JPH07316860A - Production of compound having silica-germanium bond - Google Patents
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 68
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 title 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 88
- 229910008310 Si—Ge Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 24
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 23
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 23
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 21
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 21
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims abstract description 19
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- RPACBEVZENYWOL-XFULWGLBSA-M sodium;(2r)-2-[6-(4-chlorophenoxy)hexyl]oxirane-2-carboxylate Chemical compound [Na+].C=1C=C(Cl)C=CC=1OCCCCCC[C@]1(C(=O)[O-])CO1 RPACBEVZENYWOL-XFULWGLBSA-M 0.000 claims abstract description 7
- 238000003411 electrode reaction Methods 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 17
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 14
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 claims description 7
- -1 M g Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 11
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 abstract 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 29
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 20
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 19
- NOLYEJNUHUUNJB-UHFFFAOYSA-N CC(C)[Ge](C)(C)[SiH2]C1=CC=CC=C1 Chemical compound CC(C)[Ge](C)(C)[SiH2]C1=CC=CC=C1 NOLYEJNUHUUNJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 13
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 11
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 11
- ZZBNZZCHSNOXOH-UHFFFAOYSA-N chloro(trimethyl)germane Chemical compound C[Ge](C)(C)Cl ZZBNZZCHSNOXOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 8
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 6
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PFPTYRFVUHDUIN-UHFFFAOYSA-N dichloro(diphenyl)germane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Ge](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 PFPTYRFVUHDUIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AASUFOVSZUIILF-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanone;sodium Chemical compound [Na].C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 AASUFOVSZUIILF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- KWYZNESIGBQHJK-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-phenylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)C1=CC=CC=C1 KWYZNESIGBQHJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- IEXRMSFAVATTJX-UHFFFAOYSA-N tetrachlorogermane Chemical compound Cl[Ge](Cl)(Cl)Cl IEXRMSFAVATTJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007818 Grignard reagent Substances 0.000 description 2
- 229910013553 LiNO Inorganic materials 0.000 description 2
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- ONQMBYVVEVFYRP-UHFFFAOYSA-N chloro(triphenyl)germane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Ge](C=1C=CC=CC=1)(Cl)C1=CC=CC=C1 ONQMBYVVEVFYRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- OSXYHAQZDCICNX-UHFFFAOYSA-N dichloro(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 OSXYHAQZDCICNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNEPOXWQWFSSOU-UHFFFAOYSA-N dichloro-methyl-phenylsilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 GNEPOXWQWFSSOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M lithium perchlorate Chemical compound [Li+].[O-]Cl(=O)(=O)=O MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910001486 lithium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010534 nucleophilic substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 238000005185 salting out Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 2
- SPEUIVXLLWOEMJ-UHFFFAOYSA-N 1,1-dimethoxyethane Chemical compound COC(C)OC SPEUIVXLLWOEMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 4-(4-chlorophenyl)-4,5,6,7-tetrahydrothieno[3,2-c]pyridine Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C1C(C=CS2)=C2CCN1 CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018134 Al-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018467 Al—Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000497 Amalgam Inorganic materials 0.000 description 1
- LYFMBGRWEQIKTD-UHFFFAOYSA-N C[Ge](C)(C)[Si](C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C[Ge](C)(C)[Si](C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 LYFMBGRWEQIKTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPDOLRDNMDDGQE-UHFFFAOYSA-N C[Ge](C)(C)[Si](C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)[Ge](C)(C)C Chemical compound C[Ge](C)(C)[Si](C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)[Ge](C)(C)C JPDOLRDNMDDGQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJSMFPTYUWMIFG-UHFFFAOYSA-N C[Si](C)(C)[Ge](C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)[Si](C)(C)C Chemical compound C[Si](C)(C)[Ge](C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)[Si](C)(C)C KJSMFPTYUWMIFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- IYYIVELXUANFED-UHFFFAOYSA-N bromo(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)Br IYYIVELXUANFED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- MNKYQPOFRKPUAE-UHFFFAOYSA-N chloro(triphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(Cl)C1=CC=CC=C1 MNKYQPOFRKPUAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002731 mercury compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical class OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Abstract
Description
【０００１】本発明は、Ｓｉ−Ｇｅ結合を有する化合物
の製造方法に関する。The present invention relates to a method for producing a compound having a Si--Ge bond.
【０００２】[0002]
【従来技術とその問題点】Ｓｉ−Ｇｅ結合を有する化合
物は、光・電子材料などの出発原料として注目されてい
る。2. Description of the Related Art Compounds having a Si--Ge bond have been attracting attention as starting materials for optoelectronic materials.
【０００３】従来、Ｓｉ−Ｇｅ結合を有する化合物の製
造方法としては、金属ナトリウムなどのアルカリ金属を
用いて、極度に冷却した溶媒中のハロシランにハロゲル
マンを滴下することにより、還元的にカップリングさせ
る方法｛J.Organometal Chem.,247(1983) 149-160｝、
或いはマグネシウムアマルガムを使用する方法｛J.Orga
nometal Chem.,299(1988) 9-13｝などが知られている。
しかしながら、これらの方法は、反応温度の制御を必要
とすること、工業的規模での生産に際しては、アルカリ
金属や水銀化合物を大量に使用するので、安全性に大き
な問題があることなどの欠点を有している。Conventionally, as a method for producing a compound having a Si--Ge bond, an alkali metal such as sodium metal is used to reductively couple halogermane to halosilane in a solvent which has been extremely cooled. Method {J. Organometal Chem., 247 (1983) 149-160},
Alternatively, the method of using magnesium amalgam {J.Orga
nometal Chem., 299 (1988) 9-13} and the like are known.
However, these methods require the control of the reaction temperature, and when they are produced on an industrial scale, they use a large amount of alkali metals and mercury compounds, and therefore, they have drawbacks such as a large safety problem. Have
【０００４】この様な欠点を解消すべく、以下に示す様
に、ハロシランとハロゲルマンとを室温で電極還元し、
Ｓｉ−Ｇｅ結合を有する化合物を製造するという温和な
条件下での方法が提案されいる｛J.Chem.Soc.,Chem.Com
mun.,896,1992、特開平５−３３１６７４号公報｝。In order to eliminate such drawbacks, halosilane and halogermane are electrode-reduced at room temperature as shown below,
A method under mild conditions of producing a compound having a Si-Ge bond has been proposed {J. Chem. Soc., Chem. Com.
mun., 896, 1992, JP-A-5-331674}.
【０００５】すなわち、この方法は、電極としてＭｇ、
Ａｌなどの金属を用い、支持電解質として過塩素酸リチ
ウムなどを用い、溶媒としてテトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）などを用いる方法である。この方法よれば、安全な
金属を陽極に用いる活性な電極還元系を見出したことに
より、環境を汚染することなく、操作性良く、良好な収
率でＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合物を製造できるように
なった。しかしながら、支持電解質として用いる過塩素
酸リチウムなどの過塩素酸塩は、高価なものであり、ま
た取扱いに留意する必要もあることから、安価で取扱い
の容易な支持電解質を用いる系を見出すことが望まれて
いる。That is, this method uses Mg as an electrode,
A metal such as Al is used, lithium perchlorate or the like is used as a supporting electrolyte, and tetrahydrofuran (TH
F) and the like. According to this method, by finding an active electrode reduction system using a safe metal as an anode, it is possible to produce a compound having a Si—Ge bond with good operability and good yield without polluting the environment. Became. However, since perchlorates such as lithium perchlorate used as a supporting electrolyte are expensive and it is necessary to pay attention to handling, it is possible to find a system using a supporting electrolyte that is inexpensive and easy to handle. Is desired.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、操作性良好
であり、安全で且つ安価に、良好な収率でＳｉ−Ｇｅ結
合を有する化合物を製造しうる新たな方法を提供するこ
とを主な目的とする。DISCLOSURE OF THE INVENTION The main object of the present invention is to provide a new method capable of producing a compound having a Si--Ge bond in good yield, which is easy to operate, safe and inexpensive. It has a purpose.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の如き
従来技術の現状に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、特定の
金属を陽極として用い、且つ特定の溶媒および特定の支
持電解質を用い、ハロシランとハロゲルマンとを電極還
元反応に供することにより、Ｓｉ−Ｇｅ結合を有する化
合物を製造するに際し、反応系内に通電性を確保するた
めの通電助剤として特定の化学物質を存在させる場合に
は、従来技術の問題点が実質的に解消されるか或いは大
幅に軽減されることを見出した。The present inventor has conducted extensive studies in view of the current state of the art as described above, and as a result, used a specific metal as an anode and a specific solvent and a specific supporting electrolyte. In the case of producing a compound having a Si—Ge bond by subjecting halosilane and halogermane to an electrode reduction reaction, when a specific chemical substance is present in the reaction system as a current-carrying aid for ensuring conductivity. Have found that the problems of the prior art are substantially eliminated or significantly reduced.
【０００８】すなわち、本発明は下記のＳｉ−Ｇｅ結合
を有する化合物の製造方法を提供するものである： １．Ｓｉ−Ｇｅ結合を有する化合物の製造方法であっ
て、一般式That is, the present invention provides the following method for producing a compound having a Si--Ge bond: A method for producing a compound having a Si-Ge bond, comprising:
【０００９】[0009]
【化１０】 [Chemical 10]
【００１０】（式中Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ同
一或いは異なって、水素原子、アルキル基、アリール
基、アルコキシ基またはアミノ基を表し、Ｘは、ハロゲ
ン原子を表す。）で示されるハロシランと一般式(Wherein R 1 , R 2 and R 3 are the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group or an amino group, and X represents a halogen atom). Halosilane and general formula
【００１１】[0011]
【化１１】 [Chemical 11]
【００１２】（式中Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ同
一或いは異なって、水素原子、アルキル基、アリール
基、アルコキシ基またはアミノ基を表し、Ｘは、ハロゲ
ン原子を表す。）で示されるハロゲルマンとをＡｌ、Ａ
ｌ合金、Ｍｇ、Ｍｇ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｚｎまたは
Ｚｎ合金を陽極とし、Ｌｉ塩を支持電解質とし、Ａｌ
塩、Ｆｅ塩、Ｍｇ塩、Ｚｎ塩、Ｓｎ塩、Ｃｏ塩、Ｐｄ
塩、Ｖ塩、Ｃｕ塩、Ｃａ塩、Ｎａ塩またはＫ塩を通電助
剤として用い、溶媒として非プロトン性溶媒を使用する
電極反応に供することにより、一般式(Wherein R 4 , R 5 and R 6 are the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group or an amino group, and X represents a halogen atom). Al and A
Al alloy, Mg, Mg alloy, Cu, Cu alloy, Zn or Zn alloy as an anode, Li salt as a supporting electrolyte, Al
Salt, Fe salt, Mg salt, Zn salt, Sn salt, Co salt, Pd
By using a salt, a V salt, a Cu salt, a Ca salt, a Na salt or a K salt as an energization aid and subjecting it to an electrode reaction using an aprotic solvent as a solvent,
【００１３】[0013]
【化１２】 [Chemical 12]
【００１４】（式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6
は、上記に同じ。）で示されるＳｉ−Ｇｅ結合を有する
化合物を製造する方法。(Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 and R 6
Is the same as above. The method of manufacturing the compound which has Si-Ge bond shown by these.
