JPH0519310B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0519310B2 JPH0519310B2 JP62214319A JP21431987A JPH0519310B2 JP H0519310 B2 JPH0519310 B2 JP H0519310B2 JP 62214319 A JP62214319 A JP 62214319A JP 21431987 A JP21431987 A JP 21431987A JP H0519310 B2 JPH0519310 B2 JP H0519310B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- resin
- side wall
- sealed
- island
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 29
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/315—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the encapsulation having a cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49517—Additional leads
- H01L23/49531—Additional leads the additional leads being a wiring board
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体チツプとか表面弾性波素子な
どのチツプ状素子を樹脂封止してなる樹脂封止型
素子およびその製造方法に係り、特にチツプ状素
子のマウント部の周囲に中空部を形成するための
構造に関する。
どのチツプ状素子を樹脂封止してなる樹脂封止型
素子およびその製造方法に係り、特にチツプ状素
子のマウント部の周囲に中空部を形成するための
構造に関する。
(従来の技術)
表面弾性波素子を樹脂封止する場合には、素子
の振動を許容する中空部を素子マウント部の周囲
に形成する必要がある。このため、従来は、たと
えば第9図a,bに示すように、先ずリードフレ
ームのアイランド81上にマウントされた素子8
2の表面にエタノールにより分散させた発泡剤8
3を塗布し、こののちエタノールを揮発させ、さ
らに樹脂84による封止を行い、この封止工程で
発泡剤83を発泡させて発泡空間85を形成して
いる(特開昭60−53058号公報参照)。
の振動を許容する中空部を素子マウント部の周囲
に形成する必要がある。このため、従来は、たと
えば第9図a,bに示すように、先ずリードフレ
ームのアイランド81上にマウントされた素子8
2の表面にエタノールにより分散させた発泡剤8
3を塗布し、こののちエタノールを揮発させ、さ
らに樹脂84による封止を行い、この封止工程で
発泡剤83を発泡させて発泡空間85を形成して
いる(特開昭60−53058号公報参照)。
従来、上記素子をマウントするためのリードフ
レームのアイランド81は平板状であり、素子8
2の表面に液体状の、あるいは溶剤で希釈された
昇華性物質とか発泡剤を塗布するときに、その表
面張力を利用して塗布部をドーム状に形成し、樹
脂封止時に上記塗布部を加熱により昇華あるいは
発泡させて除去すると、素子マウント部の周囲に
ドーム状の中空部85が形成される。しかし、前
記平板状のアイランド81上に素子が占める面積
の割合が大きい場合、素子全体を覆う十分大きな
中空部を形成するためには、アイランド81上の
全体に昇華性物質とか発泡剤を塗布する必要があ
るが、アイランド81の側縁部では上記昇華性物
質あるいは発泡剤の表面張力に起因してその厚さ
を十分に確保することが不可能であつた。したが
つて、この場合には、素子82の端部付近では十
分な大きさの中空部が得られなくなる。また、上
記アイランド81の側縁部でも昇華性物質あるい
は発泡剤の厚さを十分に確保し得るように、昇華
性物質あるいは発泡剤の粘度を高くすることが考
えられるが、この場合には素子82とリード端子
86との間に予めボンデイング接続されている金
属細線87に昇華性物質あるいは発泡剤から大き
な外力が加わつて、そのループ性が悪化してしま
うと共にアイランド81全体に均一に昇華性物質
あるいは発泡剤を塗布することが困難になり、所
望の大きさの中空部が得られなくなる。即ち、上
記したように従来の平板状のアイランド81にマ
ウントされた素子82は、その周囲に十分な大き
さの中空部を安定かつ確実に形成することが困難
であり、樹脂封止後に熱サイクルによるストレス
が素子82に加わつてその特性の劣化をきたし、
樹脂封止型素子の信頼性が低下するという問題が
ある。
レームのアイランド81は平板状であり、素子8
2の表面に液体状の、あるいは溶剤で希釈された
昇華性物質とか発泡剤を塗布するときに、その表
面張力を利用して塗布部をドーム状に形成し、樹
脂封止時に上記塗布部を加熱により昇華あるいは
発泡させて除去すると、素子マウント部の周囲に
ドーム状の中空部85が形成される。しかし、前
記平板状のアイランド81上に素子が占める面積
の割合が大きい場合、素子全体を覆う十分大きな
中空部を形成するためには、アイランド81上の
全体に昇華性物質とか発泡剤を塗布する必要があ
るが、アイランド81の側縁部では上記昇華性物
質あるいは発泡剤の表面張力に起因してその厚さ
を十分に確保することが不可能であつた。したが
つて、この場合には、素子82の端部付近では十
分な大きさの中空部が得られなくなる。また、上
記アイランド81の側縁部でも昇華性物質あるい
は発泡剤の厚さを十分に確保し得るように、昇華
性物質あるいは発泡剤の粘度を高くすることが考
えられるが、この場合には素子82とリード端子
86との間に予めボンデイング接続されている金
属細線87に昇華性物質あるいは発泡剤から大き
な外力が加わつて、そのループ性が悪化してしま
うと共にアイランド81全体に均一に昇華性物質
あるいは発泡剤を塗布することが困難になり、所
望の大きさの中空部が得られなくなる。即ち、上
記したように従来の平板状のアイランド81にマ
ウントされた素子82は、その周囲に十分な大き
さの中空部を安定かつ確実に形成することが困難
であり、樹脂封止後に熱サイクルによるストレス
が素子82に加わつてその特性の劣化をきたし、
樹脂封止型素子の信頼性が低下するという問題が
ある。
なお、上記したような問題は、表面弾性波素子
に限らず、チツプ状のその他の素子(半導体素子
など)を樹脂封止させると共に樹脂からの異常応
力がチツプ状素子に加わらないようにマウント部
の周囲に中空部を形成することを考えた場合で
も、同様に生じる。
に限らず、チツプ状のその他の素子(半導体素子
など)を樹脂封止させると共に樹脂からの異常応
力がチツプ状素子に加わらないようにマウント部
の周囲に中空部を形成することを考えた場合で
も、同様に生じる。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は、チツプ状素子の周囲に、充分な大き
さの中空部を安定かつ確実に形成できる構造を実
現し、樹脂封止型素子の特性並びに信頼性をとも
に向上できる樹脂封止型素子およびその製造方法
を提供することを目的とする。
さの中空部を安定かつ確実に形成できる構造を実
現し、樹脂封止型素子の特性並びに信頼性をとも
に向上できる樹脂封止型素子およびその製造方法
を提供することを目的とする。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明の樹脂封止型素子は、リード端子と、ア
イランド部と、このアイランド部の表面上に載置
された少なくとも1個のチツプ状素子と、このチ
ツプ状素子が載置されるアイランド部の表面側に
設けられ、チツプ状素子の側方を囲む側壁と、を
具備する。そして、リード端子の一部、側壁、ア
イランド部、およびチツプ状素子を封止するとと
もにチツプ状素子の周囲に側壁に接して形成され
た中空部を有する封止樹脂と、この封止樹脂を介
して中空部内に引き出された、リード端子とチツ
プ状素子の端子とを互いに接続する導電細線とを
さらに具備することを特徴とする。
イランド部と、このアイランド部の表面上に載置
された少なくとも1個のチツプ状素子と、このチ
ツプ状素子が載置されるアイランド部の表面側に
設けられ、チツプ状素子の側方を囲む側壁と、を
具備する。そして、リード端子の一部、側壁、ア
イランド部、およびチツプ状素子を封止するとと
もにチツプ状素子の周囲に側壁に接して形成され
た中空部を有する封止樹脂と、この封止樹脂を介
して中空部内に引き出された、リード端子とチツ
プ状素子の端子とを互いに接続する導電細線とを
さらに具備することを特徴とする。
さらに、その製造方法は、リード端子と、チツ
プ状素子が載置される表面側に凹部が設けられた
アイランド部とを有するリードフレームを用い
て、前記凹部にチツプ状素子を載置し、前記チツ
プ状素子の端子とリード端子とを導電細線により
互いに接続し、前記凹部内を、導電細線の一部を
含んでチツプ状素子を被覆するように充填物質で
充填し、前記リード端子の一部、アイランド部、
チツプ状素子、導電細線を樹脂封止しつつ、前記
充填物質を揮発させて除去し、チツプ状素子の周
囲に側壁に接する中空部を形成することを特徴と
する。
プ状素子が載置される表面側に凹部が設けられた
アイランド部とを有するリードフレームを用い
て、前記凹部にチツプ状素子を載置し、前記チツ
プ状素子の端子とリード端子とを導電細線により
互いに接続し、前記凹部内を、導電細線の一部を
含んでチツプ状素子を被覆するように充填物質で
充填し、前記リード端子の一部、アイランド部、
チツプ状素子、導電細線を樹脂封止しつつ、前記
充填物質を揮発させて除去し、チツプ状素子の周
囲に側壁に接する中空部を形成することを特徴と
する。
(作用)
上記構成の上記封止型素子によれば、中空部が
チツプの側方を囲む側壁に接して形成されるの
で、中空部に充分な大きさを確保できるようにな
り、チツプ状素子と封止樹脂とが互いに接触する
問題を低減できる。このため、樹脂封止型素子の
特性並びに信頼性をともに向上できる。
チツプの側方を囲む側壁に接して形成されるの
で、中空部に充分な大きさを確保できるようにな
り、チツプ状素子と封止樹脂とが互いに接触する
問題を低減できる。このため、樹脂封止型素子の
特性並びに信頼性をともに向上できる。
さらに、導電細線が封止樹脂を介して中空部内
に引き出されるので、アイランド部に上記側壁を
設けたとしても、該側壁と導電細線とが封止樹脂
により互いに分離されるようになり、側壁と導電
細線との隔離性を向上できる。このことからも、
樹脂封止型素子の特性並びに信頼性をともに向上
できる。
に引き出されるので、アイランド部に上記側壁を
設けたとしても、該側壁と導電細線とが封止樹脂
により互いに分離されるようになり、側壁と導電
細線との隔離性を向上できる。このことからも、
樹脂封止型素子の特性並びに信頼性をともに向上
できる。
さらに、その製造方法によれば、アイランド部
の凹部にチツプ状素子を載置し、この凹部内を導
電細線の一部を含んでチツプ状素子を被覆するよ
うに充填物質で充填する。このため、例えば粘度
の高い充填物質を用いなくても、充填物質を安定
かつ充分に塗布することができ、充填物質に充分
な厚さを確保できる。そして、リード端子の一
部、アイランド部、チツプ状素子、導電細線を樹
脂封止しつつ、充填物質を揮発させて除去する。
このようにうれば、上記充分な大きさの中空部を
有する樹脂封止型素子を得ることができる。
の凹部にチツプ状素子を載置し、この凹部内を導
電細線の一部を含んでチツプ状素子を被覆するよ
うに充填物質で充填する。このため、例えば粘度
の高い充填物質を用いなくても、充填物質を安定
かつ充分に塗布することができ、充填物質に充分
な厚さを確保できる。そして、リード端子の一
部、アイランド部、チツプ状素子、導電細線を樹
脂封止しつつ、充填物質を揮発させて除去する。
このようにうれば、上記充分な大きさの中空部を
有する樹脂封止型素子を得ることができる。
(実施例)
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
第1図はチツプ状素子、たとえば表面弾性波素
子1のマウント部の周囲に中空部2を形成するよ
うに樹脂3により封止してなる樹脂封止型素子の
横断面構造を示している。ここで、4……はリー
ド端子、5はリードフレームのアイランド部であ
り、このアイランド部5上の中央部に素子1がダ
イボンデイングされており、この素子1上の各端
子と前記各リード端子4……とは金属細線6……
によりボンデイング接続されている。上記リード
フレームのアイランド部5は、第2図に示すよう
に、その外周縁に沿つて側壁21が形成されてい
る。この側壁21は、たとえばプレス加工により
形成される場合、アイランド部5に連なるリード
端子22の基端部付近に細いスリツト23が生じ
ている。また、上記側壁21の高さは、アイラン
ド部5上にマウントされるチツプ状素子(第1図
1)の高さとほぼ同程度以上である。
子1のマウント部の周囲に中空部2を形成するよ
うに樹脂3により封止してなる樹脂封止型素子の
横断面構造を示している。ここで、4……はリー
ド端子、5はリードフレームのアイランド部であ
り、このアイランド部5上の中央部に素子1がダ
イボンデイングされており、この素子1上の各端
子と前記各リード端子4……とは金属細線6……
によりボンデイング接続されている。上記リード
フレームのアイランド部5は、第2図に示すよう
に、その外周縁に沿つて側壁21が形成されてい
る。この側壁21は、たとえばプレス加工により
形成される場合、アイランド部5に連なるリード
端子22の基端部付近に細いスリツト23が生じ
ている。また、上記側壁21の高さは、アイラン
ド部5上にマウントされるチツプ状素子(第1図
1)の高さとほぼ同程度以上である。
上記構造の樹脂封止素子によれば、第3図に示
すように、アイランド部5上に素子1をマウント
し、ワイヤーボンデイングを行つたのち、アイラ
ンド部5上の凹部内に液体状あるいは溶剤で希釈
された昇華性物質、たとえばワツクス7とか発泡
剤を充填させることが可能になる。この場合、ス
リツト23の幅(リード端子22の幅にほぼ等し
い)が0.3mm程度であれば、充填物質は表面張力
を有するのでスリツト23から漏れ出るおそれは
ない。また、充填物質の表面張力によつて塗布部
分の中央部が盛り上がつた形状になり、素子マウ
ント部付近での塗布厚さが十分に得られると共
に、側壁21付近での塗布厚さも十分に(少なく
とも側壁21の高さ以上)得られるようになる。
従つて、上記充填物質を樹脂封止時に所定以上の
温度を与えることによつて昇華あるいは発泡させ
て除去すると、第1図に示したように素子マウン
ト部の周囲に素子と樹脂との接触が生じないよう
な十分な大きさを有する中空部2が確実に実現さ
れる。このように、表面弾性波素子1の周囲に十
分な大きさの中空部2が形成されることによつ
て、素子本来の振動が正常に行われ、良好な素子
特性が得られる。また、樹脂封止後に熱サイクル
によるストレスが樹脂3に加わつた場合でも、素
子1に異常な応力が加わることもなく、素子1の
信頼性が向上する。また、上記したように側壁付
近でも塗布厚さが十分に得られるので、粘度の高
い充填物質を用いる必要がなく、充填物質が金属
細線6のループ性に悪影響を及ぼすおそれはな
く、充填物質の充填量の均一性、充填高さの均一
性が良く、安定な生産が可能になる。
すように、アイランド部5上に素子1をマウント
し、ワイヤーボンデイングを行つたのち、アイラ
ンド部5上の凹部内に液体状あるいは溶剤で希釈
された昇華性物質、たとえばワツクス7とか発泡
剤を充填させることが可能になる。この場合、ス
リツト23の幅(リード端子22の幅にほぼ等し
い)が0.3mm程度であれば、充填物質は表面張力
を有するのでスリツト23から漏れ出るおそれは
ない。また、充填物質の表面張力によつて塗布部
分の中央部が盛り上がつた形状になり、素子マウ
ント部付近での塗布厚さが十分に得られると共
に、側壁21付近での塗布厚さも十分に(少なく
とも側壁21の高さ以上)得られるようになる。
従つて、上記充填物質を樹脂封止時に所定以上の
温度を与えることによつて昇華あるいは発泡させ
て除去すると、第1図に示したように素子マウン
ト部の周囲に素子と樹脂との接触が生じないよう
な十分な大きさを有する中空部2が確実に実現さ
れる。このように、表面弾性波素子1の周囲に十
分な大きさの中空部2が形成されることによつ
て、素子本来の振動が正常に行われ、良好な素子
特性が得られる。また、樹脂封止後に熱サイクル
によるストレスが樹脂3に加わつた場合でも、素
子1に異常な応力が加わることもなく、素子1の
信頼性が向上する。また、上記したように側壁付
近でも塗布厚さが十分に得られるので、粘度の高
い充填物質を用いる必要がなく、充填物質が金属
細線6のループ性に悪影響を及ぼすおそれはな
く、充填物質の充填量の均一性、充填高さの均一
性が良く、安定な生産が可能になる。
上記表面弾性波素子1に代えてチツプ状の電子
部品とか半導体チツプを用いた場合にも、上記し
たように素子特性の安定化、信頼性の向上が可能
であり、特にホール素子チツプを用いた場合に特
性の安定化を実現できることの効果は大きい。
部品とか半導体チツプを用いた場合にも、上記し
たように素子特性の安定化、信頼性の向上が可能
であり、特にホール素子チツプを用いた場合に特
性の安定化を実現できることの効果は大きい。
また、本発明は上記実施例に限らず、種々の変
形実施が可能である。たとえば第4図に示すよう
に、アイランド部5′の外周縁に沿う側壁21′を
間欠的に形成する。換言すれば側壁部に多数のス
リツト23′……を持たせる場合には、プレス加
工が容易になると共に充填物質の昇華あるいは発
泡に際して気体がアイランド部5′上の凹部内か
ら逃げ出し易くなる。また、第5図に示すよう
に、側壁51の多数のスリツト52……を側壁5
1の高さより浅く形成してもよく、このようにす
ると、リードフレームのアイランド部50とリー
ド端子53……とが同じ高さにある場合、側壁5
1に浅く形成されたスリツト52……を通り抜け
るように金属細線6……の位置を定めることがで
きる。また、第6図に示すように、アイランド部
61が放熱フインを兼ねるべく、チツプ状素子6
2に比べて十分に大きくて厚い場合には、プレス
加工により凹部63を形成し、この凹部63の底
面にチツプ状素子62をマウントし、この素子6
2とリード端子64……とを金属細線65……に
より接続したのち、この凹部63内を充填するよ
うに素子マウント部上に昇華性物質あるいは発泡
剤を塗布することが可能になり、樹脂封止を行つ
たときに素子マウント部の周囲に十分大きな中空
部を形成することができる。
形実施が可能である。たとえば第4図に示すよう
に、アイランド部5′の外周縁に沿う側壁21′を
間欠的に形成する。換言すれば側壁部に多数のス
リツト23′……を持たせる場合には、プレス加
工が容易になると共に充填物質の昇華あるいは発
泡に際して気体がアイランド部5′上の凹部内か
ら逃げ出し易くなる。また、第5図に示すよう
に、側壁51の多数のスリツト52……を側壁5
1の高さより浅く形成してもよく、このようにす
ると、リードフレームのアイランド部50とリー
ド端子53……とが同じ高さにある場合、側壁5
1に浅く形成されたスリツト52……を通り抜け
るように金属細線6……の位置を定めることがで
きる。また、第6図に示すように、アイランド部
61が放熱フインを兼ねるべく、チツプ状素子6
2に比べて十分に大きくて厚い場合には、プレス
加工により凹部63を形成し、この凹部63の底
面にチツプ状素子62をマウントし、この素子6
2とリード端子64……とを金属細線65……に
より接続したのち、この凹部63内を充填するよ
うに素子マウント部上に昇華性物質あるいは発泡
剤を塗布することが可能になり、樹脂封止を行つ
たときに素子マウント部の周囲に十分大きな中空
部を形成することができる。
また、上記各実施例は1つの樹脂パツケージ内
に1つのチツプ状素子が封止されたシングルチツ
プ型素子を示したが、第7図に示すようにモール
ド樹脂70内に複数個のチツプ状素子71,7
2,73が封止されたマルチチツプ型素子におい
ても、少なくとも1個の素子マウント部に対して
前記第2図乃至第6図に示したように側壁を設け
て凹部を形成しておくことによつて前記したよう
な中空部を持たせるようにしてもよい。上記第7
図において、74,75,76は上記チツプ状素
子71,72,73に各対応して設けられた複数
組のリードフレーム部であり、ここでは例えばリ
ードフレーム部74上の素子マウント部の周囲に
中空部が設けられている。また、上記マルチチツ
プ型素子として、第8図a,bに示すように1個
のアイランド部90上にプリント配線基板91を
固定し、この基板91には複数個の穴92……を
形成しておくと共に表面にプリント配線93……
を形成しておき、上記各穴92……内でアイラン
ド部上にチツプ素子94……をマウントする構造
のものにも本発明を適用可能である。この場合、
各チツプ素子94……とプリント配線93……と
が金属細線95……によりボンデイング接続さ
れ、このプリント配線93……とリード端子96
……とが金属細線97……によりボンデイング接
続されたのち、少なくとも1個の穴とその底面の
アイランド部とからなる凹部に前記したような昇
華性物質あるいは発泡剤を充填しておくことによ
つて、樹脂封止時に上記凹部内の素子マウント部
の周囲に所望の中空部を形成することが可能にな
る。
に1つのチツプ状素子が封止されたシングルチツ
プ型素子を示したが、第7図に示すようにモール
ド樹脂70内に複数個のチツプ状素子71,7
2,73が封止されたマルチチツプ型素子におい
ても、少なくとも1個の素子マウント部に対して
前記第2図乃至第6図に示したように側壁を設け
て凹部を形成しておくことによつて前記したよう
な中空部を持たせるようにしてもよい。上記第7
図において、74,75,76は上記チツプ状素
子71,72,73に各対応して設けられた複数
組のリードフレーム部であり、ここでは例えばリ
ードフレーム部74上の素子マウント部の周囲に
中空部が設けられている。また、上記マルチチツ
プ型素子として、第8図a,bに示すように1個
のアイランド部90上にプリント配線基板91を
固定し、この基板91には複数個の穴92……を
形成しておくと共に表面にプリント配線93……
を形成しておき、上記各穴92……内でアイラン
ド部上にチツプ素子94……をマウントする構造
のものにも本発明を適用可能である。この場合、
各チツプ素子94……とプリント配線93……と
が金属細線95……によりボンデイング接続さ
れ、このプリント配線93……とリード端子96
……とが金属細線97……によりボンデイング接
続されたのち、少なくとも1個の穴とその底面の
アイランド部とからなる凹部に前記したような昇
華性物質あるいは発泡剤を充填しておくことによ
つて、樹脂封止時に上記凹部内の素子マウント部
の周囲に所望の中空部を形成することが可能にな
る。
なお、本発明の樹脂封止型素子のパツケージ構
造は、DIP(デユアル、インライン、パツケー
ジ)、FP(フラツト、パツケージ)、QFD(クワツ
ド、フラツト、パツケージ)、PLCC(プラスチツ
ク、リーデツド、チツプ、キヤリア)、SIP(シン
グル、インライン、パツケージ)等の各種のもの
を使用できる。
造は、DIP(デユアル、インライン、パツケー
ジ)、FP(フラツト、パツケージ)、QFD(クワツ
ド、フラツト、パツケージ)、PLCC(プラスチツ
ク、リーデツド、チツプ、キヤリア)、SIP(シン
グル、インライン、パツケージ)等の各種のもの
を使用できる。
[発明の効果]
上述したように本発明の樹脂封止型素子および
その製造方法によれば、充分な大きさの中空部を
安定かつ確実に形成できる構造を実現し、樹脂封
止型素子の特性並びに信頼性とともに向上できる
樹脂封止型素子およびその製造方法を提供を提供
できる。
その製造方法によれば、充分な大きさの中空部を
安定かつ確実に形成できる構造を実現し、樹脂封
止型素子の特性並びに信頼性とともに向上できる
樹脂封止型素子およびその製造方法を提供を提供
できる。
第1図は本発明の樹脂封止型素子の一実施例を
示す横断面図、第2図は第1図中のアイランド部
を取り出して示す斜視図、第3図は第2図のアイ
ランド部上の凹部に昇華性物質を充填した状態を
−線に沿つて示す斜視図、第4図ないし第6
図はそれぞれアイランド部の変形例を示す斜視
図、第7図は本発明の他の実施例を示す一部透視
平面図、第8図aはさらに他の実施例を示す一部
透視平面図、第8図bは同図a中の中央部を有す
る素子マウント部を取り出して示す断面図、第9
図a,bは従来の樹脂封止型素子の中空部形成工
程を示す断面図である。 1,62,71,72,73,94……チツプ
状素子、2……中空部、3……樹脂、4,22,
53,64……リード端子、5,5′,50,6
1,90……アイランド部、6,65,95,9
7……金属細線、21,21′,51……側壁、
23,23′,52……スリツト、63……凹部、
74,75,76……リードフレーム部、91…
…プリント配線基板、92……穴、93……プリ
ント配線。
示す横断面図、第2図は第1図中のアイランド部
を取り出して示す斜視図、第3図は第2図のアイ
ランド部上の凹部に昇華性物質を充填した状態を
−線に沿つて示す斜視図、第4図ないし第6
図はそれぞれアイランド部の変形例を示す斜視
図、第7図は本発明の他の実施例を示す一部透視
平面図、第8図aはさらに他の実施例を示す一部
透視平面図、第8図bは同図a中の中央部を有す
る素子マウント部を取り出して示す断面図、第9
図a,bは従来の樹脂封止型素子の中空部形成工
程を示す断面図である。 1,62,71,72,73,94……チツプ
状素子、2……中空部、3……樹脂、4,22,
53,64……リード端子、5,5′,50,6
1,90……アイランド部、6,65,95,9
7……金属細線、21,21′,51……側壁、
23,23′,52……スリツト、63……凹部、
74,75,76……リードフレーム部、91…
…プリント配線基板、92……穴、93……プリ
ント配線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 リード端子と、 アイランド部と、 前記アイランド部の表面上に載置された少なく
とも1個のチツプ状素子と、 前記チツプ状素子が載置される前記アイランド
部の表面側に設けられ、前記チツプ状素子の側方
を囲む側壁と、 前記リード端子の一部、前記側壁、前記アイラ
ンド部、および前記チツプ状素子を封止するとと
もに、前記チツプ状素子の周囲に前記側壁に接し
て形成された中空部を有する封止樹脂と、 前記封止樹脂を介して前記中空部内に引き出さ
れた、前記リード端子と前記チツプ状素子の端子
とを互いに接続する導電細線と を具備することを特徴とする樹脂封止型素子。 2 前記側壁には、高さ方向にスリツトが複数個
形成され、前記導電細線はこのスリツト内部を介
して前記中空部内に引き出されていることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の樹脂封止型素
子。 3 前記側壁は、前記アイランド部の外側端部が
折り曲げられて形成されてなることを特徴とする
特許請求の範囲第1項または第2項いずれかに記
載の樹脂封止型素子。 4 前記側壁は、前記アイランド部に凹部が形成
され、この凹部の底面に前記チツプ状素子を載置
することにより得られることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の樹脂封止型素子。 5 前記側壁は、前記アイランド部上に穴を有す
るプリント配線基板を固定し、この穴の底面に前
記チツプ状素子を載置することにより得られるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の樹脂
封止型素子。 6 前記導電細線は、前記プリント配線基板上に
形成された導電配線を介して前記中空部内に引き
出されて前記リード端子と前記チツプ状素子の端
子とを互いに接続することを特徴とする特許請求
の範囲第5項記載の樹脂封止型素子。 7 リード端子と、チツプ状素子が載置される表
面側に凹部が設けられたアイランド部とを有する
リードフレームを用い、 前記凹部にチツプ状素子を載置する工程と、 前記チツプ状素子の端子と前記リード端子とを
導電細線により互いに接続する工程と、 前記凹部内を、前記導電細線の一部を含んで前
記チツプ状素子を被覆するように充填物質で充填
する工程と、 前記リード端子の一部、前記アイランド部、前
記チツプ状素子、前記導電細線を樹脂封止しつ
つ、前記充填物質を揮発させて除去し、前記チツ
プ状素子の周囲に前記凹部側壁に接する中空部を
形成する工程と を具備することを特徴とする樹脂封止型素子の製
造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62214319A JPS6457739A (en) | 1987-08-28 | 1987-08-28 | Resin seal type element |
US07/235,455 US4942456A (en) | 1987-08-28 | 1988-08-22 | Plastic packaged device having a hollow portion enclosing a chip element |
KR1019880010738A KR910003542B1 (ko) | 1987-08-28 | 1988-08-24 | 수지밀폐형소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62214319A JPS6457739A (en) | 1987-08-28 | 1987-08-28 | Resin seal type element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6457739A JPS6457739A (en) | 1989-03-06 |
JPH0519310B2 true JPH0519310B2 (ja) | 1993-03-16 |
Family
ID=16653787
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62214319A Granted JPS6457739A (en) | 1987-08-28 | 1987-08-28 | Resin seal type element |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4942456A (ja) |
JP (1) | JPS6457739A (ja) |
KR (1) | KR910003542B1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5605863A (en) * | 1990-08-31 | 1997-02-25 | Texas Instruments Incorporated | Device packaging using heat spreaders and assisted deposition of wire bonds |
US5847467A (en) * | 1990-08-31 | 1998-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Device packaging using heat spreaders and assisted deposition of wire bonds |
US5278446A (en) * | 1992-07-06 | 1994-01-11 | Motorola, Inc. | Reduced stress plastic package |
JP3132449B2 (ja) * | 1998-01-09 | 2001-02-05 | 日本電気株式会社 | 樹脂外装型半導体装置の製造方法 |
US5899583A (en) * | 1998-02-09 | 1999-05-04 | Eastman Kodak Company | Viewfinder lens assembly |
US7778750B2 (en) * | 2002-02-25 | 2010-08-17 | Cummins Inc. | Vehicle communications network adapter |
US6556782B1 (en) | 2002-08-22 | 2003-04-29 | Eastman Kodak Company | Camera having viewfinder box extending from cover to cover and assembly method |
JP2008235559A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Mitsui Chemicals Inc | 中空パッケージおよびその製造方法 |
US7651891B1 (en) * | 2007-08-09 | 2010-01-26 | National Semiconductor Corporation | Integrated circuit package with stress reduction |
US8193597B2 (en) * | 2009-11-17 | 2012-06-05 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic device with low acoustic loss packaging |
US8232615B2 (en) * | 2010-02-23 | 2012-07-31 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Packaged device with acoustic transducer and amplifier |
JP6080305B2 (ja) * | 2013-08-21 | 2017-02-15 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置及びリードフレーム |
US11211305B2 (en) | 2016-04-01 | 2021-12-28 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method to support thermal management of semiconductor-based components |
US10861796B2 (en) * | 2016-05-10 | 2020-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Floating die package |
US10074639B2 (en) | 2016-12-30 | 2018-09-11 | Texas Instruments Incorporated | Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods |
JP7177330B2 (ja) * | 2018-06-28 | 2022-11-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6015955A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-26 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
JPS6053058A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-26 | Hitachi Ltd | 樹脂封止形素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4054901A (en) * | 1975-10-14 | 1977-10-18 | Thermalloy, Inc. | Index mounting unitary heat sink apparatus with apertured base |
JPS59172253A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPS60257546A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-08-28 JP JP62214319A patent/JPS6457739A/ja active Granted
-
1988
- 1988-08-22 US US07/235,455 patent/US4942456A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-08-24 KR KR1019880010738A patent/KR910003542B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6015955A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-26 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
JPS6053058A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-26 | Hitachi Ltd | 樹脂封止形素子およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6457739A (en) | 1989-03-06 |
KR890004428A (ko) | 1989-04-22 |
US4942456A (en) | 1990-07-17 |
KR910003542B1 (ko) | 1991-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3691289A (en) | Packaging of semiconductor devices | |
US6410979B2 (en) | Ball-grid-array semiconductor device with protruding terminals | |
JPH0519310B2 (ja) | ||
US7138724B2 (en) | Thick solder mask for confining encapsulant material over selected locations of a substrate and assemblies including the solder mask | |
US7615871B2 (en) | Method and apparatus for attaching microelectronic substrates and support members | |
US5686698A (en) | Package for electrical components having a molded structure with a port extending into the molded structure | |
JP3163419B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
US20020172024A1 (en) | Method for encapsulating intermediate conductive elements connecting a semiconductor die to a substrate and semiconductor devices so packaged | |
US6707166B1 (en) | Semiconductor devices and manufacturing method thereof | |
KR940022808A (ko) | 반도체 디바이스 및 그 제조방법과 리이드 프레임 및 탑재기판 | |
US6967395B1 (en) | Mounting for a package containing a chip | |
US6501161B1 (en) | Semiconductor package having increased solder joint strength | |
US7045902B2 (en) | Circuitized substrate for fixing solder beads on pads | |
US6181560B1 (en) | Semiconductor package substrate and semiconductor package | |
US20010045643A1 (en) | Semiconductor device keeping structural integrity under heat-generated stress | |
JP2915282B2 (ja) | プラスチックモールドした集積回路パッケージ | |
JP2002093992A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2000307049A (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
JP2841854B2 (ja) | 半導体装置 | |
US6650005B2 (en) | Micro BGA package | |
JPH07130916A (ja) | 電子製品の封止ケース | |
JP2772828B2 (ja) | ダイボンディング方法 | |
JP2797598B2 (ja) | 混成集積回路基板 | |
KR100332547B1 (ko) | 부품에 봉지재를 도포하는 방법 및 장치 | |
KR100294912B1 (ko) | 유에프피엘패키지및그제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |