JP6910832B2 - 表示装置、入出力装置、情報処理装置 - Google Patents

Description

本発明の一態様は、表示装置、入出力装置または情報処理装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

基板の同一面側に集光手段と画素電極を設け、集光手段の光軸上に画素電極の可視光を透過する領域を重ねて設ける構成を有する液晶表示装置や、集光方向Ｘと非集光方向Ｙを有する異方性の集光手段を用い、非集光方向Ｙと画素電極の可視光を透過する領域の長軸方向を一致して設ける構成を有する液晶表示装置が、知られている（特許文献１）。

特開２０１１−１９１７５０号公報

本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

（１）本発明の一態様は、表示パネルと、補正回路と、を有する表示装置である。

表示パネルは画素を備え、画素は第１の表示素子および第２の表示素子を備える。第２の表示素子は、第１の表示素子を用いた表示を視認できる範囲の一部において当該第２の表示素子を用いた表示を視認できるように配設される。

第１の表示素子は第１の階調信号を供給される機能を備える。第２の表示素子は第２の階調信号を供給される機能を備える。

補正回路は階調情報を供給される機能を備え、補正回路は階調情報および第１の特性曲線に基づいて第１の階調を決定する機能を備える。補正回路は、第１の階調が第１の表示素子に表示されるように、第１の階調信号を生成する機能を備える。補正回路は第１の階調信号を供給する機能を備える。

補正回路は階調情報および第２の特性曲線に基づいて第２の階調を決定する機能を備える。補正回路は、第２の階調が第２の表示素子に表示されるように、第２の階調信号を生成する機能を備える。補正回路は、第２の階調信号を供給する機能を備える。

第１の特性曲線は規格化された状態において２．２より大きいガンマ値を備え、第２の特性曲線は規格化された状態において第１の特性曲線が備えるガンマ値に比べて小さいガンマ値を備える。

これにより、第２の表示素子のみを用いて表示する画像よりコントラストの高い画像を、第１の表示素子および第２の表示素子を用いて表示することができる。または、第１の表示素子を用いた表示を視認することができる領域の一部において、第２の表示素子を用いた表示を視認することができる。または、表示パネルの姿勢等を変えることなく使用者は表示を視認することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

（２）本発明の一態様は、上記の第２の表示素子が、第１の表示素子より優れた色純度で表示をする機能を備える上記の表示装置である。

第１の特性曲線は、規格化された状態において、０．２以下の入力に対して、０．０１以下を出力する。

これにより、階調情報の暗い領域において、第２の表示素子を用いて、第１の表示素子を用いる場合より鮮やかな画像を表示することができる。または、第１の表示素子を用いる場合より広い色域の画像を表現することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

（３）本発明の一態様は、上記の第１の表示素子が反射率を制御する機能を備え、第２の表示素子が発光強度を制御する機能を備える上記の表示装置である。

（４）本発明の一態様は、上記の第１の表示素子が、第１の電極、第２の電極および液晶材料を含む層を備える上記の表示装置である。

第２の電極は、液晶材料を含む層に含まれる液晶材料の配向を制御する電界を、第１の電極との間に形成するように配置される。

第１の表示素子は、ノーマリーホワイトモードで動作する機能を備える。第１の表示素子は、第１の電極および第２の電極の間の電圧が０Ｖ以上１．５Ｖ以下の範囲に、規格化反射率を９０％未満から９０％以上にすることができる電圧を備える。また、第１の表示素子は、第１の電極および第２の電極の間の電圧が０Ｖ以上３．５Ｖ以下、好ましくは０Ｖ以上２．５Ｖ以下の範囲に、規格化反射率を１０％未満から１０％以上にすることができる電圧を備える。

これにより、第２の表示素子のみを用いて表示する画像よりコントラストの高い画像を、第１の表示素子に入射する外光を利用する第１の表示素子および第２の表示素子を用いて表示することができる。または、反射型の表示素子を第１の表示素子に用いて、消費電力を低減することができる。または、外光が明るい環境下において高いコントラストで画像を良好に表示することができる。または、光を射出する第２の表示素子を用いて、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、電力の消費を抑制しつつ、明るい階調を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

（５）本発明の一態様は、上記の画素が、第１の導電膜と、第２の導電膜と、絶縁膜と、画素回路と、を有する上記の表示装置である。

第１の導電膜は第１の電極と電気的に接続され、第２の導電膜は第１の導電膜と重なる領域を備える。

絶縁膜は第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備える。絶縁膜は開口部を備える。

第２の導電膜は、開口部において第１の導電膜と電気的に接続される。

画素回路は、第２の導電膜と電気的に接続される。

第２の表示素子は画素回路と電気的に接続され、第２の表示素子は絶縁膜に向けて光を射出する機能を備える。

これにより、例えば同一の工程を用いて形成することができる画素回路を用いて、第１の表示素子と、第１の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする第２の表示素子と、を駆動することができる。具体的には、反射型の表示素子を第１の表示素子に用いて、消費電力を低減することができる。または、外光が明るい環境下において高いコントラストで画像を良好に表示することができる。または、光を射出する第２の表示素子を用いて、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、絶縁膜を用いて、第１の表示素子および第２の表示素子の間または第１の表示素子および画素回路の間における不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

（６）本発明の一態様は、上記の表示パネルが、一群の複数の画素と、他の一群の複数の画素と、走査線と、信号線と、を有する上記の表示装置である。

一群の複数の画素は上記の画素を含み、一群の複数の画素は行方向に配設される。

他の一群の複数の画素は上記の画素を含み、他の一群の複数の画素は行方向と交差する列方向に配設される。

走査線は一群の複数の画素と電気的に接続され、信号線は他の一群の複数の画素と電気的に接続される。

これにより、第２の表示素子のみを用いて表示する画像よりコントラストの高い画像を、第１の表示素子および第２の表示素子を用いて表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

（７）本発明の一態様は、上記のいずれか一に記載の表示装置と、入力部と、を有する入出力装置である。

入力部は、上記の表示パネルと重なる領域に近接するものを検知する機能を備える。

（８）本発明の一態様は、上記の入力部が、表示パネルと重なる領域を備える上記の入出力装置である。

入力部は、制御線と、検知信号線と、検知素子と、を備える。

制御線は、制御信号を供給する機能を備える。

検知信号線は、検知信号を供給される機能を備える。

検知素子は、制御線および検知信号線と電気的に接続される。

検知素子は透光性を備える。検知素子は第１の電極と、第２の電極と、を備える。

第１の電極は、制御線と電気的に接続される。

第２の電極は検知信号線と電気的に接続され、第２の電極は表示パネルと重なる領域に近接するものによって一部が遮られる電界を、第１の電極との間に形成するように配置される。

検知素子は、表示パネルと重なる領域に近接するものとの距離および制御信号に基づいて変化する検知信号を供給する機能を備える。

これにより、表示パネルを用いて画像情報を表示しながら、表示パネルと重なる領域に近接するものを検知することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。

（９）本発明の一態様は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記の表示装置と、を含む、情報処理装置である。

これにより、さまざまな入力装置を用いて供給する情報に基づいて、画像情報または制御情報を演算装置に生成させることができる。または、生成させた画像情報または制御情報を用いて、消費電力を低減することができる。または、明るい場所でも視認性に優れた表示をすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

なお、本明細書中において、表示装置または入出力装置は、フレキシブルプリント基板が取り付けられた構成、テープキャリアパッケージが取り付けられた構成、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）法等を用いて集積回路が取り付けられた構成を含む。

本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。

本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。

本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。

本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。

本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。

本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。

本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

実施の形態に係る表示装置の構成を説明するブロック図および画素の構成を説明する模式図。 実施の形態に係る表示装置に用いることができる特性曲線を説明する図。 実施の形態に係る表示装置に用いることができる画素の構成を説明する模式図および画素が表示することができる色域を説明する色度図。 実施の形態に係る表示装置に用いることができる表示素子の特性を説明する図。 実施の形態に係る表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する図。 実施の形態に係る表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する断面図。 実施の形態に係る表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する断面図。 実施の形態に係る表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する下面図。 実施の形態に係る表示装置に用いることができる表示パネルの画素回路を説明する回路図。 実施の形態に係る表示装置に用いることができる画素の反射膜の形状を説明する模式図。 実施の形態に係る入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する図。 実施の形態に係る入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置に用いることができる入力部の構成を説明するブロック図。 実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図および投影図。 実施の形態に係る情報処理装置の表示部の構成を説明するブロック図。 実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図。 実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図。 実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図。 実施の形態に係る電子機器の構成を説明する図。 実施例に係る表示装置の評価方法を説明する図。 実施例に係る表示装置の官能評価の結果を説明する図。 比較例に係る表示装置の官能評価の結果を説明する図。 比較例に係る表示装置の官能評価の結果を説明する図。

本発明の一態様の表示装置は、表示パネルと補正回路とを有し、表示パネルの画素は第１の階調信号を供給される第１の表示素子および第２の階調信号を供給される第２の表示素子を備える。また、補正回路は階調情報および第１の特性曲線に基づいて第１の階調を決定する機能を備え、補正回路は第１の階調が第１の表示素子に表示されるように、第１の階調信号を生成し供給する機能を備える。また、補正回路は階調情報および第２の特性曲線に基づいて第２の階調を決定する機能を備え、補正回路は第２の階調が第２の表示素子に表示されるように、第２の階調信号を生成し供給する機能を備える。そして、第１の特性曲線は２．２より大きいガンマ値を備え、第２の特性曲線は第１の特性曲線が備えるガンマ値に比べて小さいガンマ値を備える。

これにより、第２の表示素子のみを用いて表示する画像よりコントラストの高い画像を、第１の表示素子および第２の表示素子を用いて表示することができる。または、第１の表示素子を用いた表示を視認することができる領域の一部において、第２の表示素子を用いた表示を視認することができる。または、表示パネルの姿勢等を変えることなく使用者は表示を視認することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図１乃至図１０を参照しながら説明する。

図１は本発明の一態様の表示装置の構成を説明する図である。図１（Ａ）は本発明の一態様の表示装置のブロック図であり、図１（Ｂ）は画素７０２（ｉ，ｊ）の構成を説明する模式図である。

図２は本発明の一態様の表示装置に用いることができる特性曲線を説明する図である。図２（Ａ）は本発明の一態様の表示装置の補正回路２３５Ｃが利用する特性曲線であり、図２（Ｂ）は本発明の一態様の表示装置の特性曲線を説明する図である。

図３（Ａ）は本発明の一態様の表示装置に用いることができる画素の構成を説明する模式図である。図３（Ｂ）は図３（Ａ）に示す画素が表示することができる色域を説明する色度図である。

図４は本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示素子の特性を説明する図である。具体的には、入力される電圧に対する規格化された反射率の応答を説明する特性曲線である。

図５は本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する図である。図５（Ａ）は表示パネルの上面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する上面図である。

図６および図７は表示パネルの構成を説明する断面図である。図６（Ａ）は図５（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）の一部を説明する図である。

図７（Ａ）は図５（Ａ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、切断線Ｘ９−Ｘ１０における断面図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）の一部を説明する図である。

図８（Ａ）は図５（Ｂ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する下面図であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）に示す構成の一部を省略して説明する下面図である。

図９は本発明の一態様の表示パネルが備える画素回路の構成を説明する回路図である。

図１０は表示パネルの画素に用いることができる反射膜の形状を説明する模式図である。

なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。

＜表示装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する表示装置は、表示パネル７００と、補正回路２３５Ｃと、を有する（図１（Ａ）参照）。

表示パネル７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）を備える。

画素７０２（ｉ，ｊ）は第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える（図１（Ｂ）参照）。第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できるように配設される。例えば、外光を反射する強度を制御して表示する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に外光が入射し反射する方向を、破線の矢印で図中に示す（図７（Ａ）参照）。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部に第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が光を射出する方向を、実線の矢印で図中に示す（図６（Ａ）参照）。

第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の階調信号Ｖ１１を供給される機能を備える。また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第２の階調信号Ｖ１２を供給される機能を備える（図１（Ａ）参照）。

補正回路２３５Ｃは階調情報Ｇ１を供給される機能を備える。例えば、画像情報Ｖ１は、階調情報Ｇ１を含む。

補正回路２３５Ｃは階調情報Ｇ１および第１の特性曲線ＣＣ１に基づいて第１の階調Ｇ１１を決定する機能を備える（図２（Ａ）参照）。また、補正回路２３５Ｃは第１の階調Ｇ１１が第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に表示されるように、第１の階調信号Ｖ１１を生成する機能を備え、補正回路２３５Ｃは第１の階調信号Ｖ１１を供給する機能を備える（図１（Ａ）参照）。

補正回路２３５Ｃは階調情報Ｇ１および第２の特性曲線ＣＣ２に基づいて第２の階調Ｇ１２を決定する機能を備える（図２（Ａ）参照）。また、補正回路２３５Ｃは第２の階調Ｇ１２が第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に表示されるように、第２の階調信号Ｖ１２を生成する機能を備え、補正回路２３５Ｃは第２の階調信号Ｖ１２を供給する機能を備える（図１（Ａ）参照）。

第１の特性曲線ＣＣ１は、規格化された状態において２．２より大きいガンマ値を備える。また、第２の特性曲線ＣＣ２は、規格化された状態において第１の特性曲線ＣＣ１が備えるガンマ値に比べて小さいガンマ値を備える。例えば、次に示す数式（１）および数式（２）を、第１の特性曲線ＣＣ１に用いることができる。また、次に示す数式（３）を第２の特性曲線ＣＣ２に用いることができる。なお、式中において、ｘが入力値に用いられ、ｙが出力値に用いられている。また、数式（２）であらわされる特性曲線のガンマ値は３であり、数式（３）であらわされる特性曲線のガンマ値は２．２である。

なお、表示装置は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が表示する第１の階調Ｇ１１および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が表示する第２の階調Ｇ１２の和を表示する。例えば、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が表示する最も明るい階調と、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が表示する最も明るい階調とが、同じ明るさである場合、表示装置の特性曲線は、特性曲線ＣＣ２に特性曲線ＣＣ１を重ねた特性曲線ＣＣ３になる（図２（Ｂ）参照）。

これにより、第２の表示素子のみを用いて表示する画像よりコントラストの高い画像を、第１の表示素子および第２の表示素子を用いて表示することができる。または、第１の表示素子を用いた表示を視認することができる領域の一部において、第２の表示素子を用いた表示を視認することができる。または、表示パネルの姿勢等を変えることなく使用者は表示を視認することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

なお、本実施の形態で説明する表示装置の画素７０２（ｉ，ｊ）に複数の副画素を用いることができる（図３（Ａ）参照）。

例えば、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）Ｒおよび第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）Ｒを、赤色を表示する副画素に用いることができる。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）Ｇおよび第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）Ｇを、緑色を表示する副画素に用いることができる。第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）Ｂおよび第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）Ｂを、青色を表示する副画素に用いることができる。

例えば、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）Ｒより白色の座標Ｄ６５から遠く、鮮やかな色を表示する表示素子を、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）Ｒに用いることができる（図３（Ｂ）参照）。第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）Ｇより白色の座標Ｄ６５から遠く、鮮やかな色を表示する表示素子を、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）Ｇに用いることができる。第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）Ｂより白色の座標Ｄ６５から遠く、鮮やかな色を表示する表示素子を、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）Ｂに用いることができる。

また、本実施の形態で説明する表示装置の第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）Ｒは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）Ｒより優れた色純度で表示をする機能を備える（図３（Ｂ）参照）。

また、第１の特性曲線ＣＣ１は、規格化された状態において、０．２以下の入力に対して、０．０１以下を出力する（図２（Ａ）参照）。例えば、階調情報Ｇ１が２５６の階調を含む場合、暗い側の５０の階調が供給された補正回路２３５Ｃは、第１の特性曲線ＣＣ１に基づいて、０を出力することができる。

これにより、階調情報の暗い領域において、第２の表示素子を用いて、第１の表示素子を用いる場合より鮮やかな画像を表示することができる。または、第１の表示素子を用いる場合より広い色域の画像を表現することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

また、本実施の形態で説明する表示装置の第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、反射率を制御する機能を備える。また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、発光強度を制御する機能を備える。例えば、反射型の液晶素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができ、有機エレクトロルミネッセンス素子を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

また、本実施の形態で説明する表示装置の第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２および液晶材料を含む層７５３を備える（図７（Ａ）参照）。

第２の電極７５２は、液晶材料を含む層７５３に含まれる液晶材料の配向を制御する電界を、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に形成するように配置される。

第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、ノーマリーホワイトモードで動作する機能を備える。第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）および第２の電極７５２の間の電圧が０Ｖ以上１．５Ｖ以下の範囲に、規格化反射率を９０％未満から９０％以上にすることができる電圧を備える（図４参照）。なお、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）がノーマリーホワイトモードで動作する機能を備える場合、液晶材料を含む層７５３に含まれる液晶材料の配向は、電圧が印加されていない状態において第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が光を反射するように制御される。

第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）および第２の電極７５２の間の電圧が０Ｖ以上３．５Ｖ以下、好ましくは０Ｖ以上２．５Ｖ以下の範囲に、規格化反射率を１０％未満から１０％以上にすることができる電圧を備える。

これにより、第２の表示素子のみを用いて表示する画像よりコントラストの高い画像を、第１の表示素子に入射する外光を利用する第１の表示素子および第２の表示素子を用いて表示することができる。具体的には、反射型の表示素子を第１の表示素子に用いて、消費電力を低減することができる。または、外光が明るい環境下において高いコントラストで画像を良好に表示することができる。または、光を射出する第２の表示素子を用いて、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、電力の消費を抑制しつつ、明るい階調を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

また、本実施の形態で説明する表示装置の画素７０２（ｉ，ｊ）は、第１の導電膜と、第２の導電膜と、絶縁膜５０１Ｃと、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、を有する。

第１の導電膜は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。例えば、第１の導電膜を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

絶縁膜５０１Ｃは第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５０１Ｃは開口部５９１Ａを備える。また、絶縁膜５０１Ｃは、絶縁膜５０１Ａおよび導電膜５１１Ｂに挟まれる領域を備える。また、絶縁膜５０１Ｃは、絶縁膜５０１Ａおよび導電膜５１１Ｂに挟まれる領域に開口部５９１Ｂを備える。絶縁膜５０１Ｃは、絶縁膜５０１Ａおよび導電膜５１１Ｃに挟まれる領域に開口部５９１Ｃを備える（図６（Ａ）および図７（Ａ）参照）。

第２の導電膜は、開口部５９１Ａにおいて第１の導電膜と電気的に接続される。例えば、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）は、導電膜５１２Ｂと電気的に接続される。ところで、絶縁膜５０１Ｃに設けられた開口部５９１Ａにおいて第２の導電膜と電気的に接続される第１の導電膜を、貫通電極ということができる。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、第２の導電膜と電気的に接続される。例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ１に用いるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂを、第２の導電膜に用いることができる。

第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５０１Ｃに向けて光を射出する機能を備える（図６（Ａ）参照）。

これにより、例えば同一の工程を用いて形成することができる画素回路を用いて、第１の表示素子と、第１の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする第２の表示素子と、を駆動することができる。具体的には、反射型の表示素子を第１の表示素子に用いて、消費電力を低減することができる。または、外光が明るい環境下において高いコントラストで画像を良好に表示することができる。または、光を射出する第２の表示素子を用いて、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、絶縁膜を用いて、第１の表示素子および第２の表示素子の間または第１の表示素子および画素回路の間における不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

また、本実施の形態で説明する表示装置の表示パネル７００は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、信号線Ｓ１（ｊ）と、を有する（図１（Ａ）参照）。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。

一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、行方向に配設される。

他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、行方向と交差する列方向に配設される。

走査線Ｇ１（ｉ）は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。

信号線Ｓ１（ｊ）は、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。

これにより、第２の表示素子のみを用いて表示する画像よりコントラストの高い画像を、第１の表示素子および第２の表示素子を用いて表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