【００１５】２．Ｓｉ−Ｇｅ結合を有する化合物の製造
方法であって、一般式2. A method for producing a compound having a Si-Ge bond, comprising:
【００１６】[0016]
【化１３】 [Chemical 13]
【００１７】（式中Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ同
一或いは異なって、水素原子、アルキル基、アリール
基、アルコキシ基またはアミノ基を表し、Ｘは、ハロゲ
ン原子を表す。）で示されるハロシランと一般式(Wherein R 1 , R 2 and R 3 are the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group or an amino group, and X represents a halogen atom). Halosilane and general formula
【００１８】[0018]
【化１４】 [Chemical 14]
【００１９】（式中Ｒ7およびＲ8は、それぞれ同一或い
は異なって、水素原子、アルキル基、アリール基、アル
コキシ基またはアミノ基を表し、Ｘは、ハロゲン原子を
表す。）で示されるジハロゲルマンとをＡｌ、Ａｌ合
金、Ｍｇ、Ｍｇ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＺｎまたはＺｎ
合金を陽極とし、Ｌｉ塩を支持電解質とし、Ａｌ塩、Ｆ
ｅ塩、Ｍｇ塩、Ｚｎ塩、Ｓｎ塩、Ｃｏ塩、Ｐｄ塩、Ｖ
塩、Ｃｕ塩、Ｃａ塩、Ｎａ塩またはＫ塩を通電助剤とし
て用い、溶媒として非プロトン性溶媒を使用する電極反
応に供することにより、一般式(Wherein R 7 and R 8 are the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group or an amino group, and X represents a halogen atom). Is Al, Al alloy, Mg, Mg alloy, Cu, Cu alloy, Zn or Zn
Alloy as anode, Li salt as supporting electrolyte, Al salt, F
e salt, Mg salt, Zn salt, Sn salt, Co salt, Pd salt, V
By using a salt, Cu salt, Ca salt, Na salt or K salt as an energization aid and subjecting it to an electrode reaction using an aprotic solvent as a solvent, a compound of the general formula
【００２０】[0020]
【化１５】 [Chemical 15]
【００２１】（式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7およびＲ8は、
上記に同じ。）で示されるＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合
物を製造する方法。(Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 7 and R 8 are
Same as above. The method of manufacturing the compound which has Si-Ge bond shown by these.
【００２２】３．Ｓｉ−Ｇｅ結合を有する化合物の製造
方法であって、一般式3. A method for producing a compound having a Si-Ge bond, comprising:
【００２３】[0023]
【化１６】 [Chemical 16]
【００２４】（式中Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ同
一或いは異なって、水素原子、アルキル基、アリール
基、アルコキシ基またはアミノ基を表し、Ｘは、ハロゲ
ン原子を表す。）で示されるハロゲルマンと一般式(Wherein R 4 , R 5 and R 6 are the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group or an amino group, and X represents a halogen atom). Halogerman and general formula
【００２５】[0025]
【化１７】 [Chemical 17]
【００２６】（式中Ｒ9およびＲ10は、それぞれ同一或
いは異なって、水素原子、アルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基またはアミノ基を表し、Ｘは、ハロゲン原子
を表す。）で示されるジハロシランとをＡｌ、Ａｌ合
金、Ｍｇ、Ｍｇ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＺｎまたはＺｎ
合金を陽極とし、Ｌｉ塩を支持電解質とし、Ａｌ塩、Ｆ
ｅ塩、Ｍｇ塩、Ｚｎ塩、Ｓｎ塩、Ｃｏ塩、Ｐｄ塩、Ｖ
塩、Ｃｕ塩、Ｃａ塩、Ｎａ塩またはＫ塩を通電助剤とし
て用い、溶媒として非プロトン性溶媒を使用する電極反
応に供することにより、一般式(Wherein R 9 and R 10 are the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group or an amino group, and X represents a halogen atom). Is Al, Al alloy, Mg, Mg alloy, Cu, Cu alloy, Zn or Zn
Alloy as anode, Li salt as supporting electrolyte, Al salt, F
e salt, Mg salt, Zn salt, Sn salt, Co salt, Pd salt, V
By using a salt, Cu salt, Ca salt, Na salt or K salt as an energization aid and subjecting it to an electrode reaction using an aprotic solvent as a solvent, a compound of the general formula
【００２７】[0027]
【化１８】 [Chemical 18]
【００２８】（式中Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ9およびＲ10は、
上記に同じ。）で示されるＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合
物を製造する方法。(Wherein R 4 , R 5 , R 6 , R 9 and R 10 are
Same as above. The method of manufacturing the compound which has Si-Ge bond shown by these.
【００２９】４．陽極としてＡｌ、Ａｌ合金、Ｍｇまた
はＭｇ合金を使用する上記項１〜３のいずれかに記載の
方法。4. 4. The method according to any one of Items 1 to 3, wherein Al, Al alloy, Mg or Mg alloy is used as the anode.
【００３０】５．支持電解質としてＬｉＣｌを使用する
上記項１〜４のいずれかに記載の方法。5. 5. The method according to any one of items 1 to 4 above, wherein LiCl is used as a supporting electrolyte.
【００３１】６．通電助剤としてＡｌＣｌ3、ＦｅＣ
ｌ2、ＦｅＣｌ3、ＣｏＣｌ2またはＣｕＣｌ2を使用する
上記項１〜５のいずれかに記載の方法。6. AlCl 3 , FeC as energization aid
The method according to any one of the above items 1 to 5, wherein l 2 , FeCl 3 , CoCl 2, or CuCl 2 is used.
【００３２】以下においては、上記項１乃至３に記載の
発明をそれぞれ本願第１発明乃至本願第３発明といい、
これらを総括する場合には、単に本発明という。Hereinafter, the inventions described in the above items 1 to 3 are referred to as the first invention to the third invention of the present application, respectively.
When summarizing these, it is simply referred to as the present invention.
【００３３】１．本願第１発明 本願第１発明における出発原料は、一般式1. First Invention of the Present Application The starting material in the first invention of the present application is represented by the general formula:
【００３４】[0034]
【化１９】 [Chemical 19]
【００３５】（式中Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ同
一或いは異なって、水素原子、アルキル基、アリール
基、アルコキシ基またはアミノ基を表し、Ｘは、ハロゲ
ン原子を表す。）で示されるハロシランと一般式(Wherein R 1 , R 2 and R 3 are the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group or an amino group, and X represents a halogen atom). Halosilane and general formula
【００３６】[0036]
【化２０】 [Chemical 20]
【００３７】（式中Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ同
一或いは異なって、水素原子、アルキル基、アリール
基、アルコキシ基またはアミノ基を表し、Ｘは、ハロゲ
ン原子を表す。）で示されるハロゲルマンとである。(Wherein R 4 , R 5 and R 6 are the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group or an amino group, and X represents a halogen atom). It is with Haro German.
【００３８】また、本願第１発明における反応生成物
は、一般式The reaction product in the first invention of the present application has the general formula
【００３９】[0039]
【化２１】 [Chemical 21]
【００４０】（式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6
は、上記に同じ。）で示されるＳｉ−Ｇｅ結合を有する
化合物である。(Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 and R 6
Is the same as above. ) Is a compound having a Si—Ge bond.
【００４１】一般式（１）で示されるハロシランにおい
て、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、水素原子、アミノ基および
有機置換基（アルキル基、アリール基およびアルコキシ
基）を示す。Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれが相異な
っていても良く、或いは２個以上が同一であっても良
い。アルキル基としては、炭素数１〜１０程度のものが
挙げられ、これらの中でも炭素数１〜６のものがより好
ましい。アリール基としては、フェニル基、炭素数１〜
６個のアルキル基の少なくとも１つを置換基として有す
るフェニル基、炭素数１〜６個のアルコキシ基を置換基
として有するｐ−アルコキシフェニル基、ナフチル基な
どが挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数１〜１
０程度のものが挙げられ、これらの中でも炭素数１〜６
のものがより好ましい。Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が上記のア
ミノ基および有機置換基である場合には、その水素原子
の少なくとも１つが他のアルキル基、アリール基、アル
コキシ基などの官能基（その炭素数などは、上記と同様
であって良い）により置換されていても良い。In the halosilane represented by the general formula (1), R 1 , R 2 and R 3 represent a hydrogen atom, an amino group and an organic substituent (alkyl group, aryl group and alkoxy group). R 1 , R 2 and R 3 may be different from each other, or two or more may be the same. Examples of the alkyl group include those having about 1 to 10 carbon atoms, and among these, those having 1 to 6 carbon atoms are more preferable. As the aryl group, a phenyl group, a carbon number of 1 to
Examples thereof include a phenyl group having at least one of 6 alkyl groups as a substituent, a p-alkoxyphenyl group having an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms as a substituent, and a naphthyl group. The alkoxy group has 1 to 1 carbon atoms.
There are about 0, and among these, 1 to 6 carbon atoms.
Are more preferred. When R 1 , R 2 and R 3 are the above-mentioned amino group and organic substituent, at least one of the hydrogen atoms has a functional group such as other alkyl group, aryl group, alkoxy group (the number of carbon atoms is , May be the same as the above).
