KR20160046061A - Transparent touch panel film for forming fine wire pattern, manufacturing method thereof, and touch panel including the same - Google Patents

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KR20160046061A KR1020140141102A KR20140141102A KR20160046061A KR 20160046061 A KR20160046061 A KR 20160046061A KR 1020140141102 A KR1020140141102 A KR 1020140141102A KR 20140141102 A KR20140141102 A KR 20140141102A KR 20160046061 A KR20160046061 A KR 20160046061A
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Abstract

The present invention relates to a transparent touch panel film, a manufacturing method thereof, and a touch panel using the same. The transparent touch panel film comprises: a substrate; a transparent conductive layer placed on at least one surface of the substrate; a Cu-Zn-Al (CZA) layer made of three components, alloy of 0.1 to 10 weight percent zinc (Zn), 0.1 to 10 weight percent aluminum (Al) and copper (Cu) accounting for a remaining proportion; and a darkened layer arranged to touch the CZA layer. The purpose of the present invention is to make the transparent touch panel film capable of forming fine electrodes.

Description

미세 신호 배선 형성이 가능한 투명 터치 패널 필름, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 터치 패널{Transparent touch panel film for forming fine wire pattern, manufacturing method thereof, and touch panel including the same} Technical Field [0001] The present invention relates to a transparent touch panel film capable of forming fine signal lines, a manufacturing method thereof, and a touch panel including the touch panel,

본 발명은 투명 터치 패널 필름에 관한 것으로, 보다 상세하게는 미세 신호 배선 형성이 가능한 투명 터치 패널 필름과 이를 제조하는 방법 및 이를 포함하는 터치 패널에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a transparent touch panel film, and more particularly, to a transparent touch panel film capable of forming a fine signal line, a method of manufacturing the same, and a touch panel including the transparent touch panel film.

스마트폰은 정전용량방식의 터치 패널을 이용한 것으로 정전용량방식은 기존의 터치 패널 방식인 저항막 방식에 비해 내구성이 우수 하다는 장점이 있다. 이러한 정전용량방식은 우리 몸에 있는 정전기를 이용하는 것으로 사람이 터치 패널을 터치할 경우 사람의 몸에서 발생 되는 정전기에 기초하여 터치 패널의 전극영역에서 터치 위치를 검출하는 방식이다.The smartphone uses a capacitive touch panel, and the capacitive touchscreen has an advantage in that it has excellent durability as compared with the conventional touch panel type resistive touch screen. The electrostatic capacity type is a method of detecting the touch position in the electrode area of the touch panel based on the static electricity generated in the human body when a person touches the touch panel by using the static electricity in the body.

그 구조적인 원리를 간단히 살펴보면 유리나 고분자, 실리콘 재질의 기판에 금속 전도성 물질인 인듐주석 화합물(ITO) 등으로 이루어진 투명전도층을 증착하여 전류가 흐르는 투명전극(전기회로)을 기판에 형성되도록 한 것으로, 사용자가 터치 패널의 표면을 터치하게 되면 사람의 정전기에 의해 투명 전극에 흐르는 전류의 양이 변화하게 되고 이렇게 변화된 전류의 양을 인식하여 동작을 하는 것이다.Briefly, a transparent conductive layer made of a metal conductive material such as indium tin compound (ITO) is deposited on a substrate made of glass, polymer, or silicon to form a transparent electrode (electric circuit) When the user touches the surface of the touch panel, the amount of current flowing through the transparent electrode changes due to the static electricity of the person, and the operation is performed by recognizing the amount of the changed electric current.

기존의 정전용량방식의 터치 패널은 표시 영역과 테두리인 베젤 영역으로 구분된다. 표시 영역에는 투명전도층으로 이루어진 정전용량 전극 패턴이 형성되며, 베젤 영역에는 정전용량 전극 패턴과 제어칩과의 사이에서 신호 전달을 하기 위한 신호 배선이 형성된다.The conventional capacitance type touch panel is divided into a display area and a bezel area which is a rim. In the display region, a capacitive electrode pattern made of a transparent conductive layer is formed. In the bezel region, a signal line is formed for signal transmission between the capacitive electrode pattern and the control chip.

최근 들어 모바일 기기에서의 표시 영역의 확대에 대한 요구가 증대함에 따라 가능한 베젤 영역을 감소시킬 것이 요구되고 있다. 이에 따라 신호 배선의 선폭이 점점 감소하고 있다. 하지만 종래의 신호 배선으로 적용되는 도전층은 다수의 핀홀이 형성되어 배선이 미세화됨에 따라 단선이 발생할 수 있다. In recent years, as the demand for enlargement of the display area in mobile devices has increased, it has been desired to reduce the bezel area as much as possible. As a result, the line width of the signal wiring is gradually decreasing. However, in the conductive layer applied to the conventional signal wiring, a plurality of pinholes are formed, and as the wiring is miniaturized, disconnection may occur.

또한, 터치 스크린 패널의 전극 용도로써 높은 전기전도도를 가지는 금속 박막인 Al-AlN, Al-CrN, Cu-CrN, Cu-CuN, Ag-CrN, Ag-AlN, Ag-CuN 등을 이용하는 경우에는 미세 선폭의 패턴에서도 높은 반사도로 인하여 시인성의 문제점이 있다.In the case where Al-AlN, Al-CrN, Cu-CrN, Cu-CuN, Ag-CrN, Ag-AlN or Ag-CuN which is a metal thin film having high electrical conductivity is used as the electrode of the touch screen panel, There is a problem of visibility due to high reflectivity even in the line width pattern.

그리고, 제조 공정시 고가의 금속 타겟(target) 비용과 공정이 복잡하여 제조원가가 상승하는 문제점도 있다. 이에 따라, 기존 ITO 기반의 투명 전도성 박막층을 사용한 터치스크린 패널과 차별화 되며 금속 미세 패턴 전극의 은폐성 및 외부광에 대한 반사 및 회절 특성이 개선된 터치스크린 패널에 적용할 수 있는 전도성 소재의 개발이 시급한 실정이다.In addition, there is also a problem that the manufacturing cost is increased due to the complexity of the expensive metal target process and the manufacturing process. Accordingly, development of a conductive material that can be applied to a touch screen panel which is different from a touch screen panel using a transparent conductive thin film layer based on the existing ITO, and has improved hiding properties of metal fine pattern electrodes and reflection and diffraction characteristics against external light It is urgent.

대한민국 공개특허문헌 제10-2013-0068502호Korean Patent Publication No. 10-2013-0068502

본 발명은 투명 터치 패널 필름의 두께를 얇게 하여 경박화를 가능하게 하고, 미세 배선 형성이 가능한 투명 터치 패널 필름, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 터치 패널을 제공하고자 한다.The present invention is to provide a transparent touch panel film capable of thinning a transparent touch panel film by making it thinner and capable of fine wiring formation, a method of manufacturing the same, and a touch panel using the same.

본 발명의 일 측면은 기판, 상기 기판의 적어도 일면에 마련되는 투명전도층, 상기 투명전도층 상에 마련되고, 아연(Zn) 0.1 내지 10.0 중량%, 알루미늄(Al) 0.1 내지 10.0 중량% 및 나머지는 구리(Cu)로 구성되는 3성분계 합금인 CZA(Cu-Zn-Al)층 및 상기 CZA층에 접하여 마련되는 흑화층;을 포함하는 투명 터치 패널 필름을 제공할 수 있다.(Zn), 0.1 to 10.0% by weight of aluminum (Al) and 0.1 to 10.0% by weight of aluminum (Al), and the balance (Cu-Zn-Al) layer which is a three-component alloy composed of copper (Cu) and a blackening layer provided in contact with the CZA layer.

