KR20190041863A - Electroluminescence display and driving method thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an electroluminescent display device and a driving method thereof. Each of the pixels comprises: a driving element driving a light emitting element; a first switch element turned on according to a first gate signal and supplying a data signal to a gate of the driving element; a first capacitor charging a gate-source voltage of the driving element; and a second capacitor connected between the second gate line and the gate of the driving element to apply an anti-phase signal to the gate of the driving element.

Description

전계 발광 표시장치와 그 구동 방법{ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY AND DRIVING METHOD THEREOF}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescent display device,

본 발명은 픽셀들을 구동하는 구동 소자를 구비하는 전계 발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electroluminescent display device having a driving element for driving pixels.

전계 발광 표시장치는 발광층의 재료에 따라 무기 발광 표시장치와 유기 발광 표시장치로 대별된다. 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)의 유기 발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode: 이하, "OLED"라 함)를 포함하며, 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. An electroluminescent display device is classified into an inorganic light emitting display device and an organic light emitting display device depending on the material of the light emitting layer. An active matrix type organic light emitting display device includes an organic light emitting diode (OLED) which emits light by itself, and has a high response speed, a high luminous efficiency, a high brightness and a wide viewing angle There are advantages.

유기 발광 표시장치의 픽셀들은 OLED와, 게이트-소스간 전압에 따라 OLED에 전류를 공급하여 OLED를 구동하는 구동소자를 포함한다. 유기 발광 표시장치의 OLED는 애노드 및 캐소드와, 이 전극들 사이에 형성된 유기 화합물층을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)으로 이루어진다. OLED에 전류가 흐를 때 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자가 형성되고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생하게 된다. The pixels of the organic light emitting display include an OLED and a driving element for driving the OLED by supplying current to the OLED according to the gate-source voltage. An OLED of an organic light emitting display includes an anode and a cathode, and an organic compound layer formed between the electrodes. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer EIL). When a current flows through the OLED, holes passing through the hole transport layer (HTL) and electrons passing through the electron transport layer (ETL) are transferred to the emission layer (EML) to form excitons. As a result, the emission layer (EML) generates visible light .

구동 소자는 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor) 구조의 트랜지스터로 구현될 수 있다. 구동 소자는 모든 픽셀들 간에 그 전기적 특성이 균일하여야 하지만 공정 편차와 소자 특성 편차로 인하여 픽셀들 간에 차이가 있을 수 있고 디스플레이 구동 시간의 경과에 따라 변할 수 있다. 이러한 구동 소자의 전기적 특성 편차를 보상하기 위해, 전계 발광 표시장치에 내부 보상 방법과 외부 보상 방법이 적용될 수 있다. 내부 보상 방법은 구동 소자의 전기적 특성에 따라 변하는 구동 소자의 게이트-소스 간 전압(Vgs)을 샘플링하고 그 게이트-소스간 전압 만큼 데이터 전압을 보상한다. 외부 보상 방법은 구동 소자의 전기적 특성에 따라 변하는 픽셀의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압을 바탕으로 외부 회로에서 입력 영상의 데이터를 변조함으로써 픽셀들 간 구동 소자의 전기적 특성 편차를 보상한다.The driving device may be implemented by a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) structure transistor. The driving device should have uniform electrical characteristics among all the pixels, but there may be a difference between the pixels due to the process deviation and the device characteristic deviation, and may vary with the elapse of the display driving time. An internal compensation method and an external compensation method may be applied to the electroluminescence display device to compensate for the deviation of electrical characteristics of the driving device. The internal compensation method samples the gate-source voltage (Vgs) of the driving device which varies depending on the electrical characteristics of the driving device and compensates the data voltage by the gate-source voltage thereof. The external compensation method senses the voltage of a pixel which changes according to the electrical characteristics of the driving element and compensates the electrical characteristic deviation of the driving element between the pixels by modulating the data of the input image in the external circuit based on the sensed voltage.

계 발광 표시장치의 픽셀 회로는 신호 배선들에 연결된 다수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 이러한 트랜지스터의 게이트에 인가되는 게이트 신호의 전압이 변할 때 이 트랜지스터의 게이트-소스간 기생 용량으로 인하여 발생되는 킥백(kick back)으로 인하여 구동 소자용 트랜지스터의 게이트-소스간 전압(Vgs)이 낮아질 수 있다. 구동 소자의 게이트-소스간 전압(Vgs)의 감소는 OLED의 전류 감소를 초래하여 픽셀들의 휘도 저하를 초래한다. 트랜지스터의 기생 용량으로 인한 킥백은 표시패널의 화면 상에 게이트 신호의 지연양이 달라지는 경우에, 표시패널의 위치에 따라 휘도 차이가 커지게 하는 하나의 원인으로 작용한다. The pixel circuit of the light emitting display may include a plurality of transistors coupled to the signal lines. When the voltage of the gate signal applied to the gate of this transistor is changed, the gate-source voltage (Vgs) of the transistor for the driving element can be lowered due to the kick back caused by the parasitic capacitance between the gate and the source of the transistor have. A decrease in the gate-source voltage (Vgs) of the driving element causes a decrease in the current of the OLED, resulting in a decrease in brightness of the pixels. Kickback due to the parasitic capacitance of the transistor serves as a cause of increasing the luminance difference depending on the position of the display panel when the delay amount of the gate signal varies on the screen of the display panel.

따라서, 본 발명은 픽셀 회로에서 킥백 전압의 영향을 줄이고 화면의 휘도 균일도를 향상할 수 있는 전계 발광 표시장치와 그 구동 방법을 제공한다. Accordingly, the present invention provides an electroluminescent display device and a driving method thereof that can reduce the influence of a kickback voltage in a pixel circuit and improve brightness uniformity of a screen.

본 발명의 전계 발광 표시장치는 데이터 라인들과 게이트 라인들이 교차되고 다수의 서브 픽셀들이 배치된 표시패널, 데이터 신호를 상기 데이터 라인들에 공급하는 데이터 구동부, 및 제1 게이트 신호를 제1 게이트 라인에 공급하고, 상기 제1 게이트 신호에 대한 역위상 신호를 제2 게이트 라인에 공급하는 게이트 구동부를 구비한다. An electroluminescent display of the present invention includes a display panel in which data lines and gate lines are crossed and a plurality of sub-pixels are arranged, a data driver that supplies a data signal to the data lines, And a gate driver for supplying an opposite phase signal to the first gate signal to the second gate line.

상기 서브 픽셀들 각각은 발광 소자를 구동하는 구동 소자, 상기 제1 게이트 신호에 따라 턴-온되어 상기 데이터 신호를 상기 구동 소자의 게이트에 공급하는 제1 스위치 소자, 상기 구동 소자의 게이트-소스간 전압을 충전하는 제1 커패시터, 및 상기 제2 게이트 라인과 상기 구동 소자의 게이트 사이에 연결되어 상기 역위상 신호를 상기 구동 소자의 게이트에 인가하는 제2 커패시터를 포함한다. Each of the subpixels includes a driving element for driving the light emitting element, a first switch element turned on according to the first gate signal to supply the data signal to the gate of the driving element, And a second capacitor connected between the second gate line and the gate of the driving element to apply the opposite phase signal to the gate of the driving element.

상기 제2 게이트 라인의 폭이 상기 제2 커패시터에서 다른 위치에 비하여 넓다. The width of the second gate line is larger than the other positions in the second capacitor.

상기 게이트 구동부는 제2 게이트 신호를 제3 게이트 라인에 공급한다. The gate driver supplies a second gate signal to the third gate line.

상기 서브 픽셀들 각각은 상기 제2 게이트 신호에 따라 턴-온되어 상기 구동 소자를 센싱 라인에 연결하는 제2 스위치 소자, 및 상기 제2 게이트 라인과 상기 구동 소자의 소스 사이에 연결되어 상기 역위상 신호를 상기 구동 소자의 소스에 인가하는 제3 커패시터를 더 포함한다. Each of the subpixels being turned on in accordance with the second gate signal to connect the driving element to the sensing line and a second switch element connected between the second gate line and the source of the driving element, And a third capacitor for applying a signal to the source of the driving element.

상기 제2 게이트 라인의 폭이 상기 제3 커패시터에서 다른 위치에 비하여 넓다. And the width of the second gate line is larger than the other positions in the third capacitor.

상기 제2 게이트 신호가 상기 제1 게이트 신호 보다 먼저 게이트 온 전압으로 발생되고, 상기 제1 게이트 신호와 동시에 게이트 오프 전압으로 반전된다.  The second gate signal is generated at a gate-on voltage before the first gate signal, and is inverted to a gate-off voltage simultaneously with the first gate signal.

