KR100598988B1 - 오버레이 버니어 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법 - Google Patents
오버레이 버니어 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100598988B1 KR100598988B1 KR1020050041819A KR20050041819A KR100598988B1 KR 100598988 B1 KR100598988 B1 KR 100598988B1 KR 1020050041819 A KR1020050041819 A KR 1020050041819A KR 20050041819 A KR20050041819 A KR 20050041819A KR 100598988 B1 KR100598988 B1 KR 100598988B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pattern
- overlay vernier
- real cell
- overlapping
- overlay
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 claims description 6
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
본 발명에 따른 오버레이 버니어는, 리얼셀 내에 배치되는 패턴의 레이아웃과 동일한 레이아웃을 갖는 오버레이 버니어 패턴을 포함한다. 즉 하부 레이어로서 리얼셀 내의 하부 레이어 패턴과 함께 동일한 레이아웃의 하부 오버레이 버니어 패턴을 스크라이브 라인 영역 내에 형성하고, 상부 레이어로서 리얼셀 내의 상부 레이어 패턴과 함께 동일한 레이아웃의 상부 오버레이 버니어 패턴을 스크라이브 라인 영역 내에 형성한다. 이와 같이 리얼셀 내의 패턴과 동일한 레이아웃을 갖는 하부 오버레이 버니어 패턴과 상부 오버레이 버니어 패턴의 중첩정도를 이용하여 리얼셀 내의 하부 레이어 패턴과 상부 레이어 패턴을 정확하게 정렬시킬 수 있다.
정렬, 오버레이 버니어, 미스얼라인
Description
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 오버레이 버니어를 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 오버레이 버니어를 이용한 반도체소자의 제조방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 플로차트이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 오버레이 버니어를 이용한 반도체소자의 제조방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 플로차트이다.
본 발명은 웨이퍼상의 하부 레이어와 상부 레이어 사이의 정렬을 위한 오버레이 버니어 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 적층구조의 반도체소자의 제조시에는 이전 공정에서 형성시킨 레이어와 현재 공정에서 형성시키는 레이어 사이의 정렬 상태를 파악 및 보정하기 위하여 오버레이 버니어(overlay vernier)를 웨이퍼 상에 리얼패턴과 함께 형성한다. 즉 리얼셀(real cell)의 하부 레이어 패턴 형성과 함께 하부 오버레이 버니어 패턴을 형성하고, 리얼셀의 상부 레이어 패턴 형성과 함께 상부 오버레이 버니어 패턴을 형성한다. 그리고 상부 레이어 패턴과 하부 레이어 패턴의 중첩 정도를 하부 오버레이 버니어 패턴과 상부 오버레이 버니어 패턴을 이용하여 파악한다. 이와 같은 오버레이 버니어 패턴은, 통상적으로 다이(die)의 분할을 위한 스크라이브라인(scribe line) 내에 위치되도록 하며, 리얼셀의 패턴 레이아웃보다는 상대적으로 간단한 특정 레이아웃, 예컨대 박스(box) 모양의 레이아웃이나 바(bar) 모양의 레이아웃, 또는 홀을 나타내는 레이아웃을 갖는다.
그런데 이와 같이 오버레이 버니어 패턴의 레이아웃과 리얼셀의 패턴 레이아웃과 상이함에 따라 여러 가지 문제점들이 발생한다. 예를 들면 적층공정, 예컨대 물리적기상증착법을 사용한 적층공정을 수행하거나 또는 열공정을 수행하는 경우, 리얼셀에서의 상하부 패턴들 사이의 정렬에 관한 정보와 상부 및 하부 오버레이 버니어 패턴의 정렬에 관한 정보가 일치하지 않는 경우가 발생할 수 있다. 보다 구체적으로 설명하면, 오버레이 버니어 패턴의 측면 기울기가 비대칭인 경우, 적층공정을 수행하더라도 오버레이 버니어 패턴의 측면에서 적층되는 막의 두께가 상이해지고, 이로 인하여 리얼셀 내의 패턴 정렬에 관한 정보와 오버레이 버니어의 정렬에 관한 정보가 일치하지 않게 된다. 따라서 오버레이 버니어의 정렬에 관한 정보를 피드백하여 적절한 보정이 이루어지더라도 리얼셀에서는 미스얼라인을 피할 수 없게 된다. 이와 같은 문제는 특히 오버레이 버니어 패턴의 측면 기울기의 비대칭성이 상대적으로 더 심한 웨이퍼의 가장자리에서 심하게 발생한다.
다른 예로서, 노광공정시 수차가 큰 스캐너/스테퍼를 사용하는 경우, 리얼셀 에서의 패턴의 정렬에 관한 정보와 오버레이 버니어의 정렬에 관한 정보가 일치하지 않는 경우가 발생할 수 있다. 보다 구체적으로 스캐너/스테퍼에서 사용되는 렌즈는 수차를 갖는 것이 일반적인데, 이 렌즈의 수차로 인하여 리얼셀로 입사되는 광궤적과 오버레이 버니어로 입사되는 광궤적이 서로 다르다. 따라서 하부 레이어의 오버레이 버니어와 상부 레이어의 오버레이 버니어가 정확하게 중첩되더라도, 리얼셀의 하부 레이어 패턴과 상부 레이어 패턴 사이에는 미스얼라인이 발생하게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 오버레이 버니어의 정렬 정보와 리얼셀 내의 패턴의 정렬 정보가 일치하지 않는 현상이 발생되지 않도록 하여 리얼셀 내의 패턴이 정확하게 정렬될 수 있도록 하는 오버레이 버니어를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 이와 같은 오버레이 버니어를 이용하여 반도체소자를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 오버레이 버니어는, 리얼셀 내에 배치되는 패턴의 레이아웃과 동일한 레이아웃을 갖는 오버레이 버니어 패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 오버레이 버니어 패턴은 스크라이브 라인 내에 배치될 수 있다.
