KR101856557B1 - Highly heat conductive film-shaped adhesive composition, highly heat conductive film-shaped adhesive and method for producing semiconductor package by using the highly heat conductive film-shaped adhesive - Google Patents

Highly heat conductive film-shaped adhesive composition, highly heat conductive film-shaped adhesive and method for producing semiconductor package by using the highly heat conductive film-shaped adhesive Download PDF

Info

Publication number
KR101856557B1
KR101856557B1 KR1020120026596A KR20120026596A KR101856557B1 KR 101856557 B1 KR101856557 B1 KR 101856557B1 KR 1020120026596 A KR1020120026596 A KR 1020120026596A KR 20120026596 A KR20120026596 A KR 20120026596A KR 101856557 B1 KR101856557 B1 KR 101856557B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive
conductive film
film
high thermal
thermal conductivity
Prior art date
Application number
KR1020120026596A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20120106623A (en
Inventor
미노루 모리타
노리유키 키리카에
히로유키 야노
아키라 토쿠미츠
Original Assignee
후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 filed Critical 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20120106623A publication Critical patent/KR20120106623A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101856557B1 publication Critical patent/KR101856557B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35—Heat-activated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/408—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components additives as essential feature of the adhesive layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/50—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

피도착체와의 밀착성이 우수하고, 가공 블레이드의 마모율이 충분히 작고, 또한 경화 후에 우수한 열전도성을 발휘하는 고열전도성 필름상 접착제를 얻는 것이 가능한 고열전도성 필름상 접착제용 조성물, 고열전도성 필름상 접착제 및 그것을 사용한 반도체 패키지와 그 제조 방법을 제공하는 것이다. 에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 무기 충전제(C) 및 페녹시 수지(D)를 함유하고 있고, 상기 무기 충전제(C)가 하기 (ⅰ)∼(ⅲ):
(ⅰ) 평균 입경이 0.1∼5.0㎛,
(ⅱ) 모스 경도가 1∼8,
(ⅲ) 열전도율이 30W/(m·K) 이상의 전체 조건을 충족하고, 또한
상기 무기 충전제(C)의 함유량이 30∼70체적%인 것을 특징으로 하는 고열전도성 필름상 접착제용 조성물.A composition for a high thermal conductive film-like adhesive capable of obtaining a high thermal conductive film-like adhesive excellent in adhesion to an object to be arrived, having a sufficiently low rate of abrasion of a processing blade and exhibiting excellent thermal conductivity after curing, A semiconductor package using the same, and a manufacturing method thereof. (A), an epoxy resin curing agent (B), an inorganic filler (C) and a phenoxy resin (D), wherein the inorganic filler (C)
(I) an average particle diameter of 0.1 to 5.0 mu m,
(Ii) Mohs hardness of 1 to 8,
(Iii) the thermal conductivity satisfies the overall condition of 30 W / (mK) or more, and
Wherein the content of the inorganic filler (C) is 30 to 70% by volume.

Description

고열전도성 필름상 접착제용 조성물, 고열전도성 필름상 접착제, 및 그것을 사용한 반도체 패키지와 그 제조 방법{HIGHLY HEAT CONDUCTIVE FILM-SHAPED ADHESIVE COMPOSITION, HIGHLY HEAT CONDUCTIVE FILM-SHAPED ADHESIVE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR PACKAGE BY USING THE HIGHLY HEAT CONDUCTIVE FILM-SHAPED ADHESIVE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a composition for a high-temperature conductive film-like adhesive, a high-temperature conductive film-like adhesive, a semiconductor package using the same, and a method for manufacturing the same. BACKGROUND ART [0002] HEAT CONDUCTIVE FILM-SHAPED ADHESIVE}

본 발명은 고열전도성 필름상 접착제용 조성물, 고열전도성 필름상 접착제 및 그것을 사용한 반도체 패키지와 그 제조 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a composition for an adhesive on a high thermal conductive film, an adhesive on a high thermal conductive film, a semiconductor package using the adhesive, and a method of manufacturing the same.

최근 전자기기의 소형화 및 고기능화가 진행되는 중에 그 내부에 탑재되는 반도체 패키지에 있어서도 고기능화가 진행되고 있고, 반도체 패키지 내부의 반도체 소자의 처리 속도는 보다 고속화되어 있다. 그러나 처리 속도의 고속화에 따라 반도체 소자 표면에는 열이 발생하기 쉬워지기 때문에 발생한 열에 의해 예를 들면 반도체 소자의 동작 스피드가 저하되거나 전자기기의 동작 불량이 야기된다는 문제가 있었다.In recent years, miniaturization and sophistication of electronic devices have been progressing, and semiconductor packages mounted therein have also become more sophisticated, and the processing speed of semiconductor elements in semiconductor packages has been increased. However, as the processing speed is increased, heat is easily generated on the surface of the semiconductor element, which causes a problem that the operation speed of the semiconductor element is lowered, for example, and the operation of the electronic device is caused to be defective.

이러한 열에 의한 악영향을 배제하기 위해서 반도체 패키지의 구성 부재에는 발생한 열을 패키지 외부로 배출하는 열전도성이 요구되고 있다. 또한, 반도체 소자 및 배선 기판 사이 또는 반도체 소자끼리 사이를 접합하는 소위 다이 접착(die attatch) 재료에 있어서는 높은 열전도성과 함께 충분한 절연성, 접착 신뢰성이 요구되고 있다.In order to eliminate the adverse effects caused by the heat, the constituent members of the semiconductor package are required to have thermal conductivity for discharging the generated heat to the outside of the package. In addition, in a so-called die attatching material in which a semiconductor element and a wiring substrate are bonded together or between semiconductor elements, sufficient heat conductivity and sufficient insulating property and adhesion reliability are required.

또한, 이러한 다이 접착 재료로서는 종래는 페이스트 형태로 사용되는 경우가 많았지만 반도체 패키지의 고기능화에 따라 패키지 내부의 고밀도 실장화가 요구되고 있는 점에서 수지 흐름이나 수지 융기 등에 의한 반도체 소자나 와이어 패드 등의 다른 부재의 오염을 방지하기 위해서 최근에는 필름 형태(다이 접착 필름)로의 사용이 증가하고 있다.The die bonding material has been conventionally used in the form of a paste in many cases. However, since the semiconductor package is required to have a high density mounting inside the package in accordance with the function of the semiconductor package, In order to prevent contamination of members, the use thereof in film form (die-bonding film) is increasing.

그러나 다이 접착 필름를 웨이퍼 이면에 부착할 때나 다이 접착 필름이 형성된 반도체 소자를 실장하는 소위 다이 접착 공정에 있어서는 웨이퍼 이면이나 특히 반도체 소자가 탑재되는 배선 기판의 표면은 반드시 평활한 면 상태가 아니기 때문에 상기 부착 시나 상기 탑재 시에 다이 접착 필름의 점도가 낮으면 다이 접착 필름과 피도착체 사이의 밀착성이 저하되어 양자의 계면에 공기를 들어가게 하는 경우가 있다. 들어간 공기는 다이 접착 필름의 가열 경화 후의 접착력을 저하시킬 뿐만 아니라 패키지 크랙의 원인이 된다는 문제가 있었다.However, in the so-called die bonding step in which the die bonding film is attached to the back surface of the wafer or in which the semiconductor element with the die bonding film is formed, the back surface of the wafer and especially the surface of the wiring substrate on which the semiconductor element is mounted are not necessarily in a smooth surface state. When the viscosity of the die-bonding film is low at the time of mounting, the adhesion between the die-bonding film and the object to be drawn is lowered, so that air may enter the interface between the two. The entrained air not only lowers the adhesive force of the die-bonding film after the heat curing, but also causes a problem of package cracks.

종래 소위 다이 접착 필름으로서 사용할 수 있는 재료로서는 예를 들면 특허문헌 1에 있어서 수산화 알루미늄과 이산화 규소로 이루어지는 열전도성 필러 및 실리콘계 수지로 이루어지는 열전도 부재의 시트가 기재되어 있다. 그러나 특허문헌 1에 기재되어 있는 열전도 부재의 시트에 있어서는 어느 정도 높은 열전도성을 갖고는 있지만 피도착체와의 밀착성에 대해서는 아직 문제가 있었다.As a material that can be used as a so-called die-bonding film in the related art, for example, Patent Document 1 discloses a sheet of a heat conductive member made of a thermally conductive filler made of aluminum hydroxide and silicon dioxide and a silicone resin. However, although the sheet of the heat conduction member described in Patent Document 1 has a somewhat high thermal conductivity, the adhesion with the object to be arrived still has a problem.

또한, 특허문헌 2에 있어서는 산화 규소 등의 무기 필러를 함유하는 에폭시 수지로 이루어지는 접착 시트가 기재되어 있다. 그러나 특허문헌 2에 기재된 접착 시트에 있어서는 높은 열전도성과 절연성 및 어느 정도의 점착성을 갖지만 피도착체에 대한 밀착성에 대해서는 아직 불충분했다.Further, in Patent Document 2, an adhesive sheet made of an epoxy resin containing an inorganic filler such as silicon oxide is described. However, in the adhesive sheet described in Patent Document 2, although it has high thermal conductivity, insulation property, and a certain degree of tackiness, the adhesiveness to the object to be arrived still has not been sufficient.

또한, 특허문헌 3에 있어서는 에폭시 수지, 경화제, 경화 촉진제 및 특정 알루미나 분말을 함유하는 수지로 이루어지는 필름상 접착제가 기재되어 있다. 그러나 특허문헌 3에 기재되어 있는 필름상 접착제에 있어서는 높은 열전도성 및 절연성을 갖고는 있지만 피도착체에 대한 밀착성에 대해서는 아직 불충분했다.In Patent Document 3, a film-like adhesive comprising a resin containing an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator and a specific alumina powder is disclosed. However, although the film-like adhesive described in Patent Document 3 has high thermal conductivity and insulating property, the adhesion to the object to be arrived still has not been sufficient.

일본 특허 공개 2009-286809호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-286809 일본 특허 공개 2008-280436호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-280436 일본 특허 공개 2007-246861호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-246861

반도체 패키지의 제조 공정에 있어서는 다이 접착 필름과 반도체 소자가 형성된 웨이퍼를 동시에 절단하는 소위 다이싱 공정에 있어서 다이 접착 필름에 의한 가공 블레이드의 마모율이 작은 것도 필요하다.In the semiconductor package manufacturing process, it is also necessary that the abrasion rate of the processing blade by the die bonding film is small in the so-called dicing step in which the die bonding film and the wafer on which the semiconductor element is formed are simultaneously cut.

그러나 다이 접착 필름의 열전도성을 향상시키기 위해서 상기 특허문헌 1∼3에 기재되어 있는 수산화 알루미늄 등의 열전도성의 무기 충전제를 사용하면 다이 접착 필름에 의한 가공 블레이드의 마모율이 커져 절단 공정(다이싱 공정)의 개시 후 당분간은 소정의 절단이 가능하지만, 점차 다이 접착 필름의 절단량이 불충분해져 도 1에 나타내는 바와 같이 다이 접착 필름이 풀커팅되지 않는 부분이 생겨버린다는 가공 불량이 발생하는 것을 본 발명자들은 발견했다.However, when a thermally conductive inorganic filler such as aluminum hydroxide described in the above Patent Documents 1 to 3 is used to improve the thermal conductivity of the die bonding film, the abrasion rate of the processing blade by the die bonding film becomes large, It is possible to cut off the die adhesive film gradually for a while after the start of the die bonding film. However, as shown in Fig. 1, the inventors found that the die bonding film is not fully cut- did.

또한, 이 문제가 발생하지 않도록 하기 위해서 블레이드의 교환 빈도를 많게 하면 생산성이 저하되기 때문에 비용 상승으로 이어지고, 한편 마모되는 양이 작은 블레이드를 사용하면 웨이퍼에 결함이 생겨버리는 치핑 등이 발생하기 때문에 수율 저하를 일으켜버린다는 문제가 있는 것을 본 발명자들은 발견했다.If the frequency of replacement of the blades is increased in order to prevent this problem from occurring, the productivity is lowered, leading to an increase in cost. On the other hand, if a blade having a small amount of abrasion is used, chipping or the like occurs in the wafer, The inventors of the present invention have found that there is a problem of causing deterioration.

본 발명은 상기 종래 기술이 갖는 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 피도착체와의 밀착성이 우수하고, 가공 블레이드의 마모율이 충분히 작고, 또한 경화 후에 우수한 열전도성을 발휘하는 고열전도성 필름상 접착제를 얻는 것이 가능한 고열전도성 필름상 접착제용 조성물, 고열전도성 필름상 접착제 및 그것을 사용한 반도체 패키지와 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a high thermal conductive film-like adhesive excellent in adhesiveness to an object to be arrived, sufficiently low in abrasion rate of a processing blade and exhibiting excellent thermal conductivity after curing A composition for a high-temperature conductive film-like adhesive, a high-temperature conductive film-like adhesive, a semiconductor package using the same, and a manufacturing method thereof.

본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과 필름상 접착제에 있어서 80℃에 있어서의 용융 점도가 10000㎩·s 이하가 되도록 함으로써 열압착에 의해 피도착체와의 우수한 밀착성이 얻어지는 것을 발견하고, 또한 에폭시 수지, 에폭시 수지 경화제, 페녹시 수지 및 특정 함유량의 특정 무기 충전제를 함유시킨 고열전도성 필름상 접착제용 조성물을 사용함으로써 상기 용융 특성을 갖고, 가공 블레이드의 마모율이 충분히 작고, 또한 경화 후에 우수한 열전도성을 발휘하는 고열전도성 필름상 접착제가 얻어지는 것을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.As a result of diligent studies to achieve the above object, the inventors of the present invention have found that a film-like adhesive agent has a melt viscosity at 80 ° C of 10000 Pa · s or less so that excellent adhesion with an object to be arrived upon is obtained by thermocompression bonding By using a composition for an adhesive agent on a high thermal conductive film in which an epoxy resin, an epoxy resin curing agent, a phenoxy resin and a specific content of a specific inorganic filler are contained, the abrasion resistance of the processing blade is sufficiently small, The present inventors have found that a high thermal conductive film-like adhesive exhibiting excellent thermal conductivity can be obtained, and thus the present invention has been accomplished.

즉, 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제용 조성물은That is, the composition for an adhesive on a high thermal conductive film of the present invention

에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 무기 충전제(C) 및 페녹시 수지(D)를 함유하고 있고, 상기 무기 충전제(C)가 하기 (ⅰ)∼(ⅲ):(A), an epoxy resin curing agent (B), an inorganic filler (C) and a phenoxy resin (D), wherein the inorganic filler (C)

(ⅰ) 평균 입경이 0.1∼5.0㎛,(I) an average particle diameter of 0.1 to 5.0 mu m,

(ⅱ) 모스 경도가 1∼8,(Ii) Mohs hardness of 1 to 8,

(ⅲ) 열전도율이 30W/(m·K) 이상의 전체 조건을 충족하고, 또한(Iii) the thermal conductivity satisfies the overall condition of 30 W / (mK) or more, and

상기 무기 충전제(C)의 함유량이 30∼70체적%인 것을 특징으로 하는 것이다.And the content of the inorganic filler (C) is 30 to 70% by volume.

본 발명의 고열전도성 필름상 접착제용 조성물에 있어서는 상기 에폭시 수지(A)가 하기 식(1):In the composition for an adhesive composition on a high thermal conductive film of the present invention, it is preferable that the epoxy resin (A)

Figure 112012021011811-pat00001
Figure 112012021011811-pat00001

[식(1) 중 n은 0∼10의 정수를 나타낸다][In the formula (1), n represents an integer of 0 to 10)

로 나타내어지는 트리페닐메탄형 에폭시 수지인 것이 바람직하고, 상기 무기 충전제(C)가 질화 알루미늄인 것이 보다 바람직하다.Is preferably a triphenylmethane type epoxy resin represented by the following formula (1), and it is more preferable that the inorganic filler (C) is aluminum nitride.

또한, 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제는 상기 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제용 조성물을 가열 건조함으로써 얻어지고, 두께가 10∼150㎛인 것을 특징으로 하는 것이며, 레오미터로 20℃로부터 10℃/분의 승온 속도로 가열했을 때에 관측되는 80℃에 있어서의 용융 점도가 10000㎩·s 이하이며, 열경화 후의 열전도율이 1.0W/(m·K) 이상인 것이 바람직하다.The high thermal conductive film adhesive of the present invention is obtained by heating and drying the composition for an adhesive on a high thermal conductive film of the present invention and has a thickness of 10 to 150 mu m, / Min, a melt viscosity at 80 ° C of not higher than 10,000 Pa · s, and a thermal conductivity after heat curing of at least 1.0 W / (m · K).

또한, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법은Further, the manufacturing method of the semiconductor package of the present invention

표면에 반도체 회로가 형성된 웨이퍼의 이면에 상기 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제를 열압착해서 접착제층을 형성하는 제 1 공정과,A first step of forming an adhesive layer by thermocompression bonding the high thermal conductive film adhesive of the present invention on the back surface of a wafer having a semiconductor circuit on its surface,

상기 웨이퍼와 다이싱 테이프를 상기 접착제층을 통해 접착한 후에 상기 웨이퍼와 상기 접착제층을 동시에 다이싱함으로써 상기 웨이퍼와 상기 접착제층을 구비하는 반도체 소자를 얻는 제 2 공정과,A second step of dicing the wafer and the adhesive layer simultaneously after bonding the wafer and the dicing tape through the adhesive layer to obtain a semiconductor element including the wafer and the adhesive layer;

상기 접착제층으로부터 다이싱 테이프를 탈리하고, 상기 반도체 소자와 배선 기판을 상기 접착제층을 통해 열압착시키는 제 3 공정과,A third step of removing the dicing tape from the adhesive layer and thermally bonding the semiconductor element and the wiring board through the adhesive layer,

상기 고열전도성 필름상 접착제를 열경화시키는 제 4 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이며, 본 발명의 반도체 패키지는 상기 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 것이다.And a fourth step of thermally curing the adhesive on the high thermal conductive film. The semiconductor package of the present invention is obtained by the method of manufacturing the semiconductor package of the present invention.

또한, 본 발명의 구성에 의해 상기 목적이 달성되는 이유는 반드시 확실하지는 않지만 본 발명자들은 이하와 같이 추측한다. 즉, 본 발명에 있어서는 에폭시 수지, 에폭시 수지 경화제, 페녹시 수지 및 특정 함유량의 특정 무기 충전제를 함유하는 고열전도성 필름상 접착제용 조성물을 사용함으로써 특정 온도 범위에 있어서 특정의 낮은 용융 점도가 되는 고열전도성 필름상 접착제가 얻어진다. 따라서, 예를 들면 특허문헌 2에 기재되어 있는 간단히 반경화 상태(B 스테이지 상태)에 있음으로써 점착성을 향상시킨 접착 시트나 특허문헌 3에 기재되어 있는 인장 강도 등을 향상시킴으로써 접착성을 향상시킨 필름상 접착제에 비해 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제는 상기 특정 온도 범위에서 열압착함으로써 표면에 요철이 있는 피도착체와의 계면을 간극 없이 메울 수 있기 때문에 보다 우수한 밀착성을 발휘할 수 있다고 본 발명자들은 추측한다.The reason why the above object is achieved by the constitution of the present invention is not necessarily certain, but the present inventors presume as follows. That is, in the present invention, by using a composition for a high thermal conductive film-like adhesive composition containing an epoxy resin, an epoxy resin curing agent, a phenoxy resin, and a specific content of a specific inorganic filler, a high thermal conductivity A film-like adhesive is obtained. Therefore, for example, an adhesive sheet having improved tackiness by being in a semi-cured state (B-stage state) briefly described in Patent Document 2 and a film having improved adhesiveness by improving tensile strength or the like described in Patent Document 3 The adhesive of high thermal conductive film of the present invention over the adhesive agent of the present invention can thermally press-bond the adhesive agent of the present invention to the surface of the object to be delivered having irregularities without gaps so as to exert more excellent adhesiveness. do.

또한, 본 발명에 있어서는 특정 경도 및 입자 지름을 갖는 무기 충전제를 특정 함유량으로 함유함으로써 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제용 조성물을 사용해서 얻어진 고열전도성 필름상 접착제에 있어서는 가공 블레이드의 마모율을 작게 할 수 있다고 본 발명자들은 추측한다.Further, in the present invention, by containing the inorganic filler having a specific hardness and particle diameter in a specific content, the abrasion rate of the processing blade can be reduced in the high thermal conductive film-like adhesive obtained by using the composition for an adhesive composition on a high thermal conductive film The present inventors speculate.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명에 의하면 피도착체와의 밀착성이 우수하고, 가공 블레이드의 마모율이 충분히 작고, 또한 경화 후에 우수한 열전도성을 발휘하는 고열전도성 필름상 접착제를 얻는 것이 가능한 고열전도성 필름상 접착제용 조성물, 고열전도성 필름상 접착제 및 그것을 사용한 반도체 패키지와 그 제조 방법을 제공하는 것이 가능해진다.According to the present invention, it is possible to provide a composition for a high thermal conductive film-like adhesive capable of obtaining a high thermal conductive film-like adhesive excellent in adhesion to an object to be arrived, sufficiently low in abrasion rate of a processing blade and exhibiting excellent thermal conductivity after curing, It becomes possible to provide a film-like adhesive, a semiconductor package using the same, and a manufacturing method thereof.

도 1은 종래의 다이싱 공정에 있어서 가공 블레이드가 마모함으로써 발생한 가공 불량을 나타내는 사진이다.
도 2a는 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 제 1 공정의 바람직한 일실시형태를 나타내는 개략 종단면도이다.
도 2b는 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 제 2 공정의 바람직한 일실시형태를 나타내는 개략 종단면도이다.
도 2c는 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 제 3 공정의 바람직한 일실시형태를 나타내는 개략 종단면도이다.
도 2d는 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 본딩 와이어를 접속하는 공정의 바람직한 일실시형태를 나타내는 개략 종단면도이다.
도 2e는 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 의해 제조되는 반도체 패키지의 바람직한 일실시형태를 나타내는 개략 종단면도이다.1 is a photograph showing defective machining caused by abrasion of a processing blade in a conventional dicing step.
2A is a schematic longitudinal sectional view showing a preferred embodiment of the first step of the method of manufacturing the semiconductor package of the present invention.
2B is a schematic longitudinal sectional view showing a preferred embodiment of the second step of the method of manufacturing the semiconductor package of the present invention.
2C is a schematic longitudinal sectional view showing a preferred embodiment of the third step of the method of manufacturing the semiconductor package of the present invention.
FIG. 2D is a schematic longitudinal sectional view showing a preferred embodiment of a process for connecting a bonding wire in the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention. FIG.
2E is a schematic longitudinal sectional view showing one preferred embodiment of a semiconductor package manufactured by the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention.

이하 본 발명을 그 바람직한 실시형태에 입각해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to preferred embodiments thereof.

우선 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제용 조성물에 대해서 설명한다. 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제용 조성물은 에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 무기 충전제(C) 및 페녹시 수지(D)를 함유하고 있고, 상기 무기 충전제(C)가 하기(ⅰ)∼(ⅲ):First, the composition for an adhesive on a high thermal conductive film of the present invention will be described. The composition for an adhesive composition on a high thermal conductive film of the present invention contains an epoxy resin (A), an epoxy resin curing agent (B), an inorganic filler (C) and a phenoxy resin (D) I) to (iii):

(ⅰ) 평균 입경이 0.1∼5.0㎛,(I) an average particle diameter of 0.1 to 5.0 mu m,

(ⅱ) 모스 경도가 1∼8,(Ii) Mohs hardness of 1 to 8,

(ⅲ) 열전도율이 30W/(m·K) 이상의 전체 조건을 충족하고, 또한 상기 무기 충전제(C)의 함유량이 30∼70체적%인 것을 특징으로 하는 것이다.(Iii) a total heat conductivity of 30 W / (mK) or more, and the content of the inorganic filler (C) is 30 to 70% by volume.

본 발명에 의한 에폭시 수지(A)는 에폭시기를 갖는 열경화성 수지이며, 이러한 에폭시 수지(A)로서는 중량 평균 분자량이 300∼2000인 것이 바람직하고, 300∼1500인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 하한 미만이면 단량체나 2량체가 증가해서 결정성이 강해지기 때문에 필름상 접착제가 취약해지는 경향이 있고, 한편 상기 상한을 초과하면 필름상 접착제의 용융 점도가 높아지기 때문에 배선 기판에 압착할 때에 기판 상의 요철을 메워넣는 것을 충분히 할 수 없어 배선 기판과의 밀착성이 저하되는 경향이 있다. 또한, 본 발명에 있어서 중량 평균 분자량이란 겔 투과 크로마토그래피(GPC)(상품명:HLC-82A(토소(주)), 용매:테트라히드로푸란, 컬럼:TSKgelG2000HXL(토소(주)제)(2개), G4000HXL(토소(주)제)(1개), 온도:38℃, 속도:1.0ml/min)에 의해 측정되어 표준 폴리스티렌(상품명:A-1000, 토소(주)제)으로 환산한 값이다.The epoxy resin (A) according to the present invention is a thermosetting resin having an epoxy group. The epoxy resin (A) preferably has a weight average molecular weight of 300 to 2000, more preferably 300 to 1500. If the weight average molecular weight is less than the above lower limit, the amount of the monomer or dimer increases and crystallinity becomes strong. Therefore, the film-like adhesive tends to become weak. On the other hand, when the upper limit is exceeded, the melt viscosity of the film- It is not possible to sufficiently fill the unevenness on the substrate, and the adhesion with the wiring substrate tends to be lowered. In the present invention, the weight average molecular weight is determined by gel permeation chromatography (GPC) (trade name: HLC-82A (Tosoh), solvent: tetrahydrofuran, column: TSKgelG2000HXL (two) (Product name: A-1000, manufactured by TOSO CORPORATION), which was measured by G4000HXL (manufactured by Tosoh Corporation), temperature: 38 占 폚, speed: 1.0 ml / .

상기 에폭시 수지(A)로서는 액체, 고체 또는 반고체 중 어느 것이어도 좋다. 본 발명에 있어서 상기 액체란 연화점이 50℃ 미만인 것을 말하고, 상기 고체란 연화점이 60℃ 이상인 것을 말하고, 상기 반고체란 연화점이 상기 액체의 연화점과 고체의 연화점 사이(50℃ 이상 60℃ 미만)에 있는 것을 말한다. 상기 에폭시 수지(A)로서는 바람직한 온도 범위(예를 들면, 60∼120℃)에서 저용융 점도에 도달할 수 있는 필름상 접착제가 얻어진다는 관점으로부터 연화점이 100℃ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서 연화점이란 연화점 시험(환구식)법(측정 조건:JIS-2817에 준거)에 의해 측정한 값이다.The epoxy resin (A) may be liquid, solid or semi-solid. In the present invention, the liquid means a softening point of less than 50 캜, and the solid means a softening point of 60 캜 or higher. The softening point is between the softening point of the liquid and the softening point of the solid It says. The epoxy resin (A) preferably has a softening point of 100 占 폚 or lower from the viewpoint that a film-like adhesive capable of achieving a low melt viscosity at a preferable temperature range (for example, 60 to 120 占 폚) can be obtained. In the present invention, the softening point is a value measured by a softening point test (cyclic formula) (measurement conditions: according to JIS-2817).

상기 에폭시 수지(A)에 있어서 경화체의 가교 밀도가 높아져 결과적으로 배합되는 무기 충전제(C)끼리의 접촉 확률이 높아 접촉 면적이 넓어짐으로써 보다 높은 열전도율이 얻어진다는 관점으로부터 에폭시 당량은 500g/eq 이하인 것이 바람직하고, 150∼450g/eq인 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서 에폭시 당량이란 1그램 당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 그램수(g/eq)를 말한다.From the viewpoint that the cross-linking density of the cured product in the epoxy resin (A) becomes high and consequently the contact probability of the inorganic fillers (C) to be blended is high and the contact area is widened, a higher thermal conductivity can be obtained, the epoxy equivalent is 500 g / eq or less More preferably 150 to 450 g / eq. In the present invention, the epoxy equivalent means the number of grams (g / eq) of the resin containing one gram equivalent of an epoxy group.

상기 에폭시 수지(A)의 골격으로서는 페놀노볼락형, 오르소크레졸노볼락형, 크레졸노볼락형, 디시클로펜타디엔형, 비페닐형, 플루오렌비스페놀형, 트리아진형, 나프톨형, 나프탈렌디올형, 트리페닐메탄형, 테트라페닐형, 비스페놀A형, 비스페놀F형, 비스페놀AD형, 비스페놀S형, 트리메틸롤메탄형 등을 들 수 있지만 수지의 결정성이 낮고, 양호한 외관을 갖는 필름상 접착제가 얻어진다는 관점으로부터 트리페닐메탄형, 비스페놀A형, 크레졸노볼락형, 오르소크레졸노볼락형인 것이 바람직하고, 보다 가교 밀도가 높아져 필름상 접착제를 경화시켰을 때에 분자 구조의 질서성이 향상되어 열전도성이 향상되는 경향이 있다는 관점으로부터 상기 에폭시 수지(A)로서는 하기 식(1):Examples of the skeleton of the epoxy resin (A) include phenol novolak type, orthocresol novolac type, cresol novolak type, dicyclopentadiene type, biphenyl type, fluorene bisphenol type, triazine type, naphthol type, naphthalene diol type , A triphenylmethane type, a tetraphenyl type, a bisphenol A type, a bisphenol F type, a bisphenol AD type, a bisphenol S type, a trimethylol methane type and the like, From the viewpoint of being obtained, it is preferably a triphenylmethane type, a bisphenol A type, a cresol novolak type, or an orthocresol novolac type, and the crosslinking density is higher, and when the film-like adhesive is cured, the orderliness of the molecular structure is improved, From the viewpoint that the epoxy resin (A) has a tendency to be improved, the epoxy resin (A)

Figure 112012021011811-pat00002
Figure 112012021011811-pat00002

[식(1) 중 n은 0∼10의 정수를 나타낸다][In the formula (1), n represents an integer of 0 to 10)

로 나타내어지는 트리페닐메탄형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.Is more preferably a triphenylmethane type epoxy resin.

상기 에폭시 수지(A)로서는 1종을 단독으로 사용해도 2종 이상을 조합해서 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합해서 사용할 경우에는 예를 들면 조성물의 점도의 조절이 용이하고, 필름상 접착제와 웨이퍼를 열압착시키는 공정(웨이퍼 라미네이트 공정)을 저온(바람직하게는 40∼80℃)에서 실시했을 경우에 있어서도 웨이퍼와 필름상 접착제의 밀착성이 발휘되는 경향이 있다는 관점으로부터 연화점이 50∼100℃인 에폭시 수지(a1)와 연화점이 50℃ 미만인 에폭시 수지(a2)를 조합해서 사용하는 것이 바람직하다.The epoxy resin (A) may be used singly or in combination of two or more kinds. When two or more kinds are used in combination, for example, the viscosity of the composition can be easily controlled, (Preferably 40 to 80 占 폚), the adhesion between the wafer and the film-like adhesive tends to be exerted, the epoxy resin having a softening point of 50 to 100 占 폚 It is preferable to use a combination of the resin (a1) and the epoxy resin (a2) having a softening point lower than 50 캜.

상기 에폭시 수지(a1)로서는 실온에서 고체 또는 반고체이며, 연화점이 50∼100℃인 것이 바람직하고, 50∼80℃인 것이 보다 바람직하다. 연화점이 상기 하한 미만이면 얻어지는 필름상 접착제의 점도가 저하되기 때문에 상온에 있어서 필름 형상을 유지하는 것이 곤란해지는 경향이 있고, 한편 상기 상한을 초과하면 얻어지는 필름상 접착제에 있어서 바람직한 온도 범위(예를 들면, 60∼120℃)에서 저용융 점도에 도달하는 것이 곤란해지는 경향이 있다.The epoxy resin (a1) is a solid or a semi-solid at room temperature and preferably has a softening point of 50 to 100 캜, more preferably 50 to 80 캜. When the softening point is lower than the lower limit described above, the viscosity of the resulting film-like adhesive agent tends to be lowered, so that it tends to be difficult to keep the film shape at room temperature. On the other hand, , 60 to 120 占 폚), it tends to be difficult to reach the low melt viscosity.

