JP6897139B2 - Board with built-in electronic components and board mounting structure - Google Patents

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Description

本発明は、電子部品内蔵基板及びこの電子部品内蔵基板を含む基板実装構造体に関する。 The present invention relates to an electronic component-embedded substrate and a substrate mounting structure including the electronic component-embedded substrate.

能動部品に接続される受動部品が内蔵されている電子部品内蔵基板が知られている。特許文献1では、チップコンデンサが内蔵された部品内蔵基板が示されている。近年、電子機器の小型化等のニーズから電子部品の薄膜化が進んでいて、薄膜の電子部品が内蔵された電子部品内蔵基板についても検討が進められている。 There is known an electronic component built-in board in which a passive component connected to an active component is built. Patent Document 1 shows a component-embedded substrate in which a chip capacitor is incorporated. In recent years, the thinning of electronic components has progressed due to the needs for miniaturization of electronic devices, and studies have been conducted on substrates with built-in electronic components in which thin-film electronic components are incorporated.

特開2009−194096号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-194096

電子部品内蔵基板では、能動部品に接続される電子部品の低ESL(等価直列インダクタンス)化が求められる。そこで、本願発明者らは、低ESL化を図るために、電子部品のうち能動部品側の電極を複数に分割し、分割された電極それぞれに対して能動部品と接続するための端子を設ける多端子構造を検討している。しかしながら、能動部品に接続する側の電極を複数に分割して多端子構造とした場合、能動部品に接続される側の電極近傍と逆側の電極近傍とにおいて内部応力の差が生じ、特に能動部品側の端子と電極との間での接続信頼性が低下する可能性が考えられる。 In the electronic component built-in substrate, it is required to reduce the ESL (equivalent series inductance) of the electronic component connected to the active component. Therefore, in order to reduce ESL, the inventors of the present application divide the electrodes on the active component side of the electronic components into a plurality of electrodes, and provide terminals for connecting to the active component for each of the divided electrodes. We are considering a terminal structure. However, when the electrode on the side connected to the active component is divided into a plurality of terminals to form a multi-terminal structure, a difference in internal stress occurs between the vicinity of the electrode connected to the active component and the vicinity of the electrode on the opposite side, which is particularly active. It is possible that the connection reliability between the terminals on the component side and the electrodes will decrease.

本発明は上記に鑑みてなされたものであり、電子部品の接続信頼性の低下を抑制することが可能な電子部品内蔵基板及びこの電子部品内蔵基板を含む基板実装構造体を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide an electronic component-embedded substrate capable of suppressing a decrease in connection reliability of electronic components, and a substrate mounting structure including the electronic component-embedded substrate. And.

上記目的を達成するため、本発明に係る電子部品内蔵基板は、第1主面及び前記第1主面の反対側に第2主面を有する基板と、前記基板に内蔵され、前記第1主面側に設けられた第1端子、前記第2主面側に設けられた第2端子、及び前記第1端子と前記第2端子との間に設けられた容量部を有する電子部品と、前記基板に含まれる絶縁層内に形成され、前記第1端子と電気的に接続されると共に前記第1主面側に延びる第1ビア導体と、前記基板に含まれる絶縁層内に形成され、前記第2端子と電気的に接続されると共に前記第2主面側に延びる第2ビア導体と、を有し、前記第1端子の数N1と前記第2端子の数N2とは、N1>N2を満たし、前記第1ビア導体と前記第1端子との接地面積S1と、前記第2ビア導体と前記第2端子の端面との接地面積S2と、は、S1≦S2を満たす。 In order to achieve the above object, the electronic component built-in substrate according to the present invention includes a substrate having a first main surface and a second main surface on the opposite side of the first main surface, and a substrate incorporated in the substrate and said to be the first main surface. An electronic component having a first terminal provided on the surface side, a second terminal provided on the second main surface side, and a capacitance portion provided between the first terminal and the second terminal, and the above. A first via conductor formed in an insulating layer included in a substrate, electrically connected to the first terminal and extending toward the first main surface side, and formed in an insulating layer included in the substrate, said It has a second via conductor that is electrically connected to the second terminal and extends to the second main surface side, and the number N1 of the first terminal and the number N2 of the second terminal are N1> N2. The ground contact area S1 between the first via conductor and the first terminal and the ground contact area S2 between the second via conductor and the end face of the second terminal satisfy S1 ≦ S2.

上記の電子部品内蔵基板によれば、第1端子は数が多く、第2端子は数が少ない状態である場合に、第1ビア導体の第2のビア導体の関係をS1≦S2とすることで、内部応力に由来する電子部品の変形を抑制することができる。したがって、第1端子と第1ビア導体との境界における接続信頼性、及び、第2端子と第2ビア導体との境界における接続信頼性が向上する。 According to the above-mentioned board for incorporating electronic components, when the number of the first terminals is large and the number of the second terminals is small, the relationship between the second via conductors of the first via conductor is set to S1 ≦ S2. Therefore, the deformation of the electronic component due to the internal stress can be suppressed. Therefore, the connection reliability at the boundary between the first terminal and the first via conductor and the connection reliability at the boundary between the second terminal and the second via conductor are improved.

ここで、1つの前記第1端子に対して複数の前記第1ビア導体が接続している、もしくは、1つの前記第2端子に対して複数の前記第2ビア導体が接続している態様としてもよい。 Here, as an embodiment in which a plurality of the first via conductors are connected to one said first terminal, or a plurality of said second via conductors are connected to one said second terminal. May be good.

このように、1つの端子に対して複数のビア導体が接続している場合でも、上記の関係を満たすことで、電子部品の接続信頼性の低下を抑制することが可能となる。 As described above, even when a plurality of via conductors are connected to one terminal, it is possible to suppress a decrease in connection reliability of electronic components by satisfying the above relationship.

また、前記第1端子の厚みT1と前記第2端子の厚みT2とが、T1<T2を満たす態様としてもよい。 Further, the thickness T1 of the first terminal and the thickness T2 of the second terminal may satisfy T1 <T2.

上記のように、数が多い第1端子の厚みが小さく、数が少ない第2端子の厚みが大きい状態である場合に、第1ビア導体の第2のビア導体の関係をS1≦S2とすることで、内部応力に由来する電子部品の変形を好適に抑制することができる。 As described above, when the thickness of the first terminal having a large number is small and the thickness of the second terminal having a small number is large, the relationship between the second via conductors of the first via conductor is set to S1 ≦ S2. Therefore, the deformation of the electronic component due to the internal stress can be suitably suppressed.

また、本発明の一形態に係る基板実装構造体は、上記の電子部品内蔵基板を含む基板実装構造体であって、前記第1端子は能動部品側に接続され、前記第2端子は電源側に接続されている。 Further, the board mounting structure according to one embodiment of the present invention is a board mounting structure including the above-mentioned board with built-in electronic components, the first terminal is connected to the active component side, and the second terminal is the power supply side. It is connected to the.

上記の基板実装構造体では、電子部品内蔵基板の第1端子は能動部品側に接続され、電子部品内蔵基板の第2端子は電源側に接続されているため、電子部品の低ESL化を実現しつつ、電子部品の接続信頼性の低下を抑制することを可能としている。 In the above board mounting structure, the first terminal of the electronic component built-in board is connected to the active component side, and the second terminal of the electronic component built-in board is connected to the power supply side, so that the ESL of the electronic component can be reduced. At the same time, it is possible to suppress a decrease in connection reliability of electronic components.

本発明によれば、電子部品の接続信頼性の低下を抑制することが可能な電子部品内蔵基板及びこの電子部品内蔵基板を含む基板実装構造体が提供される。 According to the present invention, there is provided an electronic component-embedded substrate capable of suppressing a decrease in connection reliability of electronic components, and a substrate mounting structure including the electronic component-embedded substrate.

本発明の一実施形態に係る電子部品内蔵基板を用いた基板実装構造体を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the substrate mounting structure using the electronic component built-in substrate which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る電子部品内蔵基板の一部を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows roughly a part of the electronic component built-in substrate which concerns on one Embodiment of this invention. 図2に示す電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic component built-in substrate shown in FIG. 図2に示す電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic component built-in substrate shown in FIG. 図2に示す電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic component built-in substrate shown in FIG.

以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same elements are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted.

図1は、本発明の一実施形態に係る電子部品内蔵基板を用いた基板実装構造体を概略的に示す断面図である。また、図2は、本発明の一実施形態に係る電子部品内蔵基板の一部を概略的に示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a board mounting structure using a board with built-in electronic components according to an embodiment of the present invention. Further, FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a part of the electronic component built-in substrate according to the embodiment of the present invention.

図1に示すように、基板実装構造体100は、例えば、通信端末等に使用される実装構造体である。電子部品内蔵基板1は、絶縁層11を含む基板10と、基板10に内蔵された電子部品20と、を備えている。基板10の一方側の第1主面10Aには、電子部品20の一方側の電極である第1端子21から延びる第1外部端子31が設けられている。また、第1主面10Aとは逆側の第2主面10Bには、電子部品20の第1端子21とは逆側の第2端子22から延びる第2外部端子32が設けられている。 As shown in FIG. 1, the board mounting structure 100 is a mounting structure used for, for example, a communication terminal or the like. The electronic component-embedded substrate 1 includes a substrate 10 including an insulating layer 11 and an electronic component 20 incorporated in the substrate 10. The first main surface 10A on one side of the substrate 10 is provided with a first external terminal 31 extending from the first terminal 21 which is an electrode on one side of the electronic component 20. Further, the second main surface 10B on the opposite side of the first main surface 10A is provided with a second external terminal 32 extending from the second terminal 22 on the opposite side of the first terminal 21 of the electronic component 20.

基板実装構造体100のうち電子部品内蔵基板1の基板10の第1主面10A側において、電子部品内蔵基板1の第1外部端子31に対して、導体材料41(バンプ)を介して能動部品42が接続されている。能動部品42については、特に限定されないが、例えば、LSI(大規模集積回路)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit、特定用途向け集積回路)、CPU(Central Processing Unit、中央演算処理装置)等を用いることができる。 In the substrate mounting structure 100, on the first main surface 10A side of the substrate 10 of the electronic component embedded substrate 1, the active component is provided to the first external terminal 31 of the electronic component embedded substrate 1 via the conductor material 41 (bump). 42 is connected. The active component 42 is not particularly limited, but for example, an LSI (Large Scale Integrated Circuit), an ASIC (Application Specific Integrated Circuit), a CPU (Central Processing Unit), or the like may be used. Can be done.

基板実装構造体100のうち電子部品内蔵基板1の第2主面10B側において、電子部品内蔵基板1の第2外部端子32に対して、導体材料43を介して電源側の回路基板44が接続される。回路基板44とは、例えば、マザーボード等である。回路基板44に代えて、他の電子部品等が接続されていてもよい。少なくとも、電子部品内蔵基板1においては、第1主面10A側の第1外部端子31は能動部品42側に接続され、第2主面10B側の第2外部端子32は電源側に接続されている。 On the second main surface 10B side of the electronic component built-in board 1 of the board mounting structure 100, the circuit board 44 on the power supply side is connected to the second external terminal 32 of the electronic component built-in board 1 via the conductor material 43. Will be done. The circuit board 44 is, for example, a motherboard or the like. Instead of the circuit board 44, other electronic components or the like may be connected. At least, in the electronic component built-in substrate 1, the first external terminal 31 on the first main surface 10A side is connected to the active component 42 side, and the second external terminal 32 on the second main surface 10B side is connected to the power supply side. There is.

図2を参照しながら、電子部品内蔵基板1の詳細構造について、説明する。電子部品内蔵基板1は、絶縁層11及びコア12を含む基板10と、基板10に内蔵された電子部品20と、絶縁層11内に形成されたビア導体30(第1ビア導体33,第2ビア導体34)と、を備えている。基板10は、第1主面10A及び第1主面10Aの反対側の第2主面10Bを有している。電子部品20は、第1主面10A側に設けられた複数の第1端子21、第2主面10B側に設けられた複数の第2端子22、及び、第1端子21と第2端子22との間に設けられた容量部23を有している。また、電子部品内蔵基板1は、電子部品20の第1端子21と電気的に接続される第1外部端子31と、電子部品20の第2端子22と電気的に接続される第2外部端子32と、を備えている。ここで、電子部品20が基板10に「内蔵されている」とは、電子部品20が基板10の第1主面10A及び第2主面10Bから露出していない状態をいう。 The detailed structure of the electronic component built-in substrate 1 will be described with reference to FIG. The electronic component-embedded substrate 1 includes a substrate 10 including an insulating layer 11 and a core 12, an electronic component 20 incorporated in the substrate 10, and a via conductor 30 formed in the insulating layer 11 (first via conductor 33, second via conductor 33, second). Via conductor 34) and. The substrate 10 has a first main surface 10A and a second main surface 10B on the opposite side of the first main surface 10A. The electronic component 20 includes a plurality of first terminals 21 provided on the first main surface 10A side, a plurality of second terminals 22 provided on the second main surface 10B side, and a first terminal 21 and a second terminal 22. It has a capacitance unit 23 provided between the two. Further, the electronic component built-in substrate 1 has a first external terminal 31 electrically connected to the first terminal 21 of the electronic component 20 and a second external terminal electrically connected to the second terminal 22 of the electronic component 20. 32 and. Here, the term "built-in" of the electronic component 20 in the substrate 10 means a state in which the electronic component 20 is not exposed from the first main surface 10A and the second main surface 10B of the substrate 10.

基板10は、いわゆる多層回路基板である。本実施形態においては、基板10は絶縁層11及びコア12を含んでいる。コア12は絶縁層11に内蔵されており、基板10の第1主面10A及び第2主面10Bは絶縁層11の主面に相当する。コア12には、第1主面10A側から第2主面10B側へ貫通する貫通孔13が設けられており、電子部品20は、貫通孔13内に配置されている。また、絶縁層11は貫通孔13内にも充填されている。その結果、電子部品20とコア12との間には絶縁層11が介在している。絶縁層11は、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、又はフェノール樹脂等の絶縁性材料によって構成される。なお、絶縁層11を構成する絶縁性材料は、例えば、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂等、特定の処理によって硬度が変化する材料であることが好ましい。コア12は、例えばシリコン(Si)、ガラス(SiO)、又は樹脂基板等によって構成される。基板10の全体の厚みは、例えば40μm〜1000μm程度とすることができる。また、絶縁層11の厚みは、例えば1μm〜200μm程度、コア12の厚みは、例えば20μm〜400μm程度とすることができる。なお、基板10の全体の厚み、絶縁層11の厚み、及びコア12の厚みは特に限定されない。 The substrate 10 is a so-called multilayer circuit board. In this embodiment, the substrate 10 includes an insulating layer 11 and a core 12. The core 12 is built in the insulating layer 11, and the first main surface 10A and the second main surface 10B of the substrate 10 correspond to the main surfaces of the insulating layer 11. The core 12 is provided with a through hole 13 penetrating from the first main surface 10A side to the second main surface 10B side, and the electronic component 20 is arranged in the through hole 13. The insulating layer 11 is also filled in the through hole 13. As a result, the insulating layer 11 is interposed between the electronic component 20 and the core 12. The insulating layer 11 is made of an insulating material such as an epoxy resin, an acrylic resin, or a phenol resin. The insulating material constituting the insulating layer 11 is preferably a material whose hardness changes depending on a specific treatment, such as a thermosetting resin or a photocurable resin. The core 12 is made of, for example, silicon (Si), glass (SiO 2 ), a resin substrate, or the like. The total thickness of the substrate 10 can be, for example, about 40 μm to 1000 μm. The thickness of the insulating layer 11 can be, for example, about 1 μm to 200 μm, and the thickness of the core 12 can be, for example, about 20 μm to 400 μm. The total thickness of the substrate 10, the thickness of the insulating layer 11, and the thickness of the core 12 are not particularly limited.