상기 오버레이 버니어 패턴은 상기 리얼셀 내의 패턴과 반대되는 톤을 갖도록 만들어질 수도 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자의 제조방법은, 리얼셀인 웨이퍼의 제1 영역 내에 하부 레이어 패턴을 형성하고, 상기 제1 영역과 다른 상기 웨이퍼의 제2 영역 내에 상기 하부 레이어 패턴의 레이아웃과 동일한 레이아웃의 하부 오버레이 버니어 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제1 영역 내에 상부 레이어 패턴을 형성하고, 상기 제2 영역 내에 상기 상부 레이어 패턴과 동일한 레이아웃의 상부 오버레이 버니어 패턴을 형성하되, 상기 하부 오버레이 버니어 패턴 및 상부 오버레이 버니어 패턴을 중첩시켜 상기 상부 레이어 패턴과 하부 레이어 패턴을 정렬시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 하부 오버레이 버니어 패턴과 상기 상부 오버레이 버니어 패턴의 이상적인 중첩정도를 데이터화하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 상부 레이어 패턴과 하부 레이어 패턴을 정렬시키는 단계는, 상기 하부 오버레이 버니어 패턴 및 상부 오버레이 버니어 패턴을 중첩시킨 결과를 상기 데이터와 비교하여 오차를 측정하는 단계와, 그리고 상기 오차만큼 상기 하부 오버레이 버니어 패턴 및 상부 오버레이 버니어 패턴의 중첩정도를 보정하여 상기 상부 레이어 패턴과 하부 레이어 패턴을 정렬시키는 단계를 포함할 수 있다.
그리고 상기 하부 오버레이 버니어 패턴 및 상부 오버레이 버니어 패턴을 중첩시킨 결과는 전자주사현미경 이미지로 파악할 수 있다.
또한 상기 하부 오버레이 버니어 패턴 및 상부 오버레이 버니어 패턴을 중첩시킨 결과를 상기 데이터와 비교하여 오차를 측정하는 단계는 상호 수직인 X축 및 Y축에 대하여 수행할 수 있다.
상기 제2 영역은 스크라이브 라인을 포함할 수도 있다.
상기 하부 오버레이 버니어 패턴은 상기 하부 레이어 패턴과 반대되는 톤을 갖도록 형성할 수도 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체소자의 제조방법은, 웨이퍼의 리얼셀 영역 내에 하부 레이어 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 리얼셀 영역 내에 상부 레이어 패턴을 형성하되, 상기 상부 레이어 패턴과 상기 하부 레이어 패턴을 직접 중첩시켜 상기 상부 레이어 패턴과 하부 레이어 패턴을 정렬시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 상부 레이어 패턴과 상기 하부 레이어 패턴의 이상적인 중첩정도를 데이터화하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 상부 레이어 패턴과 하부 레이어 패턴을 정렬시키는 단계는, 상기 상부 레이어 패턴 및 하부 레이어 패턴을 중첩시킨 결과를 상기 데이터와 비교하여 오차를 측정하는 단계와, 그리고 상기 오차만큼 상기 상부 레이어 패턴 및 하부 레이어 패턴의 중첩정도를 보정하여 상기 상부 레이어 패턴과 하부 레이어 패턴을 정렬시키는 단계를 포함할 수 있다.
그리고 상기 상부 레이어 패턴 및 하부 레이어 패턴을 중첩시킨 결과는 전자주사현미경 이미지로 파악할 수도 있다.
또한 상기 상부 레이어 패턴 및 하부 레이어 패턴을 중첩시킨 결과를 상기 데이터와 비교하여 오차를 측정하는 단계는 상호 수직인 X축 및 Y축에 대하여 수행 할 수 있다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 오버레이 버니어를 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다. 구체적으로 도 1은 웨이퍼 내의 리얼셀과 스크라이브 라인의 일 예를 나타내 보인 도면이고, 도 2는 도 1의 리얼셀과 스크라이브 라인을 상세하게 나타내 보인 도면이다. 따라서 도 1 및 도 2에서 동일한 참조부호는 동일한 요소를 나타낸다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 오버레이 버니어는 웨이퍼(100)의 스크라이브 라인(120)에 배치된다. 스크라이브 라인(120)은 리얼셀(real cell)(110)을 둘러싼다. 여기서 리얼셀(110)은 실제 소자동작을 위한 패턴(111)들이 배치되는 영역이고, 스크라이브 라인(120)은 리얼셀(110)을 상호 분리하기 위한 절단영역이다. 비록 도면상에는 리얼셀(110) 내에 배치되는 패턴(111)들이 단순하게 스트라이프 형태를 갖지만, 실제로는 보다 더 복잡한 형태의 레이아웃으로 배치될 수 있다. 스크라이브 라인(110) 내에는 오버레이 버니어 패턴(121)이 배치된다. 이 오버레이 버니어 패턴(121)은 리얼셀(110) 내의 패턴(111)과 동일한 레이아웃을 갖는다. 따라서 리얼셀 패턴과 오버레이 버니어 패턴이 다른 레이아웃을 갖기 때문에 발생하였던 문제들, 즉 적층공정에서의 비대칭 측면기울기나 스캐너/ 스테퍼 내에서 수차를 갖는 렌즈로 인하여 오버레이 버니어가 정확하게 중첩되더라도 리얼셀의 패턴들이 미스얼라인 되는 현상이 발생되지 않도록 할 수 있다.
상기 오버레이 버니어 패턴(121)은 리얼셀(110) 내의 패턴(111)과 레이아웃은 실질적으로 동일하지만 톤(tone)은 상호 다를 수 있다. 예컨대 리얼셀(110)의 하부 레이어에 가려서 상부 레이어가 보이지 않는 경우에는, 하부의 오버레이 버니어 패턴(121)을 리얼셀(110) 내의 하부 레이어 패턴(111)과 반대되는 톤(tone)을 갖도록 한다. 경우에 따라서는 하부의 오버레이 버니어 패턴(121)은 리얼셀(110) 내의 하부 레이어 패턴(111)과 동일한 톤을 갖도록 하고, 대신에 상부의 오버레이 버니어 패턴의 톤을 상부 레이어 패턴과 다른 톤이 되도록 할 수도 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 오버레이 버니어는 별도의 패턴으로 존재하지 않고 리얼셀(110)의 패턴 자체일 수도 있다. 이 경우에는 리얼셀(110) 내의 하부 레이어 패턴과 상부 레이어 패턴을 직접 읽어들어 상호 중첩정도를 파악한다. 하부 레이어 패턴과 상부 레이어 패턴의 중첩정도는 주사전자현미경(SEM; Scanning Electron Microscope)의 이미지로 읽어들일 수 있으며, 이 외에 다른 방법을 사용하는 것도 무관하다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 오버레이 버니어를 이용한 반도체소자의 제조방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 플로차트이다. 본 실시예에서는 오버레이 버니어로서 스크라이브 라인 내에 리얼셀 내의 패턴과 별도로 오버레이 버니어 패턴을 형성하는 경우이다.
도 3을 참조하면, 먼저 하부 레이어로서의 하부 오버레이 버니어 패턴과 상 부 레이어로서의 상부 오버레이 버니어 패턴의 이상적인 중첩정도를 데이터화한다(단계 310). 하부 오버레이 버니어 패턴과 상부 오버레이 버니어 패턴 사이의 이상적인 중첩정도는 설계차원에서 이루어질 수 있다. 다음에 통상의 제1 마스크를 이용한 노광, 현상 및 식각공정을 수행하여, 리얼셀 내에 하부 레이어로서 하부 레이어 패턴과 리얼셀 외의 다른 영역, 예컨대 스크라이브 라인 영역에 하부 오버레이 버니어 패턴을 동일한 레이아웃으로 형성한다(단계 320). 경우에 따라서 상부 오버레이 버니어 패턴에 가려져서 하부 오버레이 버니어 패턴의 식별이 용이하지 않는 경우에는, 하부 오버레이 버니어 패턴을 하부 레이어 패턴과 반대되는 톤을 갖도록 형성할 수도 있다.
다음에 통상의 제2 마스크를 이용한 노광, 현상 및 식각공정을 수행하여, 리얼셀 내의 상부 레이어로서 상부 레이어 패턴과 리얼셀 외의 다른 영역, 예컨대 스크라이브 라인 영역에 상부 오버레이 버니어 패턴을 동일한 레이아웃으로 형성한다(단계 330). 앞서 언급한 바와 같이, 상부 오버레이 버니어 패턴에 의해 하부 오버레이 버니어 패턴이 가려지는 경우에는, 하부 오버레이 버니어 패턴 대신에 상부 오버레이 버니어 패턴을 180도 위상 반전된 마스크를 사용하여 형성할 수 있다.
상부 레이어 패턴 및 상부 오버레이 버니어 패턴을 형성하는 과정에서 리얼셀 내의 하부 레이어 패턴과 상부 레이어 패턴 사이의 정렬은 하부 오버레이 버니어 패턴과 상부 오버레이 버니어 패턴을 정렬시킴으로써 이루어진다. 하부 오버레이 버니어 패턴의 레이아웃과 하부 레이어 패턴의 레이아웃이 동일하고, 상부 오버레이 버니어 패턴의 레이아웃과 상부 레이어 패턴의 레이아웃이 동일하므로, 하부 오버레이 버니어 패턴과 상부 오버레이 버니어 패턴의 중첩에 관한 정보와 하부 레이어 패턴과 상부 레이어 패턴의 중첩에 관한 정보가 상이하지 않고 일치한다.
다음에 상부 오버레이 버니어 패턴과 하부 오버레이 버니어 패턴의 중첩정도를 읽고, 그 결과를 상기 단계 310에서 얻어진 데이터와 비교한다(단계 340). 이때 상부 오버레이 버니어 패턴과 하부 오버레이 버니어 패턴의 중첩정도를 읽은 데이터는 주사전자현미경(SEM) 이미지일 수 있다. 이때 단계 310에서 얻어진 데이터도 이미지일 수 있으며, 이 경우 주사전자현미경 이미지와 단계 310에서 얻어진 데이터를 중첩시킴으로써 상호 수직인 X방향 및 Y방향의 오차 정도를 알 수 있다. 이와 같은 방법으로 단계 340에서의 비교를 수행한 결과 오차가 있는지를 판단한다(단계 350). 이 판단에서 오차가 없는 경우, 상부 레이어로서 상부 오버레이 버니어 패턴과 하부 레이어인 하부 오버레이 버니어 패턴이 정확하게 정렬된 것으로 간주한다. 반면에 판단에서 오차가 있는 경우 그 오차가 보정되도록 하부 오버레이 버니어 패턴과 상부 오버레이 버니어 패턴의 중첩정도를 보정한다(단계 360).
