제공한다. 하우징(1100)에는 기판 반출입구(1120)가 제공된다. 10 to 12, the substrate lower surface cleaning unit 1000 includes a housing 1100, a spin chuck 1200, a brush unit 1300, and a controller 1400. Housing 1100 provides a processing space 1110. The housing 1100 is provided with a substrate loading opening 1120.

스핀 척(1200)은 처리 공간(1110) 내에서 기판을 지지한다. 스핀 척(1200)은 기판을 회전시킨다. 스핀 척(1200)은 지지판(1210), 척 핀(1220), 그리고 핀 구동기(1230)을 포함한다. 지지판(1210)에는 미리 정해진 형상의 중공이 제공된다. 중공 내에서 브러시 유닛(1300)이 측방향 이동한다. 지지판(1210)의 일측에는 지지판(1210)을 회전시키는 지지판 구동기(1211)가 제공될 수 있다. The spin chuck 1200 supports the substrate in the processing space 1110. The spin chuck 1200 rotates the substrate. The spin chuck 1200 includes a support plate 1210, a chuck pin 1220, and a pin driver 1230. The support plate 1210 is provided with a hollow having a predetermined shape. The brush unit 1300 moves laterally in the hollow. One side of the support plate 1210 may be provided with a support plate driver 1211 for rotating the support plate 1210.

척 핀(1220)은 기판의 하면을 세정하는 공정 진행 시 지지판(1210)에 놓인 기판이 지지판(1210)의 측방향으로 이동되는 것을 제한한다. 또한, 기판은 척 핀(1220)에 의해 지지판(1210) 회전 시 같이 회전된다. 척 핀(1220)에는 기판의 가장자리가 삽입되는 홈(1221)이 형성된다.The chuck pin 1220 restricts the movement of the substrate placed on the support plate 1210 in the lateral direction of the support plate 1210 during the process of cleaning the lower surface of the substrate. In addition, the substrate is rotated together when the support plate 1210 is rotated by the chuck pins 1220. The chuck pins 1220 are formed with grooves 1221 into which edges of the substrate are inserted.

핀 구동기(1230)는 척 핀(1220)을 공정 위치와 대기 위치 간에 이동시킨다. 공정 위치에서 척 핀(1220)은 지지판(1210)에 놓인 기판의 측면에 접촉된다. 대기 위치에서 척 핀(1220)은 지지판(1210)에 놓인 기판의 측면으로부터 지지판(1210)의 외측으로 이격된다. 척 핀(1220)은 그 길이방향을 축으로 하여 회전됨에 따라 대기 위치와 공정 위치를 이동될 수 있다. 선택적으로 척 핀(1220)은 피봇에 의한 회전이동에 의해 대기 위치와 공정 위치간에 이동될 수 있다. 선택적으로 척 핀(1220)은 지지판(1210)의 반경 방향으로 직선 이동함으로써 대기 위치와 공정 위치 간에 이동될 수 있다.The pin driver 1230 moves the chuck pins 1220 between the process position and the standby position. In the process position the chuck pins 1220 are in contact with the side of the substrate lying on the support plate 1210. In the standby position, the chuck pins 1220 are spaced outward of the support plate 1210 from the side of the substrate lying on the support plate 1210. As the chuck pins 1220 are rotated about their longitudinal direction, the chuck pins 1220 can move the standby position and the process position. Optionally, the chuck pins 1220 can be moved between the standby position and the process position by pivotal movement. Optionally, the chuck pins 1220 may be moved between the standby position and the process position by linearly moving in the radial direction of the support plate 1210.

브러시 유닛(1300)은 기판 하면을 물리적으로 세정한다. 브러시 유닛(1300)은 바디(1310), 브러시(1320), 브러시 구동기(1330), 그리고 진공라인(1340)을 포함한다. The brush unit 1300 physically cleans the lower surface of the substrate. The brush unit 1300 includes a body 1310, a brush 1320, a brush driver 1330, and a vacuum line 1340.