【００４２】また、一般式（１）で示されるハロシラン
において、Ｘはハロゲン原子（Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒおよび
Ｉ）を示す。ハロゲン原子としては、Ｃｌがより好まし
い。In the halosilane represented by the general formula (1), X represents a halogen atom (Cl, F, Br and I). Cl is more preferable as the halogen atom.
【００４３】本発明においては、一般式（１）で表され
るハロシランの１種を単独で使用しても良く、或いは２
種以上を混合使用しても良い。ハロシランは、できるだ
け高純度のものであることが好ましく、例えば、液体の
ハロシランについては、水素化カルシウムにより乾燥
し、蒸留して使用することが好ましく、また、固体のハ
ロシランについては、再結晶法により精製して、使用す
ることが好ましい。In the present invention, one kind of halosilane represented by the general formula (1) may be used alone, or 2
You may use a mixture of two or more species. The halosilane is preferably as pure as possible. For example, for liquid halosilane, it is preferable to use it after drying with calcium hydride and distillation, and for solid halosilane by the recrystallization method. It is preferably purified before use.
【００４４】一般式（２）で示されるハロゲルマンにお
いても、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、水素原子、アミノ基お
よび有機置換基（アルキル基、アリール基およびアルコ
キシ基）を示す。Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれが相
異なっていても良く、或いは２個以上が同一であっても
良い。アルキル基としては、炭素数１〜１０程度のもの
が挙げられ、これらの中でも炭素数１〜６のものがより
好ましい。アリール基としては、フェニル基、炭素数１
〜６個のアルキル基の少なくとも１つを置換基として有
するフェニル基、炭素数１〜６個のアルコキシ基を置換
基として有するｐ−アルコキシフェニル基、ナフチル基
などが挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数１〜
１０程度のものが挙げられ、これらの中でも炭素数１〜
６のものがより好ましい。Ｒ4、Ｒ5およびＲ6が上記の
アミノ基および有機置換基である場合には、その水素原
子の少なくとも１つが他のアルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基などの官能基（その炭素数などは、上記と同
様であって良い）により置換されていても良い。Also in the halogermane represented by the general formula (2), R 4 , R 5 and R 6 represent a hydrogen atom, an amino group and an organic substituent (alkyl group, aryl group and alkoxy group). R 1 , R 2 and R 3 may be different from each other, or two or more may be the same. Examples of the alkyl group include those having about 1 to 10 carbon atoms, and among these, those having 1 to 6 carbon atoms are more preferable. As the aryl group, a phenyl group and 1 carbon atom
A phenyl group having at least one of 6 to 6 alkyl groups as a substituent, a p-alkoxyphenyl group having an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms as a substituent, a naphthyl group and the like. The alkoxy group has 1 to 1 carbon atoms.
The thing of about 10 is mentioned, and among these, C1-C1
6 is more preferable. When R 4 , R 5 and R 6 are the above-mentioned amino group and organic substituent, at least one of the hydrogen atoms has a functional group such as other alkyl group, aryl group or alkoxy group (the number of carbon atoms is , May be the same as the above).
【００４５】また、一般式（２）で示されるハロゲルマ
ンにおいても、Ｘはハロゲン原子（Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒおよ
びＩ）を示す。ハロゲン原子としては、Ｃｌがより好ま
しい。Also in the halogermane represented by the general formula (2), X represents a halogen atom (Cl, F, Br and I). Cl is more preferable as the halogen atom.
【００４６】本発明においては、一般式（２）で表され
るハロゲルマンの１種を単独で使用しても良く、或いは
２種以上を混合使用しても良い。ハロゲルマンも、でき
るだけ高純度であることが好ましいので、ハロシランと
同様に精製して使用することが好ましい。In the present invention, one kind of the halogermane represented by the general formula (2) may be used alone, or two or more kinds thereof may be mixed and used. Since halogermane is also preferably as pure as possible, it is preferably purified and used in the same manner as halosilane.
【００４７】一般式（２）で示されるハロゲルマンは、
一般に市販品として入手可能であるが、例えば、グリニ
ャール試薬によるテトラクロロゲルマンの求核置換反応
｛J.Am.Chem.,Vol.82,3016-18（1960）｝などにより、
合成することができる。The halogermane represented by the general formula (2) is
Generally available as a commercial product, for example, by nucleophilic substitution reaction of tetrachlorogermane with Grignard reagent {J. Am. Chem., Vol. 82, 3016-18 (1960)},
Can be synthesized.
【００４８】本願第１発明における反応に際しては、一
般式（１）で示されるハロシランと一般式（２）で示さ
れるハロゲルマンとを溶媒に溶解して使用する。両化合
物の混合割合は、通常ハロシラン（１）：ハロゲルマン
（２）＝１００：２０〜５００程度の範囲にあり、より
好ましくは１００：５０〜２００程度の範囲にある。こ
の混合割合をはずれる場合には、反応生成物（３）の単
位量当たりの通電量が増加して、電流効率が低下する。In the reaction of the first invention of the present application, the halosilane represented by the general formula (1) and the halogermane represented by the general formula (2) are dissolved in a solvent and used. The mixing ratio of both compounds is usually in the range of halosilane (1): halogermane (2) = 100: 20 to 500, and more preferably in the range of 100: 50 to 200. If the mixing ratio is out of this range, the energization amount per unit amount of the reaction product (3) increases, and the current efficiency decreases.
【００４９】本発明で使用する溶媒としては、非プロト
ン性溶媒がひろく使用でき、より具体的には、テトラヒ
ドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、プロピレンカ
ーボネート、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、
ジメチルスルホキシド、ビス（２−メトキシエチル）エ
ーテル、ｐ−ジオキサン、塩化メチレンなどが例示され
る。これらの溶媒は、単独でも、或いは２種以上の混合
物としても使用できる。溶媒としては、エーテル系の溶
媒がより好ましく、テトラヒドロフランおよび１，２−
ジメトキシエタンが最も好ましい。溶媒中のハロシラン
（１）とハロゲルマン（２）との合計濃度は、低すぎる
場合には電流効率が低下するのに対し、高すぎる場合に
は、支持電解質が溶解しないことがある。従って、溶媒
中のハロシランとハロゲルマンとの合計濃度は、通常
０．０５〜６ｍｏｌ／ｌ程度であり、より好ましくは
０．１〜４ｍｏｌ／ｌ程度であり、特に好ましくは０．
３〜３ｍｏｌ／ｌ程度である。As the solvent used in the present invention, an aprotic solvent can be widely used, and more specifically, tetrahydrofuran, 1,2-dimethoxyethane, propylene carbonate, acetonitrile, dimethylformamide,
Examples thereof include dimethyl sulfoxide, bis (2-methoxyethyl) ether, p-dioxane and methylene chloride. These solvents can be used alone or as a mixture of two or more kinds. As the solvent, ether-based solvents are more preferable, and tetrahydrofuran and 1,2-
Most preferred is dimethoxyethane. If the total concentration of the halosilane (1) and the halogermane (2) in the solvent is too low, the current efficiency decreases, whereas if it is too high, the supporting electrolyte may not dissolve. Therefore, the total concentration of halosilane and halogermane in the solvent is usually about 0.05 to 6 mol / l, more preferably about 0.1 to 4 mol / l, and particularly preferably 0.1.
It is about 3 to 3 mol / l.
【００５０】本発明で使用する支持電解質としては、Ｌ
ｉＣｌ、ＬｉＮＯ3、Ｌｉ2ＣＯ3などの安価なリチウム
塩が例示される。これらの支持電解質は、単独で使用し
ても良く、或いは２種以上を併用しても良い。これら支
持電解質の中でも、ＬｉＣｌが最も好ましい。支持電解
質は、濃度が低すぎる場合には、反応系に下記の通電助
剤を加えても反応が十分に進行しないため、通常０．０
１ｍｏｌ／ｌ以上の濃度で使用される。支持電解質の濃
度は、０．０５〜１．１ｍｏｌ／ｌ程度とすることがよ
り好ましく、０．２〜１．０ｍｏｌ／ｌ程度とすること
が最も好ましい。The supporting electrolyte used in the present invention is L
Examples include inexpensive lithium salts such as iCl, LiNO 3 , and Li 2 CO 3 . These supporting electrolytes may be used alone or in combination of two or more kinds. Among these supporting electrolytes, LiCl is most preferable. If the concentration of the supporting electrolyte is too low, the reaction does not proceed sufficiently even if the following energization aid is added to the reaction system, so that the concentration is usually 0.0
Used at a concentration of 1 mol / l or higher. The concentration of the supporting electrolyte is more preferably about 0.05 to 1.1 mol / l, most preferably about 0.2 to 1.0 mol / l.
【００５１】本発明においては、電極反応を効率的に行
って、Ｓｉ−Ｇｅ結合を有する化合物の収率を高めるた
めに、通電助剤を用いて良好な通電性を確保することを
必須とする。この様な通電助剤としては、ＡｌＣｌ3、
Ａｌ（ＯＥｔ）3などのＡｌ塩；ＦｅＣｌ2、ＦｅＣｌ3
などのＦｅ塩；ＭｇＣｌ2などのＭｇ塩；ＺｎＣｌ2など
のＺｎ塩；ＳｎＣｌ2などのＳｎ塩；ＣｏＣｌ2などのＣ
ｏ塩；ＰｄＣｌ2などのＰｄ塩；ＶＣｌ3などのＶ塩；Ｃ
ｕＣｌ2などのＣｕ塩；ＣａＣｌ2などのＣａ塩が好まし
いものとして例示される。これらの通電助剤は、単独で
使用しても良く、或いは２種以上を併用しても良い。こ
れら通電助剤の中でも、ＡｌＣｌ3、ＦｅＣｌ2、ＦｅＣ
ｌ3、ＣｏＣｌ2およびＣｕＣｌ2がより好ましい。通電
助剤の濃度は、低すぎると通電性が十分に確保されず、
高すぎると通電助剤が還元されて、反応に関与しなくな
る。従って、溶媒中の通電助剤の濃度は、通常０．０１
〜２ｍｏｌ／ｌ程度とし、より好ましくは０．０１〜
０．６ｍｏｌ／ｌ程度とし、特に好ましくは０．０２〜
０．３ｍｏｌ／ｌ程度とする。In the present invention, in order to efficiently carry out the electrode reaction and increase the yield of the compound having a Si--Ge bond, it is essential to secure good electrical conductivity by using an electrical current aid. . As such a current-carrying aid, AlCl 3 ,
Al salt such as Al (OEt) 3 ; FeCl 2 , FeCl 3
Fe salt such as; Mg salt such as MgCl 2 ; Zn salt such as ZnCl 2 ; Sn salt such as SnCl 2 ; C such as CoCl 2
o salt; Pd salt such as PdCl 2 ; V salt such as VCl 3 ; C
Cu salts such as uCl 2 ; Ca salts such as CaCl 2 are exemplified as preferable ones. These energization aids may be used alone or in combination of two or more. Among these energization aids, AlCl 3 , FeCl 2 , FeC
l 3 , CoCl 2 and CuCl 2 are more preferred. If the concentration of the current-carrying aid is too low, the current-carrying property is not sufficiently secured,
If it is too high, the energization aid is reduced and does not participate in the reaction. Therefore, the concentration of the energization aid in the solvent is usually 0.01
~ 2mol / l, more preferably 0.01 ~
It is set to about 0.6 mol / l, and particularly preferably 0.02 to
It is about 0.3 mol / l.
【００５２】本発明においては、陽極として、Ａｌ、Ａ
ｌを主成分とする合金、Ｍｇ、Ｍｇを主成分とする合
金、Ｃｕ、Ｃｕを主成分とする合金、ＺｎおよびＺｎを
主成分とする合金のいずれかを使用する。各金属の合金
は、各金属を主成分としている限り、特に限定されない
が、例えば、Ａｌを主成分とする合金としては、Ｍｇを
３〜１０％程度含有するものが挙げられ、Ｍｇを主成分
とする合金としては、Ａｌを３〜１０％程度含有するも
のが挙げられる。また、防食用のＡｌ合金、Ｍｇ合金、
Ｚｎ合金なども使用できる。例えば、防食用Ｍｇ合金と
しては、ＪＩＳＨ６１２５−１９６１に規定されている
１種（ＭＧＡ１）、２種（ＭＧＡ２、通称ＡＺ６３）、
３種（ＭＧＡ３）などが使用できる。陽極としては、Ａ
ｌおよびＡｌを主成分とする合金がより好ましい。ま
た、陰極としては、電流を通じ得る物質であれば特に限
定されないが、ＳＵＳ３０４、３１６などのステンレス
鋼；Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏなどの
各種金属類；炭素材料などが例示される。電極の形状
は、通電を安定して行いうる限り特に限定されないが、
棒状、板状、筒状、円錐状、円盤状、球状体乃至ペレッ
トをバスケットに収容したもの、板状体をコイル状に巻
いたものなどが好ましい。電極表面の酸化被膜は、必要
ならば、予め除去しておく。電極からの酸化被膜の除去
は、任意の方法で行えばよく、例えば、電極を酸により
洗浄した後、エタノールおよびエーテルなどにより洗浄
し、減圧下に乾燥する方法、窒素雰囲気下に電極を研磨
する方法、或いはこれらの方法を組み合わせた方法など
により行うことができる。In the present invention, as the anode, Al, A
Any of an alloy containing l as a main component, Mg, an alloy containing Mg as a main component, Cu, an alloy containing Cu as a main component, and Zn and an alloy containing Zn as a main component are used. The alloy of each metal is not particularly limited as long as each metal is contained as a main component. For example, an alloy containing Al as a main component includes an alloy containing about 3 to 10% of Mg, and Mg is a main component. As the alloy to be used, an alloy containing about 3 to 10% of Al can be mentioned. In addition, anti-corrosion Al alloy, Mg alloy,
A Zn alloy or the like can also be used. For example, as an anti-corrosion Mg alloy, 1 type (MGA1), 2 types (MGA2, commonly known as AZ63) specified in JIS H6125-1961,
Three kinds (MGA3) etc. can be used. As the anode, A
More preferably, the alloy is mainly composed of 1 and Al. The cathode is not particularly limited as long as it can pass an electric current, but stainless steel such as SUS304 and 316; various metals such as Mg, Cu, Zn, Sn, Al, Ni and Co; carbon materials and the like are exemplified. To be done. The shape of the electrode is not particularly limited as long as it can stably conduct electricity,
A rod-shaped, plate-shaped, tubular, conical, disk-shaped, spherical or pellet-shaped product housed in a basket, or a plate-shaped product wound into a coil is preferred. If necessary, the oxide film on the electrode surface is removed in advance. The oxide film can be removed from the electrode by any method. For example, the electrode is washed with an acid, then washed with ethanol and ether, and dried under reduced pressure. The electrode is polished under a nitrogen atmosphere. It can be carried out by a method or a combination of these methods.
【００５３】本発明は、特に制限されるものではない
が、例えば、（ａ）陽極および陰極を設置した密閉可能
な反応容器に一般式（１）で表されるハロシランと一般
式（２）で表されるハロゲルマン、支持電解質および通
電助剤を溶媒とともに収容し、好ましくは機械的若しく
は磁気的に撹拌しつつ、所定量の電流を通電することに
より電極反応を行わせる方法、（ｂ）陽極および陰極を
設置した電解槽、反応液貯槽、ポンプ、配管などから構
成される流動式電極反応装置を用いて、反応液貯槽に投
入したハロシランとハロゲルマン、支持電解質、通電助
剤および溶媒よりなる反応溶液をポンプにより電極反応
装置内を循環させつつ、所定量の電流を通電して、電解
槽内で電極反応を行わせる方法などにより、実施するこ
とができる。The present invention is not particularly limited, but, for example, (a) a halosilane represented by the general formula (1) and a general formula (2) in a sealable reaction container provided with an anode and a cathode. A method in which the halogermane represented, a supporting electrolyte, and a current-carrying auxiliary agent are housed together with a solvent, and preferably an electrode reaction is carried out by supplying a predetermined amount of current while mechanically or magnetically stirring, (b) an anode and A reaction solution consisting of a halosilane and halogermane, a supporting electrolyte, a current-carrying aid and a solvent, which is charged into the reaction solution storage tank by using a flow-type electrode reactor composed of an electrolytic cell with a cathode installed, a reaction solution storage tank, a pump, piping Is circulated in the electrode reaction device by a pump, and a predetermined amount of current is passed through the electrode reaction device to cause the electrode reaction in the electrolytic cell.
【００５４】電解槽の構造乃至形状は、特に限定されな
いが、反応の進行に伴って反応溶液中に溶け出して消耗
する陽極を簡便に供給する形式の構造とすることが出来
る。より具体的には、例えば、図１に斜面図として概要
を示す様に、消耗する陽極をバスケット乃至かご状容器
１に収容した小さな球状体乃至ペレット３により連続的
に供給する形式の電解槽とすることが出来る。或いは、
図２に示す様に、特開昭６２−５６５８９号公報に示さ
れた“鉛筆削り型電解槽”に準じて、陰極シート５内に
陽極となる金属または合金のブロック７を積層する形式
の電解槽としても良い。図１に示す形式の陽極を使用す
る場合には、図３に示す様に、電解槽２３の外壁を兼ね
る陰極２１内に金属または合金の球状体３を収容したバ
スケット１を配置して、電解を行う。The structure or shape of the electrolytic cell is not particularly limited, but it may be a structure of a type that easily supplies the anode which is dissolved and consumed in the reaction solution as the reaction progresses. More specifically, for example, as shown in a schematic perspective view in FIG. 1, an electrolytic cell of a type in which a consumable anode is continuously supplied by a small spherical body or pellet 3 housed in a basket or a basket-like container 1. You can do it. Alternatively,
As shown in FIG. 2, in accordance with the "pencil sharpening type electrolytic cell" disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 62-56589, electrolysis of a type in which a metal or alloy block 7 serving as an anode is laminated in a cathode sheet 5. It may be used as a tank. When an anode of the type shown in FIG. 1 is used, as shown in FIG. 3, a basket 1 containing a spherical body 3 of a metal or an alloy is placed in a cathode 21 which also serves as an outer wall of an electrolytic cell 23, and electrolysis is performed. I do.
【００５５】この様な連続供給型の陽極を備えた電解槽
を使用する場合には、消耗する電極を１回或いは数回の
反応毎に交換する必要がなくなるので、陽極交換に要す
る費用が軽減され、ポリマーの製造コストが低下する。When an electrolytic cell equipped with such a continuous supply type anode is used, it is not necessary to replace the consumable electrode once or every reaction, so that the cost required for replacing the anode is reduced. Therefore, the production cost of the polymer is reduced.
【００５６】反応容器あるいは反応装置内は、乾燥雰囲
気であればよいが、乾燥した窒素または不活性ガス雰囲
気であることがより好ましく、さらに脱酸素し、乾燥し
た窒素または不活性ガス雰囲気であることが最も好まし
い。通電量は、原料混合物中にハロゲン原子を基準とし
て、通常１〜１０Ｆ／モル程度であり、より好ましくは
１〜６Ｆ／モル程度であり、最も好ましくは１．３〜
３．２Ｆ／モル程度である。反応時間は、原料混合物の
量、支持電解質および通電助剤の量に関係する電解液の
抵抗などにより異なるが、通常０．５〜１００時間程度
の範囲内にあり、例えば、原料の濃度が、１．０モル／
ｌにおいては、５〜２０時間程度である。反応時の温度
は、通常−２０℃から使用する溶媒の沸点までの温度範
囲内にあり、より好ましくは−５〜３０℃程度であり、
最も好ましくは０〜２５℃程度である。本発明において
は、通常の電極還元反応において必須とされている隔膜
は、使用してもよいが、必須ではない。The inside of the reaction vessel or reactor may be a dry atmosphere, but it is more preferably a dry nitrogen or inert gas atmosphere, and further deoxidized and dry nitrogen or an inert gas atmosphere. Is most preferred. The amount of electricity applied is usually about 1 to 10 F / mol, more preferably about 1 to 6 F / mol, and most preferably 1.3 to 10 F / mol, based on the halogen atoms in the raw material mixture.