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 오버레이 버니어를 이용한 반도체소자의 제조방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 플로차트이다. 본 실시예에서는 오버레이 버니어를 리얼셀 내의 패턴과 별도로 형성하는 것이 아니라, 리얼셀 내의 패턴을 오버레이 버니어 패턴으로 이용하는 경우이다.
도 4를 참조하면, 먼저 리얼셀 내의 하부 레이어로서 하부 레이어 패턴과 상부 레이어로서 상부 레이어 패턴의 이상적인 중첩정도를 데이터화한다(단계 410). 하부 레이어 패턴과 상부 레이어 패턴 사이의 이상적인 중첩정도는 설계차원에서 이루어질 수 있다. 다음에 통상의 제1 마스크를 이용한 노광, 현상 및 식각공정을 수행하여 리얼셀 내에 하부 레이어 패턴을 형성한다(단계 420). 앞선 실시예와 다르게 본 실시예에서는 별도의 오버레이 버니어 패턴을 형성하지 않는다.
다음에 통상의 제2 마스크를 이용한 노광, 현상 및 식각공정을 수행하여, 리얼셀 내의 상부 레이어로서 상부 패턴과 리얼셀 외의 다른 영역, 예컨대 스크라이브 라인 영역에 상부 오버레이 버니어 패턴을 동일한 레이아웃으로 형성한다(단계 430). 상부 레이어 패턴 및 하부 레이어 패턴 사이의 정렬은 하부 레이어 패턴과 상부 레이어 패턴을 직접 정렬시킴으로써 이루어진다. 따라서 별도의 오버레이 버니어 패턴을 사용하는 경우 발생하였던 오버레이 버니어 패턴들 사이의 중첩정도와 그에 상응하는 리얼셀 내의 패턴들 사이의 중첩정도의 차이는 존재하지 않는다.
다음에 상부 레이어 패턴과 하부 레이어 패턴의 중첩정도를 읽고, 그 결과를 상기 단계 410에서 얻어진 데이터와 비교한다(단계 440). 이때 상부 레이어 패턴과 하부 레이어 패턴의 중첩정도를 읽은 데이터는 주사전자현미경(SEM) 이미지일 수 있다. 이때 단계 410에서 얻어진 데이터도 이미지일 수 있으며, 이 경우 주사전자현미경 이미지와 단계 410에서 얻어진 데이터를 중첩시킴으로써 상호 수직인 X방향 및 Y방향의 오차 정도를 알 수 있다. 이와 같은 방법으로 단계 440에서의 비교를 수행한 결과 오차가 있는지를 판단한다(단계 450). 이 판단에서 오차가 없는 경우, 상부 레이어 패턴과 하부 레이어 패턴이 정확하게 정렬된 것으로 간주한다. 반면에 판단에서 오차가 있는 경우 그 오차가 보정되도록 하부 레이어 패턴과 상부 레이어 패턴의 중첩정도를 보정한다(단계 360).
지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 오버레이 버니어 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법에 의하면, 리얼셀의 패턴 레이아웃을 직접 오버레이 버니어로 사용하거나, 또는 리얼셀의 패턴 레이아웃과 동일한 오버레이 버니어 패턴을 오버레이 버니어로 사용하여 하부 레이어와 상부 레이어를 정렬시킴으로써, 기존의 리얼셀의 패턴과 오버레이 버니어의 다른 레이아웃으로 인하여 오버레이 버니어에 관한 중첩정보와 리얼셀의 패턴에 관한 중첩정보가 일치하지 않는 현상을 억제할 수 있으며, 그 결과 리얼셀의 미스얼라인을 방지하여 소자의 수율을 향상시킬 수 있다는 이점이 제공된다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.
Claims (15)
- 리얼셀 내에 배치되는 패턴의 레이아웃과 동일한 레이아웃을 갖는 오버레이 버니어 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어.
- 제1항에 있어서,상기 오버레이 버니어 패턴은 스크라이브 라인 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어.
- 제1항에 있어서,상기 오버레이 버니어 패턴은 상기 리얼셀 내의 패턴과 반대되는 톤을 갖도록 만들어지는 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어.
- 리얼셀인 웨이퍼의 제1 영역 내에 하부 패턴을 형성하고, 상기 제1 영역과 다른 상기 웨이퍼의 제2 영역 내에 상기 하부 패턴의 레이아웃과 동일한 레이아웃의 하부 오버레이 버니어 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제1 영역 내에 상부 패턴을 형성하고, 상기 제2 영역 내에 상기 상부 패턴과 동일한 레이아웃의 상부 오버레이 버니어 패턴을 형성하되, 상기 하부 오버레이 버니어 패턴 및 상부 오버레이 버니어 패턴을 중첩시켜 상기 상부 패턴과 하부 패턴을 정렬시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방 법.
