JPH01264570A - False sine wave generating method and inverter circuit - Google Patents
False sine wave generating method and inverter circuitInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、擬似正弦波発生方法およびこの方法が実施
されるインバータ回路特に高調波成分の少ないインバー
タ回路に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a pseudo sine wave generation method and an inverter circuit in which this method is implemented, particularly an inverter circuit with few harmonic components.
第4図は例えばオーム社から発行された電気雑誌「OH
MJ、1987年12邦P第26頁の第2図に示された
従来のインバータ回路を示す回路図であり、図において
(1)は出力電圧Vを有する直流電源、(2a)と(2
b)は直流電源(1)の両端間で互いに直列に接続され
た半導体スイッチングデバイスであり、そして(2C)
と(2d)も直流電源(1)の両端間で互いに直列に接
続されかつ半導体スイッチングデバイス(2a)および
(2b)と並列に接続された半導体スイッチングデバイ
ス(2a)〜(2d)がブリッジ回路(BC)を形成す
る。半導体スイッチングデイバス(2a)と(2b)の
接続点はブリッジ回路(B’C)ひいてはインバータ回
路の一方の出力端子(01)に接続され、そして半導体
スイッチングデバイス(2c)と(2d)の接続点はイ
ンバータ回路の他方の出力端子(02)に接続され、こ
れら出力端子(01)〜(02)間に出力電圧vOが発
生される。Figure 4 shows, for example, the electrical magazine "OH" published by Ohmsha.
This is a circuit diagram showing the conventional inverter circuit shown in FIG. 2 of MJ, 1987, No. 12, page 26, in which (1) is a DC power supply having an output voltage V, (2a) and (2
b) are semiconductor switching devices connected in series with each other across the DC power supply (1), and (2C)
and (2d) also form a bridge circuit ( BC). The connection point between the semiconductor switching devices (2a) and (2b) is connected to the bridge circuit (B'C) and eventually to one output terminal (01) of the inverter circuit, and the connection point between the semiconductor switching devices (2c) and (2d) is connected to the other output terminal (02) of the inverter circuit, and an output voltage vO is generated between these output terminals (01) and (02).
第5図は上述した「OHM」、第27頁の第3図に示さ
れた正弦波・三角波比較方式を示す波形図であり、図に
おいてecは三角波キャリア、esは基本波正弦波、v
Oは出力電圧を示している。FIG. 5 is a waveform diagram showing the sine wave/triangular wave comparison method shown in FIG. 3 on page 27 of the above-mentioned "OHM".
O indicates the output voltage.
従来のインバータ回路は上述したように構成されており
、三角波キャリアec i基本波正弦波esの場合、半
導体スイッチングデバイス(2a)および(2d)をO
N状態としかつ半導体スイッチングデバイス(2b)お
よび(2c)をOFF状態とする。The conventional inverter circuit is configured as described above, and in the case of triangular wave carrier ec i fundamental wave sine wave es, semiconductor switching devices (2a) and (2d) are
The state is set to N and the semiconductor switching devices (2b) and (2c) are set to OFF.
半導体スイッチングデバイス(2d)、直流電源(1)
半導体スイッチングデバイス(2a)の回路ができ、出
力端子には+Vの電圧が出力される。三角波キャリアe
c〉基本波正弦波e3の場合、逆に半導体スイッチング
デバイス(2a)および(2d)をOFF状態としかつ
半導体スイッチングデバイス(2b)および(2c)を
ON状態とする。半導体スイッチングデバイス(2b)
、直流電源(1)、半導体スイッチングデバイス(2c
)の回路ができ、出力端子には−■の電圧が出力される
。以上のように三角波キャリアe。と基本波正弦波″e
sとの大きさを比較し、半導体スイッチングデバイス(
2a)〜(2d)を制御することによって出力電圧VO
を擬似正弦波とすることができる。Semiconductor switching device (2d), DC power supply (1)
A circuit of the semiconductor switching device (2a) is completed, and a voltage of +V is output to the output terminal. triangle wave carrier e
c> In the case of the fundamental sine wave e3, conversely, the semiconductor switching devices (2a) and (2d) are turned off, and the semiconductor switching devices (2b) and (2c) are turned on. Semiconductor switching device (2b)
, DC power supply (1), semiconductor switching device (2c
) circuit is created, and a voltage of -■ is output to the output terminal. As mentioned above, the triangular wave carrier e. and the fundamental sine wave ″e
Compare the size with the semiconductor switching device (
By controlling 2a) to (2d), the output voltage VO
can be a pseudo sine wave.
従来のインバータ回路では、出力電圧に含まれる高調波
成分が多く、この高調波に基づく騒音、振動、損失が大
きいという問題点があった。Conventional inverter circuits have a problem in that the output voltage contains many harmonic components, and the harmonics cause large noise, vibration, and loss.
この発明は、上述したような問題点を解決するためにな
されたもので、高調波成分の少ない擬似正弦波を発生す
る方法を得ることを目的とする。The present invention was made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a method for generating a pseudo sine wave with few harmonic components.
この発明の別の発明は、高調波に基づく、騒音、振動、
損失を少なくすることができるインバータ回路を得るこ
とを目的とする。Another invention of this invention is based on harmonics, noise, vibration,
An object of the present invention is to obtain an inverter circuit that can reduce loss.
この発明に係る擬似正弦波発生方法は、一定の体スイッ
チングデバイスのうちのONすべき半導体スイッチング
デバイスを決定し、1:2ニー・・・・・・・・・・・
:2N−1の電圧をそれぞれ有するN個の直流電源のう
ちの、ONされた半導体スイッチングデバイスに接続さ
れた直流電源が2N−1段階の階段波ひいては擬似正弦
波を発生するものである。The pseudo sine wave generation method according to the present invention determines a semiconductor switching device to be turned on from among a certain number of body switching devices, and
: Among the N DC power supplies each having a voltage of 2N-1, the DC power supply connected to the turned-on semiconductor switching device generates a staircase wave of 2N-1 steps, and thus a pseudo sine wave.
この発明の別の発明に係るインバータ回路は、1:2:
・・・・・・・・・・・・:2N 1 の電圧をそれ
ぞれ有するN個(N)ま3以上の正の整数)の直流電源
と、3N+1個の半導体スイッチング・デバイスとを備
え、こねら半導体スイッチングデバイスのうちの第1組
の半導体スイッチングデバイスがブリッジ回路を形成し
、第2組の半導体スイッチングデバイスが各直流電源を
そ灼ぞわ前記ブリッジ回路に接続し、第3組の半導体ス
イッチングデバイスが′各直流電源同士をそれぞれ直列
接続したものである。An inverter circuit according to another invention of this invention has a ratio of 1:2:
・・・・・・・・・・・・:Equipped with N (N or a positive integer of 3 or more) DC power supplies each having a voltage of 2N 1 and 3N+1 semiconductor switching devices, A first set of semiconductor switching devices among the semiconductor switching devices forms a bridge circuit, a second set of semiconductor switching devices connects each DC power source to the bridge circuit, and a third set of semiconductor switching devices forms a bridge circuit. The device consists of DC power supplies connected in series.
木
従来技術は三角波キャリアと基y波正弦波を比較してO
Nすべき半導体スイッチングデバイスを値レベルと基本
波正弦波を比較してONすべき半導体スイグチングデバ
イスを決定しかつ階段波の出力電圧から成る擬似正弦波
を発生する。The conventional technology compares the triangular wave carrier and the fundamental y-wave sine wave.
The semiconductor switching device to be turned on is determined by comparing the value level of the semiconductor switching device to be turned on with the fundamental wave sine wave, and a pseudo sine wave consisting of a staircase wave output voltage is generated.
この発明の別の発明では、ブリッジ回路を形成する第1
組の半導体スイッチングデバイスの半分が正半サイクル
中ONになり、残りの半分の半導体スイッチングデバイ
スが負半サイクル中ONになり、第2組および第3組の
半導体スイッチングデバイスは上述した半定値レベルと
基本波正弦波の比較に基づいてONされ、直流電源から
ブリッジ回路へ所望の段階波を印加させる。In another invention of this invention, the first
Half of the semiconductor switching devices of the set are ON during the positive half cycle, the other half of the semiconductor switching devices are ON during the negative half cycle, and the semiconductor switching devices of the second and third sets are at the semi-constant level described above. It is turned on based on the comparison of the fundamental wave sine wave, and a desired step wave is applied from the DC power supply to the bridge circuit.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明に係る擬似正弦波発生方法が実施されるイ
ンバータ回路を示す回路図であり、(1a)、(1bL
(lc)はそれぞれ出力電圧V、2V。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1st
The figure is a circuit diagram showing an inverter circuit in which the pseudo sine wave generation method according to the present invention is implemented, (1a), (1bL
(lc) are output voltages V and 2V, respectively.