바디(1310)는 지지판(1210)에 놓인 기판과 지지판(1210) 사이에 위치된다. 바디(1310)는 브러시(1320)를 수용하고 브러시(1320)를 상하 방향 그리고 기판에 평행한 방향으로 이동시킨다. 또한, 바디(1310)는 외부의 반송로봇으로부터 기판을 인수받고, 기판을 척 핀(1220)으로 인계한다. The body 1310 is positioned between the substrate placed on the support plate 1210 and the support plate 1210. The body 1310 receives the brush 1320 and moves the brush 1320 in a vertical direction and in a direction parallel to the substrate. In addition, the body 1310 receives a substrate from an external carrier robot and takes over the substrate with the chuck pins 1220.

바디(1310)는 그 상면에 오목부(1311)가 제공된다. 브러시(1320)는 기판과 접촉되어 기판을 세정한다. 브러시(1320)는 그 상면이 기판의 하면과 평행하게 제공될 수 있다. 일 예에 의하면 브러시(1320)는 원판 형상으로 제공될 수 있다. 브러시(1320)는 오목부(1311) 내에 배치된다. 브러시(1320)는 복수개가 제공될 수 있다. 예컨대, 브러시(1320)는 4개가 제공될 수 있다. The body 1310 is provided with a recess 1311 on an upper surface thereof. The brush 1320 is in contact with the substrate to clean the substrate. The brush 1320 may be provided with an upper surface thereof parallel to the lower surface of the substrate. According to an example, the brush 1320 may be provided in a disc shape. The brush 1320 is disposed in the recess 1311. A plurality of brushes 1320 may be provided. For example, four brushes 1320 may be provided.

바디(1310)에는 진공라인(1340)이 제공된다. 진공라인(1340)은 바디(1310)에 놓인 기판을 진공 흡착에 의해 바디(1310)에 고정한다. 진공라인(1340)은 오목부(1311)에 진공을 인가하도록 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 진공라인(1340)은 복수의 브러시(1320) 사이에 제공된다.The body 1310 is provided with a vacuum line 1340. The vacuum line 1340 fixes the substrate placed on the body 1310 to the body 1310 by vacuum adsorption. The vacuum line 1340 may be provided to apply a vacuum to the recess 1311. In one example, the vacuum line 1340 is provided between the plurality of brushes 1320.

브러시 구동기(1330)는 브러시(1320)를 회전시키고, 바디(1310)를 상하 방향 및 기판에 평행한 방향으로 이동시킨다. 브러시 구동기(1330)는 회전 구동기(1331), 수평 구동기(1332), 수직 구동기(1333)을 포함한다. The brush driver 1330 rotates the brush 1320 and moves the body 1310 in a vertical direction and a direction parallel to the substrate. The brush driver 1330 includes a rotation driver 1331, a horizontal driver 1332, and a vertical driver 1333.

회전 구동기(1331)는 브러시(1320)를 바디(1310)의 중심축 기준으로 회전시킨다. 브러시(1320)로부터 축(A1)이 바디(1310)를 관통해 바디(1310)의 하측 방향으로 연장된다. 회전 구동기(1331)는 바디(1310) 하부에 위치되고, 축(A1)과 연결된다. 회전 구동기(1331)에서 발생된 회전력은 축(A1)을 통해 브러시(1320)로 전달된다. 선택적으로 브러시(1320)는 각각 그 중심축을 기준으로 회전되도록 제공될 수 있다.The rotation driver 1331 rotates the brush 1320 about the central axis of the body 1310. From the brush 1320, the axis A1 extends downward through the body 1310. The rotary driver 1331 is positioned below the body 1310 and is connected to the shaft A1. The rotational force generated by the rotation driver 1331 is transmitted to the brush 1320 through the shaft A1. Optionally, the brushes 1320 may each be provided to be rotated about its central axis.

수평 구동기(1332)는 바디(1310)를 기판과 평행한 방향으로 이동시킨다. 수평 구동기(1332)는 모터(M1)와 축(A2)을 포함한다. 축(A2)은 축(A1) 하부에 서로 수직을 이루도록 위치된다. 축(A2)에는 브라켓(B1)이 제공된다. 브라켓(B1)에 회전 구동기(1331)가 장착된다. 따라서, 모터(M1)에서 발생된 회전력이 축(A2)을 회전시키고, 축(A2)이 회전됨에 따라 브라켓(B1)에 장착된 회전 구동기(1331)가 축(A2)을 따라 수평 이동하게 된다. 결과적으로 회전 구동기(1331)와 축(A1)을 통해 연결된 바디(1310)가 기판 하면에서 측방향으로 이동하게 된다.The horizontal driver 1332 moves the body 1310 in a direction parallel to the substrate. Horizontal driver 1332 includes a motor M1 and an axis A2. The axes A2 are located below the axis A1 so as to be perpendicular to each other. The shaft A2 is provided with a bracket B1. The rotation driver 1331 is mounted to the bracket B1. Accordingly, the rotational force generated by the motor M1 rotates the shaft A2, and as the shaft A2 is rotated, the rotation driver 1331 mounted to the bracket B1 moves horizontally along the shaft A2. . As a result, the body 1310 connected through the rotation driver 1331 and the shaft A1 is moved laterally from the lower surface of the substrate.

수직 구동기(1333)은 바디(1310)을 수직방향으로 이동시킨다. 수평 구동기(1332)는 레일(R), 브라켓(B2), 모터(M2)를 포함한다. 레일(R)은 하우징(1100)의 내측 벽면에 고정된다. 브라켓(B2)은 레일(R)을 따라 상하이동 가능하도록 레일(R)에 장착된다. 모터(M2)는 브라켓(B2)에 제공된다. 모터(M2)에 발생된 구동력에 의해 브라켓(B2)이 레일(R)을 따라 이동하게 된다.The vertical driver 1333 moves the body 1310 in the vertical direction. The horizontal driver 1332 includes a rail R, a bracket B2, and a motor M2. The rail R is fixed to the inner wall surface of the housing 1100. The bracket B2 is mounted to the rail R so as to be movable along the rail R. FIG. The motor M2 is provided to the bracket B2. The bracket B2 moves along the rails R by the driving force generated in the motor M2.

제어기(1400)는 위와 같이 구성되는 스핀 척(1200), 그리고 브러시 유닛(1300)을 제어한다. 도 13은 제어기에 의해 제어되는 기판 처리 방법의 일 예를 보여주는 플로우차트이다. 도 14 내지 도 16는 도 10의 기판 처리 장치에서 기판의 세정이 이루어지는 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다. The controller 1400 controls the spin chuck 1200 and the brush unit 1300 configured as described above. 13 is a flowchart showing an example of a substrate processing method controlled by a controller. 14 to 16 are views sequentially illustrating a process of cleaning a substrate in the substrate processing apparatus of FIG. 10.

도 13 내지 도 16을 참고하면, 지지판(1210)으로부터 바디(1310)를 상승시킨다. 이 때 척 핀(1220)은 대기 위치에 위치한다. 하우징(1100) 외부의 반송 로봇(A)이 바디(1310)로 기판을 인계한다. 브러시 유닛(1300)이 기판을 인수하면, 오목부(1311)에 진공이 인가되어 기판을 바디(1310)에 흡착한다. 지지판(1210)은 제2높이까지 아래로 하강한다.13 to 16, the body 1310 is lifted from the support plate 1210. At this time, the chuck pin 1220 is located in the standby position. The transfer robot A outside the housing 1100 takes over the substrate to the body 1310. When the brush unit 1300 receives the substrate, a vacuum is applied to the recess 1311 to adsorb the substrate to the body 1310. The support plate 1210 descends to a second height.

지지판(1210)이 제2높이에 위치하면, 척 핀(1220)이 공정위치로 이동되고, 척 핀(1220)의 홈(1221)에 기판의 가장자리가 삽입된다. 홈(1221)에 기판의 가장자리가 삽입됨에 따라 기판은 지지판(1210)에 구속된다. 이후 오목부(1311)에 진공의 인가가 중지된다.When the support plate 1210 is located at the second height, the chuck pins 1220 are moved to the process position, and the edge of the substrate is inserted into the grooves 1221 of the chuck pins 1220. As the edge of the substrate is inserted into the groove 1221, the substrate is constrained to the support plate 1210. Thereafter, the application of the vacuum to the recess 1311 is stopped.

도 16을 참조하면, 지지판(1210)이 작동됨에 따라 스핀 척(1200)이 회전된다. 브러시 유닛(1300)에 구비된 브러시 구동기(1330)가 작동됨에 따라 브러시(1320)가 회전되고, 바디(1310)는 측 방향으로 왕복 이동된다. 이때, 스핀 척(1200)과 브러시 구동기(1330)는 서로 반대 방향으로 회전한다. 기판은 회전되고, 브러시(1320)가 기판 하부에서 측 방향으로 이동됨에 따라 기판의 하면이 물리적으로 세정된다.Referring to FIG. 16, the spin chuck 1200 is rotated as the support plate 1210 is operated. As the brush driver 1330 of the brush unit 1300 is operated, the brush 1320 is rotated, and the body 1310 is reciprocated in the lateral direction. In this case, the spin chuck 1200 and the brush driver 1330 rotate in opposite directions. The substrate is rotated and the bottom surface of the substrate is physically cleaned as the brush 1320 is moved laterally from the bottom of the substrate.

위와 같이 구성되는 본 발명의 일실시예에 의하면, 스핀 척(1320)과 브러시 유닛(1330)의 작동이 조합됨에 따라, 기판이 반전장치를 사용해 반전되지 않더라도 기판 하면 세정이 가능해 진다. 따라서, 반전장치를 통한 기판 반전 시 오작동 신호가 발생해 기판 처리 공정이 중단되고, 지연되던 문제점이 해결된다.According to the exemplary embodiment of the present invention configured as described above, as the operations of the spin chuck 1320 and the brush unit 1330 are combined, the substrate may be cleaned even if the substrate is not inverted using the inverter. Therefore, when the substrate is inverted through the inversion device, a malfunction signal is generated, and the substrate processing process is stopped and delayed.

이상 상세한 설명은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치를 바탕으로 상세히 설명하였다. 그러나 본 발명은 상술한 예에 한정되지 않으며, 기판을 처리하는 모든 장치에 적용 가능하다.The detailed description has been described in detail based on the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. However, the present invention is not limited to the example described above, and is applicable to any apparatus for processing a substrate.

앞서 상세한 설명에서는, 지지판(1210)의 중심에 미리 정해진 형상의 중공이 제공되는 것으로 설명하였으나, 지지판(1210)이 회전하지 않고, 지지판(1210) 상면에 복수의 척 핀(1220)을 지지하는 링이 제공되고, 링이 회전됨에 따라 기판이 회전될 수도 있을 것이다.In the above detailed description, a hollow having a predetermined shape is provided at the center of the support plate 1210, but the support plate 1210 does not rotate, and the ring supports the plurality of chuck pins 1220 on the upper surface of the support plate 1210. Is provided and the substrate may be rotated as the ring is rotated.

앞서 상세한 설명에서는, 척 핀(1220)이 길이방향 중심축을 중심으로 회전하며 대기 위치와 공정 위치를 이동하는 것으로 기재하였으나, 척 핀(1220)이 지지판(1210)에 누워있다가 지지판(1210)과 접하는 척 핀(1220)의 하단부를 중심으로 높이방향으로 회전하며 대기 위치와 공정 위치를 이동할 수 있을 것이다. 또한, 척 핀(1220)이 지지판(1210) 상면을 슬라이딩 이동하며, 대기 위치에서 공정 위치로 이동될 수도 있을 것이다.In the foregoing detailed description, although the chuck pins 1220 rotate about the central longitudinal axis and move the standby position and the process position, the chuck pins 1220 are laid on the support plate 1210 and are supported by the support plate 1210. Rotation in the height direction about the lower end of the contact chuck pin 1220 will be able to move the standby position and the process position. In addition, the chuck pins 1220 may slide on the upper surface of the support plate 1210 and may be moved from the standby position to the process position.

또한, 기판 하면 세정시 발생되는 먼지를 흡입하도록 하우징(1100) 측면 및 하면에 진공 펌프와 연결된 흡입구가 제공될 수도 있을 것이다. In addition, a suction port connected to a vacuum pump may be provided on the side and bottom of the housing 1100 to suck in dust generated during the lower surface of the substrate.

