KR20170136029A - 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판과 중첩하며 이격된 제2 기판, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하며 복수의 액정 분자를 포함하는 액정층, 상기 제1 기판과 상기 액정층 사이에 위치하며 제1 중합체를 포함하는 제1 배향막, 상기 제2 기판과 상기 액정층 사이에 위치하며 제2 중합체를 포함하는 제2 배향막, 및 상기 제1 배향막과 상기 액정층 사이에 위치하는 복수의 돌기를 포함하며, 상기 복수의 돌기는 반응성 메소겐이 중합된 배향 중합체를 포함하고, 상기 제1 중합체는 제1 주쇄 및 상기 제1 주쇄에 연결되는 복수의 제1 측쇄를 포함하며, 상기 복수의 제1 측쇄 중 적어도 하나는 광반응기 및 광반응기 유도체 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 광반응기는 상기 배향 중합체를 형성하기 위한 광 파장 범위에서 상기 반응성 메소겐보다 큰 흡광도를 가진다.
Description
본 개시는 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극(field generating electrode)을 포함하는 두 장의 표시판과 상기 두 장의 표시판 사이에 위치하는 액정층을 포함한다.
액정 표시 장치는 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 형성하고 이를 통하여 액정층에 포함된 액정 분자들의 방향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
한편, 대형 액정 표시 장치에서 시청자의 몰입도를 높이기 위해 곡면형(curved) 액정 표시 장치를 제공하고 있다.
실시예들은 상부 표시판 및 하부 표시판의 오정렬에 따른 투과율 감소를 방지하고 표시 패널 얼룩 및 텍스처 발생을 제어하기 위한 액정 표시 장치를 제공한다.
이러한 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판과 중첩하며 이격된 제2 기판, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하며 복수의 액정 분자를 포함하는 액정층, 상기 제1 기판과 상기 액정층 사이에 위치하며 제1 중합체를 포함하는 제1 배향막, 상기 제2 기판과 상기 액정층 사이에 위치하며 제2 중합체를 포함하는 제2 배향막, 및 상기 제1 배향막과 상기 액정층 사이에 위치하는 복수의 돌기를 포함하며, 상기 복수의 돌기는 반응성 메소겐이 중합된 배향 중합체를 포함하고, 상기 제1 중합체는 제1 주쇄 및 상기 제1 주쇄에 연결되는 복수의 제1 측쇄를 포함하며, 상기 복수의 제1 측쇄 중 적어도 하나는 광반응기 및 광반응기 유도체 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 광반응기는 상기 배향 중합체를 형성하기 위한 광 파장 범위에서 상기 반응성 메소겐보다 큰 흡광도를 가진다.
상기 광반응기는 하기 화학식 1 내지 화학식 12로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 반응성 메소겐은 하기 화학식 13으로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
R1 - S1 - P1 -E- P2 - S2 - R2 [화학식 13]
상기 화학식 13에서 R1 및 R2는 서로 독립적으로 아크릴레이트 및 메타크릴레이트 중 어느 하나를 포함하고, S1 및 S2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬렌기를 포함하거나 단일 결합이며, P1 및 P2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 및 중 어느 하나를 포함하고, E는 -O-, -S-, -CO-, -CO-O-, -OCO-, -O-CO-O-, -OCH2-, -CH2O-, -COO-, -O-C-C-O- 중 어느 하나를 포함하거나 단일 결합이다.
상기 반응성 메소겐은 하기 화학식 14 내지 하기 화학식 21로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 광 파장 범위는 250nm 내지 450nm 일 수 있다.
상기 복수의 액정 분자 중 상기 제1 배향막에 인접한 액정 분자의 선경사각은 상기 복수의 액정 분자 중 상기 제2 배향막에 인접한 액정 분자의 선경사각보다 클 수 있다.
상기 액정 표시 장치는 곡면형일 수 있다.
상기 제2 중합체는 제2 주쇄 및 상기 제2 주쇄에 연결된 복수의 제2 측쇄를 포함하고, 상기 복수의 제2 측쇄 중 적어도 하나는 수직 배향기를 포함할 수 있다.
상기 복수의 제1 측쇄 중 적어도 하나는 수직 배향기를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 기판과 상기 제1 배향막 사이에 위치하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극, 및 상기 화소 전극과 전계를 형성하는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 제1 기판 위에 위치하는 제1 배향막을 포함하는 하부 표시판을 준비하는 단계, 제2 기판 위에 위치하는 제2 배향막을 포함하는 상부 표시판을 준비하는 단계, 그리고 상기 하부 표시판과 상기 상부 표시판 사이에 위치하며 복수의 액정 분자를 포함하는 액정층을 형성하는 단계, 그리고 합착된 상기 하부 표시판, 상기 상부 표시판 및 상기 액정층에 광을 조사하는 단계를 포함하며, 상기 광을 조사하는 단계에서, 상기 제1 배향막을 형성하는 제1 중합체가 포함하는 광반응기와 반응성 메소겐에 광을 조사하여 상기 반응성 메소겐이 중합된 배향 중합체를 포함하는 돌기를 형성하고, 조사되는 상기 광 파장 범위에서 상기 광반응기는 상기 반응성 메소겐보다 큰 흡광도를 가진다.
상기 제1 배향막은 제1 중합체를 포함하고 상기 제2 배향막은 제2 중합체를 포함하며, 상기 제1 중합체는, 제1 주쇄, 및 상기 제1 주쇄에 연결되는 복수의 제1 측쇄를 포함하고, 상기 복수의 제1 측쇄 중 적어도 하나는 상기 광반응기 및 광반응기 유도체 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 제2 중합체는 제2 주쇄, 및 상기 제2 주쇄에 연결되는 복수의 제2 측쇄를 포함하며 상기 복수의 제2 측쇄 중 적어도 하나는 수직 배향기를 포함할 수 있다.
