JPH11243072A - 半導体基板の研磨終了時のリンス液及びこれを用いたリンス法 - Google Patents
半導体基板の研磨終了時のリンス液及びこれを用いたリンス法Info
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- JPH11243072A JPH11243072A JP4545098A JP4545098A JPH11243072A JP H11243072 A JPH11243072 A JP H11243072A JP 4545098 A JP4545098 A JP 4545098A JP 4545098 A JP4545098 A JP 4545098A JP H11243072 A JPH11243072 A JP H11243072A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨終了時に研磨液中の砥粒を半導体基板表
面に凝集、付着させず、かつ研磨用パッドから速やかに
除去し、これにより基板表面にマイクロスクラッチ、ピ
ット、ダメージ及び汚染を生じさせない。 【解決手段】 半導体基板１６の表面の研磨終了時に基
板１６の表面をリンスするリンス液１９が酸化剤を含有
し、その酸化還元電位が１０ｍＶ以上であることを特徴
とする。リンス液はアルカリを更に含有し、ｐＨが８．
０以上であることが好ましく、分散剤を更に含有すると
より好ましい。
面に凝集、付着させず、かつ研磨用パッドから速やかに
除去し、これにより基板表面にマイクロスクラッチ、ピ
ット、ダメージ及び汚染を生じさせない。 【解決手段】 半導体基板１６の表面の研磨終了時に基
板１６の表面をリンスするリンス液１９が酸化剤を含有
し、その酸化還元電位が１０ｍＶ以上であることを特徴
とする。リンス液はアルカリを更に含有し、ｐＨが８．
０以上であることが好ましく、分散剤を更に含有すると
より好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨装置により半
導体基板の表面を研磨し、その研磨終了時にこの研磨装
置において半導体基板の表面をリンスするリンス液及び
これを用いたリンス法に関するものである。
導体基板の表面を研磨し、その研磨終了時にこの研磨装
置において半導体基板の表面をリンスするリンス液及び
これを用いたリンス法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】単結晶インゴットから切出されてスライ
スされたシリコンウェーハに代表される半導体基板は、
機械研磨（ラッピング）、化学エッチング等の工程を経
た後、機械的化学的研磨（メカノケミカルポリッシン
グ）が行われる。この最終研磨の機械的化学的研磨工程
において、保持具に取付けたシリコンウェーハを回転定
盤上に貼付けたポリエステルのフェルト、ラミネート等
の柔らかい研磨用パッドに押付け、研磨液を滴下しなが
ら研磨用パッドを回転することにより、ウェーハ表面を
鏡面状に研磨する。この研磨液には、例えば約５０ｎｍ
の粒径を有するＳｉＯ2の微粉からなる砥粒を水酸化ナ
トリウム（ＮａＯＨ）水溶液に溶かした研磨液が用いら
れる。ここで砥粒を水酸化ナトリウム水溶液に溶かして
研磨液を調製する理由は、第一にＮａＯＨのＯＨ基をウ
ェーハのＳｉと反応させて酸化シリコンを生成し、これ
をＳｉＯ2の微粉により削り取ってウェーハの平坦度を
高めるためであり、第二に研磨液のｐＨを高め、ＯＨ-
イオンによりＳｉＯ2粒子同士を反発させ、粒子の凝集
を防ぐためである。これまで、研磨液による研磨が終了
に近づくと、研磨液の供給を停止すると同時に、ウェー
ハ表面から砥粒を除去するためにリンス液を供給してい
た。従来、このリンス液として超純水が用いられ、リン
ス時にはこの定盤上の研磨用パッドに超純水を供給して
いた。
スされたシリコンウェーハに代表される半導体基板は、
機械研磨（ラッピング）、化学エッチング等の工程を経
た後、機械的化学的研磨（メカノケミカルポリッシン
グ）が行われる。この最終研磨の機械的化学的研磨工程
において、保持具に取付けたシリコンウェーハを回転定
盤上に貼付けたポリエステルのフェルト、ラミネート等
の柔らかい研磨用パッドに押付け、研磨液を滴下しなが
