JPH0715301A - Delay circuit - Google Patents

Delay circuit

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JPH0715301A
JPH0715301A JP15747893A JP15747893A JPH0715301A JP H0715301 A JPH0715301 A JP H0715301A JP 15747893 A JP15747893 A JP 15747893A JP 15747893 A JP15747893 A JP 15747893A JP H0715301 A JPH0715301 A JP H0715301A
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JP
Japan
Prior art keywords
capacitor
transistor
constant current
current source
diode
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP15747893A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Komatsu
和弘 小松
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Denso Ten Ltd
Original Assignee
Denso Ten Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0715301A publication Critical patent/JPH0715301A/en
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Abstract

PURPOSE:To delay a rectangular wave whose pulse width is accurately equal to that of a received rectangular wave with a long delay time by using a capacitor whose capacitance is small and to provide an output of the delayed rectangular wave. CONSTITUTION:An output switching element Q5 of a comparator 1 and a constant current source 3 are connected in series in an integrated circuit or the like, a capacitor C1 is rapidly charged via a diode D1 and a discharge current flows trough a base of a transistor (TR) Q6 and then a long delay time TF1 is obtained thereby. The TRQ6 and a constant current source 4 are connected and a capacitor C2 is rapidly charged via a diode D2, the discharge current of the capacitor C2 is discharged via a base of a TRQ7 and a long delay time TR1 is obtained thereby. NPN TRs are employed for the TRs Q6, Q7, the current amplification factor of them is selected equal to each other, the capacitance of the capacitor C1, C2 is selected equal to make currents 11, 12 equal to each other and the time of the delay times TF1, TR1 is made equal to each other.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、矩形波を遅延する遅延
回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a delay circuit for delaying a rectangular wave.

【0002】[0002]

【従来の技術】典型的な先行技術は図4に示されてい
る。集積回路において差動対と呼ばれるトランジスタQ
11〜Q14から成る回路には定電流源11が接続さ
れ、入力端子12から図5(1)に示される矩形波信号
が入力される。トランジスタQ12には、弁別レベルV
THを設定する電圧が与えられる。このトランジスタQ
12に関連してコンデンサCが接続され、トランジスタ
Q15,Q16を経て出力端子13から図5(2)に示
される矩形波が導出される。コンデンサCは、集積回路
内に形成されるとき、せいぜい10pF程度であり、し
たがって、図5に示される立上り時間TRおよび立下り
時間TFは、約1μsec程度であって、きわめて短時
間である。
2. Description of the Related Art A typical prior art is shown in FIG. Transistor Q called differential pair in integrated circuit
A constant current source 11 is connected to the circuit composed of 11 to Q14, and the rectangular wave signal shown in FIG. The discrimination level V is applied to the transistor Q12.
A voltage is set which sets TH. This transistor Q
A capacitor C is connected in association with 12, and a rectangular wave shown in FIG. 5B is derived from the output terminal 13 via the transistors Q15 and Q16. When the capacitor C is formed in the integrated circuit, it is at most about 10 pF, and therefore the rise time TR and the fall time TF shown in FIG. 5 are about 1 μsec, which is a very short time.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】このような図4および
図5に示される先行技術では、入力端子12に図6
(1)に示される矩形波15の他に、高周波ノイズ16
が混入したときには、前記時間TR,TFが短いので、
出力端子13からは、前記矩形波15に対応する波形1
7の他に、ノイズ16に対応する波形18が導出される
という問題がある。この波形18は、出力されないよう
にする必要がある。
In the prior art shown in FIGS. 4 and 5, the input terminal 12 is provided with the configuration shown in FIG.
In addition to the rectangular wave 15 shown in (1), high frequency noise 16
When is mixed, the time TR and TF are short,
The waveform 1 corresponding to the rectangular wave 15 is output from the output terminal 13.
7, there is a problem that the waveform 18 corresponding to the noise 16 is derived. It is necessary to prevent the waveform 18 from being output.

【0004】また前述の先行技術では、定電流源11か
らトランジスタQ12を介する比較的大きな電流Iでコ
ンデンサCが充電され、またトランジスタQ14を介し
て放電され、これによつて前述の各時間TR,TFが定
められるので、集積回路内できわめて小容量のコンデン
サCを用いる構成では、前述のように時間TR,TFを
長くすることができない。
Further, in the above-mentioned prior art, the capacitor C is charged from the constant current source 11 by the relatively large current I passing through the transistor Q12, and is discharged through the transistor Q14, whereby each time TR, Since TF is defined, the time TR and TF cannot be lengthened as described above in the configuration using the capacitor C having an extremely small capacity in the integrated circuit.

【0005】またさらにこの先行技術では、立上り時間
TRに対応するコンデンサCの充電のためにトランジス
タQ12を介する充電電流が流れ、立下り時間TFに対
応するコンデンサCの放電のためにトランジスタQ14
が用いられ、トランジスタQ12はPNP導電形式であ
り、トランジスタQ14はNPN形の導電形式であり、
したがってトランジスタQ12,Q14の特性によって
時間TR,TFが異なる結果になる。したがって入力信
号VINと同一パルス幅を有する信号を出力端子13か
ら導出することが困難となり、そのためパルス幅を演算
処理する回路では、図4に示される構成を用いることは
できない。
Furthermore, in this prior art, a charging current flows through the transistor Q12 for charging the capacitor C corresponding to the rising time TR, and a transistor Q14 for discharging the capacitor C corresponding to the falling time TF.
Transistor Q12 is of PNP conductivity type, and transistor Q14 is of NPN conductivity type.
Therefore, the times TR and TF are different depending on the characteristics of the transistors Q12 and Q14. Therefore, it becomes difficult to derive a signal having the same pulse width as that of the input signal VIN from the output terminal 13, and therefore, the circuit shown in FIG. 4 cannot be used in the circuit for calculating the pulse width.

【0006】本発明の目的は、小容量のコンデンサであ
っても、長い遅延時間、たとえば1msecを正確に達
成することができるようにした遅延回路を提供すること
である。
An object of the present invention is to provide a delay circuit capable of accurately achieving a long delay time, for example, 1 msec even with a small capacity capacitor.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、出力スイッチ
ング素子Q5に直列に定電流源3が接続され、入力信号
VINのレベルが予め定める弁別レベルVTH未満で出
力スイッチング素子Q5をオンまたはオフの一方のスイ
ッチング状態とし、入力信号VINのレベルが前記弁別
レベルVTH以上で出力スイッチング素子Q5をオンま
たはオフの他方のスイッチング状態とするコンパレータ
1と、出力スイッチング素子Q5と定電流源3との接続
点にアノードが接続されるダイオードD1と、ダイオー
ドD1のカソードに接続され、定電流源3からのダイオ
ードD1を介する電流によって急速に充電されるコンデ
ンサC1と、コンデンサC1が接続されるベースを有
し、コンデンサC1をゆっくり放電させる放電用トラン
ジスタQ6とを含むことを特徴とする遅延回路である。
According to the present invention, a constant current source 3 is connected in series to an output switching element Q5, and the output switching element Q5 is turned on or off when the level of an input signal VIN is less than a predetermined discrimination level VTH. A connection point between the output switching element Q5 and the constant current source 3, and a comparator 1 in which one of the switching states is set and the level of the input signal VIN is equal to or higher than the discrimination level VTH, and the output switching element Q5 is turned on or off. A diode D1 having an anode connected to the capacitor, a capacitor C1 connected to the cathode of the diode D1 and rapidly charged by a current from the constant current source 3 through the diode D1, and a base to which the capacitor C1 is connected, And a discharging transistor Q6 for slowly discharging the capacitor C1. A delay circuit, wherein the door.

【0008】また本発明は、前記放電用トランジスタQ
6に直列に接続されるもう1つの定電流源4と、放電用
トランジスタQ6と、前記もう1つの定電流源4との接
続点にアノードが接続されるもう1つのダイオードD2
と、前記もう1つのダイオードD2のカソードに接続さ
れ、前記もう1つの定電流源4からの前記もう1つのダ
イオードD2を介する電流によって急速に充電されるも
う1つのコンデンサC2と、前記もう1つのコンデンサ
C2が接続されるベースを有し、前記もう1つのコンデ
ンサC2をゆっくり放電させるもう1つの放電用トラン
ジスタQ7とを含むことを特徴とする。
The present invention also provides the discharging transistor Q.
6 is connected to another constant current source 4 in series, a discharging transistor Q6, and another diode D2 whose anode is connected to the connection point of the other constant current source 4.
And another capacitor C2 connected to the cathode of the other diode D2 and rapidly charged by the current through the other diode D2 from the other constant current source 4, and the other capacitor C2. Another discharge transistor Q7 having a base to which the capacitor C2 is connected and slowly discharging the other capacitor C2 is characterized.

【0009】[0009]

【作用】本発明に従えば、入力信号VINのレベルが、
弁別レベルVTH未満になることによって、定電流源3
に直列に接続されている出力スイッチング素子Q5が遮
断し、したがってコンデンサC1は定電流源3からダイ
オードD1を介する電流Iによって急速に、したがって
きわめて短時間で充電される。
According to the present invention, the level of the input signal VIN is
When the discrimination level becomes less than VTH, the constant current source 3
The output switching element Q5, which is connected in series with, shuts off, so that the capacitor C1 is charged rapidly by the current I from the constant current source 3 through the diode D1 and thus in a very short time.

【0010】その後、入力信号VINのレベルが前記弁
別レベルVTH以上になると、出力スイッチング素子Q
5は導通し、そのためコンデンサC1の電荷は、トラン
ジスタQ6のベースを介してゆっくり放電される。この
ときコンデンサC1から放電される放電電流Ib1は、
そのトランジスタQ6のコレクタ・エミッタ間に流れる
電流をI1とし、トランジスタQ6の電流増幅率をβ6
とするとき、I1/β6であってわずかな値である。こ
うしてコンデンサC1が小容量であっても、長い遅延時
間TF1を得ることができる。
After that, when the level of the input signal VIN exceeds the discrimination level VTH, the output switching element Q
5 conducts, so that the charge on capacitor C1 is slowly discharged through the base of transistor Q6. At this time, the discharge current Ib1 discharged from the capacitor C1 is
The current flowing between the collector and emitter of the transistor Q6 is I1, and the current amplification factor of the transistor Q6 is β6.
Is I1 / β6, which is a small value. In this way, a long delay time TF1 can be obtained even if the capacitor C1 has a small capacity.

【0011】前記トランジスタQ6に関連してさらに、
定電流源4、ダイオードD2およびコンデンサC2をそ
れぞれもう1つずつ設けることによって、入力信号VI
Nのレベルが予め定める弁別レベルVTH未満になって
出力スイッチング素子Q5が遮断し、トランジスタQ6
が導通することによって、前記もう1つのコンデンサC
2の電荷は、前記もう1つのトランジスタQ7のベース
を経てゆっくり放電され、これによってコンデンサC2
が小さくても、長い遅延時間TR1を得ることができ
る。
In addition to the transistor Q6,
By providing one more constant current source 4, one diode D2 and one capacitor C2, the input signal VI
When the level of N becomes less than the predetermined discrimination level VTH, the output switching element Q5 is cut off, and the transistor Q6
By conducting the other capacitor C
The charge of 2 is slowly discharged through the base of the other transistor Q7, which causes the capacitor C2
Even if is small, a long delay time TR1 can be obtained.

【0012】前記トランジスタQ6および前記もう1つ
のトランジスタQ7を同一の導電形式、たとえばNPN
導電形式とすることができ、このことによって、これら
のトランジスタQ6,Q7の特性を同一とし、またコン
デンサC1,C2の容量を同一とし、さらに放電時の電
流を同一とし、こうして2つの遅延時間TR1,TF1
を等しくして,入力される矩形波と同一のパルス幅を有
する遅延された矩形波を正確に導出することができる。
The transistor Q6 and the other transistor Q7 have the same conductivity type, for example, NPN.
It may be of a conductive type, whereby the characteristics of these transistors Q6 and Q7 are made the same, the capacitances of the capacitors C1 and C2 are made the same, and the currents at the time of discharge are made the same, thus making two delay times TR1. , TF1
Can be made equal, and a delayed rectangular wave having the same pulse width as the input rectangular wave can be accurately derived.

【0013】[0013]

【実施例】図1は、本発明の一実施例の電気回路図であ
る。この図1に示される電気回路は、集積回路において
実現されるものであり、コンパレータ1では、トランジ
スタQ1〜Q4によって差動対が構成され、この差動対
に定電流源2が接続される。トランジスタQ1のベース
は入力端子6に接続され、トランジスタQ2のベースに
は基準電圧源7から予め定める弁別レベルVTHを有す
る電圧が与えられる。トランジスタQ2,Q4の接続点
8はトランジスタQ5のベースに接続される。このトラ
ンジスタQ5は、出力スイッチング素子であり、このト
ランジスタQ5には直列に定電流源3が接続され、電流
Iが供給される。トランジスタQ5のコレクタと定電流
源3との接続点9には、ダイオードD1のアノードが接
続される。ダイオードD1のカソードは、コンデンサC
1に接続されるとともに、さらにトランジスタQ6のベ
ースに接続される。
FIG. 1 is an electric circuit diagram of an embodiment of the present invention. The electric circuit shown in FIG. 1 is realized by an integrated circuit, and in the comparator 1, a differential pair is constituted by the transistors Q1 to Q4, and the constant current source 2 is connected to this differential pair. The base of the transistor Q1 is connected to the input terminal 6, and the base of the transistor Q2 is supplied with a voltage having a predetermined discrimination level VTH from the reference voltage source 7. The connection point 8 of the transistors Q2 and Q4 is connected to the base of the transistor Q5. The transistor Q5 is an output switching element, and the constant current source 3 is connected in series to the transistor Q5 to supply the current I. The anode of the diode D1 is connected to the connection point 9 between the collector of the transistor Q5 and the constant current source 3. The cathode of the diode D1 is a capacitor C
1 and is further connected to the base of the transistor Q6.

【0014】トランジスタQ6には直列にもう1つの定
電流源4が接続される。トランジスタQ6と定電流源4
との接続点10にはダイオードD2のアノードが接続さ
れる。ダイオードD2のカソードはコンデンサC2に接
続されるとともに、トランジスタQ7のベースに接続さ
れる。トランジスタQ7はさらに定電流源5に接続さ
れ、それらの接続点21はトランジスタQ8のベースに
接続される。トランジスタQ8のコレクタは直列に抵抗
R1を介して電圧源に接続され、また前記コレクタは出
力端子22となっている。トランジスタQ1,Q2はP
NP導電形式であり、残余のトランジスタQ3〜Q8は
NPN導電形式である。コンデンサC1,C2は小容量
であり、たとえば10pF程度であり、集積回路内に形
成される。
Another constant current source 4 is connected in series to the transistor Q6. Transistor Q6 and constant current source 4
The anode of the diode D2 is connected to the connection point 10 with. The cathode of the diode D2 is connected to the capacitor C2 and the base of the transistor Q7. The transistor Q7 is further connected to the constant current source 5, and their connection point 21 is connected to the base of the transistor Q8. The collector of the transistor Q8 is connected in series to the voltage source via the resistor R1, and the collector serves as the output terminal 22. Transistors Q1 and Q2 are P
NP conductivity type, and the remaining transistors Q3 to Q8 are NPN conductivity type. The capacitors C1 and C2 have a small capacity, for example, about 10 pF, and are formed in the integrated circuit.

【0015】図2は、図1に示される実施例の動作を説
明するための波形図である。図2(1)は、入力端子6
から入力される入力信号VINの波形図である。時刻t
1において入力端子6の入力信号VINがハイレベルか
らローレベルとなり、弁別レベルVTH未満になると、
トランジスタQ1は図2(2)に示されるように導通
し、これによってトランジスタQ5は、図2(3)に示
されるように遮断される。トランジスタQ6は図2
(4)に示されるように時刻t1で導通し、トランジス
タQ7のコレクタ・エミッタ間のインピーダンスは図2
(5)に示されるように変化し、トランジスタQ8は図
2(6)に示される動作をする。時刻t1以前では、ト
ランジスタQ7は導通しており、時刻t1以降では、コ
ンデンサC2の電荷は、トランジスタQ7のベースを経
て流れ、その放電電流Ib2は、定電流源5の定電流I
2に対応している。トランジスタQ7が時刻t2におい
て遮断すると、トランジスタQ8は図2(6)に示され
るように立上って導通する。トランジスタQ7の電流増
幅率をβ7とするとき、放電電流Ib2は、I2/β7
であって小さい値である。
FIG. 2 is a waveform diagram for explaining the operation of the embodiment shown in FIG. FIG. 2A shows the input terminal 6
It is a wave form diagram of the input signal VIN input from. Time t
1, the input signal VIN of the input terminal 6 changes from the high level to the low level and becomes less than the discrimination level VTH,
Transistor Q1 conducts as shown in FIG. 2 (2), which causes transistor Q5 to shut off as shown in FIG. 2 (3). The transistor Q6 is shown in FIG.
As shown in (4), the transistor Q7 conducts at time t1 and the collector-emitter impedance of the transistor Q7 is as shown in FIG.
As shown in (5), the transistor Q8 operates as shown in FIG. 2 (6). Before time t1, the transistor Q7 is conducting, and after time t1, the charge of the capacitor C2 flows through the base of the transistor Q7, and its discharge current Ib2 is constant current Ib of the constant current source 5.
Corresponds to 2. When the transistor Q7 cuts off at time t2, the transistor Q8 rises and becomes conductive as shown in FIG. 2 (6). When the current amplification factor of the transistor Q7 is β7, the discharge current Ib2 is I2 / β7.
Is a small value.

【0016】その後、時刻t3において入力信号VIN
が立上って弁別レベルVTH以上になると、トランジス
タQ1は図2(2)に示されるように遮断し、これに応
じてトランジスタQ5は図2(3)に示されるように導
通する。これによってトランジスタQ6のベースには、
コンデンサC1からの放電電流Ib1が流れる。定電流
源4の定電流をI1とし、トランジスタQ6の電流増幅
率をβ6とするとき、放電電流Ib1は、I1/β6で
あって小さい値である。コンデンサC1が放電された結
果、トランジスタQ6が時刻t4で遮断すると、コンデ
ンサC2は定電流源4からダイオードD2を介する電流
I1によって急速に充電される。
After that, at time t3, the input signal VIN
Rises above the discrimination level VTH, the transistor Q1 cuts off as shown in FIG. 2 (2), and in response thereto, the transistor Q5 conducts as shown in FIG. 2 (3). This causes the base of transistor Q6 to
The discharge current Ib1 from the capacitor C1 flows. When the constant current of the constant current source 4 is I1 and the current amplification factor of the transistor Q6 is β6, the discharge current Ib1 is I1 / β6, which is a small value. As a result of the discharging of the capacitor C1, when the transistor Q6 is cut off at time t4, the capacitor C2 is rapidly charged by the current I1 from the constant current source 4 through the diode D2.

【0017】前述の時刻t1では、トランジスタQ5の
遮断によって、コンデンサC1は定電流源3の電流I1
がダイオードD1を経て流れて急速に充電される。
At time t1 described above, the capacitor C1 causes the current I1 of the constant current source 3 to flow due to the interruption of the transistor Q5.
Flows through the diode D1 and is rapidly charged.

【0018】時刻t3〜t4間の遅延時間TF1は、こ
うしてコンデンサC1の放電によって達成される。ダイ
オードD1,D2は、コンデンサC1,C2の放電電流
が流れることを阻止し、その放電電流Ib1,Ib2は
トランジスタQ6,Q7のベースを経てのみ流れること
が可能になる。こうして長い遅延時間TF1を得ること
ができる。
The delay time TF1 between times t3 and t4 is thus achieved by discharging the capacitor C1. The diodes D1 and D2 prevent the discharge currents of the capacitors C1 and C2 from flowing, and the discharge currents Ib1 and Ib2 can flow only through the bases of the transistors Q6 and Q7. In this way, a long delay time TF1 can be obtained.

【0019】コンデンサC1,C2の容量を等しくし、
定電流源4,5の電流I1,I2を等しくし、さらにト
ランジスタQ6,Q7の特性、特に電流増幅率β6,β
7を等しく設定することによって、遅延時間TR1,T
F1を等しくし、こうして入力される入力端子6からの
信号のパルス幅に正確に等しいパルス幅を有する信号を
出力端子22から導出することができ、したがってその
入出力の各信号のデューティ比を等しくすることができ
る。
The capacitors C1 and C2 have the same capacitance,
The currents I1 and I2 of the constant current sources 4 and 5 are made equal, and the characteristics of the transistors Q6 and Q7, particularly the current amplification factors β6 and β
By setting 7 equally, the delay times TR1, T
F1 can be equalized, and a signal having a pulse width exactly equal to the pulse width of the signal from the input terminal 6 thus input can be derived from the output terminal 22. Therefore, the duty ratios of the input and output signals are equalized. can do.

【0020】さらにまた本発明によると、入力端子6か
ら図3(1)に示される矩形波パルス23の他に高周波
ノイズ24が混入されて入力されたとき、出力端子22
からは図3(2)に示される遅延された矩形波パルス2
5が導出され、このときノイズ24に対応する波形は、
出力端子22からは導出されない。このようにノイズ2
4が持続する時間よりも長い遅延時間を設定することに
よって、高周波ノイズに対応する不所望なパルスが導出
されることを防ぐことができる。
Further, according to the present invention, when the high frequency noise 24 is mixed and input from the input terminal 6 in addition to the rectangular wave pulse 23 shown in FIG.
From FIG. 3, the delayed rectangular wave pulse 2 shown in FIG.
5 is derived, and the waveform corresponding to the noise 24 at this time is
It is not derived from the output terminal 22. Noise 2
By setting a delay time that is longer than the time that 4 is maintained, it is possible to prevent the undesired pulse corresponding to the high frequency noise from being derived.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、コンデン
サC1,C2の容量が小さくても、長い遅延時間を得る
ことができるようになる。
As described above, according to the present invention, a long delay time can be obtained even if the capacitors C1 and C2 have small capacitances.

【0022】また、このように長い遅延時間を得ること
ができるので、入力される高周波ノイズに悪影響され
て、そのノイズの混入によって不所望な矩形波パルスが
導出されることを防ぐことができる。
Further, since such a long delay time can be obtained, it is possible to prevent undesired rectangular wave pulses from being derived from being adversely affected by the input high frequency noise and being mixed with the noise.

【0023】また好ましくは、トランジスタQ6および
もう1つのトランジスタQ7の導電形式を同一として、
さらにコンデンサC1,C2の容量を同一とし、これに
よって入力される矩形波のパルス幅と同一のパルス幅を
有する矩形波を導出することが可能であり、したがって
本発明の遅延回路を用いて、パルス幅を演算する処理回
路に関連して本発明を実施することができる。
Also preferably, the conductivity type of the transistor Q6 and the other transistor Q7 are the same,
Further, it is possible to derive the rectangular wave having the same pulse width as the pulse width of the rectangular wave input by making the capacitors C1 and C2 have the same capacitance. Therefore, the delay circuit of the present invention can be used to generate a pulse wave. The present invention can be implemented in connection with a processing circuit that calculates the width.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の電気回路図である。FIG. 1 is an electric circuit diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示される実施例の動作を説明するための
波形図である。
FIG. 2 is a waveform diagram for explaining the operation of the embodiment shown in FIG.

【図3】図1に示される実施例の他の動作を説明するた
めの波形図である。
FIG. 3 is a waveform diagram for explaining another operation of the embodiment shown in FIG.

【図4】先行技術の電気回路図である。FIG. 4 is a prior art electrical circuit diagram.

【図5】図4に示される先行技術の動作を説明するため
の波形図である。
5 is a waveform diagram for explaining the operation of the prior art shown in FIG.

【図6】図4に示される先行技術の他の動作を説明する
ための波形図である。
FIG. 6 is a waveform diagram for explaining another operation of the prior art shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 コンパレータ 2,3,4,5 定電流源 6 入力端子 7 基準電圧源 8,9,10,21 接続点 22 出力端子 Q5 出力スイッチング用トランジスタ Q6,Q7 放電用トランジスタ C1,C2 コンデンサ D1,D2 ダイオード 1 Comparator 2, 3, 4, 5 Constant current source 6 Input terminal 7 Reference voltage source 8, 9, 10, 21 Connection point 22 Output terminal Q5 Output switching transistor Q6, Q7 Discharge transistor C1, C2 Capacitor D1, D2 Diode

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 出力スイッチング素子Q5に直列に定電
流源3が接続され、入力信号VINのレベルが予め定め
る弁別レベルVTH未満で出力スイッチング素子Q5を
オンまたはオフの一方のスイッチング状態とし、入力信
号VINのレベルが前記弁別レベルVTH以上で出力ス
イッチング素子Q5をオンまたはオフの他方のスイッチ
ング状態とするコンパレータ1と、 出力スイッチング素子Q5と定電流源3との接続点にア
ノードが接続されるダイオードD1と、 ダイオードD1のカソードに接続され、定電流源3から
のダイオードD1を介する電流によって急速に充電され
るコンデンサC1と、 コンデンサC1が接続されるベースを有し、コンデンサ
C1をゆっくり放電させる放電用トランジスタQ6とを
含むことを特徴とする遅延回路。
1. A constant current source 3 is connected in series to an output switching element Q5, and when the level of an input signal VIN is less than a predetermined discrimination level VTH, the output switching element Q5 is switched to one of an on state and an off state, and an input signal Comparator 1 for switching the output switching element Q5 to the other switching state of ON or OFF when the level of VIN is equal to or higher than the discrimination level VTH, and the diode D1 whose anode is connected to the connection point between the output switching element Q5 and the constant current source 3. A capacitor C1 that is connected to the cathode of the diode D1 and that is rapidly charged by the current from the constant current source 3 through the diode D1; and a base that the capacitor C1 is connected to for discharging the capacitor C1 slowly A delay circuit including a transistor Q6 .
【請求項2】 前記放電用トランジスタQ6に直列に接
続されるもう1つの定電流源4と、 放電用トランジスタQ6と、前記もう1つの定電流源4
との接続点にアノードが接続されるもう1つのダイオー
ドD2と、 前記もう1つのダイオードD2のカソードに接続され、
前記もう1つの定電流源4からの前記もう1つのダイオ
ードD2を介する電流によって急速に充電されるもう1
つのコンデンサC2と、 前記もう1つのコンデンサC2が接続されるベースを有
し、前記もう1つのコンデンサC2をゆっくり放電させ
るもう1つの放電用トランジスタQ7とを含むことを特
徴とする請求項1記載の遅延回路。
2. Another constant current source 4 connected in series to the discharging transistor Q6, a discharging transistor Q6, and the other constant current source 4
Another diode D2 whose anode is connected to a connection point with, and which is connected to the cathode of the other diode D2,
Another that is rapidly charged by the current from the other constant current source 4 through the other diode D2
The capacitor according to claim 1, further comprising one capacitor C2 and another discharging transistor Q7 having a base to which the other capacitor C2 is connected and slowly discharging the other capacitor C2. Delay circuit.
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