상기 광반응기는 하기 화학식 1 내지 화학식 12로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 반응성 메소겐은 하기 화학식 13으로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
R1
-
S1
-
P1
-E-
P2
-
S2
-
R2
[화학식 13]
상기 화학식 13에서 R1 및 R2는 서로 독립적으로 아크릴레이트 및 메타크릴레이트 중 어느 하나를 포함하고, S1 및 S2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬렌기를 포함하거나 단일 결합이며, P1 및 P2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 및 중 어느 하나를 포함하고, 상기 E는 -O-, -S-, -CO-, -CO-O-, -OCO-, -O-CO-O-, -OCH2-, -CH2O-, -COO-, -O-C-C-O- 중 어느 하나를 포함하거나 단일 결합이다.
상기 반응성 메소겐은 하기 화학식 14 내지 하기 화학식 21로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 복수의 액정 분자 중 상기 제1 배향막에 인접한 액정 분자의 선경사각은 상기 복수의 액정 분자 중 상기 제2 배향막에 인접한 액정 분자의 선경사각보다 크게 형성될 수 있다.
상기 액정 표시 장치는 곡면형으로 형성될 수 있다.
상기 광 파장 범위는 250nm 내지 450nm 일 수 있다.
실시예들에 따르면 상부 표시판 및 하부 표시판의 오정렬이 생기는 경우에 투과율이 감소하거나 패널 얼룩 또는 텍스처가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 곡면형 액정 표시 장치의 개략적인 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 광 파장에 대한 반응성 메소겐과 광반응기의 흡광도 그래프이다.
도 4는 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 일 화소를 도시한 평면도이다.
도 5는 도 4의 V-V선을 따라 자른 단면도이다.
도 2는 도 1의 II-II선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 광 파장에 대한 반응성 메소겐과 광반응기의 흡광도 그래프이다.
도 4는 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 일 화소를 도시한 평면도이다.
도 5는 도 4의 V-V선을 따라 자른 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환"이란 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Cl, Br, I), 히드록시기, C1 내지 C20의 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 이미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 에테르기, 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기 또는 그것의 염, 인산이나 그것의 염, C1 내지 C20의 알킬기, C2 내지 C20의 알케닐기, C2 내지 C20의 알키닐기, C6 내지 C30의 아릴기, C3 내지 C20의 사이클로알킬기, C3 내지 C20의 사이클로알케닐기, C3 내지 C20의 사이클로알키닐기, C2 내지 C20의 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C20의 헤테로사이클로알케닐기, C2 내지 C20의 헤테로사이클로알키닐기, C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합의 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "헤테로"란, 고리기 내에 N, O, S 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자가 적어도 하나 포함된 것을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "지환족"이란 C3 내지 C40 사이클로알킬, C3 내지 C40 사이클로알케닐, C3 내지 C40 사이클로알키닐, C3 내지 C40 사이클로알킬렌, C3 내지 C40 사이클로알케닐렌 또는 C3 내지 C40 사이클로알키닐렌을 의미하고, 구체적으로는 C3 내지 C20 사이클로알킬, C3 내지 C20 사이클로알케닐, C3 내지 C20 사이클로알키닐, C3 내지 C20 사이클로알킬렌, C3 내지 C20 사이클로알케닐렌, 또는 C3 내지 C20 사이클로알키닐렌을 의미하고, "방향족"이란 C6 내지 C40 아릴, C2 내지 C40 헤테로아릴, C6 내지 C40 아릴렌 또는 C2 내지 C40 헤테로아릴렌을 의미하고, 구체적으로는 C6 내지 C16 아릴, C2 내지 C16 헤테로아릴, C6 내지 C16 아릴렌 또는 C2 내지 C16 헤테로아릴렌을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "조합"이란 일반적으로는 혼합 또는 공중합을 의미하며, 지환족 유기기 및 방향족 유기기에서는 2개 이상의 고리가 융합고리를 형성하거나, 2개 이상의 고리가 단일결합, -O-, -S-, -C(=O)-, -CH(OH)-, -S(=O)-, -S(=O)2-, -Si(CH3)2-, - (CH2)p- (여기서, 1≤p≤2), -(CF2)q- (여기서, 1≤q≤2), -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -C(CH3)(CF3)- 또는 -C(=O)NH-의 작용기에 의해 서로 연결되어 있는 것을 의미한다. 여기서, "공중합"이란 블록 공중합 또는 랜덤 공중합을 의미하고, "공중합체"란 블록 공중합체 또는 랜덤 공중합체를 의미한다.
이하에서는 도 1 내지 도 3을 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다. 도 1은 일 실시예에 따른 곡면형 액정 표시 장치의 개략적인 사시도이고, 도 2는 도 1의 II-II선을 따라 자른 단면도이고, 도 3은 일 실시예에서 조사되는 광의 파장에 따른 반응성 메소겐 및 광반응기의 흡광도 그래프이다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 액정 표시 장치(10)는 곡면형일 수 있다. 액정 표시 장치(10)는 제1 방향인 가로 방향에 나란한 축을 기준으로 만곡되거나 제2 방향인 세로 방향에 나란한 축을 기준으로 만곡될 수 있다. 본 명세서는 제2 방향에 나란한 축을 기준으로 만곡된 곡면형 액정 표시 장치(10)에 대해서 설명하고 있으나, 본 발명은 제2 방향에 나란한 축으로 만곡되는 것에 제한되지 않고 제1 방향에 나란한 축으로 만곡된 액정 표시 장치에 적용될 수 있음은 물론이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 액정 표시 장치(10)는 하부 표시판(100), 하부 표시판(100)과 중첩하며 이격된 상부 표시판(200) 및 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 사이에 위치하며 복수의 액정 분자(31)를 포함하는 액정층(3)을 포함한다.
