KR20100013521A - Organic light emitting diodde display device - Google Patents

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KR20100013521A
KR20100013521A KR1020080075081A KR20080075081A KR20100013521A KR 20100013521 A KR20100013521 A KR 20100013521A KR 1020080075081 A KR1020080075081 A KR 1020080075081A KR 20080075081 A KR20080075081 A KR 20080075081A KR 20100013521 A KR20100013521 A KR 20100013521A
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서창기
박중한
송창현
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A displaying apparatus for an organic luminance diode is provided to remarkably improve the connection strength between a first and a second substrates by inserting a second contact electrode with calcium between a first contact electrode and a cathode electrode. CONSTITUTION: A displaying apparatus for an organic luminance diode comprises: a driving TFT; a first substrate(110) including a first contact electrode(117) connected to a drain electrode of the driving TFT, and a second contact electrode(119) connected to the contact electrode; and a second substrate(130) is formed with an organic luminance diode including an anode electrode(131), an organic compound layer(136), and a cathode electrode and a contact spacer covered with the organic compound layer and the cathode electrode. The second contact electrode includes a concave unit corresponding to the location of the contact spacer. The second contact electrode is connected with the lower side and partially both sides of the contact spacer and through the concave unit. The second contact electrode contains calcium.

Description

유기발광다이오드 표시장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODDE DISPLAY DEVICE}Organic light emitting diode display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DIODDE DISPLAY DEVICE}

본 발명은 탑 에미션 방식으로 발광되는 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting diode display that emits light in a top emission method.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 "LCD"라 한다), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 한다) 및 전계발광소자(Electroluminescence Device) 등이 있다. Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. Such flat panel displays include liquid crystal displays (hereinafter referred to as "LCDs"), field emission displays (FEDs), plasma display panels (hereinafter referred to as "PDPs") and electric fields. Light emitting devices; and the like.

전계발광소자는 발광층의 재료에 따라 무기발광다이오드 표시장치와 유기발광다이오드 표시장치로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. Electroluminescent devices are classified into inorganic light emitting diode display devices and organic light emitting diode display devices according to the material of the light emitting layer. As the self-light emitting devices emit light by themselves, they have advantages such as fast response speed and high luminous efficiency, luminance, and viewing angle.

액티브 매트릭스 타입의 유기발광다이오드 표시장치(Active Matrix type Organic Light Emitting Diode display, AMOLED)는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor 이하, "TFT"라 함)를 이용하여 유기발광다이오드소자(이하, "OLED"라 함)에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다. 이러한 유기발광다이오드 표시장치는 애노드전극, 캐소드전극 및 유기화합물층을 포함하는 OLED의 구조에 따라 탑 에미션(Top emission) 방식 또는 보텀 에미션(bottom emission) 방식 등의 형태로 화상을 표시한다. 보텀 에미션 방식이 유기화합물층에서 발생된 가시광을 TFT가 형성된 기판 하부쪽으로 표시하는 데 반해, 탑 에미션 방식은 유기화합물층에서 발생된 가시광을 TFT가 형성된 기판 상부쪽으로 표시한다.An active matrix type organic light emitting diode display (AMOLED) is an organic light emitting diode device (hereinafter referred to as "OLED") using a thin film transistor ("TFT"). Display the image by controlling the current flowing through the The organic light emitting diode display device displays an image in a form of a top emission method or a bottom emission method according to an OLED structure including an anode electrode, a cathode electrode, and an organic compound layer. While the bottom emission method displays visible light generated in the organic compound layer toward the lower side of the substrate on which the TFT is formed, the top emission method displays visible light generated in the organic compound layer toward the upper part of the substrate on which the TFT is formed.

최근 탑 에미션 방식의 유기발광다이오드 표시장치는 다양한 방향으로 개발되고 있다. 이 중에서 도 1과 같이 제1 기판(10)에 TFT 어레이를 형성하는 한편, 제2 기판(30)에 OLED 어레이를 형성하고 콘택 스페이서(35)를 통해 OLED 어레이와 TFT 어레이를 전기적으로 연결하는 구조의 유기발광다이오드 표시장치가 제안되고 있다. 이러한 유기발광다이오드 표시장치는 다른 구조의 유기발광다이오드 표시장치에 비하여 수율이 높고 색재현율과 휘도가 높다. Recently, an organic light emitting diode display having a top emission type has been developed in various directions. Among them, as shown in FIG. 1, a TFT array is formed on the first substrate 10, an OLED array is formed on the second substrate 30, and the OLED array and the TFT array are electrically connected through the contact spacers 35. Has been proposed. Such an organic light emitting diode display device has a higher yield, a higher color reproducibility, and higher luminance than an organic light emitting diode display device having another structure.

도 1은 유기발광다이오드 표시장치에서 한 셀의 단면 구조를 보여 준다. 1 illustrates a cross-sectional structure of one cell in an organic light emitting diode display.

도 1을 참조하면, 유기발광다이오드 표시장치는 TFT 어레이가 형성된 제1 기판(10), OLED 어레이가 형성된 제2 기판(30)을 구비한다. Referring to FIG. 1, an organic light emitting diode display includes a first substrate 10 having a TFT array and a second substrate 30 having an OLED array.

TFT 어레이는 제1 기판(10) 상에 형성된 구동 TFT(TFT)를 구비한다. 구동 TFT(TFT)는 게이트전극(11), 게이트전극(11)을 덮도록 형성된 게이트절연막(12), 게이트절연막(12) 상에 반도체패턴으로 형성된 액티브층(13), 및 반도체패턴과 게이트절연막(12) 상에 소스/드레인 금속패턴으로 형성된 소스전극(14)과 드레인전 극(15)을 포함한다. 소스/드레인 금속패턴과 게이트절연막(12)상에는 패시베이션층(16)이 형성된다. 구동 TFT(TFT)에서 드레인전극(15)의 일부는 패시베이션층(16)을 관통하는 콘택홀을 통해 노출된다. 콘택전극(17) 패턴은 패시베이션층(16) 상에 형성되어 콘택홀을 통해 노출된 드레인전극(15)에 전기적으로 접속된다. 이 콘택전극(17)은 몰리브덴(Mo)을 포함하여 구성되며, 제2 기판(30)의 캐소드전극(37)과 접촉된다. The TFT array has a driving TFT (TFT) formed on the first substrate 10. The driving TFT (TFT) includes a gate electrode 11, a gate insulating film 12 formed to cover the gate electrode 11, an active layer 13 formed of a semiconductor pattern on the gate insulating film 12, and a semiconductor pattern and a gate insulating film. And a source electrode 14 and a drain electrode 15 formed on the source and drain metal patterns 12. The passivation layer 16 is formed on the source / drain metal pattern and the gate insulating layer 12. A part of the drain electrode 15 in the driving TFT is exposed through the contact hole penetrating the passivation layer 16. The contact electrode 17 pattern is formed on the passivation layer 16 and electrically connected to the drain electrode 15 exposed through the contact hole. The contact electrode 17 includes molybdenum (Mo) and is in contact with the cathode electrode 37 of the second substrate 30.

OLED 어레이는 제2 기판(30) 상에 형성된 애노드전극(31), 보조전극(32a,32b), 버퍼층(33a,33b), 격벽(34), 콘택 스페이서(35), 유기화합물층(36), 및 캐소드전극(37)을 구비한다. 애노드전극(31)은 투명기판인 제2 기판(30) 상에 ITO(Indium Tin Oxide)로 형성된다. 애노드전극(31)에는 고전위 전원전압이 공급된다. 애노드전극(31) 상에는 도전성이 높은 금속 패턴으로 제1 및 제2 보조전극(32a,32b)이 형성되고, 이 보조전극들(32a,32b)을 각각 덮도록 실리콘 나이트라이드(SiNX)로 이루어진 제1 및 제2 버퍼층(33a,33b)이 형성된다. 제1 및 제2 버퍼층(33a,33b) 상에는 각각 격벽(34) 및 콘택 스페이서(35)가 형성된다. 격벽(34)은 이웃한 발광셀들 사이에서 애노드전극(31), 유기화합물층(37) 및 캐소드전극(37)으로 이루어지는 OLED를 구획한다. 콘택 스페이서(35)는 폴리이미드(Polyimide)나 포토레지스트(Photoresist)로 3~4㎛ 정도의 두께로 형성된다. 콘택 스페이서(35) 상에는 OLED의 유기화합물층(36)과 캐소드전극(37)이 순차적으로 적층된다.The OLED array includes the anode electrodes 31 formed on the second substrate 30, the auxiliary electrodes 32a and 32b, the buffer layers 33a and 33b, the partition walls 34, the contact spacers 35, the organic compound layer 36, And a cathode electrode 37. The anode electrode 31 is formed of indium tin oxide (ITO) on the second substrate 30, which is a transparent substrate. The anode electrode 31 is supplied with a high potential power supply voltage. The first and second auxiliary electrodes 32a and 32b are formed on the anode 31 in a highly conductive metal pattern, and are formed of silicon nitride (SiN X ) to cover the auxiliary electrodes 32a and 32b, respectively. First and second buffer layers 33a and 33b are formed. Partition walls 34 and contact spacers 35 are formed on the first and second buffer layers 33a and 33b, respectively. The partition wall 34 partitions the OLED including the anode electrode 31, the organic compound layer 37, and the cathode electrode 37 between adjacent light emitting cells. The contact spacer 35 is formed of polyimide or photoresist to a thickness of about 3 to 4 μm. On the contact spacer 35, the organic compound layer 36 and the cathode electrode 37 of the OLED are sequentially stacked.

제1 및 제2 기판(10,30)은 접착부재(20)로 접착 밀봉된다. 접착부재(20)는 OLED 쪽으로 침투되는 수분이나 산소를 차단하는 역할을 한다. The first and second substrates 10 and 30 are adhesively sealed by the adhesive member 20. The adhesive member 20 serves to block moisture or oxygen that penetrates toward the OLED.

도 1과 같은 유기발광다이오드 표시장치는 콘택 스페이서(35)에 의해 제1 기판(10)의 콘택전극(17)과 제2 기판(30)의 캐소드전극(37)이 서로 전기적으로 연결된다. 그런데, 이러한 종래 유기발광다이오드 표시장치에서는 콘택전극(17)과 캐소드전극(37)의 접촉 면적이 좁기 때문에, 합착시 콘택 스페이서(35)들 간 높이 차이가 발생하면 콘택 불량이 발생할 우려가 크다. 또한, 합착된 유기발광다이오드 표시장치에 충격이 가해질 경우 충격부하에도 취약(캐소드전극에 크랙이 발생)하고, 투습에 의해 내부압이 증가하면 쉽게 콘택 불량으로 이어질 가능성이 크다.In the organic light emitting diode display shown in FIG. 1, the contact electrode 17 of the first substrate 10 and the cathode electrode 37 of the second substrate 30 are electrically connected to each other by the contact spacer 35. However, in the conventional organic light emitting diode display, since the contact area between the contact electrode 17 and the cathode electrode 37 is narrow, there is a high possibility that contact failure may occur when a height difference between the contact spacers 35 occurs during bonding. In addition, when an impact is applied to the bonded organic light emitting diode display device, it is also susceptible to impact load (crack occurs in the cathode electrode), and if the internal pressure increases due to moisture permeation, it is likely to easily lead to contact failure.

따라서, 본 발명의 목적은 OLED 어레이가 형성된 기판과 TFT 어레이가 형성된 기판을 콘택 스페이서로 연결하여 액티브 매트릭스 표시장치로 동작하는 유기발광다이오드 표시장치에 있어서, 콘택전극과 캐소드전극간의 접합력을 향상시키도록 한 유기발광다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다. Accordingly, an object of the present invention is to improve the bonding force between a contact electrode and a cathode electrode in an organic light emitting diode display device operating as an active matrix display device by connecting a substrate on which an OLED array is formed and a substrate on which a TFT array is formed with contact spacers. An organic light emitting diode display device is provided.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 구동 TFT와, 상기 구동 TFT의 드레인전극에 접촉되는 제1 콘택전극과, 상기 제1 콘택전극에 접촉되는 제2 콘택전극이 형성된 제1 기판; 및 애노드전극, 유기화합물층 및 캐소드전극을 포함한 유기발광다이오드소자와, 상기 유기화합물층과 캐소드전극에 의해 덮여진 콘택 스페이서가 형성된 제2 기판을 구비하고; 상기 제2 콘택전극은 상기 콘택 스페이서가 형성되는 위치에 대응하여 오목부를 가지며, 상기 오목부를 이용하여 상기 콘택 스페이서의 저면 및 양측면 일부와 접합된다.In order to achieve the above object, an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a driving TFT, a first contact electrode in contact with a drain electrode of the driving TFT, and a second contact in contact with the first contact electrode. A first substrate on which electrodes are formed; And a second substrate on which an organic light emitting diode device including an anode electrode, an organic compound layer, and a cathode electrode, and a contact spacer covered by the organic compound layer and the cathode electrode are formed; The second contact electrode has a concave portion corresponding to a position where the contact spacer is formed, and is bonded to a bottom surface and a portion of both sides of the contact spacer using the concave portion.

상기 제2 콘택전극은 칼슘(Ca)을 포함한다.The second contact electrode includes calcium (Ca).

상기 캐소드전극은 알루미늄(Al)/은(Ag)/칼슘(Ca)의 3중 구조 또는 알루미늄(Al)/은(Ag)의 2중 구조로 구성된다.The cathode electrode has a triple structure of aluminum (Al) / silver (Ag) / calcium (Ca) or a double structure of aluminum (Al) / silver (Ag).

상기 제2 콘택전극의 칼슘(Ca) 두께는, 상기 캐소드전극이 3중 구조를 갖는 경우에는 1000Å이며, 상기 캐소드전극이 2중 구조를 갖는 경우에는 2000Å 이다.The calcium (Ca) thickness of the second contact electrode is 1000 kPa when the cathode electrode has a triple structure, and 2000 kPa when the cathode electrode has a double structure.

상기 캐소드전극 및 제2 콘택전극에 포함되는 칼슘(Ca)의 두께의 합은 1500 ~ 2000Å이다.The sum of the thicknesses of the calcium (Ca) included in the cathode electrode and the second contact electrode is 1500 to 2000 μs.

상기 제1 콘택전극은 상기 구동 TFT 상의 제1 패시베이션층을 관통하는 제1 콘택홀을 통해 노출된 드레인전극에 접촉되고; 상기 제2 콘택전극은 상기 제1 콘택전극 상의 제2 패시베이션층을 관통하는 제2 콘택홀을 통해 노출된 제1 콘택전극에 접촉된다.The first contact electrode contacts the exposed drain electrode through a first contact hole penetrating the first passivation layer on the driving TFT; The second contact electrode contacts the first contact electrode exposed through the second contact hole passing through the second passivation layer on the first contact electrode.

발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 칼슘을 포함하는 제2 콘택전극을 제1 콘택전극과 캐소드전극 사이에 개재함으로써, 은과 칼슘의 경화시 두 금속간 확산 효과를 이용하여 제1 및 제2 기판간의 접합력을 크게 향상시킬 수 있다. 더 욱이, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 제2 콘택전극의 오목하게 패터닝 된 부분을 이용하여 캐소드전극과의 접합면적을 넓힘으로써, 외부 충격으로 인한 캐소드전극의 크랙 발생을 억제할 수 있으며, 공정 과정에서 콘택 스페이서들 간 높이 차이가 발생하더라도 콘택 불량을 크게 줄일 수 있다. In the organic light emitting diode display according to the present invention, a second contact electrode including calcium is interposed between the first contact electrode and the cathode electrode, thereby utilizing the diffusion effect between the two metals to cure the silver and calcium to form the first and second substrates. The bonding force between them can be greatly improved. Furthermore, the organic light emitting diode display according to the present invention can suppress the occurrence of cracking of the cathode electrode due to external impact by widening the junction area with the cathode electrode by using the concave patterned portion of the second contact electrode. In addition, even if a height difference occurs between contact spacers in the process, contact failure may be greatly reduced.

이하, 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에서 한 셀의 단면 구조를 보여 준다. 도 3은 도 2와 같은 유기발광다이오드 표시장치에서 한 셀의 등가회로를 나타낸다. 도 2에서, 제1 기판에 형성되는 스위치 TFT(SWTFT), 스토리지 커패시터(CST), 및 저전위 전원 공급패드와, 제2 기판에 형성되는 고전위 전원 공급패드는 생략되었다. 2 illustrates a cross-sectional structure of one cell in an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 3 shows an equivalent circuit of one cell in the organic light emitting diode display as shown in FIG. 2. In FIG. 2, the switch TFT (SWTFT), the storage capacitor (CST), and the low potential power supply pad formed on the first substrate, and the high potential power supply pad formed on the second substrate are omitted.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 TFT 어레이가 형성된 제1 기판(110), OLED 어레이가 형성된 제2 기판(130)을 구비한다. 2 and 3, an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first substrate 110 having a TFT array and a second substrate 130 having an OLED array.

TFT 어레이는 제1 기판(110) 상에 형성된 데이터라인과 그 데이터라인에 연결된 데이터 패드, 게이트라인과 그 게이트라인에 연결된 게이트패드, 스위치 TFT(SWTFT), 구동 TFT(DRTFT), 스토리지 커패시터(CST)를 포함한다. The TFT array includes a data line formed on the first substrate 110 and a data pad connected to the data line, a gate line and a gate pad connected to the gate line, a switch TFT (SWTFT), a driving TFT (DRTFT), and a storage capacitor (CST). ).

스위치 TFT(SWTFT)의 소스전극은 데이터(Data)가 공급되는 데이터라인과 연 결되고, 스위치 TFT(SWTFT)의 드레인전극은 구동 TFT(DRTFT)의 게이트전극과 연결된다. 스위치 TFT(SWTFT)의 게이트전극은 게이트펄스(Scan)가 순차적으로 공급되는 게이트라인에 연결된다. 구동 TFT(DRTFT)의 소스전극(114)은 저전위 전원공급원(VSS)에 접속되고 구동 TFT(DRTFT)의 드레인전극(115)은 제1 콘택전극(117)과 접촉된다. 스토리지 커패시터(CST)의 일측 단자는 구동 TFT(DRTFT)의 게이트전극에 접속되고 그 타측 단자는 저전위 전원공급원(VSS)에 접속된다. 구동 TFT(DRTFT)는 게이트전극(111), 게이트전극(111)을 덮도록 형성된 게이트절연막(112), 게이트절연막(112) 상에 반도체패턴으로 형성된 액티브층(113), 및 반도체패턴과 게이트절연막(112) 상에 소스/드레인 금속패턴으로 형성된 소스전극(114)과 드레인전극(115)을 포함한다. 소스/드레인 금속패턴과 게이트절연막(112)상에는 제1 패시베이션층(116)이 형성된다. 구동 TFT(DRTFT)에서 드레인전극(115)의 일부는 제1 패시베이션층(116)을 관통하는 제1 콘택홀을 통해 노출된다. 제1 콘택전극(117)은 제1 패시베이션층(116) 상에서 패터팅되어 제1 콘택홀을 통해 노출된 드레인전극(115)에 전기적으로 접촉된다. 이 제1 콘택전극(117)은 몰리브덴(Mo)을 포함하여 형성된다. 제1 콘택전극(117)과 제1 패시베이션층(116) 상에는 제2 패시베이션층(118)이 형성된다. 제1 콘택전극(117) 패턴의 일부는 제2 패시베이션층(118)을 관통하는 제2 콘택홀을 통해 노출된다. 제2 콘택전극(119)은 제2 패시베이션층(118) 상에서 패터팅되어 제2 콘택홀을 통해 노출된 제1 콘택전극(117)에 전기적으로 접촉된다. 이 제2 콘택전극(119)은 제2 기판(130)상에 형성되는 캐소드전극(137)과의 접합력을 높이기 위해 칼슘(Ca)을 포함하여 형성된다. 제2 콘택전 극(119)의 칼슘(Ca) 성분은 경화(Curing) 공정시 캐소드전극(137)에 포함된 은(Ag) 성분과의 확산(Diffusion) 효과를 일으켜 콘택 접합력을 크게 향상시키는 역할을 한다. 제2 콘택전극(119)을 구성하는 칼슘(Ca)의 두께는, 캐소드전극(137)이 알루미늄(Al)/은(Ag)/칼슘(Ca)의 3중 구조(여기서, Ca의 두께는 대략 500 ~ 1000Å)를 갖는 경우에 대응하여 대략 1000Å 정도가 바람직하며, 캐소드전극(137)이 알루미늄(Al)/은(Ag)의 2중 구조를 갖는 경우에 대응하여 대략 2000Å 정도가 바람직하다. 따라서, 제1 및 제2 기판상에 형성되는 칼슘(Ca)의 두께의 합은 적어도 1500 ~ 2000Å 정도이다. 칼슘(Ca)의 두께의 합이 이보다 얇을 경우에는 콘택 접합력이 감소될 뿐만 아니라 투습시 흡습 효과가 크게 저감된다. 한편, 제2 콘택전극(119)의 오목하게 패터닝 된 부분은 제2 기판(130)에 형성된 캐소드전극(137)의 저면 뿐만 아니라 양측면 일부와도 견고히 접합 된다. 이에 따라, 외부 충격에 의해 콘택 스페이서(119)에 국부적인 압력이 가해지더라도 캐소드전극(137)에 크랙이 발생하여 콘택 불량으로 이어질 가능성은 크게 줄어든다. 또한, 콘택 스페이서(119)들 간 높이 차이가 발생하더라도 콘택 불량으로 이어질 가능성은 크게 감소된다.The source electrode of the switch TFT (SWTFT) is connected to the data line to which data is supplied, and the drain electrode of the switch TFT (SWTFT) is connected to the gate electrode of the driving TFT (DRTFT). The gate electrode of the switch TFT SWTFT is connected to the gate line to which the gate pulse Scan is sequentially supplied. The source electrode 114 of the driving TFT (DRTFT) is connected to the low potential power supply VSS and the drain electrode 115 of the driving TFT (DRTFT) is in contact with the first contact electrode 117. One terminal of the storage capacitor CST is connected to the gate electrode of the driving TFT DRTFT, and the other terminal thereof is connected to the low potential power supply VSS. The driving TFT DRTFT includes a gate electrode 111, a gate insulating film 112 formed to cover the gate electrode 111, an active layer 113 formed of a semiconductor pattern on the gate insulating film 112, and a semiconductor pattern and a gate insulating film. A source electrode 114 and a drain electrode 115 formed on the source and drain metal patterns 112 are included. The first passivation layer 116 is formed on the source / drain metal pattern and the gate insulating layer 112. In the driving TFT (DRTFT), a part of the drain electrode 115 is exposed through the first contact hole penetrating the first passivation layer 116. The first contact electrode 117 is patterned on the first passivation layer 116 to be in electrical contact with the drain electrode 115 exposed through the first contact hole. The first contact electrode 117 is formed including molybdenum (Mo). The second passivation layer 118 is formed on the first contact electrode 117 and the first passivation layer 116. A portion of the first contact electrode 117 pattern is exposed through the second contact hole penetrating the second passivation layer 118. The second contact electrode 119 is patterned on the second passivation layer 118 to be in electrical contact with the first contact electrode 117 exposed through the second contact hole. The second contact electrode 119 is formed including calcium (Ca) to increase the bonding force with the cathode electrode 137 formed on the second substrate 130. The calcium (Ca) component of the second contact electrode 119 causes a diffusion effect with the silver (Ag) component included in the cathode electrode 137 during the curing process, thereby greatly improving the contact bonding force. Do it. The thickness of the calcium (Ca) constituting the second contact electrode 119 is that the cathode electrode 137 has a triple structure of aluminum (Al) / silver (Ag) / calcium (Ca), where the thickness of Ca is approximately About 1000 kW is preferable in the case of having 500-1000 kW), and about 2000 kW is preferable in the case where the cathode electrode 137 has a double structure of aluminum (Al) / silver (Ag). Therefore, the sum of the thicknesses of calcium (Ca) formed on the first and second substrates is at least about 1500 to 2000 kPa. When the sum of the thicknesses of calcium (Ca) is thinner than this, not only the contact bonding force is reduced but also the moisture absorption effect is greatly reduced during the moisture permeation. On the other hand, the concave patterned portion of the second contact electrode 119 is firmly bonded not only to the bottom surface of the cathode electrode 137 formed on the second substrate 130 but also to a part of both sides. Accordingly, even when a local pressure is applied to the contact spacer 119 by an external impact, the possibility of cracking in the cathode electrode 137 may be greatly reduced. In addition, even if the height difference between the contact spacers 119 occurs, the possibility of lead to contact failure is greatly reduced.

OLED 어레이는 제2 기판(130) 상에 형성된 애노드전극(131), 보조전극(132a,132b), 버퍼층(133a,133b), 격벽(134), 콘택 스페이서(135), 유기화합물층(136), 및 캐소드전극(137)을 구비한다. The OLED array includes the anode electrode 131, the auxiliary electrodes 132a and 132b, the buffer layers 133a and 133b, the partition wall 134, the contact spacer 135, the organic compound layer 136, and the like formed on the second substrate 130. And a cathode electrode 137.

애노드전극(131)은 투명기판인 제2 기판(130) 상에 ITO(Indium Tin Oxide)로 형성된다. 애노드전극(131)에는 고전위 전원 패드를 통해 고전위 전원전압(VDD)이 공급된다. 애노드전극(131) 상에는 도전성이 높은 금속 패턴으로 제1 및 제2 보조전극(132a,132b)이 형성되고, 이 보조전극들(132a,132b)을 각각 덮도록 실리콘 나이트라이드(SiNX)로 이루어진 제1 및 제2 버퍼층(133a,133b)이 형성된다. 제1 및 제2 버퍼층(133a,133b) 상에는 각각 격벽(134) 및 콘택 스페이서(135)가 형성된다. 격벽(134)은 이웃한 발광셀들 사이에서 애노드전극(131), 유기화합물층(137) 및 캐소드전극(137)으로 이루어지는 OLED를 구획한다. 콘택 스페이서(135)는 폴리이미드(Polyimide)나 포토레지스트(Photoresist)로 3~4㎛ 정도의 두께로 형성된다. 콘택 스페이서(135) 상에는 OLED의 유기화합물층(136)과 캐소드전극(137)이 순차적으로 적층된다. OLED의 유기화합물층(136)은 전자주입층(EIL), 전자수송층(ETL), 발광층(EML), 정공수송층(HTL), 및 정공주입층(HIL)을 포함한다. 캐소드전극(137)은 상술했듯이, 알루미늄(Al)/은(Ag)/칼슘(Ca)의 3중 구조 또는 알루미늄(Al)/은(Ag)의 2중 구조를 가지고, 제1 기판(110)에 형성된 제2 콘택전극(119)의 오목하게 패터닝 된 부분에 그 저면 뿐만 아니라 양측면 일부가 견고히 접합 된다.The anode 131 is formed of indium tin oxide (ITO) on the second substrate 130 which is a transparent substrate. The anode electrode 131 is supplied with a high potential power voltage VDD through a high potential power pad. The first and second auxiliary electrodes 132a and 132b are formed on the anode electrode 131 in a highly conductive metal pattern, and are formed of silicon nitride (SiN X ) to cover the auxiliary electrodes 132a and 132b, respectively. First and second buffer layers 133a and 133b are formed. Partition walls 134 and contact spacers 135 are formed on the first and second buffer layers 133a and 133b, respectively. The partition wall 134 partitions the OLED including the anode electrode 131, the organic compound layer 137, and the cathode electrode 137 between adjacent light emitting cells. The contact spacer 135 is formed of polyimide or photoresist with a thickness of about 3 to 4 μm. The organic compound layer 136 and the cathode electrode 137 of the OLED are sequentially stacked on the contact spacer 135. The organic compound layer 136 of the OLED includes an electron injection layer (EIL), an electron transport layer (ETL), a light emitting layer (EML), a hole transport layer (HTL), and a hole injection layer (HIL). As described above, the cathode electrode 137 has a triple structure of aluminum (Al) / silver (Ag) / calcium (Ca) or a double structure of aluminum (Al) / silver (Ag), and the first substrate 110. A portion of both side surfaces of the second contact electrode 119 formed on the concave patterned portion is firmly bonded to the concave patterned portion of the second contact electrode 119.

제1 및 제2 기판(110,130)은 접착부재(120)로 접착 밀봉된다. 접착부재(120)는 OLED 쪽으로 침투되는 수분이나 산소를 차단하는 역할을 한다.The first and second substrates 110 and 130 are adhesively sealed by the adhesive member 120. The adhesive member 120 serves to block moisture or oxygen that penetrates toward the OLED.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 칼슘을 포함하는 제2 콘택전극을 제1 콘택전극과 캐소드전극 사이에 개재함으로써, 은과 칼슘의 경화시 두 금속간 확산 효과를 이용하여 제1 및 제2 기판간의 접합력을 크게 향상시킬 수 있다. 더욱이, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 제2 콘 택전극의 오목하게 패터닝 된 부분을 이용하여 캐소드전극과의 접합면적을 넓힘으로써, 외부 충격으로 인한 캐소드전극의 크랙 발생을 억제할 수 있으며, 공정 과정에서 콘택 스페이서들 간 높이 차이가 발생하더라도 콘택 불량을 크게 줄일 수 있다. As described above, the organic light emitting diode display according to the present invention interposes a second contact electrode containing calcium between the first contact electrode and the cathode electrode, thereby utilizing the diffusion effect between the two metals during curing of silver and calcium. The bonding force between the first and second substrates can be greatly improved. Furthermore, in the organic light emitting diode display according to the present invention, by using the concave patterned portion of the second contact electrode to increase the junction area with the cathode, it is possible to suppress the occurrence of cracking of the cathode due to external impact. In addition, even if a height difference occurs between contact spacers in the process, contact failure may be greatly reduced.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

도 1은 종래 유기발광다이오드 표시장치에서 한 셀의 단면 구조를 보여주는 도면.1 is a view showing a cross-sectional structure of one cell in a conventional organic light emitting diode display.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에서 한 셀의 단면 구조를 보여주는 도면.2 is a cross-sectional view of one cell in an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 도 2와 같은 유기발광다이오드 표시장치에서 한 셀의 등가회로를 나타내는 도면.FIG. 3 is a diagram illustrating an equivalent circuit of one cell in the organic light emitting diode display device of FIG. 2. FIG.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>

110 : 제1 기판 111 : 캐소드전극110: first substrate 111: cathode electrode

112 : 게이트절연막 113 : 액티브층112: gate insulating film 113: active layer

114 : 소스전극 115 : 드레인전극114: source electrode 115: drain electrode

116 : 제1 패시베이션층 117 : 제1 콘택전극116: first passivation layer 117: first contact electrode

118 : 제2 패시베이션층 119 : 제2 콘택전극118: second passivation layer 119: second contact electrode

120 : 접착부재 130 : 제2 기판120: adhesive member 130: second substrate

131 : 애노드전극 132a,132b : 보조전극131: anode electrode 132a, 132b: auxiliary electrode

133a,133b : 버퍼층 134 : 격벽133a, 133b: buffer layer 134: partition wall

135 : 콘택 스페이서 136 : 유기화합물층135 contact spacer 136 organic compound layer

137 : 캐소드전극137: cathode electrode

Claims (6)

구동 TFT와, 상기 구동 TFT의 드레인전극에 접촉되는 제1 콘택전극과, 상기 제1 콘택전극에 접촉되는 제2 콘택전극이 형성된 제1 기판; 및A first substrate having a driving TFT, a first contact electrode in contact with the drain electrode of the driving TFT, and a second contact electrode in contact with the first contact electrode; And 애노드전극, 유기화합물층 및 캐소드전극을 포함한 유기발광다이오드소자와, 상기 유기화합물층과 캐소드전극에 의해 덮여진 콘택 스페이서가 형성된 제2 기판을 구비하고;An organic light emitting diode device including an anode electrode, an organic compound layer and a cathode electrode, and a second substrate having contact spacers covered by the organic compound layer and the cathode electrode; 상기 제2 콘택전극은 상기 콘택 스페이서가 형성되는 위치에 대응하여 오목부를 가지며, 상기 오목부를 이용하여 상기 콘택 스페이서의 저면 및 양측면 일부와 접합되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.And the second contact electrode has a concave portion corresponding to a position where the contact spacer is formed, and is bonded to a bottom surface and a portion of both sides of the contact spacer using the concave portion. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 콘택전극은 칼슘(Ca)을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.The second contact electrode includes calcium (Ca). 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 캐소드전극은 알루미늄(Al)/은(Ag)/칼슘(Ca)의 3중 구조 또는 알루미늄(Al)/은(Ag)의 2중 구조로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.The cathode is an organic light emitting diode display device comprising a triple structure of aluminum (Al) / silver (Ag) / calcium (Ca) or a double structure of aluminum (Al) / silver (Ag). 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제2 콘택전극의 칼슘(Ca) 두께는, 상기 캐소드전극이 3중 구조를 갖는 경우에는 1000Å이며, 상기 캐소드전극이 2중 구조를 갖는 경우에는 2000Å 인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.The thickness of the calcium (Ca) of the second contact electrode is 1000 kW when the cathode electrode has a triple structure, and 2000 kW when the cathode electrode has a double structure. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 캐소드전극 및 제2 콘택전극에 포함되는 칼슘(Ca)의 두께의 합은 1500 ~ 2000Å인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.The sum of the thicknesses of the calcium (Ca) contained in the cathode electrode and the second contact electrode is 1500 ~ 2000Å, organic light emitting diode display device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 콘택전극은 상기 구동 TFT 상의 제1 패시베이션층을 관통하는 제1 콘택홀을 통해 노출된 드레인전극에 접촉되고;The first contact electrode contacts the exposed drain electrode through a first contact hole penetrating the first passivation layer on the driving TFT; 상기 제2 콘택전극은 상기 제1 콘택전극 상의 제2 패시베이션층을 관통하는 제2 콘택홀을 통해 노출된 제1 콘택전극에 접촉되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.And the second contact electrode contacts the first contact electrode exposed through the second contact hole passing through the second passivation layer on the first contact electrode.
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