電子部品20は、複数の第1端子21、複数の第2端子22、及び複数の第1端子21と複数の第2端子22との間に設けられた容量部23を有するキャパシタである。本実施形態では、電子部品20が、第1端子21及び第2端子22が金属薄膜により構成され、容量部23が誘電体膜により構成されたいわゆるTFCP(Thin Film Capacitor:薄膜キャパシタ)である場合について説明する。なお、第1端子21側の金属薄膜から構成される電極層には、第1端子21として機能する領域とは異なる領域が含まれていてもよい。第2端子22側の金属薄膜から構成される電極層には、第2端子22として機能する領域とは異なる領域が含まれていてもよい。 The electronic component 20 is a capacitor having a plurality of first terminals 21, a plurality of second terminals 22, and a capacitance portion 23 provided between the plurality of first terminals 21 and the plurality of second terminals 22. In the present embodiment, the electronic component 20 is a so-called TFCP (Thin Film Capacitor) in which the first terminal 21 and the second terminal 22 are made of a metal thin film and the capacitance portion 23 is made of a dielectric film. Will be described. The electrode layer composed of the metal thin film on the first terminal 21 side may include a region different from the region that functions as the first terminal 21. The electrode layer composed of the metal thin film on the second terminal 22 side may include a region different from the region that functions as the second terminal 22.

図2に示す例では、第1端子21は5つに分割され、第2端子22は2つに分割されている。分割された第1端子21のそれぞれは、第1主面10A側の端面21aと、側面21bと、有している。端面21a及び側面21bの周囲には、絶縁層11が充填されている。また、分割された第2端子22のそれぞれは、第2主面10B側の端面22aと、側面22bと、を有している。端面22a及び側面22bの周囲には、絶縁層11が充填されている。分割された第1端子21及び第2端子22の数(分割数)及び形状は適宜変更することができる。 In the example shown in FIG. 2, the first terminal 21 is divided into five, and the second terminal 22 is divided into two. Each of the divided first terminals 21 has an end surface 21a on the first main surface 10A side and a side surface 21b. An insulating layer 11 is filled around the end face 21a and the side surface 21b. Further, each of the divided second terminals 22 has an end surface 22a on the second main surface 10B side and a side surface 22b. An insulating layer 11 is filled around the end face 22a and the side surface 22b. The number (number of divisions) and shape of the divided first terminal 21 and second terminal 22 can be changed as appropriate.

電子部品20の3層(第1端子21、第2端子22、及び容量部23)の厚みの合計は、例えば5μm〜650μm程度であり、第1端子21の厚みを0.1μm〜50μm程度とし、容量部23の厚みを0.05μm〜100μm程度とし、第2端子22の厚みを5μm〜500μm程度とすることができる。なお、本実施形態で説明する電子部品20では、第1端子21の厚みよりも第2端子22の厚みが大きい。したがって、上記の厚みの範囲内で、第1端子21の厚みよりも第2端子22が大きくなるように適宜選択される。つまり、第1端子21の厚みをT1とし、第2端子22の厚みをT2とすると、T1<T2となる。 The total thickness of the three layers (first terminal 21, second terminal 22, and capacitance portion 23) of the electronic component 20 is, for example, about 5 μm to 650 μm, and the thickness of the first terminal 21 is about 0.1 μm to 50 μm. The thickness of the capacitance portion 23 can be set to about 0.05 μm to 100 μm, and the thickness of the second terminal 22 can be set to about 5 μm to 500 μm. In the electronic component 20 described in this embodiment, the thickness of the second terminal 22 is larger than the thickness of the first terminal 21. Therefore, within the above-mentioned thickness range, the second terminal 22 is appropriately selected so as to be larger than the thickness of the first terminal 21. That is, assuming that the thickness of the first terminal 21 is T1 and the thickness of the second terminal 22 is T2, T1 <T2.

第1端子21及び第2端子22を構成する材料としては、主成分がニッケル(Ni)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、白金(Pt)、これらの金属を含有する合金、又は金属間化合物である材料が好適に用いられる。ただし、第1端子21及び第2端子22の材料は、導電性材料であれば特に限定されない。本実施形態では、第1端子21が銅を主成分とすると共に、第2端子22がニッケルを主成分とする場合について説明する。なお、「主成分」であるとは、当該成分の占める割合が50質量%以上であることをいう。また、第1端子21及び第2端子22の態様としては、合金や金属間化合物を形成する場合のほか、2種類以上からなる積層体構造である場合も含む。例えば、Ni薄膜上にCu薄膜を設けた2層構造として電極層を形成してもよい。また、第1端子21及び/又は第2端子22として純ニッケルを使用する場合、そのニッケルの純度は99.99%以上が好ましい。更に、ニッケルを含有する合金の場合、ニッケル以外の金属として含まれる金属は、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)、レニウム(Re)、タングステン(W)、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、銀(Ag)、銅(Cu)からなる群より選ばれる少なくとも一種とすれば好適である。 As the material constituting the first terminal 21 and the second terminal 22, the main components are nickel (Ni), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), an alloy containing these metals, or an intermetallic metal. Materials that are compounds are preferably used. However, the materials of the first terminal 21 and the second terminal 22 are not particularly limited as long as they are conductive materials. In this embodiment, a case where the first terminal 21 contains copper as a main component and the second terminal 22 contains nickel as a main component will be described. The term "main component" means that the proportion of the component is 50% by mass or more. Further, the mode of the first terminal 21 and the second terminal 22 includes not only the case of forming an alloy or an intermetallic compound but also the case of a laminated structure composed of two or more types. For example, the electrode layer may be formed as a two-layer structure in which a Cu thin film is provided on a Ni thin film. When pure nickel is used as the first terminal 21 and / or the second terminal 22, the purity of the nickel is preferably 99.99% or more. Further, in the case of an alloy containing nickel, the metals contained as metals other than nickel include platinum (Pt), palladium (Pd), iridium (Ir), rhodium (Rh), ruthenium (Ru), osmium (Os), and the like. It is preferable that it is at least one selected from the group consisting of ruthenium (Re), tungsten (W), chromium (Cr), tantalum (Ta), silver (Ag), and copper (Cu).

なお、第2端子22が2種類以上の材料を含む場合、第2端子22は、いわゆるTSV(Through Silicon Via)構造等、シリコン(Si)又はガラス(SiO)等に貫通孔が形成され、貫通孔内に他の導電性材料が埋め込まれた構造を有していてもよい。 When the second terminal 22 contains two or more kinds of materials, the second terminal 22 has a so-called TSV (Through Silicon Via) structure or the like, and through holes are formed in silicon (Si) or glass (SiO 2) or the like. It may have a structure in which another conductive material is embedded in the through hole.