본 발명의 전계 발광 표시장치에서, 서브 픽셀들 각각은 발광 소자를 구동하는 구동 소자, 상기 제1 게이트 신호에 따라 턴-온되어 상기 데이터 신호를 상기 구동 소자의 게이트에 공급하는 제1 스위치 소자, 상기 제2 게이트 신호에 따라 턴-온되어 상기 구동 소자를 센싱 라인에 연결하는 제2 스위치 소자, 상기 구동 소자의 게이트-소스간 전압을 충전하는 제1 커패시터, 상기 제3 게이트 라인과 상기 구동 소자의 게이트 사이에 연결되어 상기 역위상 신호를 상기 구동 소자의 게이트에 인가하는 제2 커패시터, 및 상기 제2 게이트 라인과 상기 구동 소자의 소스 사이에 연결되어 상기 역위상 신호를 상기 구동 소자의 소스에 인가하는 제3 커패시터를 포함한다. In the electroluminescent display device of the present invention, each of the subpixels includes a driving element for driving the light emitting element, a first switch element turned on according to the first gate signal to supply the data signal to the gate of the driving element, A first capacitor for turning on the second gate signal to connect the driving element to the sensing line, a first capacitor for charging the gate-source voltage of the driving element, a second capacitor connected to the third gate line, Phase signal to the gate of the driving element and a second capacitor connected between the gate of the driving element and the opposite gate of the driving element to apply the opposite phase signal to the gate of the driving element, And a third capacitor to which the second capacitor is applied.

본 발명은 서브 픽셀들에 게이트 신호의 역위상으로 발생되는 역위상 신호를 커패시터를 통해 서브 픽셀들에 인가하여 게이트 신호의 전압이 변할 때 구동 소자의 전압에서 발생되는 킥백 전압을 최소화함으로써 화면 상에서 휘도를 균일하게 할 수 있다. The present invention applies a reverse-phase signal generated in the opposite phase of a gate signal to subpixels to a subpixel through a capacitor to minimize a kickback voltage generated in a voltage of a driving device when a voltage of the gate signal changes, Can be made uniform.

나아가, 본 발명은 게이트 신호를 변조하지 않고 구형파 형태의 게이트 신호를 적용하더라도 화면 전체에서 휘도를 균일하게 할 수 있다.Furthermore, even if a gate signal of a rectangular wave form is applied without modulating the gate signal, the present invention can make the luminance uniform throughout the screen.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시장치를 보여 주는 블록도이다.
도 2는 픽셀 회로와 픽셀 회로에 연결된 센싱 경로를 보여 주는 회로도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 픽셀 회로를 나타내는 회로도이다.
도 4는 도 3에 도시된 픽셀 회로의 평면 구조를 상세히 보여 주는 도면이다.
도 5는 도 3 및 도 6에 도시된 픽셀 회로의 동작을 보여 주는 파형도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 픽셀 회로를 나타내는 회로도이다.
도 7은 도 3에 도시된 픽셀 회로의 평면 구조를 상세히 보여 주는 도면이다.
도 8a 및 도 8b는 게이트 신호의 파형을 보여 주는 파형도이다.
1 is a block diagram showing an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram showing a sensing path connected to a pixel circuit and a pixel circuit;
3 is a circuit diagram showing a pixel circuit according to the first embodiment of the present invention.
4 is a detailed view showing the planar structure of the pixel circuit shown in FIG.
5 is a waveform diagram showing the operation of the pixel circuit shown in Figs. 3 and 6. Fig.
6 is a circuit diagram showing a pixel circuit according to a second embodiment of the present invention.
7 is a detailed view showing a planar structure of the pixel circuit shown in FIG.
8A and 8B are waveform diagrams showing waveforms of gate signals.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. It will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the following claims and their equivalents. To fully disclose the scope of the invention, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명은 도면에 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 실질적으로 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited to those shown in the drawings. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description of the present invention, detailed description of known related arts will be omitted when it is determined that the gist of the present invention may be unnecessarily blurred.

본 명세서 상에서 언급된 "구비한다", "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 ' ~ 만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수로 해석될 수 있다. Where the term "comprises", "comprising", "having", "having", or the like is used herein, other parts may be added as long as "only" is not used. The singular forms of the components may be construed in plural unless otherwise expressly stated.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, ' ~ 상에', ' ~ 상부에', ' ~ 하부에', ' ~ 옆에' 등으로 두 구성요소들 간에 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 그 구성요소들 사이에 하나 이상의 다른 구성 요소가 개재될 수 있다. In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two components is described as 'on', 'on top', 'under', or 'next to' Quot; directly " or " direct " may be interposed between those components that are not used.

구성 요소들을 구분하기 위하여 제1, 제2 등이 사용될 수 있으나, 이 구성 요소들은 구성 요소 앞에 붙은 서수나 구성 요소 명칭으로 그 기능이나 구조가 제한되지 않는다. 예컨대, 도 4의 픽셀 회로에서 구성 요소들 앞에 붙여진 제1, 제2, 제3 및 제4와 같은 서수는 스위치 소자들(S1~S4)을 통해 데이터 라인들에 순차적으로 충전되는 순서를 기준으로 붙여진 것이다. The first, second, etc. may be used to distinguish the components, but these components are not limited to the function or structure of the component or the names of components attached to the components. For example, the ordinal numbers such as the first, second, third, and fourth prefixed to the elements in the pixel circuit of Fig. 4 are based on the order in which the data lines are sequentially charged through the switch elements S1 to S4 It is attached.

이하의 실시예들은 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하다. 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.The following embodiments can be combined or combined with each other partly or entirely, and technically various interlocking and driving are possible. Each embodiment may be feasible independently of one another and may be feasible in conjunction.

본 발명의 전계 발광 표시장치에서 픽셀 회로는 구동 소자와 스위치 소자를 포함한다. 구동 소자와 스위치 소자는 n 타입 트랜지스터(NMOS)와 p 타입 트랜지스터(PMOS) 중 하나 이상의 트랜지스터로 구현될 수 있다. 표시패널 상에서 트랜지스터는 TFT(thin film transistor)로 구현될 수 있다. 트랜지스터는 산화물 반도체 패턴을 갖는 Oxide 트랜지스터 또는, 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly-Silicon, LTPS) 반도체 패턴을 갖는 LTPS 트랜지스터로 구현될 수 있다. 트랜지스터는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. 트랜지스터 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 트랜지스터에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 트랜지스터에서 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. n 타입 트랜지스터(NMOS)의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 타입 트랜지스터(NMOS)에서 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. p 타입 트랜지스터(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 타입 트랜지스터(PMOS)에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. 트랜지스터의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 예컨대, 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 따라서, 트랜지스터의 소스와 드레인으로 인하여 발명이 제한되지 않는다. 이하의 설명에서 트랜지스터의 소스와 드레인을 제1 및 제2 전극으로 칭하기로 한다.In the electroluminescent display device of the present invention, the pixel circuit includes a driving element and a switching element. The driving element and the switching element may be implemented by at least one of an n-type transistor (NMOS) and a p-type transistor (PMOS). The transistors on the display panel can be implemented as thin film transistors (TFTs). The transistor may be an oxide transistor having an oxide semiconductor pattern or an LTPS transistor having a low temperature poly-silicon (LTPS) semiconductor pattern. A transistor is a three-electrode device including a gate, a source, and a drain. The source is an electrode that supplies a carrier to the transistor. Within the transistor, the carriers begin to flow from the source. The drain is an electrode from which the carrier exits from the transistor. The flow of carriers from the transistor flows from the source to the drain. In the case of an n-type transistor (NMOS), since the carrier is an electron, the source voltage has a voltage lower than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain. In the n-type transistor (NMOS), the direction of the current flows from the drain to the source side. In the case of a p-type transistor (PMOS), since the carrier is a hole, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. In a p-type transistor (PMOS), a current flows from the source to the drain because the holes flow from the source to the drain. It should be noted that the source and drain of the transistor are not fixed. For example, the source and the drain may be changed depending on the applied voltage. Therefore, the invention is not limited by the source and the drain of the transistor. In the following description, the source and the drain of the transistor will be referred to as first and second electrodes.

