JPH02227432A - Polysilane compound, production and use thereof - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
皮果よ■肌里公団
本発明は、新規なポリシラン化合物、その製造方法、及
びかかるポリシラン化合物からなる導電性材料に関する
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a novel polysilane compound, a method for producing the same, and a conductive material comprising such a polysilane compound.
災来主技吉
従来、導電性を必要とする材料には、専ら金属が用いら
れており、有機高分子化合物は、一般には、絶縁材料と
して取扱われている。Conventionally, metals have been used exclusively as materials that require electrical conductivity, and organic polymer compounds have generally been treated as insulating materials.
しかし、近年、絶縁材料として認識されていた有機高分
子化合物のうち、ケイ素原子を含む高分子化合物が導電
性を有していることが見出され、このようなケイ素含有
高分子化合物を導電性材料として用いる試みがなされて
いる。However, in recent years, it has been discovered that among organic polymer compounds that were recognized as insulating materials, those containing silicon atoms have electrical conductivity. Attempts are being made to use it as a material.
例えば、１９８１年には、ポリシランの一種であるメチ
ルフェニルポリシランに光照射し、架橋構造を有する化
合物を得、これにドーパント（ドーピングエージェント
）を添加することによって、高い導電率を有する化合物
を得ることができることが見出されている。ドーパント
としては、Ａｓｈｓのような化合物が用いられており、
かかるドーパントを用いることにより、上記のケイ素含
有化合物は、０．５ Ｓ ７ｃｍという導電率を示すこ
とが開示されている（Ｊ、 Ａｍｅｒ、 Ｃｈｅｍ、
Ｓｏｃ、、 １０３．７３５２−７３５４ （１９８１
））。For example, in 1981, methylphenylpolysilane, a type of polysilane, was irradiated with light to obtain a compound with a crosslinked structure, and by adding a dopant (doping agent) to this, a compound with high electrical conductivity was obtained. It has been found that this can be done. Compounds such as Ashs are used as dopants,
By using such dopants, the silicon-containing compounds described above are disclosed to exhibit conductivities of 0.5 S 7 cm (J, Amer, Chem.
Soc,, 103.7352-7354 (1981
)).
しかしながら、上記のように、従来、ケイ素含有化合物
を導電性材料として用いるには、ドーパントとして、毒
性の高いＡｓｈ、を用いなければならない、また、上記
のようなケイ素含有化合物は、その製造において、光照
射の制御が難しく、良好な特性を有する化合物を再現性
よく製造することが容易ではない。However, as mentioned above, conventionally, in order to use a silicon-containing compound as a conductive material, highly toxic Ash must be used as a dopant. It is difficult to control light irradiation, and it is not easy to produce compounds with good properties with good reproducibility.
そこで、特開昭６２−０５９６３２号公報には、ＡｓＦ
５を用いることなく、すぐれた導電性を示すマトリック
ス状のポリアルキルシランが開示されている。即ち、上
記公報には、ポリアルキルシラン中にドーパントとして
硫酸イオンを含有させることによって、ポリアルキルシ
ランは、１０−’−１０Ｓ ／ ｃｍ程度の導電率を有
することが示されている。しかし、かかるポリアルキル
シランからなる導電性材料においても、導電率等の特性
はか、製造条件等の点にも、尚、改善の余地がある。Therefore, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-059632, AsF
A matrix polyalkylsilane is disclosed that exhibits excellent conductivity without the use of 5. That is, the above-mentioned publication indicates that polyalkylsilane has an electrical conductivity of about 10-'-10 S/cm by incorporating sulfate ions as a dopant into polyalkylsilane. However, even in such a conductive material made of polyalkylsilane, there is still room for improvement in terms of characteristics such as conductivity and manufacturing conditions.
■が”ンしよ゛とする２
本発明は、新規なポリシラン化合物及びこのポリシラン
化合物を製造するための新規な方法を提供することを目
的とする。(2) The object of the present invention is to provide a new polysilane compound and a new method for producing this polysilane compound.
更に、本発明は、かかるポリシラン化合物からなる新規
な導電性材料を、提供することを目的とする。A further object of the present invention is to provide a novel conductive material made of such a polysilane compound.
ｉ を ン るための
本発明によるポリシラン化合物は、−故人（１）（式中
、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立にアルキル基、アリール
基及びアラルキル基よりなる群から選ばれる基を示し、
ｎは２以上の整数を示す。）で表わされることを特徴と
する。The polysilane compound according to the present invention for containing i is -Decedent (1) (wherein R1 and R2 each independently represent a group selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group and an aralkyl group,
n represents an integer of 2 or more. ).
かかる本発明によるポリシラン化合物は、本発明に従っ
て、−故人（ＩＩ）
（ＩＩ）
（式中、Ｒ１及びＩｐはそれぞれ独立にアルキル基、ア
リール基及びアラルキル基よりなる群から選ばれる基を
示す、）
で表わされる１、２−ビス（クロロシリル）エチレン誘
導体と、この誘導体における塩素原子と反応し得る量の
アルカリ金属とを反応させることによって得ることがで
きる。Such a polysilane compound according to the present invention, according to the present invention, has the following properties: -Decedent (II) (II) (wherein R1 and Ip each independently represent a group selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group and an aralkyl group) It can be obtained by reacting a 1,2-bis(chlorosilyl)ethylene derivative represented by the formula with an amount of alkali metal capable of reacting with the chlorine atom in this derivative.
更に、本発明による導電性材料は、主鎖が前記−８式（
１）で表わされるジシラニレンエチレン単位からなるポ
リシラン化合物からなることを特徴とする。Furthermore, the conductive material according to the present invention has a main chain having the formula -8 (
It is characterized by being composed of a polysilane compound consisting of disilanylene ethylene units represented by 1).
以下に本発明による新規でポリシラン化合物、その製造
方法及びその用途について詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The novel polysilane compound according to the present invention, its manufacturing method, and its uses will be explained in detail below.
本発明によるポリシラン化合物は、−故人（１）（式中
、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立にアルキル基、アリール
基及びアラルキル基よりなる群から選ばれる基を示し、
ｎは２以上の整数を示す。）で表わされる。The polysilane compound according to the present invention comprises - deceased (1) (wherein R1 and R2 each independently represent a group selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group and an aralkyl group,
n represents an integer of 2 or more. ).
上記−故人（１）において、上記アルキル基は、通常、
炭素数１〜６であり、好ましくは１〜３である。このよ
うなアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、ｎ−ブチル基等の直鎖状アルキル基、イソプ
ロピル基、５ｅｃ−ブチル基、５ｅｅ−アミル基等の２
級アルキル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル
基等の３級アルキル基等を挙げることができる。In the above-decedent (1), the alkyl group is usually,
It has 1 to 6 carbon atoms, preferably 1 to 3 carbon atoms. Such alkyl groups include linear alkyl groups such as methyl, ethyl, n-propyl, and n-butyl groups, and 2-chain alkyl groups such as isopropyl, 5ec-butyl, and 5ee-amyl groups.
Examples include tertiary alkyl groups such as a class alkyl group, a tert-butyl group, and a tert-amyl group.
上記のようなアルキル基のうち、本発明によるポリシラ
ン化合物を導電性材料として用いる場合は、上記アルキ
ル基は、メチル基又はエチル基であることが好ましい。Among the alkyl groups described above, when the polysilane compound according to the present invention is used as a conductive material, the alkyl group is preferably a methyl group or an ethyl group.
アリール基は、少なくとも一つの芳香族環を有する一価
の基であり、この芳香族環は、置換基を有していてもよ
い。かかるアリール基の具体例として、例えば、フェニ
ル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基等を挙げるこ
とができる。An aryl group is a monovalent group having at least one aromatic ring, and this aromatic ring may have a substituent. Specific examples of such aryl groups include phenyl, naphthyl, tolyl, xylyl, and the like.
上記のようなアリール基のうち、本発明によるポリシラ
ン化合物を導電性材料として用いる場合は、上記アリー
ル基は、フェニル基であることが好ましい。Among the above-mentioned aryl groups, when the polysilane compound according to the present invention is used as a conductive material, the above-mentioned aryl group is preferably a phenyl group.
また、アラルキル基は、少なくとも一つの芳香族環を有
する脂肪族炭化水素からなる一価の基であり、ここに含
まれる芳香族環は、置換基を有していてもよい。かかる
アラルキル基の具体例として、例えば、ベンジル基、フ
ェネチル基、α〜メチルベンジル基、トリル基等を挙げ
ることができる。Further, the aralkyl group is a monovalent group consisting of an aliphatic hydrocarbon having at least one aromatic ring, and the aromatic ring contained therein may have a substituent. Specific examples of such aralkyl groups include benzyl group, phenethyl group, α-methylbenzyl group, and tolyl group.
上記のようなアラルキル基のうち、本発明によるポリシ
ラン化合物を導電性材料として用いる場合は、上記アラ
ルキル基は、ベンジル基であることが好ましい。Among the aralkyl groups described above, when the polysilane compound according to the present invention is used as a conductive material, the aralkyl group is preferably a benzyl group.
また、前記式（１）において、ｎは、２以上の整数であ
り、好ましくは１０以上の整数である。Further, in the above formula (1), n is an integer of 2 or more, preferably an integer of 10 or more.
かかる本発明によるポリシラン化合物は、本発明に従っ
て、例えば、−故人（ＩＩ）
（ｎ）
（式中、Ｒ′及びＲ２はそれぞれ独立にアルキル基、ア
リール基及びアラルキル基よりなる群から選ばれる基を
示す。）“
で表わされる１、２−ビス（クロロシリル）エチレン誘
導体と、この誘導体における塩素原子と反応し得る量の
アルカリ金属とを反応させることによって得ることがで
きる。Such a polysilane compound according to the present invention can be prepared according to the present invention, for example, by -deceased (II) (n) (wherein R' and R2 each independently represent a group selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group and an aralkyl group). It can be obtained by reacting a 1,2-bis(chlorosilyl)ethylene derivative represented by the following formula with an amount of alkali metal capable of reacting with the chlorine atom in this derivative.
上記式（ＩＩ）で表わされる１、２−ビス（クロロシリ
ル）エチレン誘導体は、所定の置換基を有するジクロロ
シランと［ＩＣ”：ＣＭｇＢｒのようなグリニヤール試
薬とを反応させて得られる反応物に、更にヒドロクロロ
シランを）ｌｚＰｔｃｌｉ／イソプロピルアルコールの
ような白金錯体の存在下に反応させることによって得る
ことができる。The 1,2-bis(chlorosilyl)ethylene derivative represented by the above formula (II) is obtained by reacting a dichlorosilane having a predetermined substituent with a Grignard reagent such as [IC'':CMgBr]. Furthermore, hydrochlorosilanes can be obtained by reacting them in the presence of platinum complexes such as )lzPtcli/isopropyl alcohol.
このようにして得られる１、２−ビス（クロロシリル）
エチレン誘導体の具体例としては、例えば、トランス−
１，２−ビス（クロロメチルフェニルシリル）エチレン
、トランス−１，２−ビス（クロロエチルフェニルシリ
ル）エチレン、トランス−１゜２−ビス（クロロプロピ
ルフェニルシリル）エチレン、トランス−１，２−ビス
（クロロイソブロビルフェニルシリル）エチレン、トラ
ンス−１，２−ビス（クロロジフェニルシリル）エチレ
ン、トランス−１，２−ビス（クロロナフチルフェニル
シリル）エチレン、トランス−１，２−ビス（クロロト
リルフェニルシリル）エチレン、トランス−１，２ビス
（クロロベンジルフェニルシリル）エチレン、トランス
−１，２−ビス（クロロメチルベンジルシリル）エチレ
ン等を挙げることができる。1,2-bis(chlorosilyl) thus obtained
Specific examples of ethylene derivatives include trans-
1,2-bis(chloromethylphenylsilyl)ethylene, trans-1,2-bis(chloroethylphenylsilyl)ethylene, trans-1゜2-bis(chloropropylphenylsilyl)ethylene, trans-1,2-bis (chloroisobrobylphenylsilyl)ethylene, trans-1,2-bis(chlorodiphenylsilyl)ethylene, trans-1,2-bis(chloronaphthylphenylsilyl)ethylene, trans-1,2-bis(chlorotolylphenylsilyl) ) ethylene, trans-1,2-bis(chlorobenzylphenylsilyl)ethylene, trans-1,2-bis(chloromethylbenzylsilyl)ethylene, and the like.
本発明によるポリシラン化合物を導電性材料として用い
る場合は、上記のような１．２−ビス（クロロシリル）
エチレン誘導体のうち、特に、トランス−１，２−ビス
（クロロメチルフェニルシリル）エチレンを用いること
が好ましい。When the polysilane compound according to the present invention is used as a conductive material, 1,2-bis(chlorosilyl) as described above is used.
Among the ethylene derivatives, it is particularly preferable to use trans-1,2-bis(chloromethylphenylsilyl)ethylene.
これらの１．２−ビス（クロロシリル）エチレン誘導体
は、通常、単独にて用いられるが、例えば、得られるポ
リシラン化合物の導電性を調整することを目的等として
、２種類以上のものを組み合わせて用いることもできる
。These 1,2-bis(chlorosilyl)ethylene derivatives are usually used alone, but for example, two or more types can be used in combination for the purpose of adjusting the conductivity of the resulting polysilane compound. You can also do that.
本発明の方法によれば、上記のような１．２−ビス（ク
ロロシリル）エチレン誘導体を、この誘導体における塩
素原子と反応し得る量のアルカリ金属と反応させること
によって、本発明によるポリシラン化合物を得ることが
できる。According to the method of the present invention, a polysilane compound according to the present invention is obtained by reacting a 1,2-bis(chlorosilyl)ethylene derivative as described above with an amount of alkali metal capable of reacting with the chlorine atom in this derivative. be able to.
上記アルカリ金属としては、金属ナトリウム、金属リチ
ウム、金属カリウム等を挙げることができる。これらの
アルカリ金属は、単独で用いてもよく、或いは２種以上
を組み合わせて用いることもできる。しかし、本発明に
おいては、特に、金属ナトリウムを用いることか好まし
い。Examples of the alkali metals include sodium metal, lithium metal, potassium metal, and the like. These alkali metals may be used alone or in combination of two or more. However, in the present invention, it is particularly preferable to use metallic sodium.
前記のような１．２−ビス（クロロシリル）エチレン誘
導体とアルカリ金属との反応は、次式によって示される
。The reaction between the 1,2-bis(chlorosilyl)ethylene derivative and an alkali metal as described above is shown by the following formula.
（［Ｉ）
（式中、Ｒ１、ＲＺ及びｎは前記と同じである。）従っ
て、１．２−ビス（クロロシリル）エチレン誘導体とア
ルカリ金属との反応においては、アルカリ金属は、少な
ぐとも１．２−ビス（クロロシリル）エチレン誘導体中
における塩素原子と反応し得るような量にて用いること
が必要であり、通常は、アルカリ金属は、１．２−ビス
（クロロシリル）エチレン誘導体１モルに対して１．２
〜５モル、好ましくは２〜３モルの範囲で用いられる。([I) (In the formula, R1, RZ and n are the same as above.) Therefore, in the reaction of a 1,2-bis(chlorosilyl)ethylene derivative and an alkali metal, the alkali metal is at least 1 It is necessary to use the alkali metal in an amount that allows it to react with the chlorine atom in the 2-bis(chlorosilyl)ethylene derivative, and usually the alkali metal is used in an amount per mole of the 1.2-bis(chlorosilyl)ethylene derivative. Te1.2
It is used in a range of 5 to 5 moles, preferably 2 to 3 moles.
アルカリ金属は、通常、アルカリ金属に対して不活性で
ある溶剤中に分散させて、ディスバージョン（分散液）
の形態にて用いられる。Alkali metals are usually dispersed in a solvent that is inert to alkali metals to form a dispersion solution.
It is used in the form of
従って、上記１．２−ビス（クロロシリル）エチレン誘
導体とアルカリ金属との反応は、通常、溶剤を用いる液
相にて行なわれる。用いる溶剤は、前述したように、ア
ルカリ金属に対して反応性をもたず、不活性であると共
に、原料である１、２−ビス（クロロシリル）エチレン
誘導体に対しても不活性である溶剤である。かかる溶剤
の具体例としては、例えば、芳香族炭化水素系溶剤、飽
和炭化水素系溶剤、不飽和炭化水素系溶剤、エーテル系
溶剤等を挙げることができる。特に、トルエン、ベンゼ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤が好ましく用い
られる。これらの溶剤は、単独にて、又は２種以上の混
合物として用いられる。Therefore, the reaction between the 1,2-bis(chlorosilyl)ethylene derivative and the alkali metal is usually carried out in a liquid phase using a solvent. As mentioned above, the solvent used is a solvent that has no reactivity with alkali metals, is inert, and is also inert with respect to the raw material 1,2-bis(chlorosilyl)ethylene derivative. be. Specific examples of such solvents include aromatic hydrocarbon solvents, saturated hydrocarbon solvents, unsaturated hydrocarbon solvents, and ether solvents. In particular, aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, benzene, and xylene are preferably used. These solvents may be used alone or as a mixture of two or more.
反応は、通常、−２０°Ｃから１００°Ｃの範囲の温度
にて行なわれ、好ましくは、０〜５０゛Ｃの範囲で行な
われる。また、重合反応は、減圧下にても、加圧下にて
も行なわれ、反応圧力は、限定されるものではないが、
減圧から６０ｋｇ／ｃｆｆｌにわたってよい。しかし、
通常は、０〜３０ｋｇ／ｃｎ（、好ましくは、θ〜５
ｋｇ ／ ｃ＋ａの範囲である。反応時間は、反応温度
及び圧力等を考慮して、適宜に設定されるが、通常、５
分乃至１００時間であり、好ましくは、１〜ｌＯ時間で
ある。The reaction is generally carried out at a temperature in the range of -20°C to 100°C, preferably in the range of 0 to 50°C. In addition, the polymerization reaction can be carried out under reduced pressure or increased pressure, and the reaction pressure is not limited, but
It may range from reduced pressure to 60 kg/cffl. but,
Usually 0 to 30 kg/cn (preferably θ to 5
It is in the range of kg/c+a. The reaction time is set appropriately taking into account the reaction temperature, pressure, etc., but usually 5
The time period ranges from minutes to 100 hours, preferably from 1 to 10 hours.
更に、かかる反応は、通常、不活性雰囲気下に行なわれ
る。不活性雰囲気としては、例えば、アルゴンや窒素雰
囲気が用いられる。Furthermore, such reactions are usually conducted under an inert atmosphere. As the inert atmosphere, for example, argon or nitrogen atmosphere is used.
このようにして、本発明によって得られる前記−形式（
１）で表わされるポリシラン化合物は、通常、導電率σ
が１０−”Ｓ／ｃ＋ｎ以下である。そして、かかるポリ
シラン化合物にドーパントを添加することによって、導
電率σは、通常、０．０１〜Ｉｓ／ｃｍの範囲となる。In this way, the above-mentioned form (
The polysilane compound represented by 1) usually has a conductivity σ
is 10-''S/c+n or less. By adding a dopant to such a polysilane compound, the electrical conductivity σ usually falls within a range of 0.01 to Is/cm.
従って、かかるポリシラン化合物は、導電性材料として
用いることができる。Therefore, such polysilane compounds can be used as electrically conductive materials.
上記ドーパントとしては、特に限定されるものではなく
、従来から知られているものを用いることができる。具
体例として、例えば、Ｉ２、ＳＯｌ、＾ｓＦｓ等を挙げ
ることができる。また、５ｂｐｓ、５ｂＣ１゜等も用い
ることができる。これらのドーパントは、単独で、或い
は２種以上を組み合わせて用いることができる。本発明
においては、ドーパントとしては、特に、５ｂＦＳが好
ましい。The dopant is not particularly limited, and conventionally known dopants can be used. Specific examples include I2, SOI, ^sFs, and the like. Further, 5 bps, 5bC1°, etc. can also be used. These dopants can be used alone or in combination of two or more. In the present invention, 5bFS is particularly preferred as the dopant.
本発明によるポリシラン化合物にドーパントを添加する
方法は、特に、限定されるものではなく、例えば、本発
明によるポリシラン化合物からなる膜を形成した後、こ
れにドーパントを塗布する方法等、種々の方法を採用す
ることができる。The method for adding a dopant to the polysilane compound according to the present invention is not particularly limited, and various methods may be used, such as a method in which a film made of the polysilane compound according to the present invention is formed and then a dopant is applied thereto. Can be adopted.
また、本発明の方法によって得られるポリシラン化合物
は、上記したような導電性材料以外にも、例えば、ケイ
素−ケイ素結合の有する光機能性を利用して、感光材料
等としても用いることができる。Furthermore, the polysilane compound obtained by the method of the present invention can be used not only as the above-mentioned conductive material but also as a photosensitive material, for example, by utilizing the optical functionality of the silicon-silicon bond.
光１η１果
本発明によれば、前記−形式（１）で表わされる新規な
ポリシラン化合物が提供される。かかるポリシラン化合
物は、本発明に従って、前記−形式（■）で表わされる
１、２−ビス（クロロシリル）エチレン誘導体とアルカ
リ金属とを反応させることによって得ることができる。According to the present invention, a novel polysilane compound represented by the above-mentioned format (1) is provided. Such a polysilane compound can be obtained according to the present invention by reacting a 1,2-bis(chlorosilyl)ethylene derivative represented by the above-mentioned formula (■) with an alkali metal.
かかる本発明によるポリシラン化合物は、主鎖中にケイ
素−ケイ素結合及び二重結合の両者を有するので、導電
性材料として好適に用いることができる。特に、ＳｂＦ
、のようなドーパントを用いることによって、すぐれた
導電性を示す。Since the polysilane compound according to the present invention has both a silicon-silicon bond and a double bond in its main chain, it can be suitably used as a conductive material. In particular, SbF
By using dopants such as , it exhibits excellent conductivity.
裏胤桝
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこ
れら実施例により何ら限定されるものではない。EXAMPLES The present invention will be explained below with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples in any way.
実施例１
ｍ／ｅ： ３３６ （Ｍ”）
ジクロロメチルフェニルシラン１５８．４ ｇにＨＣ：
：ＣＭｇＢｒ （０，９０モル）を加え、反応生成物を
蒸留した。得られた反応生成物に更にクロロメチルフェ
ニルシランｌｏｏｇを加え、触媒として、ＨｚＰｔＣ１
ａ／イソプロピルアルコールを加えて、ヒドロシリル化
を行なった後、蒸留することによって、トランス−１，
２−ビス（クロロメチルフェニルシリル）エチレン１３
ｇを得た。収率５％。Example 1 m/e: 336 (M”) 158.4 g of dichloromethylphenylsilane with HC:
:CMgBr (0.90 mol) was added and the reaction product was distilled. Further, chloromethylphenylsilane loog was added to the obtained reaction product, and HzPtC1 was added as a catalyst.
Trans-1,
2-bis(chloromethylphenylsilyl)ethylene 13
I got g. Yield 5%.
この化合物は、沸点１４５“Ｃ／ １ ｍｍＨｇであっ
た。This compound had a boiling point of 145"C/1 mmHg.
更に、この化合物についての機器分析の結果を以下に示
す。Furthermore, the results of instrumental analysis for this compound are shown below.
ｔＨ核磁気共鳴スペクトル（ＣＤＣ１，溶液中で測定、
δｐｐｍ ）
０．７４’（ｓ、 ６８．５ｉＣ１ｈ）； ６．８？
（ｓ、 ２）１．−ＣＩｌ＝ＣＩ−）；６．６３−７．
１３ （ｓ、 １０Ｂ、 ＡｒＨ）。tH nuclear magnetic resonance spectrum (CDC1, measured in solution,
δppm) 0.74' (s, 68.5iC1h); 6.8?
(s, 2)1. -CIl=CI-); 6.63-7.
13 (s, 10B, ArH).
マススペクトル
乾燥トルエン２０ｍ１に金属ナトリウム０．７４４ｇ（
３２，３ミリモル）を加え、還流下に攪拌して、ナトリ
ウムディスバージョンを調製した。0.744 g of metallic sodium in 20 ml of mass spectrum-dried toluene (
32.3 mmol) was added and stirred under reflux to prepare sodium disversion.
放冷後、トルエンを除去し、代わりにベンゼンを加えた
。このナトリウムのベンゼンディスバージョンに超音波
をかけながら、トランス−１，２−ビス（クロロメチル
フェニルシリル）エチレン４゜２３ｇ（１２，３ミリモ
ル）を滴下した。After cooling, toluene was removed and benzene was added instead. While applying ultrasound to this benzene dispersion of sodium, 4.23 g (12.3 mmol) of trans-1,2-bis(chloromethylphenylsilyl)ethylene was added dropwise.
この後、室温にて６時間攪拌した後、この反応混合物に
酢酸−エタノール混合液（混合容量比１：１）１５ｍｌ
を加え、次いで、水５０＋１を加えて、過剰のナトリウ
ムを失活させた。After stirring at room temperature for 6 hours, 15 ml of acetic acid-ethanol mixture (mixing volume ratio 1:1) was added to the reaction mixture.
was added and then 50+1 of water was added to quench the excess sodium.
得られた反応混合物をベンゼンを用いて抽出し、得られ
た有機相を乾燥させた後、ベンゼン／エタノール混合溶
剤にて１回再沈殿を行なって、ポリジシラニレンエテニ
レン２．０２ ｇを得た。収率５４％。The obtained reaction mixture was extracted using benzene, the obtained organic phase was dried, and reprecipitation was performed once with a mixed solvent of benzene/ethanol to obtain 2.02 g of polydisilanylene ethenylene. Ta. Yield 54%.
このようにして得られたポリシラン化合物について、Ｇ
ＰＣを用いて分子量を測定した結果、重量平均分子量（
Ｍｗ）は４００００であった。また、このポリシラン化
合物の融点は６４〜７１°Ｃであった。Regarding the polysilane compound thus obtained, G
As a result of measuring the molecular weight using PC, the weight average molecular weight (
Mw) was 40,000. Moreover, the melting point of this polysilane compound was 64 to 71°C.
更に、このポリシラン化合物についての機器分析の結果
を以下に示す。Furthermore, the results of instrumental analysis of this polysilane compound are shown below.
ｔＨ核磁気共鳴スペクトル（ＣＤＣＩ、溶液中で測定、
δｐｐｍ ）
０．２９ （ｓ、 ３Ｈ，５ｉＣＨａ）； ０．３２
（ｓ、 ３Ｂ、 ５ｉＣＨｚ）；６．６９ （ｓ、 ２
Ｅ１． Ｃ＝Ｃ４１）； ６．８５−７．６８ （ｍ、
１０Ｂ、＾ｒｌｌ）。tH nuclear magnetic resonance spectrum (CDCI, measured in solution,
δppm) 0.29 (s, 3H, 5iCHa); 0.32
(s, 3B, 5iCHz); 6.69 (s, 2
E1. C=C41); 6.85-7.68 (m,
10B, ^rll).
１３Ｃ核磁気共鳴スペクトル（ＣＤＣｈ溶液中で測定、
δｐｐｍ ）
１４９．４３１ （Ｃ＝Ｃ）； １３６．７００．１３
４．５３３．１２８．６２８゜１２７．７０７ （ｐｈ
ｅｎｙｌ）； −５，４５０（ＳｉＣＨｓ）。13C nuclear magnetic resonance spectrum (measured in CDCh solution,
δppm) 149.431 (C=C); 136.700.13
4.533.128.628゜127.707 (ph
-5,450 (SiCHs).
実施例２
実施例１にて得られたポリジシラニレンエテニレン１．
Ｏｇをジクロロエタン７．２ｉｎｌに溶解させ、この溶
液をスピンコード法にて絶縁基板上に塗布して、厚さ６
７００人の膜を形成した。Example 2 Polydisilanylene ethenylene obtained in Example 1 1.
Og was dissolved in 7.2 inl of dichloroethane, and this solution was applied onto an insulating substrate using a spin code method to a thickness of 6.
A membrane of 700 people was formed.
この膜にＳｂＦ ｓをドーピングした後、この膜に電圧
を印加し、電流及び電圧を四探針法にて測定した結果、
膜の導電率σは０．４７ Ｓ ／ｃｔｘであった。After doping this film with SbFs, a voltage was applied to this film, and the current and voltage were measured using the four-probe method.
The conductivity σ of the film was 0.47 S/ctx.
特許出願人 三井石油化学工業株式会社代理人 弁理士
牧 野 逸 部Patent applicant Mitsui Petrochemical Industries Co., Ltd. Agent Patent attorney Itsube Makino
Claims (3)
、アリール基及びアラルキル基よりなる群から選ばれる
基を示し、ｎは２以上の整数を示す。）で表わされるこ
とを特徴とするポリシラン化合物。(1) General formula (I) ▲Mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼(I) (In the formula, R^1 and R^2 are each independently selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group, and an aralkyl group. (n is an integer of 2 or more).
、アリール基及びアラルキル基よりなる群から選ばれる
基を示す。） で表わされる１，２−ビス（クロロシリル）エチレン誘
導体と、この誘導体における塩素原子と反応し得る量の
アルカリ金属とを反応させることを特徴とする一般式（
Ｉ） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｉ） （式中、Ｒ＾１及びＲ＾２は前記と同じであり、ｎは２
以上の整数を示す。） で表わされるポリシラン化合物の製造方法。(2) General formula (II) ▲Mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼(II) (In the formula, R^1 and R^2 are each independently selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group, and an aralkyl group. A 1,2-bis(chlorosilyl)ethylene derivative represented by the general formula (
I) ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼(I) (In the formula, R^1 and R^2 are the same as above, and n is 2
Indicates an integer greater than or equal to ) A method for producing a polysilane compound represented by
、アリール基及びアラルキル基よりなる群から選ばれる
基を示し、ｎは２以上の整数を示す。）で表わされるジ
シラニレンエチレン単位からなるポリシラン化合物から
なることを特徴とする導電性材料。(3) The main chain is a general formula (I) ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ (I) (In the formula, R^1 and R^2 are each independently a group consisting of an alkyl group, an aryl group, and an aralkyl group. (n is an integer of 2 or more.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018517790A (en) * | 2015-04-20 | 2018-07-05 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | Film-forming composition and film-forming method using the same |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP4914889A patent/JP2670583B2/en not_active Expired - Lifetime
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| JP2018517790A (en) * | 2015-04-20 | 2018-07-05 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | Film-forming composition and film-forming method using the same |
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