4■を有する直流電源、(2a)〜(2j)は制御回路
(図示しない)によってON・OFFの制御が行なわれ
る半導体スイッチングデバイス、(3a)〜(3d)は
逆流を防止するための整流器である。直流電源(1a)
は第4図に示した直流電源(1)と全く同じものである
が、こ匁では説明の都合上達った符号を用いて表わされ
ている。この直流電源(1a)は、お互いに直列接続さ
れた半導体スイッチングデバイス(2e)および整流器
(3c)を介して第4図に示したのと同一のブリッジ回
路(BC)K接続されている。直流電源(1b)の両端
間には、半導体スイッチングデバイス(2f)、整流器
(3d)、ブリッジ回路(BC)および整流器(3a)
が直列に接続さねている。直流電源(1c)の両端間に
は、半導体スイッチングデバイス(2h)、ブリッジ回
路(BC)および整流器(3b)が直列に接続されてい
る。直流電源(1a)の正端子と直流電源(1b)の負
端子との間には半導体スイッチングデバイス(2g)が
接続され、直#C,電源(1b)の正端子と直流電源(
1c)の負端子との間には半導体スイッチングデバイス
(2j)が接続さね、かつ直流電源(1a)の正端子と
直流電源(IC)の負端子との間には半導体スイッチン
グデバイス(21)が接続されている。(2a) to (2j) are semiconductor switching devices whose ON/OFF control is performed by a control circuit (not shown), and (3a) to (3d) are rectifiers to prevent backflow. be. DC power supply (1a)
is exactly the same as the DC power supply (1) shown in FIG. 4, but it is expressed using a new symbol for convenience of explanation. This DC power supply (1a) is connected to the same bridge circuit (BC) K as shown in FIG. 4 via a semiconductor switching device (2e) and a rectifier (3c) that are connected in series. A semiconductor switching device (2f), a rectifier (3d), a bridge circuit (BC) and a rectifier (3a) are connected between both ends of the DC power supply (1b).
are connected in series. A semiconductor switching device (2h), a bridge circuit (BC), and a rectifier (3b) are connected in series between both ends of the DC power supply (1c). A semiconductor switching device (2g) is connected between the positive terminal of the DC power source (1a) and the negative terminal of the DC power source (1b).
A semiconductor switching device (2j) is connected between the negative terminal of 1c), and a semiconductor switching device (21) is connected between the positive terminal of the DC power supply (1a) and the negative terminal of the DC power supply (IC). is connected.
つまり、半導体スイッチングデバイス(2a)〜(2d
)はブリッジ回路を形成する第1組の半導体スイッチン
グデバイスであり半導体スイッチングデバイス(2e)
、(2f)、(2h)は各直流電源(1aL。In other words, semiconductor switching devices (2a) to (2d
) is the first set of semiconductor switching devices forming a bridge circuit, and is a semiconductor switching device (2e).
, (2f), (2h) are each DC power supply (1aL.
(1b)、(lc)をそれぞれブリッジ回路(BC)に
接続する第2組の半導体スイッチングデバイスでありそ
して半導体スイッチングデバイス(2g)。(1b), (lc) respectively to a bridge circuit (BC) and a semiconductor switching device (2g).
(2j)、(2i)は各直流電源同士(1a)−(1b
L(lb)−(1c)、(la)−(lc’)Lそれぞ
れ直列接続する第3組の半導体スイッチングデバイスで
ある。(2j) and (2i) are between each DC power supply (1a) - (1b
This is a third set of semiconductor switching devices in which L(lb)-(1c) and (la)-(lc')L are connected in series, respectively.
第2図は第1図に示したインバータ回路の動作説明用波
形図であり、図においてesは最大値がEmである基本
波正弦波、eaはこの基本波正弦波esを全波整流した
整流波、E1〜E7は整流波eaと大きさの比較を行い
、半導体スイッチングデバイス(2a)〜(2j)の0
N−OFFのタイミングを決定する判定値レベルであり
、その各大きさは、例えば最大値Emを所定数、この場
合は7に等分し、それを整数倍してもの、すなわち、E
1=Em/8゜]E2 = 2El、 E3= 3Ez
、・・・・・・・・・・・・ET = 7E1である
。FIG. 2 is a waveform diagram for explaining the operation of the inverter circuit shown in FIG. The waves E1 to E7 are compared in size with the rectified wave ea, and the 0 of the semiconductor switching devices (2a) to (2j) is
It is a judgment value level that determines the timing of N-OFF, and each size is equal to, for example, the maximum value Em divided into a predetermined number, in this case 7, and then multiplied by an integer, that is, E
1=Em/8°]E2=2El, E3=3Ez
,......ET=7E1.