스위치 소자들로 이용되는 트랜지스터의 게이트 신호는 게이트 온 전압(Gate On Voltage)과 게이트 오프 전압(Gate Off Voltage) 사이에서 스윙한다. 게이트 온 전압은 트랜지스터의 문턱 전압 보다 높은 전압으로 설정되며, 게이트 오프 전압은 트랜지스터의 문턱 전압 보다 낮은 전압으로 설정된다. 트랜지스터는 게이트 온 전압에 응답하여 턴-온(turn-on)되는 반면, 게이트 오프 전압에 응답하여 턴-오프(turn-off)된다. n 타입 트랜지스터(NMOS)의 경우에, 게이트 온 전압은 게이트 하이 전압(Gate High Voltage, VGH)이고, 게이트 오프 전압은 게이트 로우 전압(Gate Low Voltage, VGL)일 수 있다. p 타입 트랜지스터(PMOS)의 경우에, 게이트 온 전압은 게이트 로우 전압(VGL)이고, 게이트 오프 전압은 게이트 하이 전압(VGH)일 수 있다.The gate signal of the transistor used as the switching elements swings between the gate on voltage and the gate off voltage. The gate-on voltage is set to a voltage higher than the threshold voltage of the transistor, and the gate-off voltage is set to a voltage lower than the threshold voltage of the transistor. The transistor is turned on in response to the gate-on voltage, while it is turned off in response to the gate-off voltage. In the case of an n-type transistor (NMOS), the gate-on voltage may be a gate high voltage (VGH) and the gate-off voltage may be a gate low voltage (VGL). In the case of a p-type transistor (PMOS), the gate-on voltage may be the gate-low voltage (VGL) and the gate-off voltage may be the gate high voltage (VGH).

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다. 이하의 실시예들에서, 전계 발광 표시장치는 유기 발광 물질을 포함한 유기발광 표시장치를 중심으로 설명한다. 본 발명의 기술적 사상은 유기발광 표시장치에 국한되지 않고, 무기발광 물질을 포함한 무기발광 표시장치에 적용될 수 있다.Various embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following embodiments, an electroluminescent display device will be described mainly with respect to an organic light emitting display device including an organic light emitting material. The technical idea of the present invention is not limited to the organic light emitting display, but can be applied to an inorganic light emitting display including an inorganic light emitting material.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시장치를 보여 주는 블록도이다. 도 2는 픽셀 회로에 연결된 센싱 경로를 보여 주는 회로도이다. 1 is a block diagram showing an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention. 2 is a circuit diagram showing a sensing path connected to a pixel circuit;

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시장치는 표시패널(100)과, 표시패널 구동회로를 포함한다. 1 and 2, an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel 100 and a display panel driving circuit.

표시패널(100)의 화면은 입력 영상을 표시하는 액티브 영역(AA)을 포함한다. 액티브 영역(AA)에 픽셀 어레이가 배치된다. 픽셀 어레이는 다수의 데이터 라인들(102), 데이터 라인들(102)과 교차되는 다수의 게이트 라인들(104), 및 매트릭스 형태로 배치되는 픽셀들을 포함한다. The screen of the display panel 100 includes an active area AA for displaying an input image. A pixel array is arranged in the active area AA. The pixel array includes a plurality of data lines 102, a plurality of gate lines 104 intersecting the data lines 102, and pixels arranged in a matrix.

픽셀들 각각은 컬러 구현을 위하여 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀, 청색 서브 픽셀로 나뉘어질 수 있다. 픽셀들 각각은 백색 서브 픽셀을 더 포함할 수 있다. 서브 픽셀들(101) 각각은 도 3 내지 도 7과 같은 픽셀 회로를 포함한다. 본 발명은 서브 픽셀에 연결된 제1 게이트 라인에 게이트 신호를 인가하고 이와 동시에, 게이트 신호에 대한 역위상 신호를 게이트 신호와 동시에 서브 픽셀에 연결된 제2 게이트 라인에 인가하여 상기 서브 픽셀의 킥백 전압을 억제한다. 이에 대하여는 도 3 내지 도 7을 결부하여 상세히 설명하기로 한다. Each of the pixels may be divided into a red subpixel, a green subpixel, and a blue subpixel for color implementation. Each of the pixels may further include a white subpixel. Each of the subpixels 101 includes a pixel circuit as shown in Figs. The present invention applies a gate signal to a first gate line connected to a subpixel and at the same time applies a reverse phase signal to a gate signal to a second gate line connected to a subpixel simultaneously with a gate signal to generate a kickback voltage . This will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 7. FIG.

표시패널(100) 상에 터치 센서들이 배치될 수 있다. 터치 입력은 별도의 터치 센서들을 이용하여 센싱되거나 픽셀들을 통해 센싱될 수 있다. 터치 센서들은 온-셀(On-cell type) 또는 애드 온 타입(Add on type)으로 표시패널의 화면 상에 배치되거나 픽셀 어레이에 내장되는 인-셀(In-cell type) 터치 센서들로 구현될 수 있다. Touch sensors may be disposed on the display panel 100. The touch input may be sensed using separate touch sensors or may be sensed through pixels. The touch sensors may be implemented as in-cell type touch sensors disposed on the screen of a display panel or embedded in a pixel array as an on-cell type or an add-on type .

표시패널 구동회로(110, 112, 120)는 데이터 구동부(110)와 게이트 구동부(120)를 구비한다. 데이터 구동부(110)와 데이터 라인들(102) 사이에 배치된 디멀티플렉서(112)가 배치될 수 있다. The display panel drive circuits 110, 112, and 120 include a data driver 110 and a gate driver 120. A demultiplexer 112 disposed between the data driver 110 and the data lines 102 may be disposed.

표시패널 구동회로(110, 112, 120)는 디스플레이 구동 기간 동안 타이밍 콘트롤러(Timing controller, TCON)(130)의 제어 하에 표시패널(100)의 픽셀들에 입력 영상의 데이터를 기입하여 화면 상에 입력 영상을 표시한다. 표시패널 구동회로는 터치 센서들을 구동하기 위한 터치 센서 구동부를 더 구비할 수 있다. 터치 센서 구동부는 도 1에서 생략되어 있다. 모바일 기기나 웨어러블 기기에서 표시패널 구동회로, 타이밍 콘트롤러(130) 그리고 전원 회로는 하나의 집적 회로에 집적될 수 있다. The display panel driving circuits 110, 112 and 120 write data of the input image to the pixels of the display panel 100 under the control of a timing controller (TCON) 130 during a display driving period, Display the image. The display panel driving circuit may further include a touch sensor driving unit for driving the touch sensors. The touch sensor driving unit is omitted in Fig. In a mobile device or a wearable device, the display panel driving circuit, the timing controller 130, and the power supply circuit can be integrated into one integrated circuit.

데이터 구동부(110)는 도 2에 도시된 바와 같이 디지털-아날로그 변환기(Digital to Analog converter, 이하 DAC라 함)를 이용하여 매 프레임 기간마다 타이밍 콘트롤러(130)로부터 수신되는 입력 영상의 디지털 데이터를 감마 보상 전압으로 변환하여 데이터 전압을 출력한다. 데이터 전압은 디멀티플렉서(112)와 데이터 라인(102)을 통해 픽셀들에 인가된다. 디멀티플렉서(112)는 다수의 스위치 소자들을 이용하여 데이터 구동부(110)와 데이터 라인들(102) 사이에 배치되어 데이터 구동부(110)로부터 출력되는 데이터 전압을 데이터 라인들(102)로 분배한다. 디멀티플렉서(112)에 의해 데이터 구동부(110)의 한 채널이 다수의 데이터 라인들에 시분할 연결되기 때문에 데이터 라인들(102)의 개수가 감소될 수 있다. 2, the data driver 110 converts digital data of an input image received from the timing controller 130 every frame period using a digital-to-analog converter (DAC) And outputs the data voltage. The data voltage is applied to the pixels through the demultiplexer 112 and the data line 102. The demultiplexer 112 is disposed between the data driver 110 and the data lines 102 using a plurality of switch elements and distributes the data voltages output from the data driver 110 to the data lines 102. The number of data lines 102 can be reduced because one channel of the data driver 110 is time-division-connected to the plurality of data lines by the demultiplexer 112.

게이트 구동부(120)는 액티브 영역의 트랜지스터 어레이와 함께 표시패널(100) 상의 베젤(bezel) 영역 상에 직접 형성되는 GIP(Gate in panel) 회로로 구현될 수 있다. 게이트 구동부(120)는 타이밍 콘트롤러(130)의 제어 하에 게이트 신호를 게이트 라인들(104)로 출력한다. 게이트 구동부(120)는 시프트 레지스터(Shift register)를 이용하여 게이트 신호를 시프트시킴으로써 그 신호들을 게이트 라인들(104)에 순차적으로 공급할 수 있다. 게이트 신호는 스캔 신호(SCAN)와 센싱 신호(SENSE)를 포함한다. 스캔 신호(SCAN)는 데이터 전압에 동기되어 데이터 전압이 인가되는 픽셀들을 선택한다. 센싱 신호(SENSE)는 스캔 신호(SCAN)에 동기된다. 센싱 신호(SECSE)는 외부 보상 방법에서 픽셀들에 형성된 구동 소자(DT)의 전기적 특성이 센싱되는 픽셀들을 선택한다. 구동 소자의 전기적 특성은 이동도(mobility, μ)와 문턱 전압(Vth)을 포함한다. The gate driver 120 may be implemented as a gate in panel (GIP) circuit formed directly on the bezel region on the display panel 100 together with the transistor array of the active region. The gate driver 120 outputs a gate signal to the gate lines 104 under the control of the timing controller 130. The gate driver 120 may sequentially shift the gate signals to the gate lines 104 by shifting the gate signals using a shift register. The gate signal includes the scan signal SCAN and the sense signal SENSE. The scan signal SCAN selects pixels to which the data voltage is applied in synchronization with the data voltage. The sensing signal SENSE is synchronized with the scan signal SCAN. The sensing signal SECSE selects pixels whose electrical characteristics of the driving elements DT formed on the pixels in the external compensation method are sensed. The electrical characteristics of the driving device include the mobility () and the threshold voltage (Vth).