또한, 상기 흑화층은 CZAO(Cu-Zn-Al-O)층, CZAN(Cu-Zn-Al-N)층 및 이들의 복합층 중 어느 하나인 투명 터치 패널 필름을 제공할 수 있다.Also, the blackening layer may provide a transparent touch panel film, which is one of a CZAO (Cu-Zn-Al-O) layer, a CZAN (Cu-Zn-Al-N) layer and a composite layer thereof.

또한, 상기 CZAO(Cu-Zn-Al-O)층은 아연(Zn) 0.1 내지 10.0 중량%, 알루미늄(Al) 0.1 내지 10.0 중량% 및 나머지는 구리(Cu)로 구성되는 3성분계 합금인 CZA(Cu-Zn-Al)와 산소(O2)의 반응으로 형성된 금속막인 투명 터치 패널의 제조 방법을 제공할 수 있다.The CZAO (Cu-Zn-Al-O) layer is a three-component alloy consisting of 0.1 to 10.0 wt% of zinc, 0.1 to 10.0 wt% of aluminum, Cu-Zn-Al) and oxygen (O 2 ).

또한, 상기 CZAO(Cu-Zn-Al-O)층에서 산소(O2)의 함량은 상기 CZAO층 전체 중량을 기준으로 1~10중량%인 투명 터치 패널 필름을 제공할 수 있다.In addition, the content of oxygen (O 2 ) in the CZAO (Cu-Zn-Al-O) layer may be 1 to 10% by weight based on the total weight of the CZAO layer.

또한, 상기 CZAN(Cu-Zn-Al-N)층은 아연(Zn) 0.1 내지 10.0 중량%, 알루미늄(Al) 0.1 내지 10.0 중량% 및 나머지는 구리(Cu)로 구성되는 3성분계 합금인 CZA(Cu-Zn-Al)와 질소(N2)의 반응으로 형성된 금속막인 투명 터치 패널 필름을 제공할 수 있다.Also, the CZAN (Cu-Zn-Al-N) layer is a three-component alloy consisting of 0.1 to 10.0 wt% of zinc, 0.1 to 10.0 wt% of aluminum, Cu-Zn-Al) and nitrogen (N 2 ).

또한, 상기 CZAN(Cu-Zn-Al-N)층에서 질소(N2)의 함량은 상기 CZAN층 전체 중량을 기준으로 1~10중량%인 투명 터치 패널 필름을 제공할 수 있다.In addition, the content of nitrogen (N 2 ) in the CZAN (Cu-Zn-Al-N) layer may be 1 to 10% by weight based on the total weight of the CZAN layer.

또한, 상기 CZA층의 두께는 50 내지 500nm인 투명 터치 패널 필름을 제공할 수 있다.In addition, the CZA layer may have a thickness of 50 to 500 nm.

또한, 상기 흑화층 및 CZA층의 폭은 10㎛이하, 두께는 500㎚이하 그리고 피치는 600㎛이하이며, 패턴은 메쉬 패턴에 의한 것인 투명 터치 패널 필름을 제공할 수 있다.In addition, a transparent touch panel film in which the blackening layer and the CZA layer have a width of 10 mu m or less, a thickness of 500 nm or less, and a pitch of 600 mu m or less and the pattern is a mesh pattern can be provided.

또한, 상기 투명전도층과 상기 기판 사이에 마련되어, 상기 투명전도층의 반사율과 상기 투명전도층이 패터닝되어 제거된 영역의 반사율의 차이가 10% 이하가 되도록 하는 광학층을 더 포함하는 투명 터치 패널 필름을 제공할 수 있다.The transparent touch panel further includes an optical layer provided between the transparent conductive layer and the substrate to make the difference between the reflectance of the transparent conductive layer and the reflectivity of the removed region patterned by the transparent conductive layer be 10% A film can be provided.

또한, 상기 광학층의 두께는 1 내지 5㎛인 투명 터치 패널 필름을 제공할 수 있다.Further, the optical layer may have a thickness of 1 to 5 占 퐉.

또한, 본 발명의 일 측면은 기판의 적어도 일면에 투명전도층을 마련하는 단계, 상기 투명전도층 상에 마련되고, 아연(Zn) 0.1 내지 10.0 중량%, 알루미늄(Al) 0.1 내지 10.0 중량% 및 나머지는 구리(Cu)로 구성되는 3성분계 합금인 CZA(Cu-Zn-Al)층을 마련하는 단계 및 상기 CZA층에 접하여 마련되는 흑화층을 포함하는 투명 터치 패널 필름 제조 방법을 제공할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: providing a transparent conductive layer on at least one surface of a substrate; providing 0.1 to 10.0 wt% zinc (Zn) (Cu-Zn-Al) layer, which is a three-component alloy composed of copper (Cu), and a blackening layer provided in contact with the CZA layer .

또한, 상기 흑화층은 CZAO(Cu-Zn-Al-O)층, CZAN(Cu-Zn-Al-N)층 및 이들의 복합층 중 어느 하나인 투명 터치 패널 필름 제조 방법을 제공할 수 있다.The blackening layer may be a CZAO (Cu-Zn-Al-O) layer, a CZAN (Cu-Zn-Al-N) layer or a composite layer thereof.

또한, 상기 CZAO(Cu-Zn-Al-O)층은 아연(Zn) 0.1 내지 10.0 중량%, 알루미늄(Al) 0.1 내지 10.0 중량% 및 나머지는 구리(Cu)로 구성되는 3성분계 합금인 CZA(Cu-Zn-Al)와 산소(O2)의 반응으로 형성된 금속막인 투명 터치 패널의 제조 방법을 제공할 수 있다.The CZAO (Cu-Zn-Al-O) layer is a three-component alloy consisting of 0.1 to 10.0 wt% of zinc, 0.1 to 10.0 wt% of aluminum, Cu-Zn-Al) and oxygen (O 2 ).

또한, 상기 CZAO(Cu-Zn-Al-O)층에서 산소(O2)의 함량은 상기 CZAO층 전체 중량을 기준으로 1~10중량%인 투명 터치 패널 필름 제조 방법을 제공할 수 있다.Also, the content of oxygen (O 2 ) in the CZAO (Cu-Zn-Al-O) layer may be 1 to 10 wt% based on the total weight of the CZAO layer.

또한, 상기 CZAN(Cu-Zn-Al-N)층은 아연(Zn) 0.1 내지 10.0 중량%, 알루미늄(Al) 0.1 내지 10.0 중량% 및 나머지는 구리(Cu)로 구성되는 3성분계 합금인 CZA(Cu-Zn-Al)와 질소(N2)의 반응으로 형성된 금속막인 투명 터치 패널의 제조 방법을 제공할 수 있다.Also, the CZAN (Cu-Zn-Al-N) layer is a three-component alloy consisting of 0.1 to 10.0 wt% of zinc, 0.1 to 10.0 wt% of aluminum, Cu-Zn-Al) and nitrogen (N 2 ) can be provided.

또한, 상기 CZAN(Cu-Zn-Al-N)층에서 질소(N2)의 함량은 상기 CZAN층 전체 중량을 기준으로 1~10중량%인 투명 터치 패널 필름 제조 방법을 제공할 수 있다.In addition, the content of nitrogen (N 2 ) in the CZAN (Cu-Zn-Al-N) layer may be 1 to 10 wt% based on the total weight of the CZAN layer.

또한, 상기 CZA층의 두께는 50 내지 500nm로 마련되는 투명 터치 패널 필름 제조 방법을 제공할 수 있다.The thickness of the CZA layer may be 50 to 500 nm.