- 제4항에 있어서,상기 하부 오버레이 버니어 패턴과 상기 상부 오버레이 버니어 패턴의 이상적인 중첩정도를 데이터화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 상부 패턴과 하부 패턴을 정렬시키는 단계는,상기 하부 오버레이 버니어 패턴 및 상부 오버레이 버니어 패턴을 중첩시킨 결과를 상기 데이터와 비교하여 오차를 측정하는 단계; 및상기 오차만큼 상기 하부 오버레이 버니어 패턴 및 상부 오버레이 버니어 패턴의 중첩정도를 보정하여 상기 상부 패턴과 하부 패턴을 정렬시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 하부 오버레이 버니어 패턴 및 상부 오버레이 버니어 패턴을 중첩시킨 결과는 전자주사현미경 이미지로 파악하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 하부 오버레이 버니어 패턴 및 상부 오버레이 버니어 패턴을 중첩시킨 결과를 상기 데이터와 비교하여 오차를 측정하는 단계는 상호 수직인 X축 및 Y축에 대하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 제2 영역은 스크라이브 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 하부 오버레이 버니어 패턴은 상기 하부 패턴과 반대되는 톤을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 웨이퍼의 리얼셀 영역 내에 하부 패턴을 형성하는 단계; 및상기 리얼셀 영역 내에 상부 패턴을 형성하되, 상기 상부 패턴과 상기 하부 패턴을 직접 중첩시켜 상기 상부 패턴과 하부 패턴을 정렬시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제11항에 있어서,상기 상부 패턴과 상기 하부 패턴의 이상적인 중첩정도를 데이터화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제12항에 있어서, 상기 상부 패턴과 하부 패턴을 정렬시키는 단계는,상기 상부 패턴 및 하부 패턴을 중첩시킨 결과를 상기 데이터와 비교하여 오차를 측정하는 단계; 및상기 오차만큼 상기 상부 패턴 및 하부 패턴의 중첩정도를 보정하여 상기 상부 패턴과 하부 패턴을 정렬시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제13항에 있어서,상기 상부 패턴 및 하부 패턴을 중첩시킨 결과는 전자주사현미경 이미지로 파악하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제13항에 있어서,상기 상부 패턴 및 하부 패턴을 중첩시킨 결과를 상기 데이터와 비교하여 오차를 측정하는 단계는 상호 수직인 X축 및 Y축에 대하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050041819A KR100598988B1 (ko) | 2005-05-18 | 2005-05-18 | 오버레이 버니어 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법 |
| TW094145812A TWI285397B (en) | 2005-05-18 | 2005-12-22 | Overlay vernier and method for manufacturing semiconductor device using the same |
| US11/321,131 US20060263706A1 (en) | 2005-05-18 | 2005-12-28 | Overlay vernier and method for manufacturing semiconductor device using the same |
| JP2006011799A JP2006324631A (ja) | 2005-05-18 | 2006-01-20 | オーバーレイバーニア及びこれを用いた半導体素子の製造方法 |
| CNA2006100043021A CN1866510A (zh) | 2005-05-18 | 2006-02-06 | 覆盖游标及用其制造半导体器件的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050041819A KR100598988B1 (ko) | 2005-05-18 | 2005-05-18 | 오버레이 버니어 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100598988B1 true KR100598988B1 (ko) | 2006-07-12 |
Family
ID=37183874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050041819A KR100598988B1 (ko) | 2005-05-18 | 2005-05-18 | 오버레이 버니어 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060263706A1 (ko) |
| JP (1) | JP2006324631A (ko) |
| KR (1) | KR100598988B1 (ko) |
| CN (1) | CN1866510A (ko) |
| TW (1) | TWI285397B (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8906584B2 (en) | 2012-08-31 | 2014-12-09 | SK Hynix Inc. | Photomask and method for forming pattern of semiconductor device using the same |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100746619B1 (ko) * | 2006-06-28 | 2007-08-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 오버레이 버니어 키 및 오버레이 버니어 키의 형성방법 |
| KR20110123504A (ko) * | 2010-05-07 | 2011-11-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 크기 가변형 반도체 칩 및 이를 포함하는 웨이퍼 및 이를 이용한 반도체 패키지 |
| KR101670458B1 (ko) * | 2010-06-25 | 2016-10-28 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 계측 방법 |
| TWI475597B (zh) * | 2012-02-08 | 2015-03-01 | Hitachi High Tech Corp | Pattern evaluation method and pattern evaluation device |
| JP6002480B2 (ja) | 2012-07-06 | 2016-10-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | オーバーレイ誤差測定装置、及びパターン測定をコンピューターに実行させるコンピュータープログラム |
| JP2015079830A (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置、光半導体装置の製造方法、及び光モジュールの製造方法 |
Family Cites Families (83)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5290666A (en) * | 1988-08-01 | 1994-03-01 | Hitachi, Ltd. | Method of forming a positive photoresist pattern utilizing contrast enhancement overlayer containing trifluoromethanesulfonic, methanesulfonic or trifluoromethaneacetic aromatic diazonium salt |
| US5534239A (en) * | 1990-03-23 | 1996-07-09 | Societe Nationale Elf Aquitaine | Process for the synthesis of a silica enriched crystalline aluminosilicate having the offretite structure, the aluminosilicate obtained and its use as a catalyst for the conversion of hydrocarbons |
| US5498814A (en) * | 1992-03-12 | 1996-03-12 | Mobil Oil Corp. | Regioselective methylation of toluene to para-xylene |
| US5571768A (en) * | 1992-03-12 | 1996-11-05 | Mobil Oil Corporation | Zeolite functionalized with organosiliceous groups |
| US5516736A (en) * | 1992-03-12 | 1996-05-14 | Mobil Oil Corp. | Selectivating zeolites with organosiliceous agents |
| US5365003A (en) * | 1993-02-25 | 1994-11-15 | Mobil Oil Corp. | Shape selective conversion of hydrocarbons over extrusion-modified molecular sieve |
| US5362697A (en) * | 1993-04-26 | 1994-11-08 | Mobil Oil Corp. | Synthetic layered MCM-56, its synthesis and use |