스캔 신호(SCAN)와 센싱 신호(SENSE)는 도 5의 예와 같이 발생될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 도 5의 예에서, 센싱 신호(SENSE)는 스캔 신호(SCAN) 보다 앞서 게이트 온 전압(VGH)으로 발생되고 스캔 신호(SCAN)와 동시에 게이트 오프 전압(VGL)으로 반전된다. The scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be generated as in the example of FIG. 5, but are not limited thereto. In the example of FIG. 5, the sensing signal SENSE is generated at the gate-on voltage VGH before the scan signal SCAN and is inverted to the gate-off voltage VGL at the same time as the scan signal SCAN.

외부 보상 방법은 센싱 신호(SENSE)를 이용하여 픽셀 회로를 센싱 라인(103)에 연결하여 구동 소자의 문턱 전압(Vth) 또는 이동도(μ)를 센싱할 수 있다. 센싱 방법은 제품 출하전과 제품 출하 후로 나뉘어진다. 제품 출하전에 픽셀들에 연결된 센싱 경로를 통해 서브 픽셀들 각각에서 구동 소자(DT)의 문턱 전압이 센싱된 후에, 이 센싱 결과를 바탕으로 모든 서브 픽셀들에서 문턱 전압 편차가 보상된다. 그리고 서브 픽셀들 각각에서 구동 소자(DT)의 이동도가 센싱되어 이동도 편차가 보상된다. The external compensation method can sense the threshold voltage (Vth) or the mobility (μ) of the driving element by connecting the pixel circuit to the sensing line (103) using the sensing signal (SENSE). Sensing methods are divided between before shipment and after shipment. After the threshold voltage of the driving element DT is sensed in each of the subpixels through the sensing path connected to the pixels before shipment of the product, the threshold voltage deviation is compensated in all the subpixels based on the sensing result. Then, the mobility of the driving device DT is sensed in each of the subpixels to compensate for the mobility deviation.

제품 출하 후 센싱 방법은 파워 온 시퀀스(Power ON sequence), 버티컬 블랭크 구간(Vertical blank, VB), 및 파워 오프 시퀀스(Power OFF sequence)에서 실행된다. 파워 오프 시퀀스에서 표시패널 구동회로와 센싱 경로는 파워 오프 신호 수신 후, 미리 설정된 지연 시간 동안 더 구동되어 서브 픽셀들 각각에서 구동 소자의 문턱 전압(Vth)을 센싱한다. The post-shipment sensing method is executed in a power ON sequence, a vertical blank (VB), and a power off sequence (Power OFF sequence). In the power-off sequence, the display panel driving circuit and sensing path are further driven for a predetermined delay time after receiving the power-off signal to sense the threshold voltage (Vth) of the driving element in each of the subpixels.

타이밍 콘트롤러(130)는 도시하지 않은 호스트 시스템으로부터 입력 영상의 디지털 비디오 데이터(DATA)와, 그와 동기되는 타이밍 신호를 수신한다. 타이밍 신호는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 클럭 신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등을 포함한다. 호스트 시스템은 TV(Television) 시스템, 셋톱박스, 네비게이션 시스템, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템, 모바일 기기, 웨어러블 기기 중 어느 하나일 수 있다.The timing controller 130 receives digital video data (DATA) of an input video from a host system (not shown) and a timing signal synchronized with the digital video data (DATA). The timing signal includes a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, a clock signal DCLK, and a data enable signal DE. The host system can be any one of a TV (Television) system, a set-top box, a navigation system, a personal computer (PC), a home theater system, a mobile device, and a wearable device.

타이밍 콘트롤러(130)는 노말 구동 모드에서 프레임 레이트(Frame rate)를 입력 프레임 주파수 보다 높게 조정할 수 있다. 예를 들어, 타이밍 콘트롤러(130)는 입력 프레임 주파수를 i 배 체배하여 프레임 주파수×i(i는 0 보다 큰 양의 정수) Hz의 프레임 주파수로 표시패널 구동부(110, 112, 120)의 동작 타이밍을 제어할 수 있다. 프레임 주파수는 NTSC(National Television Standards Committee) 방식에서 60Hz이며, PAL(Phase-Alternating Line) 방식에서 50Hz이다. 타이밍 콘트롤러(130)는 저소비 전력 구동 모드에서 프레임 주파수를 1Hz ~ 30Hz 사이의 주파수로 낮출 수 있다. The timing controller 130 can adjust the frame rate to be higher than the input frame frequency in the normal driving mode. For example, the timing controller 130 multiplies the input frame frequency by i times and outputs the operation timing of the display panel driving units 110, 112, and 120 to the frame frequency x i (i is a positive integer larger than 0) Can be controlled. The frame frequency is 60 Hz in the National Television Standards Committee (NTSC) system and 50 Hz in the PAL (Phase-Alternating Line) system. The timing controller 130 can lower the frame frequency to a frequency between 1 Hz and 30 Hz in a low power consumption driving mode.

타이밍 콘트롤러(130)는 호스트 시스템으로부터 수신된 타이밍 신호(Vsync, Hsync, DE)를 바탕으로 데이터 구동부(110)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호, 디멀티플렉서(112)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스위치 제어신호, 센싱 경로의 스위치 소자 제어신호, 게이트 구동부(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호를 발생하여 표시패널 구동회로(110, 112, 120)의 동작 타이밍을 제어한다. 타이밍 콘트롤러(130)로부터 출력된 게이트 타이밍 제어신호의 전압 레벨은 도시하지 않은 레벨 시프터를 통해 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압으로 변환되어 게이트 구동부(120)에 공급될 수 있다. 레벨 시프터는 게이트 타이밍 제어신호의 로우 레벨 전압(low level voltage)을 게이트 로우 전압(VGL)으로 변환하고, 게이트 타이밍 제어신호의 하이 레벨 전압(high level voltage)을 게이트 하이 전압(VGH)으로 변환한다. The timing controller 130 controls the operation timing of the demultiplexer 112 and the data timing control signal for controlling the operation timing of the data driver 110 based on the timing signals Vsync, Hsync and DE received from the host system A switching element control signal for the sensing path, and a gate timing control signal for controlling the operation timing of the gate driving unit 120 to control the operation timings of the display panel driving circuits 110, 112 and 120. The voltage level of the gate timing control signal output from the timing controller 130 may be converted into a gate-on voltage and a gate-off voltage through a level shifter (not shown) and supplied to the gate driver 120. The level shifter converts the low level voltage of the gate timing control signal to the gate low voltage VGL and converts the high level voltage of the gate timing control signal to the gate high voltage VGH .

센싱 경로는 도 2에 도시된 바와 같이 센싱 라인(103), 아날로그-디지털 변환기(Analog to Digital Convertor, 이하 “ADC”라 함), 및 제1 및 제2 스위치 소자(M1, M2) 등을 포함할 수 있다. 센싱 경로는 구동 소자(DT)의 소스 전압을 센싱하여 구동 소자의 전기적 특성을 센싱할 수 있다. 제1 스위치 소자(M1)는 소정의 기준 전압(Vref)을 센싱 라인(103)에 공급하여 구동 소자(DT)의 소스 전압을 기준 전압(Vref)으로 초기화한다. 제2 스위치 소자(M2)는 제1 스위치 소자(M1)가 턴-오프(turn-off)된 후에 턴-온되어 구동 소자(DT)의 소스 전압을 ADC에 공급한다. ADC는 아날로그 센싱 전압을 디지털 센싱 데이터로 변환하여 보상부(131)로 전송한다. 구동 소자(DT)의 소스 전압은 센싱 방법에 따라 구동 소자(DT)의 문턱 전압 또는 이동도를 나타낼 수 있다. 센싱 경로를 통해 구동 소자(DT)의 문턱 전압을 센싱하는 방법이나 센싱 경로를 통해 구동 소자(DT)의 이동도를 센싱하는 방법은 공지된 센싱 방법을 이용할 수 있다. ADC는 DAC와 함께 데이터 구동부(110)의 IC(integrated circuit)에 집적될 수 있다. The sensing path includes a sensing line 103, an analog to digital converter (ADC), and first and second switch elements M1 and M2 as shown in FIG. 2 can do. The sensing path can sense the source voltage of the driving device DT and sense the electrical characteristics of the driving device. The first switch element M1 supplies a predetermined reference voltage Vref to the sensing line 103 to initialize the source voltage of the driving element DT to the reference voltage Vref. The second switch element M2 is turned on after the first switch element M1 is turned off and supplies the source voltage of the drive element DT to the ADC. The ADC converts the analog sensing voltage into digital sensing data and transmits it to the compensation unit 131. The source voltage of the driving device DT may indicate the threshold voltage or mobility of the driving device DT according to the sensing method. A well-known sensing method can be used for sensing the threshold voltage of the driving element DT through the sensing path or sensing the mobility of the driving element DT through the sensing path. The ADC may be integrated with an integrated circuit (IC) of the data driver 110 together with the DAC.