容量部23は、ペロブスカイト系の誘電体材料から構成される。ここで、本実施形態におけるペロブスカイト系の誘電体材料としては、BaTiO(チタン酸バリウム)、(Ba1−xSr)TiO(チタン酸バリウムストロンチウム)、(Ba1−xCa)TiO、PbTiO、Pb(ZrTi1−x)O、などのペロブスカイト構造を持った(強)誘電体材料や、Pb(Mg1/3Nb2/3)Oなどに代表される複合ペロブスカイトリラクサー型強誘電体材などが含まれる。ここで、上記のペロブスカイト構造、ペロブスカイトリラクサー型誘電体材料において、AサイトとBサイトとの比は、通常整数比であるが、特性向上のために意図的に整数比からずらしてもよい。なお、容量部23の特性制御のため、容量部23に適宜、副成分として添加物質が含有されていてもよい。 The capacitance portion 23 is made of a perovskite-based dielectric material. Here, as the perovskite-based dielectric material in the present embodiment, BaTiO 3 (barium titanate), (Ba 1-x Sr x ) TiO 3 (barium titanate strontium), (Ba 1-x Ca x ) TiO Represented by (strong) dielectric materials having a perovskite structure such as 3 , PbTIO 3 , Pb (Zr x Ti 1-x ) O 3 , and Pb (Mg 1/3 Nb 2/3 ) O 3. Includes composite perovskite relaxer type ferroelectric materials and the like. Here, in the above-mentioned perovskite structure and perovskite relaxer type dielectric material, the ratio of A site to B site is usually an integer ratio, but it may be intentionally deviated from the integer ratio in order to improve the characteristics. In addition, in order to control the characteristics of the volume part 23, an additive substance may be appropriately contained in the volume part 23 as an auxiliary component.

第1外部端子31は、複数の第1端子21のそれぞれに対応して設けられている。本実施形態においては、5つの第1外部端子31が設けられている例を示している。第1外部端子31のそれぞれは、基板10の第1主面10Aに対して積層されており、ビア導体30(後述する第1ビア導体33)を介して第1端子21と電気的に接続されている。電子部品20の第1端子21は、第1ビア導体33及び第1外部端子31を介して外部の電子部品又は配線等と電気的に接続可能に構成されている。第1外部端子31は、例えば銅(Cu)等の導電性材料によって構成されている。 The first external terminal 31 is provided corresponding to each of the plurality of first terminals 21. In this embodiment, an example in which five first external terminals 31 are provided is shown. Each of the first external terminals 31 is laminated with respect to the first main surface 10A of the substrate 10, and is electrically connected to the first terminal 21 via a via conductor 30 (first via conductor 33 described later). ing. The first terminal 21 of the electronic component 20 is configured to be electrically connectable to an external electronic component, wiring, or the like via the first via conductor 33 and the first external terminal 31. The first external terminal 31 is made of a conductive material such as copper (Cu).

第2外部端子32は、複数の第2端子22のそれぞれに対応して設けられている。本実施形態においては、2つの第2外部端子32が設けられている例を示している。第2外部端子32のそれぞれは、基板10の第2主面10Bに対して積層されており、ビア導体30(後述する第2ビア導体34)を介して第2端子22と電気的に接続されている。電子部品20の第2端子22は、第2ビア導体34及び第2外部端子32を介して外部の電子部品又は配線等と電気的に接続可能に構成されている。第2外部端子32は、例えば銅(Cu)等の導電性材料によって構成されている。 The second external terminal 32 is provided corresponding to each of the plurality of second terminals 22. In this embodiment, an example in which two second external terminals 32 are provided is shown. Each of the second external terminals 32 is laminated with respect to the second main surface 10B of the substrate 10, and is electrically connected to the second terminal 22 via the via conductor 30 (the second via conductor 34 described later). ing. The second terminal 22 of the electronic component 20 is configured to be electrically connectable to an external electronic component, wiring, or the like via the second via conductor 34 and the second external terminal 32. The second external terminal 32 is made of a conductive material such as copper (Cu).

ビア導体30は、第1端子21と第1外部端子31とを電気的に接続する第1ビア導体33と、第2端子22と第2外部端子32とを電気的に接続する第2ビア導体34とを含んでいる。第1ビア導体33は第1端子21と第1外部端子31との間において絶縁層11を貫通している。また、第2ビア導体34は第2端子22と第2外部端子32との間において絶縁層11を貫通している。第1ビア導体33及び第2ビア導体34は、基本的に積層方向(基板10の厚さ方向)に対して延びる円筒状であるが、図2等に示すように、外側(第1主面10Aもしくは第2主面10B側)の断面積が大きく、内側(電子部品20側)の断面積が小さくなるように、側面が傾斜していてもよい。 The via conductor 30 is a first via conductor 33 that electrically connects the first terminal 21 and the first external terminal 31, and a second via conductor that electrically connects the second terminal 22 and the second external terminal 32. 34 and is included. The first via conductor 33 penetrates the insulating layer 11 between the first terminal 21 and the first external terminal 31. Further, the second via conductor 34 penetrates the insulating layer 11 between the second terminal 22 and the second external terminal 32. The first via conductor 33 and the second via conductor 34 are basically cylindrical in the stacking direction (thickness direction of the substrate 10), but as shown in FIG. 2 and the like, the outer side (first main surface). The side surface may be inclined so that the cross-sectional area of 10A or the second main surface 10B side is large and the cross-sectional area of the inside (electronic component 20 side) is small.

第1外部端子31から連続する第1ビア導体33と、第1端子21の端面21aとが接する面積は、第2外部端子32から連続する第2ビア導体34と、第2端子22の端面22aとが接する面積よりも小さい。つまり、第1外部端子31から連続する第1ビア導体33と、第1端子21の端面21aとが接する面積を接地面積S1とし、第2外部端子32から連続する第2ビア導体34と、第2端子22の端面22aとが接する面積を接地面積S2とすると、S1≦S2を満たす。なお、S1,S2は、それぞれ1つのビア導体の接地面積を指しているものである。ビア導体が複数設けられている場合には、接地面積は、ビア導体毎に求められる接地面積の平均を算出し、S1,S2とする。 The area of contact between the first via conductor 33 continuous from the first external terminal 31 and the end surface 21a of the first terminal 21 is the area of contact between the second via conductor 34 continuous from the second external terminal 32 and the end surface 22a of the second terminal 22. It is smaller than the area in contact with. That is, the area in contact between the first via conductor 33 continuous from the first external terminal 31 and the end surface 21a of the first terminal 21 is the ground contact area S1, and the second via conductor 34 continuous from the second external terminal 32 and the second via conductor 34. Assuming that the area in contact with the end surface 22a of the two terminals 22 is the ground contact area S2, S1 ≦ S2 is satisfied. Note that S1 and S2 each refer to the ground contact area of one via conductor. When a plurality of via conductors are provided, the ground contact area is set to S1 and S2 by calculating the average of the ground contact areas obtained for each via conductor.

このように、電子部品20では、能動部品42側に接続される第1端子21の数(分割数)をN1とし、電源側に接続される第2端子22の数(分割数)をN2とすると、N1>N2となっている。また、第1端子21の厚みをT1とし、第2端子22の厚みをT2とすると、T1<T2となっている。また、第1ビア導体33と第1端子21の端面21aとが接する面積をS1とし、第2ビア導体34と第2端子22の端面22aとが接する面積をS2とすると、S1≦S2となっている。 As described above, in the electronic component 20, the number of the first terminals 21 connected to the active component 42 side (the number of divisions) is N1, and the number of the second terminals 22 connected to the power supply side (the number of divisions) is N2. Then, N1> N2. Further, assuming that the thickness of the first terminal 21 is T1 and the thickness of the second terminal 22 is T2, T1 <T2. Further, if the area in contact between the first via conductor 33 and the end surface 21a of the first terminal 21 is S1, and the area in contact between the second via conductor 34 and the end surface 22a of the second terminal 22 is S2, then S1 ≦ S2. ing.

次に、図3〜図5を参照して、本実施形態に係る電子部品内蔵基板1の製造方法について説明する。図3〜図5は、図1に示す電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための図である。なお、図3〜図5では、一つの電子部品内蔵基板1の製造方法を示しているが、実際には複数の電子部品内蔵基板1を一枚の支持基板上で形成した後に、それぞれの電子部品内蔵基板1に個片化する。したがって、図3〜図5は、一枚の支持基板上の一部を拡大して示しているものである。 Next, a method of manufacturing the electronic component built-in substrate 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 3 to 5. 3 to 5 are diagrams for explaining a method of manufacturing the electronic component built-in substrate shown in FIG. 1. Although FIGS. 3 to 5 show a method of manufacturing one electronic component-embedded substrate 1, in reality, after forming a plurality of electronic component-embedded substrates 1 on one support substrate, each electron is used. It is separated into the component-embedded substrate 1. Therefore, FIGS. 3 to 5 are enlarged views of a part on one support substrate.

まず、図3に示すように、電子部品20を準備する。電子部品20は公知の方法で製造することができる。電子部品20の第1端子21は5つに分割され、第2端子22は2つに分割されている。 First, as shown in FIG. 3, the electronic component 20 is prepared. The electronic component 20 can be manufactured by a known method. The first terminal 21 of the electronic component 20 is divided into five, and the second terminal 22 is divided into two.

次に、図4(a)に示すように、貫通孔13が設けられたコア12を準備する。貫通孔13は、例えばエッチング等の公知のプロセスによって形成することができる。その後、図4(b)に示すように、支持基板Wを準備し、コア12を支持基板Wに仮固定する。更に、コア12の貫通孔13内に電子部品20を配置して仮固定する。支持基板Wとしては、例えば粘着性を有する搭載用仮固定材等を用いることができる。 Next, as shown in FIG. 4A, the core 12 provided with the through hole 13 is prepared. The through hole 13 can be formed by a known process such as etching. After that, as shown in FIG. 4B, the support substrate W is prepared, and the core 12 is temporarily fixed to the support substrate W. Further, the electronic component 20 is arranged and temporarily fixed in the through hole 13 of the core 12. As the support substrate W, for example, a temporary mounting material having adhesiveness or the like can be used.

次に、図5(a)に示すように、絶縁層11を形成する。絶縁層11は、例えば、支持基板Wに仮固定されたコア12及び電子部品20に対して未硬化の状態の樹脂材料を塗布し、樹脂材料を硬化させた後に支持基板Wを取り除くことによって形成される。これにより、コア12及び電子部品20が絶縁層11に埋め込まれた状態となる。 Next, as shown in FIG. 5A, the insulating layer 11 is formed. The insulating layer 11 is formed, for example, by applying an uncured resin material to the core 12 and the electronic component 20 temporarily fixed to the support substrate W, curing the resin material, and then removing the support substrate W. Will be done. As a result, the core 12 and the electronic component 20 are embedded in the insulating layer 11.

次に、図5(b)に示すように、第1ビア導体33を形成するための孔33A及び第2ビア導体34を形成するための孔34Aを形成する。孔33Aは、それぞれの第1端子21に対応した箇所に形成され、第1主面10Aと第1端子21との間において絶縁層11を貫通している。孔34Aは、それぞれの第2端子22に対応した箇所に形成され、第2主面10Bと第2端子22との間において絶縁層11を貫通している。孔33A,44Aは、例えばレーザーアブレーションによって形成することができる。 Next, as shown in FIG. 5B, a hole 33A for forming the first via conductor 33 and a hole 34A for forming the second via conductor 34 are formed. The holes 33A are formed at locations corresponding to the respective first terminals 21, and penetrate the insulating layer 11 between the first main surface 10A and the first terminals 21. The holes 34A are formed at locations corresponding to the respective second terminals 22, and penetrate the insulating layer 11 between the second main surface 10B and the second terminal 22. The holes 33A and 44A can be formed by, for example, laser ablation.

次に、メッキ又はスパッタ等によって孔33A内に第1ビア導体33を形成し、孔34A内に第2ビア導体34を形成する。その後、第1主面10A及び第2主面10B上に形成された金属層に対してパターニングを行う。これにより、複数の第1外部端子31及び複数の第2外部端子32が形成される。最後に、ダイシング等によって個片化を行うことにより、図1に示す電子部品内蔵基板1が得られる。なお、導体材料41,43を用いて、電子部品内蔵基板1と、能動部品42と、回路基板44と、を接続すると、図1に示す基板実装構造体100が得られる。 Next, the first via conductor 33 is formed in the hole 33A by plating, sputtering, or the like, and the second via conductor 34 is formed in the hole 34A. Then, patterning is performed on the metal layers formed on the first main surface 10A and the second main surface 10B. As a result, a plurality of first external terminals 31 and a plurality of second external terminals 32 are formed. Finally, the electronic component built-in substrate 1 shown in FIG. 1 can be obtained by performing individualization by dicing or the like. By connecting the electronic component built-in substrate 1, the active component 42, and the circuit board 44 using the conductor materials 41 and 43, the substrate mounting structure 100 shown in FIG. 1 can be obtained.

ここで、本実施形態に係る基板実装構造体100の電子部品内蔵基板1に含まれる電子部品20は、第1端子21の数(分割数)N1と、第2端子22の数(分割数)N2と、がN1>N2を満たし、第1端子21の厚みT1と第2端子22の厚みT2とがT1<T2を満たしている。また、電子部品20は、第1ビア導体33と第1端子21の端面21aとの接地面積S1と、第2ビア導体34と第2端子22の端面22aとの接地面積S2と、がS1≦S2となっている。これらの特徴を有していることで、電子部品内蔵基板1では、第1端子21と第1ビア導体33との境界における第1端子21と第1ビア導体33との接続信頼性、及び、第2端子22と第2ビア導体34との境界における第2端子22と第2ビア導体34との接続信頼性が向上するという効果を奏する。 Here, the electronic components 20 included in the electronic component built-in board 1 of the board mounting structure 100 according to the present embodiment are the number of first terminals 21 (number of divisions) N1 and the number of second terminals 22 (number of divisions). N2 and N2 satisfy N1> N2, and the thickness T1 of the first terminal 21 and the thickness T2 of the second terminal 22 satisfy T1 <T2. Further, in the electronic component 20, the ground contact area S1 between the first via conductor 33 and the end surface 21a of the first terminal 21 and the ground contact area S2 between the second via conductor 34 and the end surface 22a of the second terminal 22 are S1 ≦. It is S2. By having these characteristics, in the electronic component built-in substrate 1, the connection reliability between the first terminal 21 and the first via conductor 33 at the boundary between the first terminal 21 and the first via conductor 33, and the connection reliability of the first via conductor 33, and This has the effect of improving the connection reliability between the second terminal 22 and the second via conductor 34 at the boundary between the second terminal 22 and the second via conductor 34.