| US5476823A (en) * | 1993-05-28 | 1995-12-19 | Mobil Oil Corp. | Method of preparation of ex situ selectivated zeolite catalysts for enhanced shape selective applications and method to increase the activity thereof |
| US5698756A (en) * | 1993-05-28 | 1997-12-16 | Mobil Oil Corporation | Toluene alkylation with ethylene to produce para-ethyloluene |
| US5523510A (en) * | 1993-08-30 | 1996-06-04 | Texaco Inc. | Treated bound ferrierite zeolites for skeletal isomerization of n-olefins to iso-olefins |
| US5563310A (en) * | 1993-09-14 | 1996-10-08 | Mobil Oil Corporation | Toluene alkylation with methanol |
| WO1995011196A1 (en) * | 1993-10-18 | 1995-04-27 | Mobil Oil Corporation | Synthetic porous crystalline mcm-58, its synthesis and use |
| US5457078A (en) * | 1993-11-29 | 1995-10-10 | Mobil Oil Corporation | Manufacture of improved zeolite Beta catalyst |
| EP0752912B1 (en) * | 1994-03-31 | 2001-08-01 | Infineum USA L.P. | Supported lewis acid catalysts derived from superacids useful for hydrocarbon conversion reactions |
| US5561095A (en) * | 1994-03-31 | 1996-10-01 | Exxon Chemical Patents Inc. | Supported lewis acid catalysts for hydrocarbon conversion reactions |
| DE69513810T2 (de) * | 1994-03-31 | 2000-05-25 | Infineum Usa Lp | Polymerisationsreaktionen von kohlenwasserstoffen mit lewissäure enthaltende trägerkatalysatoren |
| US5576256A (en) * | 1994-05-23 | 1996-11-19 | Intevep, S.A. | Hydroprocessing scheme for production of premium isomerized light gasoline |
| US5689024A (en) * | 1994-06-03 | 1997-11-18 | Mobil Oil Corporation | Use of crystalline SUZ-9 |
| US5939597A (en) * | 1994-11-10 | 1999-08-17 | Mobil Oil Corporation | Fluid bed process for para-xylene production |
| US5646314A (en) * | 1994-11-16 | 1997-07-08 | Arco Chemical Technology, L.P. | Process for titanium silicalite-catalyzed epoxidation |
| US5573746A (en) * | 1995-06-06 | 1996-11-12 | Mobil Oil Corporation | Zeolite synthesis with amino acid directing agents |
| US6060633A (en) * | 1995-10-20 | 2000-05-09 | Chen; Frank Joung-Yei | Supported Lewis acid catalysts derived from superacids useful for hydrocarbon conversion reactions |
| US6329711B1 (en) * | 1995-11-08 | 2001-12-11 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and mounting structure |
| US5811613A (en) * | 1996-04-05 | 1998-09-22 | Indian Petrochemicals Corporation Limited | Process for the production of para-diethylbenzene |
| CA2204461C (en) * | 1996-05-14 | 2006-07-04 | Thomas V. Harris | Process for producing an alkylated, non-oxygen-containing aromatic hydrocarbon |
| CA2255873A1 (en) * | 1996-05-29 | 1997-12-04 | Robert S. Smith | Methylation of toluene to para-xylene |
| US6048816A (en) * | 1996-10-02 | 2000-04-11 | Mobil Oil Corporation | Catalyst and process for converting methanol to hydrocarbons |
| WO1998016468A1 (en) * | 1996-10-17 | 1998-04-23 | Exxon Chemical Patents Inc. | Hydrocarbon conversion using large crystal zeolite catalyst |
| WO1998023373A1 (fr) * | 1996-11-27 | 1998-06-04 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Procede de production d'un catalyseur pour l'epuration des gaz d'echappement |
| DE19653042A1 (de) * | 1996-12-19 | 1998-06-25 | Basf Ag | Flammgeschützte Formmassen |
| US5925586A (en) * | 1996-12-31 | 1999-07-20 | Exxon Chemical Patents, Inc. | Phosphorus modified small pore molecular sieve catalysts, and their use in the production of light olefins |
| CN1059133C (zh) * | 1997-03-24 | 2000-12-06 | 中国石油化工总公司 | 具有mfi结构的含磷分子筛 |
| US5905051A (en) * | 1997-06-04 | 1999-05-18 | Wu; An-Hsiang | Hydrotreating catalyst composition and processes therefor and therewith |
| US5898089A (en) * | 1997-07-09 | 1999-04-27 | Phillips Petroleum Company | Hydrocarbon aromatization process using a zeolite |
| US6034283A (en) * | 1997-07-18 | 2000-03-07 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Process for production of cyclic alcohols |
| US6047544A (en) * | 1997-08-20 | 2000-04-11 | Nissan Motor Co., Ltd. | Engine exhaust gas purification catalyst and exhaust gas purifier |
| EP0903178B2 (en) * | 1997-09-17 | 2012-05-30 | China Petro-Chemical Corporation | A pentasil-type molecular sieve containing composition, its preparation method and use |
| US6423879B1 (en) * | 1997-10-02 | 2002-07-23 | Exxonmobil Oil Corporation | Selective para-xylene production by toluene methylation |
| NO318036B1 (no) * | 1997-10-15 | 2005-01-24 | Res Inst Petroleum Processing | Katalysator for katalytisk pyrolyseprosess for fremstilling av lette olefiner og fremgangsmate for fremstilling derav |
| US6040257A (en) * | 1997-11-07 | 2000-03-21 | Phillips Petroleum Company | Hydrocarbon conversion catalyst composition and processes therefor and therewith |