보상부(131)에는 서브 픽셀들 각각에서 구동 소자의 문턱 전압(Vth)과 이동도(μ)를 보상하기 위한 보상값들이 저장되어 있다. 보상부(131)는 ADC를 통해 수신된 디지털 센싱 데이터에 따라 미리 설정된 보상값을 선택하고 이 보상값을 입력 영상의 픽셀 데이터(디지털 데이터)에 더하거나 곱하여 픽셀 데이터를 보상한다. 이렇게 보상된 픽셀 데이터는 데이터 구동부(110)로 전송되어 데이터 구동부(110)의 DAC에 의해 데이터 전압(Vdata)으로 변환되어 데이터 라인(102)으로 공급된다. 픽셀 회로의 구동 소자(DT)는 데이터 라인(102)을 통해 공급되는 데이터 전압(Vdata)으로 구동되어 전류를 발생된다. 구동 소자(DT)를 통해 발광 소자인 OLED로 흐르는 전류는 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)에 따라 결정된다. 보상부(131)는 타이밍 콘트롤러(130) 내의 연산 회로로 구현될 수 있다. The compensation unit 131 stores compensation values for compensating the threshold voltage Vth and the mobility μ of the driving device in each of the sub-pixels. The compensation unit 131 selects a preset compensation value according to the digital sensing data received through the ADC and compensates the pixel data by adding or multiplying the compensation value to or from the pixel data (digital data) of the input image. The compensated pixel data is transferred to the data driver 110, converted into a data voltage Vdata by the DAC of the data driver 110, and supplied to the data line 102. The driving element DT of the pixel circuit is driven by the data voltage Vdata supplied through the data line 102 to generate a current. The current flowing through the driving element DT to the OLED which is the light emitting element is determined according to the gate-source voltage Vgs of the driving element DT. The compensation unit 131 may be implemented as an operation circuit in the timing controller 130.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 픽셀 회로를 나타내는 회로도이다. 도 4는 도 3에 도시된 픽셀 회로의 평면 구조를 상세히 보여 주는 도면이다. 도 4에서 “R”, “W”, “B” 및 “G”는 서브 픽셀들(101)의 컬러이다. D1~D4는 데이터 라인들(102)에 인가되는 데이터 전압이다. 3 is a circuit diagram showing a pixel circuit according to the first embodiment of the present invention. 4 is a detailed view showing the planar structure of the pixel circuit shown in FIG. In FIG. 4, "R", "W", "B" and "G" are the colors of the subpixels 101. And D1 to D4 are data voltages applied to the data lines 102. [

도 3 및 도 4를 참조하면, 픽셀 회로는 OLED와, OLED에 연결된 구동 소자(DT), 다수의 스위치 소자(S1, S2), 및 다수의 커패시터들(Cst, CB1)를 포함한다. 구동 소자(DT)와 스위치 소자들(S1, S2)은 도 3에서 n 타입 트랜지스터로 예시되었으나 이에 한정되지 않는다. 3 and 4, the pixel circuit includes an OLED, a driving element DT connected to the OLED, a plurality of switching elements S1 and S2, and a plurality of capacitors Cst and CB1. The driving element DT and the switching elements S1 and S2 are illustrated as an n-type transistor in FIG. 3, but are not limited thereto.

OLED는 애노드와 캐소드 사이에 형성된 유기 화합물층을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL) 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. OLED의 애노드는 제2 노드(n2)를 통해 구동 소자(DT)에 연결되고, OLED의 캐소드는 저전위 전원 전압(VSS)이 인가되는 VSS 전극에 연결된다. The OLED includes an organic compound layer formed between the anode and the cathode. The organic compound layer may include, but not limited to, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL). The anode of the OLED is connected to the driving element DT through the second node n2 and the cathode of the OLED is connected to the VSS electrode to which the low potential power supply voltage VSS is applied.

구동 소자(DT)는 게이트-소스간 전압(Vgs)에 따라 OLED의 전류를 조절하여 OLED를 구동한다. 구동 소자(DT)는 제1 노드(n1)에 연결된 게이트, 픽셀 구동 전압(VDD)이 공급되는 VDD 라인(105)에 연결된 제1 전극(또는 드레인), 및 제2 노드(n2)를 통해 OLED의 애노드에 연결된 제2 전극(또는 소스)을 포함한다. 제1 커패시터(Cst)는 제1 및 제2 노드(n1, n2)를 통해 구동 소자(DT)의 게이트와 소스 사이에 연결된다.The driving device DT drives the OLED by adjusting the current of the OLED according to the gate-source voltage Vgs. The driving element DT has a gate connected to the first node n1, a first electrode (or drain) connected to the VDD line 105 to which the pixel driving voltage VDD is supplied, and a second electrode connected to the OLED (Or source) connected to the anode of the second transistor. The first capacitor Cst is connected between the gate and the source of the driving element DT through the first and second nodes n1 and n2.

제1 스위치 소자(S1)는 스캔 신호(SCAN)에 따라 턴-온되어 데이터 전압(Vdata)을 제1 노드(n1)에 연결된 구동 소자(DT)의 게이트에 공급한다. 제1 스위치 소자(S1)는 스캔 신호(SCAN)가 인가되는 제1 게이트 라인(1041)에 연결된 게이트, 데이터 라인(102)에 연결된 제1 전극, 및 제1 노드(n1)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The first switch element S1 is turned on according to the scan signal SCAN to supply the data voltage Vdata to the gate of the driving element DT connected to the first node n1. The first switch element S1 includes a gate connected to the first gate line 1041 to which the scan signal SCAN is applied, a first electrode connected to the data line 102, and a second electrode connected to the first node n1. .

제2 스위치 소자(S2)는 센싱 신호(SENSE)에 따라 턴-온되어 기준 전압(Vref)을 제2 노드(n2)에 공급한다. 기준 전압(Vref)과 저전위 전원 전압(VSS)의 전압차는 OLED의 문턱 전압 보다 낮다. 따라서, OLED의 애노드에 기준 전압(Vref)이 인가될 때 OLED에 전류가 흐르지 않기 때문에 OLED가 발광되지 않는다. 제2 스위치 소자(S2)는 센싱 신호(SENSE)가 인가되는 제2 게이트 라인(1042)에 연결된 게이트, 기준 전압(Vref)이 인가되는 센싱 라인(103)에 연결된 제1 전극, 및 제2 노드(n2)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The second switch element S2 is turned on according to the sensing signal SENSE to supply the reference voltage Vref to the second node n2. The voltage difference between the reference voltage Vref and the low-potential power supply voltage VSS is lower than the threshold voltage of the OLED. Therefore, when the reference voltage Vref is applied to the anode of the OLED, the OLED does not emit light because no current flows through the OLED. The second switch element S2 includes a gate connected to the second gate line 1042 to which the sensing signal SENSE is applied, a first electrode connected to the sensing line 103 to which the reference voltage Vref is applied, and a second electrode connected to the second electrode n2.

제2 커패시터(CB1)는 역위상 신호(SCANB)가 인가되는 제3 게이트 라인(1043)과, 구동 소자(DT)의 게이트에 연결된 제1 노드(n1) 사이에 형성된다. 구동 소자(DT)의 게이트는 역위상 신호(SCANB)가 인가되는 제2 커패시터(CB1)를 통해 제3 게이트 라인(1043)과 커플링(coupling)된다. 따라서, 제2 커패시터(CB1)는 스캔 신호(SCAN)의 역위상으로 발생되는 역위상 신호(SCANB)를 구동 소자(DT)의 게이트에 인가하여 스캔 신호(SCAN)의 전압이 변할 때 발생하는 킥백(kick back)을 억제한다. 제2 커패시터(CB1)의 용량은 제3 게이트 라인(1043)의 배선 폭으로 조절될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 역위상 신호(SCANB)가 인가되는 제3 게이트 라인(1043)의 배선 폭을 넓힘으로써 제2 커패시터(CB1)의 용량을 적절히 크게 할 수 있다. The second capacitor CB1 is formed between the third gate line 1043 to which the anti-phase signal SCANB is applied and the first node n1 connected to the gate of the driving device DT. The gate of the driving element DT is coupled with the third gate line 1043 through the second capacitor CB1 to which the anti-phase signal SCANB is applied. Therefore, the second capacitor CB1 applies a reverse phase signal SCANB generated in the opposite phase of the scan signal SCAN to the gate of the driving device DT, thereby generating a kickback signal, which is generated when the voltage of the scan signal SCAN changes. thereby suppressing kick back. The capacitance of the second capacitor CB1 can be adjusted by the wiring width of the third gate line 1043. As shown in FIG. 4, the capacitance of the second capacitor CB1 can be appropriately increased by widening the wiring width of the third gate line 1043 to which the anti-phase signal SCANB is applied.