ら研磨用パッドを回転することにより、ウェーハ表面を
鏡面状に研磨する。この研磨液には、例えば約５０ｎｍ
の粒径を有するＳｉＯ2の微粉からなる砥粒を水酸化ナ
トリウム（ＮａＯＨ）水溶液に溶かした研磨液が用いら
れる。ここで砥粒を水酸化ナトリウム水溶液に溶かして
研磨液を調製する理由は、第一にＮａＯＨのＯＨ基をウ
ェーハのＳｉと反応させて酸化シリコンを生成し、これ
をＳｉＯ2の微粉により削り取ってウェーハの平坦度を
高めるためであり、第二に研磨液のｐＨを高め、ＯＨ-
イオンによりＳｉＯ2粒子同士を反発させ、粒子の凝集
を防ぐためである。これまで、研磨液による研磨が終了
に近づくと、研磨液の供給を停止すると同時に、ウェー
ハ表面から砥粒を除去するためにリンス液を供給してい
た。従来、このリンス液として超純水が用いられ、リン
ス時にはこの定盤上の研磨用パッドに超純水を供給して
いた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の超純水
によるリンス法には、次の問題点がある。 研磨用パッド上に残留しているスラリー状の研磨液
が超純水によって希釈されると、研磨液のｐＨが中性付
近まで下がり、砥粒が分散状態を保持できなくなって凝
集するとともにウェーハ表面に付着して残留しやすくな
る。 この研磨液中で凝集した砥粒は、ｐＨの中性付近へ
の低下でウェーハ表面と相互に作用して、これによりウ
ェーハ表面にマイクロスクラッチ、ダメージ等を生じる
不都合がある。 更にウェーハ表面に砥粒が残留した場合には、研磨
装置から取外した後の洗浄工程でウェーハ表面にピット
が形成される。
によるリンス法には、次の問題点がある。 研磨用パッド上に残留しているスラリー状の研磨液
が超純水によって希釈されると、研磨液のｐＨが中性付
近まで下がり、砥粒が分散状態を保持できなくなって凝
集するとともにウェーハ表面に付着して残留しやすくな
る。 この研磨液中で凝集した砥粒は、ｐＨの中性付近へ
の低下でウェーハ表面と相互に作用して、これによりウ
ェーハ表面にマイクロスクラッチ、ダメージ等を生じる
不都合がある。 更にウェーハ表面に砥粒が残留した場合には、研磨
装置から取外した後の洗浄工程でウェーハ表面にピット
が形成される。
【０００４】本発明の目的は、研磨終了時に研磨液中の
砥粒を半導体基板表面に凝集、付着させず、かつ研磨用
パッドから速やかに除去し、これにより基板表面にマイ
クロスクラッチ、ピット、ダメージ及び汚染を生じさせ
ない半導体基板の研磨時のリンス液及びこれを用いたリ
ンス法を提供することにある。
砥粒を半導体基板表面に凝集、付着させず、かつ研磨用
パッドから速やかに除去し、これにより基板表面にマイ
クロスクラッチ、ピット、ダメージ及び汚染を生じさせ
ない半導体基板の研磨時のリンス液及びこれを用いたリ
ンス法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように半導体基板１６の表面の研磨終了時に
半導体基板１６の表面をリンスするリンス液１９におい
て、酸化剤を含有し、酸化還元電位が１０ｍＶ以上であ
ることを特徴とする半導体基板の研磨終了時のリンス液
である。請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明で
あって、アルカリを更に含有し、ｐＨが８．０以上であ
るリンス液である。請求項３に係る発明は、請求項１又
は２に係る発明であって、分散剤を更に含有するリンス
液である。
図１に示すように半導体基板１６の表面の研磨終了時に
半導体基板１６の表面をリンスするリンス液１９におい
て、酸化剤を含有し、酸化還元電位が１０ｍＶ以上であ
ることを特徴とする半導体基板の研磨終了時のリンス液
である。請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明で
あって、アルカリを更に含有し、ｐＨが８．０以上であ
るリンス液である。請求項３に係る発明は、請求項１又
は２に係る発明であって、分散剤を更に含有するリンス
液である。
【０００６】請求項４に係る発明は、図１に示すように
研磨装置１０により半導体基板１６の表面を研磨し、そ
の研磨終了時に研磨装置１０において半導体基板１６の
表面をリンスする方法において、酸化剤を含有し、酸化