近年、図1に示す基板実装構造体100のように、電子部品内蔵基板1に内蔵された電子部品20上に能動部品42を配置する構成が検討されている。このような構成において、ESL(等価直列インダクタンス)を低くするためには、電子部品20における能動部品42側の端子を分割して複数にし、他方側の端子よりも数(分割数)を多くすることが有効である。そのため、電子部品20と同様に、能動部品42側の第1端子21を複数に分割し、分割後の複数の第1端子21それぞれの表面から厚み方向に延びるビア導体を設ける構成が検討されている。しかしながら、第1端子の分割数を多くすると、分割された端子毎にビア導体(図1等では第1ビア導体33)が設けられる。また、第1端子の分割数を多くするためには、分割後の端子間の短絡を防ぐために、第1端子を構成する電極層自体の厚みを小さくする必要がある。その結果、電子部品の容量部よりも上方では、厚みが薄く複数に分割された第1端子が設けられ、分割された第1端子のそれぞれの上方には、従来よりも断面積が小さくされたビア導体が設けられることとなる。 In recent years, as in the substrate mounting structure 100 shown in FIG. 1, a configuration in which an active component 42 is arranged on an electronic component 20 built in an electronic component built-in substrate 1 has been studied. In such a configuration, in order to reduce the ESL (equivalent series inductance), the terminals on the active component 42 side of the electronic component 20 are divided into a plurality of terminals, and the number (number of divisions) is larger than that of the terminals on the other side. Is effective. Therefore, as in the case of the electronic component 20, a configuration is studied in which the first terminal 21 on the active component 42 side is divided into a plurality of parts, and via conductors extending in the thickness direction from the surfaces of the plurality of first terminals 21 after the division are provided. There is. However, if the number of divisions of the first terminal is increased, a via conductor (first via conductor 33 in FIG. 1 and the like) is provided for each divided terminal. Further, in order to increase the number of divisions of the first terminal, it is necessary to reduce the thickness of the electrode layer itself constituting the first terminal in order to prevent a short circuit between the terminals after the division. As a result, above the capacitance portion of the electronic component, a thin and plurality of divided first terminals are provided, and above each of the divided first terminals, the cross-sectional area is smaller than before. A via conductor will be provided.

一方、能動部品側とは異なる側の第2端子側では、端子の数を第1端子よりも少なくされる。したがって、端子に設けられるビア導体の数も異なる。その結果、容量部を挟み、能動部品側の端子及びその周辺の構造と、逆側の端子及びその周辺の構造とでは、端子の厚み、ビアの数等が異なることになる。このような構造を有していると、能動部品側と逆側とで端子近傍に生じる応力に差が生じる。具体的には、能動部品側の第1端子側では、隣接する端子同士が近付く向きの内向きの応力がかかるようになり、逆側の第2端子側では、第1端子側と比較して外向きの応力がかかる状態となる。この結果、第2端子側が反るように電子部品が変形する可能性がある。また、電子部品が変形しないとしても、端子とビアとの間の接触性が低下する可能性があり、接続信頼性が低下することが考えられた。 On the other hand, the number of terminals on the second terminal side different from the active component side is smaller than that on the first terminal. Therefore, the number of via conductors provided on the terminals is also different. As a result, the thickness of the terminal, the number of vias, and the like are different between the structure of the terminal on the active component side and its periphery and the structure of the terminal on the opposite side and its periphery across the capacitance portion. With such a structure, there is a difference in stress generated in the vicinity of the terminal between the active component side and the opposite side. Specifically, on the first terminal side of the active component side, inward stress is applied in the direction in which adjacent terminals approach each other, and on the second terminal side on the opposite side, compared with the first terminal side. An outward stress is applied. As a result, the electronic component may be deformed so that the second terminal side is warped. Further, even if the electronic component is not deformed, the contact property between the terminal and the via may be lowered, and it is considered that the connection reliability is lowered.

これに対して、本実施形態に係る電子部品内蔵基板1では、第1端子21の数(分割数)N1と、第2端子22の数(分割数)N2と、がN1>N2を満たし、第1端子21の厚みT1と第2端子22の厚みT2とがT1<T2を満たしている。また、電子部品20は、第1ビア導体33と第1端子21の端面21aとの接地面積S1と、第2ビア導体34と第2端子22の端面22aとの接地面積S2と、がS1≦S2となっている。 On the other hand, in the electronic component built-in substrate 1 according to the present embodiment, the number of first terminals 21 (number of divisions) N1 and the number of second terminals 22 (number of divisions) N2 satisfy N1> N2. The thickness T1 of the first terminal 21 and the thickness T2 of the second terminal 22 satisfy T1 <T2. Further, in the electronic component 20, the ground contact area S1 between the first via conductor 33 and the end surface 21a of the first terminal 21 and the ground contact area S2 between the second via conductor 34 and the end surface 22a of the second terminal 22 are S1 ≦. It is S2.

本願発明者らは、容量部を挟んだ第1端子21側と第2端子22側で生じる応力の差はビア導体の数に関係すると考えた。つまり、端子の端面から厚さ方向に延びるビア導体と、ビア導体の周囲に設けられる絶縁材料(本実施形態では、絶縁層11)と、の間での材料の違いが、端子同士が近付く内向きの応力に影響すると、本願発明者らは考えた。また、内向きの応力がかかった場合に、第1端子21側では、厚みが小さな第1端子21が、第2端子22と比較して細かく分割されているため、応力がかかるとその分変形しやすいと考えられた。 The inventors of the present application considered that the difference in stress generated between the first terminal 21 side and the second terminal 22 side sandwiching the capacitance portion is related to the number of via conductors. That is, the difference in material between the via conductor extending in the thickness direction from the end face of the terminal and the insulating material (insulating layer 11 in this embodiment) provided around the via conductor causes the terminals to approach each other. The inventors of the present application considered that it affects the stress in the direction. Further, when an inward stress is applied, on the first terminal 21 side, the first terminal 21 having a small thickness is finely divided as compared with the second terminal 22, so that when stress is applied, the first terminal 21 is deformed accordingly. It was thought to be easy to do.

そこで、第2端子22側において、第1端子21と比較して端子の厚みを大きくして、応力に対する変形を抑制可能な構造としている。さらに、第2端子22の端面22aから延びる第2ビア導体34の端面22aに対する接地面積を、第1端子21の端面21aと第1ビア導体33との接地面積よりも大きくする。この結果、第2端子22側においても、第2ビア導体34が設けられることにより内向きの応力が生じるため、第1端子21側と第2端子22側での応力の差が小さくなる。また、第2ビア導体34の接地面積が第1ビア導体33よりも大きくされているため、第1ビア導体33側よりもビア導体の数は少なくなるものの、各ビア導体により生じる内向きの応力が大きくなる。そのため、第2ビア導体34側(第2端子22側)と第1ビア導体33側(第1端子21側)での応力の差が小さくなると共に、第1ビア導体33側が受ける応力につられた第1ビア導体33側の変形が抑制される。このように、第1ビア導体33側に応力が集中することを防ぐことで、電子部品20の変形が抑制される。 Therefore, on the second terminal 22 side, the thickness of the terminal is made larger than that of the first terminal 21, so that deformation due to stress can be suppressed. Further, the ground contact area of the second via conductor 34 extending from the end face 22a of the second terminal 22 with respect to the end face 22a of the second via conductor 34 is made larger than the ground contact area of the end face 21a of the first terminal 21 and the first via conductor 33. As a result, since the second via conductor 34 is provided on the second terminal 22 side as well, an inward stress is generated, so that the difference in stress between the first terminal 21 side and the second terminal 22 side becomes small. Further, since the ground contact area of the second via conductor 34 is larger than that of the first via conductor 33, the number of via conductors is smaller than that of the first via conductor 33, but the inward stress generated by each via conductor is generated. Becomes larger. Therefore, the difference in stress between the second via conductor 34 side (second terminal 22 side) and the first via conductor 33 side (first terminal 21 side) becomes smaller, and the stress received by the first via conductor 33 side is reduced. Deformation on the first via conductor 33 side is suppressed. By preventing the stress from concentrating on the first via conductor 33 side in this way, the deformation of the electronic component 20 is suppressed.