외부 보상 방법이 적용되지 않는 픽셀 회로의 경우에 센싱 신호(SENSE)와 제2 스위치 소자(S2)는 픽셀 회로에서 제거될 수 있다. In the case of a pixel circuit to which the external compensation method is not applied, the sensing signal SENSE and the second switching device S2 can be removed from the pixel circuit.

제1 스위치 소자(S1)의 게이트-소스간 기생 용량에 커플링(coupling)된 구동 소자(DT)의 게이트 전압(Vg)이 스캔 신호(SCAN)가 게이트 온 전압(VGH)으로부터 게이트 오프 전압(VGL)으로 변할 때 발생되는 킥 백(kick back)으로 인하여 도 5의 점선과 같이 큰 폭으로 떨어질 수 있다. The gate voltage Vg of the driving element DT coupled to the gate-source parasitic capacitance of the first switch element S1 is higher than the gate voltage VGH of the scan signal SCAN from the gate- VGL) due to a kick back generated when the voltage is changed to VGL (see FIG. 5).

게이트 구동부(120)는 타이밍 콘트롤러(130)의 제어 하에 스캔 신호(SCAN)와 함께 스캔 신호(SCAN)의 역위상으로 반전된 역위상 신호(SCANB)를 제3 게이트 라인(1043)에 공급한다. 역위상 신호(SCANB)는 스캔 신호(SCAN)와 동기되어 표시패널(100)의 제3 게이트 라인들(1043)에 순차적으로 공급된다. 스캔 신호(SCAN)의 폴링 에지에서 발생되는 킥백 전압은 구동 소자(DT)의 게이트 전압을 낮추지만, 이와 동시에 역위상 신호(SCANB)는 구동 소자(DT)의 게이트 전압을 높이기 때문에 게이트 전압의 킥백을 상쇄한다. 따라서, 역위상 신호(SCANB)가 인가되는 제2 커패시터(CB1)는 구동 소자(DT)의 게이트 전압에서 스캔 신호(SCAN)의 전압이 변할 때 발생하는 킥백을 억제한다. 도 5에서 Vg1은 역위상 신호(SCANB)가 없을 때 킥백 영향을 받아 스캔 신호(SCAN)의 폴링 에지에서 전압이 떨어지는 구동 소자(DT)의 게이트 전압이다. Vg1'은 역위상 신호(SCANB)를 이용하여 킥백을 억제함으로써 스캔 신호(SCAN)의 폴링 에지에서 전압이 떨어지지 않는 구동 소자(DT)의 게이트 전압이다.The gate driver 120 supplies the third gate line 1043 with the inverted phase signal SCANB inverted to the opposite phase of the scan signal SCAN together with the scan signal SCAN under the control of the timing controller 130. [ The inverse phase signal SCANB is sequentially supplied to the third gate lines 1043 of the display panel 100 in synchronization with the scan signal SCAN. The kickback voltage generated at the polling edge of the scan signal SCAN lowers the gate voltage of the driving device DT while the reverse phase signal SCANB simultaneously increases the gate voltage of the driving device DT, Lt; / RTI > Accordingly, the second capacitor CB1 to which the anti-phase signal SCANB is applied suppresses the kickback that occurs when the voltage of the scan signal SCAN changes at the gate voltage of the driving device DT. In FIG. 5, Vg1 is the gate voltage of the driving device DT whose voltage drops at the falling edge of the scan signal SCAN due to the kickback effect when there is no reverse phase signal SCANB. Vg1 'is the gate voltage of the driving device DT in which the voltage does not drop at the falling edge of the scan signal SCAN by suppressing the kickback using the reverse phase signal SCANB.

제3 게이트 라인(1043)은 구동 소자(DT) 및 스위치 소자들(S1, S2)과 분리된다. 이 제3 게이트 라인(1043)의 전압은 1 프레임 기간에서 스캔 신호(SCAN)의 펄스가 발생되는 1 수평 기간 보다 작은 시간만 게이트 오프 전압(VGL)으로 반전되고 나머지 시간 동안 게이트 온 전압(VGH)으로 유지된다. 제2 커패시터(CB1)는 스캔 신호(SCAN)가 발생되는 짧은 시간만 제외하면 직류 전압을 유지하기 때문에 서브 픽셀들(101)의 발광 기간 동안 구동 소자의 게이트-소스 전압(Vgs)에 영향을 주지 않는다. The third gate line 1043 is separated from the driving element DT and the switch elements S1 and S2. The voltage of the third gate line 1043 is inverted to the gate-off voltage VGL only for a time shorter than one horizontal period in which the pulse of the scan signal SCAN is generated in one frame period, and the gate- ≪ / RTI > Since the second capacitor CB1 maintains the DC voltage except for a short time during which the scan signal SCAN is generated, the second capacitor CB1 does not affect the gate-source voltage Vgs of the driving device during the emission period of the subpixels 101 Do not.

도 5의 예에서, 서브 픽셀(101)의 구동 방법은 초기화 기간(Tini), 데이터 기입 기간(Twr), 및 발광 기간(Tem)을 포함한다. In the example of FIG. 5, the driving method of the sub-pixel 101 includes the initializing period Tini, the data writing period Twr, and the light emitting period Tem.

초기화 기간(Tini) 동안, 센싱 신호(SENSE)는 게이트 온 전압(VGH)으로 발생되고, 스캔 신호(SCAN)는 게이트 오프 전압(VGL)을 유지한다. 제2 스위치 소자(S2)는 초기화 기간(Tini) 동안 센싱 신호(SENSE)에 따라 턴-온되어 기준 전압(Vref)으로 제1 및 제2 노드(n1, n2)의 전압을 초기화한다. During the initialization period Tini, the sensing signal SENSE is generated at the gate-on voltage VGH and the scan signal SCAN is maintained at the gate-off voltage VGL. The second switch element S2 is turned on according to the sensing signal SENSE during the initialization period Tini to initialize the voltages of the first and second nodes n1 and n2 with the reference voltage Vref.

데이터 기입 기간(Twr)은 초기화 기간(Tini)에서 초기화된 픽셀 회로에 영상의 픽셀 데이터를 서브 픽셀(101)에 기입한다. 데이터 기입 기간(Twr) 동안, 스캔 신호(SCAN)와 센싱 신호(SENSE)는 게이트 온 전압(VGH)으로 발생된다. 제1 스위치 소자(S1)는 데이터 기입 기간(Twr) 동안 데이터 전압(Vdata)에 동기되는 스캔 신호(SCAN)에 따라 턴-온되어 데이터 라인(102)을 제1 노드(n1)에 연결한다. 이 때, 구동 소자(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)은 데이터 전압(Vgs)에 따라 설정되고 이 전압이 제1 커패시터(Cst)에 충전된다. The data writing period Twr writes the pixel data of the image in the pixel circuit initialized in the initialization period Tini to the subpixel 101. During the data writing period Twr, the scan signal SCAN and the sensing signal SENSE are generated at the gate-on voltage VGH. The first switch element S1 is turned on according to the scan signal SCAN synchronized with the data voltage Vdata during the data write period Twr to connect the data line 102 to the first node n1. At this time, the gate-source voltage Vgs of the driving element DT is set in accordance with the data voltage Vgs, and this voltage is charged in the first capacitor Cst.