1000: 기판 하면 세정 유닛 1100: 하우징
1110: 처리 공간 1120: 기판 반출입구
1200: 스핀 척 1210: 지지판
1220: 척 핀 1221: 홈
1230: 핀 구동기 1300: 브러시 유닛
1310: 바디 1320: 브러시
1311: 오목부 1330: 브러시 구동기
1331: 회전 구동기 1332: 수평 구동기
1333: 수직 구동기 1340: 진공라인
1400: 제어기1000: substrate lower surface cleaning unit 1100: housing
1110: processing space 1120: substrate carrying in and out
1200: spin chuck 1210: support plate
1220: chuck pin 1221: groove
1230: pin driver 1300: brush unit
1310: body 1320: brush
1311: recess 1330: brush drive
1331: rotary drive 1332: horizontal drive
1333: vertical drive 1340: vacuum line
1400: controller

Claims (14)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
처리 공간을 가지는 하우징;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하고, 기판을 회전시키는 스핀 척;
상기 스핀 척에 놓인 상기 기판의 아래에 배치되어 상기 기판을 세정하는 브러시 유닛을 포함하며,
상기 브러시 유닛은,
바디;
상기 바디에 장착되는 브러시;
상기 바디를 상하 방향 및 기판과 평행한 방향으로 이동시키는 브러시 구동기를 포함하는 기판 처리 장치.
In the apparatus for processing a substrate,
A housing having a processing space;
A spin chuck supporting the substrate in the processing space and rotating the substrate;
A brush unit disposed under the substrate placed on the spin chuck to clean the substrate,
The brush unit,
body;
A brush mounted to the body;
And a brush driver for moving the body in a vertical direction and in a direction parallel to the substrate.
제1항에 있어서,
상기 브러시 구동기는,

상기 브러시를 회전시키는 회전 구동기와
상기 브러시를 상하 방향으로 이동시키는 수직구동기와; 그리고
상기 바디를 상기 기판과 평행한 방향으로 이동시키는 수평 구동기를 포함하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
The brush driver,