また、電子部品20の変形が抑制されることで、第1端子21の端面21aと第1ビア導体33との間での接続が十分に確保され、その結果、電子部品の接続信頼性の低下を抑制することができる。また、電子部品20の変形が抑制されると、第2端子22の端面22aと第2ビア導体34との間での接続も十分に確保されることとなる。以上のように、本実施形態に係る電子部品内蔵基板1及びこの電子部品内蔵基板1を含む基板実装構造体100によれば、能動部品42側の第1端子21の分割数が増えた場合であっても、電子部品20が変形することを防ぐことができ、電子部品20の接続信頼性の低下を抑制することができる。 Further, by suppressing the deformation of the electronic component 20, the connection between the end surface 21a of the first terminal 21 and the first via conductor 33 is sufficiently secured, and as a result, the connection reliability of the electronic component is lowered. Can be suppressed. Further, when the deformation of the electronic component 20 is suppressed, the connection between the end surface 22a of the second terminal 22 and the second via conductor 34 is sufficiently secured. As described above, according to the electronic component built-in board 1 and the board mounting structure 100 including the electronic component built-in board 1 according to the present embodiment, when the number of divisions of the first terminal 21 on the active component 42 side increases. Even if there is, it is possible to prevent the electronic component 20 from being deformed, and it is possible to suppress a decrease in the connection reliability of the electronic component 20.

また、基板実装構造体100では、電子部品内蔵基板1の第1端子21は能動部品42側に接続され、第2端子22は電源側の回路基板44に接続されているため、電子部品20の低ESL化を実現しつつ、電子部品20の接続信頼性の低下を抑制することを可能としている。 Further, in the board mounting structure 100, since the first terminal 21 of the electronic component built-in board 1 is connected to the active component 42 side and the second terminal 22 is connected to the circuit board 44 on the power supply side, the electronic component 20 It is possible to suppress a decrease in connection reliability of the electronic component 20 while realizing a low ESL.

なお、第1端子21の数(分割数)N1と、第2端子22の数(分割数)N2とがN1>N2の関係を満たす例として、上記実施形態では、N1=5(第1端子21は5つに分割されている)且つN2=2(第2端子22は2つに分割されている)である場合について説明した。しかしながら、N1,N2の組み合わせは適宜変更することができる。つまり、分割後の端子がそれぞれ有効に機能する範囲で変更することができ、例えば、N1=25,N2=1というようにN1とN2との差を大きくしてもよい。また、N1=25,N2=4というように、第2端子22側の分割数を大きくしてもよい。この分割数は、第1端子21及び第2端子22として機能する領域の面積にも応じて適宜設定される。 As an example in which the number of first terminals 21 (number of divisions) N1 and the number of second terminals 22 (number of divisions) N2 satisfy the relationship of N1> N2, in the above embodiment, N1 = 5 (first terminal). The case where 21 is divided into five) and N2 = 2 (the second terminal 22 is divided into two) has been described. However, the combination of N1 and N2 can be changed as appropriate. That is, the terminals after division can be changed within the range in which they function effectively, and the difference between N1 and N2 may be increased, for example, N1 = 25 and N2 = 1. Further, the number of divisions on the second terminal 22 side may be increased, such as N1 = 25 and N2 = 4. The number of divisions is appropriately set according to the area of the area that functions as the first terminal 21 and the second terminal 22.

また、第1端子21の厚みT1と第2端子22の厚みT2とがT1<T2の関係を満たすが、T1とT2との差に関しても、第1端子21及び第2端子22が分割後も端子として機能する範囲で、適宜変更することができる。 Further, the thickness T1 of the first terminal 21 and the thickness T2 of the second terminal 22 satisfy the relationship of T1 <T2, but the difference between T1 and T2 is also obtained even after the first terminal 21 and the second terminal 22 are divided. It can be changed as appropriate within the range that functions as a terminal.

また、第1ビア導体33と第1端子21の端面21aとの接地面積S1と、第2ビア導体34と第2端子22の端面22aとの接地面積S2と、はS1≦S2の関係を満たすが、S1とS2との差に関しても、第1ビア導体33及び第2ビア導体34がビア導体として適切に機能し、且つ短絡等が生じない範囲で、適宜変更することができる。ただし、ビア導体の数の差が大きい場合には、上述のようにビア導体が設けられることによる応力が電子部品20の変形に影響するため、応力の差を抑制するためにS1=S2とするよりもS1<S2としたほうが、電子部品の変形を抑制することができる。 Further, the ground contact area S1 between the first via conductor 33 and the end surface 21a of the first terminal 21 and the ground contact area S2 between the second via conductor 34 and the end surface 22a of the second terminal 22 satisfy the relationship of S1 ≦ S2. However, the difference between S1 and S2 can be appropriately changed as long as the first via conductor 33 and the second via conductor 34 properly function as via conductors and short circuits and the like do not occur. However, when the difference in the number of via conductors is large, the stress due to the provision of the via conductors affects the deformation of the electronic component 20 as described above, so S1 = S2 is set in order to suppress the difference in stress. Deformation of electronic components can be suppressed by setting S1 <S2 rather than.

また、上記実施形態では、分割後の複数の第1端子21及び複数の第2端子22それぞれについて、1つの端子に対して1つのビア導体が設けられる構造となっているが、分割後の1つの端子に対してビア導体が複数設けられていてもよい。ビア導体の数は、端子を流れる電流の接続先に応じて適宜変更される。ただし、第1端子21側の第1ビア導体33の数が増える場合には、上述のように、内向きの応力がより大きくなるため、第2端子22側での第2ビア導体34の大きさ(第2端子22との接地面積)や第2端子22の厚み等を調整することが好ましい。 Further, in the above embodiment, the structure is such that one via conductor is provided for one terminal for each of the plurality of first terminals 21 and the plurality of second terminals 22 after the division. A plurality of via conductors may be provided for one terminal. The number of via conductors is appropriately changed depending on the connection destination of the current flowing through the terminals. However, when the number of the first via conductors 33 on the first terminal 21 side increases, the inward stress becomes larger as described above, so that the size of the second via conductor 34 on the second terminal 22 side becomes larger. It is preferable to adjust the stress (grounding area with the second terminal 22), the thickness of the second terminal 22, and the like.