발광 기간(Tem) 동안 데이터 기입 기간(Twr)에 픽셀 데이터가 기입된 서브 픽셀(101)의 발광 소자 즉, OLED가 데이터의 계조에 해당하는 휘도로 발광된다. 발광 기간(Tem) 동안, 스캔 신호(SCAN)와 센싱 신호(SENSE)는 게이트 오프 전압(VGL)으로 반전되어 스위치 소자들(S1, S2)이 턴-오프(turn-off)된다. 제1 스위치 소자(S1)는 데이터 기입 기간(Twr) 동안 데이터 전압(Vdata)에 동기되는 스캔 신호(SCAN)에 따라 턴-온되어 데이터 라인(102)을 제1 노드(n1)에 연결한다. 이 때, 구동 소자(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)은 데이터 전압(Vgs)에 따라 설정되고 이 전압이 제1 커패시터(Cst)에 충전된다.The light emitting element of the sub pixel 101 in which the pixel data is written in the data writing period Twr during the light emission period Tem is emitted with the luminance corresponding to the gray level of the data. During the light emission period Tem, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE are inverted to the gate-off voltage VGL so that the switch elements S1 and S2 are turned off. The first switch element S1 is turned on according to the scan signal SCAN synchronized with the data voltage Vdata during the data write period Twr to connect the data line 102 to the first node n1. At this time, the gate-source voltage Vgs of the driving element DT is set in accordance with the data voltage Vgs, and this voltage is charged in the first capacitor Cst.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 픽셀 회로를 나타내는 회로도이다. 도 7은 도 3에 도시된 픽셀 회로의 평면 구조를 상세히 보여 주는 도면이다. 도 6 및 도 7에 도시된 실시예에서, 전술한 제1 실시예와 실질적으로 동일한 구성 요소에 대하는 동일한 도면 부호를 붙이고 그에 대한 상세한 설명을 생략하기로 한다. 6 is a circuit diagram showing a pixel circuit according to a second embodiment of the present invention. 7 is a detailed view showing a planar structure of the pixel circuit shown in FIG. In the embodiment shown in Figs. 6 and 7, the same reference numerals are given to the same components substantially as those of the first embodiment, and a detailed description thereof will be omitted.

도 6 및 도 7을 참조하면, 픽셀 회로는 OLED와, OLED에 연결된 구동 소자(DT), 다수의 스위치 소자(S1, S2), 및 다수의 커패시터들(Cst, CB1, CB2)을 포함한다. 구동 소자(DT)와 스위치 소자들(S1, S2, S3)은 도 3에서 n 타입 트랜지스터로 예시되었으나 이에 한정되지 않는다. 6 and 7, the pixel circuit includes an OLED, a driving element DT connected to the OLED, a plurality of switching elements S1 and S2, and a plurality of capacitors Cst, CB1 and CB2. The driving element DT and the switching elements S1, S2, and S3 are illustrated as n-type transistors in FIG. 3, but are not limited thereto.

제3 커패시터(CB2)는 역위상 신호(SCANB)가 인가되는 제3 게이트 라인(1043)과, 구동 소자(DT)의 소스에 연결된 제1 노드(n1) 사이에 형성된다. 구동 소자(DT)의 소스는 역위상 신호(SCANB)가 인가되는 제3 커패시터(CB2)를 통해 제3 게이트 라인(1043)과 커플링된다. 따라서, 제3 커패시터(CB2)는 역위상 신호(SCANB)를 구동 소자(DT)의 소스에 인가하여 스캔 신호(SCAN)의 전압이 변할 때 발생하는 킥백(kick back)을 억제한다. 제3 커패시터(CB2)의 용량은 제3 게이트 라인(1043)의 배선 폭으로 조절될 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 역위상 신호(SCANB)가 인가되는 제3 게이트 라인(1043)의 배선 폭을 넓힘으로써 제3 커패시터(CB2)의 용량을 적절히 크게 할 수 있다. The third capacitor CB2 is formed between the third gate line 1043 to which the anti-phase signal SCANB is applied and the first node n1 connected to the source of the driving device DT. The source of the driving element DT is coupled to the third gate line 1043 through the third capacitor CB2 to which the anti-phase signal SCANB is applied. Therefore, the third capacitor CB2 applies a reverse phase signal SCANB to the source of the driving device DT to suppress a kick back that occurs when the voltage of the scan signal SCAN changes. The capacitance of the third capacitor CB2 can be adjusted by the wiring width of the third gate line 1043. [ As shown in FIG. 7, the capacitance of the third capacitor CB2 can be appropriately increased by widening the wiring width of the third gate line 1043 to which the reverse phase signal SCANB is applied.

제2 스위치 소자(S2)의 게이트-소스간 기생 용량에 커플링된 구동 소자(DT)의 소스 전압(Vs)이 센싱 신호(SENSE)가 게이트 온 전압(VGH)으로부터 게이트 오프 전압(VGL)으로 변할 때 발생되는 킥백으로 인하여 도 5의 점선과 같이 큰 폭으로 떨어질 수 있다.The source voltage Vs of the driving element DT coupled to the gate-to-source parasitic capacitance of the second switching element S2 changes from the gate-on voltage VGH to the gate-off voltage VGL 5 due to the kickback that occurs when it changes.

센싱 신호(SENSE)의 폴링 에지에서 발생되는 킥백 전압은 구동 소자(DT)의 소스 전압(Vs)을 낮추지만, 이와 동시에 역위상 신호(SCANB)는 구동 소자(DT)의 소스 전압(Vs)을 높이기 때문에 소스 전압(Vs)의 킥백을 상쇄한다. 따라서, 역위상 신호(SCANB)가 인가되는 제3 커패시터(CB2)는 구동 소자(DT)의 소스 전압에서 스캔 신호(SCAN)의 전압이 변할 때 발생하는 킥백을 억제한다. 도 5에서 Vs1은 역위상 신호(SCANB)가 없을 때 킥백 영향을 받아 센싱 신호(SENSE)의 폴링 에지에서 전압이 떨어지는 구동 소자(DT)의 소스 전압이다. Vs1'은 역위상 신호(SCANB)를 이용하여 킥백을 억제함으로써 센싱 신호(SCAN)의 폴링 에지에서 전압이 떨어지지 않는 구동 소자(DT)의 소스 전압이다.The kickback voltage generated at the polling edge of the sensing signal SENSE lowers the source voltage Vs of the driving element DT while the opposite phase signal SCANB simultaneously lowers the source voltage Vs of the driving element DT So that the kickback of the source voltage Vs is canceled. Therefore, the third capacitor CB2 to which the anti-phase signal SCANB is applied suppresses the kickback that occurs when the voltage of the scan signal SCAN changes at the source voltage of the driving device DT. In Fig. 5, Vs1 is the source voltage of the driving element DT whose voltage drops at the falling edge of the sensing signal SENSE due to the kickback effect when there is no reverse phase signal SCANB. Vs1 'is the source voltage of the driving element DT in which the voltage does not drop at the falling edge of the sensing signal SCAN by suppressing the kickback using the anti-phase signal SCANB.

킥백 전압으로 인하여, 화면 상에서 위치에 따라 픽셀들의 휘도 차이가 보일 수 있다, 예를 들어, 게이트 구동부(120)와 픽셀들 간의 위치에 따라 게이트 신호의 지연양이 다르기 때문에 도 1에서 화면의 중앙부(B)와 주변부(A)에서 픽셀의 휘도가 다르다. 도 8a에서 실선이 게이트 구동부(120)와 가까운 서브 픽셀에 인가되는 게이트 신호이고, 점선이 게이트 구동부(120)와 멀리 떨어져 지연양이 큰 게이트 신호를 나타낸다. 이러한 게이트 신호의 지연양은 게이트 라인의 저항(R)과 기생 용량(C)으로 인하여 RC 지연값에 따라 증가한다. 도 8a와 같은 구형파 형태의 게이트 신호의 경우에, 게이트 신호의 폴링 에지에서 빗금친 부분 만큼 서브 픽셀들 간의 데이터 전압 충전양 편차를 초래하기 때문에 화면의 중앙부(B)와 주변부(A)에서 픽셀들 간의 휘도 차이가 발생한다. The luminance difference of the pixels may be displayed on the screen due to the kickback voltage. For example, since the amount of delay of the gate signal differs depending on the position between the gate driver 120 and the pixels, B) and the peripheral portion (A). In FIG. 8A, a solid line is a gate signal applied to a sub-pixel close to the gate driver 120, and a dotted line indicates a gate signal having a large delay amount far from the gate driver 120. The amount of delay of the gate signal increases with the RC delay value due to the resistance R and the parasitic capacitance C of the gate line. In the case of the gate signal of the rectangular wave form as shown in FIG. 8A, since the data voltage charge amount deviation between the subpixels is caused by the hatched portion in the falling edge of the gate signal, A difference in luminance occurs between them.

이러한 휘도 차이를 줄이기 위하여, 도 8b에 도시된 바와 같이 게이트 신호의 상승에지와 하강 에지에서 게이트 온 전압(VGH)을 중간 전압(Vm)으로 변조하여 게이트 신호의 전압 차이를 줄이면 픽셀들 간의 충전양 차이를 줄여 화면의 위치에 따른 휘도 차이를 개선할 수 있다. In order to reduce the luminance difference, as shown in FIG. 8B, when the gate-on voltage VGH is modulated to the intermediate voltage Vm at the rising edge and the falling edge of the gate signal to reduce the voltage difference of the gate signal, It is possible to improve the luminance difference according to the position of the screen by reducing the difference.

본 발명은 전술한 바와 같이 서브 픽셀들에 커패시터를 추가하여 그 커패시터를 통해 역위상 신호를 인가하는 방법으로 구동 소자(DT)에 악영향을 주는 킥백 전압을 최소화한다. 그 결과, 본 발명은 게이트 신호를 도 8b와 같이 변조하지 않고 도 8a와 같은 게이트 신호를 적용하더라고 화면 전체에서 픽셀들의 휘도를 균일하게 할 수 있다. 도 8에 도시된 게이트 신호의 전압은 게이트 온 전압(VGH)과 게이트 오프 전압(VGL) 사이에서 상승 에지와 폴링 에지에 게이트 온 전압(VGH) 변조 없이 연속적으로 변한다. The present invention minimizes the kickback voltage which adversely affects the driving device DT by adding a capacitor to the subpixels and applying an anti-phase signal through the capacitor as described above. As a result, according to the present invention, the gate signal is not modulated as shown in FIG. 8B but the luminance of pixels in the entire screen can be made uniform even though the gate signal as shown in FIG. 8A is applied. The voltage of the gate signal shown in Fig. 8 continuously changes between the gate-on voltage VGH and the gate-off voltage VGL on the rising edge and the polling edge without the gate-on voltage (VGH) modulation.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

100 : 표시패널 110 : 데이터 구동부
120 : 게이트 구동부 130 : 타이밍 콘트롤러
131 : 보상부 DT : 픽셀 회로의 구동 소자
S1, S2 : 픽셀 회로의 스위치 소자 SCAN, SENSE : 게이트 신호
SCANB : 역위상 신호 Cst, CB1, CB2 : 커패시터
100: display panel 110: data driver
120: Gate driver 130: Timing controller
131: compensating part DT: driving element of the pixel circuit
S1, S2: Switch element of the pixel circuit SCAN, SENSE: Gate signal
SCANB: Inverse phase signal Cst, CB1, CB2: Capacitor

Claims (8)

데이터 라인들과 게이트 라인들이 교차되고 다수의 서브 픽셀들이 배치된 표시패널;
데이터 신호를 상기 데이터 라인들에 공급하는 데이터 구동부; 및
제1 게이트 신호를 제1 게이트 라인에 공급하고, 상기 제1 게이트 신호에 대한 역위상 신호를 제2 게이트 라인에 공급하는 게이트 구동부를 구비하고,
상기 서브 픽셀들 각각은
발광 소자를 구동하는 구동 소자;
상기 제1 게이트 신호에 따라 턴-온되어 상기 데이터 신호를 상기 구동 소자의 게이트에 공급하는 제1 스위치 소자;
상기 구동 소자의 게이트-소스간 전압을 충전하는 제1 커패시터; 및
상기 제2 게이트 라인과 상기 구동 소자의 게이트 사이에 연결되어 상기 역위상 신호를 상기 구동 소자의 게이트에 인가하는 제2 커패시터를 포함하는 전계 발광 표시장치.
A display panel in which data lines and gate lines are crossed and a plurality of sub-pixels are arranged;
A data driver for supplying a data signal to the data lines; And
And a gate driver for supplying a first gate signal to the first gate line and supplying an opposite phase signal to the first gate signal to the second gate line,
Each of the sub-
A driving element for driving the light emitting element;
A first switch element that is turned on according to the first gate signal and supplies the data signal to a gate of the driving element;
A first capacitor for charging a gate-source voltage of the driving element; And
And a second capacitor connected between the second gate line and the gate of the driving device and applying the opposite phase signal to the gate of the driving device.
제 1 항에 있어서,
상기 제2 게이트 라인의 폭이 상기 제2 커패시터에서 다른 위치에 비하여 넓은 전계 발광 표시장치.
The method according to claim 1,
And a width of the second gate line is wider than that of the second capacitor.
제 2 항에 있어서,
상기 게이트 구동부는,
제2 게이트 신호를 제3 게이트 라인에 공급하고,
상기 서브 픽셀들 각각은
상기 제2 게이트 신호에 따라 턴-온되어 상기 구동 소자를 센싱 라인에 연결하는 제2 스위치 소자; 및
상기 제2 게이트 라인과 상기 구동 소자의 소스 사이에 연결되어 상기 역위상 신호를 상기 구동 소자의 소스에 인가하는 제3 커패시터를 더 포함하는 전계 발광 표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the gate driver comprises:
Supplying a second gate signal to the third gate line,
Each of the sub-
A second switch element which is turned on according to the second gate signal and connects the driving element to the sensing line; And
And a third capacitor coupled between the second gate line and a source of the driving device to apply the anti-phase signal to a source of the driving device.
제 3 항에 있어서,
상기 제2 게이트 라인의 폭이 상기 제3 커패시터에서 다른 위치에 비하여 넓은 전계 발광 표시장치.
The method of claim 3,
And a width of the second gate line is wider than that of the third capacitor.
제 3 항에 있어서,
상기 제2 게이트 신호가
상기 제1 게이트 신호 보다 먼저 게이트 온 전압으로 발생되고, 상기 제1 게이트 신호와 동시에 게이트 오프 전압으로 반전되는 전계 발광 표시장치.
The method of claim 3,
The second gate signal
On voltage is generated before the first gate signal and is inverted to a gate-off voltage simultaneously with the first gate signal.
데이터 라인들과 게이트 라인들이 교차되고 다수의 서브 픽셀들이 배치된 표시패널;
데이터 신호를 상기 데이터 라인들에 공급하는 데이터 구동부; 및
제1 게이트 신호를 제1 게이트 라인에 공급하고, 제2 게이트 신호를 제2 게이트 라인에 공급하며, 상기 제1 게이트 신호에 대한 역위상 신호를 제3 게이트 라인에 공급하는 게이트 구동부를 구비하고,
상기 서브 픽셀들 각각은
발광 소자를 구동하는 구동 소자;
상기 제1 게이트 신호에 따라 턴-온되어 상기 데이터 신호를 상기 구동 소자의 게이트에 공급하는 제1 스위치 소자;
상기 제2 게이트 신호에 따라 턴-온되어 상기 구동 소자를 센싱 라인에 연결하는 제2 스위치 소자;
상기 구동 소자의 게이트-소스간 전압을 충전하는 제1 커패시터;
상기 제3 게이트 라인과 상기 구동 소자의 게이트 사이에 연결되어 상기 역위상 신호를 상기 구동 소자의 게이트에 인가하는 제2 커패시터; 및
상기 제2 게이트 라인과 상기 구동 소자의 소스 사이에 연결되어 상기 역위상 신호를 상기 구동 소자의 소스에 인가하는 제3 커패시터를 포함하는 전계 발광 표시장치.
A display panel in which data lines and gate lines are crossed and a plurality of sub-pixels are arranged;
A data driver for supplying a data signal to the data lines; And
And a gate driver for supplying a first gate signal to the first gate line, supplying a second gate signal to the second gate line, and supplying a reverse phase signal to the third gate line,
Each of the sub-
A driving element for driving the light emitting element;
A first switch element that is turned on according to the first gate signal and supplies the data signal to a gate of the driving element;
A second switch element which is turned on according to the second gate signal and connects the driving element to the sensing line;
A first capacitor for charging a gate-source voltage of the driving element;
A second capacitor connected between the third gate line and the gate of the driving device to apply the opposite phase signal to the gate of the driving device; And
And a third capacitor connected between the second gate line and the source of the driving device to apply the anti-phase signal to the source of the driving device.
제 6 항에 있어서,
상기 제2 게이트 라인의 폭이 상기 제2 및 제3 커패시터에서 다른 위치에 비하여 넓은 전계 발광 표시장치.
The method according to claim 6,
Wherein a width of the second gate line is larger than that of the second and third capacitors.
데이터 라인들과 게이트 라인들이 교차되고 다수의 서브 픽셀들이 배치된 표시패널을 구비하는 전계 발광 표시장치의 구동 방법에 있어서,
서브 픽셀에 연결된 제1 게이트 라인에 게이트 신호를 인가하는 단계; 및
상기 게이트 신호에 대한 역위상 신호를 상기 게이트 신호와 동시에 상기 서브 픽셀에 연결된 제2 게이트 라인에 인가하여 상기 서브 픽셀의 킥백 전압을 억제하는 단계를 포함하는 전계 발광 표시장치의 구동 방법.
A method of driving an electroluminescent display device having a display panel in which data lines and gate lines are crossed and a plurality of sub-pixels are arranged,
Applying a gate signal to a first gate line coupled to the subpixel; And
And applying a reverse phase signal to the gate signal to a second gate line connected to the subpixel simultaneously with the gate signal to suppress a kickback voltage of the subpixel.
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