《表示パネル７００》
表示パネル７００は、絶縁膜５０１Ａを有する（図６（Ａ）参照）。

絶縁膜５０１Ａは、第１の開口部５９２Ａ、第２の開口部５９２Ｂおよび開口部５９２Ｃを備える（図６（Ａ）または図７（Ａ）参照）。

第１の開口部５９２Ａは、第１の中間膜７５４Ａおよび第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と重なる領域または第１の中間膜７５４Ａおよび絶縁膜５０１Ｃと重なる領域を備える。

第２の開口部５９２Ｂは、第２の中間膜７５４Ｂおよび導電膜５１１Ｂと重なる領域を備える。また、開口部５９２Ｃは、中間膜７５４Ｃおよび導電膜５１１Ｃと重なる領域を備える。

絶縁膜５０１Ａは、第１の開口部５９２Ａの周縁に沿って、第１の中間膜７５４Ａおよび絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。また、絶縁膜５０１Ａは、第２の開口部５９２Ｂの周縁に沿って、第２の中間膜７５４Ｂおよび導電膜５１１Ｂの間に挟まれる領域を備える。

表示パネル７００は、走査線Ｇ２（ｉ）と、配線ＣＳＣＯＭと、第３の導電膜ＡＮＯと、信号線Ｓ２（ｊ）と、を有する（図８参照）。

第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と、第４の電極５５２と、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）と、を備える（図６（Ａ）参照）。なお、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続され、第４の電極５５２は、第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続される（図１（Ａ）参照）。

第４の電極５５２は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

発光性の材料を含む層５５３（ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極５５２の間に挟まれる領域を備える。

第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、接続部５２２において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、液晶材料を含む層７５３と、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）および第２の電極７５２と、を備える。第２の電極７５２は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される（図６（Ａ）および図７（Ａ）参照）。

表示パネル７００は、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２を備える。配向膜ＡＦ２は、配向膜ＡＦ１との間に液晶材料を含む層７５３を挟むように配設される。

表示パネル７００は、第１の中間膜７５４Ａと、第２の中間膜７５４Ｂと、を有する。

第１の中間膜７５４Ａは、絶縁膜５０１Ｃとの間に第１の導電膜を挟む領域を備え、第１の中間膜７５４Ａは、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と接する領域を備える。第２の中間膜７５４Ｂは導電膜５１１Ｂと接する領域を備える。

表示パネル７００は、遮光膜ＢＭと、絶縁膜７７１と、機能膜７７０Ｐと、機能膜７７０Ｄと、を有する。また、着色膜ＣＦ１および着色膜ＣＦ２を有する。

遮光膜ＢＭは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。着色膜ＣＦ２は、絶縁膜５０１Ｃおよび第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に配設され、開口部７５１Ｈと重なる領域を備える（図６（Ａ）参照）。

絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層７５３の間または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。

機能膜７７０Ｐは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

機能膜７７０Ｄは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜７７０Ｄは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）との間に基板７７０を挟むように配設される。これにより、例えば、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が反射する光を拡散することができる。

表示パネル７００は、基板５７０と、基板７７０と、機能層５２０と、を有する。

基板７７０は、基板５７０と重なる領域を備える。

機能層５２０は、基板５７０および基板７７０の間に挟まれる領域を備える。機能層５２０は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と、絶縁膜５２１と、絶縁膜５２８と、を含む。また、機能層５２０は、絶縁膜５１８および絶縁膜５１６を含む（図６（Ａ）および図６（Ｂ）参照）。

絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

絶縁膜５２８は、絶縁膜５２１および基板５７０の間に配設され、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域と、に開口部を備える。

絶縁膜５２８は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）の周縁に沿って、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）の端部を覆う領域を備え、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極の短絡を防止する機能を備える。

絶縁膜５１８は、絶縁膜５２１および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。また、絶縁膜５１６は、絶縁膜５１８および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

表示パネル７００は、接合層５０５と、封止材７０５と、構造体ＫＢ１と、を有する。

接合層５０５は、機能層５２０および基板５７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板５７０を貼り合せる機能を備える。

封止材７０５は、機能層５２０および基板７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板７７０を貼り合わせる機能を備える。

構造体ＫＢ１は、機能層５２０および基板７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。

表示パネル７００は、端子５１９Ｂおよび端子５１９Ｃを有する。

端子５１９Ｂは、導電膜５１１Ｂと、中間膜７５４Ｂと、を備え、中間膜７５４Ｂは、導電膜５１１Ｂと接する領域を備える。端子５１９Ｂは、例えば信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。

端子５１９Ｃは、導電膜５１１Ｃと、中間膜７５４Ｃと、を備え、中間膜７５４Ｃは、導電膜５１１Ｃと接する領域を備える。導電膜５１１Ｃは、例えば配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続される。

導電材料ＣＰは、端子５１９Ｃと第２の電極７５２の間に挟まれ、端子５１９Ｃと第２の電極７５２を電気的に接続する機能を備える。例えば、導電性の粒子を導電材料ＣＰに用いることができる。

表示パネル７００は、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、を有する（図１（Ａ）および図５（Ａ）参照）。

駆動回路ＧＤは、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続される。駆動回路ＧＤは、例えばトランジスタＭＤを備える（図６（Ａ）参照）。具体的には、画素回路５３０（ｉ，ｊ）が備えるトランジスタに含まれる半導体膜と同じ工程で形成することができる半導体膜を、トランジスタＭＤに用いることができる。

駆動回路ＳＤは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。駆動回路ＳＤは、例えば端子５１９Ｂと電気的に接続される。

《制御部２３８》
制御部２３８は、補正回路２３５Ｃおよび展開回路２３４を備える。制御部２３８は、画像情報Ｖ１および制御情報ＳＳを供給される機能を備える。

《補正回路２３５Ｃ》
補正回路２３５Ｃは、ガンマ補正回路２３５Ｃ１および色補正回路２３５Ｃ２を有する。

ガンマ補正回路２３５Ｃ１は記憶部を備える。記憶部は例えば補正された階調情報または参照表等を記憶する機能を備える。例えば、参照表を第１の特性曲線ＣＣ１に用いることができる。

色補正回路２３５Ｃ２は記憶部を備える。記憶部は例えば補正された階調情報または参照表等を記憶する機能を備える。例えば、参照表を第２の特性曲線ＣＣ２に用いることができる。

《展開回路２３４》
展開回路２３４は、記憶部２３４Ｍおよび圧縮された画像情報Ｖ１を展開する機能を備える。記憶部２３４Ｍは、例えば展開された画像情報を記憶する機能を備える。

以下に、表示装置を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。

例えば第１の導電膜を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、第１の導電膜を反射膜に用いることができる。

また、第２の導電膜をトランジスタのソース電極またはドレイン電極の機能を備える導電膜５１２Ｂに用いることができる。

《構成例》
表示パネル７００は、基板５７０、基板７７０、構造体ＫＢ１、封止材７０５または接合層５０５を有する。

また、表示パネル７００は、機能層５２０、絶縁膜５２１または絶縁膜５２８を有する。

また、表示パネル７００は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭまたは第３の導電膜ＡＮＯを有する。

また、表示パネル７００は、第１の導電膜または第２の導電膜を有する。

また、表示パネル７００は、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃを有する。

また、表示パネル７００は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）またはスイッチＳＷ１を有する。

また、表示パネル７００は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、反射膜、開口部、液晶材料を含む層７５３または第２の電極７５２を有する。

また、表示パネル７００は、配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２、着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２、遮光膜ＢＭ、絶縁膜７７１、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄを有する。

また、表示パネル７００は、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）、第４の電極５５２または発光性の材料を含む層５５３（ｊ）を有する。

また、表示パネル７００は、絶縁膜５０１Ａまたは絶縁膜５０１Ｃを有する。

また、表示パネル７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。

《基板５７０》
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。

例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板５７０等に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板５７０等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板５７０等に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板５７０等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板５７０等に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板５７０等に用いることができる。

例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板５７０等に用いることができる。これにより、半導体素子を基板５７０等に形成することができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板５７０等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板５７０等に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板５７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板５７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基板５７０等に用いることができる。

また、紙または木材などを基板５７０等に用いることができる。

例えば、可撓性を有する基板を基板５７０等に用いることができる。

なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板５７０等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。

《基板７７０》
例えば、透光性を備える材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、基板５７０に用いることができる材料から選択された材料を基板７７０に用いることができる。

例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基板７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。

また、例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、厚さを薄くするために研磨した基板を用いることができる。これにより、機能膜７７０Ｄを第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に近づけて配置することができる。その結果、画像のボケを低減し、画像を鮮明に表示することができる。

《構造体ＫＢ１》
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体ＫＢ１等に用いることができる。これにより、所定の間隔を、構造体ＫＢ１等を挟む構成の間に設けることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

《封止材７０５》
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５等に用いることができる。

例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５等に用いることができる。

例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５等に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５等に用いることができる。

《接合層５０５》
例えば、封止材７０５に用いることができる材料を接合層５０５に用いることができる。

《絶縁膜５２１》
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

これにより、例えば絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。

《絶縁膜５２８》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。

《絶縁膜５０１Ａ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。また、例えば、水素を供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料と、シリコンおよび窒素を含む材料と、を積層した材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。例えば、加熱等により水素を放出し、放出した水素を他の構成に供給する機能を備える材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。具体的には、作製工程中に取り込まれた水素を加熱等により放出し、他の構成に供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

例えば、原料ガスにシラン等を用いる化学気相成長法により形成されたシリコンおよび酸素を含む膜を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

具体的には、シリコンおよび酸素を含む厚さ２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の材料と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２００ｎｍ程度の材料と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。

《絶縁膜５０１Ｃ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または第２の表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。

例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。

《中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂ、中間膜７５４Ｃ》
例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有する膜を、中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂまたは中間膜７５４Ｃに用いることができる。なお、本明細書において、中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂまたは中間膜７５４Ｃを中間膜という。

例えば、水素を透過または供給する機能を備える材料を中間膜に用いることができる。

例えば、導電性を備える材料を中間膜に用いることができる。

例えば、透光性を備える材料を中間膜に用いることができる。

具体的には、インジウムおよび酸素を含む材料、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む材料またはインジウム、スズおよび酸素を含む材料等を中間膜に用いることができる。なお、これらの材料は水素を透過する機能を備える。

具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜または厚さ１００ｎｍの膜を中間膜に用いることができる。

なお、エッチングストッパーとして機能する膜が積層された材料を中間膜に用いることができる。具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜と、インジウム、スズおよび酸素を含む厚さ２０ｎｍの膜と、をこの順で積層した積層材料を中間膜に用いることができる。

《配線、端子、導電膜》
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、第３の導電膜ＡＮＯ、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃ等に用いることができる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。

具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。

例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。

具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。

なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。

《第１の導電膜、第２の導電膜》
例えば、配線等に用いることができる材料を第１の導電膜または第２の導電膜に用いることができる。

また、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）または配線等を第１の導電膜に用いることができる。

また、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂまたは配線等を第２の導電膜に用いることができる。

《画素回路５３０（ｉ，ｊ）》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭおよび第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図９参照）。なお、導電膜５１２Ａは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図７（Ａ）および図９参照）。また、例えば、第２の導電膜をソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂに用いるトランジスタを、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ１に用いることができる。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１１を含む（図９参照）。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ１２を含む。

例えば、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ１に用いることができる。

容量素子Ｃ１１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭと電気的に接続される第２の電極と、を有する。

例えば、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。

トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続されるゲート電極と、第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。

なお、半導体膜をゲート電極との間に挟むように設けられた導電膜を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。例えば、トランジスタＭのゲート電極と同じ電位を供給することができる配線と電気的に接続される導電膜を当該導電膜に用いることができる。

容量素子Ｃ１２は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する。

なお、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極をスイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続し、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第２の電極を配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続する。これにより、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。

また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第１の電極をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第２の電極を第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。

《スイッチＳＷ１、スイッチＳＷ２、トランジスタＭ、トランジスタＭＤ》
例えば、ボトムゲート型またはトップゲート型等のトランジスタをスイッチＳＷ１、スイッチＳＷ２、トランジスタＭ、トランジスタＭＤ等に用いることができる。

例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。

例えば、酸化物半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。

一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタと比較して小さいトランジスタをスイッチＳＷ１、スイッチＳＷ２、トランジスタＭまたはトランジスタＭＤ等に用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜５０８に用いたトランジスタをスイッチＳＷ１、スイッチＳＷ２、トランジスタＭまたはトランジスタＭＤ等に用いることができる。

これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。

スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタは、半導体膜５０８および半導体膜５０８と重なる領域を備える導電膜５０４を備える（図７（Ｂ）参照）。また、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタは、半導体膜５０８と電気的に接続される導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備える。

なお、導電膜５０４はゲート電極の機能を備え、絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。また、導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。

また、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟むように設けられた導電膜５２４を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる（図６（Ｂ）参照）。

例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を絶縁膜５０１Ｃ側から順に積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。

例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜５０６に用いることができる。

例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。

例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、を絶縁膜５０１Ｃ側から順に積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。

《第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）等に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。

例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。

また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｐｉｎｗｈｅｅｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。

第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１電極と、第２電極と、液晶材料を含む層と、を有する。液晶材料を含む層は、第１電極および第２電極の間の電圧を用いて配向を制御することができる液晶材料を含む。例えば、液晶材料を含む層の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦方向と交差する方向（横方向または斜め方向ともいう）の電界を、液晶材料の配向を制御する電界に用いることができる。

《液晶材料を含む層７５３》
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層７５３に用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。

《第１の電極７５１（ｉ，ｊ）》
例えば、配線等に用いる材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射膜を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、透光性を備える導電材料と、開口部を備える反射膜と、を積層した材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

《反射膜》
反射膜は、例えば第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域が形成される形状を備える。反射膜は、例えば開口部７５１Ｈを備える。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図１０（Ａ）参照）。または、例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図１０（Ｂ）参照）。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、行方向に延びる直線上に配設される（図１０（Ａ）参照）。また、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。

または、例えば、画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向に延びる直線上に配設される（図１０（Ｂ）参照）。また、例えば、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。

これにより、一の画素に隣接する他の画素の開口部に重なる領域を備える第２の表示素子を、一の画素の開口部に重なる領域を備える第２の表示素子から遠ざけることができる。または、一の画素に隣接する他の画素の第２の表示素子に、一の画素の第２の表示素子が表示する色とは異なる色を表示する表示素子を配設することができる。または、異なる色を表示する複数の表示素子を、隣接して配設する難易度を軽減することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

なお、例えば、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域７５１Ｅが形成されるように、端部が切除されたような形状を備える材料を、反射膜に用いることができる（図１０（Ｃ）参照）。具体的には、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）が短くなるように端部が切除された第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を反射膜に用いることができる。

例えば、可視光を反射する材料を反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。

反射膜は、例えば、液晶材料を含む層７５３を透過してくる光を反射する。これにより、第１の表示素子７５０を反射型の液晶素子にすることができる。また、例えば、表面に凹凸を備える材料を、反射膜に用いることができる。これにより、入射する光をさまざまな方向に反射して、白色の表示をすることができる。

なお、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を反射膜に用いる構成に限られない。例えば、液晶材料を含む層７５３と第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の間に反射膜を配設する構成を用いることができる。または、反射膜と液晶材料を含む層７５３の間に透光性を有する第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を配置する構成を用いることができる。

《開口部７５１Ｈ、領域７５１Ｅ》
多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状を開口部７５１Ｈまたは領域７５１Ｅの形状に用いることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状を開口部７５１Ｈまたは領域７５１Ｅの形状に用いることができる。

また、単数の開口または一群の複数の開口を開口部７５１Ｈに用いることができる。

非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が大きすぎると、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。

また、非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が小さすぎると、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。

《第２の電極７５２》
例えば、可視光について透光性を有し且つ導電性を備える材料を、第２の電極７５２に用いることができる。

例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。

具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を第２の電極７５２に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を第２の電極７５２に用いることができる。また、銀を含む金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、第２の電極７５２に用いることができる。

《配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２》
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。

例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。これにより、配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２を形成する際に必要とされる温度を低くすることができる。その結果、配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２を形成する際に他の構成に与える損傷を軽減することができる。

《着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２》
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２を例えばカラーフィルターに用いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。

なお、照射された光を所定の色の光に変換する機能を備える材料を着色膜ＣＦ２に用いることができる。具体的には、量子ドットを着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、色純度の高い表示をすることができる。

《遮光膜ＢＭ》
光の透過を妨げる材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。

《絶縁膜７７１》
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。

《機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ》
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。

具体的には、２色性色素を含む膜を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。または、基材の表面と交差する方向に沿った軸を備える柱状構造を有する材料を、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易くすることができる。

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。

具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。また、光拡散フィルムを機能膜７７０Ｄに用いることができる。

《第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）》
例えば、発光素子を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードなどを、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、発光性の有機化合物を発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、量子ドットを発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。

例えば、青色の光を射出するように積層された積層材料、緑色の光を射出するように積層された積層材料または赤色の光を射出するように積層された積層材料等を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

また、例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について透光性を有する材料を、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、微小共振器構造を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。

例えば、配線等に用いることができる材料を第４の電極５５２に用いることができる。具体的には、可視光について反射性を有する材料を、第４の電極５５２に用いることができる。

《駆動回路ＧＤ》
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタまたはトランジスタＭと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。

例えば、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、導電膜５２４を有するトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる（図６（Ｂ）参照）。

導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟むように導電膜５２４を配設し、導電膜５２４および半導体膜５０８の間に絶縁膜５１６を配設し、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に絶縁膜５０６を配設する。例えば、導電膜５０４と同じ電位を供給する配線に導電膜５２４を電気的に接続する。

なお、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図１１乃至図１４を参照しながら説明する。

図１１は本発明の一態様の入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する図である。図１１（Ａ）は入出力パネルの上面図である。図１１（Ｂ）は入出力パネルの入力部の一部を説明する模式図であり、図１１（Ｃ）は図１１（Ｂ）の一部を説明する模式図である。

図１２および図１３は本発明の一態様の入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する図である。図１２（Ａ）は図１１（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、図１１（Ｃ）の切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）の一部の構成を説明する断面図である。

図１３は図１１（Ｃ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、図１１（Ａ）の切断線Ｘ９−Ｘ１０、切断線Ｘ１１−Ｘ１２における断面図である。

図１４は本発明の一態様の入出力装置に用いることができる入力部の構成を説明するブロック図である。

＜入出力装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する入出力装置は、実施の形態１において説明する表示装置の表示パネル７００と、入力部と、を有する（図１１（Ａ）、図１２（Ａ）および図１３参照）。入力部は、表示パネル７００と重なる領域に近接するものを検知する機能を備える。

《入力部の構成例》
本実施の形態で説明する表示装置の入力部は、表示パネル７００と重なる領域を備える（図１１（Ａ）、図１２（Ａ）または図１３参照）。

入力部は、制御線ＣＬ（ｇ）と、検知信号線ＭＬ（ｈ）と、検知素子７７５（ｇ，ｈ）と、を備える（図１１（Ｂ）参照）。

制御線ＣＬ（ｇ）は、制御信号を供給する機能を備える。

検知信号線ＭＬ（ｈ）は検知信号を供給される機能を備える。

検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、制御線ＣＬ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される。

検知素子７７５（ｇ，ｈ）は透光性を備える。検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、電極Ｃ（ｇ）と、電極Ｍ（ｈ）と、を備える。

電極Ｃ（ｇ）は、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続される。

電極Ｍ（ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続され、電極Ｍ（ｈ）は、表示パネル７００と重なる領域に近接するものによって一部が遮られる電界を、電極Ｃ（ｇ）との間に形成するように配置される。

検知素子７７５（ｇ，ｈ）は表示パネル７００と重なる領域に近接するものとの距離および制御信号に基づいて変化する検知信号を供給する機能を備える。

これにより、表示パネルを用いて画像情報を表示しながら、表示パネルと重なる領域に近接するものを検知することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。

また、本実施の形態で説明する入力部は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する（図１４参照）。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。

一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、図１４に矢印Ｒ２で示す方向は、図１（Ａ）に矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。

また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される。

行方向に配設される一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続される電極Ｃ（ｇ）を含む。

列方向に配設される他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される電極Ｍ（ｈ）を含む。

また、本実施の形態で説明する入出力パネルの制御線ＣＬ（ｇ）は、導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）を含む（図１２（Ａ）参照）。導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と重なる領域を備える。

絶縁膜７０６は、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の間に挟まれる領域を備える。これにより、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の短絡を防止することができる。

また、本実施の形態で説明する入出力パネルは、発振回路ＯＳＣおよび検知回路ＤＣを備える（図１４参照）。

発振回路ＯＳＣは、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続され、制御信号を供給する機能を備える。例えば、矩形波、のこぎり波また三角波等を制御信号に用いることができる。

検知回路ＤＣは、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続され、検知信号線ＭＬ（ｈ）の電位の変化に基づいて検知信号を供給する機能を備える。

入出力装置７００ＴＰ２は、トップゲート型のトランジスタを有する点、基板７７０、絶縁膜５０１Ｃおよび封止材７０５に囲まれる領域に入力部を含む機能層７２０を有する点、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える電極Ｃ（ｇ）を有する点、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える電極Ｍ（ｈ）を有する点、制御線ＣＬ（ｇ）または検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続する導電膜５１１Ｄを有する点、導電膜５１１Ｄと電気的に接続する端子５１９Ｄを有する点が、図５乃至図７を参照しながら説明する表示装置とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。

制御線ＣＬ（ｇ）は開口部が設けられた電極Ｃ（ｇ）と電気的に接続され、検知信号線ＭＬ（ｈ）は開口部が設けられた電極Ｍ（ｈ）と電気的に接続される。また、開口部は画素と重なる領域を備える。例えば、制御線ＣＬ（ｇ）が備える導電膜の開口部は、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える（図１１（Ｂ）、図１１（Ｃ）および図１２（Ａ）参照）。なお、入出力装置７００ＴＰ２は検知素子７７５（ｇ，ｈ）および基板７７０の間に遮光膜ＢＭを備える（図１２（Ａ）参照）。遮光膜ＢＭは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備え、遮光膜ＢＭは、検知素子７７５（ｇ，ｈ）と重なる領域を備える。

本実施の形態で説明する入出力装置は、制御線ＣＬ（ｇ）および第２の電極７５２の間または検知信号線ＭＬ（ｈ）および第２の電極７５２の間に０．２μｍ以上１６μｍ以下、好ましくは１μｍ以上８μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以上４μｍ以下の間隔を備える。

本実施の形態で説明する入出力装置は、画素と重なる領域に開口部が設けられた第１の電極と、画素と重なる領域に開口部が設けられた第２の電極と、を含んで構成される。これにより、表示パネルの表示を遮ることなく、表示パネルと重なる領域に近接するものを検知することができる。また、入出力装置の厚さを薄くすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。

また、本実施の形態で説明する入出力装置は、機能層７２０を、基板７７０、絶縁膜５０１Ｃおよび封止材７０５に囲まれる領域に有する。

また、本実施の形態で説明する入出力装置は、導電膜５１１Ｄを有する（図１３参照）。

なお、制御線ＣＬ（ｇ）および導電膜５１１Ｄの間に導電材料ＣＰ等を配設し、制御線ＣＬ（ｇ）と導電膜５１１Ｄを電気的に接続することができる。または、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜５１１Ｄの間に導電材料ＣＰ等を配設し、検知信号線ＭＬ（ｈ）と導電膜５１１Ｄを、電気的に接続することができる。

また、本実施の形態で説明する入出力装置は、導電膜５１１Ｄと電気的に接続する端子５１９Ｄを有する。端子５１９Ｄは、導電膜５１１Ｄを備える。

なお、例えば、導電材料ＡＣＦ２を用いて、端子５１９Ｄとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２を電気的に接続することができる。これにより、例えば、端子５１９Ｄを用いて制御信号を制御線ＣＬ（ｇ）に供給することができる。または、端子５１９Ｄを用いて検知信号を、検知信号線ＭＬ（ｈ）から供給されることができる。

《導電膜５１１Ｄ》
例えば、配線等に用いることができる材料を導電膜５１１Ｄに用いることができる。

《端子５１９Ｄ》
例えば、配線等に用いることができる材料を端子５１９Ｄに用いることができる。具体的には、端子５１９Ｂまたは端子５１９Ｃと同じ構成を端子５１９Ｄに用いることができる。なお、例えば、導電材料ＡＣＦ２を用いて、端子５１９Ｄとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２を電気的に接続することができる（図１３参照）。

《スイッチＳＷ１、トランジスタＭ、トランジスタＭＤ》
スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタ、トランジスタＭおよびトランジスタＭＤは、絶縁膜５０１Ｃと重なる領域を備える導電膜５０４と、絶縁膜５０１Ｃおよび導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える半導体膜５０８と、を備える。なお、導電膜５０４はゲート電極の機能を備える（図１２（Ｂ）参照）。

半導体膜５０８は、導電膜５０４と重ならない第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂと、第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂの間に導電膜５０４と重なる第３の領域５０８Ｃと、を備える。

トランジスタＭＤは、第３の領域５０８Ｃおよび導電膜５０４の間に絶縁膜５０６を備える。なお、絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。

第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂは、第３の領域５０８Ｃに比べて抵抗率が低く、ソース領域の機能またはドレイン領域の機能を備える。

例えば、酸化物半導体膜に希ガスを含むガスを用いるプラズマ処理を施して、第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂを半導体膜５０８に形成することができる。

また、例えば、導電膜５０４をマスクに用いることができる。これにより、第３の領域５０８Ｃの一部の形状を、導電膜５０４の端部の形状に自己整合させることができる。

トランジスタＭＤは、第１の領域５０８Ａと接する導電膜５１２Ａと、第２の領域５０８Ｂと接する導電膜５１２Ｂと、を備える。導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、ソース電極またはドレイン電極の機能を備える。

トランジスタＭＤと同一の工程で形成することができるトランジスタをトランジスタＭに用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１５乃至図１９を参照しながら説明する。

図１５（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明するブロック図であり、図１５（Ｂ）および図１５（Ｃ）は、情報処理装置２００の外観の一例を説明する投影図である。

図１６は本発明の一態様の情報処理装置の表示部の構成を説明するブロック図である。図１６（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置の表示部の構成を説明するブロック図であり、図１６（Ｂ）は図１６（Ａ）に示す構成とは異なる構成を説明するブロック図である。

図１７は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図１７（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムの主の処理を説明するフローチャートであり、図１７（Ｂ）は、割り込み処理を説明するフローチャートである。

図１８は、本発明の一態様のプログラムの割り込み処理を説明するフローチャートである。

図１９は、本発明の一態様のプログラムの割り込み処理を説明するフローチャートである。

＜情報処理装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する情報処理装置２００は、入出力装置２２０と、演算装置２１０と、を有する（図１５（Ａ）参照）。入出力装置２２０は、演算装置２１０と電気的に接続される。また、情報処理装置２００は筐体を備えることができる（図１５（Ｂ）参照）。

入出力装置２２０は表示部２３０および入力部２４０を備える（図１５（Ａ）参照）。入出力装置２２０は検知部２５０を備える。また、入出力装置２２０は通信部２９０を備えることができる。

入出力装置２２０は画像情報Ｖ１または制御情報ＳＳを供給される機能を備え、位置情報Ｐ１または検知情報Ｓ１を供給する機能を備える。

演算装置２１０は位置情報Ｐ１または検知情報Ｓ１を供給される機能を備える。演算装置２１０は画像情報Ｖ１を供給する機能を備える。演算装置２１０は、例えば、位置情報Ｐ１または検知情報Ｓ１に基づいて動作する機能を備える。

なお、筐体は入出力装置２２０または演算装置２１０を収納する機能を備える。または、筐体は表示部２３０または演算装置２１０を支持する機能を備える。

表示部２３０は画像情報Ｖ１に基づいて画像を表示する機能を備える。表示部２３０は制御情報ＳＳに基づいて画像を表示する機能を備える。

入力部２４０は、位置情報Ｐ１を供給する機能を備える。

検知部２５０は検知情報Ｓ１を供給する機能を備える。検知部２５０は、例えば、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。検知部２５０は、例えば、情報処理装置２００が使用される環境の環境光の色度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。

これにより、情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の筐体が受ける光の強さを把握して動作することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

以下に、情報処理装置を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。例えばタッチセンサが表示パネルに重ねられたタッチパネルは、表示部であるとともに入力部でもある。

《構成例》
本発明の一態様の情報処理装置２００は、筐体、姿勢検出器、光検出器または演算装置２１０を有する。

演算装置２１０は、演算部２１１、記憶部２１２、伝送路２１４、入出力インターフェース２１５を備える。

また、本発明の一態様の情報処理装置は、入出力装置２２０を有する。

入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０、検知部２５０および通信部２９０を備える。

検知部２５０は、姿勢検出器と、光検出器と、を備える。

《情報処理装置》
本発明の一態様の情報処理装置は、演算装置２１０または入出力装置２２０を備える。

《演算装置２１０》
演算装置２１０は、演算部２１１および記憶部２１２を備える。また、伝送路２１４および入出力インターフェース２１５を備える。

《演算部２１１》
演算部２１１は、例えばプログラムを実行する機能を備える。

《記憶部２１２》
記憶部２１２は、例えば演算部２１１が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。

具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を用いることができる。

《入出力インターフェース２１５、伝送路２１４》
入出力インターフェース２１５は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路２１４と電気的に接続することができる。また、入出力装置２２０と電気的に接続することができる。

伝送路２１４は配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、演算部２１１、記憶部２１２または入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。

《入出力装置２２０》
入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０、検知部２５０または通信部２９０を備える。例えば、実施の形態２において説明する入出力装置を用いることができる。これにより、消費電力を低減することができる。

《表示部２３０》
表示部２３０は、制御部２３８と、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、表示パネル７００と、を有する（図１（Ａ）参照）。

表示パネル７００は、表示領域２３１を備える（図１６（Ａ）参照）。なお、表示パネル７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを備えることができる。

《制御部２３８》
例えば、実施の形態１で説明する補正回路２３５Ｃを用いることができる。

《表示領域２３１》
表示領域２３１は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、走査線Ｇ２（ｉ）と、を有する（図１６（Ａ）参照）。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。

一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設される。

他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。

走査線Ｇ１（ｉ）および走査線Ｇ２（ｉ）は、行方向に配設される一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。

列方向に配設される他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）および信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される。

また、表示部２３０は、複数の駆動回路を有することができる。例えば、表示部２３０Ｂは、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢを有することができる（図１６（Ｂ）参照）。

《駆動回路ＧＤ》
駆動回路ＧＤは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。

一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。

例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。

また、例えば、複数の駆動回路を備える場合、駆動回路ＧＤＡが選択信号を供給する頻度と、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する頻度を、異ならせることができる。具体的には、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示する領域より高い頻度で、動画像を滑らかに表示する領域に選択信号を供給することができる。

《駆動回路ＳＤ、駆動回路ＳＤ１、駆動回路ＳＤ２》
駆動回路ＳＤは、駆動回路ＳＤ１と、駆動回路ＳＤ２と、を有する。駆動回路ＳＤ１は、第１の階調信号Ｖ１１に基づいて画像信号を供給する機能を有し、駆動回路ＳＤ２は、第２の階調信号Ｖ１２に基づいて画像信号を供給する機能を有する（図１（Ａ）参照）。

駆動回路ＳＤ１は、例えば反射型の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する画像信号を生成する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。これにより、例えば、反射型の液晶表示素子を駆動することができる。

駆動回路ＳＤ２は、例えば発光素子と電気的に接続される画素回路に供給する画像信号を生成する機能を備える。

例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。

例えば、駆動回路ＳＤ１および駆動回路ＳＤ２が集積された集積回路を、駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。

例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｇｌａｓｓ）法を用いて、駆動回路ＳＤを端子に実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。または、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子に実装することができる。

《画素７０２（ｉ，ｊ）》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）および画素回路５３０（ｉ，ｊ）を備える。画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動する機能を備える。

《第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。

《第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光を射出する機能を備える表示素子を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機ＥＬ素子等を用いることができる。

《画素回路》
第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動する機能を備える回路を画素回路に用いることができる。

スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路に用いることができる。

例えば、単数または複数のトランジスタをスイッチに用いることができる。または、並列に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。

《トランジスタ》
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。

例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを用いることができる。

ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる。

例えば、１４族の元素を含む半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。

なお、半導体にポリシリコンを用いるトランジスタの作製に要する温度は、半導体に単結晶シリコンを用いるトランジスタに比べて低い。

また、ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの電界効果移動度は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて高い。これにより、画素の開口率を向上することができる。また、極めて高い精細度で設けられた画素と、ゲート駆動回路およびソース駆動回路を同一の基板上に形成することができる。その結果、電子機器を構成する部品数を低減することができる。

また、ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの信頼性は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて優れる。

例えば、酸化物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。

一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、半導体膜に酸化物半導体を用いたトランジスタを用いることができる。

これにより、画素回路が画像信号を保持することができる時間を、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路が保持することができる時間より長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。

また、例えば、化合物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ガリウムヒ素を含む半導体を半導体膜に用いることができる。

例えば、有機半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。

《入力部２４０》
さまざまなヒューマンインターフェイス等を入力部２４０に用いることができる（図１５（Ａ）参照）。

例えば、キーボード、マウス、タッチセンサ、マイクまたはカメラ等を入力部２４０に用いることができる。なお、表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを用いることができる。表示部２３０と表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出力装置を、タッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。

例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。

例えば、演算装置２１０は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析し、解析結果が所定の条件を満たすとき、特定のジェスチャーが供給されたとすることができる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。

一例を挙げれば、使用者は、画像情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッチパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる。

《検知部２５０》
検知部２５０は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備える。具体的には、照度情報、姿勢情報、圧力情報、位置情報等を供給できる。

例えば、光検出器、姿勢検出器、加速度センサ、方位センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）信号受信回路、圧力センサ、温度センサ、湿度センサまたはカメラ等を、検知部２５０に用いることができる。

《通信部２９０》
通信部２９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。

《プログラム》
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する（図１７（Ａ）参照）。

［第１のステップ］
第１のステップにおいて、設定を初期化する（図１７（Ａ）（Ｓ１）参照）。

例えば、起動時に表示する所定の画像情報と、当該画像情報を表示する所定のモードと、当該画像情報を表示する所定の表示方法を特定する情報と、を記憶部２１２から取得する。具体的には、一の静止画像情報または他の動画像情報を所定の画像情報に用いることができる。また、第１のモードまたは第２のモードを所定のモードに用いることができる。また、第１の表示方法、第２の表示方法または第３の表示方法を所定の表示方法に用いることができる。

［第２のステップ］
第２のステップにおいて、割り込み処理を許可する（図１７（Ａ）（Ｓ２）参照）。なお、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことができる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果を主の処理に反映することができる。

なお、カウンタの値が初期値であるとき、演算装置に割り込み処理をさせ、割り込み処理から復帰する際に、カウンタを初期値以外の値としてもよい。これにより、プログラムを起動した後に常に割り込み処理をさせることができる。

［第３のステップ］
第３のステップにおいて、第１のステップまたは割り込み処理において選択された、所定のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する（図１７（Ａ）（Ｓ３）参照）。なお、所定のモードは画像情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を表示する方法を特定する。

例えば、画像情報Ｖ１を表示する一の方法を、第１のモードに関連付けることができる。または、画像情報Ｖ１を表示する他の方法を第２のモードに関連付けることができる。これにより、選択されたモードに基づいて表示方法を選択することができる。

例えば、画像情報Ｖ１を表示する異なる３つの方法を、第１の表示方法乃至第３の表示方法に関連付けることができる。これにより、選択された表示方法に基づいて表示をすることができる。

《第１のモード》
具体的には、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第１のモードに関連付けることができる。

例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で選択信号を供給すると、動画像の動きを滑らかに表示することができる。

例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で画像を更新すると、使用者の操作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置２００に表示することができる。

《第２のモード》
具体的には、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第２のモードに関連付けることができる。

３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で選択信号を供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、消費電力を低減することができる。

例えば、情報処理装置２００を時計に用いる場合、１秒に一回の頻度または１分に一回の頻度等で表示を更新することができる。

ところで、例えば、発光素子を第２の表示素子に用いる場合、発光素子をパルス状に発光させて、画像情報を表示することができる。具体的には、パルス状に有機ＥＬ素子を発光させて、その残光を表示に用いることができる。有機ＥＬ素子は優れた周波数特性を備えるため、発光素子を駆動する時間を短縮し、消費電力を低減することができる場合がある。または、発熱が抑制されるため、発光素子の劣化を軽減することができる場合がある。

《第１の表示方法》
具体的には、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を表示に用いる方法を、第１の表示方法に用いることができる。これにより、例えば、消費電力を低減することができる。または、明るい環境下において、高いコントラストで画像情報を良好に表示することができる。

《第２の表示方法》
具体的には、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いる方法を、第２の表示方法に用いることができる。これにより、例えば、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、良好な色再現性で写真等を表示することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。

なお、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて画像情報Ｖ１を表示する場合、照度情報に基づいて画像情報Ｖ１を表示する明るさを決定することができる。例えば、照度が１０００ルクス以上１０００００ルクス未満の場合、照度が１０００ルクス未満の場合より明るくなるように、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて画像情報Ｖ１を表示する。

《第３の表示方法》
具体的には、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いる方法を、第３の表示方法に用いることができる。これにより、例えば、消費電力を低減することができる。または、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、良好な色再現性で写真等を表示することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。

ところで、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いて、表示の明るさを調節する機能を、調光機能ということができる。例えば、反射型の表示素子の明るさを、発光型の表示素子を用いて補うことができる。

また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いて、表示の色味を調節する機能を、調色機能ということができる。例えば、反射型の表示素子の色合いを、発光型の表示素子を用いて変えることができる。具体的には、反射型の液晶素子が表示する黄味を帯びた色合いを、青色の有機ＥＬ素子を用いて白色に近づけることができる。これにより、例えば、文字情報を普通紙に印刷された文字のように表示することができる。または、目にやさしい表示をすることができる。

［第４のステップ］
第４のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第５のステップに進み、終了命令が供給されなかった場合は第３のステップに進むように選択する（図１７（Ａ）（Ｓ４）参照）。

例えば、割り込み処理において供給された終了命令を判断に用いてもよい。

［第５のステップ］
第５のステップにおいて、終了する（図１７（Ａ）（Ｓ５）参照）。

《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図１７（Ｂ）参照）。

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、例えば、検知部２５０を用いて、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する（図１７（Ｂ）（Ｓ６）参照）。なお、環境の照度に代えて環境光の色温度や色度を検出してもよい。

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する。例えば、照度が所定の値以上の場合に、第１の表示方法に決定し、照度が所定の値未満の場合、第２の表示方法に決定する。または、照度が所定の範囲の場合、第３の表示方法に決定してもよい（図１７（Ｂ）（Ｓ７）参照）。

具体的には、照度が１０００００ルクス以上の場合、第１の表示方法に決定し、照度が５０００ルクス未満の場合、第２の表示方法に決定し、照度が１０００００ルクス未満５０００ルクス以上の場合、第３の表示方法に決定してもよい。

なお、第６のステップにおいて、環境光の色温度や色度を検出した場合は、第３の表示方法において、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて、表示の色味を調節してもよい。

また、例えば、第１の表示方法を用いる場合は、第１のステータスの制御情報ＳＳを供給し、第２の表示方法を用いる場合は、第２のステータスの制御情報ＳＳを供給し、第３の表示方法を用いる場合は、第３のステータスの制御情報ＳＳを供給する。

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１７（Ｂ）（Ｓ８）参照）。

＜情報処理装置の構成例２．＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図１８を参照しながら説明する。

図１８は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図１８は、図１７（Ｂ）に示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチャートである。

なお、情報処理装置の構成例２は、手動で設定された表示方法に基づいて、表示方法を決定するステップを割り込み処理に有する点が、図１７（Ｂ）を参照しながら説明する割り込み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。

《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第１３のステップを備える（図１８参照）。

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、表示方法を決定する方法を設定する。例えば、表示方法を手動で決定する方法または表示方法を自動で決定する方法に、設定することができる（図１８（Ｔ６）参照）。

具体的には、表示方法を手動で第１の表示方法乃至第３の表示方法に設定することができる。または、表示方法を、検出された照度情報に基づいて自動で第２の表示方法または第３の表示方法に設定することができる。

例えば、表示方法を決定する方法を設定する命令にあらかじめ関連付けられた所定のイベントを用いて、表示方法を決定する方法を設定してもよい。

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、第１の表示方法を用いるように手動で設定されている場合は、表示方法を第１の表示方法に決定し第１３のステップに進む。または、第１の表示方法を用いるように設定されていない場合は、第８のステップに進む（図１８（Ｔ７）参照）。

具体的には、手動で第２の表示方法を用いるように設定されている場合または自動で表示方法を決定するように設定されている場合は、第８のステップに進む。

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、例えば、検知部２５０を用いて、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する（図１８（Ｔ８）参照）。なお、環境の照度に代えて環境光の色温度や色度を検出してもよい。

［第９のステップ］
第９のステップにおいて、第２の表示方法を用いるように手動で設定されている場合は、表示方法を第２の表示方法に決定し第１３のステップに進む。または、第２の表示方法を用いるように設定されていない場合、言い換えると自動で表示方法を決定するように設定されている場合は、第１０のステップに進む（図１８（Ｔ９）参照）。

なお、第２の表示方法を用いて表示する明るさを、第８のステップで検出した環境の照度に基づいて決定することができる。

［第１０のステップ］
第１０のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて自動で表示方法を決定する。例えば、照度が所定の値以上の場合に、第３の表示方法に決定し、第１１のステップに進む。または、照度が所定の値未満の場合、第２の表示方法に決定し、第１２のステップに進む。

具体的には、照度が５０００ルクス以上の場合、第３の表示方法に決定し、照度が５０００ルクス未満の場合、第２の表示方法に決定してもよい（図１８（Ｔ１０）参照）。

［第１１のステップ］
第１１のステップにおいて、表示方法を第３の表示方法に設定し第１３のステップに進む（図１８（Ｔ１１）参照）。

［第１２のステップ］
第１２のステップにおいて、表示方法を第２の表示方法に設定し第１３のステップに進む（図１８（Ｔ１２）参照）。

［第１３のステップ］
第１３のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１８（Ｔ１３）参照）。

《所定のイベント》
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッグ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。

また、例えば、ポインタが指し示すスライドバーの位置、スワイプの速度、ドラッグの速度等を用いて、所定のイベントに関連付けられた命令の引数を与えることができる。

例えば、検知部２５０が検知した情報をあらかじめ設定された閾値と比較して、比較結果をイベントに用いることができる。

具体的には、筐体に押し込むことができるように配設されたボタン等に接する感圧検知器等を検知部２５０に用いることができる。

《所定のイベントに関連付ける命令》
例えば、終了命令を、特定のイベントに関連付けることができる。

例えば、表示されている一の画像情報から他の画像情報に表示を切り替える「ページめくり命令」を、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「ページめくり命令」を実行する際に用いるページをめくる速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。

例えば、一の画像情報の表示されている一部分の表示位置を移動して、一部分に連続する他の部分を表示する「スクロール命令」などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「スクロール命令」を実行する際に用いる表示を移動する速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。

例えば、画像情報を生成する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、生成する画像の明るさを決定する引数に、検知部２５０が検知する環境の明るさを用いてもよい。

＜情報処理装置の構成例３．＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図１９を参照しながら説明する。

図１９は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図１９は、図１７（Ｂ）に示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチャートである。

なお、情報処理装置の構成例３は、供給された所定のイベントに基づいて、モードを変更するステップを割り込み処理に有する点が、図１７（Ｂ）を参照しながら説明する割り込み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。

《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図１９参照）。

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第７のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第８のステップに進む（図１９（Ｕ６）参照）。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いることができる。具体的には、５秒以下、１秒以下または０．５秒以下好ましくは０．１秒以下であって０秒より長い期間を所定の期間とすることができる。

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、モードを変更する（図１９（Ｕ７）参照）。具体的には、第１のモードを選択していた場合は、第２のモードを選択し、第２のモードを選択していた場合は、第１のモードを選択する。

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１９（Ｕ８）参照）。なお、主の処理を実行している期間に割り込み処理を繰り返し実行してもよい。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置を有する電子機器について、図２０を用いて説明を行う。

図２０（Ａ）乃至図２０（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー５００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、等を有することができる。

図２０（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９、赤外線ポート５０１０、等を有することができる。図２０（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２０（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３、等を有することができる。図２０（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２０（Ｅ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ５０１４、シャッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。図２０（Ｆ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２０（Ｇ）は持ち運び型テレビ受像器であり、上述したものの他に、信号の送受信が可能な充電器５０１７、等を有することができる。

図２０（Ａ）乃至図２０（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図２０（Ａ）乃至図２０（Ｇ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。

図２０（Ｈ）は、スマートウオッチであり、筐体７３０２、表示パネル７３０４、操作ボタン７３１１、７３１２、接続端子７３１３、バンド７３２１、留め金７３２２、等を有する。

ベゼル部分を兼ねる筐体７３０２に搭載された表示パネル７３０４は、非矩形状の表示領域を有している。なお、表示パネル７３０４としては、矩形状の表示領域としてもよい。表示パネル７３０４は、時刻を表すアイコン７３０５、その他のアイコン７３０６等を表示することができる。

なお、図２０（Ｈ）に示すスマートウオッチは、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。

また、筐体７３０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン等を有することができる。なお、スマートウオッチは、発光素子をその表示パネル７３０４に用いることにより作製することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。

ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。

ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。

ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。

なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。

なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

本実施例では、本発明の一態様の表示装置の構成と評価結果について、図２１および図２２を参照しながら説明する。

図２１は、作製した表示装置の評価方法を説明する写真である。

図２２は実施例でおこなった官能評価の結果を説明する図である。図２２は環境の照度を１０５０ルクスにした場合の官能評価の結果を説明する図である。

《構成例１．》
実施の形態１で説明した表示装置を作製した。作製した表示装置の特徴を次の表に示す。

《官能評価方法》
第２の表示方法を用いた表示と第３の表示方法を用いた表示を比較する官能評価を行った。

具体的には、二つの方法を用いて４つの静止画像を表示して、どちらの方法を使用した表示が「優れた品位であるか」と、「精細な印象を与えるか」と、を１０名の被験者に質問した（図２１（Ｂ）参照）。

室内灯と卓上照明１０を用いて、環境の照度を１０５０ルクスにした（図２１（Ａ）参照）。なお、第１の表示素子が表示する表示の輝度は２０ｃｄ／ｍ^２であり、第２の表示素子が表示する表示の輝度は１５０ｃｄ／ｍ^２であった。

また、官能評価に際して、どちらの方法を用いた表示であるかは、被験者に伝えなかった。

《官能評価結果》
どちらの方法を用いた表示が「優れた品位であるか」を問うた官能評価の結果を図２２（Ａ）に示す。なお、図中の（Ｂ−１）乃至（Ｂ−４）は表示装置に表示した画像情報に対応する。具体的には、図２１（Ｂ−１）乃至図２１（Ｂ−４）に示す静止画像を表示した。また、符号３が付された図中の柱状グラフは、第３の表示方法を使用した表示の方が優れた品位であると評価する被験者の数に対応し、符号２が付された図中の柱状グラフは、第２の表示方法を使用した表示の方が優れた品位であると評価する被験者の数に対応し、符号ＮＯが付された図中の柱状グラフは、どちらとも言えないと評価する被験者の数に対応する。

画像（Ｂ−１）を表示した場合を除いて、第３の表示方法を使用した表示の方が優れた品位であると評価する被験者が、第２の表示方法を使用した表示より多かった。

また、どちらの方法を用いた表示が「精細な印象を与えるか」を問うた官能評価の結果を図２２（Ｂ）に示す。画像（Ｂ−１）を表示した場合を除いて、第３の表示方法を使用した表示の方が精細な印象を与えると評価する被験者が、第２の表示方法を使用した表示より多かった。

（比較例１．）
本実施例では、本発明の一態様の表示装置の構成と評価結果について、図２３を参照しながら説明する。

図２３は、環境の照度を１５０ルクスにした場合の官能評価の結果を説明する図である。

室内灯を用いて環境の照度を１５０ルクスにした点を除いて上記と同じ方法で、第２の表示方法を用いた表示と第３の表示方法を用いた表示を比較する官能評価を行った。なお、第１の表示素子が表示する表示の輝度は数ｃｄ／ｍ^２であり、第２の表示素子が表示する表示の輝度は１５０ｃｄ／ｍ^２であった。

《比較結果１．》
どちらの方法を用いた表示が「優れた品位であるか」を問うた官能評価の結果を図２３（Ａ）に示す。画像（Ｂ−１）を表示した場合を除いて、第３の表示方法を使用した表示の方が優れた品位であると評価する被験者の数と、第２の表示方法を使用した表示の方が優れた品位であると評価する被験者の数は拮抗し、どちらとも言えないと評価する被験者の数が増えた。

また、どちらの方法を用いた表示が「精細な印象を与えるか」を問うた官能評価の結果を図２３（Ｂ）に示す。第３の表示方法を使用した表示の方が精細な印象を与えると評価する被験者の数と、第２の表示方法を使用した表示の方が精細な印象を与えると評価する被験者の数は拮抗し、どちらとも言えないと評価する被験者の数が増えた。

（比較例２．）
本実施例では、本発明の一態様の表示装置の構成と評価結果について、図２４を参照しながら説明する。

図２４は環境の照度を８ルクスにした場合の官能評価の結果を説明する図である。

照明を用いずに環境の照度を８ルクスにした点を除いて上記と同じ方法で、第２の表示方法を用いた表示と第３の表示方法を用いた表示を比較する官能評価を行った。なお、第１の表示素子が表示する表示の輝度は１ｃｄ／ｍ^２以下であり、第２の表示素子が表示する表示の輝度は１５０ｃｄ／ｍ^２であった。

《比較結果２．》
どちらの方法を用いた表示が「優れた品位であるか」を問うた官能評価の結果を図２４（Ａ）に示す。第３の表示方法を使用した表示の方が優れた品位であると評価する被験者の数と、第２の表示方法を使用した表示の方が優れた品位であると評価する被験者の数は拮抗し、どちらとも言えないと評価する被験者の数が増えた。

また、どちらの方法を用いた表示が「精細な印象を与えるか」を問うた官能評価の結果を図２４（Ｂ）に示す。第３の表示方法を使用した表示の方が精細な印象を与えると評価する被験者の数と、第２の表示方法を使用した表示の方が精細な印象を与えると評価する被験者の数は拮抗し、どちらとも言えないと評価する被験者の数が増えた。

ＧＤ 駆動回路
ＧＤＡ 駆動回路
ＧＤＢ 駆動回路
ＳＤ 駆動回路
ＣＰ 導電材料
ＭＬ（ｈ） 検知信号線
ＣＬ（ｇ） 制御線
ＡＮＯ 導電膜
ＢＲ（ｇ，ｈ） 導電膜
ＣＳＣＯＭ 配線
Ｃ（ｇ） 電極
Ｍ（ｈ） 電極
ＡＣＦ１ 導電材料
ＡＣＦ２ 導電材料
ＡＦ１ 配向膜
ＡＦ２ 配向膜
Ｃ１１ 容量素子
Ｃ１２ 容量素子
ＣＣ１ 特性曲線
ＣＣ２ 特性曲線
ＣＣ３ 特性曲線
ＣＦ１ 着色膜
ＣＦ２ 着色膜
Ｇ１ 階調情報
Ｇ１（ｉ） 走査線
Ｇ２（ｉ） 走査線
Ｇ１１ 階調
Ｇ１２ 階調
ＫＢ１ 構造体
Ｐ１ 位置情報
Ｓ１ 検知情報
Ｓ１（ｊ） 信号線
Ｓ２（ｊ） 信号線
ＳＤ１ 駆動回路
ＳＤ２ 駆動回路
ＳＷ１ スイッチ
ＳＷ２ スイッチ
Ｖ１ 画像情報
Ｖ１１ 階調信号
Ｖ１２ 階調信号
ＶＣＯＭ１ 配線
ＶＣＯＭ２ 導電膜
ＦＰＣ１ フレキシブルプリント基板
ＦＰＣ２ フレキシブルプリント基板
ＯＳＣ 発振回路
ＤＣ 検知回路
ＳＳ 制御情報
１０ 卓上照明
２００ 情報処理装置
２１０ 演算装置
２１１ 演算部
２１２ 記憶部
２１４ 伝送路
２１５ 入出力インターフェース
２２０ 入出力装置
２３０ 表示部
２３０Ｂ 表示部
２３１ 表示領域
２３４ 展開回路
２３４Ｍ 記憶部
２３５Ｃ 補正回路
２３５Ｃ１ ガンマ補正回路
２３５Ｃ２ 色補正回路
２３８ 制御部
２４０ 入力部
２５０ 検知部
２９０ 通信部
５０１Ａ 絶縁膜
５０１Ｃ 絶縁膜
５０４ 導電膜
５０５ 接合層
５０６ 絶縁膜
５０８ 半導体膜
５０８Ａ 領域
５０８Ｂ 領域
５０８Ｃ 領域
５１１Ｂ 導電膜
５１１Ｃ 導電膜
５１１Ｄ 導電膜
５１２Ａ 導電膜
５１２Ｂ 導電膜
５１６ 絶縁膜
５１８ 絶縁膜
５１９Ｂ 端子
５１９Ｃ 端子
５１９Ｄ 端子
５２０ 機能層
５２１ 絶縁膜
５２２ 接続部
５２４ 導電膜
５２８ 絶縁膜
５３０（ｉ，ｊ） 画素回路
５５０（ｉ，ｊ） 表示素子
５５１ 電極
５５２ 電極
５５３ 層
５７０ 基板
５９１Ａ 開口部
５９１Ｂ 開口部
５９１Ｃ 開口部
５９２Ａ 開口部
５９２Ｂ 開口部
５９２Ｃ 開口部
７００ 表示パネル
７００ＴＰ２ 入出力装置
７０２（ｉ，ｊ） 画素
７０５ 封止材
７０６ 絶縁膜
７２０ 機能層
７５０（ｉ，ｊ） 表示素子
７５１ 電極
７５１Ｅ 領域
７５１Ｈ 開口部
７５２ 電極
７５３ 液晶材料を含む層
７５４Ａ 中間膜
７５４Ｂ 中間膜
７５４Ｃ 中間膜
７５４Ｄ 中間膜
７７０ 基板
７７０Ｄ 機能膜
７７０Ｐ 機能膜
７７１ 絶縁膜
７７５（ｇ，ｈ） 検知素子
５０００ 筐体
５００１ 表示部
５００２ 表示部
５００３ スピーカ
５００４ ＬＥＤランプ
５００５ 操作キー
５００６ 接続端子
５００７ センサ
５００８ マイクロフォン
５００９ スイッチ
５０１０ 赤外線ポート
５０１１ 記録媒体読込部
５０１２ 支持部
５０１３ イヤホン
５０１４ アンテナ
５０１５ シャッターボタン
５０１６ 受像部
５０１７ 充電器
７３０２ 筐体
７３０４ 表示パネル
７３０５ アイコン
７３０６ アイコン
７３１１ 操作ボタン
７３１２ 操作ボタン
７３１３ 接続端子
７３２１ バンド
７３２２ 留め金

Claims (9)

1. 表示パネルと、
   補正回路と、を有し、
   前記表示パネルは、画素を備え、
   前記画素は、第１の表示素子および第２の表示素子を備え、
   前記第２の表示素子は、前記第１の表示素子を用いた表示を視認できる範囲の一部において前記第２の表示素子を用いた表示を視認できるように配設され、
   前記第１の表示素子は、第１の階調信号を供給される機能を備え、
   前記第２の表示素子は、第２の階調信号を供給される機能を備え、
   前記補正回路は、階調情報を供給される機能を備え、
   前記補正回路は、前記階調情報および第１の特性曲線に基づいて第１の階調を決定する機能を備え、
   前記補正回路は、前記第１の階調が前記第１の表示素子に表示されるように、前記第１の階調信号を生成する機能を備え、
   前記補正回路は、前記第１の階調信号を供給する機能を備え、
   前記補正回路は、前記階調情報および第２の特性曲線に基づいて第２の階調を決定する機能を備え、
   前記補正回路は、前記第２の階調が前記第２の表示素子に表示されるように、前記第２の階調信号を生成する機能を備え、
   前記補正回路は、前記第２の階調信号を供給する機能を備え、
   前記第１の特性曲線は、規格化された状態において２．２より大きいガンマ値を備え、
   前記第２の特性曲線は、規格化された状態において前記第１の特性曲線が備えるガンマ値に比べて小さいガンマ値を備える表示装置。
2. 前記第２の表示素子は、前記第１の表示素子より優れた色純度で表示をする機能を備え、
   前記第１の特性曲線は、規格化された状態において、０．２以下の入力に対して、０．０１以下を出力する、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１の表示素子は、反射率を制御する機能を備え、
   前記第２の表示素子は、発光強度を制御する機能を備える、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１の表示素子は、第１の電極、第２の電極および液晶材料を含む層を備え、
   前記第２の電極は、前記液晶材料を含む層に含まれる液晶材料の配向を制御する電界を、前記第１の電極との間に形成するように配置され、
   前記第１の表示素子は、ノーマリーホワイトモードで動作する機能を備え、
   前記第１の表示素子は、前記第１の電極および前記第２の電極の間の電圧が０Ｖ以上１．５Ｖ以下の範囲に、規格化反射率を９０％未満から９０％以上にすることができる電圧を備え、
   前記第１の表示素子は、前記第１の電極および前記第２の電極の間の電圧が０Ｖ以上３．５Ｖ以下の範囲に、規格化反射率を１０％未満から１０％以上にすることができる電圧を備える請求項３に記載の表示装置。
5. 前記画素は、第１の導電膜と、
   第２の導電膜と、
   絶縁膜と、
   画素回路と、を有し、
   前記第１の導電膜は、前記第１の電極と電気的に接続され、
   前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜と重なる領域を備え、
   前記絶縁膜は、前記第１の導電膜および前記第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、
   前記絶縁膜は、開口部を備え、
   前記第２の導電膜は、前記開口部において前記第１の導電膜と電気的に接続され、
   前記画素回路は、前記第２の導電膜と電気的に接続され、
   前記第２の表示素子は、前記画素回路と電気的に接続され、
   前記第２の表示素子は、前記絶縁膜に向けて光を射出する機能を備える、請求項４に記載の表示装置。
6. 前記表示パネルは、一群の複数の画素と、他の一群の複数の画素と、走査線と、信号線と、を有し、
   前記一群の複数の画素は、前記画素を含み、
   前記一群の複数の画素は、行方向に配設され、
   前記他の一群の複数の画素は、前記画素を含み、
   前記他の一群の複数の画素は、行方向と交差する列方向に配設され、
   前記走査線は、前記一群の複数の画素と電気的に接続され、
   前記信号線は、前記他の一群の複数の画素と電気的に接続される、請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の表示装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の表示装置と、
   入力部と、を有し、
   前記入力部は、前記表示パネルと重なる領域に近接するものを検知する機能を備える入出力装置。
8. 前記入力部は、前記表示パネルと重なる領域を備え、
   前記入力部は、制御線と、検知信号線と、検知素子と、を備え、
   前記制御線は、制御信号を供給する機能を備え、
   前記検知信号線は、検知信号を供給される機能を備え、
   前記検知素子は、前記制御線および前記検知信号線と電気的に接続され、
   前記検知素子は、透光性を備え、
   前記検知素子は、第１の電極と、第２の電極と、を備え、
   前記第１の電極は、前記制御線と電気的に接続され、
   前記第２の電極は、前記検知信号線と電気的に接続され、
   前記第２の電極は、前記表示パネルと重なる領域に近接するものによって一部が遮られる電界を、前記第１の電極との間に形成するように配置され、
   前記検知素子は、表示パネルと重なる領域に近接するものとの距離および前記制御信号に基づいて変化する前記検知信号を供給する機能を備える、請求項７に記載の入出力装置。
9. キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の表示装置と、を含む、情報処理装置。

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