하부 표시판(100)은 제1 기판(110), 제1 기판(110)과 액정층(3) 사이에 위치하는 제1 배향막(11), 제1 배향막(11)과 액정층(3) 사이에 위치하는 복수의 돌기(13)를 포함한다. 돌기(13)는 후술하는 반응성 메소겐이 중합된 배향 중합체를 포함하거나 이러한 배향 중합체가 제1 배향막(11) 표면에 인접하여 위치하는 배향 중합체 덩어리를 포함할 수 있다.
복수의 액정 분자(31) 중 제1 배향막(11)과 인접한 액정 분자(31)들은 선경사(pre-tilt)를 가질 수 있다. 다시 말해, 액정층(3)에 전압이 인가되지 않은 상태에서도 제1 배향막(11)에 인접한 액정 분자(31)들은 돌기(13)에 의해 제1 배향막(11) 일면에 실질적으로 수직한 방향을 기준으로 기울어질 수 있다.
일 실시예에서 설명하고 있는 '선경사'는 제1 배향막(11) 또는 제2 배향막(21) 일면에 수직인 방향을 기준으로 액정 분자(31)가 기울어지는 것을 의미하고, '선경사각'은 제1 배향막(11) 또는 제2 배향막(21)에 수직한 축을 기준으로 기울어진 정도, 즉, 기울어진 각도를 의미한다.
상부 표시판(200)은 제2 기판(210), 및 제2 기판(210)과 액정층(3) 사이에 위치하는 제2 배향막(21)을 포함한다.
액정층(3)에 포함되는 복수의 액정 분자(31) 중 제2 배향막(21)과 인접한 액정 분자(31)들은 선경사를 가지지 않을 수 있다. 즉, 전압이 인가되지 않은 상태에서, 제2 배향막(21)에 인접한 액정 분자(31)들은 제2 배향막(21)의 표면에 실질적으로 수직하게 배향될 수 있다.
하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 사이에 위치하는 액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가진다.
이하에서 제1 배향막(11) 및 제2 배향막(21)에 대해 구체적으로 설명한다.
일 실시예에 따른 제1 배향막(11)은 제1 중합체를 포함하고, 제1 중합체는 제1 주쇄 및 제1 주쇄에 연결된 복수의 제1 측쇄를 포함한다.
제1 주쇄는 폴리이미드 등을 포함할 수 있으며, 복수의 제1 측쇄 각각은 수직 배향기, 광반응기 및 광반응기 유도체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 하나의 측쇄는 수직 배향기, 광반응기, 및 광반응기 유도체 중 어느 하나만 포함하거나, 수직 배향기가 주쇄에 직접 연결되고, 수직 배향기에 광반응기 및 광반응기 유도체가 결합된 형태가 될 수 있다.
본 명세서에서 설명하는 '광반응기 유도체'는 광반응기의 일부가 변화하여 얻어진 유사 화합물을 말한다.
광반응기는 조사되는 광 에너지를 흡수하여 반응성 메소겐의 중합 반응을 돕는 라디칼을 발생시키거나 반응성 메소겐과 반응할 수 있다. 수직 배향기는 제1 배향막(11)에 인접한 액정 분자(31)들을 실질적으로 수직하게 배열한다.
일 실시예에 따른 광반응기는 라디칼을 발생시키거나 중합 반응을 돕는 다양한 물질을 포함할 수 있으나, 일례로써 하기 화학식 1 내지 화학식 12로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 배향막(21)은 제2 중합체를 포함하고, 제2 중합체는 제2 주쇄 및 제2 주쇄에 연결된 복수의 제2 측쇄를 포함한다. 복수의 제2 측쇄 각각은 수직 배향기를 포함할 수 있다. 수직 배향기는 제2 배향막(21)에 인접한 액정 분자(31)들을 수직하게 배열한다.
한편, 제2 측쇄는 제1 측쇄와 달리 광반응기 및 광반응기 유도체를 포함하지 않는다. 반응성 메소겐은 광 조사된 광반응기에 인접하도록 이동할 수 있는데, 제2 중합체가 광반응기를 포함하지 않음에 따라, 반응성 메소겐은 제2 배향막(21)에 인접하게 위치하지 않는다. 따라서 반응성 메소겐이 중합된 배향 중합체를 포함하는 돌기(13)는 제2 배향막(21)과 액정층(3) 사이에 형성되지 않는다.
복수의 돌기(13)는 제1 배향막(11)과 액정층(3) 사이에 위치하고, 제2 배향막(21)과 액정층(3) 사이에는 위치하지 않는다. 돌기(13)는 제1 배향막(11)의 일면으로부터 돌출될 수 있다. 돌기(13)는 복수의 액정 분자(31) 중에서 제1 배향막(11)에 인접하게 위치하는 액정 분자(31)들을 선경사지게 한다.
구체적으로 제1 배향막(11)을 형성하기 위한 배향 물질에 혼합되어 있던 반응성 메소겐은 베이크 공정 중에 액정층(3)으로 용출된다. 다음, 액정층(3)에 광을 조사함으로써 광반응기를 통해 라디칼 등에 의해 반응성 메소겐이 중합되어 배향 중합체를 형성하거나 반응성 메소겐과 광반응기가 반응하여 배향 중합체를 형성할 수 있다. 일 실시예에 따른 돌기(13)는 이러한 배향 중합체 또는 배향 중합체가 결집되어 있는 덩어리를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 반응성 메소겐은 하기 화학식 13으로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
R1 - S1 - P1 -E- P2 - S2 - R2 [화학식 13]
상기 화학식 13에서 R1 및 R2는 서로 독립적으로 아크릴레이트 및 메타크릴레이트 중 어느 하나를 포함하고, S1 및 S2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬렌기를 포함하거나 단일 결합이며, P1 및 P2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 및 중 어느 하나를 포함하고, E는 -O-, -S-, -CO-, -CO-O-, -OCO-, -O-CO-O-, -OCH2-, -CH2O-, -COO-, -O-C-C-O- 중 어느 하나를 포함하거나 단일 결합이다. 상기 S1 및 S2가 단일 결합인 경우, R1과 P1 사이 또는 R2와 P2 사이에 중간 물질 없이 직접적으로 결합되는 것을 의미한다.
상기 화학식 13으로 표현되는 화합물은 적어도 3개의 고리(ring)를 포함할 수 있다. 적어도 3개의 고리를 포함하는 반응성 메소겐은 내열성이 향상되는 바, 도포된 배향 물질을 경화하여 배향막(11, 21)을 형성하는 공정에서 고온의 열처리 조건에 대해 안정성을 가질 수 있다.
일 실시예에 따른 반응성 메소겐은 하기 화학식 14 내지 하기 화학식 21로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 명세서는 하기 화학식 14 내지 하기 화학식 21로 표현되는 화합물만을 설명하였으나, 일 실시예는 이에 제한되지 않고 상기 화학식 13으로부터 유도될 수 있는 다양한 화합물을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 반응성 메소겐은 상기 화학식 13으로 표현되는 화합물을 포함할 수 있으며, 광 조사에 의해 배향 중합체로 중합된다. 복수의 돌기(13) 중 적어도 하나는 이러한 배향 중합체 또는 이들의 덩어리를 포함한다.
복수의 돌기(13)는 제1 배향막(11) 위에만 위치할 수 있으며, 제1 배향막(11)에 인접한 액정 분자(31)들이 선경사를 가지도록 한다. 제2 배향막(21)과 액정층(3) 사이에는 돌기(13)가 위치하지 않는 바, 제2 배향막(21)에 인접한 액정 분자(31)들은 선경사를 가지지 않는다.
이에 대해 이하에서 보다 구체적으로 설명한다.
일 실시예에 따르면 하부 표시판(100) 및 상부 표시판(200) 사이에 복수의 액정 분자(31)들을 주입한 후, 전압을 인가하고 소정의 광(일례로써 자외선(UV))을 조사한다. 광을 조사하면, 전술한 광반응기가 라디칼을 발생시키거나 활성화될 수 있다. 그러면 라디칼 또는 활성화된 광반응기는 반응성 메소겐의 중합 반응을 촉진하고, 중합된 반응성 메소겐은 배향 중합체를 형성하여, 제1 배향막(11) 위에 위치하는 복수의 돌기(13)를 형성한다. 이와 같이 형성된 복수의 돌기(13)는 제1 배향막(11) 및 돌기(13)에 인접한 액정 분자(31)들을 기울어지게 할 수 있다.
이때, 도 3을 참조하면, 일부 파장 범위에서 제1 배향막(11)이 포함하는 광반응기의 흡광도(도 3에서 b선으로 표시됨)는 반응성 메소겐의 흡광도(도 3에서 a선으로 표시됨) 보다 클 수 있다.
상기 광 파장 범위는 광반응기와 반응성 메소겐이 반응하기 위한 어떠한 파장 범위도 가능하나, 광반응기가 활성화되어 라디칼을 형성하거나 반응성 메소겐이 활성화되어 배향 중합체를 형성하기 위한 광 파장 범위일 수 있다. 일례로써 약 250nm 내지 약 450nm의 파장을 가지는 UV 파장일 수 있다.
도 3에 도시된 소정의 파장(약 365nm)에서의 반응을 일례로써 설명한다.
조사되는 광 파장이 약 365nm인 경우, 광반응기로부터 형성된 라디칼이 제1 배향막(11)에 인접한 영역에 다수 분포되거나 활성화된 광반응기가 반응성 메소겐을 제1 배향막(11) 부근으로 유도할 수 있다.
이에 따라 제1 배향막(11)에 인접한 영역에서 반응성 메소겐의 중합 반응이 일어나고, 결과적으로 제1 배향막(11)과 액정층(3) 사이에 반응성 메소겐이 중합된 배향 중합체를 포함하는 돌기(13)가 형성될 수 있다. 이와 같이 형성된 돌기(13)는 제1 배향막(11)에 인접한 액정 분자(31)들을 선경사지게 한다.
반면, 제2 배향막(21)을 형성하는 제2 중합체는 별도의 광반응기를 포함하지 않는바, 제조 공정 상의 광 조사에 의해서도, 라디칼을 발생하거나 활성화된 광반응기를 통해 반응성 메소겐을 유인하는 등의 반응이 일어나지 않는다. 따라서 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제2 배향막(21)과 액정층(3) 사이에 위치하는 돌기를 포함하지 않으며, 제2 배향막(21)에 인접한 액정 분자(31)들은 선경사를 가지지 않으며 제2 배향막(21)의 일면에 실질적으로 수직하게 배열된다.
전술한 바와 같이 제1 배향막(11)에 인접한 액정 분자(31)들은 선경사를 가지고 제2 배향막(21)에 인접한 액정 분자(31)들은 선경사를 가지지 않는 액정 표시 장치는, 하부 및 상부 표시판(100, 200)이 오정렬 되는 경우에도 하부 표시판(100)에 인접한 액정 분자(31)들과 상부 표시판(200)에 인접한 액정 분자(31)들 사이의 배열 방향 엇갈림이 없는바 텍스처 발생을 제어할 수 있다.