또한, 상기 투명전도층을 마련하기 전에 상기 기판 상에 상기 투명전도층의 반사율과 상기 투명전도층이 패터닝되어 제거된 영역의 반사율의 차이가 10% 이하가 되도록 하는 광학층을 마련하는 단계를 더 포함하는 투명 터치 패널 필름 제조 방법을 제공할 수 있다.The step of providing an optical layer on the substrate so that the reflectance of the transparent conductive layer and the reflectance of the removed region after patterning the transparent conductive layer is 10% or less on the substrate before the transparent conductive layer is formed The present invention provides a method for manufacturing a transparent touch panel film.

또한, 상기 흑화층 및 CZA층의 선폭은 10㎛이하, 두께는 500㎚이하 그리고 피치는 600㎛이하이며, 패턴은 메쉬 패턴에 의한 것인 투명 터치 패널 필름 제조 방법을 제공할 수 있다.Further, it is possible to provide a method for manufacturing a transparent touch panel film wherein the line width of the blackening layer and the CZA layer is 10 mu m or less, the thickness is 500 nm or less, the pitch is 600 mu m or less, and the pattern is a mesh pattern.

또한, 상기 투명전도층을 마련하는 단계는, 비정질 투명전도층을 마련하고, 상기 비정질 투명전도층을 120 내지 170℃의 조건에서 30 내지 120분 동안 열처리하여 결정질 투명전도층으로 전환하는 단계를 포함하는 투명 터치 패널 필름 제조 방법을 제공할 수 있다.The step of providing the transparent conductive layer may include a step of providing an amorphous transparent conductive layer and heat-treating the amorphous transparent conductive layer at a temperature of 120 to 170 ° C for 30 to 120 minutes to convert it to a crystalline transparent conductive layer The transparent touch panel can be manufactured by a method comprising the steps of:

또한, 본 발명의 일 측면은 본 발명의 일 측면에 따른 투명 터치 패널 필름을 포함하는 정전용량방식의 터치 패널을 제공할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a capacitive touch panel including a transparent touch panel film according to one aspect of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 터치 패널 필름의 단면도이다.
도 2는 투명 터치 패널 필름을 터치 패널로 조립하기 위하여 배선층과 투명전도층을 패터닝한 후의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 패턴 방법인 그라비아 옵셋 패터닝을 하는 모습을 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 투명 터치 패널 필름의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 투명 터치 패널 필름이 터치 패널로 조립되기 전에 배선층과 투명전도층을 패터닝한 후의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 터치 패널 필름의 제조 방법을 단계별로 설명한 순서도이다.
도 7은 본 발명에 따른 CZA층을 사용하는 경우에는 베젤부의 공정에 있어서의 차이점을 나타낸 순서도이다.
도 8은 터치 패널부를 형성하는 공정에서 CZA층을 이용하는 경우에 공정의 차이점을 나타낸 순서도이다.
도 9는 메탈 메쉬를 형성하는 공정에서 CZA층을 이용하는 경우에 공정의 차이점을 나타낸 순서도이다.
1 is a cross-sectional view of a transparent touch panel film according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view of a wiring layer and a transparent conductive layer patterned to assemble a transparent touch panel film with a touch panel. FIG.
FIG. 3 illustrates a patterned gravitational offset patterning according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a transparent touch panel film according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a transparent touch panel film according to another embodiment of the present invention after patterning a wiring layer and a transparent conductive layer before the touch panel is assembled into a touch panel.
6 is a flowchart illustrating steps of a method for manufacturing a transparent touch panel film according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a flowchart showing the difference in the process of the bezel when using the CZA layer according to the present invention.
8 is a flowchart showing the difference in the process when the CZA layer is used in the process of forming the touch panel portion.
9 is a flow chart showing the difference in the process when the CZA layer is used in the process of forming the metal mesh.

이하에서는 본 발명의 실시 예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 이하의 실시 예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 충분히 전달하기 위해 제시하는 것이다. 본 발명은 여기서 제시한 실시 예만으로 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 도면은 본 발명을 명확히 하기 위해 설명과 관계 없는 부분의 도시를 생략하고, 이해를 돕기 위해 구성요소의 크기를 다소 과장하여 표현할 수 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided to fully convey the spirit of the present invention to a person having ordinary skill in the art to which the present invention belongs. The present invention is not limited to the embodiments shown herein but may be embodied in other forms. For the sake of clarity, the drawings are not drawn to scale, and the size of the elements may be slightly exaggerated to facilitate understanding.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 터치 패널 필름의 단면도이고, 도 2는 투명 터치 패널 필름을 터치 패널로 조립하기 위하여 배선층과 투명전도층(200)을 패터닝한 후의 사시도이다. 도 1 및 도 2를 참고하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 터치 필름은 기판(100), 투명전도층(200) 및 배선층을 포함할 수 있다. 배선층은 하기 설명할 CZA층(300)과 동일할 수 있다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a transparent touch panel film according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view after patterning a wiring layer and a transparent conductive layer 200 to assemble a transparent touch panel film with a touch panel. Referring to FIGS. 1 and 2, a transparent touch film according to an embodiment of the present invention may include a substrate 100, a transparent conductive layer 200, and a wiring layer. The wiring layer may be the same as the CZA layer 300 to be described later.

배선층은 부식 저항이 높아야 하며, 선택적 식각성이 우수하며, 저항값이 낮아서 미세 선폭(line and space)으로 형성하더라도 신호 전달이 우수하며, 식각의 균일성이 얻어질 수 있으며, 핀홀이 생성되지 않아 미세 선폭으로 패터닝하더라도 단선이 일어나지 않을 수 있는 물질로 마련할 수 있다.The wiring layer should have a high corrosion resistance, an excellent selectivity, and a low resistance. Thus, even when formed into a line and space, signal transmission is excellent, etching uniformity can be obtained, pinholes are not generated It can be provided with a material which may not cause disconnection even if it is patterned with a fine line width.

또한, 기판(100), 투명전도층(200) 및 배선층 사이에는 이들 층끼리의 접착력을 생기게 하기 위한 점착층이 따로 마련되어야 했으나, 이러한 층의 추가는 공정의 복잡화 및 터치 패널의 부피 증가 등을 수반할 수 있다. 하지만 본 발명의 일 실시 예에 따른 배선층에 의하면 배선층 자체에 점착력을 가질 수 있기 때문에 별도의 점착층을 마련하지 않을 수 있다. In addition, a pressure sensitive adhesive layer has to be provided between the substrate 100, the transparent conductive layer 200, and the wiring layer in order to create an adhesive force between these layers. However, the addition of such a layer may increase the complexity of the process, . However, according to the wiring layer according to an embodiment of the present invention, since the wiring layer itself can have an adhesive force, a separate adhesive layer can be omitted.

따라서 본 발명의 일 실시 예는 기판(100), 상기 기판(100)의 적어도 일면에 마련되는 투명전도층(200) 및 상기 투명전도층(200) 상에 마련되고, 아연(Zn) 0.1 내지 10.0 중량%, 알루미늄(Al) 0.1 내지 10.0 중량% 및 나머지는 구리(Cu)로 구성되는 3성분계 합금인 CZA(Cu-Zn-Al)층(300)을 포함하는 투명 터치 패널 필름을 제공할 수 있다.One embodiment of the present invention is a light emitting device comprising a substrate 100, a transparent conductive layer 200 provided on at least one surface of the substrate 100, and a transparent conductive layer 200 provided on the transparent conductive layer 200, (Cu-Zn-Al) layer 300, which is a three-component system alloy composed of aluminum (Al) in an amount of 0.1 to 10.0% by weight and the balance of copper (Cu) .