A rotary driver for rotating the brush
A vertical driver for moving the brush in a vertical direction; And
And a horizontal driver for moving the body in a direction parallel to the substrate.
제2항에 있어서,
상기 브러시는 상면이 기판의 하면과 평행하게 제공되는 기판 처리 장치.
The method of claim 2,
And the brush is provided with an upper surface parallel to the lower surface of the substrate.
제1항 내지 제3항 중 어느 하나에 있어서,
상기 브러시 유닛은,
상기 바디가 진공압에 의해 상기 기판을 지지 가능하도록 상기 바디에 진공압을 인가하는 진공라인을 더 포함하는 기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The brush unit,
And a vacuum line for applying a vacuum pressure to the body such that the body can support the substrate by vacuum pressure.
제4항에 있어서,
상기 바디의 상면에 오목부가 형성되고,
상기 브러시는 상기 오목부 내에 배치되고,
상기 진공라인은 상기 오목부에 진공을 인가하는 기판 처리 장치.
The method of claim 4, wherein
A recess is formed on the upper surface of the body,
The brush is disposed in the recess,
And the vacuum line applies a vacuum to the recess.
제5항에 있어서,
상기 오목부에 상기 브러시가 복수개 제공되고,
상기 진공라인은 상기 복수의 브러시 사이에 제공된 기판 처리 장치.
The method of claim 5,
A plurality of brushes are provided in the concave portion,
And the vacuum line is provided between the plurality of brushes.
제4항에 있어서,
상기 스핀 척은,
지지판;
공정 진행시 상기 지지판에 놓인 기판이 상기 지지판의 측방향으로 이동되는 것을 제한하는 척 핀과;
상기 스핀 척에 놓인 기판의 측면을 지지하는 공정 위치와 상기 스핀 척에 놓인 기판의 측면으로부터 이격되는 대기 위치 간에 상기 척 핀을 이동시키는 핀 구동기를 포함하고,
상기 척 핀에는 기판의 가장자리가 삽입되는 홈이 형성되는 기판 처리 장치.
The method of claim 4, wherein
The spin chuck,
Support plate;
A chuck pin for limiting the movement of the substrate placed on the support plate in the lateral direction of the support plate during the process;
A pin driver for moving the chuck pins between a process position for supporting a side of the substrate placed on the spin chuck and a standby position spaced apart from a side of the substrate placed on the spin chuck,
And a groove into which the edge of the substrate is inserted into the chuck pin.
제7항에 있어서,
상기 스핀 척과 상기 브러시 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는,
상기 하우징 외부의 반송 로봇으로부터 상기 브러시 유닛이 기판을 인수한 후, 기판을 상기 브러시 유닛에서 상기 스핀 척으로 인계하고,
상기 기판을 회전시키고, 상기 브러시 유닛을 수평 방향으로 이동시켜 상기 기판의 저면을 세정하도록 상기 스핀 척 및 상기 브러시 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
The method of claim 7, wherein
Further comprising a controller for controlling the spin chuck and the brush unit,
The controller,
After the brush unit takes over the substrate from the transfer robot outside the housing, the substrate is transferred from the brush unit to the spin chuck,
And control the spin chuck and the brush unit to rotate the substrate and move the brush unit in a horizontal direction to clean the bottom of the substrate.
제8항에 있어서,
상기 제어기는, 상기 반송 로봇으로부터 상기 브러시 유닛이 기판을 인수하고 상기 척핀에 기판이 체결되는 동안에는 상기 브러시 유닛에 진공압을 제공하고, 상기 브러시 유닛이 기판을 세정하는 동안에는 상기 브러시 유닛에 진공압을 차단하는 기판 처리 장치.
The method of claim 8,
The controller provides a vacuum pressure to the brush unit while the brush unit takes over the substrate from the transfer robot and the substrate is fastened to the chuck pin, and applies the vacuum pressure to the brush unit while the brush unit cleans the substrate. Substrate processing device for blocking.
제8항에 있어서,
상기 제어기는 상기 반송 로봇으로부터 상기 브러시 유닛이 기판을 인수시에는 상기 브러시 유닛을 상기 스핀 척으로부터 제1높이에 위치시키고, 상기 브러시 유닛이 상기 기판을 세정시에는 상기 브러시 유닛을 상기 스핀 척으로부터 제2높이에 위치시키되, 상기 제1높이는 상기 제2높이보다 높은 기판 처리 장치.
The method of claim 8,
The controller is configured to position the brush unit at a first height from the spin chuck when the brush unit picks up the substrate from the transfer robot, and removes the brush unit from the spin chuck when the brush unit cleans the substrate. 2. The substrate processing apparatus of claim 2, wherein the first height is higher than the second height.
제1항에 기재된 기판 처리 장치를 통해 기판을 세정하는 기판 처리 방법에 있어서,
상기 브러시 유닛이 반송 로봇으로부터 상기 기판을 인계 받고,
상기 브러시 유닛이 상기 기판을 상기 스핀 척으로 인계하고,
상기 기판이 회전 될 때, 상기 브러시를 회전시키고, 또한 상기 브러시를 측 방향으로 이동시켜 상기 기판의 하면을 세정하는 기판 처리 방법.
In the substrate processing method which wash | cleans a board | substrate through the substrate processing apparatus of Claim 1,
The brush unit takes over the substrate from a transfer robot,
The brush unit takes over the substrate with the spin chuck,
And rotating the brush when the substrate is rotated, and further cleaning the lower surface of the substrate by moving the brush laterally.
제11항에 있어서,
상기 브러시 유닛이, 상기 반송 로봇으로부터 상기 기판을 인계 받고, 상기 스핀 척에 인계하는 동안에는 상기 브러시 유닛에 진공압이 제공되고,
상기 브러시 유닛이 기판을 세정하는 동안에는 상기 브러시 유닛에 진공압 공급이 차단되는 기판 처리 방법.
The method of claim 11,
Vacuum pressure is provided to the brush unit while the brush unit takes over the substrate from the transfer robot and takes over the spin chuck.
And a vacuum pressure supply to the brush unit is blocked while the brush unit cleans the substrate.
제11항에 있어서,
상기 브러시 유닛의 상기 반송 로봇으로부터의 기판 인수시에는 상기 브러시 유닛이 상기 스핀 척으로부터 제1높이에 위치되고, 상기 브러시 유닛의 기판 세정시에는 상기 브러시 유닛이 상기 스핀 척으로부터 제2높이에 위치되되, 상기 제1높이는 상기 제2높이보다 높은 기판 처리 방법.
The method of claim 11,
The brush unit is positioned at a first height from the spin chuck when the brush unit is picked up from the carrier robot, and the brush unit is positioned at a second height from the spin chuck when the brush unit is cleaned of the substrate. And the first height is higher than the second height.
제11항에 있어서,
상기 기판의 하면이 세정될 때, 상기 기판과 상기 브러시 유닛은 서로 반대방향으로 회전하는 기판 처리 방법.The method of claim 11,
And when the lower surface of the substrate is cleaned, the substrate and the brush unit rotate in opposite directions to each other.
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