また、第3図は、第2図の各タイミングにおける第1図
の半導体スイッチングデバイス(2a)〜(2j)の0
N−OFFの状態を示す図であり、図において!はON
を×はOFFを示している。Further, FIG. 3 shows 0 of the semiconductor switching devices (2a) to (2j) in FIG. 1 at each timing in FIG.
It is a diagram showing the N-OFF state, and in the diagram! is ON
× indicates OFF.
次に、第1図に示したインバータ回路の動作について説
明する。まず、基本波正弦波esが正の場合は、ブリッ
ジ回路(BC)を形成する半導体スイッチングデバイス
のうち、(12a)および(2d)をONとし、かつ(
2b)および(2c)をOFFとする。次に整流波ea
と判定値レベルEl−E7の各々とを下記のように比較
し、次の8つの場合に分ける。Next, the operation of the inverter circuit shown in FIG. 1 will be explained. First, when the fundamental sine wave es is positive, (12a) and (2d) of the semiconductor switching devices forming the bridge circuit (BC) are turned ON, and (
2b) and (2c) are turned OFF. Next, the rectified wave ea
and each of the determination value levels El-E7 are compared as follows and divided into the following eight cases.
(,1) 04整流波ea<判定値レベルElの場合
(10、114) Icは、半導体スイッチングデバイ
ス(2e)〜(2j)をOFFとする。直流電源(1a
)〜(1c)が出力端子(01’)、(02)から切り
離されているので、出力電圧voは零となる。(, 1) When 04 rectified wave ea<judgment value level El (10, 114) Ic turns off the semiconductor switching devices (2e) to (2j). DC power supply (1a
) to (1c) are disconnected from the output terminals (01') and (02), so the output voltage vo becomes zero.
(2)判定値レベルE1≦整流波ea〈判定値レベルE
lの場合(tl、tl3)には、半導体スイッチングデ
バイス(2e)をONとする。半導体スイッチングデバ
イス(2d)、直all源(1aL半導体スイッチング
デバイス(2e)、整流器(3c)、および半導体スイ
ッチングデバイス(2a)から成る回路ができ、出力電
圧VOはVとなる。(2) Judgment value level E1 ≦ rectified wave ea <judgment value level E
In the case of 1 (tl, tl3), the semiconductor switching device (2e) is turned on. A circuit consisting of a semiconductor switching device (2d), a direct all source (1aL), a semiconductor switching device (2e), a rectifier (3c), and a semiconductor switching device (2a) is created, and the output voltage VO is V.
(3)判定値レベルE2≦整流波ea〈判定値レベルE
3の場合(H、tt2)には、半導体スイッチングデバ
イス(2f)をONとする。半導体スイッチングデバイ
ス(2d)、整流器(3a)、直流電源(lb)、半導
体スイッチングデバイス(2f)、整流器(3d)、お
よび半導体スイッチングデバイス(2a)から成る回路
ができ、出力電圧vOは2vとなる。(3) Judgment value level E2≦rectified wave ea<Judgment value level E
In the case of 3 (H, tt2), the semiconductor switching device (2f) is turned on. A circuit consisting of a semiconductor switching device (2d), a rectifier (3a), a DC power supply (lb), a semiconductor switching device (2f), a rectifier (3d), and a semiconductor switching device (2a) is created, and the output voltage vO is 2v. .
(4)判定値レベルE3≦整流波eB、<判定値レベル
E4の場合(ts、i+1)には、半導体スイツチン(
2f)、整流器(3d)、および半導体スイッチングデ
バイス(2a)から成る回路ができ、出力電圧yoは3
vとなる。(4) In the case of judgment value level E3≦rectified wave eB, <judgment value level E4 (ts, i+1), the semiconductor switch (
2f), a rectifier (3d), and a semiconductor switching device (2a), and the output voltage yo is 3
It becomes v.
(5)判定値レベルE4≦贅流波e2<判定値レベルE
5の場合(t4.t+o)には、半導体スイッチングデ
バイス(2h)をONとする。半導体スイッチングデバ
イス(2d)、整流器(3b)、直流電源(IC)、半
導体スイッチングデバイス(2h)および(2a)から
成る回路ができ、出力電圧voは4vとなる。(5) Judgment value level E4≦luxury wave e2<judgment value level E
In the case of 5 (t4.t+o), the semiconductor switching device (2h) is turned on. A circuit consisting of a semiconductor switching device (2d), a rectifier (3b), a DC power supply (IC), a semiconductor switching device (2h) and (2a) is completed, and the output voltage vo is 4V.
(6)判定値レベルE5≦整流波eaく判定値レベルE
6の場合(ts、tc+)Kは、半導体スイッチングデ
バイス(2h)および(21)をONとしかつ半導体ス
イッチングデバイス(2g)をOFFとする。ここで、
半導体スイッチングデバイス(2g)をOFF’とする
のは、次の状態(7)すなわち判定値レベルE64整流
波ea<判定値レベルE7の場合に半導体スイッチング
デバイス(2j)をONとした時、直流電源(1a)、
半導体スイッチングデバイス(2g)、直流電源(1b
)、半導体スイッチングデバイス(2j)、および直流
電源(IC)から成る回路が形成されるのを防止するた
めの前準備である。この時半導体スイッチングデバイス
(2d)、直流電源(1a)、半導体スイッチングデバ
イス(21)、直流電源(IC)、半導体スイッチング
デバイス(2h)および(2a)から成る回路ができ、
出力電圧yoは5vとなる。(6) Judgment value level E5 ≦ Rectified wave ea Judgment value level E
In the case of 6 (ts, tc+), K turns on the semiconductor switching devices (2h) and (21) and turns off the semiconductor switching device (2g). here,
The semiconductor switching device (2g) is turned OFF' when the semiconductor switching device (2j) is turned ON in the following state (7), that is, the judgment value level E64 rectified wave ea<the judgment value level E7. (1a),
Semiconductor switching device (2g), DC power supply (1b)
), a semiconductor switching device (2j), and a DC power supply (IC). At this time, a circuit consisting of the semiconductor switching device (2d), DC power supply (1a), semiconductor switching device (21), DC power supply (IC), semiconductor switching devices (2h) and (2a) is created.
The output voltage yo will be 5V.
(7)判定値レベルf6≦整流波ea<判定値レベルE
7の場合(is、js)、半導体スイッチングデバイス
(2h)および(2j)をONとする。半導体スイッチ
ングデバイス(2d)、整流器(3a)直流電源(1b
)、半導体スイッチングデバイス(2j)、直流電源(
IC)、半導体スイッチングデバイス(2h)および(
2a)から成る回路ができ、出力電圧vOは6vとなる
。(7) Judgment value level f6≦rectified wave ea<judgment value level E
In the case of 7 (is, js), semiconductor switching devices (2h) and (2j) are turned on. Semiconductor switching device (2d), rectifier (3a) DC power supply (1b)
), semiconductor switching devices (2j), DC power supplies (
IC), semiconductor switching device (2h) and (
A circuit consisting of 2a) is completed, and the output voltage vO is 6V.
(8)判定値レベルE74整流波eaの場合(t7)に
は、半導体スイッチングデバイス(2g)、(2h)。(8) In the case of judgment value level E74 rectified wave ea (t7), semiconductor switching devices (2g), (2h).
(2j)をONとする。半導体スイッチングデバイス(
2d)−1直流或源(1a)、半導体スイッチングデバ
イス(2g、)、直流電源(1b)、半導体スイッチン
グデバイス(2」)、直流電源(IC)、半導体スイッ
チングデバイス(2h)および(2a)から成る回路が
でき、出力電圧vOは7vとなる。(2j) is turned ON. Semiconductor switching device (
2d)-1 DC source (1a), semiconductor switching device (2g, ), DC power supply (1b), semiconductor switching device (2''), DC power supply (IC), semiconductor switching device (2h) and (2a) A circuit is completed, and the output voltage vO becomes 7V.
以上のように半導体不イツチングデバイス(2a)〜(
21)を8つの場合に分けて制御し、7つの階段波を発
生することにより擬似正弦波の正の半サイクルな出力す
ることができ石。As described above, semiconductor devices (2a) to (
21) can be controlled in eight cases, and by generating seven staircase waves, it is possible to output a positive half cycle of a pseudo sine wave.
また、基本波正弦波esが負の場合には、逆に半導体ス
イッチングデバイス(2a)および(2d)をOFFと
しかつ半導体スイッチングデバイス(2b)および(2
c)をONとした後、上述の(1)〜(8)と同じ制御
を行い、負の半サイクルを出力する。When the fundamental sine wave es is negative, conversely, the semiconductor switching devices (2a) and (2d) are turned OFF and the semiconductor switching devices (2b) and (2
After c) is turned on, the same control as in (1) to (8) above is performed to output a negative half cycle.
なお、上記実施例では半導体スイッチングデバイス(2
e)〜(2j)をON、OFF制御するのに基本波正弦
波esの整流波eaと判定値レベルE1〜E7とを比較
して制御のタイミングを求めたが、あらかじめ制御のタ
イミングを記憶させた記憶装置よりこれを読み出し、当
導体スイッチングデバイスの制御を行なっても良い。Note that in the above embodiment, the semiconductor switching device (2
To control ON/OFF of e) to (2j), the control timing was determined by comparing the rectified wave ea of the fundamental sine wave es with the judgment value levels E1 to E7, but the control timing was not memorized in advance. The conductor switching device may be controlled by reading this from a storage device.
更に、上記実施例では直流電源を3個用いたが、4個以
上の直流電源を用いて出力電圧の制御を行うと出力波形
はさらに正弦波に近づき、高調波成分を少なくする効果
が大きくなる。Furthermore, although three DC power supplies were used in the above embodiment, if the output voltage is controlled using four or more DC power supplies, the output waveform will become closer to a sine wave, and the effect of reducing harmonic components will be greater. .
また、上記実施例では半導体スイッチングデバイスとし
てトランジスタを用いたが、サイリスタ。Further, in the above embodiments, a transistor was used as the semiconductor switching device, but a thyristor was used as the semiconductor switching device.
GTO,MOSFET、BIMO8等を用いてもよい。GTO, MOSFET, BIMO8, etc. may also be used.
その上、上記実施例では単相回路を示したが、このよう
な回路を3個用いて三相インバータ回路としてもよい。Moreover, although a single-phase circuit is shown in the above embodiment, three such circuits may be used to form a three-phase inverter circuit.
以上、試述したようにこの発明は、一定の太き本
さで増減する多数の判定値レベルの各々と基体波正弦波
の整流波とを比較して3N+1個の半導体スイッチング
デバイスのうちのONすべき半導体スイッチングデバイ
スを決定し、1:2:・・・・・・・・・・・・:2N
−1の電圧をそれぞれ有するN個の直流電源のうちの、
ONされた半導体スイッチングデバイスに接続された直
流電源が2N−1段階の階段波ひいては擬似正弦波を発
生するので、高調波成分の少ない正弦波を供給できる効
果を奏する。As described above, the present invention compares each of a large number of judgment value levels that increase and decrease with a constant thickness with a rectified wave of a fundamental sine wave, and turns on one of 3N+1 semiconductor switching devices. Determine the semiconductor switching device to be used, 1:2:・・・・・・・・・・・・:2N
Of N DC power supplies each having a voltage of −1,
Since the DC power supply connected to the turned-on semiconductor switching device generates a 2N-1 step staircase wave and, in turn, a pseudo sine wave, it is possible to supply a sine wave with few harmonic components.
この発明の別の発明は、1:2:・・・・・・・・・・
・・:2N−1の電圧をそれぞれ有するN個(Nは3以
上の正の整数)の直流電源と、3N+1個の半導体スイ
ッチングデバイスとを備え、これら半導体スイッチング
デバイスのうちの第1組の半導体スイッチングデバイス
がブリッジ回路を形成し、第2組の半導体スイッチング
デバイスが各直流電源をそれぞれ前記ブリッジ回路に接
続し、第3組の半導体スイッチングデバイスが各直流電
源同士をそれぞれ直列接続した高調波成分に基づく騒音
、振動、損失を少なくする効果を奏する。Another invention of this invention is 1:2:・・・・・・・・・
...: Equipped with N DC power supplies (N is a positive integer of 3 or more) each having a voltage of 2N-1 and 3N+1 semiconductor switching devices, the first set of semiconductors among these semiconductor switching devices. The switching devices form a bridge circuit, a second set of semiconductor switching devices connects each DC power supply to the bridge circuit, and a third set of semiconductor switching devices connects each DC power supply to a harmonic component obtained by connecting each DC power supply in series. This has the effect of reducing noise, vibration, and loss based on
第1図はこの発明に係る擬似正弦波発生方法が実施され
るインバータ回路を示す回路図、第2図は第1図に示し
たインバータ回路の動作説明用波形図、第3図は半導体
スイッチングデバイスのON・OFFの状態を示す図、
第4図は従来のインバータ回路を示す回路図、第5図は
従来のインバータ回路に適用される正弦波・三角波比較
方式を説明する波形図である。
図において、(1a)〜(1c)は直流電源、(2a)
〜(2j)は半導体スイッチングデバイス、(BC)は
ブリッジ回路、((h )、 (02)は出力端子であ
る。
なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。Fig. 1 is a circuit diagram showing an inverter circuit in which the pseudo sine wave generation method according to the present invention is implemented, Fig. 2 is a waveform diagram for explaining the operation of the inverter circuit shown in Fig. 1, and Fig. 3 is a semiconductor switching device. A diagram showing the ON/OFF state of
FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional inverter circuit, and FIG. 5 is a waveform diagram illustrating a sine wave/triangular wave comparison method applied to the conventional inverter circuit. In the figure, (1a) to (1c) are DC power supplies, (2a)
-(2j) are semiconductor switching devices, (BC) is a bridge circuit, ((h), (02) is an output terminal. In the figures, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts.
Claims (2)
々と基本波正弦波の整流波とを比較して3N+1個の半
導体スイッチングデバイスのうちのONすべき半導体ス
イッチングデバイスを決定し、1:2:・・・・・・・
・・・・・:2^N^−^1の電圧をそれぞれ有するN
個の直流電源のうちの、ONされた半導体スイツチング
バイスに接続された直流電源が2^N^−^1段階の階
段波ひいては擬似正弦波を発生することを特徴とする擬
似正弦波発生方法。(1) A semiconductor switching device to be turned on among 3N+1 semiconductor switching devices is determined by comparing each of a large number of judgment value levels that increase/decrease at a constant level with a rectified wave of a fundamental sine wave, and 1 :2:・・・・・・・・・
・・・・・・:N each having a voltage of 2^N^-^1
A pseudo sine wave generation method characterized in that a DC power supply connected to an turned-on semiconductor switching device among the DC power supplies generates a 2^N^-^1 step staircase wave and, in turn, a pseudo sine wave. .
^1の電圧をそれぞれ有するN個(Nは3以上の正の整
数)の直流電源と、3N+1個の半導体スイッチングデ
バイスとを備え、これら半導体スイッチングデバイスの
うちの第1組の半導体スイッチングデバイスがブリッジ
回路を形成し、第2組の半導体スイッチングデバイスが
各直流電源をそれぞれ前記ブリッジ回路に接続し、第3
組の半導体スイッチングデバイスが各直流電源同士をそ
れぞれ直列接続し、前記ブリッジ回路の出力端子間に擬
似正弦波が発生されるようにしたことを特徴とするイン
バータ回路。(2) 1:2:・・・・・・・・・・・・:2^N^-
It is equipped with N DC power supplies (N is a positive integer of 3 or more) each having a voltage of forming a circuit, a second set of semiconductor switching devices respectively connecting each DC power source to the bridge circuit;
An inverter circuit characterized in that a set of semiconductor switching devices connects each DC power supply in series so that a pseudo sine wave is generated between the output terminals of the bridge circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63091741A JPH01264570A (en) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | False sine wave generating method and inverter circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63091741A JPH01264570A (en) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | False sine wave generating method and inverter circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01264570A true JPH01264570A (en) | 1989-10-20 |
Family
ID=14034951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63091741A Pending JPH01264570A (en) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | False sine wave generating method and inverter circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01264570A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7642875B2 (en) | 2002-11-14 | 2010-01-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Temperature correcting apparatus and voltage-controlled oscillation apparatus |
JP2010011483A (en) * | 2009-10-01 | 2010-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | Temperature correction apparatus |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP63091741A patent/JPH01264570A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7642875B2 (en) | 2002-11-14 | 2010-01-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Temperature correcting apparatus and voltage-controlled oscillation apparatus |
JP2010011483A (en) * | 2009-10-01 | 2010-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | Temperature correction apparatus |
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