기판(100)은 투명하고, 플렉서블하며, 상면에 스퍼터링 또는 진공 증착에 의해 도전막을 형성하기 위한 고온 공정에 내열성이 있는 열가소성 플라스틱 필름으로 마련될 수 있다. 기판(100)의 종류에 특별한 한정이 있는 것은 아니나, 폴리에스테르계 수지, 아세테이트계 수지, 폴리에테르술폰계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리올레핀계 수지, (메타)아크릴계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리염화비닐리덴계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리비닐알콜계 수지, 폴리아릴레이트계 수지 및 폴리페닐렌설파이드계 수지를 포함하는 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 플라스틱 필름을 들 수 있다.The substrate 100 may be made of a thermoplastic plastic film that is transparent, flexible, heat resistant to a high temperature process for forming a conductive film by sputtering or vacuum deposition on the top surface. Although there is no particular limitation on the type of the substrate 100, the substrate 100 may be formed of a resin such as a polyester resin, an acetate resin, a polyether sulfone resin, a polycarbonate resin, a polyamide resin, a polyimide resin, a polyolefin resin, ) One or more plastic films selected from the group consisting of an acrylic resin, a polyvinyl chloride resin, a polyvinylidene chloride resin, a polystyrene resin, a polyvinyl alcohol resin, a polyarylate resin and a polyphenylene sulfide resin .

그리고, 기판(100)은 유리 재질로 마련될 수도 있다. 유리 재질로는 어느 정도 이상의 경도를 가지는 것이면 일반 유리도 사용이 가능하나 고경도 필름 유리, 사파이어 유리 및 고릴라 유리를 포함하는 경도가 높은 유리 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 유리가 사용될 수도 있다.The substrate 100 may be made of glass. As the glass material, ordinary glass can be used as long as it has a hardness of at least a certain degree, but any one or more of glass selected from the group of high hardness glass including high hardness film glass, sapphire glass and gorilla glass may be used.

또한, CZA층(300)의 두께는 50 내지 500㎚의 범위 내인 것이 기계적 강도를 유지하면서 우수한 터치 패널 적용성을 나타낼 수 있다. 도 2에는 기판(100)의 일면에 투명전도층(200) 및 배선층이 마련되어 있는 것으로 도시되어 있으나 기판(100)의 양면에 각각 투명전도층(200) 및 배선층이 각각 마련될 수 있다.In addition, the thickness of the CZA layer 300 is in the range of 50 to 500 nm, which can exhibit excellent touch panel applicability while maintaining mechanical strength. 2 illustrates that the transparent conductive layer 200 and the wiring layer are provided on one surface of the substrate 100, but the transparent conductive layer 200 and the wiring layer may be provided on both surfaces of the substrate 100, respectively.

도 2를 참고하면, 배선층은 표시 영역 이외의 베젤 영역에 패터닝되어 배선 패턴(310)을 형성할 수 있다. 배선 패턴(310)은 표시 영역에 형성된 정전용량 전극 패턴인 투명전도층 패턴(210)과 제어칩(미도시) 사이에서 신호전달을 하기 위하여 마련될 수 있다.Referring to FIG. 2, the wiring layer is patterned in a bezel region other than the display region, so that the wiring pattern 310 can be formed. The wiring pattern 310 may be provided for signal transmission between the transparent conductive layer pattern 210, which is a capacitive electrode pattern formed in the display area, and a control chip (not shown).

또한, 산화되어 마련되는 흑화층 및 CZA층의 폭은 10㎛이하, 두께는 500㎚이하 그리고 피치는 600㎛이하이며, 패턴은 메쉬 패턴에 의한 것일 수 있다. 각 층의 폭, 두께 및 피치의 형태는 패터닝 방법에 의해서 결정될 수 있는데, 그라비아 옵셋의 방법에 의해서 패터닝 될 수 있다. 도 3을 참고하면, 그라비아 옵셋에 의한 패터닝 방법을 나타낸 것이며, 이러한 방법을 통해서 각 층의 패턴을 미세하고 정확하게 패터닝할 수 있다.The thickness of the blackened layer and the CZA layer to be oxidized are 10 mu m or less, the thickness is 500 nm or less, and the pitch is 600 mu m or less, and the pattern may be a mesh pattern. The width, thickness and shape of the pitch of each layer can be determined by the patterning method, which can be patterned by the method of gravure offset. Referring to FIG. 3, a patterning method using a gravure offset is shown. Through this method, the pattern of each layer can be finely and accurately patterned.

투명전도층(200)은 투명성을 갖는 도전물질이면 제한이 없을 수 있다. 그 종류에 특별한 제한이 있는 것은 아니지만 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 안티몬(Sb), 티타늄(Ti), 규소(Si), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 팔라듐(Pd) 및 텅스텐(W)을 포함하는 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 금속의 금속 산화물을 들 수 있다. 그리고, 투명전도층(200)의 두께는 100 내지 500Å일 수 있다. 100Å 이상일 때, 양호한 도전성의 연속 박막으로 형성될 수 있다. 한편, 500Å이하일 때, 터치 패널의 투명성을 원하는 범위로 유지할 수 있다.The transparent conductive layer 200 may be transparent if it is a conductive material. There is no particular limitation on the kind of the metal element. However, there is no particular limitation on the kind of the metal element. However, the metal element is not limited to indium, tin, zinc, gallium, antimony, titanium, silicon, Metal oxides of any one or more metals selected from the group consisting of Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd and W, have. The thickness of the transparent conductive layer 200 may be 100 to 500 Å. When the thickness is 100 angstroms or more, it can be formed as a continuous thin film of good conductivity. On the other hand, when the thickness is 500 ANGSTROM or less, the transparency of the touch panel can be maintained in a desired range.

또한, 투명전도층(200)의 일면에 마련되고, 알루미늄(Al) 0.1 내지 10.0 중량%, 티타늄(Ti) 0.1 내지 10.0 중량% 및 나머지는 구리(Cu)로 구성되는 3성분계 합금인 CZA(Cu-Al-Ti)층을 포함할 수 있다. 이 때, 알루미늄(Al)과 티타늄(Ti)의 함량의 총합은 20중량% 이하로 마련할 수 있는데, 20중량%를 초과하는 경우에는 배선층으로서의 기능 및 점착력이 저하될 수 있다. 또한, 알루미늄(Al)과 티타늄(Ti)의 함량의 총합이 15중량% 이하일 경우 부식 저항이 향상될 수 있다. 이는 배선층의 경제성 및 배선으로서의 신뢰성 등을 고려한 값이다.Further, CZA (Cu (Cu)), which is a three-component alloy which is provided on one surface of the transparent conductive layer 200 and is composed of 0.1 to 10.0% by weight of aluminum (Al), 0.1 to 10.0% by weight of titanium -Al-Ti) layer. At this time, the total of the contents of aluminum (Al) and titanium (Ti) may be 20 wt% or less, and if it exceeds 20 wt%, the function and adhesion of the wiring layer may be deteriorated. In addition, when the total amount of aluminum (Al) and titanium (Ti) is 15 wt% or less, the corrosion resistance can be improved. This is a value considering the economical efficiency of the wiring layer and the reliability as wiring.

CZA로 배선을 형성할 경우 기존소재에 비하여 작은 크기의 핀 홀이 생성될 수 있다. 드물게 핀홀이 생성되어도 5㎛ 이하의 크기이며 배선층을 신호배선으로 패터닝 하더라도 단선의 우려가 없다. 또한, 배선층은 롤투롤 스퍼터링을 통해 빠른 시간안에 균일한 배선층을 형성할 수 있다.When wiring is formed by CZA, pinhole of small size can be generated compared with the existing material. Even if pinholes are rarely generated, there is no fear of disconnection even if the wiring layer has a size of 5 탆 or less and is patterned with signal wiring. Further, the wiring layer can form a uniform wiring layer in a short period of time through roll-to-roll sputtering.