It is about 3.2 F / mol. The reaction time varies depending on the amount of the raw material mixture, the resistance of the electrolytic solution related to the amounts of the supporting electrolyte and the energization aid, and the like, but is usually in the range of about 0.5 to 100 hours, and for example, the concentration of the raw material is 1.0 mol /
In 1 it is about 5 to 20 hours. The temperature during the reaction is usually within a temperature range from -20 ° C to the boiling point of the solvent used, more preferably about -5 to 30 ° C.
Most preferably, it is about 0 to 25 ° C. In the present invention, the diaphragm which is essential in the usual electrode reduction reaction may be used, but it is not essential.
【００５７】２．本願第２発明 本願第２発明において、出発原料として使用する化合物
は、一般式2. Second Invention of the Present Application In the second invention of the present application, the compound used as a starting material is a compound represented by the general formula:
【００５８】[0058]
【化２２】 [Chemical formula 22]
【００５９】（式中Ｒ1、Ｒ2およびＲ3ならびにＸは、
前記に同じ。）で示されるハロシランと一般式(Wherein R 1 , R 2 and R 3 and X are
Same as above. ) And the general formula
【００６０】[0060]
【化２３】 [Chemical formula 23]
【００６１】（式中Ｒ7およびＲ8ならびにＸは、前記に
同じ。）で示されるジハロゲルマンとである。(Wherein R 7 and R 8 and X are the same as defined above).
【００６２】また、本願第２発明における反応生成物
は、一般式The reaction product in the second invention of the present application has the general formula
【００６３】[0063]
【化２４】 [Chemical formula 24]
【００６４】（式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7およびＲ8は、
上記に同じ。）で示されるＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合
物である。(Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 7 and R 8 are
Same as above. ) Is a compound having a Si—Ge bond.
【００６５】一般式（４）で示されるジハロゲルマンに
おいて、ハロゲン原子としては、Ｃｌがより好ましい。In the dihalogermane represented by the general formula (4), Cl is more preferable as the halogen atom.
【００６６】一般式（４）で示されるジハロゲルマン
も、一般に市販品として入手可能であるが、例えば、グ
リニャール試薬によるテトラクロロゲルマンの求核置換
反応｛J.Am.Chem.,Vol.82,3016-18（1960）｝、塩化ア
ルミニウムによるテトラアルキルゲルマンとテトラクロ
ロゲルマンとの不均化反応｛J.Poly.Sci.:Poly.Chem.E
d.Vol.2,111-25(1987)｝などにより、合成することがで
きる。The dihalogermane represented by the general formula (4) is generally available as a commercial product. For example, a nucleophilic substitution reaction of tetrachlorogermane with a Grignard reagent {J. Am. Chem., Vol. 82, 3016. -18 (1960)}, Disproportionation reaction of tetraalkylgermane and tetrachlorogermane with aluminum chloride {J.Poly.Sci.:Poly.Chem.E
d.Vol.2, 111-25 (1987)} and the like.
【００６７】本願第２発明は、出発原料として一般式
（１）で表される化合物の１種または２種以上と一般式
（４）で表される化合物の１種または２種以上とを使用
し、且つ対応する反応生成物が得られる以外の点では、
反応条件などの点で、本願第１発明と実質的に異なると
ころはない。The second invention of the present application uses, as a starting material, one or more compounds represented by the general formula (1) and one or more compounds represented by the general formula (4). And, except that the corresponding reaction product is obtained,
In terms of reaction conditions and the like, there is no substantial difference from the first invention of the present application.
【００６８】３．本願第３発明 本願第３発明において、出発原料として使用する化合物
は、一般式3. Third Invention of the Present Application In the third invention of the present application, the compound used as a starting material is a compound represented by the general formula:
【００６９】[0069]
【化２５】 [Chemical 25]
【００７０】（式中Ｒ4、Ｒ5およびＲ6ならびにＸは、
前記に同じ。）で示されるハロゲルマンと一般式(Wherein R 4 , R 5 and R 6 and X are
Same as above. ) And the general formula
【００７１】[0071]
【化２６】 [Chemical formula 26]
【００７２】（式中Ｒ9およびＲ10ならびにＸは、前記
に同じ。）で示されるジハロシランとである。(Wherein R 9 and R 10 and X are the same as defined above).
【００７３】また、本願第３発明における反応生成物
は、一般式The reaction product in the third invention of the present application has the general formula
【００７４】[0074]
【化２７】 [Chemical 27]
【００７５】（式中Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ9およびＲ10は、
上記に同じ。）で示されるＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合
物である。(Wherein R 4 , R 5 , R 6 , R 9 and R 10 are
Same as above. ) Is a compound having a Si—Ge bond.
【００７６】本願第３発明は、出発原料として一般式
（２）で表される化合物の１種または２種以上と一般式
（６）で表される化合物の１種または２種以上とを使用
し、且つ対応する反応生成物が得られる以外の点では、
反応条件などの点で、本願第１発明と実質的に異なると
ころはない。The third invention of the present application uses, as a starting material, one or more compounds of the general formula (2) and one or more compounds of the general formula (6). And, except that the corresponding reaction product is obtained,
In terms of reaction conditions and the like, there is no substantial difference from the first invention of the present application.
【００７７】なお、本発明においては、Ｓｉ−Ｏ−Ｇｅ
結合を有する化合物の副生を抑制するために、溶媒およ
び支持電解質中の水分を予め除去しておくことが望まし
い。例えば、溶媒としてテトラヒドロフラン或いは１，
２−ジメトキシエタンを使用する場合には、ナトリウム
−ベンゾフェノンケチルなどによる乾燥を予め行ってお
くことが好ましい。また、支持電解質の場合には、減圧
加熱による乾燥、或いは水分と反応しやすく且つ容易に
除去しうる物質（例えば、トリメチルクロロシランな
ど）の添加による水分除去を行っておくことが好まし
い。In the present invention, Si-O-Ge is used.
In order to suppress by-production of the compound having a bond, it is desirable to remove water in the solvent and supporting electrolyte in advance. For example, tetrahydrofuran or 1, as the solvent
When 2-dimethoxyethane is used, it is preferably dried in advance with sodium-benzophenone ketyl or the like. Further, in the case of the supporting electrolyte, it is preferable to dry by heating under reduced pressure or to remove water by adding a substance that easily reacts with water and can be easily removed (for example, trimethylchlorosilane).
【００７８】[0078]
【発明の効果】本発明によれば、下記のような顕著な効
果が達成される。According to the present invention, the following remarkable effects are achieved.
【００７９】（ａ）常温近くの穏和な条件下に反応を行
うことができ、且つ反応温度を厳密に制御する必要がな
いので、簡便にＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合物を製造す
ることができる。(A) Since the reaction can be performed under mild conditions near room temperature and the reaction temperature does not need to be strictly controlled, a compound having a Si--Ge bond can be easily produced.
【００８０】（ｂ）アルカリ金属或いは水銀を使用しな
いので、操作性に優れ、安全でかつ環境汚染などの危険
性なく、Ｓｉ−Ｇｅ結合を有する化合物を製造すること
ができる。(B) Since no alkali metal or mercury is used, it is possible to produce a compound having a Si--Ge bond, which is excellent in operability, safe, and free from the risk of environmental pollution.
【００８１】（ｃ）高価な支持電解質を用いないので、
安価にＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合物を製造することが
できる。(C) Since an expensive supporting electrolyte is not used,
A compound having a Si-Ge bond can be manufactured at low cost.
【００８２】（ｄ）取扱いに留意しなければならない支
持電解質を使用しないので、簡単にＳｉ−Ｇｅ結合を有
する化合物を製造することができる。(D) Since a supporting electrolyte, which must be handled with care, is not used, a compound having a Si--Ge bond can be easily produced.
【００８３】（ｅ）反応時に良好な通電性が確保できる
ので、効率よく短時間でＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合物
を製造することができる。(E) Since good electrical conductivity can be ensured during the reaction, a compound having a Si--Ge bond can be efficiently produced in a short time.
【００８４】[0084]
【実施例】以下に実施例を示し、本発明の特徴とすると
ころをより一層明確にする。EXAMPLES Examples will be shown below to further clarify the features of the present invention.
【００８５】実施例１ 三方コック、Ａｌ陽極（直径１ｃｍ×長さ５ｃｍ）およ
びＳＵＳ３０４陰極（１ｃｍ×１ｃｍ×５ｃｍ）を装着
した内容積３０ｍｌの３つ口フラスコ（以下反応器とい
う）に無水塩化リチウム（ＬｉＣｌ）０．４０ｇと無水
塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ3）０．２５ｇを収容し、
５０℃、１mmHgに加熱減圧して、ＬｉＣｌおよびＡｌＣ
ｌ3を乾燥した後、脱酸素した乾燥窒素を反応器内に導
入し、さらに予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで
乾燥したテトラヒドロフラン１５ｍｌを加えた。これに
予め蒸留により精製したトリメチルクロロゲルマン０．
７７ｇ（５ｍｍｏｌ）およびジメチルフェニルクロロシ
ラン１．７１ｇ（１０ｍｍｏｌ）をシリンジで加え、マ
グネティックスターラーにより反応溶液を撹拌しなが
ら、ウォーターバスにより反応器を室温に保持しつつ、
定電圧電源により通電した。通電は、混合原料中の塩素
原子を基準として、２Ｆ／ｍｏｌの通電量となる様に約
８時間行った。Example 1 A three-necked flask (hereinafter referred to as a reactor) having an internal volume of 30 ml equipped with a three-way cock, an Al anode (diameter 1 cm × length 5 cm) and a SUS304 cathode (1 cm × 1 cm × 5 cm) was charged with anhydrous lithium chloride. (LiCl) 0.40g and anhydrous aluminum chloride (AlCl 3 ) 0.25g are accommodated,
LiCl and AlC are heated to 50 ° C and decompressed to 1 mmHg
After drying l 3 , deoxygenated dry nitrogen was introduced into the reactor, and further 15 ml of tetrahydrofuran previously dried with sodium-benzophenone ketyl was added. Trimethylchlorogermane 0.1.
77 g (5 mmol) and 1.71 g (10 mmol) of dimethylphenylchlorosilane were added with a syringe, while stirring the reaction solution with a magnetic stirrer, while maintaining the reactor at room temperature with a water bath,
It was energized by a constant voltage power supply. The energization was carried out for about 8 hours so that the energization amount was 2 F / mol based on the chlorine atom in the mixed raw material.
【００８６】反応終了後、反応溶液にヘキサン２０ｍｌ
を加えて塩析を行い、ヘキサン層を分別蒸留することに
より、生成物を得た（沸点９０℃、３０ｍｍＨｇ）。After completion of the reaction, 20 ml of hexane was added to the reaction solution.
Was added for salting out, and the hexane layer was fractionally distilled to obtain a product (boiling point 90 ° C., 30 mmHg).
【００８７】生成物を分析したところ、ジメチルフェニ
ルシリルトリメチルゲルマンが、トリメチルクロロゲル
マンを基準として、７７．０％の収率で得られており、
本発明方法により、高収率でＳｉ−Ｇｅ結合を有する化
合物が得られることが確認された。When the product was analyzed, dimethylphenylsilyltrimethylgermane was obtained in a yield of 77.0% based on trimethylchlorogermane.
It was confirmed that a compound having a Si-Ge bond can be obtained in high yield by the method of the present invention.
【００８８】実施例２ 一般式（１）で示される原料として、再結晶法で精製し
たトリフェニルクロロシラン２．９５ｇ（１０ｍｍｏ
ｌ）を使用する以外は実施例１と同様にして電極反応を
行った。その結果、トリフェニルシリルトリメチルゲル
マンが、トリメチルクロロゲルマンを基準として、８
２．１％の収率で得られており、Ｓｉ−Ｇｅ結合を有す
る化合物が高収率で生成していることが確認された。Example 2 As a raw material represented by the general formula (1), 2.95 g (10 mmo) of triphenylchlorosilane purified by a recrystallization method was used.
The electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that 1) was used. As a result, triphenylsilyltrimethylgermane was 8% based on trimethylchlorogermane.
It was obtained at a yield of 2.1%, and it was confirmed that a compound having a Si—Ge bond was produced at a high yield.
【００８９】実施例３ 一般式（２）で示される原料として、再結晶法で精製し
たトリフェニルクロロゲルマン１．７０ｇ（５ｍｍｏ
ｌ）を使用する以外は実施例１と同様にして電極反応を
行った。その結果、ジメチルフェニルシリルトリフェニ
ルゲルマンがトリフェニルクロロゲルマンを基準とし
て、７２．６％の収率で得られており、高収率でＳｉ−
Ｇｅ結合を有する化合物が生成していることが確認され
た。Example 3 As a raw material represented by the general formula (2), 1.70 g (5 mmo of triphenylchlorogermane purified by a recrystallization method was used.
The electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that 1) was used. As a result, dimethylphenylsilyltriphenylgermane was obtained in a yield of 72.6% based on triphenylchlorogermane, which was a high yield of Si-
It was confirmed that a compound having a Ge bond was produced.
【００９０】実施例４ 一般式（１）で示される原料として、トリメチルブロモ
シランを使用する以外は実施例１と同様にして電極反応
を行った。その結果、高収率でＳｉ−Ｇｅ結合を有する
化合物が生成していることが確認された。Example 4 An electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that trimethylbromosilane was used as the raw material represented by the general formula (1). As a result, it was confirmed that a compound having a Si-Ge bond was produced in high yield.
【００９１】実施例５ 一般式（１）で示される原料としてトリメチルクロロシ
ラン１．０９ｇ（１０ｍｍｏｌ）を使用し、且つ一般式
（４）で示される原料としてジフェニルジクロロゲルマ
ン０．７４ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を使用する以外は実施
例１と同様にして電極反応を行った。その結果、ビス
（トリメチルシリル）ジフェニルゲルマンが、ジフェニ
ルジクロロゲルマンを基準として、５１．８％の収率で
得られており、高収率でＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合物
が生成していることが確認された。Example 5 1.09 g (10 mmol) of trimethylchlorosilane was used as the raw material represented by the general formula (1), and 0.74 g (2.5 mmol) of diphenyldichlorogermane was used as the raw material represented by the general formula (4). The electrode reaction was performed in the same manner as in Example 1 except that was used. As a result, bis (trimethylsilyl) diphenylgermane was obtained in a yield of 51.8% based on diphenyldichlorogermane, and it was confirmed that a compound having a Si—Ge bond was produced in a high yield. Was done.
【００９２】実施例６ 一般式（１）で示される原料としてジメチルフェニルク
ロロシラン１．７１ｇ（１０ｍｍｏｌ）を使用し、且つ
一般式（４）で示される原料としてジフェニルジクロロ
ゲルマン０．７４ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を使用する以外
は実施例１と同様にして電極反応を行った。その結果、
ビス（ジメチルフェニルシリル）ジフェニルゲルマン
が、ジフェニルジクロロゲルマンを基準として、６２．
２％の収率で得られており、高収率でＳｉ−Ｇｅ結合を
有する化合物が生成していることが確認された。Example 6 1.71 g (10 mmol) of dimethylphenylchlorosilane was used as the raw material represented by the general formula (1), and 0.74 g (2.5 mmol) of diphenyldichlorogermane was used as the raw material represented by the general formula (4). The electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that as a result,
The bis (dimethylphenylsilyl) diphenylgermane is based on diphenyldichlorogermane 62.
It was obtained in a yield of 2%, and it was confirmed that a compound having a Si—Ge bond was produced in a high yield.
【００９３】実施例７ 一般式（２）で示される原料としてトリメチルクロロゲ
ルマン１．５３ｇ（１０ｍｍｏｌ）を使用し、且つ一般
式（６）で示される原料としてジフェニルジクロロシラ
ン０．６３ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を使用する以外は実施
例１と同様にして電極反応を行った。その結果、ビス
（トリメチルゲルミル）ジフェニルシランが、ジフェニ
ルジクロロシランを基準として、４９．９％の収率で得
られており、良好な収率でＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合
物が生成していることが確認された。Example 7 1.53 g (10 mmol) of trimethylchlorogermane was used as a raw material represented by the general formula (2), and 0.63 g (2.5 mmol) of diphenyldichlorosilane was used as a raw material represented by the general formula (6). The electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that As a result, bis (trimethylgermyl) diphenylsilane was obtained in a yield of 49.9% based on diphenyldichlorosilane, and a compound having a Si—Ge bond was produced in a good yield. It was confirmed.
【００９４】実施例８ 一般式（２）で示される原料としてトリメチルクロロゲ
ルマン１．５３ｇ（１０ｍｍｏｌ）を使用し、且つ一般
式（６）で示される原料としてメチルフェニルジクロロ
シラン０．４８ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を使用する以外は
実施例１と同様にして電極反応を行った。その結果、ビ
ス（トリメチルゲルミル）メチルフェニルシランが、メ
チルフェニルジクロロシランを基準として、６６．５％
の収率で得られており、高収率でＳｉ−Ｇｅ結合を有す
る化合物が生成していることが確認された。Example 8 1.53 g (10 mmol) of trimethylchlorogermane was used as a raw material represented by the general formula (2), and 0.48 g (2.2.3 g) of methylphenyldichlorosilane was used as a raw material represented by the general formula (6). The electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that 5 mmol) was used. As a result, bis (trimethylgermyl) methylphenylsilane was 66.5% based on methylphenyldichlorosilane.
It was confirmed that the compound having a Si—Ge bond was produced at a high yield.
【００９５】実施例９ 陽極としてＡｌ−Ｍｇ合金（Ａｌ９０％、Ｍｇ１０％、
１ｃｍ×１ｃｍ×５ｃｍ）を使用する以外は実施例１と
同様にして電極反応を行った。その結果、ジメチルフェ
ニルシリルトリメチルゲルマンが、トリメチルクロロゲ
ルマンを基準として、７２．４％の収率で得られてお
り、高収率でＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合物が生成して
いることが確認された。Example 9 As an anode, an Al-Mg alloy (90% Al, 10% Mg,
The electrode reaction was performed in the same manner as in Example 1 except that 1 cm × 1 cm × 5 cm) was used. As a result, dimethylphenylsilyltrimethylgermane was obtained in a yield of 72.4% based on trimethylchlorogermane, and it was confirmed that a compound having a Si—Ge bond was produced in a high yield. It was
【００９６】実施例１０ 陽極としてＭｇ（直径１ｃｍ×長さ５ｃｍ）を使用する
以外は実施例１と同様にして、電極反応を行った。その
結果、ジメチルフェニルシリルトリメチルゲルマンが、
トリメチルクロロゲルマンを基準として、６７．４％の
収率で得られており、Ｓｉ−Ｇｅ結合を有する化合物が
高収率で生成していることが確認された。Example 10 An electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that Mg (diameter 1 cm × length 5 cm) was used as the anode. As a result, dimethylphenylsilyltrimethylgermane
It was obtained in a yield of 67.4% based on trimethylchlorogermane, and it was confirmed that a compound having a Si—Ge bond was produced in a high yield.
【００９７】実施例１１ 陽極としてＭｇ系合金（Ｍｇ９５．５％、Ａｌ４％、Ｍ
ｎ０．５％、１ｃｍ×１ｃｍ×５ｃｍ）を使用する以外
は実施例１と同様にして、電極反応を行った。その結
果、ジメチルフェニルシリルトリメチルゲルマンが、ト
リメチルクロロゲルマンを基準として、６３．３％の収
率で得られており、Ｓｉ−Ｇｅ結合を有する化合物が高
収率で生成していることが確認された。Example 11 Mg type alloy (Mg 95.5%, Al 4%, M
n 0.5%, 1 cm × 1 cm × 5 cm) was used, and the electrode reaction was performed in the same manner as in Example 1. As a result, dimethylphenylsilyltrimethylgermane was obtained in a yield of 63.3% based on trimethylchlorogermane, and it was confirmed that a compound having a Si—Ge bond was produced in a high yield. It was
【００９８】実施例１２ 陽極としてＺｎ（１ｃｍ×１ｃｍ×５ｃｍ）を使用する
以外は実施例１と同様にして、電極反応を行った。その
結果、ジメチルフェニルシリルトリメチルゲルマンが、
トリメチルクロロゲルマンを基準として、２７．９％の
収率で得られており、良好な収率でＳｉ−Ｇｅ結合を有
する化合物が生成していることが確認された。Example 12 An electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that Zn (1 cm × 1 cm × 5 cm) was used as the anode. As a result, dimethylphenylsilyltrimethylgermane
It was obtained in a yield of 27.9% based on trimethylchlorogermane, and it was confirmed that a compound having a Si—Ge bond was produced in a good yield.
【００９９】実施例１３ 陰極としてグラッシーカーボン（１ｃｍ×０．１ｃｍ×
５ｃｍ）を使用する以外は実施例１と同様にして、電極
反応を行った。その結果、高収率でＳｉ−Ｇｅ結合が生
成していることが確認された。Example 13 Glassy carbon (1 cm × 0.1 cm ×) as a cathode
The electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that 5 cm) was used. As a result, it was confirmed that Si-Ge bonds were produced in high yield.
【０１００】実施例１４ 支持電解質としてＬｉＮＯ3０．６５ｇを使用する以外
は実施例１と同様にして、電極反応を行った。その結
果、良好な収率でＳｉ−Ｇｅ結合が生成していることが
確認された。Example 14 An electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that 0.65 g of LiNO 3 was used as a supporting electrolyte. As a result, it was confirmed that the Si-Ge bond was generated in good yield.
【０１０１】実施例１５ 支持電解質としてＬｉ2ＮＯ3０．７０ｇを使用する以外
は実施例１と同様にして、電極反応を行った。その結
果、良好な収率でＳｉ−Ｇｅ結合が生成していることが
確認された。Example 15 An electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that 0.70 g of Li 2 NO 3 was used as the supporting electrolyte. As a result, it was confirmed that the Si-Ge bond was generated in good yield.
【０１０２】実施例１６ 通電助剤として、ＭｇＣｌ2０．１８ｇを使用する以外
は実施例１と同様にして電極反応を行った。その結果、
良好な収率でＳｉ−Ｇｅ結合が生成していることが確認
された。Example 16 An electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that 0.18 g of MgCl 2 was used as a current carrying aid. as a result,
It was confirmed that the Si-Ge bond was generated in good yield.
【０１０３】実施例１７ 通電助剤として、ＺｎＣｌ2０．２５ｇを使用する以外
は実施例１と同様にして電極反応を行った。その結果、
良好な収率でＳｉ−Ｇｅ結合が生成していることが確認
された。Example 17 An electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that 0.25 g of ZnCl 2 was used as a current carrying aid. as a result,
It was confirmed that the Si-Ge bond was generated in good yield.
【０１０４】実施例１８ 通電助剤として、ＣａＣｌ2０．２１ｇを使用する以外
は実施例１と同様にして電極反応を行った。その結果、
良好な収率でＳｉ−Ｇｅ結合が生成していることが確認
された。Example 18 An electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that 0.21 g of CaCl 2 was used as a current carrying aid. as a result,
It was confirmed that the Si-Ge bond was generated in good yield.
【０１０５】実施例１９ 溶媒として予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾
燥したＤＭＥ１５ｍｌを使用する以外は実施例１と同様
にして電極反応を行った。その結果、良好な収率でＳｉ
−Ｇｅ結合が生成していることが確認された。Example 19 An electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that 15 ml of DME previously dried with sodium-benzophenone ketyl was used as a solvent. As a result, Si with a good yield
It was confirmed that -Ge bond was generated.
【０１０６】実施例２０ Ａｌ陽極（１２ｃｍ×１５ｃｍ×１ｃｍ）およびＳＵＳ
３１６陰極（１２ｃｍ×１５ｃｍ×１ｃｍ）を装着した
フィルタープレス型電解槽（電極間距離５ｍｍ）、容量
３ｌの反応液貯槽、ベローズ式ポンプおよび配管からな
る流動式電極反応装置の反応液貯槽に無水塩化リチウム
（ＬｉＣｌ）４０ｇと無水塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ
3）２５ｇを収容し、脱酸素した乾燥窒素を反応装置内
に導入し、さらに予めナトリウム−ベンゾフェノンケチ
ルで乾燥したテトラヒドロフラン１．５ｌを加えた。こ
れに予め蒸留により精製したトリメチルクロロゲルマン
７７ｇ（０．５ｍｏｌ）およびジメチルフェニルクロロ
シラン１７１ｇ（１ｍｏｌ）をシリンジで加え、ベロー
ズ式ポンプにより反応液を循環させながら（電極間を通
過する際の線速度は２０ｃｍ／秒）、冷却器により反応
温度を室温に保持しつつ、定電圧電源により、通電し
た。通電は、混合原料中の塩素を基準として２Ｆ／ｍｏ
ｌの通電量となる様に、約４０時間行った。Example 20 Al anode (12 cm × 15 cm × 1 cm) and SUS
316 cathode (12 cm x 15 cm x 1 cm) equipped with a filter press type electrolytic cell (distance between electrodes is 5 mm), a reaction solution storage tank with a volume of 3 l, a bellows type pump and a reaction solution storage tank of a fluidized electrode reaction device including piping. 40 g of lithium (LiCl) and anhydrous aluminum chloride (AlCl
3 ) 25 g of which was housed, deoxygenated dry nitrogen was introduced into the reactor, and further 1.5 l of tetrahydrofuran which had been previously dried with sodium-benzophenone ketyl was added. To this, 77 g (0.5 mol) of trimethylchlorogermane and 171 g (1 mol) of dimethylphenylchlorosilane, which had been previously purified by distillation, were added with a syringe, and the reaction solution was circulated by a bellows pump (the linear velocity when passing between electrodes 20 cm / sec), while keeping the reaction temperature at room temperature by a cooler, electricity was supplied by a constant voltage power source. Electricity is 2F / mo based on chlorine in the mixed raw materials
It was carried out for about 40 hours so that the energization amount was 1 l.
【０１０７】反応終了後、反応溶液にヘキサン２ｌを加
えて塩析を行い、ヘキサン層を分別蒸留することによ
り、生成物を得た（沸点９０℃、３０ｍｍＨｇ）。After completion of the reaction, 2 l of hexane was added to the reaction solution for salting out, and the hexane layer was fractionally distilled to obtain a product (boiling point 90 ° C., 30 mmHg).
【０１０８】生成物を分析したところ、ジメチルフェニ
ルシリルトリメチルゲルマンが、トリメチルクロロゲル
マンを基準として、８０．２％の収率で得られており、
高収率でＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合物が得られること
が確認された。When the product was analyzed, dimethylphenylsilyltrimethylgermane was obtained in a yield of 80.2% based on trimethylchlorogermane.
It was confirmed that a compound having a Si-Ge bond was obtained in high yield.
【０１０９】実施例２１ 通電助剤として、ＦｅＣｌ2０．２４ｇを使用する以外
は実施例１と同様にして電極反応を行った。この場合、
原料中の塩素を基準として通電量が２Ｆ／ｍｏｌとなる
まで約１０時間を要した。その結果、ジメチルフェニル
シリルトリメチルゲルマンが８８．８％の収率で得られ
ており、高収率でＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合物が得ら
れることが確認された。Example 21 An electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that 0.24 g of FeCl 2 was used as a current carrying aid. in this case,
It took about 10 hours until the amount of electricity passed to 2 F / mol based on chlorine in the raw material. As a result, it was confirmed that dimethylphenylsilyltrimethylgermane was obtained in a yield of 88.8%, and a compound having a Si—Ge bond was obtained in a high yield.
【０１１０】実施例２２ 通電助剤として、ＦｅＣｌ3０．３１ｇを使用する以外
は実施例１と同様にして電極反応を行った。この場合、
原料中の塩素を基準として通電量が２Ｆ／ｍｏｌとなる
まで約１３時間を要した。その結果、ジメチルフェニル
シリルトリメチルゲルマンが７８．９％の収率で得られ
ており、高収率でＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合物が得ら
れることが確認された。Example 22 An electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that 0.31 g of FeCl 3 was used as a current carrying aid. in this case,
It took about 13 hours until the amount of electricity passed to 2 F / mol based on chlorine in the raw material. As a result, it was confirmed that dimethylphenylsilyltrimethylgermane was obtained in a yield of 78.9%, and a compound having a Si—Ge bond was obtained in a high yield.
【０１１１】実施例２３ 通電助剤として、ＳｎＣｌ2０．４９ｇを使用する以外
は実施例１と同様にして電極反応を行った。この場合、
原料中の塩素を基準として通電量が２Ｆ／ｍｏｌとなる
まで約１７時間を要した。その結果、ジメチルフェニル
シリルトリメチルゲルマンが５９．７％の収率で得られ
ており、高収率でＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合物が得ら
れることが確認された。Example 23 An electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that 0.49 g of SnCl 2 was used as a current carrying aid. in this case,
About 17 hours were required until the amount of electricity passed to 2 F / mol based on chlorine in the raw material. As a result, it was confirmed that dimethylphenylsilyltrimethylgermane was obtained in a yield of 59.7%, and a compound having a Si—Ge bond was obtained in a high yield.
【０１１２】実施例２４ 通電助剤として、ＣｏＣｌ2０．２４ｇを使用する以外
は実施例１と同様にして電極反応を行った。この場合、
原料中の塩素を基準として通電量が２Ｆ／ｍｏｌとなる
まで約２１時間を要した。その結果、ジメチルフェニル
シリルトリメチルゲルマンが６９．６％の収率で得られ
ており、高収率でＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合物が得ら
れることが確認された。Example 24 An electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that 0.24 g of CoCl 2 was used as a current carrying aid. in this case,
It took about 21 hours until the amount of electricity passed to 2 F / mol based on chlorine in the raw material. As a result, it was confirmed that dimethylphenylsilyltrimethylgermane was obtained at a yield of 69.6%, and a compound having a Si—Ge bond was obtained at a high yield.
【０１１３】実施例２５ 通電助剤として、ＰｄＣｌ2０．３３ｇを使用する以外
は実施例１と同様にして電極反応を行った。この場合、
原料中の塩素を基準として通電量が２Ｆ／ｍｏｌとなる
まで約２３時間を要した。その結果、ジメチルフェニル
シリルトリメチルゲルマンが７６．３％の収率で得られ
ており、高収率でＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合物が得ら
れることが確認された。Example 25 An electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that 0.33 g of PdCl 2 was used as a current carrying aid. in this case,
It took about 23 hours until the amount of electricity passed to 2 F / mol based on chlorine in the raw material. As a result, it was confirmed that dimethylphenylsilyltrimethylgermane was obtained in a yield of 76.3%, and a compound having a Si—Ge bond was obtained in a high yield.
【０１１４】実施例２６ 通電助剤として、ＶＣｌ3０．２９ｇを使用する以外は
実施例１と同様にして電極反応を行った。この場合、原
料中の塩素を基準として通電量が２Ｆ／ｍｏｌとなるま
で約２５時間を要した。その結果、ジメチルフェニルシ
リルトリメチルゲルマンが５９．１％の収率で得られて
おり、高収率でＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合物が得られ
ることが確認された。Example 26 An electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that 0.29 g of VCl 3 was used as a current carrying aid. In this case, it took about 25 hours until the amount of electricity passed to 2 F / mol based on chlorine in the raw material. As a result, it was confirmed that dimethylphenylsilyltrimethylgermane was obtained in a yield of 59.1%, and a compound having a Si—Ge bond was obtained in a high yield.
【０１１５】実施例２７ 通電助剤として、ＣｕＣｌ2０．２５ｇを使用する以外
は実施例１と同様にして電極反応を行った。この場合、
原料中の塩素を基準として通電量が２Ｆ／ｍｏｌとなる
まで約１３時間を要した。その結果、ジメチルフェニル
シリルトリメチルゲルマンが７１．０％の収率で得られ
ており、高収率でＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合物が得ら
れることが確認された。Example 27 An electrode reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except that 0.25 g of CuCl 2 was used as a current carrying aid. in this case,
It took about 13 hours until the amount of electricity passed to 2 F / mol based on chlorine in the raw material. As a result, it was confirmed that dimethylphenylsilyltrimethylgermane was obtained in a yield of 71.0%, and a compound having a Si—Ge bond was obtained in a high yield.
【図１】陽極を構成する金属または合金の球状体をかご
状容器乃至バスケットに収容して使用する本発明方法の
大要を示す斜面図である。FIG. 1 is a perspective view showing the outline of the method of the present invention in which a spherical body of a metal or an alloy forming an anode is housed in a cage or a basket and used.
【図２】本発明方法を実施するに際し使用する電解槽を
鉛筆削り型電解槽とした場合の概要を示す模式的な断面
図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an outline when a pencil sharpening type electrolytic cell is used as an electrolytic cell used for carrying out the method of the present invention.
【図３】図１に示す形式の陽極を使用する電解槽の概要
を示す模式的な断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an outline of an electrolytic cell using an anode of the type shown in FIG.
１…かご状容器乃至バスケット ３…金属粒状体乃至ペレット ５…陰極 ７…ブロック状陽極 ２１…陰極 ２３…電解槽 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Basket-like container or basket 3 ... Metal granular body or pellets 5 ... Cathode 7 ... Block-shaped anode 21 ... Cathode 23 ... Electrolyzer
Claims (6)
であって、一般式 【化１】 （式中Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ同一或いは異な
って、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ
基またはアミノ基を表し、Ｘは、ハロゲン原子を表
す。）で示されるハロシランと一般式 【化２】 （式中Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ同一或いは異な
って、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ
基またはアミノ基を表し、Ｘは、ハロゲン原子を表
す。）で示されるハロゲルマンとをＡｌ、Ａｌ合金、Ｍ
ｇ、Ｍｇ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＺｎまたはＺｎ合金を
陽極とし、Ｌｉ塩を支持電解質とし、Ａｌ塩、Ｆｅ塩、
Ｍｇ塩、Ｚｎ塩、Ｓｎ塩、Ｃｏ塩、Ｐｄ塩、Ｖ塩、Ｃｕ
塩、Ｃａ塩、Ｎａ塩またはＫ塩を通電助剤として用い、
溶媒として非プロトン性溶媒を使用する電極反応に供す
ることにより、一般式 【化３】 （式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、上記に同
じ。）で示されるＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合物を製造
する方法。1. A method for producing a compound having a Si--Ge bond, which comprises a compound represented by the general formula: (Wherein R 1 , R 2 and R 3 are the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group or an amino group, and X represents a halogen atom). General formula: (Wherein R 4 , R 5 and R 6 are the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group or an amino group, and X represents a halogen atom). Al, Al alloy, M
g, Mg alloy, Cu, Cu alloy, Zn or Zn alloy as an anode, Li salt as a supporting electrolyte, Al salt, Fe salt,
Mg salt, Zn salt, Sn salt, Co salt, Pd salt, V salt, Cu
Salt, Ca salt, Na salt or K salt as an energization aid,
By subjecting it to an electrode reaction using an aprotic solvent as a solvent, a compound of the general formula: (In the formula, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 and R 6 are the same as above.) A method for producing a compound having a Si—Ge bond.
であって、一般式 【化４】 （式中Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ同一或いは異な
って、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ
基またはアミノ基を表し、Ｘは、ハロゲン原子を表
す。）で示されるハロシランと一般式 【化５】 （式中Ｒ7およびＲ8は、それぞれ同一或いは異なって、
水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基また
はアミノ基を表し、Ｘは、ハロゲン原子を表す。）で示
されるジハロゲルマンとをＡｌ、Ａｌ合金、Ｍｇ、Ｍｇ
合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＺｎまたはＺｎ合金を陽極と
し、Ｌｉ塩を支持電解質とし、Ａｌ塩、Ｍｇ塩、Ｚｎ
塩、Ｃａ塩、Ｎａ塩またはＫ塩を通電助剤として用い、
溶媒として非プロトン性溶媒を使用する電極反応に供す
ることにより、一般式 【化６】 （式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7およびＲ8は、上記に同
じ。）で示されるＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合物を製造
する方法。2. A method for producing a compound having a Si--Ge bond, which comprises the general formula: (Wherein R 1 , R 2 and R 3 are the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group or an amino group, and X represents a halogen atom). General formula: (Wherein R 7 and R 8 are the same or different,
It represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group or an amino group, and X represents a halogen atom. ) Dihalogermane and Al, Al alloy, Mg, Mg
Alloy, Cu, Cu alloy, Zn or Zn alloy as an anode, Li salt as a supporting electrolyte, Al salt, Mg salt, Zn
Salt, Ca salt, Na salt or K salt as an energization aid,
By subjecting it to an electrode reaction using an aprotic solvent as the solvent, the compound of the general formula: (In the formula, R 1 , R 2 , R 3 , R 7 and R 8 are the same as above.) A method for producing a compound having a Si—Ge bond.
であって、一般式 【化７】 （式中Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ同一或いは異な
って、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ
基またはアミノ基を表し、Ｘは、ハロゲン原子を表
す。）で示されるハロゲルマンと一般式 【化８】 （式中Ｒ9およびＲ10は、それぞれ同一或いは異なっ
て、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基
またはアミノ基を表し、Ｘは、ハロゲン原子を表す。）
で示されるジハロシランとをＡｌ、Ａｌ合金、Ｍｇ、Ｍ
ｇ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＺｎまたはＺｎ合金を陽極と
し、Ｌｉ塩を支持電解質とし、Ａｌ塩、Ｆｅ塩、Ｍｇ
塩、Ｚｎ塩、Ｓｎ塩、Ｃｏ塩、Ｐｄ塩、Ｖ塩、Ｃｕ塩、
Ｃａ塩、Ｎａ塩またはＫ塩を通電助剤として用い、溶媒
として非プロトン性溶媒を使用する電極反応に供するこ
とにより、一般式 【化９】 （式中Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ9およびＲ10は、上記に同
じ。）で示されるＳｉ−Ｇｅ結合を有する化合物を製造
する方法。3. A method for producing a compound having a Si--Ge bond, which comprises the general formula: (Wherein R 4 , R 5 and R 6 are the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group or an amino group, and X represents a halogen atom). General formula (In the formula, R 9 and R 10 are the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group or an amino group, and X represents a halogen atom.)
With dihalosilane represented by Al, Al alloy, Mg, M
g alloy, Cu, Cu alloy, Zn or Zn alloy as an anode, Li salt as a supporting electrolyte, Al salt, Fe salt, Mg
Salt, Zn salt, Sn salt, Co salt, Pd salt, V salt, Cu salt,
By using Ca salt, Na salt, or K salt as an energization aid and subjecting it to an electrode reaction using an aprotic solvent as a solvent, a compound of the general formula: (In the formula, R 4 , R 5 , R 6 , R 9 and R 10 are the same as above.) A method for producing a compound having a Si—Ge bond.
ｇ合金を使用する請求項１〜３のいずれかに記載の方
法。4. Al, Al alloy, Mg or M as an anode
Method according to any of claims 1 to 3, wherein a g-alloy is used.
項１〜４のいずれかに記載の方法。5. The method according to claim 1, wherein LiCl is used as the supporting electrolyte.
ｅＣｌ3、ＣｏＣｌ2またはＣｕＣｌ2を使用する請求項
１〜５のいずれかに記載の方法。6. AlCl 3 , FeCl 2 , F as an energization aid
eCl 3, The method according to any one of claims 1 to 5 using CoCl 2 or CuCl 2.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7006479A JPH07316860A (en) | 1994-03-30 | 1995-01-19 | Production of compound having silica-germanium bond |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-60677 | 1994-03-30 | ||
| JP6067794 | 1994-03-30 | ||
| JP7006479A JPH07316860A (en) | 1994-03-30 | 1995-01-19 | Production of compound having silica-germanium bond |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07316860A true JPH07316860A (en) | 1995-12-05 |
Family
ID=26340634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7006479A Pending JPH07316860A (en) | 1994-03-30 | 1995-01-19 | Production of compound having silica-germanium bond |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07316860A (en) |
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| CN114751934A (en) * | 2017-06-01 | 2022-07-15 | 赢创运营有限公司 | Novel chlorosilylarylgermanes, process for their preparation and their use |
-
1995
- 1995-01-19 JP JP7006479A patent/JPH07316860A/en active Pending
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