그러나, 일 실시예와 달리, 광반응기보다 반응성 메소겐의 반응성이 큰 경우, 광반응기가 발생시키는 라디칼의 양이 적고 광반응기를 통해 반응성 메소겐을 제1 배향막(11) 근처로 유인하는 반응도 적어진다. 또한 액정층(3)으로 용출된 상태에서 활성화된 반응성 메소겐은 제1 배향막(11) 뿐만 아니라 제2 배향막(21)에 인접하게 이동하여 제1 배향막(11)과 액정층(3) 사이뿐만 아니라 제2 배향막(21)과 액정층(3) 사이에도 위치한다. 따라서 반응성 메소겐이 중합된 배향 중합체를 포함하는 돌기(13)는 제1 배향막(11)과 액정층(3) 사이 및 제2 배향막(21)과 액정층(3) 사이에 위치한다. 제1 배향막(11) 및 제2 배향막(21)에 인접한 액정 분자(31)들은 모두 선경사를 가진다.
이처럼 서로 대향하는 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 사이에서, 액정 분자(31)들이 동일한 방향으로 선경사를 형성하고 있는 평판 표시 패널을 구부린다면, 하부 표시판(100)에 인접한 액정 분자(31)들의 선경사 방향과 상부 표시판(200)에 인접한 액정 분자(31)들의 선경사 방향이 어긋나는 영역이 생길 수 있다. 이러한 영역은 이웃하는 도메인의 경계 부분에서 발생할 수 있다. 그러한 영역에서는 텍스처 불량이 생긴다.
이하에서는 일 실시예에 따른 제1 중합체와 제2 중합체에 대해 구체적으로 설명한다.
우선, 제1 배향막(11)에 포함되는 제1 중합체는 하기 화학식 A로 표시되는 제1 구조단위 및 하기 화학식 B로 표시되는 제2 구조단위를 포함할 수 있다.
상기 화학식 A 및 B에서, X1 및 X2는 각각 독립적으로 지환족 산 이무수물 또는 방향족 산 이무수물로부터 유도된 4가 유기기이고, Y1는 방향족 디아민으로부터 유도된 2가 유기기이고, 상기 2가 유기기의 적어도 하나의 수소는 하기 화학식 A1으로 치환되고, Y2는 방향족 디아민으로부터 유도된 2가 유기기이고, 상기 2가 유기기의 적어도 하나의 수소는 하기 화학식 B1 또는 화학식 B2로 치환된다.
상기 화학식 A1에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C8 알킬기이고, n은 3 내지 20의 정수이고, R5는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고, a 및 b는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, L1 및 L2은 각각 독립적으로 단일결합, -O-, -S(=O)2- 또는 -(C(Rx)(Ry))m-(여기서, Rx 및 Ry는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C8 알킬기이고 m은 1 내지 20의 정수임)이다.
상기 Y1은 방향족 디아민으로부터 유도된 2가 유기기로서 상기 2가 유기기의 적어도 하나의 수소가 상기 화학식 A1로 치환된 경우, 상기 화학식 A1는 제1 배향막(11)에 인접한 액정 분자(31)를 수직하게 배열하는 수직 배향기와 같이 기능할 수 있다.
상기 화학식 B1 및 화학식 B2에서, Cy는 C6 내지 C18의 아릴기 또는 C6 내지 C18의 사이클로알킬기이고, R11 내지 R14는 각각 독립적으로 수소이거나 치환 또는 비치환된 C1 내지 C8 알킬기이고, R15 및 R16은 각각 독립적으로 히드록시기이거나 치환 또는 비치환된 C1 내지 C8 알콕시기이고, R17은 수소이거나 히드록시기이거나 치환 또는 비치환된 C1 내지 C8 알콕시기이고, c 및 d는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, k1과 k3는 3 내지 20의 정수이고 k2는 0 내지 5의 정수이고, Z1과 Z2는 각각 독립적으로 -C(=O)-이고, Z3는 -S- 또는 -C(=O)-이다.
상기 화학식 B1 또는 화학식 B2로 표시되는 화합물은 상기 화학식 1 내지 12로 표현되는 광반응기 또는 광반응기 유도체를 포함한다.
다음 제2 배향막(21)에 포함되는 제2 중합체는 상기 화학식 A로 표시되는 제1 구조단위를 포함하고, 상기 화학식 B로 표시되는 제2 구조단위를 포함하지 않을 수 있다. 즉, 제2 중합체는 광반응기 또는 광반응기 유도체를 포함하지 않는 다.
일 실시예에 따라 전술한 구조단위를 포함하는 제1 중합체 및 제2 중합체는 폴리이미드를 포함하며, 상기 폴리이미드는 지환족 산 이무수물 및 방향족 산 이무수물로부터 선택되는 적어도 하나의 산이무수물과 방향족 디아민을 공중합하여 폴리아믹산을 제조하고 이를 이미드화하여 제조한다. 폴리아믹산을 제조하는 방법은 폴리아믹산의 합성에 사용 가능한 것으로 알려진 방법은 제한되지 않고 적용될 수 있다.
상기 지환족 산이무수물로는 1,2,3,4-사이클로부탄테트라카르복실산 이무수물(CBDA), 2,3,4,5-테트라하이드로퓨란테트라카르복실산 이무수물, 5-(2,5-디옥소테트라히드로퓨릴)-3-메틸사이클로헥센-1,2-디카르복실산 무수물(DOCDA), 바이사이클로옥텐-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물(BODA), 1,2,3,4-사이클로펜탄테트라카르복실산 이무수물(CPDA), 1,2,4,5-사이클로헥산테트라카르복실산 이무수물(CHDA), 1,2,4-트리카르복시-3-메틸카르복시 사이클로펜탄 이무수물, 1,2,3,4-테트라카르복시 사이클로펜탄 이무수물, 3,4-디카르복시-1-사이클로헥실숙신산 이무수물, 3,4-디카르복시-1,2,3,4-테트라하이드로-1-나프탈렌 숙산산 이무수물, 및 2,3,5-트리카르복시사이클로펜틸 아세트산 이무수물(2,3,5-tricarboxycyclopentyl acetic dianhydride, TCA-AH)로부터 선택되는 적어도 하나를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 방향족 산 이무수물로는 피로멜리트산 이무수물(PMDA), 비프탈산 이무수물(BPDA), 옥시디프탈산 이무수물(ODPA), 벤조페논테트라카르복실산 이무수물(BTDA) 및 헥사플루오로이소프로필리덴디프탈산 이무수물(6-FDA)로부터 선택되는 적어도 하나를 사용할 수 있으나, 일 실시예는 이에 한정되는 것은 아니다.
정리하면, 일 실시예에 따른 광반응기는 제조 공정 중 표시 장치에 조사되는 광 파장에서 반응성 메소겐 보다 높은 흡광도를 가지는 바, 광 조사 시, 광반응기에 의한 반응은 반응성 메소겐에 의한 반응 보다 우수할 수 있다.
이에 따르면 광반응기를 포함하는 제1 배향막(11)에 인접한 영역에 다수의 라디칼이 분포되므로 제1 배향막(11) 근처에서 반응성 메소겐이 배향 중합체를 형성하거나, 활성화된 광반응기가 반응성 메소겐을 제1 배향막(11)에 인접하게 유인한 상태에서 배향 중합체가 형성될 수 있다.
즉, 광반응기를 포함하는 제1 배향막(11) 근처에서 돌기(13)를 형성하는 반응이 우세하게 진행되는 바, 일 실시예에 따라 제1 배향막(11) 근처에만 돌기(13)가 형성되고 제2 배향막(21) 근처에서는 돌기(13)가 형성되지 않을 수 있다.
이에 따라 일 실시예와 같이 제1 배향막(11)에 인접하는 액정 분자들이 선경사를 가지고 제2 배향막(21)에 인접한 액정 분자들이 선경사를 가지지 않는 액정 표시 장치의 제공이 가능하다.
또한 일 실시예에 따른 광반응기의 반응이 우수한 바 용출된 반응성 메소겐의 대부분이 배향 중합체 또는 이들의 덩어리를 포함하는 돌기를 형성할 수 있으며, 다수의 돌기는 제1 배향막(11)에 인접한 액정 분자(31)들을 안정적으로 선경사지게 할 수 있다.
또한 반응성이 높은 광반응기를 포함함으로써 제조 공정에 소요되는 시간이 줄어들고 생산성이 향상되며 제조 원가가 절감될 수 있다.
이하에서는 도 4 내지 도 5를 참고하여, 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 구체적으로 설명한다. 도 4는 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 일 화소의 평면 배치도이고, 도 5는 도 4의 V-V선을 따라 자른 단면도이다.
하부 표시판(100)에 대하여 먼저 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 제1 기판(110) 위에 게이트선(121)과 분압 기준 전압선(131)을 포함하는 게이트 도전체가 위치한다.
게이트선(121)은 제1 게이트 전극(124a), 제2 게이트 전극(124b), 제3 게이트 전극(124c)을 포함한다.
분압 기준 전압선(131)은 제1 유지 전극(135, 136), 그리고 기준 전극(137)을 포함한다. 분압 기준 전압선(131)에 연결되어 있지는 않으나, 제2 유지 전극(138, 139)이 제2 부화소 전극(191b)과 중첩하도록 위치할 수 있다.
게이트선(121) 및 분압 기준 전압선(131) 위에 게이트 절연막(140)이 위치한다.
게이트 절연막(140) 위에 제1 반도체층(154a), 제2 반도체층(154b) 및 제3 반도체층(154c)이 위치한다. 반도체층(154a, 154b, 154c) 위에 저항성 접촉 부재(163a, 165a, 163b, 165b, 163c, 165c)가 위치한다.
저항성 접촉 부재(163a, 165a, 163b, 165b, 163c, 165c) 및 게이트 절연막(140) 위에 제1 소스 전극(173a) 및 제2 소스 전극(173b)에 연결된 데이터선(171), 제1 드레인 전극(175a), 제2 드레인 전극(175b), 제3 소스 전극(173c) 및 제3 드레인 전극(175c)을 포함하는 데이터 도전체가 위치한다.
제1 게이트 전극(124a), 제1 소스 전극(173a) 및 제1 드레인 전극(175a)은 제1 반도체층(154a)과 함께 제1 박막 트랜지스터를 형성하고, 제2 게이트 전극(124b), 제2 소스 전극(173b) 및 제2 드레인 전극(175b)은 제2 반도체층(154b)과 함께 제2 박막 트랜지스터를 형성하며, 제3 게이트 전극(124c), 제3 소스 전극(173c) 및 제3 드레인 전극(175c)는 제3 반도체층(154c)과 함께 제3 박막 트랜지스터를 형성한다.
제2 드레인 전극(175b)은 제3 소스 전극(173c)과 연결되어 있으며, 넓게 확장된 확장부(177)를 포함한다.
데이터 도전체(171, 173c, 175a, 175b, 175c) 및 반도체층(154a, 154b, 154c) 부분 위에 제1 보호막(180p)이 위치한다.
제1 보호막(180p) 위에 색필터(230)가 위치한다. 색필터(230)는 서로 인접한 두 개의 데이터선(171)을 따라 세로 방향으로 뻗어 있다. 일 실시예는 색필터(230)가 하부 표시판(100)에 포함되는 실시예에 대해 설명 및 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 색필터(230)는 상부 표시판(200)에 포함될 수도 있다.
색필터(230) 위에 제2 보호막(180q)이 위치한다. 제1 보호막(180p) 및 제2 보호막(180q)은 질화규소 또는 산화규소 등의 무기 절연막을 포함할 수 있다.
제2 보호막(180q)은 색필터(230)가 들뜨는 것을 방지하고 색필터(230)로부터 유입되는 용제(solvent)와 같은 유기물에 의한 액정층(3)의 오염을 억제하여 화면 구동 시 초래할 수 있는 잔상과 같은 불량을 방지한다.
제1 보호막(180p) 및 제2 보호막(180q)은 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)을 드러내는 제1 접촉 구멍(185a) 및 제2 접촉 구멍(185b)을 가진다.
제1 보호막(180p) 및 제2 보호막(180q), 그리고 게이트 절연막(140)은 기준 전극(137)의 일부와 제3 드레인 전극(175c)의 일부를 드러내는 제3 접촉 구멍(185c)을 가지고, 제3 접촉 구멍(185c)은 연결 부재(195)가 덮고 있다. 연결 부재(195)는 제3 접촉 구멍(185c)을 통해 드러나 있는 기준 전극(137)과 제3 드레인 전극(175c)을 전기적으로 연결한다.
제2 보호막(180q) 위에 화소 전극(191)이 위치한다. 화소 전극(191)은 전기장 생성 전극의 하나로, 각 화소 전극(191)은 게이트선(121)을 사이에 두고 서로 분리되어, 게이트선(121)을 중심으로 열 방향으로 이웃하는 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)을 포함한다.
화소 전극(191)은 ITO 및 IZO 등의 투명 물질로 이루어질 수 있다.
제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)의 전체적인 모양은 사각형이며 각각 가로 줄기부(193) 및 이와 직교하는 세로 줄기부(192)로 이루어진 십자형 줄기부를 포함한다. 또한 제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b) 각각은 가로 줄기부(193)와 세로 줄기부(192)에 의해 제1 부영역(Da), 제2 부영역(Db), 제3 부영역(Dc), 그리고 제4 부영역(Dd)으로 나누어지며, 각 부영역(Da-Dd)에 위치하는 복수의 미세 가지부(194)를 포함한다.
제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)은 제1 접촉 구멍(185a) 및 제2 접촉 구멍(185b)을 통하여 각기 제1 드레인 전극(175a) 또는 제2 드레인 전극(175b)과 연결되어 있으며, 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 이 때, 제2 드레인 전극(175b)에 인가된 데이터 전압 중 일부는 제3 소스 전극(173c)을 통해 분압되어, 제1 부화소 전극(191a)에 인가되는 전압의 크기는 제2 부화소 전극(191b)에 인가되는 전압의 크기보다 크게 된다.
데이터 전압이 인가된 제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)은 상부 표시판(200)의 공통 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191, 270) 사이의 액정층(3)의 액정 분자(31)의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자(31)의 방향에 따라 액정층(3)을 통과하는 빛의 휘도가 달라진다.
지금까지 설명한 박막 트랜지스터 및 화소 전극(191)에 관한 설명은 하나의 예시이고, 측면 시인성을 향상시키기 위해 박막 트랜지스터 구조 및 화소 전극 디자인을 변형할 수 있다.
화소 전극(191) 위에 제1 배향막(11)이 위치하며, 제1 배향막(11)은 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 제1 배향막(11)일 수 있다.
다음, 상부 표시판(200)에 대하여 설명한다.
제1 기판(110)과 이격되어 중첩하도록 제2 기판(210)이 위치한다. 제2 기판(210)과 액정층(3) 사이에 차광 부재(220)가 위치한다. 차광 부재(220)는 하부 표시판(100)의 데이터선(171)이 위치하는 영역 및 박막 트랜지스터 등이 위치하는 영역과 중첩하도록 상부 표시판(200)에 위치한다. 본 명세서는 차광 부재(220)가 상부 표시판(200)에 포함되는 실시예에 대해 설명 및 도시하였으나, 일 실시예는 이에 제한되지 않고 차광 부재가 하부 표시판(100)에 포함될 수 있음은 물론이다.
차광 부재(220)와 액정층(3) 사이에 덮개막(250)이 위치한다. 발명의 실시예에 따라 덮개막(250)은 생략될 수 있다.
전기장 생성 전극 중 하나인 공통 전극(270)이 덮개막(250)과 액정층(3) 사이에 위치한다. 공통 전극(270)은 하부 표시판(100)의 화소 전극(191)과 함께 전기장을 생성함으로써 액정층(3)의 액정 분자(31)의 방향을 결정한다.
제2 배향막(21)은 공통 전극(270)과 액정층(3) 사이에 위치하며, 제2 배향막(21)은 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 제2 배향막(21)일 수 있다.
제1 배향막(11) 및 제2 배향막(21) 사이에 복수의 액정 분자(31)를 포함하는 액정층(3)이 위치하며, 액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가질 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 통상의 기술자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
110: 제1 기판
11: 제1 배향막
210: 제2 기판
21: 제2 배향막
3: 액정층
31: 액정 분자
11: 제1 배향막
210: 제2 기판
21: 제2 배향막
3: 액정층
31: 액정 분자
Claims (18)
- 제1 기판,
상기 제1 기판과 중첩하며 이격된 제2 기판,
상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하며 복수의 액정 분자를 포함하는 액정층,
상기 제1 기판과 상기 액정층 사이에 위치하며 제1 중합체를 포함하는 제1 배향막,
상기 제2 기판과 상기 액정층 사이에 위치하며 제2 중합체를 포함하는 제2 배향막, 및
상기 제1 배향막과 상기 액정층 사이에 위치하는 복수의 돌기를 포함하며,
상기 복수의 돌기 중 적어도 하나는 반응성 메소겐이 중합된 배향 중합체를 포함하고, 상기 제1 중합체는 제1 주쇄 및 상기 제1 주쇄에 연결되는 복수의 제1 측쇄를 포함하며, 상기 복수의 제1 측쇄 중 적어도 하나는 광반응기 및 광반응기 유도체 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 광반응기는 상기 배향 중합체를 형성하기 위한 광 파장 범위에서 상기 반응성 메소겐보다 큰 흡광도를 가지는 액정 표시 장치. - 제2항에서,
상기 반응성 메소겐은 하기 화학식 13으로 표현되는 화합물을 포함하는 액정 표시 장치:
R1 - S1 - P1 -E- P2 - S2 - R2 [화학식 13]
상기 화학식 13에서 R1 및 R2는 서로 독립적으로 아크릴레이트 및 메타크릴레이트 중 어느 하나를 포함하고, S1 및 S2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬렌기를 포함하거나 단일 결합이며, P1 및 P2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 및 중 어느 하나를 포함하고, E는 -O-, -S-, -CO-, -CO-O-, -OCO-, -O-CO-O-, -OCH2-, -CH2O-, -COO-, -O-C-C-O- 중 어느 하나를 포함하거나 단일 결합이다. - 제1항에서,
상기 광 파장 범위는 250nm 내지 450nm 인 액정 표시 장치. - 제1항에서,
상기 복수의 액정 분자 중 상기 제1 배향막에 인접한 액정 분자의 선경사각은 상기 복수의 액정 분자 중 상기 제2 배향막에 인접한 액정 분자의 선경사각보다 큰 액정 표시 장치. - 제1항에서,
상기 액정 표시 장치는 곡면형인 액정 표시 장치. - 제1항에서,
상기 제2 중합체는 제2 주쇄 및 상기 제2 주쇄에 연결된 복수의 제2 측쇄를 포함하고, 상기 복수의 제2 측쇄 중 적어도 하나는 수직 배향기를 포함하는 액정 표시 장치. - 제1항에서,
상기 복수의 제1 측쇄 중 적어도 하나는 수직 배향기를 더 포함하는 액정 표시 장치. - 제1항에서,
상기 제1 기판과 상기 제1 배향막 사이에 위치하는 박막 트랜지스터,
상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극, 및
상기 화소 전극과 전계를 형성하는 공통 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치. - 제1 기판 위에 위치하는 제1 배향막을 포함하는 하부 표시판을 준비하는 단계,
제2 기판 위에 위치하는 제2 배향막을 포함하는 상부 표시판을 준비하는 단계, 그리고
상기 하부 표시판과 상기 상부 표시판을 사이에 위치하며 복수의 액정 분자를 포함하는 액정층을 형성하는 단계, 그리고
합착된 상기 하부 표시판, 상기 상부 표시판 및 상기 액정층에 광을 조사하는 단계를 포함하며,
상기 광을 조사하는 단계에서,
상기 제1 배향막을 형성하는 제1 중합체가 포함하는 광반응기와 반응성 메소겐에 광을 조사하여 상기 반응성 메소겐이 중합된 배향 중합체를 포함하는 돌기를 형성하고,
조사되는 상기 광 파장 범위에서 상기 광반응기는 상기 반응성 메소겐보다 큰 흡광도를 가지는 액정 표시 장치의 제조 방법. - 제11항에서,
상기 제1 중합체는,
제1 주쇄, 및
상기 제1 주쇄에 연결되는 복수의 제1 측쇄를 포함하고,
상기 복수의 제1 측쇄 중 적어도 하나는 상기 광반응기 및 광반응기 유도체 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 제2 배향막은 제2 중합체를 포함하며,
상기 제2 중합체는
제2 주쇄, 및
상기 제2 주쇄에 연결되는 복수의 제2 측쇄를 포함하며,
상기 복수의 제2 측쇄 중 적어도 하나는 수직 배향기를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법. - 제11항에서,
상기 반응성 메소겐은 하기 화학식 13으로 표현되는 화합물을 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법:
R1 - S1 - P1 -E- P2 - S2 - R2 [화학식 13]
상기 화학식 13에서 R1 및 R2는 서로 독립적으로 아크릴레이트 및 메타크릴레이트 중 어느 하나를 포함하고, S1 및 S2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬렌기를 포함하거나 단일 결합이며, P1 및 P2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 및 중 어느 하나를 포함하고, 상기 E는 -O-, -S-, -CO-, -CO-O-, -OCO-, -O-CO-O-, -OCH2-, -CH2O-, -COO-, -O-C-C-0- 중 어느 하나를 포함하거나 단일 결합이다. - 제11항에서,
상기 복수의 액정 분자 중 상기 제1 배향막에 인접한 액정 분자의 선경사각은 상기 복수의 액정 분자 중 상기 제2 배향막에 인접한 액정 분자의 선경사각보다 크게 형성되는 액정 표시 장치의 제조 방법. - 제11항에서,
상기 액정 표시 장치는 곡면형으로 형성되는 액정 표시 장치의 제조 방법. - 제11항에서,
상기 광 파장 범위는 250nm 내지 450nm 인 액정 표시 장치의 제조 방법.
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