| DE69805003T2 (de) * | 1997-12-03 | 2002-11-14 | Exxonmobil Chemical Patents Inc., Baytown | Herstellung einer durch eine zeolith von mfi-strukturtyp gebundenen zeolith und ihre verwendung |
| WO1999028031A1 (en) * | 1997-12-03 | 1999-06-10 | Exxon Chemical Patents Inc. | Catalyst comprising a zeolite partially coated with a second zeolite, its use for hydrocarbon conversion |
| CN1069682C (zh) * | 1997-12-23 | 2001-08-15 | 中国石油化工总公司 | 重油催化热裂解层柱粘土催化剂及其制备 |
| US6395664B1 (en) * | 1998-02-19 | 2002-05-28 | Uop Llc | Process for reactivating a deactivated dehydrocyclodimerization catalyst with water |
| US6417421B1 (en) * | 1998-03-03 | 2002-07-09 | Phillips Petroleum Company | Hydrocarbon conversion catalyst composition and process therefor and therewith |
| US6074975A (en) * | 1998-03-03 | 2000-06-13 | Phillips Petroleum Company | Hydrocarbon conversion catalyst composition and processes therefor and therewith |
| US6080303A (en) * | 1998-03-11 | 2000-06-27 | Exxon Chemical Patents, Inc. | Zeolite catalyst activity enhancement by aluminum phosphate and phosphorus |
| US5955641A (en) * | 1998-03-16 | 1999-09-21 | Chevron Chemical Company Llc | Method of making dimethylnaphthalenes |
| US6077756A (en) * | 1998-04-24 | 2000-06-20 | Vanguard International Semiconductor | Overlay target pattern and algorithm for layer-to-layer overlay metrology for semiconductor processing |
| US6299530B1 (en) * | 1998-05-05 | 2001-10-09 | Kenneth W. Hansted | Integrated transaction card and packaging |
| US6238550B1 (en) * | 1998-05-26 | 2001-05-29 | Exxon Research And Engineering Company | Silicoaluminophosphates having AEL structure, a method for their preparation and their use as catalysts for the hydroprocessing of hydrocarbon feedstocks |
| US6100437A (en) * | 1998-07-10 | 2000-08-08 | Albemarle Corporation | Alkylation process of alkyl-benzene with olefin using a sodium-and-potassium catalyst |
| US6124227A (en) * | 1998-08-28 | 2000-09-26 | Phillips Petroleum Company | Hydrocarbon conversion catalyst composition and processes therefor and therewith |
| CN1195714C (zh) * | 1998-09-28 | 2005-04-06 | Bp北美公司 | 用五元环沸石催化剂生产烯烃的方法 |
| US6642426B1 (en) * | 1998-10-05 | 2003-11-04 | David L. Johnson | Fluid-bed aromatics alkylation with staged injection of alkylating agents |
| JP3871449B2 (ja) * | 1998-10-05 | 2007-01-24 | 新日本石油株式会社 | 軽油の水素化脱硫方法 |
| JP3868128B2 (ja) * | 1998-10-05 | 2007-01-17 | 新日本石油株式会社 | 軽油の水素化脱硫装置及び方法 |
| CN1096296C (zh) * | 1998-11-13 | 2002-12-18 | 中国石油化工集团公司 | 一种生产中间馏分油的加氢裂化催化剂及其制备 |
| US6156949A (en) * | 1998-12-28 | 2000-12-05 | Mobil Oil Corporation | Selective pseudocumene production by xylene methylation |
| US6090274A (en) * | 1998-12-29 | 2000-07-18 | Phillips Petroleum Company | Hydrotreating catalyst composition and processes therefor and therewith |
| US6228705B1 (en) * | 1999-02-03 | 2001-05-08 | International Business Machines Corporation | Overlay process for fabricating a semiconductor device |
| JP2000260695A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Nikon Corp | パターン転写方法 |
| US6613708B1 (en) * | 1999-06-07 | 2003-09-02 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Catalyst selectivation |
| US6459006B1 (en) * | 1999-05-14 | 2002-10-01 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Selective methylation to para-xylene using fuel syngas |
| US6388156B1 (en) * | 1999-05-14 | 2002-05-14 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Direct selective synthesis of para-xylene by reacting an aromatic compound with a methylating agent formed from CO, Co2 and H2 |
| WO2000071254A1 (en) * | 1999-05-20 | 2000-11-30 | Exxon Chemical Patents Inc. | Hydrocarbon conversion process and catalyst useful therein |
| JP3489049B2 (ja) * | 1999-07-15 | 2004-01-19 | 日産自動車株式会社 | 排気ガス浄化用触媒 |
| JP3859940B2 (ja) * | 1999-08-06 | 2006-12-20 | 日産自動車株式会社 | 排気ガス浄化用触媒及びその製造方法 |
| US6613951B1 (en) * | 1999-09-23 | 2003-09-02 | Mobil Oil Corporation | Process for converting methanol to olefins |
| US6187982B1 (en) * | 1999-10-15 | 2001-02-13 | Mobil Oil Corporation | Process for converting dienes and oxygenates to para-xylene and light olefins |
| US6726834B2 (en) * | 1999-10-22 | 2004-04-27 | Intevep, S.A. | Process for catalytic cracking of a hydrocarbon feed with a MFI aluminisilcate composition |
| EP1116775A1 (en) * | 2000-01-12 | 2001-07-18 | Akzo Nobel N.V. | Catalyst composition with high efficiency for the production of light olefins |
| US6773694B1 (en) * | 1999-12-22 | 2004-08-10 | Uop Llc | Process for synthesizing molecular sieves |
| US6350317B1 (en) * | 1999-12-30 | 2002-02-26 | Lam Research Corporation | Linear drive system for use in a plasma processing system |
| JP3489048B2 (ja) * | 2000-02-01 | 2004-01-19 | 日産自動車株式会社 | 排気ガス浄化用触媒 |
| US6506954B1 (en) * | 2000-04-11 | 2003-01-14 | Exxon Mobil Chemical Patents, Inc. | Process for producing chemicals from oxygenate |
| JP3904802B2 (ja) * | 2000-04-26 | 2007-04-11 | 日産自動車株式会社 | 排気ガス浄化用触媒及びその製造方法 |
| US6799089B2 (en) * | 2000-06-09 | 2004-09-28 | Institut Francais Du Petrole | Design of new materials whose use produces a chemical bond with a descriptor of said bond |
| DE60122243T2 (de) * | 2000-06-28 | 2007-06-28 | Ict Co. Ltd. | Abgasreinigungskatalysator |
| TWI240716B (en) * | 2000-07-10 | 2005-10-01 | Bp Corp North America Inc | Pressure swing adsorption process for separating paraxylene and ethylbenzene from mixed C8 aromatics |
| DE60108082T2 (de) * | 2001-05-14 | 2005-10-13 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zu Durchführung einer Ausrichtungsmessung von zwei Mustern in unterschiedlichen Schichten eines Halbleiterwafers |
| US7190823B2 (en) * | 2002-03-17 | 2007-03-13 | United Microelectronics Corp. | Overlay vernier pattern for measuring multi-layer overlay alignment accuracy and method for measuring the same |
| KR100472411B1 (ko) * | 2002-08-09 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조방법 및 오버레이 검사마크를 가진반도체 장치 |
-
2005
- 2005-05-18 KR KR1020050041819A patent/KR100598988B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-12-22 TW TW094145812A patent/TWI285397B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-12-28 US US11/321,131 patent/US20060263706A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-01-20 JP JP2006011799A patent/JP2006324631A/ja active Pending
- 2006-02-06 CN CNA2006100043021A patent/CN1866510A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8906584B2 (en) | 2012-08-31 | 2014-12-09 | SK Hynix Inc. | Photomask and method for forming pattern of semiconductor device using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006324631A (ja) | 2006-11-30 |
| US20060263706A1 (en) | 2006-11-23 |
| CN1866510A (zh) | 2006-11-22 |
| TW200710938A (en) | 2007-03-16 |
| TWI285397B (en) | 2007-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7752584B2 (en) | Method for verifying mask pattern of semiconductor device | |
| US7412671B2 (en) | Apparatus and method for verifying an integrated circuit pattern | |
| JPH0974063A (ja) | 重ね合わせ精度測定マーク、そのマークの欠陥修正方法、そのマークを有するフォトマスク、そのフォトマスクの製造方法およびその露光方法 | |
| US20100193960A1 (en) | Semiconductor device, method for making pattern layout, method for making mask pattern, method for making layout, method for manufacturing photo mask, photo mask, and method for manufacturing semiconductor device | |
| US6649310B2 (en) | Method of manufacturing photomask | |
| KR20080001438A (ko) | 마스크 레이아웃 제작 방법 | |
| KR100598988B1 (ko) | 오버레이 버니어 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법 | |
| US20050144583A1 (en) | Method and data-processing system for rule-based optical proximity correction with simulataneous scatter bar insertion | |
| US7890908B2 (en) | Method for verifying mask pattern data, method for manufacturing mask, mask pattern verification program, and method for manufacturing semiconductor device | |
| KR19990082828A (ko) | 반도체장치와그의얼라인먼트장치및얼라인먼트방법 | |
| US7955761B2 (en) | Exposure mask, pattern formation method, and exposure mask fabrication method | |
| US7913196B2 (en) | Method of verifying a layout pattern | |
| JP5572973B2 (ja) | パターン検証方法、検証装置及びプログラム | |
| US7337426B2 (en) | Pattern correcting method, mask making method, method of manufacturing semiconductor device, pattern correction system, and computer-readable recording medium having pattern correction program recorded therein | |
| US20060134532A1 (en) | Method for correcting mask pattern, photomask, method for fabricating photomask, electron beam writing method for fabricating photomask, exposure method, semiconductor device, and method for fabricating semiconductor device | |
| US7222327B2 (en) | Photo mask, method of manufacturing photo mask, and method of generating mask data | |
| JP2001168002A (ja) | 半導体装置およびその製造に用いるフォトマスクならびにその重ね合わせ精度向上方法 | |
| US9116433B2 (en) | Double-mask photolithography method minimizing the impact of substrate defects | |
| JP2000241958A (ja) | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスクの検査修正方法、及びフォトマスクの使用方法 | |
| US8692380B2 (en) | Integrated circuit system with sub-geometry removal and method of manufacture thereof | |
| US20060039596A1 (en) | Pattern measuring method, pattern measuring apparatus, photo mask manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and computer program product | |
| JP2012203005A (ja) | パターン作成方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP5703910B2 (ja) | マスクパターンデータ生成方法、マスクの製造方法、マスク及びマスクパターンデータ生成プログラム | |
| JP3370317B2 (ja) | アライメントパターンを有するパターン版の描画方法及びその方法によって描画されたパターン版 | |
| US7000216B2 (en) | Exposure pattern forming method and exposure pattern |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090624 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |