KR102709760B1 - Display device - Google Patents
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Abstract
표시장치는 표시패널 및 상기 표시패널 상에 배치된 입력감지유닛을 포함한다. 상기 입력감지유닛은 노이즈 차폐전극, 제1 전극, 및 제2 전극을 포함한다. 노이즈 차폐전극은 표시패널의 베이스 면 상에 직접 배치되고, 투명한 전도성 산화물(transparent conductive oxide)을 포함한다. 상기 제1 전극은 메쉬 형상을 갖는다. 상기 베이스 면 상에서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 상기 노이즈 차폐전극에 중첩한다.A display device includes a display panel and an input detection unit disposed on the display panel. The input detection unit includes a noise shielding electrode, a first electrode, and a second electrode. The noise shielding electrode is directly disposed on a base surface of the display panel and includes a transparent conductive oxide. The first electrode has a mesh shape. On the base surface, the first electrode and the second electrode overlap the noise shielding electrode.
Description
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 입력감지유닛의 적어도 일부분이 표시패널에 직접 배치된 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more specifically, to a display device in which at least a part of an input detection unit is directly disposed on a display panel.
텔레비전, 휴대 전화, 태블릿 컴퓨터, 네비게이션, 게임기 등과 같은 멀티 미디어 장치에 사용되는 다양한 표시장치들이 개발되고 있다. 표시장치들의 입력장치로써 키보드 또는 마우스 등을 포함한다. 또한, 최근에 표시장치들은 입력장치로써 터치패널을 구비한다.Various display devices are being developed for use in multimedia devices such as televisions, mobile phones, tablet computers, navigation systems, and game consoles. The input devices of the display devices include keyboards and mice. In addition, display devices have recently been equipped with touch panels as input devices.
본 발명의 목적은 감도가 향상된 입력감지유닛 일체형 표시장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a display device integrated with an input detection unit having improved sensitivity.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 표시패널 및 상기 표시패널 상에 배치된 입력감지유닛을 포함한다. 상기 입력감지유닛은 노이즈 차폐전극, 제1 전극, 및 제2 전극을 포함한다. 노이즈 차폐전극은 표시패널의 베이스 면 상에 직접 배치되고, 투명한 전도성 산화물(transparent conductive oxide)을 포함한다. 상기 제1 전극은 메쉬 형상을 갖는다. 상기 베이스 면 상에서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 상기 노이즈 차폐전극에 중첩한다.A display device according to one embodiment of the present invention includes a display panel and an input detection unit disposed on the display panel. The input detection unit includes a noise shielding electrode, a first electrode, and a second electrode. The noise shielding electrode is directly disposed on a base surface of the display panel and includes a transparent conductive oxide. The first electrode has a mesh shape. On the base surface, the first electrode and the second electrode overlap the noise shielding electrode.
상기 제2 전극은 복수 개 제공될 수 있다. 상기 복수 개의 상기 제2 전극들 각각은 상기 노이즈 차폐전극의 내측에 배치될 수 있다.The second electrodes may be provided in plurality. Each of the plurality of second electrodes may be arranged on the inner side of the noise shielding electrode.
상기 표시패널은 상기 베이스 면 상에서 서로 이격된 복수 개의 발광영역들과 상기 복수 개의 발광영역들 사이에 배치된 비발광영역을 포함할 수 있다.The above display panel may include a plurality of light-emitting regions spaced apart from each other on the base surface and a non-light-emitting region arranged between the plurality of light-emitting regions.
상기 노이즈 차폐전극은 상기 복수 개의 발광영역들과 상기 비발광영역에 중첩하고, 상기 제1 전극은 상기 비발광영역에 중첩하며, 상기 복수 개의 발광영역들에 대응하는 복수 개의 메쉬홀들을 구비할 수 있다.The above noise shielding electrode overlaps the plurality of light-emitting regions and the non-light-emitting region, the first electrode overlaps the non-light-emitting region, and may have a plurality of mesh holes corresponding to the plurality of light-emitting regions.
상기 제2 전극은 상기 복수 개의 발광영역들과 상기 비발광영역에 중첩하고, 투명한 전도성 산화물(transparent conductive oxide)을 포함할 수 있다.The second electrode overlaps the plurality of light-emitting regions and the non-light-emitting region and may include a transparent conductive oxide.
상기 입력감지유닛은 단면 상에서 상기 노이즈 차폐전극과 상기 제1 전극 사이에 배치된 제1 절연층 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고 상기 제1 전극을 커버하는 제2 절연층을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 절연층은 무기물질을 포함하고, 상기 제2 절연층은 유기물질을 포함할 수 있다.The above input detection unit may further include a first insulating layer disposed between the noise shielding electrode and the first electrode on a cross-sectional surface, and a second insulating layer disposed between the first electrode and the second electrode and covering the first electrode. The first insulating layer may include an inorganic material, and the second insulating layer may include an organic material.
상기 제2 절연층과 상기 제2 전극 사이에 배치된 광학 투명 접착 부재를 더 포함할 수 있다.It may further include an optically transparent adhesive member disposed between the second insulating layer and the second electrode.
상기 노이즈 차폐전극 상에 직접 배치된 제1 절연층을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 전극은 상기 제1 절연층 상에 직접 배치될 수 있다.The noise shielding electrode may further include a first insulating layer disposed directly on the first electrode. The first electrode may be disposed directly on the first insulating layer.
상기 제1 절연층과 상기 제2 전극 사이에 배치된 광학 투명 접착 부재를 더 포함할 수 있다.It may further include an optically transparent adhesive member disposed between the first insulating layer and the second electrode.
단면 상에서 상기 제1 전극은 상기 노이즈 차폐전극과 상기 제2 전극 사이에 배치될 수 있다.In the cross-section, the first electrode can be placed between the noise shielding electrode and the second electrode.
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 반사방지유닛을 더 포함할 수 있다.It may further include an anti-reflection unit disposed between the first electrode and the second electrode.
상기 반사방지유닛은 편광필름을 포함하고, 상기 편광필름과 상기 제1 전극 사이에 배치된 광학 투명 접착부재를 더 포함할 수 있다.The above anti-reflection unit may include a polarizing film and further include an optically transparent adhesive member disposed between the polarizing film and the first electrode.
상기 제2 전극은 상기 반사방지유닛 상에 직접 배치될 수 있다. 상기 제2 전극 상에 배치된 윈도우 유닛을 더 포함할 수 있다.The second electrode may be directly disposed on the anti-reflection unit. The device may further include a window unit disposed on the second electrode.
상기 제2 전극과 상기 윈도우 유닛 사이에 배치된 광학 투명 접착부재를 더 포함할 수 있다.It may further include an optically transparent adhesive material disposed between the second electrode and the window unit.
상기 윈도우 유닛은 베이스 필름 및 상기 베이스 필름의 하면에 직접 배치된 차광 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극은 상기 베이스 필름의 하면에 직접 배치될 수 있다.The above window unit may include a base film and a shade pattern directly disposed on a lower surface of the base film. The second electrode may be directly disposed on a lower surface of the base film.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 베이스 면을 포함하는 표시패널 및 상기 표시패널 상에 배치된 입력감지유닛을 포함한다. 상기 입력감지유닛은, 상기 베이스 면 상에 직접 배치된 메쉬 형상의 복수 개의 제1 전극들, 상기 베이스 면 상에 직접 배치되고, 상기 복수 개의 제1 전극들 사이에 배치된 더미전극, 단면 상에서 상기 복수 개의 제1 전극들 및 상기 더미전극과 절연층을 사이에 두고 배치되며, 상기 베이스 면 상에서 상기 제1 전극들과 교차하는 복수 개의 제2 전극들 및 상기 복수 개의 제1 전극들, 상기 더미전극, 및 상기 복수 개의 제2 입력전극들에 전기적으로 연결되며, 상기 표시패널에 의해 상기 더미전극에 발생한 노이즈 및 외부입력을 검출하는 입력감지회로를 포함한다.A display device according to one embodiment of the present invention includes a display panel including a base surface and an input detection unit disposed on the display panel. The input detection unit includes a plurality of first electrodes having a mesh shape directly disposed on the base surface, a dummy electrode directly disposed on the base surface and between the plurality of first electrodes, a plurality of second electrodes disposed with an insulating layer interposed between the plurality of first electrodes and the dummy electrodes in a cross-section and intersecting the first electrodes on the base surface, and an input detection circuit electrically connected to the plurality of first electrodes, the dummy electrodes, and the plurality of second input electrodes, and detecting noise and an external input generated in the dummy electrodes by the display panel.
상기 표시패널은 상기 베이스 면 상에서 서로 이격된 복수 개의 발광영역들과 상기 복수 개의 발광영역들 사이에 배치된 비발광영역을 포함하고, 상기 복수 개의 제1 전극들은 상기 비발광영역에 중첩하며, 상기 복수 개의 발광영역들에 대응하는 복수 개의 메쉬홀들을 구비할 수 있다.The display panel may include a plurality of light-emitting regions spaced apart from each other on the base surface and a non-light-emitting region arranged between the plurality of light-emitting regions, and the plurality of first electrodes may overlap the non-light-emitting regions and have a plurality of mesh holes corresponding to the plurality of light-emitting regions.
상기 복수 개의 제2 전극들은 상기 복수 개의 발광영역들과 상기 비발광영역에 중첩하고, 투명한 전도성 산화물(transparent conductive oxide)을 포함할 수 있다.The plurality of second electrodes overlap the plurality of light-emitting regions and the non-light-emitting region and may include a transparent conductive oxide.
상기 더미전극은 상기 비발광영역에 중첩하며, 상기 복수 개의 발광영역들에 대응하는 복수 개의 더미 메쉬홀들을 구비할 수 있다. 상기 더미전극은 상기 복수 개의 제1 전극들과 동일한 물질을 포함할 수 있다.The dummy electrode may overlap the non-luminous region and may have a plurality of dummy mesh holes corresponding to the plurality of luminous regions. The dummy electrode may include the same material as the plurality of first electrodes.
상기 입력감지회로는, 상기 복수 개의 제1 전극들에 검출신호들(detecting signal)을 제공하는 신호제공회로, 상기 더미전극으로부터 상기 노이즈를 검출하는 노이즈 검출회로, 및 상기 노이즈 검출회로로부터 수신한 노이즈 신호 및 상기 복수 개의 제2 전극들로부터 수신한 감지 신호들(sensing signal)에 근거하여 상기 외부입력의 좌표정보를 산출하는 좌표정보 산출회로를 포함할 수 있다.The above input detection circuit may include a signal providing circuit that provides detecting signals to the plurality of first electrodes, a noise detection circuit that detects noise from the dummy electrode, and a coordinate information calculating circuit that calculates coordinate information of the external input based on a noise signal received from the noise detection circuit and sensing signals received from the plurality of second electrodes.
상술한 바에 따르면, 투명한 전도성 산화물(transparent conductive oxide)을 포함하는 노이즈 차폐전극이 표시패널과 터치전극들 사이의 노이즈를 차폐할 수 있다. 그에 따라 터치감도가 향상된다.As described above, a noise shielding electrode including a transparent conductive oxide can shield noise between the display panel and the touch electrodes. Accordingly, the touch sensitivity is improved.
터치감지회로에 감지신호를 제공하는 제2 터치전극을 터치감지회로로부터 검출신호를 수신하는 제1 터치전극보다 상기 표시패널에 더 멀리 배치함으로써 터치감도가 향상된다. 제2 터치전극은 제1 터치전극보다 표시패널에 의한 노이즈의 간섭이 상대적으로 낮기 때문이다. The touch sensitivity is improved by arranging the second touch electrode, which provides a detection signal to the touch detection circuit, further from the display panel than the first touch electrode, which receives a detection signal from the touch detection circuit. This is because the second touch electrode is relatively less susceptible to noise interference from the display panel than the first touch electrode.
상기 제2 터치전극에 영향을 미치는 노이즈의 세기를 산출하여 상기 감지신호를 보상한다. 그에 따라 터치감도가 향상된다.The intensity of noise affecting the second touch electrode is calculated to compensate for the detection signal, thereby improving touch sensitivity.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 확대된 단면도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛의 단면도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛의 평면도이다.
도 7a은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛의 제1 도전층의 평면도이다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛의 제2 도전층의 평면도이다.
도 7c은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛의 제3 도전층의 평면도이다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛의 제2 도전층의 평면도이다.
도 8b는 도 8a의 AA영역의 확대도이다.
도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛의 제3 도전층의 평면도이다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 10a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛의 단면도이다.
도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛의 평면도이다.
도 10c는 도 10a의 I-I'에 따른 단면도이다.
도 11a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛의 단면도이다.
도 11b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛의 제1 도전층의 평면도이다.
도 11c는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛의 제2 도전층의 평면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지회로의 블록도이다.
도 13a 내지 도 13c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이다.
도 14a 및 도 14b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈의 사시도이다.FIG. 1a is a perspective view of a display device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 1b is a cross-sectional view of a display device according to one embodiment of the present invention.
Figure 2 is a cross-sectional view of a display module according to one embodiment of the present invention.
Figure 3 is a plan view of a display panel according to one embodiment of the present invention.
Figure 4 is an equivalent circuit diagram of a pixel according to one embodiment of the present invention.
FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a display panel according to one embodiment of the present invention.
FIG. 6a is a cross-sectional view of an input detection unit according to one embodiment of the present invention.
FIG. 6b is a plan view of an input detection unit according to one embodiment of the present invention.
FIG. 7a is a plan view of a first conductive layer of an input detection unit according to one embodiment of the present invention.
FIG. 7b is a plan view of a second conductive layer of an input sensing unit according to one embodiment of the present invention.
FIG. 7c is a plan view of a third conductive layer of an input detection unit according to one embodiment of the present invention.
FIG. 8a is a plan view of a second conductive layer of an input sensing unit according to one embodiment of the present invention.
Figure 8b is an enlarged view of area AA of Figure 8a.
FIG. 8c is a plan view of a third conductive layer of an input sensing unit according to one embodiment of the present invention.
FIGS. 9A to 9C are cross-sectional views of a display device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 10A is a cross-sectional view of an input detection unit according to one embodiment of the present invention.
FIG. 10b is a plan view of an input detection unit according to one embodiment of the present invention.
Figure 10c is a cross-sectional view taken along line I-I' of Figure 10a.
FIG. 11a is a cross-sectional view of an input detection unit according to one embodiment of the present invention.
FIG. 11b is a plan view of a first conductive layer of an input sensing unit according to one embodiment of the present invention.
FIG. 11c is a plan view of a second conductive layer of an input detection unit according to one embodiment of the present invention.
Figure 12 is a block diagram of an input detection circuit according to one embodiment of the present invention.
FIGS. 13A to 13C are perspective views of a display device according to one embodiment of the present invention.
FIGS. 14A and 14B are perspective views of a display device according to one embodiment of the present invention.
Figure 15 is a perspective view of a display module according to one embodiment of the present invention.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다. 본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In this specification, when a component (or region, layer, portion, etc.) is said to be "on", "connected", or "coupled" to another component, it means that it can be directly connected/coupled to the other component, or a third component may be arranged between them.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.Identical drawing reference numerals refer to identical components. Also, in the drawings, the thicknesses, proportions, and dimensions of the components are exaggerated for the purpose of effectively explaining the technical contents. "And/or" includes all combinations of one or more that the associated configurations can define.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are only used to distinguish one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly indicates otherwise.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.Additionally, terms such as "below," "lower," "above," and "upper," are used to describe the relationships between components depicted in the drawings. These terms are relative concepts and are described based on the directions indicated in the drawings.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the terms "include" or "have" are intended to specify the presence of a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but do not exclude in advance the possibility of the presence or addition of one or more other features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 사시도이다. 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 단면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈(DM)의 단면도이다. 도 1b 및 도 2는 제2 방향축(DR2)과 제3 방향축(DR3)이 정의하는 단면을 도시하였다. Fig. 1a is a perspective view of a display device (DD) according to an embodiment of the present invention. Fig. 1b is a cross-sectional view of a display device (DD) according to an embodiment of the present invention. Fig. 2 is a cross-sectional view of a display module (DM) according to an embodiment of the present invention. Figs. 1b and 2 illustrate cross-sections defined by a second direction axis (DR2) and a third direction axis (DR3).
도 1a에 도시된 것과 같이, 이미지(IM)가 표시되는 표시면(IS)은 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 표시면(IS)의 법선 방향, 즉 표시장치(DD)의 두께 방향은 제3 방향축(DR3)이 지시한다. 각 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향축(DR3)에 의해 구분된다. 그러나, 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 이하, 제1 내지 제3 방향들은 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 각각 지시하는 방향으로 동일한 도면 부호를 참조한다. 본 발명의 일 실시예에서 평면형 표시면을 구비한 표시장치(DD)를 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 표시장치(DD)는 곡면형 표시면 또는 서로 다른 방향을 지시하는 복수 개의 표시영역들을 포함하는 입체형 표시면(다각 기둥형 표시면)을 포함할 수도 있다. As illustrated in FIG. 1a, a display surface (IS) on which an image (IM) is displayed is parallel to a plane defined by a first direction axis (DR1) and a second direction axis (DR2). A normal direction of the display surface (IS), i.e., a thickness direction of the display device (DD), is indicated by a third direction axis (DR3). The front (or upper surface) and the back (or lower surface) of each member are distinguished by the third direction axis (DR3). However, the directions indicated by the first to third direction axes (DR1, DR2, DR3) are relative concepts and can be converted into other directions. Hereinafter, the first to third directions refer to the same drawing symbols as the directions indicated by the first to third direction axes (DR1, DR2, DR3), respectively. In one embodiment of the present invention, a display device (DD) having a flat display surface is illustrated, but is not limited thereto. The display device (DD) may include a curved display surface or a three-dimensional display surface (polygonal columnar display surface) including a plurality of display areas pointing in different directions.
본 실시예에 따른 표시장치(DD)는 플랫한 리지드 표시장치일 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 본 발명에 따른 표시장치(DD)는 플렉서블 표시장치(DD)일 수 도 있다. 본 실시예에 따른 표시장치(DD)는 텔레비전, 모니터 등과 같은 대형 전자장치를 비롯하여, 휴대 전화, 테블릿, 자동차 네비게이션, 게임기, 스마트 와치 등과 같은 중소형 전자장치 등에 적용될 수 있다. The display device (DD) according to the present embodiment may be a flat rigid display device. However, it is not limited thereto, and the display device (DD) according to the present invention may also be a flexible display device (DD). The display device (DD) according to the present embodiment may be applied to large electronic devices such as televisions and monitors, as well as small and medium-sized electronic devices such as mobile phones, tablets, car navigation systems, game consoles, and smart watches.
도 1a에 도시된 것과 같이, 표시면(IS)은 이미지(IM)가 표시되는 표시영역(DD-DA) 및 표시영역(DD-DA)에 인접한 비표시영역(DD-NDA)을 포함한다. 비표시영역(DD-NDA)은 이미지가 표시되지 않는 영역이다. 도 1a에는 이미지(IM)의 일 예로 아이콘 이미지들을 도시하였다. 일 예로써, 표시영역(DD-DA)은 사각형상일 수 있다. 비표시영역(DD-NDA)은 표시영역(DD-DA)을 에워싸을 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 표시영역(DD-DA)의 형상과 비표시영역(DD-NDA)의 형상은 상대적으로 디자인될 수 있다. As illustrated in FIG. 1a, the display surface (IS) includes a display area (DD-DA) where an image (IM) is displayed and a non-display area (DD-NDA) adjacent to the display area (DD-DA). The non-display area (DD-NDA) is an area where an image is not displayed. FIG. 1a illustrates icon images as an example of the image (IM). As an example, the display area (DD-DA) may be rectangular. The non-display area (DD-NDA) may surround the display area (DD-DA). However, the present invention is not limited thereto, and the shape of the display area (DD-DA) and the shape of the non-display area (DD-NDA) may be designed relatively.
도 1b에 도시된 것과 같이, 표시장치(DD)는 윈도우 유닛(WM)과 표시모듈(DM)을 포함한다. 표시모듈(DM)과 윈도우 유닛(WM)은 광학 투명 접착부재(OCA)를 통해 결합될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 광학 투명 접착부재(OCA)는 생략되고 윈도우 유닛(WM)은 표시모듈(DM) 상에 직접 배치될 수 있다.As illustrated in FIG. 1b, the display device (DD) includes a window unit (WM) and a display module (DM). The display module (DM) and the window unit (WM) can be joined via an optically transparent adhesive member (OCA). In one embodiment of the present invention, the optically transparent adhesive member (OCA) is omitted and the window unit (WM) can be directly disposed on the display module (DM).
윈도우 유닛(WM)은 베이스 필름(WM-BS) 및 차광 패턴(WM-BZ)을 포함한다. 베이스 필름(WM-BS)는 박막의 유리 기판 및/또는 플라스틱 필름 등을 포함할 수 있다. 차광 패턴(WM-BZ)은 베이스 필름(WM-BS)에 부분적으로 중첩한다. 차광 패턴(WM-BZ)은 베이스 필름(WM-BS)의 배면에 배치되어 표시장치(DD)의 베젤영역 즉, 비표시영역(DD-NDA, 도 1a 참조)을 정의할 수 있다. The window unit (WM) includes a base film (WM-BS) and a shading pattern (WM-BZ). The base film (WM-BS) may include a thin film glass substrate and/or a plastic film. The shading pattern (WM-BZ) partially overlaps the base film (WM-BS). The shading pattern (WM-BZ) may be arranged on a back surface of the base film (WM-BS) to define a bezel area of the display device (DD), i.e., a non-display area (DD-NDA, see FIG. 1a).
차광 패턴(WM-BZ)은 유색의 유기층으로써 예컨대, 코팅 방식으로 형성될 수 있다. 별도로 도시하지는 않았으나, 윈도우 유닛(WM)은 베이스 필름(WM-BS)의 전면에 배치된 기능성 코팅층을 더 포함할 수 있다. 기능성 코팅층은 지문 방지층, 반사 방지층, 및 하드 코팅층 등을 포함할 수 있다.The shading pattern (WM-BZ) may be formed as a colored organic layer, for example, by a coating method. Although not shown separately, the window unit (WM) may further include a functional coating layer arranged on the front surface of the base film (WM-BS). The functional coating layer may include an anti-fingerprint layer, an anti-reflection layer, and a hard coating layer.
표시모듈(DM)은 표시패널(DP)과 입력감지유닛(TS, 또는 입력감지층)을 포함한다. 표시패널(DP)은 이미지를 생성하고, 입력감지유닛(TS)은 외부입력(예컨대, 터치 이벤트)의 좌표정보를 획득한다. 별도로 도시하지 않았으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈(DM)은 표시패널(DP)의 하면에 배치된 보호부재, 입력감지유닛(TS)의 상면 상에 배치된 반사방지유닛을 더 포함할 수 있다.The display module (DM) includes a display panel (DP) and an input detection unit (TS, or input detection layer). The display panel (DP) generates an image, and the input detection unit (TS) obtains coordinate information of an external input (e.g., a touch event). Although not shown separately, the display module (DM) according to one embodiment of the present invention may further include a protective member disposed on a lower surface of the display panel (DP) and an anti-reflection unit disposed on an upper surface of the input detection unit (TS).
표시패널(DP)은 발광형 표시패널일 수 있고, 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 표시패널(DP)은 유기발광 표시패널 또는 퀀텀닷 발광 표시패널일 수 있다. 유기발광 표시패널은 발광층이 유기발광물질을 포함한다. 퀀텀닷 발광 표시패널은 발광층이 퀀텀닷, 및 퀀텀로드를 포함한다. 이하, 표시패널(DP)은 유기발광 표시패널로 설명된다.The display panel (DP) may be a luminescent display panel, and is not particularly limited thereto. For example, the display panel (DP) may be an organic luminescent display panel or a quantum dot luminescent display panel. An organic luminescent display panel has a luminescent layer including an organic luminescent material. A quantum dot luminescent display panel has a luminescent layer including quantum dots and quantum rods. Hereinafter, the display panel (DP) is described as an organic luminescent display panel.
도 2에 도시된 것과 같이, 표시패널(DP)은 베이스층(SUB), 베이스층(SUB) 상에 배치된 회로 소자층(DP-CL), 표시 소자층(DP-OLED), 및 박막 봉지층(TFE)을 포함한다. 별도로 도시되지 않았으나, 표시패널(DP)은 반사방지층, 굴절률 조절층 등과 같은 기능성층들을 더 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 2, the display panel (DP) includes a base layer (SUB), a circuit element layer (DP-CL) disposed on the base layer (SUB), a display element layer (DP-OLED), and a thin film encapsulation layer (TFE). Although not illustrated separately, the display panel (DP) may further include functional layers such as an antireflection layer, a refractive index control layer, etc.
베이스층(SUB)은 플렉서블 필름을 포함할 수 있다. 베이스층(SUB)은 플라스틱 기판, 유리 기판, 메탈 기판, 또는 유/무기 복합재료 기판 등을 포함할 수 있다. 도 1a 및 도 1b를 참조하여 설명한 표시장치(DD)의 표시영역(DD-DA)과 비표시영역(DD-NDA)에 대응하게 베이스층(SUB)의 표시영역(DM-DA)과 비표시영역(DM-NDA)이 정의될 수 있다. The base layer (SUB) may include a flexible film. The base layer (SUB) may include a plastic substrate, a glass substrate, a metal substrate, or an organic/inorganic composite material substrate. The display area (DM-DA) and the non-display area (DM-NDA) of the base layer (SUB) may be defined to correspond to the display area (DD-DA) and the non-display area (DD-NDA) of the display device (DD) described with reference to FIGS. 1A and 1B.
회로 소자층(DP-CL)은 적어도 하나의 중간 절연층과 회로 소자를 포함한다. 중간 절연층은 적어도 하나의 중간 무기막과 적어도 하나의 중간 유기막을 포함한다. 상기 회로 소자는 신호라인들, 화소의 구동회로 등을 포함한다. 코팅, 증착 등에 의한 절연층 형성공정과 포토리소그래피 공정에 의한 도체층 및/또는 반도체층의 패터닝 공정을 통해 회로 소자층(DP-CL)이 형성될 수 있다.The circuit element layer (DP-CL) includes at least one intermediate insulating layer and a circuit element. The intermediate insulating layer includes at least one intermediate inorganic film and at least one intermediate organic film. The circuit element includes signal lines, a driving circuit of a pixel, etc. The circuit element layer (DP-CL) can be formed through an insulating layer forming process by coating, deposition, etc., and a patterning process of a conductor layer and/or a semiconductor layer by a photolithography process.
표시 소자층(DP-OLED)은 적어도 유기발광 다이오드들을 포함한다. 표시 소자층(DP-OLED)은 화소 정의막과 같은 유기막을 더 포함할 수 있다.The display element layer (DP-OLED) includes at least organic light-emitting diodes. The display element layer (DP-OLED) may further include an organic film, such as a pixel defining film.
박막 봉지층(TFE)은 표시 소자층(DP-OLED)을 밀봉한다. 박막 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 절연층을 포함한다. 박막 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 무기막(이하, 봉지 무기막)을 포함할 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 유기막(이하, 및 적어도 하나의 봉지 무기막을 포함할 수 있다.A thin film encapsulation layer (TFE) encapsulates a display element layer (DP-OLED). The thin film encapsulation layer (TFE) includes at least one insulating layer. The thin film encapsulation layer (TFE) may include at least one inorganic film (hereinafter, “encapsulation inorganic film”). The thin film encapsulation layer (TFE) may include at least one organic film (hereinafter, and at least one encapsulation inorganic film).
봉지 무기막은 수분/산소로부터 표시 소자층(DP-OLED)을 보호하고, 봉지 유기막은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 표시 소자층(DP-OLED)을 보호한다. 봉지 무기막은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층 및 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 봉지 유기막은 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.The encapsulating inorganic film protects the display element layer (DP-OLED) from moisture/oxygen, and the encapsulating organic film protects the display element layer (DP-OLED) from foreign substances such as dust particles. The encapsulating inorganic film may include a silicon nitride layer, a silicon oxynitride layer, a silicon oxide layer, a titanium oxide layer, or an aluminum oxide layer. The encapsulating organic film may include, but is not limited to, an acrylic-based organic layer.
본 발명의 일 실시예에서 박막 봉지층(TFE)은 봉지 기판 등으로 대체될 수 있다. 봉지 기판은 실런트에 의해 표시 소자층(DP-OLED)을 밀봉한다.In one embodiment of the present invention, the thin film encapsulation layer (TFE) may be replaced with an encapsulation substrate, etc. The encapsulation substrate seals the display element layer (DP-OLED) by a sealant.
입력감지유닛(TS)의 일부의 구성은 표시패널(DP)이 제공하는 베이스 면 상에 직접 배치될 수 있다. 본 명세서에서 "직접 배치된다"는 것은 별도의 접착층/접착부재를 이용하여 부착하는 것을 제외하며, 연속공정에 의해 형성된 것을 의미한다. A part of the configuration of the input sensing unit (TS) may be directly placed on the base surface provided by the display panel (DP). In this specification, the term "directly placed" means formed by a continuous process, excluding attachment using a separate adhesive layer/adhesive member.
다시 말해, "베이스 면 상에 입력감지유닛(TS)의 A 구성이 직접 배치된다."는 것은 "표시장치의 단면 상에서 베이스 면과 A 구성 사이에 접착층/접착부재가 미배치된다."는 것을 의미한다. 여기서, 베이스 면은 박막 봉지층(TFE)의 상면일 수 있고, 봉지 기판의 상면일 수 있다. 베이스 면은 특별히 제한되지 않고, 연속공정에 의해 형성된 표시패널(DP)의 최 상측면이면 충분하다. 입력감지유닛(TS)이 표시패널(DP)이 제공하는 베이스 면 상에 직접 배치됨으로써 패널형태의 입력감지유닛과 달리 베이스기판이 생략되어 표시모듈(DM)의 두께가 감소된다.In other words, "the A configuration of the input sensing unit (TS) is directly arranged on the base surface" means "no adhesive layer/adhesive member is arranged between the base surface and the A configuration on the cross-section of the display device." Here, the base surface may be the upper surface of the thin film encapsulation layer (TFE) or the upper surface of the encapsulation substrate. The base surface is not particularly limited, and the uppermost surface of the display panel (DP) formed by a continuous process is sufficient. Since the input sensing unit (TS) is directly arranged on the base surface provided by the display panel (DP), unlike the panel-type input sensing unit, the base substrate is omitted, thereby reducing the thickness of the display module (DM).
입력감지유닛(TS)은 다층구조를 가질 수 있다. 입력감지유닛(TS)은 단층 또는 다층의 도전층을 포함할 수 있다. 입력감지유닛(TS)은 적어도 하나의 절연층을 포함할 수 있다.The input sensing unit (TS) may have a multilayer structure. The input sensing unit (TS) may include a single layer or multiple layers of conductive layers. The input sensing unit (TS) may include at least one insulating layer.
입력감지유닛(TS)은 예컨대, 정전용량 방식으로 외부입력을 감지할 수 있다. 본 발명에서 입력감지유닛(TS)의 동작방식은 특별히 제한되지 않고, 본 발명의 일 실시예에서 입력감지유닛(TS)은 전자기 유도방식 또는 압력 감지방식으로 외부입력을 감지할 수도 있다.The input detection unit (TS) can detect external input, for example, in a capacitive manner. In the present invention, the operation method of the input detection unit (TS) is not particularly limited, and in one embodiment of the present invention, the input detection unit (TS) can detect external input in an electromagnetic induction manner or a pressure detection manner.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 평면도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(PX)의 등가회로도이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 확대된 단면도이다. Fig. 3 is a plan view of a display panel (DP) according to one embodiment of the present invention. Fig. 4 is an equivalent circuit diagram of a pixel (PX) according to one embodiment of the present invention. Fig. 5 is an enlarged cross-sectional view of a display panel (DP) according to one embodiment of the present invention.
도 3에는 표시패널(DP)에 전기적으로 연결되는 회로기판(PCB)을 추가 도시하였다. 회로기판(PCB)은 리지드 회로기판 또는 플렉서블 회로기판일 수 있다. 회로기판(PCB)은 표시패널(DP)에 직접 결합되거나, 또 다른 회로기판을 통해 표시패널(DP)에 연결 될 수 있다.FIG. 3 additionally illustrates a circuit board (PCB) electrically connected to a display panel (DP). The circuit board (PCB) may be a rigid circuit board or a flexible circuit board. The circuit board (PCB) may be directly connected to the display panel (DP) or may be connected to the display panel (DP) via another circuit board.
회로기판(PCB)에는 표시패널(DP)의 동작을 제어하는 타이밍 제어회로(TC)가 배치될 수 있다. 또한, 회로기판(PCB)에는 입력감지유닛(TS)을 제어하는 입력감지회로(TS-C)가 배치될 수 있다. 타이밍 제어회로(TC)와 입력감지회로(TS-C) 각각은 집적 칩의 형태로 회로기판(PCB)에 실장될 수 있다. A timing control circuit (TC) that controls the operation of a display panel (DP) may be arranged on a circuit board (PCB). In addition, an input detection circuit (TS-C) that controls an input detection unit (TS) may be arranged on the circuit board (PCB). Each of the timing control circuit (TC) and the input detection circuit (TS-C) may be mounted on the circuit board (PCB) in the form of an integrated chip.
회로기판(PCB)은 표시패널(DP)과 전기적으로 연결되는 제1 회로기판 패드들(PCB-P1) 및 입력감지유닛(TS)과 전기적으로 연결되는 제2 회로기판 패드들(PCB-P2)을 포함한다. 미 도시되었으나, 회로기판(PCB)은 제1 회로기판 패드들(PCB-P1) 과 타이밍 제어회로 및/또는 입력감지회로(TS-C)를 연결하는 제1 신호라인들 및 제2 회로기판 패드들(PCB-P2)과 입력감지회로(TS-C)를 연결하는 제2 신호라인들을 더 포함한다.A circuit board (PCB) includes first circuit board pads (PCB-P1) electrically connected to a display panel (DP) and second circuit board pads (PCB-P2) electrically connected to an input detection unit (TS). Although not shown, the circuit board (PCB) further includes first signal lines connecting the first circuit board pads (PCB-P1) and a timing control circuit and/or an input detection circuit (TS-C), and second signal lines connecting the second circuit board pads (PCB-P2) and the input detection circuit (TS-C).
도 3에 도시된 것과 같이, 표시패널(DP)은 평면상에서 표시영역(DM-DA)과 비표시영역(DM-NDA)을 포함한다. 본 실시예에서 비표시영역(DM-NDA)은 표시영역(DM-DA)의 테두리를 따라 정의될 수 있다. 표시패널(DP)의 표시영역(DM-DA) 및 비표시영역(DM-NDA)은 도 2에 도시된 표시모듈(DM)의 표시영역(DM-DA) 및 비표시영역(DM-NDA)에 각각 대응한다. 표시패널(DP)의 표시영역(DM-DA) 및 비표시영역(DM-NDA)은 표시모듈(DM)의 표시영역(DM-DA) 및 비표시영역(DM-NDA)과 반드시 동일할 필요는 없고, 표시패널(DP)의 구조/디자인에 따라 변경될 수 있다.As illustrated in FIG. 3, the display panel (DP) includes a display area (DM-DA) and a non-display area (DM-NDA) on a plane. In the present embodiment, the non-display area (DM-NDA) may be defined along the border of the display area (DM-DA). The display area (DM-DA) and the non-display area (DM-NDA) of the display panel (DP) correspond to the display area (DM-DA) and the non-display area (DM-NDA) of the display module (DM) illustrated in FIG. 2, respectively. The display area (DM-DA) and the non-display area (DM-NDA) of the display panel (DP) are not necessarily identical to the display area (DM-DA) and the non-display area (DM-NDA) of the display module (DM) and may be changed depending on the structure/design of the display panel (DP).
표시패널(DP)은 구동회로(GDC), 복수 개의 신호라인들(SGL) 및 복수 개의 화소들(PX)을 포함할 수 있다. 복수 개의 화소들(PX)은 표시영역(DA)에 배치된다. 화소들(PX) 각각은 유기발광 다이오드와 그에 연결된 화소 구동회로를 포함한다. 구동회로(GDC), 복수 개의 신호라인들(SGL), 및 화소 구동회로는 도 2에 도시된 회로 소자층(DP-CL)에 포함될 수 있다.A display panel (DP) may include a driving circuit (GDC), a plurality of signal lines (SGL), and a plurality of pixels (PX). The plurality of pixels (PX) are arranged in a display area (DA). Each of the pixels (PX) includes an organic light-emitting diode and a pixel driving circuit connected thereto. The driving circuit (GDC), the plurality of signal lines (SGL), and the pixel driving circuit may be included in a circuit element layer (DP-CL) illustrated in FIG. 2.
구동회로(GDC)는 주사 구동회로를 포함할 수 있다. 주사 구동회로는 복수 개의 주사 신호들을 생성하고, 복수 개의 주사 신호들을 후술하는 복수 개의 주사 라인들(GL)에 순차적으로 출력한다. 주사 구동회로는 화소들(PX)의 구동회로에 또 다른 제어 신호를 더 출력할 수 있다. The driver circuit (GDC) may include a scan driver circuit. The scan driver circuit generates a plurality of scan signals and sequentially outputs the plurality of scan signals to a plurality of scan lines (GL) described below. The scan driver circuit may further output another control signal to the driver circuit of the pixels (PX).
주사 구동회로는 화소들(PX)의 구동회로와 동일한 공정, 예컨대 LTPS(Low Temperature Polycrystaline Silicon) 공정 또는 LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide) 공정을 통해 형성된 복수 개의 박막 트랜지스터들을 포함할 수 있다.The injection driver circuit may include a plurality of thin film transistors formed through the same process as the driver circuit of the pixels (PX), such as a low temperature polycrystaline silicon (LTPS) process or a low temperature polycrystalline oxide (LTPO) process.
복수 개의 신호라인들(SGL)은 주사 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 전원 라인(PL), 및 제어신호 라인(CSL)을 포함한다. 주사 라인들(GL)은 복수 개의 화소들(PX) 중 대응하는 화소(PX)에 각각 연결되고, 데이터 라인들(DL)은 복수 개의 화소들(PX) 중 대응하는 화소(PX)에 각각 연결된다. 전원 라인(PL)은 복수 개의 화소들(PX)에 연결된다. 제어신호 라인(CSL)은 주사 구동회로에 제어신호들을 제공할 수 있다.The plurality of signal lines (SGL) include scan lines (GL), data lines (DL), a power line (PL), and a control signal line (CSL). The scan lines (GL) are respectively connected to corresponding pixels (PX) among the plurality of pixels (PX), and the data lines (DL) are respectively connected to corresponding pixels (PX) among the plurality of pixels (PX). The power line (PL) is connected to the plurality of pixels (PX). The control signal line (CSL) can provide control signals to a scan driving circuit.
표시패널(DP)은 신호라인들(SGL)의 말단에 연결된 신호패드들(DP-PD)을 포함한다. 비표시영역(NDA) 중 신호패드들(DP-PD)이 배치된 영역은 패드영역(NDA-PD)으로 정의된다. 패드영역(NDA-PD)에는 후술하는 입력감지유닛(TS)의 신호라인들(SL1-1 내지 내지 SL1-5 및 내지 SL2-1 내지 SL2-4)에 연결되는 더미 패드들(TS-DPD)이 더 배치될 수 있다. 신호패드들(DP-PD) 및 더미 패드들(TS-DPD)은 후술하는 주사 라인(GL, 도 5 참조) 또는 데이터 라인(DL, 도 5 참조)과 동일한 공정을 통해 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 신호패드들(DP-PD) 및 더미 패드들(TS-DPD)은 제1 회로기판 패드들(PCB-P1)에 전기적으로 연결될 수 있다.The display panel (DP) includes signal pads (DP-PD) connected to the ends of signal lines (SGL). An area in a non-display area (NDA) where the signal pads (DP-PD) are arranged is defined as a pad area (NDA-PD). Dummy pads (TS-DPD) connected to signal lines (SL1-1 to SL1-5 and SL2-1 to SL2-4) of an input detection unit (TS) described later may be further arranged in the pad area (NDA-PD). The signal pads (DP-PD) and the dummy pads (TS-DPD) may be arranged on the same layer through the same process as the scan line (GL, see FIG. 5) or the data line (DL, see FIG. 5) described later. The signal pads (DP-PD) and the dummy pads (TS-DPD) may be electrically connected to first circuit board pads (PCB-P1).
도 4에는 어느 하나의 주사 라인(GL)과 어느 하나의 데이터 라인(DL), 및 전원 라인(PL)에 연결된 화소(PX)를 예시적으로 도시하였다. 화소(PX)의 구성은 이에 제한되지 않고 변형되어 실시될 수 있다.Fig. 4 illustrates an example of a pixel (PX) connected to one scanning line (GL), one data line (DL), and one power line (PL). The configuration of the pixel (PX) is not limited thereto and may be modified and implemented.
유기발광 다이오드(OLED)는 전면 발광형 다이오드이거나, 배면 발광형 다이오드일 수 있다. 화소(PX)는 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하기 위한 화소 구동회로로써 제1 트랜지스터(T1, 또는 스위칭 트랜지스터), 제2 트랜지스터(T2, 또는 구동 트랜지스터), 및 커패시터(Cst)를 포함한다. 제1 전원 전압(ELVDD)은 제2 트랜지스터(T2)에 제공되고, 제2 전원 전압(ELVSS)은 유기발광 다이오드(OLED)에 제공된다. 제2 전원 전압(ELVSS)은 제1 전원 전압(ELVDD) 보다 낮은 전압일 수 있다.An organic light-emitting diode (OLED) may be a top-emitting diode or a bottom-emitting diode. A pixel (PX) includes a pixel driving circuit for driving the organic light-emitting diode (OLED), and includes a first transistor (T1, or switching transistor), a second transistor (T2, or driving transistor), and a capacitor (Cst). A first power supply voltage (ELVDD) is provided to the second transistor (T2), and a second power supply voltage (ELVSS) is provided to the organic light-emitting diode (OLED). The second power supply voltage (ELVSS) may be a lower voltage than the first power supply voltage (ELVDD).
제1 트랜지스터(T1)는 주사 라인(GL)에 인가된 주사 신호에 응답하여 데이터 라인(DL)에 인가된 데이터 신호를 출력한다. 커패시터(Cst)는 제1 트랜지스터(T1)로부터 수신한 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전한다. The first transistor (T1) outputs a data signal applied to the data line (DL) in response to a scan signal applied to the scan line (GL). The capacitor (Cst) charges a voltage corresponding to the data signal received from the first transistor (T1).
제2 트랜지스터(T2)는 유기발광 다이오드(OLED)에 연결된다. 제2 트랜지스터(T2)는 커패시터(Cst)에 저장된 전하량에 대응하여 유기발광 다이오드(OLED)에 흐르는 구동전류를 제어한다. The second transistor (T2) is connected to an organic light-emitting diode (OLED). The second transistor (T2) controls the driving current flowing to the organic light-emitting diode (OLED) in response to the amount of charge stored in the capacitor (Cst).
도 5는 도 4에 도시된 등가회로에 대응하는 표시패널(DP)의 부분 단면을 도시하였다. 베이스층(SUB) 상에 회로 소자층(DP-CL), 표시 소자층(DP-OLED), 및 박막 봉지층(TFE)이 순차적으로 배치된다.Fig. 5 illustrates a partial cross-section of a display panel (DP) corresponding to the equivalent circuit illustrated in Fig. 4. A circuit element layer (DP-CL), a display element layer (DP-OLED), and a thin film encapsulation layer (TFE) are sequentially arranged on a base layer (SUB).
회로 소자층(DP-CL)은 적어도 하나의 무기막, 적어도 하나의 유기막, 및 회로 소자를 포함한다. 예컨대, 회로 소자층(DP-CL)은 무기막인 버퍼막(BFL), 제1 중간 무기막(10) 및 제2 중간 무기막(20)을 포함하고, 유기막인 중간 유기막(30)을 포함할 수 있다. 무기막 및 유기막의 재료는 특별히 제한되지 않고, 본 발명의 일 실시예에서 버퍼막(BFL) 선택적으로 배치/생략될 수 있다.The circuit element layer (DP-CL) includes at least one inorganic film, at least one organic film, and a circuit element. For example, the circuit element layer (DP-CL) may include a buffer film (BFL) as an inorganic film, a first intermediate inorganic film (10), and a second intermediate inorganic film (20), and may include an intermediate organic film (30) as an organic film. The materials of the inorganic film and the organic film are not particularly limited, and in one embodiment of the present invention, the buffer film (BFL) may be selectively arranged/omitted.
버퍼막(BFL) 상에 제1 트랜지스터(T1)의 반도체 패턴(OSP1: 이하 제1 반도체 패턴), 제2 트랜지스터(T2)의 반도체 패턴(OSP2: 이하 제2 반도체 패턴)이 배치된다. 제1 반도체 패턴(OSP1) 및 제2 반도체 패턴(OSP2)은 아몰포스 실리콘, 폴리 실리콘, 금속 산화물 반도체에서 선택될 수 있다.A semiconductor pattern (OSP1: hereinafter referred to as a first semiconductor pattern) of a first transistor (T1) and a semiconductor pattern (OSP2: hereinafter referred to as a second semiconductor pattern) of a second transistor (T2) are arranged on a buffer film (BFL). The first semiconductor pattern (OSP1) and the second semiconductor pattern (OSP2) can be selected from amorphous silicon, polysilicon, and metal oxide semiconductor.
제1 반도체 패턴(OSP1) 및 제2 반도체 패턴(OSP2) 상에 제1 중간 무기막(10)이 배치된다. 제1 중간 무기막(10) 상에는 제1 트랜지스터(T1)의 제어 전극(GE1: 이하, 제1 제어전극) 및 제2 트랜지스터(T2)의 제어 전극(GE2: 이하, 제2 제어전극)이 배치된다. 제1 제어 전극(GE1) 및 제2 제어 전극(GE2)은 주사 라인들(GL, 도 5a 참조)과 동일한 포토리소그래피 공정에 따라 제조될 수 있다. A first intermediate inorganic film (10) is disposed on a first semiconductor pattern (OSP1) and a second semiconductor pattern (OSP2). A control electrode (GE1: hereinafter, referred to as the first control electrode) of a first transistor (T1) and a control electrode (GE2: hereinafter, referred to as the second control electrode) of a second transistor (T2) are disposed on the first intermediate inorganic film (10). The first control electrode (GE1) and the second control electrode (GE2) can be manufactured according to the same photolithography process as the scan lines (GL, see FIG. 5a).
제1 중간 무기막(10) 상에는 제1 제어 전극(GE1) 및 제2 제어 전극(GE2)을 커버하는 제2 중간 무기막(20)이 배치된다. 제2 중간 무기막(20) 상에 제1 트랜지스터(T1)의 입력전극(DE1: 이하, 제1 입력전극) 및 출력전극(SE1: 제1 출력전극), 제2 트랜지스터(T2)의 입력전극(DE2: 이하, 제2 입력전극) 및 출력전극(SE2: 제2 출력전극)이 배치된다. A second intermediate inorganic film (20) covering a first control electrode (GE1) and a second control electrode (GE2) is disposed on a first intermediate inorganic film (10). An input electrode (DE1: hereinafter, a first input electrode) and an output electrode (SE1: a first output electrode) of a first transistor (T1), an input electrode (DE2: hereinafter, a second input electrode) and an output electrode (SE2: a second output electrode) of a second transistor (T2) are disposed on the second intermediate inorganic film (20).
제1 입력전극(DE1)과 제1 출력전극(SE1)은 제1 중간 무기막(10) 및 제2 중간 무기막(20)을 관통하는 제1 관통홀(CH1)과 제2 관통홀(CH2)을 통해 제1 반도체 패턴(OSP1)에 각각 연결된다. 제2 입력전극(DE2)과 제2 출력전극(SE2)은 제1 중간 무기막(10) 및 제2 중간 무기막(20)을 관통하는 제3 관통홀(CH3)과 제4 관통홀(CH4)을 통해 제2 반도체 패턴(OSP2)에 각각 연결된다. 한편, 본 발명의 다른 실시예에서 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2) 중 일부는 바텀 게이트 구조로 변형되어 실시될 수 있다.The first input electrode (DE1) and the first output electrode (SE1) are respectively connected to the first semiconductor pattern (OSP1) through the first through hole (CH1) and the second through hole (CH2) penetrating the first intermediate inorganic film (10) and the second intermediate inorganic film (20). The second input electrode (DE2) and the second output electrode (SE2) are respectively connected to the second semiconductor pattern (OSP2) through the third through hole (CH3) and the fourth through hole (CH4) penetrating the first intermediate inorganic film (10) and the second intermediate inorganic film (20). Meanwhile, in another embodiment of the present invention, some of the first transistor (T1) and the second transistor (T2) may be modified and implemented with a bottom gate structure.
제2 중간 무기막(20) 상에 제1 입력전극(DE1), 제2 입력전극(DE2), 제1 출력전극(SE1), 및 제2 출력전극(SE2)을 커버하는 중간 유기막(30)이 배치된다. 중간 유기막은 평탄면을 제공할 수 있다.An intermediate organic film (30) covering the first input electrode (DE1), the second input electrode (DE2), the first output electrode (SE1), and the second output electrode (SE2) is arranged on the second intermediate inorganic film (20). The intermediate organic film can provide a flat surface.
중간 유기막(30) 상에는 표시 소자층(DP-OLED)이 배치된다. 표시 소자층(DP-OLED)은 화소정의막(PDL) 및 유기발광 다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 화소정의막(PDL)은 유기물질을 포함할 수 있다. 중간 유기막(30) 상에 제1 전극(AE)이 배치된다. 제1 전극(AE)은 중간 유기막(30)을 관통하는 제5 관통홀(CH5)을 통해 제2 출력전극(SE2)에 연결된다. 화소정의막(PDL)에는 개구부(OP)가 정의된다. 화소정의막(PDL)의 개구부(OP)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다. A display element layer (DP-OLED) is arranged on the intermediate organic film (30). The display element layer (DP-OLED) may include a pixel definition film (PDL) and an organic light-emitting diode (OLED). The pixel definition film (PDL) may include an organic material. A first electrode (AE) is arranged on the intermediate organic film (30). The first electrode (AE) is connected to the second output electrode (SE2) through a fifth through hole (CH5) penetrating the intermediate organic film (30). An opening (OP) is defined in the pixel definition film (PDL). The opening (OP) of the pixel definition film (PDL) exposes at least a portion of the first electrode (AE).
화소(PX)는 평면 상에서 화소 영역에 배치될 수 있다. 화소 영역은 발광영역(PXA)과 발광영역(PXA)에 인접한 비발광영역(NPXA)을 포함할 수 있다. 비발광영역(NPXA)은 발광영역(PXA)을 에워싸을수 있다. 본 실시예에서 발광영역(PXA)은 개구부(OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE)의 일부영역에 대응하게 정의되었다. The pixel (PX) can be arranged in a pixel area on a plane. The pixel area can include an emission area (PXA) and a non-emission area (NPXA) adjacent to the emission area (PXA). The non-emission area (NPXA) can surround the emission area (PXA). In the present embodiment, the emission area (PXA) is defined to correspond to a portion of the first electrode (AE) exposed by the opening (OP).
정공 제어층(HCL)은 발광영역(PXA)과 비발광영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 별도로 도시되지 않았으나, 정공 제어층(HCL)과 같은 공통층은 복수 개의 화소들(PX, 도 3 참조)에 공통으로 형성될 수 있다.The hole control layer (HCL) can be commonly arranged in the light-emitting area (PXA) and the non-light-emitting area (NPXA). Although not shown separately, a common layer such as the hole control layer (HCL) can be commonly formed in a plurality of pixels (PX, see FIG. 3).
정공 제어층(HCL) 상에 발광층(EML)이 배치된다. 발광층(EML)은 개구부(OP)에 대응하는 영역에 배치될 수 있다. 즉, 발광층(EML)은 복수 개의 화소들(PX) 각각에 분리되어 형성될 수 있다. 발광층(EML)은 유기물질 및/또는 무기물질을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 패터닝된 발광층(EML)을 예시적으로 도시하였으나, 발광층(EML)은 복수 개의 화소들(PX)에 공통적으로 배치될 수 있다. 이때, 발광층(EML)은 백색 광을 생성할 수 있다. 또한, 발광층(EML)은 다층구조를 가질 수 있다.An emission layer (EML) is disposed on a hole control layer (HCL). The emission layer (EML) can be disposed in an area corresponding to an opening (OP). That is, the emission layer (EML) can be formed separately for each of a plurality of pixels (PX). The emission layer (EML) can include an organic material and/or an inorganic material. In this embodiment, a patterned emission layer (EML) is illustrated as an example, but the emission layer (EML) can be commonly disposed for a plurality of pixels (PX). In this case, the emission layer (EML) can generate white light. In addition, the emission layer (EML) can have a multilayer structure.
발광층(EML) 상에 전자 제어층(ECL)이 배치된다. 별도로 도시되지 않았으나, 전자 제어층(ECL)은 복수 개의 화소들(PX, 도 3 참조)에 공통으로 형성될 수 있다. 전자 제어층(ECL) 상에 제2 전극(CE)이 배치된다. 제2 전극(CE)은 복수 개의 화소들(PX)에 공통적으로 배치된다. An electronic control layer (ECL) is disposed on the light emitting layer (EML). Although not shown separately, the electronic control layer (ECL) may be formed commonly for a plurality of pixels (PX, see FIG. 3). A second electrode (CE) is disposed on the electronic control layer (ECL). The second electrode (CE) is disposed commonly for a plurality of pixels (PX).
제2 전극(CE) 상에 박막 봉지층(TFE)이 배치된다. 박막 봉지층(TFE)은 복수 개의 화소들(PX)에 공통적으로 배치된다. 본 실시예에서 박막 봉지층(TFE)은 제2 전극(CE)을 직접 커버한다. 본 발명의 일 실시예에서, 박막 봉지층(TFE)과 제2 전극(CE) 사이에는, 제2 전극(CE)을 커버하는 캡핑층이 더 배치될 수 있다. 이때 박막 봉지층(TFE)은 캡핑층을 직접 커버할 수 있다.A thin film encapsulation layer (TFE) is disposed on the second electrode (CE). The thin film encapsulation layer (TFE) is commonly disposed on a plurality of pixels (PX). In the present embodiment, the thin film encapsulation layer (TFE) directly covers the second electrode (CE). In one embodiment of the present invention, a capping layer that covers the second electrode (CE) may be further disposed between the thin film encapsulation layer (TFE) and the second electrode (CE). At this time, the thin film encapsulation layer (TFE) may directly cover the capping layer.
도 6a은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛(TS)의 단면도이다. 도 6b은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛(TS)의 평면도이다. 도 7a은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛(TS)의 제1 도전층(TS-CL1)의 평면도이다. 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛(TS)의 제2 도전층(TS-CL2)의 평면도이다. 도 7c은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛(TS)의 제3 도전층(TS-CL3)의 평면도이다. 도 6a에는 표시패널(DP, 도 5 참조)의 구성으로써 제2 전극(CE) 및 박막 봉지층(TFE)이 도시되었다.FIG. 6a is a cross-sectional view of an input sensing unit (TS) according to an embodiment of the present invention. FIG. 6b is a plan view of an input sensing unit (TS) according to an embodiment of the present invention. FIG. 7a is a plan view of a first conductive layer (TS-CL1) of an input sensing unit (TS) according to an embodiment of the present invention. FIG. 7b is a plan view of a second conductive layer (TS-CL2) of an input sensing unit (TS) according to an embodiment of the present invention. FIG. 7c is a plan view of a third conductive layer (TS-CL3) of an input sensing unit (TS) according to an embodiment of the present invention. FIG. 6a illustrates a second electrode (CE) and a thin film encapsulation layer (TFE) as components of a display panel (DP, see FIG. 5).
도 6a에 도시된 것과 같이, 입력감지유닛(TS)은 제1 도전층(TS-CL1), 제1 절연층(TS-IL1), 제2 도전층(TS-CL2), 제2 절연층(TS-IL2), 제3 도전층(TS-CL3), 및 제3 절연층(TS-IL3)을 포함한다. 본 실시예에서 제1 도전층(TS-CL1)은 박막 봉지층(TFE) 상에 직접 배치된다. 이에 제한되지 않고, 제1 도전층(TS-CL1)과 박막 봉지층(TFE) 사이에는 표시패널(DP)의 또 다른 무기층 또는 유기층이 더 배치될 수 있다. 본 실시예에서 제3 절연층(TS-IL3)은 생략되고, 광학부재 또는 접착부재 등이 제3 절연층(TS-IL3)의 보호기능을 대신할 수 있다.As illustrated in FIG. 6a, the input sensing unit (TS) includes a first conductive layer (TS-CL1), a first insulating layer (TS-IL1), a second conductive layer (TS-CL2), a second insulating layer (TS-IL2), a third conductive layer (TS-CL3), and a third insulating layer (TS-IL3). In the present embodiment, the first conductive layer (TS-CL1) is directly disposed on the thin film encapsulation layer (TFE). The present invention is not limited thereto, and another inorganic layer or organic layer of the display panel (DP) may be further disposed between the first conductive layer (TS-CL1) and the thin film encapsulation layer (TFE). In the present embodiment, the third insulating layer (TS-IL3) is omitted, and an optical member or an adhesive member, or the like, may replace the protective function of the third insulating layer (TS-IL3).
제1 도전층(TS-CL1) 내지 제3 도전층(TS-CL3) 각각은 단층구조를 갖거나, 제3 방향축(DR3)을 따라 적층된 다층구조를 가질 수 있다. 단층구조의 도전층은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 및 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등과 같은 투명한 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 PEDOT, 금속 나노 와이어, 그라핀을 포함할 수 있다.Each of the first conductive layer (TS-CL1) to the third conductive layer (TS-CL3) may have a single-layer structure or a multi-layer structure laminated along the third direction axis (DR3). The single-layer conductive layer may include a metal layer or a transparent conductive layer. The metal layer may include molybdenum, silver, titanium, copper, aluminum, and alloys thereof. The transparent conductive layer may include a transparent conductive oxide such as ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), ZnO (zinc oxide), or ITZO (indium tin zinc oxide). In addition, the transparent conductive layer may include PEDOT, metal nanowires, or graphene.
다층구조의 도전층은 다층의 금속층들을 포함할 수 있다. 다층의 금속층들은 예컨대 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다. 다층구조의 도전층은 적어도 하나의 금속층 및 적어도 하나의 투명 도전층을 포함할 수 있다. The multilayer conductive layer may include multilayer metal layers. The multilayer metal layers may have a three-layer structure of, for example, titanium/aluminum/titanium. The multilayer conductive layer may include at least one metal layer and at least one transparent conductive layer.
제2 도전층(TS-CL2) 및 제3 도전층(TS-CL3) 각각은 복수 개의 패턴들을 포함한다. 이하, 제2 도전층(TS-CL2)은 제1 도전패턴들을 포함하고, 제3 도전층(TS-CL3)은 제2 도전패턴들을 포함하는 것으로 설명된다. 제1 도전패턴들과 제2 도전패턴들 각각은 전극들 및 신호라인들을 포함할 수 있다. 제1 도전층(TS-CL1)은 제1 도전패턴들 및 제2 도전패턴들보다 상대적으로 큰 면적의 전극을 포함한다. 제1 도전층(TS-CL1) 내지 제3 도전층(TS-CL3)에 대한 상세한 설명은 후술한다.Each of the second conductive layer (TS-CL2) and the third conductive layer (TS-CL3) includes a plurality of patterns. Hereinafter, the second conductive layer (TS-CL2) is described as including first conductive patterns, and the third conductive layer (TS-CL3) is described as including second conductive patterns. Each of the first conductive patterns and the second conductive patterns may include electrodes and signal lines. The first conductive layer (TS-CL1) includes an electrode having a relatively larger area than the first conductive patterns and the second conductive patterns. Detailed descriptions of the first to third conductive layers (TS-CL1) to (TS-CL3) will be described later.
제1 절연층(TS-IL1) 내지 제3 절연층(TS-IL3) 각각은 무기물 또는 유기물을 포함할 수 있다. 제1 절연층(TS-IL1) 내지 제3 절연층(TS-IL3)중 적어도 어느 하나는 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. Each of the first insulating layer (TS-IL1) to the third insulating layer (TS-IL3) may include an inorganic material or an organic material. At least one of the first insulating layer (TS-IL1) to the third insulating layer (TS-IL3) may include an inorganic film. The inorganic film may include at least one of aluminum oxide, titanium oxide, silicon oxide silicon oxynitride, zirconium oxide, and hafnium oxide.
제1 절연층(TS-IL1) 내지 제3 절연층(TS-IL3) 중 적어도 어느 하나는 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. At least one of the first insulating layer (TS-IL1) to the third insulating layer (TS-IL3) may include an organic film. The organic film may include at least one of an acrylic resin, a methacrylic resin, a polyisoprene, a vinyl resin, an epoxy resin, a urethane resin, a cellulose resin, a siloxane resin, a polyimide resin, a polyamide resin, and a perylene resin.
도 6b에 도시된 것과 같이, 입력감지유닛(TS)은 노이즈 차폐전극(TS-SE), 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5), 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)에 연결된 제1 신호라인들(SL1-1 내지 SL1-5), 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4), 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)에 연결된 제2 신호라인들(SL2-1 내지 SL2-4), 및 제1 신호라인들(SL1-1 내지 SL1-5)과 제2 신호라인들(SL2-1 내지 SL2-4)에 연결된 감지 신호패드들(TS-PD)를 포함할 수 있다. As illustrated in FIG. 6b, the input detection unit (TS) may include a noise shielding electrode (TS-SE), first electrodes (TE1-1 to TE1-5), first signal lines (SL1-1 to SL1-5) connected to the first electrodes (TE1-1 to TE1-5), second electrodes (TE2-1 to TE2-4), second signal lines (SL2-1 to SL2-4) connected to the second electrodes (TE2-1 to TE2-4), and detection signal pads (TS-PD) connected to the first signal lines (SL1-1 to SL1-5) and the second signal lines (SL2-1 to SL2-4).
제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)과 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)은 서로 교차한다. 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)은 제1 방향(DR1)으로 나열되며, 각각이 제2 방향(DR2)으로 연장된 형상이다. 뮤추얼 캡 방식 또는 셀프 캡 방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다. The first electrodes (TE1-1 to TE1-5) and the second electrodes (TE2-1 to TE2-4) intersect each other. The first electrodes (TE1-1 to TE1-5) are arranged in the first direction (DR1) and each has a shape extending in the second direction (DR2). An external input can be detected in a mutual cap method or a self cap method.
제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5) 각각은 제1 센서부들(SP1) 및 제1 연결부들(CP1)을 포함한다. 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4) 각각은 제2 센서부들(SP2) 및 제2 연결부들(CP2)을 포함한다. 제1 센서부들(SP1) 중 양단에 배치된 2개 제1 센서부들은 중앙에 배치된 제1 센서부 대비 작은 크기, 예컨대 1/2 크기를 가질 수 있다. 6개의 제2 센서부들(SP2) 중 양단에 배치된 2개 제2 센서부들은 중앙에 배치된 제2 센서부 대비 작은 크기, 예컨대 1/2 크기를 가질 수 있다. Each of the first electrodes (TE1-1 to TE1-5) includes first sensor parts (SP1) and first connecting parts (CP1). Each of the second electrodes (TE2-1 to TE2-4) includes second sensor parts (SP2) and second connecting parts (CP2). The two first sensor parts arranged at opposite ends of the first sensor parts (SP1) may have a smaller size, for example, half the size, than the first sensor part arranged at the center. The two second sensor parts arranged at opposite ends of the six second sensor parts (SP2) may have a smaller size, for example, half the size, than the second sensor part arranged at the center.
도 6b에는 일 실시예에 따른 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)과 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)을 도시하였으나, 그 형상은 제한되지 않는다. 본 발명의 일 실시예에서 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)과 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)은 센서부와 연결부의 구분이 없는 형상을 가질 수 있다. FIG. 6b illustrates first electrodes (TE1-1 to TE1-5) and second electrodes (TE2-1 to TE2-4) according to one embodiment, but their shapes are not limited. In one embodiment of the present invention, the first electrodes (TE1-1 to TE1-5) and second electrodes (TE2-1 to TE2-4) may have shapes in which there is no distinction between a sensor portion and a connection portion.
제1 센서부들(SP1)은 제2 방향(DR2)을 따라 나열되고, 제2 센서부들(SP2)은 제1 방향(DR1)을 따라 나열된다. 제1 연결부들(CP1) 각각은 인접한 제1 센서부들(SP1)을 연결하고, 제2 연결부들(CP2) 각각은 인접한 제2 센서부들(SP2)을 연결한다.The first sensor parts (SP1) are arranged along the second direction (DR2), and the second sensor parts (SP2) are arranged along the first direction (DR1). Each of the first connecting parts (CP1) connects adjacent first sensor parts (SP1), and each of the second connecting parts (CP2) connects adjacent second sensor parts (SP2).
제1 신호라인들(SL1-1 내지 SL1-5)은 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)의 일단에 각각 연결된다. 제2 신호라인들(SL2-1 내지 SL2-4)은 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)의 양단에 연결된다. 본 발명의 일 실시예에서 제1 신호라인들(SL1-1 내지 SL1-5) 역시 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)의 양단에 연결될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 제2 신호라인들(SL2-1 내지 SL2-4)은 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)의 일단에만 각각 연결될 수 있다. The first signal lines (SL1-1 to SL1-5) are respectively connected to one end of the first electrodes (TE1-1 to TE1-5). The second signal lines (SL2-1 to SL2-4) are respectively connected to both ends of the second electrodes (TE2-1 to TE2-4). In one embodiment of the present invention, the first signal lines (SL1-1 to SL1-5) may also be connected to both ends of the first electrodes (TE1-1 to TE1-5). In one embodiment of the present invention, the second signal lines (SL2-1 to SL2-4) may respectively be connected to only one end of the second electrodes (TE2-1 to TE2-4).
본 발명의 일 실시예에서 제1 신호라인들(SL1-1 내지 SL1-5), 제2 신호라인들(SL2-1 내지 SL2-4) 및 감지 신호패드들(TS-PD)은 별도로 제조되어 결합되는 회로 기판등에 의해 대체될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에서 감지 신호패드들(TS-PD)은 도 3에 도시된 더미 패드들(TS-DPD)에 연결될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 감지 신호패드들(TS-PD)은 생략될 수 있고, 제1 신호라인들(SL1-1 내지 SL1-5) 및 제2 신호라인들((SL2-1 내지 SL2-4)은 도 3에 도시된 더미 패드들(TS-DPD)에 직접 연결될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first signal lines (SL1-1 to SL1-5), the second signal lines (SL2-1 to SL2-4) and the detection signal pads (TS-PD) may be replaced by a circuit board or the like that is manufactured and combined separately. In one embodiment of the present invention, the detection signal pads (TS-PD) may be connected to the dummy pads (TS-DPD) illustrated in FIG. 3. In one embodiment of the present invention, the detection signal pads (TS-PD) may be omitted, and the first signal lines (SL1-1 to SL1-5) and the second signal lines (SL2-1 to SL2-4) may be directly connected to the dummy pads (TS-DPD) illustrated in FIG. 3.
도 7a은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛(TS)의 제1 도전층(TS-CL1)의 평면도이다. 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛(TS)의 제2 도전층(TS-CL2)의 평면도이다. 도 7c은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛(TS)의 제3 도전층(TS-CL3)의 평면도이다.FIG. 7a is a plan view of a first conductive layer (TS-CL1) of an input sensing unit (TS) according to an embodiment of the present invention. FIG. 7b is a plan view of a second conductive layer (TS-CL2) of an input sensing unit (TS) according to an embodiment of the present invention. FIG. 7c is a plan view of a third conductive layer (TS-CL3) of an input sensing unit (TS) according to an embodiment of the present invention.
도 7a에 도시된 것과 같이, 제1 도전층(TS-CL1)은 노이즈 차폐전극(TS-SE)을 포함한다. 노이즈 차폐전극(TS-SE)은 박막 봉지층(TFE, 도 6a 참조) 상에 직접 배치된다. 노이즈 차폐전극(TS-SE)은 표시영역(DM-DA)에 대응하는 면적을 가질 수 있다. 노이즈 차폐전극(TS-SE)은 도 3에 도시된 복수 개의 화소들(PX)에 중첩하며, 도 5에 도시된 발광영역(PXA)과 비발광영역(NPXA)에 중첩할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 노이즈 차폐전극(TS-SE)은 표시영역(DM-DA)을 완전히 커버하고, 노이즈 차폐전극(TS-SE)은 비표시영역(DM-NDA)의 일부에 중첩할 수도 있다.As illustrated in FIG. 7a, the first conductive layer (TS-CL1) includes a noise shielding electrode (TS-SE). The noise shielding electrode (TS-SE) is directly disposed on a thin film encapsulation layer (TFE, see FIG. 6a). The noise shielding electrode (TS-SE) may have an area corresponding to the display area (DM-DA). The noise shielding electrode (TS-SE) overlaps a plurality of pixels (PX) illustrated in FIG. 3, and may overlap the light-emitting area (PXA) and the non-light-emitting area (NPXA) illustrated in FIG. 5. In one embodiment of the present invention, the noise shielding electrode (TS-SE) completely covers the display area (DM-DA), and the noise shielding electrode (TS-SE) may also overlap a part of the non-display area (DM-NDA).
표시패널에서 발생한 노이즈가 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)과 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)에 간섭하는 것을 방지하기 위해, 베이스 면 상에서 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)과 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)은 상기 노이즈 차폐전극(TS-SE)의 내측에 배치된다. 베이스 면 상에서, 노이즈 차폐전극(TS-SE)은 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)과 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)에 완전히 중첩할 수 있다. 노이즈 차폐 효율을 고려할 때, 노이즈 차폐전극(TS-SE)은 적어도 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)과 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4) 면적의 90% 이상 중첩하는 것이 바람직하다. 본 발명의 일 실시예에서 노이즈 차폐전극(TS-SE)은 수 mm 이하의 간격으로 이격된 복수 개의 전극들을 포함할 수 있다. In order to prevent noise generated in the display panel from interfering with the first electrodes (TE1-1 to TE1-5) and the second electrodes (TE2-1 to TE2-4), the first electrodes (TE1-1 to TE1-5) and the second electrodes (TE2-1 to TE2-4) are arranged on the inner side of the noise shielding electrode (TS-SE) on the base surface. On the base surface, the noise shielding electrode (TS-SE) can completely overlap the first electrodes (TE1-1 to TE1-5) and the second electrodes (TE2-1 to TE2-4). Considering noise shielding efficiency, it is preferable that the noise shielding electrode (TS-SE) overlaps at least 90% or more of the areas of the first electrodes (TE1-1 to TE1-5) and the second electrodes (TE2-1 to TE2-4). In one embodiment of the present invention, the noise shielding electrode (TS-SE) may include a plurality of electrodes spaced apart at intervals of several millimeters or less.
노이즈 차폐전극(TS-SE)은 소정의 전압을 수신할 수 있다. 예컨대, 노이즈 차폐전극(TS-SE)은 접지전압을 수신할 수 있다. 일 실시예에서, 노이즈 차폐전극(TS-SE)은 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)에 인가되는 전압과 동일한 전압을 수신할 수 있다. 별도로 도시되지 않았으나, 비표시영역(DM-NDA)에는 노이즈 차폐전극(TS-SE)에 소정의 전압을 제공하는 신호라인과 패드부가 배치될 수 있다.The noise shielding electrode (TS-SE) can receive a predetermined voltage. For example, the noise shielding electrode (TS-SE) can receive a ground voltage. In one embodiment, the noise shielding electrode (TS-SE) can receive the same voltage as the voltage applied to the second electrodes (TE2-1 to TE2-4). Although not shown separately, a signal line and a pad portion that provide a predetermined voltage to the noise shielding electrode (TS-SE) can be arranged in the non-display area (DM-NDA).
노이즈 차폐전극(TS-SE)은 투명한 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 투명한 전도성 산화물은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등을 포함할 수 있다.The noise shielding electrode (TS-SE) may include a transparent conductive oxide. The transparent conductive oxide may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium tin zinc oxide (ITZO), etc.
도 7b에 도시된 것과 같이, 제2 도전층(TS-CL2)은 제1 연결부들(CP1)을 포함한다. 도 7b에는 미 도시되었으나, 제1 연결부들(CP1)은 제1 절연층(TS-IL1, 도 6a 참조) 상에 배치된다. 제1 절연층(TS-IL1)은 노이즈 차폐전극(TS-SE)을 직접 커버하며, 적어도 표시영역(DM-DA)을 완전히 커버하고, 비표시영역(DM-NDA)의 일부에 더 중첩할 수 있다.As illustrated in FIG. 7b, the second conductive layer (TS-CL2) includes first connecting portions (CP1). Although not illustrated in FIG. 7b, the first connecting portions (CP1) are disposed on the first insulating layer (TS-IL1, see FIG. 6a). The first insulating layer (TS-IL1) directly covers the noise shielding electrode (TS-SE), completely covers at least the display area (DM-DA), and may further overlap a portion of the non-display area (DM-NDA).
제1 연결부들(CP1)은 단층 또는 다층의 금속층을 포함하고, 메쉬 형상을 가질수 있다. 제1 연결부들(CP1)은 도 5를 참조하여 설명한 비발광영역(NPXA)에 중첩하고 발광영역(PXA)에 비중첩할 수 있다. The first connecting portions (CP1) may include a single-layer or multi-layer metal layer and may have a mesh shape. The first connecting portions (CP1) may overlap the non-emissive region (NPXA) described with reference to FIG. 5 and may not overlap the emissive region (PXA).
도 7c에 도시된 것과 같이, 제3 도전층(TS-CL3)은 제1 센서부들(SP1), 제2 센서부들(SP2), 및 제2 연결부들(CP2)을 포함한다. 또한, 제3 도전층(TS-CL3)은 제1 신호라인들(SL1-1 내지 SL1-5), 제2 신호라인들(SL2-1 내지 SL2-4), 및 감지 신호패드들(TS-PD)를 포함한다. 도 7c에는 미 도시되었으나, 제3 도전층(TS-CL3)은 제2 절연층(TS-IL2, 도 6a 참조) 상에 배치된다. 제1 센서부들(SP1)은 제2 절연층(TS-IL2)을 관통하는 콘택홀들을 통해 제1 연결부들(CP1)에 연결된다.As illustrated in FIG. 7c, the third conductive layer (TS-CL3) includes first sensor portions (SP1), second sensor portions (SP2), and second connection portions (CP2). In addition, the third conductive layer (TS-CL3) includes first signal lines (SL1-1 to SL1-5), second signal lines (SL2-1 to SL2-4), and detection signal pads (TS-PD). Although not illustrated in FIG. 7c, the third conductive layer (TS-CL3) is disposed on the second insulating layer (TS-IL2, see FIG. 6a). The first sensor portions (SP1) are connected to the first connection portions (CP1) through contact holes penetrating the second insulating layer (TS-IL2).
제1 센서부들(SP1), 제2 센서부들(SP2), 및 제2 연결부들(CP2)은 투명한 전도성 산화물은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등을 포함할 수 있다. 제1 신호라인들(SL1-1 내지 SL1-5), 제2 신호라인들(SL2-1 내지 SL2-4), 및 감지 신호패드들(TS-PD)은 상기 투명한 전도성 산화물을 포함하거나, 단층 또는 다층의 금속층을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 제1 센서부들(SP1), 제2 센서부들(SP2), 및 제2 연결부들(CP2) 역시 단층 또는 다층의 금속층을 포함할 수도 있다.The first sensor portions (SP1), the second sensor portions (SP2), and the second connection portions (CP2) may include a transparent conductive oxide such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), or indium tin zinc oxide (ITZO). The first signal lines (SL1-1 to SL1-5), the second signal lines (SL2-1 to SL2-4), and the detection signal pads (TS-PD) may include the transparent conductive oxide or include a single-layer or multi-layer metal layer. In one embodiment of the present invention, the first sensor portions (SP1), the second sensor portions (SP2), and the second connection portions (CP2) may also include a single-layer or multi-layer metal layer.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛(TS)의 제2 도전층(TS-CL2)의 평면도이다. 도 8b는 도 8a의 AA영역의 확대도이다. 도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛의 입력감지유닛(TS)의 제3 도전층(TS-CL3)의 평면도이다. FIG. 8A is a plan view of a second conductive layer (TS-CL2) of an input sensing unit (TS) according to one embodiment of the present invention. FIG. 8B is an enlarged view of area AA of FIG. 8A. FIG. 8C is a plan view of a third conductive layer (TS-CL3) of an input sensing unit (TS) according to one embodiment of the present invention.
이하, 도 7a 내지 도 7b를 참조하여 설명한 입력감지유닛(TS)과 차이점 위주로 설명한다. 별도로 도시되지 않았으나, 본 실시예에 따른 입력감지유닛(TS)은 도 7a에 대응하는 노이즈 차폐전극(TS-SE)을 포함한다. Hereinafter, the differences from the input detection unit (TS) described with reference to FIGS. 7a and 7b will be mainly described. Although not separately illustrated, the input detection unit (TS) according to the present embodiment includes a noise shielding electrode (TS-SE) corresponding to FIG. 7a.
도 8a에 도시된 것과 같이, 제2 도전층(TS-CL2)은 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5), 제1 신호라인들(SL1-1 내지 SL1-5), 및 감지 신호패드들(TS-PD)를 포함한다. 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)은 메쉬 형상을 가질 수 있다. 제1 센서부들(SP1)과 제1 연결부들(CP1)은 금속을 포함하고, 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)이 메쉬 형상을 가짐으로써 제1 도전층(TS-CL1, 도 6a 및 도 7a 참조) 또는 표시패널(DP, 도 6a 참조)의 전극들과의 기생 커패시턴스가 감소될 수 있다.As illustrated in FIG. 8A, the second conductive layer (TS-CL2) includes first electrodes (TE1-1 to TE1-5), first signal lines (SL1-1 to SL1-5), and detection signal pads (TS-PD). The first electrodes (TE1-1 to TE1-5) may have a mesh shape. The first sensor parts (SP1) and the first connecting parts (CP1) include metal and may be formed through the same process. Since the first electrodes (TE1-1 to TE1-5) have a mesh shape, parasitic capacitance with electrodes of the first conductive layer (TS-CL1, see FIGS. 6A and 7A) or the display panel (DP, see FIG. 6A) may be reduced.
도 8b에 도시된 것과 같이, 제1 센서부(SP1)는 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 비중첩하고, 비발광영역(NPXA)에 중첩한다. 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 도 5의 발광영역(PXA)과 같이 정의될 수 있다. 제1 센서부(SP1)의 메쉬선들은 복수 개의 메쉬홀들(TS-OPR, TS-OPG, TS-OPB)을 정의한다. 다시 말해, 제1 센서부(SP1)에는 복수 개의 메쉬홀들(TS-OPR, TS-OPG, TS-OPB)이 정의된다. 메쉬선들의 선폭은 수 마이크로미터 내지 수 나노미터일 수 있다. 복수 개의 메쉬홀들(TS-OPR, TS-OPG, TS-OPB)은 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 일대일 대응할 수 있다. As illustrated in FIG. 8b, the first sensor unit (SP1) does not overlap the light-emitting areas (PXA-R, PXA-G, PXA-B) and overlaps the non-light-emitting area (NPXA). The light-emitting areas (PXA-R, PXA-G, PXA-B) can be defined like the light-emitting area (PXA) of FIG. 5. The mesh lines of the first sensor unit (SP1) define a plurality of mesh holes (TS-OPR, TS-OPG, TS-OPB). In other words, a plurality of mesh holes (TS-OPR, TS-OPG, TS-OPB) are defined in the first sensor unit (SP1). The line width of the mesh lines can be several micrometers to several nanometers. Multiple mesh holes (TS-OPR, TS-OPG, TS-OPB) can correspond one-to-one to light-emitting areas (PXA-R, PXA-G, PXA-B).
발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 서로 이격되어 배치되고, 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이에 비발광영역(NPXA)이 배치된다. 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)마다 유기발광 다이오드들(OLED)이 배치된다. 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 유기발광 다이오드들(OLED)에서 생성되는 광의 컬러에 따라 몇개의 그룹으로 구분될 수 있다. 도 8b에는 발광 컬러에 따라 3개의 그룹으로 구분되는 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 도시하였다. The light-emitting areas (PXA-R, PXA-G, PXA-B) are arranged spaced apart from each other, and a non-light-emitting area (NPXA) is arranged between the light-emitting areas (PXA-R, PXA-G, PXA-B). Organic light-emitting diodes (OLEDs) are arranged in each of the light-emitting areas (PXA-R, PXA-G, PXA-B). The light-emitting areas (PXA-R, PXA-G, PXA-B) can be divided into several groups according to the color of light generated from the organic light-emitting diodes (OLEDs). Fig. 8b illustrates the light-emitting areas (PXA-R, PXA-G, PXA-B) divided into three groups according to the light-emitting color.
발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 유기발광 다이오드(OLED, 도 5 참조)의 발광층(EML)에서 발광하는 컬러에 따라 다른 면적을 가질 수 있다. 유기발광 다이오드의 종류에 따라 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적이 결정될 수 있다. The light-emitting regions (PXA-R, PXA-G, PXA-B) can have different areas depending on the color emitted from the light-emitting layer (EML) of the organic light-emitting diode (OLED, see FIG. 5). The area of the light-emitting regions (PXA-R, PXA-G, PXA-B) can be determined depending on the type of the organic light-emitting diode.
복수 개의 메쉬홀들(TS-OPR, TS-OPG, TS-OPB)은 서로 다른 면적을 갖는 몇개 그룹들로 구분될 수 있다. 복수 개의 메쉬홀들(TS-OPR, TS-OPG, TS-OPB)은 대응하는 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 따라 3개의 그룹으로들로 구분될 수 있다. The plurality of mesh holes (TS-OPR, TS-OPG, TS-OPB) can be divided into several groups having different areas. The plurality of mesh holes (TS-OPR, TS-OPG, TS-OPB) can be divided into three groups according to the corresponding light-emitting regions (PXA-R, PXA-G, PXA-B).
이상에서, 메쉬홀들(TS-OPR, TS-OPG, TS-OPB)이 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 일대일 대응하는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 메쉬홀들(TS-OPR, TS-OPG, TS-OPB) 각각은 2 이상의 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 대응할 수 있다. In the above, the mesh holes (TS-OPR, TS-OPG, TS-OPB) are illustrated as corresponding one-to-one to the light-emitting areas (PXA-R, PXA-G, PXA-B), but this is not limited. Each of the mesh holes (TS-OPR, TS-OPG, TS-OPB) can correspond to two or more light-emitting areas (PXA-R, PXA-G, PXA-B).
발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적이 다양한 것을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 크기는 서로 동일할 수 있고, 또한 메쉬홀들(TS-OPR, TS-OPG, TS-OPB)의 크기도 서로 동일할 수 있다. 메쉬홀들(TS-OPR, TS-OPG, TS-OPB)의 평면상 형상은 제한되지 않고, 마름모와 다른 다각형상을 가질 수 있다.The areas of the light-emitting regions (PXA-R, PXA-G, PXA-B) are exemplarily shown to be various, but are not limited thereto. The sizes of the light-emitting regions (PXA-R, PXA-G, PXA-B) may be the same, and the sizes of the mesh holes (TS-OPR, TS-OPG, TS-OPB) may also be the same. The planar shapes of the mesh holes (TS-OPR, TS-OPG, TS-OPB) are not limited, and may have a polygonal shape other than a rhombus.
별도로 도시하지 않았으나, 도 7c를 참조하여 설명한 제3 도전층(TS-CL3)의 제2 도전패턴들 및 후술하는 도 8c의 제3 도전층(TS-CL3)의 제2 도전패턴들은 각각의 하측에 배치된 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 및 비발광영역(NPXA)에 중첩할 수 있다.Although not illustrated separately, the second conductive patterns of the third conductive layer (TS-CL3) described with reference to FIG. 7c and the second conductive patterns of the third conductive layer (TS-CL3) of FIG. 8c described below may overlap the light-emitting regions (PXA-R, PXA-G, PXA-B) and non-light-emitting regions (NPXA) respectively arranged on the lower side.
도 8c에 도시된 것과 같이, 제3 도전층(TS-CL3)은 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4), 제2 신호라인들(SL2-1 내지 SL2-4), 및 감지 신호패드들(TS-PD)를 포함한다. 도 7a 내지 도 7c에 도시된 입력감지유닛(TS)과 달리 제2 절연층(TS-IL2)에는 콘택홀들이 정의되지 않을 수 있다. 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)과 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)이 제2 절연층(TS-IL2)을 사이에 두고 배치되기 때문이다.As illustrated in FIG. 8c, the third conductive layer (TS-CL3) includes second electrodes (TE2-1 to TE2-4), second signal lines (SL2-1 to SL2-4), and detection signal pads (TS-PD). Unlike the input detection unit (TS) illustrated in FIGS. 7a to 7c, contact holes may not be defined in the second insulating layer (TS-IL2). This is because the first electrodes (TE1-1 to TE1-5) and the second electrodes (TE2-1 to TE2-4) are arranged with the second insulating layer (TS-IL2) therebetween.
제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)은 도 8b에 도시된 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)및 비발광영역(NPXA)에 중첩한다. 적어도, 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)은 투명한 전도성 산화물은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등을 포함할 수 있다. 표시면(IS, 도 1 참조)을 비스듬히 응시하는 사용자에게, 메쉬형상의 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)은 메쉬형상의 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)과 겹쳐보임으로써 발생하는 무아레 현상이 제공할 수 있다. 그에 반하여 투명한 전도성 산화물을 포함하는 메쉬형상의 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)은 메쉬형상의 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)과 겹쳐지더라도 무아레 현상을 일으키지 않는다.The second electrodes (TE2-1 to TE2-4) overlap the light-emitting regions (PXA-R, PXA-G, PXA-B) and the non-light-emitting region (NPXA) illustrated in FIG. 8B. At least, the second electrodes (TE2-1 to TE2-4) may include a transparent conductive oxide such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), or indium tin zinc oxide (ITZO). To a user who looks at the display surface (IS, see FIG. 1) obliquely, the mesh-shaped second electrodes (TE2-1 to TE2-4) may overlap with the mesh-shaped first electrodes (TE1-1 to TE1-5), thereby providing a moire phenomenon. In contrast, the mesh-shaped second electrodes (TE2-1 to TE2-4) including transparent conductive oxides do not cause a moire phenomenon even if they overlap the mesh-shaped first electrodes (TE1-1 to TE1-5).
제2 신호라인들(SL2-1 내지 SL2-4) 및 감지 신호패드들(TS-PD) 중 어느 하나는 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)과 동일한 공정을 통해 형성되거나, 또 다른 공정을 통해 형성될 수 있다. 제2 신호라인들(SL2-1 내지 SL2-4) 및 감지 신호패드들(TS-PD) 중 어느 하나는 투명한 전도성 산화물을 포함하거나, 금속을 포함할 수 있다.Any one of the second signal lines (SL2-1 to SL2-4) and the detection signal pads (TS-PD) may be formed through the same process as the second electrodes (TE2-1 to TE2-4) or may be formed through another process. Any one of the second signal lines (SL2-1 to SL2-4) and the detection signal pads (TS-PD) may include a transparent conductive oxide or may include a metal.
본 발명의 일 실시예에서 제2 신호라인들(SL2-1 내지 SL2-4) 및 입력감지유닛(TS)의 신호패드들(TS-PD) 중 어느 하나는 도 8a에 도시된 제1 신호라인들(SL1-1 내지 SL1-5)과 동일한 공정을 통해 제1 절연층(TS-IL1) 상에 형성될 수 있다. 이때, 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)과 제2 신호라인들(SL2-1 내지 SL2-4)는 제2 절연층(TS-IL2)을 관통하는 콘택홀을 통해 연결될 수 있다.In one embodiment of the present invention, one of the second signal lines (SL2-1 to SL2-4) and the signal pads (TS-PD) of the input detection unit (TS) may be formed on the first insulating layer (TS-IL1) through the same process as the first signal lines (SL1-1 to SL1-5) illustrated in FIG. 8A. At this time, the second electrodes (TE2-1 to TE2-4) and the second signal lines (SL2-1 to SL2-4) may be connected through a contact hole penetrating the second insulating layer (TS-IL2).
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 단면도이다. 이하, 도 1 내지 도 8c를 참조하여 설명한 입력감지유닛(TS)과 중복되는 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.FIGS. 9A to 9C are cross-sectional views of a display device (DD) according to one embodiment of the present invention. Hereinafter, a detailed description of a configuration overlapping with the input detection unit (TS) described with reference to FIGS. 1 to 8C is omitted.
도 9a에 도시된 것과 같이, 표시장치(DD)는 윈도우 유닛(WM), 반사방지유닛(ARM), 입력감지유닛(TS), 및 표시패널(DP)을 포함한다. 상기 구성들 중 일부는 연속 공정을 통해 형성되고, 일부는 광학 투명 접착부재(OCA)를 통해 결합될 수 있다.As illustrated in Fig. 9a, the display device (DD) includes a window unit (WM), an anti-reflection unit (ARM), an input detection unit (TS), and a display panel (DP). Some of the above components may be formed through a continuous process, and some may be bonded through an optically transparent adhesive (OCA).
입력감지유닛(TS)은 제1 부분 유닛(TS1)과 제2 부분 유닛(TS2)을 포함한다. 제1 부분 유닛(TS1)은 도 6a 내지 도 8c를 참조하여 설명한 제1 도전층(TS-CL1), 제1 절연층(TS-IL1), 제2 도전층(TS-CL2), 및 제2 절연층(TS-IL2)을 포함할 수 있다. 제1 도전층(TS-CL1)은 표시패널(DP) 상에 직접 배치될 수 있다. 제1 절연층(TS-IL1), 제2 도전층(TS-CL2), 및 제2 절연층(TS-IL2) 역시 연속공정을 통해 표시패널(DP) 상에 직접 배치될 수 있다. 본 실시예에서 결합된 표시패널(DP)과 제1 부분 유닛(TS1)은 표시모듈(DM)로 정의될 수 있다.The input sensing unit (TS) includes a first sub-unit (TS1) and a second sub-unit (TS2). The first sub-unit (TS1) may include a first conductive layer (TS-CL1), a first insulating layer (TS-IL1), a second conductive layer (TS-CL2), and a second insulating layer (TS-IL2) described with reference to FIGS. 6A to 8C. The first conductive layer (TS-CL1) may be directly disposed on the display panel (DP). The first insulating layer (TS-IL1), the second conductive layer (TS-CL2), and the second insulating layer (TS-IL2) may also be directly disposed on the display panel (DP) through a continuous process. The display panel (DP) and the first sub-unit (TS1) combined in this embodiment may be defined as a display module (DM).
제1 절연층(TS-IL1)은 무기물질을 포함하고, 제2 절연층(TS-IL2)은 유기물질을 포함할 수 있다. 무기물질의 절연층은 제1 절연층(TS-IL1)과 제1 도전층(TS-CL1)의 결합력을 향상시키고, 균일한 두께를 가질 수 있다. 유기물질의 접착층은 제2 절연층(TS-IL2)과 제1 광학 투명 접착부재(OCA1) 사이의 결합력을 향상시키고, 제1 부분 유닛(TS1)의 플렉서블리티를 향상시킨다.The first insulating layer (TS-IL1) may include an inorganic material, and the second insulating layer (TS-IL2) may include an organic material. The insulating layer of the inorganic material may improve the bonding strength between the first insulating layer (TS-IL1) and the first conductive layer (TS-CL1) and may have a uniform thickness. The adhesive layer of the organic material may improve the bonding strength between the second insulating layer (TS-IL2) and the first optically transparent adhesive member (OCA1) and improve the flexibility of the first partial unit (TS1).
표시모듈(DM)과 반사방지유닛(ARM)은 제1 광학 투명 접착부재(OCA1)를 통해 결합될 수 있다. 반사방지유닛(ARM)은 외부광의 반사율을 감소시키는 부재로써, 위상지연부재 및 편광부재를 포함할 수 있다. 위상지연부재는 λ/2 위상지연부재 및/또는 λ/4 위상지연부재을 포함할 수 있다. 위상지연부재 및 편광부재는 연신형 플라스틱필름을 포함하거나, 소정의 배열로 배열된 액정들을 포함할 수 있다. 위상지연부재 및 편광부재는 보호필름을 더 포함할 수 있다.The display module (DM) and the anti-reflection unit (ARM) can be combined through a first optically transparent adhesive member (OCA1). The anti-reflection unit (ARM) is a member that reduces the reflectivity of external light and can include a phase retardation member and a polarizing member. The phase retardation member can include a λ/2 phase retardation member and/or a λ/4 phase retardation member. The phase retardation member and the polarizing member can include a stretchable plastic film or liquid crystals arranged in a predetermined array. The phase retardation member and the polarizing member can further include a protective film.
반사방지유닛(ARM)은 발광영역(PXA)에 배치된 유기발광 다이오드로부터 생성된 광과 동일한 컬러를 갖는 컬러필터들을 포함할 수 있다. 또한, 반사방지유닛(ARM)은 서로 다른 층에서 반사된 제1 반사광과 제2 반사광을 상쇄간섭시키는 상쇄간섭 구조물을 포함할 수 있다. 상기 컬러필터들 및 상기 상쇄간섭 구조물은 베이스 필름 상에 형성될 수 있다.The anti-reflection unit (ARM) may include color filters having the same color as light generated from an organic light-emitting diode arranged in the light-emitting area (PXA). In addition, the anti-reflection unit (ARM) may include a destructive interference structure that destructively interferes with first reflected light and second reflected light reflected from different layers. The color filters and the destructive interference structure may be formed on a base film.
반사방지유닛(ARM)과 제2 부분 유닛(TS2)은 제2 광학 투명 접착부재(OCA2)를 통해 결합될 수 있다. 제2 부분 유닛(TS2)과 윈도우 유닛(WM)은 제3 광학 투명 접착부재(OCA3)를 통해 결합될 수 있다. 제2 부분 유닛(TS2)은 베이스 필름(BL) 및 도 6a 내지 도 8c를 참조하여 설명한 제3 도전층(TS-CL3), 및 제3 절연층(TS-IL3)을 포함할 수 있다. The anti-reflection unit (ARM) and the second sub-unit (TS2) can be combined via a second optically transparent adhesive member (OCA2). The second sub-unit (TS2) and the window unit (WM) can be combined via a third optically transparent adhesive member (OCA3). The second sub-unit (TS2) can include a base film (BL) and a third conductive layer (TS-CL3) described with reference to FIGS. 6A to 8C, and a third insulating layer (TS-IL3).
본 실시예에서 반사방지유닛(ARM)과 제1 및 제2 광학 투명 접착부재(OCA1, OCA2)는 제2 도전층(TS-CL2)과 제3 도전층(TS-CL3)을 절연시키는 절연층 기능을 갖는다. 도 9a 내지 도 9c에 도시된 입력감지유닛(TS)에 있어서, 반사방지유닛(ARM)과 광학 투명 접착부재들(OCA1, OCA2, OCA3)을 관통하는 콘택홀의 형성이 곤란하기 때문에, 제2 도전층(TS-CL2)은 도 8a에 도시된 제1 도전패턴들을 포함하고, 제3 도전층(TS-CL3)은 도 8c에 도시된 제2 도전패턴들을 포함하는 것이 바람직하다. 제3 도전층(TS-CL3)은 도 8c에 도시된 감지 신호패드들(TS-PD)을 포함할 수 있고, 감지 신호패드들(TS-PD)은 연성회로기판을 통해 도 3에 도시된 제2 회로기판 패드들(PCB-P2)에 연결될 수 있다.In the present embodiment, the anti-reflection unit (ARM) and the first and second optically transparent adhesive members (OCA1, OCA2) have an insulating layer function that insulates the second conductive layer (TS-CL2) and the third conductive layer (TS-CL3). In the input sensing unit (TS) illustrated in FIGS. 9a to 9c, since it is difficult to form a contact hole penetrating the anti-reflection unit (ARM) and the optically transparent adhesive members (OCA1, OCA2, OCA3), it is preferable that the second conductive layer (TS-CL2) includes the first conductive patterns illustrated in FIG. 8a, and the third conductive layer (TS-CL3) includes the second conductive patterns illustrated in FIG. 8c. The third challenge layer (TS-CL3) may include sensing signal pads (TS-PD) as illustrated in FIG. 8c, and the sensing signal pads (TS-PD) may be connected to the second circuit board pads (PCB-P2) as illustrated in FIG. 3 via the flexible circuit board.
도 9b에 도시된 것과 같이, 도 9a의 제2 부분 유닛(TS2)의 베이스 필름(BL)은 생략될 수 있다. 제2 부분 유닛(TS2)의 제3 도전층(TS-CL3)은 반사방지유닛(ARM) 상에 직접 형성될 수 있다. 제3 입력 절연층(TS-IL3)은 반사방지유닛(ARM) 상에 직접 형성되어 제3 도전층(TS-CL3)의 제2 도전패턴들을 커버할 수 있다. 그에 따라 도 9a의 입력감지유닛(TS)과 달리 제2 광학 투명 접착부재(OCA2)은 생략될 수 있다.As illustrated in FIG. 9b, the base film (BL) of the second partial unit (TS2) of FIG. 9a may be omitted. The third conductive layer (TS-CL3) of the second partial unit (TS2) may be formed directly on the anti-reflection unit (ARM). The third input insulating layer (TS-IL3) may be formed directly on the anti-reflection unit (ARM) to cover the second conductive patterns of the third conductive layer (TS-CL3). Accordingly, unlike the input sensing unit (TS) of FIG. 9a, the second optically transparent adhesive member (OCA2) may be omitted.
도 9c에 도시된 것과 같이, 도 9a의 제2 부분 유닛(TS2)의 베이스 필름(BL)은 생략될 수 있다. 제2 부분 유닛(TS2)의 제3 도전층(TS-CL3)은 윈도우 유닛(WM)의 베이스 필름(WM-BS)의 하면에 직접 배치될 수 있다. 제3 절연층(TS-IL3)은 베이스 필름(WM-BS)의 하면에 직접 배치되어 제3 도전층(TS-CL3)의 제2 도전패턴들과 차광 패턴(WM-BZ)을 직접 커버할 수 있다.As illustrated in FIG. 9c, the base film (BL) of the second partial unit (TS2) of FIG. 9a may be omitted. The third conductive layer (TS-CL3) of the second partial unit (TS2) may be directly disposed on the lower surface of the base film (WM-BS) of the window unit (WM). The third insulating layer (TS-IL3) may be directly disposed on the lower surface of the base film (WM-BS) to directly cover the second conductive patterns of the third conductive layer (TS-CL3) and the light-shielding pattern (WM-BZ).
제2 광학 투명 접착부재(OCA2)는 제3 절연층(TS-IL3)과 반사방지유닛(ARM)을 결합시킬 수 있다. 그에 따라 도 9a의 입력감지유닛(TS)과 달리 제3 광학 투명 접착부재(OCA3)은 생략될 수 있다.The second optical transparent adhesive member (OCA2) can combine the third insulating layer (TS-IL3) and the anti-reflection unit (ARM). Accordingly, unlike the input detection unit (TS) of Fig. 9a, the third optical transparent adhesive member (OCA3) can be omitted.
도 10a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛(TS)의 단면도이다. 도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛(TS)의 평면도이다. 도 10c는 도 10a의 I-I'에 따른 단면도이다. 이하, 도 1 내지 도 9c을 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.Fig. 10a is a cross-sectional view of an input sensing unit (TS) according to an embodiment of the present invention. Fig. 10b is a plan view of an input sensing unit (TS) according to an embodiment of the present invention. Fig. 10c is a cross-sectional view taken along line I-I' of Fig. 10a. Hereinafter, a detailed description of the same configuration as that described with reference to Figs. 1 to 9c will be omitted.
본 실시예에 따르면, 도 6a 내지 도 9c에 도시된 제3 도전층(TS-CL3) 및 제3 절연층(TS-IL3)이 생략되고, 입력감지유닛(TS)은 제1 도전층(TS-CL1), 제1 절연층(TS-IL1), 제2 도전층(TS-CL2), 및 제2 절연층(TS-IL2)을 포함한다.According to the present embodiment, the third conductive layer (TS-CL3) and the third insulating layer (TS-IL3) illustrated in FIGS. 6a to 9c are omitted, and the input sensing unit (TS) includes a first conductive layer (TS-CL1), a first insulating layer (TS-IL1), a second conductive layer (TS-CL2), and a second insulating layer (TS-IL2).
제1 도전층(TS-CL1)은 노이즈 차폐전극(TS-SE)을 포함할 수 있다. 제2 도전층(TS-CL2)은 복수 개의 감지전극들(TE), 복수 개의 감지 신호라인들(SL), 및 감지 신호패드들(TS-PD)을 포함할 수 있다. 도 10b에서 노이즈 차폐전극(TS-SE)을 커버하는 제1 절연층(TS-IL1)은 미 도시되었다.The first conductive layer (TS-CL1) may include a noise shielding electrode (TS-SE). The second conductive layer (TS-CL2) may include a plurality of sensing electrodes (TE), a plurality of sensing signal lines (SL), and sensing signal pads (TS-PD). In Fig. 10b, the first insulating layer (TS-IL1) covering the noise shielding electrode (TS-SE) is not shown.
복수 개의 감지전극들(TE)은 고유의 좌표정보를 갖는다. 예컨대, 감지전극들(TE)은 매트릭스 형태로 배열될 수 있고, 감지신호라인들(SL)에 각각 연결된다. 감지전극들(TE)의 형상과 배열은 특별히 제한되지 않는다. 감지신호라인들(SL) 중 일부는 표시영역(DA)에 배치되고, 일부는 비표시영역(NDA)에 배치될 수 있다. 본 실시예에 따른 입력감지유닛(TS)는 셀프 캡 방식으로 좌표정보를 획득할 수 있다.A plurality of sensing electrodes (TE) have unique coordinate information. For example, the sensing electrodes (TE) can be arranged in a matrix form and are respectively connected to the sensing signal lines (SL). The shape and arrangement of the sensing electrodes (TE) are not particularly limited. Some of the sensing signal lines (SL) can be arranged in the display area (DA) and some can be arranged in the non-display area (NDA). The input sensing unit (TS) according to the present embodiment can obtain coordinate information in a self-cap method.
도 10b 및 도 10c에 도시된 것과 같이, 감지전극들(TE)은 메쉬 형상을 가질 수 있다. 도 8b에 도시된 것과 같이, 감지전극들(TE)은 비발광영역(NPXA)에 중첩한다. 노이즈 차폐전극(TS-SE)은 감지전극들(TE)에 대한 표시패널(DP)의 전극들로부터 유발된 노이즈를 차단할 수 있다.As illustrated in FIGS. 10b and 10c, the sensing electrodes (TE) may have a mesh shape. As illustrated in FIG. 8b, the sensing electrodes (TE) overlap the non-luminous region (NPXA). The noise shielding electrode (TS-SE) can block noise induced from the electrodes of the display panel (DP) to the sensing electrodes (TE).
별도로 도시하지 않았으나, 도 10a에 도시된 것과 달리, 제2 도전층(TS-CL2)은 제1 절연층(TS-IL1)으로부터 연속적으로 형성되지 않을 수도 있다. 제2 도전층(TS-CL2)과 제1 절연층(TS-IL1) 사이에 반사방지유닛(ARM) 및 광학 투명 접착부재(OCA)가 더 배치될 수 있다. 도 9b에 도시된 제3 도전층(TS-CL3)과 유사하게 제2 도전층(TS-CL2)은 반사방지유닛(ARM)에 직접 형성될 수 있다. 도 9c에 도시된 제3 도전층(TS-CL3)과 유사하게 제2 도전층(TS-CL2)은 윈도우 유닛(WM)에 직접 형성될 수 있다. Although not illustrated separately, unlike that illustrated in FIG. 10a, the second conductive layer (TS-CL2) may not be formed continuously from the first insulating layer (TS-IL1). An anti-reflection unit (ARM) and an optically transparent adhesive (OCA) may be further disposed between the second conductive layer (TS-CL2) and the first insulating layer (TS-IL1). Similar to the third conductive layer (TS-CL3) illustrated in FIG. 9b, the second conductive layer (TS-CL2) may be formed directly on the anti-reflection unit (ARM). Similar to the third conductive layer (TS-CL3) illustrated in FIG. 9c, the second conductive layer (TS-CL2) may be formed directly on the window unit (WM).
도 11a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛(TS)의 단면도이다. 도 11b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛(TS)의 제1 도전층의 평면도이다. 도 11c는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛(TS)의 제2 도전층의 평면도이다. 이하, 도 1 내지 도 10c을 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.Fig. 11a is a cross-sectional view of an input sensing unit (TS) according to an embodiment of the present invention. Fig. 11b is a plan view of a first conductive layer of an input sensing unit (TS) according to an embodiment of the present invention. Fig. 11c is a plan view of a second conductive layer of an input sensing unit (TS) according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, a detailed description of the same configuration as that described with reference to Figs. 1 to 10c is omitted.
본 실시예에 따른 입력감지유닛(TS)은 도 6a 내지 도 9c에 도시된 제1 도전층(TS-CL1) 및 제1 입력 절연층(TS-IL1)을 포함하지 않는다. 도 11a에 도시된 것과 같이, 본 실시예에 따른 입력감지유닛(TS)은 제1 도전층(TS-CL10) 및 제2 도전층(TS-CL20)을 포함할 수 있다. 제1 도전층(TS-CL10) 및 제2 도전층(TS-CL20)은 도 6a 내지 도 9c에 도시된 제2 도전층(TS-CL2) 및 제3 도전층(TS-CL3)에 각각 대응할 수 있다.The input sensing unit (TS) according to the present embodiment does not include the first conductive layer (TS-CL1) and the first input insulating layer (TS-IL1) illustrated in FIGS. 6A to 9C. As illustrated in FIG. 11A, the input sensing unit (TS) according to the present embodiment may include the first conductive layer (TS-CL10) and the second conductive layer (TS-CL20). The first conductive layer (TS-CL10) and the second conductive layer (TS-CL20) may correspond to the second conductive layer (TS-CL2) and the third conductive layer (TS-CL3) illustrated in FIGS. 6A to 9C, respectively.
도 11b에 도시된 것과 같이, 제1 도전층(TS-CL10)은 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5), 제1 신호라인들(SL1-1 내지 SL1-5), 더미전극들(DE-1 내지 DE-4), 및 더미 신호라인들(SL3-1 내지 SL3-4), 및 감지 신호패드들(TS-PD)를 포함할 수 있다. 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5) 및 더미전극들(DE-1 내지 DE-4)은 동일한 공정에 의해 형성될 수 있고, 그에 따라 동일한 재료 및 동일한 층구조를 가질 수 있다.As illustrated in FIG. 11b, the first conductive layer (TS-CL10) may include first electrodes (TE1-1 to TE1-5), first signal lines (SL1-1 to SL1-5), dummy electrodes (DE-1 to DE-4), dummy signal lines (SL3-1 to SL3-4), and sensing signal pads (TS-PD). The first electrodes (TE1-1 to TE1-5) and the dummy electrodes (DE-1 to DE-4) may be formed by the same process and thus may have the same material and the same layer structure.
더미전극들(DE-1 내지 DE-4)은 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)처럼 메쉬형상을 가질 수 있다. 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)은 메쉬홀(TS-OP)을 포함하고, 더미전극들(DE-1 내지 DE-4)은 더미 메쉬홀(DE-OP)을 포함할 수 있다. 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)과 다른 공정에 의해 형성된 더미전극들(DE-1 내지 DE-4)은 메쉬 구조를 갖지 않을 수 있고, 더미전극들(DE-1 내지 DE-4)은 이때 투명한 전도성 산화물을 포함할 수 있다.The dummy electrodes (DE-1 to DE-4) may have a mesh shape like the first electrodes (TE1-1 to TE1-5). The first electrodes (TE1-1 to TE1-5) may include a mesh hole (TS-OP), and the dummy electrodes (DE-1 to DE-4) may include a dummy mesh hole (DE-OP). The dummy electrodes (DE-1 to DE-4) formed by a different process from the first electrodes (TE1-1 to TE1-5) may not have a mesh structure, and the dummy electrodes (DE-1 to DE-4) may include a transparent conductive oxide at this time.
더미전극들(DE-1 내지 DE-4)은 제2 방향(DR2)으로 연장되며, 제1 방향(DR1)으로 나열될 수 있다. 더미전극들(DE-1 내지 DE-4)은 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5) 사이에 각각 배치될 수 있다. The dummy electrodes (DE-1 to DE-4) may extend in the second direction (DR2) and be arranged in the first direction (DR1). The dummy electrodes (DE-1 to DE-4) may be respectively arranged between the first electrodes (TE1-1 to TE1-5).
본 실시예에서 제1 방향(DR1)의 너비가 일정한 바 형상의 더미전극들(DE-1 내지 DE-4)을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고, 도 6b에 도시된 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)의 형상으로 변형될 수 있다. 더미전극들(DE-1 내지 DE-4)의 개수는 제한되지 않고, 입력감지유닛(TS)은 평면상에서 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4) 중 어느 하나와 중첩하는 하나의 더미전극을 포함하면 충분하다.In this embodiment, dummy electrodes (DE-1 to DE-4) having a constant width in the first direction (DR1) are exemplarily illustrated, but are not limited thereto and may be modified into the shape of the first electrodes (TE1-1 to TE1-5) illustrated in Fig. 6b. The number of dummy electrodes (DE-1 to DE-4) is not limited, and it is sufficient for the input detection unit (TS) to include one dummy electrode overlapping one of the second electrodes (TE2-1 to TE2-4) on a plane.
도 11c에 도시된 것과 같이, 제2 도전층(TS-CL20)은 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4), 제2 신호라인들(SL2-1 내지 SL2-4), 및 감지 신호패드들(TS-PD)를 포함한다. 무아레 현상을 방지하기 위해 적어도, 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)은 투명한 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 제2 방향(DR2)의 너비가 일정한 바 형상의 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. As illustrated in FIG. 11c, the second conductive layer (TS-CL20) includes second electrodes (TE2-1 to TE2-4), second signal lines (SL2-1 to SL2-4), and detection signal pads (TS-PD). In order to prevent moire phenomenon, at least the second electrodes (TE2-1 to TE2-4) may include a transparent conductive oxide. The second electrodes (TE2-1 to TE2-4) having a bar shape with a constant width in the second direction (DR2) are illustrated as an example, but are not limited thereto.
도 12에 도시된 것과 같이, 표시장치(DD, 도 1b 참조)는 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5), 더미전극들(DE-1 내지 DE-4), 및 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)에 전기적으로 연결된 입력감지회로(TS-C)를 포함한다. 입력감지회로(TS-C)는 표시패널(DP, 도 1b 참조)에 의해 상기 더미전극들(DE-1 내지 DE-4)에 발생한 노이즈를 검출하고, 윈도우 유닛(WM, 도 1b 참조)의 외부에 발생한 외부입력(예컨대, 사용자의 터치)을 검출한다. 입력감지회로(TS-C)는 도 3에 도시된 것과 같이, 집적 칩의 형태로 회로기판(PCB)에 실장될 수 있다. As illustrated in FIG. 12, the display device (DD, see FIG. 1b) includes an input detection circuit (TS-C) electrically connected to first electrodes (TE1-1 to TE1-5), dummy electrodes (DE-1 to DE-4), and second electrodes (TE2-1 to TE2-4). The input detection circuit (TS-C) detects noise generated in the dummy electrodes (DE-1 to DE-4) by the display panel (DP, see FIG. 1b) and detects an external input (e.g., a user's touch) generated outside a window unit (WM, see FIG. 1b). The input detection circuit (TS-C) may be mounted on a circuit board (PCB) in the form of an integrated chip, as illustrated in FIG. 3.
입력감지회로(TS-C)는 신호제공회로(C-10), 노이즈 검출회로(C-20), 및 좌표정보 산출회로(C-30)를 포함한다. 신호제공회로(C-10)는 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5)에 검출신호들(detecting signal)을 제공한다. 검출신호들은 서로 다른 정보를 갖는 교류신호일 수 있다. 여기서, "검출신호들이 서로 다른 정보를 갖는다"는 것은 검출신호들이 서로 다른 시간정보, 주파수정보, 코드정보를 갖는다는 것을 의미한다. 시간분할방식(time division multiple access)으로 변조된 검출신호들은 서로 다른 구간에서 활성화될 수 있다. 주파수분할방식(frequency division multiple access)으로 변조된 검출신호들은 서로 다른 주파수를 가질 수 있다. 코드분할방식(code division multiple access)으로 변조된 검출신호들은 서로 다른 코드정보를 가질 수 있다. The input detection circuit (TS-C) includes a signal providing circuit (C-10), a noise detection circuit (C-20), and a coordinate information generating circuit (C-30). The signal providing circuit (C-10) provides detecting signals to the first electrodes (TE1-1 to TE1-5). The detecting signals may be AC signals having different information. Here, "the detecting signals have different information" means that the detecting signals have different time information, frequency information, and code information. The detecting signals modulated in a time division multiple access (time division multiple access) manner can be activated in different sections. The detecting signals modulated in a frequency division multiple access (frequency division multiple access) manner can have different frequencies. The detecting signals modulated in a code division multiple access (code division multiple access) manner can have different code information.
노이즈 검출회로(C-20)는 더미전극들(DE-1 내지 DE-4)로부터 노이즈를 검출한다. 표시패널(DP)에서 더미전극들(DE-1 내지 DE-4)에 간섭된 노이즈는 표시패널(DP)에서 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)에 간섭된 노이즈 또는 그에 대응하는 노이즈로 취급된다. 노이즈 검출회로(C-20)는 검출된 노이즈 신호의 저주파 성분을 제거하는 저주파 필터를 포함할 수 있다.The noise detection circuit (C-20) detects noise from the dummy electrodes (DE-1 to DE-4). Noise that interferes with the dummy electrodes (DE-1 to DE-4) in the display panel (DP) is treated as noise that interferes with the second electrodes (TE2-1 to TE2-4) in the display panel (DP) or as noise corresponding thereto. The noise detection circuit (C-20) may include a low-pass filter that removes low-frequency components of the detected noise signal.
좌표정보 산출회로(C-30)는 노이즈 검출회로(C-20)로부터 노이즈 신호를 수신한다. 좌표정보 산출회로(C-30)는 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)로부터 감지 신호들(sensing signal)을 수신한다. 좌표정보 산출회로(C-30)는 상기 노이즈 신호에 근거하여 감지 신호들(sensing signal)을 보상한다.The coordinate information generating circuit (C-30) receives a noise signal from the noise detection circuit (C-20). The coordinate information generating circuit (C-30) receives sensing signals from the second electrodes (TE2-1 to TE2-4). The coordinate information generating circuit (C-30) compensates for the sensing signals based on the noise signal.
예컨대, 감지 신호들(sensing signal)로부터 노이즈 신호를 감산하여 보정 신호들를 생성하고, 보정 신호들에 근거하여 입력지점의 좌표정보를 산출할 수 있다.For example, compensation signals can be generated by subtracting noise signals from sensing signals, and coordinate information of an input point can be derived based on the compensation signals.
별도로 도시하지 않았으나, 도 11a에 도시된 것과 달리, 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지유닛(TS)의 제2 도전층(TS-CL2)은 제1 절연층(TS-IL1)으로부터 연속적으로 형성되지 않을 수도 있다. 제2 도전층(TS-CL2)과 제1 절연층(TS-IL1) 사이에 반사방지유닛(ARM) 및 광학 투명 접착부재(OCA)가 더 배치될 수 있다. 도 9b에 도시된 제3 도전층(TS-CL3)과 유사하게 제2 도전층(TS-CL2)은 반사방지유닛(ARM)에 직접 형성될 수 있다. 도 9c에 도시된 제3 도전층(TS-CL3)과 유사하게 제2 도전층(TS-CL2)은 윈도우 유닛(WM)에 직접 형성될 수 있다. Although not illustrated separately, unlike that illustrated in FIG. 11a, the second conductive layer (TS-CL2) of the input sensing unit (TS) according to one embodiment of the present invention may not be formed continuously from the first insulating layer (TS-IL1). An anti-reflection unit (ARM) and an optically transparent adhesive member (OCA) may be further disposed between the second conductive layer (TS-CL2) and the first insulating layer (TS-IL1). Similar to the third conductive layer (TS-CL3) illustrated in FIG. 9b, the second conductive layer (TS-CL2) may be formed directly on the anti-reflection unit (ARM). Similar to the third conductive layer (TS-CL3) illustrated in FIG. 9c, the second conductive layer (TS-CL2) may be formed directly on the window unit (WM).
별도로 도시하지 않았으나, 도 6a 내지 도 9c를 참조하여 설명한 입력감지유닛(TS)의 입력감지회로(TS-C)는 도 12에 도시된 입력감지회로(TS-C) 대비 노이즈 검출회로(C-20)를 미포함할 수 있다. 도 6a 내지 도 9c를 참조하여 설명한 입력감지유닛(TS)의 입력감지회로(TS-C)는 제1 전극들(TE1-1 내지 TE1-5) 및 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4) 중 어느 하나에 연결된 신호제공회로(C-10) 및 다른 하나에 연결된 좌표정보 산출회로(C-30)를 포함한다. 특히, 표시패널(DP)과 멀리 이격된 제2 전극들(TE2-1 내지 TE2-4)에 좌표정보 산출회로(C-30)가 연결되는 것이 감지 신호들(sensing signal)에 간섭되는 노이즈를 감소시킬 수 있다. Although not illustrated separately, the input sensing circuit (TS-C) of the input sensing unit (TS) described with reference to FIGS. 6A to 9C may not include a noise detection circuit (C-20) compared to the input sensing circuit (TS-C) illustrated in FIG. 12. The input sensing circuit (TS-C) of the input sensing unit (TS) described with reference to FIGS. 6A to 9C includes a signal providing circuit (C-10) connected to one of the first electrodes (TE1-1 to TE1-5) and the second electrodes (TE2-1 to TE2-4) and a coordinate information calculating circuit (C-30) connected to the other one. In particular, connecting the coordinate information calculating circuit (C-30) to the second electrodes (TE2-1 to TE2-4) that are spaced far from the display panel (DP) can reduce noise interfering with sensing signals.
도 10a 내지 도 10c를 참조하여 설명한 입력감지유닛(TS)의 입력감지회로(TS-C)는 신호제공회로(C-10) 및 좌표정보 산출회로(C-30)를 포함한다. 신호제공회로(C-10) 및 좌표정보 산출회로(C-30)는 서로 다른 구간에 복수 개의 감지전극들(TE)에 연결된다. 도 10a 내지 도 10c를 참조하여 설명한 입력감지유닛(TS)의 입력감지회로(TS-C)는 복수 개의 감지전극들(TE)과 신호제공회로(C-10) 및 좌표정보 산출회로(C-30)를 선택적으로 연결하는 스위칭 회로를 더 포함할 수 있다.The input detection circuit (TS-C) of the input detection unit (TS) described with reference to FIGS. 10a to 10c includes a signal providing circuit (C-10) and a coordinate information generating circuit (C-30). The signal providing circuit (C-10) and the coordinate information generating circuit (C-30) are connected to a plurality of detection electrodes (TE) in different sections. The input detection circuit (TS-C) of the input detection unit (TS) described with reference to FIGS. 10a to 10c may further include a switching circuit that selectively connects the plurality of detection electrodes (TE) and the signal providing circuit (C-10) and the coordinate information generating circuit (C-30).
도 13a 및 도 13b은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 사시도이다. 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 사시도이다. 도 15a 내지 도 15c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 사시도이다. 이하, 도 1 내지 도 12를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.FIGS. 13A and 13B are perspective views of a display device (DD) according to an embodiment of the present invention. FIG. 14 is a perspective view of a display device (DD) according to an embodiment of the present invention. FIGS. 15A to 15C are perspective views of a display device (DD) according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, a detailed description of the same configuration as that described with reference to FIGS. 1 to 12 will be omitted.
도 6a 내지 도 12를 참조하여 설명한 입력감지유닛(TS) 중 어느 하나는 이하 설명되는 플렉서블 표시장치(DD)에 적용될 수 있다.Any one of the input detection units (TS) described with reference to FIGS. 6a to 12 can be applied to the flexible display device (DD) described below.
도 13a 내지 도 13c에 도시된 것과 같이, 표시장치(DD)는 동작 형태에 따라 정의되는 복수 개의 영역들을 포함할 수 있다. 표시장치(DD)는 벤딩축(BX)에 기초하여(on the basis of) 벤딩되는 벤딩영역(BA), 비벤딩되는 제1 비벤딩영역(NBA1), 및 제2 비벤딩영역(NBA2)을 포함할 수 있다. 도 13b에 도시된 것과 같이, 표시장치(DD)는 제1 비벤딩영역(NBA1)의 표시면(IS)과 제2 비벤딩영역(NBA2)의 표시면(IS)이 마주하도록 내측 벤딩(inner-bending)될 수 있다. 도 13c에 도시된 것과 같이, 표시모듈(DM)은 표시면(IS)이 외부에 노출되도록 외측 벤딩(outer-bending)될 수도 있다. As illustrated in FIGS. 13a to 13c, the display device (DD) may include a plurality of regions defined according to the operation form. The display device (DD) may include a bending region (BA) that is bent on the basis of a bending axis (BX), a first non-bending region (NBA1) that is not bent, and a second non-bending region (NBA2). As illustrated in FIG. 13b, the display device (DD) may be inner-bended so that the display surface (IS) of the first non-bending region (NBA1) and the display surface (IS) of the second non-bending region (NBA2) face each other. As illustrated in FIG. 13c, the display module (DM) may also be outer-bended so that the display surface (IS) is exposed to the outside.
본 발명의 일 실시예에서 표시장치(DD)는 복수 개의 벤딩영역(BA)을 포함할 수 있다. 뿐만 아니라, 사용자가 표시장치(DD)를 조작하는 형태에 대응하게 벤딩영역(BA)이 정의될 수 있다. 예컨대, 벤딩영역(BA)은 도 13b 및 도 13c와 달리 제1 방향축(DR1)에 평행하게 정의될 수 있고, 대각선 방향으로 정의될 수도 있다. 벤딩영역(BA)의 면적은 고정되지 않고, 곡률반경에 따라 결정될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 표시장치(DD)는 도 13a 및 도 13b에 도시된 동작모드만 반복되도록 구성될 수도 있다.In one embodiment of the present invention, the display device (DD) may include a plurality of bending areas (BA). In addition, the bending areas (BA) may be defined to correspond to the manner in which the user operates the display device (DD). For example, unlike FIGS. 13b and 13c, the bending areas (BA) may be defined parallel to the first direction axis (DR1), or may be defined in a diagonal direction. The area of the bending areas (BA) is not fixed, but may be determined according to the radius of curvature. In one embodiment of the present invention, the display device (DD) may be configured to repeat only the operation modes illustrated in FIGS. 13a and 13b.
도 14a 및 도 14b에 도시된 것과 같이, 표시장치(DD)는 제1 비벤딩영역(NBA1), 제1 비벤딩영역(NBA1)과 제1 방향(DR1)에서 이격된 제2 비벤딩영역(NBA2), 및 제1 비벤딩영역(NBA1)과 제2 비벤딩영역(NBA2) 사이에 정의된 벤딩영역(BA)을 포함한다. 표시영역(DD-DA)은 제1 비벤딩영역(NBA1)에 포함될 수 있다. 비표시영역(DD-NDA)의 일부분들은 제2 비벤딩영역(NBA2)과 벤딩영역(BA)에 각각 대응하고, 표시영역(DD-DA)에 인접한 비표시영역(DD-NDA)의 일부는 제1 비벤딩영역(NBA1)에 포함된다.As illustrated in FIGS. 14a and 14b, the display device (DD) includes a first non-bending area (NBA1), a second non-bending area (NBA2) spaced apart from the first non-bending area (NBA1) in a first direction (DR1), and a bending area (BA) defined between the first non-bending area (NBA1) and the second non-bending area (NBA2). The display area (DD-DA) may be included in the first non-bending area (NBA1). Parts of the non-display area (DD-NDA) correspond to the second non-bending area (NBA2) and the bending area (BA), respectively, and a part of the non-display area (DD-NDA) adjacent to the display area (DD-DA) is included in the first non-bending area (NBA1).
벤딩영역(BA)은 제1 방향(DR1)과 직교하는 제2 방향(DR2)을 따라 밴딩축(BX)이 정의되도록 밴딩될 수 있다. 제2 비벤딩영역(NBA2)은 제1 비벤딩영역(NBA1)에 마주한다. 벤딩영역(BA)과 제2 비벤딩영역(NBA2)은 제1 비벤딩영역(NBA1)보다 작은 제2 방향(DR2)의 너비를 가질 수 있다. 별도로 도시하지 않았으나, 도 1에 도시된 표시장치(DD)는 역시 벤딩영역(BA)에 대응하는 벤딩영역을 포함할 수 있다.The bending area (BA) can be bent so that a bending axis (BX) is defined along a second direction (DR2) orthogonal to the first direction (DR1). The second non-bending area (NBA2) faces the first non-bending area (NBA1). The bending area (BA) and the second non-bending area (NBA2) can have a width in the second direction (DR2) that is smaller than that of the first non-bending area (NBA1). Although not illustrated separately, the display device (DD) illustrated in FIG. 1 may also include a bending area corresponding to the bending area (BA).
도 15에 도시된 것과 같이, 표시장치(DD)는 3개의 벤딩영역들을 포함할 수 있다. 도 14b에 도시된 표시장치 대비, 제1 비벤딩영역(NBA1)의 제2 방향(DR2)에서 마주하는 2개의 엣지영역들이 중심영역으로부터 벤딩된다.As illustrated in Fig. 15, the display device (DD) may include three bending regions. Compared to the display device illustrated in Fig. 14b, two edge regions facing each other in the second direction (DR2) of the first non-bending region (NBA1) are bent from the center region.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the present invention has been described above with reference to preferred embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art or having ordinary knowledge in the art that various modifications and changes may be made to the present invention without departing from the spirit and technical scope of the present invention as set forth in the claims below.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the scope of the patent claims.
T1: 제1 박막 트랜지스터 T2: 제2 박막 트랜지스터
OLED: 유기발광 다이오드 10: 중간 유기막
20, 30: 중간 무기막 TFE: 박막 봉지층
TE: 감지 전극 SL: 신호라인
SP: 센서부 CP: 연결부 T1: First thin film transistor T2: Second thin film transistor
OLED: Organic Light Emitting Diode 10: Intermediate Organic Film
20, 30: Intermediate inorganic film TFE: Thin film encapsulation layer
TE: Sense electrode SL: Signal line
SP: Sensor part CP: Connection part
Claims (20)
상기 표시패널 상에 배치된 입력감지유닛을 포함하고,
상기 입력감지유닛은,
상기 베이스 면 상에 직접 배치되고, 투명한 전도성 산화물(transparent conductive oxide)을 포함하는 노이즈 차폐전극;
상기 노이즈 차폐전극 상에 배치된 메쉬 형상이고, 상기 비발광영역에 중첩하며, 상기 복수 개의 발광 영역들에 대응하는 복수 개의 메쉬홀들을 구비하는 제1 전극; 및
상기 노이즈 차폐전극 상에 배치되고, 상기 제1 전극과 교차하는 제2 전극을 포함하며,
상기 베이스 면 상에서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 상기 노이즈 차폐전극에 중첩하고,
상기 제2 전극은 상기 복수 개의 발광영역들과 상기 비발광영역에 중첩하고, 투명한 전도성 산화물(transparent conductive oxide)을 포함하는 표시장치.A display panel including a base surface, a plurality of light-emitting regions spaced apart from each other on the base surface, and a non-light-emitting region arranged between the plurality of light-emitting regions; and
Including an input detection unit arranged on the above display panel,
The above input detection unit,
A noise shielding electrode directly disposed on the base surface and comprising a transparent conductive oxide;
A first electrode having a mesh shape arranged on the noise shielding electrode, overlapping the non-luminous region, and having a plurality of mesh holes corresponding to the plurality of luminous regions; and
A second electrode is disposed on the above noise shielding electrode and intersects the first electrode,
On the above base surface, the first electrode and the second electrode overlap the noise shielding electrode,
A display device in which the second electrode overlaps the plurality of light-emitting regions and the non-light-emitting region and includes a transparent conductive oxide.
상기 제2 전극은 복수 개 제공되고,
상기 복수 개의 상기 제2 전극들 각각은 상기 노이즈 차폐전극의 내측에 배치된 표시장치.In the first paragraph,
The second electrode is provided in multiple numbers,
A display device wherein each of the plurality of second electrodes is arranged on the inner side of the noise shielding electrode.
상기 노이즈 차폐전극은 상기 복수 개의 발광영역들과 상기 비발광영역에 중첩하는 표시장치.In the first paragraph,
A display device in which the above noise shielding electrode overlaps the plurality of light-emitting areas and the non-light-emitting area.
상기 입력감지유닛은 단면 상에서 상기 노이즈 차폐전극과 상기 제1 전극 사이에 배치된 제1 절연층 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고 상기 제1 전극을 커버하는 제2 절연층을 더 포함하고,
상기 제1 절연층은 무기물질을 포함하고, 상기 제2 절연층은 유기물질을 포함하는 표시장치.In the third paragraph,
The above input detection unit further includes a first insulating layer disposed between the noise shielding electrode and the first electrode on a cross-sectional surface, and a second insulating layer disposed between the first electrode and the second electrode and covering the first electrode.
A display device wherein the first insulating layer includes an inorganic material and the second insulating layer includes an organic material.
상기 제2 절연층과 상기 제2 전극 사이에 배치된 광학 투명 접착 부재를 더 포함하는 표시장치.In clause 5,
A display device further comprising an optically transparent adhesive member disposed between the second insulating layer and the second electrode.
상기 노이즈 차폐전극 상에 직접 배치된 제1 절연층을 더 포함하고,
상기 제1 전극은 상기 제1 절연층 상에 직접 배치된 표시장치.In the first paragraph,
Further comprising a first insulating layer directly disposed on the above noise shielding electrode,
A display device in which the first electrode is directly disposed on the first insulating layer.
상기 제1 절연층과 상기 제2 전극 사이에 배치된 광학 투명 접착 부재를 더 포함하는 표시장치.In Article 7,
A display device further comprising an optically transparent adhesive member disposed between the first insulating layer and the second electrode.
단면 상에서 상기 제1 전극은 상기 노이즈 차폐전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 표시장치.In the first paragraph,
A display device in which the first electrode is positioned between the noise shielding electrode and the second electrode in a cross-section.
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 반사방지유닛을 더 포함하는 표시장치.In Article 9,
A display device further comprising an anti-reflection unit disposed between the first electrode and the second electrode.
상기 반사방지유닛은 편광필름을 포함하고, 상기 편광필름과 상기 제1 전극 사이에 배치된 광학 투명 접착부재를 더 포함하는 표시장치.In Article 10,
A display device wherein the anti-reflection unit includes a polarizing film and further includes an optically transparent adhesive member disposed between the polarizing film and the first electrode.
상기 제2 전극은 상기 반사방지유닛 상에 직접 배치된 표시장치.In Article 10,
The above second electrode is a display device directly disposed on the anti-reflection unit.
상기 제2 전극 상에 배치된 윈도우 유닛을 더 포함하는 표시장치.In Article 9,
A display device further comprising a window unit disposed on the second electrode.
상기 제2 전극과 상기 윈도우 유닛 사이에 배치된 광학 투명 접착부재를 더 포함하는 표시장치.In Article 13,
A display device further comprising an optically transparent adhesive member disposed between the second electrode and the window unit.
상기 윈도우 유닛은 베이스 필름 및 상기 베이스 필름의 하면에 직접 배치된 차광 패턴을 포함하고,
상기 제2 전극은 상기 베이스 필름의 하면에 직접 배치된 표시장치.In Article 13,
The above window unit includes a base film and a shading pattern directly disposed on the lower surface of the base film,
A display device in which the second electrode is directly placed on the lower surface of the base film.
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