なお、上記実施形態では、電子部品20における第1端子21の数(分割数)N1と、第2端子22の数(分割数)N2と、がN1>N2を満たし、第1端子21の厚みT1と第2端子22の厚みT2とがT1<T2を満たしている場合について説明した。しかしながら、電子部品20が、T1<T2を満たしていない場合(すなわち、T1≧T2である場合)であっても、上記のように第1ビア導体33と第1端子21の端面21aとの接地面積S1と、第2ビア導体34と第2端子22の端面22aとの接地面積S2と、がS1≦S2の関係を満たすことで、ビア導体の数の差に由来して電子部品20が変形することを防ぐことができ、電子部品20の接続信頼性の低下を抑制することができる効果が得られる。 In the above embodiment, the number of first terminals 21 (number of divisions) N1 and the number of second terminals 22 (number of divisions) N2 in the electronic component 20 satisfy N1> N2, and the thickness of the first terminal 21 The case where T1 and the thickness T2 of the second terminal 22 satisfy T1 <T2 has been described. However, even when the electronic component 20 does not satisfy T1 <T2 (that is, when T1 ≧ T2), the first via conductor 33 and the end surface 21a of the first terminal 21 are grounded as described above. When the area S1 and the ground contact area S2 between the second via conductor 34 and the end surface 22a of the second terminal 22 satisfy the relationship of S1 ≦ S2, the electronic component 20 is deformed due to the difference in the number of via conductors. This can be prevented, and the effect of suppressing a decrease in the connection reliability of the electronic component 20 can be obtained.

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記の実施形態に限定されず、種々の変更を行うことができる。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made.

例えば、電子部品内蔵基板1に含まれる電子部品20、ビア導体30(第1ビア導体33、第2ビア導体34)、及び絶縁層11とは異なる部分の構造は、適宜変更することができる。また、基板10はコア12を含まずに構成されていてもよい。 For example, the structure of the portion different from the electronic component 20, the via conductor 30 (first via conductor 33, second via conductor 34), and the insulating layer 11 included in the electronic component built-in substrate 1 can be appropriately changed. Further, the substrate 10 may be configured not to include the core 12.

また、上記実施形態では、絶縁層11が単層であり、絶縁層11が基板10の第1主面10A及び第2主面10Bを形成している例を説明したが、基板10内には複数の絶縁層が含まれていてもよい。この場合、例えば、第1端子21の端面21aから延びる第1ビア導体33は一の絶縁層内に設けられ、第2端子22の端面22aから延びる第2ビア導体34は一の絶縁層とは異なる他の絶縁層内に設けられていてもよい。この場合、2つの絶縁層の間は、絶縁層を形成する材料とは異なる材料により構成されていてもよい。また、絶縁層11は図2等に示すように単層となるように存在していても、複数種類の材料が層状に積層していてもよい。 Further, in the above embodiment, the example in which the insulating layer 11 is a single layer and the insulating layer 11 forms the first main surface 10A and the second main surface 10B of the substrate 10 has been described. A plurality of insulating layers may be included. In this case, for example, the first via conductor 33 extending from the end surface 21a of the first terminal 21 is provided in one insulating layer, and the second via conductor 34 extending from the end surface 22a of the second terminal 22 is the one insulating layer. It may be provided in another different insulating layer. In this case, the space between the two insulating layers may be made of a material different from the material forming the insulating layer. Further, the insulating layer 11 may exist as a single layer as shown in FIG. 2 or the like, or a plurality of types of materials may be laminated in a layered manner.

また、上記実施形態では、電子部品20の能動部品42側に接続される第1端子21の数(分割数)をN1とし、電源側に接続される第2端子22の数(分割数)をN2とした場合に、N1>N2となっている例について説明したが、電子部品20の第1端子21及び第2端子22の接続対象は上記に限定されない。すなわち、例えば、第1端子21が電源側に接続され、第2端子22が能動部品側に接続されていてもよい。 Further, in the above embodiment, the number of first terminals 21 connected to the active component 42 side of the electronic component 20 (number of divisions) is N1, and the number of second terminals 22 connected to the power supply side (number of divisions) is set to N1. An example in which N1> N2 is set when N2 is set has been described, but the connection target of the first terminal 21 and the second terminal 22 of the electronic component 20 is not limited to the above. That is, for example, the first terminal 21 may be connected to the power supply side and the second terminal 22 may be connected to the active component side.

1…電子部品内蔵基板、10…基板、10A…第1主面、10B…第2主面、11…絶縁層、12…コア、13…貫通孔、20…電子部品、21…第1端子、22…第2端子、22a…端面、23…容量部、30…ビア導体、31…第1外部端子、32…第2外部端子、33…第1ビア導体、34…第2ビア導体、42…能動部品、44…回路基板。 1 ... Electronic component built-in substrate, 10 ... Substrate, 10A ... 1st main surface, 10B ... 2nd main surface, 11 ... Insulation layer, 12 ... Core, 13 ... Through hole, 20 ... Electronic component, 21 ... 1st terminal, 22 ... 2nd terminal, 22a ... end face, 23 ... capacitance part, 30 ... via conductor, 31 ... first external terminal, 32 ... second external terminal, 33 ... first via conductor, 34 ... second via conductor, 42 ... Active component, 44 ... Circuit board.

Claims (5)

第1主面及び前記第1主面の反対側に第2主面を有する基板と、
前記基板に内蔵され、前記第1主面側に設けられた第1端子、前記第2主面側に設けられた第2端子、及び前記第1端子と前記第2端子との間に設けられた容量部を有する電子部品と、
前記基板に含まれる絶縁層内に形成され、前記第1端子と電気的に接続されると共に前記第1主面側に延びる第1ビア導体と、
前記基板に含まれる絶縁層内に形成され、前記第2端子と電気的に接続されると共に前記第2主面側に延びる第2ビア導体と、
を有し、
前記第1端子の数N1と前記第2端子の数N2とは、N1>N2を満たし、
前記第1ビア導体と前記第1端子との接触面積S1と、前記第2ビア導体と前記第2端子の端面との接触面積S2と、は、S1≦S2を満たし、
前記第1端子の厚みT1と前記第2端子の厚みT2とが、T1<T2を満たす、電子部品内蔵基板。
A substrate having a first main surface and a second main surface on the opposite side of the first main surface,
A first terminal built in the substrate and provided on the first main surface side, a second terminal provided on the second main surface side, and provided between the first terminal and the second terminal. Electronic components with a large capacitance
A first via conductor formed in an insulating layer included in the substrate, electrically connected to the first terminal, and extending toward the first main surface side.
A second via conductor formed in the insulating layer included in the substrate, electrically connected to the second terminal, and extending toward the second main surface side.
Have,
The number N1 of the first terminal and the number N2 of the second terminal satisfy N1> N2.
A contact area S1 between the first terminal and the first via conductor, a contact area S2 between the end surface of the second terminal and the second via conductor, is to satisfy S1 ≦ S2,
A substrate with built-in electronic components, wherein the thickness T1 of the first terminal and the thickness T2 of the second terminal satisfy T1 <T2.
1つの前記第1端子に対して複数の前記第1ビア導体が接続している、もしくは、1つの前記第2端子に対して複数の前記第2ビア導体が接続している、請求項1に記載の電子部品内蔵基板。 The first aspect of claim 1, wherein a plurality of the first via conductors are connected to one said first terminal, or a plurality of said second via conductors are connected to one said second terminal. Described electronic component built-in board. 前記基板は、コアを含まずに構成される、請求項1又は2に記載の電子部品内蔵基板。 The electronic component built-in substrate according to claim 1 or 2, wherein the substrate does not include a core. 前記第1端子及び前記第2端子は、どちらも複数である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板。 The electronic component built-in substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein both the first terminal and the second terminal are plural. 請求項1〜のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板を含む基板実装構造体であって、前記第1端子は能動部品に接続され、前記第2端子は電源側に接続されている、基板実装構造体。 A board mounting structure including the electronic component built-in substrate according to any one of claims 1 to 4 , wherein the first terminal is connected to an active component and the second terminal is connected to a power supply side. , Board mounting structure.
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