그리고, 배선층은 저저항 물질인 CZA로 형성하기 때문에 50 내지 500nm 이하 두께의 단일층으로 형성할 수 있다. 배선층의 두께는 50nm 이상이 되어야 원하는 신호저항을 얻을 수 있고, 500nm 이하가 되어야 경박화할 수 있다. 배선층의 두께는 종래의 Mo/Al/Mo경우 30/300/30nm 보다 얇게 형성할 수 있기 때문에 터치패널의 경박화에 유리하며 단일층으로 형성하기 때문에 배선 제조 공정도 단순화될 수 있다. Since the wiring layer is formed of CZA which is a low resistance material, it can be formed into a single layer having a thickness of 50 to 500 nm or less. The thickness of the wiring layer should be 50 nm or more to obtain the desired signal resistance, and the thickness of the wiring layer to be 500 nm or less. Since the thickness of the wiring layer can be formed thinner than that of the conventional Mo / Al / Mo case of 30/300/30 nm, it is advantageous to make the touch panel thinner and can be formed into a single layer, so that the wiring manufacturing process can be simplified.

도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 투명 터치 패널 필름의 단면도이며, 도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 투명 터치 패널 필름이 터치 패널로 조립되기 전에 배선층과 투명전도층(200)을 패터닝한 후의 단면도이다. 도 4를 참고하면 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 터치 패널 필름은 투명전도층(200)과 기판(100) 사이에 마련되어, 투명전도층(200)의 반사율과 투명전도층(200)이 패터닝되어 제거된 영역의 반사율의 차이가 10%이하가 되도록 하는 광학층(400)을 더 포함할 수 있다.FIG. 4 is a cross-sectional view of a transparent touch panel film according to another embodiment of the present invention. FIG. 5 is a cross-sectional view of a transparent touch panel film according to another embodiment of the present invention, Sectional view after patterning. Referring to FIG. 4, a transparent touch panel film according to an exemplary embodiment of the present invention is provided between a transparent conductive layer 200 and a substrate 100 so that the reflectivity of the transparent conductive layer 200 and the reflectivity of the transparent conductive layer 200 And an optical layer (400) for allowing the difference in reflectance of the removed region to be 10% or less.

도 5를 참고하면, 광학층(400)은 투명전도층(200)을 패터닝한 후 투명전도층(200)의 반사율(R1)과 투명전도 패턴에 의해 노출된 영역의 반사율(R2)의 차이가 10% 이하가 되도록 광학특성을 조절할 수 있다. 광학층(400)에 의해 반사율의 차이가 10% 이하가 되기 때문에 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 터치 필름을 포함하는 터치 패널에서 투명전도 패턴이 육안으로 관찰되는 표시 품질 저하가 방지될 수 있다.5, the optical layer 400 is formed by patterning the transparent conductive layer 200, and then the difference between the reflectance R 1 of the transparent conductive layer 200 and the reflectance R 2 of the region exposed by the transparent conductive pattern The optical properties can be controlled to be 10% or less. The difference in reflectance is less than 10% by the optical layer 400, so that deterioration in display quality in which the transparent conductive pattern is observed with the naked eye can be prevented in the touch panel including the transparent touch film according to one embodiment of the present invention .

그리고, 상기 반사율 차이는 인덱스 매칭 기술에 의하여 조절할 수 있다. 인덱스 매칭은 금속 전극을 패터닝 하면서 금속이 존재하는 부분과 존재하지 않는 부분의 차이를 보여주는 시인성을 제거하기 위하여 금속전도층 막 아래층에 산화층과 같은 추가적인 층을 마련하여 굴절율을 조정하고 투과율과 반사율의 차이를 최소화하는 것을 말한다. 이러한 기술을 통해서 눈으로 보는 차이를 느끼지 못하게 할 수 있다.The reflectance difference may be adjusted by an index matching technique. In the index matching, an additional layer such as an oxide layer is provided under the metal conductive layer film in order to remove the visibility showing the difference between the metal portion and the non-metal portion while patterning the metal electrode to adjust the refractive index, Is minimized. These techniques can make you feel no difference in your eyes.

또한, 광학층(400)은 반사율의 차이를 10% 이하로 하기에 적합한 두께로 마련될 수 있다. 이에 따라서 광학층(400)의 두께는 1 내지 5㎛로 마련될 수 있다. 이러한 광학층(400)의 두께를 마련하기 위해서 롤투롤 PECVD 또는 졸-겔법 등에 의해 마련될 수 있다.In addition, the optical layer 400 may be provided with a thickness suitable for reducing the difference in reflectance to 10% or less. Accordingly, the thickness of the optical layer 400 may be set to 1 to 5 占 퐉. It may be provided by a roll-to-roll PECVD or sol-gel method or the like in order to provide the thickness of the optical layer 400.

도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 터치 패널 필름의 제조 방법을 단계별로 설명한 순서도이다. 도 6을 참고하면 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 터치 패널 필름의 제조 공정은 기판(100)의 적어도 일면에 투명전도층(200)을 마련하는 단계 및 상기 투명전도층(200) 상에 마련되고 아연(Zn) 0.1 내지 10.0 중량%, 알루미늄(Al) 0.1 내지 10.0 중량% 및 나머지는 구리(Cu)로 구성되는 3성분계 합금인 CZA(Cu-Zn-Al)층을 마련하는 단계를 포함할 수 있다.6 is a flowchart illustrating steps of a method for manufacturing a transparent touch panel film according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 6, a transparent touch panel film according to an exemplary embodiment of the present invention includes a transparent conductive layer 200 on at least one surface of a substrate 100, (Cu-Zn-Al) layer which is a ternary alloy composed of 0.1 to 10.0% by weight of zinc (Zn), 0.1 to 10.0% by weight of aluminum (Al) and the balance of copper (Cu) .

기판(100)은 투명하고, 플렉서블한 각종 플라스틱 필름으로 2 내지 200㎛ 두께일 수 있다. 이 때 신뢰성 높은 제품을 제공하기 위하여 기판(100)의 표면을 세정 처리하거나 표면 처리하는 단계를 포함할 수 있다. 표면 세정 처리는 용액 세정, 초음파 세정 등의 다양한 방법으로 수행할 수 있다. 또한 기판(100)위에 마련될 수 있는 광학층(400)의 접착력을 향상시키기 위한 표면 처리를 더 수행할 수도 있다. The substrate 100 may be a transparent, flexible plastic film having a thickness of 2 to 200 탆. In this case, the surface of the substrate 100 may be washed or surface-treated to provide a highly reliable product. The surface cleaning treatment can be carried out by various methods such as solution cleaning and ultrasonic cleaning. Further, a surface treatment for improving the adhesion of the optical layer 400, which may be provided on the substrate 100, may be further performed.

투명전도층(200)은 전술한 바와 같이 투명성을 갖는 도전물질이면 제한이 없을 수 있다. 그 종류에 특별한 제한이 있는 것은 아니지만 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 안티몬(Sb), 티타늄(Ti), 규소(Si), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 팔라듐(Pd) 및 텅스텐(W)을 포함하는 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 금속의 금속 산화물을 들 수 있다. 그리고, 투명전도층(200)의 두께는 100 내지 500Å일 수 있다. 100Å 이상일 때, 양호한 도전성의 연속 박막으로 형성될 수 있다. 한편, 500Å이하일 때, 터치 패널의 투명성을 원하는 범위로 유지할 수 있다.The transparent conductive layer 200 may be any conductive material having transparency as described above. There is no particular limitation on the kind of the metal element. However, there is no particular limitation on the kind of the metal element. However, the metal element is not limited to indium, tin, zinc, gallium, antimony, titanium, silicon, Metal oxides of any one or more metals selected from the group consisting of Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd and W, have. The thickness of the transparent conductive layer 200 may be 100 to 500 Å. When the thickness is 100 angstroms or more, it can be formed as a continuous thin film of good conductivity. On the other hand, when the thickness is 500 ANGSTROM or less, the transparency of the touch panel can be maintained in a desired range.

또한, 투명전도층(200)의 일면에 마련되고, 아연(Zn) 0.1 내지 10.0 중량%, 알루미늄(Al) 0.1 내지 10.0 중량% 및 나머지는 구리(Cu)로 구성되는 3성분계 합금인 CZA(Cu-Al-Ti)층을 마련하는 단계를 포함할 수 있다. 이 때, 아연(Zn)과 알루미늄(Al)의 함량의 총합은 20중량% 이하로 마련할 수 있는데, 20중량%를 초과하는 경우에는 배선층으로서의 기능 및 점착력이 저하될 수 있다. 또한, 아연(Zn)과 알루미늄(Al)의 함량의 총합이 15중량% 이하일 경우 부식 저항이 향상될 수 있다. 이는 배선층의 경제성 및 배선으로서의 신뢰성 등을 고려한 값이다.Further, CZA (Cu (Cu)), which is a three-component alloy which is provided on one surface of the transparent conductive layer 200 and is composed of 0.1 to 10.0% by weight of zinc (Zn), 0.1 to 10.0% -Al-Ti < / RTI > layer). At this time, the total of the contents of zinc (Zn) and aluminum (Al) may be 20 wt% or less, and if it exceeds 20 wt%, the function and adhesive force as a wiring layer may be deteriorated. Also, if the total amount of zinc (Zn) and aluminum (Al) is 15 wt% or less, the corrosion resistance can be improved. This is a value considering the economical efficiency of the wiring layer and the reliability as wiring.

CZA층(300)은 전술한 바와 같이, 기존소재에 비하여 작은 크기의 핀 홀이 생성될 수 있다. 드물게 핀홀이 생성되어도 5㎛ 이하의 크기이며 배선층을 신호배선으로 패터닝 하더라도 단선의 우려가 없다. 또한, 배선층은 롤투롤 스퍼터링을 통해 빠른 시간안에 균일한 배선층을 형성할 수 있다.As described above, the CZA layer 300 can generate pinholes of a smaller size than the existing material. Even if pinholes are rarely generated, there is no fear of disconnection even if the wiring layer has a size of 5 탆 or less and is patterned with signal wiring. Further, the wiring layer can form a uniform wiring layer in a short period of time through roll-to-roll sputtering.

각 층은 그 성분 구성과 패터닝 방식에 의해서 층의 두께가 달라질 수 있는데 하기 표 1을 참고하면 CZA층(300)의 두께가 기존의 다른 전도층에 비해서 얇다는 것을 알 수 있다. 이로 인해서 제품의 경량화가 가능할 수 있다.The thickness of the CZA layer 300 is thinner than that of other conductive layers, as shown in Table 1 below. As a result, the weight of the product can be reduced.

구분division 실시예Example 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 비교예3Comparative Example 3 비교예4Comparative Example 4 성분ingredient Cu-Zn(0.5wt%)-Al(2.5wt%) Cu-Zn (0.5 wt%) - Al (2.5 wt%) Mo/Ag/Mo
3중막
Mo / Ag / Mo
Triple membrane
Mo/Al/Mo
3중막
Mo / Al / Mo
Triple membrane
NiCr/Cu/NiCr
3중막
NiCr / Cu / NiCr
Triple membrane
NiCuTi/Cu/NiCuTi
3중막
NiCuTi / Cu / NiCuTi
Triple membrane
두께thickness CZA
160nm
CZA
160 nm
Mo/Ag/Mo
30/120/30nm
Mo / Ag / Mo
30/120 / 30nm
Mo/Al/Mo
30/300/30nm
Mo / Al / Mo
30/300 / 30nm
NiCr/Cu/NiCr
30/240/30nm
NiCr / Cu / NiCr
30/240 / 30nm
NiCuTi/Cu/NiCuTi
30/240/30nm
NiCuTi / Cu / NiCuTi
30/240 / 30nm

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 CZA층(300)은 전도성과 접착력을 동시에 가질 수 있어서 추가적인 점착층을 마련하는 단계를 생략할 수 있다. CZA층(300)의 각 성분비에 따른 전도성과 접착력에 대한 실험 결과가 하기 표 2에 도시되어 있다.In addition, the CZA layer 300 according to an exemplary embodiment of the present invention may have both conductivity and adhesion, so that the step of providing an additional adhesive layer may be omitted. Experimental results on the conductivity and adhesion according to the composition ratios of the CZA layer 300 are shown in Table 2 below.

성분비Composition ratio RR AdhesionAdhesion CC ZZ AA 9090 1One 99 36.936.9 100/100100/100 33 77 29.929.9 100/100100/100 88 22 21.121.1 100/100100/100 99 1One 18.918.9 51/10051/100 9595 44 1One 0.220.22 68/10068/100 33 22 0.210.21 100/100100/100 22 33 0.280.28 100/100100/100 1One 44 0.430.43 100/100100/100

그리고, 본 발명에 따른 CZA층(300)을 사용하는 경우에는 베젤부의 공정에 있어서 공정을 단순화 하는 결과를 가져올 수도 있는데 그 공정의 차이를 도 7에 나타내었다. 도 7을 참고하면, 접착력을 갖게 하기 위한 다른 물질을 스퍼터 하는 공정이 생략될 수 있다는 것을 알 수 있다.When the CZA layer 300 according to the present invention is used, the process may be simplified in the process of the bezel portion, and the difference of the process is shown in FIG. Referring to FIG. 7, it can be seen that the step of sputtering other materials for imparting adhesive strength can be omitted.

또한, 마찬가지로 터치 패널부나 메탈 메쉬를 형성하는 공정에서도 CZA층(300)을 이용하는 경우에는 공정의 단순화를 가져올 수 있는데, 기존의 공정에 비해서 단순화된 공정을 이용할 수 있다는 것이 도 8 및 9에 나타나있다.8 and 9 show that the CZA layer 300 can also simplify the process in the process of forming the touch panel portion and the metal mesh, and simplify the process compared to the conventional process. .

또한, 광학층(400)은 반사율의 차이를 10% 이하로 하기에 적합한 두께로 형성될 수 있다. 광학층(400)의 두께는 1 내지 5㎛로 마련되는 것이 반사율의 차이를 10% 이하로 조절하는데 적합할 수 있다. 그리고 광학층(400)의 형성은 롤투롤 PECVD법, 졸-겔법 등에 의해 형성될 수 있다. In addition, the optical layer 400 may be formed to have a thickness suitable for making the difference in reflectance 10% or less. The thickness of the optical layer 400 may be set to 1 to 5 占 퐉, which may be suitable for controlling the difference in reflectance to 10% or less. The optical layer 400 may be formed by a roll-to-roll PECVD method, a sol-gel method, or the like.

그리고, 투명전도층(200)을 마련하는 단계는 비정질 투명전도층(200)을 마련하고, 상기 비정질 투명전도층(200)을 120 내지 170℃의 조건에서 30 내지 120분 동안 열처리하여 결정질 투명전도층(200)으로 전환하는 단계를 포함할 수 있다. 이 단계는 비정질 투명전도층(200)을 열처리하여 비정질 투명전도층(200)을 결정질 투명전도층(200)으로 변환시켜 투명전도층(200)의 형성을 완료하는 단계로서 열처리는 120 내지 170℃의 조건에서 30 내지 120분 동안 실시할 수 있다. 비정질 투명전도층(200)을 결정질 투명전도층(200)으로 변환시키면 투명전도층(200)의 면저항(Ω/square)을 낮추고 안정화시킬 수 있다.The step of providing the transparent conductive layer 200 may include providing the amorphous transparent conductive layer 200 and thermally treating the amorphous transparent conductive layer 200 at 120 to 170 ° C for 30 to 120 minutes to form a crystalline transparent conductive layer 200, Layer 200 as shown in FIG. In this step, the amorphous transparent conductive layer 200 is thermally treated to convert the amorphous transparent conductive layer 200 into a crystalline transparent conductive layer 200 to complete the formation of the transparent conductive layer 200. The heat treatment may be performed at 120 to 170 ° C For 30 to 120 minutes. The sheet resistance (Ω / square) of the transparent conductive layer 200 can be lowered and stabilized by converting the amorphous transparent conductive layer 200 into the crystalline transparent conductive layer 200.

또한, 본 발명의 일 측면은 CZA층을 산화시킨 흑화층을 추가로 포함되어 사용될 수 있다. 전극의 패턴은 금속으로 되어 있는 경우 많으며 금속 재질은 높은 광택을 띄기 때문에 외부로부터 외광이 반사되어 명암비가 저하될 수도 있다. 이를 억제하기 위하여 전도성 패턴의 표면을 어둡게 처리할 수 있다. 이렇게 함으로 인해서 반사율을 줄일 수 있다.In addition, one aspect of the present invention can be used in addition to the blackening layer oxidizing the CZA layer. The pattern of the electrode is often made of metal , and the metal material is highly glossy, so that the external light may be reflected from the outside and the contrast ratio may be lowered. The surface of the conductive pattern can be darkened to suppress it. By doing so, the reflectance can be reduced.

표면을 어둡게 처리하는 흑화 방법에 있어서는 전도성 페이스트에 카본 또는 흑색 염료를 첨가하는 BM코팅 방법을 사용할 수도 있으며 반응성 스퍼터링 방법으로 처리할 수도 있다. 반응성 스퍼터링 방법에 의하면 흑화층을 형성함과 동시에 박막의 산화도 방지할 수 있다. 상기 흑화층을 형성함으로 인해서 난반사율을 낮춰 시인성을 좋게하고 동시에 자연 산화를 방지하여 산화로 인한 면저항 상승 현상을 최소화 할 수 있다.In the blackening method for darkening the surface, a BM coating method in which carbon or black dye is added to the conductive paste may be used, or may be treated by a reactive sputtering method. According to the reactive sputtering method, the blackening layer can be formed and oxidation of the thin film can be prevented. By forming the blackening layer, it is possible to lower the reflectance of the hardened layer to improve the visibility and at the same time to prevent the natural oxidation, thereby minimizing the increase of sheet resistance due to oxidation.

또한, 흑화층은 CZA층에 접하여 마련될 수 있다. 흑화층이 CZA층 상에 마련되는 경우에는 CZA층의 산화를 방지할 수 있음과 동시에 반사율을 조절할 수 있는 역할을 수행할 수 있으며, CZA층 하에 마련되는 경우에는 반사율을 조절할 수 있는 역할을 수행할 수 있다.Further, the blackening layer may be provided in contact with the CZA layer. When the blackening layer is provided on the CZA layer, oxidation of the CZA layer can be prevented and the reflectance can be controlled. If the blackening layer is provided under the CZA layer, the reflectance can be controlled .

하기 표 3은 질소(N2) 함량에 따른 반사율과 저항값을 나타내는 표이다.Table 3 below is a table showing reflectance and resistance values according to nitrogen (N 2 ) content.

Ar(sccm)Ar (sccm) N2(sccm)N 2 (sccm) Reflectance(%)Reflectance (%) R(Ω/□)R (Ω / □) 400400 55 4.94.9 0.240.24 400400 77 4.14.1 0.290.29 400400 1010 3.53.5 0.350.35 400400 1515 2.62.6 0.490.49 400400 2020 1.511.51 0.530.53 400400 2525 1.521.52 0.700.70 400400 3030 1.511.51 0.870.87

또한, 하기 표 4는 산소(O2) 함량에 따른 반사율과 저항값을 나타내는 표이다.Table 4 below is a table showing reflectance and resistance values according to oxygen (O 2 ) content.

Ar(sccm)Ar (sccm) O2(sccm)O 2 (sccm) Reflectance(%)Reflectance (%) R(Ω/□)R (Ω / □) 400400 55 5.35.3 0.240.24 400400 77 4.54.5 0.300.30 400400 1010 3.63.6 0.370.37 400400 1515 2.82.8 0.490.49 400400 2020 1.761.76 0.550.55 400400 2525 1.751.75 0.710.71 400400 3030 1.761.76 0.980.98

100: 기판 200: 투명전도층
210: 투명전도층 패턴 300: CZA층
310: 배선 패턴 400: 광학층
100: substrate 200: transparent conductive layer
210: transparent conductive layer pattern 300: CZA layer
310: wiring pattern 400: optical layer

Claims (21)

기판;
상기 기판의 적어도 일면에 마련되는 투명전도층;
상기 투명전도층 상에 마련되고, 아연(Zn) 0.1 내지 10.0 중량%, 알루미늄(Al) 0.1 내지 10.0 중량% 및 나머지는 구리(Cu)로 구성되는 3성분계 합금인 CZA(Cu-Zn-Al)층; 및
상기 CZA층에 접하여 마련되는 흑화층;을 포함하는 투명 터치 패널 필름.
Board;
A transparent conductive layer provided on at least one side of the substrate;
(Cu-Zn-Al), which is a ternary alloy composed of 0.1 to 10.0 wt% of zinc (Zn), 0.1 to 10.0 wt% of aluminum (Al) and the balance of copper (Cu) layer; And
And a blackening layer provided in contact with the CZA layer.
제1항에 있어서,
상기 흑화층은 CZAO(Cu-Zn-Al-O)층, CZAN(Cu-Zn-Al-N)층 및 이들의 복합층 중 어느 하나인 투명 터치 패널 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the blackening layer is any one of a CZAO (Cu-Zn-Al-O) layer, a CZAN (Cu-Zn-Al-N) layer and a composite layer thereof.
제2항에 있어서,
상기 CZAO(Cu-Zn-Al-O)층은 아연(Zn) 0.1 내지 10.0 중량%, 알루미늄(Al) 0.1 내지 10.0 중량% 및 나머지는 구리(Cu)로 구성되는 3성분계 합금인 CZA(Cu-Zn-Al)와 산소(O2)의 반응으로 형성된 금속막인 투명 터치 패널의 제조 방법.
3. The method of claim 2,
The CZAO (Cu-Zn-Al-O) layer is a three-component alloy consisting of 0.1 to 10.0 wt% of zinc, 0.1 to 10.0 wt% of aluminum and the balance of copper, Zn-Al) and oxygen (O 2 ).
제2항에 있어서,
상기 CZAO(Cu-Zn-Al-O)층에서 산소(O2)의 함량은 상기 CZAO층 전체 중량을 기준으로 1~10중량%인 투명 터치 패널 필름.
3. The method of claim 2,
Wherein a content of oxygen (O 2 ) in the CZAO (Cu-Zn-Al-O) layer is 1 to 10 wt% based on the total weight of the CZAO layer.
제2항에 있어서,
상기 CZAN(Cu-Zn-Al-N)층은 아연(Zn) 0.1 내지 10.0 중량%, 알루미늄(Al) 0.1 내지 10.0 중량% 및 나머지는 구리(Cu)로 구성되는 3성분계 합금인 CZA(Cu-Zn-Al)와 질소(N2)의 반응으로 형성된 금속막인 투명 터치 패널 필름.
3. The method of claim 2,
The CZAN (Cu-Zn-Al-N) layer is a three-component alloy consisting of 0.1 to 10.0 wt% of zinc, 0.1 to 10.0 wt% of aluminum and the balance copper, Zn-Al) and nitrogen (N 2 ).
제2항에 있어서,
상기 CZAN(Cu-Zn-Al-N)층에서 질소(N2)의 함량은 상기 CZAN층 전체 중량을 기준으로 1~10중량%인 투명 터치 패널 필름.
3. The method of claim 2,
Wherein a content of nitrogen (N 2 ) in the CZAN (Cu-Zn-Al-N) layer is 1 to 10 wt% based on the total weight of the CZAN layer.
제1항에 있어서,
상기 CZA층의 두께는 50 내지 500nm인 투명 터치 패널 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the CZA layer is 50 to 500 nm.
제1항에 있어서,
상기 흑화층 및 CZA층의 폭은 10㎛이하, 두께는 500㎚이하 그리고 피치는 600㎛이하이며, 패턴은 메쉬 패턴에 의한 것인 투명 터치 패널 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the blackening layer and the CZA layer have a width of 10 mu m or less, a thickness of 500 nm or less, and a pitch of 600 mu m or less, and the pattern is formed by a mesh pattern.
제1항에 있어서,
상기 투명전도층과 상기 기판 사이에 마련되어, 상기 투명전도층의 반사율과 상기 투명전도층이 패터닝되어 제거된 영역의 반사율의 차이가 10% 이하가 되도록 하는 광학층을 더 포함하는 투명 터치 패널 필름.
The method according to claim 1,
Further comprising an optical layer provided between the transparent conductive layer and the substrate so that a difference between a reflectance of the transparent conductive layer and a reflectance of a region where the transparent conductive layer is patterned is 10% or less.
제9항에 있어서,
상기 광학층의 두께는 1 내지 5㎛인 투명 터치 패널 필름.
10. The method of claim 9,
Wherein the optical layer has a thickness of 1 to 5 占 퐉.
기판의 적어도 일면에 투명전도층을 마련하는 단계;
상기 투명전도층 상에 마련되고, 아연(Zn) 0.1 내지 10.0 중량%, 알루미늄(Al) 0.1 내지 10.0 중량% 및 나머지는 구리(Cu)로 구성되는 3성분계 합금인 CZA(Cu-Zn-Al)층을 마련하는 단계; 및
상기 CZA층에 접하여 마련되는 흑화층;을 포함하는 투명 터치 패널 필름 제조 방법.
Providing a transparent conductive layer on at least one side of the substrate;
(Cu-Zn-Al), which is a ternary alloy composed of 0.1 to 10.0 wt% of zinc (Zn), 0.1 to 10.0 wt% of aluminum (Al) and the balance of copper (Cu) Providing a layer; And
And a blackening layer provided in contact with the CZA layer.
제11항에 있어서,
상기 흑화층은 CZAO(Cu-Zn-Al-O)층, CZAN(Cu-Zn-Al-N)층 및 이들의 복합층 중 어느 하나인 투명 터치 패널 필름 제조 방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the blackening layer is one of a CZAO (Cu-Zn-Al-O) layer, a CZAN (Cu-Zn-Al-N) layer and a composite layer thereof.
제12항에 있어서,
상기 CZAO(Cu-Zn-Al-O)층은 아연(Zn) 0.1 내지 10.0 중량%, 알루미늄(Al) 0.1 내지 10.0 중량% 및 나머지는 구리(Cu)로 구성되는 3성분계 합금인 CZA(Cu-Zn-Al)와 산소(O2)의 반응으로 형성된 금속막인 투명 터치 패널의 제조 방법.
13. The method of claim 12,
The CZAO (Cu-Zn-Al-O) layer is a three-component alloy consisting of 0.1 to 10.0 wt% of zinc, 0.1 to 10.0 wt% of aluminum and the balance of copper, Zn-Al) and oxygen (O 2 ).
제12항에 있어서,
상기 CZAO(Cu-Zn-Al-O)층에서 산소(O2)의 함량은 상기 CZAO층 전체 중량을 기준으로 1~10중량%인 투명 터치 패널 필름 제조 방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the content of oxygen (O 2 ) in the CZAO (Cu-Zn-Al-O) layer is 1 to 10 wt% based on the total weight of the CZAO layer.
제12항에 있어서,
상기 CZAN(Cu-Zn-Al-N)층은 아연(Zn) 0.1 내지 10.0 중량%, 알루미늄(Al) 0.1 내지 10.0 중량% 및 나머지는 구리(Cu)로 구성되는 3성분계 합금인 CZA(Cu-Zn-Al)와 질소(N2)의 반응으로 형성된 금속막인 투명 터치 패널의 제조 방법.
13. The method of claim 12,
The CZAN (Cu-Zn-Al-N) layer is a three-component alloy consisting of 0.1 to 10.0 wt% of zinc, 0.1 to 10.0 wt% of aluminum and the balance copper, Zn-Al) and nitrogen (N 2 ).
제12항에 있어서,
상기 CZAN(Cu-Zn-Al-N)층에서 질소(N2)의 함량은 상기 CZAN층 전체 중량을 기준으로 1~10중량%인 투명 터치 패널 필름 제조 방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the content of nitrogen (N 2 ) in the CZAN (Cu-Zn-Al-N) layer is 1 to 10 wt% based on the total weight of the CZAN layer.
제11항에 있어서,
상기 CZA층의 두께는 50 내지 500nm로 마련되는 투명 터치 패널 필름 제조 방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the thickness of the CZA layer is 50 to 500 nm.
제11항에 있어서,
상기 투명전도층을 마련하기 전에 상기 기판 상에 상기 투명전도층의 반사율과 상기 투명전도층이 패터닝되어 제거된 영역의 반사율의 차이가 10% 이하가 되도록 하는 광학층을 마련하는 단계를 더 포함하는 투명 터치 패널 필름 제조 방법.
12. The method of claim 11,
The method further includes the step of providing an optical layer on the substrate so that the reflectance of the transparent conductive layer and the reflectivity of the removed region after patterning the transparent conductive layer are 10% or less on the substrate before the transparent conductive layer is provided Method of manufacturing a transparent touch panel film.
제11항에 있어서,
상기 흑화층 및 CZA층의 선폭은 10㎛이하, 두께는 500㎚이하 그리고 피치는 600㎛이하이며, 패턴은 메쉬 패턴에 의한 것인 투명 터치 패널 필름 제조 방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the blackening layer and the CZA layer have a line width of 10 mu m or less, a thickness of 500 nm or less, and a pitch of 600 mu m or less, and the pattern is a mesh pattern.
제11항에 있어서,
상기 투명전도층을 마련하는 단계는,
비정질 투명전도층을 마련하고,
상기 비정질 투명전도층을 120 내지 170℃의 조건에서 30 내지 120분 동안 열처리하여 결정질 투명전도층으로 전환하는 단계를 포함하는 투명 터치 패널 필름 제조 방법.
12. The method of claim 11,
The step of providing the transparent conductive layer may include:
An amorphous transparent conductive layer is provided,
Treating the amorphous transparent conductive layer at 120 to 170 ° C for 30 to 120 minutes to convert the amorphous transparent conductive layer to a crystalline transparent conductive layer.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 투명 터치 패널 필름을 포함하는 정전용량방식의 터치 패널.A capacitive touch panel comprising a transparent touch panel film according to any one of claims 1 to 10.
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