還元電位が１０ｍＶ以上であるリンス液１９により半導
体基板１６をリンスする方法である。請求項５に係る発
明は、請求項４に係る発明であって、リンス液１９がア
ルカリを更に含有し、そのｐＨが８．０以上である研磨
方法である。請求項６に係る発明は、請求項４又は５に
係る発明であって、リンス液１９が分散剤を更に含有す
る研磨方法である。
研磨装置１０により半導体基板１６の表面を研磨し、そ
の研磨終了時に研磨装置１０において半導体基板１６の
表面をリンスする方法において、酸化剤を含有し、酸化
還元電位が１０ｍＶ以上であるリンス液１９により半導
体基板１６をリンスする方法である。請求項５に係る発
明は、請求項４に係る発明であって、リンス液１９がア
ルカリを更に含有し、そのｐＨが８．０以上である研磨
方法である。請求項６に係る発明は、請求項４又は５に
係る発明であって、リンス液１９が分散剤を更に含有す
る研磨方法である。
【０００７】請求項１及び４に係る発明によれば、リン
ス液が酸化剤を含み、所定の酸化還元電位を有すると、
リンス初期に半導体基板の表面に酸化膜が形成され、こ
の酸化膜は研磨後の基板の活性な表面を保護する。即
ち、従来砥粒の凝集により基板表面に生じていたマイク
ロスクラッチの発生、不純物金属によるシリサイドの形
成、ダメージの発生をこの酸化膜は抑制する。請求項２
及び５に係る発明によれば、リンス液が酸化剤に加えて
更にアルカリを含むと、リンス液の供給によってもこれ
までの高いｐＨを低下させずに維持し、研磨液中の砥粒
の凝集を抑制する。またアルカリの添加により、酸化剤
の酸化力を高める効果もある。請求項３及び６に係る発
明によれば、リンス液が酸化剤に加えて更に分散剤を含
むか、或はリンス液が酸化剤及びアルカリに加えて更に
分散剤を含むと、研磨液中の砥粒を分散させ、その凝集
を抑制する。
ス液が酸化剤を含み、所定の酸化還元電位を有すると、
リンス初期に半導体基板の表面に酸化膜が形成され、こ
の酸化膜は研磨後の基板の活性な表面を保護する。即
ち、従来砥粒の凝集により基板表面に生じていたマイク
ロスクラッチの発生、不純物金属によるシリサイドの形
成、ダメージの発生をこの酸化膜は抑制する。請求項２
及び５に係る発明によれば、リンス液が酸化剤に加えて
更にアルカリを含むと、リンス液の供給によってもこれ
までの高いｐＨを低下させずに維持し、研磨液中の砥粒
の凝集を抑制する。またアルカリの添加により、酸化剤
の酸化力を高める効果もある。請求項３及び６に係る発
明によれば、リンス液が酸化剤に加えて更に分散剤を含
むか、或はリンス液が酸化剤及びアルカリに加えて更に
分散剤を含むと、研磨液中の砥粒を分散させ、その凝集
を抑制する。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明のリンス液でリンスされる
半導体基板は、主としてシリコンウェーハである。その
他の基板としてＧａＡｓ、ＩｎＰなどのウェーハが挙げ
られる。このリンス液に含まれる酸化剤としては過酸化
水素水、オゾン水等が挙げられる。リンス液中の酸化剤
の含有量は、リンス液の酸化還元電位が１０ｍＶ以上に
なるように決められる。この酸化剤によりリンス液の酸
化還元電位が１０ｍＶに満たない場合には、酸化剤の酸
化力が不十分となる。好ましい酸化還元電位は３０〜１
５０ｍＶである。またリンス液に含まれるアルカリとし
ては水酸化アンモニム（ＮＨ4ＯＨ）、水酸化カリウム
（ＫＯＨ）、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、アミン類
等が挙げられる。リンス液中のアルカリの含有量は、リ
ンス液のｐＨが８．０以上になるように決められる。こ
のアルカリによりリンス液のｐＨが８．０に満たない場
合には、リンス時に希釈される研磨液のｐＨが中性に近
づき、砥粒の凝集を生じるようになる。好ましいｐＨは
９．０〜１０．５である。更にリンス液に含まれる分散
剤としてはキシレン、ピロリン酸ナトリウム、ヘキサメ
タリン酸ナトリウム、リン酸三ナトリウム等が挙げられ
る。リンス液中の分散剤の含有量は０．００１〜５０ミ
リｍｏｌ／Ｌの範囲から決められる。
半導体基板は、主としてシリコンウェーハである。その
他の基板としてＧａＡｓ、ＩｎＰなどのウェーハが挙げ
られる。このリンス液に含まれる酸化剤としては過酸化
水素水、オゾン水等が挙げられる。リンス液中の酸化剤
の含有量は、リンス液の酸化還元電位が１０ｍＶ以上に
なるように決められる。この酸化剤によりリンス液の酸
化還元電位が１０ｍＶに満たない場合には、酸化剤の酸
化力が不十分となる。好ましい酸化還元電位は３０〜１
５０ｍＶである。またリンス液に含まれるアルカリとし
ては水酸化アンモニム（ＮＨ4ＯＨ）、水酸化カリウム
（ＫＯＨ）、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、アミン類
等が挙げられる。リンス液中のアルカリの含有量は、リ
ンス液のｐＨが８．０以上になるように決められる。こ
のアルカリによりリンス液のｐＨが８．０に満たない場
合には、リンス時に希釈される研磨液のｐＨが中性に近
づき、砥粒の凝集を生じるようになる。好ましいｐＨは
９．０〜１０．５である。更にリンス液に含まれる分散
剤としてはキシレン、ピロリン酸ナトリウム、ヘキサメ
タリン酸ナトリウム、リン酸三ナトリウム等が挙げられ
る。リンス液中の分散剤の含有量は０．００１〜５０ミ
リｍｏｌ／Ｌの範囲から決められる。
【０００９】本発明のリンス液を用いて半導体基板をリ
ンスするときの研磨方法には、片面研磨方法と両面研磨
方法がある。図１に片面研磨装置１０を示す。この研磨
装置１０は回転定盤１１と基板保持具１２を備える。回
転定盤１１は大きな円板であり、その底面中心に接続さ
れたシャフト１５によって回転する。回転定盤１１の上
面には研磨用パッド１３が貼付けられる。基板保持具１
２は加圧ヘッド１２ａとこれに接続して加圧ヘッド１２
ａを回転させるシャフト１２ｂからなる。加圧ヘッド１
２ａの下面には研磨プレート１４が取付けられる。研磨
プレート１４の下面には複数枚の半導体基板１６が貼付
けられる。回転定盤１１の上部にはスラリー状の研磨液
１７を供給するための配管１８と、リンス液１９を供給
するための配管２０が設けられる。この研磨装置１０に
より半導体基板１６を研磨する場合には、加圧ヘッド１
２ａを下降して半導体基板１６に所定の圧力を加えて基
板１６を押える。配管１８から研磨液１７を研磨用パッ
ド１３に供給しながら、加圧ヘッド１２ａと回転定盤１
１とを同一方向に回転させて、基板１６の表面を鏡面状
に研磨する。所定の研磨が行われた後、半導体基板１６
をリンスする場合、研磨液の供給を停止すると同時に配
管２０からリンス液１９を研磨用パッド１３に供給し始
める。リンス液を供給しながら、加圧ヘッド１２ａと回
転定盤１１を回転させる。このとき加圧ヘッド１２ａの
加圧力を下げることが好ましい。研磨用パッド１３上に
供給されたリンス液は半導体基板１６の表面と研磨用パ
ッド１３の間に行渡り、これまでの研磨液を洗い流す。
ンスするときの研磨方法には、片面研磨方法と両面研磨
方法がある。図１に片面研磨装置１０を示す。この研磨
装置１０は回転定盤１１と基板保持具１２を備える。回
転定盤１１は大きな円板であり、その底面中心に接続さ
れたシャフト１５によって回転する。回転定盤１１の上
面には研磨用パッド１３が貼付けられる。基板保持具１
２は加圧ヘッド１２ａとこれに接続して加圧ヘッド１２
ａを回転させるシャフト１２ｂからなる。加圧ヘッド１
２ａの下面には研磨プレート１４が取付けられる。研磨
プレート１４の下面には複数枚の半導体基板１６が貼付
けられる。回転定盤１１の上部にはスラリー状の研磨液
１７を供給するための配管１８と、リンス液１９を供給
するための配管２０が設けられる。この研磨装置１０に
より半導体基板１６を研磨する場合には、加圧ヘッド１
２ａを下降して半導体基板１６に所定の圧力を加えて基
板１６を押える。配管１８から研磨液１７を研磨用パッ
ド１３に供給しながら、加圧ヘッド１２ａと回転定盤１
１とを同一方向に回転させて、基板１６の表面を鏡面状
に研磨する。所定の研磨が行われた後、半導体基板１６
をリンスする場合、研磨液の供給を停止すると同時に配
管２０からリンス液１９を研磨用パッド１３に供給し始
める。リンス液を供給しながら、加圧ヘッド１２ａと回
転定盤１１を回転させる。このとき加圧ヘッド１２ａの
加圧力を下げることが好ましい。研磨用パッド１３上に
供給されたリンス液は半導体基板１６の表面と研磨用パ
ッド１３の間に行渡り、これまでの研磨液を洗い流す。
【００１０】
【実施例】次に本発明の具体的態様を示すために、本発
明の実施例を比較例とともに説明する。 ＜実施例１＞図１に示した研磨装置１０において、シリ
コンウェーハ１６をＳｉＯ2の砥粒をＮａＯＨ水溶液に
溶かした研磨液１７で研磨し、研磨液の供給を停止する
と同時に配管２０から３重量％の過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）
水からなるリンス液１９を研磨用パッド１３に滴下して
シリコンウェーハ１６をリンスした。このリンス液の酸
化還元電位は約３３０ｍＶ、ｐＨは約５．４であった。 ＜実施例２＞リンス液として１重量％の過酸化水素水と
０．１重量％のＮＨ4ＯＨとを含む水溶液を用いた以
外、実施例１と同様にしてシリコンウェーハをリンスし
た。このリンス液の酸化還元電位は約３８ｍＶ、ｐＨは
約９．８であった。
明の実施例を比較例とともに説明する。 ＜実施例１＞図１に示した研磨装置１０において、シリ
コンウェーハ１６をＳｉＯ2の砥粒をＮａＯＨ水溶液に
溶かした研磨液１７で研磨し、研磨液の供給を停止する
と同時に配管２０から３重量％の過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）
水からなるリンス液１９を研磨用パッド１３に滴下して
シリコンウェーハ１６をリンスした。このリンス液の酸
化還元電位は約３３０ｍＶ、ｐＨは約５．４であった。 ＜実施例２＞リンス液として１重量％の過酸化水素水と
０．１重量％のＮＨ4ＯＨとを含む水溶液を用いた以
外、実施例１と同様にしてシリコンウェーハをリンスし
た。このリンス液の酸化還元電位は約３８ｍＶ、ｐＨは
約９．８であった。
【００１１】＜実施例３＞リンス液として１重量％の過
酸化水素水と０．６重量％のピロリン酸ナトリウムとを
含む水溶液を用いた以外、実施例１と同様にしてシリコ
ンウェーハをリンスした。このリンス液の酸化還元電位
は約１４０ｍＶ、ｐＨは約９．０であった。 ＜実施例４＞リンス液として１重量％の過酸化水素水と
０．１重量％のＮＨ4ＯＨと０．６重量％のピロリン酸
ナトリウムとを含む水溶液を用いた以外、実施例１と同
様にしてシリコンウェーハをリンスした。このリンス液
の酸化還元電位は約５０ｍＶ、ｐＨは約９．９であっ
た。 ＜比較例＞リンス液として超純水を用いた以外、実施例
１と同様にしてシリコンウェーハをリンスした。
酸化水素水と０．６重量％のピロリン酸ナトリウムとを
含む水溶液を用いた以外、実施例１と同様にしてシリコ
ンウェーハをリンスした。このリンス液の酸化還元電位
は約１４０ｍＶ、ｐＨは約９．０であった。 ＜実施例４＞リンス液として１重量％の過酸化水素水と
０．１重量％のＮＨ4ＯＨと０．６重量％のピロリン酸
ナトリウムとを含む水溶液を用いた以外、実施例１と同
様にしてシリコンウェーハをリンスした。このリンス液
の酸化還元電位は約５０ｍＶ、ｐＨは約９．９であっ
た。 ＜比較例＞リンス液として超純水を用いた以外、実施例
１と同様にしてシリコンウェーハをリンスした。
【００１２】＜比較評価＞実施例１〜４及び比較例のリ
ンス液のリンス効果を確かめるために、リンス直後のシ
リコンウェーハを図示しないアンロードステーションに
移動した後、直ちにウェーハ表面のマイクロスクラッチ
は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて、ピット、パーティク
ルはパーティクルカウンタにてそれぞれ計測した。マイ
クロスクラッチはウェーハ表面の線状キズ、ピットは表
面欠陥、パーティクルはウェーハ表面に付着した直径が
０．１２μｍ以上の微小の異物をいう。また研磨終了時
に残留する砥粒によって生じたウェーハ表面の微小な凹
凸であるヘイズを測定した。このヘイズは、ウェーハ表
面の微小な凹凸（表面粗さ）などに起因する微小な散乱
光の入射光に対する百万分率（ｐｐｍ）で表され、レー
ザの散乱を利用した表面検査装置により測定した。これ
らの結果を表１に示す。
ンス液のリンス効果を確かめるために、リンス直後のシ
リコンウェーハを図示しないアンロードステーションに
移動した後、直ちにウェーハ表面のマイクロスクラッチ
は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて、ピット、パーティク
ルはパーティクルカウンタにてそれぞれ計測した。マイ
クロスクラッチはウェーハ表面の線状キズ、ピットは表
面欠陥、パーティクルはウェーハ表面に付着した直径が
０．１２μｍ以上の微小の異物をいう。また研磨終了時
に残留する砥粒によって生じたウェーハ表面の微小な凹
凸であるヘイズを測定した。このヘイズは、ウェーハ表
面の微小な凹凸（表面粗さ）などに起因する微小な散乱
光の入射光に対する百万分率（ｐｐｍ）で表され、レー
ザの散乱を利用した表面検査装置により測定した。これ
らの結果を表１に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】表１から明らかなように、マイクロスクラ
ッチ、ピット、パーティクル及びヘイズの全ての項目に
ついて、比較例と比べて実施例１〜４は優れていた。実
施例１〜４の中で酸化剤と分散剤を含む実施例３のリン
ス液と、酸化剤とアルカリと分散剤を含む実施例４のリ
ンス液の双方の結果が特に優れていた。
ッチ、ピット、パーティクル及びヘイズの全ての項目に
ついて、比較例と比べて実施例１〜４は優れていた。実
施例１〜４の中で酸化剤と分散剤を含む実施例３のリン
ス液と、酸化剤とアルカリと分散剤を含む実施例４のリ
ンス液の双方の結果が特に優れていた。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のリンス液を
用いたリンス法によれば、研磨終了時に研磨液中の砥粒
を半導体基板表面に凝集、付着させず、かつ研磨用パッ
ドから速やかに除去し、これにより基板表面にマイクロ
スクラッチ、ピット、ダメージ及び汚染を生じさせない
優れた効果がある。特に酸化剤に加えてアルカリ又は分
散剤を含んだリンス液を用いて研磨終了時の半導体基板
をリンスすると、その効果はより優れたものとなる。
用いたリンス法によれば、研磨終了時に研磨液中の砥粒
を半導体基板表面に凝集、付着させず、かつ研磨用パッ
ドから速やかに除去し、これにより基板表面にマイクロ
スクラッチ、ピット、ダメージ及び汚染を生じさせない
優れた効果がある。特に酸化剤に加えてアルカリ又は分
散剤を含んだリンス液を用いて研磨終了時の半導体基板
をリンスすると、その効果はより優れたものとなる。
【図１】本発明のリンス液を用いてリンスする研磨装置
の構成図。
の構成図。
１０ 研磨装置 １１ 回転定盤 １３ 研磨用パッド １６ シリコンウェーハ（半導体基板） １７ 研磨液 １９ リンス液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 健夫 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアル株式会社内 (72)発明者 高石 和成 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板(16)の表面の研磨終了時に前
記半導体基板(16)の表面をリンスするリンス液(19)にお
いて、 酸化剤を含有し、酸化還元電位が１０ｍＶ以上であるこ
とを特徴とする半導体基板の研磨終了時のリンス液。 - 【請求項２】 アルカリを更に含有し、ｐＨが８．０以
上である請求項１記載のリンス液。 - 【請求項３】 分散剤を更に含有する請求項１又は２記
載のリンス液。 - 【請求項４】 研磨装置(10)により半導体基板(16)の表
面を研磨し、その研磨終了時に前記研磨装置(10)におい
て前記半導体基板(16)の表面をリンスする方法におい
て、 酸化剤を含有し、酸化還元電位が１０ｍＶ以上であるリ
ンス液(19)により前記半導体基板(16)をリンスすること
を特徴とする半導体基板のリンス法。 - 【請求項５】 リンス液(19)がアルカリを更に含有し、
そのｐＨが８．０以上である請求項４記載のリンス法。 - 【請求項６】 リンス液(19)が分散剤を更に含有する請
求項４又は５記載のリンス法。
Priority Applications (1)
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1998
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