상기 에폭시 수지(a1)로서는 중량 평균 분자량이 500 초과 2000 이하인 것이 바람직하고, 600∼1200인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 하한 미만이면 단량체나 2량체가 증가해서 결정성이 강해지기 때문에 필름상 접착제가 취약해지는 경향이 있고, 한편 상기 상한을 초과하면 필름상 접착제의 용융 점도가 높아지기 때문에 배선 기판에 압착할 때에 기판 상의 요철을 메워넣는 것을 충분히 할 수 없어 배선 기판과의 밀착성이 저하되는 경향이 있다.The epoxy resin (a1) preferably has a weight average molecular weight of more than 500 but not more than 2000, more preferably 600 to 1200. [ If the weight average molecular weight is less than the above lower limit, the amount of the monomer or dimer increases and crystallinity becomes strong. Therefore, the film-like adhesive tends to become weak. On the other hand, when the upper limit is exceeded, the melt viscosity of the film- It is not possible to sufficiently fill the unevenness on the substrate, and the adhesion with the wiring substrate tends to be lowered.

이러한 에폭시 수지(a1)의 골격으로서는 수지의 결정성이 낮고, 양호한 외관을 갖는 필름상 접착제가 얻어진다는 관점으로부터 트리페닐메탄형, 비스페놀A형, 크레졸노볼락형, 오르소크레졸노볼락형인 것이 바람직하고, 보다 가교 밀도가 높아져 필름상 접착제를 경화시켰을 때에 분자 구조의 질서성이 향상되고 열전도성이 향상되는 경향이 있다는 관점으로부터 상기 에폭시 수지(a1)로서는 트리페닐메탄형 에폭시 수지, 비스페놀A형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지가 보다 바람직하고, 상기 식(1)로 나타내어지는 트리페닐메탄형 에폭시 수지가 더욱 바람직하다.The skeleton of such an epoxy resin (a1) is preferably a triphenylmethane type, a bisphenol A type, a cresol novolak type or an orthocresol novolac type from the viewpoint of obtaining a film-like adhesive having a low crystallinity of the resin and a good appearance (A1) is preferably at least one selected from the group consisting of a triphenylmethane type epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol A type epoxy resin, from the viewpoint that the crosslinking density is higher and the adhesive property of the molecular structure is improved and the thermal conductivity is improved when the film- Resin and a cresol novolak type epoxy resin are more preferable, and a triphenylmethane type epoxy resin represented by the above formula (1) is more preferable.

상기 에폭시 수지(a2)로서는 필름상 접착제와 웨이퍼를 열압착시키는 공정(웨이퍼 라미네이트 공정)을 저온(바람직하게는 40∼80℃)에서 실시했을 경우에 있어서도 웨이퍼와 필름상 접착제의 밀착성이 발휘되는 경향이 있다는 관점으로부터 연화점이 50℃ 미만인 것이 바람직하고, 연화점이 40℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 이러한 에폭시 수지(a2)로서는 중량 평균 분자량이 300∼500인 것이 바람직하고, 350∼450인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 하한 미만이면 단량체가 증가해서 결정성이 강해지기 때문에 필름상 접착제가 취약해지는 경향이 있고, 한편 상기 상한을 초과하면 용융 점도가 높아지기 때문에 웨이퍼 라미네이트 공정 시에 웨이퍼와 필름상 접착제의 밀착성이 저하되는 경향이 있다.As the epoxy resin (a2), the adhesiveness between the wafer and the film-like adhesive is exerted even when the film-like adhesive agent and the step of thermocompression bonding the wafer (wafer lamination step) at a low temperature (preferably 40 to 80 ° C) It is preferable that the softening point is lower than 50 캜, and the softening point is more preferably 40 캜 or lower. The epoxy resin (a2) preferably has a weight average molecular weight of 300 to 500, more preferably 350 to 450. If the weight average molecular weight is less than the above lower limit, the amount of monomers increases and crystallinity tends to become strong. Therefore, the film-like adhesive tends to become weak. On the other hand, when the upper limit is exceeded, the melt viscosity becomes high. The adhesion tends to be lowered.

이러한 에폭시 수지(a2)의 골격으로서는 수지의 결정성이 낮고, 양호한 외관을 갖는 필름상 접착제가 얻어진다는 관점으로부터 올리고머 타입의 액상 에폭시 수지인 비스페놀A형, 비스페놀A/F 혼합형, 비스페놀F형, 프로필렌옥사이드 변성 비스페놀A형인 것이 바람직하고, 용융 점도가 낮고 보다 결정성이 낮다는 관점으로부터 상기 에폭시 수지(a2)로서는 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀A/F 혼합형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.From the viewpoint of obtaining a film-like adhesive having a low crystallinity of the resin and good appearance as the skeleton of such an epoxy resin (a2), the oligomer type liquid epoxy resin such as bisphenol A type, bisphenol A / F mixed type, bisphenol F type, propylene (A2) is more preferably a bisphenol A type epoxy resin or a bisphenol A / F mixed type epoxy resin from the viewpoint of a low melt viscosity and a low crystallinity because it is an oxide-modified bisphenol A type.

상기 에폭시 수지(a1) 및 상기 에폭시 수지(a2)의 비율로서는 질량비 (a1:a2)가 95:5∼30:70인 것이 바람직하고, 70:30∼40:60인 것이 보다 바람직하다. 에폭시 수지(a1)의 함유량이 상기 하한 미만이면 필름상 접착제의 필름 택(tack)성이 강해져 커버 필름이나 다이싱 테이프로부터 박리하기 어려워지는 경향이 있고, 한편 상기 상한을 초과하면 조성물의 점도가 높아져 얻어지는 필름상 접착제의 성상이 약해지는 경향이 있다.The mass ratio (a1: a2) of the epoxy resin (a1) and the epoxy resin (a2) is preferably 95: 5 to 30:70, and more preferably 70:30 to 40:60. If the content of the epoxy resin (a1) is less than the lower limit described above, the film tackiness of the adhesive agent on the film tends to become strong and it tends to be difficult to peel off from the cover film or the dicing tape. On the other hand, The properties of the obtained film-like adhesive tends to be weakened.

상기 에폭시 수지(A)로서는 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제용 조성물에 있어서의 함유량이 5∼30질량%인 것이 바람직하고, 10∼25질량%인 것이 보다 바람직하다. 상기 함유량이 상기 하한 미만이면 경화시켰을 때에 가교 밀도가 높아지는 수지 성분이 적어지기 때문에 필름상 접착제의 열전도율이 향상되기 어려워지는 경향이 있고, 한편 상기 상한을 초과하면 주성분이 올리고머가 되기 때문에 조금의 온도 변화에서도 필름 상태(필름 택성 등)가 변화되기 쉬워지는 경향이 있다.The content of the epoxy resin (A) in the composition for an adhesive composition on a high thermal conductive film of the present invention is preferably 5 to 30 mass%, more preferably 10 to 25 mass%. If the content is less than the above lower limit, the resin component having a high crosslinking density at the time of curing will be reduced, so that the thermal conductivity of the film-like adhesive tends to be hard to be improved. On the other hand, The film condition (film tackiness and the like) tends to change easily.

본 발명에 의한 에폭시 수지 경화제(B)로서는 아민류, 산 무수물류, 다가 페놀류 등의 공지의 경화제를 사용할 수 있지만 상기 에폭시 수지(A) 및 상기 페녹시 수지(D)가 저용융 점도가 되는 온도 범위를 초과하는 고온에서 경화성을 발휘하고, 속경화성을 갖고, 또한 실온에서의 장기 보존이 가능한 보존 안정성이 높은 필름상 접착제용 조성물이 얻어진다는 관점으로부터 잠재성 경화제를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 잠재성 경화제로서는 디시안디아미드, 이미다졸류, 히드라지드류, 3불화 붕소-아민 착체, 아민이미드, 폴리아민염 및 이들의 변성물이나 마이크로캡슐형의 것을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 2종 이상을 조합해서 사용해도 좋다.As the epoxy resin curing agent (B) according to the present invention, known curing agents such as amines, acid anhydrides and polyhydric phenols can be used, but the temperature range in which the epoxy resin (A) and the phenoxy resin (D) , It is preferable to use a latent curing agent from the viewpoint that a composition for a film-like adhesive exhibiting a fast curability and a long storage stability at room temperature can be obtained. Examples of the latent curing agent include dicyandiamide, imidazoles, hydrazides, boron trifluoride-amine complexes, amine imides, polyamine salts, and modifications thereof and microcapsules. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

상기 에폭시 수지 경화제(B)의 함유량은 통상 상기 에폭시 수지(A)에 대하여 0.5∼50질량%이며, 1∼10질량%인 것이 바람직하다. 함유량이 상기 하한 미만이면 경화 시간이 길어지는 경향이 있고, 한편 상기 상한을 초과하면 과잉의 경화제가 필름상 접착제 중에 남아 잔경화제가 수분을 흡착하기 때문에 필름상 접착제를 반도체에 장착한 후의 신뢰성 시험에 있어서 불량이 일어나기 쉬워지는 경향이 있다.The content of the epoxy resin curing agent (B) is usually 0.5 to 50 mass%, preferably 1 to 10 mass%, based on the epoxy resin (A). If the content is below the lower limit, the curing time tends to be longer. On the other hand, if the content exceeds the upper limit, excess curing agent remains in the film-like adhesive and the remaining curing agent adsorbs moisture. There is a tendency that defects tend to occur.

본 발명에 의한 무기 충전제(C)는 고충전화가 가능하며 유동성을 갖는다는 관점으로부터 입상이며, 그 평균 입경은 0.1∼5.0㎛인 것이 필요하다. 평균 입경이 상기 하한 미만이면 충전제끼리가 접촉하기 어려워지고, 필름상 접착제의 열전도율이 낮아진다. 한편, 평균 입경이 상기 상한을 초과하면 롤나이프 코터 등의 도포기로 박형의 필름상 접착제를 제조할 때에 충전제가 계기가 되어 필름 표면에 스트라이프를 발생하기 쉬워지거나 필름상 접착제에 의한 가공 블레이드의 마모율이 커진다. 또한, 상기 무기 충전제(C)의 평균 입경으로서는 열전도성을 담보하면서 5㎛ 이하의 극박 필름을 제작한다는 관점으로부터 0.5∼2.0㎛인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서 평균 입경이란 레이저 회절·산란법(측정 조건:분산매-헥사메타인산 나트륨, 레이저 파장:780nm, 측정 장치:마이크로 트랙MT3300EX)에 의해 측정한 입자 지름 분포에 있어서 입자의 전체 체적을 100%로 했을 때 입자 지름의 체적분율의 누적 커브에 있어서 50% 누적이 될 때의 입자 지름을 말한다.The inorganic filler (C) according to the present invention is a granular material from the viewpoint of being capable of gelling and having fluidity, and it is necessary that the average particle diameter is 0.1 to 5.0 탆. If the average particle diameter is below the lower limit, the fillers are less likely to come into contact with each other, and the thermal conductivity of the film-like adhesive becomes lower. On the other hand, when the average particle diameter exceeds the upper limit, a filler tends to form on the surface of the film when the thin film-like adhesive agent is produced by a coater such as a roll knife coater, or stripe is easily generated on the film surface, It grows. The average particle diameter of the inorganic filler (C) is preferably 0.5 to 2.0 占 퐉, from the viewpoint of producing a polarizing film having a thickness of 5 占 퐉 or less while ensuring thermal conductivity. In the present invention, the average particle diameter refers to the total volume of particles in the particle diameter distribution measured by a laser diffraction / scattering method (measurement conditions: sodium dispersion medium - hexametaphosphate, laser wavelength: 780 nm, measurement apparatus: Microtrack MT3300EX) Refers to the particle diameter at which 50% of the cumulative curve of the volume fraction of the particle diameter assumes 100%.

본 발명에 의한 무기 충전제(C)는 모스 경도가 1∼8이다. 모스 경도가 상기 상한을 초과하면 필름상 접착제에 의한 가공 블레이드의 마모율이 커진다. 또한, 상기 무기 충전제(C)의 모스 경도로서는 필름상 접착제에 있어서 적당한 마모성을 담보함으로써 가공 블레이드의 날끝의 수지 막힘을 방지한다는 관점으로부터 3∼8인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서 모스 경도란 10단계 모스 경도계를 사용해서 측정물에 대하여 경도가 작은 광물로부터 차례대로 서로 문질러서 측정물에 상처가 나는지의 여부를 육안으로 측정하여 측정물의 경도를 판정한 값을 말한다.The inorganic filler (C) according to the present invention has a Mohs hardness of 1 to 8. When the Mohs hardness exceeds the upper limit, the abrasion rate of the processing blade due to the adhesive agent on the film increases. The Mohs hardness of the inorganic filler (C) is preferably from 3 to 8 from the viewpoint of ensuring proper abrasion resistance in the film-like adhesive and preventing clogging of the blade edge of the processing blade. In the present invention, the Mohs hardness refers to a value obtained by measuring the hardness of a measurement object by visually observing whether or not scratches are caused on the measurement object by rubbing each other one by one with respect to the measurement object using a 10-stage Mohs hardness meter It says.

본 발명에 의한 무기 충전제(C)는 열전도율이 30W/(m·K) 이상이다. 열전도율이 상기 하한 미만이면 목적의 열전도율을 담보하기 위해서 보다 많은 무기 충전제를 배합하게 되고, 그 결과 필름상 접착제의 용융 점도가 상승하고, 배선 기판에 압착할 때에 기판의 요철을 메워넣는 것을 충분히 할 수 없어 배선 기판과의 밀착성이 저하된다. 또한, 상기 무기 충전제(C)의 열전도율로서는 적은 충전체량으로 높은 열전도율을 담보한다는 관점으로부터 100W/(m·K) 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서 충전제의 열전도율이란 레이저 플래시법(측정 조건:레이저 펄스 폭 0.4㎳, 레이저 파장 1.06㎛, 측정 장치:(주)알박제 TC7000형)에 의해 열확산율을 측정하고, 이 값과 필러종의 밀도와 비열의 곱에 의해 산출한 값을 말한다.The inorganic filler (C) according to the present invention has a thermal conductivity of 30 W / (m · K) or more. When the thermal conductivity is less than the lower limit described above, more inorganic filler is added to ensure the desired thermal conductivity, and as a result, the melt viscosity of the film-like adhesive increases, and when the adhesive is pressed onto the wiring board, The adhesion to the wiring board is deteriorated. The thermal conductivity of the inorganic filler (C) is particularly preferably 100 W / (m · K) or more from the viewpoint of securing a high thermal conductivity with a small filler amount. In the present invention, the thermal conductivity of the filler is measured by the laser flash method (measurement conditions: laser pulse width 0.4 ms, laser wavelength 1.06 μm, measurement apparatus: UL7000 TC7000 type) Refers to the value calculated by the product of the density of the filler species and the specific heat.

본 발명에 의한 무기 충전제(C)의 재질로서는 전기 절연성 및 상기 열전도율을 갖는 것이면 좋고, 예를 들면 질화 알루미늄, 산화 마그네슘, 질화 붕소, 수산화 알루미늄 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 상기 무기 충전제(C)로서는 필름상 접착제에 있어서 경화 후에 우수한 열전도성이 발휘된다는 관점으로부터 질화 알루미늄이 바람직하다. 또한, 상기 무기 충전제(C)로서는 1종을 단독으로 사용해도 2종 이상을 조합해서 사용해도 좋지만 2종 이상을 조합해서 사용할 경우에는 보다 높은 열전도율을 갖는 필름상 접착제가 얻어진다는 관점으로부터 상기 무기 충전제(C) 중 적어도 1종이 질화 알루미늄인 것이 보다 바람직하고, 상기 무기 충전제(C)의 전체량에 대하여 50체적% 이상이 질화 알루미늄인 것이 더욱 바람직하다.As the material of the inorganic filler (C) according to the present invention, any material having electrical insulation and thermal conductivity may be used, and examples thereof include aluminum nitride, magnesium oxide, boron nitride, aluminum hydroxide and the like. Among them, aluminum nitride is preferable as the inorganic filler (C) from the viewpoint that the film-like adhesive exhibits excellent thermal conductivity after curing. The inorganic filler (C) may be used singly or in combination of two or more kinds. When two or more kinds of them are used in combination, a film-like adhesive having a higher thermal conductivity is obtained. And at least one of the inorganic fillers (C) is more preferably aluminum nitride, and it is more preferable that at least 50% by volume of the inorganic filler (C) is aluminum nitride.

본 발명에 의한 무기 충전제(C)는 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제용 조성물에 있어서의 함유량이 30∼70체적%이다. 함유량이 상기 하한 미만이면 필름상 접착제에 있어서의 경화 후의 열전도율이 저하되고, 반도체 패키지에 사용했을 때에 패키지 외부로의 방열 효율이 저하된다. 한편, 상기 상한을 초과하면 바인더로서 작동하는 에폭시 수지(A) 및 페녹시 수지(D)의 함유량이 상대적으로 적어지기 때문에 필름상 접착제의 성상이 약해진다. 또한, 상기 함유량은 열경화 후의 필름상 접착제에 있어서 높은 열전도율(바람직하게는 1.0W/(m·K) 이상)이 얻어지고, 또한 필름상 접착제의 용융 점도의 상승을 억제할 수 있고, 배선 기판에 압착할 때에 기판 상의 요철을 충분히 메워넣어서 기판과의 밀착성을 담보할 수 있는 경향이 있다는 관점으로부터 40∼60체적%인 것이 특히 바람직하다.The inorganic filler (C) according to the present invention has a content of 30 to 70% by volume in the composition for an adhesive on a high thermal conductive film of the present invention. When the content is less than the above lower limit, the thermal conductivity after curing of the adhesive agent on the film is lowered, and the heat radiation efficiency to the outside of the package is lowered when used in the semiconductor package. On the other hand, when the upper limit is exceeded, the content of the epoxy resin (A) and the phenoxy resin (D), which act as a binder, becomes relatively small, so that the property of the film-like adhesive becomes weak. In addition, the above-mentioned content can obtain a high thermal conductivity (preferably 1.0 W / (m · K) or more) in the film-like adhesive after thermosetting and also suppress the rise of the melt viscosity of the film- From the viewpoint of being able to sufficiently fill the irregularities on the substrate when pressed against the substrate to ensure adhesion with the substrate, particularly preferably 40 to 60% by volume.

본 발명에 의한 페녹시 수지(D)는 중량 평균 분자량이 10000 이상인 열가소성 수지이다. 이러한 페녹시 수지(D)를 사용함으로써 얻어지는 필름상 접착제에 있어서 실온에 있어서의 택성이나 취약성이 해소된다.The phenoxy resin (D) according to the present invention is a thermoplastic resin having a weight average molecular weight of 10,000 or more. In the film-like adhesive obtained by using such a phenoxy resin (D), tackiness and weakness at room temperature are solved.

상기 페녹시 수지(D)로서는 중량 평균 분자량이 30000∼100000인 것이 바람직하고, 40000∼70000인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 하한 미만이면 필름상 접착제의 지지성이 약해지고, 취약성이 강해지는 경향이 있고, 한편 상기 상한을 초과하면 용융 점도가 높아지는 경향이 있다. 또한, 상기 페녹시 수지(D)로서는 유리 전이 온도(Tg)가 40∼90℃인 것이 바람직하고, 50∼80℃인 것이 보다 바람직하다. 유리 전이 온도가 상기 하한 미만이면 필름상 접착제의 상온에 있어서의 필름 택성이 강해져 커버 필름이나 다이싱 테이프로부터 박리하기 어려워지는 경향이 있고, 한편 상기 상한을 초과하면 필름상 접착제의 용융 점도가 높아지기 때문에 배선 기판에 압착할 때에 기판 상의 요철을 메워넣는 것을 충분히 할 수 없어 배선 기판과의 밀착성이 저하되는 경향이 있다.The phenoxy resin (D) preferably has a weight average molecular weight of 30,000 to 100,000, and more preferably 40,000 to 70,000. If the weight average molecular weight is less than the lower limit described above, the adhesiveness of the film-like adhesive becomes weak and the fragility tends to become strong. On the other hand, when the upper limit is exceeded, the melt viscosity tends to be high. The phenoxy resin (D) preferably has a glass transition temperature (Tg) of 40 to 90 캜, more preferably 50 to 80 캜. If the glass transition temperature is lower than the lower limit described above, the film tackiness at the room temperature of the adhesive agent on the film tends to become difficult to peel off from the cover film or the dicing tape. On the other hand, It is not possible to sufficiently fill the irregularities on the substrate when pressing the wiring substrate, and the adhesion with the wiring substrate tends to be lowered.

상기 페녹시 수지(D)의 골격으로서는 비스페놀A형, 비스페놀A/F형, 비스페놀F형, 비스페놀S형, 비스페놀A/S형, 카르도 골격형 등을 들 수 있지만 상기 에폭시 수지(A)와 구조가 유사하기 때문에 상용성이 좋고, 또한 용융 점도가 낮아 접착성도 좋다고 하는 관점으로부터는 비스페놀A형인 것이 바람직하고, 바람직한 온도 범위(예를 들면, 60∼120℃)에서 저용융 점도에 도달할 수 있는 필름상 접착제가 얻어진다는 관점으로부터는 비스페놀A/F형인 것이 바람직하고, 고내열성을 갖는다고 하는 관점으로부터는 카르도 골격형인 것이 바람직하다. 이러한 페녹시 수지(D)로서는 예를 들면 비스페놀A와 에피클로로히드린으로부터 얻어지는 비스페놀A형 페녹시 수지, 비스페놀A, 비스페놀F와 에피클로로히드린으로부터 얻어지는 비스페놀A/F형 페녹시 수지 등을 들 수 있다. 상기 페녹시 수지(D)로서는 이 중 1종을 단독으로 사용해도 2종 이상을 조합해서 사용해도 좋고, 또한 예를 들면 YP-50S(비스페놀A형 페녹시 수지, 신닛카 에폭시 세이조(주)제), YP-70(비스페놀A/F형 페녹시 수지, 신닛카 에폭시 세이조(주)제), FX-316(비스페놀F형 페녹시 수지, 신닛카 에폭시 세이조(주)제) 및 FX-280S(카르도 골격형 페녹시 수지, 신닛카 에폭시 세이조(주)제) 등의 시판의 페녹시 수지를 상기 페녹시 수지(D)로서 사용해도 좋다.Examples of the skeleton of the phenoxy resin (D) include bisphenol A type, bisphenol A / F type, bisphenol F type, bisphenol S type, bisphenol A / S type and cardo skeletal type. From the viewpoint that they are similar in structure and have good compatibility and also have low melt viscosity and good adhesiveness, they are preferably of the bisphenol A type and can reach a low melt viscosity at a preferable temperature range (for example, 60 to 120 ° C) From the viewpoint that a film-like adhesive agent is obtained, it is preferably a bisphenol A / F type, and from the viewpoint of having high heat resistance, it is preferably a cardo-skeletal type. Examples of such phenoxy resins (D) include bisphenol A type phenoxy resins obtained from bisphenol A and epichlorohydrin, bisphenol A / F type phenoxy resins obtained from bisphenol A, bisphenol F and epichlorohydrin, . As the phenoxy resin (D), one kind or two or more kinds of them may be used in combination or YP-50S (bisphenol A type phenoxy resin, Shin-Nika Epoxy Seizo Co., Ltd.) (Bisphenol F type phenoxy resin, manufactured by Shin-Nika Epoxy Seizo Co., Ltd.) and FX-316 (bisphenol A / F type phenoxy resin, manufactured by Shin-Nika Epoxy Seizo Co., -280S (cardo-skeleton type phenoxy resin, manufactured by Shin-Nikka Epoxy Seizo Co., Ltd.) may be used as the phenoxy resin (D).

상기 페녹시 수지(D)로서는 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제용 조성물에 있어서의 함유량이 1∼20질량%인 것이 바람직하고, 3∼10질량%인 것이 보다 바람직하다. 상기 함유량이 상기 하한 미만이면 필름상 접착제의 필름 택성이 강해져 커버 필름이나 다이싱 테이프로부터 박리하기 어려워지는 경향이 있고, 한편 상기 상한을 초과하면 필름상 접착제의 용융 점도가 높아지기 때문에 배선 기판에 압착할 때에 기판 상의 요철을 메워넣는 것을 충분히 할 수 없어 배선 기판과의 밀착성이 저하되는 경향이 있다.The content of the phenoxy resin (D) in the composition for an adhesive composition on a high thermal conductive film of the present invention is preferably 1 to 20 mass%, more preferably 3 to 10 mass%. If the content is less than the above lower limit, the film tackiness of the film-like adhesive tends to become strong and it becomes difficult to peel off from the cover film or the dicing tape. On the other hand, if the content exceeds the upper limit, the melt viscosity of the film- It is not possible to sufficiently fill the irregularities on the substrate at the time, and the adhesion with the wiring substrate tends to be lowered.

본 발명의 고열전도성 필름상 접착제용 조성물로서는 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 무기 충전제(C) 및 상기 페녹시 수지(D) 이외에 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서 예를 들면 상기 무기 충전제(C) 이외의 충전제, 커플링제, 산화 방지제, 난연제, 착색제, 부타디엔계 고무나 실리콘 고무 등의 응력 완화제 등의 첨가제를 함유하고 있어도 좋다. 본 발명에 있어서는 상기 에폭시 수지(A)와 상기 무기 충전제(B)의 계면을 보강할 수 있고, 우수한 파괴 강도 및 접착성을 갖는 필름상 접착제가 얻어진다는 관점으로부터 커플링제를 함유하고 있는 것이 바람직하고, 이러한 커플링제로서는 아미노기, 에폭시기를 함유한 것이 보다 바람직하다. 또한, 이러한 첨가제를 함유할 경우 그 함유량은 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제용 조성물에 있어서 3질량% 이하인 것이 바람직하다.(A), the epoxy resin curing agent (B), the inorganic filler (C) and the phenoxy resin (D) as the composition for an adhesive composition on the high heat conductive film of the present invention, Additives such as fillers, coupling agents, antioxidants, flame retardants, colorants, and stress relieving agents such as butadiene-based rubbers and silicone rubbers other than the inorganic filler (C) may be contained. In the present invention, from the viewpoint that a film-like adhesive capable of reinforcing the interface between the epoxy resin (A) and the inorganic filler (B) and having excellent fracture strength and adhesiveness can be obtained, As such a coupling agent, it is more preferable to contain an amino group and an epoxy group. When such an additive is contained, its content is preferably 3% by mass or less in the composition for an adhesive composition on a high thermal conductive film of the present invention.

이어서, 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제에 대해서 설명한다. 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제는 상기 고열전도성 필름상 접착제용 조성물을 가열 건조함으로써 얻어지는 것을 특징으로 한다.Next, the high heat conductive film-like adhesive of the present invention will be described. The high heat conductive film-like adhesive of the present invention is characterized by being obtained by heating and drying the composition for an adhesive on the high thermal conductive film.

본 발명의 고열전도성 필름상 접착제의 제조 방법의 바람직한 일실시형태로서는 상기 고열전도성 필름상 접착제용 조성물을 용매에 용해시킨 바니시를 이형 처리한 기재에 도포하고, 가열 건조를 실시하는 방법을 들 수 있지만 이 방법에 특별히 제한되는 것은 아니다.As a preferred embodiment of the method for producing an adhesive on a high thermal conductive film of the present invention, there is a method of applying a varnish obtained by dissolving a composition for an adhesive agent on a high thermal conductive film on a substrate to a release-treated substrate, followed by heating and drying This method is not particularly limited.

상기 용매로서는 공지의 용매를 적당히 채용할 수 있고, 예를 들면 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소, 메틸이소부틸케톤(MIBK), 메틸에틸케톤(MEK) 등의 케톤류, 모노글라임, 디글라임 등의 에테르류 및 이들의 혼합물 등을 들 수 있다. 상기 이형 처리한 기재로서는 공지의 기재에 이형 처리한 것을 적당히 채용할 수 있고, 예를 들면 이형 처리된 폴리프로필렌(PP), 이형 처리된 폴리에틸렌(PE), 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등을 들 수 있다. 상기 도포 방법으로서는 공지의 방법을 적당히 채용할 수 있고, 예를 들면 롤나이프 코터, 그라비어 코터, 다이 코터, 리버스 코터 등을 들 수 있다.Examples of the solvent include an aromatic hydrocarbon such as toluene and xylene, a ketone such as methyl isobutyl ketone (MIBK) and methyl ethyl ketone (MEK), a ketone such as monoglyme and diglyme Ethers, and mixtures thereof. As the substrate subjected to the releasing treatment, it is possible to appropriately employ a known substrate subjected to a releasing treatment, and examples thereof include a releasing treated polypropylene (PP), a releasing treated polyethylene (PE), a releasing treated polyethylene terephthalate . As the above-mentioned application method, a known method can be suitably employed, and examples thereof include a roll knife coater, a gravure coater, a die coater and a reverse coater.

상기 가열 건조는 상기 고열전도성 필름상 접착제용 조성물의 경화 개시 온도 미만의 온도에서 행한다. 이러한 온도로서는 사용하는 수지의 종류에 따라 다른 것이며, 일률적으로 말할 수 있는 것은 아니지만 예를 들면 40∼100℃인 것이 바람직하고, 60∼100℃인 것이 보다 바람직하다. 온도가 상기 하한 미만이면 필름상 접착제에 잔존하는 용매량이 많아져 필름 택성이 강해지는 경향이 있고, 한편 경화 개시 온도 이상이 되면 상기 고열전도성 필름상 접착제용 조성물이 경화되어버려 필름상 접착제의 접착성이 저하되는 경향이 있다. 또한, 상기 가열 건조의 시간으로서는 예를 들면 10∼60분간인 것이 바람직하다.The heat drying is performed at a temperature lower than the curing initiation temperature of the composition for an adhesive on the high thermal conductive film. The temperature varies depending on the type of the resin to be used and is not always uniform, but is preferably 40 to 100 占 폚, more preferably 60 to 100 占 폚. If the temperature is lower than the lower limit described above, the amount of the solvent remaining in the adhesive agent on the film tends to increase and the film tackiness tends to become strong. On the other hand, when the temperature exceeds the curing initiation temperature, the composition for the adhesive agent on the high thermal conductive film is cured, Is lowered. The heating and drying time is preferably 10 to 60 minutes, for example.

이렇게 얻어진 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제로서는 두께가 10∼150㎛인 것이 바람직하다. 두께가 상기 하한 미만이면 배선 기판 표면의 요철을 충분히 메울 수 없어 충분한 밀착성을 담보할 수 없게 되는 경향이 있고, 한편 상기 상한을 초과하면 제조 시에 있어서 용매를 제거하는 것이 곤란해지기 때문에 잔존 용매량이 많아져 필름 택성이 강해지는 경향이 있다.As the adhesive of the present invention obtained as the high thermal conductive film, it is preferable that the thickness is 10 to 150 mu m. If the thickness is less than the above lower limit, the irregularities on the surface of the wiring board can not be sufficiently filled, and sufficient adhesion can not be ensured. On the other hand, if the thickness exceeds the upper limit, it becomes difficult to remove the solvent at the time of production, The film tends to become stronger.

본 발명의 고열전도성 필름상 접착제에 있어서는 레오미터로 20℃로부터 10℃/분의 승온 속도로 가열했을 때에 관측되는 80℃에 있어서의 용융 점도가 10000㎩·s 이하가 될 수 있다. 상기 용융 점도로서는 10∼10000㎩·s인 것이 보다 바람직하다. 용융 점도가 상기 하한 미만이면 웨이퍼와 접착할 때에 있어서 수지 흐름이나 수지 융기 등에 의해 다른 부재를 오염시키는 경향이 있고, 한편 용융 점도가 상기 상한을 초과하면 필름상 접착제를 웨이퍼 이면이나 요철이 있는 배선 기판의 표면에 부착시킬 때에 피도착체와의 계면에 공기를 들어가게 하기 쉬워지는 경향이 있다.In the high thermal conductive film-based adhesive of the present invention, the melt viscosity at 80 캜 as measured when heated at 20 캜 to 10 캜 / minute in a rheometer can be 10,000 Pa ∙ s or less. The melt viscosity is more preferably 10 to 10000 Pa · s. If the melt viscosity is less than the lower limit described above, there is a tendency that other members are contaminated by resin flow or resin bumps when adhering to the wafer. On the other hand, if the melt viscosity exceeds the upper limit, There is a tendency that air tends to be introduced into the interface with the object to be delivered.

본 발명의 고열전도성 필름상 접착제는 이러한 용융 점도 특성을 갖기 때문에 바람직한 온도 범위(예를 들면, 60∼120℃)에서 피도착체에 압착하는 것이 가능하며, 피도착체에 대하여 우수한 밀착성을 발휘한다. 또한, 본 발명에 있어서 용융 점도란 소정의 온도에 있어서의 용융 수지의 점성 저항을 측정함으로써 얻어지는 값이며, 80℃에 있어서의 용융 점도란 레오미터(상품명:RS150, Haake사제)를 사용하여 온도 범위 20∼100℃, 승온 속도 10℃/min에서의 점성 저항의 변화를 측정하고, 얻어진 온도-점성 저항 곡선에 있어서 온도가 80℃일 때의 점성 저항을 말한다.The high heat conductive film-based adhesive of the present invention has such a melt viscosity characteristic that it can be pressed onto the object to be adhered in a preferable temperature range (for example, 60 to 120 ° C) and exhibits excellent adhesion to the object to be arrived . In the present invention, the melt viscosity is a value obtained by measuring the viscosity resistance of a molten resin at a predetermined temperature, and the melt viscosity at 80 占 폚 is measured using a rheometer (trade name: RS150, manufactured by Haake) Refers to a viscous resistance at a temperature of 80 占 폚 in the temperature-viscous resistance curve obtained by measuring a change in viscosity resistance at 20 to 100 占 폚 and a temperature increase rate of 10 占 폚 / min.

또한, 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제는 열경화 후에 있어서 열전도율이 1.0W/(m·K) 이상으로 할 수 있다. 상기 열전도율로서는 1.5W/(m·K) 이상인 것이 보다 바람직하다. 열전도율이 상기 하한 미만이면 발생한 열을 패키지 외부로 방출하기 어려워지는 경향이 있다. 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제는 경화 후에 이러한 우수한 열전도율을 발휘하기 때문에 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제를 웨이퍼나 배선 기판 등의 피도착체에 밀착시키고 열경화시킴으로써 반도체 패키지 외부로의 방열 효율이 향상된다. 또한, 본 발명에 있어서 이러한 열경화 후의 필름상 접착제의 열전도율이란 열전도율 측정 장치(상품명:HC-110, 에코 세이키(주)제)를 사용해서 열류계법(JIS-A1412에 준거)에 의해 열전도율을 측정한 값을 말한다.Further, the heat-conductive film-based adhesive of the present invention can have a thermal conductivity of 1.0 W / (m · K) or more after heat curing. The thermal conductivity is more preferably 1.5 W / (mK) or more. If the thermal conductivity is lower than the lower limit described above, the generated heat tends to be hardly discharged to the outside of the package. Since the high thermal conductive film-based adhesive of the present invention exerts such excellent thermal conductivity after curing, the heat conductive film-like adhesive of the present invention is brought into close contact with the object to be delivered such as a wafer or a wiring board and thermally cured, . Further, in the present invention, the thermal conductivity of the film-like adhesive after the heat curing is measured by a thermal conductivity method (according to JIS-A1412) using a thermal conductivity measuring apparatus (trade name: HC-110, manufactured by Eco Seiki Co., Ltd.) It refers to measured value.

상기 열경화는 상기 고열전도성 필름상 접착제용 조성물의 경화 개시 온도 이상의 온도에서 행한다. 이러한 온도로서는 사용하는 수지의 종류에 따라 다른 것이며, 일률적으로 말할 수 있는 것은 아니지만 예를 들면 120∼180℃인 것이 바람직하고, 120∼140℃인 것이 보다 바람직하다. 온도가 경화 개시 온도 미만이면 열경화가 충분히 진행되지 않아 열경화 후의 필름상 접착제의 강도나 열전도성이 저하되는 경향이 있고, 한편 상기 상한을 초과하면 경화 과정 중에 필름상 접착제 중의 에폭시 수지, 경화제나 첨가제 등이 휘발되어 접착제층이 발포하기 쉬워지는 경향이 있다. 또한, 상기 경화 처리의 시간으로서는 예를 들면 10∼180분간인 것이 바람직하다. 또한, 상기 열경화에 있어서는 0.1∼10㎫ 정도의 압력을 가하는 것이 보다 바람직하다.The thermal curing is carried out at a temperature equal to or higher than the curing initiation temperature of the composition for an adhesive on the high thermal conductive film. The temperature varies depending on the kind of the resin to be used, and is not always uniform, but is preferably 120 to 180 DEG C, more preferably 120 to 140 DEG C, for example. If the temperature is lower than the curing initiation temperature, the thermosetting does not proceed sufficiently, and the strength and thermal conductivity of the film-like adhesive after heat curing tend to be lowered. On the other hand, if the curing temperature exceeds the upper limit, the epoxy resin, Additives and the like are volatilized and the adhesive layer tends to foam easily. It is preferable that the time of the curing treatment is, for example, 10 to 180 minutes. Further, in the above-mentioned thermosetting, it is more preferable to apply a pressure of about 0.1 to 10 MPa.

이어서, 도면을 참조하면서 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 바람직한 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 설명 및 도면 중 동일 또는 상당하는 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 중복된 설명은 생략한다. 도 2a∼도 2e는 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 각 공정의 바람직한 일실시형태를 나타내는 개략 종단면도이다.Next, a preferred embodiment of a method of manufacturing a semiconductor package of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description and drawings, the same or equivalent elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. 2A to 2E are schematic longitudinal sectional views showing one preferred embodiment of each step of the method of manufacturing the semiconductor package of the present invention.

본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서는 우선 제 1 공정으로서 도 2a에 나타내는 바와 같이 표면에 반도체 회로가 형성된 웨이퍼(1)의 이면에 상기 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제를 열압착해서 접착제층(2)을 형성한다.In the method of manufacturing the semiconductor package of the present invention, first, as shown in Fig. 2A, the high thermal conductive film-like adhesive of the present invention is thermally pressed on the back surface of the wafer 1 having a semiconductor circuit on its surface, 2).

웨이퍼(1)로서는 표면에 반도체 회로가 형성된 웨이퍼를 적당히 사용할 수 있고, 예를 들면 실리콘 웨이퍼, SiC 웨이퍼, GaS 웨이퍼 등을 들 수 있다. 접착제층(2)으로서는 상기 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제를 1층으로 단독으로 사용해도 2층 이상을 적층해서 사용해도 좋다.As the wafer 1, a wafer on which a semiconductor circuit is formed on its surface can be suitably used, and examples thereof include a silicon wafer, a SiC wafer, a GaS wafer and the like. As the adhesive layer 2, a single layer of the high thermal conductive film-based adhesive of the present invention may be used alone, or two or more layers may be laminated.

이러한 접착제층(2)을 웨이퍼(1)의 이면에 형성하는 방법으로서는 상기 고열전도성 필름상 접착제를 웨이퍼(1)의 이면에 적층시킬 수 있는 방법을 적당히 채용할 수 있고, 웨이퍼(1)의 이면에 상기 고열전도성 필름상 접착제를 부착한 후 2층 이상을 적층할 경우에는 소망의 두께가 될 때까지 순차적으로 고열전도성 필름상 접착제를 적층시키는 방법이나 고열전도성 필름상 접착제를 미리 목적의 두께로 적층한 후에 웨이퍼(1)의 이면에 부착하는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 이러한 접착제층(2)을 웨이퍼(1)의 이면에 형성할 때에 사용하는 장치로서는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 롤 라미네이터 등과 같은 공지의 장치를 적당히 사용할 수 있다.As a method of forming such an adhesive layer 2 on the back surface of the wafer 1, a method capable of laminating the above-mentioned highly heat conductive film-like adhesive on the back surface of the wafer 1 can be suitably employed. On the back surface of the wafer 1, In the case of laminating two or more layers after attaching the adhesive on the high thermal conductive film, a method of sequentially laminating the adhesive on the high thermal conductive film until the desired thickness is obtained, or a method of laminating the adhesive on the high thermal conductive film in advance to a desired thickness And then adhering to the back surface of the wafer 1. The apparatus used for forming such an adhesive layer 2 on the back surface of the wafer 1 is not particularly limited and a known apparatus such as a roll laminator can be suitably used.

접착제층(2)을 웨이퍼(1)의 이면에 형성할 때에는 상기 고열전도성 필름상 접착제의 용융 점도가 10000㎩·s 이하가 되는 온도 이상이며, 또한 상기 고열전도성 필름상 접착제의 열경화 개시 온도 미만인 온도 범위 내의 온도에 있어서 상기 고열전도성 필름상 접착제를 웨이퍼(1)의 이면에 부착하는 것이 바람직하다. 이러한 온도 조건으로서는 사용하는 수지의 종류에 따라 다른 것이며, 일률적으로 말할 수 있는 것은 아니지만 예를 들면 40∼100℃인 것이 바람직하고, 40∼80℃인 것이 보다 바람직하다. 온도가 상기 하한 미만이면 접착제층(2)과 웨이퍼(1)의 계면에 공기가 들어가기 쉬워지는 경향이 있고, 접착제층(2)이 2층 이상 적층한 것일 경우에는 상기 고열전도성 필름상 접착제의 층간의 접착이 불충분해지는 경향이 있다. 한편, 열경화 개시 온도 이상이 되면 상기 고열전도성 필름상 접착제가 경화되어버려 배선 기판에 접착할 때의 접착성이 저하되는 경향이 있다. 또한, 이러한 열압착의 시간으로서는 예를 들면 1∼180초간 정도인 것이 바람직하다.When the adhesive layer 2 is formed on the back surface of the wafer 1, it is preferable that the temperature is not lower than a temperature at which the high-heat-conductive film-like adhesive agent has a melt viscosity of not more than 10,000 Pa.s and a heat- It is preferable that the high thermal conductive film-like adhesive is adhered to the back surface of the wafer 1 at a temperature within the temperature range. Such temperature conditions vary depending on the type of resin used, and although not always uniform, it is preferably 40 to 100 占 폚, and more preferably 40 to 80 占 폚. If the temperature is lower than the lower limit described above, air tends to enter the interface between the adhesive layer 2 and the wafer 1. If the adhesive layer 2 is a laminate of two or more layers, The adhesion of the adhesive agent tends to be insufficient. On the other hand, when the temperature exceeds the thermosetting initiation temperature, the adhesive on the high thermal conductive film tends to be cured and the adhesiveness upon bonding to the wiring substrate tends to be lowered. The time of the thermocompression bonding is preferably, for example, about 1 to 180 seconds.

또한, 접착제층(2)을 웨이퍼(1)의 이면에 형성할 때에는 0.1∼1㎫ 정도의 압력을 가하는 것이 바람직하다. 압력이 상기 하한 미만이면 접착제층(2)을 웨이퍼(1)와 부착하기 위해서 시간이 걸리고, 또한 보이드의 발생을 충분히 방지할 수 없게 되는 경향이 있고, 한편 상기 상한을 초과하면 접착제의 밀려나옴을 제어할 수 없게 되는 경향이 있다.When forming the adhesive layer 2 on the back surface of the wafer 1, it is preferable to apply a pressure of about 0.1 to 1 MPa. If the pressure is lower than the lower limit described above, it takes time to adhere the adhesive layer 2 to the wafer 1, and the occurrence of voids can not be sufficiently prevented. On the other hand, if the pressure exceeds the upper limit, There is a tendency that control becomes impossible.

이어서, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서는 제 2 공정으로서 도 2b에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(1)와 다이싱 테이프(3)를 접착제층(2)을 통해 접착한 후에 웨이퍼(1)와 접착제층(2)을 동시에 다이싱함으로써 웨이퍼(1)와 접착제층(2)을 구비하는 반도체 소자(4)를 얻는다.2B, after the wafer 1 and the dicing tape 3 are bonded to each other through the adhesive layer 2, the wafer 1 and the adhesive 3 are bonded to each other through the adhesive layer 2, The semiconductor element 4 having the wafer 1 and the adhesive layer 2 is obtained by dicing the layer 2 simultaneously.

다이싱 테이프(3)로서는 특별히 제한되지 않고, 적당히 공지의 다이싱 테이프를 사용할 수 있다. 또한, 다이싱에 사용되는 장치도 특별히 제한되지 않고, 적당히 공지의 다이싱 장치를 사용할 수 있다.The dicing tape 3 is not particularly limited, and a dicing tape appropriately known can be used. Also, the apparatus used for dicing is not particularly limited, and a dicing apparatus suitably known can be used.

본 발명에 있어서는 접착제층(2)이 상기 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제용 조성물을 사용해서 얻어지는 고열전도성 필름상 접착제로 이루어지기 때문에 다이싱 장치의 가공 블레이드의 마모율이 충분히 작다. 예를 들면, 두께가 100㎛인 실리콘 웨이퍼와 고열전도성 필름상 접착제로 이루어지는 두께가 20㎛인 접착제층을 2축의 다이싱 블레이드(Z1:NBC-ZH2030-SE(DD), DISCO사제/Z2:NBC-ZH127F-SE(BB), DISCO사제)가 설치된 다이싱 장치(상품명:DFD-6340, DISCO사제)로 3.0×3.0㎜ 사이즈로 다이싱을 실시했을 경우에는 컷트 길이 20m에 있어서의 가공 블레이드의 마모율을 5.0% 이하로 할 수 있다. 마모율이 상기 상한을 초과하면 다이싱 공정 중에 고열전도성 필름상 접착제가 풀커팅되지 않는다는 문제를 발생시킨다. 또한, 가공 블레이드의 마모율이나 교환 빈도도 많아져 비용 상승이나 생산성 저하의 문제를 발생시킨다.In the present invention, the abrasion rate of the processing blade of the dicing apparatus is sufficiently small because the adhesive layer (2) is made of the high thermal conductive film-like adhesive obtained by using the composition for adhesive on the high thermal conductive film of the present invention. For example, a 20 μm thick adhesive layer made of a silicon wafer having a thickness of 100 μm and a high heat conductive film-like adhesive is laminated on a biaxial dicing blade (Z1: NBC-ZH2030-SE (DD), manufactured by DISCO / Z2: NBC (DFD-6340 manufactured by DISCO Co., Ltd.) equipped with a stirrer, a stirrer, a stirrer, a stirrer, a stirrer, a stirrer, To 5.0% or less. When the wear rate exceeds the upper limit, there arises a problem that the adhesive on the high thermal conductive film is not pull-cut during the dicing process. Further, the abrasion rate and the frequency of replacement of the machining blades are also increased, which causes a problem of cost increase and lowering of productivity.

이어서, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서는 제 3 공정으로서 도 2C에 나타낸 바와 같이 접착제층(2)으로부터 다이싱 테이프(3)를 탈리하고, 반도체 소자(4)와 배선 기판(5)을 접착제층(2)을 통해 열압착시킨다.2C, the dicing tape 3 is removed from the adhesive layer 2, and the semiconductor element 4 and the wiring board 5 are removed from the adhesive layer 2, And thermally compressed through the adhesive layer (2).

배선 기판(5)으로서는 표면에 반도체 회로가 형성된 기판을 적당히 사용할 수 있고, 예를 들면 프린트 회로 기판(PCB), 각종 리드 프레임 및 기판 표면에 저항 소자나 콘덴서 등의 전자 부품이 탑재되어 있는 것을 들 수 있다. 또한, 배선 기판(5)으로서 다른 반도체 소자를 사용함으로써 접착제층(2)을 통해 반도체 소자를 복수개 적층할 수도 있다.As the wiring board 5, a board on which a semiconductor circuit is formed on a surface can be appropriately used. For example, a printed circuit board (PCB), various lead frames and electronic boards such as resistors and capacitors mounted on the board surface . It is also possible to stack a plurality of semiconductor elements through the adhesive layer 2 by using another semiconductor element as the wiring board 5. [

이러한 배선 기판(5)에 반도체 소자(4)를 실장하는 방법으로서는 특별히 제한되지 않고, 접착제층(2)을 이용해서 반도체 소자(4)를 배선 기판(5) 또는 배선 기판(5)의 표면 상에 탑재된 전자 부품에 접착시킬 수 있는 종래의 방법을 적당히 채용할 수 있다. 이러한 실장 방법으로서는 상부로부터의 가열 기능을 갖는 플립 칩 본더를 사용한 실장 기술을 사용하는 방법, 하부로부터만의 가열 기능을 갖는 다이 본더를 사용하는 방법, 라미네이터를 사용하는 방법 등의 종래 공지의 가열, 가압 방법을 들 수 있다.The method of mounting the semiconductor element 4 on the wiring board 5 is not particularly limited and the semiconductor element 4 may be bonded to the surface of the wiring board 5 or the wiring board 5 using the adhesive layer 2 It is possible to appropriately employ a conventional method capable of adhering to an electronic component mounted on the printed circuit board. As such a mounting method, a known method such as a method using a flip chip bonder having a heating function from the top, a method using a die bonder having a heating function only from the bottom, a method using a laminator, Pressure method.

이렇게 상기 고열전도성 필름상 접착제로 이루어지는 접착제층(2)을 사용해서 반도체 소자(4)를 배선 기판(5) 상에 실장함으로써 전자 부품에 의해 발생하는 배선 기판(5) 상의 요철에 상기 고열전도성 필름상 접착제를 추종시키면서 반도체 소자(4)와 배선 기판(5)을 밀착해서 고정하는 것이 가능해진다.The semiconductor element 4 is mounted on the wiring board 5 by using the adhesive layer 2 made of the adhesive on the high thermal conductive film so that the concave and the convex on the wiring board 5, The semiconductor element 4 and the wiring board 5 can be closely contacted and fixed while following the adhesive agent.

배선 기판(5)과 반도체 소자(4)를 접착할 때에는 상기 고열전도성 필름상 접착제의 용융 점도가 10000㎩·s 이하가 되는 온도 이상이며, 또한 상기 고열전도성 필름상 접착제의 열경화 개시 온도 미만인 온도 범위 내의 온도에 있어서 배선 기판(5)과 반도체 소자(4)를 접착하는 것이 바람직하다. 이러한 온도 조건 하에 있어서 배선 기판(5)과 반도체 소자(4)를 접착함으로써 접착제층(2)과 배선 기판(5)의 계면에 공기가 들어가기 어려워지는 경향이 있다. 이러한 온도 조건, 시간 조건 및 압력 조건으로서는 상기 제 1 공정에서 설명한 바와 같다.When the wiring board 5 and the semiconductor element 4 are bonded to each other, a temperature higher than or equal to a temperature at which the high-thermal conductive film-like adhesive has a melt viscosity of 10000 Pa · s or less and a thermal shrinkage starting temperature It is preferable to bond the wiring board 5 and the semiconductor element 4 at a temperature within the range. The bonding of the wiring board 5 and the semiconductor element 4 under such a temperature condition tends to make it difficult for air to enter the interface between the adhesive layer 2 and the wiring board 5. [ These temperature conditions, time conditions, and pressure conditions are as described in the first step.

이어서, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서는 제 4 공정으로서 상기 고열전도성 필름상 접착제를 열경화시킨다. 상기 열경화의 온도로서는 상기 고열전도성 필름상 접착제의 열경화 개시 온도 이상이면 특별히 제한이 없고, 사용하는 수지의 종류에 따라 다른 것이며, 일률적으로 말할 수 있는 것은 아니지만 예를 들면 120∼180℃인 것이 바람직하고, 120∼130℃인 것이 보다 바람직하다. 온도가 열경화 개시 온도 미만이면 열경화가 충분히 진행되지 않고, 접착층(2)의 강도나 열전도성이 저하되는 경향이 있고, 한편 상기 상한을 초과하면 경화 과정 중에 필름상 접착제 중의 에폭시 수지, 경화제나 첨가제 등이 휘발되어 발포하기 쉬워지는 경향이 있다. 또한, 상기 경화 처리의 시간으로서는 예를 들면 10∼180분간인 것이 바람직하고, 또한 상기 열경화에 있어서는 0.1∼10㎫ 정도의 압력을 가하는 것이 보다 바람직하다. 본 발명에 있어서는 상기 고열전도성 필름상 접착제를 열경화시킴으로써 우수한 파괴 강도 및 열전도율을 갖는 접착층(2)이 얻어지고, 배선 기판(5)과 반도체 소자(4)가 강고하게 접착된 반도체 패키지를 얻을 수 있다.Next, in the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention, as the fourth step, the high thermal conductive film adhesive is thermally cured. The temperature of the thermosetting is not particularly limited as long as it is not lower than the thermosetting initiation temperature of the adhesive on the high thermal conductive film and varies depending on the type of the resin to be used. More preferably 120 to 130 캜. If the temperature is lower than the thermosetting initiation temperature, the thermosetting does not proceed sufficiently and the strength and thermal conductivity of the adhesive layer 2 tend to be lowered. On the other hand, if the temperature is above the upper limit, the epoxy resin, Additives and the like are volatilized and tend to foam easily. In addition, the time for the curing treatment is preferably 10 to 180 minutes, and in the case of the thermosetting, it is more preferable to apply a pressure of about 0.1 to 10 MPa. In the present invention, the adhesive layer 2 having excellent breakdown strength and thermal conductivity is obtained by thermally curing the adhesive on the high thermal conductive film, and a semiconductor package in which the wiring board 5 and the semiconductor element 4 are firmly bonded can be obtained have.

이어서, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서는 도 2d에 나타낸 바와 같이 배선 기판(5)과 반도체 소자(4)를 본딩 와이어(6)를 통해 접속하는 것이 바람직하다. 이러한 접속 방법으로서는 특별히 제한되지 않고, 종래 공지의 방법, 예를 들면 와이어 본딩 방식의 방법, TAB(Tape Automated Bonding) 방식의 방법 등을 적당히 채용할 수 있다.Next, in the method of manufacturing the semiconductor package of the present invention, it is preferable that the wiring board 5 and the semiconductor element 4 are connected via the bonding wire 6 as shown in Fig. 2D. Such a connection method is not particularly limited, and conventionally known methods such as a wire bonding method, a TAB (Tape Automated Bonding) method, and the like can be suitably employed.

이어서, 도 2e에 나타낸 바와 같이 밀봉 수지(7)에 의해 배선 기판(5)과 반도체 소자(4)를 밀봉하는 것이 바람직하고, 이렇게 해서 반도체 패키지(8)를 얻을 수 있다. 밀봉 수지(7)로서는 특별히 제한되지 않고, 반도체 패키지의 제조에 사용할 수 있는 적당히 공지의 밀봉 수지를 사용할 수 있다. 또한, 밀봉 수지(7)를 사용하는 방법으로서도 특별히 제한되지 않고, 적당히 공지의 방법을 채용하는 것이 가능하다.2E, it is preferable to seal the wiring board 5 and the semiconductor element 4 with the sealing resin 7. Thus, the semiconductor package 8 can be obtained. The sealing resin 7 is not particularly limited, and a sealing resin suitably known for use in the production of a semiconductor package can be used. Also, the method of using the sealing resin 7 is not particularly limited, and a known method can be employed appropriately.

이러한 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 의하면 웨이퍼(1)와의 계면 및 배선 기판(5) 상의 요철을 고열전도성 필름상 접착제로 이루어지는 접착제층(2)에 의해 메워넣을 수 있기 때문에 웨이퍼(1)와 접착제층(2) 사이 및 배선 기판(5)과 반도체 소자(4) 사이에 공간을 발생시키는 일 없이 반도체 소자(4)를 배선 기판(5)에 고정할 수 있다. 또한, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서는 상기 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제용 조성물을 사용한 고열전도성 필름상 접착제를 사용하고 있기 때문에 가공 블레이드의 마모율을 적게 할 수 있다. 또한, 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 반도체 패키지는 접착층에 사용하고 있는 고열전도성 필름상 접착제가 경화 후에 우수한 열전도성을 발휘하기 때문에 패키지 외부로의 방열 효율이 높다.According to the manufacturing method of the semiconductor package of the present invention, since the interface with the wafer 1 and the irregularities on the wiring board 5 can be filled with the adhesive layer 2 made of the adhesive on the high thermal conductive film, The semiconductor element 4 can be fixed to the wiring board 5 without generating a space between the adhesive layers 2 and between the wiring board 5 and the semiconductor element 4. [ Further, in the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention, since the high thermal conductive film-like adhesive using the composition for an adhesive on a high thermal conductive film of the present invention is used, the abrasion rate of the processing blade can be reduced. In addition, the semiconductor package manufactured by the manufacturing method of the present invention exhibits excellent thermal conductivity after curing, so that the heat radiation efficiency to the outside of the package is high.

실시예Example

이하, 실시예 및 비교예에 의거해서 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 실시예 및 비교예에 있어서 열전도율, 용융 점도 및 가공 블레이드 마모율은 각각 이하에 나타내는 방법에 의해 측정했다.Hereinafter, the present invention will be described more specifically based on examples and comparative examples, but the present invention is not limited to the following examples. In each of the examples and comparative examples, the thermal conductivity, the melt viscosity, and the processing blade wear rate were measured by the methods shown below.

(열전도율의 측정)(Measurement of thermal conductivity)

얻어진 필름상 접착제를 1변 50㎜ 이상의 사각편으로 절취하고, 두께가 5㎜ 이상이 되도록 절취한 시료를 적층하고, 지름 50㎜, 두께 5㎜의 원반상 금형 상에 두고, 압축 프레스 성형기를 사용해서 온도 150℃, 압력 2㎫에 있어서 10분간 가열하여 인출한 후 건조기 중에 있어서 온도 180℃에서 1시간 더 가열함으로써 필름상 접착제를 열경화시켜 지름 50㎜, 두께 5㎜의 원반상 시험편을 얻었다. 이 시험편에 대해서 열전도율 측정 장치(상품명:HC-110, 에코 세이키(주)제)를 사용해서 열류계법(JIS-A1412에 준거)에 의해 열전도율(W/(m·K))을 측정했다.The obtained film-like adhesive was cut into square pieces of 50 mm or more on one side, and samples cut to a thickness of 5 mm or more were laminated and placed on a disk-shaped mold having a diameter of 50 mm and a thickness of 5 mm, And heated at a temperature of 150 DEG C under a pressure of 2 MPa for 10 minutes to be drawn out, and then heated at 180 DEG C for one hour in a dryer to thermally cure the film-like adhesive to obtain a disk-shaped specimen having a diameter of 50 mm and a thickness of 5 mm. The thermal conductivity (W / (m · K)) of the test piece was measured by a heat flow method (according to JIS-A1412) using a thermal conductivity measuring apparatus (trade name: HC-110, manufactured by Eco Seiki Co., Ltd.).

(용융 점도의 측정)(Measurement of melt viscosity)

얻어진 필름상 접착제를 2.5×2.5㎝ 사이즈로 절취하고, 진공 라미네이터 장치(상품명:MVLP-500, (주)메이키 세이사쿠쇼제)를 사용해서 온도 50℃, 압력 0.3㎫, 부착 시간 10초간의 조건으로 필름상 접착제를 300㎛의 두께까지 적층해서 부착시킨 시험편을 얻었다. 이 시험편에 대해서 레오미터(RS150, Haake사제)를 사용하여 온도 범위 20∼100℃, 승온 속도 10℃/min에서의 점성 저항의 변화를 측정하고, 얻어진 온도-점성 저항 곡선으로부터 80℃에 있어서의 용융 점도(㎩·s)를 산출했다.The obtained film-like adhesive was cut into a size of 2.5 x 2.5 cm and subjected to a heat treatment under the conditions of a temperature of 50 ° C, a pressure of 0.3 MPa, and an adhering time of 10 seconds using a vacuum laminator apparatus (trade name: MVLP-500, manufactured by Meiji Seisakusho Co., To obtain a test piece in which an adhesive agent in film form was laminated to a thickness of 300 mu m. The test piece was measured for a change in viscosity resistance at a temperature rage of 20 to 100 占 폚 and a temperature raising rate of 10 占 폚 / min using a rheometer (RS150, manufactured by Haake Co.) The melt viscosity (Pa 占 퐏) was calculated.

(가공 블레이드 마모율의 측정)(Measurement of abrasion rate of the processing blade)

우선 얻어진 필름상 접착제를 메뉴얼 라미네이터(상품명:FM-114, 테크노 비전사제)를 사용해서 온도 70℃, 압력 0.3㎫에 있어서 더미 실리콘 웨이퍼(8인치 사이즈, 두께 100㎛)로 부착시키고, 이어서 동 메뉴얼 라미네이터를 사용해서 실온, 압력 0.3㎫에 있어서 필름상 접착제의 더미 실리콘 웨이퍼와 반대의 면측에 다이싱 테이프(상품명:G-11, 린텍(주)제) 및 다이싱 프레임(상품명:DTF2-8-1H001, DISCO사제)을 부착시켜 시험편으로 했다. 이 시험편에 대해서 2축의 다이싱 블레이드(Z1:NBC-ZH2030-SE(DD), DISCO사제/Z2:NBC-ZH127F-SE(BB), DISCO사제)가 설치된 다이싱 장치(상품명:DFD-6340, DISCO사제)로 3.0×3.0㎜ 사이즈로 다이싱을 실시했다. 다이싱 전(가공 전)과 20m 컷트 시점(가공 후)에 있어서 셋업을 실시하고, 비접촉식(레이저식)에 의해 블레이드 날끝 돌출량을 측정하고, 가공 후에 있어서의 블레이드 마모량(가공 전의 블레이드 날끝 돌출량-가공 후의 블레이드 날끝 돌출량)을 산출했다. 이 마모량으로부터 이하 식:First, the obtained film-like adhesive was attached to a dummy silicon wafer (8 inch size, thickness: 100 mu m) at a temperature of 70 DEG C and a pressure of 0.3 MPa using a manual laminator (trade name: FM-114, manufactured by Techno Vision) A dicing tape (trade name: G-11, manufactured by Lintec Corporation) and a dicing frame (trade name: DTF2-8-8) were laminated on the side opposite to the dummy silicon wafer of the film- 1H001, manufactured by DISCO Co., Ltd.) was attached to the test piece. A dicing machine (trade name: DFD-6340, manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.) equipped with a biaxial dicing blade (Z1: NBC-ZH2030-SE (DD), manufactured by DISCO / Z2: NBC-ZH127F- Manufactured by DISCO Co., Ltd.) was diced into a size of 3.0 x 3.0 mm. The set up was carried out before the dicing (before machining) and after the 20m cut point (after machining), and the blade edge extrusion amount was measured by non-contact type (laser type). The blade wear amount after machining - the projected amount of blade edge after machining). From this wear amount,

가공 블레이드 마모율(%)=(가공 후의 블레이드 마모량)÷(가공 전의 블레이드 날끝 돌출량)×100(%) = (Blade wear amount after machining) / (blade blade end projecting amount before machining) x 100

에 의해 가공 블레이드 마모율(%)을 산출했다.To calculate the abrasion rate (%) of the processing blade.

(실시예 1)(Example 1)

우선 트리페닐메탄형 에폭시 수지(상품명:EPPN-501H, 중량 평균 분자량:1000, 연화점:55℃, 고체, 에폭시 당량:167, 니혼 카야쿠(주)제) 55질량부, 비스페놀A형 에폭시 수지(상품명:YD-128, 중량 평균 분자량:400, 연화점:25℃ 이하, 액체, 에폭시 당량:190, 신닛카 에폭시 세이조(주)제) 49질량부 및 비스페놀A/F형 페녹시 수지(상품명:YP-70, 중량 평균 분자량:55000, Tg:70℃, 신닛카 에폭시 세이조(주)제) 30질량부를 칭량하고, 91질량부의 메틸이소부틸케톤(MIBK)을 용매로서 500ml의 세퍼러블 플라스크 중에 있어서 온도 110℃에서 2시간 가열 교반하여 수지 바니시를 얻었다. 이어서, 이 수지 바니시 225질량부를 800ml의 플래니터리 믹서에 옮기고, 질화 알루미늄(상품명:H 그레이드, 평균 입경 1.1㎛, 모스 경도 8, 열전도율 200W/(m·K), (주)토쿠야마제) 355질량부, 이미다졸형 경화제(상품명:2PHZ-PW, 시코쿠 카세이(주)제) 9질량부를 첨가해서 실온에 있어서 1시간 교반 혼합한 후 진공 탈포해서 혼합 바니시를 얻었다. 이어서, 얻어진 혼합 바니시를 두께 50㎛의 이형 처리된 PET 필름 상에 도포해서 가열 건조(100℃에서 10분간 유지)하고, 두께가 20㎛인 필름상 접착제를 얻었다. 얻어진 필름상 접착제의 용융 점도 및 가공 블레이드 마모율 및 열경화 후의 열전도율을 측정했다. 얻어진 결과를 필름상 접착제의 조성과 함께 표 1에 나타낸다.55 parts by mass of a triphenylmethane type epoxy resin (trade name: EPPN-501H, weight average molecular weight: 1000, softening point: 55 캜, solid, epoxy equivalent: 167, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), bisphenol A type epoxy resin (Trade name: YD-128, weight average molecular weight: 400, softening point: 25 占 폚 or less, liquid, epoxy equivalent: 190, Shin-Nika Epoxy Seizo Co., Ltd.) and bisphenol A / F phenoxy resin 30 parts by mass of YP-70, a weight average molecular weight of 55,000, a Tg of 70 占 폚, and Shin-Nikka Epoxy Seizo Co., Ltd. were weighed and 91 parts by mass of methyl isobutyl ketone (MIBK) And the mixture was heated and stirred at a temperature of 110 DEG C for 2 hours to obtain a resin varnish. Subsequently, 225 parts by mass of the resin varnish was transferred to an 800 ml planetary mixer, and aluminum nitride (trade name: H grade, average particle diameter 1.1 mu m, Mohs hardness 8, thermal conductivity 200W / (mK) And 9 parts by mass of an imidazole-type curing agent (trade name: 2PHZ-PW, manufactured by Shikoku Kasei Corporation) were added to the mixture, and the mixture was stirred and mixed at room temperature for 1 hour, followed by defoaming under vacuum to obtain a mixed varnish. Subsequently, the obtained mixed varnish was coated on a mold releasing treated PET film having a thickness of 50 탆 and heated and dried (maintained at 100 캜 for 10 minutes) to obtain a film-like adhesive having a thickness of 20 탆. The melt viscosities of the obtained film-like adhesives, the rate of abrasion of the processed blades and the thermal conductivity after heat curing were measured. The obtained results are shown in Table 1 together with the composition of the film-like adhesive.

(실시예 2)(Example 2)

질화 알루미늄(상품명:H 그레이드, 평균 입경 1.1㎛, 모스 경도 8, 열전도율 200W/(m·K), (주)토쿠야마제)의 사용량을 489질량부로 바꾼 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 필름상 접착제를 얻었다. 얻어진 필름상 접착제에 대해서 실시예 1과 마찬가지의 측정을 행했다. 얻어진 결과를 필름상 접착제의 조성과 함께 표 1에 나타낸다.Except that the amount of aluminum nitride (trade name: H grade, average particle diameter 1.1 mu m, Mohs hardness 8, thermal conductivity 200 W / (m · K), manufactured by Tokuyama Co., Ltd.) was changed to 489 parts by mass, An adhesive was obtained. The obtained film-like adhesive agent was measured in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1 together with the composition of the film-like adhesive.

(실시예 3)(Example 3)

질화 알루미늄(상품명:H 그레이드, 평균 입경 1.1㎛, 모스 경도 8, 열전도율 200W/(m·K), (주)토쿠야마제)의 사용량을 267질량부로 바꾼 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 필름상 접착제를 얻었다. 얻어진 필름상 접착제에 대해서 실시예 1과 마찬가지의 측정을 행했다. 얻어진 결과를 필름상 접착제의 조성과 함께 표 1에 나타낸다.Except that the amount of aluminum nitride (trade name: H grade, average particle size 1.1 mu m, Mohs hardness 8, thermal conductivity 200 W / (m · K), manufactured by Tokuyama Co., Ltd.) was changed to 267 parts by mass, An adhesive was obtained. The obtained film-like adhesive agent was measured in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1 together with the composition of the film-like adhesive.

(실시예 4)(Example 4)

트리페닐메탄형 에폭시 수지(상품명:EPPN-501H, 중량 평균 분자량:1000, 연화점:55℃, 고체, 에폭시 당량:167, 니혼 카야쿠(주)제)를 크레졸노볼락형 에폭시 수지(상품명:ECON-1020-80, 중량 평균 분자량:1200, 연화점:80℃, 고체, 에폭시 당량:200, 니혼 카야쿠(주)제)로 바꾼 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 필름상 접착제를 얻었다. 얻어진 필름상 접착제에 대해서 실시예 1과 마찬가지의 측정을 행했다. 얻어진 결과를 필름상 접착제의 조성과 함께 표 1에 나타낸다.A cresol novolak type epoxy resin (trade name: ECON (trade name): EPPN-501H, weight average molecular weight: 1000, softening point: 55 캜, solid, epoxy equivalent: 167, manufactured by Nippon Kayaku Co., -1020-80, weight average molecular weight: 1200, softening point: 80 占 폚, solid, epoxy equivalent: 200, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.). The obtained film-like adhesive agent was measured in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1 together with the composition of the film-like adhesive.

(실시예 5)(Example 5)

트리페닐메탄형 에폭시 수지(상품명:EPPN-501H, 중량 평균 분자량:1000, 연화점:55℃, 고체, 에폭시 당량:167, 니혼 카야쿠(주)제)를 비스페놀A형 에폭시 수지(상품명:YD-011, 중량 평균 분자량:1000, 연화점:70℃, 고체, 에폭시 당량:450, 신닛카 에폭시 세이조(주)제)로 바꾼 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 필름상 접착제를 얻었다. 얻어진 필름상 접착제에 대해서 실시예 1과 마찬가지의 측정을 행했다. 얻어진 결과를 필름상 접착제의 조성과 함께 표 1에 나타낸다.(Manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) with a bisphenol A type epoxy resin (product name: EPPN-501H, weight average molecular weight: 1000, softening point: 55 캜, solid, epoxy equivalent: Film adhesive agent was obtained in the same manner as in Example 1, except that the weight average molecular weight (Mw): 011, the weight average molecular weight: 1000, the softening point: 70 占 폚, the solid content, the epoxy equivalent: 450, Shin-Nika Epoxy Seizo Co., The obtained film-like adhesive agent was measured in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1 together with the composition of the film-like adhesive.

(실시예 6)(Example 6)

질화 알루미늄(상품명:5.0㎛ 질화 알루미늄, 평균 입경 5.0㎛, 모스 경도 8, 열전도율 200W/(m·K), (주)토쿠야마제)의 사용량을 355질량부로 바꾼 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 필름상 접착제를 얻었다. 얻어진 필름상 접착제에 대해서 실시예 1과 마찬가지의 측정을 행했다. 얻어진 결과를 필름상 접착제의 조성과 함께 표 1에 나타낸다.Except that the amount of aluminum nitride (trade name: 5.0 占 퐉 aluminum nitride, average particle size 5.0 占 퐉, Mohs hardness 8, thermal conductivity 200 W / (m 占)), manufactured by Tokuyama Co., Ltd.) was changed to 355 parts by mass To obtain a film-like adhesive. The obtained film-like adhesive agent was measured in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1 together with the composition of the film-like adhesive.

(실시예 7)(Example 7)

질화 알루미늄(상품명:5.0㎛ 질화 알루미늄, 평균 입경 5.0㎛, 모스 경도 8, 열전도율 200W/(m·K), (주)토쿠야마제)의 사용량을 489질량부로 바꾼 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 필름상 접착제를 얻었다. 얻어진 필름상 접착제에 대해서 실시예 1과 마찬가지의 측정을 행했다. 얻어진 결과를 필름상 접착제의 조성과 함께 표 1에 나타낸다.Except that the amount of aluminum nitride (trade name: 5.0 탆 aluminum nitride, average particle size 5.0 탆, Mohs hardness 8, thermal conductivity 200 W / (m K), manufactured by Tokuyama Co., Ltd.) was changed to 489 mass parts To obtain a film-like adhesive. The obtained film-like adhesive agent was measured in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1 together with the composition of the film-like adhesive.

(실시예 8)(Example 8)

질화 알루미늄(상품명:5.0㎛ 질화 알루미늄, 평균 입경 5.0㎛, 모스 경도 8, 열전도율 200W/(m·K), (주)토쿠야마제)의 사용량을 267질량부로 바꾼 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 필름상 접착제를 얻었다. 얻어진 필름상 접착제에 대해서 실시예 1과 마찬가지의 측정을 행했다. 얻어진 결과를 필름상 접착제의 조성과 함께 표 1에 나타낸다.Except that the amount of aluminum nitride (trade name: 5.0 μm aluminum nitride, average particle diameter 5.0 μm, Mohs hardness 8, thermal conductivity 200 W / (m · K), manufactured by Tokuyama Co., Ltd.) was changed to 267 parts by mass To obtain a film-like adhesive. The obtained film-like adhesive agent was measured in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1 together with the composition of the film-like adhesive.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

질화 알루미늄(상품명:H 그레이드, 평균 입경 1.1㎛, 모스 경도 8, 열전도율 200W/(m·K), (주)토쿠야마제) 355질량부 대신에 원형 실리카(상품명:FB-3SDX, 평균 입경 3.0㎛, 모스 경도 7, 열전도율 1.0W/(m·K), 덴키 카가쿠고교(주)제)를 237질량부 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 필름상 접착제를 얻었다. 얻어진 필름상 접착제에 대해서 실시예 1과 마찬가지의 측정을 행했다. 얻어진 결과를 필름상 접착제의 조성과 함께 표 1에 나타낸다.(Trade name: FB-3SDX, average particle diameter: 3.0) was used in place of 355 parts by mass of aluminum nitride (trade name: H grade, average particle size 1.1 μm, Mohs hardness 8, thermal conductivity 200 W / (m · K) Film adhesive agent was obtained in the same manner as in Example 1, except that 237 parts by mass of polyvinyl alcohol (polyvinyl alcohol), Mohs hardness 7, thermal conductivity 1.0 W / (m 占)), and Denkikagaku Kogyo K.K. The obtained film-like adhesive agent was measured in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1 together with the composition of the film-like adhesive.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

질화 알루미늄(상품명:H 그레이드, 평균 입경 1.1㎛, 모스 경도 8, 열전도율 200W/(m·K), (주)토쿠야마제) 355질량부 대신에 산화 마그네슘(상품명:쿨 필러, 평균 입경 40㎛, 모스 경도 5.5, 열전도율 13W/(m·K), 타테호 카가쿠고교(주)제)을 385질량부 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 필름상 접착제를 얻었다. 얻어진 필름상 접착제에 대해서 실시예 1과 마찬가지의 측정을 행했다. 얻어진 결과를 필름상 접착제의 조성과 함께 표 1에 나타낸다.(Trade name: cool filler, average particle diameter 40 占 퐉) was used in place of 355 parts by mass of aluminum nitride (trade name: H grade, average particle size 1.1 占 퐉, Mohs hardness 8, thermal conductivity 200W / (m 占 K) , A Mohs hardness of 5.5, a thermal conductivity of 13 W / (m 占 K), and 385 parts by mass of Tethe Hokka Kogyo Kogyo Co., Ltd. was used. The obtained film-like adhesive agent was measured in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1 together with the composition of the film-like adhesive.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

질화 알루미늄(상품명:H 그레이드, 평균 입경 1.1㎛, 모스 경도 8, 열전도율 200W/(m·K), (주)토쿠야마제) 355질량부 대신에 원형 알루미나(상품명:AX3-15R, 평균 입경 3.0㎛, 모스 경도 9, 열전도율 36W/(m·K), 신닛테츠 마테리얼즈(주)제)를 409질량부 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 필름상 접착제를 얻었다. 얻어진 필름상 접착제에 대해서 실시예 1과 마찬가지의 측정을 행했다. 얻어진 결과를 필름상 접착제의 조성과 함께 표 1에 나타낸다.(Trade name: AX3-15R, average particle diameter: 3.0 mm) was used in place of 355 parts by mass of aluminum nitride (trade name: H grade, average particle size 1.1 m, Mohs hardness 8, thermal conductivity 200 W / (m · K) A filmy adhesive was obtained in the same manner as in Example 1 except that 409 parts by mass of a polyvinyl alcohol (polyvinyl alcohol), a polyvinyl alcohol (polyvinyl alcohol), a Mohs hardness of 9, a thermal conductivity of 36 W / (m 占.) The obtained film-like adhesive agent was measured in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1 together with the composition of the film-like adhesive.

(비교예 4)(Comparative Example 4)

질화 알루미늄(상품명:H 그레이드, 평균 입경 1.1㎛, 모스 경도 8, 열전도율 200W/(m·K), (주)토쿠야마제) 355질량부 대신에 질화 붕소(상품명:HP-01, 평균 입경 10㎛, 모스 경도 2, 열전도율 60W/(m·K), 미즈시마 고킨테츠(주)제)를 247질량부 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 필름상 접착제를 얻었다. 얻어진 필름상 접착제에 대해서 실시예 1과 마찬가지의 측정을 행했다. 얻어진 결과를 필름상 접착제의 조성과 함께 표 1에 나타낸다.Except that boron nitride (trade name: HP-01, average particle diameter: 10 mm) was used in place of 355 parts by mass of aluminum nitride (trade name: H grade, average particle size 1.1 μm, Mohs hardness 8, thermal conductivity 200 W / (m · K) Film adhesive agent was obtained in the same manner as in Example 1, except that 247 parts by mass of polyvinyl alcohol (polyvinylpyrrolidone), Mohs hardness 2, thermal conductivity 60 W / (m 占 K) and Mizushima Kintetsu K.K. The obtained film-like adhesive agent was measured in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1 together with the composition of the film-like adhesive.

Figure 112012021011811-pat00003
Figure 112012021011811-pat00003

표 1에 나타낸 결과로부터 명확한 바와 같이 실시예 1∼5에서 얻어진 고열전도성 필름상 접착제는 80℃에 있어서 충분히 낮은 용융 점도를 갖고, 가공 블레이드의 마모율이 충분히 작고, 또한 경화 후에 우수한 열전도성을 발휘하는 것이 확인되었다.As is clear from the results shown in Table 1, the high thermal conductive film-like adhesive obtained in Examples 1 to 5 had a sufficiently low melt viscosity at 80 占 폚, had a sufficiently low wear rate of the processing blade and exhibited excellent thermal conductivity after curing .

이상 설명한 바와 같이 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제용 조성물에 의하면 피도착체와의 밀착성이 우수하고, 가공 블레이드의 마모율이 충분히 작고, 또한 경화 후에 우수한 열전도성을 발휘하는 고열전도성 필름상 접착제를 얻는 것이 가능해진다.INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, according to the composition for an adhesive composition on a high thermal conductive film of the present invention, it is possible to obtain a high thermal conductive film-like adhesive excellent in adhesion to an object to be arrived, sufficiently low in abrasion rate of a processing blade, and exhibiting excellent thermal conductivity after curing Lt; / RTI >

또한, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 의하면 웨이퍼와의 계면이나 배선 기판 상의 요철을 본 발명의 고열전도성 필름상 접착제로 이루어지는 접착제층에 의해 메워넣을 수 있기 때문에 배선 기판과 반도체 소자 사이에 공간을 발생시키는 일 없이 반도체 소자를 배선 기판에 고정할 수 있고, 또한 가공 블레이드의 마모율을 적게 할 수 있다.Further, according to the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention, since the interface with the wafer and the irregularities on the wiring board can be filled with the adhesive layer made of the high heat conductive film-like adhesive of the present invention, a space It is possible to fix the semiconductor element to the wiring board without generating it, and the wear rate of the processing blade can be reduced.

또한, 본 발명의 반도체 패키지는 접착제층에 사용되어 있는 고열전도성 필름상 접착제가 경화 후에 우수한 열전도성을 발휘하기 때문에 패키지 외부로의 방열 효율이 높다.In addition, the semiconductor package of the present invention has high heat radiation efficiency to the outside of the package because the high heat conductive film-like adhesive used in the adhesive layer exerts excellent thermal conductivity after curing.

따라서, 본 발명은 반도체 패키지 내의 반도체 소자와 배선 기판 사이나 반도체 소자와 반도체 소자 사이를 접합하기 위한 기술로서 매우 유용하다.Therefore, the present invention is very useful as a technique for bonding between a semiconductor element in a semiconductor package and a wiring board, or between a semiconductor element and a semiconductor element.

1: 웨이퍼 2: 접착제층
3: 다이싱 테이프 4: 반도체 소자
5: 배선 기판 6: 본딩 와이어
7: 밀봉 수지 8: 반도체 패키지1: Wafer 2: Adhesive layer
3: Dicing tape 4: Semiconductor device
5: wiring board 6: bonding wire
7: sealing resin 8: semiconductor package

Claims (7)

에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 무기 충전제(C) 및 페녹시 수지(D)를 함유하고 있고, 상기 무기 충전제(C)는 하기 (ⅰ)∼(ⅲ):
(ⅰ) 평균 입경은 0.1∼5.0㎛,
(ⅱ) 모스 경도는 1∼8,
(ⅲ) 열전도율은 30W/(m·K) 이상의 전체 조건을 충족하고, 또한
상기 무기 충전제(C)의 함유량은 30∼70체적%이고,
상기 페녹시 수지(D)는 유리 전이 온도(Tg)가 40∼90℃인 것을 특징으로 하는 고열전도성 필름상 접착제용 조성물.(A), an epoxy resin curing agent (B), an inorganic filler (C) and a phenoxy resin (D)
(I) an average particle diameter of 0.1 to 5.0 mu m,
(Ii) the Mohs hardness is from 1 to 8,
(Iii) the thermal conductivity satisfies the total condition of 30 W / (mK) or more, and
The content of the inorganic filler (C) is 30 to 70% by volume,
Wherein the phenoxy resin (D) has a glass transition temperature (Tg) of 40 to 90 占 폚. 제 1 항에 있어서,
상기 에폭시 수지(A)는 하기 식(1)로 나타내어지는 트리페닐메탄형 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 고열전도성 필름상 접착제용 조성물.
Figure 112012021011811-pat00004

[식(1) 중 n은 0∼10의 정수를 나타낸다]The method according to claim 1,
Wherein the epoxy resin (A) is a triphenylmethane type epoxy resin represented by the following formula (1).
Figure 112012021011811-pat00004

[In the formula (1), n represents an integer of 0 to 10) 제 1 항에 있어서,
상기 무기 충전제(C)는 질화 알루미늄인 것을 특징으로 하는 고열전도성 필름상 접착제용 조성물.The method according to claim 1,
The composition for an adhesive on a high thermal conductive film, wherein the inorganic filler (C) is aluminum nitride. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 고열전도성 필름상 접착제용 조성물을 가열 건조함으로써 얻어지고, 두께가 10∼150㎛인 것을 특징으로 하는 고열전도성 필름상 접착제.A high heat conductive film-like adhesive obtained by heating and drying the composition for an adhesive on a high thermal conductive film according to any one of claims 1 to 3, and having a thickness of 10 to 150 m. 제 4 항에 있어서,
레오미터로 20℃로부터 10℃/분의 승온 속도로 가열했을 때에 관측되는 80℃에 있어서의 용융 점도는 10000㎩·s 이하이며,
열경화 후의 열전도율은 1.0W/(m·K) 이상인 것을 특징으로 하는 고열전도성 필름상 접착제.5. The method of claim 4,
The melt viscosity at 80 캜 as measured when heated from 20 캜 at a temperature raising rate of 10 캜 / minute by a rheometer is not more than 10,000 Pa ∙ s,
Wherein the thermal conductivity after heat curing is 1.0 W / (m 占 K) or more. 표면에 반도체 회로가 형성된 웨이퍼의 이면에 제 4 항에 기재된 고열전도성 필름상 접착제를 열압착해서 접착제층을 형성하는 제 1 공정과;
상기 웨이퍼와 다이싱 테이프를 상기 접착제층을 통해 접착한 후에 상기 웨이퍼와 상기 접착제층을 동시에 다이싱함으로써 상기 웨이퍼와 상기 접착제층을 구비하는 반도체 소자를 얻는 제 2 공정과;
상기 접착제층으로부터 상기 다이싱 테이프를 탈리하고, 상기 반도체 소자와 배선 기판을 상기 접착제층을 통해 열압착시키는 제 3 공정과;
상기 고열전도성 필름상 접착제를 열경화시키는 제 4 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.A first step of hot-pressing the high thermal conductive film-based adhesive according to claim 4 onto a back surface of a wafer having a surface on which a semiconductor circuit is formed to form an adhesive layer;
A second step of dicing the wafer and the adhesive layer simultaneously after bonding the wafer and the dicing tape through the adhesive layer to obtain a semiconductor element including the wafer and the adhesive layer;
A third step of removing the dicing tape from the adhesive layer and thermally bonding the semiconductor element and the wiring board through the adhesive layer;
And a fourth step of thermally curing the adhesive on the high thermal conductive film. 제 6 항에 기재된 반도체 패키지의 제조 방법에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
A semiconductor package obtained by the method for manufacturing a semiconductor package according to claim 6.
KR1020120026596A 2011-03-16 2012-03-15 Highly heat conductive film-shaped adhesive composition, highly heat conductive film-shaped adhesive and method for producing semiconductor package by using the highly heat conductive film-shaped adhesive KR101856557B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011057694 2011-03-16
JPJP-P-2011-057694 2011-03-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120106623A KR20120106623A (en) 2012-09-26
KR101856557B1 true KR101856557B1 (en) 2018-05-10

Family

ID=46808671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120026596A KR101856557B1 (en) 2011-03-16 2012-03-15 Highly heat conductive film-shaped adhesive composition, highly heat conductive film-shaped adhesive and method for producing semiconductor package by using the highly heat conductive film-shaped adhesive

Country Status (4)

Country Link
JP (2) JP5871428B2 (en)
KR (1) KR101856557B1 (en)
CN (1) CN102676105B (en)
TW (1) TWI553077B (en)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6033734B2 (en) * 2013-04-30 2016-11-30 日東電工株式会社 Film adhesive, dicing tape integrated film adhesive, and method for manufacturing semiconductor device
JP6366228B2 (en) * 2013-06-04 2018-08-01 日東電工株式会社 Adhesive sheet and dicing die bonding film
JP2015005636A (en) * 2013-06-21 2015-01-08 日東電工株式会社 Dicing/die-bonding film
JP6505362B2 (en) * 2013-11-21 2019-04-24 日東電工株式会社 Thermosetting die bonding film, die bonding film with dicing sheet, method of manufacturing thermosetting die bonding film, and method of manufacturing semiconductor device
JP2015103578A (en) * 2013-11-21 2015-06-04 日東電工株式会社 Thermosetting die bond film, die bond film with dicing sheet and method for manufacturing semiconductor device
CN105308121B (en) 2013-06-25 2018-09-18 味之素株式会社 Resin composition
JP2015103649A (en) * 2013-11-25 2015-06-04 日東電工株式会社 Thermosetting die bond film, die bond film with dicing sheet, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device
JP6379389B2 (en) * 2014-12-15 2018-08-29 リンテック株式会社 Dicing die bonding sheet
JP6540259B2 (en) * 2015-06-18 2019-07-10 Dic株式会社 Epoxy resin composition for heat conductive material, cured product thereof and electronic member
EP3315573B1 (en) * 2015-06-29 2023-02-15 Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd. Heat dissipation material adhering composition, heat dissipation material having adhesive, inlay substrate, and method for manufacturing same
KR102042516B1 (en) * 2016-03-15 2019-11-13 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 The composition for film adhesives, the film adhesive, the manufacturing method of a film adhesive, the semiconductor package using a film adhesive, and its manufacturing method
US20190144660A1 (en) * 2016-05-11 2019-05-16 Hitachi Chemical Company, Ltd. Liquid resin composition for sealing and electronic component device
KR102257668B1 (en) * 2016-06-10 2021-05-31 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 Adhesive film and dicing die-bonding integrated film
KR102019468B1 (en) 2016-11-29 2019-09-06 주식회사 엘지화학 Adhesive film for semiconductor device and semiconductor device
JP6615150B2 (en) * 2017-05-01 2019-12-04 古河電気工業株式会社 Adhesive film, semiconductor wafer processing tape, semiconductor package, and manufacturing method thereof
JPWO2019013299A1 (en) * 2017-07-14 2020-06-18 富士フイルム株式会社 Heat conductive material, device with heat conductive layer, composition for forming heat conductive material, liquid crystalline discotic compound
JP6889398B2 (en) * 2017-07-20 2021-06-18 昭和電工マテリアルズ株式会社 Heat dissipation die bonding film and dicing die bonding film
EP3680300A4 (en) * 2017-09-04 2021-06-09 Toagosei Co., Ltd. Composition for powder coating materials and coated article
JP6800129B2 (en) 2017-11-07 2020-12-16 古河電気工業株式会社 Manufacturing method of semiconductor package using film-like adhesive and film-like adhesive
JP7157511B2 (en) * 2018-04-19 2022-10-20 株式会社ディスコ Cutting device and cutting blade detection method
SG11202105806TA (en) 2019-08-22 2021-06-29 Furukawa Electric Co Ltd Adhesive composition, film-like adhesive and production method thereof, and semiconductorpackage using film-like adhesive and production method thereof
JP6863435B2 (en) * 2019-10-30 2021-04-21 味の素株式会社 Manufacturing method of adhesive sheet with protective film
CN111019578B (en) * 2019-12-26 2022-04-12 深圳德邦界面材料有限公司 Epoxy resin heat-conducting adhesive sheet and preparation method thereof
JP6902641B1 (en) * 2020-03-13 2021-07-14 古河電気工業株式会社 A dicing die attach film, a semiconductor package using the dicing die attach film, and a method for manufacturing the same.
KR20220157370A (en) * 2020-04-01 2022-11-29 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 Adhesive for semiconductor, semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102655890B1 (en) * 2020-07-30 2024-04-11 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 Adhesive composition, film-type adhesive, semiconductor package using film-type adhesive, and method of manufacturing the same
CN114774047A (en) * 2022-05-18 2022-07-22 江苏斯迪克新材料科技股份有限公司 Flexible heat-conducting glue composition and preparation method thereof
WO2024181168A1 (en) * 2023-02-28 2024-09-06 古河電気工業株式会社 Composition for thermally conductive adhesives and method for producing same, thermally conductive film-like adhesive, and semiconductor package using thermally conductive film-like adhesive and method for producing same
CN118448331B (en) * 2024-07-05 2024-10-15 武汉新芯集成电路股份有限公司 Carrier film, wafer cutting device and wafer cutting method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004339371A (en) * 2003-05-15 2004-12-02 Nippon Kayaku Co Ltd Epoxy resin composition and cured product thereof
CN101362926A (en) 2003-06-06 2009-02-11 日立化成工业株式会社 Adhesive sheet, dicing tape intergrated type adhesive sheet, and semiconductor device producing method
JP2010205498A (en) * 2009-03-02 2010-09-16 Sekisui Chem Co Ltd Insulating sheet, and laminated structure
JP2010254763A (en) * 2009-04-22 2010-11-11 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive composition, method for manufacturing the same, adhesive sheet using this, integrated sheet, method for manufacturing the same, and semiconductor device and method for manufacturing the same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5965269A (en) * 1995-04-04 1999-10-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive, adhesive film and adhesive-backed metal foil
TWI300083B (en) * 2003-04-25 2008-08-21 Mitsui Chemicals Inc Epoxy resin and its usage
JP4493929B2 (en) * 2003-05-01 2010-06-30 新日鐵化学株式会社 Adhesive film for coating electronic components
JP4816871B2 (en) * 2004-04-20 2011-11-16 日立化成工業株式会社 Adhesive sheet, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device
JP2007270125A (en) * 2006-03-08 2007-10-18 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive sheet, integrated sheet, semiconductor device, and method for producing the semiconductor device
JP4893046B2 (en) * 2006-03-22 2012-03-07 東レ株式会社 Adhesive composition for electronic equipment and adhesive sheet for electronic equipment using the same
JP5524465B2 (en) * 2007-10-24 2014-06-18 日立化成株式会社 Adhesive sheet, semiconductor device using the same, and manufacturing method thereof
JP5345313B2 (en) * 2007-12-19 2013-11-20 新日鉄住金化学株式会社 Film adhesive, semiconductor package using the same, and manufacturing method thereof
JP4495768B2 (en) * 2008-08-18 2010-07-07 積水化学工業株式会社 Insulating sheet and laminated structure
TWI431090B (en) * 2010-04-07 2014-03-21 Furukawa Electric Co Ltd Wafer processing tape

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004339371A (en) * 2003-05-15 2004-12-02 Nippon Kayaku Co Ltd Epoxy resin composition and cured product thereof
CN101362926A (en) 2003-06-06 2009-02-11 日立化成工业株式会社 Adhesive sheet, dicing tape intergrated type adhesive sheet, and semiconductor device producing method
JP2010205498A (en) * 2009-03-02 2010-09-16 Sekisui Chem Co Ltd Insulating sheet, and laminated structure
JP2010254763A (en) * 2009-04-22 2010-11-11 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive composition, method for manufacturing the same, adhesive sheet using this, integrated sheet, method for manufacturing the same, and semiconductor device and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016129231A (en) 2016-07-14
JP2012207222A (en) 2012-10-25
TWI553077B (en) 2016-10-11
KR20120106623A (en) 2012-09-26
TW201239056A (en) 2012-10-01
CN102676105A (en) 2012-09-19
JP6005309B2 (en) 2016-10-12
JP5871428B2 (en) 2016-03-01
CN102676105B (en) 2016-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101856557B1 (en) Highly heat conductive film-shaped adhesive composition, highly heat conductive film-shaped adhesive and method for producing semiconductor package by using the highly heat conductive film-shaped adhesive
US11139261B2 (en) Film-like adhesive and method for producing semiconductor package using film-like adhesive
KR101704891B1 (en) Composition for film adhesives, method for producing same, film adhesive, semiconductor package using film adhesive and method for manufacturing semiconductor package using film adhesive
KR101856914B1 (en) Film adhesive, semiconductor package using film adhesive and method for manufacturing same
TWI699419B (en) Composition for film adhesive, film adhesive, method of manufacturing film adhesive, semiconductor package using film adhesive, and method of manufacturing the same
KR101023844B1 (en) Adhesive resin composition, adhesive film, dicing die bonding film and semiconductor device using the same
JP2014015490A (en) Encapsulation resin sheet, manufacturing method of electronic component package, and electronic component package
CN107039360B (en) Sheet for sealing hollow electronic device and method for manufacturing hollow electronic device package
TW201541577A (en) Manufacturing method of electronic component package
KR20150136513A (en) Sealing sheet, production method for sealing sheet, and production method for electronic component package
JP6662074B2 (en) Adhesive film
TWI758489B (en) Resin composition and resin sheet
WO2023152837A1 (en) Film-form adhesive, dicing and die-bonding two-in-one film, semiconductor device, and method for manufacturing same
CN106206470B (en) Sheet for sealing hollow electronic device, package, and method for manufacturing package
KR102561428B1 (en) Method for producing thermosetting resin composition, film adhesive, adhesive sheet and semiconductor device
JP6677966B2 (en) Sealing sheet with separator and method of manufacturing semiconductor device
JP6630861B2 (en) Sealing sheet with separator and method of manufacturing semiconductor device
US20240084172A1 (en) Adhesive composition, film adhesive, and semiconductor package using film adhesive and producing method thereof
WO2022186285A1 (en) Film adhesive, integrated dicing/die bonding film, semiconductor device, and method for producing semiconductor device
JP4879073B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
WO2015072378A1 (en) Sealing resin sheet and method for producing electronic component package
JP7257731B2 (en) resin sheet
TW202313910A (en) Composition for adhesive agent, film-like adhesive agent, semiconductor package using film-like adhesive agent, and production method therefor
KR20240090161A (en) Film-like adhesive, integrated dicing/die bonding film, and semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2015126130A (en) Method of manufacturing electronic component package

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant